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Joachim Specovius

Grundkurs Leistungselektronik
Joachim Specovius

Grundkurs
Leistungselektronik
Bauelemente, Schaltungen und Systeme
4., aktualisierte und erweiterte Auflage
Mit 512 Abbildungen und 33 Tabellen

STUDIUM
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organischen Grundstoffen, die weder bei der Herstellung noch bei der Verbrennung Schadstoffe frei-
setzen.

1. Auflage 2003
2. Auflage 2008
3. Auflage 2009
4., aktualisierte und erweiterte Auflage 2010

Alle Rechte vorbehalten


© Vieweg+Teubner Verlag | Springer Fachmedien Wiesbaden GmbH 2010
Lektorat: Reinhard Dapper | Walburga Himmel
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Umschlaggestaltung: KünkelLopka Medienentwicklung, Heidelberg


Druck und buchbinderische Verarbeitung: STRAUSS GMBH, Mörlenbach
Gedruckt auf säurefreiem und chlorfrei gebleichtem Papier.
Printed in Germany

ISBN 978-3-8348-1307-7
V

Vorwort
Wie viele Gebiete der Elektrotechnik, so entwickelt sich auch die Leistungselektronik in einem
schnellen Tempo weiter. Neue Halbleiterbauelemente, hier sei speziell auf den IGBT hinge-
wiesen, haben zusammen mit hochintegrierter digitaler Signalverarbeitung zu einem unver-
gleichbaren Zuwachs im Einsatz von Leistungshalbleitern in vielen neuen Anwendungsfeldern
wie z. B. im Automobilbereich, der Telekommunikation und der Haushaltsgerätetechnik ge-
führt. Hinzu kommen verstärkt Forderungen nach effizienter Energieanwendung, zentraler
und dezentraler Energiebereitstellung unter Einbindung regenerativer Energiequellen sowie
mobile Energieanwendungen einschließlich elektrischer Fahrzeugantriebe. Kaum ein Indus-
triezweig kann daher auf leistungselektronische Einrichtungen verzichten. Die Leistungselek-
tronik hat sich zu einer Schlüsseltechnologie entwickelt. Grundlegende Kenntnisse auf dem
Gebiet der Leistungselektronik werden daher in vielen Fachgebieten verstärkt benötigt.
Die bereits nach relativ kurzer Zeit erforderliche 4. Auflage dieses Lehrbuch basiert auf den
von mir an der Beuth Hochschule für Technik Berlin (BHT) gehaltenen Vorlesungen und
Übungen zu: Bauelemente der Leistungselektronik, Leistungselektronik, Systeme der Leis-
tungselektronik und Energieversorgung elektronischer Systeme. Es soll den Leser in das Ge-
biet der Leistungselektronik einführen und bietet schwerpunktmäßig fachliche Vertiefungen
an. Der Aufbau dieses Buches ist dabei so gestaltet, dass der Leser sich zunächst an allgemein
gehaltenen Begriffen orientieren kann. Im Anhang sind zusätzlich aktuelle Literaturhinweise
angegeben, auf die bei Bedarf verwiesen wird. Darüber hinaus stehen umfangreiche Zusatzma-
terialien und Übungen online zur Verfügung. Die Zusatzmaterialien zu diesem Lehrbuch kön-
nen im Internet unter www.viewegteubner.de herunterladen werden. Im Rahmen der neuen
Bachelor- und Master-Studiengänge hat sich die Konzeption dieses Lehrbuches mit online-Un-
terstützung für die eigenständige Vor- und Nacharbeit des Lehrinhaltes praktisch bewährt.
Gegenüber der 3. Auflage wurden nochmals einige Kapitel überarbeitet. Insbesondere wurde
im Kapitel 4 die Beschreibung von Leistungsmodulen in einem extra Kapitel über die Aufbau-
und Verbindungstechnik von Leistungshalbleitern zusammengefasst. In Kapitel 15 konnte die
Beschreibung der synchronen- und asynchronen Taktung verbessert werden und Kapitel 16
wurde um die Gesichtspunkte der Energieeffizienz elektrischer Antriebe erweitert. In Kapitel
19 wurden Konzept-Beispiele von Power-Management Systemen ergänzt.
An dieser Stelle möchte ich meinen Dank den Studenten und Lesern aussprechen, die durch
ihre Hinweise und Fragestellungen zur Verbesserung dieses Lehrbuches beigetragen haben.
Dem European Center for Power Elektronics (ECPE) danke ich für wertvolle Anregungen
[30], dem Vieweg+Teubner Verlag, insbesondere dem Cheflektor Herrn Reinhard Dapper,
danke ich für die sehr gute Zusammenarbeit.
Kritik und Anregungen zur weiteren Verbesserung dieses Lehrbuches und des Online-Angebo-
tes sind unter joachim.specovius@t-online.de jederzeit willkommen.
An dieser Stelle möchte ich auch meinen besonderen Dank meiner Familie aussprechen, ohne
deren Geduld und Rücksicht ein solches Lehrbuch nicht möglich gewesen wäre.

Berlin, im Mai 2010 Joachim Specovius


VII

Inhaltsverzeichnis

1 Was ist Leistungselektronik ?.............................................................................................1

2 Grundlagen...........................................................................................................................3
2.1 Die elektrische Leitfähigkeit......................................................................................3
2.1.1 Eigenleitung.....................................................................................................5
2.1.2 Störstellenleitung.............................................................................................6
2.2 Der pn-Übergang..........................................................................................................7
2.2.1 Der pn-Übergang mit äußerer Spannung.........................................................9
2.2.2 Der pn-Übergang im Durchlassbetrieb............................................................9
2.2.3 Der pn-Übergang in Sperrrichtung beansprucht............................................11
2.2.4 Die Durchbruchmechanismen des pn-Überganges........................................12
2.2.5 Die optimale Gestaltung des pn-Übergangs..................................................13

3 Dioden..................................................................................................................................15
3.1 pn-Diode....................................................................................................................15
3.1.1 Modellbildung einer realen pn-Diode............................................................16
3.1.2 Die Verlustleistungsberechnung....................................................................17
3.2 pin-Diode...................................................................................................................18
3.2.1 Das Sperrverhalten........................................................................................19
3.2.2 Das Durchlassverhalten.................................................................................19
3.2.3 Das Schaltverhalten.......................................................................................21
3.2.3.1 Einschalten....................................................................................22
3.2.3.2 Ausschalten...................................................................................22
3.2.3.3 Schaltverluste................................................................................24
3.2.4 Reihenschaltung.............................................................................................26
3.2.5 Parallelschaltung............................................................................................27
3.2.6 Einsatzkriterien für Dioden...........................................................................29
3.3 Solarzelle....................................................................................................................30

4 Transistoren........................................................................................................................33
4.1 Bipolartransistor.........................................................................................................33
4.1.1 Aufbau...........................................................................................................33
4.1.2 Wirkungsweise..............................................................................................34
4.1.3 Schaltverluste.................................................................................................36
VIII Inhaltsverzeichnis

4.1.4 Der bipolare Leistungstransistor....................................................................38


4.1.5 Die Arbeitspunkte des bipolaren Transistorschalters....................................39
4.1.6 Nichtsättigungsbetrieb (aktiver Bereich, uBC < 0)........................................39
4.1.7 Quasisättigungsbetrieb (uBC > 0)..................................................................40
4.1.8 Übersättigungsbetrieb....................................................................................40
4.1.9 Darlington-Transistoren.................................................................................42
4.1.10 Vergleich Bipolartransistor - Schalter ..........................................................43
4.2 Betriebsarten .............................................................................................................44
4.2.1 Schalten einer ohmsch-induktiven Last.........................................................45
4.2.2 Schalten eines eingeprägten Stromes.............................................................48
4.2.2.1 Weiches Schalten..........................................................................48
4.2.2.2 Hartes Schalten.............................................................................49
4.2.3 RCD-Beschaltung..........................................................................................50
4.3 Der IG-Feldeffekttransistor (MOSFET)....................................................................51
4.3.1 Aufbau...........................................................................................................51
4.3.2 Die Kennlinie.................................................................................................55
4.3.3 Die Gatekapazität..........................................................................................56
4.3.4 Neuere Entwicklungsrichtungen....................................................................57
4.4 Der IG-Bipolar Transistor (IGBT).............................................................................58
4.4.1 Aufbau...........................................................................................................58
4.4.2 Durchlasseigenschaften.................................................................................59
4.4.3 Das Schaltverhalten.......................................................................................60
4.4.3.1 Einschalten....................................................................................60
4.4.3.2 Ausschalten...................................................................................62
4.4.4 Sperr- und Blockierverhalten.........................................................................64
4.4.5 Neuere Entwicklungsrichtungen....................................................................65
4.5 Treiberschaltungen ....................................................................................................66
4.5.1 Gateanschluss................................................................................................69
4.5.2 Ausführung einer Ansteuerung für einen IGBT ...........................................70
4.5.2.1 Ansteuerung eines Halbbrückenmoduls.......................................71
4.5.2.2 Impulslogik...................................................................................72
4.5.2.3 Ventilbelastung.............................................................................74
4.6 Aufbau- und Verbindungstechnik..............................................................................75
4.6.1 Problematik....................................................................................................75
4.6.2 Gehäuseformen..............................................................................................76
4.6.2.1 Diskrete Bauelemente...................................................................76
4.6.2.2 IGBT-Leistungsmodule................................................................77
Inhaltsverzeichnis IX

4.6.3 Eigenschaften von Leistungsmodulen...........................................................78


4.6.3.1 Lastwechselfestigkeit ...................................................................78
4.6.3.2 Verhalten bei Moduldefekt ..........................................................80
4.6.3.3 Parasitäre Induktivitäten...............................................................80
4.6.3.4 EMV-Verhalten............................................................................80

5 Thyristoren.........................................................................................................................81
5.1 Aufbau und Wirkungsweise.......................................................................................81
5.2 Kennlinie....................................................................................................................83
5.3 Das Einschaltverhalten...............................................................................................83
5.3.1 Überschreiten der zulässigen Blockierspannung...........................................83
5.3.2 Überschreiten der zulässigen Spannungssteilheit .........................................84
5.3.3 Gatestromzündung.........................................................................................84
5.4 Ausschalten................................................................................................................87
5.4.1 Netzgeführter Betrieb....................................................................................87
5.4.2 Selbstgeführter Betrieb..................................................................................87
5.5 Ausführungsformen....................................................................................................90
5.5.1 Amplifying Gate Struktur..............................................................................90
5.5.2 Zweirichtungs-Thyristoren............................................................................90
5.5.3 Der asymmetrisch sperrende Thyristor..........................................................91
5.5.4 Der lichtzündbare Thyristor..........................................................................91
5.6 Abschaltbarer Thyristor (GTO).................................................................................91
5.6.1 Der asymmetrische sperrende GTO...............................................................91
5.6.2 Ansteuerung...................................................................................................92
5.6.2.1 Einschalten....................................................................................92
5.6.2.2 Ausschalten...................................................................................92
5.6.3 Betriebsbedingungen für einen GTO.............................................................93
5.6.4 Der IGCT.......................................................................................................94
5.7 Auswahl von Leistungsbauelementen........................................................................94

6 Wärme-Management.........................................................................................................95
6.1 Die Verlustleistung.....................................................................................................95
6.2 Das thermische Ersatzschaltbild................................................................................97
6.2.1 Der innere Wärmewiderstand Rth,JC..............................................................98
6.2.2 Der äußere Wärmewiderstand Rth,CA............................................................98
6.2.3 Die Wärmekapazität Cth................................................................................99
6.2.4 Der Wärmewiderstand des Kühlkörpers......................................................100
X Inhaltsverzeichnis

6.3 Kühlmedien..............................................................................................................102
6.3.1 Luftkühlung.................................................................................................102
6.3.2 Wasserkühlung............................................................................................103
6.3.3 Siedekühlung...............................................................................................103

7 Stromrichterschaltungen.................................................................................................105
7.1 Grundfunktionen......................................................................................................105
7.2 Kennzeichnung von Stromrichterschaltungen..........................................................105
7.3 Einteilung nach der inneren Wirkungsweise............................................................106
7.4 Leistungssteuerverfahren.........................................................................................107
7.5 Mittelpunktschaltung M1.........................................................................................107
7.5.1 Transformator-Bauleistung..........................................................................111
7.5.2 Kapazitive Last............................................................................................112
7.5.3 Ohmsch-induktive Last................................................................................114
7.5.4 Ohmsch-induktive Last mit Freilaufdiode...................................................115
7.6 Wechselwegschaltung W1.......................................................................................116
7.6.1 Stellerbetrieb mit ohmscher Last.................................................................117
7.6.2 Stellerbetrieb mit ohmsch-induktiver Last ..................................................119
7.6.3 Schaltbetrieb mit ohmsch-induktiver Last...................................................120

8 Wechselstromschaltungen...............................................................................................121
8.1 Die Mittelpunktschaltung M2U...............................................................................121
8.1.1 Gleichspannungsbildung..............................................................................121
8.2 Die gesteuerte Mittelpunktschaltung M2C..............................................................122
8.2.1 Die Wirkungsweise des Steuergenerators....................................................122
8.2.2 Passive Last.................................................................................................123
8.2.2.1 Ohmsche Last.............................................................................123
8.2.2.2 Ohmsch-induktive Last ..............................................................124
8.2.3 Aktive Last..................................................................................................126
8.2.4 Ventilbelastung ...........................................................................................129
8.2.5 Trafo- und Netzgrößen................................................................................130
8.2.6 Bemessung einer Glättungsinduktivität.......................................................131
8.2.7 Die Kommutierung......................................................................................133
8.2.7.1 Überlappung...............................................................................134
8.2.7.2 Die induktive Gleichspannungsänderung...................................136
8.3 Die Brückenschaltung B2........................................................................................139
8.3.1 Ventilbelastung............................................................................................140
Inhaltsverzeichnis XI

8.3.2 Transformatorbauleistung............................................................................140

9 Drehstromschaltungen.....................................................................................................141
9.1 Die Mittelpunktschaltung M3..................................................................................141
9.1.1 Gleichspannungsbildung..............................................................................142
9.1.1.1 Ohmsche Last ............................................................................143
9.1.1.2 Aktive Last.................................................................................145
9.1.2 Ventilbelastung............................................................................................146
9.1.2.1 Spannung....................................................................................146
9.1.2.2 Strom..........................................................................................148
9.1.3 Netzstrom....................................................................................................149
9.1.4 Die Kommutierung .....................................................................................150
9.1.4.1 Einfluss auf die Gleichspannung................................................151
9.1.4.2 Berechnung des induktiven Gleichspannungsabfalls..................153
9.1.4.3 Kommutierungseinfluss auf die Ventilspannung........................155
9.2 Die Brückenschaltung B6........................................................................................156
9.2.1 Gleichspannungsbildung..............................................................................156
9.2.2 Leitzustände der Ventile..............................................................................157
9.2.3 Stromrichtereingangsstrom..........................................................................159
9.2.4 Netzstrom....................................................................................................159
9.2.5 Bauleistung des Transformators..................................................................160
9.3 Zündimpulse.............................................................................................................161
9.3.1 Gleichspannungsbildung..............................................................................163
9.3.2 Einfluss der Kommutierungen.....................................................................165
9.3.3 Auswirkungen nicht idealer Glättung auf die Gleichspannung...................169
9.4 12-pulsige Schaltungen ...........................................................................................170
9.4.1 Stromrichter-Reihenschaltung.....................................................................171
9.4.2 Stromrichter-Parallelschaltung....................................................................172
9.5 Höherpulsige Schaltungen.......................................................................................174

10 Netzrückwirkungen..........................................................................................................175
10.1 Blindleistungsverhalten............................................................................................175
10.1.1 Die Kennlinie der Steuerblindleistung.........................................................176
10.1.2 Oberschwingungsblindleistung....................................................................177
10.2 Stromoberschwingungen..........................................................................................178
10.2.1 Stromglättung..............................................................................................178
10.2.2 Spannungsglättung.......................................................................................181
XII Inhaltsverzeichnis

10.2.2.1 Passive PFC-Schaltung...............................................................183


10.2.2.2 Aktive PFC-Schaltung................................................................184
10.3 Spannungsoberschwingungen..................................................................................187
10.3.1 B2-Schaltung...............................................................................................187
10.3.2 B6-Schaltung ..............................................................................................189

11 Lastgeführte Stromrichter..............................................................................................195
11.1 Schwingkreiswechselrichter.....................................................................................195
11.1.1 Betrieb mit eingeprägter Gleichspannung ..................................................195
11.1.2 Betrieb mit eingeprägtem Gleichstrom .......................................................198
11.1.3 Vergleich der Wechselrichtertypen.............................................................200
11.2 Schwingkreiswechselrichter mit abschaltbaren Ventilen.........................................200
11.2.1 Strom- und spannungsloses Schalten...........................................................202
11.2.2 Anwendungsbeispiel zum stromlosen Schalten (ZCS)................................203

12 Selbstgeführte Stromrichter............................................................................................205
12.1 Wechselrichter mit eingeprägter Spannung (UWR)...................................................205
12.1.1 Mittelpunktschaltung mit AC-seitigem Mittelpunkt ...................................206
12.1.2 Ausführungsbeispiel mit Thyristorschalter..................................................207
12.1.3 3-phasige Brückenschaltungen....................................................................210
12.1.3.1 Betrieb mit passiver Last ...........................................................212
12.1.3.2 Betrieb mit einer Drehfeldmaschine...........................................212
12.1.3.3 Wechselrichter mit Phasenfolgelöschung...................................214
12.2 Wechselrichter mit eingeprägtem Strom (IWR)......................................................216
12.2.1 Prinzip.........................................................................................................216
12.2.2 Wechselrichter mit Phasenfolgelöschung....................................................219

13 Die Wirkungsweise selbstgeführter UWR.....................................................................223


13.1 Schaltungen in Zweipunkttechnik (2-level-inverter)................................................224
13.1.1 Schaltfunktionen..........................................................................................225
13.1.2 Kurzzeit-Mittelwert.....................................................................................226
13.1.3 Der Modulator.............................................................................................228
13.1.4 Modulationsfunktion ..................................................................................228
13.1.5 Aussteuerung...............................................................................................229
13.1.6 1-phasige Brücke ........................................................................................230
13.1.6.1 Grundfrequenztaktung................................................................231
13.1.6.2 Schwenksteuerung......................................................................232
Inhaltsverzeichnis XIII

13.1.6.3 Pulsbreitenmodulation................................................................233
13.1.7 3-phasige Brücke.........................................................................................234
13.1.7.1 Die Spannungsbildung................................................................235
13.1.7.2 Der Zwischenkreisstrom ............................................................238
13.2 Schaltungen in Dreipunkttechnik (3-level-inverter).................................................242
13.2.1 1-phasige Brückenschaltung........................................................................245
13.2.2 3-phasige Brückenschaltung........................................................................246
13.3 Multi-level-Schaltungen...........................................................................................249

14 Drehstromgrößen in Raumzeigerdarstellung................................................................251
14.1 Raumzeigertransformation.......................................................................................251
14.2 Stromrichterspeisung................................................................................................255

15 Steuerverfahren für UWR...............................................................................................257


15.1 Begriffe....................................................................................................................257
15.2 Die Grundfrequenzsteuerung...................................................................................262
15.3 Die Pulsbreitenmodulation (PWM).........................................................................263
15.3.1 Digitale Schaltungen....................................................................................266
15.3.2 Schaltfunktionen für 3-phasige Schaltungen...............................................267
15.3.3 Steuerkennlinie............................................................................................270
15.3.4 Off-line optimierte Schaltfunktionen...........................................................272
15.3.5 Eliminationsmethode ..................................................................................272
15.3.6 Optimierte Pulsmuster.................................................................................273
15.3.7 Raumzeigermodulation................................................................................274

16 Stromrichter und Maschinen..........................................................................................277


16.1 Gleichstrommaschinen.............................................................................................277
16.2 Elektronikmotor.......................................................................................................280
16.3 Stromrichtermotor....................................................................................................281
16.4 Drehfeldmaschinen..................................................................................................284
16.5 Zusatzverluste durch Stromrichterspeisung.............................................................288
16.6 Leistungssteuerung bei konstanter Ständerfrequenz................................................289
16.6.1 Drehstromsteller W3...................................................................................290
16.6.2 Pulsgesteuerter Läuferwiderstand................................................................291
16.6.3 Stromrichterkaskade....................................................................................292
16.6.3.1 Ausführung mit Stromzwischenkreis..........................................293
16.6.3.2 Ausführung mit Spannungszwischenkreis..................................294
16.7 Leistungssteuerung bei variabler Ständerfrequenz...................................................296
XIV Inhaltsverzeichnis

16.7.1 Prinzip des Direktumrichters.......................................................................296


16.7.2 3-phasiger Direktumrichter..........................................................................299
16.7.3 Frequenzumrichter.......................................................................................299
16.7.3.1 U/f-Kennliniensteuerung............................................................302
16.7.3.2 Feldorientierte Regelung............................................................303
16.7.4 Abschätzung der Zwischenkreisgrößen.......................................................305
16.8 Energieeffizienz von elektrischen Antrieben............................................................307

17 Leistungselektronik und EMV........................................................................................311


17.1 Grundbegriffe...........................................................................................................311
17.1.1 Störgrößen in der Leistungselektronik.........................................................312
17.1.2 Störfestigkeit................................................................................................314
17.1.3 Störvermögen...............................................................................................314
17.1.4 Leitungsgebundene Störungen.....................................................................314
17.1.5 Nicht leitungsgebundene Störungen............................................................314
17.1.5.1 Kapazitive Beeinflussungen.......................................................314
17.1.5.2 Induktive Beeinflussungen.........................................................315
17.1.5.3 Elektromagnetische Beeinflussungen.........................................315
17.1.6 Psophometrischer Störstrom........................................................................316
17.2 Netzfilter...................................................................................................................316
17.3 Motoranpassung an den Stromrichter......................................................................320
17.3.1 Lagerströme.................................................................................................320
17.3.2 Wanderwellenprobleme...............................................................................320
17.3.3 Ausgangsfilter..............................................................................................323
17.4 Weitere Maßnahmen.................................................................................................324

18 Gleichspannungswandler.................................................................................................327
18.1 Tiefsetzsteller...........................................................................................................327
18.2 Ausführungsbeispiel zum Tiefsetzsteller.................................................................327
18.3 Gleichstromsteller....................................................................................................328
18.4 Gleichstromsteller mit aktiver Last..........................................................................331
18.5 Lückbetrieb..............................................................................................................333
18.6 Hochsetzsteller.........................................................................................................336
18.7 Hoch-Tiefsetzsteller.................................................................................................337
18.8 Sperrwandler............................................................................................................339
18.9 Durchflusswandler...................................................................................................340
18.10 Schaltnetzteile..........................................................................................................341
18.10.1Sekundär getaktetes Netzteil (AC-DC-Wandler)........................................342
Inhaltsverzeichnis XV

18.10.2 Primär getaktetes Netzteil (AC-DC-Wandler)...........................................342


18.10.3 Elektronischer Transformator (AC-AC-Wandler).....................................343
18.10.4 Pulsgleichrichter........................................................................................343
18.10.5 Energiesparlampen....................................................................................345
18.10.5.1 Kompakt Leuchtstofflampe......................................................345
18.10.5.1 Leuchtdiode (LED)...................................................................346

19 Stromversorgungen..........................................................................................................347
19.1 Unterbrechungsfreie Stromversorgungen.................................................................347
19.1.1 Online-Systeme............................................................................................348
19.1.2 Offline-Systeme...........................................................................................348
19.2 Photovoltaische Stromversorgungen........................................................................349
19.3 Brennstoffzellen-Stromversorgungen......................................................................349
19.4 Energiespeicher........................................................................................................351
19.4.1 Konzepte für akkugestützte Fahrzeugantriebe.............................................356
19.4.2 Speichertechnologien für Elektrofahrzeuge................................................357

Formelzeichen..........................................................................................................................361
Weiterführende Literatur......................................................................................................364
Sachwortverzeichnis...............................................................................................................366

Hinweis

Dieses Lehrbuch einschließlich aller Zeichnungen wurde mit dem freien Office-Paket
OPENOFFICE erstellt.
1

1 Was ist Leistungselektronik ?

Elektrische Energie steht im Allgemeinen in Form einer Gleichspannung oder als ein- bzw.
mehrphasige Wechselspannung zur Verfügung. Viele Verbraucher benötigen elektrische Ener-
gie in angepasster Form, zum Beispiel als Wechselspannung mit veränderbarer Amplitude und
Frequenz für den Betrieb von drehzahlvariablen Antrieben z. B. in Werkzeug-, Positionier-
oder Fahrzeugantrieben oder als geregelte Gleichspannung für den Betrieb von elektronischen
Geräten. Der Energiefluss kann sich auch umkehren, so dass im Bremsbetrieb Energie zurück-
gewonnen werden kann. Hierdurch steigt der Wirkungsgrad an und der Verschleiß mechani-
scher Bremsen wird verringert. Bei Ausfall des Energieversorgungsnetzes können die Ver-
braucher mit Hilfe leistungselektronischer Einrichtungen aus einer Batterie versorgt werden.
Die Leistungselektronik formt die bereitgestellte elektrische Energie in die vom Verbraucher
benötigte Form um. Diese Umwandlung erfolgt verlustarm durch den Einsatz elektronischer
Schalter. Durch den Schalterbetrieb unterscheidet sich die Leistungselektronik von der Analo-
gelektronik, bei der eine Spannungsumformung durch lineare Stellglieder (Transistor) ähnlich
wie bei einem Spannungsteiler erfolgt und daher mit hohen Verlusten verbunden ist. Leis-
tungselektronik ist nach Abb. 1-1 das Bindeglied zwischen dem Energieerzeuger und dem
Energieverbraucher. In das Fachgebiet der Leistungselektronik eingeschlossen sind die erfor-
derlichen Mess-, Steuer- und Regeleinrichtungen.

Energiequelle

Lei s t ungs el ektr oni k


Führungsgrößen
Rückmeldungen

Ansteuer-
Schalt- signale
befehle
Signalverarbeitung
Übergeordnete
Steuerung Steuer-, Treiber Leistungsteil
Regelalgorithmen
Fehler-
meldungen

Verbraucher

Abbildung 1-1 Übersicht

Der größte Nutzen der Leistungselektronik besteht derzeit in einer verbesserten Energieeffizi-
enz leistungselektronischer Systeme. Dazu tragen reduzierte Verluste in den Bauelementen so-
wie optimierte Steuer- und Regelungsverfahren bei. Darüber hinaus führt der zunehmende Ein-
satz der Leistungselektronik zu einer erhöhten Zuverlässigkeit elektrischer Systeme und zu Ge-
räusch- und Gewichtsreduktionen. Leistungselektronik ist daher eine Schlüsseltechnologie me-
chatronischer Systeme. Da elektrische Energie in unterschiedlichen Formen eingesetzt wird,
wie z. B. als Gleich-, Wechsel- oder Drehstromenergie, so sind bei der Energieumformung
verschiedene Funktionen erforderlich, die in Abb. 1-2 dargestellt sind.
Die Leistungselektronik kann auf eine jahrzehntelange Entwicklung zurückblicken. Nach der
Entdeckung der Ventilwirkung eines Lichtbogens wurde 1902 der Quecksilberdampf-Gleich-
2 1 Was ist Leistungselektronik ?

richter entwickelt. Mit diesem Stromrichterventil entstand auch der Begriff der Stromrichter-
technik. Die Möglichkeit zur verlustarmen Steuerung des Energieflusses durch Anwendung
der Gittersteuerung brachte ab 1925 den Durchbruch für stromrichtergespeiste Anlagen und
Antriebe. Eine neue Entwicklung setzte ab 1958 mit Halbleiterbauelementen ein. Diese Bau-
elemente führten zu Anlagen mit vergleichsweise geringem Gewicht und geringem Platzbedarf
bei hohem Wirkungsgrad und hoher Zuverlässigkeit. Mitte der sechziger Jahre folgte schließ-
lich aus der Stromrichtertechnik der Begriff der Leistungselektronik.

Wechsel- oder §
Gleichstromenergie Abbildung 1-2
Drehstromenergie =
Grundfunktion der
Gleichrichter Leistungselektronik ist die
Umformung elektrischer
§ Wechselstrom- Gleichstrom- =
Energie.
§ umrichter umrichter = Der Leistungsbereich reicht
von mW bis MW.
Wechselrichter
Wechsel- oder §
Gleichstromenergie
Drehstromenergie =

Die zunehmende Schaltleistung der Bauelemente ist mit immer kürzeren Schaltzeiten verbun-
den. Die gleichzeitig zunehmende Leistungsdichte leistungselektronischer Geräte führt zum
einen zur gegenseitigen Beeinflussung der Bauelemente durch elektrische und magnetische
Felder sowie die Abstrahlung dieser Felder nach Außen (Elektromagnetische Verträglichkeit,
EMV), zum anderen werden effektive Kühlsysteme zur Abführung der elektrischen Verlust-
leistung erforderlich. Beide Problemfelder bestimmen im Wesentlichen die Leistungsfähigkeit
und Ausführung moderner leistungselektronischer Geräte und Anlagen. Einen Überblick über
derzeit eingesetzte – und in diesem Lehrbuch behandelte Halbleiterventile – zeigt Abb. 1-3.

Halbleiterventile

nicht steuerbar steuerbar

einschaltbar ein- und ausschaltbar

pn-Diode Thyristor GTO/IGCT

psn-Diode Triac BT

MOS

IGBT

Abbildung 1-3 Übersicht über heute eingesetzte Halbleiterventile


3

2 Grundlagen

Als Halbleiter werden Elemente bzw. Verbindungen bezeichnet, deren spezifischer Widerstand
bei Normaltemperatur (25 °C) zwischen den Werten von Metallen und Isolatoren liegt. Typi-
sche Halbleitermaterialien sind Germanium und Silizium. Im Unterschied zu den Metallen
weist der elektrische Widerstand von Halbleitern einen negativen Temperaturkoeffizienten auf,
d. h. der Widerstand sinkt wenn die Temperatur steigt. Ein reiner Halbleiter ist beim absoluten
Nullpunkt (0 K) ein Isolator. Das Verhalten von Si- bzw. Ge-Halbleitern wird mit dem Ziel be-
schrieben, das Verständnis für den Leitungsmechanismus von Halbleiter-Bauelementen zu för-
dern und deren Kennlinien und Einsatzbedingungen zu verstehen.
Leiter ( Metalle ) Halbleiter Nichtleiter ( Isolatoren )

Si

Cu Fe Ge Marmor

10ņ10 10ņ5 100 10+5 10+10 10+15 10+20


Spezifischer Widerstand ˁ in ʰ ŏ c m

2.1 Die elektrische Leitfähigkeit


Die Stromstärke I in einem Leiter ist nach Gl. (2-1) definiert als Elektrizitätsmenge q, die je
Zeiteinheit durch den Leiterquerschnitt A fließt.

As
mit q = eŏn in 3
folgt für I eŏnŏʽŏA in A (2-1)
cm
ė19
e Elementarladung (1,602ŏ10 As )
ė3
n, p Konzentration beweglicher Ladungsträger in cm
ʽ Driftgeschwindigkeit in Richtung des elektrischen Feldes in cm /s
A Fläche in cm2
Bezieht man den Strom I auf den Querschnitt A, so erhält man für die Stromdichte j:
I A
Stromdichte: j eŏnŏʽ in (2-2)
A cm 2

Mit der spezifischen Leitfähigkeit ˂ und der Feldstärke E folgt für die Stromdichte j:
A V 1
j ˂ŏE in [ E] = , [˂] = (2-3)
cm 2 cm ʰ cm
4 2 Grundlagen

Durch Umstellen von Gl. (2-3) folgt für die spezifische Leitfähigkeit˂.

j ʽ ʽ
˂ = eŏnŏ eŏnŏʼ in ʰė1 cmė1 mit μ (Beweglichkeit) (2-4)
E E E
Der Quotient ʽ E wird als Beweglichkeit μ bezeichnet und ist ein Maß dafür, wie schnell
sich die Ladungsträger im Gitterverband bei gegebener elektrischer Feldstärke E in Feldrich-
tung bewegen können. Die Bewegung wird durch häufige Zusammenstöße behindert, so dass
für die Ladungsträger nur eine mittlere Geschwindigkeit angegeben werden kann. Die Werte
für μ liegen bei Metallen zwischen (10...100) cm2/Vs, für Halbleitermaterialien wie Germani-
um und Silizium zwischen (400...4000) cm2/Vs.
Während bei Metallen die Leitfähigkeit nur durch die Anzahl freier Elektronen bestimmt wird,
sind im Halbleiter neben den freien Elektronen (Konzentration n) auch Defektelektronen bzw.
Löcher (Konzentration p) vorhanden. Löcher und Elektronen zeigen unterschiedliche Beweg-
lichkeiten (μnIJ3μp). Daher wird Gl. (2-4) erweitert zu:
Leitfähigkeit ˂ eŏμnŏn ʅ eŏμpŏp in ʰė1 cmė1 (2-5)

Typische μ-Werte für Germanium (Ge) und Silizium (Si) sowie zusätzlich für Siliziumcarbid
(SiC) zeigt folgende Tabelle:1

Tabelle 2.1 Kenndaten von Halbleitermaterialien

Größe Ge Si SiC Einheit

μn cm²/Vs
Elektronenbeweglichkeit 3900 1900 800

μp cm²/Vs
Defektelektronenbeweglichkeit 1900 425 115

Eg eV
Bandabstand 0,67 1,1 3,2

Emax MV/cm
max. Feldstärke 0,1 0,25 2,4

Durch Einsetzen von Gl. (2-5) in Gl. (2-3) erhält man für die Stromdichte j:

j ˂ŏE E ʛeŏμnŏn ʅ eŏμpŏpʜ (2-6)

Mit Gl. (2-4) erhält man schließlich:


j eŏʛnŏv n ʅ pŏv p ʜ (2-7)

À Der Strom i setzt sich bei Halbleitern immer aus einem Löcherstrom und einem Elektronen-
strom zusammen. Löcher- und Elektronenstrom zeigen unterschiedliche Leitfähigkeiten.

1Quelle: EPE 97, pp1514 „switching behavior of diodes based on new semiconductor materi-
als and silicon“ (M .Bruckmann u. a.)
2.1 Die elektrische Leitfähigkeit 5

2.1.1 Eigenleitung
Valenzelektron
Abbildung 2-1
Atomrest Si Si Si
Aufbau eines Silizium-
Elektronenpaar kristallgitters
+ Si Si Si Bei 0 K gibt es keine freien
Ladungsträger und damit ist
kein Stromfluss möglich.
Si Si Si À Das Material verhält sich
bei 0 K wie ein Isolator.
Si-Atom Si-Kristallgitter

Den Aufbau des Kristallgitters von Silizium bei T = 0 K zeigt idealisiert Abb. 2-1. Bei einer
Temperatur größer 0 K bewegen sich die Atome regellos um ihre Ruhelage im Kristallgitter.
Durch die kinetische Energie der Elektronen besteht die Möglichkeit für das Aufbrechen einer
Bindung, d. h. ein (Valenz-)Elektron kann sich aus dem Atomverband lösen und sich im Kris-
tallgitter als Ladungsträger frei bewegen (Abb. 2-2). Ein gelöstes Elektron hinterlässt eine po-
sitiv geladene Lücke im Kristallgitter (Loch, Defektelektron), so dass gleichzeitig zwei La-
dungsträger entstehen. Die Bildung eines Leitungselektrons (í) und eines Defektelektrons (+)
wird als Genera tion bezeichnet. Ein benachbartes Leitungselektron, welches ebenfalls aus
dem Atomverband gelöst ist, kann die positive Lücke wieder schließen (Reko mbina tio n )
und es wird Energie frei. Generation und Rekombination stehen im Gleichgewicht, d. h. zu je-
dem freien Elektron gehört eine positive Fehlstelle im Kristallgitter (n = p). Die Anzahl an p-
und n-Ladungsträgern ist temperaturproportional und wird als intrinsische Trägerdichte ni
nach Gl. (2-8) beschrieben.
Eg
ė
2 3 kŏT (2-8)
intrinsische Trägerdichte pŏn = ni = ni0ŏT ŏe

T : Absolute Temperatur
Eg : Bandabstand
J
k = 1,380658ŏ10ė23 Boltzmann-Konstante
K
ni0(Si) = 15 ė3 ė3 2
4,62ŏ10 cm K

Im absoluten Nullpunkt (T = 0 K) sind nach Gl. (2-8) keine freien Ladungsträger vorhanden.
Bei Raumtemperatur (T = 300 K) beträgt für Silizium die Ladungsträgerdichte ni ca. 1010/cm³.
Dann entsteht unter dem Einfluss eines äußeren elektrischen Feldes E im Halbleiter ein Strom-
fluss, der als Eige n le itu ng bezeichnet wird. Die Defektelektronen (Löcher) bewegen sich in
Feldrichtung, die Elektronen bewegen sich gegen die Feldrichtung. Die Stromdichte kann bei
Eigenleitung ausgehend von Gl. (2-7) wegen n = p durch Gl. (2-9) beschrieben werden.
j eŏnŏʛv n ʅv p ʜ (2-9)
Ferner können Ladungsträger durch Photonen ausreichender Energie freigesetzt werden sowie
durch eine gezielte Verunreinigung des Halbleiters mit Fremdatomen, der Dotierung.
6 2 Grundlagen

E
Abbildung 2-2

Elektron Prinzip der Eigenleitung


Flugzeit = Ladungsträger- Si
Lebensdauer
Loch
Es entsteht immer ein Elektronen-
ė + Loch-Paar. Die Generation kann
ė Vernichtung eines durch thermische Energie oder
Ladungsträgerpärchens durch Photonenenergie erfolgen.
Si + Si Si (Rekombination)
Durch Energiezufuhr steigt die
intrinsische Trägerdichte an.
Aufbrechen der Bindung
(Generation)

2.1.2 Störstellenleitung
Die Entwicklung von Halbleiter-Bauelementen war erst möglich, als man die Ladungsträger-
dichte gezielt festlegen konnte. Durch eine Dotierung des Halbleitermaterials mit Fremdato-
men ist eine Einstellung der Ladungsträgerdichte bei einer definierten Temperatur möglich. Da
die Fremdatome Störstellen im Halbleiterkristall erzeugen, spricht man von einer S tö r s te l-
le n l eitu n g . Je nach Wertigkeit der Fremdatome erhält man ein Material mit Elektronenüber-
schuss (n-Halbleiter, Elektronenleitung) oder Elektronenmangel (p-Halbleiter, Löcherleitung).
Wird das 4-wertige Silizium mit einem 5-wertigen Material wie z. B. Phosphor, Arsen, Anti-
mon dotiert, so steht in Abb. 2-3a pro Fremdatom ein überschüssiges Elektron als Leitungs-
elektron zur Verfügung. Die Bindungskräfte dieses überschüssigen Elektrons sind im Silizium-
gitter stark herabgesetzt und es kann leicht aus dem Atomverband gelöst werden. Wird das 4-

Abbildung 2-3
Si Si Si Si Si Si
Dotiertes Silizium
í a) 5-wertig
Si As Si Si Sn + Si Arsen (As),
Phosphor (P),
Antimon (Sb)

Si Si Si Si Si Si b) 3-wertig
Bor (B), Aluminium
(Al), Gallium (Ga),
n-Halbleiter p-Halbleiter Indium (In)

wertige Silizium mit einem 3-wertigen Material dotiert, so verschluckt die positive Fehlstelle
des nicht gebundenen vierten Si-Elektrons förmlich ein Elektron und es herrscht Elektronen-
mangel (p > n, p - H a l b le i te r). Es kommt in Abb. 2-3b zu einer Löcherleitung. Sowohl die n-
als auch die p-Halbleiter sind trotzdem nach Außen elektrisch neutral. In den n-Gebieten wer-
den die für den Stromfluss verantwortlichen beweglichen Elektronen durch zahlenmäßig
gleich viele ortsfest im Siliziumgitter sitzende positive Ladungen (Donatoren) kompensiert.
Die positiv geladenen beweglichen Löcher in den p-Gebieten werden durch die ortsfesten ne-
gativen Ladungen (Akzeptoren) kompensiert. Ein n- oder p-dotiertes Gebiet entspricht einem
ohmschen Widerstand. Die Leitfähigkeit des Halbleiters kann durch Dotierung um bis zu vier
Zehnerpotenzen eingestellt werden. Sind alle Störstellen im Halbleiter ionisiert, so spricht man
2.1 Die elektrische Leitfähigkeit 7

von einer Störstellenerschöpfung. Bei extrem tiefen Temperaturen (< 70 K) sind viele Störstel-
len nicht ionisiert und es besteht eine Störstellenreserve. Die eingestellte Trägerdichte wird
nicht erreicht. Bei hohen Temperaturen übersteigt die Eigenleitungs-Trägerdichte die Dotie-
rungsdichte, wodurch die eingestellte Trägerdichte ebenfalls unwirksam wird.
À Der praktische Einsatz von Halbleiterbauelementen kann daher nur in einem bestimmten
Temperaturbereich erfolgen (typisch: í40 °C < ϑ < 160 °C).
À Aufgrund der nach Tab. 2.1 höheren Beweglichkeit von Elektronen gegenüber Löchern hat
der n-Typ bei gleichem Querschnitt eine bessere elektrische Leitfähigkeit als der p-Typ.

2.2 Der pn-Übergang


Berühren sich ein p-dotiertes und ein n-dotiertes Halbleitermaterial, so spricht man im Grenz-
gebiet von einem pn-Übergang. Im n-Gebiet herrscht im Vergleich zum p-Gebiet ein Elektro-
nenüberschuss. Dieser Überschuss will sich durch Diffusion in das p-Gebiet ausgleichen. Es
kommt zu einem Ladungsträgeraustausch zwischen beiden Gebieten, dem Diffusionsstrom.
Elektronen des n-Gebietes diffundieren in die positiven Fehlstellen des p-Gebietes. Dabei er-
zeugen die eindiffundierten Elektronen ortsfeste negative Ladungen (í) im p-Gebiet. Im n-Ge-
biet entstehen durch die Elektronenabwanderung ortsfeste positive Ladungen (+). Durch Diffu-
sion verschwinden im Laufe der Zeit alle frei beweglichen Ladungsträger aus der Grenz-
schicht. Die Folge ist eine sehr geringe elektrische Leitfähigkeit in der Grenzschicht (Isolator).
Die beiderseits des pn-Überganges angelagerten Ladungen erzeugen in der Grenzschicht die

E
Abbildung 2-4
negativ geladen positiv geladen E
Symmetrischer pn-
íQ +Q Übergang
p-Halbleiter n-Halbleiter
elektrisch neutral í + elektrisch neutral í +
Die Grenzschicht
xL xR Ersatzanordnung wird als
0 Raumladungszone
Grenzschicht, (RLZ) bezeichnet.
keine freien Ladungsträger

Feldstärke E, die wiederum eine Elektronenbewegung gegen die Feldrichtung hervorruft, den
D r i f t s t r o m . Der Driftstrom ist gegen den Diffusionsstrom gerichtet und behindert den La-
dungsausgleich. Sobald der Driftstrom gleich dem Diffusionsstrom ist, findet keine Verände-
rung der Ladungsverteilung mehr statt und man erhält eine stabile Ladungsverteilung in der
Grenzschicht, die als Raumladungszone (RLZ) nach Abb. 2-4 bezeichnet wird. Die Breite der
Raumladungszone hängt von der Höhe der Dotierung ab. Je geringer die Dotierung ist, desto
weiter dehnt sich die Raumladungszone aus. Die ortsfeste Ladung links und rechts vom pn-
Übergang wird durch die Raumladungsdichte ρ(x) beschrieben. Die Integration der Raumla-
dungsdichte über das Volumen dV = A dx (A: Querschnittsfläche) liefert in Gl. (2-10) die Ge-
samtladung Q.

xR

Ladung im n-Gebiet: ʅQ ĩ ˁʛ xʜ A d x (2-10)


0
8 2 Grundlagen

Wird in Abb. 2-5 angenommen, dass die Raumladungsdichte ρ (x) über x abschnittweise kon-
stant ist, so vereinfacht sich die Integration in Gl. (2-10) zu:

ʅQ ʅˁ A x R bzw. ėQ ėˁ A x L (2-11)

xR bzw. xL sind bei der angenommenen symmetrischen Dotierung gleich der halben Breite der
Raumladungszone (dRLZ). Bezieht man Gl. (2-10) auf die Dielektrizitätskonstante ε des Halb-
leitermaterials, so erhält man mit Gl. (2-12) eine Aussage über die von der Raumladungsdichte
ȡ(x) hervorgerufene e le k tr i sc h e F e ld s tä r k e E( x ) im Halbleitermaterial (eindimensionale
Poisson-Gleichung).
x
1 ˁŏx
Feldstärke: E ʛ xʜ ŏĩ ˁʛ xʜ d x für ˁʛ xʜ ˁ = konstant (2-12)
ʵ x ʵ
L

Die Integration der Feldstärke E(x) liefert mit Gl. (2-13) schließlich den Verlauf des elektri-
schen Potenzials ij (x ) . Die Potenzialdifferenz Δϕ = ij(xR) í ij(xL) wird als Diffusions-
spannung U D bezeichnet. Die Diffusionsspannung U D besitzt für jedes Halbleitermaterial
einen typischen Wert. Für Silizium beträgt UD bei Raumtemperatur ca. 0,7 V.
x
ˁŏx 2
Potenzialverlauf ˍ ʛ xʜ ė ĩ E ʛ xʜ d x ė (2-13)
xL
ʵŏ2

feldfrei feldfrei
Raumladungszone Abbildung 2-5
Feldstärke- und Potenzialverlauf
p n eines ungestörten symmetrischen
pn-Überganges
Breite dRLZ
ˁ ȩ Im extrinsischen
ˁ (x) Temperaturbereich ist die
+
Trägerdichte
xL 0 xR x temperaturunabhängig
í
(Normaler Betriebszustand).
ȩ Bei hohen Temperaturen, im
E intrinsischen
x Temperaturbereich, steigt die
Trägerdichte mit zunehmender
Emax
Erwärmung an (Kein normaler
E(x) Betriebszustand).

UD = ij(xR) í ij(xL)
ˍ
ˍ (x)
UD

0 x
2.2 Der pn-Übergang 9

2.2.1 Der pn-Übergang mit äußerer Spannung


Legt man an die pn-Struktur nach Abb. 2-6 eine elektrische Spannung, so wird die Feldstärke
E über der Raumladungszone je nach Polarität verstärkt oder geschwächt. Änderungen der
Feldstärke beeinflussen aber den Driftstrom, so dass sich mit der angelegten Spannung die
Breite der Raumladungszone ändert.
U0
iF Abbildung 2-6
R
pn-Übergang in Durchlassrichtung
UD gepolt
ȩ Die Breite der Raumladungszone
p n dRLZ ändert sich mit der
angelegten Spannung U0.
dRLZ

Wenn die äußere Spannung U0 entgegen gerichtet ist zur Diffusionsspannung UD, so wird der
Driftstrom geschwächt. In der Folge wird die isolierende Raumladungszone schmaler. Erreicht
U0 den Wert der Diffusionsspannung UD, so ist die Raumladungszone völlig abgebaut, d. h.
die ladungsträgerfreie Zone verschwindet und die isolierende Wirkung der Raumladungszone
ist aufgehoben. Ein Stromfluss über den pn-Übergang hinweg ist nun möglich. Diese Polung
wird daher mit Durchlassrichtung bezeichnet. Im Falle der entgegengesetzten Spannungspola-
rität wird die Raumladungszone durch den verstärkten Driftstrom breiter, ein Stromfluss ist in
dieser Polung nicht möglich. Diese Polung wird mit Sperrrichtung bezeichnet.

2.2.2 Der pn-Übergang im Durchlassbetrieb


Ist die äußere Spannung in Durchlassrichtung gepolt und größer als die Diffusionsspannung
UD, so fließt scheinbar ein Elektronenstrom durch den pn-Übergang. Damit der pn-Übergang
an den Stromkreis angeschlossen werden kann, sind in Abb. 2-7 metallische Kontakte jeweils
an der n- bzw. p-Zone vorgesehen. In der n-Zone bildet sich ein Elektronenstrom in, in der p-
Zone ein Löcherstrom ip aus. Die Ladungsträger, also Löcher und Elektronen, bewegen sich
als Diffusionsströme aufeinander zu. Beim Zusammentreffen Loch-Elektron findet eine Re-
kombination statt, beide Ladungsträger sind damit in ihrer Wirkung neutralisiert.

metallische Rekombination
im pn-Übergang technische
Leitung
Stromrichtung

í
Elektronenstrom Löcherstrom ip + í Elektronenstrom in

p n

Abbildung 2-7 Stromfluss im idealen pn-Übergang

Bei einem idealen pn-Übergang würde diese Rekombination unmittelbar am pn-Übergang er-
folgen. In realen Halbleitern verläuft dieser Rekombinationsvorgang auch beiderseits des pn-
10 2 Grundlagen

Überganges. Deshalb sind in Abb. 2-8 die Rekombinationsvorgänge nicht unmittelbar am pn-
Übergang abgebildet. Man bezeichnet die in die anders dotierte Zone „übergelaufenen“ La-
dungsträger jeweils als Minoritätsladungsträger. So sind Elektronen in der n-Zone zwar Majo-
ritätsladungsträger, in der p-Zone aber Minoritätsladungsträger.

Abbildung 2-8
Rekombination
I
Stromfluss beim
+í realen pn-Übergang
Elektronenstrom in
- Löcherstrom ip
+ í

Rekombination
p n

Die Rekombinationsvorgänge links und rechts vom pn-Übergang erzeugen im zeitlichen Mittel
eine Ladungsträgerverteilung, wie sie in Abb. 2-9 über der x-Achse dargestellt ist. Die Aus-
dehnung der Raumladungszone sei vernachlässigbar klein, die p- und n-Zone ist feldfrei.

pn-Übergang
p-Zone n-Zone

p(x) n(x)
Löcherstrom Elektronenstrom
log p, n

(Diffusionsstrom) (Diffusionsstrom)

Elektronenspeichereffekt Löcherspeichereffekt

n0 p0

x
Abbildung 2-9 Ladungsträgerkonzentration in der Umgebung des pn-Übergangs

Majoritätsladungsträger diffundieren jeweils als Minoritätsladungsträger in die gegenüberlie-


gende, entgegengesetzt dotierte Zone ein und ermöglichen durch Rekombination im Bereich
des pn-Überganges die Stromübergabe von Löcherstrom (p-Zone) zu Elektronenstrom (n-Zo-
ne). Je nachdem wie vollständig diese Rekombination erfolgt, verbleiben jenseits des pn-Über-
ganges unterschiedliche Ladungsmengen (Speicherladung, Diffusionsladung). Diese übergabe-
fähige Ladung Q ist von der Höhe des Durchlassstromes Id und der Lebensdauer der Minori-
tätsladungsträger ˃L abhängig und berechnet sich nach Gl. (2-14).
Q I d ŏ˃ L ˃L 1 μs... 10 μs (2-14)

Solange diese Ladungsträger existieren, besteht unabhängig von der Polung der äußeren Span-
nung eine elektrische Leitfähigkeit.
ȩ Bei bipolaren Leistungshalbleitern beeinflusst die gespeicherte Ladung Q das dynamische
Verhalten beim Übergang vom Sperr- in den Leitzustand bzw. vom Leit- in den Sperrzu-
stand (Trägerspeichereffekt).
2.2 Der pn-Übergang 11

2.2.3 pn-Übergang in Sperrrichtung beansprucht


UR Abbildung 2-10
Symmetrischer pn-Über-
gang in Sperrrichtung
p + í n belastet
feldfrei Sperrstrom iR-th feldfrei Die angelegte Spannung
UR und die Diffusions-
n0 Minoritätsladungen spannung UD bilden die
n0 p0 Spannung über die
p0 í Sperrstrom iR-M + Raumladungszone URLZ:
x
Raumladungszone, dRLZ URLZ = UD + UR
ˁ
ˁ (x) Für die Breite der Raum-
+ ladungszone (dRLZ) gilt:

xl 0 x
ė xr d RLZ a ʎ U RLZ

a) In der RLZ entsteht


durch thermische
UR Prozesse der
ˍ temperaturabhängige
ˍ (x) URLZ Sperrstrom iR-th.

b) Die Minoritäts-
UD
ladungen werden durch
URLZ über die RLZ
x abgesaugt, wodurch der
0
Sperrstrom iR-M fließt.
íE Für UR > 100 mV bleibt
Emax iR-M konstant und wird
E(x) als Sperrsättigungsstrom
IS bezeichnet.
Si: iR-th > iR-M

Durch Anlegen einer Spannung in Sperrrichtung werden die Majoritätsladungen jeweils zu den
Rändern abgezogen, wodurch sich die Raumladungszone RLZ verbreitert und die Feldstärke
Emax in der Raumladungszone ansteigt. Die Minoritätsladungen (Trägerdichten n0 bzw. p0)
werden von der Feldstärke E über die Raumladungszone hinweg abgesaugt. Hierdurch entsteht
der Sperrstrom iR-M, der bereits bei kleinen Spannungen (0,1 V) unabhängig von der Höhe der
Spannung UR ist und daher als Sperrsättigungsstrom IS bezeichnet wird. Die in der RLZ be-
findlichen thermisch generierten freien Ladungsträger werden von der Spannung URLZ eben-
falls abgesaugt. Da diese Trägeranzahl auch proportional zur Breite dRLZ ist, stellt sich zusätz-
lich zu iR-M ein temperatur- und (über dRLZ) spannungsabhängiger Sperrstrom iR-th ein. Dieser
verdoppelt sich etwa alle 6 K. Es gilt: iR § IS + iR-th. Die maximal zulässige Feldstärke des
Halbleitermaterials Emax begrenzt die Spannungsfestigkeit. Der Grenzwert Emax beträgt nach
Tab. 2.1 für Silizium ca. 25 kV/mm.
12 2 Grundlagen

2.2.4 Die Durchbruchmechanismen des pn-Überganges


Durch Eigenleitungsprozesse befinden sich in der Raumladungszone nach Gl. (2-8) immer
freie Ladungsträger. Die Elektronen bewegen sich unter dem Einfluss der elektrischen Feld-
stärke E und der thermischen Energie in der Raumladungszone und stoßen ab und zu mit ei-
nem Siliziumatom zusammen, wobei Bewegungsenergie vom Elektron auf das im zeitlichen
Mittel ortsfeste Siliziumatom übertragen wird. Wenn die Feldstärke E groß genug ist, kommt
es vor, dass ein Elektron zwischen zwei Zusammenstößen eine so große kinetische Energie
aufgenommen hat, dass beim nächsten Zusammenstoß mit einem Siliziumatom ein Valenz-
elektron aus einer Bindung herausgeschlagen werden kann. (Stoßionisierung, Abb. 2-11). Es
entsteht ein zusätzliches Elektronen-Loch-Paar, dass durch weitere Zusammenstöße zusätz-
liche Ladungsträger generiert. Der Sperrstrom steigt somit ab einer bestimmten „kritischen
Feldstärke“ durch eine Art Kettenreaktion lawinenartig an, weshalb man vom Lawinen-
Durchbruch bzw. Avalanche-Durchbruch spricht.
À Mit steigender Temperatur nimmt die freie Weglänge (Beschleunigungsstrecke) ab, so dass
es zu einem Anstieg der Durchbruchspannung mit der Temperatur kommt (PTC).

Elektron auf zusätzliches,


Silizium-Atom Abbildung 2-11
Kollisionskurs herausgestoßenes Elektron
Stoßionisation
í í í
í Si í í Si í í Si í
í í íí Loch + í
E E í
vor der Kollision Kollision nach der Kollision

Bei stark dotierten pn-Übergängen kommt es bei steigender Sperrspannung dazu, dass die
Raumladungszone zu schmal ist, als dass in ihr aufeinander folgende Stoßprozesse stattfinden
könnten. Die freien Elektronen verlassen die Raumladungszone bevor sie mit Siliziumatomen
zusammengestoßen sind. Zwar stoßen sie außerhalb der Raumladungszone noch mit einem Si-
liziumatom zusammen und können ein Elektronen-Loch-Paar erzeugen, doch dieses Ladungs-
trägerpaar trägt nicht zum Sperrstrom bei, da außerhalb der Raumladungszone kein elektri-
sches Feld wirksam ist. Wird die Feldstärke in Abb. 2-12 jedoch so groß, dass durch die Feld-
stärke selbst in der Raumladungszone Elektronen aus ihrer Bindung herausgerissen werden, so
entstehen zusätzliche Elektronen-Loch-Paare, die ebenfalls zu einem plötzlichen Anstieg des
Sperrstromes führen. Dieser Fall wird als Zener-Durchbruch bezeichnet.
À Mit steigender Temperatur wird das Aufbrechen der Bindungen beschleunigt, wodurch es
zu einem Abfall der Durchlassspannung kommt (NTC-Verhalten).

Silizium-Atom
í Abbildung 2-12

í Si í Zener-Effekt
aufgebrochene Ladungsträgerpaar
Bindung + í

E
2.2 Der pn-Übergang 13

2.2.5 Die optimale Gestaltung des pn-Übergangs


Die Fläche, die E(x) mit der x-Achse einschließt, ist proportional zur Spannung über der
Raumladungszone (URLZ). Daraus folgt, dass der pn-Übergang mit einer starken Dotierung
nach Abb. 2-13b eine geringere Breite dRLZ aufweist als bei einer schwachen Dotierung nach
Abb. 2-13a, und deshalb bei gleicher Spannung eine (hier um ǻE) höhere Feldstärke hat.

a) b)
ˍ ˍ

URLZ URLZ

xL 0 xR xL 0 xR
x x
dn dp
ȡ ȡ
dn dp

nD+
nD+

nAí x x

nAí

E dRLZ E dRLZ

x x

Emax Flächen sind bei gleicher Emax


Spannung U gleich groß

geringere Dotierung
ǻE führt zu geringerer
Feldstärke!

Abbildung 2-13 Feldstärkeverlauf bei gleicher Spannung und unterschiedlicher Dotierung


À Zur Erzielung einer hohen Spannungsfestigkeit muss eine schwache Dotierung gewählt
werden, um die auftretende Feldstärke Emax zu begrenzen.
À Eine schwache Dotierung hat wegen der geringen Anzahl an Ladungsträgern aber einen
hohen Durchlasswiderstand zur Folge.
Ein pn-Übergang kann somit nur entweder für ein gutes Durchlassverhalten oder für eine hohe
Spannungsfestigkeit bemessen werden.
14 2 Grundlagen

À Für Leistungsanwendungen werden Bauelemente benötigt, die sehr gute Durchlass-


eigenschaften mit gleichzeitig sehr hoher Spannungsfestigkeit verbinden.

Im Weiteren wird gezeigt, wie eine hohe Spannungsfestigkeit zusammen mit einem geringen
Durchlasswiderstand realisiert werden kann. Eine Möglichkeit zur Erzielung dieser Forderun-
gen besteht in der unsymmetrischen Dotierung des pn-Überganges.
Das optimale Durchlassverhalten zeigt die Dotierung mit einer eigenleitenden Mittelschicht,
die so genannte pin-Struktur nach Abb. 2-14. Weitere Einzelheiten siehe [1, 7].

Abbildung 2-14
ˍ
Feldstärkeverlauf bei eigenleitender
URLZ Mittelschicht

xL pin (i: intrinsic, eigenleitend)


xR
0 x Ist die mittlere Schicht schwach n-dotiert (ní),
so lautet die Bezeichnung:
dn dp
psn (s: soft, schwach dotiert).
ˁ

dRLZ
E

x
Emax

Im Durchlassbetrieb wird die Mittelschicht von beiden Seiten mit Ladungsträgern über-
schwemmt. Die Ladungsträgerzahl – und damit die Leitfähigkeit – wächst mit dem Durchlass-
strom an. Daraus resultiert ein sehr niedriger Durchlasswiderstand der Mittelschicht.
À Die pin oder psn Struktur wird für Leistungsbauelemente gewählt,
ȩ weil sie eine hohe Sperrspannungsfestigkeit bietet und
ȩ weil sie einen geringen Durchlasswiderstand aufweist.

À Der Auf- und Abbau der Leitfähigkeit in der Mittelschicht benötigt Zeit. Dies zeigt sich in
einem ungünstigen dynamischen Verhalten.
15

3 Dioden

3.1 pn-Diode
Die praktische Ausführung eines pn-Überganges wird als D i o d e bezeichnet. Eine Diode ist
ein nichtlineares Bauelement. Wird an eine Diode eine Wechselspannung angelegt, so fließt ein
Strom im Wesentlichen nur in Durchlassrichtung. Auf Grund der Dotierung ist der Strom in
Sperrrichtung iR (Reverse current) bis zu 107 mal kleiner als der Durchlassstrom iF (Forward
current). Er verschwindet wegen der Minoritätsladungen in den feldfreien Bahngebieten der
Diode nicht völlig, erreicht aber bei Sperrspannungen ab ca. 100 mV den Wert des Sperrsätti-
gungsstromes IS (peak reverse current) und bleibt konstant. In der RLZ entstehen wegen der
Eigenleitung ständig neue Ladungsträger. Unter dem Einfluss der Feldstärke fließt daher zu-
sätzlich ein temperaturabhängiger Sperrstrom. Dieser verdoppelt sich bei Si etwa alle 6 K.
Die Anzahl dieser Ladungsträger ist auch von der Breite der RLZ – und damit von der Höhe
der Sperrspannung – abhängig. Das elektrische Verhalten einer idealen Diode wird zusammen
mit dem Verhalten einer realen Diode in Abb. 3-1 für eine konstante Sperrschichttemperatur
dargestellt. Für eine mathematische Beschreibung einer Diode mit einem idealen pn-Übergang
gilt die Shockleysche Diodengleichung Gl. (3-1).

ė10
U I S : Sperrsättigungsstrom IJ 10 A
NU T U T IJ 26 mV (300 K) (3-1)
I = I Sŏʛ e ė1 ʜ
N : Diodenfaktor, N = 1 ... 3

Durchlasskennlinie
iF
Idealer pn- realer pn-
unterschiedliche Maßstäbe
Übergang Übergang
für die Durchlass- und
Sperrkennlinie !
uF

Sperrsättigungsstrom IS iF

ideal uF
uR
uR

real
iR

Sperrkennlinie iR

Abbildung 3-1 Kennlinie einer Diode mit idealem und realem pn-Übergang
16 3 Dioden

3.1.1 Modellbildung einer realen pn-Diode


Die Kennlinie der Diode nach Abb. 3-1 unterscheidet sich von der idealen Kennlinie nach Gl.
(3-1). Einflussgröße in Durchlassrichtung ist im Wesentlichen der ohmsche Bahnwiderstand
RS. Zur Nachbildung der Durchlasskennlinie dient daher eine Ersatzschaltung nach Abb. 3-2.
D RS iF Abbildung 3-2
Einfluss des Bahnwiderstandes RS (Idealisierung)

u R S · iF Die Durchlassspannung uF setzt sich hierbei zusammen aus dem


Anteil des idealen pn-Überganges (Diode D (u)) und dem
ohmschen Spannungsabfall am Bahnwiderstand RS (RS iF).
uF

Mit Gl. (3-1) erhält man für den Zusammenhang zwischen uF und iF in Abb. 3-2:
iF ʅ I S
uF NŏU Tŏln ʅ RS iF (3-2)
IS
Durch Ableitung der Gl. (3-2) nach dI erhält man den differenziellen Widerstand rF. Dabei
geht man zur Vereinfachung von einem im Vergleich zu IS großen Durchlassstrom iF aus [27].
d uF NŏU T
rF ʅ RS für: i F >> I S (3-3)
d iF iF

Gl. (3-3) zeigt, das mit zunehmendem Durchlassstrom sich der Wert von rF einem konstanten
Wert, dem ohmschen Bahnwiderstand RS annähert. Zur näherungsweisen Verlustleistungsbe-
rechnung einer pn-Diode bei zeitveränderlichen Strömen wird daher eine Knick-Kennlinie
nach Abb. 3-3 verwendet. Diese Kennlinie enthält nur zwei Parameter:
À die Schwellenspannung UT0 (Threshold voltage) und
À den differenziellen Widerstand rF (slope resistance)
UT0 und rF sind in Dioden-Datenblättern angegeben oder werden einer gemessenen Kennlinie
entnommen. Die Ventilwirkung wird in der Ersatzschaltung durch die ideale Diode D (Kennli-
nie nach Abb. 3-4a dargestellt. Zur Bestimmung von rF wird je nach Hersteller eine Tangente
bei Nennstrom iF = IFAV an die gemessene Kennlinie gelegt oder durch 2 vorgegebene Strom-
werte (z. B. IFAV und 3 IFAV) wird eine Gerade (Sekante) gelegt. Die Steigung dieser Geraden
entspricht dem differenziellen Widerstand rF. UT0 folgt aus dem Schnitt der Geraden mit der
uF-Achse (genauere Untersuchungen erfolgen mit einer Reihenentwicklung nach Gl. (3-7)).

Tangente
,F im Nennpunkt Abbildung 3-3
Dioden-Ersatzschaltbild
Modellbildung einer
'IF D UT0
IF,n rF iF pn-Diode
(D: ideales Ventil, kon-
ʧU F stante Halbleiter-
rF
ʧIF Temperatur angenommen)
'UF UF
UT0 UF
3.1 pn-Diode 17

Abb. 3-4a-c zeigt den Einfluss der verschiedenen Modellgrößen auf die Kennlinie. Für Schal-
tungsuntersuchungen genügt die Kennlinie nach Abb. 3-4a als ideale Diode, zur Verlustleis-
tungsberechnung bei zeitveränderlichem Strom dient die Ersatzkennlinie nach Abb. 3-4c.

IF a) IF b) IF c)

UT0 UT0 + rF IF

UF UF UF

Abbildung 3-4 (Knick-)Diodenkennlinien:


a) ideale Diode, b) Diode mit Schwellenspannung UT0, c) wie b) aber mit rF

3.1.2 Die Verlustleistungsberechnung


Die Verlustleistung PV berechnet sich bei zeitveränderlichen Größen aus dem zeitlichen Mittel-
wert der Momentanleistung p(t). Bei einer Diode in Durchlassbetrieb beträgt die Momentan-
leistung p(t):
uF
p(t) = u · i iF
F F

Mit Hilfe der Ersatzschaltung nach Abb. 3-3 und den Parametern UT0 und rF lässt sich für die
Durchlassspannung uF die Gl. (3-4) angeben:
uF U T0 ʅ r Fŏi F (3-4)

Für die Verlustleistung PV ergibt sich damit:

T T T
1 1 1
PV
T
ĩ u FŏiFŏd t U T0ŏ
T
ĩ iFŏd t ʅ r Fŏ T
ĩ i2Fŏd t
0 0 0

Mit den Abkürzungen IFAV für den arithmetischen Mittelwert und IFRMS für den Effektivwert
lässt sich damit für die Verlustleistung PV angeben:

PV U T0ŏI FAV ʅ r FŏI 2FRMS (3-5)

In Datenblättern werden die Verlustleistungen für häufig vorkommende sinus- und rechteckför-
migen Kurvenformen die Mittelwerte bzw. Effektivwerte der Ströme in Diagrammen angege-
ben. Bei reinem Gleichstrombetrieb sind Mittel- und Effektivwert gleich. Eine Verlustleis-
tungsberechnung nach Gl. (3-6) erfolgt dann mit den Werten direkt aus der Kennlinie nach
Abb. 3-5. Eine Diodenkennlinie mit den entsprechenden Grenzwerten für unterschiedliche
Temperaturen zeigt beispielhaft Abb. 3-6.
PV I dŏU F ʛ I d ʜ (3-6)
18 3 Dioden

Abbildung 3-5
iF Diodenkennlinie R Gleichstrombetrieb
einer Diode
U0
R-Gerade uF Die Strom- und
R U0 Spannungswerte
PV,max iF können im Gleich-
Id strombetrieb mit der
Kennlinie direkt er-
Schnittpunkt U 0 ėu F ʛ I d ʜ mittelt werden.
Id
R

uF ( Id ) U0 uF

Bei zeitveränderlichen Strömen wird zur näherungsweisen Berechnung von PV die reale
Durchlasskennlinie (Abb. 3-6) durch eine Knickkennlinie nach Abb. 3-3 mit den Kennwerten
UT0 und rF ersetzt.

400
typ. max. Abbildung 3-6

A Beispielkennlinie einer Diode


iF SKN 100
Die Kennlinien streuen um einen
300 Mittelwert. Zur Orientierung sind
daher die typische und die max.
mögliche Durchlassspannung an-
ʧiF gegeben. Die starke Temperatur-
abhängigkeit der Kennlinien ist
200 durch Kennlinien für die maxi-
male Sperrschichttemperatur dar-
ʧuF gestellt. Die Ersatzgerade erhält
man durch Anlegen einer Tangen-
te in den Arbeitspunkt.
100
UT0: Schnittpunkt mit der uF-
25°C
Achse
160°C

UT0 ʧ uF
0 rF
0 0,5 1,0 1,5 V 2,0 ʧi F
uF

3.2 pin-Diode
Zur Vergrößerung der Spannungsfestigkeit einer Diode kann eine schwache Dotierung der p-
und n-Schichten gewählt werden (siehe Kapitel 2.2.5), mit dem Nachteil eines hohen Bahnwi-
derstandes und damit hoher Durchlassverluste. Für Spannungen > 1 kV erhält man ein besseres
Durchlassverhalten, wenn zwischen einer hochdotierten p- und n-Schicht eine eigenleitende
3.2 pin-Diode 19

Zwischenschicht (i-Schicht von intrinsic) der Breite wi (wi IJ 2 Diffusionsweglängen, ent-


spricht ca. 100 μm í 300 μm) eingefügt wird (pin-Diode). Oft ist die Mittelschicht fertigungs-
bedingt schwach n-dotiert (nė), was durch die Bezeichnung psn-Diode (s-Schicht, schwach do-
tiert) ausgedrückt wird. Abb. 3-7 zeigt den Aufbau einer pin-Leistungsdiode [7]. Darin sind
auch die Spannungsabfälle für den Durchlassbetrieb angegeben. Bei einer pin-Diode ist ein
Kompromiss zwischen Durchlass- und Sperr- und Schaltverhalten erforderlich.
um
upi uin

p+ i n+

wi
Abbildung 3-7 Aufbau einer pin-Leistungsdiode

3.2.1 Das Sperrverhalten


Die Mittelschicht vergrößert gegenüber der pn-Diode die Sperrspannungsfestigkeit um mindes-
tens den Faktor 5. Die Sperrspannung wird in den drei Zonen der pin-Struktur, hauptsächlich
im i-Gebiet aufgebracht, wodurch die Feldstärke E sich über einen erweiterten Bereich er-
streckt. Im dargestellten Fall nach Abb. 3-8 verläuft die Feldstärke über die gesamte Mittel-
schicht bis in die rechte n-Schicht. In der n-Schicht wird die Feldstärke zu Null abgebaut,
weshalb diese Schicht hierbei als Stoppschicht bezeichnet wird.

U(x) Abbildung 3-8


wi
E(x) Raumladungsdichte und Feld-
stärke einer psn- und pin-Diode

ȩ Bei einer pin-Diode verläuft


Upsn ( x )
die Raumladungsdichte ȡ(x)
Upin ( x ) im Mittelgebiet bei Null und
x E(x) ist im Mittelgebiet
Epsn ( x ) konstant.
Epin ( x )

3.2.2 Das Durchlassverhalten


Das Mittelgebiet wird proportional zum Durchlassstrom mit p- und n-Ladungsträgern über-
schwemmt (Diffusionsstrom). Die Rekombination im Mittelgebiet führt zu guten Durchlassei-
genschaften. Abb. 3-9 zeigt zusätzlich zu den Diffusionsströmen in den p- und n-Zonen den
Rekombinationsstrom ii über das eigenleitende Gebiet. Der Spannungsabfall der Diode im
Durchlassbetrieb, UF, setzt sich nach Abb. 3-7 aus drei Anteilen zusammen. Der Spannungsab-
fall über dem Mittelgebiet, Um, ist abhängig von der Stromdichte (jF) und kann bei sehr kleinen
Stromdichten praktisch vernachlässigt werden. Dann liegt näherungsweise das Durchlassver-
20 3 Dioden

halten einer normalen pn-Diode vor. Bei Stromdichten zwischen 1 bis 100 A/cm² steigt die
Leitfähigkeit des Mittelgebietes proportional zum Durchlassstrom (im Mittelgebiet fast nur
Diffusionsstrom !) durch Überschwemmung mit p- und n-Ladungsträgern an, so dass Um prak-
tisch konstant bleibt (ca. 50 mV).

metallische Rekombination Um
Leitung
i = ip + ii + in
+ í Driftstrom

ip + í ii

- Diffusionsstrom + í
in
Driftstrom wi
Elektronenstrom p+ i n+

Abbildung 3-9 Stromfluss bei einer realen pin-Diode, Einfluss des Mittelgebietes

Bei noch höheren Stromdichten machen sich Rekombinationsvorgänge an den Rändern des
Mittelgebietes, ein Anstieg des Driftstromes und eine Abnahme des Diffusionsstromes im Mit-
telgebiet bemerkbar, so dass Um sich zunehmend proportional zu ʎ i F verhält. Zwar kann
auch für diese Durchlasskennline eine Knickkennlinie nach Abb. 3-3 angegeben werden, die
Gültigkeit ist aber nur für einen Arbeitspunkt hinreichend genau. Für eine allgemein gültige
Kennlinie geben viele Hersteller aufbauend auf Gl. (3-2) eine Gleichung vom Typ Gl. (3-7) mit
den bauteilspezifischen Kennwerten A, B, C und D an.
iF
UF A ʅ BŏiF ʅ Cŏlnʛ ʜ ʅ Dŏ i F
A ʎ (3-7)

10
Abbildung 3-10
Durchlasskennlinien verschiedener
8
Leistungsdioden nach Gl. (3-7) mit den
iF / kA 1 2 3 Kennwerten nach Tab. 1
6 Der Durchlassstrom ist mit maximal 10 kA
gerechnet worden.
4 À Mit den Kennwerten A, B, C, D kann die
Verlustleistung einer Diode über einen
2 weiten Arbeitsbereich genauer ermittelt
werden als mit der Knickkennlinie. Die
Knickkennlinie ist nur für einen
0 Arbeitspunkt exakt.
0 1 2 3 4 5
uF / V

Die Kennwerte werden in Datenblättern zur genauen Nachbildung der Durchlasskennlinie zur
Verfügung gestellt. Abb. 3-10 zeigt beispielhaft drei unterschiedliche Dioden-Durchlasskennli-
nien, berechnet mit Gl. (3-7) und den Kennwerten nach Tab. 1 (Quelle: Dynex).
3.2 pin-Diode 21

Tabelle 3.1 Bauteilspezifische Koeffizienten

Diodendaten* Kennwerte für Gl. (3-7)**

Kurve Typ URRM IFAVM A B C D

1 DS2101 1500 V 7810 A 0,08171 0,10035 5,71812·10–5 í0,0052908


2 í0,04360
DS2907 5200 V 4914 A 0,10422 7,60000·10–5 0,0024300
3 í0,13673
DS2012 6000 V 1320 A 0,81965 5,73000·10–5 0,0424350

*) Gehäusetemperatur 75 °C, URRM und IFAVM ist in Kapitel 3.2.6 definiert.


**) Der Gültigkeitsbereich (Strombereich, Gehäusetemperatur) ist zu beachten.

3.2.3 Das Schaltverhalten


Die Mittelschicht ist im Durchlassbetrieb mit Diffusionsladungen überschwemmt. Diese Diffu-
sionsladungen müssen beim Einschalten in das Mittelgebiet eingebracht werden, beim Aus-
schalten müssen die Ladungen aus der Mittelschicht wieder ausgeräumt werden. Beim
Schaltvorgang ändert sich also die Anzahl an Ladungsträgern im Mittelgebiet, weshalb hier
von transienten Trägerdichten gesprochen wird. In Abb. 3-11 sind unterschiedliche Leitzustän-
de einer psn-Diode dargestellt.

iF + -
p+ n+ p+ n+

n– n–
Dotierungsprofil einer psn- Durchlassbetrieb (iF > 0), das
Struktur (idealisiert) schwach dotierte Mittelgebiet ist mit
Ladungsträgern überschwemmt

p+ n+ p+ n+
+ - RLZ
n– n–
Beginn des Ausschaltvorganges (iF < 0) Tail-Phase (iF ĺ 0)
Die Ladungsträger werden aus dem Ende des Ausschaltvorganges, die rest-
Mittelgebiet abgezogen. Dabei sind die lichen Löcher müssen bei Strom Null
leichtbeweglichen Elektronen zuerst vom durch Rekombination im schwach
linken Rand weg (μn § 3 μp ). dotierten Mittelgebiet abgebaut werden.
Die RLZ nimmt Spannung auf.

Abbildung 3-11 Zum Schaltverhalten der psn-Diode


22 3 Dioden

3.2.3.1 Einschalten
Die härteste Belastung einer pin-Diode liegt beim Einschalten eines eingeprägten Stromes mit
einer Steilheit größer 100 A/μs vor, so
uD wie es bei Freilaufdioden häufig der
iD Fall ist. Beim Einschalten ist das Mittel-
I0 gebiet nur eigenleitend und muss von
iS
D den Rändern her mit Ladungsträgern
angefüllt werden. Während dieser Zeit
S t0 R verhält sich die Diode wie ein transien-
ter Widerstand und es entsteht eine tran-
siente Überspannung. Die pin-Diode
zeigt beim Einschalten ein induktives
Abbildung 3-12 Einschalten mit eingeprägtem Strom Verhalten. Zur Beschreibung des Ein-
schaltverhaltens dient eine Ersatzschal-
tung nach Abb. 3-12. Nach dem Öffnen des Schalters S zum Zeitpunkt t0 fließt der eingeprägte
Strom I0 über die Diode D. Bei einer hohen Stromsteilheit kommt es zu Überspannungen (ûD
in Abb. 3-13). Dieser Effekt wird als „Forward-Recovery-Effekt“ bezeichnet. Er verschwindet
bei abnehmender Stromsteilheit, weil sich das Mittelgebiet durch den Ventilstrom rechtzeitig
mit Ladungsträgern anreichern kann [18].

Abbildung 3-13
uD
iD Prinzipieller Spannungs- und Stromverlauf
ûD einer pin- bzw. psn-Diode beim Einschalten
iD mit eingeprägtem Strom
I0 ȩ Der Scheitelwert ûD kann 200 ... 300 V
uD betragen.

t0 t

3.2.3.2 Ausschalten
Zur Beschreibung des Ausschaltverhaltens dient eine Ersatzschaltung nach Abb. 3-14. Für
t < t1 sei iD = I0. Zum Ausschalten der Diode wird bei t = t1 der Schalter S geschlossen. U0
baut in der Induktivität L˂ den Strom iL auf. Die Steilheit von iL ist durch U0 und L˂ bestimmt
[7].

K t1
Lı iL K: ĖI 0 iD ė I 0 ʅ i L
iD I 0 ė iL
I0 S uL
iD

uD U0 U0
D M mit: iL t

Abbildung 3-14 Erzwungener Ausschaltvorgang einer Diode und I 0 konstant


3.2 pin-Diode 23

Für den resultierenden Diodenstrom iD folgt aus der Knotenpunktgleichung:

U0
t ʆ t1 : i D I0 t ʉ t1 : i D I0 ė ŏʛt ė t 1 ʜ (3-8)
L
˂

Abb. 3-15 zeigt den Stromverlauf und die Spannung an der Diode. Nach dem Erreichen des
Stromnulldurchganges von iD zum Zeitpunkt t = t2 muss zunächst das Mittelgebiet der Diode
von Ladungsträgern ausgeräumt werden. Das Ventil leitet deshalb auch noch nach dem Strom-
nulldurchgang weiter. Für Zeiten größer t3 kann sich die Raumladungszone RLZ aufbauen,
d. h. die Diode beginnt bei t3 eine Sperrspannung aufzunehmen. Bei t4 liegt die volle Spannung
U0 an der Diode, der Rückstrom hat seinen Maximalwert IRM (peak reverse recovery current)
erreicht. Für t > t4 verschwinden die restlichen Ladungsträger im i-Gebiet durch Rekombinati-
on, so dass der Rückwärtsstrom einen steilen Stromanstieg zu Null hin aufweist. Man bezeich-
net diesen Abklingvorgang in Abb. 3-15 mit „Soft-Recovery“. Sollten in diesem Zeitabschnitt
jedoch keine Ladungsträger mehr im i-Gebiet vorhanden sein, so reißt der Diodenstrom plötz-
lich ab, ein Vorgang der mit „Hard-Recovery“ bzw. „Snap-Off“ bezeichnet wird.
Da sich das Vorzeichen der Stromsteilheit di/dt beim Erreichen des maximalen Rückstromes
d iD
0 ideale Diode:
dt iD
iD uD iD
I0
uD
iD d iD
I0 uD U0 t
ʆ0
dt

t4
t1 t2 t
t3
IRM U0
d iD
ʇ0
dt URM

d iD
0
dt uD

Abbildung 3-15 Ventilspannung und -strom beim Ausschaltvorgang einer Diode

IRM umkehrt, addiert sich nach Abb. 3-14 die Spannung uL zu U0 und die Diode wird mit einer
gefährlich hohen Sperrspannung belastet. In der Praxis führt in diesem Zeitpunkt das Zusam-
menwirken der Dioden-Sperrschichtkapazität mit den Leitungsinduktivitäten zu Eigenschwin-
gungen. Abb. 3-17 zeigt den typischen Verlauf von Diodenstrom und -spannung bei einem Ab-
schaltvorgang. Abhilfe gegen hohe Überspannungen bietet eine zusätzliche Beschaltung mit ei-
nem RC-Glied. Diese Beschaltung nach Abb. 3-16 wird als Träger-Stau-Effekt (TSE)-Beschal-
tung bezeichnet. Sobald die Diode ihre Sperrfähigkeit erlangt, wechselt der Rückstrom IRM,
der durch L˂ eingeprägt ist, auf die RC-Beschaltung und lädt den Kondensator C. Dieser Vor-
gang ist beendet, sobald die in der Induktivität L˂ gespeicherte Energie abgebaut ist. Die Wir-
24 3 Dioden

kung einer TSE-Beschaltung zeigt die Simulation nach Abb. 3-17 mit R = 5 ʰ C = 3 μF, L˂ =
10 μH. Siehe auch [7, 15]. Die Spannungsüberhöhung ǻuC ermittelt sich näherungsweise nach
der in Abb. 3-16 angegebenen Gleichung.

LV uD Abbildung 3-16
iR
TSE-Beschaltung einer Diode
iF D

ʎ
C R IRC
TSE-Beschaltung L
˂
ʧ uC IJ I RM
C
uC

Abbildung 3-17
iF
Simulation des typischen
I0 iF Abschaltverhaltens einer
Leistungsdiode
(siehe Abb. 3-14)
IRM t

U0 t
uF Vergleich:

URM ȩ ohne Beschaltung


ohne Beschaltung
ȩ mit Beschaltung

U0 t
URM
ǻuC uF
mit Beschaltung

3.2.3.3 Schaltverluste
Schaltverluste treten auf, sobald Ventilspannung und Ventilstrom beim Schaltvorgang ungleich
Null sind. In Abb. 3-18 sind der Ventilstrom iV und die Schaltverluste pS beim Ausschaltvor-
gang dargestellt. Es ist zu erkennen, dass im Wesentlichen die Restladung QF für die Schaltver-
luste pS verantwortlich ist. Die Rückstromspitze IRM ist im Wesentlichen vom Gleichstrom I0
zu Beginn der Abschaltung und von der Stromsteilheit di/dt abhängig (vgl. Abb. 3-19).
3.2 pin-Diode 25

Abbildung 3-18
iD PS = uD ·iD
Strom, Ladung und Verlustleis-
tung beim Ausschaltvorgang
iD
I0 QS: Nachlaufladung

t QF: Restladung, Hauptursache


trr
der Schaltverluste
tS tF
trr: Sperrverzugszeit
t1 QS QF t
tS: Speicherzeit
IRM
0,25 IRM tF: Rückstromfallzeit
iR
0,9 IRM pS: Verlustleistung

Die Sperrverzugsladung Qrr in Abb. 3-18 ermittelt sich nach Gl. (3-9). (Bei Erwärmung von
25 °C auf 150 °C erfolgt eine Verdopplung bis Verachtfachung von Qrr [18])

Q rr Q S ʅ QF ĩiR d t (3-9)

Der Abbau der Sperrverzugsladung verzögert den Ausschaltvorgang. Dieser Einfluss wird
durch die Sperrverzugszeit trr berücksichtigt. Die Definition von trr ist in Abb. 3-18 mit Hilfe
einer Geradenkonstruktion dargestellt. Der hier dargestellte Fall der Zwangslöschung eines Di-
odenstromes nach Abb. 3-18 mit einer Gleichspannung entspricht einem Belastungsfall, der in
der Praxis z. B. bei Freilaufdioden (Freewheeling Diodes) auftritt.

140 iD
I0 d iD Abbildung 3-19
A I0 = 1000 A
120 dt
IRM Typischer Verlauf der
100 IRM Qrr I0 = 200 A Rückstromspitze IRM
bei verschiedenen
80 Anfangsströmen I0
I0 = 50 A
60 und Stromsteilheiten

40

20

0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 A
μs
Ģd i D  d tĢ

Ein anderes Anwendungsgebiet sind Gleichrichterdioden (Rectifier-Diodes) in Netzgleich-


richterschaltungen. Hierbei erfolgt die Löschung des Diodenstromes durch eine sinusförmige
Netzspannung, so dass der Stromverlauf eine vergleichsweise geringere Steilheit aufweist. Das
Problem der Rückstromspitze ist jedoch in allen Fällen gegeben und macht eine Beschaltung
erforderlich. Die typische Abhängigkeit der Rückstromspitze IRM von der Stromhöhe zu Be-
ginn des Ausschaltvorganges (I0) und der Stromsteilheit zeigt Abb. 3-19. Weitere Anwendungs-
gebiete für Dioden sind Beschaltungsdioden (Snubber-Diodes) sowie Umschwingdioden
(Crow Bar Diodes) in selbstgeführten Stromrichtern.
26 3 Dioden

3.2.4 Reihenschaltung
Wird die Sperrspannung URM für eine Diode zu hoch, so wird eine Reihenschaltung von nR
Dioden vorgenommen. Weil der Sperrstrom für alle in Reihe geschalteten Dioden gleich groß
ist, stellt sich über die Sperrkennlinien in Abb. 3-20 eine statisch unsymmetrische Spannungs-
aufteilung ein. D1 wird in diesem Beispiel mit der Spitzensperrspannung URRM belastet. Die
Gesamtspannung uR ist die Summe der Einzelspannungen (uR = uR1 + uR2).

iR UR
iR
uR1 D1
D1
uR2
uR
D2
uR2 uR1
D2 IR

Abbildung 3-20 Statische Spannungsaufteilung einer Dioden-Reihenschaltung (nR = 2)

Durch zusätzliche Symmetrierwiderstände RS parallel zu den Dioden muss diese statische Un-
symmetrie in zulässigen Grenzen gehalten werden. Zur Dimensionierung des Widerstandes RS
in Abb. 3-21 wird der Strom im Widerstand mit dem 3...6-fachen des Sperrstromes IR bei ma-
ximaler Sperrschichttemperatur angenommen. Dann arbeitet die Schaltung näherungsweise als
unbelasteter Spannungsteiler.

CS CS Abbildung 3-21
Statische und dynamische Spannungssymmetrierung bei einer
RS Dioden-Reihenschaltung (nR = 2)
iS RS

ȩ Beim Ausschalten tritt zusätzlich zur TSE-Spannungsbe-


iR
D1 D2 lastung eine dynamische Überspannung aufgrund unter-
schiedlicher Speicher- bzw. Sperrverzugsladungen auf.
uR

Sperrt eine der Dioden früher als die restlichen Dioden, so wird diese Diode bis zum Sperren
der restlichen Dioden mit der gesamten Sperrspannung belastet. Es tritt beim Ausschalten eine
dynamische Spannungsunsymmetrie auf. Zur Begrenzung der Spannungsbelastung wird der
Beschaltungskondensator CS so gewählt, dass er sich durch die Differenz der Sperrverzugsla-
dungen ʧQrr der nR Dioden um max. ʧU (= nR UR í Um) auflädt. Für ʧQrr wird in Gl. (3-10)
näherungsweise 0,3 Qrr angenommen. (URRM: Spitzensperrspannung, Um: Gesamtspannung,
m: Fehlverteilungsfaktor analog zu Gl. (3-15))
ʧ Qrr ʛn R ė 1ʜŏʧQ rr
ʧU mŏnR U RRM ė U m ʍ CS ʇ (3-10)
CS mŏnRŏU RRM ė U m

Aufgrund der zusätzlichen Verlustleistungen (Verluste in den Serienwiderständen, nR-fache


Diffusionsspannung, durch Kondensatoren erhöhte Speicherladung) ist eine Reihenschaltung
insbesondere bei Freilaufdioden nicht anzustreben.
3.2 pin-Diode 27

3.2.5 Parallelschaltung
Zur Erhöhung der Stromtragfähigkeit wird eine Parallelschaltung von Dioden nach Abb. 3-22
vorgenommen. Bei gleichen Kennlinien erfolgt die Stromaufteilung symmetrisch, d. h. bei
zwei Dioden (nP = 2) führt jede Diode genau 50 % des Gesamtstromes und es gilt: iF1 = iF2.
Praktisch führen Toleranzen zu einer unsymmetrischen Stromaufteilung und damit auch zu un-
terschiedlichen Verlustleistungen der Dioden. Die Stromfehlverteilung führt somit zu einer ge-
ringeren Stromtragfähigkeit der Parallelschaltung als es der Summe der zulässigen Einzelströ-
me (Dauergrenzstrom IFAVM) entspricht.

iF1 Abbildung 3-22


iF
uF Ėi 0 i Fė iF1 ė i F2
Parallelschaltung von nP = 2 Dioden

i F1 i F ė i F2 Die Parallelschaltung erzwingt eine


gemeinsame Durchlassspannung uF und
iF2 damit unterschiedliche Ventilströme.

Zur Abschätzung der realen Stromaufteilung müssen die einzelnen Durchlasskennlinien


bekannt sein (Messung). Die Kennlinien sind temperaturabhängig (NTC-Verhalten). Abb. 3-23
zeigt zwei typische Diodenkennlinen bei gleichen Sperrschicht-Temperaturen.

Mittlere Abbildung 3-23


iF Kennlinie
D1 Zwei parallele Dioden (nP = 2 ) mit
ungleichen Kennlinien
D2
D1 führt einen um ǻiF höheren Strom als
iF1 D2 und hat deshalb eine höhere Verlust-
leistung. Die Temperatur von D1 wird
ansteigen, die von D2 sinken.
ǻiF
Folge: Die höhere Verlustleistung von D1
iF2 iF führt wegen des NTC-Verhaltens
zu einem Anstieg von ǻiF.
2
Abhilfe: zum Parallelschalten nur selek-
uF u tierte Kennlinien verwenden.

Für eine Abschätzung der Stromaufteilung wird für eine Diode die um ƗǑ vergrößerte Tempe-
ratur gewählt. Ausgehend von der gemeinsamen Durchlassspannung uF (über die mittlere
Kennlinie bestimmt) können in Abb. 3-23 die Diodenströme iF1 und iF2 abgelesen werden. Der
zulässige Gesamtstrom IT einer Parallelschaltung ist durch die höherbelastete Diode bestimmt
und kleiner als die Summe der einzelnen Maximalströme IM.

Gesamtstrom einer Parallelschaltung I T < n PŏI M (3-11)

Die Reduzierung beschreibt der Reduktionsfaktor ʴ (derating factor) nach Gl. (3-12).

IT
Derating bzw. Reduktionsfaktor ʴ =1 ė ʆ 1 (3-12)
nPŏI M
28 3 Dioden

IT = Gesamtstrom der Parallelschaltung


IM = Zulässiger Maximalstrom eines Bauelementes (DC-current rating )
nP = Anzahl parallelgeschalteter Bauelemente.

Beispiel:
IM nP = 2 IM = 800 A
IT
Imin = 640 A

800 Aʅ 640 A
Imin ʴ=1 ė = 0,1
2ŏ800 A

Durch Umstellung der Gleichung (3-12) erhält man für IT:

I T = ʛ1 ė ʴ ʜŏnPŏI M (3-13)

Bei der Bemessung der Stromtragfähigkeit IT einer Parallelschaltung von nP Elementen trifft
man folgende Annahmen (worst case):
À Ein Bauelement führt bei max. Sperrschichttemperatur den Maximalstrom IM.
À Alle weiteren Bauelemente führen den Minimalstrom Imin

I T = I M ʅ ʛn P ė 1ʜŏI min (3-14)

Die Abweichung der Strombelastung der Elemente einer Parallelschaltung beschreibt man
durch den Fehlverteilungsfaktor m (mis-sharing factor)

I M ė I min
m = (3-15)
IM

Zu beachten ist, dass der „mis-sharing factor“ m vom Temperaturkoeffizienten (TC) abhängt.
Bei positivem TC (PTC) vergrößert das überlastete Element seinen Durchlasswiderstand und
vermindert so die Fehlverteilung.
À PTC-Bauelemente sind selbstsymmetrierend und lassen sich daher einfach
parallelschalten.

Elemente mit negativen TC (NTC) vermindern bei Überlastung ihren Durchlasswiderstand und
verstärken so die Fehlverteilung. NTC-Elemente sind daher problematisch bei einer Parallel-
schaltung (vgl. Abb. 3-23). Diese Tatsache ist auch bei der Parallelschaltung von Transistor-
modulen mit integrierten Dioden zu berücksichtigen.
3.2 pin-Diode 29

3.2.6 Einsatzkriterien für Dioden


Abb. 3-24 zeigt den typischen Verlauf der Spannungsbelastung einer Diode im Gleichrichterbe-
trieb. Bei der Spannungsfestigkeit einer Diode wird zwischen einer periodischen Spannungsbe-
lastung URR (repetitive peak reverse blocking voltage), wie sie bei Wechselspannungsanwen-
dungen z. B. durch periodische Kommutierungsvorgänge auftreten, und nicht periodische
Spannungsspitzen URS (surge peak reverse blocking voltage), wie sie z. B. durch Schalthand-
lungen im Versorgungsnetz auftreten können, unterschieden. Zur Auswahl einer Diode werden
dem Spannungsverlauf uR die Werte für URR und URS entnommen.

Abbildung 3-24
t
Sperrspannungsverlauf
einer Diode
ʎ 2ŏU 0 Definition von URS
URR und URR

URS
uR

Eine Diode kann folgende Spannungsfestigkeiten aufweisen:


À URSM > URS
URSM (Maximum surge peak reverse blocking voltage) ist die maximale Spannung die eine Di-
ode sperren kann. überschreitet uR diesen Wert, so kommt es zum Ausfall der Diode (Kurz-
schluss). Bei der Angabe von URSM wird eine Wiederholfrequenz von 5 Hz angenommen.
À URRM > URR
URRM (Maximum repetitive peak reverse blocking voltage) ist die maximale Spannung welche
die Diode als 10 ms-Sinushalbschwingung mit 50 Hz wiederholt sperren kann. Überschreitet
uR diesen Wert, so kommt es im Laufe der Zeit in Folge eines thermischen Durchbruchs eben-
falls zum Ausfall der Diode (typisch: URRM = URSM í 100 V, Bemessung: URRM • 2,5 û0).

Für den Durchlassstrom iF wurden folgende Werte definiert:


À IFAVM
Die Stromtragfähigkeit einer Diode wird durch den Gleichstrom-Mittelwert IFAVM (Maximum
average forward current) ausgedrückt. IFAVM bezieht sich auf eine 180° Sinushalbschwingung
bei einer Gehäusetemperatur von 85 °C. Zwar ist diese Definition willkürlich, erlaubt aber
einen Vergleich der Strombelastbarkeit von Dioden unter einheitlichen Bedingungen.
À IFSM
IFSM ist der maximale Spitzenstrom (Maximum peak forward surge current), den eine Diode
als einmalige 10 ms-Sinushalbschwingung mit anschließender Abschaltung (Erholzeit) ohne
Zerstörung führen kann. Dieser Wert ist Grundlage zur Bemessung von Sicherungen und
Schaltgeräten für einen Fehlerfall (Kurzschluss, Überstrom).
À i²t
Folgt aus der Integration des Durchlassstromes. Bei Erreichen des zulässigen Grenzwertes z. B.
infolge einer Überlast muss der Strom abgeschaltet werden (Abkühlungspause).
30 3 Dioden

3.3 Solarzelle
Eine Solarzelle hat physikalisch den gleichen Aufbau wie eine pn-Diode, die n-seitige Metall-
elektrode (Kathode) ist aber lichtdurchlässig ausgeführt, z. B. als Gitterstruktur (Abb. 3-25b).
Bei Lichteinfall generieren die Photonen im Halbleiter Elektronen-Löcherpaare. Im Bereich
der Raumladungszone (RLZ) trennt die Feldstärke E diese Ladungen und zieht die Elektronen
in das n-Gebiet, Löcher in das p-Gebiet. Über den äußeren Stromkreis (Widerstand R) wandern
die Elektronen zum p-Gebiet und rekombinieren mit den dort befindlichen Löchern.

a) b)
Übergang Ladungsträger-
Metall-Halbleiter generation
Kontaktgitter Kathodenanschluss
RLZ Anti-Reflex-
Beschichtung
p í + n Photonen
μm
Photonen
0,5 mm

+ í
n
feldfrei E feldfrei p + -

í Verbraucher R Anodenanschluss
i
U
Abbildung 3-25 Aufbau und Wirkungsweise einer Solarzelle

In Sperrichtung kommt es zu einem kontinuierlichen Stromfluss, dessen Intensität iPh über


einen Proportionalitätsfaktor c0 von der Bestrahlungsstärke E bestimmt ist.

Photostrom i Ph c 0ŏE (3-16)

Der Photostrom erzeugt am Widerstand R (Abb. 3-25a) einen Spannungsabfall U. Diese Span-
nung U ist für den pn-Übergang in Durchlassrichtung gepolt. Beim Erreichen der Schwellen-
spannung wird die äußere Spannung U durch die (Durchlass-) Kennlinie des pn-Überganges

A Abbildung 3-26
SH
IF S Messschaltung für die Kennlinie nach
Abb. 3-27b
R1 R2 R3 V UF
RL
SH: Lichtintensität E
UH S: Leerlaufschalter (U0-Messung)
RL: Belastungswiderstand

begrenzt. Die Spannung in Durchlassrichtung (UF) beträgt bei Silizium ca. 0,5 V. Das Produkt
von Durchlassstrom und -Spannung ist kleiner Null, d. h. der pn-Übergang liefert elektrische
Energie. Die Schaltung nach Abb. 3-26. dient zur Aufnahme einer UF(IF)-Kennlinie bei unter-
schiedlichen Bestrahlungsstärken (mit SH einstellbar) Die Kennlinie zeigt Abb. 3-27b. Durch
den Photostrom iPh wird die normale Diodenkennlinie in Abb. 3-27a nach unten verschoben,
3.3 Solarzelle 31

d. h. es fließt ein Sperrstrom (Abb. 3-27b). Für Solarzellen üblich ist die „positive“ Darstel-
lungsart nach Abb. 3-27c.

IF dunkel IF beleuchtet IR beleuchtet

IF IR

Beleuchtungs-
UF stärke UF

a) b) c)
UF UF UF

Abbildung 3-27 Zur Kennlinie eines beleuchteten pn-Überganges

Durch Verringerung des äußeren Widerstandes kann der Strom i bis zum Kurzschlusswert (IK)
gesteigert werden, bei gleichzeitiger Abnahme der äußeren Spannung UF. Als Ersatzschaltbild
zur Nachbildung der Strom- Spannungskennlinie der Solarzelle kann ein Modell Abb. 3-28 ge-
wählt werden. Der Photostrom iPh wird darin durch eine Stromquelle erzeugt, die über eine
reale Diode D kurzgeschlossen ist

K Abbildung 3-28
iPh i Ersatzschaltbild einer Solarzelle zur Nachbildung der
iD gemessenen Kennlinie
R
D u

Der Zusammenhang zwischen Diodenstrom IR und -spannung UF in Abb. 3-27c wird ideal
durch die Shockleysche Diodenkennlinie nach Gl. (3-1) beschrieben. Der Verbraucherstrom i
stellt sich abhäng von der Klemmenspannung u ein. Diesen idealisierten Zusammenhang be-
schreibt Gleichung (3-17) für den Knoten K in Abb. 3-28.
u
ė
mUT
I S : 10ė10 A Sperrsättigungsstrom (3-17)
i iPh ė I Sŏʛ e ė1 ʜ m : 1 ... 5 Diodenfaktor
Abb. 3-29 zeigt die Kennlinie der Klemmenspannung u bei unterschiedlichen Belastungswider-
ständen R. Die Schnittpunkte mit den Achsen sind der Leerlaufpunkt (U0) und der Kurz-
schlusspunkt (IK). Die Beleuchtungsstärke und die Temperatur seien konstant. Der Punkt der
maximalen Leistungsabgabe wird mit MPP (maximum power point) bezeichnet. Der äußere
Stromkreis sollte so ausgeführt werden, dass das Produkt von Strom und Spannung stets ein
Maximum ergibt. Bei wechselnden Beleuchtungsverhältnissen muss dazu der Arbeitspunkt
32 3 Dioden

nachgeregelt werden. Da es sich um eine nichtlineare Kennlinie handelt, trifft die bei der Leis-
tungsanpassung übliche Maßnahme Ri = RA nur näherungsweise zu (der Wirkungsgrad ist bei
der Leistungsanpassung maximal und beträgt 50 %). Zur graphischen Ermittlung des optimalen
Betriebspunktes kann eine Konstruktion nach Abb. 3-29 durchgeführt werden. Die Wider-
standsgerade Ȋ wird parallel verschoben, bis sie im Punkt MPP eine Tangente an die Span-
nungskennlinie bildet ȋ. Die optimale Verbraucher-Widerstandsgerade (Ropt) verläuft durch
den MPP-Punkt. Im Betrieb werden unterschiedliche elektronische Such- und Probierverfahren
zur optimalen Arbeitspunkteinstellung eingesetzt [14].

IK Kurzschlusspunkt (UF = 0)
Punkt maximaler
Abbildung 3-29
P, IR U Leistung (MPP) Belastungskennlinie einer Solarzelle
(Strom, Leistung) und optimaler
IMPP
Arbeitspunkt
Ȋ ȋ
Ȋ: Widerstandsgerade der Quelle
Leerlaufpunkt
U0 U MPP
(IR = 0 ) R i,Quelle R opt
P
IK I MPP

ȋ: Tangente an der U-Kennlinie,


UMPP U0 UF parallel zu Ȋ.

Die Bestrahlungsstärke E steuert die Anzahl freier Ladungsträger, die Spannung selbst ist von
der Materialkombination bestimmt und kann durch die Lichtintensität bzw. -farbe (entspricht
der Wellenlänge bzw. Photonenenergie) nicht über den materialtypischen Wert gesteigert wer-
den (Abb. 3-30a). Großen Einfluss hat die Temperatur der Solarzelle (Paneltemperatur ˊ, Abb.
3-30b). Mit zunehmender Paneltemperatur sinkt die Zellen-Leerlaufspannung (ǻU0 § 3...5
mV/K) und steigt der Kurzschlussstrom (ǻIK § 1 mA/K). Solarpanele sind sehr empfindlich
gegenüber Teil-Abschattungen (z. B. durch Laub, Schnee, Schatten durch Bäume, Wolken
usw.). Hierdurch bricht die Leistung selbst großflächiger Solaranlagen deutlich ein.
À Insgesamt sinkt die Leistungsausbeute mit zunehmender Paneltemperatur.
À Die Panelfläche muss gleichmäßig beleuchtet sein.
À Die spektrale Empfindlichkeit der Solarzelle muss der Lichtwellenlänge angepasst sein.

IR IR

Paneltemperatur
E °
Bestrahlungsstärke
a) b)

UF UF

Abbildung 3-30 Einfluss der Bestrahlungsstärke E und der Paneltemperatur °


33

4 Transistoren
Zu Beginn der Entwicklung abschaltbarer Halbleiter-Bauelemente wurde der Bipolar-Transis-
tor (BT) für den unteren und mittleren Leistungsbereich eingesetzt. Heute sind BTs aus vielen
Anwendungen verschwunden, ihre Funktion wurde vielfach durch MOSFETs und IGBTs er-
setzt. Trotzdem bildet die bipolare Transistorstruktur weiterhin den Kern vieler modernen Bau-
elemente, so das ihre Kenntnis für das Verständnis der Wirkungsweise moderner
Leistungsbauelemente wie z. B. GTO-Thyristoren oder IGBTs nach wie vor von großer Wich-
tigkeit ist. Im Folgenden wird daher zunächst der Bipolartransistor für kleine Leistungen vor-
gestellt, der im weiteren auch als Signaltransistor bezeichnet wird. Hierbei geht es um den
Aufbau, die Wirkungsweise und Transistor-Kennwerte speziell für den Schalterbetrieb.
Schließlich wird der Leistungs-Bipolartransistor mit seinen typischen Unterschieden zum Si-
gnaltransistor behandelt. Aufbauend auf der bipolaren Transistorstruktur wird der Thyristor
und der GTO-Thyristor bzw. IGCT vorgestellt. Nach Einführung des MOSFET-Leistungstran-
sistors folgt schließlich der IGBT, das heutige „Arbeitspferd“ der Leistungselektronik. Im
IGBT sind die Vorzüge bipolarer Transistoren (Leistung) mit denen des MOSFET (Ansteue-
rung) vereint. Mit dem IGBT lassen sich derzeit Spannungen bis über 6 kV bzw. Ströme über
3 kA mit einem vergleichsweise geringen Steueraufwand beherrschen.

4.1 Bipolartransistor
Der Bipolartransistor (BT) besitzt eine npn-Struktur, zeichnet sich durch ein hohes Sperr- und
Schaltvermögen aus und hat durch sein Sättigungsverhalten geringe Durchlassverluste. Der BT
ist ein stromgesteuertes Bauelement, entsprechend hoch ist der Ansteueraufwand.

4.1.1 Aufbau
Den Aufbau und die symbolische Darstellung zeigt Abb. 4-1. Der BT verfügt über drei An-
schlüsse: den Basis- (B), den Emitter- (E) und der Kollektoranschluss (C).

E B C C C
n
n B B
p p
n
n

Ansicht um
180° gedreht E E

Struktur eines npn-Bipolartransistors (BT) Symbol

Abbildung 4-1 Aufbau und Symbol eines Bipolartransistors


34 4 Transistoren

4.1.2 Wirkungsweise

UCE > 0, offene Basis


Bei offener Basis führt die Kollektor-Emitterspan-
nung uCE zum Aufbau einer Raumladungszone
RLZ n (RLZ). Über der RLZ tritt die Feldstärke E auf. Über-
E schreitet E den zulässigen Wert Emax (uCE > UCE0),
uCE so kommt es zum Sperrschicht-Durchbruch, dem so
p
genannten 1. Durchbruch. Bis zum 1. Durchbruch ist
der Kollektorstrom praktisch vernachlässigbar.
n

UCE > UBE, aktiver Betrieb


Wird zusätzlich in die Basis der Basisstrom iB einge-
speist, so bewegen sich Elektronen vom Emitter in die
iC Basiszone, d. h. es werden Elektronen in die Basiszo-
n
ne emittiert. Elektronen die bis zum Rand der RLZ
iB E
vordringen werden von der dort anliegenden Feldstär-
p uCE
ke E über die RLZ hin zum Kollektor abgesagt. Da-
durch fließt ein Sperrstrom über den np-Übergang,
n der Kollektorstrom iC. Die Größe von iC lässt sich
über den Basisstrom iB steuern (Abb. 4-2). Das Ver-
hältnis von iC zu iB wird als Stromverstärkung B be-
zeichnet.

Mit wachsender Spannung uCE breitet sich die RLZ immer weiter in die Basiszone aus. Die
Feldstärke E wirkt daher auch auf Elektronen, die den Rand der RLZ vorher noch nicht
erreicht hatten. Die Folge ist ein mit steigender Spannung uCE anwachsender Kollektorstrom
iC obwohl iB konstant bleibt. Dieser Effekt wird als „innere Rückwirkung“ oder „Early-
Effekt“ bezeichnet. Die Ausgangskennlinien verlaufen dadurch nicht mehr parallel sondern
mit einer leichten Steigung. Die Konstruktion des Kennlinienverlaufes in Abb. 4-2 erfolgt mit
einer Hilfsgröße, der Early-Spannung UEarly.

UCE < UBE, Sättigungsbetrieb

BC-Diode C
iC Ersatzdarstellung
n des Transistors im
iB Sättigungszustand B
uCE
p uCE,sat (BC-Diode leitet)

uBE uBE
n E
4.1 Bipolartransistor 35

Ist uCE kleiner als uBE, so existiert keine RLZ und die Kollektor-Basis-Diode leitet. Der Tran-
sistor wird dann als gesättigt bezeichnet. Der Spannungsabfall uCE kann in diesem Fall nicht
größer werden als uBE. Die Grenzkennlinie für den Sättigungsbetrieb (uBC = 0) stellt somit
eine Diodenkennlinie dar.
ȩ Der bipolare Schalttransistor wird eingeschaltet deshalb stets in Sättigung betrieben, da
hierbei der geringste Spannungsabfall am Transistor (uCE,sat) – und damit die geringste
(Durchlass-) Verlustleistung – auftritt. (typische Sättigungsspannung uCE,sat ” 2,5 V)

iC Aktiver Bereich Einfluss der


UBC = 0 inneren
iB
Rückwirkung
Sättigungskennlinie

i en
sl i n
Hilf BC-Durchbruch

UEarly 0 UCE0 uCE

Abbildung 4-2 Idealisierte Konstruktion der Ausgangskennlinie

Kenngrößen im Schalterbetrieb
Die wesentlichen technischen Eigenschaften des bipolaren Transistors als abschaltbares elek-
tronisches Ventil werden mit folgenden Größen beschrieben:
ICAVM
ist der höchste Wert des Gleichstrom-Mittelwertes bei vorgegebener Temperatur

ICRM
ist der höchstzulässige Wert eines Pulsstromes mit angegebener Periodendauer und definierter
Einschaltdauer

UCES
höchstzulässiger Wert der Kollektor-Emitterspannung bei Ansteuerung mit einer negativen
Basis-Emitterspannung UBE

UCE0
höchstzulässiger Wert der Kollektor-Emitterspannung bei offenem Basisanschluss

UCE,sat
geringstmöglicher Spannungsabfall im eingeschalteten Zustand

Für die Arbeitsweise als Schalter interessieren zwei Arbeitspunkte bzw. Schaltzustände:
EIN Durchlassbetrieb (uCE = uCE,sat)
AUS Vorwärtssperrend
36 4 Transistoren

4.1.3 Schaltverluste
Beim Wechsel des Schaltzustandes treten Schaltverluste pS auf. Abhängig von den Eigen-
schaften des Transistors und der Schaltung unterscheiden sich die Schaltverluste beim Ein-
und Ausschaltvorgang. Der Momentanwert der Schaltleistung pS berechnet sich mit Gl. (4-1).

pS u CE ŏ iC (4-1)

Der Spitzenwert der Schaltleistung ʒpS überschreitet die zulässige Verlustleistung PV des
Transistors um ein Mehrfaches und kann mehrere 10 kW betragen. Die Einschaltenergie Won
folgt aus der Integration der Momentanleistung während des Einschaltvorganges mit Gl. (4-2).
tʅt
on

W on ĩ pS d t in Ws (4-2)
t

Die Einschaltenergie liegt bei typ. Ĺ 0,5 Ws. Die Einschaltzeit ton wird nach Abb. 4-3 vom
10 %-Punkt des Basisstromes iFB aus zum 90 %-Punkt des Kollektorstromes iC gezählt.

iC Abbildung 4-3
uCE
0,9 iCM Einschaltvorgang einer ohmschen Last

iCM td: Verzögerungszeit


pS
tr: Anstiegszeit
0,1 iCM uCE,sat
ton: Einschaltzeit, ton = td + tr
t
td tr

ton iCM: Maximalwert des


Kollektorstromes
iFB
0,1 iFBM iFBM iFB: Basisstrom (positiv)

Das Abschaltverhalten eines übersteuerten Bipolartransistors mit ohmsch-induktiver Last zeigt


Abb. 4-4. Dargestellt sind der Kollektorstrom iC, die Kollektor-Emitterspannung uCE und die
Schaltleistung pS zusammen mit dem Basisstrom iB. Aus dem zeitlichen Verlauf des Basis-
und Kollektorstromes sind die Speicherzeit tS und die Fallzeit tf definiert. Die Speicherzeit tS
tritt nur bei einer vorherigen Übersteuerung des Transistors auf. Die Ausschaltzeit toff ist die
Summe von tS und tf. Sie ist aus praktischen Gründen zwischen dem 90 %-Punkt des Basiss-
tromes und dem 10 %-Punkt des Kollektorstromes definiert.
t ʅt off

W off ĩ pS d t in Ws (4-3)
t

Die Ausschaltenergie Woff beträgt typisch 1,5 Ws und wird hauptsächlich durch das Trägheits-
verhalten während der Speicherzeit tS und der Fallzeit tf verursacht. Die Höhe der tatsächlich
4.1 Bipolartransistor 37

auftretenden Ausschaltenergie Woff hängt auch von der Steilheit der Kollektor-Emitterspan-
nung uCE ab. Nur durch eine optimierte RCD-Beschaltung kann Woff auf die entsprechenden
Angaben im Datenblatt abgesenkt werden.

iC Abbildung 4-4
Ausschaltvorgang einer ohmsch-
uCE induktiven Last
0,9 iCM
pS tS: Speicherzeit
uCEM
iCM
tf: Fallzeit

0,1 iCM toff: Ausschaltzeit, toff = tS + tf

t iFBM: maximaler Basisstrom in


tS tf Vorwärtsrichtung
iFB toff uCEM: Maximalwert der
Kollektor-Emitterspannung
0,9
iFBM

iRBM t

Die Einschaltenergie Won ergibt zusammen mit der Ausschaltenergie Woff, der Schaltfrequenz
fS die Schaltverluste PS. Mit den Durchlassverlusten PD erhält man die Gesamtverluste PV ei-
nes Halbleiterschalters nach Gl. (4-4).
PV P D ʅ PS mit PS ʛW on ʅ W off ʜŏ f S in W (4-4)

Die Schaltverluste PS verhalten sich proportional zur Schaltfrequenz fS. In der Praxis wird die
Schaltfrequenz fS höchstens so groß gewählt, dass PS gleich den Durchlassverlusten PD ist. Da
unterschiedliche Bauelemente auch unterschiedliche Schaltenergien aufweisen, lassen sich je
nach Bauelement auch unterschiedliche Schaltfrequenzen realisieren. Beim Bipolartransistor
liegt die obere Grenze für fS bei 5 kHz.
Während des Ein- und Ausschaltvorganges kommt es im Transistor kurzzeitig zu inhomoge-
nen Ladungsverteilungen mit der Folge unterschiedlicher Stromdichten.
À So konzentriert sich beim Einschalten der Strom zunächst nur in kleinen Gebieten der
Basis-Emittergrenze, so dass eine hohe Stromdichte beim Einschalten den Transistor durch
lokale Überhitzung gefährdet.
À Beim Ausschalten sind die Ladungsträger im zentralen Emitterbereich verteilt. Eine hohe
Spannungssteilheit beim Ausschalten führt daher ebenfalls zu lokalen Leistungsspitzen, die
den Transistor zerstören können (2. Durchbruch).
Für einen sicheren Betrieb hat man deshalb das iC-uCE-Kennlinienfeld in unterschiedliche Be-
reiche aufgeteilt. Es gibt Bereiche in denen Arbeitspunkte für einen Dauerbetrieb liegen kön-
nen (statischer Betrieb), Bereiche für einen Kurzzeitbetrieb wie es z. B. bei Schaltvorgängen
38 4 Transistoren

auftritt (dynamischer Betrieb) und Bereiche, in denen keine Arbeitspunkte zugelassen werden.
Das zulässige Gebiet wird als sicherer Arbeitsbereich (Safe Operating Area) SOA bezeichnet
und in das Ausgangskennlinienfeld eingetragen (siehe Abb. 4-5). Man unterscheidet einen si-
cheren Arbeitsbereich jeweils für den Ein- und Ausschaltvorgang. Der Einschaltvorgang (mit
positiver Ansteuerung) wird durch den sicheren Vorwärts-Arbeitsbereich (Forward Bias SOA,
FBSOA) in Abb. 4-5 beschrieben, der Ausschaltvorgang (mit negativer Ansteuerung) wird
durch den sicheren Rückwärts-Arbeitsbereich (Reverse Bias SOA, RBSOA) beschrieben. Der
sichere Arbeitsbereich darf auch bei Schaltvorgängen nicht verlassen werden.
Dauer-Verlustleistung Thermischer Durchbruch Abbildung 4-5
(2. Durchbruch)
Stromgrenze
Zulässige Arbeitsbereiche
eines Bipolartransistors (SOA)
Bei Schalthandlungen liegen
die Strom- und Spannungswer-

Lawinendurchbruch
Dynamischer te kurzzeitig innerhalb des

(1. Durchbruch)
„dynamischen Arbeits-
sgrenze

iC Arbeitsbereich
bereiches“.
g
Sättigun

Statischer
Arbeitsbereich

uCE

4.1.4 Der bipolare Leistungstransistor


Zur Leistungssteuerung muss ein Schalttransistor hohe Ströme schalten können und eine hohe
Spannungsfestigkeit aufweisen. Zur Erhöhung der Spannungsfestigkeit ist analog zur psn-Di-
ode eine schwach dotierte Zone nė in den n-Kollektor eingebracht. Hierdurch unterscheidet
sich der Leistungstransistor nach Abb. 4-6 vom Signaltransistor nach Abb. 4-1. Die Einfügung
der schwach dotierten Zone ní führt jedoch zu einer verringerten Stromverstärkung des Leis-
tungstransistors. Der Ansteuerungs-Leistungsbedarf ist daher entsprechend hoch.

iC E B C
E uCE C
n+ n+
uBE uBC p
B ní
n+
n+ p nė n+
Ansicht um 90°
gekippt
Prinzip des Leistungstransistors Aufbau

Abbildung 4-6 Prinzip und Aufbau eines bipolaren Leistungstransistors


4.1 Bipolartransistor 39

4.1.5 Die Arbeitspunkte des bipolaren Transistorschalters

a) b)
3“
iB
iC 3
uBC iC 2
iB

uCE 1
uBE

uCE

Abbildung 4-7 Messschaltung und Ausgangskennlinie eines Leistungstransistors

Wird bei konstantem Basisstrom iB die Spannung uCE von 0 V bis zu einem Maximalwert
verändert, so erhält man eine Ausgangskennlinie nach Abb. 4-7b. Die drei Abschnitte dieser
Kennlinie werden mit Sättigung (1), Quasisättigung (2) und aktiver Bereich (3) bezeichnet.
Kennzeichen ist die Polarität der Basis-Kollektorspannung uBC.

1 Sättigungsbereich uBC > 0 Basis-Kollektordiode leitet


uCE < uBE
2 Quasisättigung uBC > 0 Wie 1

3 aktiver Bereich uBC < 0 Basis-Kollektordiode sperrt


uCE > uBE
3“ aktiver Bereich uBC < 0 Wie 3, aber mit Early-Effekt

4.1.6 Nichtsättigungsbetrieb (aktiver Bereich, uBC < 0)


Die Kollektor-Emitter-Spannung uCE ist so hoch, dass der Basis-Kollektor-Übergang gesperrt
ist. Es existiert in Abb. 4-8 am (kollektorseitigen) pn Übergang eine Raumladungszone (RLZ),
deren Weite von uCE abhängt. Das (emitterseitige) Diffusionsdreieck geht in der Basis auf Null
zurück. Das Gefälle des Diffusionsdreiecks ist durch den Kollektorstrom iC festgelegt. Der
Widerstand im nė-Gebiet des Kollektors ist aufgrund der wenigen Ladungsträger relativ hoch.
Zwar ist iC durch iB eingeprägt, der Early-Effekt führt aber trotzdem zu einem geringen
Anstieg des Kollektorstromes mit uCE.

Diffusionsdreieck iC
n+ p nė
RLZ n+

uCE
Abbildung 4-8 Ladungsverteilung im ungesättigtem Betrieb
(durch RLZ hoher Spannungsabfall)
40 4 Transistoren

4.1.7 Quasisättigungsbetrieb (uBC > 0)


Der Basis-Kollektor-Übergang ist in Abb. 4-9 durchlassgepolt. Das Diffusionsdreieck geht in
der Basis nicht auf Null zurück. Hierdurch entfällt die RLZ am pn-Übergang und es bildet sich
auch im schwach dotierten Bereich nė ein Diffusionsdreieck. Durch die zusätzlichen Ladungs-
träger in der schwach dotierten Zone geht der Kollektor-Bahnwiderstand RCB zurück. Die Stei-
gung der Ausgangskennlinie ist bezogen auf den aktiven Bereich größer. Infolge des Diffusi-
onsdreiecks in der nė Zone baut sich eine zusätzliche Speicherladung QS auf, wodurch sich
das dynamische Verhalten des Transistors verschlechtert.
zusätzliche Speicherladung iC
n+ p nė n+
RCB

uCE
Abbildung 4-9 Quasisättigungsbetrieb

Reicht das Diffusionsdreieck in der ní Zone bis zum Rand der hoch dotierten Kollektorzone
n+, so ist die schwach dotierte Zone mit Ladungsträgern überfüllt und der Kollektor-Bahn-
widerstand ist praktisch Null. Es gibt nahezu keinen Spannungsabfall mehr über der schwach
dotieren Zone. Dies ist der typische Betriebspunkt eines Leistungstransistors.
zusätzliche Speicherladung iC
n+ p nė n+

uCE
Abbildung 4-10 Betrieb an der Sättigungsgrenze
Sättigungsspannung uCE,sat (siehe Abb. 4-7):
u CE u BE ʅu CB mit: u CB IJ ėu BE gilt: u CE uCE,sat ʈ u BE (4-5)

4.1.8 Übersättigungsbetrieb
In Abb. 4-11 erstreckt sich das Diffusionsdreieck im Kollektor bis in das n+-Gebiet hinein.
Zwar hat der Transistor in diesem Zustand den geringsten Widerstand, infolge der großen
Speicherladung QS weist er aber die schlechtesten dynamischen Eigenschaften auf.

n+ p nė n+ iC

QS

uCE
Abbildung 4-11 Übersättigungsbetrieb
4.1 Bipolartransistor 41

Transistorschalter werden aber in der Regel im Sättigungsbereich betrieben um einen geringen


Spannungsabfall zu erreichen. Der Sättigungszustand wirkt sich beim Umschalten wegen des
Auf- und Abbaus der Diffusionsladungen nachteilig aus. Das Ausschaltverhalten wird dann
durch eine negative Steuerspannung verbessert. Den Abbau der Speicherladung mit und ohne
negativer Steuerspannung zeigt Abb. 4-12.
a) b)
Abbildung 4-12
Aus RB Aus RB
Ausschaltvorgang ohne (a) und mit
negativem Basisstrom (b)
UB
UB UB
Ein negativer Basisstrom liefert
zusätzliche Elektronen in die ní-Zone.
Durch die intensive Rekombination
nė nė
existieren am pní-Übergang schnell
keine freien Ladungsträger mehr und
es kann sich eine RLZ ausbilden.

RLZ

a) Abbau der Basisladung nur durch Rekombination im schwach dotierten Gebiet.


b) Durch den negativen Basisstrom bildet sich schnell eine Raumladungszone RLZ aus. Da-
durch kann die CE-Strecke Spannung aufnehmen, obwohl die Speicherladung noch nicht
völlig abgebaut ist. Aus dieser Tatsache resultieren hohe Ausschaltverluste. Der Abbau der
restlichen Ladungsträger erfolgt durch Rekombination, was im schwach dotierten Bereich
einen vergleichsweise langen Zeitraum beansprucht. Hieraus resultiert der Schweifstrom
bei Ausschalten (Tail-Strom).
Eine Vermeidung des Übersättigungsbetriebes kann durch Begrenzung der Ansteuerspannung
mit einer „Clamp“-Schaltung nach Abb. 4-13 erreicht werden.
a) uD b) uD1

uBC uBC
1 1
RB
2 uCE 2 uCE
iB
RB iB uD2 uD
uBE
uBE

Abbildung 4-13 Möglichkeiten zur Vermeidung der Übersättigung

a) Für den Basisstrom iB folgt mit den Maschenumläufen M1 und M2:

M1: uBC uD ė R BŏiB M2: uBC uBE ė uCE

(4-6)
1
Durch Gleichsetzen und nach i B auflösen folgt: iB ŏʛu ʅ uD ė u BEʜ
R B CE

Unter der Annahme, dass uD (ca. 0,35 V bei einer Schottky-Diode) und uBE konstant sind,
ändert sich iB mit uCE. Über den Basiswiderstand kann die Übersättigung eingestellt wer-
den. Der Basisstrom iB „läuft“ dann mit der Spannung uCE mit, so wie es in Abb. 4-14b dar-
42 4 Transistoren

gestellt ist. Zum Vergleich zeigt Abb. 4-14a die Arbeitspunkte, die sich bei einem festen
Basisstrom iB abhängig von uCE einstellen würden.
a) i R-Geraden b) i R-Geraden
C C Abbildung 4-14
iB iB1 a) Übersättigung durch
geänderte Betriebs
optimal iB2 spannung Ud
iB3
übersättigt b) Nachführung
von iB mit uCE.

Ud3 Ud2 Ud1 uCE Ud3 Ud2 Ud1 uCE

b) In Abb. 4-13b erfolgt die Nachführung des Basisstromes iB indirekt über uBE. Durch die
Anzahl der Dioden D (Gesamtschwellspannung) kann die Sättigung eingestellt werden.
u BC u D1 ė u D ė u D2 sowie: uBC u BE ė uCE folgt mit uD1 uD2
(4-7)
u BE u CE ė uD

4.1.9 Darlington-Transistoren
Hochspannungstransistoren haben eine relativ kleine Stromverstärkung. Ein bipolarer Leis-
tungstransistor wird deshalb oft in Darlington-Schaltung ausgeführt. Durch die Hintereinan-
derschaltung mehrerer Transistoren erhält man eine wesentlich größere Gesamt-Stromverstär-
kung Bges. Der Basisstrom für die Ansteuerung bleibt in der Größenordnung von 1 A. Eine zu-
sätzliche Beschaltung nach Abb. 4-16 verringert die Ausschaltzeit (turn-off time).

iC1 iC2 C i i
B2 E1
i B ŏi B ŏi B ŏʛi ʅ i ʜ
B1 C2 2 B2 2 E1 2 B1 C1
B T2
T1 iB2 i B ŏʛi ʅi ŏB ʜ B ŏʛ1ʅ B ʜŏi
B2 C2 2 B1 B1 1 2 1 B1

mit B ļ1 folgt B IJB ŏB
E 1 ges 1 2

Abbildung 4-15 Prinzipieller Aufbau eines Darlington-Transistors

C Abbildung 4-16
iC1 iC2
iB1
Einstufige Darlington-
schaltung mit verbesser-
B T2 ter Ansteuerung
iB2
T1

E Symbol
4.1 Bipolartransistor 43

4.1.10 Vergleich Bipolartransistor – Schalter


Wird ein mechanischer Schalter S durch einen Transistorschalter T ersetzt, so ändert sich das
Systemverhalten. Am Beispiel einer Lampensteuerung lassen sich die wesentlichen Unter-
schiede aufzeigen. Dazu wird eine Lampe mit Rkalt << Rwarm über einen Transistor T und über
Schalterkennlinien
iC
Lampe Lampe S

iC iC uCE
Ud Ud
T S iC
T ein
uCE uCE
T aus

uCE

Abbildung 4-17 Schalten eines nichtlinearen Widerstandes (z. B. einer Lampe)

einen mechanischen Schalter S eingeschaltet (Abb. 4-17). Es zeigt sich, dass der Transistor mit
seiner Strom einprägenden Wirkung den Einschaltstrom der Lampe nahezu ausgleicht. Selbst
der Kurzschlussstrom wird vom Transistor durch seine nichtlineare Kennlinie begrenzt. Des-
halb ist eine Schmelzsicherung bei einem Transistorschalter nur bedingt wirksam. Der Vorteil
des idealen Schalters S ist der im Vergleich zum Transistor vernachlässigbare Spannungsabfall
im Durchlassbetrieb, wodurch nur sehr geringe Durchlassverluste entstehen. Mit dem Transis-
torschalter kann die Leistung der Lampe linear gesteuert werden. Dabei sind zwei Betriebsar-
ten möglich die nachfolgend beschrieben werden.
Ud Abbildung 4-18
EIN-Arbeitspunkte des
Rkalt mechanischen Schalters S Einschalten eines nichtlinearen
ohmschen Verbrauchers mit
iC
einem mechanischen Schalter S
EIN-Arbeitspunkte des und einem Transistor T
Transistorschalters

Rkalt À Der Transistor wirkt durch


Kurzschluss

seine nichtlineare Kennlinie


strombegrenzend.

Ud iC ( iB )
R warm
Rwarm

AUS

Ud uCE
44 4 Transistoren

4.2 Betriebsarten
Ein Transistorschalter kann als Gleichstromschalter zum Betätigen von typischen Gleichstrom-
lasten, wie z. B. einer Lampe oder einem Stellmotor, oder als Pulssteller zum periodischen

Transistorschalter
Transistorschalter

Gleichstromschalter Pulssteller
Gleichstromschalter
einmalige Schalthandlungen Pulssteller
Periodische Schalthandlungen
einmalige Schalthandlungen PeriodischeTSchalthandlungen
Periodendauer P, Einschaltzeit TE
Periodendauer TP, Einschaltzeit TE
TE
Tastgrad d (Duty Cycle)
TP

Steuern eines Mittel- oder Effektivwertes eingesetzt werden. Die Steuerung als Pulssteller
kann mit einer konstanten oder zeitveränderlichen Pulsfrequenz fP erfolgen.

iC
uR
R

iC Ud U d ė U CE,sat
Id
R
uCE
TE t
1
TP
fP

Abbildung 4-19 Transistorschalter im Pulsbetrieb

Für den Kollektorstrom iC, der eine Mischgröße darstellt, lassen sich der Mittelwert ICAV und
der Effektivwert ICRMS bestimmen. Man wählt im Pulsbetrieb als Zeitbasis der Mittelwertbil-
dung die Periodendauer TP (Kurzzeit-Mittelwert). Mit der Annahme eines zeitlich konstanten
Gleichstromes Id folgen für den Mittelwert ICAV und Effektivwert ICRMS die Beziehungen:

Effektivwert (Root Mean Square, RMS) Mittelwert (Average, AV)

ʎ ʎ
T
TE
TE 1 E TE
I CRMS
1
ĩ i2 d t I dŏ
ʘi
C
I CAV ĩ i dt
TP 0 C
I dŏ
TP
TP 0 C TP

ȩ Der Unterschied zwischen Effektiv- und Mittelwert entsteht durch den Wechselanteil, der
bei der Mittelwertbildung herausfällt.
4.2 Betriebsarten 45

4.2.1 Schalten einer ohmsch-induktiven Last

Die Arbeitsweise der Schaltung nach Abb.


4-20 mit ohmsch-induktiver Last ist von
R u R RŏiC
mehreren Zuständen gekennzeichnet, die in
Abb. 4-21 (t0–t5) dargestellt sind:
d iC
L uL L Statische Zustände
dt
Ud
1. AUS: iC = 0 A, uCE = Ud
iC
iB 2. EIN: iC und uCE sind bestimmt durch
uCE den Arbeitspunkt von Widerstands-
und Sättigungsgerade (Abb. 4-21).
uBE

Abbildung 4-20 Ohmsch-induktive Last

Dynamische Zustände

EINSCHALTEN
Beim Einschaltvorgang (t0 in Abb. 4-21) bricht die Spannung uCE sehr schnell auf Null zusam-
men (t1) und der Strom iC steigt von 0 mit der Zeitkonstanten ˃ = L/R näherungsweise expo-
nentiell an, bis der Arbeitspunkt EIN nach Gl. (4-8) erreicht ist (t2). Gleichzeitig steigt uCE von
0 auf den Wert der Sättigungsspannung UCE,sat im Arbeitspunkt an.

U d ė U CE,sat
iC (4-8)
R

Die Induktivität L nimmt während dieser Zeit die Energie WL nach Gl. (4-9) auf.

1 2
WL Li (4-9)
2 C

AUSSCHALTEN
Der Kollektorstrom iC ist durch die Induktivität L eingeprägt (t3–t5). Beim Ausschalten muss
die Energie WL der Induktivität L abgebaut werden. Diese Energie wird größtenteils im Tran-
sistor in Wärme umgewandelt. Während der Transistor hochohmig wird, kommt es zu einer
Spannungsüberhöhung an der Kollektor-Emitterstrecke.

M: ĖU 0 ėuCE ėuL ėuR ʅU d ʍ u CE U d ė uR ėuL mit u Lʆ 0

Bei hinreichend großer Stromsteilheit kann die Spannung uCE die Spannungsfestigkeit der
Kollektor-Basis-Diode (UCE,max) überschreiten, wodurch der Transistor im Durchbruch betrie-
ben wird. Sobald die Energie WL abgebaut ist, wird iC zu Null und die Spannung uCE fällt auf
Ud. Durch die auftretende Verlustleistung ist der Transistor thermisch gefährdet.
46 4 Transistoren

Zur Vermeidung des Durchbruchs setzt diese Betriebsart eine geringe Flankensteilheit des
Kollektorstromes iC voraus, jedoch steigt die Verlustleistung des Transistor an.

iC PV,max
EIN Ausschalten
Ud
t3 t4 t5
R
t2
de
sgera

Durchbruch
gu ng

UCE, max
Sätti

AUS
Einschalten
t1 t0
Ud uCE
UCE,sat

Abbildung 4-21 Ein- und Ausschaltvorgang ohne Freilaufdiode

Zum Schutz des Schalttransistors beim Abschaltvorgang vor Überspannungen und zur Redu-
zierung der Schaltverluste muss die ohmsch-induktive Last nach Abb. 4-22 induktivitätsfrei
mit einer Freilaufdiode DF beschaltet werden. Durch die Freilaufdiode wird uCE auf ideal Ud
begrenzt. Die Stromübernahme der Freilaufdiode erfolgt, sobald die Ventilspannung uDF posi-
tiv ist. Die Ventilspannung wird in Abb. 4-22 aus dem Maschenumlauf M ermittelt.

M: ĖU 0 uDF ʅ u Z ʅU d ė uCE

uZ Z R u R Rŏi L
ʍ u DF = uCE ʅ u Z ėU d

uDF DF d iL
L uL L Leitbedingung für DF :
dt
iDF iL
Ud u DF ʇ 0 wenn uCE ʇ U d ʅ u Z
iC = 0

uCE Abbildung 4-22


Schalter mit Freilaufdiode und zusätzlicher
iB = 0 Z-Diode zum beschleunigten Abbau der Energie
uBE
T WL (Entmagnetisierung)
4.2 Betriebsarten 47

iC Ausschalten
Ud t3 t4 Freilaufdiode
EIN schaltet ein
R de t2 t5

UZ0
sgera

mit Z-Diode
R im Freilauf-
gung

-G
era kreis
d t6
Sätti

Einschalten t0
t1

UCE,sat Ud
UCE

Abbildung 4-23 Ein- Aus-Schaltvorgang mit idealer Freilaufdiode und Zenerdiode

Während beim Ausschaltvorgang in Abb. 4-22 der Transistor hochohmig wird, steigt bei annä-
hernd konstantem Kollektorstrom iC die Spannung uCE auf den Wert der Eingangsgleichspan-
nung Ud an. Überschreitet uCE den Wert von Ud, so ist uDF > 0 und die Freilaufdiode über-
nimmt schlagartig den Laststrom iL. Nach der Stromübergabe auf die Freilaufdiode wird der
Laststrom von der Induktivität L weiterhin aufrecht erhalten, sinkt aber mit der Zeitkonstanten
˃ auf Null (ideale Diode angenommen). Wegen di/dt < 0 ist uL negativ. Um den Abbau von iL
zu beschleunigen, wird zur Freilaufdiode DF in Abb. 4-22 eine Z-Diode Z in Reihe geschaltet.
Hierdurch arbeitet die Induktivität auf eine Gegenspannung (Zener-Spannung UZ) und wird
bei gleicher Zeitkonstanten IJ schneller entmagnetisiert (Abb. 4-24). Wie in Abb. 4-23 darge-
stellt, ist uCE während des Freilaufs um die Zener-Spannung vergrößert auf uCE = Ud + UZ.
Die Spannungsfestigkeit des Transistors bestimmt daher die zulässige Zener-Spannung.

i Abbildung 4-24

Ud iL Stromverlauf beim Abschalten


R ohne Z-Diode einer Induktivität mit und ohne
Z-Diode im Freilaufzweig

Durch UZ will sich der Strom iL


theoretisch umkehren. Im
0
mit Z-Diode t Stromnulldurchgang ist die
UZ iL = 0 Energie der Induktivität L abge-
ė baut und der Strom bleibt 0.
R
IJ
48 4 Transistoren

4.2.2 Schalten eines eingeprägten Stromes


4.2.2.1 Weiches Schalten
In einem Stromkreis nach Abb. 4-25 werden Schaltvorgänge durch die Induktivität des Strom-
kreises bestimmt. Beim Einschalten des Transistors T bricht die Spannung uCE sofort auf IJ 0
zusammen. Die Steilheit von iC wird durch Ud und L˂ bestimmt. Beim Ausschalten bestimmt
der Transistor T zur Spannungsbegrenzung über die Ansteuerung die Stromsteilheit.
L˂ L˂
Abbildung 4-25
Ein- und Ausschalten
uL˂ D uL˂ D
Id Id eines induktiven
Stromkreises
Ud iC Ud iC
T T
uCE = Ud í uL˂ IJ 0 uCE = Ud + uL˂

L˂ bestimmt die Stromsteilheit L˂ verursacht beim Abschalten eine


und übernimmt die gesamte hohe Spannungsbelastung des
treibende Spannung Transistors

Die Spannungsbelastung des Transistors ist beim Ausschalten durch die Summe von Betriebss-
pannung und induzierter Spannung uLı gegeben. Die Stromsteilheit muss dann so begrenzt
sein, dass uLı zusammen mit Ud nicht den Transistor zerstört. Den Verlauf der Ströme und
Spannungen zeigt Abb. 4-26.

Abbildung 4-26
L˂ nimmt die d iC
uCE L˂ Schalten eines eingeprägten
gesamte Spannung auf dt
ûCE Stromes in einem stark induktiven
Stromkreis (weiches Schalten)
Ud ȩ Beim Einschalten bricht die
Spannung uCE fast auf Null zu-
t sammen, so dass es nur geringe
Einschaltverluste gibt.
iC
ȩ Beim Ausschalten muss die
iCM
Stromsteilheit so gering gewählt
Id
werden, dass die induzierte
Spannung nicht den Transistor
t gefährdet (Durchbruch).
iDF ȩ Die in der Induktivität gespei-
Id cherte Energie WL muss beim
Ausschalten im Transistor in
iRRM Wärme umgewandelt werden.
t
iB Dies ist mit hohen Ausschalt-
verlusten verbunden.
Strom-Steilheitsbegrenzung

t
4.2 Betriebsarten 49

4.2.2.2 Hartes Schalten


In einem induktivitätsfreien Stromkreis nach Abb. 4-27 ist die Stromsteilheit allein durch den
Transistor T bestimmt. Überspannungen treten (ideal) nicht auf. Die Spannung uCE bleibt wäh-
rend des gesamten Einschaltvorganges auf dem Wert der Betriebsspannung Ud. Die Folge sind
hohe Einschaltverluste.

Abbildung 4-27

D
Id Hartes Schalten, Ersatzschaltbild

Ud iC Beim harten Schalten arbeitet der Transistor direkt an der


T Spannung des Kondensators. Der Stromkreis ist daher,
uCE =Ud abgesehen von unvermeidbaren Leitungsinduktivitäten,
induktivitätsfrei.

Unvermeidliche parasitäre Induktivitäten des Stromkreises führen beim Einschalten jedoch zu


einer reduzierten Spannung uCE und so zu einer Einschalt-Entlastung des Transistors. Beim
Ausschalten belasten diese Induktivitäten den Transistor jedoch mit einer Überspannung. Ab-
hilfe kann hier ein Entlastungsnetzwerk (RCD-Beschaltung, Kap. 4.2.3) bringen. Der in Abb.
4-28b dargestellte Verlauf der Arbeitspunkte beim Ein- und Ausschaltvorgang muss innerhalb
des vorgegebenen sicheren Arbeitsbereiches (SOA) entsprechend Abb. 4-5 liegen.
a.) b.)
Einfluss
parasitärer Induktivitäten
uCE

ûCE
iC
Ud
iCM
ideal
t

iC iCM Ein
Id Id Aus

iDF uCE
Ud ûCE
Id
iRM t

iB

t
Abbildung 4-28 Hartes Schalten
Die Stromsteilheit wird beim Ein- und Ausschalten vom Transistor vorgegeben. Beim Einschalten liegt
annähernd die volle Betriebsspannung an der Kollektor-Emitterstrecke, so dass erhebliche Schaltverluste
entstehen. Die Induktivität des Stromkreises muss so klein sein, dass beim Abschalten die maximal
zulässige Kollektor-Emitterspannung nicht überschritten wird. Die auftretende Schaltüberspannung
begrenzt letztlich den tatsächlich abschaltbaren Strom.
50 4 Transistoren

4.2.3 RCD-Beschaltung
Zur Spannungsentlastung des Transistors T wird beim Ausschaltvorgang ein Kondensator C
parallel zur Kollektor-Emitterstrecke geschaltet. Bei jedem Ausschaltvorgang wird der Kon-
densator mit der Energie der parasitären Induktivität L˂ des Stromkreises geladen. (L˂ be-
schreibt auch die parasitäre Induktivität des Kondensators und der internen Verschaltung des
Transistors (5-20 nH)). Mit der Kapazität C kann die maximale Spannungsbelastung des Tran-
sistors ûCE nach Gl. (4-10) festgelegt werden. Damit der Kondensator beim Einschaltvorgang
nicht den Transistor überlastet, erfolgt die Entladung von C über einen in Reihe geschalteten
Widerstand R. Die Diode D leitet beim Ausschalten den Ladestrom am Widerstand R vorbei
und zwingt den Entladestrom beim Einschalten über den Widerstand R. Die Entladezeit des
Kondensators (>3 R·C) begrenzt die maximale Schaltfrequenz des Transistors.
Zur Wirkungsweise:

Id Abbildung 4-29
iDF
Transistorschalter mit RCD-
DF Beschaltung zur Kompensation
der parasitären Induktivität des
Cd Stromkreises
Ud iL˂
Die RCD-Beschaltung
L˂ uL˂
ȩ verringert die Spannungsbe-
lastung der Kollektor-Emit-
M iC iB
terstrecke
R D
T uCE und
ȩ reduziert die Schaltverluste.
C uC

RCD-Beschaltung

In Abb. 4-29 leitet T und führt den Kollektorstrom iC = Id. Der Kondensator C sei vollständig
entladen. Wird der Basisstrom des Transistors abgeschaltet, sinkt der Kollektorstrom iC und
wird zu 0. Der von L˂ eingeprägte Strom fließt nun in den Kondensator C. Der Kondensator
wird mit Id über die Diode D geladen. Die Spannung uCE verhält sich wie uC. Überschreitet
uCE den Wert der Eingangsspannung Ud, schaltet die Freilaufdiode DF durch und der Freilauf-
kreis ist aktiv. Der Kondensator C nimmt noch die Energie der parasitären Induktivitäten des
Stromkreises auf und bleibt geladen bis T wieder einschaltet. Dann entlädt sich C über R und
der CE-Strecke von T. Mit Gl. (4-10) kann die Spannungsbelastung des Kondensators abge-
schätzt werden.

ʎ
L
˂ (4-10)
uʒ CE U d ʅ ʧu C mit ʧ uC I dŏ
C
4.3 Der IG-Feldeffekttransistor (MOSFET) 51

4.3 Der IG-Feldeffekttransistor (MOSFET)


4.3.1 Aufbau

Gateelektrode
Abbildung 4-30

+ ++++++++++ Prinzip des Feldeffekttransistors

UGS íííííííííí
Influenzladung – Steuerung der Leitfähigkeit
durch ein elektrisches Feld
í p-dotiertes Substrat

Gegenelektrode

Beim MOSFET wird die elektrische Leitfähigkeit eines Substrates durch ein elektrisches Feld
gesteuert. Der prinzipielle Aufbau eines MOSFET nach Abb. 4-30 entspricht dem eines Kon-
densators. Zwischen zwei Elektroden befindet sich ein p-dotiertes Substrat. An den Elektroden
sei die Spannung UGS wirksam. Das von dieser Spannung erzeugte elektrische Feld E ruft im
Substrat Influenzladungen hervor. Diese Ladungen, im p-Gebiet sind das (Majoritätsträger)
Elektronen, bewirken eine elektrische Leitfähigkeit des Substrates. Ohne äußere Spannung gibt
es keine Influenzladungen und somit auch keine elektrische Leitfähigkeit. Zur Steuerung eines
Stromes muss diese Anordnung entsprechend Abb. 4-31 abgewandelt werden.
Metallisierung S G D
Abbildung 4-31
Praktische Ausführung
eines MOSFET
n Isolierschicht n
aus Metall-Oxid

p-dotiertes Substrat p

Sperrschicht des pn-Überganges


B ( Bulk)
im spannungslosen Zustand
Gegenelektrode

Im p-Substrat befinden sich jetzt zusätzlich zwei n-dotierte Bereiche mit den Anschlüssen S
(Source) und D (Drain). Über diese Anschlüsse soll der gesteuerte Stromfluss erfolgen. Zur
Erzeugung des elektrischen Feldes dienen die Anschlüsse G (Gate) und B (Bulk, Substrat). Die
Gateelektrode ist durch ein Metalloxid vom Substrat isoliert. Deshalb wird dieser Transistortyp
als Metall-Oxid-Semiconductor, kurz MOSFET, bezeichnet. Ohne äußere Spannungen bilden
sich an den pn-Übergängen Raumladungszonen aus. Für den praktischen Einsatz wird der Sub-
stratanschluss B mit dem Sourceanschluss S direkt verbunden. Wird an die Anschlüsse D und
S nun eine positive Spannung UDS angelegt, so ist in Abb. 4-32 der rechte pn-Übergang in
Sperrrichtung, der linke in Durchlassrichtung gepolt. Ein Stromfluss kann in beiden Richtun-
gen nicht erfolgen. Man nennt diesen Transistortyp daher selbstsperrend.
Wird zusätzlich die Steuerspannung UGS angelegt, so kommt es aufgrund des elektrischen Fel-
des E im Substrat zu einer Elektronenansammlung zwischen Drain- und Source-Anschluss, ei-
52 4 Transistoren

uDS
Symbol
S G D D

G
n n S
pn-Übergang bei UDS > 0 D: Drain
B in Sperrrichtung gepolt p S: Source
G: Gate

Abbildung 4-32 Selbstsperrender n-Kanal MOSFET mit Symbol

nem leitfähigen Elektronenkanal (n-Kanal), und es fließt ein reiner Elektronenstrom vom
Drain zum Source-Anschluss, daher die Bezeichnung unipolar-Transistor. Die Elektronenlei-
tung hat einen positiven Temperaturkoeffizienten.
UDS
Abbildung 4-33
UGS > 0
G Bildung des Elektronenkanals
D bei uGS > 0
S

n n
ʙE
ņ ņ ņ p-Substrat
B

Der in Abb. 4-33 dargestellte n-Kanal-MOSFET ist für kleine Spannungen und Ströme geeig-
net. Durch eine Parallelschaltung vieler Einzeltransistoren kann eine höhere Stromstärke er-
reicht werden. Bei der erforderlichen Parallelschaltung solcher Einzeltransistoren zu einem
Leistungs-MOSFET ergeben sich folgende Probleme:
À Die Verlustleistung tritt in den stromführenden Schichten unter der Oberfläche auf. Die
entstehende Wärme kann von dort schlecht abgeleitet werden und führt auf ein vertikal
inhomogenes Temperaturprofil.
À Die Verbindung aller individuellen MOSFET-Einheiten untereinander durch Leiterbahnen
erweist sich als kompliziert. Zudem wird die Kristallfläche nur schlecht ausgenutzt.
Der Schlüssel zur Entwicklung von Leistungs-MOSFETs besteht in der vertikalen Anordnung
der stromführenden Schichten. Der vertikale Aufbau gestattet eine zellenförmige Strukturie-
rung des Leistungshalbleiters und damit eine hohe Konzentration identischer MOSFET-Ele-
mente auf einem Kristall. Durch eine regelmäßige Anordnung der vertikal aufgebauten MOS-
FET-Zellen ergibt sich eine homogene Verteilung der Verlustleistung. Die entstehende Wärme
kann gut über das Substrat und den Drainkontakt abgeführt werden, so dass die Stromdichte
verdreifacht werden kann. Dabei sorgt der positive Temperaturkoeffizient für eine gleichmäßi-
ge Stromverteilung im Kristall. Die Integrationsdichte bei Leistungs-MOSFET beträgt z. Zt. >
800000 Transistorzellen pro cm2 bei einer Chipfläche von 0,3...1,5 cm². Die Entwicklung des
Leistungstransistors aus dem Signaltransistor zeigt Abb. 4-35. Damit der MOSFET nach Abb.
4-35a auch hohen Sperrspannungen standhalten kann, wird eine niedrig dotierte Driftzone (ní)
zwischen dem p-Gebiet unter dem Gatekontakt und der n+ -Drainzone vorgesehen werden
4.3 Der IG-Feldeffekttransistor (MOSFET) 53

(Abb. 4-35b). Sie reduziert die Feldstärke und verhindert so einen Feldstärkedurchbruch. Prak-
tisch die gesamte Spannung UDS fällt über diesen Bereich ab. In den weiteren Schritten wird
nun erreicht, dass der Drainanschluss für eine vertikale Stromführung auf die Unterseite des
Substrates verlegt wird. Dabei kann zunächst der Substratanschluss B durch eine überlappende
Kontaktierung im S-Bereich ersetzt werden. In Abb. 4-35c ist die fertige Struktur eines Einzel-
transistors zu erkennen. Darin ist auch die Inversdiode (Body-Diode) angedeutet. Abb. 4-35d
zeigt den durch Parallelschaltung entstandenen Leistungstransistor. Diese Anordnung lässt sich
prinzipiell erweitern, wodurch sich hohe Stromstärken für einen MOSFET-Leistungstransistor
erzielen lassen. Hauptanwendung derzeit bei Spannungen kleiner 200 V z. B. im Automobil-
sektor oder bei Schaltnetzteilen. Zur Erzielung einer höheren Spannungsfestigkeit (bis ca.
1000 V) muss die nė-Zone verbreitert werden. Bei Verdopplung der Spannungsfestigkeit steigt
jedoch der Durchlasswiderstand rDS(on) üblicherweise bis auf den fünffachen Wert an („Sili-
con Limit“). Einer Verringerung von rDS(on) durch eine Vergrößerung der Siliziumfläche ist
wegen der dabei sinkenden Fertigungsausbeute eine Grenze gesetzt. Bei stark induktiven Las-
ten kann das Abschaltverhalten der Inversdiode den MOSFET zusätzlich belasten. Abb. 4-34
zeigt für diesen Einsatzfall die Anwendung einer externen Inversdiode zur Entlastung des
MOSFET.

Vergleich eines MOSFET-Leistungstransistor mit einem Bipolartransistor:

Leistungs-MOSFET Bipolartransistor

Spannungsgesteuerter Schalter Stromgesteuerter Schalter


Unipolarer Ladungstransport durch
Bipolarer Ladungstransport durch Elektronen
Elektronen (n-Kanal-Typ ) oder durch
und Löcher. Daher:
Löcher (p-Kanal-Typ). Daher:
À Ladungsspeicher-Effekt
À keine Ladungsspeicherung
À Die Schaltverluste sind frequenzpropor-
À frequenzunabhängige Verluste tional
À positiver Temperaturkoeffizient À negativer Temperaturkoeffizient und
À hoher Durchlasswiderstand da kei- zweiter Durchbruch
ne Ladungsträgerinjektion. À Kleiner Durchlasswiderstand bei hohen
À Strukturbedingte Inversdiode Strömen durch Ladungsträgerinjektion in
Der vertikale Stromfluss unterhalb des die Kollektorzone.
Gate-Bereiches führt auf eine nur parti- Der ganzflächige Kollektor-Basis-Übergang
elle Nutzung der Siliziumfläche. führt auf eine optimale Ausnutzung der Silizi-
umfläche.

Abbildung 4-34
SD
Externe Abschaltung der Body-Diode
Inversdiode Der Einsatz einer schnellen externen Inversdiode ist möglich, wenn
die interne Inversdiode (Body-Diode) über eine zusätzliche Schottky-
Diode (SD) ausgeschaltet wird. Es entsteht aber ein zusätzlicher
Spannungsabfall in Durchlassbetrieb des MOSFET von ca. 0,4 V.
(Anwendung bei stark induktiven Lasten)
54 4 Transistoren

Isolierung schwach dotierte Zone zur


a) Erhöhung der
Substrat-
Spannungsfestigkeit
anschluss über
die Source- S G D
Kontaktierung
MOS-
ė Hochspannungs-
n n n transistor
p D-MOSFET

b) S G

n nė
Drainanschluss
strukturbedingte
seitlich verlegt
Inversdiode D
p n

S G
c)

n fertiger MOS-
Leistungstransistor
p
nė V-D-MOSFET
n
großflächiger Drainkontakt für eine Parallel-
optimale Wärmeabgabe D
schaltung zweier
Transistorzellen

d) S
G

n n
p p
nė nė
n n

nächster Transistor D nächster Transistor

Abbildung 4-35 Herleitung des MOS-Leistungstransistors


4.3 Der IG-Feldeffekttransistor (MOSFET) 55

4.3.2 Die Kennlinie

iD ohmscher Bereich Durchbruch


ʧ u DS
r DS,on
uGS ʧiD
ǻuDS

ǻiD
Übergangsbereich
iD
D
uDS
G S
uGS
Sättigungs- bzw.
uGS Abschnürbereich uGS konstant Messschaltung

uDS

Abbildung 4-36 Statische Kennlinie eines n-Kanal-MOSFET

Ist in Abb. 4-36 die Spannung uGS größer als die Threshold-Spannung UTh, so existiert zwi-
schen D und S ein leitfähiger Kanal und der MOSFET verhält sich wie ein ohmscher Wider-
stand. Im diesem ohmschen Bereich der Kennlinie wird der Kanalquerschnitt durch Steigerung
von uGS vergrößert wodurch der Widerstand rDS,on abnimmt. Die Steigung der Kennlinie
wächst daher mit uGS. Hier liegt der Arbeitsbereich der Kennlinie für Schalteranwendungen.
Der Widerstand rDS,on berechnet sich aus der Steigung der Kennlinie wie in Abb. 4-36 ange-
geben. Wird uDS > uGS, so sperrt der drainseitige pn-Übergang und es bildet sich eine Raumla-
dungszone (RLZ) nach Abb. 4-37 aus. Der Kanal ist am Rand der RLZ abgeschnürt (Pin-
ch-Off-Punkt). Bei weiterer Steigerung von uDS wird der Spannungsanstieg allein von der
RLZ aufgenommen. Der Drainstrom bleibt daher annähernd konstant (Sättigung) bis schließ-
lich der Durchbruch der RLZ erfolgt.

uDS Abbildung 4-37


MOSFET im Sättigungszustand
RL Wegen uGD < 0 bildet sich an der Drainseite eine Raum-
uGD ladungszone (RLZ) aus. Der Kanal wird im gleichem Maß
verkürzt. Steigt uDS weiter an, so wird durch Ausweitung
S uGS G D der RLZ der Spannungsanstieg kompensiert.

n+ n+ Folge:
Der Drainstrom bleibt bei einem Anstieg der Spannung
Kanal RLZ
uDS im Sättigungsbetrieb annähernd konstant.
Pinch-off-Punkt
p
56 4 Transistoren

4.3.3 Die Gatekapazität


Die Gateelektrode eines MOSFET bildet eine Eingangskapazität, die für den Schaltvorgang
durch eine Ersatzkapazität CISS beschrieben wird. Die Zusammensetzung der Ersatzkapazität
zeigt Abb. 4-38. Die dargestellten Kapazitäten sind zum Teil von der Spannung uDS abhängig.
D iD
iG
CGD
iG
G uDS CDS
uGS CISS
uGS CGS

S
Abbildung 4-38 Gate-Ersatzschaltbild und Ersatzkapazität CISS eines MOSFET

CGS ist eine konstante Größe, CGD und CDS ändern sich mit der Spannung uDS. Um diesen
Einfluss zu berücksichtigen, ersetzt man CGD abhängig von der Spannung bzw. vom Schaltzu-
stand durch die Werte CGD = CGD1 für uDS IJ 0 und CGD = CGD2 für uDS >> 0. Dabei gilt:
CGD1 >> CGD2. Zur Vereinfachung wird ferner in Gl. (4-11) die zwischen Gate G und Source
S wirksame Kapazität zusammengefasst als spannungsabhängige Ersatzkapazität CISS. Daten-
blattangaben für CISS gelten bei einer Spannung uDS = 25 V und sind mit einer Messbrücke bei
einer Frequenz von 1 MHz ermittelt, d. h. CISS ist eine Vergleichsgröße (siehe auch Gl. 4-14).
C ISS C GS ʅ C GD (4-11)

Die Kondensatoren CGS und CGD bilden für das Gate einen kapazitiven Spannungsteiler. Bei
offenem Gateanschluss wirkt die Spannung uDS daher über CGD auf den Eingang zurück.

D
Abbildung 4-39
CGD
RG G Kapazitiver Spannungsteiler am Gateanschluss
uDS
Änderungen von uDS wirken über CGD auf den Eingang G
uG uGS CGS zurück.
S
Die Änderung der Gatespannung uGS berechnet sich in diesem Fall zu:

C GD
Spannungsrückwirkung: ʧ uGS ʧuDS (4-12)
C GDʅ C GS

Da im Schalterbetrieb uDS große Spannungssprünge macht (siehe auch Abb. 4-61), besteht die
Gefahr, dass CGS über diese kapazitive Kopplung auf UTh aufgeladen wird und der MOSFET
ungewollt einschaltet. Zur Einprägung der Gatespannung uGS muss die Ansteuerung des Gates
daher möglichst niederohmig erfolgen (kleiner Gatewiderstand RG). Ferner wird die Gatespan-
nung im ausgeschalteten Zustand auf negative Werte eingestellt. Übliche Ansteuerspannungen:
Ein: uG = +15 V, Aus: uG = í15 V.
4.3 Der IG-Feldeffekttransistor (MOSFET) 57

4.3.4 Neuere Entwicklungsrichtungen


Ziel der Entwicklungsarbeiten ist die Verringerung der Durchlassverluste in Verbindung mit
einer Spannungsfestigkeit von über 1000 V. Bei der in Abb. 4-35 dargestellten Struktur eines
MOSFET-Leistungstransistors wird zur Erzielung einer hohen Spannungsfestigkeit die Dicke
der ní-Schicht angepasst. Bei einer Verdopplung der Spannungsfestigkeit der Drain-Source-
Strecke steigt jedoch der Durchlasswiderstand rDS(on) in etwa auf den fünffachen Wert. Dieser
Zusammenhang wird allgemein mit „Silicon-Limit“ bezeichnet.
À Bei vergleichbarer Stromtragfähigkeit wächst bei der MOS-Struktur die erforderliche
Chipfläche (Exponent: 2,4–2,6) überproportional zur Spannungsfestigkeit.
Werden in die ní-Zone des normalen MOSFET-Leistungstransistors nach Abb. 4-40a p-
leitende Gebiete eingebracht die mit der p-Schicht verbunden sind, so erhält man die so
genannte CoolMOS-Struktur eines MOSFET-Leistungstransistors nach Abb. 4-40b.

S G S G
SiO2 SiO2

n+ n+ n+ n+
p p p p
nņ p nņ p

n+ n+

D D
a) MOSFET-Struktur b) CoolMOS-Struktur
Abbildung 4-40 Vergleich von MOS- und CoolMOS-Struktur

Bei der CoolMOS-Struktur führen die zusätzlichen p-Gebiete im Sperrzustand zu einer verän-
derten Feldausbildung in der ní-Zone, wodurch bei gleicher Spannungsbelastung eine redu-
zierte Dicke der ní-Zone möglich wird. Der als „Silicon-Limit“ bezeichnete Zusammenhang
zwischen Sperrspannung und Durchlasswiderstand ist dadurch praktisch aufgehoben, rDS(on)
wächst nur noch linear mit der Spannungsfestigkeit des Transistors. Die Folge ist ein ver-
gleichsweise geringer Durchlasswiderstand rDS(on).
Im Vergleich zur MOSFET-Struktur nach Abb. 4-40a zeigt die CoolMOS-Struktur nach Abb.
4-40b folgende Vorteile:
À Bei gleicher Chipfläche reduziert sich rDS(on) um den Faktor 5.
À Für einen vergleichbaren Strom ist nur noch 1/3 der Chipfläche erforderlich, bei gleich-
zeitig reduzierten Schalt- und Durchlassverlusten.
À Die Gatekapazität und -ladung sind um 1/3 reduziert.

Einschränkungen bei der Anwendung dieser Transistoren ergeben sich aus der Leistungsfähig-
keit der Inversdiode (Body-Diode).
58 4 Transistoren

4.4 Der IG-Bipolar Transistor (IGBT)


4.4.1 Aufbau
Wird ein feldgesteuertes Bauelement nicht wie der MOSFET mit einem n-leitenden Substrat
sondern, wie in Abb. 4-41 dargestellt, mit einem p-leitenden Substrat hergestellt, so erhält man
den Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT.
MOSFET IGBT
S G E G C

n n
p p G
ní ní
n p E
D C
Abbildung 4-41 Die Ableitung der IGBT-Struktur (NPT) vom MOSFET und Schaltsymbol

Während der Stromfluss des MOSFET von D nach S von einem np-Übergang bestimmt ist,
der als Inversdiode arbeitet, findet der Stromfluss im IGBT über eine pnp-Strecke statt und
enthält somit keine strukturbedingte Inversdiode. Zum Verständnis dieser Schichtenfolge wird
ein Ersatzschaltbild nach Abb. 4-42 gewählt. Der IGBT setzt sich aus einem Bipolartransistor
T2 und einem MOSFET T1 zusammen. Zusätzlich ist ein weiterer Transistor T3 enthalten, der
über den Wannenwiderstand RW angesteuert wird. T2 und T3 bilden eine Thyristorstruktur. Im
Normalfall ist RW so klein, dass die Basis-E-
mitterstrecke von T3 kurzgeschlossen ist, wo-
E (Emitter) G ( Gate )
durch diese Struktur inaktiv bleibt. Die
p n Thyristorstruktur ist nur für den Überlastfall
RW T1 von Bedeutung. Der IGBT würde dann seine
Steuerbarkeit verlieren (latch up). Bei der Tran-
sistorherstellung ist man bestrebt, diesen Effekt
T3
erst bei sehr hohen Strömen zuzulassen. Prak-
tisch kann der IGBT einen Kurzschlussstrom
kurzzeitig führen und abschalten. Für den nor-
T2 n-- malen Betrieb des IGBT ist daher nur der
n-- MOSFET zusammen mit T2 von Bedeutung
und es genügt ein Ersatzschaltbild nach Abb. 4-
43. Die Herstellung von Chipflächen größer 2
p cm² ist derzeit wegen der geringen Strukturbrei-
ten wirtschaftlich nicht möglich, so dass für hö-
C (Kollektor) here Ströme eine Parallelschaltung mehrerer
IGBT erforderlich ist. Eine gemeinsame Invers-
Abbildung 4-42 Vollständiges Ersatzschaltbild diode kann dann optimal für die Parallelschal-
tung gewählt werden.
4.4 Der IG-Bipolar Transistor (IGBT) 59

E (Emitter) G ( Gate ) iC C
p n
T1 T2 pnp

uCE
T2 G
ní T1
uGE MOS
p
C (Kollektor) E

Abbildung 4-43 Vereinfachtes Ersatzschaltbild eines IGBT

4.4.2 Durchlasseigenschaften
Das Durchlassverhalten wird durch den pnp-Transistor T2 in Abb. 4-43 bestimmt. Es liegt ein
bipolarer Leitungsmechanismus vor.

iC
iC
BE-Diode
Bahnwiderstand RB
RB
uCE
Schwellbereich
der BE-Diode uG

uGE

uCE
Sperrfähigkeit
prinzipielles Modell eines IGBT
der BE-Diode
zur Kennlinienbeschreibung
Abbildung 4-44 Durchlass- und Sperrkennlinie

Im Ersatzschaltbild erzeugt der Basis-Emitter Übergang des Transistors T2 einen Durchlasss-


pannungsabfall wie eine Diode (BE-Diode in Abb. 4-44). Dadurch ist der Spannungsabfall des
IGBT bei geringen Strombelastungen höher als der eines vergleichbaren MOSFETs. Bei klei-
nen Betriebsspannungen bis ca. 200 V wird daher der MOSFET bevorzugt. Wie bei allen bipo-
laren Bauelementen die mit einer schwach dotierten Schicht ausgestattet sind, tritt beim IGBT
mit zunehmender Strombelastung eine Ladungsträgerüberschwemmung im schwachdotierten
Mittelgebiet auf, d. h. die Leitfähigkeit des n-Gebietes steigt mit zunehmender Strombelastung,
wodurch der Durchlasswiderstand ron mit steigender Strombelastung sinkt (Leitfähigkeitsmo-
dulation). Abb. 4-45 zeigt, dass der IGBT mit zunehmendem Strom statisch einen geringeren
Spannungsabfall als der unipolare MOSFET aufweist. Die Sättigungsspannung beträgt bei ei-
nem 600 V IGBT typ. ca. 1,5 V, bei einem 1200 V IGBT ca. 2,5 V. Die Leitfähigkeitsmodula-
tion unterliegt durch Ladungsträger Zu- und Abfuhr einer Trägheit, so dass der IGBT (wie bei
der pin-Diode beschrieben) für die Spannung uCE bei hochdynamischen Stromänderungen ein
scheinbar induktives Verhalten zeigt.
60 4 Transistoren

40 Abbildung 4-45
IGBT MOSFET Vergleich der typischen
30 Durchlassspannung von MOSFET
Durchlassstrom in A

und IGBT

20 – IGBT: Sättigungsspannung

– MOSFET: ohmscher
10 Spannungsabfall

0
0 2 4 6 8 10
Durchlassspannung in V

4.4.3 Das Schaltverhalten


Das Schaltverhalten wird durch den MOSFET und den pnp-Transistor im Ersatzschaltbild
nach Abb. 4-46 bestimmt.

Der MOSFET T1 bestimmt das


Einschaltverhalten und damit die
Spannungssteilheit
beim Einschalten.
Der bipolare Transistor T2
T2 bestimmt das Ausschalt-
verhalten. Durch Rekombi-
nationsvorgänge bildet sich
ein Schweifstrom
(current tail) der die Aus-
Gate T1 schaltverluste erhöht.
uGE RB

Abbildung 4-46 Zum Schaltverhalten eines IGBT

4.4.3.1 Einschalten
Durch Anhebung der Gate Spannung uGE über die Threshold-Spannung UTh hinaus bildet sich
im MOSFET ein leitfähiger Elektronenkanal aus. Elektronen wandern von der Source-Elektro-
de in die ní-Schicht (Drift-Region), Löcher wandern von der p-Schicht ebenfalls in die Drift-
region. Das ní-Gebiet wird mit Ladungsträgern „überschwemmt“ wodurch sich eine hohe
Leitfähigkeit einstellt. Aufgrund dieses Leitungsmechanismus kann der eingeschaltete IGBT
wie ein Bipolartransistor betrachtet werden, dessen Basisstrom von einem MOSFET gesteuert
wird. Eine typische Schalteranwendung für eine Last mit eingeprägtem Strom Id und einer
Freilaufdiode DF zeigt Abb. 4-47. In diesem Schaltbild sind zusätzlich die Gate-Emitter Kapa-
4.4 Der IG-Bipolar Transistor (IGBT) 61

zität CGE und Gate-Kollektor Kapazität CGC dargestellt. Diese Elemente werden analog Gl. (4-
11) zu CISS zusammengefasst und ergeben mit RG die Zeitkonstante für den zeitlichen Ablauf
des Schaltvorganges in Abb. 4-48. Entsprechend der Spannungsabhängigkeit von CGC unter-
scheiden wir zwischen IJ1 = RG CISS (uCE § 0 ) und IJ2 = RG CISS (uCE >> 0 ) mit IJ1 > IJ2.

Abbildung 4-47
uDF DF L˂ Ein- und Ausschaltvorgang eines einge-
iDF prägten Stromes
K iC Id Zu Beginn der Betrachtung sei der
CGC Transistor ausgeschaltet und die Diode
uCE Ud leitend:
RG
iDF = Id, iC = 0 und uCE = Ud.
uG CGE uGE

Der Transistor in Abb. 4-47 sei zunächst ausgeschaltet (uGE = 0 V), der eingeprägte Gleich-
strom Id fließt über die Freilaufdiode DF. Am Transistor liegt die volle Betriebsspannung
(uCE = Ud). Zum Zeitpunkt t0 beginnt die idealisierte Betrachtung eines Einschaltvorganges.
t0: Zum Zeitpunkt t0 wird das Gate mit dem Spannungshub ʧUG (typisch: +15 V)
beaufschlagt. Die Spannung uGE steigt in Abb. 4-48 von 0 V an mit der Zeitkonstanten IJ1
(da sich uCE noch nicht ändert, bleibt CISS zunächst konstant).
t1: Sobald uGE die MOSFET Threshold-Spannung UTh erreicht (ca. 4–6 V), existiert ein leitfä-
higer Kanal und der Kollektorstrom iC steigt im weiteren Verlauf proportional zu uGE an.
Die Stromsteilheit von iC wird allein durch die Spannungssteilheit von uGE bestimmt. Die
Freilaufdiode leitet weiter, bis der Strom iDF an den Transistor T übergeben ist und legt bis
dahin das Potenzial des Knotens K auf Ud fest. Am Transistor liegt daher die Spannung
uCE = Ud. Die Folge sind hohe Einschaltverluste. Entlastend wirkt sich die Spannungsauftei-
lung mit der parasitären Induktivität L˂ des Stromkreises aus (siehe auch Abb. 4-28).
t2: iC erreicht sein Maximum, die Freilaufdiode entsprechend das Rückwärtsstrom-Maximum
ihres Reverse Recovery-Vorganges (IRM). Die Freilaufdiode kann nun Sperrspannung auf-
nehmen, wodurch uCE zusammenbricht. Die Änderung von uCE teilt sich direkt der Kapazi-
tät CGC mit, deren Wert sich sich nun mit fallender Spannung uCE vergrößert. Der einset-
zende Entladevorgang von CGC verzögert jetzt zusammen mit dem Kapazitätsanstieg von
CGC den weiteren Spannungsanstieg am Gate, so dass während des Durchschaltvorganges
gilt: uCE § UGS.
t3: Die Freilaufdiode DF ist stromlos, iC = Id.
t4: Der Transistor ist durchgeschaltet. Während die nun konstante Eingangskapazität CISS mit
der Zeitkonstanten IJ2 > IJ1 nachgeladen wird, sinkt uCE auf den Restwert UCE,on.
62 4 Transistoren

uG

Freilaufdiode DF leitet uGE


UGS ʧuG

UTh

Freilaufdiode nimmt Sperrspannung auf t

~Lı iC

iDF uCE
Ud Id

uCE,on
t2
t0 t1 iRM t3 t4 t

Abbildung 4-48 IGBT-Einschaltvorgang bei konstantem Gleichstrom (idealisiert)

4.4.3.2 Ausschalten
Auch der Abschaltvorgang ist in seinem zeitlichen Ablauf vom Gate-Ladezustand bestimmt.
Ausgehend vom eingeschalteten Transistor in Abb. 4-49 mit iC = Id und uGE = uG folgt ein
Ausschaltvorgang bei t = t0:
t0: Die Steuerspannung uG wird auf 0 V umgeschaltet, uGE fällt mit IJ2 ab.
t1: uGE erreicht UGS wodurch der IGBT im Sättigungsbereich arbeitet und uCE ansteigt.
t2: Bei eingeprägtem iC beginnt uCE zu steigen. Die Kapazität CGC verringert sich mit steigen-
der Spannung uCE. In diesem Zustand kompensiert sich der (äußere) Ladungsabfluss vom
Gate mit der durch den Kapazitätsabfall von CGC im Gate frei werdenden Ladung, so dass
uGE während des Anstiegs von uCE annähernd konstant bleibt (uGE § UGS).
t3: uCE erreicht die Betriebsspannung Ud wodurch die Freilaufdiode DF in Durchlassrichtung
gepolt wird (uDF > 0). Der Strom iC fällt nun proportional zu uGE (iDF steigt entsprechend
an). Als Folge der Änderung von iC kommt es an der parasitären Induktivität L˂ des Strom-
kreises zu einer Überspannung ʧuCE. Zwischen t3–t4 tritt durch L˂ somit eine erhöhte
Schaltverlustleistung auf.
t4: Der MOSFET hat zum Zeitpunkt t4 abgeschaltet. Über die Basis des Bipolartransistors kann
anschließend keine Ladung mehr abfließen und es beginnt die Schweifstromphase, in der
die noch gespeicherte Ladung allein durch Rekombination abgebaut wird. In der ní-Schicht
ist dieser Vorgang relativ langwierig (s. Abb. 4-46).
4.4 Der IG-Bipolar Transistor (IGBT) 63

Übergangsbereich
Kennlinien-
ohmscher Bereich Sättigungsbereich bereiche
uG
UGS
uGE
UTh

t
d iC
uCE ʧu CE = L
˂dt
Ud

iC
Id MOSFET-Schaltzeit durch uGE-
Steilheit bestimmt
Schweifstrom
(Rekombination)

t0 t1 t2 t3 t4 t
Abbildung 4-49 IGBT-Abschaltvorgang bei konstantem Gleichstrom Id (idealisiert)

Die Vierschichtstruktur des IGBT hat beim Ausschaltvorgang wegen der schwachen Dotierung
eine langsame Rekombination von Ladungsträgern in der nė-Schicht zur Folge. Dies führt zu
einem schweifförmigen Abklingen des Kollektorstromes. Verglichen mit einem MOSFET ist
der Ausschaltvorgang um ein Mehrfaches verlängert. Die Schaltverluste sind durch die verlän-
gerte Stromführung vergrößert, weshalb die Schaltfrequenz des IGBT im Vergleich zum
MOSFET abhängig von der Leistung relativ gering gewählt werden muss (siehe Kapitel
13.1.1). Abb. 4-50 zeigt zusammenfassend einen Schaltzyklus (TP: Periodendauer):

iC

Id iCM

Lı = 0
uCE
Lı = 0
Ud

t
TP

Abbildung 4-50 Schaltzyklus eines hart schaltenden IGBT mit eingeprägtem Strom Id
64 4 Transistoren

4.4.4 Sperr- und Blockierverhalten


Die maximale Spannungsbelastung eines pn-Überganges ist erreicht, wenn die Raumladungs-
zone die Randelektroden verbindet (Punch Through) oder wenn infolge eines Lawinendurch-
bruches die Sperrfähigkeit des pn-Überganges zusammenbricht (Avalanche-Durchbruch). Bei-
de Mechanismen treten bei unterschiedlichen Spannungen auf.

E G PT-IGBT Abbildung 4-51


Aufbau und Feldstärkeverlauf bei PT-
Ekrit und NPT-IGBT
n p
Der PT-Typ hat bei vergleichbarer
uCE nņ Schichtdicke und Feldstärkebelastung
n+ Buffer E
n eine höhere Spannungsfestigkeit als der
p NPT-Typ. Wählt man für beide Typen
die gleiche Spannungsfestigkeit, so hat
C der PT-Typ eine geringere Schichtdicke
und damit ein besseres Durchlass-
verhalten als der NPT-Typ.
E G NPT-IGBT Die Hersteller versuchen, mit jeder Neu-
entwicklung die Vorzüge beider
n p Ekrit Strukturen zu vereinen.

uCE
nņ E
p
C

Zur Vermeidung des Feldstärkedurchbruchs besitzt der IGBT wie alle anderen hochsperrenden
Bauelemente eine schwach dotierte Zone nė. Je breiter diese Zone ist, um so höher ist die zu-
lässige Sperrspannung, aber auch der Durchlasswiderstand ron. Mit dem Ziel, den Bahnwider-
stand der nė-Zone zu verringern, wird angestrebt, deren Breite zu minimieren. Um dennoch
vergleichbare hohe Sperrspannungen aufnehmen zu können, haben einige Hersteller eine hoch
dotierte Zwischenschicht, den n+-Bufferlayer eingefügt. Da die Feldstärke jetzt fast bis zum
Emitter durchgreifen kann, wird diese Struktur als Punch Through-IGBT bezeichnet. Ohne
diesen Bufferlayer muss die gesamte Feldstärke innerhalb der schwach dotierten Zone (Drift-
Zone) abgebaut werden. Sie darf nicht „durchgreifen“, folglich wird dieser Typ als Non Punch
Through-IGBT bezeichnet. Der NPT-IGBT hat wegen der dickeren nė-Schicht ein schlechte-
res Durchlassverhalten (typ. Sättigungsspannung 2,5 V) als der PT-IGBT. Abb. 4-51 zeigt den
Feldstärkeverlauf innerhalb der IGBT-Struktur. Die Schichtdicke kann beim PT-IGBT sehr
dünn ausgeführt werden, der Durchlasswiderstand ron ist deshalb relativ gering. Die hohe Do-
tierungsdichte des pn+-Überganges hat aber eine geringe Sperrspannungsfestigkeit zur Folge.
Wegen der zusätzlichen n+-Schicht entstehen ferner erhöhte Schaltverluste. Dadurch hat der
NPT-IGBT eine höhere Schaltgeschwindigkeit als PT-Typen. PT-IGBT werden vorzugsweise
bis zu Spannungen von 1200 V, NPT-IGBTs werden ab 1200 V eingesetzt. NPT-IGBT besit-
zen im Gegensatz zu PT-IGBT einen positiven Temperaturkoeffizienten wodurch sie leicht für
Parallelschaltungen einsetzbar sind. Bei einer Parallelschaltung sollte man aber nicht verges-
sen, dass die integrierten Freilaufdioden stets einen negativen Temperaturkoeffizienten haben.
4.4 Der IG-Bipolar Transistor (IGBT) 65

4.4.5 Neuere Entwicklungsrichtungen


Ziel der laufenden Weiterentwicklung von MOSFET und IGBT sind vor allem:
À Senkung des Durchlassspannungsabfalles und der Schaltverluste
À Verbesserung der Robustheit (Überstrom, Überspannungs-, Schaltfestigkeit)
À Integration von Überwachungs-, Schutz- und Treiberfunktionen
In letzter Zeit findet eine stürmische Entwicklung statt, die hauptsächlich aus der Optimierung
des horizontalen und vertikalen Zellendesigns sowie der Verfeinerung der Zellenstrukturen re-
sultiert. Jüngster Entwicklungsschritt ist eine das Trench-Gate nach Abb. 4-52.
Emitter
Abbildung 4-52
Gate
Querschnitt durch einen
n n n n nn n IGBT in Trench-
p
Technologie
n--
p

Collector

Hierbei wird die Gate-Elektrode nicht als Ebene (Planar-Gate), sondern als senkrechter Kanal
(Trench-Gate) ausgeführt, so dass sich beidseitig des Gatekanals vertikal n-leitende Kanäle
ausbilden. Abb. 4-53 zeigt das Ersatzschaltbild, bei dem der MOSFET (T1) vertikal arbeitet.
Der Vorteil dieser Struktur ist zum einen die kompaktere Bauform, zum anderen der vermin-
derte Durchlasswiderstand des IGBT. Nachteilig sind derzeit noch die etwa 3-fach vergrößerte
Gatekapazität und die verminderte Kurzschlussfestigkeit.
G (Gate) 100
E (Emitter)
A
p n iC Trench
80

Planar
60
T1
40

Isolation
n-- 20
T2
p 0
0 0,5 1,0 1,5 2,0 V 2,5
C (Kollektor) uCE

Abbildung 4-53 Ersatzschaltbild des Trench-IGBT und Gegenüberstellung der Durchlassspannungen

À IEGT
Eine weitere Optimierung der IGBT-Transistorstruktur, die als IEGT (Injection Enhancement
Gate Transistor) bezeichnet wird, weist durch eine optimierte Ladungsträgerverteilung (ähn-
lich wie beim GTO) einen weiter verminderte Durchlassspannung bei gleichzeitig hoher Span-
nungsfestigkeit auf. Die Abschaltverluste sind beim IEGT vergleichsweise geringer als beim
herkömmliche IGBT.
66 4 Transistoren

4.5 Treiberschaltungen
Schaltungen zur Ansteuerung eines Transistors werden als Treiberschaltung bezeichnet. Trei-
berschaltungen sind das Bindeglied zwischen der digitalen Welt und den Leistungsschaltern.
Zur Steuerung des Schaltzustandes eines IGBT bzw. MOSFET wird die Gatekapazität durch
die Treiberschaltung aufgeladen bzw. entladen. Dabei darf die Gate-Emitterspannung uGE den
+ 15 V C Abbildung 4-54
R Einfache IGBT-Treiberschaltung
iG IGBT Die Gateaufladung erfolgt über den Kollektor-
widerstand R, die Entladung über die CE-
T Strecke des Transistors T.
uGE
E
uSt

Wert von 20 V nicht überschreiten. Bei einer Steuerspannung von 15 V besteht ein genügender
Abstand. Eine einfache Treiberschaltung zeigt Abb. 4-54. Die Gatespannung uGE verläuft
beim Einschaltvorgang des IGBT durch die Gatekapazität CISS (Gl. (4-13)) und den Wider-
stand R exponentiell. In der Schaltung nach Abb. 4-54 darf R wegen der Strombelastung des
vorgeschalteten Ansteuertransistors T nicht zu klein gewählt werden, so dass sich eine ver-
gleichsweise große Zeitkonstante einstellt. Zur niederohmigen Ladung bzw. Entladung der Ga-
tekapazität des IGBT wird daher eine Gegentaktansteuerung nach Abb. 4-55 vorgesehen. RG
dient zur Begrenzung des Gatestromes iG. IGBT-Treiberschaltungen müssen abhängig vom

+ 15 V C Abbildung 4-55
Gegentaktansteuerung
T1 für einen IGBT
RG iG IGBT

T2 uGE E
uSt

eingesetzten IGBT (z. B. für Nennströme von 200 A bis 1200 A) bei einer Gatespannung von
15 V einen Spitzenwert îG von bis zu 15 A bereitstellen können. Die wirksame Gatekapazität
CIN wird für die Bemessung der Treiberschaltung zu 5 CISS festgelegt (CISS gilt in Datenblät-
tern nur bei uCE = 25 V). Die Kapazität CIN wird für die Berechnung vereinfachend als kon-
stant angenommen. Folgendes Berechnungsbeispiel für den Gatewiderstand RG bezieht sich
auf eine IGBT-Gegentaktansteuerung nach Abb. 4-56 mit den Daten:

UB UCE-sat UG UTh dU/dt CISS


1000 V 2V 0 / 15 V 3V 500 V/μs 4 nF
4.5 Treiberschaltungen 67

iCIN RL
+ 15 V
CIN
T1 uCIN
Treiber

RG iG IGBT
UB
RG iG
uSt
uGE
T2 uG 1

Abbildung 4-56 Berechnungsbeispiel für den Gatewiderstand RG

RG ist so zu bemessen, dass die gefor-


15
derte Steilheit von uCE erreicht wird.
uG Dazu muss der Ladestrom der Ersatz-
u/V iG
uGE kapazität CIN ermittelt werden:
i/A
d uC ė500 V
3 iC C IN 5ŏ 4 nF
dt 1 μs
0 iC ė10 A ė iG
t
Aus der Maschengleichung (1) lässt
ǻt sich dann RG ermitteln. Mit:
UB
uC-GC ėu G ʅ R G i G ʅ u GE 0
uG ė uGE
ǻu folgt: RG 1,2ʰ
iG
der Spitzenladestrom îC fließt kurzzei-
0 tig beim Anstieg von uG auf 15 V.
t
ʒi 15 V
G 12,5 A
Abbildung 4-57 Zur Bemessung von RG RG

Den Verlauf der elektrischen Größen dieser Schaltung zeigt Abb. 4-57. Für die Ermittlung der
Gate-Steuerleistung wird man zunächst die Gateladung ʧQ durch Messung des Gatestromes iG
und anschließender Integration nach Gl. (4-13) ermitteln.
ʧQ ĩ iG dt (4-13)
Mit der Gate-Spannungsänderung ǻuGE kann die Ersatzkapazität CIN bestimmt werden:
ʧQ
ʧQ C IN ŏʧ uGE bzw. C IN ʛC IN IJ 5ŏC ISSʜ (4-14)
ʧ uGE
CIN ist die beim Einschaltvorgang für den Gate-Treiber wirksame Eingangskapazität. Für die
Gate-Steuerenergie ǻW kann man daher nach Gl. (4-15) schreiben:
68 4 Transistoren

ʧW ʧ Qŏʧ uGE C INŏʧ u2GE (4-15)

Durch Multiplikation mit der Schaltfrequenz fS erhält man die Gate-Steuerleistung P.

P ʧ Wŏf S ʧ Qŏʧ uGE f S C INŏʧ u2GE f S (4-16)

Die Gate-Steuerleistung bestimmt zusammen mit dem Eigenverbrauch des Gate-Treibers die
Bemessungsleistung der Gate-Stromversorgung.

ȩ Verhalten des IGBT im Kurzschlussfall


Für den IGBT in Abb. 4-58 lassen sich zwei Kurzschlussarten unterscheiden:
a) Der IGBT schaltet auf einen bestehenden Kurzschluss.
Ź Die Stromsteilheit ist dann über den Gate-Ansteuerung begrenzt.
b) Der Kurzschluss ereignet sich während der IGBT bereits eingeschaltet ist.
Ź In diesem Fall wird die Stromsteilheit nur vom äußeren Stromkreis (UB, Lı) bestimmt.
Dies ist für den IGBT der härtere Fall.
Der Kurzschlussstrom wird durch die Entsättigung auf den 8 bis 10-fachen Nennstrom be-
grenzt. Dabei steigt uCE mit der Steilheit des Kollektorstromes an. Dieser Anstieg von uCE
führt über CGC zum Anstieg der Gate Spannung uGE. Zwar ist uGE im Allgemeinen über Z-Di-
oden auf 18 V begrenzt (siehe Abb. 4-60, Z1 und Z2), der Anstieg von uGE führt aber entspre-
chend der Ausgangskennlinie (ǻuGE = +3 V) zu einer typischen Überhöhung (ǻiK) des Kurz-
schlussstromes. Zur Vermeidung einer thermischen Überlastung muss der Kurzschluss inner-
halb 10 μs abgeschaltet sein (tK in Abb. 4-58). Die Überstrom-Erkennung erfolgt mit einer
Überwachungsschaltung für die Sättigungsspannung uCE-sat (Desaturation Protection) entspre-
chend Abb. 4-58. Überschreitet die gemessene Spannung uCE-sat im eingeschalteten Zustand
einen Grenzwert (z. B. 9 V), so erfolgt die Kurzschlussabschaltung.

iC a) + 15 V SK
ǻt
ǻiK Desaturation Protection RL

Stromsteilheit Lı
durch Gate- uCE-sat
iK
Stromkreis
bestimmt iC
CGC
t uCE
tK
Treiber

RG

iC UB
ǻt b)
ǻiK uG
uGE
Stromsteilheit
durch äußeren
iC,N Stromkreis
Abbildung 4-58 Zum Kurzschlussfall (SK: Kurzschließer)
bestimmt
a) Einschalten bei bestehendem Kurzschlusses
t b) Kurzschluss nach dem Einschalten
tK
4.5 Treiberschaltungen 69

4.5.1 Gateanschluss
Wegen der möglichen hohen Stromsteilheit des Kollektorstromes iC muss bei hohen Leistun-
gen der Einfluss der modulinternen Induktivitäten (in Abb. 4-59 mit LS bezeichnet) auf die Ga-
teansteuerung berücksichtigt werden. Die Maschengleichung Gl. (4-17) zeigt die Einkopplung
der induktiven Spannung uL in den Gatestromkreis bei Abb. 4-59a. Die Spannung uL kann zu
einer Beeinflussung des Gatestromes iG (und damit zu einem Anstieg der Schaltverluste) sowie
zu einer Gefährdung des Gateanschlusses durch eine ein gekoppelte Überspannung führen.

Zuleitungs-
induktivität
LS § 15 nH iC iC
C C

LS LS

iG RG G iG RG G

uGE uG uGE
uG uL M uL
M LS LS

E HE E

a) Gateansteuerung in Bezug auf den b) Gateansteuerung in Bezug auf einen


externen Emitteranschluss modulinternen Emitteranschluss HE

Abbildung 4-59 Zur Wahl der Steueranschlüsse

Gl. (4-17) zeigt die Einkopplung des Kollektorstromes iC über die induktive Spannung uL in
den Gatestromkreis in Abb. 4-59a.

M: ʬ u 0 ėuG ʅ i GŏRG ʅ uGE ʅ uL uGE uG ė R G iG ė u L

uGE ė uG ʅ uL d iC (4-17)
bzw. i G mit uL LS ŏ
RG dt

Wie Gl. (4-18) zeigt, bleibt in Abb. 4-59b durch den modulinternen Emitteranschluss (Hilfse-
mitter HE) der Gatestromkreis unbeeinflusst von der induktiven Spannung uL.

M: ʬ u 0 ėu Gʅ i GŏR Gʅ uGE uGE uG ė R G i G

uGE ė uG (4-18)
bzw. i G
RG
70 4 Transistoren

4.5.2 Ausführungsbeispiel einer Gate-Ansteuerung


Die Einschaltzeit sollte so kurz wie möglich sein, um die Einschaltverluste den Datenblattan-
gaben anzunähern. Der Ausschaltvorgang ist wegen der hohen di/dt-Werte und der unvermeid-
baren Verdrahtungs-Induktivitäten mit einer Schaltüberspannung verbunden. Abhängig von
der realen Schaltung und dem verwendetem IGBT muss das maximal zulässige di/dt für den
Abschaltvorgang über den Gatewiderstand RG-off eingestellt werden. Die Ansteuerung erfolgt
dann entsprechend Abb. 4-60 mit unterschiedlichen Schaltzeiten für den Ein- und Ausschalt-
vorgang. Diese Ansteuerart wird als unsymmetrisch bezeichnet. Im Fehlerfall (Kurzschluss)
steigt der Kollektorstrom auf ein Mehrfaches (8- bis 10-fach) des Bemessungsstromes an. Da
Zclamp

+15V
C
D
T1 RG-on
IGBT
G

Z1
T2 RG-off
E
Z2
Kurzschluss-
abschaltung
T3 RG-sc

í8V ... í15 V

Abbildung 4-60 Asymmetrische Ansteuerung mit zweistufiger Abschaltung und active clamp

die Ausschaltzeit nicht von der Stromhöhe abhängig ist, steigt di/dt – und damit die Abschalt-
überspannung – mit dem abzuschaltenden Strom an. Deshalb ist es erforderlich, einen Kurz-
schluss mit weiter reduzierter Stromsteilheit abzuschalten. Dafür wird in der Ansteuerschal-
tung ein zusätzlicher Eingang zur Kurzschlussabschaltung vorgesehen.
Über RG-sc wird die Kurzschluss-Abschaltzeit eingestellt. Erfolgt die Abschaltung über diesen
Eingang, so muss anschließend der Einschalteingang für mindestens 1 Sekunde gesperrt blei-
ben, um eine thermische Zerstörung zu vermeiden. Für die thermische Wechsellastfestigkeit
bedeutet eine Kurzschlussabschaltung eine Reduzierung der Lebensdauer (< 1000).
Damit der IGBT auch durch Schaltüberspannungen nicht zerstört werden kann, wird die CG-
Strecke mit einer Supressordiode Zclamp beschaltet. Zclamp hat eine Ansprechspannung unter-
halb der maximal zulässigen Spannung uCE,max. Überschreitet uCE diesen Ansprechwert, so
wird das Gate aufgeladen und der IGBT kurz durchgeschaltet. Dafür steigen aber die Schalt-
verluste proportional zu der in Lı gespeicherten Energie an. Die Zenerdioden Z1 und Z2 be-
grenzen die Gatespannung auf 18 V, [15, 18].
ȩ Die direkte Rückkopplung des Kollektorpotenzials auf das Gate über ein Element mit
Zener-Charakteristik (Zclamp in Abb. 4-60) wird als active clamping bezeichnet.
4.5 Treiberschaltungen 71

4.5.2.1 Ansteuerung eines Halbbrückenmoduls


In vielen Anwendungen wird die Halbbrückenschaltung nach Abb. 4-61 als Universalschalter
(Kap. 13.1) eingesetzt. Während die low-side Gate-Ansteuerung immer auf ein festes Potenzial
bezogen arbeitet, muss sich das Potenzial der high-side Gate-Spannungsversorgung frei bewe-
gen (floaten) können. Hierbei können Spannungssteilheiten von mehreren kV/μs auftreten.
Auf diesem floatenden Potenzial muss die high-side Ansteuerung eine Gatespannung erzeu-
gen, die um ca. 15 V höher ist als die Emitterspannung. Die Gate-Ladestromspitzen sind ab-
hängig von der Gate-Kapazität (und damit abhängig von der Stromtragfähigkeit) und können
bei einem IGBT bis zu 10 A und mehr betragen.

+15 V
+ Ud Halbbrücken-
schaltung
s+
high
side

RG T1 D1

s
CB

CGC out
High side driver
Active Miller Clamp
RG T4 D4 uCE

sí CGE low
Low side TC
driver R1 side
R2

Abbildung 4-61 Bootstrap-Stromversorgung

Zur Gate-Ansteuerung stehen unterschiedliche Verfahren bereit:


À potenzialfreie Stromversorgung für die Treiberschaltung,
À hochfrequentes Gate-Signal mit Impulsübertrager1,
À Bootstrap-Stromversorgung.
Bei einer „Bootstrap“-Stromversorgung nach Abb. 4-61, bei der ein Kondensator mit dem
Emitter fest verbunden ist, liefert der Bootstrap-Kondensator CB die erforderliche Gate-La-
dung auf Emitterpotenzial. Da der Kondensator CB nur dann geladen wird, wenn der low-side
Transistor durchschaltet, ist die Einschaltdauer des high-side Transistors begrenzt. Weitere
Einschränkungen entstehen durch induktive Lasten, so dass die Bootstrap-Stromversorgung
nicht für alle Betriebsarten geeignet ist. Zu beachten ist bei der Ansteuerschaltung die Kommu-
tierung des Stromes der unteren Diode D4 auf den Transistor T1. Der Potenzialsprung am Kol-

1 Glimmaussetzspannung der Isolation > 1,2 ŏ Ud,max


72 4 Transistoren

lektor von T4 beim sperren von D4 verursacht über die untere Kollektor-Gate-Kapazität CGC
einen Verschiebungsstrom, der die Gatekapazität CGE auflädt (siehe auch Kapitel 4.3.3). Zur
Vermeidung von Fehlfunktionen von T4 muss dessen Gate niederohmig angesteuert werden
und im ausgeschalteten Zustand eine negative Vorspannung aufweisen (uGE = í8..í15 V)
[18]. Der Gate-Anschluss kann auch durch einen spannungsgesteuerten Transistor kurzge-
schlossen werden (active miller clamping). Abb. 4-62 zeigt eine typische Ausführung einer
Ansteuerbaugruppe mit potenzialfreier Ansteuerung für ein Halbbrückenmodul. Die Verbin-
dungen zum IGBT-Halbbrückenmodul erfolgen hierbei durch Leitungen, können aber durch
direkte Montage auf dem Modul z. B. mit Federkontaktierung (vgl. Abb. 4-72) erfolgen.

Abbildung 4-62

Ausführungsbeispiel einer
potenzialtrennenden Gate-
Ansteuereinheit für ein
Halbbrückenmodul

Mit freundlicher Genehmi-


gung von SEMIKRON

4.5.2.2 Impulslogik
Im praktischen Einsatz muss verhindert werden, dass der obere und untere Schalter gleichzei-
tig eingeschaltet sind. Beim Umschalten wird daher zunächst der gerade leitende Transistor ab-
geschaltet und nach einer kurzen Pause (hier durch die Totzeit Tt beschrieben, typischer Wert
zwischen (0,5–5) μs) wird der andere Transistor eingeschaltet. Abb. 4-63 zeigt ein Ausfüh-

s
s s+
t

1 s+

t
Tt


t

Abbildung 4-63 Einfügen einer Totzeit Tt beim Umschalten


4.5 Treiberschaltungen 73

rungsbeispiel einer Schaltlogik für das Einfügen einer konstanten Totzeit Tt. Die Schaltfunkti-
on s wird hierbei in die beiden Schaltfunktionen s+ und sí umgewandelt.
Beim Wechsel der Schaltzustände sind Mindesteinschalt- und Mindestausschaltzeiten einzu-
halten. Abb. 4-64 zeigt ein Ausführungsbeispiel zur Sicherstellung einer Mindesteinschaltzeit
Tmin durch Impulsverlängerung. Die Schaltfunktion s wird dabei in die Schaltfunktion s* um-
gewandelt. Störimpulse dürfen jedoch nicht als Schaltimpuls „aufbereitet“ werden, so dass Im-
pulse, die eine Mindestimpulsbreite (< 0,5 μs) unterschreiten, sicherheitshalber unterdrückt
werden (Mindestimpulsdauer-Überwachung).

s D t

Q s* En
En
t
s*

t
Tmin

Abbildung 4-64 Einhalten der Mindesteinschaltzeit Tmin

Treiberschaltungen die auch eine Impulslogik und potenzialfreier Ansteuerung beinhalten, sind
als fertige Gate-Treiberschaltungen mit einer potenzialfreien Stromversorgung (wie z. B. in
Abb. 4-62 dargestellt) für viele Leistungsbereiche im Handel. Treiberschaltungen liefern je
nach Ausführung einen impulsförmigen Gatestrom mit Spitzenwerten bis über 50 A um auch
bei großen Gatekapazitäten (Parallelschaltung) eine schnelle Gateumladung sicherzustellen.

Vergleichskriterieren für Gateansteuerungen sind:

ȩSchaltfrequenz
ȩAusgangsleistung
ȩImpulsstromhöhe
ȩVerzögerungszeit
ȩKompatibität der Logikpegel
ȩIsolations- und du/dt-Festigkeit
ȩKurzschlussschutz
ȩFehlermeldungen
ȩStromversorgung
ȩBetriebsspannungsüberwachung
ȩEMV
ȩAnschlusstechnik
74 4 Transistoren

4.5.2.3 Ventilbelastung
Abbildung 4-65
T1 iT1 Halbbrückenschaltung (auch Brückenzweig oder
Ud
ʅ C+ Wechselrichterphase genannt)

Halbbrückenmodul
2 D1
iD1 Erläuterung der Transistor- und
Diodenbelastung bei sinusförmig eingeprägtem
Stromverlauf ( iU):
T4 iU > 0: Stromfluss über T1 oder D4
D4
iU < 0: Stromfluss über T4 oder D1
Ud
ė
2 Cí

iU
uU0
0 U

Die Strombelastung der Schalttransistoren und Freilaufdioden einer Halbbrückenschaltung


hängt von der Betriebsart des Wechselrichters und der Last ab. Nimmt man einen sinusförmig
eingeprägten Strom iU an und betrachtet man die Spannungsgrundschwingung uU0,1 so wie in
Abb. 4-66 dargestellt, so ist zu erkennen, dass unmittelbar nach dem Umsteuern der Transisto-
ren der Laststrom zwar vom Schalter T1 auf die Diode D4 kommutiert hat, aber in der alten
Richtung und Größe weiterfließt. Im Pulsbetrieb wechselt die Stromführung zwischen Transis-
tor und Freilaufdiode mit der Pulsfrequenz. Die Diodenbelastung steigt mit zunehmender Pha-
senverschiebung. Handelsübliche Transistor-Dioden-Module für Wechselrichteranwendungen
sind für einen cos ˍ > 0,6 bemessen. Die integrierten Freilaufdioden haben eine bis zu 50 %
geringere Strombelastbarkeit als die parallelen Transistoren. Für höhere Diodenströme, wie sie
z. B. in Pulsgleichrichtern auftreten können, muss daher häufig ein Modul mit einer höheren
Stromtragfähigkeit gewählt werden [18].

uU0 uU0,1 iU Freilaufdiode D4 ist stromführend

ˈt

ˍ
Abbildung 4-66 Belastung des Schalters T1 mit Diode D4 im Pulsbetrieb
4.6 Aufbau- und Verbindungstechnik 75

4.6 Aufbau- und Verbindungstechnik


4.6.1 Problematik
Der Betrieb eines Leistungsbauelements führt zu Verlusten. Diese Verluste berechnen sich
nach Kap. 4.1.3 für einen Transistor im Schalterbetrieb zu:
PV P Leitung ʅ P on ʅ P off dŏI C U CE ʅ f S W on ʅ f S W off (4-19)

Geht man beispielhaft von einer Anwendung aus, bei der ein IGBT bei einer Betriebsspannung
von Ud = 600V einen Strom von IC = 50A mit einer Frequenz fS = 5kHz bei einem Tastgrad
d = 0,5 schaltet, so erhält man bei einem Durchlass-Spannungsabfall (UCE,sat) von 2,4 V, einer
Einschaltverlust-Arbeit (Won) von 6,4 mWs und einer Ausschaltverlust-Arbeit (Woff) von
6,2 mWs eine Verlustleistung von PV = 124 W. Die gesteuerte Leistung beträgt in diesem Fall
30 kW. Für die Ermittlung des Wirkungsgrades Ș ist die parallele Freilaufdiode zusätzlich zu
berücksichtigen, dennoch bleibt es bei einer Größenordnung für Ș von ca. 98 %.
Allerdings sind die 124 W Verlustleistung aus einem IGBT-Chip der Fläche von ca. 1 cm² ab-
zuführen. Der Wärmefluss beträgt damit 124 W/cm² bzw. 1,24 MW/m². Bei voller Ausnutzung
des IGBTs z. B. mit Wasserkühlung kann der Wärmefluss noch 2–3 mal so groß werden. Was
dieser Wärmefluss bedeutet kann man der Übersicht nach Abb. 4-67 entnehmen [28].
108
Abbildung 4-67
Leistungshalbleiter Sonne
Chip
107 Wärmefluss
unterschiedlicher
Wärmequellen
Wärmefluss in W/m²

106
Herdplatte
Mondrakete
105

Logik Chip
104

Glühbirne (100 W)
103

Mensch
102
10 100 1000 10000
Temperatur in K

Der Wärmefluss in einem IGBT liegt somit um eine Zehnerpotenz über dem einer Herdplatte.
Die Aufbau und Verbindungstechnik von Leistungshalbleitern muss für dieses Bauelement
eine ausreichende Wärmeleitfähigkeit sichern um den inneren Temperaturanstieg zu begrenzen
(siehe Kapitel 6). Weitere Aufgaben der Aufbau und Verbindungstechnik sind die Sicherstel-
lung
ȩ einer hohen Zuverlässigkeit (Lastwechselfestigkeit)
ȩ einer hohen elektrischen Leitfähigkeit
ȩ einer hohen dieelektrischen Isolationsfestigkeit
76 4 Transistoren

4.6.2 Gehäuseformen
4.6.2.1 Diskrete Bauelemente
Im Bereich kleiner Leistungen sind diskrete Bauelemente vorherrschend. Diese Bauelemente
werden auf beschichtete Leiterplatten (Printed Circuit boards, PCBs) aufgelötet. Die Anforde-
rungen an die abzuführende Kühlleistung ist im allgemeinen gering. In den meisten Fällen
liegt keine innere Isolation vor. Am meisten verbreitet ist die TO-Familie (Abb. 4-68).

Abbildung 4-68

T0 220 Gehäuse
Der diskrete Aufbau, in dem im Allgemeinen nur ein einzelner
Leistungsschalter integriert ist, muss folgenden Funktionen
genügen:

ȩ Zuführung von Laststrom + Steuersignalen


ȩ Abführung der Wärme
ȩ Kapselung des Halbleiters gegen Umgebungseinflüsse

Ebenfalls diskret aufgebaut sind die Scheibenzellen, sie kommen im Leistungsbereich der von
Modulen noch nicht erreicht wird zum Einsatz. Scheibenzellen verfügen über keine innere Iso-
lation und ermöglichen eine beidseitige Wärmeabfuhr. Im Höchstleistungsbereich wird ein
(Thyristor- oder Dioden-) Chip aus einem Wafer gefertigt, der Chip ist rund und die Scheiben-
zelle die geeignete Bauform. Abb. 4-69 zeigt als Beispiel im Schnittbild den Aufbau sowie die
Gehäuseansicht einer Thyristor-Scheibenzelle.

Silizium Bauelement Kathoden- verschweissbare


Druckstück Verschlussbleche Abbildung 4-69

Scheibenzelle

Schnittbild: Aufbau eines


Scheibenthyristors

Molybdän- Anoden- Keramik-


Scheiben Druckstück Gehäuse

Kathoden-
Druckstück

Beispiel:
Gate Thyristor SKT 2400
(1600 V / 2400 A)
Semikron
4.6 Aufbau- und Verbindungstechnik 77

Zur Homogenisierung des Drucks und zur besseren Anpassung der thermischen Ausdehnungs-
koeffizienten ist das Silizium-Bauelement in Abb. 4-69 (Schnittbild) zwischen zwei Molyb-
dän-Scheiben eingelegt. Aus Gründen der Übersichtlichkeit wurden Zentriereinrichtungen so-
wie die Gate-Kontaktierung, die durch eine Aussparung im Kathoden-Druckstück über eine
Feder in die Mitte des Bauelements geführt wird, nicht dargestellt. Erst nach Verschweißen der
beiden Verschlussbleche ist das Gehäuse hermetisch dicht verschlossen. Der elektrische und
thermische Kontakt zur Anode und Kathode ist erst hergestellt, wenn das Gehäuse einem defi-
nierten Druck ausgesetzt wird (ca. 10–20 N/mm2 ). Vergleichbare Lösungen stehen auch als
Scheiben-IGBTs, die als „Press Pack-IGBTs“ bezeichnet werden, zur Verfügung. Bei den
Press Pack-IGBTs besteht eine Schwierigkeit darin, das IGBTs nicht in der Größe wie bei
Thyristoren üblich gefertigt werden können (vgl. Kapitel 4.3.1). So müssen in der Scheibenzel-
le mehrere (bis zu 42) IGBT-Chips über Federkontakte parallel geschaltet werden. Press Pack
IGBTs haben daher einen komplizierteren mechanischen Aufbau als Scheibenthyristoren.

4.6.2.2 IGBT-Leistungsmodule
Leistungsmodule enthalten in einem Gehäuse auf einer gemeinsamen (2–3 mm dicken) Cu-Bo-
denfläche mehrere, von der Montagefläche (Kühlkörper) elektrisch isolierte Leistungshalblei-
ter. Dies können MOSFET-, IGBT- oder Dioden-Chips sein. Diese Chips sind im Allgemeinen
rückseitig auf die metallisierte Oberfläche eines Isoliersubstrates gelötet. Die aufgelöteten
Chips werden mit den strukturierten Bereichen durch dünne Al-Bonddrähte verbunden (gebon-
det). Als Ausführungs-Beispiel zeigen die Abb. 4-70 und 4-71 den Aufbau eines Halbbrücken-
moduls. Halbrückenmodule werden für Leistungen ab ca. 15 kW eingesetzt und sind Grund-
bausteine für Chopper- und Wechselrichterschaltungen wie sie in den folgenden Kapiteln be-
handelt werden.

1 Abbildung 4-70
2
3 IGBT-Halbbrückenmodul
HE1 SEMITRANS® 3
G1 in offener Darstellung
Durch die offene Gehäuse
Darstellung ist der typische
Aufbau eines IGBT-Mo-
duls zu erkennen.
Die internen Verbindungen
G2
Diode erfolgen über Al-Bond-
drähte. Die Chips sind von
HE2
Bonddrähte der Bodenplatte elektrisch
isoliert.
IGBT

Mit freundlicher Genehmi-


gung von SEMIKRON
78 4 Transistoren

C1 E2 C2/E1 Abbildung 4-71


3 2 1 IGBT-Halbbrückenmodul
Schaltung und Anschlussbezeichnungen

G1 HE1 HE2 G2

Im unteren Leistungsbereich (bis ca. 2 kW) werden zunehmend so genannte „Intelligent Power
Module“ (IPM) eingesetzt. Darin sind vollständige Wechselrichterschaltungen mit integrierten
Schutz- und Gate-Ansteuerbaugruppen zusammengefasst. Im mittleren Leistungsbereich (2
kW bis ca. 15 kW) setzten sich zunehmend „Converter-Inverter-Brake“ (CIB) -Module durch.
In diesen Modulen sind alle Leistungsschalter eines Umrichters vereint. Die Gate-Ansteuerung
erfolgt im Allgemeinen extern. In dieser Leistungsklasse lassen sich auch vorteilhaft Modul-
Ausführungen mit Feder-Druckkontakten sowohl für die Leistungsanschlüsse als auch für die
Ansteuerung realisieren. Ein Beispiel („MiniSKiiP“-IPM der Firma Semikron mit integrierter
Gate-Ansteuerschaltung) ist in Abb. 4-72 dargestellt. Derartige Module bieten eine äußerst fle-
xible Aufbau- und Verbindungstechnik. Der Kontaktdruck wird durch eine zentrale Monta-
geschraube sichergestellt und bietet die Sicherheit einer normalen Schraubverbindung [18].

Abbildung 4-72

IGBT-Leistungsmodul (IPM) MiniSKiiP® mit


Druckkontakten
ȩ Hohe Wechsellastfestigkeit
ȩ Integrierte Treiberschaltung
ȩ Kontaktbelastbarkeit bis zu 20 A
(Parallelschaltung möglich)
ȩ Minimale interne Verdrahtung durch frei
positionierbare Federkontakte.

Mit freundlicher Genehmigung von SEMIKRON

4.6.3 Eigenschaften von Leistungsmodulen


4.6.3.1 Lastwechselfestigkeit
Aus Lastwechseln mit Frequenzen unter etwa 3 Hz und vor allem bei intermittierendem Be-
trieb, wie er z. B. in Traktions-, Aufzugs-, Windenergie- und Impulsanwendungen vorherrscht,
resultiert eine Temperaturwechselbelastung der modulinternen Verbindungen, d. h. der

À Bondverbindungen,
À Rückseitenlötung der Chips,
À Lötung DCB/Bodenplatte,
À Substratlaminierung.
4.6 Aufbau- und Verbindungstechnik 79

Die thermische Belastung kann mit dem Wärmefluss beschrieben werden. Ein Beispiel für den
Wärmefluss über die modulinternen Verbindungen zeigt Abb. 4-73.

IGBT
Diode Bond-Draht
Kupfer
Lötzinn
Keramik
Lötzinn
Grundplatte CCK
Wärmeleitpaste Parasitäre
Kapazität
Kühlkörper

Wärmefluss

Abbildung 4-73 Schnittbild durch die modulinternen Verbindungen

Die unterschiedlichen Längenausdehnungskoeffizienten der einzelnen Schichten verursachen


thermische Verspannungen während der Fertigung und dem Betrieb, die letztlich zu Material-
ermüdung und Verschleiß führen. Die Lebensdauer ist über die Anzahl der über den Lastwech-
sel hervorgerufenen Temperaturzyklen entsprechend Abb. 4-74b definiert und fällt nach Abb.
4-74a mit steigender Amplitude der Chiptemperaturschwankungen ʧǑ. Bei Fahrzeugen im
Nahverkehr (z. B. U-Bahnen) treten während der Fahrzeug-Einsatzzeit 106 bis 107 Lastwechsel
im Temperaturbereich 15 K < ǻǑ < 40 K auf. Speziell für Traktionsanwendungen mussten
deshalb „traktionsfeste IGBT“ entwickelt werden, bei denen durch Optimierung der verwende-
ten Materialien (gleiche Wärmeausdehnung) in Verbindung mit angepassten Leistungsmerk-
malen (Spannungs- und Strombeanspruchung) eine ausreichende Zyklenfestigkeit erreicht
wurde. Die weitere Verbesserung der Lastwechselfestigkeit von IGBTs z. B für den Einsatz
bei regenerativen Energiequellen, insbesondere bei Wind-Generatoren ist Gegenstand vieler
aktueller Entwicklungsarbeiten.

a) b)
10 6

ˊ Temperaturzyklus
105
ˊmax
104
Zyklen

ʧˊ
103
ˊmin
102

101
0 25 50 100 150 t
ʧϑ / Κ

Abbildung 4-74 Temperaturzyklus


Die Lebensdauer eines IGBT ist über die Anzahl der lastbedingten Temperaturzyklen definiert.
a) Typischer Lebensdauerverlauf eines IGBT bei intermittierendem Betrieb
b) Temperaturverlauf bei intermittierendem Betrieb und konstanter Temperatur des Kühlmediums
80 4 Transistoren

4.6.3.2 Verhalten bei Moduldefekt


Der Ausfall eines gebondeten IGBTs hat im Allgemeinen ein Durchschmelzen der Bonddrähte
zur Folge. Die internen Anschlüsse sind dann offen, der Stromkreis unterbrochen. Beim
Durchschmelzen der Bonddrähte entsteht durch den Lichtbogens ein Überdruck im Gehäuse
der ungefährlich abgebaut werden muss, z. B. durch Sollbruchstellen. Das Öffnen der Kontak-
te im Fehlerfall ist bei einer Transistor-Reihenschaltung häufig unerwünscht. Nicht nur für
HGÜ-Anwendungen werden daher zur Vermeidung der Bonddrähte IGBTs in Scheibenbau-
weise eingesetzt, wie sie auch bei anderen Leistungsbauelementen (Thyristoren, Dioden) üb-
lich sind. Die Kontaktierung erfolgt bei dieser Bauform über Druckkontakte, die im Fehlerfall
einen Kurzschluss des defekten IGBTs sicherstellen. Siehe auch [7, 18, 28].

4.6.3.3 Parasitäre Induktivitäten

C1
Lp Abbildung 4-75

Lp Halbbrückenmodul mit parasitären Induktivitäten Lp


G1

HE1 Die modulinternen Induktivitäten summieren sich


Lp
E1C2 auf bis zu 50 nH für ein Halbbrückenmodul. Daraus
Lp resultieren Schaltüberspannungen die den zulässigen
Abschaltstrom begrenzen.
Lp
G2 Pauschal: 10 mm Draht entsprechen 10 nH
HE2 Lp
E2

Abb. 4-75 zeigt am Beispiel eines Halbrückenmoduls die wichtigsten modulinternen, parasitär-
en Induktivitäten Lp. Sie sind unvermeidlich und eine Folge modulinterner Verbindungen (Nä-
herungsweise kann man pro cm Leitung von einer Induktivität von 10 nH ausgehen). Bei ho-
hen Stromsteilheiten erzeugen diese Induktivitäten hohe Überspannungen und begrenzen somit
die nutzbare Abschaltleistung des IGBTs. Eine weitere Folge der internen Induktivitäten macht
sich bei einer internen Parallelschaltung von Chips bemerkbar durch
ȩ unsymmetrische dynamische Stromaufteilung und
ȩ Schwingneigung.

4.6.3.4 EMV-Verhalten
Ein spezielles Problem entsteht durch die Kapazität Chip-Kühlkörper CCK (siehe Abb. 4-73).
Hohe Spannungssteilheiten beim Schalten von MOSFETs oder IGBTs führen dadurch zu Ver-
schiebungsströmen über den im Allgemeinen geerdeten Kühlkörper. Die Folge ist ein asymme-
trischer Störstrom (vgl. Kapitel 17.2), der als Erdstrom zum Ansprechen von Netzüberwa-
chungsgeräten führen kann. Die Einhaltung eines oberen Grenzwertes für diesen Erdstrom von
ca. 1 % des Ausgangsstromes wird zukünftig daher zwingend (EN 50178). Stellgrößen sind
die Substratkapazität (Isoliersubstrat), die zulässige Schaltgeschwindigkeit und die Betriebss-
pannung. Darüber hinaus muss auch die modulinterne Verdrahtung emv-gerecht ausgeführt
sein, so das Fehlfunktionen durch äußere Streufelder oder transformatorische Einkopplungen
ausgeschlossen sind.
81

5 Thyristoren

Thyristoren sind einschaltbare Bauelemente mit dem Haupteinsatzgebiet für Netzanwendun-


gen. Derzeit existieren noch eine Vielzahl von Thyristorvarianten als so genannte schnelle
Thyristoren in der Umrichtertechnik mit den Ablegern „asymmetrischer Thyristor (ASCR) und
den „Gate-abschaltunterstützten Thyristor“ (GATT). Für Neuanwendungen spielen diese Bau-
teile keine Rolle mehr. Auch in seinem klassischen Einsatzgebiet der Gleichstrom-
antriebstechnik verzeichnet der Thyristor einen stetigen Bedarfsrückgang. Die Gleichstroman-
triebstechnik wird zunehmend durch die Drehstromantriebstechnik abgelöst. Dort kommen
aber abschaltbare Leistungsbauelemente zum Einsatz. Für die klassischen Einsatzgebiete mit
Anschlussspannungen bis 660 V und den Sperrspannungsbereichen bis 1800 V werden deshalb
keine Entwicklungen mehr betrieben. Im Gegensatz dazu wird die Entwicklung im Höchstleis-
tungsbereich weiter vorangetrieben. Neben lichtzündbaren Thyristoren mit integrierter BO-
D-Notzündung ist die Entwicklung von Höchstleistungsthyristoren mit Sperrspannungen bis 10
kV absehbar. Typische Anwendungen hierfür sind HGÜ-Anlagen, Netzkupplungen, Ersatz für
mechanische Mittelspannungsschalter und Sanftanlaufschaltungen für Drehstrommotoren so-
wie Stromrichtermotoren für höchste Leistungen.

5.1 Aufbau und Wirkungsweise


Anode A
iA
A A
A
p p
n n n
uAK
G p p G p G
Gate
n n K
G
Thyristor
iG K K Symbol
iE

Kathode K
Abbildung 5-1 Transistormodell eines Thyristor, Struktur und Symbol

Beim Anlegen einer positiven Ventilspannung uAK an das Transistormodell nach Abb. 5-1
fließt bei offenem Basisanschluss in beiden Transistoren ein geringer Kollektorstrom. Auf-
grund der Verschaltung beider Transistoren stellt sich dadurch in den Transistoren ein Basiss-
trom IB ein. Dieser Basisstrom hat durch die Stromverstärkung B einen Anstieg des Kollektor-
stromes zur Folge (Mitkopplungseffekt). Die Stromverstärkung B der Transistoren ändert sich
mit dem Kollektorstrom. Solange die Gesamt-Stromverstärkung dieser Schaltung, die durch
82 5 Thyristoren

das Produkt der Stromverstärkungen B1·B2 gegeben ist (s. Darlington-Transistor), unter 1 lie-
gen, führt dieser Effekt nur zu einem erhöhtem Kollektorstrom. Wenn die Gesamt-Stromver-
stärkung durch den Anstieg des Kollektorstromes aber größer als 1 wird, steigt der Kollektor-
strom auch ohne äußere Spannungserhöhung weiter an und der Thyristor kippt in den Leitzu-
stand. Die Spannung, bei der dieses Kippen in den Leitzustand bei offenem Basisanschluss er-
folgt, wird Nullkippspannung UB0 genannt. Betriebsmäßig wird der Thyristor über einen Gate-
stromimpuls eingeschaltet. Ein ausreichender Gatestrom kann im Blockierzustand den Mit-
kopplungseffekt im Thyristor einleiten.
Die Entwicklung des Thyristors für große Schaltleistungen in Scheibenbauweise zeigt Abb. 5-
2. Zur Entwicklung eines Scheibenthyristors wird die Gateelektrode G zunächst nach oben ver-
legt (Abb. 5-2b). Die Kathode wird ringförmig um den Gateanschluss gelegt und man erhält
die Scheibenbauform nach Abb. 5-2c. Den typischen Aufbau eines Thyristors in Scheibenbau-
weise (siehe auch Kapitel 4.6) zeigt Abb. 5-3.

K G
G K G K
n+ n+ n+ n+
p p
p

n- n- n-

p p p

a) A b) A c) A
Abbildung 5-2 Entwicklung des Scheibenthyristors
Durch die scheibenförmige Bauweise ist eine doppelseitige Abführung der
Verlustleistung gewährleistet. Die Anschlüsse erfolgen über Druckkontakte.

Kathode
Gate

Abbildung 5-3 Thyristor in Scheibenbauweise


(eupec) und Draufsicht auf einen Siliziumchip
5.3 Das Einschaltverhalten 83

5.2 Kennlinie
Das elektrische Verhalten eines Thyristors in Durchlass- und Sperrrichtung wird durch Kennli-
nien nach Abb. 5-4 dargestellt. Die Durchlassrichtung wird durch die Blockier- bzw. Durch-
lasskennlinie (Kennlinien uD–iD bzw. uT–iT)) beschrieben. Ist die Nullkippspannung UB0
gleich der Sperrspannung UBR, so wird der Thyristor symmetrisch genannt, ist UB0 größer als
UBR, so handelt es sich um einen asymmetrischen Thyristor.

iT 100
A
10 Durchlasskennlinie
(uT-iT, on-state)

1 uT

2 4 V
100
(reverse mA Blockierkennlinie (uD-iD, off-state)
breakdown) iD
50 Einraststrom (latching current)
UBR Haltestrom
(holding current)
uR uD
UB0
50
iR
Sperrkennlinie mA (forward
(uR-iR) breakover
voltage)

Abbildung 5-4 Kennlinie eines symmetrischen Thyristor für iG = 0

5.3 Das Einschaltverhalten


Das Einschalten eines Thyristors ist nur aus dem Blockierzustand (uAK > 0) heraus möglich.
Der Einschaltvorgang kann durch unterschiedliche Mechanismen ausgelöst werden.

5.3.1 Überschreiten der zulässigen Blockierspannung


Die Ausbreitung der Raumladungszone des mittleren pn-Überganges (Abb. 5-5) führt bei
zunehmender Blockierspannung zu einem Anstieg der Stromverstärkung (Early-Effekt). Über-
schreitet die Stromverstärkung den Wert eins, so zündet der Thyristor selbsttätig. Dieser Ein-
schaltvorgang ist verboten, da durch mögliche hohe Stromdichten das Bauteil gefährdet wird.
84 5 Thyristoren

5.3.2 Überschreiten der zulässigen Spannungssteilheit


Ein blockierender Thyristor zeigt ein kapazitives Verhalten. Wird er mit steilflankigen Span-
nungen belastet, so fließt ein Verschiebungsstrom im Thyristor wie bei einem Kondensator CS.
Der Verschiebungsstrom wirkt in Blockierrichtung wie ein Gatestrom und kann zu einem un-
gewollten Einschalten des Thyristors in Abb. 5-5 führen.

A uAK uAK
iAK d u AK
p iAK i AK CS
dt
ʧuAK
n CS
uAK
G
p ʒi t
AK
n
K
ʧt
Abbildung 5-5 Kapazitiver Strom im blockierten Thyristor (CS sei konstant)
Grenzwerte: max. Spannungssteilheit bei offenem Gatekreis: 500 V/μs, bei RC-Gateabschluss
darf die Spannungssteilheit bis zu 1000 V/μs betragen.

5.3.3 Gatestromzündung
Zunächst muss in Abb. 5-6 der Gatestrom iG Ladungs-
träger in das Gebiet des kathodenseitigen pn-Übergan- A iAK
ges transportieren und dieser muss auf den mittleren p R
pn-Übergang, welcher in Sperrrichtung beansprucht
wird, zurückwirken. Die hierfür benötigte Zeit wird n
Zündverzugszeit tgd (1–2 μs) genannt. Die Zündver- iG G uD
zugszeit wird, wie in Abb. 5-7 angegeben, aus dem Ab- p
fall der Ventilspannung auf 90 % ermittelt. Der Durch- uGK uDM
n
schaltvorgang setzt nach Ablauf der Zündverzugszeit
tgd in einem engen Bereich nahe der Gate-Elektrode K
ein. Er ist gekennzeichnet durch ein Zusammenbrechen Abbildung 5-6 Gatestromzündung
der Ventilspannung von 90 % auf 10 %. Diese Zeit-
spanne ist definiert als Durchschaltzeit tgr (1–2 μs). Die Fläche ist nach Ablauf der Durch-
schaltzeit nur in unmittelbarer Umgebung der Gateelektroden leitend, entferntere Gebiete blo-
ckieren noch (Abb. 5-8). Die Leitfähigkeit breitet sich mit einer Ausbreitungsgeschwindigkeit
von ca. 0,1 mm/μs im Kristall aus. Diese Zeitspanne wird Zündausbreitungszeit tgs (Ĺ 100
μs) genannt. Damit während der Zündausbreitungszeit die zulässige Stromdichte nicht über-
schritten wird, muss die Stromsteilheit beim Einschaltvorgang begrenzt sein. Hat iAK den Ein-
raststrom IE erreicht, dann bleibt der Thyristor auch ohne Steuerstrom leitend und der Gate-
strom kann abgeschaltet werden. Wegen der Temperaturabhängigkeit von iG muss die Strom-
versorgung dem erhöhten Gate-Strombedarf bei niedrigen Temperaturen angepasst sein.
5.3 Das Einschaltverhalten 85

uD
u DM tgd tgr tgs
100%
90% iT
uD

10%

tgt t

iG real
100 %

10 % Impulsbeginn idealisiert

t
Abbildung 5-7 Einschaltvorgang, Strom- und Spannungsverhältnisse

Bereits leitendes Gebiet

Kathode Ausbreitung des Leitzu-


standes mit ca. 0,1 mm / μs

Gate
(noch) blockierendes Gebiet

Abbildung 5-8 Silizium-Tablette unmittelbar nach der Durchschaltezeit tgr (Draufsicht)

Um die Steilheit des Ventilstromes beim Durchschaltvorgang zu begrenzen, wird eine sättig-
bare Drossel, die als Stufen- bzw. Schaltdrossel bezeichnet wird, eingesetzt. Diese Schalt-
drossel wird durch einen oder mehrere Ferritkerne realisiert, die über die Thyristorzuleitung
geschoben werden. Aufgrund der Ummagnetisierungsverluste erzeugen diese Kerne eine
Verlustleistung die zusätzlich abgeführt werden muss.
Der Haltestrom IH ist der Durchlassstrom, der mindestens fließen muss um die innere Mit
kopplung des Thyristors aufrecht zu erhalten (typisch: IH < 400 mA).

Gatestromimpuls und Eingangskennlinienfeld:


Das p-leitende Gebiet mit dem Gateanschluss und das n-leitende Gebiet der Kathode bilden
einen pn-Übergang. Die Durchlasskennlinie des pn-Überganges bildet die Gate-Eingangskenn-
linie nach Abb. 5-9. Diese Durchlasskennlinie streut verhältnismäßig stark und ist temperatur-
abhängig. Innerhalb eines Streubandes der Eingangskennlinien von Thyristoren gibt es nach
DIN 41787 drei zu unterscheidende Bereiche:
86 5 Thyristoren

PG,max Anfangssteilheit
Bereich iG diG / dt
iG sicherer
Zündung 90 %
îG
min. max.
tr ĺ 1 μs
ʒi ʆ 10 A ʛ 2...5ʜ A
G
unsichere tpk ʛ 5 ... 20 ʜ μs
keine Zündung
Zündung 10 %

uG t
tpk
tpl

Abbildung 5-9 Eingangskennlinie und Gate-Zündimpuls

Zum sicheren Einschalten des Thyristors sind bestimmte Mindestwerte für die Steuergrößen
Gatespannung uG und Gatestrom i G erforderlich. Nach oben hin sind die Werte für uG und
iG durch die max. zulässige Gate-Steuerleistung PG,max begrenzt (Verlust-Hyperbel). Für ein
sicheres und schnelles Einschalten wird ein hoher Stromimpuls von max. 10 A verwendet. Eine
hohe Steuerstromamplitude beschleunigt den Zündvorgang durch geringere Zündverzugszeit
tgd. Eine große Stromsteilheit diG/dt zu Beginn des Steuerstromes (Anfangssteilheit > 1 A/μs)
verringert die Einschaltverluste. In Verbindung mit der Zündimpulsdauer, die so groß sein
muss, dass der Thyristor seinen Einraststrom IE erreicht, folgen daraus spezielle Anforderun-
gen an die Zündelektronik. Die grundsätzliche Ansteuerungsart eines Thyristors zeigt Abb. 5-
10. Der Schalter S wird im Allgemeinen als Bipolar-Transistor ausgeführt. Die Betriebsspan-
nung U0 beträgt z. B. 15 V. In Lı ist die Induktivität des Thyristor-Strompfades zusammenge-
fasst.

Induktivität des
Impulsübertrager Stromkreises L˂
Impulsformung
Gate-Schutzdiode
iGK
C
RB
S
ZD DG
U0 R T RG uGK
DF CG CB

Freilaufkreis mit du/dt-Beschaltung TSE-Beschaltung


Entmagnetisierungs
Z-Diode
Abbildung 5-10 Ansteuerschaltung für einen Thyristor
5.4 Ausschalten 87

5.4 Ausschalten
Zum Ausschalten muss der Thyristorstrom kurzzeitig den Haltestrom iH unterschreiten, damit
der Mitkopplungseffekt aussetzt. Bei einer Wechselstromanwendung nach Abb. 5-11 wird IH
automatisch mit jeder Halbschwingung unterschritten (Netzführung), bei einer Gleichstroman-
wendung nach Abb. 5-12 ist wegen der fehlenden Stromnulldurchgänge eine Löscheinrichtung
erforderlich (Zwangslöschung).

5.4.1 Netzgeführter Betrieb


Im Abstand ʱ vom natürlichen Nulldurchgang der Netzspannung uN wird ein Gatestromimpuls
vom Steuergenerator ausgelöst. Der Thyristor schaltet ein. Bis zum natürlichen Spannungsnull-
durchgang leitet der Thyristor weiter. Wird der Haltestrom unterschritten, so schaltet der Thy-
ristor ab. Weil in der Schaltung nach Abb. 5-11 die Netzspannung uN den Abschaltvorgang
auslöst, wird die Schaltung als netzgeführt bezeichnet.

uN
„natürlicher“
iN Strom-
ʱ
nulldurchgang
iN

UN R
ˈt
ʱ
USt
ˀ

Abbildung 5-11 Thyristoranwendung bei Wechselstrom (netzgeführte Schaltung)

5.4.2 Selbstgeführter Betrieb


Zum Zeitpunkt t1 wird in Abb. 5-12 der Thyristor über einen Gatestromimpuls eingeschaltet.
Der Thyristor leitet solange, bis zum Zeitpunkt t2 durch kurzzeitiges Schließen des Schalters S
der Thyristorstrom durch die Hilfsspannung UH den Haltestrom unterschreitet und ausschaltet.
UH
S

t2
U0

iR „erzwungener“
t1 iR Strom-
R Nulldurchgang
U0

t1 t2 t

Abbildung 5-12 Thyristoranwendung bei Gleichstrom (selbstgeführte Schaltung)


88 5 Thyristoren

UH muss so gepolt sein, dass sich im Thyristor ein Kurzschlussstrom in Sperrrichtung aufbau-
en will. Der Schalter S muss solange geschlossen bleiben, bis der Thyristor seine Blockierfä-
higkeit wiedererlangt hat. Um den Ausschaltvorgang genauer zu beschreiben wird eine Ersatz-
schaltung nach Abb. 5-13 gewählt. Der Thyristor führt zunächst einen konstanten Strom Id.

iL t > t1, iT < 0


K S t0 iT d iT
Id iT
d iL A
Id
ʆ0
uL L ˂ŏ L˂ dt
dt p
uT n t2 t3
uT uL ė U K IJ 0 p G t0 t1 t
UK n
iT I dėi L K

Abbildung 5-13 Abschaltvorgang eines Thyristors, t ĺ t0

Zum Zeitpunkt t0 wird der Schalter S geschlossen. Die Hilfsspannung UK baut den Strom iL
auf, wodurch der Thyristorstrom iT abnimmt, d. h. die Stromsteilheit diT/d t ist in diesem Ab-
schnitt kleiner Null. Nach dem Stromnulldurchgang bei t1 bleibt der Thyristor solange weiter
leitend bis alle Ladungsträger aus dem Kristall abgeflossen bzw. rekombiniert sind. Es fließt
daher auch ein Strom in Rückwärtsrichtung iR (Abb. 5-15 (2)) wodurch der mittlere pn-Über-
gang (J in Abb. 5-14) in Durchlassrichtung betrieben wird. (Dieser mittlere Übergang ist die
Ursache der Freiwerdezeit tq.) In Rückwärtsrichtung hat der Thyristor zunächst zwei pn-Über-
gänge in Sperrrichtung stromführend. Der erste pn-Übergang hat zum Zeitpunkt t2 seine Sperr-
fähigkeit wiedererlangt und kann eine geringe Sperrspannung (ca. 20 V) aufnehmen. Hierdurch
reduziert sich zunächst die treibende Spannung und die Stromsteilheit di/d t ist deutlich gerin-
ger (Abb. 5-15 (3)). Zum Zeitpunkt t3 sperrt in Abb. 5-14 auch der zweite pn-Übergang. Der
Thyristorstrom iT hat zu diesem Zeitpunkt seinen Maximalwert iRM erreicht (Abb. 5-15 (4)).
Anschließend reißt der Thyristorstrom schnell ab.

iL
t > t3, iT < 0

Id iT
di A iT
uL L ŏ L L˂ Stromabriss
˂ dt p
iT ʍ 0
uT n
uT ėuLė U K J
p t3 t
G
IRM d iT
UK n
iT ʍ 0 ʇ0
dt
K
Abbildung 5-14 Abschaltvorgang eines Thyristors, Stromabriss
5.5 Ausführungsformen 89

Der Stromabriss bedeutet eine sehr große Stromsteilheit mit umgekehrtem Vorzeichen, die
Spannung uL addiert sich jetzt zu der Betriebsspannung UK. Es kommt zu einer Überhöhung
der Sperrspannung, wodurch der Thyristor gefährdet ist.

d iT UK
iT : Schaltungsabhängig ʛ ė ʜ
dt L˂
uT 1
tS
Id
trr
t2 t3 t4
t0 t1
3 t
2
iRM 0,1 iRM
d iT
UK 4 : Thyristorabhängig
dt

iR uT
uR

Abbildung 5-15 Ausschaltvorgang


Ventilstrom und -spannungsverlauf der Schaltung nach Abb. 5-13.
iRM: Rückstromspitze
trr: reverse recovery time (Sperrverzugszeit)
tS: Schonzeit (schaltungsbestimmt, tS >> Freiwerdezeit tq)
UK: Hilfsspannung

Der dritte – mittlere – pn-Übergang (J) wurde vom Rückwärtsstrom iR in Durchlassrichtung


gepolt und ist noch mit Ladungsträgern überschwemmt. Der Thyristor hat aber erst dann seine
Blockierfähigkeit erreicht, wenn die Ladungsträger in J rekombiniert sind. Deshalb muss nach
Stromnulldurchgang (t1) eine Mindestzeitspanne, die Freiwerdezeit t q abgewartet werden (je
nach Typ: tq = 10 μs ... 700 μs) bevor wieder eine positive Spannung am Thyristor anliegen
darf. Aus Sicherheitsgründen verlängert man die Freiwerdezeit tq z. B. 1,5-fach und bezeichnet
diese neue Zeitspanne als Schonzeit t S. Zur Bedämpfung der Abschaltüberspannung wird der
Thyristor analog zur Diode mit einem RC-Glied beschaltet (TSE-Beschaltung).
Für den periodischen Betrieb eines selbstgeführten Thyristors wurden Löschschaltungen entwi-
ckelt, bei denen die Polarität des Löschkondensators sich beim Einschaltvorgang über eine
Umschwingschaltung immer wieder hergestellt hat. Derartige Schaltungen kommen heute nicht
mehr zum Einsatz weshalb an dieser Stelle das Thema der Thyristorlöschung nicht weiter ver-
tieft wird. Beispiele für früher ausgeführte Schaltungen mit Kondensatorlöschung sind der 1-
phasige Wechselrichter bzw. der Phasenfolgewechselrichter. Diese Schaltungen werden in Ka-
pitel 12 vorgestellt.
90 5 Thyristoren

5.5 Ausführungsformen
Der bisher betrachtete Thyristor heißt „kathodenseitig steuerbare, rückwärtssperrende Thyristor-
triode“ mit der Kurzbezeichnung SCR für Silicon Controlled Rectifier. Darüber hinaus gibt es
zahlreiche Thyristorvarianten, von denen nachfolgend einige vorgestellt werden.

5.5.1 Amplifying Gate Struktur


Der Thyristor ist ein stromgesteuertes Bauelement. Damit bei leistungsstarken Thyristoren ein
intensiver Steuerstrom in das Gate eingebracht werden kann, wird der Thyristor über einen ga-
teseitigen Hilfsthyristor gezündet. Von außen wird nur der Hilfsthyristor angesteuert. Dadurch
lassen sich großflächige Gatestrukturen nach Abb. 5-16 mit einer kurzen Schaltzeit realisieren,
und damit im Vergleich zum Netzthyristor auch höhere Schaltfrequenzen.
G K

K´ G´
n+ n+ A
p

n-

p G K

Hilfsthyristor Hauptthyristor
A
Abbildung 5-16 Aufbau eines Thyristors mit Hilfsthyristor (amplifying gate structure)

5.5.2 Zweirichtungs-Thyristoren
Man unterscheidet bei Zweirichtungs-Thyristoren zwischen einer Thyristordiode (Diac, Vier-
schichtdiode, ohne Gateanschluss) und einer Thyristortriode (Triac, Triode alternating current
switch, mit Gateanschluss). Ein Triac verhält sich so wie eine aus zwei Thyristoren bestehende
Gegenparallelschaltung. Den grundsätzlichen Aufbau und das verwendete Schaltzeichen zeigt
Abbildung 5-17 (MT: Main Terminal).
MT1 MT1
A1 K2 n
p n p p n
G2
n p n n G
G1 G2 G1
p n p G p
MT2
n n
n p n
K1 A2 MT2 Symbol

Abbildung 5-17 Struktur und Symbol eines Triac

Die Triac-Struktur besteht aus zwei antiparallel geschalteten pnpn-Schichtfolgen. Die Hauptan-
schlüsse (Main Terminal) werden mit MT1 und MT2 bezeichnet. Zur Zündung wird zwischen
Gate (G) und MT1 eine Steuerspannung gelegt, wodurch das Element in beiden Richtungen
durchgeschaltet wird. Für den praktischen Einsatz ist von Bedeutung, dass die nach dem
Stromnulldurchgang am Triac auftretende Spannung nur mit begrenzter Steilheit ansteigen
darf. Durch eine geringe Steilheit beim Stromnulldurchgang erhalten Löcher und Elektronen
5.5 Ausführungsformen 91

mehr Zeit für eine Rekombination wodurch die du/dt-Festigkeit vergrößert werden kann. Die
kritische Spannungssteilheit nach der Kommutierung (du/dt-Festigkeit) ist deutlich niedriger
als bei einem Thyristor. Wegen der geringen Spannungs- und Stromsteilheiten und der gerin-
gen Materialausnutzung eignet sich ein Triac nur für kleine bis mittlere Leistungen, so das die-
ses Bauelement nur in Sonderfällen eine Bedeutung erlangt hat. Für höhere Leistungen werden
antiparallelgeschaltete Thyristoren (bidirectional control thyristors) verwendet.

5.5.3 Der asymmetrisch sperrende Thyristor


Für Schaltungen, in denen Thyristoren eine geringe Spannungsfestigkeit in Rückwärtsrichtung
aufweisen müssen, wurden Thyristoren mit einer asymmetrischen Kennlinie entwickelt. Diese
Thyristoren werden als asymmetrisch sperrende Thyristoren (ASCR, Asymmetric Silicon Con-
trolled Rectifier) bezeichnet. Der asymmetrisch sperrende Thyristor hat gegenüber dem sym-
metrisch sperrenden Thyristor eine 2- bis 3-mal kleinere Freiwerdezeit und geringere Einschal-
t- und Durchlassverluste. Durch Integration einer antiparallelen Diode in den Thyristor erhält
man den rückwärtsleitenden Thyristor (RCT, Reverse Conducting Thyristor).

5.5.4 Der lichtzündbare Thyristor


Speziell in der HGÜ-Technik werden lichtzündbare Thyristoren eingesetzt. Bei 8 kV Span-
nungsfestigkeit erfolgt die Ansteuerung potenzialfrei über Lichtleiter. Die Zündung kann direkt
über die Lichtenergie erfolgen (optische Zündung, 40 mW-Laser mit Lichtwellenleiter) oder
indirekt über eine optische Signalübertragung mit Zündverstärker.

5.6 Abschaltbarer Thyristor (GTO)


Der gateseitig abschaltbare Thyristor (Gate-Turn-Off Thyristor, GTO) ist eine Weiterentwick-
lung des einschaltbaren Thyristors.

Kathode – ringförmiger Druckkontakt im Kathodenfinger


Gehäuse Gate
Gate

K
n+ n+ n+ n+
p G
n
p+ A
Anode
Aufbau Symbol Draufsicht

Abbildung 5-18 Aufbau und Symbol eines GTO-Thyristors

5.6.1 Der asymmetrische sperrende GTO


Der asymmetrisch sperrende GTO besitzt in positiver Richtung volle Sperrfähigkeit, in negati-
ver Richtung jedoch nur eine geringe Sperrfähigkeit. Die asymmetrische Kennlinie wird durch
92 5 Thyristoren

Kathode Gate
Abbildung 5-19
Aufbau eines GTO-Thyristors mit
n+ n+ n+ n+ Anoden-Kurzschlussstruktur
p
n
(Shortings)
p n p n p n p n p n p n p n p

Anode

Anodenkurzschlüsse (Shorting) erreicht (Abb. 5-19). Durch diese Maßnahme wird die Tempe-
raturempfndlichkeit der Kippspannung sowie das Abschaltverhalten des GTOs verbessert.

5.6.2 Ansteuerung
5.6.2.1 Einschalten
Das Einschalten erfolgt wie beim konventionellen Thyristor entsprechend Abb. 5-9 mit einem
steilen Gatestromimpuls diGM/dt. Der Scheitelwert IGM muss mindestens dem 6fachen Wert
des Dauerimpulsstromes IG entsprechen. Anforderungen an den Steuergenerator sind tempera-
turabhängig, so beträgt der Einschaltstrom für einen GTO mit 3 A IGT (bei 20 °C) IGM 20 A
(bei í25 °C) bzw. 60 A (bei í40 °C).

5.6.2.2 Ausschalten
Der GTO schaltet bei einem ausreichend hoher negativen Gatestrom aus. Die Amplitude des
Gatestromes muss bis 30 % des abzuschaltenden GTO-Stromes betragen. Der Abschaltvorgang
wird vereinfachend mit Abb. 5-20 erläutert. Zum Ausschalten wird der Schalter S geschlossen
und es setzt ein rückwärtsgerichteter Gatestrom iRG ein. iRG steigt zunächst mit einer Steilheit
an, die durch die Spannung U0 und die gateseitige Induktivität LG bestimmt ist (LG < 300 nH).

iT
Abbildung 5-20
RL
A Ersatzschaltbild zum Abschalt-
vorgang eines GTO-Thyristors
iB1 = iC2
T1 LG: Induktivität der
URL
S iG iC1 Gatezuleitung
T2
LG G iB2
U0
K

Die Stromsteilheit des Gatestromes beträgt bei einer GTO-Ansteuerschaltung bis zu 50 A/μs.
Durch die einsetzende Sperrung der Kathoden-Gate-Strecke erreicht iRG in Abb. 5-21 seinen
Höchstwert iRGM und fällt anschließend wieder auf Null ab. Das Verhältnis des abzuschal-
tenden Stromes iT zum Maximalwert des Steuerstromes iRGM wird als Abschaltverstärkung vQ
bezeichnet. vQ liegt bei einem GTO zwischen 3 und 5, so dass zum Abschalten eines Gleich-
stromes von z. B. 3000 A ein iRGM von 1000 A erforderlich ist.
5.6 Abschaltbarer Thyristor (GTO) 93

iT Abbildung 5-21
0,9 iT GTO-Ausschaltvorgang
iTq 0,1 iT Tailstrom
Zeitlicher Verlauf des Steuer-
t stromes und des Durchlassstromes
beim Ausschalten eines GTO-
Thyristors.
tdq tfq IJttq
ta t
0,1 iRGM iRGM

0,9 iRGM
iRG

Der Steuerstrom iRG bewirkt, dass der Durchlassstrom iT nach der Abschaltverzugszeit tdq
abnimmt. iT sinkt dann während der Abschaltfallzeit tfq relativ schnell auf den Anfangswert
des Schweif- bzw. Tailstromes (Itq), der vereinfachend in Abb. 5-21 mit dem 10 %-Punkt von
iT zusammenfällt. Dieser Tailstrom geht innerhalb der Schweifzeit ttq relativ langsam auf Null
zurück. Diese Stromabnahme erfolgt nur durch die Rekombination von Ladungsträgern im pn-
Übergang der Thyristorstruktur und kann über die Steuerelektrode nicht beeinflusst werden.
Die Schweifzeit ist entscheidend für die Ausschaltverlustleistung. Zwar lässt sich prinzipiell
jeder Thyristor durch einen negativen Gatestromimpuls abschalten, jedoch wäre bei einem
konventionellen Thyristor der abschaltbare Strom nur sehr klein. Erst durch den Aufbau des
Thyristors nach Abb. 5-18Fehler: Referenz nicht gefunden mit fingerförmig verzahnten Gate-
und Kathodenelektroden sowie einer verminderte Stromverstärkung des Transistors T1 in Abb.
5-20 entsteht ein leistungsstarker GTO-Thyristor. Die zukünftige Bedeutung des GTOs ist
durch weitere Entwicklungen (IGBT, IGCT) jedoch vermindert.

5.6.3 Betriebsbedingungen für einen GTO


Im Vergleich mit einem Thyristor besitzt der GTO einen sehr hohen Haltestrom. Da der
Thyristorstrom im Betrieb im Allgemeinen eine hohe Welligkeit aufweist, besteht die Gefahr,
dass ein GTO in einen undefinierten Leitzustand gerät. Beim Wiederanstieg des Stromes kann
es durch hohe Stromdichten zum Ausfall des Bauelementes kommen. Zur Sicherstellung eines
definierten Leitzustandes wird daher ein Dauergatestrom bzw. Impulskamm vorgesehen, der
mindestens 20 % größer ist als der Dauerimpulsstrom IGT. Besteht die Gefahr, dass durch eine
Stromrichtungsumkehr der Strom selbsttätig auf die Freilaufdiode kommutiert, so ist ein
Dauergatestrom von mindestens 10 A (í40 °C) für den anschließenden Wiedereinschalt-
vorgang bei positivem Stromanstieg vorzusehen. Die Schaltfrequenzen werden mit Rücksicht
auf die Schaltverluste kleiner als 500 Hz gewählt. Typische Steilheiten des Gatestromes liegen
dann bei ca. 50 A/μs. Für den Betrieb ist eine GTO-Beschaltung nach Abb. 5-22 erforderlich.

I TQM t min
Cĺ und R Ĺ
du 4C (5.1)
ʛ ʜ
d t kritisch
94 5 Thyristoren

Die Kapazität des Kondensators C wird durch den GTO-Abschaltstrom (ITQM) und dem kriti-
schen du/dt-Wert definiert. Voraussetzung ist, dass der Kondensator zu Beginn des Abschalt-
vorganges entladen ist, weshalb eine Mindesteinschaltzeit tmin des Thyristors eingehalten wer-
den muss, in der sich C über den Widerstand R entlädt. Für R und C gilt Gl. (5.1).

Abbildung 5-22
R D GTO antiparallele Diode
Beschaltungsmaßnahmen
für einen GTO
RCD-Beschaltung
C
gegen Überspannung
Die Stromsteilheit wird mit Rücksicht
auf die antiparallele Diode begrenzt.
Begrenzung der
RL
L Stromsteilheit mit
Freilaufzweig
DL

5.6.4 IGCT
Der „Integratet Gate-Commutated Thyristor“ (IGCT) stellt hinsichtlich der Schaltleistung und
-Geschwindigkeit eine Weiterentwicklung des GTO dar. Er wird hauptsächlich für Mittelspan-
nungsumrichter eingesetzt. Leistungshalbleiter und Ansteuereinheit sind induktivitätsarm zu ei-
ner baulichen Einheit zusammengefasst, wodurch der Gatestrom (die Abschaltverstärkung be-
trägt 1) mit einer höheren Steilheit als beim GTO bereitgestellt werden kann. Die Folge ist eine
Reduktion der Speicherzeit, die zusätzlich eine Optimierung der Siliziumdicke ermöglichte.
Durch diese baulichen Änderungen hat der IGCT deutlich verminderte Durchlass- und Schalt-
verluste. Beim IGCT konnte so das Schaltverhalten eines Transistors mit dem Durchlassverhal-
ten eines Thyristors kombiniert werden. In dieser Hinsicht – und auch der Robustheit – hat der
IGCT heute noch Vorteile gegenüber dem IGBT (Vergleichsdaten siehe Kapitel 5.7). Die
Schaltfrequenz des IGCT liegt bei max. 1000 Hz, Kommutierungen verlaufen mit Stromsteil-
heiten bis über 1200 A/μs.

5.7 Auswahl von Leistungsbauelementen


Die aufgeführten Grenzdaten gelten für aktuell verfügbare Bauelemente und zeigen teilweise
eine Typen-Spezialisierung für Hoch- Niederspannungsanwendungen. Die in Tab. 5.1 aufge-
führten Daten sind zudem anwendungsspezifisch und daher als Anhaltswerte zu verstehen.
Tabelle 5.1 Auswahl an Bauelement-Grenzwerten (stand: 2007)

Typ U/V IDC/A toff /μs Typ U/V ITQM/A IAV/A toff /μs
800 25 0,15 GTO 4500 4000 1000 100
MOSFET
100 300 0,7 IGCT 4500 4000 2100 11
IGBT 6500 600 1–4 Thyristor 8500 - 2400 -
1200 300 15–25 Diode 5000 - 3800 -
BT
550 480 5–10 SiC-Diode 1200 - 20 -
IAV: Mittelwert (AV), ITQM: maximal abschaltbarer Strom, IDC: Gleichstrom (continous)
95

6 Wärme-Management

6.1 Die Verlustleistung


Die Verlustleistung (power dissipation) von Halbleiterbauelementen entsteht im Wesentlichen
im Bereich der pn-Übergänge. Dem Bauteil wird daher von der Sperrschicht eine Momentan-
leistung
pV uŏi (6-1)

zugeführt. Die im Bauelement umgesetzte Energie, die Wärmemenge Q, berechnet sich durch
Integration der Momentanleistung pV nach Gl. (6-2).
t

Wärmemenge Q ĩ pʛt ʜ d t in Ws (6-2)


0

Das Bauteil reagiert auf die zugeführte Wärmemenge Q mit einem Temperaturanstieg. Liegt
die Gehäusetemperatur ˊC über der Umgebungstemperatur ˊA, so erfolgt entsprechend Abb.
6-1 eine Wärmeübertragung vom Bauteil auf die Umgebung. Die Transportmechanismen sind:
Wärmeübertragung / heat transfer Mechanismus
Übertragung kinetischer
Wärm e l e i t u n g He a t cond u c t i n g Energie von Atomen bzw.
Elektronen.
Kon v e k t i o n Co n v e c t i o n Materialtransport (Luft)
Wär m e s t r a h l u n g Radia tio n Strahlung

Konvektion Abbildung 6-1


Wärmeübertragungsmechanismen
Wärmestrahlung PV: Verlustleistung des
Bauelementes
Bauteil mit
Verlustquelle
PV
Montageplatte

Wärmeleitung

Die Temperatur steigt solange an, bis sich ein Gleichgewicht zwischen der zugeführten Ener-
gie mit der durch Konvektion- , Leitung und Strahlung abgeführten Energie einstellt. Dann hat
96 6 Wärme-Management

das Bauelement seine stationäre bzw. Beharrungstemperatur erreicht. Bei praktischen Anwen-
dungen sind immer mehrere Komponenten an der Wärmeübertragung beteiligt. Abb. 6-2 zeigt
einen solchen Anwendungsfall, bei dem eine Leistungsdiode D über eine Isolierscheibe I auf
einem Kühlkörper K befestigt ist. Der Kühlkörper stellt den Wärmeübergang zum gasförmigen
oder flüssigen Kühlmedium A her. Das Kühlmedium wird mit einer konstanten Temperatur,
der Umgebungstemperatur ˊA, angenommen.
Isolierung I
Kühlkörper
Siliziumkristall
K
J

Verlustleistung
PV

elektrische
Kühlmedium
Leitungen Gehäuse
A
C

Abbildung 6-2 Diode mit Kühlkörper (Luftkühlung)

Die Bezeichnungen, Kennbuchstaben und Temperaturen der Komponenten sind:


Kennbuchstabe Bauteil Temperatur
J Siliziumkristall junction ˊJ
C Gehäuse case ˊC
K Kühlkörper heatsink (h) ˊK
A Kühlmedium Ambient (A) ˊA

Im stationären Betrieb haben alle am Wärmetransport beteiligten Komponenten eine unter-


schiedliche Temperatur. Die höchste Temperatur stellt sich nach Abb. 6-3 im Siliziumkristall
(Sperrschicht J) ein, dem Ort der Verlustleistungsentstehung. Zur Bemessung des Kühlkörpers
ist es erforderlich, den Wärmetransport vom Ort der Verlustleistungsentstehung (J) bis zum
Kühlmedium (A) zu beschreiben.

Sperrschicht
Abbildung 6-3

Gehäuse Temperaturgefälle von


der Sperrschicht (J) bis
zum Kühlmedium (A)
Kühlkörper
Kühlmedium

-J -C -K -A
6.2 Das thermische Ersatzschaltbild 97

6.2 Das thermische Ersatzschaltbild


Ein anschauliches Hilfsmittel zur Beschreibung des Wärmetransportes ist ein Ersatzschaltbild
nach Abb. 6-4, bei dem der Wärmetransport mit Hilfe elektrischer Größen beschrieben wird.
Die Umgebungstemperatur ˊA wird als Bezugsgröße gewählt und im Ersatzschaltbild durch
ein Massezeichen (ŋ) symbolisiert.
J -J
Abbildung 6-4 Thermisches Ersatzschaltbild
PV Die Verlustleistung PV wird in diesem Ersatz-
schaltbild als elektrischer Strom eingespeist. Der
Rth,JA ʧ-
Spannungsabfall über den Widerstand Rth,JA wird als
Temperaturdifferenz ʧǑ bewertet:
A -A ƗǑ = pV ƌ Rth,JA
À Bezugstemperatur ist ǑA.

In diesem Ersatzschaltbild wird dargestellt:


thermische Größe Einheit elektrische Größe
Verlustleistung PV W elektrischer Strom I (Stromquelle)
Temperatur Ǒ °C elektrisches Potential ˍ
Temperaturdifferenz ʧǑ K elektrische Spannung U
thermischer Widerstand Rth K/W elektrischer Widerstand R
Wärmekapazität Cth Ws/K Kondensator C

Der Widerstand Rth,JA beschreibt den Wärmetransport von der Sperrschicht (J) zur Umgebung
(A). Er setzt sich nach Abb. 6-5 aus dem inneren Wärmewiderstand Rth,JC und einem äußeren
Wärmewiderstand Rth,CA zusammen. Die thermischen Widerstände Rth,JC und Rth,CA sind über
den Gehäuseanschluss C verbunden. Die Temperaturen ǑJ, ǑC, und ǑA sind Absolutwerte und
beziehen sich auf 0 °C. In Abb. 6-5 wird ǑA durch eine Spannungsquelle eingestellt. In einer
Simulationsrechnung kann mit dieser Spannungsquelle eine Temperaturänderungen des Kühl-
mediums eingestellt werden.

J Abbildung 6-5
pV Rth,JC ʧ ˊJC
Temperaturen der einzelnen
C Komponenten in Abb. 6-2
Rth,CK ʧ ˊCK
Wärmewiderstände:
K Rth,JC: Sperrschicht-Gehäuse
Rth,KA ʧ ˊKA
Rth,CK: Gehäuse-Kühlkörper
-K -C -J
A Rth,KA: Kühlkörper-Kühlmedium
-A
0 °C Rth,JC + Rth,CK + Rth,KA = Rth,JA
98 6 Wärme-Management

6.2.1 Der innere Wärmewiderstand Rth,JC


Der innere Wärmewiderstand Rth,JC ist durch das Bauelement selbst gegeben. Eine Beeinflus-
sung ist nur bei der Herstellung des Bauelementes möglich. Zwischen Sperrschicht (J) und Ge-
häuse (C) tritt eine Temperaturerhöhung ʧˊJC ein, die direkt zur Verlustleistung PV proportio-
nal ist. Deshalb wird die zulässige Verlustleistung eines Bauelementes in Datenblättern stets
auf eine definierte Gehäusetemperatur ǑC bezogen.

6.2.2 Der äußere Wärmewiderstand Rth,CA


Der äußere Wärmewiderstand Rth,CA setzt sich aus dem Widerstand vom Gehäuse zum Kühl-
körper, Rth,CK, und dem Widerstand vom Kühlkörper zum Kühlmedium, Rth,KA zusammen.
Für einen optimalen Übergang der Wärme vom Halbleitergehäuse auf den Kühlkörper ist eine
möglichst große Kontaktfläche erforderlich. Das Halbleiterelement hat dafür ein oder zwei
Kontaktflächen zum Anschluss des Kühlkörpers. Die Kontaktflächen von Halbleiter und Kühl-
körper werden mit hohem Druck verbunden und müssen bei allen Temperaturen absolut eben
sein. Zur Vermeidung von Hohlräumen werden die Kontaktflächen zusätzlich mit einer Wär-
meleitpaste beschichtet. Wenn eine elektrische Isolierung von Kühlkörper und Halbleiter erfor-
derlich ist, wird eine wärmeleitende Isolierscheibe einer speziellen Keramik eingesetzt. Diese
Maßnahmen werden im äußeren Wärmewiderstand Rth,CK erfasst.
Den Wärmetransport vom Kühlkörper K an das Kühlmedium A beschreibt der Widerstand
Rth,KA. Das Ersatzschaltbild nach Abb. 6-5 ist für den stationären Zustand gültig, d. h. alle
Temperaturwerte sind zeitlich konstant. Die Wärme wird mit Hilfe des Kühlkörpers an das
Kühlmedium abgegeben. Es wird vorausgesetzt, dass das Kühlmedium selbst nicht erwärmt
werden kann, vergleichbar z. B. mit einer unendlich großen Luftmenge der Temperatur ˊA. In
der Praxis ist dieser Umstand jedoch nicht immer ausreichend gegeben, so dass hier zusätzli-
che Maßnahmen wie z. B. eine forcierte Belüftung erforderlich werden können.

1,0
Abbildung 6-6
0,8
F 0,6 Reduktionsfaktor F
0,4 Einfluss auf der Luft-
geschwindigkeit auf den
0,2
thermischen Widerstand.
F”1
0 1 2 3 4 5 6 7 8
Luftgeschwindigkeit in m/s

R thF FŏR th (6-3)

Für forcierte Kühlung ist die Oberflächenbeschaffenheit des Kühlers praktisch ohne Bedeu-
tung. Im Gegensatz zur reinen Konvektionskühlung, bei der ein bestimmter Rippenabstand
nicht unterschritten werden sollte, muss für eine forcierte Kühlung eine möglichst große
Oberfläche mit entsprechend vielen Rippen vorgesehen werden.
6.2 Das thermische Ersatzschaltbild 99

6.2.3 Die Wärmekapazität Cth


Bei Erwärmungs- und Abkühlvorgängen unterliegen die einzelnen Temperaturen einer zeitli-
chen Änderung. Dieser Vorgang wird mit der Wärmekapazität Cth beschrieben. Die Wärmeka-
pazität beschreibt das Speichervermögen und ist über den Temperaturanstieg (ƗǑ) eines Bau-
elementes bei Energiezufuhr (ƗQ) definiert.
zugeführte Wärmemenge ʧQ Ws
Wärmekapazität C th in (6-4)
Temperaturerhöhung ʧˊ K
Die Wärmekapazität Cth ist eine materialspezifische Größe und berechnet sich mit der zu
erwärmenden Masse m in kg und der spezifischen Wärmekapazität c nach Tab. 6-1 zu:
Ws
C th cŏm in (6-5)
K
Der Erwärmungsvorgang ist durch Gl. (6-6) beschrieben.
t
1
ˊʛtʜ
C th
ĩ p V d t ʅ ˊ0 ˊ0 Anfangswert (6-6)
0

Die Temperaturerhöhung verhält sich umgekehrt proportional zur Wärmekapazität Cth des
Bauelementes. Der Temperaturanstieg bleibt um so kleiner, je größer die zu erwärmende
Masse m ist und je größer die spezifische Wärmekapazität c ist (siehe Tab. 6.1).
Tabelle 6.1 Spezifische Wärmekapazität (Auswahl)

Kupfer Aluminium Wasser Öl Luft


c in Ws/kg K 390 920 4182 1450 1005

Bezogen auf die gleiche Temperaturdifferenz hat Wasser das größte Wärmespeichervermögen.
Praktisch wird das Bauelement während der Energieaufnahme gleichzeitig durch Strahlung,
Konvektion und Leitung thermische Energie abgeben, so dass sich nach einer gewissen Zeit
eine Beharrungstemperatur einstellt, bei der zugeführte und abgeführte Energie sich im Gleich-
gewicht befinden. Die Erwärmung eines Bauteils berechnet sich bei einer konstanten Leis-
tungszufuhr (PV = konstant) nach Gl. (6-7). In Abb. 6-7 ist der entsprechende Temperaturver-
lauf dargestellt. Der Anfangswert ist ǑA.
t
PV ė
˃ (6-7)
ˊʛt ʜ ŏʛ1 ė e ʜ ʅ ˊA ˃ R thŏC th thermische Zeitkonstante
R th

W Abbildung 6-7
Beharrungstemperatur Erwärmungsvorgang
Temperaturanstieg bei
konstanter Energiezufuhr.
ˊ
'ˊ

ˊA
0 t
100 6 Wärme-Management

Eine Simulation der Sperrschichttemperatur unter Berücksichtigung der Wärmekapazität des


Kühlkörpers entsprechend Abb. 6-8 zeigt Abb. 6-9 für eine zeitveränderliche Bezugstempera-
tur ǑA (angenommener Tagesgang der Lufttemperatur) und einer pulsförmig angenommenen
Verlustleistung pV.

J
pV Rth,JC Abbildung 6-8
Berücksichtigung der Wärmekapazität
C Ersatzschaltbild mit Wärmekapazität des
Kühlkörpers Cth,K für eine Simulation der
Rth,CK Sperrschichttemperatur ǑJ.
-C -J

A Rth,KA K

-A Cth,K -K

pV
0
t
Ǒ
ǑJ
150

°C
100

50
ǑC
ǑA
0
0 t
Abbildung 6-9 Temperaturverlauf bei pulsierender Verlustleistung pV und schwankender
Umgebungstemperatur ǑA (Tagesgang)

6.2.4 Der Wärmewiderstand des Kühlkörpers


Der Kühlkörper ist über die Oberfläche A mit dem gasförmigen (Luft) oder flüssigen (Wasser,
Öl) Kühlmedium verbunden. Mit dem Wärmeübergangskoeffizienten ʱ wird bei einer Tempe-
raturdifferenz '-zwischen Kühlkörper und Kühlmedium in der Zeit t die Wärmemenge Q
nach Gl. (6-8) an das Kühlmedium übertragen.

Wärmemenge Q ʱŏAŏʧ ˊŏt in Ws mit ʧˊ ˊKė ˊA (6-8)


6.2 Das thermische Ersatzschaltbild 101

-A
Kontaktfläche A zum Kühlmedium, durch Rippen
und aufgerauhte Oberfläche maximiert.
Abbildung 6-10

-K Wärmeübergangskoeffizient ʱ Wärmeübergang vom


zwischen Kühlkörperoberfläche und Kühlkörper in das
Wärmefluss
vom Kühl- Kühlmedium Kühlmedium
Q
körper in das
Kühlmedium

Kühlmedium konstanter
Temperatur -A nimmt die
Wärmemenge Q auf

Wird die übertragene Wärmemenge Q auf die Zeit t bezogen, so erhält man mit Gl. (6-9) einen
Ausdruck für den Wärmestrom, der gleich der übertragenen Verlustleistung pV ist.

dQ
Wärmestrom ʱŏAŏʧ ˊ pV in W (6-9)
dt

Mit Gl. (6-10) kann der Wärmewiderstand Rth,KA für den Kühlkörper formuliert werden:

ʧˊ 1 K
Wärmewiderstand des Kühlkörpers R th,KA in (6-10)
pV ʱA W

Rth,KA verhält sich umgekehrt proportional zu der Kühlkörperoberfläche A und dem Wärme-
übergangskoeffizienten ʱ. In Abb. 6-11 sind beispielhaft Kurven für Rth,KA in Abhängigkeit
von der Kühlkörperoberfläche verschiedener blanker Materialien (Stahl, Kupfer, Aluminium)
angegeben. Zusätzlich sind Angaben für verschiedene Materialdicken enthalten.

10
K/W Abbildung 6-11
8
Stahl Wärmewiderstand blanker Kühlbleche in senkrechter
2 mm Anordnung
Rth,KA 6
Al À Der Widerstand Rth,KA sinkt mit zunehmender
4 2 mm
Oberfläche A. Wegen der ungünstigen Wärme-
Cu
1 mm verteilung innerhalb des Kühlkörpers strebt
2 Rth,KA einem Grenzwert zu.
Cu
0 2 mm À Eine weitere Vergrößerung von A ist nur bei
0 100 200 300 cm² 400 einer verbesserten Wärmeverteilung z. B. durch
eine größere Blechdicke (hier: 1 mm ɕ 2 mm)
A
sinnvoll.

Je dicker das Material ist, desto besser wird die Wärme innerhalb des Kühlkörpers verteilt und
desto geringer ist der thermische Widerstand. Werden diese Bleche zusätzlich geschwärzt, so
verbessert sich die Wärmeabstrahlung und die Rth,KA-Werte sinken auf ca. 70 %. In der Praxis
besteht bei mehreren Kühlkörpern aber die Gefahr, dass sich die Kühlkörper gegenseitig auf-
heizen [20]. Angaben für Rth,KA beziehen sich im Allgemeinen auf freistehende eloxierte
Kühlflächen in senkrechter Ausrichtung mit reiner Konvektionskühlung. Für blanke bzw. un-
behandelte Oberflächen liegen die tatsächlichen Werte dann um ca. 15 % höher, bei horizonta-
ler Ausrichtung verschlechtert sich Rth,KA um 20 % [Angaben: austerlitz-electronic].
102 6 Wärme-Management

Wird der Wärmestrom nach Gl. (6-9) schließlich auf die zur Verfügung stehende Kühlfläche A
bezogen, so erhält man mit Gl. (6-11) die Wärmestromdichte.
1 dQ W
Wärmestromdichte ŏ ʱŏʧ ˊ in (6-11)
A dt m2
À Die Wärmestromdichte zeigt die Wirksamkeit eines Kühlverfahrens in Abhängigkeit vom
Kühlmedium auf, welches durch den Wärmeübergangskoeffizienten ʱ beschrieben wird.
À Für einen gegebenen Kühlkörper der Temperatur ˊK erhält man die abführbare Verlustleis-
tung durch Multiplikation der Wärmestromdichte des Kühlmittels mit der Kühlkörperober-
fläche A und der Temperaturdifferenz 'ˊ = (ˊK í ˊA) nach Gl. (6-12). ˊA beschreibt die
Temperatur des Kühlmediums).
À Ohne Temperaturerhöhung kann ein Kühlkörper keine Leistung übertragen!

PV ʱŏʧ ˊŏ A in W (6-12)

6.3 Kühlmedien
Erzielbare Werte für den Wärmeübergangskoeffizienten D und die abführbare Verlustleistung
bei A = 100 cm2 und 'ˊ = 50 K sind in Tab. 6.2 angegeben:
Tabelle 6.2 Anhaltswerte für den Wärmeübergangskoeffizienten und die abführbare Leistung
(A = 0,01 m²) bei Luft- und Wasserkühlung

Luft Wasser (Rohrleitung)


unbewegt stark bewegt laminare Strömung turbulente Strömung
ʱin W/m2K 5 50 500 5000
P in Watt 2,5 25 250 2500

6.3.1 Luftkühlung
Luft ist ein elektrisch isolierendes Kühlmedium und kann in Bezug auf den Kühlkörper ruhend
oder bewegt sein (forcierte Belüftung). Die Luft verteilt die Wärme an die Umgebung. In ei-
nem geschlossenen Raum steigt dadurch die Temperatur des Kühlmediums an (Konvektions-
heizung). Die Temperaturdifferenz 'ˊ ist durch die Verlustleistung gegeben. Damit die Tem-
peratur des Kühlkörpers durch Erwärmung des Kühlmediums nicht unzulässig ansteigt, muss
für einen ausreichenden Luftaustausch gesorgt sein. In geschlossenen Räumen kann z. B.
durch einen Wärmetauscher die Temperatur des Kühlmediums konstant gehalten werden (indi-
rekte Kühlung). Damit der Kühlkörper nicht verschmutzt muss die Kühlluft unter Umständen
gefiltert werden. Es kann jedoch auch günstiger sein, zu einer Flüssigkeitskühlung zu wech-
seln. Dies ist auch erforderlich wenn die Leistungsfähigkeit der Luftkühlung nicht ausreichend
ist (siehe Tab. 6.2) bzw. wenn der verfügbare Einbauraum für den Kühlkörper nicht gegeben
ist.
6.3 Kühlmedien 103

6.3.2 Wasserkühlung
Wasserkühlung wird allgemein als indirekte Kühlung eingesetzt. Das Wasser dient zum Wär-
metransport zwischen dem Lüftkühler und den aktiven Bauelementen und muss über eine
Pumpe umgewälzt werden. Die elektrische Isolierung erfolgt entweder durch die Bauelemente
selbst, durch isolierende Wärmetauscher oder durch entionisiertes Wasser. Die Anwendung
entionisierten Wasser setzt eine geeignete Materialauswahl und eine Überwachungseinrichtung
voraus. Abb. 6-12 zeigt den Aufbau einer Wasserkühlung für ein Halbleiterbauelement. Das
Bauelement überträgt die Wärme mit einem angekoppelten Wärmetauscher auf das Wasser. Es
gibt auch Leistungsbauelemente, deren elektrisch isolierter Gehäuseboden selbst als Wärme-
tauscher ausgeführt ist. Derzeit kann eine Verlustleistung von über 4 kW pro Bauelement
(IGBT) abgeführt werden. Wichtig ist eine turbulente Strömung im Wärmetauscher um das für
die Wärmeübertragung ungünstige Strömungsprofil einer laminaren Strömung zu vermeiden.
Die Wärmekapazität solcher Kühlsysteme ist allerdings sehr gering, so dass bei Ausfall des
Wasserkreislaufs die Leistung sofort abgeschaltet werden muss. Bedingt durch den geschlosse-
nen Wasserkreislauf mit einem Wasser-Luftkühler ist die Rücklauftemperatur des Kühlwassers
mindestens 3 K höher als die Umgebungstemperatur ˊA. Die abführbare Leistung ist durch die
Differenz von Hin- und Rücklauftemperatur (ʧˊ) und dem Volumenstrom des Kühlmediums
gegeben. Für die Stromrichterkühlung auf Fahrzeugen z. B. mit Hybridantrieb umfasst der
Kühlwasserkreislauf weitere Verlustquellen wie z. B. den Verbrennungsmotor. Hierdurch liegt
die Rücklauftemperatur des Kühlwassers für den Stromrichter in der Größenordnung von 80
°C. Die nutzbare Temperaturdifferenz ist daher deutlich eingeschränkt. Durch die notwendige
Zugabe von Frostschutzmitteln ist die Wärmekapazität des Kühlwassers vermindert.

Kühler mit Halbleiter


Ventilator

Wärmetauscher Kühlluft ( ˊA )
Pumpe

Kühlwasser
Tank Rücklauf

Abbildung 6-12 Kühlkreislauf bei einer Wasserkühlung

6.3.3 Siedekühlung
Zum Verdampfen einer Flüssigkeit wird eine bestimmte Wärmemenge, die Verdampfungswär-
me r benötigt. Bei der Siedekühlung wird diese Wärmemenge dem Verdampfer von der Wär-
mequelle (als Verlustleistung) zugeführt. Wird dieser Dampf anschließend in einem
Kondensator durch Abkühlung wieder verflüssigt, so wird die Verdampfungswärme als Kon-
densationswärme an den Kondensator abgegeben. Es findet durch den Phasenübergang des
Kühlmediums ein Wärmetransport vom Verdampfer zum Kondensator statt (Kühlschrankprin-
104 6 Wärme-Management

zip). Der Wärmetransport zum Kühlkörper setzt eine Temperaturdifferenz zwischen Verdamp-
fer und Kühlkörper von bis zu 5 K voraus. Der Verdampfer hat einen kleinen Querschnitt, wie
er durch die Bauteilgeometrie vorgegeben ist, und der Kondensator eine große Oberfläche AK,
so wie es zur Wärmeabgabe an die Kühlluft erforderlich ist. Als Siedemittel kann z. B. Wasser
eingesetzt werden. Der erforderliche Siedepunkt der Flüssigkeit wird über den Innendruck der
Wärmeleitung eingestellt. Die Heatpipe hat einen sehr hohen Wärmeübergangskoeffizienten,
welcher im Bereich 5000 W/m²K < Į < 10000 W/m²K liegt. Wird in die Wärmeleitung, die in
Abb. 6-13 als „Heatpipe“ bezeichnet wird, eine elektrische Isolierung eingebaut, dann muss
auch das Siedemittel elektrisch isolierend sein.

Kondensator
Wärmezufuhr Abbildung 6-13
dampfförmig
Isolator Prinzip des Heatpipe-Kühlkörpers
À Das Bauelement ist wie auf
Kühlmittelkreislauf einem normalen Kühlkörper
montiert.
Verdampfer
À Der Wärmetransport erfolgt
flüssig durch den Phasenwechsel des
Kühlbleche mit der Kühlmediums
Oberfläche AK

Eine andere Ausführung der Siedekühlung zeigt Abb. 6-14. Bei der Siedebadkühlung taucht
man die zu kühlenden Bauelemente mit einem Siedekörper (Verdampfer) vollständig in das
isolierende Siedemittel ein. Der Wärmetransport erfolgt auch hier über den Phasenwechsel des
Siedemittels mit einem Temperaturgefälle von nur wenigen Kelvin. Die Oberfläche des Kon-
densators AK hat eine gleichmäßige Temperaturverteilung und wird so groß gewählt, wie es für
eine Luftkühlung erforderlich ist [15, 17]. Der Wärmetransport von der Verlustleistungsquelle
zum Kühlkörper erfolgt bei der Siedekühlung (im Gegensatz zur Wasserkühlung) ohne zusätz-
liche Pumpen.

Luftgekühlter Kondensator Abbildung 6-14


Kondensat mit Oberfläche AK Prinzip der Siedebad-
kühlung
Dampf À Das Kühlmedium
ist elektrisch
isolierend.
Siedeflüssigkeit
Halbleiter
À Das Bauelement
Siedekörper ist im Kühlme-
druckdichter Behälter dium eingetaucht.

Anforderungen an die Siedeflüssigkeit bei der Siedekühlung:


À ausreichend geringe Siedetemperatur (z. B. 45 °C)
À elektrisch isolierend
À Materialverträglichkeit
À Umweltfreundlichkeit
105

7 Stromrichterschaltungen

7.1 Grundfunktionen
Stromrichter sind Einrichtungen zum Umformen elektrischer Energie unter Verwendung von
Leistungshalbleitern. Bei der Kupplung von Wechsel- und Gleichstromsystemen ergeben sich
hierbei vier Grundfunktionen:

Gleichrichten ist die Umformung von Wech-


Gleichrichter selstromenergie in Gleichstromenergie (Ener-
giefluss vom Wechselstromsystem zum
a Gleichstromsystem).
a =
=
Wechselrichten ist die Umformung von
Gleichstromenergie in Wechselstromenergie.
Wechselrichter
Energiefluss vom Gleichstromsystem zum
Wechselstromsystem).
Gleichstrom-Umrichten ist die Umformung
von Gleichstromenergie mit gegebener Span-
= nung und Polarität in Gleichstromenergie mit
= =
= anderer Spannung und Polarität. Man spricht
vom Gleichspannungswandler bzw. Gleich-
Gleichstrom-Umrichter strom-Umrichter.

Wechselstrom-Umrichten ist die Umfor-


mung von Wechselstromenergie mit gegebe-
a ner Spannung, Frequenz und Phasenzahl in
a a Wechselstromenergie mit anderer Spannung,
a Frequenz und Phasenzahl Man spricht von
Wechselstrom-Umrichter einem Wechsel- bzw. Drehstrom-Umrichter.

Abbildung 7-1 Grundfunktionen der Stromrichter

7.2 Kennzeichnung von Stromrichterschaltungen


Die Kennzeichnung von Stromrichterschaltungen der Leistungselektronik ist in der DIN IEC
971 festgelegt und erfolgt üblicherweise in einer dreistelligen Kombination von Buchstaben
und Ziffern.
Der erste Buchstabe legt die Schaltungsfamilie fest:

À M: Mittelpunktschaltung
À B: Brückenschaltung
À W: Wechselwegschaltung.
106 7 Stromrichterschaltungen

An zweiter Stelle wird die Pulszahl p bzw. die Phasenzahl m bei der Wechselwegschaltung
angegeben. Unter Pulszahl versteht man die Anzahl nicht gleichzeitiger Stromübernahmen
(Kommutierungen) eines Stromrichters innerhalb einer Netzperiode (p = 1, 2, 3, 6, 12, 18,...).
An dritter Stelle wird die Steuerbarkeit in Form eines Buchstabens definiert:

À U: ungesteuerte Schaltung (Dioden)


À H: halb gesteuerte Schaltung (Thyristor für einen, Diode für den anderen Zweig)
À C: voll gesteuerte Schaltung (Thyristoren).
Um besondere Kennzeichen der Schaltung hervorzuheben, können weitere Buchstaben ange-
hängt werden, z. B. F für Freilaufdioden.
Als allgemeine Symbole für Stromrichterventile (elektronische Leistungsschalter) werden
verwendet:

ungesteuertes Ventil einschaltbares Ventil ein- und ausschaltbares Ventil

7.3 Einteilung nach der inneren Wirkungsweise


Stromrichter lassen sich nach der inneren Wirkungsweise, d. h. nach der Art der
Kommutierung unterteilen. Unter Kommutierung versteht man die Stromübergabe von einem
Zweig des Stromrichters an den nächsten, wobei während der Kommutierung beide Zweige
Strom führen.
Wir unterscheiden bei der Kommutierung zwischen:
1. Stromrichter ohne Kommutierung
Halbleiterschalter und Steller für Wechsel- und Drehstrom
2. Stromrichter mit natürlicher Kommutierung
beziehen ihre Kommutierungsspannung entweder aus dem speisenden Netz (netzgeführte
Stromrichter) oder von der Last (lastgeführte Stromrichter). Beide Kommutierungsarten
werden unter dem Oberbegriff fremdgeführte Stromrichter zusammengefasst.
3. Stromrichter mit Zwangskommutierung
verfügen beim Einsatz einschaltbarer Ventile über kapazitive Energiespeicher für die Kom-
mutierung oder sie sind mit abschaltbaren Bauelementen (GTO, Transistor) ausgerüstet.
Der Oberbegriff für Stromrichter mit Zwangskommutierung lautet selbstgeführte Strom-
richter.
Stromrichter, die Wechselstromenergie in Gleichstromenergie oder umgekehrt umwandeln,
lassen sich danach unterscheiden, ob die Kommutierung auf der Wechselstrom- oder Gleich-
stromseite erfolgt:

À Stromrichter mit wechselstromseitiger Kommutierung arbeiten in der Regel fremdgeführt,


À Stromrichter mit gleichstromseitiger Kommutierung arbeiten selbstgeführt.
7.5 Mittelpunktschaltung M1 107

7.4 Leistungssteuerverfahren
Die Steuerung der elektrischen Energie erfolgt durch den schaltenden Betrieb
leistungselektronischer Bauelemente. Während für Wechsel- und Drehstromanwendungen die
Leistung durch verzögertes Einschalten der Verbraucherspannung erfolgt, muss bei
Gleichstromanwendungen die Verbraucherspannung periodisch ein- und ausgeschaltet werden
(Pulssteuerung).
ʱ Bei der Helligkeitssteuerung von Glühlampen
u und einfachen Antriebsanwendungen wird
die so genannte Phasenanschnittsteuerung an-
gewendet. Durch Änderung des Steuerwin-
ˈt kels ʱ kann die Verbraucherleistung stufenlos
eingestellt werden.

u Die Schwingungspaketsteuerung findet man


häufig bei Temperatur-Regelungsverfahren.
Es werden nur ganze Sinusschwingungen in
unterschiedlicher Anzahl an den Heizwider-
ˈt
stand gelegt.

Das Prinzip der Pulsbreitensteuerung (PWM)


u wird heute bei den meisten leistungselektro-
nischen Aufgaben angewandt. Die Leistung
wird durch Veränderung des Einschaltver-
Te2 t
Te1 hältnisses gesteuert. Aufgrund der bei allen
T T Maschinen vorhandenen Induktivitäten ist der
i Motorstrom gegenüber der Spannung geglät-
tet. Bei genügend hoher Taktfrequenz lassen
sich beliebige Stromkurvenformen (Gleich-
t strom, sinusförmiger Wechselstrom) erzielen.

Abbildung 7-2 Leistungssteuerung bei Gleich- und Wechselstromanwendungen

7.5 Mittelpunktschaltung M1
In Abb. 7-3 ist als einfaches Beispiel für eine Gleichrichterschaltung die einpulsige Mittel-
punktschaltung M1 dargestellt. Die positive Halbschwingung der sekundären Transformator-
spannung uS wird unverzögert auf die Last geschaltet. Die negative Halbschwingung wird
durch die Ventilwirkung der Diode gesperrt.
iN T id Abbildung 7-3
Ungesteuerte Gleichrichterschaltung M1 mit
uV ohmscher Last
uN uS R ud T: Transformator zur Spannungsanpassung und
Potenzialtrennung

Durch Anwendung des Maschensatzes nach Gl. (7-1) sind die Spannungsverhältnisse dieser
Schaltung beschrieben.
108 7 Stromrichterschaltungen

Ėu 0 ė u Sʅ uV ʅ ud ud uS ė u V mit u S uʒ S sin ʛˈ tʜ (7-1)

Die Ventilspannung uV ist abhängig vom Schaltzustand des Ventils. Die Schaltzustände des
Ventils werden durch die Stromrichtung bestimmt. Bei ohmscher Last will sich die Stromrich-
tung proportional zur Netzspannung uS einstellen.

uV uV

id id
uS ud uS M ud
M R R

ud: uS 0
uV: 0 uS
u S: >0 <0

Abbildung 7-4 Schaltzustände und Spannungen im vereinfachten Schaltbild

Bei einer sinusförmigen Spannung uS gilt für den Gleichspannungsverlauf nach Abb. 7-5
folgende Definition:

0 Ĺ ˈtĹˀ Diode leitet : ud ʒuS sinʛˈŏtʜ


(7-2)
ˀ Ĺ ˈt Ĺ 2ˀ Diode sperrt : ud 0

Abbildung 7-5
ud ud ûd Gleichspannungsverlauf
und Mittelwert njd der
0 ˀ 2ˀ ωt M1-Schaltung
Periodendauer

Man erkennt, dass die Gleichspannung neben einem Gleichanteil (Mittelwert njd = UdAV) auch
einen Wechselanteil ud~ enthält, d. h. die Gleichspannung ud ist eine Mischgröße. Eine
harmonische Analyse der Gleichspannung ud liefert die Fourierreihe:
n

ud ʛtʜ U dAV ʅ Ė ʛaʽ cosʛʽˈ tʜ ʅ bʽ sin ʛʽˈ tʜʜ U dAV ʅ ud ~ ʛtʜ (7-3)
ʽ 1

In Gl. (7-3) ist UdAV der Mittelwert oder Gleichrichtwert. Der Wechselanteil ud~(t) besteht aus
einer Reihe von sinusförmigen Schwingungen (Harmonischen) mit den Frequenzen ʽˈ und
Amplituden aʽ und bʽ.
T 2ˀ
2 1
a
ʽ ĩ u ʛt ʜ cosʛʽ ˈt ʜd t
T 0 d
ĩ u ʛˈt ʜcosʛʽˈ tʜd ˈ t
ˀ 0 d
(7-4)
7.5 Mittelpunktschaltung M1 109

T 2ˀ
2 1
bʽ ĩ u ʛt ʜsinʛʽ ˈ t ʜ d t
T 0 d
ĩ u ʛˈ t ʜsinʛʽ ˈ t ʜ d ˈ t
ˀ 0 d
(7-5)

Man bezeichnet die Anteile, deren Frequenz f mit der Frequenz der Netzspannung überein-
stimmt, als Grundschwingung mit der Ordnungszahl ʽ = 1. Fasst man die sin- und cos-Anteile
gleicher Frequenz zusammen, so erhält man für ud:
n
ud ʛtʜ U dAV ʅ Ė uʒ d ʽ sin ʛʽˈ tʅˍʽ ʜ (7-6)
ʽ 1

Wechselanteil ud~

Für die Amplitude und Phasenlage der Ȟ-ten Oberschwingung gilt:


a
mit uʒ d ʽ ʎa 2
ʽ
2
ʅ bʽ und ˍʽ arctan

ʽ
(7-7)

Den Mittelwert der Gleichspannung UdAV unter Vernachlässigung von Spannungsabfällen am


Ventil und am Netztransformator bezeichnet man als ideellen Gleichrichtwert Udi. Die ideelle
Gleichspannung Udi berechnet sich mit der Spannungsdefinition nach Gl. (7-2):

1
ˀ uʒ S
U di ŏĩ uʒ ŏsin ʛˈ t ʜd ˈ t ŏʛė>cosʛˀʜ ė cosʛ0ʜ@ʜ
2ˀ 0 S 2ˀ
(7-8)
uʒ S ʎ 2ŏU
U di S
0,45ŏU S
ˀ ˀ

Der Effektivwert UdRMS der Mischspannung ud(t) berechnet sich zu:

ʎ ʎ ʛ ʜ
2 ˀ
uʒ S ˀ
1 1 sin ʛ2ˈ t ʜ
U dRMS

ĩ sin ʛˈ tʜd ˈ t
2
uʒ S ŏ ŏˈ t ė
2ˀ 2 4
0 0
(7-9)
uʒ S US
U dRMS 0,707ŏU S
2 ʎ2
Der Gleichspannungseffektivwert UdRMS setzt sich aus dem Mittelwert Udi und einem Wech-
selanteil Udi~ entsprechend Gl. (7-10) zusammen.

Effektivwert U dRMS ʎ U 2di ʅ U 2di~ (7-10)

Bei ohmscher Last ruft die Gleichspannung ud als Gleichstrom id wiederum einen Mischstrom
mit dem Gleichanteil id= und dem Wechselanteil id~ nach Gl. (7-11) bzw. Abb. 7-6 hervor.

id id= ʅ id~ (7-11)


110 7 Stromrichterschaltungen

uN id~ Abbildung 7-6


uN
id Netzspannung (uN)
und -strom (id~)
ˀ id= 2ˀ
ωt Der Gleichanteil
(id=) wird von einem
Transformator nicht
übertragen.

Ohne vorgeschalteten Transformator wäre der Netzstrom iN ebenfalls eine Mischgröße und das
versorgende Wechselspannungsnetz mit einer Gleichstromkomponente id= belastet.
Der in Abb. 7-3 vorgeschaltete Transformator T überträgt nur den Wechselanteil id~ (Abb. 7-
6). Der Eisenkern wird durch den Gleichstrom id= als Magnetisierungsstrom vormagnetisiert.
Abb. 7-7 zeigt das Ersatzschaltbild der M1-Schaltung mit vorgeschaltetem Transformator .
L˂1 L˂2 id~
iN id Abbildung 7-7

iμ M1-Schaltung mit Netztrans-


formator (ü = 1)
uN
Lh id= M1 ud
À Strompfad des Gleichanteils
id= durch Lh

B Lh, diff / H

ʧB
0,6

Arbeitspunkt
ʧH
0,4
H
~ id= 0,2

-2 -1 0 1 2 3
iμ / A
Abbildung 7-8 Auswirkung des Gleichstrom-
anteiles auf den Arbeitspunkt Abbildung 7-9 Lh-Kennlinie

Der sekundärseitige Gleichanteil id= fließt als Magnetisierungsstrom über die wegen des Eisen-
kernes nichtlineare Hauptinduktivität Lh. Abb. 7-8 zeigt den dadurch verlagerten Arbeitspunkt
des magnetischen Kreises. Die modellierte Abhängigkeit der differentiellen Induktivität Lh,diff
vom Magnetisierungsstrom iμ zeigt Abb. 7-9 [16]. Als Folge des Gleichanteils und der Sätti-
gung des magnetischen Kreises ist der Magnetisierungsstrom unsymmetrisch. Abb. 7-10 zeigt
eine Simulation dieser Schaltung unter Berücksichtigung der Lh-Kennlinie nach Abb. 7-9.
7.5 Mittelpunktschaltung M1 111

i iN uN Abbildung 7-10
u
M1-Schaltung mit
iS ohmscher Last
Sättigungseinfluss auf
t den Netzstrom.

iμ: Magnetisierungs-
strom

7.5.1 Transformator-Bauleistung
Die Transformator-Bauleistung ST ist als Mittelwert von primärer Scheinleistung S1 und se-
kundärer Scheinleistung S2 definiert. Unter der Annahme eines verlustfreien Transformators
mit einer Primärwicklung 1 und einer Sekundärwicklung 2 erhält man für die Scheinleistung
die Beziehungen:
S1 U 1ŏI 1 S2 U 2ŏI 2 U und I sind Effektivwerte

S 1 ʅS 2
(7-12)
ST
2

À Bei einem Stromrichtertransformator können die Wicklungsströme Gleichanteile und


Stromoberschwingungen enthalten.
À Oberschwingungen und Gleichanteile übertragen keine Wirkleistung, führen aber zu
Stromwärmeverlusten (I² R) in den Wicklungen.
Primär- und sekundärseitig treten daher unterschiedliche Scheinleistungen auf. Ein Strom-
richtertransformator hat deshalb, bezogen auf die ideelle Gleichstromleistung Pd, eine ver-
gleichsweise große Bauleistung. Im Falle der M1-Schaltung mit ohmscher Last nach Abb. 7-3
erhält man für eine Netzspannung U1 von 230 V, einem angenommenen Widerstand von 10 ʰ
und einer Übersetzung von ü = 1 folgende allgemeingültige Aussage:

uʒ 2 uʒ 2
U 1 230 V U 2 162,63 V nach Gl. (7-9) und U di 103,54 V nach Gl. (7-8)
2 ˀ
U2 U di
analog: I S
10 ʰ
16,26 A Id
10 ʰ
10,35 A I1 I S~ ʎ I 2S ė 2
Id 12,54 A

S1 230 Vŏ12,54 A 2884 VA , S2 230 Vŏ16,26 A 3740 VA


mit S T 3312 VA nach Gl. (7-11) und P d U di I d 1071,6 VA
ST
folgt allgemein : 3,09
Pd

À Aufgrund der ungünstigen Baugröße (ST = 3,09 Pd) und dem Problem der Gleichstromvor-
magnetisierung scheidet die M1-Schaltung für Anwendungen höherer Leistung aus.
112 7 Stromrichterschaltungen

7.5.2 Kapazitive Last

uV mit uN uʒ N sin ʛˈŏtʜ



folgt für uC ʈ uN
iN uC uʒ N sin ʛˈŏtʜ
iC
uN uC
C
d uC
iC Cŏ
dt
Abbildung 7-11 M1-Schaltung mit kapazitiver Last

iC ʒi ŏcosʛˈŏt ʜ mit ʒi i C ʛ0ʜ ˈŏCŏʒu C (7-13)


C C

Im Nullpunkt ist wegen cos 0 = 1 der Anfangswert des Kondensatorstromes iC(0) gleich dem
Scheitelwert nach Gl. (7-13). Im Idealfall ist die Stromsteilheit in Abb. 7-12 nicht begrenzt. In
der Praxis stets vorkommende Leitungsinduktivitäten (L˂) bilden zusammen mit dem Kon-
densator C der M1-Schaltung nach Abb. 7-11 einen Reihenschwingkreis. Der Einschaltstrom
des Kondensators iC (t ĺ 0) bildet eine gedämpfte Schwingung und hat daher eine endliche
Steilheit im Nullpunkt. Die Stromamplitude dieser Schwingung kann durch Gleichsetzung der
Energie des elektrischen und magnetischen Feldes nach Gl. (7-14) berechnet werden.

W
1
2
2
ŏCŏu C
1
2 ˂ L
2
ŏL i daraus folgt: ʒi L ʒi
C
uʒ C ŏ
ʎ C
L
˂
(7-14)

Für verschwindende Induktivitätswerte Lσ strebt die Schwingungsamplitude îC gegen unend-


lich. Bei solchen Schaltungen ist eine Mindestinduktivität im Stromkreis erforderlich um den
Ladestrom zu begrenzen. Bei Verwendung eines Eingangstransformators ist hierfür die
Streuinduktivität des Transformators maßgebend.

uN
iN Strom-Eigenschwingung durch L˂

uC

iC uN

îC

ˀ 2ˀ
0 ωt

Abbildung 7-12 Kondensatorspannung und -strom, Einfluss von Leitungsinduktivitäten


7.5 Mittelpunktschaltung M1 113

Zur Beschreibung einer kapazitiven Glättung mit eingeprägtem Laststrom dient Abb. 7-13. Die
Last wird durch eine Konstantstromquelle I0 nachgebildet. Der Kondensator C wird abwech-
selnd geladen und entladen, so dass sich eine Gleichspannung uC nach Abb. 7-14 einstellt.
uV
K Abbildung 7-13
Kapazitive Last mit eingeprägtem
iN I0 Gleichstrom I0
iC
uN uC
C

In Abb. 7-14 ist für 0 < t < t1 die Gleichspannung uC durch die Netzspannung uN bestimmt (C
wird geladen). Im Bereich t1 < t ” t2 übernimmt der Kondensator C den gesamten Laststrom
und iN geht gegen Null. Für t > t2 wird C entladen und uC fällt linear ab. Der Spannungsabfall
ist proportional zu I0 und umgekehrt proportional zur Kapazität C. Sobald uN wieder größer uC
ist, schaltet sich die Diode ein und C wird geladen (uC = uN).
uN
iN iN ʴ
ud uC ĺ uN
iC
iC
uC
uN ʧud

ˀ I0 2ˀ ωt
0 t1 t2 t3 t

Stromübernahme

Abbildung 7-14 Strom- und Spannungsverläufe bei der kapazitiven Glättung mit eingeprägtem
Laststrom. Es treten unterschiedliche Leitzustände auf.

Abb. 7-15 zeigt die Schaltzustände bei einer kapazitiven Glättung. Mit dem rechten Schaltbild
kann die Schwankung der Gleichspannung ud ermittelt werden. Mit einer Konstantstromquelle
ermittelt man wegen des linearen Spannungsabfalls im Vergleich zu einer ohmschen Last mit
ihrem exponentiellen Spannungsverlauf eine etwas größere Spannungsdifferenz. Die Schwan-
kung der Gleichspannung wird durch die Welligkeit wU nach Gl. (7-15) beschrieben. Darin ist
Ud,Ȟ der Effektivwert der Ȟ-ten Oberschwingung

ʎĖ
Ğ

U d,ʽ
ʽ 1 (7-15)
Spannungswelligkeit wU
U di
114 7 Stromrichterschaltungen

laden 0 Ĺ t ʆ t2 entladen t 2 Ĺ t Ĺ t3
K K
iN I0
iC I0 iC
uN uC uC
C C

K: ʬi 0 ėi N ʅ iC ʅ I 0 ėi Cė I 0 0
iN iC ʅ I 0 iC ėI 0
d uC I0
iC C uC uN uC ʛt2 Ĺ t Ĺ t 3 ʜ uC ʛt2 ʜ ė ŏʛt ė t 2 ʜ
dt C

Abbildung 7-15 Leitzustände bei der kapazitiven Glättung

7.5.3 Ohmsch-induktive Last


Mit dem Ansatz des Maschensatzes auf Abb. 7-16 folgt die Differenzialgleichung (7-16):

di N
iN uN uʒ N sin ʛˈ tʜ iN R ʅ L (7-16)
V1 dt
uR R
uN ud Mit der Lösung für iN:
uL L t
ė
ʒi ʛsin ʛˈ t ė ˍʜ ʅ sin ʛˍʜ e ˃ (7-17)
iN N ʜ
Abbildung 7-16 Ohmsch-induktive Last

Die Lösung dieser Differenzialgleichung enthält abhängig vom Widerstandswert R folgende


charakteristische Größen:

Tabelle 7.1 Kennwerte der Stromgleichung


R>0 R=0
uʒ N uʒ N
Strom-Scheitelwert ʒi ʒi
N
ʎ R 2 ʅ ʛˈ Lʜ2 N ˈL
L
Zeitkonstante ˃ ˃ Ğ
R
ˈL
Phasenwinkel ˍ arctan ˍ 90°
R
7.5 Mittelpunktschaltung M1 115

uʒ N iN Abbildung 7-17
Stromverlauf bei ohmsch-
Diode sperrt induktiver Last mit einer Diode
ʒi sin ʛˍʜ in Reihe
N 2ˀ

0 ˀ į: Stromflusswinkel
ʒi sin ʛėˍʜ
ωt
N
ij: Phasenwinkel
ˍ
ˈ˃
į

Bei verschwindend kleinem Widerstand R ist ij = 90° und IJ = ’. Gl. (7-17) geht dadurch über
in Gl. (7-18). Der Gleichanteil klingt nicht mehr ab und an der Induktivität liegt eine Wechsel-
spannung. Für den Netzstrom iN folgt daraus eine Mischgröße.

i N ʛtʜ ʒi ŏʛ1 ė cosʛˈŏtʜ ʜ (7-18)


N

7.5.4 Ohmsch-induktive Last mit Freilaufdiode

uV1
iN id Abbildung 7-18
Mittelpunktschaltung mit Freilauf-
iD
uR R zweig, M1F
uN ud
M uV2
uL L

Eine Weiterentwicklung der M1-Schaltung stellt die Einführung einer zusätzlichen Diode V2
parallel zur Last dar. Man erhält die M1F-Schaltung nach Abb. 7-18. Sobald die Netzspannung
uN negative Werte annimmt wird uV2 > 0 wodurch V2 einschaltet und den Laststrom über-
nimmt. Durch die Rückwärtsbelastung sperrt das Netzventil V1 sofort. Der Diodenstrom wird
dann von der Induktivität L aufrecht erhalten und klingt mit der Zeitkonstanten ˃ ab. Zur Er-
mittlung der Ventilspannung uV1 wird die Maschengleichung M aufgestellt. Die Bedingung
zur Stromübergabe an die Freilaufdiode ist uV2 > 0.
ʬu 0 ėu N ė uV2 daraus folgt: u V2 ėu N (7-19)

À Die Freilaufdiode V2 leitet, sobald die Netzspannung uN negative Werte annimmt.


À V1 übernimmt den Strom, sobald die Netzspannung positive Werte annimmt.
Die Schaltzustände sind in Abb. 7-19 dargestellt, die Ventilströme zeigt Abb. 7-20.
À Die Stromübernahme der Ventile bezeichnet man als Kommutierung.
À Die Stromübernahme der Ventile ist von der Netzspannung uN geführt, weshalb diese
Schaltung als „netzgeführt“ bezeichnet wird.
116 7 Stromrichterschaltungen

V1 id V1 id
iN R R
uN V2 ud uN V2 ud
uL L uL
L

u N ʇ 0, V1 leitet, V 2 sperrt u N ʆ 0, V1 sperrt, V 2 leitet


d id d id
ud uN , ʇ 0 ud 0 , ʆ 0
dt dt
Abbildung 7-19 Leitzustände der M1F-Schaltung

In Abb.7-20 ist an den Ventilströmen zu erkennen, dass sich die Ventile V1 und V2 von der
Netzspannung gesteuert ablösen. Wegen der Vernachlässigung eingangsseitiger Induktivitäten
(z. B. durch den vorgeschalteten Transformator) erfolgt die Ventilablösung (Kommutierung)
verzögerungsfrei jeweils im Spannungsnulldurchgang der Netzspannung.
uN > 0 uN < 0 uN > 0
Abbildung 7-20
uN
Ventilablösung bei der M1-Schaltung
Ȧt À Die Polarität Netzspannung uN steuert die
iV1 Ventilablösung. Daher wird diese Schaltung
als „netzgeführt“ bezeichnet.
Ventil- Ȧt
V1 ĺV2 V2 ĺV1 Leitet V2, so ist ud = 0 und der Gleichstrom id
ablösung
iV2 klingt mit der Zeitkonstanten IJ ab.

Ȧt
id

Ȧt

7.6 Wechselwegschaltung W1
Fügt man antiparallel zur M1-Einwegschaltung ein zweites Ventil hinzu, liegt zusätzlich die
negative Halbschwingung der Spannung uN an der Last. Die Ausgangsspannung uL ist jetzt
eine Wechselspannung. Zur Steuerung des Energieflusses werden Thyristoren als steuerbare

V1 ʱ1
Abbildung 7-21
iN
Wechselwegschaltung W1 mit ohmscher Last
Beide Ventile werden mit dem gleichen Steuerwinkel
ʱ2 V2 betrieben, d. h. ʱ1 = ʱ2 = ʱ.
uN R uL
uV
7.6 Wechselwegschaltung W1 117

Ventile eingesetzt. Die Schaltung nach Abb. 7-21 wird dann als Wechselwegschaltung W1 be-
zeichnet. Die Zündimpulse für V1 und V2 sind um 180° versetzt. Der Steuerwinkel Į ist auf
die Eingangsspannung uN synchronisiert. Beim Betrieb dieser Schaltung lassen sich zwei Ver-
fahren anwenden.
À Durch verzögertes Einschalten mit Einzelimpulsen kann der Effektivwert Lastspannung uL
verändert werden. Die Schaltung arbeitet dann als Wechselstromsteller, wie er zum
Beispiel als Dimmer zum Einsatz kommt.
À Durch unverzögertes Einschalten kann die Schaltung zum definierten Einschalten eines
Wechselstromverbrauchers eingesetzt werden. Diese Anwendung entspricht einem Wech-
selstromschalter, z. B. einem „Halbleiter-Relais“ oder „elektronischen Schütz“.

Zum Steuern und Schalten von Drehstromverbrauchern können drei Wechselwegschaltungen


W1 zu einem Drehstromsteller W3 zusammengeschaltet werden. alle Ventile werden mit dem
gleichen Steuerwinkel Į angesteuert, so das ein symmetrisches Drehstromsystem erhalten
bleibt. Der Verbraucher kann in Stern- oder Dreieckschaltung betrieben werden.

7.6.1 Stellerbetrieb mit ohmscher Last


Abb. 7-22 zeigt die Ausgangsspannung uL bei Steuerung mit den Winkeln ʱ1 = ʱ2 = ʱ Es ist
erkennbar, dass die Spannungszeitfläche durch zunehmend verzögertes Einschalten kleiner
wird. Dieser Zusammenhang wird durch den Effektivwert UL nach Gl. (7-23) beschrieben.
Gleichzeitig verschiebt sich die Stromgrundschwingung iN,1, so dass die Schaltung auch bei
ohmscher Last eine induktive Blindleistung Q1 aus dem Netz bezieht.

Abbildung 7-22
u ʱ1 uL
i Lastspannung uL und Stromgrundschwingung iN,1
bei ohmscher Last
iN,1
À Die ohmsche Last nimmt bei ʱ > 0 scheinbar die
Grundschwingungsblindleistung Q1 auf.
š ˈt
ij1: Phasenverschiebung
der Stromgrundschwingung
ˍ1
ʱ2 į: Stromflusswinkel

Zur Berechnung der Ausgangsspannung UL wird in Abhängigkeit von ʱ die Leistung PL im


Widerstand R in Abhängigkeit vom Steuerwinkel ʱ berechnet.


1
Wirkleistung : PL

ĩ u L iL d ˈ t (7-20)
0

Definition der Lastspannung uL : 0 Ĺ ˈt ʆ ʱ : uL 0


ʱ Ĺ ˈt Ĺ ˀ : u L uN ʎ 2U N sin ʛˈ tʜ
118 7 Stromrichterschaltungen

ˀ
1 uL
PL
ˀR
ĩ ʛ ʎ 2U N sinʛˈ tʜʜ2 dˈ t mit iL
R
ʱ

(7-21)

^ ` ^ `
2 ˀ 2
2U N ˈt sinʛ 2ˈ tʜ UN sin ʛ2ʱʜ
PL ŏ ė ŏ ˀ ė ʱ ʅ
ˀR 2 4 ʱ ˀR 2

Abbildung 7-23
iL Zur Leistungsbetrachtung der W1-Schaltung
ʱ
PN uL PL Der Wechselstromsteller sei verlustfrei, d. h.
uN R PN = PL.

Für die Leistung im Widerstand R in Abb. 7-23 gilt aber auch

2
UL
PL I 2LŏR (7-22)
R

so dass sich durch Gleichsetzen von G. (7-21) mit Gl. (7-22) für den Effektivwert der Last-
spannung UL schließlich schreiben lässt:

UL U Nŏ
ʎ 1
ˀ ^
ŏ ˀė ʱʅ
sin ʛ2 ʱʜ
2 ` (7-23)

Die Steuerkennlinie der Spannung UL zeigt Abb. 7-24.

1,0 Abbildung 7-24


UL
0,8 Wechselstromsteller
UN

0,6 Steuerkennlinie der Ausgangs-


spannung UL bezogen auf die
0,4 Eingangsspannung UN bei
ohmscher Last.
0,2

0° 60° 120° 180° ʱ


7.6 Wechselwegschaltung W1 119

7.6.2 Stellerbetrieb mit ohmsch-induktiver Last


In der Praxis ist häufig der ohmsch-induktive Belastungsfall anzutreffen. Man erhält ein
Schaltbild entsprechend Abb. 7-25.

V1 ʱ1 Abbildung 7-25
iN
Wechselstromsteller mit R-L-Last

L ˈL
Phasenwinkel: ˍ arctan
ʱ2 V2 R
uL
uN Lastzeitkonstante ˃ L
uV R R

Es gilt: Į1 = Į2 = Į

Es wird in jeder Halbperiode der Netzspannung ein Thyristor angesteuert. Der Strom fließt ab
dem Steuerwinkel ʱ jeweils bis zum natürlichen Stromnulldurchgang. Der Laststrom fließt
während des Stromflusswinkels į (Abb. 7-26).
Der Stromflusswinkel į ändert sich mit dem Steuerwinkels ʱ Damit ist der Effektivwert des
Laststromes IN steuerbar. Im Falle einer ohmsch-induktiven Last ist der Steuerbereich für Į
durch den Phasenwinkel ij der R-L-Last jedoch eingeschränkt auf

ˍ Ĺ ʱ Ĺ 180° (7-24)

ʱ1
u ʱ2
i ˍ uL
iN

ˀ ˈt

į ʱ=ij
ʱ>ij

Abbildung 7-26 Strom- und Spannungsverläufe bei ohmsch-induktiver Last

Bei Verminderung des Steuerwinkels auf Werte ʱ < ˍ bleibt die Zündung des Thyristors für
die entgegengesetzte Stromrichtung wirkungslos, da der Thyristor für die andere
Stromrichtung noch leitend ist. Der Netzstrom wird nur mit einer Halbschwingung geführt.
Der Thyristor für die zweite Halbschwingung ist erst für ˈt > ʱ + į steuerbar. Bei den
üblichen nadelförmigen Zündimpulsen liegt hier jedoch kein Zündsignal mehr vor.
120 7 Stromrichterschaltungen

7.6.3 Schaltbetrieb mit ohmsch-induktiver Last


Betrachtet wird das Einschalten einer ohmsch-induktiven Last in Abhängigkeit vom Einschalt-
zeitpunkt, beschrieben durch den Steuerwinkel ʱ. Die Differenzialgleichung für den Strom iN
nach Gl. (7-16) wird nun unter Berücksichtigung des Steuerwinkels ʱ mit Gl. (7-25) gelöst.
Die Simulationsrechnung nach Abb. 7-27 zeigt einen Einschaltvorgang mit der natürlichen
Phasenverschiebung (Į = ij) im Vergleich zum Einschaltvorgang im Nulldurchgang der
Netzspannung uN (Į = 0°). Der Scheitelwert des Stromes iN kann bei einer linearen
Induktivität L bis zum zweifachen Wert von îN ansteigen. Der Maximalwert tritt nach einer
halben Periodendauer auf. Der Werte für îN , ij und IJ sind Tab. 7.1 zu entnehmen.

ʛˈ t ėʱʜ
ė
ʒi ŏ>sin ʛˈt ė ˍʜ ʅ sin ʛˍ ė ʱʜ e ˈ˃
iN N @ (7-25)
abklingender Gleichanteil

u, Į = ij
i iN

0
ˈt

uN

iN abklingender Gleichanteil
u,
i Į = 0°

0
ˈt
uN

ˈ˃

Abbildung 7-27 Einschaltvorgang, L = konstant


oben: mit natürlicher Phasenverschiebung (ʱ = ij)
unten: im Spannungsnulldurchgang der Netzspannung (ʱ = 0°)
121

8 Wechselstromschaltungen

8.1 Die Mittelpunktschaltung M2U


Eine einfache Ausführung eines netzgeführten Stromrichters stellt die ungesteuerte Zweipuls-
Mittelpunktschaltung nach Abb. 8-1 dar. Durch die aufgeteilten Wicklungen des Trans-
formators stehen zwei um 180° phasenverschobene Spannungen uS1 und uS2 zur Verfügung.
Die Ventile wechseln sich daher in der Stromführung im Spannungsnulldurchgang der Sekun-
därspannungen ab. Bei idealen Ventilen liegt während der positiven Halbschwingung von uS1
am Lastwiderstand R die Spannung ud = uS1. Außerdem ist id = iS1. Während der folgenden
Halbperiode gilt: ud = uS2 und id = iS2. Die Gleichspannung ud ist eine Mischgröße.

uP
Mittelwert
uP uP u
ud
2 2
ûS
uS1 uS2
Udi
1 2
iS1 u12 iS2 ˀ 2ˀ ˈt
uS2 uS1 Ventilablösung
id R

ud
Abbildung 8-1 Ungesteuerte M2-Schaltung mit ohmscher Last

8.1.1 Gleichspannungsbildung
Der Mittelwert der Gleichspannung ud berechnet sich analog zur M1-Schaltung. Da sich die
Kurvenform bereits nach 180° wiederholt, erfolgt die Mittelwertbildung über 180° bzw. ˀ.
ˀ
1
U di = ud = ŏĩ u d ˈ t ud uʒ S Ģ sin ʛˈŏtʜĢ uʒ S ʎ 2ŏU S
ˀ 0 d
uʒ S (8-1)
U di >ėʛcosˀ ė cos0ʜ@
ˀ

2
Ideelle Gleichspannung: U di = ŏʒu 0,9 U S (8-2)
ˀ S

ʎ
ˀ
1 1
Effektivwert: U diRMS = ŏĩ u 2 d ˈ t U diRMS = uʒ US (8-3)
ˀ 0 d ʎ2 S
122 8 Wechselstromschaltungen

8.2 Die gesteuerte Mittelpunktschaltung M2C


Ersetzt man in der Mittelpunktschaltung nach Abb. 8-1 die Dioden durch Thyristoren, so erhält
man die gesteuerte Mittelpunktschaltung M2C nach Abb. 8-2. Darin schaltet der Steuergenera-
tor St die Ventile T1 und T2 abwechselnd über die Gatestromimpulse iG1 und iG2 ein. Die zeit-
liche Lage dieser Gatestromimpulse wird auf die positiven Spannungsnulldurchgänge der
Spannungen uS1 bzw. uS2 bezogen. Zu diesem Zweck wird der Steuersatz (Abb. 8-3) mit der
Netzspannung synchronisiert. Der Abstand der Gatestromimpulse zu den positiven Spannungs-
nulldurchgängen wird durch den Steuerwinkel Įbeschrieben.

iP iS1 T1 Steuerwinkel ʱ
L1 id
uV1
iG1 uS1 ud
R Ventilspannung
USt
Gatestrom
1800 ĵ ˀ
St uS2
iG2 ˈt
N iS2
Ventilspannung > 0
T2 <möglicher Zündbereich>

Abbildung 8-2 Gesteuerte M2-Schaltung (M2C) mit ohmscher Last

8.2.1 Die Wirkungsweise des Steuergenerators

Synchronisationsspannung Halbschwingungsauswahl
uSyn
VZ
Nulldurchgang Potenzialtrennung

I0 SI Komparator G1
>0
K
uC ZI K1
T <0
C Impulsbildung G2
uSt
Verstärkung
Steuerspannung K2
10 V
Abbildung 8-3 Steuersatz für eine M2-Schaltung

Der Kondensator C wird über eine Konstantstromquelle mit I0 geladen. Die Spannung uC steigt
dadurch zeitproportional an. Der Transistor T wird in den Nulldurchgängen der Synchronisati-
onsspannung uSyn angesteuert und entlädt jeweils den Kondensator C, so dass uC einen säge-
zahnförmigen Verlauf annimmt (siehe Abb. 8-4). uC wird mit der Steuerspannung uSt im
Komparator K verglichen. Im Schnittpunkt beider Spannungen wird von K ein Impuls von der
Dauer des Zündimpulses ZI ausgelöst. Der Impuls wird über den Schalter S so geschaltet, dass
immer der blockierende Thyristor einen Zündimpuls erhält. Der Zündimpuls ZI ist gegenüber
dem Spannungsnulldurchgang von uSyn um Ɨt bzw. um den Steuerwinkel Į = ȦƗt verzögert
(Abb. 8-2). Der Steuerwinkel liegt im Bereich 0 < Į < 180°.
8.2 Die gesteuerte Mittelpunktschaltung M2C 123

Nulldurchgang
uSyn
t

VZ
t

SI
t
uC Schnittpunkt

uSt

t
ZI
ǻt t

Abbildung 8-4 Signalverläufe des Steuersatzes

8.2.2 Passive Last


8.2.2.1 Ohmsche Last
Die Spannungsbildung der M2C-Schaltung soll am Beispiel einer ohmschen Last mit Abb. 8-5
betrachtet werden. Der Strom id verhält sich proportional zu ud, so dass Strom- und Span-
nungsnulldurchgänge gleichzeitig auftreten.

u u ud Abbildung 8-5
S1 uS2
Gleichspannungsbildung bei der
Udi ( ʱ ) gesteuerten M2-Schaltung

ˈt
ˀ Definition der Gleichspannung:

0 Ĺ ˈ t Ĺ ʱ : ud = 0
ʱ ʱ ʱ Ĺ ˈt Ĺ ˀ : u d = uʒ Sŏsin ʛˈŏtʜ
id
mit: uʒ S uʒ S1 uʒ S2

2ˀ ˈt

Berechnung des Spannungsmittelwertes UdiĮ:

U
1
ˀ

ŏĩ uʒ ŏsin ʛˈ t ʜ d ˈt
ʎ 2 ŏU ŏʛ1 ʅ cosʛʱʜʜ
ʎ2 0,45 (8-4)
diʱ ˀ ʱ S ˀ S ˀ
124 8 Wechselstromschaltungen

8.2.2.2 Ohmsch-induktive Last


Bei einer ohmsch-induktiven Last in Abb. 8-6 wird der Gleichstrom durch die Speicherwir-
kung der Induktivität bestimmt, d. h. man erhält den Gleichstrom id durch Bildung der Span-
nungszeitfläche an der Induktivität und anschließende Division durch L.
1
id
L
ĩ uL d t (8-5)

Für die Spannung uL erhält man aus dem Maschenumlauf in Abb. 8-6:
uL u d ė uR mit uR Rŏid (8-6)

In Abb. 8-6 ist die Spannungszeitfläche an der Induktivität grau dargestellt. Bei konstantem
Mittelwert Ưd sind positive und negative Spannungszeitflächen gleich groß, d. h. njL = 0.

ud uR
ud

+
id
id
R L
uL ˈt
uR uL

Abbildung 8-6 M2C-Schaltung mit R-L-Last bei einem Steuerwinkel ʱ = 0° und Ưd = konstant

Für Į größer 0° treten in Abb. 8-7 negative ud-Werte auf. Dadurch kann die Energie der Induk-
tivität L abgebaut sein bevor das nächste Ventil einschaltet und der Gleichstrom id wird unter-
brochen. Man sagt, der Gleichstrom lückt. Der Steuerwinkel Į, bei dem dieses Stromlücken
auftritt wird als Lückwinkel ʱLG bezeichnet (Abb. 8-7a). Während des Lückens ist bei der pas-
siven Last die Gleichspannung Null. Im Lückbetrieb ist in Abb. 8-7b durch den Wegfall der
negativen Spannungszeitfläche A der Mittelwert Udiʱ angehoben. Der Stromflusswinkel ʴ be-
trägt im nichtlückenden Betrieb 180° und ist im Lückbetrieb < 180°.
a) Lückgrenze Į !ĮLG b) Lücken
ʱ ʱLG
ud ud Lücken
uR

uR

id id

ˈt ˈt
uL uL
A
ʴ= 180°
ʴ< 180°

Abbildung 8-7 Betrieb mit und ohne Lücken, Definition der Spannungszeitfläche A

Im Lückbetrieb nach Abb. 8-7b berechnet sich die Gleichspannung Udi abhängig vom Steuer-
winkel ʱ und vom Stromflusswinkel ʴ nach Gl. (8-7), [8].
8.2 Die gesteuerte Mittelpunktschaltung M2C 125

ʱ ĺ ʱ LG : ʛ180° ė ʱʜ Ĺ ʴ ʆ 180° : ( Lückbetrieb )

ʱʅʴ
1 ʴ ʴ (8-7)
U = uʒ S ŏ ĩ sin ʛˈ tʜd ˈ t = U di0ŏsinʛ ʜŏsin ʛʱ ʅ ʜ
di ʱ ˀ ʱ 2 2

À Für ʱ! 90° muss bei passiver Last der Gleichstrom aus energetischen Gründen Lücken und
der Gleichspannungsmittelwert bleibt positiv.
À Für eine negative Gleichspannung Udiʱ ist eine Energiequelle auf der Gleichspannungsseite
erforderlich, d. h. eine aktive Last. Udiʱberechnet sich dann mit Gl. (8-12).
Der Gleichspannungsmittelwert Udiʱ des Stromrichters mit R-L-Last liegt, abhängig vom
Zündwinkel ʱ und der Lastzeitkonstanten ˃L, zwischen den Grenzkennlinien für rein ohmsche
Belastung (lückender Betrieb, ʴ  180°) und dem Fall der idealen Glättung (nichtlückender
Betrieb, ʴ = 180°). Der Gleichspannungsmittelwert ist im Lückbetrieb um den Anteil der nega-
tiven Spannungszeitfläche A erhöht. Für nichtlückenden Betrieb ist A = 0. Die Kennlinien für
passive Last zeigt Abb. 8-8.

1 Abbildung 8-8
U Grenzkurven für den Anstieg des
di ʱ
U di ohmsche Last Gleichspannungsmittelwertes durch
Lückeinsatz im Gleichrichterbetrieb bei
0,5 RL-Last passiver Last
mit Lücken
Der schraffierte Bereich ist von der Last-
RL-Last
ohne Lücken Zeitkonstanten ˃L bestimmt. Die Gleich-
spannung ermittelt sich bei bekanntem
0
Stromflusswinkel į mit Gl. (8-7).
30° 180°
Steuerwinkel D

Tabelle 8.1 Typische Stromverläufe

id
Ideal geglätteter Gleichstrom
t
id
Nichtlückender Gleichstrom
t
Mischstrom

id
Gleichstrom an der Lückgrenze
t
id
Lückender Gleichstrom
t
126 8 Wechselstromschaltungen

8.2.3 Aktive Last


Häufig tritt bei Gleichrichterschaltungen der Fall auf, dass im Gleichstromkreis eine Span-
nungsquelle Uq vorhanden ist, z. B. bei einer Gleichstrommaschine. In Abb. 8-9 ist diese
Gleichstrommaschine durch die aktive R-L-Uq Standardlast nachgebildet. Bezüglich der Span-
nungspolarität von Uq sind zwei Fälle zu unterscheiden:
a) b)

uS1 uS1
ud ud
T1 T1

M M

id id R L
R L

u Uq u Uq
Gegenspannung Mitspannung

Abbildung 8-9 M2-Schaltung mit aktiver Last (Gegen- und Mitspannung)

À Gegenspannung (motorischer Betrieb)


Ist, wie in Abb. 8-9a, die Spannung Uq der Gleichspannung ud entgegen gerichtet, so spricht
man von einer Gegenspannung. An der Impedanz des Lastkreises liegt die Spannung u.
u ud ė U q (8-8)

Die Spannung u ist um den Betrag der Gegenspannung Uq vermindert. Dieser Fall tritt z. B. bei
Speisung eines Gleichstrommotors auf. Die Gegenspannung Uq entspricht dann der (drehzahl-
abhängigen) induzierten Spannung des Motors. Damit die Thyristoren (erstmalig) zünden kön-
nen, muss der Augenblickswert der Netzspannung uS größer sein als die Gegenspannung Uq,
andernfalls werden beide Thyristoren in Sperrrichtung betrieben. Für den Steuerwinkel ʱ folgt
daraus ein Mindestwert, ab dem eine Zündung möglich ist (ʱmin) und ein maximaler Wert bis
zu dem eine Zündung spätestens erfolgen muss (ʱmax). Abb. 8-10 zeigt beispielhaft diese Ein-
schränkung des Steuerwinkels ʱ. Bei einer idealen Stromglättung und vernachlässigbaren
ohmschen Widerständen ist die Gleichspannung Udiʱ gleich der Gegenspannung Uq.

u uS Abbildung 8-10
Steuerbereich der M2-Schaltung mit Gegenspan-
Uq nung und ohmscher Last
Die Grenzen des Steuerbereiches folgen aus der
Steuerbereich
Bedingung:
uS > Uq.
0 ʱ
min ʱmax ˀ ˈt
8.2 Die gesteuerte Mittelpunktschaltung M2C 127

Bei nicht idealer Glättung tritt durch die Kurvenform der Gleichspannung ud eine Welligkeit
des Gleichstromes auf. Sobald der Momentanwert id aufgrund der Welligkeit negative Werte
annehmen will, sperren die Ventile und der Gleichstrom lückt. Der Lückeinsatz der M2-Schal-
tung ist dadurch nicht nur abhängig vom Steuerwinkel ʱ und der Lastzeitkonstanten ˃L, son-
dern bei aktiver Last auch vom Motorstrom Id. Während bei einem großen Motorstrom meist
kein Lücken auftritt, setzt bei einer Entlastung des Motors im Allgemeinen Lücken ein. Den
Verlauf der Gleichspannung ud im Lückbetrieb zeigt Abb. 8-11a. Im Lückbetrieb entfallen An-
teile der negativen Spannungszeitflächen (A), wodurch die Gleichspannung Udiʱ – und somit
auch die Drehzahl ˈ der Gleichstrommaschine – größer ist als im lückfreien Betrieb. Der
Drehzahlanstieg im Lückbetrieb führt somit (ungeregelt) zu einem Anstieg der Gleichspannung
Udiʱ. Der Maximalwert ist durch den Scheitelwert der Wechselspannung US gegeben und er-
mittelt sich nach Gl. (8-9).

a) b)
ud ʱ ud
u ʱ u
uS1 uS2 uS1 uS2

Udiʱ Udiʱ
ˀ 2ˀ
ˈt ˀ 2ˀ ˈt
A

ʴ
i ʴ lücken i
id
id
Id
Id
ˈt ˈt
Abbildung 8-11 M2C-Schaltung mit Gegenspannung bei unterschiedlichem Gleichstrom Id

U di
U = ʎ 2U S = ʎ2 = 1,57 U di (8-9)
diʱ max 0,9

À Mitspannung (generatorischer Betrieb)


Haben ud und Uq die gleiche Richtung, so liegt an der Lastimpedanz die Spannung:
u ud ʅ U q (8-10)
Die Spannung u ist um den Betrag der Spannung Uq erhöht. Die Spannung Uq wird dann als
Mit- bzw. Zusatzspannung bezeichnet. Dieser Fall tritt z. B. bei einer generatorisch arbeitenden
Gleichstrommaschine auf. Für den Gleichstrommittelwert Id gilt:
U ʅ Uq
diʱ (8-11)
Id ʇ 0
R
128 8 Wechselstromschaltungen

Durch die Mitspannung Uq kann die positive Stromrichtung auch bei negativer Gleichspan-
nung Ud beibehalten werden. Die Lückgrenze des Steuerbereiches bei RL-Glättung nach Abb.
8-8 von ʱLG Ĺ 90° ist damit aufgehoben, wodurch für den Energieaustausch zwischen Wech-
selstromnetz und Gleichstromnetz folgende Fälle auftreten können:

Die Gleichspannung Udiʱ ist positiv. Zusammen mit dem positiven


Laststrom Id ergibt sich auf der Gleichstromseite eine positive Wirk-
0lĹʱĹ90l
leistung Pd. Die Energieflussrichtung ist vom Wechselstromnetz zum
Gleichstromnetz. Der Stromrichter wird als Gleichrichter betrieben.
Die Gleichspannung Udiʱ ist null. Obwohl ein positiver Laststrom Id
ʱ 90l fließt, ergibt sich keine Wirkleistung. Es kommt zwischen Wechsel-
stromnetz und Gleichstromkreis zu keinem Energieaustausch.
Die Gleichspannung Udiʱ ist negativ. Mit dem positiven Laststrom Id
ergibt sich eine negative Wirkleistung. Die Energieflussrichtung ist
90l<ʱĹ180l
vom Gleichstromnetz in das Wechselstromnetz. Der Stromrichter wird
als Wechselrichter betrieben.

Bei aktiver Last und im nichtlückendem Betrieb berechnet sich die Gleichspannung Udiʱ nach
Gl. (8-12). Die Steuerkennlinien zeigt Abb. 8-12.

1
ˀʅʱ
uʒ N
U ŏ ĩ uʒ ŏsin ʛˈ tʜd ˈ t ŏʛėʛcosʛˀ ʅ ʱʜ ė cosʛʱʜʜʜ
di ʱ ˀ ʱ N ˀ
mit: ėcosʛˀ ʅ ʱʜ cosʛʱʜ (8-12)
uʒ N
U diʱ 2ŏ ŏcosʛʱʜ 0,9U N cosʛʱʜ
ˀ

1 ohmsche Last Abbildung 8-12


Steuerkennlinien der M2-Mittelpunktschal-
tung für ohmsche Last und für den Betrieb
U mit eingeprägtem Gleichstrom
di ʱ
U di eingeprägter Für Steuerwinkel ʱ > 90° arbeitet die M2-
Gleichstrom Schaltung im Wechselrichterbetrieb. Die
180°
0 Energie wird vom Gleichstromnetz in das
30° 90° 120° Wechselstromnetz übertragen. Dafür ist eine
D
aktive Last erforderlich.

Der theoretische Steuerbereich der M2-


Schaltung beträgt:

0 Ĺ ʱ ʆ 180°
í1
Passive Last Aktive Last
8.2 Die gesteuerte Mittelpunktschaltung M2C 129

8.2.4 Ventilbelastung
Den Ventilstrom für unterschiedliche Lastfälle zeigt Tabelle 8.2.

Tabelle 8.2 Ventilstrom mit und ohne Glättung

Ohmsche Last ideale Glättung

îV Id

0 ˀ 2ˀ ˈt 0 ˀ 2ˀ ˈt
Mittelwert Effektivwert Mittelwert Effektivwert
ʒi ʒi Id Id
V V
IV I V,RMS IV I V,RMS
ˀ 2 2 ʎ2

Zur Ermittlung der Spannungsbelastung dient das vereinfachte Schaltbild der M2-Schaltung
nach Abb. 8-13. Darin sind beide Ventile als Schalter dargestellt, die jeweils bei positiver Ven-
tilspannung geschlossen und bei negativer Ventilspannung uV geöffnet sind. In Abb. 8-13 ist
beispielsweise V1 geschlossen, V2 offen.

iP uP
u u21
uS2
uS1
uS1 uS2 uʒ S
iS1 iS2 ûV2 ˈt
u21 V2 uV2
V1
uV2
id R

ud
Abbildung 8-13 Ventilspannung uV2

Die Ventilspannung uV2 folgt wieder aus der Maschengleichung in Abb. 8-13 .

M :Ė U 0 u V2 ʅ uS1ė uS2 (V 1 leitend, V 2 sperrt )


(8-13)
Ventilspannung : u V2 u S2 ė u S1 u 21

À Die Ventile müssen in Rückwärtsrichtung (Sperrbeanspruchung) dem doppelten


Scheitelwert der Spannung uS standhalten.
130 8 Wechselstromschaltungen

8.2.5 Trafo- und Netzgrößen


Bei idealer Stromglättung verlaufen die Ventilströme iS1 bzw. iS2 rechteckförmig entsprechend
Abb. 8-14. In den Sekundärwicklungen des Transformators fließt ein Mischstrom, d. h. ein
Gleichstrom iS= mit überlagertem Wechselstrom iS~. Im magnetischen Kreis kann sich kein
Gleichfluss ausbilden, so das im Eisenkern wird nur ein magnetisches Wechselfeld vorliegt.
uS1
u iS1
i
iS1= iS2
0 ˀ 2ˀ ˈt
iP iS1
uS2
uS1
uP iS2= iS1=
iS2
u

i
0 iS2=
ˀ 2ˀ ˈt
uS2

Abbildung 8-14 Sekundärströme und -spannungen mit Transformator-Ersatzschaltbild


Der Netzstrom iP ist nach Abb. 8-15 ein rechteckförmiger Wechselstrom.

uP Abbildung 8-15
iP Netzgrößen der M2-Schaltung

0 ˀ 2ˀ ˈt

Für die Scheinleistung ST erhält man Gl. (8-2) bei den angegebenen Stromkurvenformen und
einer angenommenen Übersetzung des Transformators von NP/NS = 1 (dann ist UP = US):
U di U di
Primär: SP U P I P mit U P , IP Idʍ SP ŏI 1,11 P d (8-14)
0,9 0,9 d
Pd: ideelle Gleichstromleistung.
U di Id U diŏI d
Sekundär: S S 2U S I S mit U S , IS ʍ SS 2 1,57 P d (8-15)
0,9 ʎ2 0,9 ʎ 2

Aus den primär- und sekundärseitigen Scheinleistungen wird der Mittelwert ST nach Gl. (8-16)
als Bauleistung des Transformators berechnet.

SP ʅ SS 1,11 P d ʅ 1,57 P d
ST 1,34 P d (8-16)
2 2
8.2 Die gesteuerte Mittelpunktschaltung M2C 131

À Die Bauleistung des Transformators für eine M2-Schaltung ist unabhängig von der Über-
setzung um 34 % größer zu wählen als die ideelle Gleichstromleistung Pd.
À Verglichen mit der M1-Schaltung ist die Transformator-Baugröße wesentlich günstiger.

8.2.6 Bemessung einer Glättungsinduktivität


Bei idealisierten Betrachtungen wird die Induktivität der Glättungsdrossel Ld oft als so groß
angenommen, dass der Gleichstrom id als völlig geglättet angesehen werden kann. Bei prak-
tisch ausgeführten Schaltungen wird die Induktivität aus unterschiedlichsten Gründen (Dyna-
mik, Kosten, Gewicht, Volumen) nur so groß gewählt, wie es für einen stabilen Betrieb und
zur Vermeidung des Lückbetriebes erforderlich ist. In der Praxis wird der Gleichstrom id daher
eine Welligkeit besitzen. Die Welligkeit wi berechnet sich mit Gl. (8-17). Abb. 8-16 zeigt den
Verlauf des Gleichstromes id bei unterschiedlichen Glättungszeitkonstanten ˃L und ʱ = 0°.

ʎ
Ğ

Ė I 2ʽ
ʽ 1 (8-17)
Stromwelligkeit wi
Id

1 Abbildung 8-16
id ˃L = ’ Stromverlauf bei unterschiedlichen
ʒi 2 ˃L = 10 ms Zeitkonstanten ˃L
d
ˀ
˃L = 3,2 ms Der theoretische Grenzwert ˃LɊ’
˃L = 1 ms dient nur zum Vergleich.
˃L = 0
0
0 ˀ 2ˀ ˈt

Zur Auslegung der Mindestinduktivität:. Als Steuerwinkel ʱ wählt man einen Wert von 90°,
um die maximale Welligkeit der Gleichspannung zu berücksichtigen. Die Größe der Induktivi-
tät Ld wird so bemessen, dass der Gleichstrom id bei diesem Steuerwinkel den Wert Null gera-
de noch nicht erreichen soll (Lückgrenze).
Abbildung 8-17
Aktive Last (Gleichstrommotor) mit verlustfreier Induktivität L
Die Induktivität Ld wird so groß gewählt, dass
uS1 À die Welligkeit hinreichend klein bleibt und
ud
T1 À im Betrieb kein Lücken auftritt.

id L

uL
Udi
132 8 Wechselstromschaltungen

Abb. 8-18 zeigt die Gleichspannung ud (Į). Der Mittelwert von ud liegt an einem Gleichstrom-
motor M. Die überlagerte Wechselspannung uL = ud – Udiʱ fällt an der verlustfreien Glättungs-
drossel Ld ab. Der Mittelwert der Spannung an der Glättungsdrossel ist Null. Der Gleichstrom
Id ist in diesem Beispiel abhängig vom geforderten Drehmoment des Motors. Der Wechselan-
teil iW ermittelt sich als Differenz vom Momentanwert id und Mittelwert Id.
iW id ė I d (8-18)

ud
ʱ Abbildung 8-18
uS1 uS2
Betrieb an der Lückgrenze
Verlauf von Gleichspannung und -strom
ˀ 2ˀ
a) 0 bei ʱ = 90° und R = 0.
ˈt
À Der Mittelwert von ud ist Null.

À An der Glättungsdrossel liegt die


Gleichspannung ud und erzwingt den
i iS1 iS2 abschnittweise sinusförmigen
îd Gleichstrom id.
b)
Id
ˈt

Bei einem Steuerwinkel von ʱ = 90° ist Udi Null. An der Drossel Ld liegt abschnittweise die si-
nusförmige Spannung uL. Der Gleichstrom verläuft abschnittweise sinusförmig. Zur Berech-
nung der Induktivität Ld wird zuerst in Gl. (8-19) für Į = 90° die Stromamplitude îd ermittelt.
d id 1
uL Ld ʍ d id u dt
dt Ld L
Mit der Spannung u L uS1 ʎ 2 U S sin ʛˈ tʜ folgt:
ʒi
ˀ
1
d US (8-19)
d id
ˈ Ld
ʎ 2 U S sin ʛˈ tʜ d ˈ t ʍ ĩ d id ʒi
d ʎ2
ˈ Ld
ĩ sin ʛˈ t ʜd ˈ t
0 ˀ
2

US ˀ ʎ2 U S
ʒi
d ʎ2 ʛėcosʛˈ tʜʜ
ˀ
ˈ Ld ˈ Ld
2
Die Mittelwertbildung von id liefert den Gleichstrom Id. Durch Einsetzen in Gl. (8-19) folgt in
Gl. (8-20) der erforderliche Mindestwert für die Induktivität Ld.

2 ʎ2 U S
ʒi ˀ2

Id
d
ĩ cosʛˈ tʜd ˈ t ʒi 2 somit: I d
ˀ dˀ ˀ ˈ Ld
0

2 (8-20)
US U di
Ld ʉ 0,9 oder mit 0,9U S = U di Ld ʉ
ˈ Id ˈ Id
8.2 Die gesteuerte Mittelpunktschaltung M2C 133

8.2.7 Die Kommutierung


Bei der M2-Schaltung wurde gezeigt, dass die Ventile sich in der Stromführung periodisch ab-
lösen. Man bezeichnet den Vorgang dieser Ventilablösung als Kommutierung. Da in den bishe-
rigen Schaltungen keine wechselspannungsseitigen Induktivitäten berücksichtigt wurden, er-
folgte die Kommutierung sprunghaft und konnte vernachlässigt werden. In realen Schaltungen
weisen die an der Kommutierung beteiligten Stromkreise Induktivitäten auf. Diese stammen z.
B. von der Streuinduktivität des vorgeschalteten Transformators. Zur Betrachtung dieses Kom-
mutierungsvorganges dient eine Schaltung nach Abb. 8-19.
uS1 Abbildung 8-19
L˂ iG1
iS1 Verlustfreier Transformator mit Wicklungs-
Streuinduktivitäten L˂
T1 id
Die Ventile lösen sich periodisch ab und
iS2 T2 bilden eine Kommutierungsgruppe. Die
uL L Anzahl von Kommutierungen innerhalb einer
L˂ ud Netzperiode wird als Kommutierungszahl q
iG2 bezeichnet.
uS2 Udi R
À Für die M2-Schaltung ist q = 2.

Die für die Kommutierung wirksame Kommutierungsinduktivität LK folgt aus der r e lativen
Ku rz schlussspannung u K . Diese ist definiert als das Verhältnis der beim kurzgeschlosse-
nen Transformator bei Nennstrom auftretenden Spannung, der Kurzschlussspannung UK und
der Nennspannung Un. Dieser Ansatz ist unabhängig von Primär- oder Sekundärseite des
Transformators. Erst nach Zuordnung der Nenngrößen zur betrachteten Transformatorseite ist
für diese aus Gl. (8-21) die wirksame Kommutierungsinduktivität berechenbar. Im Falle der
M2-Schaltung interessiert die sekundärseitige Kommutierungsinduktivität LK. Unter Vernach-
lässigung des ohmschen Widerstandes RK folgt für UK:

UK ˈ LK I n ʛR KIJ 0ʜ (8-21)

In Abb. 8-19 gilt: LK = 2 L˂. Für LK folgt daher mit Un = US1,n und US1 = US2 = US sowie
IS1 = IS2 = IS bei gleicher Aufteilung der Transformatortypenleistung Sn auf die beiden Sekun-
därstränge die Gl. (8-22). IS,n wird darin durch Sn und Us,n ausgedrückt.

Sn Sn
U S,nŏI S,n und I S,n (8-22)
2 2 U S,n

Wird IS,n in Gl. (8-21) eingesetzt, so folgt für LK:

UK u K U S,n uK U S,n 2u K U 2S,n UK


LK mit uK
ˈ I S,n ˈ I S,n Sn ˈS n U S,n (8-23)
ˈ
2U S,n

LK kann mit Gl. (8-23) aus den Transformator-Nenndaten ermittelt werden. Die Nenndaten
US,n und IS,n sind für diese Berechnung auch dann anzusetzen, wenn der Transformator mit ei-
ner von US,n abweichenden Spannung arbeitet.
134 8 Wechselstromschaltungen

8.2.7.1 Überlappung
Zur Betrachtung der Kommutierung wird jetzt davon ausgegangen, dass bei ˈt = 0 Thyristor
T1 leitet und Thyristor T2 sperrt. Das bedeutet, dass ud = uS1 und iS1 = Id ist. Wird bei ˈt = ʱ
T2 gezündet, so gilt Abb. 8-20. Die zwischen den Punkten 2 und 1 liegende Spannung u21
treibt einen Kurzschlussstrom iK. Man bezeichnet uK als Kommutierungsspannung (bei der
M2-Schaltung gilt: UK = 2 US) und iK als Kommutierungsstrom. iK fließt in T2, d. h. iS2 = iK.
In T1 fließt der Kommutierungsstrom iK dem Strom Id entgegen, so dass für T1 aus der Strom-
summe im Knoten K für die Dauer der Kommutierung folgt:

i S1 id ė i K ʇ 0 mit i d = konstant = I d (8-24)

Die Kommutierung ist im Stromnulldurchgang von iS1 beendet. Dann ist iS2 = Id. Der Verlauf
von iK wird durch die Kommutierungsinduktivitäten LK bestimmt und ist abhängig vom Steu-
erwinkel ʱ durch Gl. (8-26) beschrieben.
t
iK 1
K uʒ K ˈt

uK LK
iK ĩu dt
LK ʱ K ˈ LK
ĩ sin ʛˈt ʜd ˈt (8-25)
ʱ
ˈ

uʒ K
i K ʛˈt , ʱʜ ʒi ŏʛėcos ˈ t ʅ cos ʱʜ mit iʒ K (8-26)
K ˈ LK

Hat der von ˈt = 0 aus ansteigende Kommutierungsstrom iK den Wert von Id erreicht, so ist
die Kommutierung abgeschlossen. Die Dauer der Kommutierung wird als Kommutierungszeit
tK oder als Überlappungswinkel u = ˈ t K ermittelt. Den Sonderfall einer ungesteuerten Schal-
tung (bzw. für ʱ= 0°) beschreibt Gl. (8-27):

iK ʛˈ t , ʱ 0ʜ ʒi ʛ1 ė cosʛˈt ʜʜ (8-27)
K

iK u1
L˂ V1 iV1
1
180°
u21
u1 u2 M
u21
V2 iV2 id

2 L˂
ˈt u2 uV2

u0
iV2
ʬu 0 ėu1 ė uV2 ʅ u2
Id
iV1 uV2 u 2 ė u1 u 21
ˈt

Abbildung 8-20 Kommutierung eines eingeprägten Gleichstromes id von V1 nach V2


8.2 Die gesteuerte Mittelpunktschaltung M2C 135

Am Ende der Kommutierung ist iK = Id. Aus Gl. (8-27) folgt für die Anfangsüberlappung u0:
Id Id
cos u0 ʛ1 ė ʜ oder u0 arcos ʛ1 ė ʜ (8-28)

K iʒ
K

Eine Kommutierung ist nur für Id kleiner îK möglich. Aus Gl. (8-26) folgt für ˈt = ʱ + uĮ eine
Beziehung für alle Steuerwinkel ʱDurch die Erweiterung mit 1 ist die Überführung in die all-
gemeine Form nach Gl. (8-29) möglich.
Id
iK ʛu ʅʱʜ Id ʒi ʛcosʛʱ ʅ u ʜ ʅ cos ʱʜ mit cosʛʱ ʅ u ʜ 1ė ʅ cos ʱ ė1
ʱ K ʱ ʱ ʒi
K

u arcos ʛcos ʱ ʅ cos u0 ė 1ʜ ė ʱ (8-29)


ʱ

Den Verlauf von iK bei unterschiedlichen Steuerwinkeln ʱ zeigt Abb. 8-21. Es ist deutlich die
Abhängigkeit der Überlappung uĮ vom Steuerwinkel Į zu erkennen. Durch die Überlappung ist
die Kommutierungsfähigkeit in diesem Beispiel auf Steuerwinkel Į < 150° beschränkt. Dieser
Grenzfall und ein zusätzliches Beispiel für ein Kommutierungsversagen ist seitlich zusätzlich
vergrößert dargestellt. Eine Thyristorschonzeit ist nicht berücksichtigt.

ʱ = 0°
iK uK
ʒi ʱ = 150°
K
1 Grenzfall
iV2
uĮ ʱ = 90° Id iV1
u0
uĮ ˈt
0,134

Į ˈt ʱ > 150°
Keine Kommu-
ʱ = 150° tierung möglich
iV1
Id iV2
-1
ˈt
ʱ = 180°

-2
Abbildung 8-21 Verlauf von iK bei unterschiedlichen Steuerwinkeln Į
Der Kommutierungsgrenzfall wurde durch u0 = 30° zu ʱ = 150° gewählt.
136 8 Wechselstromschaltungen

Die Auswirkungen der wechselspannungsseitigen Induktivität bei der Kommutierung:


À Der Scheitelwert des Kurzschlussstromes wird abhängig vom induktiven Widerstand ˈLK
reduziert. Hierdurch kommt es zu einer Begrenzung des maximal zu kommutierenden Ven-
tilstromes.
À Die Leitdauer der Thyristoren ist um die Überlappung uĮ verlängert.

Wechselrichter nicht mehr steuerbar


Kommutierungs-
versagen

iV1
iV2

ˈt

ud

Zündimpulse
Abbildung 8-22 Anstieg des Gleichstromes mit anschließendem Wechselrichterkippen (ʱ = 160°)

Im Wechselrichterbetrieb betragen die Steuerwinkel zwischen 90° und 180°. Der Stellbereich
der Gleichspannung Udiʱ ist beim Wechselrichterbetrieb dadurch begrenzt, dass die Ventile bei
180° ihre Sperrfähigkeit wiedererlangt haben müssen. Da hierbei neben dem Schonzeitwinkel
der Thyristoren auch die Überlappung uĮ berücksichtigt werden muss, wird der Steuerwinkel
auf ca. 150° begrenzt. Abb. 8-22 zeigt die Simulation eines Wechselrichterbetriebes mit einem
bis zum Kommutierungsversagen linear ansteigenden Gleichstrom. Nach dem Kommutie-
rungsversagen ist der Wechselrichter nicht mehr steuerbar, die Ventile bleiben leitend und der
Gleichstrom steigt weiter an, bis eine Sicherung den Strom unterbricht.

8.2.7.2 Die induktive Gleichspannungsänderung


Während der Kommutierung der M2-Schaltung ist die Gleichspannung ud entsprechend Abb.
8-23 gleich Null. Die markierte Spannungszeitfläche A berechnet sich darin mit der Spannung
uS2 und der Streuinduktivität LDž nach Gl. (8-30).

di S2
uS2 L umgestellt: uS2 dt L d iS2 Integration über t K t 2 ėt1
˂ dt ˂
t2 Id (8-30)
liefert: A= ĩ u S2 d t L
˂ ĩ d iS2 L Id
˂
(Vs)
t1 0

À Die Spannungszeitfläche A ist proportional zu Lı und Id.


À Die Spannungszeitfläche A ist unabhängig vom Steuerwinkel Ƴ und der Netzfrequenz f.
8.2 Die gesteuerte Mittelpunktschaltung M2C 137

Abbildung 8-23
uS ud Gesteuerte M2-Schaltung mit berücksichtigter
uS1 uS2 Kommutierungsinduktivität LK (LK = 2 L˂)
A
u1
Udiʱ Udʱ 1 L˂ V1
0
ˈt u 21
u21
2 id
ud
ʱ ʱ 2 L˂ V2
uĮ u2
i iS1 iS2
u 21
Id ud u2 ė 0
2
t1 t2 t Während der Kommutierung verläuft die
Gleichspannung ud auf Null.

Die durch LK verursachte Änderung des Gleichspannungs-Mittelwertes berechnet sich über


den Zeitraum T/2 nach Gl. (8-31) als induktive Gleichspannungsänderung Udx.
2L Id
˂ 1 (8-31)
U dx bzw. mit f ʍ U dx 2 f L Id
T T ˂

À Die induktive Gleichspannungsänderung Udx ist direkt proportional zur Netzfrequenz f,


zum Gleichstrom Id und zur Kommutierungsinduktivität LK.
Die Lastabhängigkeit der Gleichspannung Udʱ in Abb. 8-23 wird mit Gl. (8-32) beschrieben.
U U ė U dx (8-32)
dʱ di ʱ
Um eine Belastungskennlinie des realen Stromrichters zu erhalten müssen zusätzlich noch die
ohmschen Spannungsabfälle sowie die Ventilspannungsabfälle berücksichtigt werden. Die
ohmschen Spannungsabfälle werden zusammenfassend durch die ohmsche Spannungsände-
rung Udr bei Nennstrom Idn nach Gl. (8-33) berücksichtigt. In der Verlustleistung PV sind die
ohmschen Verluste des Stromrichters und Transformators bei Nennstrom zusammengefasst.

PV
U dr (8-33)
I dn

Der Ventilspannungsabfall Udv ist durch die Anzahl n in Reihe geschalteter, gleichzeitig leiten-
der Ventile bestimmt und wird näherungsweise als lastunabhängig angenommen. Somit erhält
man für das Lastverhalten der Gleichspannung die Gl. (8-34):

U U ė ʛU dx ʅ U dr ʅ nŏU dv ʜ (8-34)
dʱ di ʱ

Durch Normierung von Udx und Udr bei Nennstrom (Idn) auf Udi erhält man die relative
induktive und ohmsche Gleichspannungsänderung dx und dr nach Gl. (8-35).
138 8 Wechselstromschaltungen

U dx U dr
dx und dr bei: Id = Idn (8-35)
U di U di

Die resultierende Belastungskennlinie des Stromrichters zeigt Abb. 8-24.


Udi
Abbildung 8-24
Udi - n Udv Belastungskennlinie
Udx + Udr
mit Wechselrichter-
Trittgrenze
UdĮ
Id Ȗ: Schonzeitwinkel
0
Idn

e
- Udi cos Ȗ ter-Trittgrenz
Wechselrich
- Udi

In jedem Punkt der Kennlinie muss die Bedingung


ʱ ʅ u ʅ ʳ Ĺ 180° (8-36)
ʱ

erfüllt sein. Nun steigt die Überlappung uĮ nach Gl. (8-28) mit dem Gleichstrom Id an, wo-
durch für Į >> 90° die Gefahr des Wechselrichterkippens besteht. Der Steuerwinkel Ƴ bzw.
die Gleichspannung UdĮ wird im Wechselrichterbetrieb deshalb stromabhängig begrenzt
(Wechselrichter-Trittgrenze in Abb. 8-24). Zur Ermittlung dieser Wechselrichter-Trittgrenze
geht man von Gl. (8-28) und (8-29) aus. Die Umformung von Gl. (8-28) liefert:

2 f LK I d ˀ Id
Aus: d x wird mit U K 2US U dx
U di ʎ 2 di 2 ʒi K
Id (8-37)
und damit wird aus: cos u 0 1ė ʍ cos u 0 1 ė 2d x
ʒi
K

Gl. (8-36) und (8-37) eingesetzt in Gl. (8-29) liefert:


Aus: cos ʛʱ ʅ u ʜ cos ʱ ʅ cos u0 ė 1 ʍ cosʛʱ ʅ u ʜ cos ʱ ė 2 d x
ʱ ʱ
mit: ʱ ʅ u ʅ ʳ 180 ° folgt: ėcos ʳ cos ʱ ė 2 d x
ʱ
Eine Erweiterung mit U di führt zu: U di cos ʱ ė U di cos ʳ ʅ 2 U dx U
diʱ

Wird UdiĮ in Gl. (8-34) eingesetzt, so erhält man für die Wechselrichter-Trittgrenze:
U ėU di cos ʳ ʅ U dx ė U dr ė nŏU dv bzw.

Id (8-38)
U ėU di ʛcos ʳ ė ʛd x ė d r ʜ ʜ ė nŏU dv
dʱ I dn
8.3 Die Brückenschaltung B2 139

8.3 Die Brückenschaltung B2


Die B2-Brückenschaltung entsteht durch die Reihenschaltung von zwei M2-Schaltungen.
Nachfolgend sind verschiedene Entwicklungsstufen der B2-Schaltung dargestellt.

a) uS1 c)
uS1
id1
uS2 id1
uS2
R ud1
R ud1
iM
b) K
uS1
R ud2 R ud2

uS2 id2
id2

Abbildung 8-25 Herleitung der B2-Brückenschaltung

Die Zusammenfassung einer Kathodenschaltung (a) mit einer Anodenschaltung (b) führt auf
die Vorstufe einer Brückenschaltung nach Abb. 8-25c. Betrachtet man hierbei die Knoten-
punktgleichung K, so ist der Mittelleiterstrom iM Null. Der Mittelleiter kann daher entfallen
und man erhält die Brückenschaltung nach Abb. 8-26.

Aus Ėi 0 folgt: iM i d1 ėid2 0 und aus Ė u 0 folgt: u d u d1ʅu d2


2
Aus Gl. (8-2) folgt somit U di 2ŏ ŏʒu S
ˀ

Abbildung 8-26
T1 T2 id
Die voll gesteuerte B2-Brückenschal-
iP iS tung (B2C)
Durch die Reihenschaltung ist die
uP uS1 R ud Gleichspannung Udi doppelt so groß
wie bei einer Mittelpunktschaltung.
Für die einfache Gleichspannung ge-
nügt daher nur eine Wicklungshälfte,
T3 T4 wodurch sich der Transformator ver-
einfacht (oder entfällt).

Auf die Reihenschaltung der beiden Sekundärwicklungen kann verzichtet werden, so dass die
B2-Schaltung die gleiche Ausgangsspannung Udi (und Udx) wie die M2-Schaltung hat. Die
Gleichspannung UdiƳ berechnet sich mit Gl. (8-2) für die B2C-Schaltung zu:
2
U ŏʒu cosʛʱʜ = 0,9U S cosʛʱʜ (8-39)
diʱ ˀ S
140 8 Wechselstromschaltungen

8.3.1 Ventilbelastung
Bezogen auf die gleiche Ausgangsspannung Ud werden die Ventile der B2-Schaltung nach
Abb. 8-27 nur mit dem halben Wert einer vergleichbaren M2-Schaltung belastet. Die Strom-
belastung der Ventile entspricht der M2-Schaltung.

V1 uV1 V2
u uS V1 sperrt

M ûS
uP uS ud
ûV1 ˈt

V3 V4
Aus: ʬ u 0 ėuSʅuV1 0 folgt: u V1 uS

Abbildung 8-27 Ventilspannung der B2-Schaltung

Die Ventilspannung uV ermittelt sich aus dem Maschenumlauf M in Abb. 8-27 zu :


uV uS (Schalter offen) uV 0 (Schalter geschlossen )

ȩ Es liegen stets zwei Ventile in Reihe. Daher sind die Durchlassverluste der B2-Schaltung
doppelt so groß wie bei einer vergleichbaren M2-Schaltung.

8.3.2 Transformatorbauleistung
Für den Fall einer idealen Glättung hat der netzseitige Strom iP einer B2-Schaltung wie bei der
M2-Schaltung Rechteckform. Auch in der Sekundärwicklung fließt ein reiner Wechselstrom.
Dies bedeutet durch den Wegfall des Gleichanteils eine bessere Ausnutzung und damit eine ge-
ringere Bauleistung des Transformators. Die erforderliche Bauleistung ST berechnet sich für
die B2-Schaltung nach Gl. (8-40).

U di
SS SP U P IP Id ST 1,11 P d (8-40)
0,9
Ein Eingangstransformator ist bei der B2-Schaltung jedoch nicht prinzipiell erforderlich!

Tabelle 8.3 Transformatorbauleistungen unterschiedlicher Stromrichterschaltungen

Schaltung ST/Pd
Eine Gegenüberstellung der Transformatorbauleistungen unter-
schiedlicher Stromrichterschaltungen zeigt Tabelle 8.3.
M1 3,09
Die ideelle Gleichstromleistung Pd wird aus den Mittelwerten von
M2 1,34 Gleichstrom und -spannung gebildet und ist im Allgemeinen eine
reine Vergleichsgröße.
B2 1,11
141

9 Drehstromschaltungen

9.1 Die Mittelpunktschaltung M3

Für den Betrieb einer Mittelpunktschaltung ist ein Transformator zur Bereitstellung des Mittel-
punktanschlusses erforderlich. Die M3-Schaltung in Abb. 9-1 wird über einen Transformator
in Dreieck-Stern-Schaltung (Dy) betrieben.
a)
1U 1V 1W
K i1

iP2 iP3 T
iP1
NP
b)

NS uS1 uS2 uS3


u1 u2 u3
2U 2V 2W 2N
uS12 uS23 u12 u23
uS31 u31
T1 uT1 T2 T3 T1 uT1 T2 T3
iS1 iS2 iS3
iS1

ud ud

id id

R L Uq R L Uq
Abbildung 9-1 Vollständiges und vereinfachtes Ersatzschaltbild

Die Ventile sind abwechselnd für jeweils 120° leitend. Wegen der Symmetrie des Drehspan-
nungssystems sind die Effektivwerte der Phasenspannungen gleich, d. h. US1 = US2 = US3 =
US. Die nicht leitenden Ventile sind mit einer verketteten uV Spannung belastet.

Die natürliche Ablösung der Ventile erfolgt unter dem Einfluss der Phasenspannungen u1, u2
und u3 unmittelbar im Spannungsschnittpunkt. Dieser Punkt liegt im Nulldurchgang der ver-
ketteten Spannungen, die als Kommutierungsspannungen bezeichnet werden. Wenn z. B. die
Spannung u21 positiv wird, so schaltet in Abb. 9-4 Ventil V2 ein und das leitende Ventil V1 ab.
Bei natürlicher Kommutierung bzw. ʱ = 0° ist somit immer das Ventil mit der momentan
höchsten Spannung leitend. Bei einer gesteuerten Schaltung wird die Stromübergabe auf das
nächste Ventil bei positiver Kommutierungsspannung erst durch einen Zündimpuls ausgelöst.
142 9 Drehstromschaltungen

u1 V1 leitet
120° u21
u1 u2 M

V2 id
u2 uV2
ˈt

V3
u3

ʬ u 0 ėu 1 ė u V2 ʅ u2
u V2 u2 ė u1 u 21
Abbildung 9-2 Zur Ventilablösung im Drehspannungssystem (V2 löst V1 ab)

9.1.1 Gleichspannungsbildung
Die natürliche Kommutierung der Ventile lässt sich durch ein Schaltermodell nach Abb. 9-3
darstellen. Die möglichen Schalterstellungen sind in der Tabelle aufgeführt, den resultierenden
Gleichspannungsverlauf ud zeigt Abb. 9-4.
u1
1 S Winkelbereich ˍ+ ˍí ud
S
u2
ˍ+ 0°–120° u1 u1
2 1 0
u3 2 120°–240° u2 0 u2
3 ud
ˍė 3 240°–360° u3 0 u3

Abbildung 9-3 Schaltermodell und Schaltzustände der M3-Schaltung

V1 V2 V3
u1 u2 u3
ˀ
2
3

ˈt

1 2 3 Schalterstellung

Abbildung 9-4 Drehspannungssystem mit Gleichspannungsbildung


9.1 Die Mittelpunktschaltung M3 143

9.1.1.1 Ohmsche Last


Für die Berechnung des Gleichspannungsmittelwertes wird in Abb. 9-5 zweckmäßigerweise
der Nullpunkt des Koordinatensystems so gelegt, dass die Gleichspannung ud durch eine cos-
Funktion beschrieben wird. Aus Symmetriegründen ist ûd = ûS .

ud Abbildung 9-5

u3 u1 Definition der Gleichspannung ud


u2
(ʱ = 0°, V1 leitet)
ûS
ˀ ˀ
ˀ ˀ ˈt ė ʈ ˈt ʈ : ud uʒ S cosʛˈŏt ʜ
ė 0 ʅ 3 3
3 3

ˀ
3
3
U di = ŏĩ u d ˈ t (9-1)
2ˀ ˀ d
ė
3

Die Auflösung von Gl. (9-1) liefert für die Gleichspannung Udi:

U di
3 ʎ3
2ˀ S

3 3
ˀ 2 ʎ
US =
3
U mit U V
ˀʎ 2 V
ʎ 3U S und
3
ˀʎ 2
0,675 (9-2)

Das bedeutet, das eine ungesteuerte M3-Schaltung am 230/400 V Drehspannungsnetz eine


Gleichspannung von Udi = 270 V liefert. Bei der gesteuerten M3-Schaltung ist die Gleichspan-
nung Udi abhängig vom Steuerwinkel ʱ. Da bei Steuerwinkeln > 30° auch negative ud-Werte
auftreten, ist eine Fallunterscheidung für den lückenden und nichtlückenden Betrieb bei ʱ •
30° erforderlich. Abb. 9-6 stellt die Gleichspannung ud an der Lückgrenze bei ʱ = ʱLG = 30°
dar. Die Gleichspannung Udi berechnet sich für 0° ĹʱĹ 30° nach Gl. (9-3).

ud
ʱ Abbildung 9-6
Gleichspannungsverlauf beim Betrieb an der
Lückgrenze
ûd
ʱ = ʱLG = 30° (ĵʌ

ˀ 0 ˀ
ė ʅ ˈt
3 3

Durch Einsetzen der Grenzen in Gl. (9-1) erhält man für Udiʱ(nichtlückender Betrieb):
ˀ
ʅ ʅʱ
uʒ S 3
0 ʈ ʱ ʈ 30 ° : U ŏ ĩ cos ʛˈ t ʜd ˈ t ʍ U U di cos ʱ (9-3)
di ʱ 2 ėˀ ʅʱ di ʱ
ˀ 3
3

Hinweis: sin ʛʱ m ʲʜ sin ʱ cos ʲ m sin ʲ cosʱ


144 9 Drehstromschaltungen

Steuerwinkel ʱ > 30°:


Bei einem Steuerwinkel von ʱ > 30° nimmt ud auch negative Werte an. Bei ohmscher Last
führt eine negative Gleichspannung zu einem sofortigen Verlöschen der Ventile. Bis zum fol-
genden Zündimpuls ist dann in Abb. 9-7 der Gleichstrom und die Gleichspannung Null
(Stromlücken).

30° Ĺʱ Ĺ150° (lückender Betrieb)

ʱ ud Abbildung 9-7
Steuerwinkel: 30° < ʱ< 150°
Lückende Ausgangsspannung der M3-Schaltung
ûd
150° (R-Last)

ˀ 0 ˀ
ė ʅ ˈt
3 3

ˀ
2
1 3 ˀ ˀ
U
diʱ ˀ
ĩ uʒ S cosʛˈt ʜd ˈ t

uʒ S ʛsin ʛ ʜ ė sin ʛė
2 3
ʅ ʱʜʜ
ėˀ
2 ʅʱ
3 3

Eine Umformung mit sin ʛʱ m ʲʜ sin ʱ cos ʲ m sin ʲ cos ʱ führt auf :

3 uʒ S ˀ ˀ 3 uʒ S U di
U ʛ1 ė ʛsin ʛʱʜ cosʛ ʜ ė cosʛʱʜ sin ʛ ʜʜʜ mit
diʱ 2ˀ 3 3 2ˀ ʎ3
1 ʎ 3 cosʛʱʜʜʜ U di
U ʎ 3U di ʛ1 ė ʛ sin ʛʱʜ ė ʛ1 ė cŏsin ʛʱ ʅ ˍʜʜ
diʱ 2 2 ʎ3
ʎ3

ʎ
ė
2 1 2 ʎ3 2
ˍ arctan ʛ ʜ ė60° c ʛ ʜ ʅʛ ʜ 1 sin ʛʱ ʅ ˍʜ ėcosʛ90 ° ʅ ʱ ʅ ˍʜ
1 2 2
2

U di
30° ʈ ʱ ʈ 150° : U ʛ1 ʅ cosʛ30°ʅʱʜʜ (9-4)
di ʱ ʎ3

Der Lückeinsatz lässt sich durch einen induktiven Energiespeicher zu höheren Steuerwinkeln
verschieben. Bei negativer Gleichspannung ud bleibt der positive Gleichstrom noch solange er-
halten, bis die in der Last gespeicherte Energie aufgebraucht ist. Ein Lückeinsatz ist daher von
der Lastzeitkonstanten ˃L mitbestimmt. Bei einer passiven R-L-Last (Verbraucher) kann der
lückfreie Betrieb jedoch nur bei positivem Gleichspannungsmittelwert erreicht werden. Befin-
det sich auf der Lastseite eine aktive Last (Energiequelle), so tritt der Lückbetrieb auch bei ne-
gativen Gleichspannungsmittelwerten nicht oder nur verzögert auf.
9.1 Die Mittelpunktschaltung M3 145

9.1.1.2 Aktive Last


Ist der Gleichstrom durch eine aktive Last eingeprägt, so leiten die Ventile weiter, obwohl ne-
gative Momentanwerte der Gleichspannung auftreten. Eine Fallunterscheidung ist nicht erfor-
derlich. Den Spannungsverlauf zeigt Abb. 9-8.

ud Abbildung 9-8
Gleichspannung bei eingeprägtem Strom

ʱ – aktive Last, Steuerwinkel: 0° ” ʱ ” 180°


ûd

ˀ 0 ˀ ˈt
ė ʅ
3 3

ˀ
ʅ ʅʱ
uʒ S 3

0° ʈ ʱ ʈ 180° : U diʱ ŏ ĩ cosʛˈt ʜd ˈ t sin ʛʱ m ʲʜ sin ʱ cos ʲ m sin ʲ cosʱ


ˀ ėˀʅʱ
2 3
3

3 ʎ3
U uʒ S cos ʛʱʜ U diŏcosʛʱʜ (9-5)
diʱ 2ˀ

Stellt man die Gleichspannung Udiʱ bezogen auf Udi über dem Steuerwinkel ʱ dar, so erhält
man die Steuerkennlinien nach Abb. 9-9.
1
Abbildung 9-9
Lückgrenze
M3-Steuerkennlinie der Gleichspannung
U ohmsche Last für unterschiedliche Lastfälle
di ʱ ʎ3
U di 2 Oberhalb der Lückgrenze ʱ = ʱLG = 30°
verlaufen beide Kennlinien unterschiedlich.
180° Bei einer aktiven Last ist der lückfreie Be-
0
30° 90° trieb theoretisch bis zu einem Steuerwinkel
D
von 180° möglich. Bei ohmscher Last ist
ʱLG die Steuergrenze 150°, da wegen des Lück-
eingeprägter betriebes an den Ventilen jeweils nur eine
Gleichstrom Phasenspannung anliegt. Die Phasenspan-
nungen haben ihren Nulldurchgang 30° vor
í1 den verketteten Spannungen.

Aktive Last
U di 1
U di ʛʱ = 30°ʜ ʛ1 ʅ cosʛ30°ʅ30°ʜʜ U di cosʛ30°ʜ U diŏ ʎ 3
ʎ3 2
146 9 Drehstromschaltungen

9.1.2 Ventilbelastung
Die Spannungsbelastung der Ventile ist durch die Momentanwerte der verketteten Spannungen
festgelegt. Die Strombelastung folgt aus der Art der Last, wobei hier wieder zwischen ohm-
scher Last und idealer Glättung unterschieden wird.

9.1.2.1 Spannung

Tabelle 9.1 Ventilspannung uV1

u1 u2 u3 leitend: ˍA ˍK uV1
ˍA V1 u1 u1 0
uV1 V1 V2 V3
ˍK V2 u1 u2 u12
V3 u1 u3 u13
R Lücken: u1 0 u1

ud
u V1 ˍ Aė ˍK
Abbildung 9-10 Ungesteuerte M3-Schaltung

Zur Darstellung einer Ventilspannung wird für die möglichen Schaltzustände eine Potenzialbe-
trachtung von Anoden- und Kathodenseite durchgeführt. Das Potenzial ˍK entspricht der
Gleichspannung ud. Die Ventilspannung uV ergibt sich als Differenz von Anoden- und Katho-
denpotenzial. Die möglichen Zustände für Ventil V1 sind in Tab. 9.1 zusammengestellt. Abb.
9-12 und 9-13 zeigt die Ventilspannung uV1 bei einer gesteuerten M3C-Schaltung für ohmsche
Last und eingeprägtem Gleichstrom bei ʱ = 60°.
u1 u2 u3
u
ud

ˈt

uRM
u12 u13
uV1

Abbildung 9-11 Ventilspannung uV1 einer ungesteuerten M3-Schaltung


9.1 Die Mittelpunktschaltung M3 147

ʱ= 60° u1 u2 u3

ˈt

u12 u13 Lücken

u1

uV1 ˈt

Abbildung 9-12 Ventilspannungsbildung bei ohmscher Last und ʱ = 60°


ʱ= 60°
u1 u2 u3

ˈt

u12 u13

u1

ˈt
uV1

Abbildung 9-13 Ventilspannung bei eingeprägtem Strom und ʱ = 60°


148 9 Drehstromschaltungen

9.1.2.2 Strom
Für die Berechnung der Verlustleistung mit Hilfe der Knick-Kennlinie wird der Mittel- und
Effektivwert des Ventilstromes benötigt. In Tab. 9-2 sind für typische Lastfälle (R-Last und
ideale Glättung) die Berechnungen dieser Werte angegeben.

Tabelle 9.2 Ventilstrom bei unterschiedlicher Last

Ohmsche Last Ideale Glättung


iV
iV

îV
Id

ˀ 0 ʅˀ ˈt ˀ ˈt
ė 2ˀ 0 2 2ˀ
3 3 3

Definition des Gleichstromes


ˀ ˀ 2ˀ
ė ʈ ˈt ʈ id ʒi cos ʛˈŏtʜ 0 ʈ ˈt ʈ id Id
3 3 d 3
ˀ 5ˀ 2ˀ
ʆ ˈt ʈ id 0 ʈ ˈt ʈ 2ˀ id 0
3 3 3

Mittelwert
ˀ
ʅ
3 2ˀ
1
iV

ĩ ʒi d cosʛˈt ʜ dˈ t iV
1
3

ĩ I d ˈt
ė
ˀ
3
2ˀ 0 d
1 ʒ ˀ ˀ 1 2ˀ Id
i ʛsin ʛ ʜ ė sin ʛė ʜʜ IV I ʛ ė 0ʜ
2ˀ d 3 3 2ˀ d 3 3

IV iʒdŏ
ʎ 3
iʒd ŏ0,276

Effektivwert

ʎ ʎ
ˀ ˀ
ʅ
3 2
1 3
I VRMS ĩ ʒi 2 cos2 ʛˈ tʜ dˈ t
2ˀ ˀ d I VRMS
1
ĩ I2 d ˈt
ė
2ˀ 0 d

ʎ
3

ʎ
ˀ Id
1 1 1 ʅ 1 2 2ˀ
iʒd ʛ ˈt ʅ sin ʛ2 ˈt ʜʜ 3 I ʛ ė 0ʜ
2ˀ 2 4
ė
ˀ 2ˀ d 3 ʎ3
3
iʒdŏ0,4853 I VRMS I dŏ0,577
3ʎ3
I VRMS I dŏ0,588 mit I d iʒdŏ

9.1 Die Mittelpunktschaltung M3 149

9.1.3 Netzstrom
Die Ströme in Abb. 9-14 beziehen sich auf die M3C-Schaltung nach Abb. 9-1. Die Gleichan-
teile der Ventilströme iS1 bis iS3 werden vom Transformator nicht übertragen, so dass sich die
Primärströme entsprechend Abb. 9-14 einstellen. Vereinfachend sei NS = NP angenommen.
Die Zusammenfassung von iP1 und iP3 liefert im Knoten K (Abb. 9-1) den Leiterstrom i1.
Für die Primärseite gilt:
K: ʬ i 0 ė i1 ʅ i P1 ė i P3 daraus folgt i1 i P1 ė i P3

Id
iP1 Id 3
ˈt

iP2 ˈt

iP3
ˈt

i1

ˈt

Abbildung 9-14 Primärströme eines idealen Transformator in DY-Schaltung nach Abb. 9-1 und Netz-
strom i1 bei idealer Stromglättung und NS = NP

Die Transformator-Stromeffektivwerte berechnen sich bei der gegebenen Kurvenform zu:

ʎ ʎ2
1 2 2 2ˀ 1 2 4ˀ
Primärstrom IP ʛʛ I d ʜ ŏ ʅ ʛ Idʜ ŏ ʜ Id (9-6)
2ˀ 3 3 3 3 3

Sekundärstrom: IS
ʎ 1
ʛI2
2ˀ d 3

ʜ Id
1
ʎ3
(9-7)

Als Summenleistung der 3 Sekundärwicklungen ergibt sich mit Gl. (9-2) zu:
3ŏU di0 I d ʎ3
SS 3ŏU SŏI S ŏ Pd 1,48 P d (9-8)
1,17 ʎ 3 1,17
Die Summenleistung der 3 Primärwicklungen ergibt sich zu:

SP 3ŏI P U P 3ŏI P U S 3ŏI d


ʎ 2 U di0 Pd
ʎ2 1,21 P d (9-9)
3 1,17 1,17
150 9 Drehstromschaltungen

Daraus kann die Bauleistung ST des Transformators ermittelt werden:

SP ʅ SS 1,21 ʅ 1,48
ST Pd 1,34 P d (9-10)
2 2

9.1.4 Die Kommutierung

u1
Abbildung 9-15
LV iV1 V1
M3-Schaltung mit Kommutierungsinduktivitäten
u2 Die Ventile V1, V2 und V3 lösen sich innerhalb einer
iV2 V2
LV id = konstant Netzperiode durch die Kommutierungsspannungen
gegenseitig ab und bilden eine Kommutierungsgrup-
K pe. Der Gleichstrom id ist eingeprägt.
u3 V3 L
LV iV3
ud À Die Kommutierungszahl q ist 3.
M

Wie bei der M2 Schaltung erläutert, verzögern wechselspannungsseitige Induktivitäten die


Ventilablösung. In Abb. 9-15 sind diese Induktivitäten wieder durch L˂ berücksichtigt. Aus
Symmetriegründen wird L˂ für alle Stränge gleich groß angenommen. Reduziert man das
Schaltbild auf den an der Ventilablösung beteiligten Stromkreis, so erhält man mit Abb. 9-16
zur M2-Schaltung vergleichbare Verhältnisse. Die Stromverläufe zeigt Abb. 9-17.

120° u1
u21 V1
u1 u2 iV1
M
u21
V2
iV2 id
ˈt u2 uV2

u0
iV2 u3 V3
Id ʬ u 0 ėu 1 ė u V2 ʅ u2
iV1 u V2 u2 ė u 1 u 21

Abbildung 9-16 Ventilablösung bei ungesteuerten Ventilen (natürliche Kommutierung)

Die Kommutierungsspannung uK wird durch die kommutierenden Ventile bestimmt. Als Bei-
spiel wird die Kommutierung von V1 nach V2 ausgewählt (uK = u21). Im Gegensatz zur M2-
Schaltung beträgt die Phasenverschiebung hier nur 120°, so dass die Kommutierungsspannung
uK nur um ʎ 3 größer ist als die Phasenspannung.
9.1 Die Mittelpunktschaltung M3 151

u0 iP1
Id

ˈt
iP2

ˈt
iP3
V1 ü V2

ˈt
i1

ˈt

Abbildung 9-17 Netz- und Primärströme des DY-Transformators mit Kommutierungseinfluss

9.1.4.1 Einfluss auf die Gleichspannung


Für die Kommutierung von V1 nach V2 gilt das
Ersatzschaltbild nach Abb. 9-19. Die Verhältnis-
se unmittelbar vor der Kommutierung, während u 21 u2 ėu1
und nach erfolgter Kommutierung zeigt das Zei-
gerdiagramm in Abb. 9-18. u1
Nach der Kommutierung,
V2 leitend
u1 uLV
V1 iV1
Ȍ
u2 u3
u21
V2 iV2 id
1
K u
uLV 2 21
u2
ud
M
ȋ ė1 u
3 2 u1
Abbildung 9-19 Spannungsverhältnisse bei Während der
der Kommutierung von V1 nach V2 Kommutierung,
V1 und V2 leitend Vor der
Kommutierung,
Ȋ V1 leitend

Abbildung 9-18 Kommutierung V1 nach V2


152 9 Drehstromschaltungen

M :Ė u 0 ėu2 ʅ u ʅ ud Während einer Kommutierung verläuft die Gleichspan-


L˂ nung auf dem halben negativen Wert der jeweils nicht an
der Kommutierung beteiligten Phasenspannung.
aus Symmetriegründen ist
Die Gleichspannung ud wird zunächst von der Phasen-
u21
u L˂ spannung u1 gebildet (Abb. 9-18, Ȋ), dann für die Dauer
2 der Kommutierung von (–u3/2) ȋ und schließlich von u2.
Ȍ Den entsprechenden Verlauf der Gleichspannung ud
Aus M folgt daher für ud : zeigt Abb. 9-20 für ʱ = 0° und Abb. 9-21 für ʱ = 90°
u21 u3 bzw. 150°. Die Leit- und Kommutierungszustände sind in
ud u2 ė ė Tab. Fehler: Referenz nicht gefunden9.3 zusammenge-
2 2
fasst.

ʱ = 0°
Tabelle 9.3 Leitzustände mit Kommutierungen
u0
u1 u2 u3 leitend: ud
u2 u3 u1 V1 u1
ė ė ė
2 2 2
V2 u2

ˈt V3 u3
V1 ɍV2 í½ u3

V2 ɍV3 í½ u1
Abbildung 9-20 Steuerwinkel Į = 0°
V3 ɍV1 í½ u2

ʱ = 90° ʱ = 150°
uĮ uĮ
u1 u2 u3 u1 u2 u3

ˈt ˈt

Abbildung 9-21 Gleichspannung bei ʱ = 90° und ʱ = 150° (WR-Betrieb)


9.1 Die Mittelpunktschaltung M3 153

9.1.4.2 Berechnung des induktiven Gleichspannungsabfalls


Die Berechnung des Gleichspannungsabfalls, der während einer Kommutierung durch die
Kommutierungsreaktanzen hervorgerufen wird, geht zunächst von den beteiligten Wechsel-
spannungen aus. Es wird die Spannungszeitfläche A abhängig vom Gleichstrom Id und der In-
duktivität LK berechnet. Das Ergebnis zeigt, dass die bei der M2-Schaltung ermittelten Bezie-
hungen auch bei der M3-Schaltung anzuwenden sind, wenn die Kommutierungszahlen beider
Schaltungen berücksichtigt werden.

u ˀ uʒ S : Scheitelwert der Phasenspannung


uʒ S sin ʛˈ t ʅ ʜ
6 uʒ S uʒ 1 uʒ 2 uʒ 3

uʒ S
cos ʛˈ t ʜ A uʒ S
2

ˀ ˈt
u
6 0 2ˀ
3
Berechnung der Spannungszeitfläche A:
uʅʱ uʅʱ
ˀ 1
A uʒ S ĩ sin ʛˈ tʅ
6
ʜ d ˈt ė
2
ŏʒu S ĩ cosˈ t dˈt
ʱ ʱ

ˀ ˀ ˀ
Anmerkung: sinʛˈ t ʅ ʜ sin ˈ t cos ʅ cosˈ t sin
6 6 6
uʅʱ u ʅʱ uʅʱ
ˀ ˀ 1
A uʒ S ʛcos
6
ĩ sin ˈ t d ˈ t ʅ sin
6
ĩ cosˈ t d ˈ t ė
2
ĩ cos ˈ t d ˈ t ʜ
ʱ ʱ ʱ

ˀ 1 ˀ 1
wegen sin
6 2
und cos
6 2
ʎ3 folgt:
u ʅʱ
1 1 1
A uʒ S
2
ʎ 3 ĩ sin ˈ t d ˈt uʒ S
2
ʎ 3ŏʛėcosˈ tʜuʅʱ
ʱ
uʒ S
2
ʎ 3ŏʛcos ʱ ė cosʛ u ʅ ʱʜʜ
ʱ

Es ist cosʛʱ ʅ u ʜ cosʱ ė ʛ1 ė cosu0 ʜ, so dass für A folgt :

1
Spannungszeitfläche A uʒ S
2
ʎ 3ŏ ʛ1 ė cos u0 ʜ (9-11)

Durch Mittelwertbildung erhält man die induktive Gleichspannungsänderung Udx:


A
U
dx ˀ
2
3
154 9 Drehstromschaltungen

1
uʒ S ʎ 3 ʛ1 ė cos u0 ʜ
U dx
2

2
ˀ
3
1
ʎ 2U S 2 ʎ 3ŏ
3

ʛ1 ė cosu 0 ʜ U S
3
2ˀ ʎ 3
2
ŏʛ1 ė cos u0 ʜ

ʎ
I dŏˈ L K 3 3 I dŏˈ L K
wegen ʛ1 ė cos u0 ʜ ist U dx US ŏ
uʒ K 2ˀ 2 uʒ K

ferner ist uʒ K ʎ 2 ʎ 3U S und L K 2ŏL


˂
so dass für U dx schließlich folgt

ʎ
uʒ K I dŏˈ 2 L
3 3 ˂
U dx ŏ (9-12)
ʎ 2 ʎ 3 2ˀ 2 uʒ K
oder
U 3ŏL ŏf ŏI (9-13)
dx ˂ d

Wird Udx auf die ideelle Gleichspannung Udi bei Nennstrom Id,n bezogen, so erhält man die
relative induktive Gleichspannungsänderung dx nach Gl. (9-14).

ʎ
U
dx 3 3
d mit U ŏU (I I ) (9-14)
x U
di
di ˀ 2 S d d,n

Die Kennlinie des Stromrichters kann mit dx abhängig vom Gleichstrom Id nach Gl. (9-15) an-
gegeben werden:
U Id

1 ė d xŏ (9-15)
U di ʱ I d,n

Die M3-Schaltung zeigt mit Gl. (9-13) und Gl. (9-15) die gleichen Zusammenhänge für den in-
duktiven Spannungsabfall wie die M2-Schaltung. Deshalb ist der dort gewählte Ansatz auch
hier, unter Berücksichtigung der höheren Kommutierungszahl q, anwendbar. Die für die M2-
Schaltung gefundenen Zusammenhänge sind somit übertragbar auf 3-phasige Schaltungen.
Das Lastverhalten der Gleichspannung Udiʱ ist daher mit Gl. (9-16) unter Berücksichtigung
der unterschiedlichen Kommutierungszahl q allgemein für beide Mittelpunkt-Schaltungen be-
schrieben. L˂ ist die pro Strang wirksame Induktivität.

U qŏL ŏf ŏI M2: q = 2, M3: q = 3 (9-16)


dx ˂ d

ȩ Die Belastungskennlinie entspricht unter Berücksichtigung des Ohmschen Spannungsab-


falls und des Ventilspannungsabfalls somit der in Abb. 8-24 angegebenen Kennlinie.
ȩ Eine Berechnung von Lı über einen Belastungsversuch (ǻUdx(ǻId)) liefert mit Gl. (9-16)
wegen der Vernachlässigung dieser Spannungsabfälle nur Näherungswerte.
9.1 Die Mittelpunktschaltung M3 155

9.1.4.3 Kommutierungseinfluss auf die Ventilspannung


Die Induktivitäten L˂ bilden während der Kommutierung einen induktiven Spannungsteiler,
der neben der Gleichspannung ud auch die Ventilspannung uV beeinflusst. In Tab. 9.4 sind alle
interessierenden Zustände der M3-Schaltung aufgeführt. Die Zeitverläufe zeigt Abb. 9-23.
u1 Tabelle 9.4 Potenziale und uV1 (id = konstant)
LV iV1 V1
ˍA ˍK leitend: ˍA ˍK uV1
u2 uV1 V1 u1 u1
LV iV2 id = konstant 0
V2 u1 u2 u12
V2 Ld
u3 V3 u1 u3 u13
LV iV3 ud
V1 ɍV2 í½ u3 í½ u3 0
V3
V2 ɍV3 u1 í½ u1 1½ u1
Abbildung 9-22 M3C-Schaltung mit Kommutierungs- V3 ɍV1 í½ u2 í½ u2 0
induktivitäten

ʱ= 60°
ˍK ˍA

u1 u2 u3

ˈt

u12 u13 Kommutierungs-


einfluss

uV1

ˈt

1½ u1

Abbildung 9-23 Ventilspannung uV1 unter Berücksichtigung der Überlappung (ʱ = 60°)


156 9 Drehstromschaltungen

9.2 Die Brückenschaltung B6


Die Reihenschaltung einer M3-Kathoden- und einer M3-Anoden-Schaltung führt auf die B6-
Brückenschaltung nach Abb. 9-24. In dieser Schaltung sei der Sternpunkt noch zugänglich, so
dass auch weiterhin die Gleichspannung ud1 bzw. ud2 verfügbar ist.
1U 1V 1W
K i1 uP

iP1 iP2 iP3

uS1 uS2 uS3


ud1 ud2
2U 2V 2W
uS12 uS23
uS31
iS1 iS2 iS3

T1
iT1 iT4 T4
ˍʅ ˍė
T3 T6

T5 ud T2
id

Kathodenschaltung R L Anodenschaltung
Uq

Abbildung 9-24 B6-Schaltung mit Dy-Transformator und aktiver Last

9.2.1 Gleichspannungsbildung

Aus der Maschengleichung Ė u 0 ė u d,1 ʅ u d ʅ u d,2 folgt Gl. (9-17) für die
Gleichspannung ud der B6-Schaltung nach Abb. 9-24. Für ud ist kein Sternpunkt erforderlich.
ud u d,1 ė ud,2 (9-17)

Die Schnittpunkte der Phasenspannungen beider M3-Schaltungen sind um 60° gegeneinander


verschoben. Die Spannung ud arbeitet daher sechspulsig (p = 6). Die Strom- und Spannungs-
belastung der Ventile entsprechen weiterhin denen der M3-Schaltung.
9.2 Die Brückenschaltung B6 157

9.2.2 Leitzustände der Ventile


Es sind immer zwei Ventile gleichzeitig leitend, eines in der oberen Brückenhälfte (Plusklem-
me, Potenzial ˍ+) und eines in der unteren Brückenhälfte (Minusklemme, Potenzial ˍė).
Durch die Führung der Netzspannung erfolgt bei einer ungesteuerten Schaltung bzw. bei ʱ =
0° die Umschaltung der Ventile jeweils im Schnittpunkt der Phasenspannungen. Dadurch leitet
in jeder Brückenhälfte das Ventil mit der momentan höchsten Phasenspannung. In der Darstel-
lung nach Abb. 9-25a ist die B6-Brücke nach 9-25b durch ein Schaltermodell ersetzt. Die
sechs möglichen Schaltzustände zeigt Tab. 9.5, die entsprechenden Zeitverläufe zeigt Abb. 9-
26. Die Leitdauer der Ventile ist durch die jeweils wirksame verkettete Spannung bestimmt
und beträgt 120°. Die Leitzustände der Ventile in der oberen und unteren Brückenhälfte über-
lappen sich um 60°. Der Lückeinsatz erfolgt bei der B6-Schaltung im Schnittpunkt der Phasen-
spannungen und daher erst bei ʱ = 60°.

ˍʅ
ˍʅ b)
a) S+ id
u1 V1 V3 V5
1 5 iV1
u1
3
i1 K
u2 u2 iV4
ud ud
u3
u3

6
4 2
Sė V4 V6 V2
ˍė
ˍė

Abbildung 9-25 Schaltermodell der B6-Schaltung

Tabelle 9.5 Schaltzustände und Gleichspannung der B6-Schaltung


Stellung
ˍ+ ˍí ud
Nr. S+ Sí
1 1 2 0°–60° u1 u3 u13

2 3 2 60°–120° u2 u3 u23

3 3 4 120°–180° u2 u1 u21

4 5 4 180°–240° u3 u1 u31

5 5 6 240°–300° u3 u2 u32

6 1 6 300°–360° u1 u2 u12
158 9 Drehstromschaltungen

1 2 3 4 5 6
ˍʅ

u1 u2 u3
Udi1

ˈt

60°

ˍė

ˈt
Udi2
u3 u1 u2

ud
u12 u13 u23 u21 u31 u32 u12

Udi

ˈt
Abbildung 9-26 Spannungsbildung bei der B6C-Schaltung (ʱ = 0°)

Die Gleichspannungsberechnung der Kurvenform von ud nach Abb. 9-26 erfolgt über 60° nach
Abb. 9-27. Das Ergebnis der Berechnung für Udi bei ʱ = 0° (ungesteuerte Schaltung) zeigt Gl.
(9-18). (UV: Effektivwert der verketteten Spannungen).
ˀ
ʅ
uV uʒ V 6
U di ŏĩ cosʛˈ tʜd ˈ t
ˀ ėˀ
3 6
ûV
U di
ʎ2 ˀ ˀ
3 ŏU Vŏʛsin ʛ ʜ ė sin ʛė ʜʜ (9-18)
ˀ 6 6

ė
ˀ
ʅ
ˀ
ˈt U di 3
ʎ 2ŏ U mit 3
ʎ2 1,35
6 6
ˀ V ˀ
Abbildung 9-27 Gleichspannungsbe-
rechnung der B6-Schaltung
9.2 Die Brückenschaltung B6 159

9.2.3 Stromrichtereingangsstrom
Der Stromrichtereingangsstrom setzt sich je Phase aus zwei Ventilströmen zusammen. Zur
Ermittlung von i1 in Abb. 9-28 dient die Knotengleichung (9-19). (K: siehe Abb. 9-25b).

K: Ė i 0 ė i1 ʅ iV1 ė iV4 folgt : i1 iV1 ė iV4 (9-19)

Ideale Glättung Ohmsche Last


iV1 iV1

ˈt ˈt
iV4 iV4

ˈt ˈt
i1 i1

ˈt ˈt

Abbildung 9-28 Eingangsstrom der B6-Schaltung bei idealer Glättung und ohmscher Last

9.2.4 Netzstrom
Für den idealen Transformator in Dy-Schaltung mit aktiver Last (Abb. 9-24) ergeben sich für
den Netzstrom i1 und die Primärströme für NS = NP die in Abb. 9-29 dargestellten Verläufe.
iP1 NS
ʒi I dŏ
P1 N mit NP = NS
P

ˈt

iP2

ˈt
iP3

ˈt
i1

î1

ˀ 2ˀ 3ˀ ˈt

Abbildung 9-29 Zur Bildung des Netzstromes i1 (ideale Glättung)


160 9 Drehstromschaltungen

Ein Vergleich mit den entsprechenden Größen der M3-Schaltung nach Abb. 9-14 zeigt deut-
lich den Vorteil der höherpulsigen B6-Schaltung. In allen Wicklungen fließen reine Wechsel-
ströme und die Netzstromkurvenform ist symmetrisch. Für den Netzstrom i1 kann der Effektiv-
wert mit Gl. 9-20 angegeben werden (Effektivwertberechnung über ʌ/2).

ʎ
ʒ 2 ʒi
1 i1 ˀ ʒ2 ˀ ˀ 1
I1 ʛʛ ʜ ʜ ʅ i1 ʛ ė ʜ (9-20)
ˀ 2 3 2 3 ʎ2
2

Den Zusammenhang zwischen I1 und dem Gleichstrom Id gibt Gl. (9-21) für (NP = NS) an.
Id
Mit N S N P folgt: ʒi 1 2 I d und damit: I 1 2 ʎ2 Id (9-21)
ʎ2
ȩ Im Netzstrom sowie im Primär- und Sekundärstrom des Transformators nach Abb. 9-29
sind nur ungeradzahlige Oberschwingungen mit nicht durch 3 teilbaren Ordnungszahlen
enthalten. Weitere Kennwerte der Kurvenform sind in Kapitel 12, Gl. (12-4) angegeben.

9.2.5 Bauleistung des Transformators


Für die in Abb. 9-29 dargestellten Primärströme lässt sich die Leistung des Transformators an-
geben. Da NS = NP angenommen wurde, entspricht der Verlauf des Sekundärstromes iS dem
des Primärstromes iP (Durchflutungs-Gleichgewicht). Für die Effektivwerte IS und IP kann da-
her durch Gl. 9-22 allgemein der Zusammenhang mit dem Gleichstrom Id angegeben werden.

IS IP
ʎ 2
I
3 d
0,816 I d (9-22)

Für die primär- und sekundärseitigen Leiterspannungen US und UP lässt sich mit Gl. 9-2 für
die Dy-Schaltung (NS = NP) folgender Zusammenhang mit Ud angeben:

ˀ Ud
US ʎ 3U P Ud
3 ʎ2 1,35

Die Bauleistung des Transformators ST folgt nach Gl. 9-23 aus dem Mittelwert von primär-
und sekundärseitiger Scheinleistung (SP und SS).

SP ʅ SS
ST
2
mit SP 3 UPI P SS ʎ3 U S I S (9-23)

Eingesetzt:

ST ʎ 3 ʛ ʎ 3U I ʅ U I ʜ ʎ 3 U ˀ ŏ I ŏ 2
2 P P S S d 3 ʎ2 d 3 ʎ ˀ
P
3 d
1,05 P d (9-24)

ȩ Die B6-Schaltung bietet die günstigste Transformatorbaugröße und wird daher besonders
für größere Leistungen eingesetzt.
9.3 Zündimpulse 161

9.3 Zündimpulse
Die Zündreihenfolge entspricht der natürlichen Ventilablösung der B6-Brückenschaltung ent-
sprechend Abb. 9-25. Da für einen geschlossenen Stromkreis immer zwei Ventile gleichzeitig
gezündet werden müssen, wird jeweils ein zusätzlicher Zündimpuls (Folgeimpuls) für den 2.
Thyristor erzeugt. An einem Thyristor entsteht daher eine Zündimpulsfolge nach Abb. 9-30.
60°
Hauptimpuls Folgeimpuls
ˈt

Abbildung 9-30 Impulsfolge eines Thyristors

Der erste Impuls eines Thyristors heißt Hauptimpuls, der zweite, 60° spätere Impuls, heißt
Folgeimpuls. Der Hauptimpuls ist um den Steuerwinkel ʱ gegenüber dem Schnittpunkt der
Phasenspannungen verschoben. Erst durch den Folgeimpuls kann die Schaltung in Betrieb ge-
hen und auch im Lückbetrieb sicher arbeiten. Abb. 9-31 zeigt das vollständige Zündimpuls-
schema einer B6C-Brückenschaltung (Bezugsventil V1).
Steuerwinkel ʱ

V1-Synchronisationsspannung
u (u13)
u1 u2 u3

ˈt

Hauptimpuls

V1 Folgeimpuls

ˈt
V2

60° ˈt
V3

ˈt
V4

ˈt
V5

Folgeimpuls ˈt
V6 (V6)
ˈt

Abbildung 9-31 Impulsschema der B6C-Brückenschaltung (ʱ= 0°)


162 9 Drehstromschaltungen

Die Synchronisation des Steuerwinkels Į erfolgt mit der Netzspannung. In der Praxis auftre-
tende Kurzzeit-Unterbrechungen oder Spannungsoberschwingungen dürfen die Synchronisati-
on nicht stören. Die Filterung der Netzspannung erfolgt daher mit einer digitalen PLL-Schal-
tung entsprechend Abb. 9-32. Diese Schaltung synchronisiert sich auf die Grundschwingung
der Netzspannung. Auf Grund der geringen Eigenfrequenz des PLL werden die genannten Stö-
rungen der Netzspannung unterdrückt. Wählt man als Referenzspannung uRef die Leiterspan-
nung u13, so ist der Zündimpuls ZI 1 dem Ventil 1 zugeordnet. Wird der Teilerfaktor n zu 360
eingestellt, so hat die Zählfrequenz fclock die 360-fache Frequenz der Netzspannung f1 und die
nachgeschaltete digitale Zählschaltung arbeitet mit einer Winkelauflösung von 1°.

PLL-Schaltung

Tiefpass
uRef
fclock
ZI 1 PD: Phasendiskriminator
PD VCO
ZI 2
ZI 3 VCO: spannungsgesteuerter
1/n ZI 4 Oszillator
f1 ZI 5
ZI 6
Į

Abbildung 9-32 Impulserzeugung und Synchronisation mit der Netzspannung durch eine PLL-Schaltung

Die Zündimpulse ZI 1-6 haben stationär einen Abstand von jeweils 60°. Die Zündimpulse wer-
den z. B. über eine Diodenschaltung in Abb. 9-33 zu den Gateimpulsen mit Haupt- und Folge-
impulsen für die einzelnen Thyristoren zusammengefasst. Ein Schalttransistor steuert anschlie-
ßend über einen Impulsübertrager den Thyristor an (weitere Einzelheiten zur Thyristor-An-
steuerung in Kapitel 5.3.3).

15 V G1
Abbildung 9-33
Zündverstärker mit Bildung der Folgeimpulse
K1 über eine Diodenverknüpfung
ZI 1

Für Thyristor 1 ist der Zündübertrager mit Frei-


ZI 2 laufkreis dargestellt.

Die Ansteuerung der Thyristoren 2-6 erfolgt


ZI 3 analog zu Thyristor 1 (G1-K1).

ZI 4

ZI 5

ZI 6
9.3 Zündimpulse 163

9.3.1 Gleichspannungsbildung
Die Gleichspannung ud folgt aus der Potenzialdifferenz zwischen oberer und unterer Brücken-
hälfte, d. h. ud = ˍ+ í ˍ–. Abb. 9-34 zeigt diese Potenziale und die resultierende Gleichspan-
nung für die Lückgrenze bei ʱ = 60°. Abb. 9-35 zeigt als weiteres Beispiel die Gleichspannung
im Lückbetrieb bei ohmscher Last und ʱ = 90°.

ʱ = 60°
ˍ+
u3 u1 u2
u3

ˈt

Folgeimpuls

Hauptimpuls

ˍė u3 u1 u2
u3

ˈt

ʱ = 60°

ud
u31 u32 u12 u13 u23 u21 u31

ˈt
Abbildung 9-34 Gleichspannungsbildung der gesteuerten B6-Schaltung (ʱ = 60°)
164 9 Drehstromschaltungen

ʱ= 90°
ˍ+ Lückeinsatz
u3 u1 u2 u3

Folgeimpuls

ˈt
Hauptimpuls

Lückeinsatz

Lückeinsatz
ˍė u3 u1 u2 u3

Hauptimpuls

ˈt
Folgeimpuls

ʱ= 90°

ud
u31 u32 u23 u21 u31
u12 u13

u32

ˈt

Abbildung 9-35 Gleichspannungsbildung im Lückbetrieb mit ohmscher Last (ʱ = 90°)


9.3 Zündimpulse 165

9.3.2 Einfluss der Kommutierungen


Wie bereits bei der M2- und M3-Schaltung dargelegt, beeinflussen die wechselspannungsseiti-
gen Induktivitäten, die pro Strang mit L˂ zusammengefasst werden, sowohl die Gleichspan-
nung als auch die Ventilspannung. Bei der B6-Schaltung arbeiten die beiden Kommutie-
rungsgruppen um 60° versetzt, so dass alle 60° eine Kommutierung erfolgt. Den Einfluss der
Kommutierungen auf die Gleichspannung ud bei ideal geglättetem Gleichstrom id zeigt Abb. 9-
37. Den Einfluss auf die Ventilspannung zeigt Abb. 9-38. Tab. 9.6 gibt die möglichen Schalt-
zustände, Potenziale und Spannungen der B6C-Schaltung nach Abb. 9-36 an.

ˍK = ˍ+ id Abbildung 9-36
u1 uV1
Lı V1 V3 V5 B6C-Schaltung mit wechselspanungs-
ˍA seitigen Induktivitäten. Die Induktivi-
L1
u2 täten sind je Strang zu Lı zusammen-
Lı ud gefasst.
L2 Die folgenden Betrachtungen setzen
u3
Lı eine Überlappung u kleiner 60° vor-
aus (Kommutierungen als einphasiger
L3
N V4 V6 V2 Kurzschluss)
ˍė

Tabelle 9.6 Potenziale und Spannungen der B6C-Schaltung mit Kommutierungseinfluss für u < 60°
leitend: ˍK
ˍA ˍí uV1 ud
+ í ˍ+

1 V3 V2 ɍV4 í½ u2 u2 í½ u2 í1½ u2 1½ u2
2 V3 V4 u1 u2 u1 u12 u21

3 V3 ɍV5 V4 u1 í½ u1 u1 1½ u1 í1½ u1

4 V5 V4 u1 u3 u1 u13 u31

5 V5 V4 ɍV6 í½ u3 u3 í½ u3 í1½ u3 1½ u3

6 V5 V6 u1 u3 u2 u13 u32

7 V5 ɍV1 V6 í½ u2 í½ u2 u2 0 í1½ u2

8 V1 V6 u1 u1 u2 0 u12

9 V1 V6 ɍV2 u1 u1 í½ u1 0 1½ u1

10 V1 V2 u1 u1 u3 0 u13

11 V1 ɍV3 V2 í½ u3 í½ u3 u3 0 í1½ u3

12 V3 V2 u1 u2 u3 u12 u23
166 9 Drehstromschaltungen

ʱ = 60°
ˍ+ u3 u3
u1 u2
u1
ė
2

ˈt

u3 u3
ˍí u1 u2

ˈt

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 1

ud u31 u32 u12 u13 u23 u21 u31

u32

ˈt
Abbildung 9-37 Gleichspannung mit Kommutierungseinfluss (ʱ = 60°)
9.3 Zündimpulse 167

u3 u1 u2
ˍA
u2
ė
2

ˈt

u3
ė
2

u3 u1 u2
ˍK
u1
ė
2

ˈt

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 1 2 3

u12 u13
uV1 í1,5 u2 1,5 u1 í1,5 u3

ˈt

ʱ = 60°

Abbildung 9-38 Potenziale und Ventilspannung der B6-Schaltung für Id = konstant, R = 0 und ʱ = 60°
168 9 Drehstromschaltungen

uV1 ˈt

u31

uV1
30°

ˈt

uV1
60°

ˈt

uV1
90°

ˈt

Abbildung 9-39 Ventilspannung bei unterschiedlichen Steuerwinkeln ʱ (Id = konstant, R > 0)

Eine Simulation der B6C-Schaltung nach Abb. 9-36 mit unterschiedlichen Steuerwinkeln ʱ
zeigen die Kurvenverläufe nach Abb. 9-39. In Abb. 9-39 ist neben LN auch der Einfluss des
ohmschen Wicklungswiderstandes R berücksichtigt (vgl. Abb. 9-38, ʱ = 60°).
9.3 Zündimpulse 169

9.3.3 Auswirkungen nicht idealer Glättung auf die Gleichspannung


In theoretischen Betrachtungen wird oft von einer idealen Stromglättung ausgegangen, wo-
durch sich die Wirkungsweise der Stromrichterschaltung anschaulich beschreiben lässt. Netz-
seitige Induktivitäten wirken sich in diesem Fall nur bei den Kommutierungsvorgängen aus.
Da in der Praxis jedoch von einem welligen Gleichstrom – und damit von einem welligen
Netzstrom – auszugehen ist, wirkt sich die in den netzseitigen Induktivitäten induzierte Span-
nung, hier als uLı bezeichnet, auf den Gleichspannungsverlauf aus. Nachfolgende Simulation
soll beispielhaft diese Problematik veranschaulichen:

ud

Realer Verlauf

Idealer Verlauf

Ȧt
d i1
L 0
˂ dt
i1 Kommutierungseinfluss

uLı
i1 id

Ȧt

d i1
u L
L˂ ˂ dt

Abbildung 9-40 Einfluss eines welligen Gleichstromes auf die Gleichspannung ud

Abb. 9-41 zeigt als Ersatzschaltbild den Stromkreis für i1 = id mit den beteiligten Induktivitä-
ten für den Fall das V1 und V2 leitend sind. Durch den welligen Gleichstrom id kommt es an
den netzseitigen Induktivitäten zu Spannungsabfäl-
u1 uLı uLd len, die sich zu der sinusförmigen Netzspannungen
V
(u13) überlagern. Dadurch weicht die reale Gleich-
Ld id R
u13 Lı u d spannung ud von dem idealen Gleichspannungsver-
lauf in Abb. 9-40 deutlich ab. Dieser Einfluss
V
u3
uLı wächst mit zunehmender Netzinduktivität (Lı), ist
also abhängig von der Kurzschlussspannung des
Abbildung 9-41 Ersatzanordnung für ud Transformators.
wenn V1 und V2 leiten
170 9 Drehstromschaltungen

9.4 12-pulsige Schaltungen


Werden zwei B6-Brückenschaltungen mit einer gegenseitigen Phasenverschiebung von 30°
betrieben, so lässt sich die effektive Pulszahl p der Gleichspannung ud auf 12 verdoppeln. Zu
diesem Zweck ist der Transformator T in Abb. 9-44 mit zwei unterschiedlicher Schaltgruppen
bestückt, z. B. Yy6 und Dy5. Es stellt sich zwischen den entsprechenden Leiterspannungen auf
der Sekundärseite eine Phasenverschiebung von z. B. 5·30° = 150° (DY5) ein.

L1 Abbildung 9-42
NP N1S
uP12 u1S12 Stromrichter-Transformator für eine
L2 B6 ud1 12-pulsige Schaltung
u1S23 Die Windungszahlen auf der Sekun-
L3 därseite müssen so gewählt werden,
N 1S dass die Beträge der verketteten
NP
ʎ3 Spannungen gleich sind. Dann sind
u2S12
auch die Mittelwerte der Gleich-
spannungen Ud1 und Ud2 gleich.
B6 ud2
u2S23

Die sekundären Spannungssysteme sind potenzialfrei, so dass die einzelnen B6-Brückenschal-


tungen sowohl in reihe als auch parallel betrieben werden können.
id,1
id
id
ud,1
id~ ǻud
ud
id,2 LS
ud,2 ud,1 ud,2 ud

a) Reihenschaltung b) Parallelschaltung

Abbildung 9-43 Reihen- und Parallelschaltung

Bei einer Parallelschaltung entstehen durch die unterschiedlichen Momentanwerte der 6-pulsi-
gen Gleichspannungen ud1 und ud2 Spannungsdifferenzen (Gl. (9-25)), die wiederum zu Aus-
gleichströmen über die Transformatorwicklungen führen. Zur Unterdrückung dieser Aus-
gleichströme ist eine Entkopplungsdrossel LS (auch Saugdrossel genannt) entsprechend Abb.
9-43b und 9-46 erforderlich. Das Bezugspotenzial für die Gleichspannung ud kann bei der Rei-
henschaltung symmetrisch, d.h. bei halber Spannung festgelegt werden, wodurch sich die Iso-
lationsbeanspruchung reduziert. Die Gleichspannung ud hat bei der Reihen- und Parallelschal-
tung eine 12-pulsige Welligkeit.

ʧ ud ud1 ė ud2 mit ʧ ud 0 (9-25)


9.4 12-pulsige Schaltungen 171

9.4.1 Stromrichter-Reihenschaltung

id Abbildung 9-44
i1S1
12-Puls-Schaltung (B6) 2S
L1
uP12 u1S12
L2 ud1

L3
NP N1S

ud

i2P1 NP N2S
i2S1
ud u d1 ʅ u d2
u2S12
ud2

Ud ud
3,4 %

ud,1 ud,2

13,4 %

30°

ˈt

Abbildung 9-45 Reihenschaltung,12-pulsige Spannungsbildung. Die Addition von zwei 6-pulsigen, um


30° versetzten Spannungen (ud1 und ud2) liefert eine 12-pulsige Gleichspannung (ud).
172 9 Drehstromschaltungen

9.4.2 Stromrichter-Parallelschaltung

id,1 Abbildung 9-46


iP1 i1P1 i1S1
L1 12-Puls Saugdrossel-
uP12 u1S12 schaltung (B6) 2P
L2 ud1

L3
NP N1S

id R
uLS
LS
ud

i2P1 NP N2S i2S1 id i d1 ʅ id2


u2S12
ud2 ʧ ud ud1 ė ud2

ʧ ud
id,2 ud ud1 ė
2

Die Induktivität der Saugdrossel LS begrenzt den Differenzstrom id~. Für den Gleichstrom id
ist eine Mittelanzapfung vorgesehen, wodurch für den magnetischen Kreis der Saugdrossel
eine Wechselstrombelastung vorliegt. Da sich die gegensinnigen Gleichanteile im magneti-
schen Kreis aufheben hat Saugdrossel eine günstige Baugröße.

u ud,1 ud,2

ud

2 ˀ

ʧ ud ʧud = ud,1 í ud,2 id~


2

ˈt

Abbildung 9-47 Parallelschaltung, 12-pulsige Gleichspannung, Drosselspannung und -strom

Der Vorteil 12-pulsiger Schaltungen liegt in der günstigen Netzstromkurvenform und in der
geringen Welligkeit der Gleichspannung. Auf zusätzliche Glättungsmittel kann häufig verzich-
9.4 12-pulsige Schaltungen 173

tet werden. Der in Abb. 9-48 dargestellte Verlauf des Phasenstromes iP1 ermittelt sich mit Gl.
(9-26). Die Ströme sind in Abb. 9-46 definiert.
i P1 i1P1 ʅ i 2P1 (9-26)

i1P1 Abbildung 9-48


ˈt Ermittlung des
Netzstromverlaufs iP1
i2P1 12-pulsiger Strom-
ˈt richter in Reihen- oder
Parallelschaltung.

iP1
ˈt

Die Qualität des Netzstromes ist durch die vergrößerte Pulszahl deutlich verbessert, so dass
sich der Filteraufwand reduzieren lässt (die Ordnungszahl der 1. Stromoberschwingung ist
p í 1 = 11). Ferner ist die Ansprechzeit des Stromrichters mit zunehmender Pulszahl reduziert,
wodurch sich eine bessere Regeldynamik erzielen lässt. Ein typisches Anwendungsbeispiel für
12-pulsige Stromrichter sind die Hochspannungs-Gleichstrom-Übertragungen (HGÜ) und
Kurzkupplungen entsprechend Abb. 9-49.

+500 kV
Pol A
B6C B6C
P
Ȋ Ȋ
Ȋ Ȋ
¨ ¨

B6C B6C
Pol B
í500 kV
Station I, Gleichrichter Station II, Wechselrichter
Abbildung 9-49 Grundsätzlicher Aufbau einer HGÜ-Anlage

HGÜ: Bei der Energieübertragung über große Strecken wird zur Vermeidung induktiver Span-
nungsabfälle und der damit verbundenen Verluste die elektrische Energie mit Gleichstrom
übertragen. Die Station 1 arbeitet im Gleichrichterbetrieb, die Station II im Wechselrichter-
betrieb. Die Spannung wird so hoch gewählt, dass der Strom (der die ohmschen Verluste
bestimmt) möglichst klein ist, aber die Koronaverluste aufgrund der hohen Spannung noch
klein genug sind. Hier ist eine Spannung von 500 kV angenommen. Bei einem Gleichstrom
174 9 Drehstromschaltungen

von z. B. 2 kA kann damit eine Leistung von 1000 MW übertragen werden. Üblich sind Zwei-
pol-Übertragungen mit einer Plus- und einer Minus-Leitung. Damit auch bei Ausfall einer
Leitung eine Leistungsübertragung möglich ist, wird ein dritter Leiter (Erde oder eine weitere
Leitung) verwendet. Als Stromrichter werden 6-pulsige Brücken eingesetzt, die zur Erzeugung
der hohen Spannung in Serie geschaltet sind. Die Speisung durch Stern-Dreieckschaltung er-
gibt eine 12-pulsige Anordnung. Auf der Wechselstromseite werden Saugkreise und
Kondensatoren zur Filterung der Oberschwingungen und zur Kompensation der Blindleistung
verwendet. Mit den Filterelementen sind elektrische Verluste bis zu mehreren hundert kW in
den erforderlichen Dämpfungswiderständen verbunden.

Kurzkupplungen: Zur Verbindung von zwei Netzen mit entweder unterschiedlicher Frequenz
oder mit schwankender Phasenlage werden ähnliche Schaltungen wie bei der HGÜ verwendet.
Allerdings sind meist beide Stromrichter in einem Gebäude untergebracht. Die fehlende Über-
tragungsstrecke ermöglicht niedrigere Spannungen (ca. 50 bis 200 kV). Die Spannung wird
zweckmäßig so hoch gewählt, dass der Gleichstrom Id bei der maximal zu übertragenden Leis-
tung keine Parallelschaltung der Thyristoren erfordert (derzeit: Id < 4000 A).

9.5 Höherpulsige Schaltungen


Mit zusätzlichen Transformatorwicklungen lässt sich die Pulszahl noch weiter anheben. Bei
z. B. 3 sekundären Drehstromwicklungen, die jeweils um 20° versetzte Drehspannungssysteme
liefern, erhält man eine 18-pulsige Gleichspannung, bei 4 Sekundärwicklungen die jeweils um
15° versetzt arbeiten (siehe Abb. 9-50), erreicht man eine 24-pulsige Gleichspannung.
Die erforderliche Drehung der Leiterspannungen um den Schwenkwinkel (hier 30° für die 12-
pulsige Schaltung bzw. 15° für die 24-pulsige Schaltung) erfolgt im Allgemeinen durch Kom-
bination von jeweils zwei oder drei Phasenspannungen über die Transformatorwicklungen ent-
sprechend Abb. 9-50. Die Beträge der resultierenden Spannungen müssen einander entspre-
chen. Die Bezeichnungen beziehen sich auf Abb. 9-42.

Spannungsbildung für 12-pulsige Schaltungen Spannungsbildung für 24-pulsige Schaltungen

u 2S12

DY5
u 2S12

150° 165°

30°
u 1S31
15°
u 1S12 u 1S12
u 1S23 u 1S23

Abbildung 9-50 Drehung eines Drehspannungssystems durch Kombination von Phasenspannungen am


Beispiel von u12
175

10 Netzrückwirkungen

Stromrichterschaltungen entnehmen dem speisenden Netz im Allgemeinen nicht sinusförmige


Ströme. Die Wirkung nicht sinusförmiger Ströme auf das speisende Netz führt zu den
Erscheinungen:
À Blindleistung,

À Stromoberschwingungen,

À Spannungsoberschwingungen.

Diese Erscheinungen werden zusammenfassend als Netzrückwirkungen bezeichnet.

10.1 Blindleistungsverhalten
Ausgehend von einer gesteuerten M2-Schaltung nach Abb. 10-1 kann man feststellen, dass der
Netzstrom iN der Netzspannung uN um den Phasenverschiebungswinkel ˍ1 nacheilt. Das be-
deutet, dass der Stromrichter über die Stromgrundschwingung iN,1 eine induktive Blindleis-
tung Q1 bezieht. Neben der Stromgrundschwingung iN,1 enthält der Netzstrom abhängig von
der Kurvenform zusätzliche Oberschwingungen. Zusammen mit der Netzspannung UN entsteht
eine Oberschwingungsblindleistung, die als Verzerrungsleistung D bezeichnet wird. Wie Abb.
10-1 zeigt, sind der Phasenwinkel der Grundschwingung, ˍ1, und der Steuerwinkel ʱ iden-
tisch, weshalb die Grundschwingungsblindleistung Q1 auch als S t e u e r b l in d l eis tu n g be-
zeichnet wird. Dieser Zusammenhang gilt auch bei höherpulsigen Schaltungen. Die Netzspan-
nung wird als rein sinusförmig angenommen, daher ist der Index 1 für die Spannungs-Grund-
schwingung hier nicht erforderlich.

uN
u D uN
iN i
iN,1

uS1 uS2 iN

L
Zt
Udi M
id ˍ1

Abbildung 10-1 Gesteuerte M2-Schaltung mit Netzgrößen, id = konstant, idealer Transformator

Wirkleistung: P U N I N,1 cos ˍ1 mit cos ˍ1 = Verschiebungsfaktor (10-1)


176 10 Netzrückwirkungen

10.1.1 Die Kennlinie der Steuerblindleistung


Wird bei der Schaltung nach Abb. 10-1 bei konstantem Gleichstrom Id der Steuerwinkel ʱ von
0° bis zum Maximalwert von 180° verändert, so gelten folgende Zusammenhänge:

Grundschwingungsscheinleistung: S 1 U N I N,1 konstant


Grundschwingungsblindleistung: Q1 S 1 sin ˍ 1 U di I d sin ʱ
Wirkleistung: P S 1 cos ˍ1 U di I d cosʱ
2 2 2 2
Eine quadratische Zusammenfassung liefert: Q1 ʅ P S1 ʛU di I d ʜ
Q1 2 2
P
weitere Umformung: ʛ ʜ ʅ ʛ ʜ 1 ( Kreisgleichung )
U di I d U di I d

setzt man schließlich P U I d ein, so folgt :


di ʱ

2 U 2
Q1 di ʱ
ʛ ʜ ʅ ʛ ʜ 1 (10-2)
U di I d U di

Diese Gleichung ist als Blindleistungs-Diagramm in Abb. 10-2 dargestellt.

1,0

Q1
S1

ʱmax u0
ʱ
ʳ ʱmin U
di ʱ
í1,0 í0,8 í0,6 í0,4 í0,2 0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 U di

Abbildung 10-2 Grundschwingungsblindleistung bei konstantem Gleichstrom

Berücksichtigt man auch die Transformator-Streuinduktivität Lı, so weist der Netzstrom wäh-
rend der Überlappung cosinusförmige Flanken auf (Abb. 10-3). Die Überlappung führt bereits
bei Į = 0° zu einer zusätzlichen Blindleistungsaufnahme der Schaltung. Die Überlappung führt
ferner zu einer Verlängerung der Thyristorleitdauer auf 180° + uĮ. Für den max. Steuerwinkel
ʱmax gilt dann zur Vermeidung des Wechselrichterkippens näherungsweise Gl. 10-16.

ʱ max 180 ° ė u 0ė ʳ mit: ʳ ˈ t S (Schonzeitwinkel) (10-3)


10.1 Blindleistungsverhalten 177

Wegen der Anfangsüberlappung u0 kann im Gleichrichterbetrieb der Steuerbereich nur ab dem


Wert der Anfangsüberlappung ʱmin = u0 und im Wechselrichterbetrieb bis max. Įmax ausge-
nutzt werden. Wegen der für die Dauer der Kommutierung (Überlappung u) cosinusförmigen
Flanken muss die Annahme Į = ˍ1 aufgegeben werden. Es gilt mit der relativen induktiven
Gleichspannungsänderung dx nun folgender Zusammenhang zwischen Steuerwinkel ʱ und
dem Verschiebungswinkel der Grundschwingung (ˍ1):
cos ʛˍ 1 ʜ cos ʛʱʜ ė d x (10-4)

À Schon bei Vollaussteuerung (ʱ= 0°) wird Blindleistung aufgenommen


À ˍ1 kann näherungsweise durch u0/2 bzw. uĮ/2 ersetzt werden (ˍ1 IJ uĮ/2).

uN
Abbildung 10-3
iN,1
Netzgrößen unter Einfluss der
iN
Kommutierungsinduktivität LK
bei Į = 0°

2ˀ Zt Während der Kommutierung ver-


ˀ
läuft der Netzstrom cosinusför-
ˍ1 mig. Hierdurch ist die Stromkur-
ve leicht nach rechts verschoben.

u0

10.1.2 Oberschwingungsblindleistung
Durch eine Zerlegung des nicht sinusförmigen Stromes IN in Grund- und Oberschwingungen
lässt sich nach Gl. (10-8) auch die Blindleistung Q in Grund- und Oberschwingungsblindleis-
tung (Q1 und D) zerlegen. Zur Veranschaulichung dient Abb. 10-4. Die Oberschwingungs-
blindleistung D (Verzerrungsleistung) führt zu zusätzlichen Stromwärmeverlusten im Trans-
formator (Zusatzverluste, s. Kap. 16.2).

Gesamtscheinleistung: S U N IN ʎ 2 2 2
U Nŏ I N,1 ʅ I N,2 ʅ I N,3 ʅ ... (10-5)

Gesamtblindleistung Q ʎS 2 ė P2 (10-6)

Wirkleistung P U N I N,1 cos ˍ 1 (10-7)


Zerlegung der Blindleistung Q in Grundschwingungs- und Verzerrungsblindleistung:

Q ʎ U 2N ʛ I 2N,1 ʅ I 2N,2 ʅ I 2N,3 ʅ ... ʜ ė ʛU N I N,1 cosˍ1ʜ2


Durch Ausmultiplizieren und Zusammenfassung sowie mit sin 2 ˍ 1 ė cos2 ˍ folgt:

Q ʎ U 2N I 2N,1 sin 2 ˍ1 ʅ U 2N ʛ I 2N,2 ʅ I 2N,3 ʅ...ʜ ʍ Q ʎ Q12 ʅ D 2


178 10 Netzrückwirkungen

Verzerrungsleistung D ʎ 2 2
U N I N,2 ʅ I N,3 ʅ ...
(10-8)
Grundschwingungsblindleistung Q1 U N I N,1 sin ˍ 1

Abbildung 10-4
S Zeigerdiagramm der Leistungen bei
Q D nichtsinusförmigem Strom
S: Gesamtscheinleistung
S1: Grundschwingungsscheinleistung
S1
P: Wirkleistung
Q1 D: Verzerrungsleistung
P Q: Gesamtblindleistung
Q1: Grundschwingungsblindleistung

10.2 Stromoberschwingungen
Der von einem Stromrichter aus dem Versorgungsnetz bezogene Strom ist im Allgemeinen
nicht sinusförmig und setzt sich aus Grund- und Oberschwingungen zusammen. Während die
Stromgrundschwingung die Leistungsübertragung bewirkt, tragen die Stromoberschwingungen
nicht zur Leistungsübertragung bei. Sie belasten aber das speisende Netz durch Spannungsab-
fälle wodurch die Spannungskurvenform verzerrt wird. Ferner entstehen zusätzliche Verlust-
leistungen (I2·R) und es besteht die Gefahr von Resonanzanregungen im Netz. Den Ober-
schwingungsstrom THC (Total Harmonic Current, EN 61000) ermittelt man mit Gl. (10-9).

ʎ
40
THC Ė
n 2
I 2n (10-9)

Für die vom Stromrichter hervorgerufenen Oberschwingungen im Netzstrom gelten die in der
EN 61000-3 festgelegten Grenzwerte. Die Oberschwingungen des Netzstromes sind abhängig
von der Pulszahl p des Stromrichters und der Art der Glättung. Wir unterscheiden nach der Art
der Glättung:
À Schaltungen mit Stromglättung,
À Schaltungen mit Spannungsglättung.

10.2.1 Stromglättung
Stromrichter mit Stromglättung arbeiten mit einem konstantem Gleichstrom Id. Der Netzstrom
iN in Abb. 10-5 und 10-6 ist daher abschnittweise eingeprägt durch den Gleichstrom Id und da-
her rechteckförmig. Die Breite der Stromblöcke hängt von der Pulszahl p des Stromrichters ab
und beträgt bei 2-puls-Stromrichtern 180° und beim 6-pulsigen Stromrichter 120°. Zu jeder
Strom-Kurvenform ist das entsprechende Frequenzspektrum angegeben. Darin ist
IN,1: Effektivwert der Stromgrundschwingung
IN,n: Effektivwert der n-ten Harmonischen (n: Ordnungszahl)
Einen Vergleich der Kurvenformen und Spektren des Netzstromes iN einer B2- und B6-Schal-
tung zeigen Abb. 10-5 und 10-6. Darin ist zu erkennen, dass die Anzahl an Oberschwingungen
10.2 Stromoberschwingungen 179

bei der 6-pulsigen B6-Schaltung wesentlich geringer ist als bei der 2-pulsigen B2-Schaltung.
Allgemein nimmt der Oberschwingungsgehalt mit steigender Pulszahl p des Stromrichters ab.
1
uN iN,1
Pulszahl p = 2
1
I N,n n
iN Id
t I N,1

T
2

1 3 5 7 9 11 13 15 17
n

Abbildung 10-5 Netzstrom und -spektrum der B2 Schaltung

Für die Pulszahl p = 2 nach Abb. 10-5 erhält man die Fourier-Reihe nach Gl.(10-10). Weitere
Kennwerte dieser Kurvenform gibt Gl. (10-11) an
4 1
i N ʛtʜ Id
ˀ
Ė n sin ʛnˈ 1 tʜ n 1, 3, 5, 7, ... (10-10)
n

4
Effektivwert: I N Id Grundschwingung: I N,1 I 0,9 I d (10-11)
ˀʎ2 d

Analog erhält man für die B6-Schaltung die Fourier-Reihe nach Gl. (10-12). Weitere Kenn-
werte dieser Kurvenform gibt Gl. (10-13) an.
1
uN iN,1
Pulszahl p = 6
1
I N,n n
iN Id
t I N,1
T
3

1 3 5 7 9 11 13 15 17
n
Abbildung 10-6 Netzstrom und -spektrum der B6 Schaltung

4 1 ˀ
i N ʛtʜ Id
ˀ
Ė n cosʛn 6 ʜsin ʛnˈ1 t ʜ n 1, 3, 5, 7, ... (10-12)
n

Effektivwert: I N Id
ʎ 2
3
Grundschwingung: I N,1
ʎ6 I
ˀ d 0,78 I d (10-13)
180 10 Netzrückwirkungen

Durch Verwendung eines DY5-Transformators als Eingangstransformator für die B6-


Schaltung ändert sich die spektrale Zusammensetzung des Leiterstromes nicht. Es treten nur
unterschiedliche Phasenlage einzelner Harmonischer auf (vgl. Abb. 9-29).
Ein Vergleich der Spektren zeigt allgemein:
À Bei einer Stromrichterschaltung der Pulszahl p treten im Eingangsstrom keine Oberschwin-
gungen mit der Ordnungszahl n < (p – 1) auf.
Bei großen Leistungen werden daher zur Erzielung eines günstigen Oberschwingungsgehaltes
nur Stromrichter mit höherer Pulszahl (p = 6, 12, 18, ...) eingesetzt. Zur Verringerung des
Oberschwingungsgehaltes im Netzstrom können zusätzlich selektive Filter (Saugkreisfilter) am
Eingang der Stromrichterschaltung vorgesehen werden. Eine beispielhafte Ausführung für ein
Saugkreisfilter zeigt Abb. 10-7b. Der Saugkreis wird mit seiner Resonanzfrequenz f0
entsprechend Gl. (10-15) auf die Frequenz der zu eliminierenden Oberschwingung abges-
timmt, und stellt für die betreffende Stromoberschwingung eine sehr geringe Impedanz dar,
deren Minimalwert durch den ohmschen Widerstand RL gegeben ist. Der Ohmsche Widerstand
bestimmt auch die Güte Q (und damit den Dämpfungsgrad d) des Filters nach Gl. (10-14) und
zusammen mit der Eigenfrequenz nach Gl. (10-15) die Bandbreite B (siehe Abb. 10-7a). Für
jede zu kompensierende Stromoberschwingung ist ein Saugkreis erforderlich. Bei dreiphasigen
Schaltungen ist diese Anordnung dann dreimal vorzusehen. Um den Aufwand nicht unnötig in
die Höhe zu treiben, kompensiert man im Allgemeinen nur die Stromoberschwingung mit dem
größten Einfluss und das ist im Allgemeinen die Stromoberschwingung mit der niedrigsten
Ordnungszahl. Die einphasige Ausführung und Anordnung eines Saugkreisfilters zeigt Abb.
10-7b. Darin ist auch zu erkennen, dass das Filter zusammen mit der Netzinduktivität LN einen
zusätzlichen Resonanzkreis bildet. Wegen der Reihenschaltung mit dem Saugkreis liegt diese
zusätzliche Eigenfrequenz unterhalb der Frequenz des Saugkreisfilters. Diese Frequenz darf
nicht durch den Netzstrom angeregt werden.
a) B10 b)
1

iN iE
0,707
LN
C
RN iF
I
L
I5 uN
Q = 10 RL
0
0 1 5 f  f N
10

Abbildung 10-7 Wirkung eines Saugkreisfilters für die 5. Oberschwingung (f / fN = 5)

Güte Q
1
RL ʎ L
C
Dämpfungsgrad d
1
2Q
(10-14)

Resonanzfrequenz ˈ e
ʎ 1ėd 2
LC
(10-15)
10.2 Stromoberschwingungen 181

ˈe
Bandbreite B (10-16)
Q

Abb. 10-8 zeigt beispielhaft eine 3-phasige Anordnung (LS, CS). Saugkreisfilter wirken für alle
Frequenzen unterhalb der Resonanzfrequenz f0 kapazitiv. Dadurch wird eine vorhandene in-
duktive Grundschwingungsblindleistung Q1 kompensiert. Bei einem schwankendem Blindleis-
tungsbedarf des Stromrichters besteht wegen der konstanten kapazitiven Blindleistung die
Möglichkeit einer Überkompensation, d. h. die Schaltung wirkt kapazitiv. In der Praxis bilden
die Filterelemente mit der Netzimpedanz weitere Eigenfrequenzen, die nicht angeregt werden
dürfen. Eine Mindestdämpfung d ist daher erforderlich, verschlechtert aber die Filterwirksam-
keit (Dämpfungswiderstände in Abb. 10-8 nicht dargestellt).

L1
L2 Abbildung 10-8
L3
Saugkreisfilter, 3-phasig
LN LN LN
LS CS LN: Netzinduktivität
LS, CS: Saugkreisfilter
LS CS

LS CS

Stromrichter

10.2.2 Spannungsglättung
Schaltungen mit Spannungsglättung arbeiten mit einer konstanten Gleichspannung Ud. Die
Glättung der gleichgerichteten Wechselspannung ud erfolgt in Abb. 10-9 mit dem Glättungs-
kondensator Cd. Die Gleichrichterdioden schalten ein, sobald uS größer ud ist. Der Ladestrom
iC wird nur durch den Kondensator Cd und die Höhe der Netzspannung uS bestimmt. Der Kon-
densator wird ideal sofort auf die Netzspannung aufgeladen, wodurch ein sehr hoher
Stromimpuls entsteht. Ist die Netzspannung wieder kleiner ud, so sperren die Dioden und der
Kondensator wird durch die Last entladen, bis in der nächsten Halbschwingung von uS die an-

id Abbildung 10-9
iC
B2-Schaltung mit kapazitiver Glättung
iS und eingeprägtem Gleichstrom id
uS Cd ud

deren Dioden kurzzeitig leiten. Die Schwankung der Gleichspannung ud wird durch die Wel-
ligkeit wU analog zur M1-Schaltung (Gl. 7-15) beschrieben.
182 10 Netzrückwirkungen

ʎ
Ğ

Ė U d,ʽ Ud,Ȟ: Effektivwert der Ȟ-ten Oberschwingung


ʽ 1
Spannungswelligkeit wU
U di

Der Netzstrom iS besteht entsprechend Abb. 10-10 aus kurzen hohen Stromimpulsen abwech-
selnder Polarität und enthält daher eine hohe Zahl an Stromoberschwingungen. Der Leistungs-
faktor ʻ (power factor) ist sehr ungünstig.

iS
ud Abbildung 10-10
Netzstrom iS und Gleichspannung ud bei
uS kapazitiver Glättung
Sobald uS > ud ist wird Cd geladen wobei kurz-
zeitig ein hoher Strom fließt. Durch den
Innenwiderstand der Dioden und parasitären In-
ˈt duktivitäten im Stromkreis weicht die
Gleichspannung ud beim Laden von der Netz-
spannungskurvenform geringfügig ab.

Für viele Anwendungen ist der Scheitelwert des Netzstromes von Bedeutung. Das Verhältnis
von Scheitelwert zu Effektivwert wird allgemein durch den Scheitelfaktor, auch crest factor c
genannt, nach Gl. (10-17) beschrieben. Der Scheitelwert kann damit bei bekanntem Effektiv-
wert einfach abgeschätzt werden.

ʒi Scheitelwert
crest factor c (10-17)
I Effektivwert

Der crest factor c beträgt bei Sinusgrößen c = 1,41, bei Gleichrichterschaltungen mit kapaziti-
ver Glättung, wie in Abb. 10-10 dargestellt, kann c = 3 und mehr erreichen. Einige typische
Kurvenformen sind nochmals in folgender Tabelle zusammengefasst:

Tabelle 10.1 Scheitelfaktoren verschiedener Kurvenformen

Netzstrom bei
Wechselgröße: Rechteck Sinus Dreieck
C-Glättung
crest factor c: 1 ʎ2 ʎ3 >3
10.2 Stromoberschwingungen 183

10.2.2.1 Passive PFC-Schaltung


Abhilfe gegen die in Abb. 10-10 dargestellte ungünstige Stromkurvenform von iS bietet eine
zusätzliche Induktivität LPFC in Serie zum Glättungskondensator Cd. Zweckmäßig wird diese
Induktivität auf der Wechselspannungsseite entsprechend Abb. 10-11 installiert. Die Induktivi-
tät lässt den Ladestrom nur verzögert ansteigen. Die Stromkurvenform nach Abb. 10-12 zeigt
einen besseren Leistungsfaktor ʻ als die Stromkurvenform nach Abb. 10-10.

Abbildung 10-11
LPFC iC id
B2-Schaltung mit kapazitiver
Glättung und PFC-Drossel
iS
uS Cd ud

Die Drossel LPFC wird handelsüblich als Power Factor Correction-Drossel (PFC-Drossel) be-
zeichnet (passives Verfahren, kostengünstig bei kleinen Leistungen).

Abbildung 10-12
ud ǻu Zur Wirkung einer passiven PFC-
Einrichtung
uS
iS ȩ Die wechselspannungsseitige
Drossel verbessert die Stromkur-
venform.

ˈt ȩ Die höherfrequenten Störströme


werden reduziert und der Leis-
tungsfaktor Ȝ steigt an.
Aber:
ȩ Erhöhter Spannungsabfall (ǻu)
während der Netz-Nachladung.

Der Leistungsfaktor Ȝ (Power Factor) ist nach DIN 40110 definiert zu:

ĢPĢ UŏI 1ŏĢ cosˍ Ģ I1


ʻ ŏĢ cosˍ Ģ g iŏĢ cosˍ Ģ (10-18)
S UŏI I
gi: Grundschwingungsgehalt des Stromes, 0 < gi < 1.

À Durch eine Absenkung des Oberschwingungsanteils im Netzstrom kann somit eine Verbes-
serung (correction) des Leistungsfaktors Ȝ erreicht werden. Nach diesem Prinzip arbeitet
eine passive Power-Factor-Correction-Schaltung (PFC-Schaltung).
À Eine Korrektur der Phasenverschiebung ij kann eine aktive Power-Factor-Correction-
Schaltung erreichen, wodurch sich ebenfalls eine Verbesserung des Leistungsfaktors ergibt.
184 10 Netzrückwirkungen

10.2.2.2 Aktive PFC-Schaltung


Neben den passiven Verfahren gibt es bei der Spannungsglättung auch aktive PFC-Verfahren,
bei denen durch PWM-Technologien die Kurvenform des Netzstromes sinusförmig geregelt
und zusätzlich über den Phasenwinkel der Grundschwingung der cos ˍ1 İ 1 eingestellt wer-
den kann. Abb. 10-13 zeigt eine Schaltung für die Regelung der Stromkurvenform auf Basis
eines handelsüblichen PFC-Control Circuit.
LS Boost Diode
Abbildung 10-13
B2-Gleichrichter mit aktiver
iS
PFC-Schaltung
uS Der Shuntwiderstand RSh dient
ud
Cd zur Stromerfassung.
PFC-Control T
Circuit ȩ Speicherinduktivität LS
gleichstromseitig
ȩ Einquadrantenbetrieb (1QS)
RSh

Der Schalttransistor T wird so angesteuert, das sich in der Speicherdrossel LS im zeitlichen


Mittel ein sinusförmiger Strom einstellt. Dieser Strom wird mit RSh erfasst. Die Schaltung ist
durch zwei Arbeitstakte gekennzeichnet, die in Abb. 10-14 dargestellt sind.
a) iS LS b) iS LS id Abbildung 10-14
Arbeitstakte der
uS uS aktiven PFC-
T ud Schaltung

In Abb. 10-14a wird die Netzspannung über die Drossel LS kurzgeschlossen und der Strom in
iS steigt schnell an (LS wird geladen). In Abb. 10-14b ist der Transistor T wieder abgeschaltet.
Der Strom iS ist von der Induktivität LS eingeprägt und fließt über die Boost-Diode in den
Kondensator Cd (LS wird dabei entladen). Wenn der Strom weit genug abgefallen ist, wird T
wieder eingeschaltet und der Strom iS steigt unter Einfluss der Netzspannung erneut an. Durch
eine geeignete Taktung des Transistors T über den PFC-Control-Circuit in Abb. 10-13 lässt
sich für iS ein sinusförmiger Stromverlauf entsprechend Abb. 10-15 erreichen.

uS Abbildung 10-15
ʧiS Typischer Verlauf des Netzstromes bei
aktiver PFC-Einrichtung
iS
Kurvenform und Phasenlage lassen sich ein-
stellen. Mit zunehmender Schaltfrequenz
ˈt geht ʧiS gegen Null und die Stromkurven-
form nähert sich der idealen Sinuskurven-
form an.
ȩ Es treten höherfrequente Störströme im
Netz auf.
10.2 Stromoberschwingungen 185

Die Schaltung in Abb. 10-13 arbeitet als Hochsetzsteller, d. h. die Gleichspannung Ud ist grö-
ßer als der Scheitelwert der Eingangswechselspannung uS. Daher bietet sich diese Schaltung
an als Weitbereichsnetzteil mit Ud = 400 V bei einer Eingangsspannung von z. B. 65 bis 240 V
(effektiv). Weil die Aufladung der Speicherinduktivität nur durch die Netzspannung erfolgen
kann, arbeitet diese Schaltung mit einer konstanten Phasenlage. Eine Umkehr der Energierich-
tung oder Blindleistungs-Kompensation ist daher nicht möglich. Durch eine Weiterentwick-
lung der Schaltung zum einphasigen Pulsgleichrichter (PGR) nach Abb. 10-16 mit vier ab-
schaltbaren Ventilen (Transistoren) und wechselstromseitiger Speicherdrossel LS kann die
Phasenverschiebung beliebig eingestellt werden, wodurch auch eine Umkehr der Energierich-
tung möglich ist. In dieser Schaltung kann die Gleichspannung Ud selbst zur Aufladung der
Speicherinduktivität herangezogen werden. Die Einstellgrenzen für den Phasenwinkel sind al-
lein durch die Höhe der Eingangsspannung und dem abschaltbaren Strom gegeben. Diese auch
als Active-Front-End-Umrichter (AFE) bezeichnete Gleichrichterschaltung wird als Vierqua-
drantensteller (4QS) für Antriebe in praktisch allen Leistungsklassen eingesetzt, wie z. B. als
Eingangsstromrichter moderner Lokomotiven. Pulsgleichrichter prägen den Netzstrom ein. Sie
können daher nur geregelt betrieben werden. Es muss ferner sichergestellt sein das sich keine
Gleichanteile im Netzstrom einstellen.

Id Abbildung 10-16
uR uLS T1 T3 Einphasiger Pulsgleichrichter (PGR)
iS
Diese Schaltung entnimmt dem
uS R LS uSt Wechselspannungsnetz einen sinus-
Cd Ud förmigen Strom einstellbarer Phasen-
lage. Die Schaltung erlaubt auch bei
T4 T2 Energierückspeisung einen
Leistungsfaktor Ȝ nahe 1.

Jeweils zwei Transistoren (T1 und T2 bzw. T3 und T4) werden zusammen angesteuert und er-
zeugen eine pulsbreitenmodulierte Wechselspannung uSt (siehe Abb. 13-11) welche zusammen
mit uS auf LS wirkt. Der Scheitelwert von uSt (±Ud) muss größer sein als ûS um eine Über-
steuerung (und damit eine verzerrte Stromkurvenform) zu vermeiden.
iS
Abbildung 10-17

uLS uR Ersatzschaltbild für den 1-phasigen 4QS am Netz


uS uSt

Die Wirkungsweise des Vierquadrantenstellers (4QS) wird durch das Ersatzschaltbild nach
Abb. 10-17 beschrieben. Auf Basis dieses Ersatzschaltbildes lassen sich die Grundschwin-
gungs-Zeigerdiagramme nach Abb. 10-19 und 10-18 konstruieren. Den allgemeinen Fall eines
ohmsch-induktiven Betriebes zeigt Abb. 10-18. Abb. 10-19a stellt den motorischen Betrieb bei
cos ij = 1 und Abb. 10-19b stellt den generatorischen Betrieb bei cos ij = í1 (Energierückspei-
sung) dar.
186 10 Netzrückwirkungen

Abbildung 10-18
ûSt muss kleiner Ud sein,
uR damit der Strom iS eingestellt Vierquadrantensteller (4QS) im ohmsch-
werden kann. induktiven Betrieb (lj = 30°, cos Lj = 0,866)
uLS
ˍ ˍ US ė ˍ IS
Ud uSt Blindstrom-
uS komponente ȩ Einschränkungen sind durch die Höhe der
Gleichspannung (ûSt < Ud) und der
iS zulässigen Stromamplitude îS gegeben.
lj Hierbei müssen die betrieblichen
Spannungs- und Lastschwankungen
Begrenzt durch den berücksichtigt werden.
max. abschaltbaren
Strom der Ventile

a) Motorischer Betrieb b) Generatorischer Betrieb


Abbildung 10-19
lj = 0°, cos Lj = 1 lj = 180°, cos Lj = í1
Zeigerdiagramm des 4QS
uLS uR
Die Stellerspannung uSt wird
uLS nach Betrag und Phase vorgege-
uS uR uSt ben, so dass sich der gewünschte
uS Netzstrom iS einstellt. Neben den
hier dargestellten Fällen für
uSt
iS cos ij = 1 und í1 sind auch alle
anderen Phasenwinkel möglich.
lj
iS

Die 4QS-Schaltung in Abb. 10-16 kann durch hinzufügen eines 3. Brückenzweiges zu einen 3-
phasigen Pulsgleichrichter erweitert werden. Der 3-phasige Pulsgleichrichter entspricht in sei-
nem Aufbau dem 3-phasigen Pulswechselrichter (siehe auch Kapitel 16.7.3). Im Unterschied
zum Pulswechselrichter werden die Leistungsmodule des Pulsgleichrichters wegen der Größe
der Speicherinduktivität LS im Allgemeinen mit einem geringeren cos ij betrieben. Hierdurch
kommt es zu einer veränderten Stromaufteilung zwischen Transistor und Diode im Modul, d.
h. die im Modul integrierte Diode wird stärker belastet wie bei einer normalen Anstriebsan-
wendung gleicher Leistung. Entweder wählt man hier ein leistungsfähigeres Modul oder eine
Ausführung die speziell für Pulsgleichrichter optimiert wurde.
ȩ Zur Stromaufteilung zwischen Transistor und Diode siehe Kapitel 4.5.3.3, zur Schaltungs-
entwicklung des 4QS siehe auch Kapitel 18.9.4.
10.3 Spannungsoberschwingungen 187

10.3 Spannungsoberschwingungen
Ein Versorgungsnetz ist in der Regel ein räumlich verteiltes System, bestehend aus Generato-
ren, Leitungen, Transformatoren und Lasten. Um die Auswirkungen von nicht sinusförmigen
Strömen auf die Spannungskurvenform zu beschreiben, genügt pro Phase eine einfache Model-
lierung nach Abb. 10-20, bestehend aus einer Wechselspannungsquelle uN und einer ohm-
sch-induktiven Impedanz RN und LN.
LN RN iN
Abbildung 10-20

Netzmodell
uN uS

Für die Untersuchung der Rückwirkungen nichtsinusförmiger Ströme auf das so vereinfachte
Netz kann die Maschengleichung (10-19) betrachtet werden.
d iN
uS u N ė R NŏiN ė L N (10-19)
dt

Darin ist zu erkennen, wie die Spannung uN vom bezogenen Strom iN abhängt. Weicht der
Strom iN von der Sinusform ab, so ergibt sich eine nicht sinusförmige Spannung uN. Für die
reibungslose Zusammenarbeit aller Verbraucher ist es erforderlich, die maximal zulässigen
Verzerrungen der Spannungskurvenform in Normen festzuschreiben. Hierfür ist die EN61800
(VDE0160) maßgebend. Für die Verzerrungen der Spannungskurvenform sind in erster Linie
Stromoberschwingungen oberhalb der Netzfrequenz maßgebend, wie sie vorzugsweise bei
Kommutierungsvorgängen auftreten.
À Für allgemeine Betrachtungen kann der ohmsche Widerstand RN vernachlässigt werden.
À Die Kurvenform der Spannungsquelle uN wird als rein sinusförmig angenommen. Diese
Annahme ist auch in der Praxis weitgehend erfüllt.
Die Erläuterung dieses Einflusses soll an dem vereinfachten Ersatzschaltbild einer Zweipuls
Brückenschaltung nach Abb. 10-21 erfolgen.

10.3.1 B2-Schaltung
Für den dargestellten Transformator soll das Übersetzungsverhältnis eins betragen und der
Gleichstrom id sei ideal geglättet. LN fasst die Induktivitäten vorgeschalteter Einrichtungen
(Transformatoren, Leitungen) zusammen, LT ist die Streuinduktivität des Stromrichter-Trans-
formators. Den Verlauf der primär- und sekundärseitigen Spannungen zeigt Abb. 10-22. Die
sekundärseitigen Spannungseinbrüche ʧuS wirken sich auf der Primärseite als ʧuP aus. Die
Induktivitäten LN und LT bilden einen Spannungsteiler und es gilt folgender Zusammenhang:

d iS uG ʧ uP ʧ uS LN
ʧ uP uG (10-20)
dt L Nʅ L T LN LT LN ʅ L T
188 10 Netzrückwirkungen

LN LT iS
L
uG ʧuP uP ʧuS uS

R
Weitere
Verbraucher Transformator

Abbildung 10-21 Ersatzschaltung einer Zweipuls-Brückenschaltung mit Einspeisung

Die Spannungseinbrüche ʧuP bezeichnet man als Kommutierungseinbrüche. Sie stellen die
Hauptursache für das Entstehen von Spannungsoberschwingungen dar. Zur Begrenzung der
netzseitigen Spannungsoberschwingungen muss die Induktivität LT des vorgeschalteten Trans-
formators entsprechend Gl. (10-1)
uG ausgewählt sein (geeignetes uK wäh-
len). Gegebenenfalls können zusätzli-
iS che Kommutierungsdrosseln vorgese-
hen werden. Die Vorschaltung von
2ˀ Zt
Kommutierungsdrosseln ist auch er-
ˀ
forderlich, falls der Stromrichter ohne
Transformator direkt am Netz betrie-
ben wird.
Als zusätzliche Eigenschaften bleibt
anzumerken, dass die Induktivitäten
ʧuP uP
die Stromsteilheit begrenzen und da-
mit die Überlappung u vergrößern.
ʧuS
Liegen die Kommutierungseinbrüche
im Bereich der Nulldurchgänge der
Zt
Netzspannung, so sind die Span-
nungsnulldurchgänge verfälscht und
es kann zu einer Störung der Synchro-
nisation des Steuergerätes kommen.
Aus diesem Grunde wird die Synchro-
nisationsspannung aus der Netzspan-
uS nung nur über ein Tiefpass- oder PLL-
Filter gewonnen (siehe auch Kapitel
9.3).
Zt

Abbildung 10-22
Strom- und Spannungsverlauf mit Kommutierungseinfluss
10.3 Spannungsoberschwingungen 189

10.3.2 B6-Schaltung
Um den Einfluss der Kommutierungen auf die verkettete Spannung u12 und die Phasenspan-
nung uS1 zu beschreiben dient eine Ersatzschaltung nach Abb. 10-23. Die möglichen Kommu-
tierungen sind mit den entsprechenden Kommutierungsspannung uK in Tab. 10.2 aufgeführt.

uS1 id Abbildung 10-23


u1 V1 V3 V5 B6-Schaltung mit eingeprägtem
LN iS1 Gleichstrom
L1 (id = konstant)
u2 u12
LN
ud
N
L2
u3
LN

L3
V4 V6 V2

Tabelle 10.2 B6-Schaltung, mögliche Kommutierungen und Verlauf von u12 und uS1

Kommutierung uK u12 Phasenspannung uS1

Ȋ V1äV3 u21 0 í0,5 u3

ȋ V2äV4 u31 í1,5 u2 í0,5 u2

Ȍ V3äV5 u32 1,5 u1 u1

ȍ V4äV6 u12 0 í0,5 u3

Ȏ V5äV1 u13 í1,5 u2 í0,5 u2

ȏ V6äV2 u23 1,5 u1 u1

Die einzelnen Kommutierungen werden mit den reduzierten Schaltbildern nach Abb. 10-24
untersucht. Um den Einfluss der Welligkeit von id auf den Verlauf der Spannungen darzustel-
len, wurde eine Schaltungssimulation für verschiedene Stromkurvenformen nach Abb. 10-26
durchgeführt. Die Konstruktion der Spannungen für ʱ = 30° und idealer Stromglättung zeigt
Abb. 10-25.
190 10 Netzrückwirkungen

uS1
id iS1
uS1 LN
u1 u 212 V1 V3
iS1 *
u 2 u12
LN u1 u12 12 M
*
u2 u12 LN
u21 M
LN
u12 2
u2 V4 V6
u 212 id
id
u3 u3
Ȋ *
u 12 0 u S1 ė ȍ *
u 12 0 u S1 ė
2 2
uS1 LN iS1 uS1
V1 V5 id
u1
u31 / 2 * LN iS1
u1 u12
LN M
id u13 / 2
u2 M u *12
u31 LN
u2
LN
id
u3 u13
u31 / 2 V4 V2 LN
u3 id
u13 / 2

ȋ *
u 12
3
ė u2 u S1 ė
u2 Ȏ *
u 12
3
ė u2 u S1 ė
u2
2 2 2 2

id uS1 iS1 id
u1 uS1 LN
LN iS1 i V3 V5
d

u1 u*12
* LN M
u2 M u12
LN
u23 / 2
u2 u23
u3 u32 / 2 LN
u32
LN
u23 / 2 V6 V2
u3 id
u32 / 2

Ȍ u *12
3
ė u1 u S1 u1 ȏ u *12
3
ė u1 u S1 u1
2 2

Abbildung 10-24 Leiter- und Phasenspannung bei den Kommutierungen der B6-Schaltung
10.3 Spannungsoberschwingungen 191

u 12 Ȋ ȋ Ȍ
uʒ 1
u
ʎ3 u
1,5
u12*
Annahme:
u = konstant
1,0
u12
íu2 1,5 u1

ȍ Ȏ ȏ

ˈt
u

í1,5 u2

uS1

u3 u1
u2

ˈt

u3
ė u2
2 ė
2

Abbildung 10-25
Konstruktion der Leiter- und Phasenspannung der B6-Schaltung mit ʱ = 30° bei idealer Glättung
192 10 Netzrückwirkungen

id
u12

uS1

ˈt

id
u12

uS1

ˈt

id
u12

uS1

ˈt

Abbildung 10-26 Einfluss nicht idealer Glättung auf u12 und uS1 (Simulation)
10.3 Spannungsoberschwingungen 193

Damit die Kommutierungseinflüsse vom öffentlichen Drehstrom-Versorgungsnetz ferngehal-


ten werden können, muss am Eingang des Stromrichters eine zusätzliche Induktivität LT vor-
gesehen werden (siehe auch Abb. 10-21). Wegen der Funktion wird diese Induktivität als
Kommutierungsdrossel bezeichnet. Zusammen mit der Netzinduktivität LN bildet die Kommu-
tierungsdrossel LT in Abb. 10-27 einen induktiven Spannungsteiler.
id = konstant
uS1_SR
Abbildung 10-27
uS1
u1 V1 V3 V5 B6-Schaltung mit Netzin-
LN LT
iS1 duktivität LN und Zusatzin-
ʧ uN
duktivität LT
u2 ʧ uT
u12 u12_SR
LN LT
ud

u3
LN LT

V4 V6 V2

Die Kommutierungseinbrüche der Phasenspannungen teilen sich nach Gl. (10-20) im Verhält-
nis der Induktivitäten auf. Damit die VDE-Bestimmungen erfüllt werden, darf die Spannung
während der Kommutierung nur um 20 % des Scheitelwertes einbrechen. Die restlichen 80 %
müssen demnach an der Kommutierungsinduktivität LT abfallen. Daraus lässt sich das Verhält-
nis von Netz- zu Kommutierungsinduktivität nach Gl. (10-21) berechnen. Abb. 10-28 zeigt die
Wirkung von LT bei einer entsprechenden Auslegung.

LN ʧu N 0,2 uʒ 12
ʧ u N Ĺ 0,2 uʒ 12 Ĺ d. h. LT ĺ 4 L N (10-21)
LT ʧu T 0,8 uʒ 12

Ĺ0,2 ûV
u12_SR

u12 ûV

ˈt

uS1

uS1_SR

ˈt

Abbildung 10-28 Spannungen bei LN /LT = 2/8 und ideale Glättung, ʱ = 30° (Simulation)
194 10 Netzrückwirkungen

Zur Bemessung von LT steht im Allgemeinen die Netz-Scheinleistung SN und die Netz- Kurz-
schlussspannung uKN zur Verfügung. Abb. 10-29 zeigt den Anschluss eines Stromrichters über
einen Netztransformator bzw. über eine Netzdrossel der Leistung ST an die öffentliche 400V-
Stromversorgung der Leistung SN.

SN, uKN
Abbildung 10-29
400 V Anschluss des Stromrichters an das öffentliche
IN IT Stromnetz
3
uK: relative Kurzschlussspannung
Netztransformator ST, uKT
bzw. -Drossel

Stromrichter 3~
=

Die Impedanzen XN = ȦLN und XT = ȦLT bilden einen Spannungsteiler. Auf der 400 V Ebene
erhält man mit UK = 400V· uK bei einer verlustfreien Anordnung folgende Zusammenhänge:
U KN uKN U KT uKT
XN 400 V XT 400 V (10-22)
IN IN IT IT

Entspricht ST der Netzscheinleistung SN, (d. h. IN = IT), so folgt Gl. (10-23) für den maximalen
Spannungsabfall ǻu der Mindestwert der Kurzschlussspannung uKT im Verhältnis zu uKN.
ʧ uN XN U KN 1
Ĺ0,2 ʍ uKT ĺ 4 uKN
uʒ N X Nʅ X T U KN ʅU KT u KN (10-23)
1 ʅ
uKT

À Um den Grenzwert von ǻuN/û ” 0,2 einzuhalten muss der Stromrichter die 4-fache Kurz-
schlussspannung des Netzes aufweisen. Bei einer Kurzschlussspannung von uKN = 4 %
kommt somit eine Gesamt-Kurzschlussspannung von 20 % zustande.
Im Allgemeinen kann man von einer vergleichbaren Kurzschlussspannung von Netz- und
Stromrichter ausgehen, d. h. uKN = uKT = uK = 4 %. In diesem Fall wird mit Gl. (10-24) über
die Nennströme IN und IT das erforderliche Leistungsverhältnis von Netz- und Stromrichter-
transformator ermittelt.

UK
ʧ uN XN IN 1
Ĺ 0,2 ʍ I N ĺ 4 I T (10-24)
uʒ N X Nʅ X T UK UK IN
ʅ 1ʅ
IN IT IT

À Um den Grenzwert von ǻuN/û ” 0,2 einzuhalten muss bei gleicher Kurzschlussspannung
die Netzscheinleistung SN mindestens den 4-fachen Wert des Stromrichters SSR aufweisen.
195

11 Lastgeführte Stromrichter
Bei lastgeführten Stromrichtern erfolgt die Ventilablösung durch die Lastspannung bzw. den
Laststrom. Die Ventilsteuerung erfolgt somit in Bezug auf die Spannung- bzw. Stromnull-
durchgänge der Last. Wir unterscheiden ein- und mehrphasige Schaltungen. Die Last kann
passiv als Schwingkreis (Schwingkreiswechselrichter) oder aktiv z. B. als Synchronmaschine
(Stromrichtermotor) ausgeführt sein.

11.1 Schwingkreiswechselrichter
Schwingkreiswechselrichter werden für ohmsch-induktive Verbraucher eingesetzt, die mit ei-
ner höherfrequenten Wechselspannung arbeiten. Der ohmsch-induktive Verbraucher wird nach
Abb. 11-1 mit einem Kompensationskondensator C zu einem Reihen- oder Parallelschwing-
kreis zusammengeschaltet. Mit beiden Kompensationsarten lassen sich Wechselrichter unter-
schiedlichen Betriebsverhaltens aufbauen.
Serienkompensation Parallelkompensation
uA
uA

iL
L R
C
iA iA
L R C
Abbildung 11-1 Kompensationsformen der LR-Last

11.1.1 Betrieb mit eingeprägter Gleichspannung


Für den Betrieb mit eingeprägter Spannung arbeitet die Schaltung nach Abb. 11-2 mit einer
Serienkompensation. Die Schalter S1 und S2 haben die Stellungen +1 bzw. í1. Die Ausgangs-
spannung uA ist durch die Schalter S1 und S2 eingeprägt und nimmt die Werte +/í U0 an.

uA
+1 +1
iA
U0 S1 S2
í1 L R C í1

Abbildung 11-2 Prinzip des Reihenschwingkreiswechselrichters

Der Laststrom iA in Abb. 11-3 führt, angeregt durch die Spannung uA, eine gedämpfte
Schwingung aus. Die Eigenfrequenz ist durch die Parameter des Schwingkreises festgelegt.
Ohne Änderung der Schalterstellungen wäre nach Abklingen der Schwingung der Kondensator
auf U0 aufgeladen. Das ist aber nicht Zweck dieser Schaltung. Werden die Schalter S1 und S2
196 11 Lastgeführte Stromrichter

im Nulldurchgang des Laststromes umgeschaltet, so wird eine neue Eigenschwingung iA2 an-
geregt (Abb. 11-3). Durch weitere Umschaltungen, jeweils im Stromnulldurchgang, entsteht
ein näherungsweise sinusförmiger Stromverlauf in der Last.
Umschaltvorgang
+U0 Neue Schwingung Abbildung 11-3
uA
iA1 Stromverlauf bei
Spannungs-
umschaltungen
t
Stromnulldurchgang
iA2
-U0

Abhängig vom verwendeten Halbleiterschalter können für die Zeitpunkte zur Spannungsum-
schaltung Einschränkungen vorhanden sein. Durch die Eigenschwingung des Lastkreises hat
bei der Serienkompensation der Laststrom, der gleich dem Ventilstrom ist, natürliche Null-
durchgänge. Ohne äußeren Eingriff wäre bei einem Thyristorschalter die durch einmalige Ven-
tilzündung angeregte Eigenschwingung nach einer Halbschwingung wieder abgebrochen. Da-
mit eine periodische Schwingung auftritt, müssen die Thyristoren für die entgegengesetzte
Stromrichtung rechtzeitig gezündet werden. Geschieht dies unmittelbar im Stromnulldurch-
gang, so wird die Spannung uA im Stromnulldurchgang umgepolt ohne die Freiwerdezeit (tq)
für die Thyristoren abzuwarten. In diesem Fall kommt es zu einem Kurzschluss der Gleich-
spannung über zwei in Reihe liegende Thyristoren (Wechselrichterkippen). Daher setzt man
bei der Serienkompensation zusätzlich zu den Thyristoren antiparallele Dioden ein (Abb. 11-
4). Über diese Dioden kann der Laststrom nach dem Nulldurchgang in entgegengesetzter Rich-
tung zunächst weiterfließen. Die Spannungsverhältnisse an der Last bleiben dadurch unverän-
dert (Abb. 11-5 Abschnitt a und b bzw. c und d). Erst nach Ablauf einer Mindestzeit tS, (tS:
Schonzeit) die größer als die Freiwerdezeit tq sein muss, kann durch Zündung der entsprechen-
den Thyristoren auch die Verbraucherspannung uA umgeschaltet werden (Abb. 11-5 Ab-
schnitt c bzw. a).

i0
Ri D1 V1 uA V3 D3

U0 iA L R
C
D4 V4 V2 D2

Abbildung 11-4 Reihenschwingkreiswechselrichter mit Thyristoren

Betrachtet man in Abb. 11-5 die positiven Nulldurchgänge von uA und iA, so ist leicht einzuse-
hen, dass die Spannung uA dem Strom iA nacheilt. Es liegt durch Sicherstellung der Freiwerde-
zeit tq stets ein kapazitiver Betriebszustand vor. Da sich die L-C-Reihenschaltung nur unter-
11.1 Schwingkreiswechselrichter 197

halb der Resonanzfrequenz f0 kapazitiv verhält, liegt die Arbeitsfrequenz fA immer unter f0.
Die Schaltung läuft daher auch selbsttätig an.

a b c d a b Abbildung 11-5
u
i
Ströme und Aus-
uA gangsspannung
iA U0
des Reihen-
schwingkreis
t wechselrichters
Rückspeisung Annahmen:

tS
sinusförmiger
i
Ausgangsstrom,
ideale Ventile,
iV1,2 Ri = 0.

t
t
iD1,2

i iV3,4

t
t
iD3,4

Der Grundschwingungs-Effektivwert der Ausgangsspannung UA,1 ist durch die Gleichspan-


nung U0 eingeprägt. Der Effektivwert des Verbraucherstromes IA,1 stellt sich abhängig von der
Arbeitsfrequenz ein. IA,1 errechnet sich aus der Leistungsbilanz bei Vernachlässigung der
Wechselrichterverluste nach Gl. (11-1). Mit Berücksichtigung des Phasenverschiebungswinkel
ʳ (ʳ = ˈ0 tS, tS = Schonzeit) erhält man für die Wirkleistungsübertragung:

Pd U 0ŏI 0 U A,1ŏI A,1ŏcosʳ (11-1)

Die Gleichstromquelle liefert die Wirkleistung Pd. Diese Wirkleistung entspricht der Grund-
schwingungsscheinleistung multipliziert mit cos ʳ. Aus Gl. (11-1) folgt für den Effektivwert
der Stromgrundschwingung IA,1:
U 0ŏI 0
I A,1 (11-2)
U A,1ŏcos ʳ

Für den Grundschwingungseffektivwert UA,1 der rechteckförmigen Ausgangsspannung uA


nach Abb. 11-5 erhält man durch Fourier-Analyse:

2ŏʎ 2 ˀ 1
mit U A,1 U 0ŏ folgt I A,1 I 0ŏ ŏ (11-3)
ˀ 2ŏʎ 2 cos ʳ
198 11 Lastgeführte Stromrichter

Bei ʳ = 0 ist der Eingangsgleichstrom I0 gleich dem Ausgangsstrom IA,1. Abhängig vom
Kehrwert des cos ʳ steigt der Ausgangsstrom IA mit zunehmendem Winkel ʳ an, wodurch
sich die Strombelastung von den Thyristoren zu den Dioden verschiebt. Die Strombelastung
der Dioden ist somit durch die Blindleistung der Last bestimmt. Höhere Ausgangsfrequenzen
als f0 können beim Reihenschwingkreiswechselrichter nur durch den Einsatz abschaltbarer
Ventile (GTO bzw. Transistor) erreicht werden.

Ventilspannungsabfall uA
uA
iA R i · i0 iA
U0

i0
i0

t
Rückspeisung
Abbildung 11-6 Simulation der Ausgangsgrößen und des Eingangsstromes für Ri > 0 mit Berück-
sichtigung der Ventilspannungen für U0 = 20 V

11.1.2 Betrieb mit eingeprägtem Gleichstrom


Diese Schaltung nach Abb. 11-7 arbeitet mit Parallelkompensation und eingeprägtem Gleich-
strom. Der Ausgangsstrom hat abhängig von der Schalterstellung die Werte iA = ± I0.

L0 I0 uA Abbildung 11-7
Prinzip des Parallel-
+1 +1 wechselrichters
iA iL L R
S1 S2
í1 í1

Angeregt durch den Ausgangsstrom iA führt die Ausgangsspannung uA, die gleich der Kon-
densatorspannung ist, eine Eigenschwingung aus. Schaltet man im Spannungsnulldurchgang
den Strom iA um, so wird eine erneute Eigenschwingung ausgelöst (Abb. 11-8). Durch peri-
odisches Umschalten der Stromrichtung lässt sich eine näherungsweise sinusförmige Span-
nung uA erzeugen. Realisiert man die Schalter in Abb. 11-7 durch Thyristoren, so erhält man
11.1 Schwingkreiswechselrichter 199

Umschalten im
Spannungsnulldurchgang
+I0
iA Neue Schwingung
uA(1)

t
Spannungs-
nulldurchgang
uA(2)
-I0

Abbildung 11-8 Spannungsverlauf bei Stromumschaltung im Spannungsnulldurchgang

das Schaltbild nach Abb. 11-9. Damit die Thyristoren sich gegenseitig ablösen können, muss
zum Umschaltzeitpunkt die Spannung uA so gepolt sein, das es beim Einschalten der nächsten
Thyristoren zum Abschalten der vorher leitenden Thyristoren kommt. Anschließend muss zur
Sicherstellung der erforderlichen Schonzeit tS die Polarität der Ausgangsspannung uA für die
Dauer tS erhalten bleiben, damit es nicht zur Rückzündung der Thyristoren (Wechselrichter-
kurzschluss) kommen kann.

uA Abbildung 11-9
L0 I0
V1 V3 Thyristor mit
uV1
iA iL Parallel-
L R kompensation

V4 V2
C

Ein Vergleich der Nulldurchgänge von Strom und Spannung zeigt, das der Strom iA gegenüber
der Spannung uA in Abb. 11-10 vorauseilend ist. Aufgrund der Freiwerdezeit tq liegt also wie
beim Reihenschwingkreiswechselrichter ein kapazitiver Betriebszustand vor. Dies setzt zum
Betrieb des Parallelschwingkreiswechselrichter aber voraus, dass die Betriebsfrequenz fA grö-
ßer sein muss als die Resonanzfrequenz f0. Zum Anlaufen der Schaltung ist der Kondensator C
deshalb vorzuladen. Der Ausgangsstrom iA ist rechteckförmig und durch den Eingangsgleich-
strom I0 eingeprägt. Der Laststrom iL verläuft nahezu sinusförmig. Die Höhe der Ausgangs-
spannung UA stellt sich abhängig von den Betriebsparametern ein.

uV1 iA Abbildung 11-10


I0
Ventilspannung und
Ausgangsstrom
uA t

tS
200 11 Lastgeführte Stromrichter

11.1.3 Vergleich der Wechselrichtertypen


Der Parallelschwingkreiswechselrichter hat gegenüber dem Reihenschwingkreiswechselrichter
den Vorteil, dass die Blindleistung direkt vom Kompensationskondensator C an die Last gelie-
fert wird. Die Ventile sind daher nur durch die Wirkleistung belastet. Im Falle eines Kurz-
schlusses begrenzt die eingangsseitige Drossel Ld den Stromanstieg, wodurch diese Schaltung
insgesamt betriebssicherer arbeitet. In beiden Schaltungen werden die Thyristoren durch die
Spannung an der Last gelöscht. Deshalb bezeichnet man diese Schaltungen als lastgeführt. Da-
mit die Schaltungen kommutieren können, muss die Betriebsfrequenz in einem bestimmten
Verhältnis zur Eigenfrequenz der Last stehen, so dass sich ein kapazitiv Verhalten einstellt. Es
zeigt sich, dass die Verwendung von Thyristoren mit Einschränkungen behaftet ist:
À Keine hohe Frequenzen mit Rücksicht auf die Thyristor-Freiwerdezeit.
À Die Betriebsfrequenz muss von der Resonanzfrequenz des Schwingkreises um einen be-
stimmten Mindestwert abweichen und stets so gewählt werden, dass die Last ein kapaziti-
ves Verhalten zeigt. Andernfalls werden die Thyristoren nicht gelöscht und der Wechsel-
richter ist kurzgeschlossen.
À Ein Betrieb, bei der sich die Last induktiv verhält, ist nicht möglich.

Es zeigt sich, dass – insbesondere bei hoher Frequenz – ein Betrieb mit induktivem Verhalten
der Last oder mit einer Frequenz, die sehr nahe bei der Resonanzfrequenz liegt, zu geringeren
Schaltverlusten führt. Diese Betriebsweise erfordert jedoch den Einsatz abschaltbarer
Bauelemente. Am Beispiel des Reihenschwingkreiswechselrichter wird gezeigt, welche Mög-
lichkeiten der Einsatz abschaltbarer Ventile bieten kann.

11.2 Schwingkreiswechselrichter mit abschaltbaren Ventilen


Ein Reihenschwingkreiswechselrichter mit abschaltbaren Ventilen ist in Abb. 11-11 darge-
stellt. Die Transistoren T1 und T4 arbeiten im Gegentakt mit T2 und T3. Der Schaltzeitpunkt ist
unter Berücksichtigung einer Pausenzeit für die sichere Umschaltung beliebig einstellbar.

Abbildung 11-11
D1 uA D3
T1 T3 Schwingkreiswechsel-
iA richter mit IGBT-
U0 C0 Transistoren
L R C
T2 D2 D4 T4

Für diese Schaltung sollen drei Betriebsfälle betrachtet werden:


À Die Betriebsfrequenz ist niedriger als die Resonanzfrequenz.
Der Wechselrichter möge zuerst mit einer Frequenz kleiner als die Resonanzfrequenz betrie-
ben werden, also mit kapazitiver Last. Die Verhältnisse entsprechen denen vom konventionel-
len Thyristor. Beim Stromnulldurchgang fließt der Strom zunächst über die Freilaufdioden
(Abb. 11-12). Beim nächsten Einschalten kommutiert der Laststrom mit hoher Steilheit von
den Freilaufdioden zurück auf die Transistoren. An den Dioden treten dabei hohe Stromsteil-
11.2 Schwingkreiswechselrichter mit abschaltbaren Ventilen 201

heiten auf. Wegen der Dioden-Rückstromspitzen entstehen in den Transistoren hohe Ein-
schaltverluste. Es treten aber keine Ausschaltverluste auf.
À Die Betriebsfrequenz ist gleich der Resonanzfrequenz.
Wird der Wechselrichter schließlich mit Resonanzfrequenz betrieben, so treten keine Schalt-
verluste auf.
À Die Betriebsfrequenz ist höher als die Resonanzfrequenz.
Wird der Wechselrichter mit einer höheren Frequenz als die Resonanzfrequenz betrieben, so
verhält sich die Last induktiv. Dieser Zustand setzt abschaltbare Leistungshalbleiter voraus.
Beim Abschalten der Transistoren kommutiert der Laststrom mit hoher Steilheit auf die Frei-
laufdioden über. Dabei treten, abhängig vom Momentanwert des Laststromes, Ausschaltver-
luste in den Transistoren auf. Nach dem Stromnulldurchgang übernehmen die eingeschalteten
Transistoren den Laststrom. Es treten keine Einschaltverluste auf. Bei dieser Betriebsart tre-
ten im Schaltvorgang keine Rückstromspitzen auf, weshalb die auftretenden Schaltverluste bei
induktiver Last kleiner sind als bei kapazitiver Last.
Man kann somit feststellen, dass bei einem Schwingkreiswechselrichter allgemein nur geringe
Schaltverluste entstehen. Abhängig von der Betriebsart handelt es sich dabei entweder um Ein-
schaltverluste oder um Ausschaltverluste. Die Frage nach den Schaltverlusten bei hohen
Schaltfrequenzen ist besonders kritisch, weil sich durch eine Steigerung der Schaltfrequenz die
Baugröße der passiven Komponenten in Stromrichterschaltungen (Induktivität, Transfor-
matoren, Kondensatoren) deutlich verkleinern lässt.
uA
Abbildung 11-12
U0
Kapazitive Last, f < f0
t
Einschalten von T1,
Einschalten von T, Kommutierung Verlauf von iD1 und iD2
iA
Kommutierung D2 ä T 1
D1 ä T 2
t2 iD2

t1 iD1 t
T1ä D1 T2ä D2
Ablösung von T im Ablösung von T im
Stromnulldurchgang Stromnulldurchgang

uA
U0

im Stromnulldurchgang t
Abbildung 11-13
schaltet D aus und T1
wird stromlos ein- Induktive Last, f > f0
geschaltet
D 1 ä T2 Verlauf von iD1 und iD2
iA

T2 ä D2 t
Ausschalten von T1, D1 ä T2
Kommutierung T1 ä D2
202 11 Lastgeführte Stromrichter

11.2.1 Strom- und spannungsloses Schalten


Der Einbau von Resonanzelementen wird allgemein so vorgenommen, dass ein elektronischer
Schalter in Serie oder parallel zu einem Schwingkreis angeordnet ist. Die Schalterspannung
oder der Schalterstrom können sich dann nicht mehr sprunghaft ändern. Dadurch lassen sich
neben den Schaltverlusten auch die elektromagnetischen Eigenschaften der Schaltung verbes-
sern. Die Anordnung der Resonanzelemente wird durch so genannte Quasiresonante-Grund-
schaltungen nach Abb. 11-14 beschrieben.
Liegt die Resonanzdrossel L in Reihe zum Transistor, so kann über einen Resonanzvorgang
ein stromloses Ausschalten erreicht werden. Dadurch entfallen die Ausschaltverluste. Beim
Einschalten begrenzt die Induktivität den Stromanstieg und vermindert so die Einschaltverlus-
te. Es handelt sich hierbei um weiches Schalten, das Konzept wird als Zero Current Switch
(ZCS, Abb. 11-14a und b) bezeichnet.
Liegt der Kondensator parallel zum Transistor, so wird der Transistor im spannungslosen Zu-
stand eingeschaltet. Beim Ausschalten begrenzt der Kondensator den Spannungsanstieg und
vermindert so die Ausschaltverluste. Auch hierbei handelt es sich um einen weichen Schalter-
betrieb, das Konzept wird mit Zero Voltage Switch (ZVS, Abb. 11-14c und d) bezeichnet.

a) b) ZCS
i i
Der Transistorstrom iT kann
iT iC iT iC in a) nicht negativ werden, so
dass für einen Vollschwin-
gungsbetrieb in b) eine zu-
sätzliche parallele Diode er-
forderlich ist.

c) d) ZVS
Die Spannung in c) kann nicht
negativ werden. Entfernt man
u u
in c) die Diode, so liegt in d)
ein Vollschwingungsbetrieb
vor.

Abbildung 11-14 Grundkonfigurationen zum strom- bzw. spannungslosen Schalten

ZCS: Zero current switching


Schalten bei Strom Null, Ausschaltentlastung
ZVS: Zero voltage switching
Schalten bei Spannung Null, Einschaltentlastung
11.2 Schwingkreiswechselrichter mit abschaltbaren Ventilen 203

11.2.2 Anwendungsbeispiel zum stromlosen Schalten (ZCS)


Ein Beispiel für eine Schaltung mit einem stromlos schaltendem Transistor ist der Tiefsetz-
steller nach Abb. 11-15. Einzelheiten zur Schaltungen werden in Kapitel 18 erläutert.

uCE
iC L1 iL Abbildung 11-15
Tiefsetzsteller mit ZCS und
iD Halbschwingungsbetrieb
T L
iL sei konstant (iL = IL).
Ud C D uL
uR Die Energiesteuerung
M R erfolgt über die
Ansteuerfrequenz des
Transistors T.

À Ausgangssituation: In Abb. 11-15 sperrt T und D leitet, iL = IL = konstant.


Zum Zeitpunkt t = 0 wird der Transistor T eingeschaltet. Es beginnt die Kommutierung von D
nach T entsprechend Gl. (11-4). Die Zeitverläufe zeigt Abb. 11-16. Sobald der Transistor IL
übernommen hat, sperrt D und der Schwingkreis L1-C bestimmt den weiteren Stromverlauf.
Ud
iC t iD I L ė iC Kommutierung D ĺ T (11-4)
L1

Die Energie der Drossel L1 lädt den Kondensator C. Schneidet der sinusförmig verlaufende
Kollektorstrom iC die Nulllinie, so sperrt T und der Resonanzkreis ist wieder abgeschaltet. Die
Periodendauer und Amplitude der überlagerten Schwingung berechnet sich mit Gl. (11-5).

T 2ˀ ʎ L1 C ʒi
L Ud
ʎ C
L1
(11-5)

Der Kondensator C ist im Nulldurchgang von iC auf Ud + ǻu aufgeladen und wird anschlie-
ßend durch den eingeprägten Laststrom linear entladen. Die Zeit bis zum Nulldurchgang (ǻt)
ermittelt sich mit Gl. (11-6).
Ud ʅ ʧu
ʧt C (11-6)
IL

Im Nulldurchgang von uL schaltet schließlich die Diode D ein und übernimmt wieder den ein-
geprägten Laststrom IL. An T liegt jetzt wieder die Eingangsspannung Ud, der Schaltzykklus
ist beendet. Die Zeitverläufe der einzelnen Größen sind in Abb. 11-16 dargestellt. Durch er-
neutes Ansteuern von T kann ein neuer Zyklus ausgelöst werden [12].

À Die Einschaltzeit des Transistors ist durch die über L1 und C bestimmte Eigenfrequenz eine
feste Größe. Zur Leistungssteuerung kann daher nur die Pausenzeit TP über die Perioden-
dauer T gesteuert werden (Pulsfrequenzsteuerung).
204 11 Lastgeführte Stromrichter

T ist abgeschaltet,
2Ud
D sperrt.

uL
ʧu linear
Ud

LC-Schwingkreis

Transistor leitend Diode leitend t


Diode leitend

zu IL
überlagerte
Schwingung

iC
IL

t
Stromnulldurchgang
iD des Transistors D ein IL
D aus
D aus

Kommutierung uCE
DäT
T ein Ud
T aus

t
T ein ʧu T ein

Abbildung 11-16 Elektrische Größen bei einem Schaltzyklus (Tiefsetzsteller)


205

12 Selbstgeführte Stromrichter

Unter selbstgeführten Stromrichtern versteht man Stromrichter zur Umformung von Gleich-
und Wechselströmen unter Verwendung abschaltbarer Bauelemente. Die Ventile können daher
ohne führendes Netz kommutieren. Selbstgeführte Stromrichter arbeiten als Wechselrichter
(WR) mit konstanter (d. h. eingeprägter) Spannung (UWR) oder mit eingeprägtem Strom
(IWR). Wir betrachten zunächst 1-phasige Wechselrichterschaltungen.

12.1 Wechselrichter mit eingeprägter Spannung (UWR)


1-phasige Wechselspannungen werden durch Mittelpunktschaltungen (Abb. 12-1 a und b) oder
durch eine Brückenschaltung (Abb. 12-1d) erzeugt. Der Vorteil von Mittelpunktschaltungen
liegt im Vergleich zur Brückenschaltung in der geringeren Anzahl an Halbleiterventilen, wo-
durch speziell bei kleinen Leistungen ein günstiger Wirkungsgrad erreicht werden kann. Der
für Mittelpunktschaltungen erforderliche Spannungsmittelpunkt kann von der Gleichspan-
nungsseite z. B. über einen kapazitiven Spannungsteiler nach Abb. 12-1b oder nach Abb. 12-
1a über den Ausgangstransformator bereitgestellt werden. Der Transformator ist zur Span-
nungsanpassung und Potenzialtrennung ohnehin erforderlich.
a) b)
uUV
uUV
Ud C
2 +1
Ud S
+1 í1
í1
Ud Ud
S 2 C

c) d)
uUV
uUV
Ud · ü
+1 +1
t Ud SV
SU
í1 í1
í1 +1 s
+1/í1 í1/+1 sU /sV

Abbildung 12-1 Mittelpunktschaltungen mit gleich- und wechselspannungsseitigem Mittelpunkt

Die Ausgangsspannung uUV (Abb. 12-1c) bildet hier ein symmetrisches Rechteck, dessen Ef-
fektivwert von Ud bzw. dem Windungszahlverhältnis ü des Trafos abhängt. Die Frequenz folgt
aus der Schaltfrequenz der Umschalter (s bzw. sU und sV). Zur Erzielung sinusförmiger Aus-
gangsspannungen ist zusätzlich ein Sinusfilter vorzusehen.
206 12 Selbstgeführte Stromrichter

12.1.1 Mittelpunktschaltung mit AC-seitigem Mittelpunkt


Auf der Lastseite sind im Allgemeinen induktive Komponenten vorhanden, welche plötzliche
Stromänderungen verhindern. Die Abschaltung eines Ventils würde daher zu hohen Überspan-
nungen führen. Deshalb sind zusätzlich die Dioden D1 und D2 vorzusehen, welche einen Frei-
laufkreis ermöglichen. Damit der Primärstrom unmittelbar zwischen den Wicklungshälften
ohne Überspannungen wechseln kann, muss die Primärwicklung streuungsfrei ausgeführt sein.

L R Ausgangssituation: i2 = 0
uL uR
U V Der Schalter S1 wird geschlossen.
uUV (< 0)
N2 i2 Die Spannung uUV ist über das Windungs-
zahlverhältnis N1:N2 mit der Gleichspan-
1 i1 uP N1 nung Ud verknüpft (uUV < 0, i2 > 0).
id
Der Laststrom i2 zeigt mit der Lastzeitkon-
S1 S2 stanten L/R einen exponentiellen Verlauf.
Ud
D1 D2

L R S1 wird geöffnet, S2 geschlossen.


Beim öffnen von S1 ändert uL die Polarität
uL uR
U uUV V und hält i2 aufrecht. Die primäre Teilspan-
N2 i2 nung uP überschreitet dabei Ud und schal-
tet die Freilaufdiode D2 ein, wodurch auch
2 N1 uP i1 i1 weiter fließt.
id À Der Strom i1 ist vom Schalter S1 auf
S1 S2 die Freilaufdiode D2 kommutiert
Ud À der Energiefluss ist umgekehrt.
D1 D2
À S2 ist noch stromlos.

L R Unter dem Einfluss von Ud ändert i1 seine


Richtung. Nach dem Stromnulldurchgang
uL uR von i1 blockiert D2 und der Strom i1 wird
U uUV V
N2 i2 von Ud über S2 weitergetrieben
(uUV > 0, i2 > 0).
3 N1 i1 À Der Strom i1 ist von der Freilaufdiode
uP
id D2 auf den Schalter S2 kommutiert.
S1 S2
Ud
D1 D2

Abbildung 12-2 Schaltermodell des 1-phasigen Wechselrichters mit ohmsch-induktiver Last


12.1 Wechselrichter mit eingeprägter Spannung (UWR) 207

Die Ausgangsspannung uUV ist näherungsweise rechteckförmig. Die Amplitude ist von der
Gleichspannung Ud und dem Übersetzungsverhältnis des Transformators abhängig. Auf der
Primärseite fließt i1 über unterschiedliche Pfade, die in Abb. 12-2 dargestellt sind.

12.1.2 Ausführungsbeispiel mit Thyristorschalter


Werden die Schalter in Abb. 12-2 durch Thyristoren realisiert, so erhält man zunächst die
Schaltung nach Abb. 12-3. Hierin ist auch der Kondensator CK zur Bereitstellung der erforder-
lichen Kommutierungsspannung für die Thyristoren T1 und T2 dargestellt.

uUV uUV
U V U V

D11 D21

D1 D2
CK CK
T1 T2
Ud Cd T1 T2 Ud D1 D2
Cd

LK

Grundschaltung Verbesserte Schaltung


Der Kondensator CK ist auf 2Ud aufgeladen. Die Dioden D11 und D22 verhindern eine
ungewollte Kondensatorentladung, die Induk-
tivität LK verhindert den Einfluss von D1 und
D2 auf die Thyristor-Kommutierungen.
Abbildung 12-3 Selbstgeführter Thyristorwechselrichter
Um zu vermeiden, dass sich der Kondensator CK im Löschaugenblick über die Freilaufdioden
D1 bzw. D2 über einen Kreisstrom iKreis entladen kann, ist eine Kommutierungsdrossel LK er-
forderlich. LK wirkt auch auf die Stromübergabe zwischen Thyristor und Freilaufdiode, die da-
durch verzögert wird. Die Dioden D11 und D21 sollen ein vorzeitiges Entladen von CK
verhindern. Die Wirkungsweise soll ausgehend von Abb. 12-4 betrachtet werden (T2 leitet).
uUV
Abbildung 12-4
Ȋ iU L R 1-phasiger Wechselrichter mit AC-seitigem
U V Mittelpunkt und Kommutierungseinrichtungen

Ausgangssituation:
D11 CK D21
T2 leitet,
D1 D2
T1 T2 uCK = 2Ud,
uCK
Ud uUV > 0.
Cd

LK
208 12 Selbstgeführte Stromrichter

In Abb. 12-5 wird T1 wird gezündet. CK löscht T2. Der Strom ist von der Induktivität L der
Lastseite eingeprägt und fließt daher weiter über T1 und CK. Dabei wird CK umgeladen. Es
fließt zusätzlich ein Kreisstrom iKreis über D2-D21-CK-T1, welcher sich zum Laststrom in CK-
T1-LK überlagert.
uUV
Abbildung 12-5
L R Thyristorkommutierung mit anschließender
ȋ Umladung von CK
À Der Löschstrom fließt nur für kurze Zeit
und ändert die Kondensatorspannung
uCK praktisch nicht.
uCK
Ud D1 À uCK baut über D2 den Kreisstrom iKreis
iLÖSCH
Cd T1 T2 D2 auf.
À An der Primärwicklung des
LK iKreis Transformators wirkt die Spannung uP.
uP = Ud + uCK

Ist CK soweit umgeladen (Nulldurchgang von uCK), dass sich der Kreisstrom durch D2 umkeh-
ren will, so verlöschen D2 und D21. Der Strom wechselt auf D1, wodurch die Durchflutung des
Transformators auf die andere Wicklungshälfte wechselt (Abb. 12-6). Der Gleichstrom id
wechselt dadurch seine Richtung und es wird Energie zur Gleichstromquelle übertragen
(Rückspeisung).
uUV
Abbildung 12-6

L R
Rückspeisemodus, uUV < 0, iU > 0

Ȍ À Die Last speist Energie in die


Gleichspannungsquelle zurück.
CK À Der Kreisstrom iKreis baut sich in der
D2 Praxis langsam über ohmsche Verluste
Ud D1 uCK und Durchlassspannungen an den
Cd T1 T2 Ventilen ab.

iKreis
LK

Dieser Zustand dauert solange, bis der (induktive) Verbraucherstrom unter dem Einfluss der
Spannung uUV seine Richtung ändert. Dann ändert sich die Durchflutungsrichtung des Trans-
formators, die Freilaufdiode D1 sperrt und T1 führt den Strom allein (Abb. 12-7). Bei der Stro-
mübergabe an den Ventilen D1 und T1 wirkt sich die Induktivität LK nachteilig aus. Deshalb
wird LK mit bei praktischen Anlagen einer Mittelanzapfung ausgeführt (Saugdrossel). Der
Kreisstrom sollte vollständig abgebaut werden.
12.1 Wechselrichter mit eingeprägter Spannung (UWR) 209

uUV
Abbildung 12-7
Ende der Kommutierung
L R
Der Laststrom iU hat seine Richtung umge-
ȍ kehrt, womit die Kommutierung abge-
schlossen ist. Es gilt: uUV < 0, iU < 0.
CK
À Der Kondensator CK ist mit der darge-
stellten Polarität löschbereit für die Ab-
T1 uCK T2 lösung von T1 durch T2. (uCK = 2 Ud)
Ud D1 D2
Cd

LK

Die vollständige Periode der Ausgangsspannung uUV und des Stromes iU zeigt Abb. 12-18.
Die Spannung uUV ist idealisiert rechteckförmig dargestellt. Der Einfluss der Kondensator-
spannung uCK in Abb. 12-5 ist somit vernachlässigt. Der Verlauf von iU entspricht daher einer
Exponentialfunktion mit der Zeitkonstanten ˃L. Die Höhe des Effektivwertes der Ausgangs-
spannung (UUV) kann über die Eingangsspannung Ud und das Übersetzungsverhältnis des
Transformators eingestellt werden. Die stets vorhandene Streuinduktivität des Transformators
sollte so klein wie möglich sein, da sie zu einer Vergrößerung der Zeitkonstanten ˃L führt.

N2 ˃L
ʅU d ŏ
N1
u UV iU Rückspeisung

0
t

N2
ėU d ŏ
N1
Ȋ Ȍ ȍ
ȋ
Abbildung 12-8 Ausgangswechselspannung (idealisiert) uUV und Ausgangsstrom iU (Die Zahlen-
angaben beziehen sich auf die entsprechend gekennzeichneten Schaltbilder.)
210 12 Selbstgeführte Stromrichter

12.1.3 3-phasige Brückenschaltungen


Als Beispiel für eine Brückenschaltung wird eine 3-phasige Wechselrichterschaltung vorge-
stellt. Den prinzipiellen Aufbau der 3-phasigen Wechselrichterschaltung mit Einspeisestrom-
richter (ESR) und Zwischenkreiskondensator (UZK) zeigt Abb. 12-9. Die Phasenspannung uU
und die Leiterspannung uUV wird mit den Schaltfunktionen sU, sV und sW nach Gl. (12-1)
bzw. (12-2) hergeleitet. Näheres dazu siehe Kap. 13.1.7.1. In Tab. 12.1 sind die Schaltzustände
des Wechselrichters mit den entsprechenden Spannungen uU und uUV aufgelistet.

u1 Phasenspannung
+1 SU uU
iU
Ud
u2 Cd 2
ė1 +1 SV uUV
iV
0 K
u3 ė1 +1
Cd iW
Ud
SW
N 2 ė1 Mittelpunkt-
spannung
uW0

ESR UZK Wechselrichter


Abbildung 12-9 Schaltermodell des 3-phasigen U-Wechselrichters (UWR) mit symmetrischer Last

Tabelle 12.1 Schalterstellungen und Spannungen (uUV, uU0, uU) des UWR

ʱ SU SV SW uUV uU0 uU
Grad Ud U d 2 U d 3

1 0–60 +1 í1 +1 1 1 1
2 60–120 +1 í1 í1 1 1 2
3 120–180 +1 +1 í1 0 1 1
4 180–240 í1 +1 í1 í1 í1 í1
5 240–300 í1 +1 +1 í1 í1 í2
6 300–360 í1 í1 +1 0 í1 í1

Ud
u UV ʛs U ė sV ʜŏ (12-1)
2

sV sW Ud
uU ʛ sU ė ė ʜŏ (12-2)
2 2 3
12.1 Wechselrichter mit eingeprägter Spannung (UWR) 211

In Abb. 12-10 sind die Zeitverläufe der Ausgangsspannung des UWR dargestellt. Für die Pha-
senspannungen wurde ein symmetrischer Verbraucher angenommen. Die Kennwerte der Span-
nungskurvenform sind in Tab. 12.2 angegeben. Die Betriebsart des Wechselrichters wird we-
gen der blockförmigen Spannung als Grundfrequenz- oder Blocktaktung bezeichnet.

u
Ȋ ȋ Ȍ ȍ Ȏ ȏ
uUV
uU Ud

ˈt


u uVW
uV

ˈt

u
uWU
uW

ˈt

Abbildung 12-10 Ausgangsspannungen des UWR mit symmetrischer Last

Tabelle 12.2 Ausgangsspannungen des UWR

verkettete Spannung Phasenspannung


uʒ UV,1 2 ʎ3 uʒ U,1 2
Scheitelwert 1,103 0,637
Ud ˀ Ud ˀ

Effektivwert der U UV,1 ʎ6 U U,1 ʎ2


0,780 0,450
Grundschwingung Ud ˀ Ud ˀ

ʎ
U UV UU ʎ2
2
Effektivwert 0,816 0,471
Ud 3 Ud 3

3 3
Grundschwingungsgehalt g 0,955 g 0,955
ˀ ˀ
212 12 Selbstgeführte Stromrichter

12.1.3.1 Betrieb mit passiver Last


Für eine idealisierte Betrachtung wird die Spannung uU entsprechend Abb. 12-10 als treppen-
förmige Zeitfunktion übernommen. Hierbei überträgt die sinusförmige Grundschwingung die
Wirkleistung während die Spannungsoberschwingungen Verzerrungsanteile im Strom und da-
mit zusätzliche Verluste erzeugen. Die Aufteilung in Grund- und Oberschwingungen wird
durch zwei Spannungsquellen in Abb. 12-11 symbolisiert. Als passive Last wird eine symme-
trische R-L-Schaltung angenommen. Die Spannungsquellen stellen die Mittelpunktspannung
uU nach Abb. 12-10 bereit. Das Ergebnis zeigt Abb. 12-12.

Abbildung 12-11
iU RS L˂
uU,OS Vereinfachtes Simulationsmodell
für eine passive R-L-Last am
uU Wechselrichter mit eingeprägter
uU,1 Spannung (UWR)

iU Abbildung 12-12
Phasenstrom- und Spannung
bei passiver RL-Last im
uU stationären Zustand

ˈt

12.1.3.2 Betrieb mit einer Drehfeldmaschine


Die Drehfeldmaschine wird im Allgemeinen mit einem konstanten magnetischen Fluss ʥʯʡ
betrieben. Der Stromrichter wird dazu so gesteuert, dass sich an den Maschinenklemmen bei
jeder Drehzahl ein konstantes Verhältnis U/f ergibt. Zur Beschreibung der elektrischen Ver-
hältnisse aus Sicht des Stromrichters genügt ein Ersatzschaltbild nach Abb. 12-13.
iU RS L˂
Abbildung 12-13
1-phasiges Ersatzschaltbild einer
uU eU Drehfeldmaschine am Beispiel einer
ASM (Phase U, rotorflussbezogen)

Die Herleitung diese Ersatzschaltbildes ist in [4] erläutert. Aufgrund der schaltenden Arbeits-
weise des Wechselrichter sind in der Spannung uU neben der erwünschten Grundschwingung
12.1 Wechselrichter mit eingeprägter Spannung (UWR) 213

uU,1 auch viele, von der Taktung des Wechselrichters abhängige Oberschwingungen uU,OS
enthalten. Im Ersatzschaltbild nach Abb. 12-14 sind dafür 2 Spannungsquellen vorgesehen.

ʧu
Abbildung 12-14

L˂ UWR-gespeiste Drehfeldmaschine,
iU RS
uU,OS vereinfachtes 1-phasiges Simulations-
modell einer Phase zur Ermittlung der
uU eU Stromkurvenform iU
M
uU,1
uU,1: Grundschwingung
uU,OS: Oberschwingungen

Während die Spannungs-Grundschwingung UU,1 für das Drehmoment der Maschine und die
übertragene mechanische Leistung zuständig ist, erzeugen die Oberschwingungen Verzer-
rungsströme, wodurch Pendelmomente, und zusätzliche Verluste in der Maschine entstehen.
Die Abweichung der Spannung von der Sinusform ist beschrieben durch ʧu nach Gl. (12-3).
Die Spannung ʧu liegt an der Maschinenimpedanz und verzerrt die Stromkurvenform.
ʧu u U ė eU (12-3)
Im Phasenstrom nach Abb. 12-15 kann der Einfluss der Spannungsoberschwingungen bei
Grundfrequenztaktung auf den Stromverlauf als Abweichung von der erwarteten Sinuskurven-
form beobachtet werden. Für die Stromkurvenform ist der Einfluss des ohmschen Widerstand
RS im Vergleich zu dem induktiven Widerstand (ˈL˂) vernachlässigbar. Während die Strom-
oberschwingungen in Bezug auf die Wechselrichtertaktung stets die gleiche Phasenlage behal-
ten, verschiebt sich lastabhängig die Stromgrundschwingung (iU,1), wodurch in der Summe
eine veränderte Stromkurvenform auftritt. Der Scheitelwert îU steigt bei dieser Betriebsart ty-
pisch über das zweifache des Effektivwertes an (crest factor).

uU
i ˍWR iU,1
u eU
iU

ˈt

ˍ
u ʧu

ˈt

Abbildung 12-15 Phasenstrom und -spannung bei aktiver Last (Motorlast)


214 12 Selbstgeführte Stromrichter

12.1.3.3 Wechselrichter mit Phasenfolgelöschung


Zur Erzeugung eines Drehspannungssystems nach Abb. 12-10 kann ein Phasenfolgewechsel-
richter nach Abb. 12-16 eingesetzt werden. Dieser Wechselrichter ist mit Thyristoren bestückt.
Derartige Umrichter werden heute wegen der Verfügbarkeit abschaltbarer Bauelemente (GTO,
IGBT) nicht mehr hergestellt, sind aber noch im Einsatz. Die Schaltung nach Abb. 12-16
macht auch deutlich, welchen Vereinfachungen der Einsatz abschaltbarer Bauelemente bietet.
Die Thyristorlöschung erfolgt bei diesem Wechselrichter über die Spannung eines Kondensa-
tors durch Zündung der Folgephase. Während der Ventilablösung werden die Kondensatoren
so umgeladen, dass anschließend die nächste Phase gelöscht werden kann.

C Abbildung 12-16
T1 D1 T3 D3 T5
C35
Wechselrichter mit
D5 Phasenfolgelöschung
C13 C51
Ausgangssituation:
iU sei eingeprägt.
D10 D30 D50
L13 iU fließt C-T1-D10-L13-U von
U0
D20 dort über die Last und über W-T2
Cd
zurück nach D.
D40 D60

Ablauf:
C46 C62 Durch Ansteuerung von T3 soll
C24 T1 abgeschaltet werden.
T4 T6 ȩ Die Spannung von C13 muss
D so gepolt sein, dass beim
D4 D6 D2 T2
Ansteuern von T3 T1 sofort
iU
U V W abschaltet.

C Ansteuern von T3 (uC13 > 0):


T1 D1 T3
C35
C13 Beim Zünden von T3 geht iU schlagartig von
C51 T1 auf T3 über. Anschließend fließt iU über
D10 L13 D30 T3-C13-D10-L13-U. C13 wird durch iU umgela-
U0 Cd den. Die Ventilspannung am abgeschalteten
Ventil T1 ist gleich uC13 und bleibt zunächst
kleiner 0. Hierdurch wird die Thyristor-
Schonzeit tS sichergestellt. L13 verhindert eine
D4
vorzeitige Entladung von C13 über die Diode
D D1-T3-C13-D10.
U V W
12.1 Wechselrichter mit eingeprägter Spannung (UWR) 215

C Kommutierung T3-D4:
T1 D1 T3
C35
C13 Sobald uC13 auf íU0 umgeladen wurde, kann
C51 D4 leitend werden und es erfolgt ein überlap-
D10 L13 D30 pender Stromübergang mit abnehmendem iC13
U0
Cd und zunehmendem iD4 bis iC13 Null wird.
D40
(Für die Leitbedingung von D4 (uD4 > 0) ist die
Maschengleichung íU0 í uC13 í uD4 = 0 nach uD4
aufzulösen.)
D4
D

U V W

C Endzustand:
T1 D1 T3

C13 C35 iU fließt über DíD4íL13íU und von dort über


C51 die Last und T2 nach D. Durch Zündung von
D10 L13 D30
T3 ist iU von T1 auf D4 gewechselt. Im Schal-
U0
Cd termodell nach Abb. 12-9 entspricht dies einer
Änderung der SU-Schalterstellung von +1
nach í1.

D4
D

U V W

Für eine endliche Schonzeit für T1 muss C13 langsam umgeladen werden. Hierfür ist die
In duktivität L13 vorgesehen. Die Kommutierungsmittel C13 und L13 zusammen mit der Span-
nung uC13, der beim Ansteuern von T3 vorhanden ist, sichern den Stromübergang T1 nach D4.
Am Ende dieses Stromüberganges ist uC13 negativ. Bei den folgenden Stromübergängen in der
3-phasigen Schaltung wird uC13 umgeladen, so dass am Ende des Abschnittes, in dem T1
Strom führt, uC13 wieder positiv ist.
À Die Ventilablösung erfolgt unabhängig von den Maschinenparametern. Der UWR mit
Phasenfolgelöschung ist daher für variable Lastimpedanzen geeignet.
216 12 Selbstgeführte Stromrichter

12.2 Wechselrichter mit eingeprägtem Strom (IWR)


12.2.1 Prinzip
Dieser Wechselrichter schaltet den in der Induktivität Ld eingeprägten Gleichstrom an die Mo-
torphasen weiter. Wegen des eingeprägten Stromes ist das Motormoment, welches proportio-
nal zum Strom ist, nur über den Eingangsstromrichter steuerbar. Mit Rücksicht auf den
schlechten Leistungsfaktor des Eingangsstromrichters wird der Wechselrichter mit eingepräg-
tem Strom für neue Anlagen mit Wechsel- oder Drehstromeingang nur noch selten eingesetzt,
jedoch:
À Wegen des eingeprägten Stromes hat der IWR eine hohe Kurzschlusssicherheit.
À Die Stromsteilheiten sind durch die Systemeigenfrequenzen begrenzt. Dies wirkt sich
günstig aus hinsichtlich der elektromagnetischen Verträglichkeit.
À Der eingeprägte Gleichstrom Id erlaubt durch Polaritätsumkehr der Zwischenkreisspannung
eine direkte Netzrückspeisung. Diese Eigenschaft kann nach Abb. 12-17 mit einer kosten-
günstigen netzgeführten B6-Gleichrichterschaltung realisiert werden.

Ld Id
u1

1 5 uUK
3 iU
u2
iV uUV
K
iW
u3
6
4 2
Last

Eingangsstromrichter (ESR) IZK Wechselrichter

Abbildung 12-17 IWR mit Eingangsstromrichter (ESR) und symmetrischer Last

Tabelle 12.3 Schalterstellungen und Ströme des IWR

ʱ S+ S– IU IV IW
Grad Id Id Id

1 0–60 1 6 1 í1 0
Die Winkelangaben
2 60–120 1 2 1 0 í1 für ʱ beziehen sich
3 120–180 3 2 0 1 í1 auf die Darstellung
in Abb. 12-18
4 180–240 3 4 í1 1 0
5 240–300 5 4 í1 0 1
6 300–360 5 6 0 í1 1
12.2 Wechselrichter mit eingeprägtem Strom (IWR) 217

iU 1 2 3 4 5 6 Abbildung 12-18

Id Ausgangsströme des
IWR (ideal)
ˈt

iV

ˈt

iW

ˈt

Abb. 12-18 zeigt die Ströme in idealisierter Form. Dafür gelten die Kennwerte nach (12-4).

ʒi 2ʎ 3
Scheitelwert U,1 ŏI d 1,103 I d
ˀ
Grundschwingungseffektivwert I U,1 ʎ 6ŏI 0,780 I d (12-4)
ˀ d

Effektivwert IU =
ʎ 2
ŏI
3 d
= 0,816 I d

Eine Umschaltung der Ströme ist wegen der in den Streuinduktivitäten gespeicherten Energie
nur mit begrenzter Stromsteilheit zulässig. Eine Nachbildung von iU durch entsprechende
Rechteckströme (analog zum UWR) ist daher zur Ermittlung von uU nicht sinnvoll. Um die
Spannungsbelastung durch die induzierte Spannung prinzipiell darzustellen wird der Motor-
strom iU deshalb in Trapezform nachgebildet. Abb. 12-20 zeigt den Stromverlauf als Synthese
mehrerer Sinusschwingungen. Eine Ermittlung der Spannungen uL und uR ist daher einfach
durch Überlagerung der einzelnen Oberschwingungen möglich. Das Ergebnis zeigt ebenfalls
Abb. 12-20. An der Phasenspannung uU ist der Einfluss der Maschineninduktivität L˂ bei der

ʧu Abbildung 12-19
iU
R L
IWR-gespeiste Drehfeldmaschine
iU,OS iU,1 d iU 1-phasiges, vereinfachtes Simu-
u R RŏiU u L Lŏ lationsmodell zur Ermittlung der
uU dt Spannung uU.
eU
218 12 Selbstgeführte Stromrichter

Änderung von iU deutlich zu erkennen. Die Höhe der Überspannung, hier als ʧu bezeichnet,
ist direkt proportional zur Steilheit von iU.

uU

ˈt

uL

ˈt
A

iU Id

ˈt
ʧt
Abbildung 12-20 Strom- und Spannungsverläufe einer Maschinenphase

Die zur Änderung der magnetischen Energie in den Maschinenwicklungen erforderliche Span-
nungszeitfläche A ist abhängig von der Induktivität L˂ und dem Spulenstrom Id. Unter der An-
nahme einer linearen Stromabnahme ist uL während ʧt konstant. Wenn ʮ den in der Induktivi-
tät gespeicherten magnetischen Fluss darstellt, dann gilt folgender Zusammenhang:

di
ʮ ĩ u L dt dʮ uL dt mit uL L
dt
folgt für uL = konstant:

(12-5)
1
ʧʮ L ʧ I d bzw. die Entmagetisierungszeit: ʧ t L I
˂ uL ˂ d

Je schneller der Spulenstrom abgebaut werden soll, desto höher muss uL sein. Beim Strom-
zwischenkreiswechselrichter, wie z. B. dem Phasenfolgewechselrichter nach Abb. 12-21, wird
die Spannung uL über entsprechend geladene Kondensatoren bereitgestellt. Der Verlauf von
Strom und Spannung wird dann mit der von L˂ und C bestimmten Eigenfrequenz 1ʎ L ˂ C
erfolgen. Die Spannungshöhe ist proportional zu ʎ L ˂ C . Für eine Phasenspannung stellt sich
damit ein ähnlicher Verlauf wie in der vereinfachten Schaltung nach Abb. 12-20 ein.
Anmerkung: Es wird nur die Energie des Streufeldes einer Ständerwicklung (symbolisiert
durch L˂) geändert. Der magnetische Hauptfluss in der Maschine ändert als Fluss-
zeiger ʯ durch die Umschaltungen des Wechselrichters nur seine Winkellage
(Drehfeld).
12.2 Wechselrichter mit eingeprägtem Strom (IWR) 219

12.2.2 Wechselrichter mit Phasenfolgelöschung


Nach dem Prinzip der Phasenfolgelöschung wird der Strom vom gerade leitenden Ventil zum
nächsten Ventil kommutiert. Die in den Streuinduktivitäten der Maschine (Lı) gespeicherte
Energie wird während der Kommutierung von den Wechselrichterkondensatoren aufgenom-
men. Dieser Energieaustausch führt an den Maschinenklemmen kurzzeitig zu Überspannun-
gen. Zur Demonstration der Arbeitsweise der Phasenfolgelöschung wird hier der Stromüber-
gang von T1 auf T3 besprochen. Dabei wird ein ideal geglätteter Gleichstrom Id angenommen.
Die Ausgangssituation zeigt Abb. 12-21.
Ld Id
Abbildung 12-21
C T1 C T3 C T5 Wechselrichter mit einge-
1 3
prägtem Gleichstrom und
Phasenfolgelöschung

C5 Ausgangszustand:
D1 D3 D5 U iU eU

der Gleichstrom Id fließt
iV eV über T1-D1 zur Klemme U
V L˂
und von Klemme W über
eW D2-T2.
W iW L˂

D4 D6 D2

T4 T6 T2
D

Der Strom Id fließt über C-Ld-T1-D1-U-W-D2-T2-D. Die Kondensatoren der oberen Brücken-
hälfte sind in der erforderlichen Polarität aufgeladen (uC1 = íU0), d. h. die Schaltung ist für
den Stromübergang T1-T3 löschbereit. Die Zählrichtung von uC1 ist für eine übersichtlichere
Darstellung der Diodenkommutierung in Abb. 12-22 gewählt.

1 (Zündung von T3) 2 (C-Umladung)

T1 uC1 T3 T1 uC1 T3
C3 C3
uU

D1 C5 D3 i U L eU D1 C5 uD3 iU L eU
U ˂ U ˂

V i V L ˂ eV uVU V iV L˂ eV

W iW L˂ eW W iW L˂ eW

D2 D2
220 12 Selbstgeführte Stromrichter

3 (Diodenkommutierung) 4 (Ventilablösung beendet)

T1 uC1 T3 T1 uC1 T3
C3 C3

D1 C5 D3 U iU L eU D1 C5 D3 U i U L eU
˂ ˂

V iV L˂ eV V i V L ˂ eV

W iW L˂ eW e
W iW L˂ W
D2 D2

Thyristor-Kommutierung. Durch Zünden von T3 wird durch uC1 der Gleichstrom Id


von T1 auf T3 kommutiert. D3 ist wegen íuC1 í uVU < 0 in Sperrrichtung beansprucht
1
und kann den Strom nicht übernehmen. Bei dieser schnell ablaufenden Thyristor-
Kommutierung bleiben die Kondensatorspannungen nahezu unverändert.
Nachdem T1 gelöscht ist, fließt Id über T3 sowie die Kondensatoren und die weiterhin
leitende Diode D1. In der Kondensatorgruppe ist C1 mit der Reihenschaltung von C2
und C3 parallel geschaltet. Die resultierende Kapazität beträgt (3/2) C, wenn C die
2 Größe der Einzelkapazität ist. Die Kondensatoren führen den Strom iC1 = (2/3)Id bzw.
iC3 = iC5 = í(2/3)Id und werden (wegen Id = konstant) linear umgeladen. Die Span-
nung uC1 liegt an dem gelöschten Thyristor T1 als Sperrspannung und bestimmt seine
Schonzeit tC.
Sobald die Kondensatorspannung uC1 den Augenblickswert der Leiterspannung uVU
überschreitet, wird die Diodenspannung uD3 = íuC1 í uVU > 0 und die Diode D3 wird
stromführend. Nun besteht über die Dioden D1 und D3 ein Schwingkreis, der zwei
Stränge des Lastkreises und die Kapazität (3/2)C enthält. Der weiterhin konstante
Strom Id geht nun in einem zweiten Kommutierungsabschnitt, der Diodenkommutie-
3 rung auf den Zweig 3 über. uVU ist jetzt gleich der Kondensatorspannung uC1 und
überschreitet kurzzeitig den Scheitelwert der induzierten Spannung (eV í eU). Nach
Ablauf der Diodenkommutierung sind die Kondensatoren stromlos, ihre Spannungen
sind gegenüber dem Kommutierungsbeginn zyklisch vertauscht. Der Brückenzweig 3
führt den Laststrom Id, bis auf der betrachteten Brückenseite die nächste Kommutie-
rung eingeleitet wird.
Aus dem Ladezustand der Kondensatoren lässt sich jetzt auch eine Rückkommutie-
rung einleiten (von 3 auf 1). Es ist also auch eine Umkehr des Drehsinns möglich.
4
Durch mehrmaliges Wechseln zwischen zwei Zweigen ist aber auch ein Pulsen des
Laststromes möglich (Zwischentakten).

Kennzeichnend für den I-Wechselrichter ist die hohe Spannungsbeanspruchung der Ventil-
zweige und des Lastkreises durch die während der Kommutierungen auftretenden Spannungs-
spitzen. Am Ende der Kommutierung haben die Kondensatoren die Energie von L˂ aufgenom-
men, wodurch sich die Klemmenspannung uUV in Abb. 12-22 um den Betrag ʧu über den
Wert der sinusförmigen induzierten Spannung (eV í eU) erhöht. Nach erfolgter Stromübergabe
12.2 Wechselrichter mit eingeprägtem Strom (IWR) 221

spring uUV auf den durch die induzierte Spannung bestimmten Wert. Da D1 sperrt behält C1
seine Spannung (+U0). Gl. 12-6 zeigt wie die Spannungsüberhöhung von der Maschinenstreu-
ung, den gewählten Kommutierungskapazität und dem Gleichstrom Id bestimmt ist.

ʎ
2L
˂
ʧu I dŏ Spannungsüberhöhung durch Lı (12-6)
3
C
2
Mit der Kondensatorspannung werden auch die Thyristoren beansprucht. Bei leitender Diode
D3 ermittelt sich die Diodenspannung uD1 zu:
uD1 u VU ė uC1 (12-7)

Schnittpunkt von ʧu
uC1 und uVU
- D3 leitet
uVU
ʧu U0
uU 2
uV

ˈt

ˈtC

U0
ť
Diodenkommutierung D1 ä D3
Schwingkreis: D1-U-V-D3-Cges
uC1
Ť Ŧ
C-Umladung Im Stromnulldurchgang des
(linear) iU D1 Diodenstromes ist die Dioden-
T1 kommutierung beendet.
Id
D1 sperrt und D3 leitet.
ţ
ˈt
Thyristorkommutierung
iV
T1 äT3 T3 D3 Id

ˈt
Abbildung 12-22 Spannungs- und Stromverläufe für die Kommutierung von T1 ĺ T3
222 12 Selbstgeführte Stromrichter

Der Spitzenwert ûD1 liegt nach Gl. 12-7 erheblich über der Kondensatorspannung. Die Bemes-
sung der Löschkondensatoren wird deshalb auf eine geringe Spannungsbeanspruchung der
Ventile ausgerichtet und führt gegenüber vergleichbaren U-Wechselrichtern mit Spannungs-
zwischenkreis zu mehrfach größeren Kapazitätswerten.
ȩ Bei bekannter Schaltungsdimensionierung kann durch Messung von ǻu mit Gl. (12-6) auf
die Motor-Streuinduktivität Lı geschlossen werden.
Die erreichbare Schonzeit tC für die Thyristoren berechnet sich nach Abb. 12-22 und Abb.
12-23 mit Gl. (12-8).
3C U 0
tC (12-8)
2 Id

Durch die Kapazitätsbemessung nach der Spannungsbelastung der Ventile ergeben sich für die
Schonzeit tC relativ große Werte. Wegen der dadurch geringen Anforderungen an die Freiwer-
dezeit können somit auch normale Netzthyristoren eingesetzt werden.

uT1
uT1 Abbildung 12-23
tC
C Verlauf der Ventilspannung
U0 Id zur Berechnung von tC
nach Gl. (12-8)
t Während der Umladung
C C ist uT1 = uC.
U0
3
C ges C
2

À Da jede Kommutierung über zwei Stränge des Lastkreises verläuft, gehen die Daten der
Last in die Schaltungsbemessung ein. Daraus folgt, dass die Schaltung nicht für veränderli-
che Belastungsimpedanzen geeignet ist. Sie wird einem Lastkreis fest zugeordnet.
À Ausgeführte I-Wechselrichter erreichen Ausgangsfrequenzen bis 150 Hz.
À Der Laststrom hat durch die harmonischen Kommutierungsvorgänge cosinusförmige Flan-
ken.
À Für die Kondensatorumladung ist ein Mindeststrom erforderlich. Die Schaltung ist daher
nicht leerlauffest.
À An den Maschinenklemmen treten durch die Kommutierung Überspannungen auf.
Vergleicht man den Schaltungsaufbau des Wechselrichters für eingeprägten Strom nach Abb.
12-21 mit dem Wechselrichter für eingeprägte Spannung nach Abb. 12-16, so zeigen sich fol-
gende Unterschiede:
À Der IWR benötigt keine Freilaufdioden.
À Der IWR benötigt keine zusätzlichen Induktivitäten.
223

13 Die Wirkungsweise selbstgeführter UWR


Wegen der Bedeutung des Wechselrichters mit eingeprägter Spannung (UWR) wird im Weite-
ren die Wirkungsweise des UWR vertiefend behandelt. Wir unterscheiden in Abb. 13-1 Wech-
selrichter in Zwei- und Dreipunkttechnik sowie Multi-level-Wechselrichter.

Zweipunkt-WR (2-level-inverter) Schaltermodell

Ud
uU0
Ud 2 SU
2 U
Ud
t uU0
2

Dreipunkt-WR (3-level-inverter)

uU0 Ud
Ud 2 SU
2 U

t Ud
uU0
2

Multi-level-inverter (4-level-inverter)

uU0 Ud
Ud Ud 3 SU
t
6 2
Ud
U
3

Ud uU0
Die Spannung uU0 kann bei dem hier dargestellten 3 0
Brückenzweig eines 4-level-inverters vier Werte anneh-
men. Die Spannungsstufung kann durch weitere Konden- 0
satoren noch feiner eingestellt werden.
Abbildung 13-1 Arten von Wechselrichtern mit eingeprägter Spannung (UWR)
224 13 Die Wirkungsweise selbstgeführter UWR

13.1 Schaltungen in Zweipunkttechnik (2-level-inverter)


Zur Beschreibung der Betriebsweise eines Stromrichters in Zweipunkttechnik wird die
Mittelpunktschaltung nach Abb. 13-2 als Universalschalter betrachtet. Die Last liegt zwischen
den Mittelpunkten des Brückenzweiges U und des Zwischenkreises 0 (Bezugspotenzial). Die
Zwischenkreisspannung Ud und der Ausgangsstrom iU seien für den betrachteten Zeitraum
konstante Größen, symbolisiert durch eingangsseitiges C und ausgangsseitiges L.

id+ id+
Ud Ud
2 SU+ 2 SU+
C+ C+

L iU
U
iU U

Ud SU– Ud SU–
2 uU0 2 uU0
C– C–

id– id–
0
0

Abbildung 13-2 Brückenzweig für eine 2-Punkt Mittelpunktschaltung


links: idealisierte Elemente, rechts: Ersatzschaltung mit zwei Schaltern

Die beiden rückwärts leitenden Schaltelemente SU+ und SUė bilden zusammen den Brücken-
zweig, der sich in insgesamt vier Schaltzuständen befinden kann. Betriebsmäßig werden nur
die Zustände 1 und 2 benutzt.

1 2 3 4

SU+ SU+ SU+ SU+


iU < 0

iU > 0
SU– SU– SU– SU–

1. Der Strom fließt unabhängig von seinem Vorzeichen im oberen Schaltelement SU+ und
die Ausgangsspannung uU0 beträgt Ud /2.
2. Der Strom iU fließt unabhängig von seinem Vorzeichen im unteren Schaltelement SA–
und die Ausgangsspannung uU0 beträgt íUd/2.
13.1 Schaltungen in Zweipunkttechnik (2-level-inverter) 225

3. Dieser Zustand würde den Zwischenkreis kurzschließen (verboten).


4. Der Strom iU fließt je nach Vorzeichen im oberen oder im unteren Schaltelement. Die
Polarität der Spannung uU0 ist demzufolge abhängig von der Stromrichtung. Dieser Zu-
stand tritt im Betrieb nur während der Verriegelungszeit der Transistoren auf.

13.1.1 Schaltfunktionen
Tabelle 13.1 Schaltfunktion
Symbol Stellung sU

1 offen 0
2 geschlossen 1

Ordnet man den Stellungen 1 und 2 eine Schaltfunktion sU gemäß Tab. 13.1 zu, dann lassen
sich die Schaltzustände 1 und 2 mit Hilfe der Schaltfunktionen sU+ und sUí und Gl. (13-1)
nach Tab. 13.2 darstellen. Das + / í Zeichen kennzeichnet den oberen und unteren Schalter.
Ud
u U0 ʛs U+ ė s U íʜŏ id+ s U+ŏi U id í s U íŏ iU (13-1)
2

Tabelle 13.2 Schaltfunktionen und Ausgangsgrößen der Ersatzschaltung


Z sU+ sUė uU0 id+ idė
Ud
1 1 0 iU 0
2
Ud
2 0 1 ė 0 iU
2

Die Ausgangsspannung uU0 verläuft sprungförmig und ist eine Funktion der Schalterstellung
und der Zwischenkreisspannung Ud. Der hier als konstant angenommene Phasenstrom iU wird
je nach Stellung der Schalter auf einen der Leiter des Zwischenkreises geschaltet. Der Verlauf
der Zwischenkreisströme weist daher ebenfalls Sprünge auf – die Kondensatoren müssen da-
her zur Vermeidung von Überspannungen induktivitätsfrei mit den Transistoren verbunden
sein. Ein Brückenzweig nach Abb. 13-2 hat im Betrieb 2 Schaltzustände und kann durch eine
Ersatzschaltung mit einem Umschalter SU nach Abb. 13-3 ersetzt werden. Seine Schalterstel-
lung wird durch eine Schaltfunktion sU beschrieben, die sich aus der Differenz von sU+ und
sUí nach Gl. (13-2) berechnet. sU kann in diesem Fall die Werte +1 und í1 annehmen.
sU s U+ ė s U í (13-2)

Tabelle 13.3 Schaltfunktion sU eines Brückenzweiges

Schalterstellung sU Schalterstellung sU

1 í1
226 13 Die Wirkungsweise selbstgeführter UWR

Die Ausgangsspannung uU0 und die Zwischenkreisströme berechnet sich mit Gl. (13-3) zu:

Ud 1 ʅ sU 1 ė sU
u U0 sUŏ id+ ŏiU idė ŏi U (13-3)
2 2 2

Die hier am Beispiel der Mittelpunktschaltung


id+ entwickelte Ersatzschaltung nach Abb. 13-3
Ud für einen Brückenzweig mit den entsprech-
2 C+ enden Gleichungen 13-3 bildet die Grundlage
für alle systembezogenen Betrachtungen span-
+1 nungsgespeister Stromrichter. Unter der An-
iU
SU U
nahme, dass der Ausgangsstrom iU keinen Ein-
fluss auf die Zwischenkreisspannung Ud hat,
–1 kann der ideal schaltende Stromrichter mittels
Schaltfunktionen exakt beschrieben werden. In
Ud
Abb. 13-4 ist die Ausgangsspannung der Mit-
2 uU0 telpunktschaltung für eine periodische Um-
C– schaltung (Pulsbetrieb) mit der Schaltperiode
TS dargestellt. Im Pulsbetrieb kann der Mittel-
id–
wert der Ausgangsspannung uU0 durch Verän-
0 derung des Verhältnisses TE/TS beliebig einge-
stellt werden (TE: siehe Abb. 13-4). Die Mit-
Abbildung 13-3 Brückenzweig mit Umschalter telwertbildung für uU0 erfolgt über eine Peri-
ode der Taktfrequenz TS und wird als Kurz-
zeit-Mittelwert bezeichnet. Bei einer zeitveränderlichen Schaltfunktion sU kann der Kurzzeit-
Mittelwert zeitveränderlich gesteuert werden und man erhält z. B. den in Abb.13-4 dargestell-
ten Verlauf für njU0. Bei Blocktaktung arbeitet der Umschalter genau mit der Grundfrequenz
der Ausgangsspannung, so dass TS = 1/f1 ist. Das Verhältnis TE/TS ist konstant 0,5 und es be-
steht keine Möglichkeit außer der Frequenz die Kurvenform oder Amplitude der Ausgangs-
spannung zu beeinflussen.

13.1.2 Kurzzeit-Mittelwert
Soll die Ausgangsspannung uU0 des Brückenzweiges nach Abb. 13-3 einem vorgegebenem
zeitveränderlichen Sollwert uU0,Soll folgen, so kann die Sollwertnachbildung nur über den Mit-
telwert der Ausgangsspannung uU0 erreicht werden. Wegen der geschalteten Charakteristik er-
folgt die Mittelwertbildung nach Gl. (13-4) über eine Taktperiode TS, wobei während TS
u U0,Soll u U0 angenommen wird (Kurzzeit-Mittelwert). njU0 folgt dem in Abb. 13-4 dar-
gestellten treppenförmigen Spannungsverlauf. Die Abweichungen von der Sollwertkurve sind
in Abb. 13-4 grau dargestellt und heben sich innerhalb einer Taktperiode auf.

t ʅT
1
S Ud TE
u U0 ʛtʜ = ŏ ĩ u ʛ˃ʜ d ˃ ŏ>2 ė 1@ (13-4)
T S t U0 2 TS

Durch Auflösung von Gl.(13-4) nach der für den Spannungsmittelwert njU0 erforderlichen
relativen Einschaltzeit TE/TS erhält man Gl. (13-5). Bedingt durch die Mindestschaltzeiten der
13.1 Schaltungen in Zweipunkttechnik (2-level-inverter) 227

Bauelemente ist der praktisch erreichbare Steuerbereich von TE/TS jedoch eingeschränkt.
TE u U0 1 Ud Ud
ʛu U0 ʜ ʅ für: ė ʆ u U0 ʆ (13-5)
TS Ud 2 2 2

uU0 TE
Ud uU0
ʅ
2
u U0
uU0,Soll

Ud
ė
2
TS 1 f S
Abbildung 13-4 Zeitveränderlicher Sollwert, Ausgangsspannung uU0 und Kurzzeit-Mittelwert njU0

Die Länge des Zeitintervalls TS reduziert sich mit zunehmender Schaltfrequenz fS. Die Soll-
wertnachbildung wird daher bei zunehmender Schaltfrequenz fS besser. Die zulässige Schalt-
frequenz eines IGBT-Stromrichters ist wegen der Schaltverluste abhängig vom jeweiligen Ein-
satzfall. Mit zunehmender Leistung ist die Schaltfrequenz daher reduziert. In Tab. 13.4 sind ty-
pische Schaltfrequenzen fS mit der jeweiligen Periodendauer TS angegeben. Da der Spannungs-
mittelwert njU0 über die Pulsbreite TE der Spannungsblöcke eingestellt wird, spricht man von
einer Pulsbreitenmodulation (Pulse-Width-Modulation, PWM-Mode) des Wechselrichters.
Tabelle 13.4 Schaltfrequenz fS und Periodendauer TS
fS TS fS TS
600 Hz 1667 μs 6 kHz 166 μs
1,5 kHz 666 μs 20 kHz 50 μs
3 kHz 333 μs
228 13 Die Wirkungsweise selbstgeführter UWR

13.1.3 Der Modulator


Die Erzeugung der Schaltfunktion geschieht mit einem Modulator nach Abb. 13-4. Die Soll-
wertgröße uU0,Soll wird mit einer höherfrequenten dreieckförmigen Spannung verglichen. Das
Vergleichsergebnis wird in diesem Fall als Schaltfunktion sU bezeichnet. Die Schaltfunktion
sU steuert die Stellung des Schalters SU (weitere Einzelheiten siehe Kapitel 15).
Modulationssignal Schaltfunktion Abbildung 13-5
uU0,Soll
sU +1 Erzeugung der
sU
Schaltfunktion sU
t í –1 t
mit einem
Modulator (Prinzip)
Trägersignal


t

13.1.4 Modulationsfunktion
Die Beschreibung des Stromrichters mittels Schaltfunktionen ist oft zu aufwendig. Für viele
Untersuchungen genügt es, z. B. den Kurzzeit-Mittelwert der Spannung uU0 zu betrachten.
Dazu werden in Gl. (13-6) die Momentanwerte der Schaltfunktion (sU) durch den Kurzzeit-
Mittelwert sU ersetzt.
Ud Ud
Momentanwert : u U0 sU ŏ Kurzzeit-Mittelwert: u U0 sU ŏ (13-6)
2 2
Für die Größe sU wird der Begriff der Modulationsfunktion mU eingeführt.

Modulationsfunktion: m U sU (13-7)
mU ist proportional zum zeitkontinuierlichen Sollwert. Gleichung (13-3) geht damit über in
folgende Form:
Ud 1 ʅ mU 1 ė mU
uU0 m Uŏ id+ ŏi U id í ŏi U (13-8)
2 2 2
Im Allgemeinen verläuft der Sollwert sinusförmig. Mit der Frequenz f1 für die Grundschwin-
gung erhält man für die Modulationsfunktion mU :

mU M U sin ʛˈ 1 tʅˍ m ʜ , ˈ1 2ˀ f 1 M U : Modulationsgrad (13-9)


Der Modulationsgrad MU nach Gl. (13-10) beschreibt das Verhältnis der Grundschwingungs-
amplitude zur Zwischenkreisspannung (Ud / 2) bzw. zum Mittelwert des Zwischenkreisstrom
(Id). Abb. 13-6 zeigt die Definition des Modulationsgrades bei der Grundfrequenz- bzw.
Blocktaktung (q = 1). Der Zahlenwert von MU liegt im Bereich 0 ... 1,27.
uʒ U0,1 ʒi
U,1 4 4
MU bzw. M U mit: 0 Ĺ M U Ĺ ʛ 1,27ʜ
Ud Id ˀ ˀ (13-10)
2
13.1 Schaltungen in Zweipunkttechnik (2-level-inverter) 229

Ud
ʅ Id
2 4 Ud ʒi 4
ŏI
uU0,1 uʒ U0,1 ŏ iU,1 U,1
ˀ 2 ˀ d

Ud uU0 t iU t
ė
2 íId

Abbildung 13-6 Zur Definition des Modulationsgrades aus den Ein- und Ausgangsgrößen eines
Brückenzweiges
Durch Einsetzen der sinusförmigen Modulationsfunktion mU in Gl. (13-8) erhält man:

iU iU
i d+ ʛ1 ʅ M Uŏ sin ʛˈ1 t ʅ ˍm ʜʜŏ id í ʛ1 ė M Uŏ sin ʛˈ 1 t ʅ