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FP75R12KT4

EconoPIM™3ModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundNTC
EconoPIM™3modulewithfastTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandNTC

VCES = 1200V
IC nom = 75A / ICRM = 150A

PotentielleAnwendungen PotentialApplications
• Hilfsumrichter • Auxiliaryinverters
• MedizinischeAnwendungen • Medicalapplications
• Motorantriebe • Motordrives
• Servoumrichter • Servodrives

ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures
• NiedrigeSchaltverluste • Lowswitchinglosses
• NiedrigesVCEsat • LowVCEsat
• Tvjop=150°C • Tvjop=150°C
• VCEsatmitpositivemTemperaturkoeffizienten • VCEsatwithpositivetemperaturecoefficient

MechanischeEigenschaften MechanicalFeatures
• HoheLast-undthermischeWechselfestigkeit • Highpowerandthermalcyclingcapability
• IntegrierterNTCTemperaturSensor • IntegratedNTCtemperaturesensor
• Kupferbodenplatte • Copperbaseplate
• Lötverbindungstechnik • Soldercontacttechnology
• Standardgehäuse • Standardhousing

ModuleLabelCode
BarcodeCode128 ContentoftheCode Digit
ModuleSerialNumber 1-5
ModuleMaterialNumber 6-11
ProductionOrderNumber 12-19
DMX-Code
Datecode(ProductionYear) 20-21
Datecode(ProductionWeek) 22-23

Datasheet PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V3.0


www.infineon.com 2018-03-02
FP75R12KT4

IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Tvj = 25°C VCES  1200  V
Collector-emittervoltage
Kollektor-Dauergleichstrom
TC = 95°C, Tvj max = 175°C IC nom  75  A
ContinuousDCcollectorcurrent
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
tP = 1 ms ICRM  150  A
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gate-Emitter-Spitzenspannung
VGES  +/-20  V
Gate-emitterpeakvoltage

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.


Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung IC = 75 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C 1,85 2,15 V
Collector-emittersaturationvoltage IC = 75 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C VCE sat 2,15 V
IC = 75 A, VGE = 15 V Tvj = 150°C 2,25 V
Gate-Schwellenspannung
IC = 2,40 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,20 5,80 6,40 V
Gatethresholdvoltage
Gateladung
VGE = -15 / 15 V QG 0,57 µC
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Tvj = 25°C RGint 10 Ω
Internalgateresistor
Eingangskapazität
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 4,30 nF
Inputcapacitance
Rückwirkungskapazität
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,16 nF
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast IC = 75 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,16 µs
td on
Turn-ondelaytime,inductiveload VGE = -15 / 15 V Tvj = 125°C 0,17 µs
RGon = 1,1 Ω Tvj = 150°C 0,17 µs
Anstiegszeit,induktiveLast IC = 75 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,03 µs
tr
Risetime,inductiveload VGE = -15 / 15 V Tvj = 125°C 0,04 µs
RGon = 1,1 Ω Tvj = 150°C 0,04 µs
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast IC = 75 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,34 µs
td off
Turn-offdelaytime,inductiveload VGE = -15 / 15 V Tvj = 125°C 0,43 µs
RGoff = 1,1 Ω Tvj = 150°C 0,45 µs
Fallzeit,induktiveLast IC = 75 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,08 µs
tf
Falltime,inductiveload VGE = -15 / 15 V Tvj = 125°C 0,15 µs
RGoff = 1,1 Ω Tvj = 150°C 0,17 µs
EinschaltverlustenergieproPuls IC = 75 A, VCE = 600 V, Lσ = 40 nH Tvj = 25°C 3,10 mJ
Turn-onenergylossperpulse di/dt = 2500 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C Eon 6,60 mJ
VGE = -15 / 15 V, RGon = 1,1 Ω Tvj = 150°C 7,65 mJ
AbschaltverlustenergieproPuls IC = 75 A, VCE = 600 V, Lσ = 40 nH Tvj = 25°C 4,20 mJ
Turn-offenergylossperpulse du/dt = 3600 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C Eoff 6,40 mJ
VGE = -15 / 15 V, RGoff = 1,1 Ω Tvj = 150°C 7,20 mJ
Kurzschlußverhalten VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V
ISC
SCdata VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C 270 A
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
proIGBT/perIGBT RthJC 0,390 K/W
Thermalresistance,junctiontocase
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
RthCH 0,130 K/W
Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Tvj op -40 150 °C
Temperatureunderswitchingconditions

Datasheet 2 V3.0
2018-03-02
FP75R12KT4

Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Tvj = 25°C VRRM  1200  V
Repetitivepeakreversevoltage
Dauergleichstrom
IF  75  A
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
tP = 1 ms IFRM  150  A
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C I²t  960  A²s
I²t-value

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.


Durchlassspannung IF = 75 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C 1,70 2,15 V
Forwardvoltage IF = 75 A, VGE = 0 V Tvj = 125°C VF 1,65 V
IF = 75 A, VGE = 0 V Tvj = 150°C 1,65 V
Rückstromspitze IF = 75 A, - diF/dt = 2500 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 88,0 A
Peakreverserecoverycurrent VR = 600 V Tvj = 125°C IRM 89,0 A
VGE = -15 V Tvj = 150°C 90,0 A
Sperrverzögerungsladung IF = 75 A, - diF/dt = 2500 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 7,30 µC
Recoveredcharge VR = 600 V Tvj = 125°C Qr 13,0 µC
VGE = -15 V Tvj = 150°C 14,5 µC
AbschaltenergieproPuls IF = 75 A, - diF/dt = 2500 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 2,65 mJ
Reverserecoveryenergy VR = 600 V Tvj = 125°C Erec 4,60 mJ
VGE = -15 V Tvj = 150°C 5,65 mJ
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
proDiode/perdiode RthJC 0,620 K/W
Thermalresistance,junctiontocase
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
RthCH 0,205 K/W
Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Tvj op -40 150 °C
Temperatureunderswitchingconditions

Diode,Gleichrichter/Diode,Rectifier
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Tvj = 25°C VRRM  1600  V
Repetitivepeakreversevoltage
DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip
TC = 80°C IFRMSM  80  A
MaximumRMSforwardcurrentperchip
GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom
TC = 80°C IRMSM  140  A
MaximumRMScurrentatrectifieroutput
StoßstromGrenzwert tp = 10 ms, Tvj = 25°C 600 A
IFSM  
Surgeforwardcurrent tp = 10 ms, Tvj = 150°C 470 A
Grenzlastintegral tp = 10 ms, Tvj = 25°C 1800 A²s
I²t  
I²t-value tp = 10 ms, Tvj = 150°C 1100 A²s

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.


Durchlassspannung
Tvj = 150°C, IF = 75 A VF 1,15 V
Forwardvoltage
Sperrstrom
Tvj = 150°C, VR = 1600 V IR 1,00 mA
Reversecurrent
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
proDiode/perdiode RthJC 0,650 K/W
Thermalresistance,junctiontocase
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
RthCH 0,215 K/W
Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Tvj op -40 150 °C
Temperatureunderswitchingconditions

Datasheet 3 V3.0
2018-03-02
FP75R12KT4

IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Tvj = 25°C VCES  1200  V
Collector-emittervoltage
Kollektor-Dauergleichstrom
TC = 95°C, Tvj max = 175°C IC nom  50  A
ContinuousDCcollectorcurrent
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
tP = 1 ms ICRM  100  A
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gate-Emitter-Spitzenspannung
VGES  +/-20  V
Gate-emitterpeakvoltage

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.


Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung IC = 50 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C 1,85 2,15 V
Collector-emittersaturationvoltage IC = 50 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C VCE sat 2,15 V
IC = 50 A, VGE = 15 V Tvj = 150°C 2,25 V
Gate-Schwellenspannung
IC = 1,60 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,20 5,80 6,40 V
Gatethresholdvoltage
Gateladung
VGE = -15 / 15 V QG 0,38 µC
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Tvj = 25°C RGint 4,0 Ω
Internalgateresistor
Eingangskapazität
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 2,80 nF
Inputcapacitance
Rückwirkungskapazität
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,10 nF
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast IC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,16 µs
td on
Turn-ondelaytime,inductiveload VGE = -15 / 15 V Tvj = 125°C 0,17 µs
RGon = 15 Ω Tvj = 150°C 0,17 µs
Anstiegszeit,induktiveLast IC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,03 µs
tr
Risetime,inductiveload VGE = -15 / 15 V Tvj = 125°C 0,04 µs
RGon = 15 Ω Tvj = 150°C 0,04 µs
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast IC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,33 µs
td off
Turn-offdelaytime,inductiveload VGE = -15 / 15 V Tvj = 125°C 0,43 µs
RGoff = 15 Ω Tvj = 150°C 0,45 µs
Fallzeit,induktiveLast IC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,08 µs
tf
Falltime,inductiveload VGE = -15 / 15 V Tvj = 125°C 0,15 µs
RGoff = 15 Ω Tvj = 150°C 0,17 µs
EinschaltverlustenergieproPuls IC = 50 A, VCE = 600 V, Lσ = 20 nH Tvj = 25°C 5,70 mJ
Turn-onenergylossperpulse VGE = -15 / 15 V, RGon = 15 Ω Tvj = 125°C Eon 7,70 mJ
Tvj = 150°C 8,40 mJ
AbschaltverlustenergieproPuls IC = 50 A, VCE = 600 V, Lσ = 20 nH Tvj = 25°C 2,80 mJ
Turn-offenergylossperpulse VGE = -15 / 15 V, RGoff = 15 Ω Tvj = 125°C Eoff 4,30 mJ
Tvj = 150°C 4,80 mJ
Kurzschlußverhalten VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V
ISC
SCdata VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C 180 A
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
proIGBT/perIGBT RthJC 0,540 K/W
Thermalresistance,junctiontocase
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
RthCH 0,245 K/W
Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Tvj op -40 150 °C
Temperatureunderswitchingconditions

Datasheet 4 V3.0
2018-03-02
FP75R12KT4

Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-Chopper
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Tvj = 25°C VRRM  1200  V
Repetitivepeakreversevoltage
Dauergleichstrom
IF  25  A
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
tP = 1 ms IFRM  50  A
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C 90,0 A²s
I²t  
I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C 80,0 A²s

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.


Durchlassspannung IF = 25 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C 1,75 2,15 V
Forwardvoltage IF = 25 A, VGE = 0 V Tvj = 125°C VF 1,75 V
IF = 25 A, VGE = 0 V Tvj = 150°C 1,75 V
Rückstromspitze IF = 25 A, - diF/dt = 1200 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 39,0 A
Peakreverserecoverycurrent VR = 600 V Tvj = 125°C IRM 40,0 A
Tvj = 150°C 41,0 A
Sperrverzögerungsladung IF = 25 A, - diF/dt = 1200 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 2,40 µC
Recoveredcharge VR = 600 V Tvj = 125°C Qr 4,10 µC
Tvj = 150°C 4,40 µC
AbschaltenergieproPuls IF = 25 A, - diF/dt = 1200 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 0,90 mJ
Reverserecoveryenergy VR = 600 V Tvj = 125°C Erec 1,50 mJ
Tvj = 150°C 1,70 mJ
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
proDiode/perdiode RthJC 1,35 K/W
Thermalresistance,junctiontocase
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
RthCH 0,610 K/W
Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Tvj op -40 150 °C
Temperatureunderswitchingconditions

NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
Nennwiderstand
TNTC = 25°C R25 5,00 kΩ
Ratedresistance
AbweichungvonR100
TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω ∆R/R -5 5 %
DeviationofR100
Verlustleistung
TNTC = 25°C P25 20,0 mW
Powerdissipation
B-Wert
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K
B-value
B-Wert
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K
B-value
B-Wert
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K
B-value
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.

Datasheet 5 V3.0
2018-03-02
FP75R12KT4

Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL  2,5  kV
Isolationtestvoltage
MaterialModulgrundplatte
 Cu 
Materialofmodulebaseplate
InnereIsolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
 Al2O3 
Internalisolation basicinsulation(class1,IEC61140)
Kriechstrecke Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink 10,0
  mm
Creepagedistance Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
Luftstrecke Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink 7,5
  mm
Clearance Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
VergleichszahlderKriechwegbildung
CTI  > 200 
Comperativetrackingindex
min. typ. max.
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proModul/permodule
RthCH 0,009 K/W
Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
Modulstreuinduktivität
LsCE 40 nH
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-
RCC'+EE' 4,00
Chip TC=25°C,proSchalter/perswitch mΩ
RAA'+CC' 3,00
Moduleleadresistance,terminals-chip
Lagertemperatur
Tstg -40 125 °C
Storagetemperature
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
M 3,00 6,00 Nm
Mountingtorqueformodulmounting ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
Gewicht
G 300 g
Weight

Datasheet 6 V3.0
2018-03-02
FP75R12KT4

AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE) IC=f(VCE)
VGE=15V Tvj=150°C

150 150
Tvj = 25°C VGE = 19V
Tvj = 125°C VGE = 17V
135 Tvj = 150°C 135 VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
120 120 VGE = 9V

105 105

90 90
IC [A]

IC [A]
75 75

60 60

45 45

30 30

15 15

0 0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
VCE [V] VCE [V]

ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE) Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VCE=20V VGE=±15V,RGon=1.1Ω,RGoff=1.1Ω,VCE=600V

150 30
Tvj = 25°C Eon, Tvj = 125°C
Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C
135 Tvj = 150°C Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
25
120

105
20

90
E [mJ]
IC [A]

75 15

60

10
45

30
5

15

0 0
5 6 7 8 9 10 11 12 13 0 20 40 60 80 100 120 140
VGE [V] IC [A]

Datasheet 7 V3.0
2018-03-02
FP75R12KT4

SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
switchinglossesIGBT,Inverter(typical) transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
Eon=f(RG),Eoff=f(RG) ZthJC=f(t)
VGE=±15V,IC=75A,VCE=600V

20 1
Eon, Tvj = 125°C ZthJC : IGBT
Eoff, Tvj = 125°C
18 Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C

16

14

12

ZthJC [K/W]
E [mJ]

10 0,1

i: 1 2 3 4
2 ri[K/W]: 0,0234 0,1287 0,1248 0,1131
τi[s]: 0,01 0,02 0,05 0,1

0 0,01
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 0,001 0,01 0,1 1 10
RG [Ω] t [s]

SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
(RBSOA) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IF=f(VF)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=1.1Ω,Tvj=150°C
165 150
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
150 135 Tvj = 150°C

135
120
IC, Modul
IC, Chip
120
105

105
90
90
IC [A]

IF [A]

75
75
60
60

45
45

30
30

15 15

0 0
0 200 400 600 800 1000 1200 1400 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
VCE [V] VF [V]

Datasheet 8 V3.0
2018-03-02
FP75R12KT4

SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical) switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF) Erec=f(RG)
RGon=1.1Ω,VCE=600V IF=75A,VCE=600V

8 8
Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C Erec, Tvj = 150°C
7 7

6 6

5 5
E [mJ]

E [mJ]
4 4

3 3

2 2

1 1

0 0
0 20 40 60 80 100 120 140 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
IF [A] RG [Ω]

TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter DurchlasskennliniederDiode,Gleichrichter(typisch)
transientthermalimpedanceDiode,Inverter forwardcharacteristicofDiode,Rectifier(typical)
ZthJC=f(t) IF=f(VF)

1 150
ZthJC : Diode Tvj = 25°C
Tvj = 150°C
135

120

105

90
ZthJC [K/W]

IF [A]

0,1 75

60

45

30

i: 1 2 3 4
ri[K/W]: 0,0372 0,2046 0,1984 0,1798 15
τi[s]: 0,01 0,02 0,05 0,1

0,01 0
0,001 0,01 0,1 1 10 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0
t [s] VF [V]

Datasheet 9 V3.0
2018-03-02
FP75R12KT4

AusgangskennlinieIGBT,Brems-Chopper(typisch) DurchlasskennliniederDiode,Brems-Chopper(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical) forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical)
IC=f(VCE) IF=f(VF)
VGE=15V

100 45
Tvj = 25°C Tvj = 25°C
Tvj = 125°C Tvj = 125°C
90 Tvj = 150°C 40 Tvj = 150°C

80
35

70
30

60
25
IC [A]

IF [A]
50
20
40

15
30

10
20

10 5

0 0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
VCE [V] VF [V]

NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)

100000
Rtyp

10000
R[Ω]

1000

100
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140
TNTC [°C]

Datasheet 10 V3.0
2018-03-02
FP75R12KT4

Schaltplan/Circuitdiagram

Gehäuseabmessungen/Packageoutlines

Datasheet 11 V3.0
2018-03-02
Trademarks
Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners.




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