SFH 205

SFH 206

Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter SFH 205

Silicon-PIN-Photodiode with Daylight Filter SFH 206

Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Wesentliche Merkmale Features

● Speziell geeignet für Anwendungen bei ● Especially suitable for applications of
950 nm 950 nm
● Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) ● Short switching time (typ. 20 ns)
● 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse ● 5 mm LED plastic package
● Auch gegurtet lieferbar ● Also available on tape

Anwendungen
● IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Lichtdimmern, Gerätefernsteuerungen
● Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
Applications
● IR-remote control of hi-fi and TV sets, video
tape recorders, dimmers, remote control of
various equipment
● Light reflecting switches for steady and
varying intensity

Semiconductor Group 371

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SFH 206

Typ (* ab 4/95) Bestellnummer Gehäuse

Type (* as of 4/95) Ordering Code Package
SFH 205 Q62702-P102 10 A3 DIN 41868 (TO-92-ähnlich), schwarzes
(* SFH 205 F) Epoxy-Gieβharz, Lötspieβe im
SFH 206 Q62702-P128 2.54-mm-Raster (1/10), Kathodenkennzeichnung:
(* SFH 206 F) Gehäusekerbe
10 A3 DIN 41 868 (similar to TO-92), black epoxy
resin, solder tabs 2.54 (1/10) lead spacing, cathode
marking: notch at package
Grenzwerte
Maximum Ratings

Bezeichnung Symbol Wert Einheit

Description Symbol Value Unit
Betriebs- und Lagertemperatur Top; Tstg oC
–55 ... +80
Operating and storage temperature range
oC
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom TS 230
Gehäuse entfernt bei Lötzeit t ≤ 3s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (t ≤ 3s)
Sperrspannung VR 32 V
Reverse voltage
Verlustleistung, TA = 25 oC Ptot 150 mW
Total power dissipation

Kennwerte (TA = 25 oC, λ = 950 nm)

Characteristics

Bezeichnung Symbol Wert Einheit

Description Symbol Value Unit
Fotoempfindlichkeit S 25 (≥ 15) µA
Spectral sensitivity
VR = 5 V, Ee = 0.5 mW/cm2
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit λS max 950 nm
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit λ 800 ... 1100 nm
S = 10% von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10% of Smax
Bestrahlungsempfindliche Fläche A 7.00 mm2
Radiant sensitive area

Semiconductor Group 372

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SFH 206

Kennwerte (TA = 25 oC, λ = 950 nm)

Characteristics

Bezeichnung Symbol Wert Einheit

Description Symbol Value Unit
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen LxB 2.65 x 2.65 mm
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area LxW
Abstand Chipoberfläche zu
Gehäuseoberfläche
Distance chip surface to case surface
SFH 205 H 2.3 ... 2.5 mm
SFH 206 H 1.2 ... 1.4 mm
Halbwinkel ϕ ± 60 Grad
Half angle deg.
Dunkelstrom, VR = 10 V IR 2 (≤ 30) nA
Dark current
Spektrale Fotoempfindlichkeit Sλ 0.59 A/W
Spectral sensitivity
Quantenausbeute η 0.77 Electrons
Quantum yield Photon
Leerlaufspannung, Ee = 0.5 mW/cm2 VL 330 (≥ 250) mV
Open-circuit voltage
Kurzschluβstrom, Ee = 0.5 mW/cm2 IK 25 µA
Short-circuit current
Anstiegs und Abfallzeit des Fotostromes tr, tf 20 ns
Rise and fall time of the photocurrent
RL= 50 Ω; VR = 5 V; λ = 850 nm; Ip = 800 µA
Durchlaβspannung, IF = 100 mA, E = 0 VF 1.3 V
Forward voltage
Kapazität, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 C0 72 pF
Capacitance
Temperaturkoeffizient von VL TCV –2.6 mV/K
Temperature coefficient of VL
Temperaturkoeffizient von IK, TCI 0.18 %/K
Temperature coefficient of IK
Rauschäquivalente Strahlungsleistung NEP 4.3 x 10–14 W
Noise equivalent power √Hz
VR = 10 V
Nachweisgrenze, VR = 10 V D* 6.2 x 1012 cm · √Hz
Detection limit W

Semiconductor Group 373

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SFH 206

Relative spectral sensitivity Photocurrent IP = f (Ee), VR = 5 V

Srel = f (λ) Open-circuit-voltage VL= f (Ee)

Dark current Capacitance

IR = f (VR), E = 0 C = f (VR), f = 1 MHz, E = 0

Semiconductor Group 374