Bauelemente Der Optoelektronik

Bauelemente der Optoelektronik
Wellenoptik, optische Wellenleiter

und -elemente, Modulatoren, Koppler
R SITAT
I VE U
N
L
U
M
NDO
SCIEND
RA
U
O
C
DO
CENDO
°
c K.J. Ebeling
Abteilung Optoelektronik
Universität Ulm
Bearbeitet von R. Michalzik
DVI/PDF erzeugt am 1. Juli 2004

Literaturverzeichnis
[1] K.J. Ebeling, Integrierte Optoelektronik (2. Aufl.). Berlin: Springer-Verlag, 1992.
[2] B.E.A. Saleh and M.C. Teich, Fundamentals of Photonics. New York: Wiley, 1991.
[3] W. Glaser, Photonik für Ingenieure. Berlin: Verlag Technik, 1997.
[4] A. Papoulis, Signal Analysis (3rd printing). Auckland: McGraw-Hill, 1987.

Inhaltsverzeichnis
1 Licht und Photonen 1

1.1 Lichtbrechung und Fermatsches Prinzip . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
1.2 Lichtbeugung am Gitter und Auflösungsgrenze der optischen Abbildung . . . . . . . 2
1.3 Strahlung eines glühenden Körpers . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
2 Wellenoptik 7
2.1 Wellengleichung und Helmholtzgleichung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
2.2 Elementare Lösungen der Helmholtzgleichung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
2.3 Einfache optische Komponenten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
2.4 Abbildung durch eine dünne Linse . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
3 Paraxiale Wellen und Gaußstrahl 14

3.1 Paraxiale Helmholtzgleichung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
3.2 Gaußstrahl . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
3.3 Eigenschaften des Gauß-Strahls: Intensität und Leistung . . . . . . . . . . . . . . . 16
3.4 Eigenschaften des Gauß-Strahls: Divergenz und Phasenfronten . . . . . . . . . . . . 17
3.5 Transmission durch eine dünne Linse . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
3.6 Strahlfokussierung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
4 Einfache optische Wellenleiter 23

4.1 Planare Spiegelwellenleiter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
4.2 Modenleistungen und Modenüberlagerungen im Spiegelwellenleiter . . . . . . . . . 26
4.3 Planare dielektrische Wellenleiter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
4.4 Quadratische Spiegelwellenleiter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
4.5 Quadratische dielektrische Wellenleiter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
I
II Inhaltsverzeichnis
5 Wellenleiterelemente 37
5.1 Reflexion und Brechung von Filmwellen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
5.2 Rippenwellenleiter und Effektiv-Index Methode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
5.3 Wellenleitereinkopplung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
5.4 Wellenleiterknicke und Krümmungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
5.5 Querschnittsänderungen und Taper . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
5.6 Wellenleitergeometrien . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
6 Wellenleitermodulatoren 47
6.1 Variation der Ausbreitungskonstanten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
6.2 Wellenleiter-Phasenmodulatoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
6.3 Wellenleiter-Amplitudenmodulatoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
6.4 Elektrooptischer Effekt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
6.5 Elektrooptische Phasenmodulatoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
6.6 Mach-Zehnder Modulatoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
7 Optoelektronische Modulatoren in Halbleitern 54

7.1 Elektrisch gesteuerte Modulatoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
7.1.1 Elektroabsorption . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
7.1.2 Elektrorefraktion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
7.1.3 Ladungsträgerinjektion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
7.1.4 Sperrschichtweitenmodulation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
8 Richtkoppler 62
8.1 Allgemeine Eigenschaften . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62
8.2 Theoretisches Modell . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
8.3 Differentialgleichungen für die z-Abhängigkeiten der Modenamplituden . . . . . . . 65
8.4 Amplitudenverläufe in symmetrischen Richtkopplern . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
8.5 Beispiel eines Rippenwellenleiterkopplers . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
8.6 Rippenwellenleiterschalter durch Einstellung der Phasenfehlanpassung . . . . . . . . 68
Kapitel 1
Licht und Photonen
Licht lässt sich auf ganz verschiedene Art und Weise beschreiben. Im folgenden diskutieren wir die
Lichtbrechung an der Grenzfläche zwischen zwei Medien im Strahlenmodell sowie die Beugung des
Lichts an einem Gitter und die Grenze der Auflösung einer optischen Abbildung im Wellenmodell.
Die thermische Strahlung eines Glühfadens lässt sich dagegen erst anhand eines komplexeren Photo-
nenmodells verstehen.
1.1 Lichtbrechung und Fermatsches Prinzip
Wir betrachten nach Bild 1.1 die Lichtausbreitung vom Punkt A in Medium 1 mit Brechzahl n̄1 zu
einem Punkt B in Medium 2 mit Brechzahl n̄2 . Es ist bekannt, dass die Strahlausbreitung dem Snel-
liusschen Brechungsgesetz gehorcht. Allgemeiner kann man sagen, dass der Strahl den Weg nimmt,
der die Zeit t für die Lichtausbreitung für die Distanz zwischen den Punkten A und B minimiert.
In einem Medium mit konstanter Brechzahl wird dementsprechend die Ausbreitung des Strahls auf
einer Geraden erfolgen. Nach Bild 1.1 gilt mit den Ausbreitungsgeschwindigkeiten v1 = c/n̄1 und
v2 = c/n̄2 mit c als Lichtgeschwindigkeit die einfache Beziehung
p p
AB BC h21 + x2 h22 + (d − x)2
t= + = n̄1 + n̄2 . (1.1)
v1 v2 c c
Die minimale Zeitdauer für verschiedene mögliche Ausbreitungswege, die sich durch die Lage des
Punktes B auf der x-Achse unterscheiden, erhält man durch die Extremalbedingung ∂t/∂x = 0. Die
Einführung von Einfallswinkel ϕ1 und Brechungswinkel ϕ2 , jeweils gegen das Einfallslot gemessen,
liefert die Bedingung
∂t n̄1 x −n̄2 (d − x)
=p 2 +p 2
∂x 2
h1 + x · c h2 + (d − x)2 · c
1
= (n̄1 sin {ϕ1 } − n̄2 sin {ϕ2 }) = 0 , (1.2)
c
aus der das Brechungsgesetz
n̄1 sin {ϕ1 } = n̄2 sin {ϕ2 } (1.3)
1
2 Kapitel 1. Licht und Photonen
unmittelbar folgt. Allgemeiner ist für den optischen Strahlweg zu fordern, dass die Laufzeit
Z Z
1 1 OP L
t= ds = n̄(s) ds = (1.4)
v(s) c c
für den optischen Weg OPL (optical path length) bzw. der optische Weg für den Strahl extremal wird,
also Z
OP L = n̄(s) ds = minimal (1.5)
gilt. Diese Eigenschaft des optischen Strahlweges ist als Fermatsches Prinzip bekannt.
A
_
n1
h1 j1
j1
B
x
x
_ j2 h2
n2 j2
d C
Bild 1.1: Optische Strahlausbreitung zwischen den Punkten A und C über eine ebene Grenzfläche zwischen
den Medien mit Brechzahlen n̄1 und n̄2
1.2 Lichtbeugung am Gitter und Auflösungsgrenze

der optischen Abbildung
Diffraction
order #1
Grating
Incident
wave
Diffraction
d j1 order #0
d sin j1
Bild 1.2: Beugung einer Welle an einem Beugungsgitter mit der Gitterperiode d
Die Beugung des Lichts an einem Gitter ist nur im Wellenmodell zu erklären. Eine ebene einfallende
Welle der Wellenlänge λ wird in Ordnungen ±m (m ganzzahlig) gebeugt, deren Ausbreitungsrich-
tungen ϕm durch die Bedingung
d sin ϕm = m · λ (1.6)
1.3. Strahlung eines glühenden Körpers 3
Grating
+2. +1.
D/2 +1.
j1 0.
d 0. z
-1.
-2. -1.
>
~f
Bild 1.3: Auflösung eines Gitters bei der Abbildung durch eine Linse mit Brennweite f
für konstruktive Interferenz gegeben sind.

Soll nach Bild 1.3 das Gitter mit einer Linse mit Durchmesser D vergrößert abgebildet werden, ist
der Abstand Gitter zu Linse nahe der Linsenbrennweite f zu wählen und zu fordern, dass die erste
Beugungsordnung noch von der Linsenapertur erfasst wird. Andernfalls ginge, wie ursprünglich von
Ernst Abbe herausgearbeitet, die Detailinformation über das Objekt verloren und das Gitter würde
als homogene graue Fläche erscheinen, weil nur die nullte Beugungsordnung als ebene Welle im
Bild auftreten würde. Bekanntermaßen führt erst die Überlagerung der schräg zueinander laufenden
Wellen der Beugungsordnungen +1, 0 und −1 zu einer Struktur in der Bildebene. Entsprechend ist
die kleinste auflösbare Struktur im Urbild durch
λ 2λf
d= ≈ = 2λF (1.7)
sin ϕ1 D
gegeben. Die Auflösung eines Objektivs verbessert sich demnach mit kleiner werdender Wellenlänge
λ und Blendenzahl F = f /D.
1.3 Strahlung eines glühenden Körpers
Um die thermische Strahlung einer Glühbirne zu verstehen, ist einiger Aufwand erforderlich. Man
geht von einem Würfel der Kantenlänge L aus. Wir nehmen an, dass der Würfel ideal reflektierende
Wände besitzt.
L
Mode
fields
0 L x
Bild 1.4: Stehwellenresonanzen in einem Würfel mit ideal reflektierenden Wänden

Dann werden sich in dem Resonator gemäß Bild 1.4 nur Eigenschwingungen aufbauen, deren Wel-
lenzahlkomponenten kx , ky , kz die Bedingung
π π
kx , ky , kz = 0, ± , ±2 , . . . (1.8)
L L
erfüllen, so dass in jede Richtung ein ganzzahliges Vielfaches der halben Wellenlänge gerade die
Kantenlänge L ergibt. Diese wohlbekannte Resonanzbedingung sorgt also dafür, dass nur diskrete
Moden mit ganz bestimmten Ausbreitungsvektoren auftreten. Oft ersetzt man die Bedingung (1.8)
für ideal reflektierende Körper durch die Forderung nach periodischen Randbedingungen
2π 2π
kx , ky , kz = 0, ± , ±2 , . . . (1.9)
L L
und erhält dann die in Bild 1.5 dargestellten erlaubten Werte für die Komponenten des ~k-Vektors.
ky
k + dk = const
k = const
kx
kz = 0
} 2p/L
}
2p/L
Bild 1.5: Erlaubte k-Werte in einem Würfel der Kantenlänge L und Oberfläche konstanter Kreisfrequenz oder
Wellenzahl k = ω/c
Im ~k-Raum nimmt jeder erlaubte ~k-Wert ein Volumen (2π/L)3 ein. Es gibt also (L/(2π))3 Eigen-
schwingungen pro Einheitsvolumen im ~k-Raum. Division dieser Anzahl an Zuständen durch das
Würfelvolumen L3 (d.h. bezogen auf den Einheitswürfel im Ortsraum x, y, z) definiert die Zustands-
dichte
2
D(~k) d3 k = d3 k (1.10)
(2π)3
Hierbei wurde ein Faktor 2 eingeführt, um die zwei möglichen Polarisationsrichtungen jeder Ei-
genschwingung zu berücksichtigen. Die Zustandsdichte D(~k) d3 k gibt die Zahl der Schwingungs-
zustände eines Einheitswürfels im Wellenzahlbereich zwischen ~k und ~k + d3 k an, wobei d3 k =
(dkx , dky , dkz ) ist. Die Zustandsdichte D(~k) ist offenbar unabhängig von ~k, d.h. die Verteilung der
Zustände ist völlig homogen in den ~k- Koordinaten.
Aufgrund der Wellengleichung ist die Dispersionsrelation
µ ¶2
2 n̄2 ω 2 2πn̄
k = kx2 + ky2 + kz2 = 2 = (1.11)
c λ
zu erfüllen, wobei k den Betrag der Wellenzahl, ω die Kreisfrequenz, n̄ die Brechzahl, c die Vaku-
umlichtgeschwindigkeit und λ die Vakuumwellenlänge bedeuten. Da die Oberfläche einer Kugel mit
1.3. Strahlung eines glühenden Körpers 5
Radius k im k-Raum 4πk 2 ist, lässt sich mit Blick auf Bild 1.5 die Zahl der Zustände mit k-Werten
zwischen k und k + dk zu µ ¶2
4k 2 k
D(k) dk = 2
dk = dk (1.12)
(2π) π
angeben. Für ein nicht dispersives Medium gilt dann noch
k = n̄ω/c , dk = (n̄/c) dω , (1.13)
und für die Photonenenergie ist W = h̄ω mit dem Planckschen Wirkungsquantum h = h̄2π anzuset-
zen. Somit ergibt sich für die Dichte der Zustände auf der Photonenenergieskala die Beziehung
n̄3 (h̄ω)2
DPh (h̄ω) d(h̄ω) = d(h̄ω) , (1.14)
π 2 h̄3 c3
also ein quadratisches Anwachsen der Zahl der Zustände mit der Frequenz in einem Frequenzinter-
vall der Länge dω. In jeder Eigenschwingung kann sich unabhängig voneinander eine beliebige Zahl
m von Photonen aufhalten. Man spricht von einer Besetzung des Zustands mit Photonen. Die Ge-
samtenergie eines Zustands ist also einfach durch die Zahl m und die Photonenenergie h̄ω gegeben,
d.h.
Wm = mh̄ω . (1.15)
Im thermischen Gleichgewicht ist nach Boltzmann die Wahrscheinlichkeit für jeden Zustand, die
Energie W zu besitzen, durch
½ ¾ ½ ¾
Wm mh̄ω
p(Wm ) = a exp − = a exp − (1.16)
kB T kB T
gegeben, wobei T die absolute Temperatur, kB die Boltzmannkonstante und a eine Proportionalitäts-
konstante sind. Die Wahrscheinlichkeit, eine hohe Energie in einem Zustand zu finden, nimmt also
exponentiell mit der Energie ab. Die Proportionalitätskonstante erhält man aus der Normierung der
Wahrscheinlichkeiten
X∞ X∞ µ ½ ¾¶m
h̄ω a
1= p(Wm ) = a exp − = , (1.17)
m=0 m=0
k B T 1 − exp {−h̄ω/(k B T )}
so dass für die Wahrscheinlichkeitsverteilung der Photonen in einer Mode die Beziehung
· ½ ¾¸ ½ ¾
h̄ω mh̄ω
p(m) = 1 − exp − exp − (1.18)
kB T kB T
gilt. Die mittlere Zahl hmi der Photonen pro Mode im thermischen Gleichgewicht ist demnach
X∞ · ½ ¾¸ X∞ µ ½ ¾¶m
h̄ω h̄ω
hmi = mp(m) = 1 − exp − m exp −
m=0
kB T m=0
kB T
· ½ ¾ ¸−1
h̄ω
= exp + −1 , (1.19)
kB T
wobei die Beziehung
∞
X X∞ ∞
∂ m ∂ X m ∂ 1 b
mbm = b b =b b =b = (1.20)
m=0 m=0
∂b ∂b m=0 ∂b 1 − b (1 − b)2
benutzt wurde. Die mittlere Zahl von Photonen in einer Mode ist demnach durch die Bose-Einstein
Verteilung · ½ ¾ ¸−1
h̄ω
fPh (h̄ω) = hmi = exp + −1 (1.21)
kB T
bestimmt. In der Optik gilt h̄ω À kB T und damit hmi ¿ 1, so dass bei thermischem Licht die Be-
setzung der Moden extrem klein ist. Das Produkt aus Zustandsdichte DPh (h̄ω) und Besetzungsdichte
fPh (h̄ω) ergibt die spektrale Photonenzahldichte
n̄3 (h̄ω)2
SPh (h̄ω) d(h̄ω) = fPh (h̄ω)DPh (h̄ω) d(h̄ω) = d(h̄ω) , (1.22)
π 2 h̄3 c3 exp {+h̄ω/(kB T )} − 1
also die mittlere Zahl von Photonen pro Volumen im Energieintervall zwischen h̄ω und h̄ω + d(h̄ω).
Die spektrale Energiedichte der Strahlung ist folglich
n̄3 ω 3
ρPh (h̄ω) d(h̄ω) = h̄ωSPh (h̄ω) d(h̄ω) = d(h̄ω) (1.23)
π 2 c3 [exp {+h̄ω/(kB T )} − 1]
da jedes Photon die Energie h̄ω besitzt. Die Funktion ρPh (h̄ω) ist in Fig. 1.6 veranschaulicht. Es sei
betont, dass Photonen als Bosonen mit ganzzahligem Spin in einer beliebigen Zahl einen Zustand
besetzen können. Elektronen können in einem Zustand gar nicht oder nur einmal vorkommen. Die
Bose-Einstein Verteilung (1.21) ist für diese Fermi-Teilchen mit halbzahligem Spin zu ersetzen durch
die Fermi-Dirac-Verteilung mit der Fermi-Energie WF
· ½ ¾¸−1
W − WF
fF (W ) = 1 + exp . (1.24)
kB T
Bild 1.6: Spektrale Energiedichte eines schwarzen Körpers auf der Energieskala für verschiedene Temperaturen
T
Kapitel 2
Wellenoptik
2.1 Wellengleichung und Helmholtzgleichung

Wir nehmen vereinfachend an, dass das orts- und zeitabhängige Feld einer Lichtwelle durch das
komplexe skalare elektrische Feld Ẽ(x, y, z, t) repräsentiert wird. Das Feld muss die Wellengleichung
∂ 2 Ẽ ∂ 2 Ẽ ∂ 2 Ẽ n̄2 ∂ 2 Ẽ
+ + − 2 2 =0 (2.1)
∂x2 ∂y 2 ∂z 2 c ∂t
erfüllen, wenn ein quellenfreies Gebiet mit Brechzahl n̄ betrachtet wird. Für monochromatische Wel-
len der Frequenz ν = ω/(2π) mit
Ẽ(x, y, z, t) = E(x, y, z) ei2πνt = E(x, y, z) eiωt (2.2)
ergibt sich die Helmholtzgleichung

µ ¶
∂ ∂ ∂ 2
+ + + k E(x, y, z) = 0 (2.3)
∂x2 ∂y 2 ∂z 2
für den ortsabhängigen Teil E(x, y, z), wobei k = n̄ω/c die Wellenzahl im Medium bezeichnet. Die
zeitlich gemittelte Intensität ist in nichtabsorbierenden nichtmagnetischen Medien durch
I(x, y, z) = cn̄ε0 |E|2 (2.4)
gegeben. Es sei angemerkt, dass nur der Realteil der komplexen elektrischen Feldstärke Ẽ(~r, t) eine
physikalische Bedeutung besitzt. Eingeführt wird oft der Ortsvektor ~r = (x, y, z) und der Laplace-
Operator ∇2 = ∆ = ∂/∂x2 + ∂/∂y 2 + ∂/∂z 2 , um die Schreibweise zu vereinfachen.
2.2 Elementare Lösungen der Helmholtzgleichung

Die einfachsten Lösungen der Helmholtzgleichung in einem homogenen Medium sind die ebene Wel-
le und die Kugelwelle. Die ebene Welle hat die Form
E(~r) = A exp{−i(~k · ~r)} = A exp{−i(kx x + ky y + kz z)} (2.5)
7
8 Kapitel 2. Wellenoptik
mit komplexer Konstante A und Wellenvektor ~k = (kx , ky , kz ). Der Wellenvektor ~k gibt die Ausbrei-
tungsrichtung der ebenen Welle an. Einsetzen in (2.3) liefert die Dispersionsrelation
n̄2 ω 2
kx2
+ + = 2 . ky2 kz2 (2.6)
c
Die Intensität der ebenen Welle ist ortsunabhängig. Die Orte konstanter Phase
kx x + ky y + kz z = const (2.7)
sind ebene Flächen, die senkrecht auf ~k stehen. Die Feldstärke variiert sinusförmig entlang der Aus-
breitungsrichtung. Der Abstand zweier aufeinanderfolgender Maxima ist durch die Wellenlänge λ
gegeben, für die gilt
2π 2πn̄ n̄ω
k = |~k| = = = , (2.8)
λ λ0 c
wobei λ0 die Vakuum-Wellenlänge bezeichnet. Bild 2.1 illustriert die Verhältnisse.
l
1
u(z,t) u
u(z,t1)
0 z
t
u(z,t2)
0 z
Bild 2.1: Veranschaulichung einer ebenen Welle
Eine weitere einfache Lösung der Helmholtzgleichung ist die sphärische Welle (Kugelwelle)
A
E(~r ) = E(r) = exp{−i|~k||~r|} (2.9)
r
die nur vom Abstand r = |~r | und Betrag des Wellenzahlvektors k abhängt. Die Wellenfronten k · r =
const sind konzentrische Kugelflächen, die im Ursprung ihren Mittelpunkt haben. Probleme ergeben
sich bei dieser Betrachtung im Nullpunkt (Pol bei r = 0).
Für achsennahe Punkte entlang der z-Achse mit (x2 + y 2 ¿ z 2 ) lässt sich eine einfache paraxiale
Näherung der sphärischen Welle angeben. Man approximiert
k 2
kr = k(x2 + y 2 + z 2 )1/2 ≈ kz + (x + y 2 ) (2.10)
2z
im Exponenten und
1 1
≈ (2.11)
r z
im Nenner von (2.9) und erhält die paraboloide Welle
½ ¾
A x2 + y 2
E(~r) ≈ exp {−ikz} exp −ik , (2.12)
z 2z
die als Fresnel-Näherung der Kugelwelle bekannt ist und bei vielen Beugungsphänomenen eine
wichtige Rolle spielt. Bild 2.2 illustriert den Übergang von sphärischer zu paraboloider zu ebener
Welle. Der Phasenfaktor k(x2 + y 2 )/(2z) in (2.12) beschreibt die Krümmung der Wellenfront.
2.3. Einfache optische Komponenten 9
Spherical Paraboloidal Planar
Bild 2.2: Übergang von sphärischer zu paraboloider zu ebener Welle. Dargestellt sind Flächen konstanter Phase
2.3 Einfache optische Komponenten
Bevor wir uns den Einfluss von dielektrischen Schichten, Prismen oder Linsen auf die Wellenausbrei-
tung ansehen sei anhand von Bild 2.3 der Zusammenhang von Strahlen- und Wellenoptik illustriert.
Rays
Rays
Wave fronts
Wave fronts
Rays
Bild 2.3: Strahlen stehen senkrecht auf den Wellenfronten der Wellenoptik
Bei der Reflexion und Brechung an der Grenzfläche z = 0 zwischen zwei dielektrischen Medien
mit Brechzahlen n̄1 und n̄2 nach Bild 2.4 muss aufgrund der Stetigkeitsbedingungen der tangentialen
elektrischen und magnetischen Feldstärkekomponenten die Bedingung
k~1 · ~r = k~2 · ~r = k~3 · ~r ∀ (x, y, 0) (2.13)
gelten, wobei k~1 = (n̄1 k0 sin θ1 , 0, n̄1 k0 cos θ1 ) die einfallende, k~2 = (n̄2 k0 sin θ2 , 0, n̄2 k0 cos θ2 ) die
gebrochene und k~3 = (n̄1 k0 sin θ3 , 0, −n̄1 k0 cos θ3 ) die reflektierte ebene Welle charakterisiert.
Aus (2.13) folgt unmittelbar das Reflektionsgesetz θ1 = θ3 und das Snelliussche Brechungsgesetz
n̄1 sin θ1 = n̄2 sin θ2 .
Im Folgenden vernachlässigen wir Reflexion und betrachten nur den Lichtdurchgang durch dünne op-
tische Komponenten. Damit ist die Feldstärke E(x, y, z) stetig an den Grenzflächen und man definiert
k3
Reflected
wave x
Refracted
wave
k2
q3
z
q1
q2
Incident
wave k1 n1 n2
Bild 2.4: Reflexion und Brechung an der Grenzfläche zwischen zwei Medien mit Brechzahlen n̄1 und n̄2
die komplexe Amplitudentransmission

E(x, y, d0 )
t(x, y) = (2.14)
E(x, y, 0)
für den Lichtdurchgang durch ein Element der Gesamtdicke d, welches entlang der z-Achse durch-
strahlt wird. Bild 2.5 illustriert den Lichtdurchgang durch eine planparallele Platte mit Brechzahl n̄,
die senkrecht zur z-Achse angeordnet ist.
x l l0
n=1 n n=1
0 d z
Bild 2.5: Transmission einer ebenen Welle senkrecht durch eine transparente Platte mit Brechzahl n
Die Phasenverzögerung durch die Platte resultiert in der Amplitudentransmission (d = d0 ) t(x, y) =

exp {−in̄k0 d}, also einem reinen Phasenfaktor unabhängig von x und y. Bei dem Durchgang eines
paraxialen Strahls durch eine dünne Platte variabler Dicke d(x, y) nach Bild 2.6 nimmt man an, dass
die Strahlen die Strecke d0 entlang der z-Achse durchlaufen.
2.3. Einfache optische Komponenten 11
d0
x
d(x,y)
Bild 2.6: Transparente Platte variabler Dicke
Die resultierende Phasenverschiebung führt auf die Transmission

t(x, y) = exp {−ik0 (n̄d(x, y) + 1(d0 − d(x, y)))} = exp {−ik0 d0 } exp {−i(n̄ − 1)k0 d(x, y)}
(2.15)
Ein Beispiel einer Platte variabler Dicke ist ein dünnes Prisma nach Bild 2.7 mit kleinem Prismen-
winkel α ¿ 1.
x d0
Bild 2.7: Transmission einer ebenen Welle durch ein dünnes Prisma
Die Amplitudentransmission ist

t(x, y) = exp {−ik0 d0 } exp {−i(n̄ − 1)k0 αx} (2.16)
Der lineare Phasengang in x-Richtung führt zu einer Ablenkung der achsenparallel einfallenden Wel-
le. Der Ablenkwinkel zur z-Achse ist in erster Näherung β = (n̄ − 1)α.
Der Lichtdurchgang durch eine dünne Linse lässt sich in gleicher Weise behandeln. Für die Rechnung
wird die Geometrie der plankonvexen Linse nach Bild 2.8 zugrundegelegt.
d0
(x,y)
d(x,y)
Q C f
P
2 2 2
R - (x + y )
Bild 2.8: Plankonvexe Linse und Transformation einer ebenen Welle in eine paraboloide Welle
Die Linse ist die Kappe einer Kugel mit Radius R, und folglich gilt
£ ¤1/2
d(x, y) = d0 − (R − QC) = d0 − R + R2 − (x2 + y 2 ) . (2.17)
Für achsennahe Strahlen x2 + y 2 ¿ R2 gilt die Näherung

1/2
[R2 − (x2 + y 2 )] ≈ R(1 − (x2 + y 2 )/(2R2 )), so dass die Linsendicke mit
x2 + y 2
d(x, y) ≈ d0 − (2.18)
2R
anzusetzen ist. Die Transmission ist damit
½ ¾
x2 + y 2
t(x, y) = exp {−ik0 d0 n̄} exp +ik0 . (2.19)
2R/(n̄ − 1)
Bei einfallender achsenparalleler ebener Welle bildet sich hinter der Linse eine paraboloide Welle aus,
deren Zentrum durch Vergleich mit (2.12) im Abstand z = R/(n̄ − 1) hinter der Linse liegt. Dieser
Abstand des Fokuspunkts wird auch als Brennweite f = R/(n̄ − 1) bezeichnet. Folglich gilt für die
Linse ½ ¾
x2 + y 2
t(x, y) = exp {−ik0 d0 n̄} exp +ik0 . (2.20)
2f
2.4 Abbildung durch eine dünne Linse

Wir betrachten die Geometrie nach Bild 2.9.
Vom im Ursprung liegenden Punkt P1 gehe eine paraboloide Welle (2.12) aus, die durch die Linse
der Brennweite f im Abstand z1 transformiert wird. Unmittelbar hinter der dünnen Linse ist die
Feldverteilung
½ µ 2 ¶¾
A x + y 2 x2 + y 2
E(~r) = exp {−ik0 (z1 + d0 )} exp −ik0 − . (2.21)
z1 2z1 2f
2.4. Abbildung durch eine dünne Linse 13
P1 f P2
z1 z2
Bild 2.9: Transformation von Wellenfronten durch Linsen
Für z1 > f ist dies eine konvergente Welle, die sich im Abstand z2 mit
1 1 1
+ = (2.22)
z1 z2 f
fokussiert, denn
½ µ ¶¾
A x2 + y 2 1 1
E(~r) = exp {−ik0 (z1 + d0 )} exp +ik0 − (2.23)
z1 2 f z1
½ 2 2
µ ¶¾
A x +y 1
= exp {−ik0 (z1 + d0 )} exp +ik0 . (2.24)
z1 2 z2
Gleichung (2.22) ist genau das Linsengesetz der geometrischen Optik, das die Abbildung durch Lin-
sen beschreibt.
Kapitel 3
Paraxiale Wellen und Gaußstrahl
3.1 Paraxiale Helmholtzgleichung

Eine Welle wird paraxial genannt, wenn die Normalen zur Wellenfront paraxiale Strahlen bilden, d.h.
nahezu parallel verlaufen, wie in Bild 3.1 angedeutet.
Paraxial
A Wave fronts rays
x
z z
Bild 3.1: Wellenfront und Wellenfrontnormalen einer paraxialen Welle mit langsam veränderlicher Amplitude
Um eine paraxiale Welle zu konstruieren, geht man aus von einer ebenen Welle A exp{−ikz} in
z-Richtung (gewissermaßen als Trägerwelle) und lässt die Amplitude langsam im Vergleich zur Wel-
lenlänge variieren, also A = A(~r). Dabei gilt die Forderung
¯ ¯
¯ ∂A(~r) ¯
|∇A| ¿ |kA| (allgemein), bzw. ¯¯ ¯ ¿ |kA(~r)| (3.1)
∂z ¯
für langsam veränderliche Amplitude, genauer
¯ 2 ¯ ¯ ¯
¯ ∂ A(~r) ¯ ¯ ∂A(~r) ¯
¯ ¯ ¯ ¯
¯ ∂z 2 ¯ ¿ ¯k ∂z ¯ .
Damit die Welle

E(~r) = A(~r) exp {−ikz} (3.2)
die Helmholtzgleichung (2.3) erfüllt, muss die langsam veränderliche Amplitude A(~r) die paraxiale
Helmholtz-Gleichung
∂ 2 A(~r) ∂ 2 A(~r) ∂A(~r)
2
+ 2
− i2k =0 (3.3)
∂x ∂y ∂z
14
3.2. Gaußstrahl 15
erfüllen, wobei (3.1) berücksichtigt wurde1 . Gleichung (3.3) ist eine Näherung der Helmholtzglei-
chung für Wellen mit langsam veränderlicher Einhüllender. Man kann leicht nachrechnen, dass die
paraboloide Welle mit Einhüllender
½ ¾
A x2 + y 2
A(~r) = exp −ik (3.4)
z 2z
Lösung der paraxialen Helmholtzgleichung ist.
3.2 Gaußstrahl
Die paraboloide Welle (2.12) ist nur von begrenzter physikalischer Bedeutung, da ihre Amplitude in
der Ursprungsebene z = 0 divergiert. Ersetzt man in (3.4) die Variable z durch q(z) = z + iz0 mit
einer Konstanten z0 , so ist die Funktion
½ ¾
A1 x2 + y 2
A(~r) = exp −ik , q(z) = z + iz0 (3.5)
q(z) 2q(z)
wiederum eine Lösung der paraxialen Helmholtzgleichung (3.3). A1 ist eine Konstante, und der Pa-
rameter z0 heißt Rayleigh-Länge.
Drückt man die komplexe Größe 1/q(z) gemäß
1 1 λ
= −i 2 (3.6)
q(z) R(z) πw (z)
durch den reellen Strahlradius w(z) und den reellen Wellenfront-Krümmungsradius R(z) aus, erhält
man mit (3.5) und (3.2) den Gauß-Strahl (A0 = A1 /(iz0 ))
½ 2 ¾ ½ ¾
w0 x + y2 x2 + y 2 z
E(~r) = A0 exp − 2 exp −ikz − ik + i arctan (3.7)
w(z) w (z) 2R(z) z0
mit dem Strahlradius s µ ¶2
z
w(z) = w0 1+ , (3.8)
z0
dem Wellenfront-Krümmungsradius
µ ³ z ´2 ¶
0
R(z) = z 1 + (3.9)
z
1
Einsetzen von (3.2) in Helmholtzgleichung:
µ ¶
∂ 2 A(~r) −ikz ∂ 2 A(~r) −ikz ∂ ∂A(~r) −ikz −ikz
e + e + e + A(~
r )(−ik)e + k 2 A(~r) e−ikz = 0
∂x2 ∂y 2 ∂z ∂z
· 2 ¸
∂ A(~r) ∂ 2 A(~r) −ikz ∂ 2 A(~r) −ikz ∂A(~r) ∂A(~r) −ikz
= + e + e + (−ik) e−ikz + (−ik) e +
∂x2 ∂y 2 | ∂z 2
{z } ∂z ∂z
vernachlässigt
+ (−ik)2 A(~r) e−ikz + k 2 A(~r) e−ikz = Gleichung (3.3)

16 Kapitel 3. Paraxiale Wellen und Gaußstrahl
und dem Strahlradius in der Strahltaille bei z = 0

µ ¶1/2
λz0
w0 = (3.10)
π
sowie µ µ ¶¶
izo w0 z
= exp i arctan . (3.11)
z + iz0 w(z) z0
Bild 3.2 illustriert die charakteristischen Größen des Gauß-Strahls.
R( z )
1 r
e
1 Ö2w0
q
2w0
E z
z0
Bild 3.2: Der Gauß-Strahl
Aus (3.8-3.10) folgt

z 2 πw2 (z)
. (3.12)
z02 λR(z)
Messtechnisch lässt sich der Strahlradius w(z) einfach erfassen. Der Krümmungsradius wird mit Hilfe
eines Shack-Hartmann-Sensors bestimmt. Damit kann der Taillenradius direkt aus
w(z)
w0 = r ³ 2 ´2 (3.13)
πw (z)
1 + λR(z)
bestimmt werden. Der Abstand zur Strahltaille resultiert aus

R(z)
z= ³ ´2 (3.14)
λR(z)
1 + πw 2 (z)
und die Rayleigh-Länge folgt aus (3.10). Mit der Messung von Stahlradius und Krümmungsradius an
einer Stelle sind letztlich also alle Strahlparameter bekannt.
3.3 Eigenschaften des Gauß-Strahls: Intensität

und Leistung
Der Gauß-Strahl tritt bei vielen Wellenausbreitungsphänomenen, z.B. der Freifeldausbreitung oder
bei Laser-Resonatormoden auf. Deshalb wollen wir die Eigenschaften p genauer studieren. Die Inten-
sität ist eine Funktion der axialen und radialen Koordinaten z und ρ = x2 + y 2 . Es gilt
µ ¶2 ½ ¾
2 w0 2ρ2
I(x, y, z) = I(ρ, z) = cn̄ε0 |A0 | exp − 2 (3.15)
w(z) w (z)
3.4. Eigenschaften des Gauß-Strahls: Divergenz und Phasenfronten 17
Die Intensität ist für jeden Wert von z maximal auf der z-Achse für ρ = 0 und fällt radial gaußförmig
ab. Mit I0 = cn̄ε0 |A0 |2 ist die Intensität auf der z-Achse durch
µ ¶2
w0 I0
I(ρ = 0, z) = I0 = (3.16)
w(z) 1 + (z/z0 )2
gegeben. Wie in Bild 3.3 illustriert, ist die Intensität maximal bei z = 0, sie fällt für große Werte |z|
quadratisch mit 1/z 2 ab.
I/I0
0.5
-z0 0 z0 z
Bild 3.3: Intensität des Gauß-Strahls
Die optische Gesamtleistung P des Strahls erhält man durch Integration der Intensität über eine Quer-
schnittsfläche
Z ∞ Z ∞ ½ ¾
2 ρ 2ρ2
P = I(ρ, z)2πρ dρ = 2πI0 w0 exp − 2 dρ (3.17)
0 0 w2 (z) w (z)
· ½ ¾¸∞
21 2ρ2 1
= 2πI0 w0 − exp − 2 = πI0 w02 . (3.18)
4 w (z) 0 2
Die Leistung ist unabhängig von der z-Koordinate, wie man aus physikalischen Gründen erwarten
muss, denn bei der Ausbreitung in einem verlustfreien Medium geht keine Energie verloren. Das
Verhältnis der Strahlleistung in einer Kreisscheibe mit Radius ρ0 in der transversalen Ebene zur Ge-
samtleistung ist
Zρ0 ½ ¾
1 2ρ20
I(ρ, z)2πρdρ = 1 − exp − 2 . (3.19)
P w (z)
0
Die in einem Kreis mit Radius ρ0 = w(z) enthaltene Leistung ist 86 %, in einem Kreis mit ρ0 =
1.5 · w(z) sind 99 % der Gesamtleistung enthalten.
3.4 Eigenschaften des Gauß-Strahls: Divergenz

und Phasenfronten
In jeder transversalen Ebene z = const fällt die Intensität in radialer Richtung gaußförmig ab und ist
bei ρ = w(z) auf 1/e2 = 0.135 gesunken. Da 86 % der Leistung in einem Kreis mit Radius w(z)
fallen, kann man w(z) getrost als Strahlradius bezeichnen. Der Strahlradius ist nach (3.8) durch
s µ ¶2
z
w(z) = w0 1 + (3.20)
z0
gegeben. Der minimale Wert w0 wird in der Strahltaille bei z = 0 angenommen. Man bezeichnet den
Wert 2w√0 als Fleckgröße. Zwischen z = 0 und z = z0 nimmt der Strahlradius nur allmählich zu und
erreicht 2 w0 bei z = z0 . Für z À z0 erfolgt eine nahezu lineare Zunahme des Strahlradius mit
w0
w(z) ≈ z = θ0 z , (3.21)
z0
die den Strahldivergenzwinkel
w0 λ
θ0 = = (3.22)
z0 πw0
definiert, wobei (3.10) berücksichtigt wurde.
Die nur unwesentliche Änderung der Strahlweite mit z in der Nähe der Strahltaille definiert nach Bild
3.4 die Fokustiefe
Ö2w0 w0
0 z
2z0
Bild 3.4: Fokustiefe des Gauß-Strahls
2πw02
2 · z0 = , (3.23)
λ
die der zweifachen Rayleigh-Länge z0 entspricht und quadratisch vom Fleckradius w0 abhängt. 2w0
und 2z0 bestimmen damit wesentlich die laterale Auflösung und die Tiefenschärfe bei optischen Ab-
bildungen.
Die Phase des Gauß-Strahls ist nach (3.7)
kρ2 z
ϕ(ρ, z) = kz + − arctan . (3.24)
2R(z) z0
Auf der Strahlachse ρ = 0 setzt sich die Phase

z
ϕ(0, z) = kz − arctan (3.25)
z0
aus der Phase der ebenen Welle kz und einer Phasenverzögerung arctan z/z0 zusammen, die nach
Bild 3.5 zwischen π/2 für z → ∞ und −π/2 für z → −∞ liegt.
3.4. Eigenschaften des Gauß-Strahls: Divergenz und Phasenfronten 19
j(z)
p
2
p
4
0
-z0 0 z0 z
p
4
j(z) = arctan zz
p 0
2
Bild 3.5: Phase des Gauß-Strahls
Im Vergleich zu einer ebenen Welle erfährt der Gauß-Strahl auf dem Gesamtweg von −∞ bis +∞
somit eine Phasenverzögerung von π. Die Phasenfronten, gegeben durch ϕ(ρ, z) = 0 sind in Bild
3.6 vergleichend für ebene Welle, Kugelwelle und Gaußstrahl dargestellt. Deutlich ist die Zusatzpha-
senverschiebung der Gaußschen Welle zu erkennen. Diese Besonderheit ist auch als Guoy-Effekt
bekannt.
Die Krümmung der Phasenfronten in der ρz-Ebene ist durch den zweiten Term auf der rechten Seite
der Gleichung (3.21) bestimmt. Der Krümmungsradius R(z) der Phasenfront ist unendlich für z = 0
und z = ±∞, wie aus (3.9) zu entnehmen ist. Minimalen Krümmungsradius R(z) = 2z0 findet man
für z = ±z0 . Für divergente Welle z > 0 zählt man den Krümmungsradius positiv, für konvergente
Welle z < 0 dagegen negativ. Bild 3.7 zeigt den Verlauf von R(z).
(a) z
(b)
z
(c) z
Bild 3.6: Phasenfronten

R(z)
2z0
-z0
z0 z
-2z0
Bild 3.7: Verlauf von R(z)
Offenbar ist der Gaußstrahl nach (3.5) durch den komplexen Strahlparameter q(z) = z + iz0 vollstän-
dig bestimmt. Mit (3.6) lässt sich der Strahlparameter aus Krümmungsradius R(z) und Strahlradius
w(z) gewinnen, deren Zusammenhänge wiederum aus (3.8),(3.9) und (3.10) folgen.
3.5 Transmission durch eine dünne Linse
z1 z2
w0 w w´ w0́
θ0 θ0 R R´ θ0́
z0 z0́
z z´
Bild 3.8: Gauß-Strahl durch Linse
Die komplexe Amplitudentransmission einer dünnen Linse mit Brennweite f ist bis auf einen kon-
stanten Phasenfaktor ½ ¾
ρ2
t(x, y) = exp +ik (3.26)
2f
Wenn ein Gaußscher Strahl gemäß Bild 3.8 die bei z = z1 befindliche Linse passiert, wird die Phase
ϕ(z) der Welle geändert und sie ist unmittelbar hinter der Linse durch
ρ2 z ρ2
ϕ(z) = kz + k − arctan − k (3.27)
2R(z) z0 2f
2
ρ z
= kz + k 0 − arctan , (3.28)
2R (z) z0
3.6. Strahlfokussierung 21
wobei sich der Krümmungsradius der Wellenfront zu R0 (z) geändert hat mit
1 1 1
= − . (3.29)
R0 (z) R(z) f
Der Strahlradius bleibt beim Durchgang durch die dünne Linse unverändert,
w0 (z) = w(z) . (3.30)
Die gestrichenen Größen R0 (z) und w0 (z) bestimmen vollkommen die Eigenschaften des Gaußstrahls
nach dem Durchgang durch die Linse. Wie üblich bezeichnen positive Wellenfronten divergierende
und negative konvergierende Wellen. Der Taillenradius des transmittierten Gaußstrahls ist
w
w00 = p , (3.31)
1 + πw2 /(λR0 )
und die neue Taille befindet sich im Abstand z 0 = −z2
R0
z2 = (3.32)
1 + (λR0 /(πw2 ))2
von der Linse. Das Minuszeichen vor z2 weist darauf hin, dass die Strahltaille rechts von der Linse
liegt. Einsetzen von R = z(1+(z0 /z)2 ) und w = w0 [1+(z/z0 )2 ]1/2 liefert die folgenden Beziehungen
für die beiden Strahlparameter:
Taillenradius w00 = M w0 , (3.33)

Taillenort (z2 − f ) = M 2 (z1 − f ) , (3.34)
Fokustiefe 2z00 = M 2 (2z0 ) , (3.35)
2θ
Divergenz 2θ00 = , (3.36)
M
Mr
Vergrößerung M= (3.37)
(1 + r̄2 )1/2
mit ¯ ¯
z0 ¯ f ¯
r̄ = , Mr = ¯¯ ¯ . (3.38)
z1 − f z1 − f ¯
Offenbar spielt der Vergrößerungsfaktor M eine dominierende Rolle.

Im Grenzfall (z1 − f ) À z0 , wenn sich die Linse weit außerhalb der Fokustiefe des einfallenden
Strahls befindet, gilt r̄ ¿ 1, so dass M = Mr und der Gaußstrahl gut durch eine paraboloide Welle
zu approximieren ist. In diesem Fall gelten die aus der geometrischen Optik bekannten Beziehungen
w00 = M w0 , (3.39)
1 1 1
+ = , (3.40)
z2 z1 f
¯ ¯
¯ f ¯
M =¯ ¯ ¯ , (3.41)
z1 − f ¯
z0 z2
2w0´
2w0 f
Bild 3.9: Fokussierung eines Strahls durch eine in der Strahltaille des einfallenden Strahls befindliche dünne
Linse
3.6 Strahlfokussierung
Ein Sonderfall der Strahltransformation durch eine Linse ist in Bild 3.9 dargestellt, wo sich die Linse
in der Strahltaille des einfallenden Gaußstrahls z1 = 0 befindet.
Zur Auswertung hat man einfach z1 = 0 in den Beziehungen (3.30) bis (3.34) einzusetzen. Der
transmittierte Strahl hat seine Taille bei
f
z2 = , (3.42)
1 + (f /z0 )2
und der Taillenradius ist

w0
w00 = . (3.43)
[1 + (z0 /f )2 ]1/2
Wenn die Fokustiefe des einfallenden Strahls 2 z0 sehr viel größer als die Linsenbrennweite ist (2 z0 À
f ), folgt sofort
f · w0 λ·f
w00 ≈ = , (3.44)
z0 πw0
z2 ≈f, (3.45)
wie man es für einen parallelen einfallenden Strahl erwartet. 2 w0 muss kleiner oder gleich dem Lin-
sendurchmesser D sein, so dass der kleinste zu erzielende Taillendurchmesser im Fokus bei D = 2 w0
durch
4λf
2 w00 = (3.46)
πD
gegeben ist. Mit der Blendenzahl F = f /D einer Linse ist damit die kleinste zu erreichende Taillen-
weite bei vorgegebener Wellenlänge λ bestimmt.
Kapitel 4
Einfache optische Wellenleiter
Optische Wellenleiter haben eine überragende Bedeutung in der hochbitratigen Informationsübertra-

gung. Einfache Beispiel sind die in Bild 4.1 dargestellten Filmwellenleiter, Streifenwellenleiter oder
Fasern. Integriert-optische Wellenleiter sind wesentliche Elemente in Laserdioden und optischen Mo-
dulatoren. Ohne Glasfasern wäre die enorme Datenübertragung im Internet überhaupt nicht denkbar.
In diesem Kapitel geht es um das grundlegende Verständnis der Lichtausbreitung in optischen Wel-
lenleitern, insbesondere die Ausbildung und Überlagerung der sich entwickelnden Feldverteilungen,
die als Moden bezeichnet werden.
a) b) c)
Bild 4.1: Beispiele optischer Wellenleiter: Filmwellenleiter (a), Streifenwellenleiter (b), optische Glasfaser (c)
In optischen Wellenleitern erfolgt die Ausbreitung der Wellen nur in einer Richtung, die als z-Achse
gewählt wird. Bei verlustlosen Wellenleitern kann man deshalb für die Feldverteilung den Ansatz
E(x, y, z) = A(x, y) exp {−iβz} (4.1)
machen. Hierbei ist β die Ausbreitungskonstante in z-Richtung und A(x, y) die transversale Feldver-
teilung. Oft kann die transversale Feldverteilung separiert werden, also
A(x, y) = Ax (x)Ay (y) (4.2)
wobei die Faktoren Ax und Ay nur von x bzw. y abhängen.
4.1 Planare Spiegelwellenleiter

Bei den planaren Spiegelwellenleitern nach Bild 4.2 nehmen wir an, daß die Grenzflächen ideal re-
flektieren. Die Strahlen der Wellen breiten sich zickzackförmig aus. Bei der Überlagerung kommt
23
24 Kapitel 4. Einfache optische Wellenleiter
es zur Interferenz und damit zur Ausbildung von Wellenbäuchen und Wellenknoten in transversaler
Richtung. Wir wählen die x-Achse so, dass sich die Zickzackwege der Strahlen nur in der xz-Ebene
ausbilden. Bei ideal reflektierenden Metallspiegeln muß zudem die Tangentialkomponente des elek-
trischen Feldes an den Grenzflächen verschwinden.
y Mirror
x
d
q
a) 0 z
l
B
x
A q
Original
wave
d z
Twice-reflected
C wave
b)
l
c)
Bild 4.2: Planarer Spiegelwellenleiter (a), zickzackförmige Wellenausbreitung (b) und Überlagerung der Wel-
len (c)
Die Zickzackwellen sind als Überlagerung zweier ebener Wellen mit den Ausbreitungskonstanten
k~1 = (kx , 0, kz ) = (k sin θ, 0, k cos θ) = (k sin θ, 0, β) , (4.3)

k~2 = (−kx , 0, kz ) = (−k sin θ, 0, k cos θ) = (−k sin θ, 0, β)
aufzufassen. Wir berücksichtigen, daß das Feld in der Ebene x = 0 verschwindet und schreiben
E(x, y, z) = A(x, y) exp {−iβz} (4.4)

1 ¡ ikx x ¢
= A e − e−ikx x exp {−iβz}
2i
= A sin (kx x) exp {−iβz} = A sin (k sin θ x) exp {−iβz}
4.1. Planare Spiegelwellenleiter 25
Dies ist nichts anderes als eine Stehwelle in x-Richtung, die sich in z-Richtung mit der Ausbreitungs-
konstante β und damit der Phasengeschwindigkeit
ω
vph = (4.5)
β
ausbreitet. Es ist zu fordern, daß das Feld auch an der oberen Grenzfläche bei x = d verschwindet.
Diese Bedingung führt auf die charakteristische Gleichung
kx d = k · sin θ · d = m · π , m = 1, 2, . . . (4.6)
mit ganzzahligem Parameter m. Für die erlaubten Strahlwinkel θm bzw. transversalen Wellenvektor-
komponenten kxm folgen die Bedingungen
mλ0
d · sin θm = (4.7)
2
und
mπ
kxm = . (4.8)
d
Die Wellen haben gemäß der Helmholtz-Gleichung die Relation kx2 + ky2 + kz2 = ω 2 /c2 zu erfüllen, so
dass nicht nur die transversalen Komponenten quantisiert sind, sondern auch die longitudinalen. Es
gilt
2 m2 π 2 ω 2 m2 π 2
βm = k2 − 2 = 2 − 2 . (4.9)
d c d
Damit sind die Phasenausbreitungsgeschwindigkeiten für die erlaubten Wellen bzw. Moden m durch
µ ¶−1/2
ω 2 m2 π 2
vph,m = =ω k − 2 (4.10)
βm d
gegeben und damit größer als die Phasengeschwindigkeit im freien Raum und zunehmend mit wach-
sender Modenordnung. Für die Gruppengeschwindigkeit gilt dagegen
∂ω c2 βm c2 βm
vgr,m = = = =c = c · cos θm . (4.11)
∂βm ω vph,m k
Die Moden haben also unterschiedliche Gruppen- und Phasengeschwindigkeiten. Schräger laufende
Wellen haben eine geringere Gruppen- aber höhere Phasengeschwindigkeit.
Aus Bild 4.3 erkennt man sofort, dass die Resonanzbedingung für Moden (Gln. (4.7), (4.8)) nur für
eine endliche Zahl von Eigenschwingungen zu erfüllen ist, denn man muss fordern, dass kxm ≤ ω/c
oder sin θm ≤ 1 ist. Damit ist die größte Modenzahl durch
kxm ≤ ω/c und kx(m+1) > ω/c (4.12)
bestimmt. Für m À 1 ist damit die maximale Modenzahl durch
2d k·d ω·d d
M= = = = (4.13)
λ π π·c λ/2
gegeben. Einmodig bleibt der Wellenleiter, solange
ω 2π
=k< bzw. d < λ (4.14)
c d
bleibt. Wenn dagegen die Cutoff-Bedingung (Abschneide-Bedingung)
λ π
d< bzw. k < (4.15)
2 d
gilt, kann sich überhaupt keine Mode ausbreiten. Dies ist für zu kleine Frequenzen bzw. zu große
Wellenlängen der Fall.
sin θ
λ/(2d)
0 θ1 θ2 θ3 θm θM π θ
2
_
kx = nk0sin θ
_ _
nk0 M nk0
kxm
θm
βm
m
π/d
3
2
1
0 _ _
0 βm nk0 β = nk0cos π
Bild 4.3: Erlaubte Winkel und Wellenvektorkomponenten der Moden im Filmwellenleiter mit Spiegelberan-
dungen
4.2 Modenleistungen und Modenüberlagerungen

im Spiegelwellenleiter
Bild 4.4 zeigt schematisch die transversalen Feldverteilungen der Moden.
Jede Mode breitet sich formstabil aus, d.h. sie ändert ihre Intensitätsverteilung entlang der z-Achse
nicht. Die Intensität einer Mode m ist bis auf einen konstanten Faktor durch
¯ ³ mπ ´ ¯2
¯ ¯
Im (x) = |Em (x, z)|2 = ¯Am sin x exp {−iβm z}¯
d
³ mπ ´
= |Am |2 sin2 x (4.16)
d
gegeben, wobei (4.4) und (4.8) benutzt wurden. Die transportierte Leistung in einer Mode ist entspre-
chend
Zd
d
Pm = Im (x) dx = |Am |2 . (4.17)
2
0
4.2. Modenleistungen und Modenüberlagerungen im Spiegelwellenleiter 27
x y
Mirror
Mirror
m=1 2 3 6
0 z
Bild 4.4: Transversale Feldverteilung der Moden
Zur Beschreibung der Moden führt man zweckmäßigerweise normierte transversale Feldverteilun-
gen
r ³ mπ ´
2
um (x) = sin x (4.18)
d d
ein. Diese sind im Intervall (0, d) orthonormal, d.h. es gilt
Zd (
1 für l = m ,
um (x)u∗l (x) dx = (4.19)
0 sonst .
0
Der Stern in u∗l (x) bedeutet konjugiert komplex. Damit schreibt sich ein Modenfeld als
Em (x, z) = am um (x) exp {−iβm z} , (4.20)
wobei am nun als konstante komplexe Amplitude aufzufassen ist, und als Betragsquadrat |am |2 die
Leistung
Pm = |am |2 (4.21)
in der Mode m angibt. In einem Wellenleiter können prinzipiell alle ausbreitungsfähigen Moden
angeregt sein. Das Gesamtfeld erhält man durch Überlagerung der einzelnen Modenfelder gemäß
M
X M
X
E(x, z) = Em (x, z) = am um (x) exp {−iβm z} . (4.22)
m=1 m=1
Aufgrund der Orthonormalität der transversalen Modenverteilungen um (x) erhält man die Gesamtlei-
stung im Wellenleiter als Summe der Leistungen |a2m | der einzelnen Moden als
Zd M
X M
X
2 2
P = |E(x, z)| dx = |am | = Pm . (4.23)
0 m=1 m=1
Zur Nebenrechnung sei auf [2] verwiesen 1 . Die Moden haben also keine Wechselwirkung unterein-
ander, die Leistungen addieren sich. Da sich jedoch die Moden mit unterschiedlichen Geschwindig-
keiten ausbreiten, ist aufgrund von Interferenzeffekten die Gesamtintensität I(x, z) = |E(x, z)|2 von
beiden Koordinaten x und z abhängig. Ein Beispiel der Überlagerung der beiden Moden m = 1 und
m = 2 möge die Situation veranschaulichen, wobei wie in Bild 4.5 angenommen werden soll, dass
beide Moden dieselbe Leistung |a1 |2 = |a2 |2 = d/2 besitzen.
a) z
b) z
c) z
Bild 4.5: Überlagerung zweier Moden. (a) z-unabhängige Intensität in der Grundmode m = 1, (b) z-
unabhängige Intensität in der Mode m = 2, (c) Intensität der überlagerten Moden.
Zd
P = |E(x, z)|2 dx
| {z }
0 E·E ∗
Zd X
M M
X
= am um (x) exp {−iβm z} a∗l u∗l (x) exp {iβl z} dx
0 m=1 l=1
M Zd
M X
X
= am a∗l um (x)u∗l (x) exp {−j(βm − βl )z} dx
m=1 l=1 0
M X
X M Zd
= am a∗l exp {−j(βm − βl )z} um (x)u∗l (x) dx
m=1 l=1 0
| {z }
=1 für l=m , sonst 0
M
X M
X
2
= |am | = Pm (4.24)
m=1 m=1
4.3. Planare dielektrische Wellenleiter 29
Wir haben
πx
E1 (x, z) = sin exp {−iβ1 z} ,
d
2πx
E2 (x, z) = sin exp {−iβ2 z} . (4.25)
d
Die Überlagerung der beiden Felder ergibt
πx 2πx
E(x, z) = E1 (x, z) + E2 (x, z) = sin exp {−iβ1 z} + sin exp {−iβ2 z} . (4.26)
d d
Die Gesamtintensität setzt sich aus den Einzelintensitäten der Moden und dem Interferenzterm zu-
sammen als
I(x, z) = |E(x, z)|2 = E(x, z) · E ∗ (x, z)

πx 2πx πx 2πx
= sin2 + sin2 + 2 sin sin cos (β1 − β2 )z
d dp d d
= I1 (x) + I2 (x) + 2 I1 (x)I2 (x) cos (β1 − β2 )z . (4.27)
| {z } | {z }
Einzelintensitäten Interferenzterm
Entlang der z-Achse ändert sich das Intensitätsmuster (Speckle-Muster) periodisch mit der Differenz
der Ausbreitungskonstanten β1 − β2 (Schwebungswellenzahl), ist aber ansonsten zeitlich konstant.
4.3 Planare dielektrische Wellenleiter

y
x
n2 B
A
d
n1 q q
0 q
Guided ray C z
n2 Unguided ray
Bild 4.6: Planarer symmetrischer dielektrischer Wellenleiter mit n̄1 > n̄2 . Wellenführung erfolgt durch Total-
reflexion für Winkel θ < θc = arccos n̄2 /n̄1
Wir betrachten hier planare dielektrische Wellenleiter nach Bild 4.6, um die Ähnlichkeiten mit plana-
ren Spiegelwellenleitern aufzuzeigen. Wir beschränken unsere Betrachtungen auf symmetrische Wel-
lenleiter, bei denen die wellenleitende Schicht mit Brechzahl n̄1 von Material mit kleinerer Brechzahl
n̄2 umgeben ist. Wegen n̄1 > n̄2 können Wellen in der zentralen Schicht durch Totalreflexion ge-
führt werden. In solchen Moden laufen Strahlen auf Zickzackwegen in der wellenleitenden Schicht.
Daneben gibt es noch Wellenformen, die nur teilweise an den Grenzflächen reflektiert werden. Diese
werden als Strahlungsmoden bezeichnet.
Wie in Spiegelwellenleitern müssen die Transversalkomponenten geführter Wellen eine Selbstkonsistenz-
oder Resonanzbedingung erfüllen. Hierbei ist noch der Phasensprung bei der Totalreflexion an der
oberen und unteren Grenzfläche des Wellenleiters zu berücksichtigen. In Analogie zu (4.7) bzw. (4.8)
lautet die Bedingung für einen selbstkonsistenten Umlauf in x-Richtung
2πn̄1
2d · sin θm − 2ϕrm = 2πm , m = 0, 1, 2, . . . (4.28)
λ0
oder
2kxm n̄1 d − 2ϕrm = 2πm , m = 0, 1, 2, . . . . (4.29)
Hierbei bezeichnet ϕrm (θm ) den von θm abhängigen Phasensprung bei der Totalreflexion. Generell
hängt der Phasensprung von der Polarisationsrichtung ab. Für transversal elektrische (TE) Wellen gilt
(θc = π/2 − θ̄c )
µ 2 ¶1/2
ϕr,m sin θ̄c
tan = −1 , (4.30)
2 sin2 θm
so dass ϕr = π für θ = 0 und ϕr = 0 für θ = θc , wobei θc der kritische Winkel der Totalreflexion ist.
Man kann (4.28) und (4.30) umschreiben in
µ ¶ µ ¶1/2
dπn̄1 mπ sin2 θ̄c
tan · sin θm − = −1 . (4.31)
λ0 2 sin2 θm
Das Auftragen der linken und rechten Seite der Gleichung (4.31) ergibt Bild 4.7
10
RHS
LHS
1 2 3 4 5 6 7 8
m=0
0 −
0 λ sin {θ3} sin θ c
2dn-1 sin θ
Bild 4.7: Auftragung von Gleichung (4.31) als Funktion von sin θ. Schnittpunkte θ = θm sind Lösungen der
Gleichung
Lösungen für θ erfordern sin θ̄c > sin θ oder

2πn̄1 2πn̄2
· cos θm > , (4.32)
λ0 λ0
damit eine Wellenführung durch Totalreflexion möglich ist. Die erlaubten Werte der Ausbreitungs-
konstanten in z-Richtung
βm = n̄1 · k0 · cos θm (4.33)
erfüllen damit die Bedingung
n̄2 · k0 < βm < n̄1 · k0 , (4.34)
wie auch aus Bild 4.8 hervorgeht.
4.3. Planare dielektrische Wellenleiter 31
ky
n 1 k0
n 2 k0
M
n1k0sin qc
1
qc 0
qm
0
0 n 2 k0 n 1 k0 kz = b
Bild 4.8: Komponenten des Ausbreitungsvektors in planaren symmetrischen Filmwellenleitern
Offenbar gibt es nur eine endliche Zahl von Moden (geführten Wellen), ähnlich wie beim Spiegel-
wellenleiter. Allerdings existiert beim symmetrischen Wellenleiter keine untere Grenzfrequenz, da
Gleichung (4.31) für m = 0 immer eine Lösung besitzt. Aus Bild 4.7 geht auch hervor, dass nur eine
Lösung existiert für
s µ ¶2 µ 2 ¶1/2
p n̄2 n̄1 − n̄22 λ0
2
sin θ̄c = cos θc = 1 − sin θc = 1 − = 2
< , (4.35)
n̄1 n̄1 2dn̄1
also q
λ0
d n̄21 − n̄22 < (4.36)
2
ergibtpeinmodige dielektrische Wellenleiter. In mehrmodigen Wellenleitern mit einer Dicke d À
λ0 /2 n̄21 − n̄22 ist die Zahl der geführten Moden durch
p
2d n̄21 − n̄22
M= (4.37)
λ0
gegeben.
Bei der Führung durch Totalreflexion hat man im Innenbereich des Wellenleiters in Transversalrich-
tung gegenläufige ebene Wellen, im Außenbereich dagegen transversal nach außen abklingende Wel-
len. Gemäß der Helmholtz-Gleichung ist im Innenbereich die charakteristische Gleichung
µ ¶2
2πn̄1 sin θm n̄2 ω 2
2 2
kx + kz = 2
+ βm = n̄21 k02 = 1 2 (4.38)
λ0 c
und im Außenbereich die Gleichung
2
kx2 + kz2 = kxm 2
+ βm = n̄22 k02 (4.39)
zu erfüllen. Da βm > n̄2 k0 gilt, ist

2
kxm = (iαm )2 = n̄22 k02 − βm
2
(4.40)
negativ, was auf exponentiell in x- bzw. −x-Richtung abfallende Wellen im Außenbereich führt. Die
Modenfelder sind demnach


 Ẽsm exp{−αm x} exp{−iβm z} für x > d/2 ,

Ẽfm cos(2πn̄1 x sin θm /λ0 ) exp{−iβm z} für |x| < d/2, m = 0, 2, 4, . . . ,
Em (x, z) = (4.41)

 Ẽ sin(2πn̄1 x sin θm /λ0 ) exp{−iβm z} für |x| < d/2, m = 1, 3, 5, . . . ,
 fm
Ẽsm exp{αm x} exp{−iβm z} für x < −d/2
mit komplexen Amplituden Ẽfm , Ẽsm .

Hierbei wird
µ ¶1/2
cos2 θm
αm = n̄2 k0 (4.42)
cos2 θc
als Extinktionskoeffizient bezeichnet. Wie in Bild 4.9 dargestellt ist, kann man Moden gerader und
ungerader Symmetrie unterscheiden.
x
m=0 1 2 3 8
d/2
0 z
-d/2
Bild 4.9: Transversale Modenfeldverteilungen der Moden m im symmetrischen planaren dielektrischen Wel-
lenleiter
Die Ähnlichkeit der Moden mit denen des Spiegelwellenleiters sind offensichtlich, allerdings gibt es
einen exponentiellen Abfall der Felder in den Außenbereich. Wie beim Spiegelwellenleiter lässt sich
das gesamte Feld der geführten Wellen als Überlagerung
∞
X
E(x, z) = am um (x) exp {−iβm z} (4.43)
m=0
darstellen, wobei um (x) orthonormale transversale Feldverteilungen sind, und |am |2 die Leistung der
einzelnen Moden angibt. Für die Ausbreitungskonstanten gilt: βm 6= βl für l 6= m. Es sei noch darauf
hingewiesen, dass man streng genommen zwischen TE - (transversal elektrische) und TM- (transver-
sal magnetische) Wellen zu unterscheiden hat, bei denen nach Bild 4.10 die elektrischen bzw. ma-
gnetischen Feldstärkevektoren stets senkrecht zur Ausbreitungsrichtung stehen, die Feldverteilungen
sind jeweils durch (4.41) gegeben.
4.4. Quadratische Spiegelwellenleiter 33
a) b)
x x
z z
E H
~ bzw. H
Bild 4.10: Feldstärkevektoren E ~ für TE- (a) und TM-Wellen (b) im planaren dielektrischen Wellenleiter
Desweiteren kann die allgemeine Feldverteilung (4.41) in der Form


 Esm exp{−αm x} exp{−iβm z} für x > d/2 ,
Em (x, z) = Efm sin(2πn̄1 sin θm /λ0 − (m + 1)π/2) exp{−iβm z} für |x| < d/2 , (4.44)

Esm exp{αm x} exp{−iβm z} für x < −d/2
geschrieben werden (m = 0, 1, 2, . . .), wobei Esm und Ef m komplexe Amplituden sind, die so zu
wählen sind, dass E(x, z) und ∂E(x, z)/∂x bei x = ±d/2 stetig sind. Die Form (4.44) zeigt unmit-
telbar die Ähnlichkeit mit den Modenverteilungen des Spiegelwellenleiters in Gleichung (4.4) auf.
4.4 Quadratische Spiegelwellenleiter
ky
Mirror
p
d
d
d p nk0 kx
d
Bild 4.11: Quadratischer Spiegelwellenleiter und erlaubte Werte der Wellenvektorkomponenten kx und ky
Ein quadratischer Spiegelwellenleiter und die erlaubten diskreten Ausbreitungskonstanten kx , ky sind

in Bild 4.11 dargestellt. Die Moden ergeben sich durch zickzackförmige Ausbreitung der Strahlen
in x- und y-Richtung. In beiden Richtungen bauen sich Stehwellenfelder auf. Wie beim planaren
Spiegelwellenleiter müssen die Tangentialkomponenten des elektrischen Feldes an den Berandungen
verschwinden. Wir fordern damit analog zu (4.8), jetzt aber sowohl für die x- als auch die y-Richtung
kx d = mx π mit mx = 1, 2, . . . ,
ky d = my π mit my = 1, 2, . . . . (4.45)
Dementsprechend ist die Ausbreitungskonstante in z-Richtung
³ m π ´2 ³ m π ´2
2 2 x y
βm x my
= k 0 − − (4.46)
d d
jetzt von den beiden Modenordnungen mx und my abhängig. Die Modenfelder sind separierbar, d.h.
als Produkt von nur von x- bzw. y-abhängigen orthonormalen Modenfunktion umx (x) bzw. umy (y)
zu schreiben (0 ≤ x, y ≤ d)
Emx my (x, y, z) = amx my umx (x)umy (y) exp {−iβmx my z} , (4.47)
wobei |amx my | die Leistung in der Mode (mx , my ) angibt.

Das Gesamtfeld erhält man durch Überlagerung
My
Mx X r r
X 2 mx πx 2 my πy
E(x, y, z) = amx my sin sin exp {−iβmx my z} , (4.48)
mx =1 my =1 | d {z d }| d {z d }
umx (x) umy (y)
wobei Mx bzw. My wie in (4.21) der größte vorkommende Index ist. Wie in (4.13) gilt
2d kd
Mx = My = = , (4.49)
λ π
so dass die Gesamtzahl der geführten Moden im quadratischen Wellenleiter mit Blick auf Bild 4.11
durch µ ¶2
π π 2d
M ≈ Mx My ≈ (4.50)
4 4 λ
gegeben ist.
ky
n 1 k0
n1k0sin qc
y
n2
p
d
d n1
x
d
p kx
d
Bild 4.12: Quadratischer dielektrischer Wellenleiter und erlaubte Werte der Transversalkomponenten des Wel-
lenvektors
4.5 Quadratische dielektrische Wellenleiter

Ein quadratischer dielektrischer Wellenleiter ist schematisch mit den zugehörigen erlaubten Trans-
versalkomponenten des Ausbreitungsvektors in Bild 4.12 dargestellt. Für die Moden sind in x- und
4.5. Quadratische dielektrische Wellenleiter 35
y-Richtung Selbstkonsistenzbedingungen der Form (4.28) zu fordern, die ähnlich ausfallen wie (4.45)
für den quadratischen Spiegelwellenleiter. Insofern liegen die erlaubten Transversalkomponenten des
Wellenvektors nahe bei denen des Spiegelwellenleiters, und die Gesamtzahl der geführten Moden ist
mit
µ ¶2
π 2d
M≈ (n̄21 − n̄22 ) (4.51)
4 λ
anzugeben, wie aus Bild 4.12 hervorgeht.
Für die Feldverteilung der Moden ist näherungsweise ein Produktansatz mit Feldverteilungen (4.44)
des planaren symmetrischen dielektrischen Wellenleiters angezeigt. Im Inneren des dielektrischen
Wellenleiters ergeben sich sinusförmig schwankende Stehwellenfelder, während im Außenbereich
abklingende Felder vorkommen. Die Überlagerung der Wellenfelder gemäß dem Separationsansatz
Emx my (x, y, z) = Emx (x)Emy (y) (4.52)
ist in Bild 4.13 für eine Mode niedriger Ordnung schematisch dargestellt.
d/2
Ey(y),
y=0 d/2
-d/2 y
-d/2
Ey(x), y = 0
Bild 4.13: Transversale Feldverteilung in einem rechteckförmigen dielektrischen Wellenleiter (schematisch)
Setzt man für die Komponenten des Ausbreitungsvektors
sin θmx
kx,mx = 2πn̄1 ,
λ0
sin θmy
ky,my = 2πn̄1 , (4.53)
λ0
womit die Ausbreitungskonstante in z-Richtung durch
2
βm x my
2
= n̄21 k02 − kx,m x
2
− ky,m y
(4.54)
gegeben ist, so kann man schreiben
Emx my (x, y, z)
 ¡ ¢

 E f,m m sin (kx,m − (m x + 1)π/2) sin k y,m − (m y + 1)π/2 exp {−iβmx my z}


x y x y

 für |x| < d/2, |y| < d/2 ,

 ¡ ¢



Es,mx my exp {−αmx x} sin ky,my − (my + 1)π/2 exp {−iβmx my z}
= für x > d/2, |y| < d/2 , (4.55)



 Es,mx my exp {−αmx x} exp {−ϕmy y} exp {−iβmx my z}



 für x > d/2, y > d/2 ,



und entsprechend für die noch fehlenden anderen Bereiche.
Kapitel 5
Wellenleiterelemente
5.1 Reflexion und Brechung von Filmwellen
Wir betrachten einen in Bild 5.1 dargestellten Filmwellenleiter, dessen Dicke sich abrupt von df auf
dr ändert.
y y
Refracted dr
jt
br
y=0
z x
bf
ji jr
df
Incident Reflected
a) b)
Bild 5.1: Reflexion und Brechung einer Filmwelle an einem Sprung in der Wellenleiterdicke. Der Winkel ϕ der
einfallenden Welle wird gegen das Lot auf den Dickensprung und nicht gegen die z- Achse gemessen.
Die Ausbreitungskonstante β hängt nach (4.9) von der Filmdicke ab. Im Einklang mit (4.5) und (4.11)
definieren wir effektive Brechzahlen für die Filmwellen in den beiden Bereichen als
βf vph,f
n̄eff,f = = nf cos θf = , (5.1)
k0 c
βr vph,r
n̄eff,r = = nr cos θr = , (5.2)
k0 c
wobei βf und βr Ausbreitungskonstanten, θf und θr die zugehörigen Zick-Zack-Winkel der Strahlen
und vph,f und vph,r die Phasengeschwindigkeiten in den beiden Bereichen sind. Die Ausbreitungskon-
stante ist im dickeren Film größer als im dünneren. Es gilt βf > βr und entsprechend n̄eff,f > n̄eff,r .
37
38 Kapitel 5. Wellenleiterelemente
Ebenen gleicher Phase haben dementsprechend einen größeren Abstand im dünneren Filme als im
dickeren, eine einfallende ebene Welle wird an der Sprungstelle gestreut. Phasenanpassung der trans-
mittierten Welle an die einfallende Welle erfolgt, wenn
βf sin ϕi = βr sin ϕt (5.3)
beziehungsweise
n̄eff,f sin ϕi = n̄eff,r sin ϕt (5.4)
erfüllt ist. Phasenanpassung mit einer reflektierten Welle erhält man für
βf sin ϕi = βf sin ϕr oder ϕi = ϕr . (5.5)
Zusätzlich können bei dem Übergang noch Verluste durch Streuung auftreten. Die Gln. (5.4) und (5.5)
sind das Brechungs- und Reflektionsgesetz für Filmwellen. Anstelle der gewöhnlichen Brechzahl ist
die effektive Brechzahl zu setzen. Für n̄eff,f > n̄eff,r und Einfallswinkel ϕi > ϕcrit = arcsin (n̄eff,r /n̄eff,f )
tritt Totalreflexion der Filmwelle auf. In diesem Fall fällt die transmittierte Welle exponentiell ab und
transportiert keine Energie in y-Richtung senkrecht zur Stufe.
Die Ausbreitung von Filmwellen folgt also den klassischen Gesetzen der Strahlenoptik, wenn man
die Brechzahl durch die effektive Brechzahl ersetzt. Dementsprechend können Prismen und Linsen
einfach durch geeignete Profile in der Filmdicke realisiert werden. Streuverluste lassen sich dabei
durch Verwendung allmählicher Übergänge minimieren.
5.2 Rippenwellenleiter und Effektiv-Index Methode
Der Rippenwellenleiter ist schematisch in Bild 5.2 dargestellt. Die Struktur lässt sich leicht durch
Ätzen herstellen. Der Bereich der Rippe hat einen höheren effektiven Brechungsindex als der Rest
des Films.
neff, r neff, f neff, r
b
nc
x
dr df nf
z y
ns
Bild 5.2: Rippenwellenleiter (unten) und verallgemeinerter Filmwellenleiter (oben)
Wenn eine Filmwelle im Rippenbereich unter einem Winkel ϕ > ϕcrit auf den Rippenrand trifft,
erfolgt Totalreflexion. In y-Richtung bildet sich eine stehende Welle aus, wenn entsprechend (4.28)
die Resonanzbedingung
k0 n̄eff,f b sin ϕ̄ − Φ = l · π , l = 0, 1, 2, . . . (5.6)

5.3. Wellenleitereinkopplung 39
erfüllt ist (mit ϕ̄ = π/2 − ϕ). Der Term Φ berücksichtigt den Phasensprung bei der Totalreflexion am
Rippenrand. Für TE-Wellen gilt entsprechend (4.30) die Beziehung (ϕcrit = π/2 − ϕ̄crit )
q
µ 2 ¶1/2 n̄2eff,f sin2 ϕ − n̄2eff,r
Φ sin ϕ̄crit
tan = −1 = (5.7)
2 sin2 ϕ n̄eff,f cos ϕ
Die Berechnung der Ausbreitung von Wellen im Rippenwellenleiter reduziert sich damit auf die Be-
rechnung von Filmwellen in senkrecht zueinander stehenden Filmwellenleitern. Der Wellenleiter mit
effektiven Brechzahlen ist im oberen Teil von Bild 5.2 illustriert. Die Vorgehensweise zur Berechnung
der Wellenparameter wird als Effektiv-Index Methode bezeichnet.
5.3 Wellenleitereinkopplung
Wir behandeln die Einkopplung in einen Wellenleiter beispielhaft anhand des quadratischen Spiegel-
wellenleiters in Bild 4.11. Zur Einkopplung wird oft eine Welle auf die Stirnfläche des Wellenleiters
fokussiert, wie schematisch in Bild 5.3 dargestellt ist.
x
z=0
nc y z
Incident nf Em
Ei
wave
ns
nl
Bild 5.3: Stirnseitige Einkopplung in einen Wellenleiter
Nach (4.48) lässt sich die allgemeinste Feldverteilung im Wellenleiter als Modenüberlagerung
M X L r r
X 2 lπx 2 mπy
E(x, y, z) = alm sin sin exp {−iβlm z}
m=1 l=1
d d d d
M X
X L
= alm · ulm (x, y) exp {−iβlm z} (5.8)
m=1 l=1
mit orthonormalen transversalen Eigenfunktionen ulm (x, y) schreiben (0 ≤ x, y ≤ d). Die Funktionen
ulm (x, y) sind nur im Bereich 0 ≤ x, y ≤ d von Null verschieden und dort orthonormal gemäß
Zd Zd (
1 für l0 = l und m0 = m ,
ulm (x, y) u∗l0 m0 (x, y) dx dy = (5.9)
0 sonst .
0 0
Eine beliebig in der Einfallsebene z = 0 vorliegende Feldverteilung lässt sich im Bereich 0 ≤ x, y ≤

d als zweidimensionale Fourierreihe
X∞ X ∞
lπx mπy
Ei (x, y, z = 0) = alm sin sin (5.10)
m=1 l=1
d d
mit (unendlich vielen, komplexwertigen) Koeffizienten
Zd Zd
4 lπx mπy
alm = 2 Ei (x, y, z = 0) sin sin dx dy
d d d
0 0
Zd Zd
= Ei (x, y, z = 0) u∗lm (x, y) dx dy (5.11)
0 0
darstellen (siehe z.B. [4], S. 74). Der Anteil des Feldes alm wird sich offenbar im Wellenleiter in der
Mode (l, m) ausbreiten, denn er besitzt ja gerade die entsprechende transversale Feldverteilung der
Mode. Berücksichtigt man noch, dass wegen der Normierung der Eigenfunktionen u(x, y) die Größe
|alm |2 nach (5.8) die Leistung in einer Mode angibt, so ist
2 |alm |2
|ηlm | = (5.12)
Pges,i
der Einkoppelwirkungsgrad in der Mode (l, m), wobei

Z∞ Z∞
Pges,i = |Ei (x, y, z)|2 dx dy (5.13)
−∞ −∞
die Gesamtleistung der einfallenden Feldverteilung ist. Die Feldverteilung in einer Mode lässt sich
ausdrücken durch
Elm (x, y, z) = alm · ulm (x, y) exp {−iβlm z} . (5.14)
Folglich ist das normierte Modenfeld bis auf einen konstanten Phasenfaktor durch
Elm (x, y, z = 0) Elm (x, y, z = 0)

ulm (x, y) = s = p (5.15)
RR
∞ |alm |2
|Elm (x, y, z)|2 dx dy
−∞
gegeben, und der Einkoppelwirkungsgrad in die Mode (l, m) ist

¯∞ ¯2
¯RR ¯
¯ Ei (x, y, z = 0) E (x, y)dx dy ¯
∗
¯ lm ¯
−∞
|ηlm |2 = RR
∞ RR
∞ . (5.16)
|Ei (x, y, z)|2 dx dy |Elm (x, y)|2 dx dy
−∞ −∞
Der Einkoppelwirkungsgrad in eine Mode ist damit durch den Kreuzkorrelationskoeffizienten zwi-
schen der einfallenden Feldverteilung und der Modenfeldverteilung gegeben. Nach der Cauchy-Schwarz-
schen Ungleichung gilt |ηlm |2 ≤ 1 . |ηlm |2 = 1 erhält man nur, wenn die Eingangsfeldverteilung gleich
der Modenfeldverteilung ist. Je ähnlicher die Eingangsfeldverteilung der Modenfeldverteilung ist, de-
sto größer ist der Einkoppelwirkungsgrad. Für gute Einkopplung ist demnach Modenfeldanpassung
(mode matching) anzustreben. Quantitative Resultate erhält man durch Auswertung des Korrelations-
integrals in Gleichung (5.16). Zur Berechnung der in diesem Abschnitt auftretenden Integrale ist die
Beziehung 2 sin (nx) sin (mx) = cos ((n − m)x) − cos ((n + m)x) nützlich.
5.4. Wellenleiterknicke und Krümmungen 41
y'
y j
Emy'
y = d/2 j
z
Emy z'
y = -d/2
z' = 0
Bild 5.4: Zur Behandlung eines Wellenleiterknicks
5.4 Wellenleiterknicke und Krümmungen
Ein Wellenleiterknick ist schematisch in Bild 5.4 dargestellt. Eine Wellenleiterkrümmung kann man
idealisiert durch einen Wellenleiterknick oder eine Abfolge von Wellenleiterknicken beschreiben. Im
linken Wellenleiter möge die Mode (l, m) mit der transversalen Feldverteilung Elm (x, y) einfallen.
Sie regt im rechten Wellenleiter, der um den Winkel ϕ verdreht ist, eine Mode derselben Ordnung an,
die wir mit Elm (x0 , y 0 ) bezeichnen. In der Ebene z 0 = 0 können wir die einfallende Welle für kleine
Winkel ϕ < λ/(d · nf ) im Bereich −d/2 < y < d/2 durch
Ei (x0 , y 0 , z 0 = 0) ≈ Elm (x = x0 , y = y 0 ) exp {+iβy 0 ϕ} (5.17)
approximieren. nf ist der Brechungsindex des Wellenleiters. Der Koppelkoeffizient ist damit im Falle
eines quadratischen Wellenleiters
¯ ¯2
¯ d/2
RR ¯
¯ ∗ ¯
¯ Ei Elm dx0 dy 0 ¯
¯−d/2 ¯
|ηlm |2 = d/2 (5.18)
RR RR
d/2
|Ei |2 dx0 dy 0 |Elm |2 dx0 dy 0
−d/2 −d/2
wenn man annimmt, dass das Feld im Außenraum (x0 , y 0 > d/2) des Wellenleiters zu vernachlässigen
ist. Für separierbare Modenfelder
Elm (x0 , y 0 ) = El (x0 ) · Em (y 0 ) (5.19)
folgt sofort
¯ ¯2
¯ d/2 ¯
¯ R 0 2 0 0¯
¯ |Em (y )| exp {+iβy ϕ} dy ¯
¯−d/2 ¯
|ηlm |2 = Ã !2 , (5.20)
R
d/2
|Em (y 0 )|2 dy 0
−d/2
da sich in Richtung x0 nichts ändert. Für die Grundmode l = 1, m = 1 ist die Feldverteilung für
−d/2 < x0 , y 0 < d/2 durch
πx0 πy 0
E1,1 (x0 , y 0 ) = cos cos = E1 (x0 ) · E1 (y 0 ) (5.21)
d d
zu beschreiben, wobei wir einen konstanten Amplitudenfaktor unberücksichtigt gelassen haben. Zur
Auswertung von (5.20) benötigen wir
Zd/2 Zd/2 · ¸y0 =d/2
0 2 0 1 d 2πy 0 d
|Em (y )| dy = cos y dy = y 0 +
2 0 0
sin = (5.22)
2 4π d y 0 =−d/2 2
−d/2 −d/2
und
Zd/2 Zd/2
iβϕy 0 πy 0 iβϕy0 0
|Em (y 0 )|2 e dy 0 = cos2 e dy
d
−d/2 −d/2
Zd/2 ³ ´
1 1 0 2π 0 2π 0
= 2 eiβϕy + ei( d +βϕ)y + e−i( d −βϕ)y dy 0
4
−d/2
Zd/2 µ ¶
2
1 iβϕy 0 2πy 0
≈ 2 e + 2 cos dy 0
4 d
−d/2
1 1 ³ iβϕ d d
´ 1 d · 2πy 0 ¸y0 =d/2
−iβϕ
= e 2 −e 2 + sin
2 iβϕ 2 2π d y0 =−d/2
| {z }
=0
1 2 βϕd
= sin . (5.23)
2 βϕ 2
Das Ergebnis ist ½ ¾

2sin2 βϕ d2 2 d
|η11 | = = si βϕ . (5.24)
(βϕ d2 )2 2
Der 3dB-Abfall (si(1.4) = 0.5) erfolgt bei dem Winkel
2.8 1.4 λ
ϕ3dB = = . (5.25)
βd πnf d
Für λ = 1 µm , nf = 3.5 und d = 3 µm hat man zum Beispiel ϕ3dB = 0.04 = 2.4◦ . Dieser Wert ist
als Abschätzung zu verstehen. Er besagt aber, dass Knickwinkel in optischen Wellenleitern möglichst
unter 1◦ bleiben sollten, damit die Koppelverluste der geführten Welle nicht zu groß werden.
Eine Ablenkung um den Winkel ϕ lässt sich auch durch eine Abfolge von M Knicken mit einem
Knickwinkel ϕ/M erzielen. Nach M Kopplungen ist der Wirkungsgrad der Grundmode
Ã !M " µ ¶2 # M
³ϕ´ sin2 βϕd 1 βϕd
M 2
|η11 | = |η11 |2M = 2M
¡ βϕd ¢2 ≈ 1− , (5.26)
M 6 2M
2M
1
cos2 α = 14 (2 + e2jα + e−2jα )
2
wegen ϕ ¿ λ/d gilt 2π d ± βϕ =
2π λ
λ (d ± ϕ) ≈ 2π
d
5.5. Querschnittsänderungen und Taper 43
wobei die Taylorreihenentwicklung für sin x/x für kleine Argumente x ¿ 1 als Näherung auf der
rechten Seite benutzt wurde. Da βϕd/M ¿ 1 gilt, kann man weiter approximieren
¯ ³ ´ ¯2 µ ¶2
¯ ϕ M¯ 1 βϕd
¯η11 ¯ ≈1− , (5.27)
¯ M ¯ 6M 2
denn für kleine x ¿ 1 gilt (1 + x)M ≈ 1 + M x. Im Vergleich dazu ist der Koppelkoeffizient bei
einem einzigen Knick
µ ¶2
sin2 βϕ d2
2 1 βϕd
|η11 (ϕ)| = d 2
≈1− . (5.28)
(βϕ 2 ) 6 2
Eine Abfolge von M Knicken mit Knickwinkeln ϕ/M liefert also erheblich weniger Verluste als ein
einziger Knick mit Winkel ϕ. Dieses Beispiel zeigt, dass „weiche“ Wellenleiterkrümmungen offenbar
kleinere Verluste aufweisen als abrupte Krümmungen mit kleinem Krümmungsradius.
5.5 Querschnittsänderungen und Taper
Bei Querschnittsänderungen nach Bild 5.5 kommt es an den Übergangsstellen zur Streuung in Film-
wellen anderer Ordnung, und es können auch Strahlungsmoden angeregt werden. Außerdem bilden
sich evaneszente Wellen aus, die in z-Richtung exponentiell abklingen. Die Übergänge sollen so weit
auseinanderliegen, dass evaneszente Wellen nicht von einem Übergang auf den nächsten übergrei-
fen. Wir interessieren uns hier nur für die Ausbreitung der Grundmode, deren transversales Feld wir
kurz mit E0 (x, y) bezeichnen wollen. Mit der Querschnittsverteilung ändert sich jeweils auch das
(1) (2) (3)
Profil der Grundmode, das wir in den Abschnitten 1, 2, 3, . . . mit E0 (x, y), E0 (x, y), E0 (x, y), . . .
bezeichnen.
(1)
(2)
(1)
x E0
(2) (3)
E0
(3) (3)
(1) (2) E0 , P0
y z P0 P0
(i)
Bild 5.5: Schema einer stufenweisen Querschnittsänderung. P0 bezeichnet die Leistung der Grundmode im
Abschnitt i
Das Feld der Grundmode nach der ersten Querschnittsänderung ist abgesehen von einem konstanten
Phasenfaktor durch q
(2) (1)
E0 (x, y) = P0 |η12 | u(2) (x, y) (5.29)
(1)
gegeben, wobei u(2) (x, y) ein nach (4.19) normiertes Feld darstellt, P0 die Leistung der Grundmode
im ersten Abschnitt bezeichnet und der Amplitudenkopplungswirkungsgrad durch
RR
∞
(1) (2)∗
E0 (x, y) · E0 (x, y) dx dy
−∞
η12 = µ ¶1/2 (5.30)
RR
∞
(1) RR
∞
(2)
|E0 (x, y)|2 dx dy |E0 (x, y)|2 dx dy
−∞ −∞
gegeben ist. Die Leistung der Grundmode im zweiten Abschnitt ist offenbar
(2) (1)
P0 = P0 |η12 |2 . (5.31)
Das Feld der Grundmode im dritten Abschnitt wird damit

q q
(3) (2) (1)
E0 (x, y) = P0 |η23 | u (x, y) = P0 |η12 η23 | u(3) (x, y) .
(3)
(5.32)
Um (5.30) auswerten zu können, nehmen wir an, dass die Modenfelder durch die Feldverteilung der
Grundmode des quadratischen Spiegelwellenleiters
(
(i)
(i) E0 (x = 0, y = 0) cos (πx/di ) cos (πy/di ) für − d/2 < x, y < d/2 ,
E0 (x, y) = (5.33)
0 sonst
approximiert werden können. Hierbei bezeichnet di die charakteristische Weite im Abschnitt i. Wir
nehmen an, dass die Querschnittsveränderungen symmetrisch um die z-Achse erfolgen, so dass wir
di+1 = di − ∆d (5.34)
setzen können. Außerdem verlangen wir noch, dass die Änderungen klein sind, also |∆d| ¿ di gilt.
Für ∆d ≥ 0 erhalten wir damit
dR
2 /2 dR
2 /2
cos πx
d1
cos πx
d2
dx cos πy
d1
cos πy
d2
dy
−d2 /2 −d2 /2
η12 = Ã !1/2
dR
1 /2 dR
1 /2 dR
2 /2 dR
2 /2
πx πy πx πy
cos2 d1
dx cos2 d1
dy cos2 d2
dx cos2 d2
dy
−d1 /2 −d1 /2 −d2 /2 −d2 /2
Ã !2
dR
2 /2
 2
cos πx
d1
cos πx
d2
dx Z
d2 /2
−d2 /2 4  πx πx 
= =  cos cos dx . (5.35)
dR
1 /2 dR
2 /2 d1 d2 d1 d2
cos2 πx
d1
dx cos2 πx
d2
dx −d2 /2
−d1 /2 −d2 /2
Die Auswertung des Integrals auf der rechten Seite erfolgt unter Ausnutzung von 1/d1 +1/d2 ≈ 2/d2 ,
denn |d1 − d2 | ¿ d1 , d2 und
µ ¶ µ ¶
πx πx 1 1 1 1 1 1
cos cos = cos πx − + cos πx +
d1 d2 2 d1 d2 2 d1 d2
µ ¶
1 1 1 1 2πx
≈ cos πx − + cos .
2 d1 d2 2 d2
5.5. Querschnittsänderungen und Taper 45
Hiermit ist
Z
d2 /2
πx πx
cos cos dx
d1 d2
−d2 /2
· µ ¶¸x=d2 /2 · ¸x=d2 /2
1 1 1 d2 2πx
= ³ ´ sin πx − + sin
2π 1
− 1 d1 d2 x=−d2 /2 4π d2 x=−d2 /2
d1 d2 | {z }
=0
n ³ ´o
πd2 1 1
d2 sin 2 d1 − d2
= ³ ´ . (5.36)
2 πd2 1
− 12 d1 d2
Mit d ≈ d1 ≈ d2 und d2 ≈ d1 d2 , d1 − d2 = ∆d ergibt sich damit das Resultat

Ã !2 µ ¶2
sin π∆d
2d 1 π∆d
η12 ≈ π∆d
≈1− , (5.37)
2d
3 2d
wobei wiederum |∆d| ¿ d benutzt wurde. Der Kopplungswirkungsgrad ist damit

µ ¶2
2 2 π∆d
|η12 | = 1 − . (5.38)
3 2d
Der Kopplungswirkungsgrad ist nur für ∆d = 0 gleich 1, sonst immer kleiner als 1.
Nimmt der Querschnitt beim Übergang von Abschnitt 2 nach 3 ebenso um ∆d ab, gilt entsprechend
µ ¶2
2 2 π∆d
|η23 | = 1 − , (5.39)
3 2d
(3) (1)
so dass das Leistungsverhältnis P0 /P0 durch
(3) µ ¶2
P0 2 2 4 π∆d
(1)
= |η12 | |η23 | ≈ 1 − (5.40)
P0 3 2d
gegeben ist. Der direkte Übergang von Abschnitt 1 auf Abschnitt 3 mit einer Querschnittsänderung
von 2∆d liefert dagegen
(3) µ ¶2 µ ¶2
P0 2 2 π2∆d 8 π∆d
(1)
= |η13 | = 1 − =1− , (5.41)
P0 3 2d 3 2d
also
|η12 η13 |2
>1. (5.42)
|η13 |2
Bei einem zweistufigen Übergang von d1 über d2 nach d3 geht also mehr Leistung in die Grundmode
des dritten Abschnitts als bei einem direkten Übergang von d1 nach d3 . Offenbar kann man durch
einen allmählichen Übergang, gewissermaßen durch Anpassung, die Modenleistung verlustreduziert
und im Grenzfall sogar ohne Verluste zwischen Wellenleitern verschiedenen Querschnittsprofils über-
tragen. Ein allmählicher Wellenleiterübergang wird als Taper bezeichnet. Man kann sich vorstellen,
dass Taperstrukturen bei der verlustfreien Auskopplung am Wellenleiter eine große Bedeutung besit-
zen.
5.6 Wellenleitergeometrien
In diesem Abschnitt geben wie eine Übersicht über häufig genutzte dielektrische Streifenwellenlei-
tertypen wie in Bild 5.6 und Strukturen in Bild 5.7, die in der Praxis häufig benutzt werden. Die
Streifenwellenleitertypen in Bild 5.6 lassen sich mit der Effektiv-Index Methode zumindest nähe-
rungsweise untersuchen. Wir unterscheiden Streifen-, eingebetteter Streifen-, Rippen- und streifen-
belastete Wellenleiter. Die optische Wellenführung erfolgt grundsätzlich in den Bereichen mit dem
größten Brechungsindex.
a) b) c) d)
Bild 5.6: Verschiedene dielektrische Streifenwellenleiter: (a) Streifen-, (b) eingebetteter Streifen-, (c) Rippen-,
(d) streifenbelasteter Filmwellenleiter. Je dunkler die Schattierung, desto höher die Brechzahl
a) b) c) d) e) f)
Bild 5.7: Verschiedene Strukturen von Streifenwellenleitern: (a) gerader, (b) gekrümmter, (c) Y-Verzweigung,
(d) Mach-Zehnder Interferometer, (e) Richtkoppler, (f) Kreuzung
Die in Bild 5.7 dargestellten geraden und gekrümmten bzw. abgeknickten Wellenleiter können mit
den vorgestellten Methoden analysiert werden. Mit Hilfe des eingeführten Einkoppelkoeffizienten
lässt sich die Y-Verzweigung und auch das Mach-Zehnder Interferometer behandeln. Dasselbe gilt
für die Wellenleiterkreuzung, wobei im Kreuzungsbereich möglicherweise höhere Moden vorkom-
men können als in den zu- und abführenden Wellenleitern. Im Richtkoppler kommt es zu einer Wech-
selwirkung der beiden im Koppelbereich eng benachbarten Wellenleiter über evaneszente transversale
Felder. Diese Kopplung, die durch Störpolarisation zu beschreiben ist, wird in einem späteren Kapitel
behandelt. Anzumerken bleibt noch, dass Verzweiger und Vereiniger z.B. im Mach-Zehnder Interfe-
rometer in erster Näherung als Strahlteiler aufzufassen sind, deren Analogon sie im Grunde darstellen.
Kapitel 6
Wellenleitermodulatoren
6.1 Variation der Ausbreitungskonstanten
In homogenen verlustlosen Medien ist die Ausbreitungskonstante β gemäß

√ n̄
β = ω εε0 µ0 = 2π (6.1)
λ0
mit der relativen Dielektrizitätskonstante ε oder der Brechzahl n̄ verknüpft, wenn nichtmagnetische
Medien mit µ = 1 betrachtet werden. Änderungen der Brechzahl, beispielsweise durch Temperatur
oder Verspannung, resultieren in einer Änderung der Ausbreitungskonstanten
2π
δβ = δn̄ , (6.2)
λ0
die zu einer Phasenänderung der Lichtwelle um
δϕ = z δβ (6.3)
Anlass gibt, wenn die Welle die Strecke z durchläuft. Hierbei wurde schlicht der Phasenterm e−iβz =
e−iϕ einer sich in z-Richtung ausbreitenden ebenen Welle betrachtet.
In verlustbehafteten Medien ist die Ausbreitungskonstante komplex. Man setzt
α 2π
γ =β−i = (n̄ − iκ) (6.4)
2 λ0
mit dem Absorptionskoeffizienten α und dem Extinktionskoeffizienten
αλ0
κ= . (6.5)
4π
Reine Absorptionsänderungen δα = 4π δκ/λ0 resultieren nach Durchlaufen der Strecke z in Inten-
sitätsänderungen exp{δα · z}. In verlustbehafteten Medien ist die relative Dielektrizitätskonstante ε̃
durch
ε̃ = ε0 − iε00 = n̄2 − κ2 − i2κn̄ (6.6)
47
50 Kapitel 6. Wellenleitermodulatoren
Da ein negativer Absorptionskoeffizient, wie von Laserdioden bekannt, mit einem Gewinnkoeffizien-
ten zu identifizieren ist, ergibt sich unmittelbar die Bedeutung von Formel (6.13) für das Design von
effizienten optischen Verstärkern. Offenbar lassen sich durch geeignete Platzierung von Absorber-
elementen im Wellenleiter einzelne Moden gegenüber anderen in ihrer Dämpfung bevorzugen. Man
spricht von Modenfiltern. Beispielsweise wird die Grundmode mit einem Intensitätsmaximum an der
Achse durch einen dort befindlichen Absorber entscheidend geschwächt, während die Mode erster
Ordnung mit einem Intensitätsminimum auf der Achse kaum beeinträchtigt wird. Die Gln. (6.13) und
(6.14) sind die grundlegenden Beziehungen für Wellenleiteramplitudenmodulatoren. Sie sind ebenso
wichtig für Laserdioden, bei denen die verstärkende Zone üblicherweise nur einen kleinen Bereich
der Modenquerschnittsverteilung erfasst.
6.4 Elektrooptischer Effekt

Gewisse Materialien ändern ihre Brechzahl unter dem Einfluss eines elektrischen Feldes. Dabei än-
dert sich die Position oder Orientierung der Moleküle des Materials oder auch deren Form. Man
unterscheidet den linearen elektrooptischen Effekt oder Pockels-Effekt und den quadratischen elek-
trooptischen Effekt oder Kerr-Effekt. Beim ersteren ändert sich die Brechzahl linear mit dem elek-
trischen Feld, beim letzteren quadratisch. Dies ist schematisch in Bild 6.2 dargestellt.
Bild 6.2: Schematische Abhängigkeit der Brechzahl von der elektrischen Feldstärke beim Pockels-Effekt (links)
und beim Kerr-Effekt (Mitte), sowie schematische Darstellung der Lichtsteuerung in einem elektrooptischen
Medium (rechts).
Die erreichbaren Brechzahländerungen sind üblicherweise nur gering, sie liegen bei ∆n̄ = 10−5 . . . 10−3
bevor bei zu hoher elektrischer Feldstärke ein elektrischer Durchschlag im Material auftritt.
In elektro-optischen Medien ist die Brechzahl eine Funktion der elektrischen Feldstärke, die sich
allgemein als Taylorreihe
1
n̄(E) = n̄ + a1 E + a2 E 2 + . . . (6.15)
2
darstellen lässt, wobei skalare Verhältnisse der Einfachheit halber vorausgesetzt wurden. Die Koeffizi-
enten der Entwicklung sind n̄ = n̄(E = 0), a1 = dn̄/dE|E=0 und a2 = d2 n̄/dE 2 |E=0 . Üblicherweise
schreibt man die Reihenentwicklung (6.15) in der Form
1 3 1
n̄(E) = n̄ − rn̄ E − sn̄3 E 2 + . . . (6.16)
2 2
wobei der lineare elektrooptische Koeffizient oder Pockels-Koeffizient r = −2a1 /n̄3 und der qua-
dratische elektrooptische Koeffizient oder Kerr-Koeffizient s = −a2 /n̄3 eingeführt wurden. Diese
Parameter treten bei der Reihenentwicklung des Index-Ellipsoids
1
ζ̃(E) = = ζ̃(E = 0) + rE + sE 2 (6.17)
n̄2 (E)
6.5. Elektrooptische Phasenmodulatoren 51
auf.
Der lineare elektrooptische Effekt kann nur in Kristallen auftreten, die kein Inversionszentrum besit-
zen. Beispiele sind GaAs, LiNbO3 , CdFe, NH4 H2 PO4 (ADP) und KH2 PO4 (KDP). In diesen Kristal-
len hängt der Pockels-Effekt von der Kristallorientierung ab und liegt zwischen r = 10−10 . . . 10−12 m/V
oder r = 1 . . . 100 pm/V. Der Kerr-Effekt ist zu vernachlässigen, so dass
1 3
n̄(E) = n̄ − r n̄ E (6.18)
2
gilt. In inversionssymmetrischen Medien wie Gasen, Flüssigkeiten oder amorphen Stoffen (z.B. SiO2 )
kann nur der Kerr-Effekt auftreten. Man hat
1 3 2
n̄(E) = n̄ − s n̄ E (6.19)
2
Die größten Kerr-Koeffizienten liegen bei s = 10−14 m2 /V2 .
6.5 Elektrooptische Phasenmodulatoren
Nach Lichtdurchgang durch ein elektrooptisches Medium gemäß Bild 6.3 lässt sich die Phase des
austretenden Lichts durch das quasistatische elektrische Feld F verändern. Die Phasenverschiebung
nach Durchlaufen der Strecke L ist
L
ϕ = 2πn̄(F ) , (6.20)
λ0
wobei λ0 die Vakuumwellenlänge bezeichnet. In einem Pockels-Modulator ist die Phasenverschie-
bung durch das elektrische Feld
L
∆ϕ = ϕ − ϕ0 = −πr n̄3 F . (6.21)
λ0
Man unterscheidet gemäß Bild 6.3 den longitudinalen und transversalen elektrooptischen Modulator.
Die elektrische Feldstärke lässt sich bei einer einem Plattenkondensator ähnlichen Elektrodengeome-
trie durch die angelegte Spannung V und den Elektrodenabstand d ausdrücken als
V
F = . (6.22)
d
Damit kann man (6.21) umschreiben in
V
∆ϕ = ϕ − ϕ0 = −π , (6.23)
Vπ
wobei die Halbwellenspannung
d · λ0
Vπ = (6.24)
L · r · n̄3
eingeführt wurde, bei der die Phasenverschiebung durch das elektrische Feld gerade den Wert π er-
reicht. Die Phase der Lichtwelle kann also durch die angelegte Spannung variiert werden. Entschei-
dend sind die Materialparameter n̄ und r, aber auch das Aspektverhältnis d/L. Besonders günstige
52 Kapitel 6. Wellenleitermodulatoren
V R
V
R d
V
Bild 6.3: Longitudinaler (links) und transversaler (rechts) elektrooptischer Modulator
Input light Electrodes

V
Waveguide
Modulated V
light
0 E
Cross-section
Bild 6.4: Integriert-optischer Wellenleitermodulator
Aspektverhältnisse lassen sich in integriert-optischen Wellenleitermodulatoren realisieren, von denen

eine Bauform schematisch in Bild 6.4 dargestellt ist.
Da der elektrooptische Effekt Zeitkonstanten im Subpikosekundenbereich aufweist, sind die Mo-

dulationsgeschwindigkeiten durch die Lichtlaufzeit und die RC-Zeitkonstanten des Ansteuerkreises
begrenzt. Man erreicht Modulationsgrenzfrequenzen von über 100 GHz. Höchste Geschwindigkeiten
erzielt man in sogenannten Lauffeldmodulatoren, bei denen die Elektroden als elektrische Streifen-
wellenleiter ausgebildet sind und das Steuerfeld und die Lichtwelle synchron laufen.
6.6. Mach-Zehnder Modulatoren 53
I( V )
Ii Branch 2 C
1
V
Branch 1 0.5 B
I0
A
0
Vπ V
I0́
Bild 6.5: Ein Phasenmodulator in einem Arm eines Mach-Zehnder Interferometers führt zu einer cosinusför-
migen Intensitätsmodulation in Abhängigkeit von der Spannung am Interferometerausgang
6.6 Mach-Zehnder Modulatoren
In einem Mach-Zehnder Interferometer nach Bild 6.5 lässt sich die Phasenmodulation in eine Intensitäts-
oder Amplitudenmodulation umsetzen. Die Ausgangsintensität I0 ergibt sich durch Überlagerung der
beiden Teilwellen in den Zweigen des Interferometers und hängt damit von der Phasendifferenz ab.
Es gilt
1 1 ∆ϕ
I0 = Ii + Ii cos ∆ϕ = Ii cos2 , (6.25)
2 2 2
so dass man unter Berücksichtigung von (6.23) und (6.24) auch
πV
I0 = Ii cos2 (6.26)
2 Vπ
schreiben kann, aus der die Abhängigkeit der Ausgangsintensität von der angelegten Spannung un-
mittelbar hervorgeht. Bei Anlegen der Halbwellenspannung Vπ lässt sich, wie in Bild 6.5 angedeutet,
das Interferometer bei geeigneter Vorspannung vollkommen ein- und ausschalten.
Input light
Ii
Modulated
light Io
Bild 6.6: Mach-Zehnder Modulator in integriert-optischer Bauform
Ein Mach-Zehnder Modulator kann, wie in Bild 6.6 dargestellt, auch in Wellenleiterform realisiert
werden. Y-förmige Wellenleiterverzweiger dienen als Strahlteiler und Strahlvereiniger. Populär sind
Elemente auf der Basis von LiNbO3 , GaAs oder InP. Diese Elemente werden heute eingesetzt, um
Datensignale mit Bitraten von bis zu 50 Gbit/s zu erzeugen.
Kapitel 7
Optoelektronische Modulatoren in
Halbleitern
In Kap. 6 wurden bereits Phasenmodulatoren vorgestellt, denen der lineare elektrooptische Effekt
zugrundeliegt. Auf dem gleichen Prinzip basierende Richtkopplermodulatoren werden in Kap. 8 be-
handelt. In Halbleitern lassen sich noch andere Effekte zur Modulation ausnutzen. Hierzu zählen
Elektroabsorption und Elektrorefraktion sowie absorptive und refraktive Effekte durch Änderung der
Elektronendichte oder durch Bandauffüllung. Neben elektrischer Ansteuerung ist eine optische Anre-
gung der Modulatoren möglich. Man kann auch Selbststeuerung des Lichtsignals beobachten, wenn
beispielsweise das Licht selbst Ladungsträger erzeugt und damit die Transmission verändert oder
wenn in einem pn-Übergang durch Ladungsträgergeneration eine Änderung der elektrischen Feldstär-
ke hervorgerufen wird. Schließlich können in niedrig dotierten Halbleitern mit Quantenfilmstruktur
exzitonische Effekte zur Modulation beitragen. Optisch gesteuerte Modulatoren finden zunehmend
Interesse für eine rein optische Signalverarbeitung. Hier konzentrieren wir uns auf elektrisch gesteu-
erte Modulatoren in Halbleiterbauelementen.
7.1 Elektrisch gesteuerte Modulatoren
7.1.1 Elektroabsorption
Die Änderung der fundamentalen Absorption eines Halbleiters wird als Elektroabsorption oder Franz-
Keldysh-Effekt bezeichnet. In einem elektrischen Feld F , das homogen in x-Richtung weisen möge,
kommt es zu einer Verkippung der Bandkanten, die in Bild 7.1 dargestellt ist. Im Bereich der Band-
lücke wird ein Elektron, das sich in einem Energieeigenzustand mit der Energie W befindet, durch
eine exponentiell abklingende Funktion ψ = u(~r) eikx mit imaginärem k beschrieben. Ein Elektron
des Valenzbandes muss durch eine dreieckförmige Barriere tunneln, um im Leitungsband zu erschei-
nen. Die Höhe der Energiebarriere ist gerade gleich der Bandlücke Wg , und die Weite ist
d = Wg /(qF ) . (7.1)
Mit zunehmender Feldstärke F nimmt die Tunnelstrecke ab.
54
7.1. Elektrisch gesteuerte Modulatoren 55
W Wc
ywc(x)
Wv
W
Wg yc0(x) Wg hw
W=0 x
x
0 0
yv(x)
yv(x)
Wc
d d'
x=0 x=0
a) b) Wv
Bild 7.1: Elektronentunneln zwischen Valenz- und Leitungsband bei anliegendem elektrischen Feld F in x-
Richtung. a) ohne Änderung der Elektronenenergie, b) mit Energieänderung durch Photonenabsorption. Die
Elektronenwellenfunktionen ψ sind schematisch mit eingetragen
Das Tunneln vom Valenzband ins Leitungsband kann durch Absorption eines Photons der Energie h̄ω
unterstützt werden. Ein Elektron, das die Strecke
d0 = (Wg − h̄ω)/(qF ) (7.2)
in die verbotene Zone hineingetunnelt ist, kann durch Absorption eines Photons in das Leitungsband
angehoben werden. Genauer gesagt bestimmt die Überlappung der Wellenfunktionen des Ausgangs-
und Endzustands die Absorptionswahrscheinlichkeit. Jedenfalls reduziert die Absorption eines Pho-
tons die effektive Barrierenweite für den Tunnelprozess.
Umgekehrt ist auch festzustellen, dass sich durch das Verkippen der Bänder die Absorptionswahr-
scheinlichkeit für Photonen mit Energien, die kleiner sind als die Bandlücke, erhöht, da sich Valenzband-
wie Leitungsbandelektronen mit einer gewissen Wahrscheinlichkeit in der verbotenen Zone aufhalten
können. Elektroabsorption lässt sich als tunnelunterstützte Photonenabsorption deuten.
Mit der charakteristischen Länge l = [h̄2 /(2me qF )]1/3 kann man den Absorptionskoeffizienten schrei-
ben als ( µ ¶3/2 ) ½ √ ¾
4 d0 4 2me (Wg − h̄ω)3/2
α ∝ exp − = exp − . (7.3)
3 l 3qF h̄
Für vorgegebene Photonenenergie h̄ω < Wg nimmt die Absorption mit wachsender Feldstärke F zu.
Man kann diese Zunahme interpretieren als Verschiebung ∆W der Absorptionskante zu kleineren
Photonenenergien. Aus dem Exponenten in (7.3) liest man ab
µ ¶2/3
1 3
∆W = (qF h̄)2/3 m−1/3
e . (7.4)
2 2
Aus (7.3) geht hervor, dass der Absorptionskoeffizient in der verbotenen Zone exponentiell anwächst.
Bild 7.2 zeigt den nach einer verfeinerten Theorie berechneten Absorptionsverlauf für vier verschie-
dene Feldstärken. Die dargestellten Kurven gelten mit guter Genauigkeit für GaAs und InP und deren
ternäre und quaternäre Derivate. Bei der Berechnung wurde ausgegangen von exakt parabolischen
56 Kapitel 7. Optoelektronische Modulatoren in Halbleitern
100
GaAs, InP
80
60 F = 600 kV
a (cm-1)
cm
kV
400 cm
40
200 kV
cm
20 100 kV
cm
0
-0.4 -0.3 -0.2 -0.1 0
hw-Wg (eV)
2.2 2 1.8 1.6 1.4 1.3

l (µm), for InGaAsP with lg = 1.3 µm
Bild 7.2: Absorptionskoeffizient als Funktion der Photonenenergie bei anliegendem äußeren Feld F . Die Kur-
ven gelten für GaAs, InP und deren ternäre oder quaternäre Derivate. Die untere Wellenlängenskala gilt für
InGaAsP mit einer Bandlückenwellenlänge von λg = 1.3 µm (nach [7.3])
Bändern ohne Feld, so dass für F = 0 gilt

½ p
const · ω −1 h̄ω − Wg für h̄ω ≥ Wg
α0 = . (7.5)
0 für h̄ω < Wg
Die für die Zeichnung zugrunde gelegten Feldstärken von 100 bis 600 kV/cm erreicht man besonders
leicht in rückwärts vorgespannten pn-Übergängen.
V Au-contact
p+-Al0.28Ga0.72As
1.3 µm
Transmission
1 µm p-Al0.19Ga0.81As
3 µm n-Al0.15Ga0.85As
3.2 µm n-Al0.19Ga0.81As
n+-GaAs
Au/Ge-contact
-5 -3 -1 0 1 2
Voltage (V)
Bild 7.3: Frontansicht eines typischen AlGaAs-Elektroabsorptionsmodulators und spannungsabhängige Trans-

mission. Der streifenbelastete Filmwellenleiter enthält einen pn-Übergang. Die transmittierte Lichtleistung (λ
= 790 nm) fällt mit zunehmender Sperrspannung ab. Die Länge des Modulators beträgt 350 µm
Bild 7.3 zeigt die Frontansicht eines streifenbelasteten Filmwellenleiters, in den ein pn-Übergang ein-
gebettet ist. Ohne angelegtes Feld passiert Licht der Wellenlänge λ = 790 nm praktisch ungedämpft
den Wellenleiter von L = 350 µm Länge. Durch Anlegen eines Feldes in Sperrichtung nimmt auf-
grund des Franz-Keldysh-Effektes die Dämpfung im Wellenleiterbereich stark zu, und die transmit-
tierte Lichtleistung sinkt, wie ebenfalls in Bild 7.3 dargestellt ist, auf wenige Prozent ab. Die Dynamik
des Modulators ist durch die elektrische RC-Zeitkonstante bestimmt. Bei kleinen Kontaktwiderstän-
den erreicht man 3 dB-Grenzfrequenzen von über 3 GHz.
7.1.2 Elektrorefraktion
Real- und Imaginärteil der Dielektrizitätskonstante hängen über die Kramers-Kronig-Relation zusam-
men. Dasselbe gilt für Änderungen der Dielektrizitätskonstante. Da die Dielektrizitätskonstante sich
in nichtmagnetischen Stoffen durch das Quadrat des komplexen Brechungsindex ausdrücken lässt,
²̃ = η̄ 2 = (n̄ − iκ̄)2 , gilt für die Änderungen (vgl. Abschnitt 6.1)
∆²̃ = ∆²0 − i∆²00 = 2η̄∆η̄ ≈ 2η̄0 (∆n̄ − i∆κ̄) = 2η̄0 ∆n̄ − iη̄0 λ∆α/(2π) . (7.6)
Wir wollen der Einfachheit halber annehmen, dass der Brechungsindex des ungestörten Systems reell
ist, η̄0 = n̄0 , und erhalten damit
Z ∞
2 h̄ω 0 ∆κ̄(h̄ω 0 )
∆n̄(h̄ω) = P 0 2 2
d(h̄ω 0 )
π 0 (h̄ω ) − (h̄ω)
Z ∞
hc ∆α(h̄ω 0 )
= P d(h̄ω 0 ) . (7.7)
2π 2 0 (h̄ω 0 )2 − (h̄ω)2
Die durch den Franz-Keldysh-Effekt hervorgerufene Änderung der Absorption zieht damit eine Än-
derung des reellen Brechungsindex nach sich, die man als Elektrorefraktion bezeichnet. Die Elektro-
refraktion lässt sich berechnen, wenn das gesamte Spektrum der Elektroabsorption bekannt ist. In der
Praxis bestimmt man
∆α(h̄ω) = α(h̄ω, F ) − α(h̄ω, F = 0) (7.8)
über einen begrenzten Bereich und extrapoliert die Werte unter vernünftigen Annahmen.
Wegen der Singularität bei ω = ω 0 ist das Integral in (7.7) numerisch schwer zu berechnen. Eine
einfache Transformation schafft Abhilfe. Man addiert und subtrahiert ∆α(h̄ω) zum Integranden und
kann schreiben
Z ∞ µ ¶
hc 1 ∆α(h̄ω 0 ) − ∆α(h̄ω)
∆n̄(h̄ω) = P d(h̄ω 0 )
2π 2 0 h̄ω 0 + h̄ω h̄ω 0 − h̄ω
Z ∞
hc d(h̄ω 0 )
+ ∆α(h̄ω) 2 P . (7.9)
2π 0 (h̄ω 0 )2 − (h̄ω)2
Der Hauptwert des zweiten Integrals verschwindet, wie sich durch Ausführen der Integration einfach
beweisen lässt. Der Integrand des ersten Integrals geht im Grenzfall ω 0 → ω gegen den Differential-
quotienten (2h̄ω)−1 d∆α(h̄ω)/d(h̄ω) und ist damit nicht mehr singulär. Das Ergebnis ist
Z ∞ µ ¶
hc 1 ∆α(h̄ω 0 ) − ∆α(h̄ω)
∆n̄(h̄ω) = 2 d(h̄ω 0 ) . (7.10)
2π 0 h̄ω 0 + h̄ω h̄ω 0 − h̄ω
Bild 7.4 zeigt berechnete Brechungsindexänderungen für dieselben Felder wie in Bild 7.2. Dargestellt
ist nur der Verlauf innerhalb der Bandlücke. Es ergibt sich ein Maximum in der Brechungsindexän-
derung, das sich mit zunehmendem Feld zu kleineren Photonenenergien verschiebt. Die beachtlichen
maximalen Brechungsindexänderungen von einigen Promille für Feldstärken von einigen 100 kV/cm
fallen allerdings in den Bereich relativ starker Absorption, wie der Vergleich mit Bild 7.2 zeigt. Sie
sind deshalb für eine Phasenmodulation nicht ohne weiteres zu nutzen. Für Photonenenergien weit
unterhalb der Bandkante wächst die Brechungsindexänderung quadratisch mit dem angelegten Feld
∆n̄(h̄ω) = const · F 2 . (7.11)

Dies ist ein Beitrag zum Kerr-Effekt. Der Wert der Konstanten nimmt mit fallender Photonenenergie
ab und liegt für GaAs und InP noch in der Größenordnung von 10−15 cm2 /V 2 ca. 400 meV unterhalb
der Bandkante.
4
GaAs, InP
3
Dn (10-3)
2 F = 600 kV
cm
400 kV
cm
1 kV
200 cm
100 kV
cm
0
-0.4 -0.3 -0.2 -0.1 0
hw - Wg (eV)
2.2 2 1.8 1.6 1.4 1.3

l (µm), for InGaAsP with lg = 1.3 µm
Bild 7.4: Änderung des Brechungsindex durch Elektrorefraktion. Die Parameter sind dieselben wie in Bild 7.2
7.1.3 Ladungsträgerinjektion
In einer einführenden Vorlesung wurde bereits der Einfluss freier Ladungsträger auf den Brechungs-
index und den Absorptionskoeffizienten beschrieben. Injektion freier Ladungsträger in einen Wellen-
leiter über einen pn-Übergang lässt sich zur Lichtmodulation nutzen. Im Prinzip sind Phasen- oder
Amplitudenmodulatoren möglich. Betreibt man die Diode in Vorwärtsrichtung, kann man innerhalb
der Sperrschicht durchaus Dichteänderungen von ∆n = 1 · 1018 cm−3 erzielen. Die zugehörige Bre-
chungsindexänderung ist durch
λ2 q 2 ∆n
∆n̄ = − 2 2 (7.12)
8π ²0 c n̄me
gegeben und liegt für λ = 1.5 µm etwa bei ∆n̄ = −4 · 10−3 . Die Absorptionsänderung ist
λ2 q 2 ∆n
∆α = . (7.13)
4π 2 ²0 c3 n̄τin me
2Q
V
Diode region
p-InP InGaAsP
(lg = 1.2 µm)
n+-InP
p-InP Au/Zn p+-InGaAs

cover contact
layer SiO2 mask
~ 1 µm
InGaAsP
n+-InP substrate (n = 1 1016 cm-3)
Au/Ge
Bild 7.5: InGaAsP-Richtkopplermodulator. Ladungsträgerinjektion auf einer Seite des Koppelbereichs dient
zum Umschalten
Sie ist meistens bei Wellenleiterlängen von wenigen hundert Mikrometern zu vernachlässigen.
Phasenänderungen durch den Plasmaeffekt lassen sich zum Beispiel für Richtkopplermodulatoren
nutzen. Bild 7.5 zeigt eine Rippenwellenleiterstruktur aus InGaAsP (λg = 1.2 µm) auf n+ -InP-
Substrat. Im Wechselwirkungsbereich ist auf einer Seite eine p–InP-Deckschicht mit einer p+ -InGaAs-
Kontaktierschicht selektiv aufgewachsen, die zur Ladungsträgerinjektion dient. AuZn bzw. AuGe bil-
den die p– bzw. n–seitigen Kontakte. Der Öffnungswinkel 2θ der Kopplerarme beträgt 3◦ , die Wech-
selwirkungslänge ca. 1 mm. Die Breite der Rippenwellenleiter ist etwa 10 µm. Nur die Grundmode
wird geführt. Der Rippenwellenleiter ist mit einem SiO2 -Film überzogen, der als Maske für das se-
lektive Wachstum genutzt wird. Durch Ladungsträgerinjektion kann der Richtkoppler umgeschaltet
werden. Betriebswellenlänge ist λ = 1.5 µm.
7.1.4 Sperrschichtweitenmodulation
Wir untersuchen nach Bild 7.6 einen invertierten Rippenwellenleiter von ca. 0.2 µm Dicke aus In-
GaAsP mit einer Bandlückenwellenlänge λg = 1.25 µm und einer Trägerdichte n = 1·1016 cm−3 , der
sich in der Nähe eines pn-Übergangs befindet. Durch selektive Zn-Diffusion in die InP-Deckschicht
wird der pn-Übergang so dicht an die InGaAsP-Schicht herangebracht, dass sich bei Anlegen einer
Sperrspannung die Raumladungszone in den Wellenleiterbereich erstreckt. Durch die Ausdehnung
der Raumladungszone ändert sich die Trägerdichte aber auch die elektrische Feldstärke im Wellen-
leiter. Geführtes Licht erfährt eine Amplituden- und Phasenänderung. Ursache für Absorptionsände-
rungen sind Ladungsträgereffekte und zusätzlich in der Nähe der Bandkante Elektroabsorption und
Auffüllung des Leitungsbandes. Letztere wird im folgenden Abschnitt noch genauer untersucht. Bei
Betriebswellenlängen λ, die etwas größer sind als die Bandlückenwellenlänge λg , z.B. λ = 1.5 µm
bei λg = 1.25 µm, kann man für Modulatorlängen von wenigen hundert Mikrometern Absorptionsän-
derungen durch Sperrschichtweitenmodulation vernachlässigen. Allerdings treten Phasenänderungen
auf. Ursache hierfür ist die Überlagerung von vier Einzelbeiträgen, nämlich dem linearen elektroopti-
schen Effekt, der Elektrorefraktion, der freien Ladungsträgerdispersion und den dispersiven Effekten
durch Bandauffüllung.
Der lineare elektrooptische Effekt wurde in Kap. 6 bereits ausführlich behandelt. Die Brechungsin-
dexänderung ist polarisationsabhängig. In der Geometrie des Bildes 7.6 tritt für TM-Wellen keine
Phasenverschiebung auf, die Brechungsindexänderung für TE-Wellen ist dagegen durch
∆n̄ = n̄3 r41 F/2 (7.14)
gegeben. Der elektrooptische Modul r41 ist im interessierenden Bereich zwischen λ = 1 µm undλ =
1.6 µm nahezu wellenlängenunabhängig. Eine schwache spektrale Abhängigkeit ergibt sich nur durch
die Zunahme des Brechungsindex n̄ in der Nähe der Bandkante. Mit n̄ = 3.42 für λ = 1.5 µm und
r41 = 1.3 · 10−12 m/V erhält man beispielsweise ∆n̄ = 5 · 10−4 bei der Feldstärke F = 200 kV/cm.
p-Electrode (Ti/Au) [100]

[011]
Selective
Zn diffusion [011]
(p+-InP)
n--InP (2 µm)
InGaAsP
(~
~ 0.2 µm
lg = 1.25 µm)
n-InP
5 µm
n+-InP substrate n-Electrode (Ti/Au)
Bild 7.6: InGaAsP-InP-Sperrschichtweiten-Phasenmodulator
Der Einfluss freier Ladungsträger, die bei Ausweitung der Sperrschicht aus dem Wellenleiter entfernt
werden, auf die Brechungsindexänderung ist durch (7.12) gegeben. Die maximale Dichteänderung ist
bei nichtkompensiertem Material praktisch durch die Trägerdichte der InGaAsP-Wellenleiterschicht
von n = 1 · 1016 cm−3 gegeben. Die Brechungsindexänderung bleibt damit für λ = 1.5 µm unter
∆n̄ = 10−4 . Sie ist polarisationsunabhängig.
Der Beitrag der Elektrorefraktion ist aus Bild 7.4 abzulesen. Er ist polarisationsunabhängig, aber
stark wellenlängenabhängig. Er erreicht Werte von ∆n̄ = 1 · 10−3 für Feldstärken F = 200 kV/cm
bei Betriebswellenlängen von λ = 1.5 µm und Bandlückenwellenlängen von λg = 1.3 µm. Dispersive
Effekte durch Bandauffüllung sind ebenfalls polarisationsunabhängig und nur in der Nähe der Band-
lückenwellenlänge wirksam. Bei Ausdehnung der Sperrschicht handelt es sich um eine Abnahme der
Bandauffüllung. Bei einer Trägerdichte von n = 1 · 1016 cm−3 im Wellenleiterbereich bleibt der Bei-
trag allerdings klein, da sich die Besetzung des Leitungsbandes bei Betrieb in Sperrichtung maximal
um den Wert der Dotierung ändern kann.
In einem Sperrschichtweiten-Phasenmodulator wählt man die Orientierung des Wellenleiters und des
externen Feldes so, dass sich alle Beiträge zur Brechungsindexänderung additiv überlagern. Bild 7.7
zeigt die Phasenverschiebung bei λ = 1.53 µm Wellenlänge für einen Modulator nach Bild 7.6 als
Funktion der angelegten Spannung. Der Unterschied zwischen TE- und TM-Polarisation ist durch den
Beitrag des linearen elektrooptischen Effektes zu erklären. Die Elektrorefraktion ist überwiegend für
die Phasenverschiebung der TM-Welle verantwortlich. Bei einer Modulatorlänge von L = 360 µm
erreicht man für TE-Wellen eine Phasenverschiebung ∆ϕ = 2π∆n̄L/λ von π bei Sperrspannungen
von 25 V. Die Brechungsindexänderung beträgt in diesem Fall etwa ∆n̄ = 2 · 10−3 . Durch höhe-
re Dotierung im Wellenleiter lässt sich die Betriebsspannung vermindern. Da Plasmadispersion und
Bandauffüllung nur eine untergeordnete Rolle spielen, ist die Dynamik des Modulators im wesentli-
chen durch die elektrische RC-Zeitkonstante bestimmt.
180 L = 360 µm
l = 1.53 µm TE
Dj (Degree)
135
90
TM
45
0
0 5 10 15 20 25
Reverse voltage (V)
Bild 7.7: Phasenverschiebung ∆ϕ als Funktion der Sperrspannung in einem InGaAsP-Sperrschichtweiten-

Phasenmodulator der Länge L = 360 µm nach Bild 7.6. Die Bandlückenwellenlänge ist λg = 1.25 µm, die
Betriebswellenlänge λ = 1.53 µm
Kapitel 8
Richtkoppler
8.1 Allgemeine Eigenschaften
Richtkoppler bestehen aus eng benachbarten Wellenleitern, zwischen denen über das evaneszente Feld
ein Energieaustausch der beiden Teilwellen stattfinden kann. Bild 8.1 veranschaulicht die Kopplung
der Moden.
n
n z
n1
z1 n z2 n2
z3
Bild 8.1: Kopplung der Moden in zwei eng benachbarten dielektrischen Wellenleitern
Es zeigt sich, dass wie bei gekoppelten Pendeln ein periodischer Energieaustausch zwischen den bei-
den Moden stattfindet. Dementsprechend können Richtkoppler als Leistungsteiler eingesetzt werden.
Wenn zusätzlich die Brechzahl eines der beiden Wellenleiter zum Beispiel durch den elektrooptischen
Effekt verändert werden kann, gelingt die Modulation oder Schaltung von Lichtsignalen. Die theo-
retischen Beschreibung von Richtkopplern beruht auf der Theorie gekoppelter Moden, die aus dem
Variationstheorem abzuleiten ist. Wir beschränken uns auf die Beschreibung der Ausbreitungsphäno-
mene, ohne zu sehr in die Tiefe der Theorie einzudringen.
Bild 8.2 zeigt die allgemeine Anordnung eines Richtkopplers in Aufsicht. Über die Kopplungslänge
L werden die beiden Wellenleiter in engen Kontakt gebracht, so dass die evaneszenten Felder effek-
tiv überlappen. Ein typischer Wert für den Abstand ist s = 3 µm. Außerhalb des Kopplungsbereichs
62
8.2. Theoretisches Modell 63
laufen die Wellenleiter auseinander. Wenn beide Wellenleiter dieselbe Ausbreitungskonstante besit-
zen und Licht in einen Wellenleiter a eingekoppelt wird, geht die gesamte Lichtleistung nach der
Transferlänge Lc = π/(2κ) vollständig in den anderen Wellenleiter b über. Die Kopplungskonstante
κ nimmt gewöhnlich exponentiell mit dem Abstand s ab.
x z
da
na y
A0 AL
a
nb s
B0 BL
b L db
z=0 z=L
Bild 8.2: Anordnung der Wellenleiter in einem Richtkoppler
8.2 Theoretisches Modell
na
Dna
ns
a
nb y
ns Dnb
b
y
nc
s
ns
db da
y
Bild 8.3: Brechzahlprofil n̄c (x, y) im Koppelbereich als Überlagerung der Brechzahlprofile n̄a (x, y) und
n̄b (x, y) der ungestörten Wellenleiter. Angedeutet sind auch transversale Modenprofile in den ungestörten Wel-
lenleitern
Wir betrachten die beiden Wellenleiter a und b im Koppelbereich. Wie in Bild 8.3 dargestellt, setzt sich
das Brechzahlprofil n̄c (x, y) additiv aus den Brechzahlprofilen der beiden Einzelwellenleiter n̄a =
n̄s + ∆n̄a (x, y) und n̄b = n̄s + ∆n̄b (x, y) zusammen. Es gilt
n̄c (x, y) = n̄s + ∆n̄c (x, y) = n̄s + ∆n̄a (x, y) + ∆n̄b (x, y) , (8.1)
wobei n̄s die konstante Brechzahl der Umgebung bezeichnet. Offenbar ist ∆n̄b (x, y) eine Störung für
den Wellenleiter a und ∆n̄a (x, y) eine Störung für den Wellenleiter b. Für die Ausbreitung eine Mode
m im ungestörten Wellenleiter a kann man
(a)
© ª
Em (x, y, z) = Am u(a) (a)
m (x, y) exp −iβm z (8.2)
64 Kapitel 8. Richtkoppler
(a) (a)
schreiben, wobei um (x, y) die normierte Modenfeldverteilung und βm die Ausbreitungskonstante
sind. Ohne Störung ist die Feldamplitude Am konstant, d.h. unabhängig von der z-Koordinate. Ent-
sprechend gilt für den Wellenleiter b
© ª
Eµ(b) (x, y, z) = Bµ u(b) (b)
µ (x, y) exp −iβµ z . (8.3)
Aufgrund der Störung durch den zweiten Wellenleiter werden sich die Ausbreitungskonstanten der
Moden in beiden Wellenleitern geringfügig ändern, denn die Moden „sehen“ ja ein verändertes Brech-
zahlprofil. Die Störung des Wellenleiters a, hervorgerufen durch den Wellenleiter b, wird erfasst durch
die Variation
∆εa (x, y) = n̄2c (x, y) − ∆n̄2a (x, y) (8.4)
der relativen Dielektrizitätskonstante. Nach dem Variationstheorem gilt für die Änderung der Aus-
breitungskonstante
Z∞Z
(a) 2πε0 c0
δβm = ∆εa (x, y)|u(a) 2
m (x, y)| dx dy , (8.5)
λ0
−∞
wobei die Wichtung der Störung ∆εa (x, y) mit dem Modenintensitätsprofil maßgeblich eingeht, denn
(a) (a)
Im (x, y) ∝ |um (x, y)|2 . Ganz entsprechend gilt für den Wellenleiter b
∆εb (x, y) = n̄2c (x, y) − ∆n̄2b (x, y) (8.6)
und
Z∞Z
2πε0 c0
δβµ(b) = ∆εb (x, y)|u(b) 2
µ (x, y)| dx dy . (8.7)
λ0
−∞
Es stellt sich heraus, dass die Wechselwirkung der beiden Wellenleiter noch zu einer weiteren Kor-
rektur der Ausbreitungskonstanten führt. Entscheidend ist dabei die Phasenabweichung der beiden
betrachteten Moden
2δ = βµ(b) + δβµ(b) − βm
(a) (a)
− δβm . (8.8)
In den gestörten Wellenleitern wird demnach die Modenausbreitung mit den Ausbreitungskonstanten
(a) (a) (a)
β̄m = βm + δβm −δ (8.9)
und
β̄µ(b) = βµ(b) + δβµ(b) + δ (8.10)
erfolgen. Außerdem werden sich aufgrund der Wechselwirkung die komplexen Amplituden der Mo-
den entlang der z-Achse ändern, so dass wir Am = Am (z) und Bµ = Bµ (z) mit (relativ) langsam
mit z veränderlichen Funktionen ansetzen müssen. Die Beziehungen (8.2) und (8.3) gehen durch die
Kopplung über in © ª
(a)
Em (x, y, z) = Am (z)u(a)
m (x, y) exp −iβ̄ (a)
m z (8.11)
und © ª
Eµ(b) (x, y, z) = Bµ (z)u(b)
µ (x, y) exp −i β̄µ
(b)
z . (8.12)
Im folgenden werden wir Differentialgleichungen für die Amplitudenverläufe der Moden Am (z) und
Bµ (z) angeben.
8.3. Differentialgleichungen für die z-Abhängigkeiten der Modenamplituden 65
8.3 Differentialgleichungen für die z-Abhängigkeiten der Moden-

amplituden
(a)
Verantwortlich für die Wechselwirkung sind der Überlapp der Modenfeldverteilungen um (x, y) und
(b)
uµ (x, y) und die Störungsprofile ∆εa (x, y) und ∆εb (x, y). Nehmen wir an, Licht werde nur in den
Wellenleiter a eingekoppelt. Das evaneszente Feld der Mode Am regt im Wellenleiter B die Mode
Bµ an. Leistung, die dem Wellenleiter a verloren geht, taucht im Wellenleiter b auf. Ein Maß für die
Stärke des Energietransfers sind die sogenannten Koppelkoeffizienten
Z∞Z
2πε0 c0
κab = ∆εb (x, y) · u(b) (a)∗
µ (x, y) · um (x, y) dx dy (8.13)
λ0
−∞
und
Z∞Z
2πε0 c0
κba = ∆εa (x, y) · u(a) (b)∗
m (x, y) · uµ (x, y) dx dy . (8.14)
λ0
−∞
Außerdem hat die Phasendifferenz δ der beiden Moden einen entscheidenden Einfluss. Letztendlich
ergibt sich ein System gekoppelter Differentialgleichungen für die Amplituden Am (z) und Bµ (z). Es
resultiert ein DGL-System
dAm (z)
− iδ · Am (z) = −iκab · Bµ (z) , (8.15)
dz
dBµ (z)
+ iδ · Bµ (z) = −iκba · Am (z) (8.16)
dz
mit konstanten Koeffizienten. Im Falle der Phasenanpassung der beiden Moden, also δ = 0, hat man
eine einfache Interpretation. Der Koppelkoeffizient κab bestimmt die Änderung der Amplitude Am
unter der Einwirkung von Bµ , und entsprechend definiert κba das Maß der Änderung von Bµ unter
der Wirkung von Am . Die Modenleistungen in den beiden Wellenleitern sind wie gewohnt durch
Pm(a) (z) = |Am (z)|2 (8.17)
und
Pµ(b) (z) = |Bµ (z)|2 (8.18)
gegeben.
8.4 Amplitudenverläufe in symmetrischen Richtkopplern
Wenn die Wellenleiter a und b des Richtkopplers die gleiche Form besitzen, so gilt
κab = κba = κ . (8.19)
Bei Gleichheit der Koppelkoeffizienten spricht man von symmetrischen Richtkopplern.

Wir nehmen an, dass Licht nur in einen Arm des Richtkopplers einfällt. Die Anfangsbedingung zur
Lösung des Differentialgleichungssystems (8.15), (8.16) lautet damit
Am (z = 0) = A0 , Bµ (z = 0) = B0 = 0 , (8.20)
und die Lösungen selbst haben für reelles κ die Form

√ iδ √
Am (z) = A0 cos (z κ2 + δ 2 ) + √ A0 sin (z κ2 + δ 2 ) , (8.21)
κ2 + δ 2
κ √
Bµ (z) = −iA0 √ sin (z κ2 + δ 2 ) . (8.22)
κ + δ2
2
Dementsprechend ist die Leistung in den Richtkopplerarmen

√ δ2 √
Pm(a) (z) = |Am (z)|2 = |A0 |2 cos2 (z κ2 + δ 2 ) + |A0 |2 sin 2
(z κ2 + δ 2 ) , (8.23)
κ2 + δ 2
κ2 √
Pµ(b) (z) = |Bµ (z)|2 = |A0 |2 sin 2
(z κ2 + δ 2 ) . (8.24)
κ2 + δ 2
Die Gesamtleistung ist konstant und unabhängig von z,
Pm(a) (z) + Pµ(b) (z) = |A0 |2 = const , (8.25)
d.h. der Koppler ist verlustfrei.

Bild 8.4 zeigt die z-Abhängigkeit der Modenleistungen. Offenbar erfolgt ein sinusförmiger Austausch
der Energie entlang der z-Achse. Für verschwindende Phasenabweichung δ = 0 ist der Energieaus-
tausch vollständig.
P1(0) P 1 (z )
P 2 (z )
0 z
0
Bild 8.4: Periodischer Leistungsaustausch zwischen den Richtkopplerarmen a und b
Die Periode des Energieaustausches, also die Koppelperiode ist

π
Λc = √ . (8.26)
κ2 + δ 2
Die maximale Leistung im Zweig b, in den nicht eingekoppelt wurde, ist
κ2 |A0 |2
Pµ(b)max = . (8.27)
κ2 + δ 2
8.5. Beispiel eines Rippenwellenleiterkopplers 67
P1(0) P 1 (z )
P 2 (z )
0 z
0 L
Bild 8.5: Vollständiger Leistungsaustausch in phasenangepassten Richtkopplern mit δ = 0
Sie wird mit wachsender Phasenabweichung δ immer geringer.

Von besonderem Interesse ist der Fall der verschwindenden Phasenfeldanpassung δ = 0, der in Bild
8.5 dargestellt ist.
Die Koppellänge ist
π
Lc =
. (8.28)
2κ
Nach der halben Koppellänge z = Lc /2 = π/(4κ) wirkt der Richtkoppler als Leistungsteiler mit
|A0 |2
Pm(a) (z = Lc /2) = ,
2
|A0 |2
Pµ(b) (z = Lc /2) = . (8.29)
2
Wie bei einem 50 % zu 50 %–Strahlteiler gibt es eine Phasenverschiebung von 90◦ zwischen den
beiden Kanälen, die sich durch
A0
Am (z = Lc /2) = √ ,
2
−iA0
Bµ (z = Lc /2) = √ (8.30)
2
ausdrückt. Überkopplung und Leistungsteilung sind in Bild 8.6 anschaulich dargestellt.
P P
Lc Lc/2
P/2
P P/2
Bild 8.6: Überkopplung bzw. Transfer für Kopplerlängen z = Lc und Leistungsteilung für Kopplerlängen
z = Lc /2
8.5 Beispiel eines Rippenwellenleiterkopplers

Bild 8.7 zeigt einen Rippenwellenleiterkoppler im AlGaAs-GaAs-Materialsystem. Zugehöriger Brechzahl-
und Feldverlauf sind in Bild 8.8 dargestellt. Die Berechnung des Koppelkoeffizienten erfolgt gemäß
s = 3µm
d = 3µm d = 3µm
Oxide Dh = 0.07µm
GaAs h = 0.7µm
Al0.1Ga0.9As 7µm
x
GaAs substrate z y
+
Bild 8.7: Querschnitt eines Rippenwellenleiter-Richtkopplers im AlGaAs-GaAs Materialsystem
Formel (8.13) bzw. (8.14). Das Ergebnis ist

√ √ ½ ¾
2 2 n̄f − n̄s p s + d/2
κ= √ exp −2π 2n̄f (n̄f − n̄s ) , (8.31)
n̄f d λ
wobei die Bezeichnungen aus Bild 8.8 zu entnehmen sind. Für λ = 1 µm, n̄f = 3.5, s = d = 3 µm
und ∆n̄ = n̄f − n̄s = 5 · 10−3 bekommt man κ ≈ 2 cm−1 . Die Koppellänge ist damit Lc ≈ 0.8 cm.
Schwächere Führung, d.h. kleineres ∆n̄ oder kleinere Abmessungen d bzw. s führen zu kürzeren
Koppellängen.
Waveguide a Waveguide b
n
nf
ns
y
Ex Ex
Ef Ef
Es
y=0 d/2 y
d s d
Bild 8.8: Brechzahlverlauf und Feldverteilung in einem Richtkoppler
8.6 Rippenwellenleiterschalter durch Einstellung der

Phasenfehlanpassung
Wir betrachten einen angepassten (δ = 0) Richtkoppler der festen Länge Lc = π/(2κ), bei dem die
einfallende Welle vollständig übergekoppelt wird. Durch Anlegen eines elektrischen Feldes V /d lässt
sich die Phasenfehlanpassung steuern, wie in Bild 8.9 angedeutet.
8.6. Rippenwellenleiterschalter durch Einstellung der Phasenfehlanpassung 69
V+
V- With field
Without field
Electrodes
L x
Input light z
y
Bild 8.9: Elektrisch gesteuerte Richtkoppler der Länge Lc = π/(2κ) als Modulator. Über den Leitern liegen
Elektroden
Man bekommt
2π 2π 1 3 V
∆n̄eff ≈ 2δ ≈
n̄ r , (8.32)
λ0 λ0 2 d
wobei wir eine Brechzahlsteuerung durch den linearen elektrooptischen Effekt angenommen haben.
Für feste Länge z = Lc = π/(2κ) ist das Leistungstransfer-Verhältnis T = |Bµ (z = Lc )/Am (z =
0)|2 durch die in Bild 8.10 gezeichnete Funktion
 s 
2
µ ¶2
π 1 2δLc 
T = si2 π 1+ (8.33)
4 2 π
gegeben.
1
Power transfer ratio T
0 ¾
0 Ö3p
Phase mismatch 2dLc
Bild 8.10: Leistungstransfer-Verhältnis in Abhängigkeit der Phasenfehlanpassung 2δ bei einem Richtkoppler

der Länge Lc = π/(2κ)
Die übergekoppelte Leistung nimmt mit zunehmender Phasenfehlanpassung 2δ gemäß einer si-Funktion
(= sin x/x) ab. Die erste Nullstelle dieser Funktion liegt bei
√
2δ = 3π/Lc , (8.34)
und für diese Verstimmung wird überhaupt keine Leistung mehr übergekoppelt. Durch Anlegen einer
entsprechenden Spannung Lässt sich also das Licht von einem Arm auf den anderen umschalten. Bild
8.11 veranschaulicht schließlich schematisch, wie Fasern an den Richtkoppler angeschlossen werden
können.
P1(0)
Fibers
L
d
P2(L)
Bild 8.11: Ein faserintegrierter elektrooptisch gesteuerter Richtkoppler

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Bauelemente der Optoelektronik

Wellenoptik, optische Wellenleiter

DVI/PDF erzeugt am 1. Juli 2004

[3] W. Glaser, Photonik für Ingenieure. Berlin: Verlag Technik, 1997.

[4] A. Papoulis, Signal Analysis (3rd printing). Auckland: McGraw-Hill, 1987.

1 Licht und Photonen 1

3 Paraxiale Wellen und Gaußstrahl 14

4 Einfache optische Wellenleiter 23

7 Optoelektronische Modulatoren in Halbleitern 54

Licht und Photonen

1.1 Lichtbrechung und Fermatsches Prinzip

1.2 Lichtbeugung am Gitter und Auflösungsgrenze

für konstruktive Interferenz gegeben sind.

1.3 Strahlung eines glühenden Körpers

Bild 1.4: Stehwellenresonanzen in einem Würfel mit ideal reflektierenden Wänden

k = n̄ω/c , dk = (n̄/c) dω , (1.13)

2.1 Wellengleichung und Helmholtzgleichung

Ẽ(x, y, z, t) = E(x, y, z) ei2πνt = E(x, y, z) eiωt (2.2)

ergibt sich die Helmholtzgleichung

I(x, y, z) = cn̄ε0 |E|2 (2.4)

2.2 Elementare Lösungen der Helmholtzgleichung

E(~r) = A exp{−i(~k · ~r)} = A exp{−i(kx x + ky y + kz z)} (2.5)

Bild 2.1: Veranschaulichung einer ebenen Welle

Spherical Paraboloidal Planar

2.3 Einfache optische Komponenten

k~1 · ~r = k~2 · ~r = k~3 · ~r ∀ (x, y, 0) (2.13)

die komplexe Amplitudentransmission

Die Phasenverzögerung durch die Platte resultiert in der Amplitudentransmission (d = d0 ) t(x, y) =

Bild 2.6: Transparente Platte variabler Dicke

Die resultierende Phasenverschiebung führt auf die Transmission

Die Amplitudentransmission ist

Für achsennahe Strahlen x2 + y 2 ¿ R2 gilt die Näherung

2.4 Abbildung durch eine dünne Linse

Bild 2.9: Transformation von Wellenfronten durch Linsen

Paraxiale Wellen und Gaußstrahl

3.1 Paraxiale Helmholtzgleichung

Damit die Welle

+ (−ik)2 A(~r) e−ikz + k 2 A(~r) e−ikz = Gleichung (3.3)

und dem Strahlradius in der Strahltaille bei z = 0

Bild 3.2: Der Gauß-Strahl

Aus (3.8-3.10) folgt

bestimmt werden. Der Abstand zur Strahltaille resultiert aus

3.3 Eigenschaften des Gauß-Strahls: Intensität

Bild 3.3: Intensität des Gauß-Strahls

3.4 Eigenschaften des Gauß-Strahls: Divergenz

Bild 3.4: Fokustiefe des Gauß-Strahls

Auf der Strahlachse ρ = 0 setzt sich die Phase

Bild 3.5: Phase des Gauß-Strahls

Bild 3.6: Phasenfronten

Bild 3.7: Verlauf von R(z)

3.5 Transmission durch eine dünne Linse

Bild 3.8: Gauß-Strahl durch Linse

w0 (z) = w(z) . (3.30)

und die neue Taille befindet sich im Abstand z 0 = −z2

Taillenradius w00 = M w0 , (3.33)

Offenbar spielt der Vergrößerungsfaktor M eine dominierende Rolle.

und der Taillenradius ist

Einfache optische Wellenleiter

Optische Wellenleiter haben eine überragende Bedeutung in der hochbitratigen Informationsübertra-

4.1 Planare Spiegelwellenleiter

k~1 = (kx , 0, kz ) = (k sin θ, 0, k cos θ) = (k sin θ, 0, β) , (4.3)

E(x, y, z) = A(x, y) exp {−iβz} (4.4)

4.2 Modenleistungen und Modenüberlagerungen

Bild 4.4: Transversale Feldverteilung der Moden