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Électrotechnique

Résumé de théorie

Première Année
Programme de département génie électrique

TAOUSSI Mohammed
mohammed.taoussi2@usmba.ac.ma
Résumé de Théorie Électrotechnique

Chapitre 01 : Les composants semi-conducteurs de puissance


1. Introduction
L'électronique de puissance concerne les dispositifs (convertisseurs) permettant de
changer la forme de l'énergie électrique. L’électronique de puissance utilise des
composants semi-conducteurs pour réaliser les fonctions de commutation (interrupteurs)
chargées d’adapter les tensions et les courants issus d’un réseau de distribution pour
satisfaire les besoins de la charge à alimenter.
2. Diode
La diode (du grec di deux, double ; odos voie, chemin) est un composant électronique non-
linéaire et polarisé (ou non-symétrique). Le sens de branchement de la diode a donc une
importance sur le fonctionnement du circuit électronique. C'est un dipôle qui ne laisse
passer le courant électrique que dans un sens. Ce dipôle est appelé diode de redressement
lorsqu'il est utilisé pour réaliser les redresseurs qui permettent de transformer le courant
alternatif en courant unidirectionnel.

2.1. Présentation
La diode est un dipôle à semi-conducteur (jonction PN). Les 2 bornes sont repérées anode «
A » et cathode « K ».

La bague indique la cathode

- Une diode est un élément ayant la propriété d’être conducteur pour un certain sens du
courant et non conducteur pour l’autre sens.
- La flèche de la diode dans le symbole indique le sens que peut prendre le courant
conventionnel en direct.
- La construction d'une diode est la juxtaposition de matériaux semi-conducteurs de types
N et P auxquels on a raccordé des broches. Une diode ne laisse passer le courant que dans
un seul sens.
Symbole 1N4004 Zener Schottky DEL ou LED

2.2. Principe de fonctionnement


La diode est un composant dit de commutation qui possède 2 régimes de fonctionnement :
Diode passante (ON) : tension VAK = 0 pour Diode bloquée (OFF) : courant IAK = 0 pour
IAK > 0 VAK < 0

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Polarisation de la diode en sens direct Polarisation de la diode en sens indirect

- La diode D passante La diode D bloquée


- Loi des mailles : Valim – VD – VR = 0  Aucun courant ne circule : I = 0
VR = Valim – VD
I = (Valim – VD)/R

2.3. Caractéristiques
Le tableau suivant montre 4 caractéristiques de ID = f(VD).
Modèle Caractéristiques Schéma Utilisation
équivalent
Réel Ne s'utilise que pour
déterminer le point de
fonctionnement d'un
montage.

Semi réel D passante Pour l'étude dynamique


des petits signaux.

VD = Vseuil + RD.ID

Classique D passante Pour calculer


simplement les courants
et tensions dans une
maille.
VD = Vseuil
Vseuil ≈ 0,6V

Idéal D bloquée : ID = 0 Modèle le plus simple à


utiliser.
VD ≤ 0 : D bloquée ID = 0
VD = 0 : D passante ID ≠ 0
D passante : VD = 0

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2.4. Zone de claquage


Si la tension inverse (tension -VD)
aux bornes de la diode devient IFmax
trop importante, il y a un risque de
destruction de la diode par URmax
échauffement de la jonction PN.
Les constructeurs précisent la
tension de claquage inverse ; elle UFmax
correspond à la tension maximum
que peut supporter une diode en
polarisation inverse.

- IFmax : Courant direct maximale que peut supporter la diode.


- UFmax : Tension direct maximale que peut supporter la diode.
- URmax : Tension inverse maximale que peut supporter la diode.

2.5. Critères de choix d’une diode


Avant tout dimensionnement en vue de choisir les composants, on se base sur les valeurs
extrêmes de ces grandeurs qui sont prises en considération :
➢ La tension inverse de VAK à l’état bloqué ;
➢ Le courant moyen de IAK à l’état passant ;

2.6. Test des diodes


Pour tester une diode, il vous faut un "multimètre" avec une position de mesure des diodes.
Une diode "laisse passer" le courant dans un seul sens.

En résume :

Une diode se comporte comme un interrupteur automatique qui se ferme dès que VAK > 0 et
qui s'ouvre dès que IAK = 0.
- Il est fermé tant que le courant qui le traverse est positif (Diode passante, tension
anode cathode = 0 pour VAK > 0).
- Il est ouvert tant que la tension à ses bornes est négative (Diode bloquée, courant
anode cathode = 0 pour VAK < 0).

Application :

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2.7. Autres diodes


Diodes Présentation Symboles
Cette diode est utilisée en haute fréquence. Les
Diode Schottky constructeurs précisent généralement la
fréquence maximale d’utilisation. La tension de
seuil moins importante et temps de
commutation plus rapide.
Dans le sens direct (VD et ID positifs) cette
Diode Zener diode présente la même caractéristique qu’une
autre diode. Elle s’utilise dans la polarisation
inverse où les notations changent et
deviennent : VKA = -VD et IZ = -ID. Dans ce sens,
cette diode ne présente pas de zone de
claquage, Si VKA < VZ, alors IZ = 0 (interrupteur
ouvert). Sinon VKA = VZ, quel que soit le courant
IZ le traversant. (Vz : tension ZENER)
La LED (Light-emitting Diode)
LED (en français : DEL : diode électroluminescente
est un dipôle jonction PN, qui lorsqu’il est
polarisé en direct, émet une lumière de couleur
précise (rouge,
vert, jaune, … ).
La patte la plus
courte indique la cathode

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3. Transistor bipolaire
Un transistor est un dispositif électronique à base de semi-conducteur. Son principe de
fonctionnement est basé sur deux jonctions PN, l'une en direct et l'autre en inverse. La
polarisation de la jonction PN inverse par un faible courant électrique (parfois appelé effet
transistor) permet de « commander » un courant beaucoup plus important, suivant le
principe de l'amplification de courant. Il existe aussi toutes sortes de boîtiers différents
pour les transistors, suivant son emploi et la puissance qu'il devra dissiper.

3.1. Présentation
Un transistor est constitué de 2 jonctions PN (ou diodes) montées en sens inverse. Selon le
sens de montage de ces diodes on obtient 2 types de transistors (E : L’émetteur B : la base
C : le collecteur) :
Transistor NPN PNP
Construction

La base, zone de type P, est La base, zone de type N, est


située entre deux zones de située entre deux zones de
type N. type P.
Symbole

Remarques :
L'émetteur est toujours repéré par une flèche qui indique le sens du courant dans la
jonction entre base et émetteur. C'est l'effet transistor qui permet à la diode qui est en
inverse de conduire quand une tension est appliquée sur la base. La flèche qui symbolise
l'émetteur pointe dans le sens du courant conventionnel.
3.2. Principe de fonctionnement
Le transistor possède deux types de fonctionnement :

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a- Le fonctionnement linéaire est plutôt utilisé en amplification de signaux.


C’est le fait de véhiculer un fort courant collecteur (IC) à partir d’un faible courant de base
(IB) (IC >> IB). On dit que le transistor est un amplificateur statique de courant. En effet, IC
est un courant qui est IB multiplié par un facteur, ß, tel que : IC = ß x IB
Avec : ß : Gain en courant du transistor.

IE = IC + IB VCE = VCB + VBE IC = ß x IB


Exemple :

9,9mA

1A

Cerveau Muscles ß=100
(ampli.op.) (Transistor)

b- Le mode en commutation (ou non linéaire) est employé en électronique de


puissance (électrotechnique).
Transistor bloqué (B) ou OFF Transistor saturé (S) ou ON

En annulant le courant IB de commande, ce Le courant IB est tel que le transistor impose


qui induit un courant de collecteur nul (Ic = une tension (VCE = 0) nulle tandis que le
0) et une tension (VCE ≠ 0) non fixée. courant (IC≠0) atteint une valeur limite dite
L’équivalent est un interrupteur ouvert de saturation, ICsat.
entre le collecteur et l’émetteur. L’équivalent est un interrupteur fermé
3.3. Caractéristiques statiques
En fonction des grandeurs électriques principales du transistor, on peut établir les
caractéristiques statiques suivantes :

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3.4. Critères de choix d’un transistor


Après avoir établi les chronogrammes de fonctionnement (VCE et iC), on calcule les valeurs
extrêmes prises par :
➢ La tension VCE (à l’état bloqué) ;
➢ Le courant max IC (à l’état saturé).
Exemple : Vcmd = 5 v Vcmd = 0 v

Vcmd

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4. Transistor à effet de champ (FET)


4.1. Présentation
FET = Source de courant commandée en tension. La principale différence entre un
transistor bipolaire et un transistor à effet de champ, est que le premier est contrôlé par un
courant et que le deuxième est contrôlé par une tension. Il existe 2 types de transistor à
effet de champ :
➢ Les transistors à jonctions (JFET : Junction Field Effect Transistor).
➢ Les transistors à grille isolée (MOSFET : Metal Oxyde Semiconductor).
Définition Le J.FET est un composant électronique Le MOS.FET est un transistor à effet
à semi-conducteurs. Il possède trois de champ dont la grille est isolée du
électrodes : le Drain (D), la Grille (G) et semi-conducteur par une couche
la Source (S). isolante (Silice : SiO2).
Symboles

Caractéristiques
statiques

4.2. Principe de fonctionnement


Le transistor à effet de champ est un composant totalement commandé : à la fermeture et à
l’ouverture. Le courant sur la grille est nul, c'est la tension Vgs qui détermine l'état du
transistor. Le courant étant nul, il est possible de commander un fort courant sans énergie
de commande.
➢ Transistor bloqué ou OFF : L’équivalent d’un commutateur ouvert. VGS=0 ID=0
➢ Transistor saturé ou ON : L’équivalent d’un commutateur fermé. VGS >0 ID >0
Exemple d’application :
On utilise souvent des transistors MOS de puissance totalement
commandé à la fermeture et à l’ouverture pour l'alimentation des
moteurs à courant continu. C'est le composant le plus rapide à se
fermer et à s'ouvrir.
- Vgs positif ➔ Transistor saturé (F) ➔ commutateur fermé
- Vgs nul ➔ Transistor ouvert (bloqué O) ➔ commutateur ouvert

5. Transistor IGBT
Le transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) est l’association d’un transistor
bipolaire (collecteur et émetteur) et d’un transistor MOSFET. Il associe les performances en

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courant entre collecteur et émetteur (la faible chute de tension collecteur émetteur; 0,1 V)
et la commande en tension par sa grille qui nécessite un courant permanent quasiment nul.
Un transistor hybride, commande MOS en tension et circuit de puissance bipolaire, permet
de meilleures performances : c’est le transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor).
Symbole Schéma équivalent simplifié

6. Thyristor (SCR)
6.1. Présentation
Le thyristor SCR (En anglais Silicon Controlled Rectifier) est un élément semi-conducteur
assez similaire à la diode à jonction PN. Il est comme la diode, il laisse passer le courant
électrique dans un seul sens, de l’anode (A) à la cathode (K). Cependant, le thyristor
possède une troisième électrode : la gâchette (G, en anglais gate). Le thyristor ne conduira
que si un courant minimum et positif est fourni à la gâchette. On pourrait résumer en disant
que le thyristor est une diode commandée.
Symbole Construction Schéma équivalent à 2
transistors

6.2. Principe de fonctionnement


Le thyristor est un composant électronique unidirectionnel (le courant passe dans un seul
sens) commandé à la fermeture, mais pas à l’ouverture. Il est réversible en tension et
supporte des tensions VAK aussi bien positives que négatives. Il n’est pas réversible en
courant et ne permet que des courants IAK positifs, c’est à dire dans le sens anode-cathode,
à l’état passant. Le fonctionnement du thyristor s’opère suivant deux modes :
État passant (ON) État bloqué (OFF)

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L’amorçage du thyristor est obtenu par un En distingue deux types de blocage:


courant de gâchette IG positif d’amplitude - Blocage naturelle par annulation du courant
suffisante alors que la tension VAK est IAK.
positive. Cet état est caractérisé par une - Blocage forcée par inversion de la tension
tension VAK nulle et un courant IAK positif. VAk
6.3. Caractéristique
Valeurs maximales admissibles : IA
PREMIER QUADRANT
A
IFmax : courant direct (Forward) IA
+
ITM

maximal admissible. G
VA
-
K RÉGION DE

VDRM: tension maximale directe CONDUCTION


(ON-STATE)

répétitive.
IT
VT
SCR

VRRM : tension maximale IG2 > IG1 > IG0


T= 25 OC
IGO = 0
inverse répétitive. K AG
IH
IBO

Tension de seuil (ou de "déchet")


VBR(R)

: Vd = 0,6 à 0,7 V
VTM VB0 VA
IBR(R)

RÉGION DE BLOCAGE RÉGION DE BLOCAGE


EN INVERSE EN DIRECT
(REVERSE BLOCKING) (OFF-STATE)
IR ID
VR VD

TROISIÈME QUADRANT

Avec un courant de gâchette nul, le SCR peut bloquer une tension aussi élevée que le UBo.
Passé ce point, l’amorçage par tension se produit et le SCR passe à l’état de conduction. Son
courant devient élevé et sa tension devient faible car il sature. Si IA devient inférieur à IH, le
SCR retourne à l’état bloqué. Plus le courant de gâchette augmente, plus le UBo diminue
jusqu’à devenir, à toutes fins pratique, nul. C’est de cette façon que se réalise l’amorçage
par la gâchette. En inverse, le SCR peut bloquer une tension aussi élevée que le U (BR)R puis
entre en avalanche comme une diode.
6.4. Critères de choix d’un thyristor
Après avoir établi les chronogrammes de fonctionnement du thyristor (VAK et IAK) dans le
système envisagé, on calcule les valeurs extrêmes prises par :
➢ La tension inverse VRRM ou directe VDRM maximale de VAK;
➢ Le courant moyen de IAK à l’état passant ;
Exemple d’application :

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7. Thyristor (GTO)
7.1. Présentation
Le thyristor GTO (Gate Turn Off) est une évolution du thyristor classique qui a la propriété
de pouvoir être bloqué à l'aide de la gâchette, contrairement aux thyristors classiques. Il est
utilisé pour les commutations des fortes puissances.
Symbole Schéma équivalent

7.2. Principe de fonctionnement


Le fonctionnement du GTO est très similaire à celui du SCR, sauf en ce qui a trait à
l’amorçage. Dans le cas d’un GTO, l’amorçage et le blocage se font par la gâchette.
L’état passant (ON) : Une impulsion positive à la gâchette amorce le GTO (avec VgK>0). Le
courant de gâchette peut être de quelques ampères. Une fois la conduction amorcée, elle se
maintient.
L’état bloqué (OFF) : Le mode de blocage spécifique du GTO consiste à détourner le quasi-
totalité du courant d'anode dans la gâchette. En pratique, on applique une impulsion
négative appliquée à la gâchette du GTO (Vgk<0).

8. TRIAC
8.1. Présentation
Un triac (TRIode Alternating Current, en anglais) est, contrairement au thyristor, un
composant bidirectionnel, qui peut laisser passer le courant dans les deux sens. On pourrait
dire qu'un triac est constitué de deux thyristors montés "tête-bêche", en anti-parallèle. Les
trois électrodes du triac sont dénommées gâchette (électrode de commande, appelée gate
en anglais), et A1 et A2 (pour Anodes 1 et 2) ou, en anglais, MT1 et MT2 (Main Terminals).
Ces deux dernières électrodes assurent la conduction principale.
Symbole Construction Schéma équivalent à 2 SCR Schéma équivalent

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8.2. Principe de fonctionnement


Etat passant (ON) : Pour commander le triac, un courant doit passer par la gâchette (une
impulsion pour des valeurs positives ou négatives).
Etat bloqué (OFF) : Une fois amorcé, il reste passant. Pour désamorcer, il faut annuler le
courant Anode1/Anode2.
8.3. Caractéristique
Le triac s’amorce par injection ou
extraction d’un courant de gâchette
suffisant. Ensuite, comme les thyristors, il
reste à l’état d’interrupteur fermé tant
que le courant A1 A2 reste supérieur au
courant de maintien Ih. Dès que le
courant A1 A2 est inférieur à Ih le triac
redevient un interrupteur ouvert.
Valeurs maximales admissibles :
IFmax : Courant direct ou inverse
maximal admissible.
VDRM : Tension maximale directe
répétitive.
VRRM : Tension maximale inverse
répétitive.

Le triac est avant tout destiné à piloter des charges raccordées au secteur 230 V, par
exemple une ampoule (charge non-inductive) ou un moteur électrique (charge inductive). Il
permet de réaliser des gradateurs (variateurs) de lumière, des variateurs de vitesse pour
les moteurs des appareils électro-ménagers ou de bricolage; il permet aussi, associé à un
capteur (photorésistance...) de commander un dispositif de commutation ou de régulation
(chauffage, électrovanne...) par ouverture ou fermeture du circuit. Les applications, on le
voit, sont diverses et nombreuses.
9. DIAC
9.1. Présentation
Le diac (Diode Alternatif Current) est un élément semi-conducteur à deux électrodes. C’est
un composant électronique à amorçage bidirectionnel par la tension à ses bornes. Il est
souvent utilisé en électronique de puissance pour déclencher les triac et les thyristors
(circuits de commande).
Symbole Schéma équivalent

9.2. Principe de fonctionnement


Le fonctionnement du Diac c’est un interrupteur automatique qui se ferme dès que la
tension à ses bornes (peu importe le sens de cette tension) devient supérieure à un seuil

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(couramment 32 V). Cet interrupteur se réouvre dès que le courant qui le traverse s’annule.
Le Diac se comporte comme un commutateur dont l’état (bloqué ou saturé) dépend de la
tension appliquée à ses bornes :
➢ V12 < Vbo état bloqué
➢ V12 > Vbo état saturé (Vbo tension de retournement)
9.3. Caractéristique
Le diac bloque les tensions dans les deux sens, jusqu'à ce que sa tension nominale
(breakover Voltage) V(BO) soit atteinte. La tension de sortie Vo chute alors à une valeur
bien moindre.
L’exemple tracé ci-dessus nous montre
que le diac fonctionne entre deux seuils
de tension, V0 et VB0. Il faudra donc un
générateur capable de fournir une
tension supérieure à VB0 pour permettre
l’amorçage du diac et maintenir un
potentiel supérieur à V0 durant le temps
souhaité pour obtenir une impulsion de
courant d’une durée souhaitée. Noter
que si après l’avalanche la tension du
générateur continue à croître, la tension
V12 elle restera sensiblement constante.
Seul le courant de charge va augmenter.
Exemple d’utilisation (triac + diac) en gradateur
Pour une utilisation du triac en gradateur, on recourt souvent à un réseau RC, le cas échéant
associé à un Diac, diode bidirectionnelle permettant d'obtenir un déphasage encore plus
important. On fait varier l'intensité dans la charge par l'intermédiaire de la résistance
variable.
Schéma de principe d'un triac utilisé en
gradateur, ici associé à un Diac.

Le potentiomètre de réglage permet de


faire varier l'intensité lumineuse de
l'ampoule.

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Résumé :
Composant Symbole Commande Source Fonctionnement
Diode Non Alternative
commandable

Thyristor SCR Commande à la Alternative


fermeture par
une impulsion
positive
Thyristor GTO Commande à la : Alternative ou
- fermeture par continu
impulsion
positive -
l’ouverture par
impulsion
négative
TRIAC Commande à la Alternative
fermeture par
impulsion
positive ou
négative
Transistor Commande à la : Continu
bipolaire - fermeture par
un courant
positive -
l’ouverture par
annulation du
courant
Transistor IGBT Commande à la : Continu
- fermeture par
une tension
positive -
l’ouverture par
annulation de
tension

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