Amplificateurs À Transistor

P a g e | 78
les amplificateurs à transistors
I. Amplificateur
1. Définition
La fonction amplifier consiste à accroître une grandeur physique d’entrée à l’aide d’une structure
électronique appelée amplificateur. Il réalise l’opération mathématique élémentaire de multiplication
par une constante. La fonction amplifier est définie comme suit : 𝑉𝑠
𝑉𝑒 Amplificateur 𝑉𝑠 𝑉𝑠 = 𝐾. 𝑉𝑒
II.
𝑉𝑒
Les grandeurs physiques qu’on peut amplifier : la tension, le courant ou la puissance. Suivant les
domaines d’utilisations, différents composants peuvent réaliser l’amplification :
- le transistor (amplification de courant)

- l’amplificateur opérationnel (amplificateur de tension)
- transistor à effet de champ (TEC)
Les amplificateurs sont utilisés dans quasiment tous les circuits électroniques : ils permettent d’élever
un signal électrique, comme la sortie d’un capteur, vers un niveau de tension exploitable par le reste du
système. Ils permettent aussi d’augmenter la puissance maximale disponible que peut fournir un
système afin d’alimenter une charge.
2. Les caractéristiques d’un amplificateur
 Le gain k
L’amplificateur est caractérisé par son gain K (en puissance, en tension ou en courant) qui correspond
au rapport entre les signaux de sortie et d’entrée.
Type d’amplification Formule de l’amplification Expression du gain

Tension 𝑈𝑠 𝐺𝑉 = 20 ∗ log⁡ (𝐴𝑉 )
𝐴𝑉 =
𝑈𝑒
Courant 𝐼𝑠 𝐺𝐼 = 20 ∗ log⁡
(𝐴𝐼 )
𝐴𝐼 =
𝐼𝑒
Puissance 𝑃𝑠 𝐺 = 10 ∗ log⁡
(𝐴𝑃 )
𝐴𝑃 =
𝑃𝑒
L’amplificateur électronique peut être vu comme un quadripôle représenté dans la figure suivante :
BTS SE1 : Physique Appliquée Prof : I. Elyamani

P a g e | 79
𝐴𝑉0
 Impédance d’entrée
On cherche à avoir la résistance d’entrée la plus élevée possible. Pour une amplification idéale, on
𝑉𝐸
considère qu’elle est infinie. 𝑍𝐸 = 𝐼𝐸
 Impédance de sortie
On cherche à ce que cette résistance de sortie, soit la plus faible possible. Pour un amplificateur idéal,
on la considère nulle.
𝑉𝑆
𝑍𝑆 =
𝐼𝑆
𝐴𝑉0 L’amplification de tension à vide.
 La linéarité
Un amplificateur doit fournir une tension de sortie ayant la même forme que le signal d'entrée, mais
d'amplitude supérieure. Si la forme du signal de sortie (à l'amplitude près) est différente de la forme du
signal d'entrée, on dit qu'il y a distorsion.
Zone de saturation
Zone linéaire
 La bande passante
C’est l’intervalle de fréquence [F1 ; F2], pour lequel on a :
𝐴𝑚𝑎𝑥 𝐺𝑚𝑎𝑥
𝐴≥ 𝑜𝑢 𝐺 ≥
2 2

P a g e | 80
II. Amplificateur de puissance
1. Définition
L’amplificateur de puissance permet de fournir une puissance beaucoup plus grande que celle fournie
par le signal de commande, tout en gardant la même forme du signal.
Dans la plupart des cas, l’amplification en puissance est une amplification en courant. C’est pourquoi
on utilise des transistors bipolaires.
L’alimentation du montage fournie une puissance totale Pf qui se répartit entre la puissance utile Pu
dissipée dans la charge et la puissance Pd dissipée, en pure perte, dans l’amplificateur. La puissance Pc
fournit par le circuit de commande, est en général négligeable devant celle provenant de
l’alimentation.
𝑷𝒖
 Le gain en puissance 𝑮𝒑 = 𝑷𝒄
𝑷𝒖
 Le rendement 𝜼 = 𝑷
𝒄 +𝑷𝒇
 Distorsion : Lorsque l’amplificateur travaille en grands signaux, le signal de sortie présente

des distorsions dus à la non-linéarité.
On appelle distorsion d’harmonique notée dn le rapport entre l’amplitude Vsn de l’harmonique de rang
𝑽𝒔𝒏
n et l’amplitude Vs1 du fondamental 𝒅𝒏 = .
𝑽𝒔𝟏
2. Critères de sélection d'une classe d'amplificateur
De nombreux critères peuvent être pris en compte lors de la sélection d'un amplificateur.
Les points importants étant : − La puissance de sortie ; − Le gain (en tension, en puissance) ;
− Le rendement ; − La fréquence maximale de travail.
− La puissance maximale que peut dissiper l'élément actif ; − La distorsion ;

P a g e | 81
Transistor bipolaire
III. Le transistor bipolaire

1. Généralités
C’est un composant semi-conducteur fondamental de l’électronique, ces applications étant que

composant touchant principalement au domaine de commutation (en partite ou forte puissance).
Comme composant intégré, il entre dans la constitution de tous les circuits intégrés.
2. Structures et symboles
Un transistor bipolaire est constitué de 2 jonctions P et N, on peut distinguer dons deux types de
structure PNP et NPN.
type Structure Symbole Courants/ tensions
𝑰𝒄 = 𝑰𝒃. 𝜷
𝛽 𝑔𝑎𝑖𝑛 𝑠𝑡𝑎𝑡𝑖𝑞𝑢𝑒 𝑑𝑢 𝑐𝑜𝑢𝑟𝑎𝑛𝑡
NPN Vce=Vcb+Vbe
Ie=Ib+Ic
Vbe > 0
𝑰𝒄 = 𝑰𝒃. 𝜷
𝛽 𝑔𝑎𝑖𝑛 𝑠𝑡𝑎𝑡𝑖𝑞𝑢𝑒 𝑑𝑢 𝑐𝑜𝑢𝑟𝑎𝑛𝑡
PNP Vce=Vcb+Vbe
Ie=Ib+Ic
Vbe < 0
3. Les régimes de fonctionnement
Saturation Blocage Régime linaire

C C
C
C C
C
Vcesat 𝑰𝒄 = 𝑰𝒃. 𝜷
B B
B
E E E E
E E

P a g e | 82
Exemples :
Type réf Fabricant Vce0max(V) Icmax(mA) 𝛽 Vcesat(V) Ft (MHz)

NPN 2N2222A Motorola 40 800 100300 0.3 300
PNP 2N2907A Motorola 60 600 100300 0.4 200
 ft : fréquence de transition caractérise la vitesse de fonctionnement.
4. Caractéristiques statiques
Caractéristiques de sortie Ic=f(Vce) à Ib=cst

Caractéristiques de transfert Ic=f(Ib) à Vce=cst
Caractéristiques d’entrée Ib=f(Vbe) à Vce=cst
5. Polarisation d’un transistor

a. Rôles
La polarisation a pour rôle de placer le point de fonctionnement du transistor dans la zone linéaire de
ses caractéristiques, pour cela on utilise des résistances permettant de limiter les courants d’entrée et
de sortie.
Le point de fonctionnement est fixé par les valeurs de IB et VBE (caractéristiques d'entrée) et les
valeurs de Ic et VCE (caractéristiques de sortie).
b. Réalisations pratiques de la polarisation
 Polarisation par résistance de base
RC
E
RB

P a g e | 83
 Polarisation par réaction d'émetteur  Polarisation par pont de base et résistance d'émetteur
RC
RC
R2
E Ic
RB E
Ib
RE
R1 RE
c. Point de fonctionnement statique
Pour déterminer le point de fonctionnement du montage, il suffit de tracer la droite d’attaque et la

droite de charge dans le réseau de caractéristiques associé au transistor.
RC Droite d’attaque : loi des mailles appliquée au circuit

d’entrée : 𝑽𝑩𝑬 = 𝑽𝑬 − 𝑹𝑩 𝑰𝑩
E
RB Droite de charge : loi des mailles au circuit de sortie :
𝑽𝑪𝑬 = 𝑽𝑬 − 𝑹𝑪 𝑰𝑪
Point S
Le point P se situe au milieu de la droite
𝐄 𝐄
de charge : 𝐕𝐂𝐄𝟎 = 𝟐 𝑒𝑡 𝐈𝐂𝟎 = 𝟐.𝐑𝐂
Droite de charge
Point B
Droite d’attaque
Au point P le transistor fonction dans le régime linéaire : Ic=Ib.β

P a g e | 84
Au point B : 𝑉𝐶𝐸 = 𝐸 → 𝐼𝐶 = 0 → 𝐓𝐫𝐚𝐧𝐬𝐢𝐬𝐭𝐨𝐫 𝐛𝐥𝐨𝐪𝐮é

Au point S : 𝑉𝐶𝐸 ≈ 𝑉𝐶𝑠𝑎𝑡 ≈ 0 → 𝐼𝐶 = 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 → 𝐓𝐫𝐚𝐧𝐬𝐢𝐬𝐭𝐨𝐫 𝐬𝐚𝐭𝐮𝐫é.
6. Modélisation du transistor en zone linéaire
Le transistor peut être considéré comme un quadripôle :
Schéma équivalent général :
𝑽𝑩𝑬 = 𝒉𝟏𝟏 . 𝑰𝑩 + 𝒉𝟏𝟐 . 𝑽𝑪𝑬

𝑰𝑪 = 𝒉𝟐𝟏 𝑰𝑩 + 𝑽𝑪𝑬 . 𝒉𝟐𝟐
𝑽𝑩𝑬
𝒉𝟏𝟏 = 𝑰𝑩 𝑽𝑪𝑬=𝟎
: Résistance d’entrée
𝑽
𝒉𝟏𝟐 = 𝑽𝑩𝑬 : Gain en tension ≈ 0
𝑪𝑬 𝑰𝑩=𝟎
𝑰
𝒉𝟐𝟏 = 𝜷 = 𝑰 𝑪 : Gain statique en courant
𝑩 𝑽𝑪𝑬=𝟎
𝑰
𝒉𝟐𝟐 = 𝑽 𝑪 : Admittance de sortie
𝑪𝑬 𝑰𝑩=𝟎
1
Schéma équivalent simplifié : 𝑕12 = 0 𝑒𝑡 =∞
𝑕 22

P a g e | 85
7. Type des montages amplificateurs
Entrée Sortie Type amplificateur

Base Collecteur Emetteur commun
Base Emetteur Collecteur commun
Emetteur Collecteur Base commun
8. Transistor en régime dynamique

a. Montage émetteur commun
Après avoir polarisé le transistor pour qu’il travaille dans la zone linéaire. Les éléments de polarisation
(RC, RB et E)
 Les accès d’entrée et de sortie sont 1 et 2.

 Les capacités C1 et C2 sont des capacités de liaison.
b. Schéma équivalant
Etude en statique (en régime continu) :
 La source sinusoïdale est court-circuitée

 Les capacités de liaison présentent une impédance infinie  circuit ouvert
Schéma électrique en continu
Les circuits de polarisations fixent les valeurs des

tensions VBE, VCE et des courants IB, IC.
𝐸 = 𝑅𝐶 . 𝐼𝐶 + 𝑉𝐶𝐸
𝐸 = 𝑅𝐵 . 𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐸

P a g e | 86
Etude dynamique (en régime sinusoïdal)
 La source continue est court-circuitée

 Les capacités de liaison présentent une impédance nulle à la fréquence de fonctionnement 
fil
−𝑅𝐿 . 𝑅𝐶
𝑣𝐶𝐸 = . 𝑖𝑐
𝑅𝐿 + 𝑅𝐿
La tension de sortie est donc un signal composite, somme de la composante continue 𝑉𝐶𝐸0 et de la
composante alternative 𝑣𝐶𝐸 : 𝑽𝑪𝑬 = 𝒗𝑪𝑬 + 𝑽𝑪𝑬𝟎
La droite de charge dynamique ∆’’ est la droite passant par le point de fonctionnement P dans le
−𝑹𝑳 +𝑹𝑪
réseau (IC , VCE) et de pente : 𝑹𝑳 .𝑹𝑳
.
−𝑹𝑳 +𝑹𝑪
pente: 𝑹𝑳 .𝑹𝑳
𝑽𝑪𝑬 = 𝒗𝑪𝑬 + 𝑽𝑪𝑬𝟎

P a g e | 87
c. Paramètres de l’amplificateur
𝑽𝟏 𝑹𝑩.𝒉𝟏𝟏
Résistance d’entrée Re : 𝑹𝒆 = 𝑰𝟏
= 𝑹𝑩+𝒉𝟏𝟏
𝑽𝟐
Résistance de sortie Rs : 𝑹𝑺 = 𝑰𝟐
= 𝑹𝒄 (la charge RL est débranchée et V1 court-circuitée)
𝑉2 𝑪𝑽𝟐 𝑹 .𝜷
Gain en tension Av0 : 𝐴𝑣0 = 𝑉1 , 𝑎𝑣𝑒𝑐 𝑉1 = 𝐼𝐵 . 𝑕11 𝑒𝑡 𝑉2 = −𝑅𝐶 . 𝐼𝐵 . 𝛽  𝑨𝒗𝟎 = 𝑽𝟏 = − 𝒉𝟏𝟏
Le moins indique l’opposition de phase entre les tensions d’entrée et de sortie.
Les caractéristiques du montage amplificateur à E.C :
 Gain en tension important

 Gain en puissance également élevée
 La phase de tension est de 180 degré
 Impédance d’entrée moyenne
 Impédance de sortie moyenne
9. Limitations des transistors bipolaires
La puissance dissipée dans le transistor est : Pdmax = VCE.IC

IC
ICmax
PTmax
VCE
VCEmax
Le transistor bipolaire est un amplificateur du courant, le choix du transistor se fait selon les
paramètres suivants :
 VCEmax que peut supporter le transistor

 Icmax
 Puissance max que le transistor aura à dissiper
 Le gain en courant 𝜷
 Si le transistor fonction en commutation, VCEsat sera un critère de choix essentiel.
IV. Classe d’amplification de puissance

1. Définition
Les classes de fonctionnement des amplificateurs électroniques sont un système de lettres utilisé pour
caractériser les amplificateurs électroniques.

P a g e | 88
Classe A : La totalité du signal d’entrée (100 %) est utilisée

(a = 360°).
Classe B : La moitié du signal (50 %) est utilisée (a = 180°).
Classe AB : Plus de la moitié mais pas la totalité du signal

(50–100 %) est utilisée (180° < a < 360°).
Classe C: Moins de la moitié (0–50 %) du signal est utilisée

(0 < a < 180°)
2. Classe A
 Rendement max =25%

 Généralement utilisés pour réaliser des amplificateurs audio, des amplificateurs hautes
fréquences à large bande.
3. Classe B
 Le rendement est maximum = 78%

P a g e | 89
4. Classe AB
5. Classe C
 Le rendement est maximum = 78%  100%

 Utilisation : amplificateurs ultrasoniques, hautes fréquences sélectifs et micro-ondes et
multiplicateurs de fréquence.
V. Dissipateur thermique
1. Définition
C’est un dispositif destiné à favoriser l'évacuation des pertes dissipées par les éléments semi
conducteurs de puissance. Il s'agit de dispositifs généralement munis d'ailettes, qui doivent de
préférence être montées verticalement pour faciliter le refroidissement par convection.

P a g e | 90
2. Critères de choix du dissipateur
La forme du dissipateur : Il existe des dissipateurs adaptés à chaque forme de boitier.
La résistance thermique : Elle s’exprime en degrés par Watt (°C/W) et définie les performances
𝐓𝐣−𝐓𝐚
thermiques du dissipateur. Plus elle est petite, meilleur est le dissipateur. 𝐑 𝐭𝐡 = 𝐏𝐝
 Tj : température de la jonction en °C et Ta : température ambiante en °C.

 Pd : la puissance dissipée en W
Remarque : on peut établir une analogie entre les circuits électriques et les circuits thermiques :
Tj
Circuits électriques Circuits thermiques
Différence de potentiel (V) Différence de température (°C)
Pd Rth ∆T
Courant (A) Courant thermique (puissance en W)
Résistance ohmique (Ω) Résistance thermique (°C/W) Ta
𝑷𝒅 = ∆𝑻. 𝑹𝒕𝒉 = 𝑹𝒕𝒉. (𝑻𝒋 − 𝑻𝒂)
Le radiateur ou dissipateur thermique assure l’échange thermique entre le composant et l’air ambiant :
La résistance thermique de l’ensemble est la somme des résistances thermiques Rth :
 Rth(J-C) : résistance thermique jonction/boîtier (donnée par le constructeur du composant),

 Rth(C-R) : résistance thermique boîtier/radiateur (dépend des conditions de montage),
 Rth(R-A) : résistance thermique radiateur/air (fournie par le constructeur du radiateur).
 Rth = Rth(J-C) + Rth(C-R) + Rth(R-A)
Tj Max − Ta
La puissance dissipée par le composant est définie par la relation : Pd = Rth
Exemple
Un appareil à semi-conducteur doit fonctionner avec une température de jonction ne dépassant pas
90 °C tout en dissipant 14,50 watts vers l’air ambiant à une température de 45 °C. La résistance
thermique, jonction vers boîtier, est spécifiée par le fabricant à 2,25 °C/W et la résistance thermique,
boîtier vers dissipateur adoptée est de 0,50 °C/W. calculer la résistance thermique du dissipateur
Rth(R-A) ?

P a g e | 91
TD : Transistor bipolaire
Exercice 1
Le transistor T est caractérisé par un gain statique en courant 𝛽 = 150 et une tension courant
𝑉 𝐵𝐸 = 0.7 𝑉 .
On désire obtenir pour le point de polarisation 𝐼𝐶 = 2.5 𝑚𝐴 𝑉𝐶𝐸 = 6 𝑉 et 𝑉𝐸 = 2 𝑉.
Polarisation par résistance de base
1. Calculer les valeurs des résistances 𝑅𝐵 , 𝑅𝐶 𝑒𝑡 𝑅𝐸 .

2. On remplace le transistor T par un transistor de même famille mais dont le gain statique en
courant 𝛽 = 200. Calculer le nouveau point de polarisation du transistor en conservant la
valeur des résistances calculées précédemment. Conclure.
Polarisation par pont diviseur
Pour fixer le potentiel de base (𝐼𝐵 𝑓𝑎𝑖𝑏𝑙𝑒 𝑑𝑒𝑣𝑎𝑛𝑡 𝐼𝑃 ), on choisira 𝑅1 𝑒𝑡 𝑅2 telles que 𝐼𝑃 = 10 𝐼𝐵 .
Calculer les valeurs des résistances 𝑅1 , 𝑅2 , 𝑅𝐶 𝑒𝑡 𝑅𝐸

P a g e | 92
Exercice 2
Soit le montage de la figure suivante.
On suppose que le condensateur C a une impédance nulle aux fréquences de travail.
𝑉𝑐𝑐 = 12 𝑉; 𝑅𝑐 = 4.7𝑘Ω ; 𝑅1 = 80𝑘Ω ; 𝑅2 = 8𝑘Ω ; 𝑕11 = 1,8𝑘Ω ;
𝑕21 = 𝛽 = 100 𝑒𝑡 𝑕12 = 𝑕22 = 0
1. Donner le schéma équivalent du montage en régime basse fréquence petits signaux.

2. Calculer les résistances d’entrée Re et sortie Rs.
𝑉𝑠
3. Calculer l’amplification en tension 𝐴𝑉 = 𝑉𝑒
4. Conclure
5. On peut augmenter la résistance d’entrée, en plaçant une résistance d’émetteur RE=800Ω,
reprendre les mêmes questions que précédemment.

P a g e | 93
Transistor effet de champ FET
I. Transistors à effet de champ à jonction (JFET)
1. Généralités
Le transistor à effet de champ à jonction, abrégé par la suite TEC ou JFET (Junction Field Effect
Transistor) est un transistor spécifique qui présente deux propriétés essentielles intéressantes :
– un courant d’entrée quasi-nul (résistance d’entrée quasi infinie) ;
– pour une tension continue de sortie nulle, le transistor peut être assimilé à une résistance commandée
par la tension d’entrée.
Comparaison avec le transistor bipolaire :
– Très forte impédance d’entrée (MΩ)
– Facteur de bruit inférieur au transistor bipolaire.
2. Structure et symboles
Un transistor JFET possède trois bornes :
 la grille (g)
 le drain (d)
 la source (s)
Il existe deux types de transistors JFET :
FET à canal N FET à canal P

D D
ID
G
IG
IS
G
- la tension VDS est positive - la tension VDS est négative

- la tension VGS est négative ou faiblement positive - la tension VGS est positive ou faiblement négative
(< 0,6 V) (> - 0,6 V)
- le courant de grille est quasiment nul IG = 0 - le courant de grille est quasiment nul IG = 0
- le courant entre dans le transistor par le drain (ID) - le courant entre dans le transistor par la source (IS)
- le courant sort du transistor par la source (IS) - le courant sort du transistor (ID)
Loi des nœuds : IS = ID Loi des nœuds : IS = ID

P a g e | 94
3. Caractéristiques statiques du TEC à canal N
 Si VDS > Vp  ID constant dans la zone de saturation du transistor
 ID=0 pour VGS=VGSoff=-Vp ; avec Vp tension de pincement.

 Si VGS =0  ID= IDss
 Pour des valeurs faibles de VDS le FET est équivalent à une résistance Rds.
4. Paramètres statiques du TEC
 Paramètres d’entrée : IG et VGS

 Paramètres de sortie : ID et VDS
 La tension VGS est toujours négative  la jonction Grille-Source est polarisée en inverse donc
IG ≈ 0
a. Loi de variation du courant ID dans la zone de saturation
𝑽𝑮𝑺 𝟐
𝑰𝑫 = 𝑰𝑫𝒔𝒔 (𝟏 − )
𝑽𝒑
b. Résistance Grille-Source
La jonction Grille-Source est polarisée en inverse donc IG ≈0.
∆𝑽𝑮𝑺
𝑹𝑮𝑺 = = 𝟏𝟎𝑴Ω → 𝑡𝑟è𝑠 𝑔𝑟𝑎𝑛𝑑𝑒
∆𝑰𝑮

P a g e | 95
c. Résistance Drain Source

∆𝑉𝐷𝑆
𝑅𝐷𝑆 = ∆𝐼𝐷
dépend de la zone d’utilisation du TEC.
d. Transductance ou pente gm :
∆𝑰𝑫
𝒈𝒎 =
∆𝑽𝑮𝑺 𝑽𝑫𝑺=𝒄𝒕𝒆
Pour un JFET, on a :
𝑽𝑮𝑺 𝟐
𝑰𝑫 = 𝑰𝑫𝒔𝒔 (𝟏 − )
𝑽𝒑
En dérivant on obtient :
𝒅𝑰𝑫 𝟐. 𝑰𝑫𝒔𝒔 𝑽𝑮𝑺
𝒈𝒎 = =− (𝟏 − )
𝒅𝑽𝑮𝑺 𝑽𝒑 𝑽𝒑
𝟐.𝑰𝑫𝒔𝒔
Cette pente est maximale lorsque VGS = 0, elle est alors égale à : 𝒈𝒎𝟎 = − 𝑽𝒑
D’où :
𝟐. 𝑰𝑫𝒔𝒔 𝑽𝑮𝑺 𝑽𝑮𝑺 𝑰𝑫
𝒈𝒎 = − 𝟏− = 𝒈𝒎𝟎. 𝟏 − = 𝒈𝒎𝟎.
𝑽𝒑 𝑽𝒑 𝑽𝒑 𝑰𝑫𝒔𝒔
Exemple du Transistor JFET : BF245C
La température de jonction en fonction de ID et VGS

P a g e | 96
Caractéristiques de transfert et de sortie
IDss
VGSoff
Caractéristique de transfert ID (VGS) à VDS=cst Caractéristique de transfert ID (VDS) à VGS=cst
Zone de blocage
La tension VGS règle le courant qui circule dans le transistor (ID).
• ID est maximal (IDSS = ……. mA) pour VGS = 0 V.
• ID diminue quand |VGS| augmente.
• Pour VGS < VGSoff , on peut considérer que le courant ID est …… (< 10 nA) : le transistor est
bloqué (off).
Zone ohmique
Pour de faibles niveaux de la tension VDS, la caractéristique de sortie est linéaire : le transistor se
comporte comme une résistance (RDSon).
Par exemple, pour VGS = - 2 V : RDSon = ……… Ω
VGS = - 3 V RDSon = ……….Ω
Vgs=-2V
Vgs=-3V

P a g e | 97
Exercice d’application
On désire alimenter une LED à courant constant (10 mA) avec une source de tension (Vcc) qui peut
évoluer entre 12 et 24 V. Pour cela, on utilise un transistor JFET BF245C (IDSS = 17 mA, ce qui est
suffisant pour fournir 10 mA) fonctionnant en source de courant :
1) Calculer la valeur de la résistance R.
………………………………………………………………………………
……………………………………
2) Calculer la tension Vcc minimale qui permet d’avoir un courant de 10

mA. On donne : Tension aux bornes de la LED : 2,0 V pour 10 mA
………………………………………………………………………………
…………………………………
3) Le data sheet du transistor indique que : P = 300 mW (max). Vérifier qu’il

n’y a pas de problèmes d’échauffement du transistor.
………………………………………………………………………………
……………………………………
Remarques
- Il n’existe pas de transistor JFET de puissance (IDSS est limité à quelques dizaines de mA).
- Les transistors JFET ont un faible bruit électrique (inférieur à celui des transistors bipolaires).
- Les transistors JFET sont couramment utilisés dans les amplificateurs à hautes fréquences (plusieurs
centaines de MHz).
II. Polarisation du TEC à canal N en zone de saturation
Objectif de la polarisation : Fixer les valeurs des tensions VGS0, VDS0 et du courant ID0 pour
l’utilisation du transistor en alternatif Conditions à respecter : –Vp < VGS ≤ 0 et VDS ≥ 0
1. polarisation automatique en zone de saturation
 IS=IG+ID avec IG très faible (IG ≈ 0)  ID=IS

 RG élevée
 RD et RS servent à limiter le continu
Equation de la droite de polarisation ou droite d’attaque :

𝑉𝐺𝑆
𝑉𝐺𝑆 = −𝑅𝐺. 𝐼𝐺 − 𝑅𝑆. 𝐼𝑆 Puisque 𝐼𝐺 = 0 𝑒𝑡 𝐼𝑆 ≈ 𝐼𝐷  𝐼𝐷 = − 𝑅𝑆

P a g e | 98
Equation de la droite de charge statique :

𝑉𝐷𝐷 −𝑉𝐷𝑆
𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝐷𝑆 = 𝑅𝐷. 𝐼𝐷 + 𝑅𝑆. 𝐼𝐷 Car ID=IS  𝐼𝐷 =
𝑅𝐷+𝑅𝑆
2. Schéma équivalent du TEC en régime dynamique
Schéma équivalent du TEC en alternatif dans la zone de saturation .Le transistor est considéré comme
un quadripôle.
Schéma équivalent général en BF :
Schéma équivalent simplifié, pour 𝑅𝐺𝑆 → ∞ :

P a g e | 99
III. Amplificateur à TEC à polarisation automatique
1. Montage source commune
 Les accès d’entrée et de sortie sont 1 et 2.

 Les capacités C1, C2 et Cs sont des capacités de découplage.
a. Schéma équivalent en continu
 Le point de fonctionnement du transistor est imposé par les éléments du montage ID0, VGS0 et
VDS0 sont fixés
 un signal alternatif vGS(t) peut être superposé au signal continu VGS0
b. Schéma électrique en régime sinusoïdal

P a g e | 100
Schéma équivalent (RGS et RDS sont négligées) :
c. Droite de charge dynamique

𝑅𝐿.𝑅𝐷
𝑣𝐷𝑆 = − 𝑅𝐿+𝑅𝐷 . 𝑖𝐷
 La droite de charge dynamique ∆est la droite passant par le point de fonctionnement de

coordonnées (ID0, VDS0) et de pente :
1 𝑅𝐿 + 𝑅𝐷
− =−
RL//RD 𝑅𝐿. 𝑅𝐷
Équation de la droite de charge dynamique :
𝑅𝐿 + 𝑅𝐷
𝐼𝐷 𝑡 = − 𝑣𝑑𝑠 − 𝑉𝐷𝑆0 + 𝐼𝐷0
𝑅𝐿. 𝑅𝐷
 Une petite variation de la tension d’entrée vGS(t) autour de VGS0 entraine des variations de
courant iDS(t) autour de ID0 et de tensions vDS(t) autour de VDS0.

P a g e | 101
d. Caractéristiques électriques de l’amplificateur en fonctionnement alternatif
 Gain en tension GV (en charge) :
𝑅𝐿. 𝑅𝐷
𝐺𝑉 = −𝑔𝑚
𝑅𝐿 + 𝑅𝐷
 Gain en courant GI :
𝑅𝐺. 𝑅𝐷
𝐺𝑖 = −𝑔𝑚
𝑅𝐿 + 𝑅𝐷
 Résistance d’entrée Re : Re=RG

 Résistance de sortie Rs : Rs =RD (court-circuitée la tension VGS).
2. Autres types de montage
a. Montage drain commun
b. Grille commune

P a g e | 102
TD : Transistor JFET
Exercice 1
Soit le montage de la figure suivante. On donne le courant : IDSS = 12 mA, la pente : gm0 = 8 mS, la
résistance : RG = 1 MΩ et RD = 3 kΩ.
1. On désire polariser le transistor à la valeur UGS = UP/2. Donner la valeur de la résistance RS qui
permet d’avoir cette polarisation.
2. Pour la valeur trouvée de RS, déterminer la valeur du courant ID qui circule dans le drain ainsi que la
tension UDS.
3. Tracer la droite de charge statique et placer le point de repos P.
Exercice 2
Soit le montage dans la figure. On donne : VP = −4 V , IDSS = 10 mA, VDD = 10 V et RG1 = 100 kV.
1. Écrire l’équation de la droite de charge du transistor ID = f (VGS), tracer la droite de charge et choisir
un point au milieu de cette droite.
2. En déduire la valeur de VGS et calculer la valeur de RG2.

P a g e | 103
Exercice 3
L’étude porte sur la caractérisation du circuit de la figure ci-dessous sous la forme d’un dipôle et d’un
quadripôle. Le transistor à effet de champ possède les caractéristiques IDSS = 15 mA,VP = −6 V .
La résistance Rch représente la charge extérieure de l’étage. Les condensateurs ont une fonction de
liaison (couplage).
Etude du régime continu
1. Déterminez les points de fonctionnement du transistor.
Etude du régime dynamique faible signaux aux fréquences moyennes
2. Dessinez le schéma et évaluez le paramètre gm du modèle du transistor ( rds = ∞ ).

3. Calculez la résistance d’entrée Ze vue par le dipôle d’attaque (vg , rg ).
4. Ecrivez les expressions des éléments du dipôle de Thévenin ( vs0 , Zs ) du montage attaquant la
charge Rch .
5. Identifiez les éléments du quadripôle représentatif de l’amplificateur de tension, attaqué par le
dipôle d’attaque et chargé par Rch .
6. Evaluez le transfert en tension vs /vg .

P a g e | 104
Les Amplificateurs sélectifs
I. Introduction
Il est parfois nécessaire de sélectionner des signaux de fréquences bien déterminées comme dans les
transmissions radio, il faut alors amplifier les signaux dont les fréquences sont comprises entre deux
limites telles que l'écart "B" qui les sépares soit faible devant les valeurs de ces fréquences, d’où la
notion d'amplification sélective dont la courbe de réponse idéale est rectangulaire.
Courbe de la réponse idéale d'un Amplificateur Sélectif Courbe de la réponse réelle d'un Amplificateur Sélectif
Facteur de qualité Q :
 Le facteur de qualité est le rapport de la fréquence propre fo (fréquence à laquelle le gain est
𝒇𝟎
maximal) à la largeur de la bande passante B : 𝑸 =
𝑩
 Plus le facteur de qualité est élevé, plus la bande passante est petite, et plus la résonance est
"piquée". Le facteur de qualité permet donc de quantifier la qualité d'un filtre.
 Plus Q est élevé  plus le filtre est sélectif.
II. Amplificateur sélectif à circuit intégré linaire
Amplificateur opérationnel parfait : 𝑉 + = 𝑉 −

1 1 1
𝑍𝑒𝑞 = 𝑍𝑅//𝑍𝐿//𝑍𝐶  𝑌 = 𝑍𝑒𝑞 = 𝑅′ + 𝑗𝐶𝑤 + 𝑗𝐿𝑤
𝑉+ = 0 𝑉𝑒+𝑅.𝑌.𝑉𝑠
𝑉𝑒+𝑅.𝑌.𝑉𝑠  =0
𝑉 − = 1+𝑅.𝑌 1+𝑅.𝑌
𝑉𝑠 1 −1
𝑇= =− =
𝑉𝑒 𝑅. 𝑌 𝑅 1 + 𝑗(𝐶𝑤 − 1 )
𝑅′ 𝐿𝑤
𝑅′
𝑉𝑠 1 −1 − Amplificateur sélectif en moyenne fréquence
𝑇 = 𝑉𝑒 = − 𝑅.𝑌 = 𝑅 1 = 𝑅
1
1+𝑗𝑅 ′(𝐶𝑤− ) 1+𝑗𝑅 ′(𝐶𝑤− )
𝑅′ 𝐿𝑤 𝐿𝑤
𝑨𝟎
𝑻=
𝒘 𝒘𝟎
𝟏 + 𝒋𝑸 −
𝒘𝟎 𝒘
𝑹′ 𝑹′ 𝑪 𝟏
Avec : 𝑨𝟎 = − 𝑹 ; 𝑸 = 𝑹′ . 𝑪. 𝒘𝟎 = 𝑳.𝒘𝟎 = 𝑹′ . 𝑳
𝒆𝒕 𝒘𝟎 = 𝑳.𝑪

P a g e | 105
Diagrame de Bode :
Q=20
Q=65
Q=100
III. Amplificateur à circuit oscillant
Un circuit bouchon (oscillant) accordé sur une fréquence f0, constitue la charge d'un étage
amplificateur à transistor à effet de champ.
A.S a circuit accordé Schéma équivalent en régime des petits signaux
𝟏 𝟏 𝟏
On pose : 𝑹 = 𝑹𝒅𝒔//𝑹𝒖  𝒀 = 𝒁 = 𝑹 + 𝒋𝑪𝒘 + 𝒋𝑳𝒘
𝒈𝒎. 𝑽𝒆
𝑽𝒔 = −𝒈𝒎. 𝑽𝒆. 𝒁 = −
𝒀
𝑽𝒔 𝒈𝒎 −𝒈𝒎 −𝒈𝒎. 𝑹
𝑻= =− = =
𝑽𝒆 𝒀 𝟏 𝟏 𝑹
𝟏 + 𝒋(𝑹𝑪𝒘 − )
𝑹 + 𝒋(𝑪𝒘 − 𝑳𝒘) 𝑳𝒘
𝑨𝟎
𝑻=
𝒘 𝒘𝟎
𝟏 + 𝒋𝑸 𝒘𝟎 − 𝒘
𝑹 𝑪 𝟏
Avec : 𝑨𝟎 = −𝒈𝒎. 𝑹 ; 𝑸 = 𝑹. 𝑪. 𝒘𝟎 = 𝑳.𝒘𝟎 = 𝑹. 𝑳
𝒆𝒕 𝒘𝟎 = 𝑳.𝑪
avec 𝑹 = 𝑹𝒅𝒔//𝑹𝒖
w0 est la pulsation propre du circuit oscillant et Q est le coefficient de qualité.

P a g e | 106
Courbe de réponse :
𝒘 𝒘𝟎 𝟐
𝑻𝒅𝑩 = 𝟐𝟎. 𝒍𝒐𝒈 𝑨𝟎 − 𝟐𝟎𝒍𝒐𝒈 𝟏 + 𝑸𝟐 ( − )
𝒘𝟎 𝒘
𝒘 𝒘𝟎
𝒂𝒓𝒈 𝑻 = 𝝋 = 𝝅 − 𝒂𝒓𝒄𝒕𝒈 𝑸. ( − )
𝒘𝟎 𝒘
Diagramme de Bode
Bande passante. Facteur de mérite

𝐴0
On cherche les pulsations qui vérifient : 𝑇 = 2
ou 𝑇𝑑𝐵 = 𝐴0𝑑𝐵 − 3𝑑𝐵
𝐴0 𝑨𝟎 𝒘 𝒘𝟎 𝟐 𝒘 𝒘𝟎 𝟐
𝑇 = 2
=  𝟏 + 𝑸𝟐 − 𝒘 = 𝟐  𝑸𝟐 − =𝟏
𝒘 𝒘𝟎 𝟐 𝒘𝟎 𝒘𝟎 𝒘
𝟏+𝑸𝟐 −
𝒘𝟎 𝒘
−𝒘𝟎 𝒘𝟎 𝒘𝟎 𝒘𝟎
Les solutions de l’équation : 𝒘𝟏 = 𝟐𝑸
+ 𝟐𝑸 𝟏 + 𝟒𝑸𝟐 et 𝒘𝟏 = 𝟐𝑸 + 𝟐𝑸 𝟏 + 𝟒𝑸𝟐
𝒘𝟎 𝒇𝟎
La bande passante : 𝑩𝒓𝒂𝒅/𝒔 = 𝒘𝟐 − 𝒘𝟏 = 𝑸
et 𝑩𝑯𝒛 = 𝒇𝟐 − 𝒇𝟏 = 𝑸
La bande passante est inversement proportionnelle au coefficient de qualité.
Le facteur de mérite M :
Le facteur de mérite est égal au produit de la bande passante par l'amplification maximale en tension :
𝐰𝟎 𝐠𝐦
𝐌 = 𝐁. 𝑨𝟎 = 𝐁. 𝐠𝐦. 𝐑 = 𝐐
. 𝐠𝐦. 𝐑 = 𝐂
Le facteur de mérite est constant, il est indépendant de la résistance de charge.

P a g e | 107
TD : Amplificateurs sélectifs
Un amplificateur sélectif a pour fonction d’amplifier de manière sélective les signaux dont la
fréquence est dans la bande passante.
1. Exprimer l’admittance équivalente Y de ce dipôle.

2. Le montage de l'amplificateur sélectif est construit autour d'un amplificateur opérationnel.
Z1 est une résistance R; Z2 est le dipôle précédent.
a. En déduire T=Vs/Ve en fonction de Z1 et de Z2.

b. Mettre T sous la forme :
−𝑨𝟎
𝑻=
𝒘 𝒘𝟎
𝟏 + 𝒋𝑸 𝒘𝟎 − 𝒘
Donner:
● Ao en fonction de R et Rp;
● ωo en fonction de C et Lp;
● Qo facteur de qualité du montage en fonction de Rp, Lp et ωo.
3. Calculer le facteur de mérite M

P a g e | 108
Les amplificateurs HF
I. Récepteur super hétérodyne
Les premiers récepteurs à changement de fréquence ont été mis à la portée du grand public en 1920
sous l’appellation "superhétérodyne“,
1. Définition
Le récepteur superhétérodyne est la structure de récepteur la plus utilisée, tant en radio qu'en télévision
ou en hyperfréquences (radar, GSM, GPS...). Elle est caractérisée par l'utilisation d'un étage changeur
de fréquence, ce qui permet une amplification plus aisée du signal.
2. Schéma synoptique
fe
Mélangeur
Filtre de Amplificateur Filtre sélectif Amplificateur

présélection HF Démodulation
de FI de FI
Amplificateur
Oscillateur audio fréquence
local f0
Le signal modulé de fréquence fe est capté par l’antenne. Celui ci est amplifié de manière sélective par
l’amplificateur HF. L’amplificateur HF à une largeur suffisante pour laisser passer tous les canaux
(toutes les stations en radio) de la bande. Le signal est ensuite mélangé avec l’oscillateur local.
Le signal obtenu est à la fréquence fI . On a fI= |fe-fo| ou fI = fe+fo .
Quand on change de station, la fréquence d’entrée fe varie, la fréquence de l’oscillateur local fo varie
mais la fréquence fI reste fixe. Ce qui permet d’avoir tout le temps la même sélectivité quelque soit la
station reçue. La notion de sélectivité est abordée dans un paragraphe ultérieur.
Le démodulateur permet de retrouver le message basse fréquence. L’intérêt de la structure est que la
démodulation se fait à fréquence fixe quelque soit la station reçue. Le démodulateur est un
démodulateur d’amplitude ou de fréquence.

P a g e | 109
3. Structure d’un récepteur FM
Un récepteur radio à changement de fréquence pour la radiodiffusion FM a les caractéristiques

suivantes :
 il est construit pour recevoir la bande de fréquences allant de 88 à 108 MHz

 dans la bande FM, chaque émetteur occupe une bande de fréquence de largeur B = 250 kHz
environ
 la valeur standard du filtre fi est de fi = 10,7 MHz et sa largeur est de 300 kHz
 la plage couverte par l’oscillateur local va de fo = 77,3 à 97,3 MHz
Exemple :
Si on veut capter l’émetteur de Hit Radio à f = 99,5 MHz :
l’oscillateur local sera réglé à fo = 88.8 MHz en sortie du mélangeur, l’émission de Hit Radio se
retrouvera à f + fo = 110,2 MHz et à f - fo = 10,7 MHz. le signal à 10,7 MHz traversera le filtre fI, et
sera amplifié puis démodulé.
Pour recevoir une émission à la fréquence f, il faut régler l’oscillateur local à la fréquence fo telle que :
𝒇 − 𝒇𝒐 = 𝒇𝑰
 en radiodiffusion AM, la valeur standard est fI = 455 kHz

 en radiodiffusion FM, la valeur standard est fI = 10,7 MHz
4. La technologie des filtres fI
Différents types de filtres fi sont disponibles, permettant d’obtenir une courbe de réponse proche du
gabarit idéal :

P a g e | 110
le filtre fi céramique utilisé en

AM (fi = 455 kHz, B = 10 kHz) et
FM (fi = 10,7 MHz, B = 300 kHz)
le filtre à onde de surface, pour

les fréquences supérieures à 50
MHz (TV, GSM …)
5. Le problème de la fréquence image
Cette structure quasi idéale a un défaut puisque 2 émetteurs seront reçus pour une valeur donnée de
l’oscillateur local fo :
Pour recevoir l’émetteur de Hite Radio à f = 99,5 MHz, on règle fo = 88.8 MHz
La fréquence f’ = fo - fi = 78,1 MHz mélangée à 88.8 MHz tombera aussi à 10,7 MHz, s’il y a un
émetteur qui émet à cette fréquence f’, il sera reçu et se superposera à Hite Radio.
 Cette deuxième fréquence f’ est appelée fréquence image de f
L’émetteur image peut être supprimé par un filtre de bande qui sélectionne la bande à recevoir et
supprime la bande image.
f - fo = fi soit f = fo + fi et fo - f’ = fi soit f’ = fo - fi
un émetteur et son image sont symétriques par rapport à fo.
un émetteur est séparé de son image par un intervalle égal à 2fi.

P a g e | 111
La suppression de l’image est d’autant plus facile qu’il est éloigné de l’émetteur à recevoir, d’où
l’intérêt de choisir une fI élevée :
 fi = 10,7 MHz pour une réception autour de 100 MHz (bande FM)
 fi = 455 kHz pour une réception autour de 1 MHz (bande PO)
 fi = 38,9 MHz pour une réception autour de 400 à 800 MHz (bande TV)
 fi = 70 à 250 MHz pour une réception autour de autour de 900 MHz (bande GSM)
6. Les dispositifs mélangeurs
Pour réaliser la fonction de mélange, on dispose d’un grand choix de composants parmi lesquels il faut
effectuer son choix en fonction de la fréquence de travail, des performances souhaitées et du coût :
a. Le multiplieur analogique AD835
Il permet de multiplier deux signaux de forme quelconque, mais est coûteux et limité en fréquence.
 Lorsque la fréquence augmente l’amplitude démunie
b. cellule de Gilbert
Le mélangeur à cellule de Gilbert, le plus utilisé actuellement jusqu’à 2 GHz, qui allie bon
fonctionnement, prix de revient réduit et facilité d’intégration. Il équipe les récepteurs radio FM (88 à
108 MHz), les récepteurs de télévision (400 à 800 MHz), les téléphones GSM (900 MHz) et dans les
réseaux locaux sans fil de type Ethernet ou Bluetooth (2,45 GHz) etc …
Mélangeur de Gilbert NE612 et son schéma

interne

Amplificateurs À Transistor

Hochgeladen von

Dokumentinformationen

Originaltitel

Copyright

Verfügbare Formate

Dieses Dokument teilen

Dokument teilen oder einbetten

Freigabeoptionen

Stufen Sie dieses Dokument als nützlich ein?

Sind diese Inhalte unangemessen?

Copyright:

Verfügbare Formate

Amplificateurs À Transistor

Hochgeladen von

Copyright:

Verfügbare Formate

P a g e | 78

les amplificateurs à transistors

- le transistor (amplification de courant)

Type d’amplification Formule de l’amplification Expression du gain

BTS SE1 : Physique Appliquée Prof : I. Elyamani

C’est l’intervalle de fréquence [F1 ; F2], pour lequel on a :

BTS SE1 : Physique Appliquée Prof : I. Elyamani

II. Amplificateur de puissance

 Distorsion : Lorsque l’amplificateur travaille en grands signaux, le signal de sortie présente

2. Critères de sélection d'une classe d'amplificateur

− Le rendement ; − La fréquence maximale de travail.

− La puissance maximale que peut dissiper l'élément actif ; − La distorsion ;

BTS SE1 : Physique Appliquée Prof : I. Elyamani

III. Le transistor bipolaire

C’est un composant semi-conducteur fondamental de l’électronique, ces applications étant que

type Structure Symbole Courants/ tensions

3. Les régimes de fonctionnement

Saturation Blocage Régime linaire

BTS SE1 : Physique Appliquée Prof : I. Elyamani

Type réf Fabricant Vce0max(V) Icmax(mA) 𝛽 Vcesat(V) Ft (MHz)

 ft : fréquence de transition caractérise la vitesse de fonctionnement.

Caractéristiques de sortie Ic=f(Vce) à Ib=cst

Caractéristiques d’entrée Ib=f(Vbe) à Vce=cst

5. Polarisation d’un transistor

b. Réalisations pratiques de la polarisation

 Polarisation par résistance de base

BTS SE1 : Physique Appliquée Prof : I. Elyamani

c. Point de fonctionnement statique

Pour déterminer le point de fonctionnement du montage, il suffit de tracer la droite d’attaque et la

RC Droite d’attaque : loi des mailles appliquée au circuit

Au point P le transistor fonction dans le régime linéaire : Ic=Ib.β

BTS SE1 : Physique Appliquée Prof : I. Elyamani

Au point B : 𝑉𝐶𝐸 = 𝐸 → 𝐼𝐶 = 0 → 𝐓𝐫𝐚𝐧𝐬𝐢𝐬𝐭𝐨𝐫 𝐛𝐥𝐨𝐪𝐮é

6. Modélisation du transistor en zone linéaire

Le transistor peut être considéré comme un quadripôle :

Schéma équivalent général :

𝑽𝑩𝑬 = 𝒉𝟏𝟏 . 𝑰𝑩 + 𝒉𝟏𝟐 . 𝑽𝑪𝑬

BTS SE1 : Physique Appliquée Prof : I. Elyamani

7. Type des montages amplificateurs

Entrée Sortie Type amplificateur

8. Transistor en régime dynamique

 Les accès d’entrée et de sortie sont 1 et 2.

Etude en statique (en régime continu) :

 La source sinusoïdale est court-circuitée

Schéma électrique en continu

Les circuits de polarisations fixent les valeurs des

BTS SE1 : Physique Appliquée Prof : I. Elyamani

Etude dynamique (en régime sinusoïdal)

 La source continue est court-circuitée

𝑽𝑪𝑬 = 𝒗𝑪𝑬 + 𝑽𝑪𝑬𝟎

BTS SE1 : Physique Appliquée Prof : I. Elyamani

Le moins indique l’opposition de phase entre les tensions d’entrée et de sortie.

Les caractéristiques du montage amplificateur à E.C :

 Gain en tension important

9. Limitations des transistors bipolaires

La puissance dissipée dans le transistor est : Pdmax = VCE.IC

 VCEmax que peut supporter le transistor

IV. Classe d’amplification de puissance

BTS SE1 : Physique Appliquée Prof : I. Elyamani

Classe A : La totalité du signal d’entrée (100 %) est utilisée

Classe B : La moitié du signal (50 %) est utilisée (a = 180°).

Classe AB : Plus de la moitié mais pas la totalité du signal

Classe C: Moins de la moitié (0–50 %) du signal est utilisée