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Der Transistor als Schalter

In diesem Kapitel sollen Anwendungen von Transistoren in digitalen Schaltungen
untersucht werden. Beispielhaft wird die Entwicklung eines Inverters besprochen.
Anhand dieses Beispiels wird gezeigt, in welcher Art ein Entwurfsprozess etwa
ablaufen kann. Das Wissen um den Entwurfsprozess und die dabei angewandten
Methoden und Denkweisen ist dabei viel wichtiger als die genaue Kenntnis der
resultierenden Schaltungen.

5.1 Entwicklung eines Inverters

5.1.1 Der Transistor als Schalter-Ersatz

Die nachstehende Schaltung (Abbildung 5.1) stellt einen Inverter dar, der von Hand
mit einer Taste S betätigt wird. Bei gedrückter Taste ist die Ausgangsspannung
gleich Null (die Ausgangsklemme ist über den geschlossenen Schalter niederohmig
mit Masse verbunden). Wenn die Taste nicht gedrückt ist, so ist die Ausgangs-
klemme über den Widerstand R mit der Betriebsspannung verbunden. Bei hinrei-
chend hochohmiger Belastung am Ausgang ist also die Ausgangsspannung etwa
gleich der Betriebsspannung UCC.
2 Der Transistor als Schalter

+UCC

S Ua

Abb. 5.1: Mechanischer Schalter als Inverter

Will man nun das mechanisch betätigte Bauelement, also den Schalter, durch ein
elektronisches Bauelement ersetzen, so muss man sich zunächst darüber im Klaren
sein, was das zu ersetzende Bauelement für Eigenschaften hat. Den Schalter können
wir durch die in Abbildung 5.2 gezeigten Kennlinien beschreiben.

S geschlossen

U
S offen

Abb. 5.2: Kennlinien eines Schalters

Bei offenem Kontakt ist der Strom gleich Null, unabhängig von der Spannung. Bei
einem realen Schalterkontakt darf aber sicher die Spannung nicht beliebig gross
werden, da sonst ein Überschlag auftreten wird. In unserer Anwendung wird die
Spannung über dem Kontakt sicher nie negativ. Die entsprechende Kennlinie für
den offenen Schalterkontakt ist deshalb auch nur in dem Bereich ausgezogen
gezeichnet, in dem der Schalter in unserer Schaltung betrieben wird. Der unbe-
nutzte Kennlinienteil ist gestrichelt gezeichnet. Analog gelten die gleichen
 5.1 Entwicklung eines Inverters 3

Bemerkungen für die Kennlinie des geschlossenen Schalterkontaktes; hier ist bei
einem realen Schalter der maximal zulässige Strom ebenfalls begrenzt.

IC

IB = 100µA

15mA
IB = 80µA

IB = 60µA
10

IB = 40µA

5
IB = 20µA

IB = 0
UCE
5 10 15 20V

Abb. 5.3: Transistor- und Schalter-Kennlinien

Bei der Betrachtung des Ausgangskennlinienfeldes eines Transistors stellt man

sofort fest, dass die Kennlinie mit IB = 0 genau der Kennlinie des offenen Schal-
terkontaktes entspricht, wenn man die Kollektor-Emitter-Strecke als Schalteräqui-
valent betrachtet. Die Ausgangskennlinie mit IB = 100 µA entspricht dann etwa der
Kennlinie des geschlossenen Schalters. Man kann also einen mechanischen Schal-
terkontakt ohne weiteres durch einen Transistor ersetzen, wenn sichergestellt wird,
dass gewisse physikalische Grenzen (Durchbruchspannung bzw. maximaler Strom)
nicht überschritten werden. Vergleichbare Grenzen hat man aber auch beim mecha-
nischen Kontakt, so dass diese Forderung keine große Einschränkung bedeutet.
+UCC

RC

RB
Ua
Ue

Abb. 5.4: Grundschaltung eines Inverters

Die Schaltung von Abbildung 5.4 bildet also einen Inverter. Bei einer hinreichend
grossen Eingangsspannung Ue fliesst Basisstrom und der Transistor leitet. Damit
wird die Ausgangsspannung sehr klein. Umgekehrt wird bei hinreichend kleiner
4 Der Transistor als Schalter

Eingangsspannung der Transistor sperren und der Ausgang ist über den Widerstand
RC mit der Betriebsspannung verbunden. Die etwas schwammigen Begriffe “hin-
reichend gross” bzw. “hinreichend klein” müssen noch präzisiert werden. Dazu
betrachten wir einen abstrakten Inverter, wie er in Abbildung 5.5 gezeigt wird.

INVERTER

Ue Ua

Abb. 5.5: Abstrakter Inverter

Das Verhalten eines Inverters lässt sich durch folgende Beziehungen formal
beschreiben:

! Für eine Eingangsspannung Ue kleiner oder gleich einer vorgegebenen

Schranke UL gilt der Eingang als im Zustand Low (L) befindlich. Die Aus-
gangsspannung Ua muss dann entsprechend grösser oder gleich einer ebenfalls
vorgegebenen Schranke UH sein; der Ausgang des Inverters befindet sich dann
im Zustand High (H).
! Für eine Eingangsspannung Ue grösser oder gleich der Schranke UH gilt der
Eingang als im Zustand High (H) befindlich. Die Ausgangsspannung Ua muss
dann entsprechend kleiner oder gleich der Schranke UL sein; der Ausgang
befindet sich dann im Zustand Low (L).
! Die Schranke UH muss grösser sein als die Schranke UL.

Nun geht es noch darum, sinnvolle Werte für die Schranken UL und UH fest-
zusetzen. Wenn bei einem Silizium-Transistor bei Raumtemperatur die Basis-Emit-
ter-Spannung UBE kleiner als etwa 0.4 V wird, so nimmt der Kollektorstrom IC
nahezu unmessbare kleine Werte an: der Transistor ist gesperrt. Die Schwelle UL
kann also auf 0.4 V festlegt werden. Bei der Festsetzung von UH muss noch berück-
sichtigt werden, dass der Ausgang eines Inverters im allgemeinen wieder Eingänge
von anderen Invertern bzw. ähnlichen Schaltungen treibt. Wenn bei gesperrtem
Transistor am Ausgang Strom fliesst, so sinkt die Ausgangsspannung natürlich
unter die Betriebsspannung ab. Daher darf die Schwelle UH nicht zu hoch angesetzt
werden; ein Wert von 2 V scheint angemessen.

5.1.2 Elementare Inverterstufe

Für die Dimensionierung der Inverter-Schaltung von Abbildung 5.6 kann man
davon ausgehen, dass der Kollektorstrom IC beim leitenden Transistor durch die
Betriebsspannung und den Kollektorwiderstand gegeben ist.
 5.1 Entwicklung eines Inverters 5

+UCC

RC

IC

RB IB

Ua
Ue UBE

Abb. 5.6: Invertergrundschaltung

Damit dieser Kollektorstrom auch wirklich fliessen kann, muss der Transistor einen
notwendigen Basisstrom IB0 bekommen

U CC IC U CC
I C = ----------- I B0 = ----- = ---------------
RC β β ⋅ RC

In einem Experiment wollen wir ermitteln, wie sich die Ausgangsspannung des
Inverters verhält, wenn am Eingang ein Basisstrom fliesst, der grösser ist als der
eben definierte notwendige Basisstrom. In der folgenden Abbildung 5.7 findet man
das Resultat dieser an einem Transistor des Typs 2N2219A durchgeführten Messun-
gen für einen Bereich des Basisstroms, der sich bis zum sechsfachen des notwendi-
gen Basisstromes erstreckt.

Ua = UCE

1.0V

0.5V

m = IB/IB0
1 2 3 4 5 6

Abb. 5.7: Einfluss des Sättigungsfaktors m

6 Der Transistor als Schalter

Man erkennt, dass in der Umgebung von m=1, wenn also nur gerade der notwen-
dige Basisstrom fliesst, die Spannung sehr stark ansteigt, wenn der Basisstrom auch
nur um sehr wenig sinkt. Bei einem grösseren überschüssigen Basisstrom nimmt
die Ausgangsspannung noch etwas ab; es ist damit auch sichergestellt, dass die
Ausgangsspannung nie über den Wert von UL ansteigt. Wenn die Situation eintritt,
dass der Basisstrom grösser ist als für den fliessenden Kollektorstrom notwendig,
spricht man von Sättigung (engl. saturation). Das Verhältnis von tatsächlichem
Basisstrom zu notwendigem Basisstrom wird dann auch Sättigungsfaktor m
genannt. Die in dieser Betriebsart auftretende Kollektor-Emitter-Spannung heisst
Sättigungsspannung UCEsat.

Die Sättigung eines Transistors ist aufgrund einiger Symptome erkennbar:

! Der Kollektorstrom ist nicht mehr vom Basisstrom abhängig, sondern wird nur
noch durch die äussere Beschaltung festgelegt.

! Die Kollektor-Emitter-Spannung ist sehr klein.

Massgebend für den Eintritt der Sättigung ist aber eine Erscheinung, die nur
indirekt beobachtet werden kann:

Beim gesättigten Transistor leitet die Kollektor-Basis-Diode in Flussrichtung.

Wir werden diese Behauptung später noch an einigen Beispielen verifizieren.

Man wird also die Inverterschaltung so dimensionieren, dass auch unter

unglücklichsten Umständen (kleinste zulässige Eingangspannung und kleinste
mögliche Stromverstärkung $) noch ein Sättigungsfaktor m von mindestens 5
eingehalten wird. Die kleinste Eingangsspannung, die den Transistor noch zum
Leiten bringen muss, ist die Schwellenspannung UH. Wir erhalten damit für den
Basisstrom folgende Beziehungen:
U H – U BE m ⋅ U CC
I B = ------------------------- ≥ -----------------------
RB β min ⋅ R C

Diese Beziehung kann nun noch nach dem Basisvorwiderstand RB aufgelöst wer-
den:
β min ⋅ R C ⋅ ( U H – U BE )
R B ≤ ----------------------------------------------------------
m ⋅ U CC
 5.1 Entwicklung eines Inverters 7

Zahlenbeispiel

Man dimensioniere einen Inverter mit 5 V Betriebsspannung, Transistor BD237

($ $ 25, UBEsat = 0.7 V), Kollektorstrom . 5 mA, Sättigungsfaktor m $ 5. Die
vereinbarten Schwellspannungen seien UH = 2 V und UL = 0.4 V. Für den
Kollektorwiderstand RC folgt sofort ein Wert von 1 kS. Für den
Basisvorwiderstand RB erhält man als obere Grenze 1300 S. Wir wählen den
nächsttieferen Normwert aus der Reihe E12, nämlich 1.2 kS. Damit erhalten wir
die folgende Schaltung:
5V

1k
Ua

Ue 1k2
BD237

Abb. 5.8: Dimensionierte Inverterstufe

Experiment
Aufbau der Schaltung (Abbildung 5.8) und Messung von Ein- und Ausgangsspan-
nung mit dem Oszilloskop. Als Eingangsspannung diene die Trigger-Ausgangs-
spannung eines Funktionsgenerators (TTL-kompatibler Ausgang). Die gemessenen
Spannungsformen sind auf dem KO-Bild Abbildung 5.9 dargestellt.
Ue(t) Ua(t)
6V 14V

4V 12V

2V 10V

0V 8V

-2V 6V

-4V 4V

-6V 2V

-8V 0V

-10V -2V
5µs/DIV

Abb. 5.9: Spannungsverläufe beim Inverter mit BD237

8 Der Transistor als Schalter

Wir erkennen, dass man diesen Transistor zwar relativ rasch vom sperrenden in den
leitenden Zustand bringen kann, dass es aber ziemlich lange dauert, bis der Transis-
tor vom leitenden in den sperrenden Zustand gebracht werden kann. In der fol-
genden - etwas übertrieben gezeichneten - Abbildung 5.10 sind die bei einem
Inverter auftretenden Schaltzeiten definiert.

Ue(t) Ua(t)

90%

10%
t
ts tr td tf

Abb. 5.10: Definition der Schaltzeiten

ts = Speicherzeit (storage time)

tr = Anstiegszeit (rise time)
td = Verzögerungszeit (delay time)
tf = Abfallzeit (fall time)

In unserer Darstellung sind die Bezeichnungen für die verschiedenen Zeiten auf die
Ausgangsspannung bezogen; in der Literatur werden dieselben Bezeichnungen
auch auf den Kollektorstrom IC angewandt, dabei tauschen aber Anstiegs- und
Abfallzeit ihre Bedeutung.

Auffällig bei den gemessenen Spannungsverläufen (Abbildung 5.9) ist die sehr
große Speicherzeit ts, die mehr als 10 µs beträgt. Sie ist eine Folge der Sättigung,
weil dabei die Kollektor-Basis-Diode leitend wird. Bevor der Transistor sperren
kann, müssen die Ladungsträger aus diesem leitenden pn-Übergang entfernt wer-
den, was einige Zeit dauert, wie wir bereits bei der Untersuchung des dynamischen
Verhaltens der Dioden gesehen haben. Es handelt sich beim hier im Versuch ver-
wendeten Transistor nicht um einen schnellen Schalttransistor, sondern um einen
Leistungstransistor, also etwa das Äquivalent zur Gleichrichterdiode.
 5.1 Entwicklung eines Inverters 9

Wenn man davon ausgeht, dass die geschilderten Effekte die Schuld an der Spei-
cherzeit tragen, muss man sich überlegen, durch welche schaltungstechnischen
Massnahmen diese Speicherzeit verkürzt werden könnte. Es sollen hier nur zwei
mögliche Ideen angedeutet werden:

Beschleunigungs-Kondensator

Falls ein grosser negativer Basisstrom fliessen könnte, würde die Kollektor-Basis-
Diode schneller ausgeräumt und der Transistor würde wesentlich schneller sperren.
Dieses Konzept wird durch einen Kondensator parallel zum Basisvorwiderstand
realisiert. Man überlege sich selbst die genaue Funktionsweise und führe entspre-
chende Experimente durch.

Schottky-Diode

Man kann das Problem auch so anpacken, dass man verhindert, dass die Kollektor-
Basis-Diode jemals leitet, dass man also den Eintritt der Sättigung verhindert. Die
Schottky-Diode unterscheidet sich von gewöhnlichen Dioden einerseits durch das
völlige Fehlen einer Speicherladung und anderseits durch eine wesentlich tiefere
Flussspannung, die nur etwa 0.3 ... 0.4 V beträgt. Wenn nun eine solche Schottky-
Diode parallel zur Kollektor-Basis-Diode des Schalttransistors geschaltet wird
(Abbildung 5.11), so kann die CB-Diode gar nicht mehr ins Leiten kommen, da die
Schottky-Diode dank ihrer wesentlich tieferen Flussspannung zuerst leitet. Der
Transistor nimmt sich genau den Basisstrom, den er benötigt, um voll zu leiten; der
restliche hineingepumpte Basisstrom fliesst durch die Schottky-Diode.

+5V

1k
BAT81 Ua

Ue 1k2
BD237

Abb. 5.11: Inverter mit Schottky-Diode

Die Ausgangsspannung des Inverters im Zustand Low (Transistor leitend) wird

etwas höher, da die Ausgangsspannung etwa gleich der Differenz der Flussspan-
nungen der Basis-Emitterdiode und der Schottky-Diode ist. Beim Betrachten der
gemessenen Spannungsverläufe (Abbildung 5.12) fällt sofort auf, dass die Spei-
cherzeit nun praktisch verschwunden ist:
10 Der Transistor als Schalter

Ue(t) Ua(t)
6V 14V

4V 12V

2V 10V

0V 8V

-2V 6V

-4V 4V

-6V 2V

-8V 0V

-10V -2V
5µs/DIV

Abb. 5.12: Spannungsverläufe beim Inverter mit Schottky-Diode

Das Messresultat zeigt, dass die Hypothese für die Speicherzeit richtig war. Auch
die Vermutung betreffend die leicht erhöhte Ausgangsspannung im Low-Zustand
wird durch die Messung bestätigt.
Anregung: Aufbau und Test der Schaltung mit der Schottky-Diode 1N5819. Man
beachte vor allem die Anstiegszeit und suche eine Erklärung dafür. Dazu noch ein
Hinweis: Die 1N5819 ist eine Gleichrichterdiode mit einer Sperrschichtkapazität
von ca. 150 pF.
Das Verfahren mit der Schottky-Diode hat in der Elektronik eine große Bedeutung
erlangt. Die schnellsten Logik-Familien, die mit bipolaren Transistoren aufgebaut
sind, beruhen auf dieser Technik (Schottky-TTL-Technik mit den Reihen 74Sxx,
74LSxx, 74ASxx, 74ALSxx etc.). Die Schottky-Diode kann leicht zusammen mit
dem Transistor in integrierter Technik hergestellt werden und benötigt sehr wenig
Chip-Fläche. Man spricht dann auch kurz von Schottky-Transistoren und zeichnet
auch nur ein Symbol dafür, obwohl man streng genommen immer die Kombination
Transistor und Schottky-Diode meint (Abbildung 5.13).

Abb. 5.13: Schottky-Transistor

 5.1 Entwicklung eines Inverters 11

Für die folgenden Schaltungen wollen wir wieder auf die Schottky-Technik ver-
zichten, dafür aber einen Transistor einsetzen, der für diese Aufgabe besser geeig-
net ist, nämlich den npn-Universal-Transistor 2N2219A. Die bei diesem Transistor
auftretenden Speicherzeiten sind für uns hinreichend klein und sollen nicht weiter
beachtet werden.

+5V

1k
Ua

Ue 3k3

CL=1nF
2N2219A

Abb. 5.14: Inverter mit kapazitiver Last

In der Schaltung von Abbildung 5.14 wurde noch ein Last-Kondensator eingefügt.
Dieser Kondensator soll die am Ausgang eines Inverters unvermeidlich auftretende
Lastkapazität simulieren. Eine kapazitive Belastung kommt vor allem bei ange-
schlossenen Leitungen vor (z.B. Koaxialkabel mit ca. 100 pF/m), aber auch lange,
parallel geführte Leiterbahnen auf einem Print (z.B. Bus-Leitungen) führen zu rela-
tiv grossen kapazitiven Belastungen. Der Lastkondensator ist mit 1 nF sicher über-
trieben gross gewählt, dafür sind aber die auftretenden Effekte auch deutlicher
sichtbar.

Entsprechend der grösseren Stromverstärkung des 2N2219A ($ > 75) wurde der
Basiswiderstand auf 3.3 kS vergrössert; im übrigen blieb die Schaltung
unverändert. Die Messresultate (Abbildung 5.15) zeigen, dass vor allem die
ansteigende Flanke einen exponentiellen Verlauf hat. Dieses Verhalten ist leicht
verständlich, wenn man bedenkt, dass der Transistor sperrt und damit der Lastkon-
densator nur über den Kollektorwiderstand auf die Betriebsspannung aufgeladen
wird. Entsprechend erhält man auch für die Zeitkonstante J = RC · CL = 1 kS · 1 nF
= 1 µs, was man in der Abbildung leicht verifizieren kann.

Die Steilheit der fallenden Flanke der Ausgangsspannung kann durch folgende
Überlegung ermittelt werden: Die auf die Betriebsspannung aufgeladene Lastka-
pazität muss über den Transistor entladen werden. Da der Transistor erst sättigt,
wenn seine Kollektor-Emitterspannung praktisch Null geworden ist, wird der Kol-
lektorstrom durch $ · IB definiert. Da dieser Wert mindestens m-mal (m = Sät-
tigungsfaktor) grösser ist als der Strom durch RC (und dieser also vernachlässigt
12 Der Transistor als Schalter

werden kann), kann der ganze Strom zur Entladung des Kondensators verwendet
werden.

Ue(t) Ua(t)
6V 14V

4V 12V

2V 10V

0V 8V

-2V 6V

-4V 4V

-6V 2V

-8V 0V

-10V -2V
5µs/DIV

Abb. 5.15: Spannungsverlauf mit kapazitiver Last

Wir erhalten also eine linear fallende Flanke, deren Steilheit durch die folgende
Beziehung gegeben ist:

dU dU β ⋅ I B
C ⋅ ------- ≈ β ⋅ I B → ------- ≈ -------------
dt dt C

Die Flankensteilheit ist offensichtlich proportional zur Stromverstärkung der ver-

wendeten Transistoren und umgekehrt proportional zur Lastkapazität.

Ein weiterer Nachteil dieser Schaltung ist die starke Abhängigkeit der Ausgangs-
spannung von einem angeschlossenen Lastwiderstand (z.B. Eingangswiderstand
einer nachfolgenden Stufe) im Zustand High. Diesen Nachteil kann man durch eine
Ergänzung der Inverterstufe durch einen zusätzlichen Transistor beheben. Gleich-
zeitig wird dabei auch das Problem mit der exponentiell ansteigenden Flanke
gelöst.
 5.1 Entwicklung eines Inverters 13

5.1.3 Inverter mit Emitterfolger

Betrachten wir die folgende, durch einen sogenannten Emitterfolger ergänzte

Inverterschaltung:
UCC

IC2
RC
IB2
T2
RB
T1

Ue RE Ua RL
CL

Abb. 5.16: Inverter mit Emitterfolger

Falls der Transistor T1 leitet (Eingang ist im Zustand High), liegt die Basis von T2
praktisch an Masse, d.h. der Transistor T2 sperrt und damit ist die Ausgangsspan-
nung Ua = 0, also sicher im Zustand Low.

Etwas komplizierter liegen die Verhältnisse bei sperrendem Transistor T1. In

diesem Fall können wir bei vernachlässigtem Lastwiderstand RL mit Hilfe des
Maschensatzes ansetzen:

U a ≈ U CC – U BE2 – I B2 ⋅ R C

Mit den Beziehungen IC2 = $ · IB2 und IC2 . IE2 = Ia erhalten wir für die Aus-
gangsspannung in Abhängigkeit vom Ausgangsstrom:

RC
U a ≈ ( U CC – U BE2 ) – I a ⋅ -------
β

Das ist die Gleichung eines linearen aktiven Zweipols mit der eingeprägten Span-
nung UCC - UBE2 und dem Innenwiderstand Ri = RC / $. Die gewöhnliche Inverter-
schaltung bildet bei gesperrtem Transistor einen aktiven Zweipol mit der
Leerlaufspannung UCC und dem Innenwiderstand RC.
14 Der Transistor als Schalter

Im Zustand High am Ausgang können die beiden Inverterstufen durch die fol-
genden Ersatzschaltungen beschrieben werden (Abbildung 5.17):
RC RC/β

UCC UCC - UBE

a) b)

Abb. 5.17: Ersatzschaltung ohne (a) und mit (b) Emitterfolger am Ausgang

Richtig deutlich wird der Unterschied, wenn man die Ausgangskennlinien für beide
Fälle aufzeichnet, wie das in Abbildung 5.18 gemacht wurde. Dabei wurden die fol-
genden Annahmen getroffen: UCC = 5 V, RC = 1 kS, $ = 100.
U
mit Emitterfolger
ohne Emitterfolger
5V

I
1 2 3 4 5mA

Abb. 5.18: Ausgangskennlinien

Man erkennt sehr klar, dass durch den Einsatz des Emitterfolgers die Aus-
gangsspannung praktisch unabhängig von der Belastung wird; der Innenwiderstand
ist um die Stromverstärkung kleiner geworden.

Nun muss noch der Einfluss des Emitterfolgers auf die Steilheit der steigenden
Flanke des Inverters bei kapazitiver Belastung untersucht werden, die schlechte
Anstiegszeit (Exponentialfunktion) war ja eigentlich der Hauptgrund für den Ver-
such einer Schaltungsverbesserung. Da bei der ansteigenden Flanke der eigentliche
Inverter-Transistor gesperrt ist, ist die massgebende Zeitkonstante das Produkt aus
Lastkapazität und Ausgangswiderstand. Da wir durch Einführung des Emitterfol-
gers den Ausgangswiderstand massiv verkleinert haben, dürfte also die Anstiegzeit
gegenüber dem einfachen Inverter ebenfalls um die Stromverstärkung $ kleiner
 5.1 Entwicklung eines Inverters 15

werden; mit den damals getroffenen Annahmen (CL = 1 nF, RC = 1 kS, $ = 100)
resultiert eine Zeitkonstante von J = RC · CL / $ = 10 ns, d.h. diese Zeitkonstante
verschwindet gegenüber den anderen Schaltzeiten.

Insofern hat also die Inverterschaltung mit nachgeschaltetem Emitterfolger alle

unsere Erwartungen erfüllt: Die ansteigende Flanke sollte sehr steil sein und die
Ausgangsspannung im Zustand High sollte praktisch lastunabhängig sein. Ein
Testlauf mit RL = 4, RC = 1 kS, RE = 10 kS und CL = 1 nF liefert die in Abbildung
5.19 gezeigten Spannungsverläufe. Der Widerstand RE ist ja nur dazu da, dass der
Emitter nicht einfach in der Luft hängt; sein Wert ist an sich unkritisch.

Ue(t) Ua(t)
6V 14V

4V 12V

2V 10V

0V 8V

-2V 6V

-4V 4V

-6V 2V

-8V 0V

-10V -2V
5µs/DIV

Abb. 5.19: Verbesserter Inverter bei kapazitiver Belastung

Die ansteigende Flanke ist wie erwartet nun sehr steil, aber mit Schrecken stellen
wir fest, dass jetzt die fallende Flanke, die früher beim einfachen Inverter sehr steil
war, exponentiell und sehr gemütlich gegen Null läuft. Der Grund für dieses Ver-
halten liegt darin, dass bei leitendem Transistor T1 der Emitterfolger T2 sperrt;
damit kann sich der Lastkondensator CL nur über den Emitterwiderstand RE
entladen, was zu einer entsprechend grossen Zeitkonstanten führt.

Jetzt drängt sich natürlich die Frage auf, ob es nicht möglich wäre, die Vorteile der
beiden Schaltungen (niederohmiger Pfad vom Ausgang gegen Masse beim gewöhn-
lichen Inverter, niederohmiger Pfad von Ausgang zur Betriebsspannung beim
Inverter mit Emitterfolger) zu kombinieren.
16 Der Transistor als Schalter

UCC
RC
T2

RB
T1

Abb. 5.20: Kombinierte Schaltung

Durch den geschickten Einsatz einer Diode (Abbildung 5.20) erreicht man diese
gewünschte Kombination. Im Zustand High sperrt T1 und der Transistor T2 stellt
eine niederohmige Verbindung mit der Betriebsspannung sicher (Innenwiderstand
etwa RC / $). Im Zustand Low leitet T1 und verbindet den Ausgang über die Diode
niederohmig mit Masse; T2 sperrt.

Diese Schaltung vereint offensichtlich alle Vorzüge und soll deshalb auch noch
einem Test unterzogen werden. Die Resultate, wieder mit kapazitiver Belastung,
sind in Abbildung 5.21 gezeigt.
Ue(t) Ua(t)
6V 14V

4V 12V

2V 10V

0V 8V

-2V 6V

-4V 4V

-6V 2V

-8V 0V

-10V -2V
5µs/DIV

Abb. 5.21: Spannungsverläufe beim kombinierten Inverter

 5.1 Entwicklung eines Inverters 17

Einen Nachteil weist diese Schaltung trotz ihrer Schnelligkeit noch auf: Die Aus-
gangsspannung im Zustand Low ist klar grösser als unsere früher definierte
Schwelle UL = 0.4 V. Der Ausgang unseres Inverters wäre also nicht in der Lage,
einer weiteren angeschlossenen Inverterstufe ein sauberes Low zu liefern.

Wir müssen deshalb die Schwelle UL neu definieren. Dazu muss aber auch die
Schaltung noch etwas geändert werden, damit der Transistor bei diesem höheren
Low-Pegel noch sicher sperrt. Eine Möglichkeit besteht darin, am Eingang einfach
einen Spannungsteiler vorzuschalten (Abbildung 5.22).
UCC
RC
T2

R1
T1
R2

Abb. 5.22: Endgültige Schaltung

Für die Dimensionierung geht man davon aus, dass über dem Widerstand R2 beim
leitenden Transistor immer die Basis-Emitter-Spannung UBE . 0.7 V liegt. Die
kleinste zulässige Eingangsspannung ist UH; also liegt mindestens die Spannungs-
differenz UH - UBE über dem Widerstand R1. Damit lässt sich der Basisstrom von
T1 berechnen:
U H – U BE U BE m ⋅ I C
I B ≈ ------------------------- – ----------- ≥ --------------
R1 R2 β min

Für den gesperrten Transistor muss sichergestellt sein, dass die Spannung UBE auch
bei der maximal zulässigen Eingangsspannung UL kleiner als 0.4 V ist, damit der
Transistor sicher sperrt. Bei als gesperrt angenommenem Transistor liegt aber ein
unbelasteter Spannungsteiler vor, für den wir die folgende Ungleichung ansetzen
können:
UL ⋅ R2
------------------- ≤ 0.4V
R1 + R2
18 Der Transistor als Schalter

Diese beiden Ungleichungen können nun nach R1 und R2 aufgelöst werden. Bei der
endgültigen Bemessung der Widerstände (Runden auf Normwerte) muss sicherge-
stellt sein, dass die obigen Ungleichungen erfüllt sind.

Anregung: Man dimensioniere eine Inverterschaltung wie in Abbildung 121 unter

folgenden Annahmen: UCC = 12 V, IC . 5 mA (±10%), Transistor 2N2219A ($ >
75), UL = 3 V, UH = 8 V, Sättigungsfaktor m $ 5. Die dimensionierte (Widerstände
Reihe E12) Schaltung soll aufgebaut und die Einhaltung der Schwellen-Spannun-
gen UL und UH nachgeprüft werden.

Eine zweite Möglichkeit, die Schwellspannung UL anzuheben, ist in Abbildung

5.23 gezeigt:
UCC
RC
T2
RB
T3

T1
RE

Abb. 5.23: Alternative Schaltung

Bei dieser Variante kann UL nicht beliebig angenommen werden; bei einer Ein-
gangsspannung von ca. 1.2 V werden die Transistoren T3 und T1 leiten. Wenn man
wieder für beide Transistoren, deren Basis-Emitter-Strecken in Serie liegen, eine
zulässige Spannung von je 0.4 V ansetzt, so kann man davon ausgehen, dass bei
einer Eingangsspannung von weniger als 0.8 V die beiden Transistoren T3 und T1
sicher sperren. Für UL ergibt sich daraus eben dieser Wert von UL = 0.8 V. Der
Transistor T2 arbeitet in diesem Fall als Emitterfolger; die Ausgangsspannung ist
wieder weitgehend lastunabhängig und beträgt etwa Ua = UCC - UBE2 - UF. Die
Ausgangsspannung im Zustand High ist also etwa um die Flussspannung der Diode
kleiner als bei der Schaltung von Abbildung 5.22.

Die Schwelle UH kann wieder weitgehend willkürlich festgelegt werden; wir

wählen z.B. 2.4 V. Wenn wir für voll leitende bzw. gesättigte Transistoren für UBE
einen Wert von maximal 0.7 V ansetzen, kann bei einer Eingangsspannung UH das
Potential an der Basis von T3 (UB3) höchstens einen Wert von 1.4 V haben; das
Emitterpotential des selben Transistors (UE3 = UB1) kann höchstens 0.7 V betragen.
Der Basisstrom von T3 (IB3) beträgt demnach IB3 = (UH - 1.4 V)/RB. Der Transistor
 5.2 NAND-Glieder 19

T3 sollte gesättigt sein; seine Kollektor-Emitterspannung beträgt dann etwa UCEsat

= 0.2 V. Das Basispotential von T2 liegt dann auf 0.9 V; damit T2 leiten könnte,
müsste es aber mindestens 1.5 V betragen (UCEsat + UF + UBE2 = 0.2 V + 0.7 V +
0.6 V). Der Transistor T2 sperrt also mit Sicherheit. Damit erhält man für den
Kollektorstrom von T3: IC3 = (UCC - UB2)/RC. Damit die Sättigungsbedingung
eingehalten werden kann, muss für den Basisstrom IB3 gelten: IB3 $ m·IC3/$min.
Der Widerstand RE muss gemäss folgender Vorschrift gewählt werden: 0.7 V/RE +
IB1 # IC3. Der Strom IB1 muss dabei so gross gewählt werden, dass T1 bei einem
spezifizierten Laststrom sicher gesättigt ist. Aus den bisher aufgeführten Gleichun-
gen können die Widerstände bestimmt werden, nachdem z.B. der Strom IC3 gewählt
wurde.

Gegenüber der Schaltung von Abbildung 5.22 hat die hier besprochene Schaltung
wie bereits erwähnt eine etwas tiefere Ausgangsspannung im Zustand High, dafür
aber auch eine um denselben Wert kleinere Ausgangsspannung im Zustand Low.
Diese ausgereifte Schaltungsvariante hat sich in der Praxis durchgesetzt; die End-
stufe mit den Transistoren T1 und T2 und der Diode wird auch als Totem-Pole-Stufe
bezeichnet.

5.2 NAND-Glieder

5.2.1 NAND-Glied mit Dioden und Inverter

Aus dem eben behandelten Inverter soll nun als logische Verknüpfung ein NAND-
Glied abgeleitet werden. Aus der Digitaltechnik ist ja bekannt, dass sich jede belie-
bige kombinatorische logische Funktion durch ausschliessliche Verwendung von
NAND-Gliedern realisieren lässt; sogar Flip-Flops können durch NAND-Glieder
erzeugt werden. Wenn man also ein NAND-Glied realisiert, so hat man alle denk-
baren Logikschaltungen realisiert. In der Schaltung in Abbildung 5.24 wurde der
Inverter durch ein vorgeschaltetes Dioden-Netzwerk ergänzt, das die NAND-Funk-
tion erzeugt.
Falls der Eingang A oder der Eingang B auf einem Potential < UL = 0.8 V liegt,
fliesst der Strom durch RB aus dem entsprechenden Eingang heraus; die Diode D3
und damit T3 und in der Folge auch T1 sperren. Der Ausgang der Schaltung ist
somit im Zustand High. Sind hingegen beide Eingänge (A und B) im Zustand High,
so sperren die Dioden D1 und D2 und der Strom durch RB fliesst über D3 in die
Basis von T3. Damit werden die Transistoren T3 und T1 gesättigt (T2 sperrt) und der
Ausgang ist im Zustand Low. Aus diesen Zusammenhängen ergibt sich, dass der
20 Der Transistor als Schalter

Ausgang C unter der Annahme einer positiven Logik (Low 6 0, High 6 1) die
NAND-Verknüpfung der Eingänge A und B darstellt: C = !(A & B).
UCC
RB RC
T2
A D1 D3
T3 D4 C

B D2 T1
RE

Abb. 5.24: NAND-Glied mit Dioden als Inverter

Mitte der 60-er-Jahre gelang es, diese Schaltung zu integrieren, womit eigentlich
der Siegeszug der Digitaltechnik begann. Bei der Integration wurde ein neues
Bauelement - der Multi-Emitter-Transistor - eingeführt; die entstandene Technolo-
gie wurde TTL1-Technik genannt.

5.2.1 NAND-Glied in TTL-Technik

UCC
RB RC RH

T2
A D
T3 C
T4

B T1
RE

Abb. 5.25: NAND-Glied in TTL-Technik

Man erkennt, dass an die Stelle der Dioden in der Schaltung Abbildung 5.24 nun ein
Multi-Emitter-Transistor getreten ist. Eine kurze Analyse zeigt, dass dieser Transis-
tor eigentlich gar nie als Transistor arbeiten kann; der Kollektorstrom ist ja gleich
dem negativen Basisstrom von T3, es kann also eigentlich gar nie Strom in der

1. TTL, auch T2L genannt, bedeutet Transistor-Transistor-Logik

 5.2 NAND-Glieder 21

“richtigen” Richtung fliessen. Man kann aber den Multi-Emitter-Transistor auch als
Kombination von pn-Übergängen bzw. Dioden betrachten. Dabei stellt man fest,
dass die Schaltungen Abbildung 5.24 und Abbildung 5.25 eigentlich identisch sind.
Der geheimnisumwitterte Multi-Emitter-Transistor entpuppt sich bei näherem Hin-
sehen als einfache Dioden-Kombination. Die Bezeichnung als Transistor hat trotz-
dem ihre Berechtigung, da der Herstellungsprozess derselbe ist wie bei einem
Transistor und man gegenüber einer klassischen Integration von Dioden sehr viel
Chip-Fläche und damit Kosten einsparen kann.

C E1 E2 B

Abb. 5.26: Schnitt durch einen Multi-Emitter-Transistor

Man sieht hier deutlich, dass die ganze “Dioden-Kombination” in Form des Multi-
Emitter-Transistors in einer einzigen Insel (siehe Abschnitt 4.4) realisiert werden
kann. Das funktioniert bis zu Transistoren mit acht Emittern.

TTL-Familien

Die bekannteste Reihe von in TTL-Technik gefertigten Logikbausteinen ist die

Reihe 74xx (Standard-TTL). Später gesellten sich die auch heute noch weitverbrei-
tete Familien 74Sxx bzw. 74LSxx dazu. Der Buchstabe “S” steht dabei für
Schottky-Technik, d.h. die Sättigung der Transistoren wird durch Schottky-Dioden
verhindert und damit die Arbeitsgeschwindigkeit der Schaltungen bei gleichem
Stromverbrauch massiv erhöht. Die Buchstaben “LS” bedeuten Low-Power-
Schottky-Technik, also ein Kompromiss zwischen Stromverbrauch und Geschwin-
digkeit. Eine Weiterentwicklung der TTL-Technik ist die Advanced-Schottky-Tech-
nology (74ASxx bzw. 74ALSxx), die nochmals eine massive Steigerung der
Geschwindigkeit brachte. Die in den Bezeichnungen verwendete Kombination “xx”
steht für eine Zahl, die dann den Typ des IC’s spezifiziert; als Beispiele seien
erwähnt: 7400, 74LS00, ... = 4 NAND-Glieder mit je zwei Eingängen, 7474,
74LS74, ... = 2 D-Flip-Flops mit Reset und Clear etc.
22 Der Transistor als Schalter

Technische Daten

Alle hier angegebenen Werte beziehen sich auf Standard-TTL bei 5 V Betriebs-
spannung. Die Bezugsrichtung für die Ströme ist so gewählt, dass in das Bauteil
hineinfliessende Ströme positiv gezählt werden. Für die TTL-Reihe sind für die
Schwellspannungen folgende Werte spezifiziert: UL = 0.8 V, UH = 2 V. Weitere
wichtige Daten sind:

Eingangsstrom im Zustand High (Ue > 2 V) < 40 µA

Eingangsstrom im Zustand Low (Ue < 0.8 V) < -1.6 mA

Ausgangsspannung im Zustand Low (Ia = 16 mA) < 0.4 V

Ausgangsspannung im Zustand High (Ia = -400 µA) > 2.4 V

Aus diesen Daten ist ersichtlich, dass ein Standard-TTL-Ausgang mindestens 10

Standard-TTL-Eingänge zu treiben vermag. Man spricht dann von einem fan out
(oder kurz Ausgangs-Verzweigungs-Faktor) von 10. Weitere Informationen sind der
Spezial-Literatur1 oder den Datenbüchern zu entnehmen.

In Abbildung 5.27 ist ein Ausschnitt aus einem Datenblatt für Standard-TTL2 gege-
ben. In den Kurven sind die verschiedenen Kennlinien mit der Temperatur als
Parameter aufgetragen. Die Reihe 74xx ist nur für einen Temperaturbereich von
0°C bis 70°C zugelassen, die ausserhalb dieses Bereiches liegenden Temperaturan-
gaben beziehen sich auf die im übrigen identische Familie 54xx, die für Tempera-
turen zwischen -55°C und 125°C zugelassen ist. Die propagation delay time tpd ist
der Mittelwert der Schaltverzögerungszeiten beider Flanken; gemessen wird jeweils
bei den 50%-Punkten.

1. E. Kühn: Handbuch TTL- und CMOS-Schaltkreise. Hüthig, Heidelberg 1985

A. Shah, M. Saglini, Ch. Weber: Integrierte Schaltungen in digitalen Systemen (Band 1).
Birkhäuser, Basel 1977
W. Jutzi: Digitalschaltungen. Springer, Berlin 1995.
Das TTL-Kochbuch. Texas Instruments Deutschland, Freising 1980.
2. Quelle: TTL Pocket Guide von Texas Instruments
 5.2 NAND-Glieder 23

Abb. 5.27: Ausschnitt aus dem Datenbuch

5.2.3 TTL-Inverter mit Tristate-Ausgang

In der Digitaltechnik werden in gewissen Fällen (Bus-Systeme, bidirektionale

Datenübertragungen etc.) Bausteine mit Tristate-Ausgängen verwendet. Diese Aus-
gänge können neben High und Low noch einen dritten Zustand annehmen, der “Z”
genannt wird und in dem der Ausgang sehr hochohmig ist. Um einen Ausgang in
diesen Zustand zu bringen, ist natürlich noch ein Steuersignal, das sog. Enable-Sig-
nal notwendig. In TTL-Technik ist die Realisierung von Tristate-Ausgängen sehr
einfach. Man muss dazu nur eine einzige - in Abbildung 5.28 fett eingezeichnete -
Diode einzufügen, um ein TTL-NAND-Glied in einen Tristate-Inverter umzubauen.
24 Der Transistor als Schalter

UCC
RB RC RH
D2
T2
EN D1
T3 B
T4

A T1
RE

Abb. 5.28: TTL-Inverter mit Tristate-Ausgang

Falls der Eingang EN (der Enable-Eingang) auf High liegt, sperrt die Diode D2 und
der Baustein funktioniert als gewöhnlicher TTL-Inverter mit B = !A. Falls EN auf
Low liegt, so werden dadurch die Transistoren T2 und T3 gesperrt; damit sperrt
auch T1 und der Ausgang wird sehr hochohmig. Das Verhalten dieses Bausteins
kann durch die folgende Wahrheitstabelle beschrieben werden:

EN A B
L L Z
L H Z
H L H
H H L

Für weitere Einzelheiten bezüglich Eigenschaften und Anwendungen von Tristate-

Ausgängen sei auch wieder auf die reichhaltige Spezial-Literatur verwiesen.
Wenn auch die meisten Bereiche der Digitaltechnik mit Bausteinen der diversen
TTL-Reihen oder mit CMOS-Bausteinen abgedeckt werden, so gibt es auch hier
noch einige Anwendungen für aus diskreten Bauteilen aufgebaute Schaltungen.
Dazu gehören vor allem Leistungsstufen und Pegelwandler. Solche Stufen sollen im
letzten Abschnitt dieses Kapitels noch vorgestellt und besprochen werden.
 5.3 Leistungsstufen 25

5.3 Leistungsstufen
TTL-Bausteine werden nicht nur verwendet, um logische Verknüpfungen zu reali-
sieren; am Ausgang jeder Schaltung soll das Signal etwas bewirken, zum Beispiel
sollte eine Anzeigelampe oder LED leuchten oder es soll ein Relais anziehen etc.
Der Ausgang einer Standard-TTL-Stufe1 ist so beschaffen, dass im Low-Zustand
ein Strom von höchstens 16 mA in den Ausgang hineinfliessen kann (Senke), im
Zustand High sollte ein Ausgangsstrom von 400 µA (Quelle) nicht überschritten
werden. Kleine Lasten (Betriebsspannung # 5 V, Laststrom # 16 mA) können also
direkt von einem TTL-Ausgang getrieben werden; die Last muss dabei zwischen
dem Ausgang und der positiven Betriebsspannung liegen (siehe Abbildung 5.29):

+5V

RL
& &
RL

a) b)

Abb. 5.29: a) richtige und b) falsche Anordnung einer Last

Beispiele für derartige Lasten sind einerseits Leuchtdioden (mit einem der Fluss-
spannung und dem Strom angepassten Vorwiderstand) und anderseits kleine Relais,
wie beispielsweise Reed-Relais2 (Abbildung 5.30). Da es sich bei einer Relais-
Spule ungeachtet des relativ hohen ohmschen Widerstandes um eine Induktivität
handelt, darf die Freilaufdiode nicht vergessen werden, die die TTL-Ausgangsstufe
vor den im Ausschaltmoment auftretenden Spannungsspitzen schützt. Manche
dieser kleinen Relais sind mit eingebauter Freilaufdiode lieferbar (auf richtige
Polung achten!).

1. Für die anderen TTL-Familien (LS, AS, ALS etc.) gelten andere Maximalwerte für die Aus-
gangsströme; man vergleiche dazu die Datenbücher.
2. Reed-Relais sind Relais, bei denen die Kontakte in einem gasgefüllten Glasröhrchen einge-
schmolzen sind, das seinerseits den “Kern” einer Zylinderspule bildet.
26 Der Transistor als Schalter

+5V

&
Relais: 5V, 500Ω

Abb. 5.30: Relais an TTL - Ausgang

5.3.1 TTL-Leistungsstufen mit Open Collector Ausgang

Innerhalb der TTL-Reihen sind Gatter mit speziellen Ausgangsstufen erhältlich,

nämlich mit den sogenannten Ausgängen mit offenem Kollektor (open collector
output), abgekürzt OC-Ausgang. Der Name wird sofort klar, wenn man die Innen-
schaltung sieht:

UCC

T2
T1

T4
T3

Abb. 5.31: Schema des Bausteins 7407 (open collector buffer)

Der Kollektor des Ausgangstransistors T4 bildet den Ausgang der Schaltung. Man
kann diesen Ausgang nicht ohne weiteres mit dem Eingang einer weiteren TTL-
Stufe verbinden, denn die Ausgangssignale sind hier nicht mehr definierte Span-
nungspegel, sondern der Ausgangstransistor leitet oder er sperrt. Damit ein OC-
Ausgang wieder ein verarbeitbares Signal liefert, muss er über einen sogenannten
pull up Widerstand mit der Betriebsspannung verbunden werden, der den Ausgang
bei gesperrtem Transistor zur Betriebsspannung “hochzieht”. Üblicherweise wer-
den aber solche OC-Ausgänge als Leistungsstufen verwendet. Die zulässige Kol-
lektorspannung beim als Beispiel verwendeten 74071 beträgt immerhin 30 V, der
maximale Strom im Zustand Low etwa 40 mA. Mit einer solchen OC-Stufe können
also schon viele (auch grössere) Relais geschaltet werden. Falls noch grössere
 5.3 Leistungsstufen 27

Spannungen und/oder Ströme gefordert sind, muss man auf externe Schaltungen
ausweichen.

5.3.2 Darlington-Treiber

Abb. 5.32: Darlington-Treiber

Eine solche externe Treiberstufe gibt es als Multipack (7 Treiber in einem IC) zu
kaufen: die Reihe ULN200x. Es handelt sich um Darlington-Treiber, so genannt
nach der Transistor-Kombination, bei der der Emitterstrom des einen Transistors
den Basisstrom des anderen bildet und so die resultierende Stromverstärkung auf
Werte von über 1000 ansteigt. Der Typ ULN2003A hat Eingänge, die an TTL-
Schaltungen angepasst sind; der Ausgangstransistor sperrt bis maximal 50 V und
der Ausgangsstrom kann maximal 500 mA betragen. Interessant sind die mitinte-
grierten Freilaufdioden, die darauf hindeuten, dass der Hersteller das Hauptanwen-
dungsgebiet bei Relaistreibern sieht. Von dieser Reihe gibt es auch Typen, die an
andere Eingangsspannungsbereiche angepasst sind oder solche, die auch höhere
Spannungen (bis 90 V) aushalten.

Für noch grössere Ströme müssen diskrete Schaltungen entwickelt werden, die vom
Aufbau her unseren bisherigen Inverterschaltungen entsprechen. Für bestimmte
Zwecke, wie z.B. für die Ansteuerung von Schrittmotoren, sind auch hier integrierte
Leistungstreiber verfügbar.

1. Vorsicht! Nicht alle OC-Ausgänge der TTL-Reihe sind mit 30 V und 40 mA belastbar. In
jedem Fall ist das detaillierte Datenblatt zu konsultieren.
28 Der Transistor als Schalter

5.4 Übungsaufgaben und Kontrollfragen

5.4.1 Übungsaufgaben

12. Dimensioniere die nachstehende Schaltung (Abbildung 5.33) unter den

folgenden Annahmen: Transistoren 2N2219A, UCC = 24 V, IC = 2 mA
(±10%), Schwellspannungen UL = 2 V, UH = 10 V, Sättigungsfaktor m $ 5.
Es dürfen nur Widerstände der Reihe E12 verwendet werden.
UCC
RC
T2

R1
T1
R2

Abb. 5.33: Schaltung zu Aufgabe 12

13. Wie gross ist der fan out der Schaltung von Abbildung 5.8 (UL = 0.4 V,
UH = 2 V)? Anders gefragt, wie viele gleichartige Eingänge wie sie in
Abbildung 5.8 dargestellt sind, kann die Ausgangsstufe maximal treiben?

14. Gegeben: Schaltung

UCC
RC
T2
RB
T3

T1
RE

Abb. 5.34: Schaltung zu Aufgabe 14

 5.4 Übungsaufgaben und Kontrollfragen 29

Dimensioniere die Schaltung von Abbildung 5.34 für eine Betriebsspan-

nung von 5 V unter der Annahme, dass der Ausgangstransistor T1 maximal
einen Strom von 20 mA schlucken muss. Als Transistoren werden Schalt-
transistoren des Typs BSX20 eingesetzt, deren Daten hier gegeben sind:
ICmax = 500 mA, 40 # $ # 120. Für die Rechnung gehe man von fol-
genden Werten aus: UCEsat # 0.2 V, UBEakt = 0.6 V, UBEsat = 0.7 V,
UH = 2.4 V, UL = 0.8 V. Bei gesättigten Transistoren sei der Sättigungsfak-
tor m $ 5.

15. Bei der Schaltung von Abbildung 5.35 wurde die Reaktion der Schaltung
auf einen Spannungssprung am Eingang von 5 V (steigende Flanke)
gemessen.

+5V

1k2
Ua

Ue 3k9

CL=10nF
2N2219A

Abb. 5.35: Schaltung zu Aufgabe 15

Die Messung ergab den in Abbildung 5.36 gezeigten Verlauf der Aus-
gangsspannung. Man berechne die Stromverstärkung $ des Transistors aus
diesen Angaben.

Abb. 5.36: Verlauf der Ausgangsspannung (Aufgabe 15)

30 Der Transistor als Schalter

16. Man entwerfe einen Pegelwandler, der TTL-Signale (UL = 0.8 V, UH = 2 V)

auf den Bereich 0 .. -12 V umsetzt. Ein High am Eingang soll dabei eine
Ausgangsspannung von # -8 V bewirken; bei einem Low am Eingang soll
die Ausgangsspannung sicher $ -1 V sein. Gesucht ist eine fertig
dimensionierte Schaltung, die mit gesättigten Transistoren arbeitet (m $ 5).
Es gibt übrigens ausser den npn-Transistoren auch noch pnp-Typen.

17. an analysiere die Wirkungsweise des nachstehend gezeichneten astabilen

Multivibrators:
5V

RC RB RB RC

T1 T2 Ua
C C

Abb. 5.37: Astabiler Multivibrator

Gesucht ist der Verlauf der Ausgangsspannung, der beiden Basisspannun-

gen sowie die Periodendauer des Signals. Zum Knacken dieser Nuss
empfiehlt es sich, einerseits etwas in der Literatur zu stöbern, anderseits
kann auch eine Simulation der Schaltung etwas Licht ins Dunkel bringen.
Man kann dann versuchen, die simulierten Spannungsverläufe zu erklären
und so zu allgemeinen Ausdrücken z.B. für die Frequenz zu kommen.

5.4.2 Fragen zur Lernkontrolle

Es wird erwartet, dass die folgenden Fragen ohne im Buch nachzuschlagen beant-
wortet werden können.

1. Wozu dient die Festlegung der Spannungen UH und UL?

2. Weshalb muss ein Transistor im Schalterbetrieb mehr Basisstrom bekom-

men als für den tatsächlich fliessenden Kollektorstrom notwendig wäre?

3. Welches sind die Kennzeichen der Sättigung?

 5.4 Übungsaufgaben und Kontrollfragen 31

4. Weshalb kann man durch eine Schottky-Diode die Speicherzeit einer Inver-
terschaltung massiv verkleinern?

5. Was ist der Vorteil des Multiemitter-Transistors?

6. Wie gross ist der fan out bei Standard-TTL?

7. Weshalb sollten Lasten am Ausgang von logischen Schaltungen an der

Betriebsspannung und nicht an Masse liegen?