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GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) SFH 484

GaAIAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 485

Area not flat


9.0 Cathode
0.6 8.2
0.4 7.8 5.9
7.5 5.5
0.8
0.5
2.54 mm
spacing

ø5.1
ø4.8

1.8 5.7 0.6


5.1

fex06271
1.2 0.4
29
27 Chip position
GEX06271

Approx. weight 0.5 g


Area not flat
9.0 Cathode
0.6 8.2
0.4 7.8 5.9
7.5 5.5
0.8
0.5
2.54 mm
spacing

ø5.1
ø4.8

1.5 4.8 0.6


4.2 0.4
29
27 Chip position
GEX06305

fex06305
Approx. weight 0.5 g

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Wesentliche Merkmale Features


● Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren ● Fabricated in a liquid phase epitaxy process
● Hohe Zuverlässigkeit ● High reliability
● Gute spektrale Anpassung an ● Spectral match with silicon photodetectors
Si-Fotoempfänger ● SFH 484: Same package as LD 274
● SFH 484: Gehäusegleich mit LD 274 ● SFH 485: Same package as SFH 300,
● SFH 485: Gehäusegleich mit SFH 300, SFH 203
SFH 203

Anwendungen Applications
● IR-Fernsteuerung von Fernseh- und ● IR remote control of hi-fi and TV-sets, video
Rundfunkgeräten, Videorecordern, tape recorders, dimmers
Lichtdimmern ● Remote control for steady and varying
● Gerätefernsteuerungen für Gleich- und intensity
Wechsellichtbetrieb

Semiconductor Group 1 1997-11-01


SFH 484
SFH 485

Typ Bestellnummer Gehäuse


Type Ordering Code Package
SFH 484 Q62703-Q1092 5-mm-LED-Gehäuse (T 1 3/4), klares violettes Epoxy-
SFH 484-1 Q62703-Q1755 Gießharz, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (1/10’’),
Anodenkennzeichung: kürzerer Anschluß
SFH 484-2 Q62703-Q1756 5 mm LED package (T 1 3/4), violet-colored epoxy res-
SFH 485 Q62703-Q1093 in, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10’’), anode
marking: short lead
SFH 485-2 Q62703-Q1547

Grenzwerte (TA = 25 °C)


Maximum Ratings

Bezeichnung Symbol Wert Einheit


Description Symbol Value Unit
Betriebs- und Lagertemperatur Top; Tstg – 55 ... + 100 °C
Operating and storage temperature range
Sperrschichttemperatur Tj 100 °C
Junction temperature
Sperrspannung VR 5 V
Reverse voltage
Durchlaßstrom IF 100 mA
Forward current
Stoßstrom, tp = 10 µs, D = 0 IFSM 2.5 A
Surge current
Verlustleistung Ptot 200 mW
Power dissipation
Wärmewiderstand, freie Beinchenlänge RthJA 375 K/W
max. 10 mm
Thermal resistance, lead length between
package bottom and PC-board max. 10 mm

Semiconductor Group 2 1997-11-01


SFH 484
SFH 485

Kennwerte (TA = 25 °C)


Characteristics

Bezeichnung Symbol Wert Einheit


Description Symbol Value Unit
Wellenlänge der Strahlung λpeak 880 nm
Wavelength at peak emission
IF = 100 mA
Spektrale Bandbreite bei 50 % von Irel ∆λ 80 nm
Spectral bandwidth at 50 % of Irel
IF = 100 m A
Abstrahlwinkel
Half angle
SFH 484 ϕ ±8 Grad
SFH 485 ϕ ± 20 deg.
Aktive Chipfläche A 0.16 mm2
Active chip area
Abmessungen der aktive Chipfläche L×B 0.4 × 0.4 mm
Dimension of the active chip area L×W
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Distance chip front to lens top
SFH 484 H 5.1 ... 5.7 mm
SFH 485 H 4.2 ... 4.8 mm
Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von tr, tf 0.6/0.5 µs
90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω
Switching times, Ie from 10 % to 90 % and
from 90 % to10 %, IF = 100 mA, RL = 50 Ω
Kapazität Co 25 pF
Capacitance
VR = 0 V, f = 1 MHz
Durchlaßspannung
Forward voltage
IF = 100 mA, tp = 20 ms VF 1.50 (≤ 1.8) V
IF = 1 A, tp = 100 µs VF 3.00 (≤ 3.8) V
Sperrstrom IR 0.01 (≤ 1) µA
Reverse current
VR = 5 V
Gesamtstrahlungsfluß Φe 25 mW
Total radiant flux
IF = 100 mA, tp = 20 ms

Semiconductor Group 3 1997-11-01


SFH 484
SFH 485

Kennwerte (TA = 25 °C)


Characteristics

Bezeichnung Symbol Wert Einheit


Description Symbol Value Unit
Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe, TCI – 0.5 %/K
IF = 100 mA
Temperature coefficient of Ie or Φe,
IF = 100 mA
Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA TCV –2 mV/K
Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA
Temperaturkoeffizient von λ, IF = 100 mA TCλ 0.25 nm/K
Temperature coefficient of λ, IF = 100 mA

Strahlstärke Ie in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.001 sr bei SFH 484 bzw. Ω = 0.01 sr bei SFH 485
Grouping of radiant intensity Ie in axial direction
at a solid angle of Ω = 0.001 sr at SFH 484 or Ω = 0.01 sr at SFH 485

Bezeichnung Symbol Wert Einheit


Description Value Unit
SFH SFH SFH SFH SFH
484 484-1 484-2 485 485-2
Strahlstärke
Radiant intensity Ie min 50 50 > 80 16 > 25 mW/sr
IF = 100 mA, tp = 20 ms Ie max 160 100 – 80 – mW/sr
Strahlstärke
Radiant intensity
IF = 1 A, tp = 100 µs Ie typ. 800 700 900 300 340 mW/sr

Radiation characteristics, SFH 484 Irel = f (ϕ)


40 30 20 10 0 OHR01891

ϕ 1.0
50
0.8

60 0.6

70 0.4

0.2
80

0
90

100
1.0 0.8 0.6 0.4 0 20 40 60 80 100 120

Semiconductor Group 4 1997-11-01


SFH 484
SFH 485

Ie
Relative spectral emission Radiant intensity = f (IF) Max. permissible forward current
Ie 100 mA
Irel = f (λ) IF = f (TA)
Single pulse, tp = 20 µs
OHR00877 OHR00878 OHR00880
100 10 2 125
Ιe Ι F mA
%
Ι rel Ι e (100mA)
80 10 1 100

60 10 0 75

40 10 -1 50

20 10 -2 25

0 10 -3 0
750 800 850 900 950 nm 1000 10 0 10 1 10 2 10 3 mA 10 4 0 20 40 60 80 ˚C 100
λ ΙF T

Forward current Permissible pulse handling capability Forward current versus lead length
IF = f (VF), single pulse, tp = 20 µs IF = f (τ), TA = 25 °C, between the package bottom and the
duty cycle D = parameter PC-board IF = f (I), TA = 25 °C
OHR00881 OHR00886
10 1 10 4 120 OHR00949

A mA mA
ΙF ΙF D = 0.005
0.01 Ι F 100
10 0 0.02
0.05
10 3 0.1 80
0.2
10 -1 60
0.5

DC
10 2 40
-2
10
tp
tp 20
D= ΙF
T
T
10 -3 10 1 -5 0
0 1 2 3 4 5 6 V 8 10 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 1 s 10 2 0 5 10 15 20 25 mm 30
VF tp

Radiation characteristics, SFH 485 Irel = f (ϕ)


40 30 20 10 0 OHR01892

ϕ 1.0
50
0.8

60 0.6

70 0.4

0.2
80

0
90

100
1.0 0.8 0.6 0.4 0 20 40 60 80 100 120

Semiconductor Group 5 1997-11-01