Technische Information / Technical Information

IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 200 GB 60 DLC

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
VCES 600 V
collector-emitter voltage

Kollektor-Dauergleichstrom Tc= 50°C IC,nom. 200 A

DC-collector current Tc= 25°C IC 230 A

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

tP= 1ms, Tc= 50°C ICRM 400 A
repetitive peak collector current

Gesamt-Verlustleistung
Tc= 25°C, Transistor Ptot 730 W
total power dissipation

Gate-Emitter-Spitzenspannung
VGES +/- 20V V
gate-emitter peak voltage

Dauergleichstrom
IF 200 A
DC forward current

Periodischer Spitzenstrom
tP= 1ms IFRM 400 A
repetitive peak forw. current

Grenzlastintegral der Diode

2 VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C I2t 4.050 A2s
I t - value, Diode

Isolations-Prüfspannung
RMS, f= 50Hz, t= 1min. VISOL 2,5 kV
insulation test voltage

Charakteristische Werte / Characteristic values

Transistor / Transistor min. typ. max.
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung IC= 200A, VGE= 15V, Tvj= 25°C - 1,95 2,45 V
VCE sat
collector-emitter saturation voltage IC= 200A, VGE= 15V, Tvj= 125°C - 2,20 - V

Gate-Schwellenspannung
IC= 4,0mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C VGE(th) 4,5 5,5 6,5 V
gate threshold voltage

Eingangskapazität
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V Cies - 9 - nF
input capacitance

Rückwirkungskapazität
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V Cres - 0,8 - nF
reverse transfer capacitance

Kollektor-Emitter Reststrom VCE= 600V, VGE= 0V, Tvj= 25°C - 1 500 µA

ICES
collector-emitter cut-off current VCE= 600V, VGE= 0V, Tvj= 125°C - 1 - mA

Gate-Emitter Reststrom
VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C IGES - - 400 nA
gate-emitter leakage current

prepared by: Andreas Vetter date of publication: 2000-04-26

approved by: Michael Hornkamp revision: 1

BSM 200 GB 60 DLC

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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 200 GB 60 DLC

Charakteristische Werte / Characteristic values

Transistor / Transistor min. typ. max.
IC= 200A, VCC= 300V
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)
VGE= ±15V, RG= 1,5Ω, Tvj= 25°C td,on - 163 - ns
turn on delay time (inductive load)
VGE= ±15V, RG= 1,5Ω, Tvj= 125°C - 180 - ns
IC= 200A, VCC= 300V
Anstiegszeit (induktive Last)
VGE= ±15V, RG= 1,5Ω, Tvj= 25°C tr - 43 - ns
rise time (inductive load)
VGE= ±15V, RG= 1,5Ω, Tvj= 125°C - 49 - ns
IC= 200A, VCC= 300V
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)
VGE= ±15V, RG= 1,5Ω, Tvj= 25°C td,off - 253 - ns
turn off delay time (inductive load)
VGE= ±15V, RG= 1,5Ω, Tvj= 125°C - 285 - ns
IC= 200A, VCC= 300V
Fallzeit (induktive Last)
VGE= ±15V, RG= 1,5Ω, Tvj= 25°C tf - 33 - ns
fall time (inductive load)
VGE= ±15V, RG= 1,5Ω, Tvj= 125°C - 41 - ns

Einschaltverlustenergie pro Puls IC= 200A, VCC= 300V, VGE= 15V

Eon - 4,6 - mJ
turn-on energy loss per pulse RG= 1,5Ω, Tvj= 125°C, Lσ = 15nH

Abschaltverlustenergie pro Puls IC= 200A, VCC= 300V, VGE= 15V

Eoff - 6,3 - mJ
turn-off energy loss per pulse RG= 1,5Ω, Tvj= 125°C, Lσ = 15nH

Kurzschlußverhalten tP ≤ 10µsec, VGE ≤ 15V

ISC - 900 - A
SC Data Tvj≤125°C, VCC=360V, VCEmax= VCES -LσCE ·di/dt

Modulinduktivität
LσCE - 40 - nH
stray inductance module

Modul-Leitungswiderstand, Anschlüsse - Chip

Tc= 25°C RCC'+EE' - 0,9 - mΩ
lead resistance, terminals - chip

Charakteristische Werte / Characteristic values

Diode / Diode min. typ. max.
Durchlaßspannung IF= 200A, VGE= 0V, Tvj= 25°C - 1,25 1,6 V
VF
forward voltage IF= 200A, VGE= 0V, Tvj= 125°C - 1,20 - V
IF= 200A, -diF/dt= 4000A/µsec
Rückstromspitze
VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 25°C IRM - 154 - A
peak reverse recovery current
VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 125°C - 188 - A
IF= 200A, -diF/dt= 4000A/µsec
Sperrverzögerungsladung
VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 25°C Qr - 12,1 - µC
recoverred charge
VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 125°C - 19,7 - µC
IF= 200A, -diF/dt= 4000A/µsec
Abschaltenergie pro Puls
VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 25°C Erec - - - mJ
reverse recovery energy
VR= 300V, VGE= -10V, Tvj= 125°C - 4,1 - mJ

BSM 200 GB 60 DLC

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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 200 GB 60 DLC

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

min. typ. max.
Innerer Wärmewiderstand Transistor / transistor, DC - - 0,17 K/W
RthJC
thermal resistance, junction to case Diode / diode, DC - - 0,29 K/W

Übergangs-Wärmewiderstand pro Modul / per module

RthCK - 0,02 - K/W
thermal resistance, case to heatsink λPaste= 1W/m*K / λgrease= 1W/m*K

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
Tvj - - 150 °C
maximum junction temperature

Betriebstemperatur
Top -40 - 125 °C
operation temperature

Lagertemperatur
Tstg -40 - 125 °C
storage temperature

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage

case, see appendix

Innere Isolation
Al2O3
internal insulation

Kriechstrecke
15 mm
creepage insulation

Luftstrecke
8,5 mm
clearance

CTI
275
comperative tracking index

Anzugsdrehmoment für mech. Befestigung Schraube M6 5 Nm

M1
mounting torque screw M6 -15 +15 %

Gewicht
G 180 g
weight

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.

This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.

It is valid in combination with the belonging technical notes.

BSM 200 GB 60 DLC

3 (8) 2000-02-08
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 200 GB 60 DLC

Ausgangskennlinie (typisch) I C= f (VCE)

Output characteristic (typical) VGE= 15V

400

350
Tvj = 25°C

300 Tvj = 125°C

250
IC [A]

200

150

100

50

0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5

VCE [V]

Ausgangskennlinienfeld (typisch) I C= f (VCE)

Output characteristic (typical) Tvj= 125°C

400

350
VGE = 8V
VGE = 9V
300 VGE = 10V
VGE = 12V
250 VGE = 15V
IC [A]

VGE = 20V
200

150

100

50

0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0

VCE [V]

BSM 200 GB 60 DLC

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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 200 GB 60 DLC

Übertragungscharakteristik (typisch) I C= f (VGE)

Transfer characteristic (typical) VCE= 20V

400

350 Tvj = 25°C

Tvj = 125°C
300

250
IC [A]

200

150

100

50

0
5 6 7 8 9 10 11 12 13

VGE [V]

Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) I F= f (VF)

Forward characteristic of inverse diode (typical)

400

350 Tvj = 25°C

Tvj = 125°C

300

250
IF [A]

200

150

100

50

0
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6

VF [V]

BSM 200 GB 60 DLC

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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 200 GB 60 DLC

Schaltverluste (typisch) E on= f (IC), Eoff= f (IC), Erec= f (IC)

Switching losses (typical) Ω,= Ω , VCC= 300V, Tvj= 125°C
Ω, =RG,off = 1,5Ω
RG,on= 1,5Ω,

16

Eon
14
Eoff
Erec
12

10
E [mJ]

0
0 50 100 150 200 250 300 350 400
IC [A]

Schaltverluste (typisch) E on= f (RG), Eoff= f (RG), Erec= f (RG)

Switching losses (typical) IC= 200A , VCC= 300V , Tvj = 125°C

18

16
Eon
Eoff
14
Erec

12
E [mJ]

10

0
0 2 4 6 8 10 12 14 16

Ω]
RG [Ω

BSM 200 GB 60 DLC

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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 200 GB 60 DLC

Transienter Wärmewiderstand Z thJC = f (t)

Transient thermal impedance

0,1
[K / W]
ZthJC

Zth:IGBT
0,01 Zth:Diode

0,001
0,001 0,01 0,1 1 10

t [sec]

i 1 2 3 4
ri [K/kW] : IGBT 7,2 89,1 59,9 13,8
τi [sec] : IGBT 0,0018 0,0240 0,0651 0,6626
ri [K/kW] : Diode 102,2 98,0 61,6 28,2
τi [sec] : Diode 0,0487 0,0169 0,1069 0,9115

Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)

Reverse bias safe operation area (RBSOA) Ω, Tvj= 125°C
VGE= +15V, R G,off = 1,5Ω,

450

400

350

300

250

200
IC [A]

IC,Modul
150
IC,Chip
100

50

0
0 100 200 300 400 500 600 700

VCE [V]

BSM 200 GB 60 DLC

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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 200 GB 60 DLC

Gehäusemaße / Schaltbild
Package outline / Circuit diagram

13 M5
10 2,8 x 0,5

6
6 17 6
7

1 2 3

23 23 17 5
80 4
94

6
7

1 3

5
2 4

BSM 200 GB 60 DLC

8 (8) 2000-02-08
Nutzungsbedingungen

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