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Universität Bremen Otto-Hahn-Allee, NW1

Institut für elektrische Antriebe, 28359 BREMEN


Leistungselektronik und Bauelemente Tel.: 0421-218-62661
Prof. Dr.-Ing. N. Kaminski Fax: 0421-218-4318
www.ialb.uni-bremen.de

Leistungselektronik
und
Stromrichtertechnik I

Änderungen vorbehalten

Version 2.0

Oktober 2009
Inhalt 2

Inhalt
1 Einführung .......................................................................................................4
2 Grundlagen ......................................................................................................5
2.1 Das leistungselektronische System ....................................................................................... 5
2.2 Zwischenspeicher .................................................................................................................... 6
2.2.1 Kapazitäten ............................................................................................................................ 7
2.2.2 Induktivitäten .......................................................................................................................... 7
2.2.3 Speicherfähigkeit.................................................................................................................... 8
2.2.4 Resonante Speicher .............................................................................................................. 8
2.3 Besonderheiten der Leistungselektronik .............................................................................. 9
2.3.1 Leistungssteuerung mittels Vorwiderstand ............................................................................ 9
2.3.2 Leistungssteuerung mittels Taktung .................................................................................... 10
2.3.3 Parasitäre Induktivitäten ...................................................................................................... 13
2.3.4 Leistungsteuerung bei Wechselspannung ........................................................................... 16
3 Grundschaltungen der Leistungselektronik ............................................... 21
3.1 Gleichrichter (AC → DC Converter) ...................................................................................... 21
3.1.1 Ungesteuerter Gleichrichter ................................................................................................. 21
3.1.2 Ungesteuerter Brückengleichrichter .................................................................................... 23
3.1.3 Gesteuerter Brückengleichrichter ........................................................................................ 25
3.2 Gleichstromumrichter (DC → DC Converter) ...................................................................... 25
3.2.1 Einfacher Gleichstromsteller (Zerhacker, Chopper) ............................................................ 26
3.2.2 Abwärtswandler (Step-Down or Buck Converter) ................................................................ 30
3.2.3 Einschub: Dualitätsprinzip.................................................................................................... 32
3.2.4 Aufwärtswandler (Step-Up or Boost Converter) .................................................................. 33
3.2.5 Invertierender Spannungswandler (Buck-Boost Converter) ................................................ 35
3.2.6 Invertierender Stromwandler (Ćuk-Converter)..................................................................... 37
3.2.7 Halbbrücke (Half-Bridge, Phase Leg) .................................................................................. 39
3.3 Wechselrichter (DC → AC Converter) .................................................................................. 40
3.3.1 Halbbrücke mit geteilter Spannungsquelle .......................................................................... 40
3.3.2 Vollbrücke (Full-Bridge) ....................................................................................................... 41
3.4 Wechselstromumrichter (AC → AC Converter) .................................................................. 41
3.5 Weiches Schalten (Soft Switching) ...................................................................................... 42
3.5.1 Nullstromschalten (ZCS) ...................................................................................................... 43
3.5.2 Nullspannungsschalten (ZVS) ............................................................................................. 45
4 Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik ........................................ 47
4.1 pin-Diode ................................................................................................................................. 48
4.1.1 Grundstruktur ....................................................................................................................... 48
4.1.2 Durchlassverhalten .............................................................................................................. 50
4.1.3 Einschaltverhalten ................................................................................................................ 57
4.1.4 Ausschaltverhalten ............................................................................................................... 58
4.1.5 Auslegung und Technologievarianten ................................................................................. 62
4.2 Schottky-Diode ....................................................................................................................... 65
4.2.1 Niedrige Sperrspannungen .................................................................................................. 66
4.2.2 Siliziumkarbid (SiC) .............................................................................................................. 67
4.3 Synchrongleichrichter ........................................................................................................... 68
4.4 Bipolartransistor..................................................................................................................... 69
4.4.1 Stromverstärkung ................................................................................................................. 71
4.4.2 Durchbruch mit offener Basis............................................................................................... 72
4.4.3 Strombegrenzung................................................................................................................. 72
4.4.4 Sättigung .............................................................................................................................. 73
4.4.5 Quasisättigung ..................................................................................................................... 74

Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I, Version 2.0, Oktober 2009


Inhalt 3

4.5 Thyristor .................................................................................................................................. 75


4.5.1 Sperrfähigkeit ....................................................................................................................... 76
4.5.2 Zündung (Einschalten) ......................................................................................................... 77
4.5.3 Löschung (Ausschalten) ...................................................................................................... 79
4.6 GTO-Thyristor ......................................................................................................................... 80
4.6.1 Löschung (Ausschalten) ...................................................................................................... 81
4.6.2 Entlastungsnetzwerke (Snubber) ......................................................................................... 81
4.7 IGCT ......................................................................................................................................... 83
4.7.1 Kaskode ............................................................................................................................... 83
4.7.2 GCT ...................................................................................................................................... 84
4.8 MOSFET ................................................................................................................................... 85
4.8.1 Grundstruktur ....................................................................................................................... 87
4.8.2 Durchlasswiderstand ............................................................................................................ 88
4.8.3 Schaltverhalten .................................................................................................................... 92
4.8.4 Inversdiode ........................................................................................................................... 95
4.9 JFET ......................................................................................................................................... 96
4.10 IGBT ......................................................................................................................................... 97
4.10.1 Grundstruktur ................................................................................................................... 97
4.10.2 Schaltverhalten ................................................................................................................ 99
4.10.3 Plasmaverteilung ........................................................................................................... 100
5 Aspekte der Bauelementtechnologie ........................................................ 103
5.1 Halbleitertechnologie ........................................................................................................... 103
5.2 Gehäusebauformen .............................................................................................................. 104
5.2.1 Diskrete Bauform ............................................................................................................... 104
5.2.2 Modul.................................................................................................................................. 105
5.2.3 Druckkontaktgehäuse ........................................................................................................ 105
5.3 Thermische Auslegung ........................................................................................................ 106
5.3.1 Kühlung .............................................................................................................................. 106
5.3.2 Thermisches Weglaufen .................................................................................................... 109
5.3.3 Thermische Zyklen ............................................................................................................. 113
6 Literatur ....................................................................................................... 115
7 Änderungshistorie ...................................................................................... 115

Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I, Version 2.0, Oktober 2009


Einführung 4

1 Einführung
Die Leistungselektronik umfasst alle Formen der Steuerung bzw. Umformung elektrischer
Leistung (engl. power conditioning) mit Hilfe elektronischer Systeme. Rotierende Umformer
gehören also nicht dazu. Leistungselektronik findet sich heute fast überall, von der
Waschmaschine bis zur Hochspannungsgleichstromübertragung (HGÜ), vom Handynetzteil
bis zum ICE. Statistisch gesehen fließt der Strom auf dem Weg vom Erzeuger zum Ver-
braucher inzwischen mindestens einmal durch ein Halbleiterbauelement. Dabei unterscheiden
sich die Anwendungen in ihrer Funktion und vor allem auch in ihrer Größe bzw. Leistung.
Einige typische Anwendungsbeispiele zeigt die nachfolgende Tabelle.

Anwendung Leistungsbereich
Energieübertragung, Netzkupplung 100 MW ̶ 1 GW
Großantriebe > 1 MW
Traktionsantriebe 100 kW ̶ 10 MW
Industrieantriebe 1 kW ̶ 1 MW
Servoantriebe, Haushalt 100 W ̶ 1 kW
Kfz-Elektronik, Bürotechnik 1 W ̶ 100 W

Leistungselektronische Systeme bestehen grundsätzlich aus einem Leistungsteil und einem


Steuerungs- und Regelungsteil. Insbesondere der Leistungsteil unterscheidet sich in vielerlei
Hinsicht von anderen Gebieten der Elektrotechnik. Natürlich gelten auch hier die grund-
legenden Zusammenhänge wie z.B. das Ohmsche Gesetz oder die Maxwellschen
Gleichungen. Gleichzeitig führen aber der Umgang mit großen Strömen und/oder hohen
Spannungen, das daraus resultierende Gefahrenpotential, die Eigenschaften der zur
Verfügung stehenden Materialen und Komponenten, Zuverlässigkeitsanforderungen und nicht
zuletzt auch wirtschaftliche Zwänge zu völlig anderen Randbedingungen und damit letztlich
auch zu ganz eigenen Lösungen.

In der Vorlesung Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I werden daher zunächst die


grundsätzlichen Wirkprinzipien und -schaltungen behandelt, wobei weitgehend von idealen
Verhältnissen ausgegangen wird. Im weiteren Verlauf der Vorlesung wird dann näher auf
Halbleiterkomponenten eingegangen, da diese einerseits selbst Quelle zahlreicher
Nichtidealitäten sind und sie andererseits sehr leicht zerstört werden, sobald man sie
außerhalb ihres normalen Arbeitsbereichs betreibt.

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Grundlagen 5

2 Grundlagen
2.1 Das leistungselektronische System
Das leistungselektronische System besteht aus dem Leistungs- und dem Steuerungs- und
Regelungsteil (Bild 2.1). Zwischen diesen beiden Teilen bestehen zahlreiche Verbindungen
zur Signalübertragung (Schaltimpulse, Messleitungen, etc.). Der Steuerungsteil wird
seinerseits von einer übergeordneten Steuerung kontrolliert.
Der Leistungsteil wird vor allem durch den Energiefluss charakterisiert. Im Allgemeinen wird
die Eingangsleistung Pe einem Erzeuger entnommen, im Leistungsteil findet eine Umformung
statt und schließlich wird die Ausgangsleistung Pa an einen Verbraucher abgegeben
(schwarze Pfeile). Vor allem für Traktionsantriebe wird aber aus Wirtschaftlichkeits- und
Umweltgründen immer häufiger eine Rückspeisefähigkeit gefordert. Dabei wird Energie, die
z.B. in einem Zug (Verbraucher) als kinetische Energie gespeichert ist, beim Bremsen in das
Netz (Erzeuger) zurückgespeist (gestrichelte Pfeile). Darüber hinaus gibt es Anwendungen
wie die Netzkupplung, in denen gar nicht klar ist, was Erzeuger und was Verbraucher ist. Die
Leistungselektronik muss in solchen Fällen also in der Lage sein, die Leistung in beide
Richtungen umzuformen.

Übergeordnete Steuerung
Pe: Eingangsleistung
Pa: Ausgangsleistung
Pv: Verlustleistung
Steuerteil

Pa = Pe − Pv
Verbraucher

(2.1)
Pe Pa
Erzeuger

Leistungsteil
Pa
Pv Wirkungsgr ad : η = (2.2)
Pe
Verluste
Bild 2.1: Leistungselektronisches System, Wirkungsgrad

Leider entstehen bei der Umformung, in welche Richtung auch immer, Verluste, die fast
komplett als thermische Verlustleistung Pv abgegeben werden. Bei der reinen Speisung ist die
Ausgangsleistung daher immer kleiner als die Eingangsleistung (Gleichung 2.1). Der
Quotient aus beiden Größen wird Wirkungsgrad η genannt (Gleichung 2.2) und ist
dementsprechend immer kleiner als eins.

In der Leistungselektronik ist der Wirkungsgrad einer der wichtigsten Parameter und liegt
typisch oberhalb von 95%. Dafür gibt es zwei Hauptgründe.
Der eine ist die Energieeinsparung. Die Verlustleistung steht nicht mehr für den
Verbraucher zur Verfügung, muss aber trotzdem erzeugt werden und verursacht so
zusätzliche Kosten. Dies ist besonders bei Energieübertragungssystemen und bei mobilen
Systemen ein wichtiger Faktor.

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Grundlagen 6

Der zweite Grund ist die notwendige Kühlung. Da die Verlustleistung fast vollständig in
Wärme umgesetzt wird, erwärmt sich der Leistungsteil sehr stark und würde ohne Kühlung
schnell überhitzen. Besonders kritisch ist dieser Effekt für die Halbleiterkomponenten, die
einerseits einen großen Teil der Verluste generieren und andererseits sehr empfindlich auf
Übertemperaturen reagieren. Im Allgemeinen darf die Sperrschichttemperatur der Halbleiter
125 - 150°C nicht überschreiten. Viele Systeme sind heute nicht mehr durch die Leistungs-
fähigkeit der Halbleiterkomponenten begrenzt, sondern thermisch limitiert. Oft ist deshalb
eine aufwändige Kühlung z.T. mit eigenem Wasserkreislauf und Kältekompressor nötig. Die
Kühlung wird so zum signifikanten Kosten- und damit Wettbewerbsfaktor.

In den Gleichungen 2.1 und 2.2 werden jeweils spitze Klammern als Zeichen der zeitlichen
Mittelung verwendet. Das ist wichtig, da die Eingangs- und Ausgangsleistung zeitlich ganz
unterschiedliche Verläufe haben können. Man denke hier nur an einen Drehstromantrieb
variabler Frequenz an einem starren 50 Hz-Netz. In solchen Fällen ist allein schon die
Definition der zeitlichen Mittelung schwierig. Der Wirkungsgrad eines Umrichters wird
deshalb häufig nur in einem stationären Arbeitspunkt angegeben. Der Mittelungszeitraum
wird dann unerheblich, solange er nur lang genug ist.

Andererseits zeigt das Beispiel aber auch eine grundsätzliche Anforderung an den Großteil
der leistungselektronischen Systeme: Eingangs- und Ausgangsleistung sind nicht zu jedem
Zeitpunkt identisch, so dass zumindest eine kurzzeitige Energiespeicherung im System
selbst möglich sein muss.

2.2 Zwischenspeicher
Abgesehen von den sogenannten Direktumrichtern wird die Leistungsumformung heute im
Allgemeinen mit Hilfe eines Energiespeichers, dem Zwischenkreis, in zwei Schritten
durchgeführt. Im ersten Schritt sorgt eine Eingangsschaltung dafür, dass der Energiespeicher
immer auf dem notwendigen Energieniveau gehalten wird, also immer genügend Energie vom
Erzeuger nachgeliefert wird. Im zweiten Schritt entnimmt dann die Ausgangsschaltung
Energie aus dem Speicher und versorgt damit den Verbraucher. Die beiden Stufen arbeiten
also weitgehend unabhängig voneinander und kommunizieren im Grunde nur über den
Ladungszustand des Energiespeichers miteinander. Auf diese Weise sind Eingang und
Ausgang voneinander entkoppelt. Wie gut die Entkopplung ist, hängt von der Größe des
Speichers ab. Im Fall der Energierückspeisung wechseln dann Eingangs- und Ausgangs-
schaltung die Aufgaben. Im Blockschaltbild kann ein solcher Leistungsteil also in drei
Funktionsblöcke unterteilt werden (Bild 2.2).
Verbraucher
Erzeuger

Eingangsteil Speicher Ausgangsteil

Bild 2.2: Leistungsteil mit Zwischenspeicher

In leistungselektronischen Systemen ist Energie entweder als Ladung auf Kapazitäten oder als
Strom in Induktivitäten gespeichert. Möglich ist auch eine Kombination aus beiden. Im
Folgenden dazu einige grundlegende Überlegungen.

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Grundlagen 7

2.2.1 Kapazitäten

Der am häufigsten verwendete Energiespeicher ist die Kapazität, bei niedrigen Spannungen
oft als Elektrolytkondensator, sonst allgemein als Folienkondensator. Die Speicherung der
Energie findet hier in Form von Ladung bzw. im elektrischen Feld statt. Der Zusammenhang
zwischen der Ladung Q auf der Kapazität und der anliegenden Spannung U lautet:

Q dq
C = = (2.3)
U du

wobei die Proportionalitätskonstante C der Kapazitätswert ist. Anders ausgedrückt ist eine
Spannungsänderung ΔU über der Kapazität proportional zu einer Ladungsänderung ΔQ und
eine Ladungsänderung ist nichts anderes als das Integral des Stroms i, der der Kapazität im
entsprechenden Zeitintervall Δt zugeflossen ist.

1 1
C Δ∫t
ΔU = ⋅ ΔQ = ⋅ i ⋅ dt (2.4)
C

Grafisch interpretiert ist die Ladungsänderung ΔQ also eine Strom-Zeit-Fläche.


Der Energieinhalt W der Kapazität lässt sich durch Aufintegrieren der Energieänderungen
aller infinitesimal kleinen Ladungsänderungen bzw. Strom-Zeit-Flächen berechnen. Man
erinnere sich: Die Energieeinheit 1 eV ist definiert als die Energie, die ein Elektron beim
Durchlaufen einer Spannung von 1 V aufnimmt oder abgibt. Es gilt:

( 2.3 ) U
dw = u ⋅ i ⋅ dt = u ⋅ dq = u ⋅ C ⋅ du ⇔ W = C ⋅ ∫ u ⋅ du (2.5)
0

W = 1
2
⋅C ⋅U 2
(2.6)

Man erhält schließlich eine quadratische Abhängigkeit von der Spannung. Die Spannung ist
also die bestimmende Größe bei der Kapazität. Man spricht bei Verwendung einer Kapazität
als Zwischenspeicher deshalb auch von einem (Gleich-) Spannungszwischenkreis
(Bild 2.3a). Als Vereinfachung für die weiteren Betrachtungen wird oft angenommen, dass
sich die Kapazität wie eine Spannungsquelle verhält, also keine Spannungsänderungen
aufgrund zu- oder abfließender Ströme auftreten. Das ist immer dann eine gute Näherung,
wenn die Kapazität sehr groß ist, die auftretenden Ströme tatsächlich nur geringe
Spannungsänderungen hervorrufen. Vor allem bei der Zwischenkreiskapazität ist das der Fall
und die Näherung widerspiegelt so sehr schön die Entkopplung zwischen Eingangs- und
Ausgangsseite.

2.2.2 Induktivitäten

Die Induktivität, meist als massive, z.T. sogar wassergekühlte Spule ausgeführt, ist das
Pendant zur Kapazität. Hier wird die Energie in Form von Strom, also bewegter Ladung, bzw.
im magnetischen Feld gespeichert. Der Zusammenhang zwischen dem Strom I durch die
Induktivität und der anliegenden Spannung U lautet (vergl. Induktionsgesetz):

di
u = L⋅ ⇔ u ⋅ dt = L ⋅ di (2.7)
dt

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Grundlagen 8

wobei die Proportionalitätskonstante L der Induktivitätswert ist. Anders ausgedrückt ist eine
Stromänderung ΔI an der Induktivität proportional zu einer ... (hier fehlt leider das Pendant
zur Ladung!) und das ist nichts anderes als das Integral der Spannung u, die an der
Induktivität im entsprechenden Zeitintervall Δt angelegen hat.

1
L Δ∫t
ΔI = ⋅ u ⋅ dt (2.8)

Grafisch interpretiert ist das Integral also eine Spannungs-Zeit-Fläche.


Der Energieinhalt W der Induktivität lässt sich durch Aufintegrieren der Energieänderungen
aller infinitesimal kleinen Spannungs-Zeit-Flächen berechnen. Es gilt:
( 2.7 ) I
dw = i ⋅ u ⋅ dt = i ⋅ L ⋅ di ⇔ W = L ⋅ ∫ i ⋅ di (2.9)
0

W = 1
2
⋅L ⋅I 2 (2.10)
Man erhält schließlich eine quadratische Abhängigkeit vom Strom. Der Strom ist also die
bestimmende Größe bei der Induktivität. Man spricht bei Verwendung einer Induktivität als
Zwischenspeicher deshalb auch von einem (Gleich-) Stromzwischenkreis (Bild 2.3b). Als
Vereinfachung für die weiteren Betrachtungen wird oft angenommen, dass sich die Induk-
tivität wie eine Stromquelle verhält, also keine Stromänderungen aufgrund anliegender
Spannungen auftreten. Das ist immer dann eine gute Näherung, wenn die Induktivität sehr
groß ist, die auftretenden Spannungen tatsächlich nur geringe Stromänderungen hervorrufen.
Vor allem bei der Zwischenkreisinduktivität ist das gegeben und auch hier zeigt sich wieder
sehr schön die Entkopplung zwischen Eingangs- und Ausgangsseite.

2.2.3 Speicherfähigkeit

Häufig ist es zu Anfang schwierig, sich mit dem Gedanken an induktive Speicherelemente
und ihrer Idealisierung als Stromquelle vertraut zu machen. Einen auf einige Kilovolt
geladenen Kondensator, der seine Ladung bei offenen Klemmen über Stunden hält, kann man
sich leichter vorstellen, als eine Spule, die bei kurzgeschlossenen Klemmen ihren Strom von
einigen Kiloampere über denselben Zeitraum führt. Diese Diskrepanz hängt vor allem mit den
üblichen Materialien zusammen. Eine Spule hat, solange sie nicht aus supraleitendem
Material gemacht ist, immer einen verhältnismäßig hohen Innenwiderstand und auch der
Kurzschluss ist sicher nicht ideal, da er über (Halbleiter-) Schalter realisiert werden muss. Bei
solchen Spulen beträgt die Abklingzeitkonstante τ = L/R deshalb nur einige Millisekunden bis
Sekunden. Demgegenüber ist das Isolationsmaterial eines Kondensators fast ideal und auch
ein offener (Halbleiter-) Schalter isoliert sehr gut, wodurch die Entladezeitkonstante τ = RC
sehr viel größer ist.

Nichtsdestotrotz kann als ideale Näherung angenommen werden, dass bei offener Kapazität
und bei kurzgeschlossener Induktivität kein Energieverlust auftritt. In jedem Fall wird die
Qualität von Speicherelementen über die Speicherfähigkeit bestimmt, nicht über die Güte im
Wechselstromkreis.

2.2.4 Resonante Speicher

Die beiden bisher behandelten Speicher waren DC-Speicher, also Speicher in denen die
Energie als Gleichgröße gespeichert ist und bei denen sich der Energieinhalt über die Zeit nur
wenig ändert. Eine Kombination aus diesen beiden Energiespeichern im Sinne eines DC-
Speichers ist denkbar, aber nicht technisch relevant.
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Grundlagen 9

Dagegen finden sich zumindest in Nischenanwendungen Systeme mit AC-Speicher, die eine
Kombination von Kapazität und Induktivität in Parallel- oder Serienschwingkreisanord-
nung besitzen. Bild 2.3 zeigt eine Übersicht der verschiedenen Zwischenkreise.

a) b) c) d)
Bild 2.3: Zwischenkreisspeicher
a) kapazitiv, b) induktiv, c) parallel-resonant, d) serien-resonant

2.3 Besonderheiten der Leistungselektronik


2.3.1 Leistungssteuerung mittels Vorwiderstand

Die analoge Schaltungstechnik kennt ein einfaches Mittel zur Steuerung der Leistung in
einem Ohmschen Verbraucher an einer Gleichspannungsquelle: Den veränderbaren
Vorwiderstand. Sei es in Form des guten alten Schiebewiderstands (Bild 2.4a) oder als
Transistor (Bild 2.4b), der variable Widerstand zwischen Gleichspannungsquelle und
Verbraucher vermag die im Verbraucher umgesetzte Leistung zu kontrollieren. Tatsächlich
wird genau dieses Prinzip z.B. bei Audioverstärkern im A-Betrieb genutzt.
RL RL

U0 RV U0

a) b)

Bild 2.4: Leistungssteuerung mit einem variablen Vorwiderstand,


a) „Schiebewiderstand“, b) Transistor

Die Problematik dieses Vorgehens wird an Bild 2.5 deutlich:


1) Fast im gesamten Aussteuerbereich tritt am Vorwiderstand sehr große Verlustleistung auf.
2) Der Wirkungsgrad des Systems ist überhaupt nur in der rechten Hälfte der Grafik größer
als 50% (PRL > PRV).
Für die Leistungselektronik kommt diese Art der Steuerung deshalb nicht in Frage! Und
auch in der Audiotechnik findet man den A-Betrieb aufgrund seines schlechten Wirkungs-
grads von deutlich unter 50% kaum in Endstufenverstärkern (dort verwendet man eher den
AB- oder B-Betrieb).

Bild 2.5 macht aber auch noch zwei andere Punkte deutlich:
1) In den mit „AUS“ und „EIN“ bezeichneten Arbeitspunkten ist die Verlustleistung im
Vorwiderstand gering, weil dann entweder der Strom oder die Spannung gering sind.

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Grundlagen 10

2) Der Wirkungsgrad des Systems ist umso besser je weiter man nach rechts kommt. Bei
RV = 0 wäre der Wirkungsgrad sogar 100%. Leider lässt sich das mit Halbleiterschaltern
nicht erreichen (siehe Bild 2.6 für den Fall eines Transistors als Vorwiderstand).
Anders ausgedrückt sind nur die beiden Zustände „EIN“ und „AUS“ erlaubt. Alle anderen
Arbeitspunkte dürfen nur kurzzeitige Zwischenzustände sein.

U 02 p η < 50% η > 50%


RL

pR
L „EIN“

pR
V

„AUS“
I
0
U0
0 RL
RV →∞ R V = RL RV = 0
Bild 2.5: Leistungsaufteilung bei Steuerung mit variablem Vorwiderstand

IC = IRL

U0 „EIN“
RL
Lastgerade für RL

„AUS“
UCE
U0
Bild 2.6: Arbeitspunkte bei einem Transistor als Vorwiderstand

2.3.2 Leistungssteuerung mittels Taktung

Um dennoch eine Leistungssteuerung zu realisieren, hat man nur noch die Möglichkeit, die
Forderung nach kontinuierlicher Steuerung fallen zu lassen und sich unter Verwendung der
EIN- und AUS-Zustände auf die Steuerung der mittleren Leistung ‹pRL› zu beschränken.
Man spricht dann von Taktung. Während der EIN-Phasen wird jeweils die maximale
Leistung U0²/RL am Lastwiderstand RL umgesetzt und während der AUS-Phasen gar keine
Leistung (Bild 2.7). Auf diese Weise lässt sich über das so genannte Tastverhältnis (engl.
duty cycle) von EIN-Dauer te zur Gesamtdauer eines Zyklus´ tp = te + ta jede mittlere
Leistung ‹pRL› einstellen. Es gilt:

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Grundlagen 11

U 02 t
p RL = ⋅ e (2.11)
RL t e + t a

RL pRL
tp
2
U0
RL
ta te
U0

t
Bild 2.7: Getakteter Betrieb

2.3.2.1 Leistungsverluste im getakteten Betrieb

Wie in Bild 2.6 für den EIN-Zustand bereits gezeigt, sind Halbleiterschalter keine idealen
Schalter. Es sind folgende Nichtidealitäten zu berücksichtigen:
1) Der ideale EIN-Zustand, also RL = 0, wird nicht erreicht. Die Durchlassspannung des
Schalters ist nicht null und daher entstehen Durchlassverluste.
2) Der ideale AUS-Zustand, also RL → ∞, wird nicht erreicht. Im gesperrten Zustand fließt
ein Leckstrom und damit entstehen (vergleichsweise geringe und oft vernachlässigte)
Sperrverluste.
3) Die Schalter sind nicht unendlich schnell. Sie durchlaufen die mit hohen Verlusten
behafteten Zwischenzustände in endlicher Zeit (Schaltzeit), so dass Schaltverluste
entstehen. Diese sind für das Ein- und Ausschalten meistens deutlich verschieden.

pRL

t
Schaltzeit
pV
Ausschaltverluste Einschaltverluste

t
Durchlassverluste Sperrverluste

Bild 2.8: Verläufe von Ausgangs- und Verlustleistung


Die zeitlichen Verläufe der Ausgangsleistung (Leistung an RL) und der Verlustleistung
(Leistung am Halbleiterschalter) zeigt Bild 2.8.
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Grundlagen 12

Hinweis: Hier beim Takten und später bei anderen Schaltungen wird zur Erklärung immer
wieder der ideale Schalter herangezogen. Das ist für das grundlegende Verständnis
vorteilhaft, entspricht aber wie gerade gezeigt nicht der Realität des Halbleiterschalters.
Darüber hinaus hat der ideale Schalter noch die unangenehme Eigenschaft, im Schaltmoment
die Topologie der Schaltung zu verändern. Neue Zweige entstehen in der Schaltung oder alte
fallen weg. Das ist für die Schaltungssimulation z.B. mit SPICE fast immer mit großen
numerischen Problemen oder sogar dem Divergieren der Lösung verbunden. Man behilft sich
deshalb häufig mit einem Widerstand, der sich in endlicher Zeit von einem sehr kleinen auf
einen sehr großen Wert ändert. Tatsächlich entspricht das ja ohnehin eher der Realität.

Gemäß der vorangegangenen Aufzählung gibt es offenbar verschiedene Möglichkeiten, die


durchschnittlichen Verluste im (Halbleiter-) Schalter zu beeinflussen:
1) Je seltener geschaltet wird, also je niedriger die Schaltfrequenz fs = 1/tp ist, desto niedriger
sind auch die Schaltverluste.
2) Je kürzer die Schaltzeiten sind, also je schneller die verlustbehafteten Zustände
durchlaufen werden, desto geringer sind die Schaltverluste.
3) Die Durchlassverluste sind zwar in erster Näherung von der Schaltfrequenz unabhängig,
dafür sind sie aber direkt proportional zum Tastverhältnis.
4) Auch die Sperrverluste sind in erster Näherung von der Schaltfrequenz unabhängig, sind
dafür aber direkt proportional zu eins minus Tastverhältnis. Im Allgemeinen sind die
Sperrverluste gegenüber den anderen Verlusten sogar vernachlässigbar. Dafür spielen sie
bei der Stabilität von Halbleiterbauelementen eine wichtige Rolle.

2.3.2.2 Trägheit des Verbrauchers

Unter dem Gesichtspunkt der Verluste wären also gemäß Punkt 1) der vorangegangenen
Aufzählung niedrige Schaltfrequenzen vorteilhaft. Im Extremfall würde man überhaupt nur
einmal schalten, also bei einer Gesamtbetriebszeit von z.B. 10 min die ersten 5 min auf EIN
und den Rest auf AUS. Dass das nicht funktioniert, ist sofort einleuchtend. Es hängt dabei
vom zu steuernden Verbraucher ab, wie häufig geschaltet werden muss.

Als Beispiel sei die Herdplatte betrachtet. Für einfache thermische Lasten ist es meistens eine
ausreichende Näherung, eine exponentielle Annäherung an die stationäre Temperatur
anzunehmen. Sie verhalten sich wie ein einfaches RC-Glied mit der Zeitkonstante τ. Das
Bild 2.9 oben zeigt Pulse, die deutlich zu lang sind, da sich das System bis auf die Temperatur
aufheizt, die bei voller Heizleistung möglich ist, und andererseits wieder ganz abkühlt. Die
Einschaltdauer te ist demnach viel grösser als die thermische Zeitkonstante τ der Herdplatte.

Damit der Temperaturhub klein wird, muss die Einschaltdauer deutlich kleiner sein als die
thermische Zeitkonstante (te « τ). In diesem Fall (Bild 2.9 unten) kann man die Exponential-
funktion dann durch ihre Tangente im Nullpunkt annähern. Die Steigung dieser Tangente ist
1/τ, so dass für den Temperaturhub während eines Einschaltpulses gilt:

te
ΔT ≈ für t e << τ (2.12)
τ

Das gleiche gilt analog natürlich auch für die Ausschaltdauer, wobei für das Abkühlen dann
eine andere Zeitkonstante gelten könnte.

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Grundlagen 13

p, T

T −τt
e

p
t
p, T

∆T

Pmax
t

Bild 2.9: Temperatur- und Leistungsverläufe bei unterschiedlichen Pulslängen

Zusammenfassend kann also festgestellt werden, dass mit Hilfe der Taktung eine
Leistungssteuerung möglich ist, ohne dabei den „Vorwiderstand“, also (Halbleiter-) Schalter
zu überlasten. Es wird aber nur die mittlere Leistung gesteuert, wobei der Verbraucher die
Mittelung durchführt. Dies kann wie bei der Herdplatte mit Hilfe der thermischen Trägheit
passieren oder, wie z.B. bei einer LED, durch die Trägheit des Auges, also erst beim „Endver-
braucher“. Die Zeitkonstanten, die dabei eine Rolle spielen, können sehr unterschiedlich sein.
Generell muss die Pulsdauer viel kürzer sein als die entsprechende Zeitkonstante, um eine
gute Mittelung bzw. eine kleine Fluktuation am Ausgang zu erzielen. Andererseits erhöht eine
hohe Schaltfrequenz die Verluste und ist daher zu vermeiden.

2.3.3 Parasitäre Induktivitäten

Im vorangegangenen Abschnitt wurde gezeigt, dass sich die Schaltverluste verringern lassen,
wenn die Schaltgeschwindigkeit erhöht wird. Tatsächlich geht der Trend bei Leistungshalb-
leiterbauelementen hin zu immer höheren Schaltgeschwindigkeiten bzw. immer kürzeren
Schaltzeiten. Leider sind inzwischen aber oft gar nicht mehr die Halbleiterschalter das
begrenzende Element, sondern das „Drumherum“. Während in der Mikroelektronik die
Leitungswiderstände und -kapazitäten die Schaltgeschwindigkeit begrenzen, sind es in der
Leistungselektronik vor allem die parasitären Induktivitäten oder „Streuinduktivitäten“.
Entscheidend dafür sind die Leitungsführung (Bild 2.10 links) und die Konstruktion der
einzelnen Komponenten. Jede kleinste Leitungsschlaufe ergibt eine zusätzliche Induktivität,
die zwar an sich klein ist, aber mit den immer größer werdenden Stromänderungs-
geschwindigkeiten doch erhebliche Spannungsabfälle verursacht. Eine induktivitätsarme
Aufbautechnik ist daher eine wichtige Voraussetzung für die moderne Leistungselektronik.

Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I, Version 2.0, Oktober 2009


Grundlagen 14

RL Lσ

Lσ RL U0

Bild 2.10: Streuinduktivität Lσ physisch und als konzentriertes Element in der


Schaltung

Als Beispiel sei ein typischer Traktionsumrichter betrachtet, bei dem die effektive
Streuinduktivität Lσ bei etwa 50 nH liegt. Zusammen mit Stromänderungsgeschwindigkeiten,
die heute schon bis in die Größenordnung von 10 kA/µs reichen, können sich an dieser
Induktivität Spannungsabfälle von U = Lσ·di/dt ≈ 500 V ergeben!

Bild 2.11 zeigt den Stromspannungsverlauf beim Schalten (Schaltortskurve) einer Ohmschen
Last mit Streuinduktivität. Beim Ausschalten wird die Stromsteilheit di/dt allein vom
Widerstandsverlauf des Schalters vorgegeben (in diesem Beispiel die etwas künstliche
Situation eines konstanten di/dt), weil die Zeitkonstante der Streuinduktivität τ = Lσ/RL stets
sehr klein ist im Vergleich zur Dauer der Schaltflanke. Beim Einschalten dagegen reicht die
Spannung U0 der Quelle nicht mehr aus, um sowohl den Ohmschen Spannungsabfall über der
Last als auch den Spannungsabfall über der Streuinduktivität bei konstantem di/dt zu
bedienen. Sobald also der Schalter ganz eingeschaltet ist, also seinen niedrigsten Widerstand
angenommen hat, begrenzt die Streuinduktivität den weiteren Stromanstieg. Ein konstantes
di/dt ist dann nicht mehr möglich (siehe im Bild 2.11 links).
IC = IRL
di
Uσ = Lσ ⋅
iC = iRL U0 dt aus

RL
„EIN“
di
dt aus

t „AUS“
UCE
U0

Bild 2.11: Ortskurve einer Ohmschen Last RL mit Streuinduktivität Lσ

Offenbar liegt am Ende des Ausschaltvorgangs (i → 0, also URL i → 0) über dem Schalter
zusätzlich zur Quellenspannung U0 noch die in der Streuinduktivität induzierte Spannung Uσ,
die von der Schaltgeschwindigkeit abhängt und erheblich sein kann (siehe Beispiel oben). Es
besteht also die Gefahr, dass der Schalter durch diese Überspannung beschädigt
(„Öffnungsfunke“) oder sogar zerstört wird. Außerdem können solche Überspannungen und
ihre schnellen Änderungen auch Schwingungen anregen und so EMV-Probleme
verursachen. Die Überspannungen sind also möglichst klein zu halten. Dabei sind folgende
Fakten wichtig:

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Grundlagen 15

1) Die Überspannung kann zwar je nach Schaltgeschwindigkeit sehr groß werden, aber die
Energie Wσ, die in der Streuinduktivität gespeichert ist und abgebaut werden muss, ist
immer gleich. Es gilt:
Wσ = 21 ⋅ Lσ ⋅ I 2 (2.13)
2) Die Spannungszeitfläche ist ebenfalls unabhängig von der Schaltgeschwindigkeit und
gegeben durch:
I ⋅ L = ∫ u ⋅ dt (2.14)
t aus

Nachfolgend nun einige Gegenmaßnahmen zur Reduktion der Überspannung am Schalter


bzw. zur Minimierung der Folgen, wobei die Größe der Streuinduktivität als gegeben
angenommen wird.

2.3.3.1 Langsam Schalten


Die einfachste Lösung ist das langsamere Schalten, also die Verwendung flacherer
Schaltflanken (di/dt). Leider erhöht das die Schaltverluste signifikant und ist daher meist
nicht möglich. Zudem fallen die Verluste im ohnehin stark belasteten Schalter an.

2.3.3.2 Freilaufdiode über der Streuinduktivität


Eine weitere Möglichkeit ist die Verwendung einer Freilaufdiode DF (Bild 2.12a). Neben dem
Schalterzweig steht dem Strom alternativ noch ein Freilaufzweig zur Verfügung. Beim
Öffnen des Schalters kommutiert der Strom nun in diesen Freilaufzweig und klingt dann
aufgrund des Widerstands im Kreis ab. Die Streuinduktivität wird quasi kurzgeschlossen und
ihre Energie im Widerstand und der Diode umgesetzt. Leider kann die Freilaufdiode nur
denjenigen Teil der Streuinduktivität entschärfen, der von der Quelle aus gesehen jenseits des
Schalters liegt. Die Streuinduktivität zwischen Quelle und Schalter wirkt weiterhin voll auf
den Schalter.

RL Lσ
RL Lσ

DF
U0 U0

a) b)
Bild 2.12: Maßnahmen zur Verringerung des Einflusses der Streuinduktivität.
a) Freilaufdiode über der Streuinduktivität, b) Z-Diode über dem Schalter.

2.3.3.3 Spannungsbegrenzer über dem Schalter


Während die Freilaufdiode die Entstehung der Überspannung vermeidet, begrenzt die
Z-Diode (oder ein Varistor) die Überspannung auf einen unkritischen Wert (Bild 2.12b).
Sobald die Gesamtspannung (U0 plus Uσ) über dem Schalter die Durchbruchspannung der
Z-Diode erreicht hat, lässt die Z-Diode Strom durch. Die Energie der Streuinduktivität wird
so in der Z-Diode umgesetzt.

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Grundlagen 16

2.3.3.4 RCD-Beschaltung des Schalters


Eine andere Möglichkeit, die Überspannung zu begrenzen, ist eine Kapazität parallel zum
Schalter (Bild 2.13a). Die Energie der Streuinduktivität wird dann beim Öffnen des Schalters
in die Kapazität übertragen und die Überspannung bleibt klein. Leider ist diese Variante nur
theoretisch möglich, da sie einige unakzeptable Nachteile besitzt. Zum einen ergibt sich
zusammen mit der Streuinduktivität ein Serienschwingkreis und zum anderen würde beim
Wiedereinschalten ein unendlich hoher Strom über den Schalter fließen (idealer Kurzschluss
der Kapazität). Auch wenn der Schalter nicht ideal, also widerstandsbehaftet wäre, würde in
jedem Fall die gesamte Energie der Kapazität (½·C·U0²) im Schalter umgesetzt.
Zwar lassen sich die eben genannten Nachteile nicht völlig vermeiden, aber sie lassen sich auf
ein technisch sinnvolles Maß reduzieren. Die dazu notwenige RCD-Beschaltung des Schalters
ist in Bild 2.13b gezeigt. Die Kapazität wird nun nicht mehr direkt über den Schalter gelegt,
sondern über eine Diode bzw. einen Widerstand (daher die Bezeichnung RCD, engl.
RCD-snubber). Beim Ausschalten wird die Kapazität über die Diode aufgeladen und
reduziert die Überspannung, so wie bei der einfachen Kapazität. Die Diode verhindert dann
aber das sofortige Zurückschwingen, also das Oszillieren. Die Entladung der Kapazität ist nur
über den Widerstand möglich, wodurch einerseits das Zurückschwingen bei geöffnetem
Schalter sehr stark gedämpft wird und andererseits das Entladen bei geschlossenem Schalter
langsam abläuft (Wichtig: Die RC-Zeitkonstante muss klein gegenüber der Pulslänge sein, da
sich sonst die Kapazität immer weiter auflädt und schließlich wirkungslos wird!). Vorteilhaft
ist auch, dass die überschüssige Energie zum größten Teil im Widerstand und nicht im
Schalter umgesetzt wird. Dennoch geht auch hier bei jedem Schaltvorgang mindestens die
Energie ½·C·U0² verloren. Es gibt deshalb zahlreiche Varianten dieser Schaltung, mit deren
Hilfe man versucht, zumindest einen Teil der Energie zurück zu speisen. Solche Schaltungen
sind aber häufig sehr viel aufwändiger und damit teurer, so dass die RCD-Beschaltung weit
verbreitet ist.

RL Lσ RL Lσ

U0 U0

a) b)
Bild 2.13: Kapazitive Beschaltung des Schalters.
a) Einfacher Kondensator, b) RCD-Beschaltung.

2.3.4 Leistungsteuerung bei Wechselspannung


Wechselspannung hat für die Leistungselektronik eine besondere Bedeutung und ist
spätestens seit dem legendären „Stromkrieg“ zwischen Westinghouse (Wechselspannung)
und Edison (Gleichspannung) die bestimmende Stromform für die Energietechnik. Die
Wechselspannung hat den großen Vorteil, dass sie mit Transformatoren leicht auf jedes
gewünschte Spannungsniveau transformiert werden kann (Leistungsübertragung mit
Hochspannung). Außerdem sind ein Großteil der Erzeuger rotierende Generatoren, erzeugen
also Wechselspannung, und ein Großteil der Verbraucher sind Synchron- oder Asynchron-
maschinen, brauchen also ebenfalls Wechselspannung. Darüber hinaus eröffnen sich mit
Wechselspannung andere Formen der Leistungssteuerung.

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Grundlagen 17

2.3.4.1 Stelltransformator
Neben der starren Umsetzung von einem Spannungsniveau auf ein anderes mittels
Transformator kann die Umsetzung auch variabel mit einem Stelltransformator (fälschlich
auch Regeltransformator) erfolgen. Auf Grund der variablen Ausgangsspannungen ergeben
sich dann je nach Last auch unterschiedliche Ausgangsleistungen. Dabei ist allerding zu
berücksichtigen, dass die Steuerung der Leistung nur sehr langsam erfolgen kann, weil ein
Schleifer an der Sekundärwicklung des Stelltransformators (eventuell per Motor) mechanisch
verstellt werden muss. Bis zur Einführung der Leistungselektronik in den 1980er Jahren
wurde der Stelltransformator für den Antrieb von Elektrolokomotiven verwendet. Eine
Variante des Stelltransformators ist der Sparstelltransformator mit nur einer Wicklung, also
ohne galvanische Trennung von Eingangs- und Ausgangsspannung.

2.3.4.2 Resonanztransformation
Die Resonanztransformation hat für die Leistungselektronik zwar keine Bedeutung, soll hier
aber der Vollständigkeit halber erwähnt sein. Die grundlegende Idee ist die eines komplexen
Spannungsteilers, wobei außer der Last keine Wirkwiderstände verwendet werden, also auch
keine zusätzliche Wirkleistung umgesetzt wird. Die einfachste Variante zeigt Bild 2.14a. Es
ist ein komplexer Spannungsteiler aus der Last RL und einer Induktivität. Der Betrag der an
der Last wirksamen Spannung URL ergibt sich aus der Quellenspannung U0 und dem Betrag
des Teilungsverhältnisses:
RL RL
U RL = U 0 ⋅ = U0 ⋅ (2.15)
R L + jωL R L2 + ω 2 L2

Diese einfache Schaltung hat den Nachteil, dass sich eine große (induktive)
Phasenverschiebung zwischen Quellenstrom und -spannung ergibt. Durch Parallelschalten
einer Kapazität, also zusätzlichen kapazitiven Strom, lässt sich das kompensieren
(Bild 2.14b). Dazu muss die Kapazität so dimensioniert werden, dass der Imaginärteil der
Gesamtimpedanz verschwindet:

⎧ 1 ⎫
Im⎨(R L + jωL )
L
⎬=0 ⇒ C = 2 (2.16)
⎩ jωC ⎭ R L + ω 2 L2

C
RL L

RL L
U0 ~ U0 ~

a) b)
Bild 2.14: Komplexer Spannungsteiler zum Heruntertransformieren.
a) Einfache Induktivität, b) Mit Kompensation durch eine Kapazität.

Die Schaltung nach Bild 2.14b ist im Grunde nichts anderes als die Blindstrom-
kompensation bei einer Ohmsch-induktiven Last. Durch Zuschalten von Kapazitäten wird
die Phasenverschiebung minimiert.

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Grundlagen 18

Bei beiden Schaltungen ist das Teilungsverhältnis offenbar frequenzabhängig und bei
gegebenen Komponenten ansonsten konstant. Außerdem ist die Spannung an der Last
immer kleiner als die Quellenspannung. Zumindest der letzte Punkt ließe sich mit der in
Bild 2.15 gezeigten Schaltung aber ändern. Durch Ausnutzung der Resonanz des mit der Last
bedämpften LC-Serienschwingkeises können sich auch Spannungen größer als die
Quellenspannung erzielen lassen.
C

RL L
U0 ~

Bild 2.15: Komplexer Spannungsteiler zum Hochtransformieren

2.3.4.3 Schwingungspaketsteuerung

Bei der Steuerung von Gleichstrom durch Taktung gab es keine ausgezeichneten
Schaltzeitpunkte. Zu jedem Zeitpunkt war die Spannung gleich. Das ist bei Wechselspannung
anders. Je nach Zeitpunkt des Schaltvorgangs wird eine andere Spannung an die Last
geschaltet. Das kann im Extremfall die positive oder negative Spitzenspannung sein, aber
auch der Spannungsnulldurchgang. Für die Schwingungspaketsteuerung wählt man nun genau
den Spannungsnulldurchgang. Wie Bild 2.16 rechts zeigt, ergeben sich dadurch einzelne
Schwingungspakete, die jeweils von Nulldurchgang zu Nulldurchgang reichen und
dazwischen der Wechselspannung folgen. Diese Art der Steuerung hat einige Vorteile:
1) Da jeweils im Nulldurchgang geschaltet wird, treten im Schalter kaum Schaltverluste auf.
Die Schalterverluste bestehen also fast ausschließlich aus Durchlassverlusten.
2) Wegen der geringen Stromänderungsgeschwindigkeit (di/dt) spielen Streuinduktivitäten
kaum eine Rolle.
3) Da die Strom- und Spannungsverläufe der Sinusform folgen, treten kaum Oberwellen
(→Frequenzspektrum) auf, es gibt also keine EMV-Probleme.
Demgegenüber steht die Einschränkung, dass die Schwingungspakete immer nur ganzzahlige
Vielfache der halben Periode lang sein können, die Steuerung also quantisiert ist. Das spielt
bei langsamen Systemen wie Öfen aber ohnehin keine Rolle und viele der (überwiegend)
Ohmschen Verbraucher sind solche langsamen, thermischen Systeme.
Die Quantisierung wird außerdem immer unwichtiger, je höher die Netzfrequenz ist. Gerade
das ist aber eine interessante Tendenz, weil die kleinen Schaltverluste und geringen EMV-
Probleme der Schwingungspaketsteuerung gerade höhere Netzfrequenzen zulassen. Höhere
Netzfrequenzen würden dann zu erheblich kleineren Transformatoren und anderen passiven
Komponenten im System führen und so beträchtliche Einsparungen an Volumen, Gewicht
und Kosten bringen. Inselnetze, die nicht starr an das 50 Hz-Verbundnetz gekoppelt sind, also
z.B. Bordnetze in Fahrzeugen oder Schiffen, werden deshalb schon heute bei höheren
Frequenzen betrieben (z.B. 400 Hz). Richtig interessant wird dieses Vorgehen aber erst bei
Mittelfrequenz, z.B. 20 kHz.
Gegenüber der Taktung bei Gleichspannung ist hier noch ein wichtiger Unterschied zu
berücksichtigen: Der Strom muss in beide Richtungen fließen können und am geöffneten
Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I, Version 2.0, Oktober 2009
Grundlagen 19

Schalter kann in beide Richtungen Spannung anliegen. Ein einfacher Transistor ist deshalb
nicht geeignet. Vielmehr setzt man selbstlöschende Schalter wie Thyristoren oder für
kleinere Leistungen auch TRIACs ein, die jeweils am Anfang einer Halbwelle gezündet
werden und beim nächsten Nulldurchgang von alleine verlöschen. Je nach Bedarf zündet man
dann erneut oder das Schwingungspaket ist zu Ende.

RL i
i te ta
Uˆ 0
RL
U0 ~ t

Bild 2.16: Schwingungspaketsteuerung

2.3.4.4 Phasenanschnittsteuerung

Fälle, in denen die Vorteile der Schwingungspaketsteuerung nicht genutzt werden können,
weil das System nicht träge genug ist, also ta + te « τSystem nicht erfüllt ist (Beispiel: Glühbirne
am 50 Hz-Netz), bedürfen einer anderen, schnelleren Lösung. Man verlegt hier die Steuerung
in jede einzelne Halbwelle, in dem man jeweils nur einen Teil der Halbwelle passieren lässt.
Wird der erste Teil der Halbwelle blockiert (Bild 2.17), spricht man von einer
Phasenanschnittsteuerung, wird der letzte Teil der Halbwelle blockiert, von
Phasenabschnittsteuerung, wobei diese Variante fast nur für die Steuerung von Kapazitäten
genutzt wird und hier nicht weiter betrachtet werden soll.

RL u, i
i Û 0
u0
Uˆ 0
RL i
U0 ~ t
α

Bild 2.17: Phasenanschnittsteuerung bei rein Ohmscher Last

Wie viel von einer Halbwelle blockiert wird, wird üblicherweise durch den Steuerwinkel α
angegeben, wobei α Werte von null (kein Anschnitt) bis π (komplett blockiert) annehmen
kann. Durch die Steuerung jeder einzelnen Halbwelle erzeugt die Phasenanschnittsteuerung
sehr kleine Schwankungen in der Leistung am Verbraucher und lässt sich mit verhältnismäßig
wenig Aufwand realisieren (Dimmer für Glühlampen). Dafür hat die Phasenanschnitt-
steuerung einige gravierende Nachteile:
1) Es treten starke Oberwellen auf, die bei einer Steuerung an 50 Hz alle im hörbaren
Bereich liegen (→Frequenzspektrum).
2) Die Grundwelle des Stroms zeigt je nach Steuerwinkel eine erhebliche
Phasenverschiebung gegenüber der Quellenspannung.
3) Es treten Einschaltverlust auf, da der Strom sofort auf u(t)/RL springt.

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Grundlagen 20

RL LL u, i
i Û0 u0
Uˆ 0
RL i
U0 ~ t
∆u
α

Bild 2.18: Phasenanschnittsteuerung bei Ohmsch-induktiver Last

Besitzt die Ohmsche Last einen großen induktiven Anteil, verändert sich der Stromverlauf
deutlich (Bild 2.18). Auf der einen Seite verhindert der induktive Anteil einen schnellen
Stromanstieg und verringert so die Einschaltverluste. Auf der anderen Seite fließt der Strom
aber über den Nulldurchgang der Spannung weiter. In dem Moment, in dem der Strom dann
null wird und der Schalter verlöscht, hat die Quelle bereits eine erhebliche Spannung (mit
umgekehrtem Vorzeichen) und die Spannung am Schalter springt auf diesen Wert. Die dabei
entstehenden Spannungsänderungsgeschwindigkeiten (du/dt) können sehr groß werden und
ihrerseits Probleme in der Schaltung oder dem Schalter verursachen.

Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I, Version 2.0, Oktober 2009


Grundschaltungen der Leistungselektronik 21

3 Grundschaltungen der Leistungselektronik


3.1 Gleichrichter (AC → DC Converter)
Eine der grundlegenden Aufgaben in der Leistungselektronik ist die Gleichrichtung von
Wechselstrom bzw. AC→DC-Wandlung. Betrachtet man noch einmal Bild 2.2, so ist der dort
als „Eingangsteil“ bezeichnete Funktionsblock häufig ein Gleichrichter, weil er einem
Wechselspannungsnetz Energie entnimmt und damit den Zwischenkreiskondensator, also
einen DC-Speicher, lädt. Im einfachsten Fall ist der Gleichrichter ungesteuert.

3.1.1 Ungesteuerter Gleichrichter

Bereits der Einsatz einer einzelnen Diode führt zu einer Gleichrichtung des Stroms, da sie nur
in eine Richtung leitend werden kann und in die andere Richtung sperrt. Bild 3.1 zeigt links
die Schaltung mit einer rein Ohmschen Last und rechts die auftretenden Spannungs- und
Stromverläufe. Dabei wurde eine ideale Diode angenommen, also ohne die bei Halbleiter-
dioden unvermeidlichen Nichtidealitäten wie Durchlassspannung, Einschaltüberspannung und
Sperrverzögerung. Während der positiven Halbwellen folgt der Strom durch die Last dem
Sinusverlauf der Spannung, während der negativen fließt gar kein Strom.

RL u, i
i Û0
u0
Uˆ 0
RL i
U0 ~ t

Bild 3.1: Gleichrichter mit rein Ohmscher Last

Dass während der negativen Halbwellen gar kein Strom durch die Last fließt, ist offenbar ein
gravierender Nachteil der Schaltung von Bild 3.1. Entweder ist die Last träge genug, um die
Leistungsfluktuation selber auszugleichen (Abschnitt 2.3.2.2), oder es bedarf weiterer
Maßnahmen. Eine Möglichkeit ist die Verwendung einer kapazitiven Glättung, wie sie in
Bild 3.2 links gezeigt ist. Parallel zur Last ist hier eine Kapazität CG geschaltet, die während
der positiven Halbwellen aufgeladen wird und während der negativen Halbwellen die Last
mit Strom versorgt und auf diese Weise von der Quelle entkoppelt! Wenn man so will, ist das
schon fast ein komplettes leistungselektronisches System gemäß Bild 2.2: Es gibt einen
Erzeuger, die Quelle, einen Eingangsteil, die Diode, einen Speicher, die Kapazität, und einen
Verbraucher, die Ohmsche Last. Der Ausgangsteil ist hier nicht nötig.
Die Wirksamkeit der kapazitiven Glättung und damit der Entkopplung zwischen Quelle und
Last hängt nun maßgeblich von der Größe der Kapazität ab. Während der negativen
Halbwellen, wenn also die Diode sperrt, bilden die Kapazität und die Last ein einfaches
RC-Glied. Die Spannung über der Kapazität und damit auch der Strom durch die Last fallen
daher mit der Zeitkonstante τ = RC exponentiell ab. Man kann bei gegebener Last und
minimal zulässigem Strom also die Mindestkapazität berechnen. In Bild 3.2 ist die Kapazität

Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I, Version 2.0, Oktober 2009


Grundschaltungen der Leistungselektronik 22

so groß angenommen, dass man die Exponentialfunktion wieder durch ihre Tangente im
Nullpunkt annähern kann, der Spannungsverlauf zwischen den positiven Halbwellen also
annähernd linear ist. Wäre die Kapazität noch viel größer, würde sich die Spannung kaum
verringern und man könnte die Kapazität als Konstantspannungsquelle betrachten. Es ist
übrigens noch wichtig zu beachten, dass immer nur dann Strom durch die Diode fließt, wenn
die Spannung der Quelle grösser als die der Kapazität bzw. im angenommenen Idealfall
gleich der der Kapazität ist. Im Bild 3.2 ist das immer dann der Fall, wenn die gestrichelte
und die gepunktete Linie aufeinander liegen. Die Kapazität wird also nur während eines Teils
der positiven Halbwellen geladen.

RL
i
u, i t − t Uˆ
u Û0 uc = Uˆ 0 ⋅ e

R ⋅C
0

CG Uˆ 0
RL i
U0 ~ t
u0

Bild 3.2: Gleichrichter mit kapazitiver Glättung

Ein weiterer Nachteil der Schaltung aus Bild 3.2 ist die Tatsache, dass sie so nur selten
vorkommt. Meistens besitzen die Verbraucher einen deutlichen induktiven Anteil. Die
entsprechende Schaltung ist in Bild 3.3 links gezeigt. Anders als bei der rein Ohmschen Last
bildet der Laststrom jetzt keine Sinushalbwellen mehr. Die Induktivität LL verhindert anfangs
einen steilen Stromanstieg und führt dann dazu, dass der Strom auch nach dem
Nulldurchgang der Quellenspannung weiter fließt. Erst wenn die negative Spannungs-Zeit-
Fläche ∫uLL- an der Induktivität genauso groß ist, wie die positive ∫uLL+ vorher war, wird der
Strom zu null. Wie bei der Phasenanschnittsteuerung in Abschnitt 2.3.4.4 springt auch hier
dann die Spannung über der Diode auf den Momentanwert der Quelle und kann unter
Umständen EMV-Probleme verursachen.

RL LL u, i
i Û0 ∫uLL+
Uˆ 0 ∫uLL- uRL
RL i
U0 ~ t
∆u
u0

Bild 3.3: Gleichrichter mit Ohmsch-induktiver Last

Auch wenn es sich formal ebenfalls um eine Ohmsch-induktive Last handelt, ist die
Verwendung einer großen Induktivität zur Glättung des Laststroms ein völlig anderer Fall.
Würde man die Schaltung wie in Bild 3.3 links verwenden, würde jede negative Halbwelle
den Strom der Induktivität auf null zurückführen, da die Diode solange leitend bleibt, wie

Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I, Version 2.0, Oktober 2009


Grundschaltungen der Leistungselektronik 23

Strom durch die Induktivität fließt. Die Strom- und Spannungsverläufe würden qualitativ
ähnlich wie in Bild 3.3 rechts aussehen. Das ist aber nicht beabsichtigt. Man schaltet daher
eine Freilaufdiode parallel zur Induktivität (Bild 3.4) und eröffnet dem Strom so einen
alternativen Zweig. Getrieben durch die Quellenspannung (Spannungs-Zeit-Fläche!) steigt
der Strom durch die Induktivität während der positiven Halbwelle an. Zu Beginn der
negativen Halbwelle wechselt der Strom dann in den Freilaufzweig und klingt aufgrund der
Ohmschen Verluste exponentiell mit Zeitkonstante τ = LG/RL ab. Bei großen Induktivitäten
ergibt sich wieder ein annähernd linearer Verlauf (Bild 3.4 rechts). Bei einer sehr großen
Induktivität ist der Stromabfall (aber auch Anstieg) sogar vernachlässigbar und man kann sie
als Konstantstromquelle betrachten. Im Sinne des leistungselektronischen Systems wäre das
dann ein Stromzwischenkreis.

RL LG u, i
i Û0
i

DF t
U0 ~ u0

Bild 3.4: Gleichrichter mit induktiver Glättung

3.1.2 Ungesteuerter Brückengleichrichter

Die bisher beschriebenen Gleichrichtervarianten zeigten alle ein ähnliches Verhalten:


Während der negativen Halbwelle wird keine Leistung aus der Quelle entnommen. Entweder
wird in dieser Zeit dann gar keine Leistung in der Last umgesetzt, oder nur Energie, die
während der positiven Halbwelle kapazitiv oder induktiv zwischengespeichert worden war.
Zum einen erfordert das entsprechend große Speicher und zum anderen wird die Quelle
zumindest kurzzeitig viel stärker belastet. Eine klare Verbesserung bringt hier die
Brückenschaltung. Bild 3.5 zeigt einen Brückengleichrichter mit rein Ohmscher Last.

u, i
Û 0
u0
i Uˆ 0
U0 ~ RL RL i
t

Bild 3.5: Brückengleichrichter mit rein Ohmscher Last

Gegenüber dem einfachen Gleichrichter aus Bild 3.1 braucht der Brückengleichrichter
insgesamt vier, also drei Dioden mehr. Es ist also ein deutlicher Zusatzaufwand damit
verbunden. Dafür wird in den positiven und in den negativen Halbwellen jeweils die gleiche
Leistung umgesetzt. Die Schwankungen in der Last sind somit kleiner und die Leistungs-
aufnahme aus der Quelle ist viel gleichmäßiger, insbesondere sind die maximalen Ströme
viel kleiner. Natürlich kann man darüber hinaus auch die gleichen kapazitiven oder

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Grundschaltungen der Leistungselektronik 24

induktiven Glättungen (= Zwischenspeicherungen) wie beim einfachen Gleichrichter


anwenden. Die Ausgangsspannung bzw. der Ausgangsstrom werden dann noch gleichmäßiger
bzw. es werden für ein ähnliches Resultat viel kleinere Speicher gebraucht. Insofern
relativiert sich der Zusatzaufwand für die Brückenschaltung dann wieder. Das gilt umso
mehr, als die Brückenschaltung bereits die Freilaufzweige für den induktiven Speicher enthält
bzw. diese gar nicht braucht.
u, i
ie Û 0
u0
1 3 LG Uˆ 0
ia
2RL ie
U0 ~ RL t
2 4

Bild 3.6: Brückengleichrichter mit induktiver Glättung

Bild 3.6 zeigt links einen Brückengleichrichter mit Glättung durch die Induktivität LG. Ist die
Glättungsinduktivität groß genug, kann sie als Konstantstromquelle angesehen werden, weil
eine anliegende Spannung nur vernachlässigbar kleine Stromänderungen hervor ruft. Genau
das zeigt sich am Stromverlauf in Bild 3.6 rechts. Der Ausgangsstrom ia ist aufgrund der
Induktivität konstant, also eigentlich Ia, und fließt je nach Quellenspannung entweder durch
die Dioden 1 und 4 (positive Halbwelle) oder durch 2 und 3. Für den Eingangsstrom ie
bedeutet das folglich einen rechteckförmigen Verlauf. Die perfekte Glättung des
Ausgangsstroms hat also eine sehr unangenehme Auswirkung auf die Eingangsseite. Im
Allgemeinen ist das für den Erzeuger bzw. das Netz und die anderen Verbraucher aufgrund
von EMV-Problemen nicht akzeptabel. Man wird daher auf der Eingangsseite eine Filterung
vorsehen müssen. Ein einfaches Beispiel bestehend aus einer Induktivität und einer Kapazität
zeigt Bild 3.7. Je nach Anforderung könnten weitere Filterstufen notwendig werden.
LF

~ CF

Bild 3.7: Brückengleichrichter mit Eingangs- bzw. Netzfilter

Das Beispiel des Brückengleichrichters mit idealer Glättungsinduktivität zeigt ein generelles
Problem der Leistungselektronik sehr deutlich: Man wird nie eine ideale Umformung
erreichen, sondern immer auf eine Filterung angewiesen sein. Ob diese Filterung am Eingang,
am Ausgang, oder wie meistens, an beiden Orten stattfindet, das ist dann eine Frage der
Anforderungen bzw. der Auslegung. Darüber hinaus lassen sich die Belastungen für das Netz
durch Verwendung von mehrpulsigen Brückenschaltungen weiter verringern. Die
Verhältnisse sind aber grundsätzlich ähnlich wie bei der einfachen Brückenschaltung und
sollen hier deshalb nicht weiter behandelt werden. Es sei dazu auf die Literatur verwiesen.

Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I, Version 2.0, Oktober 2009


Grundschaltungen der Leistungselektronik 25

3.1.3 Gesteuerter Brückengleichrichter

Bis auf das Rückschwingen der Induktivität in Bild 3.3 wurde bei den ungesteuerten
Gleichrichtern grundsätzlich immer Leistung aus der Quelle entnommen und nie dorthin
zurückgespeist. Das ergab sich dadurch, dass die Dioden immer nur dann leitend werden
konnten, wenn die Ströme und Spannungen entsprechende Vorzeichen hatten.
Nimmt man nun die Schaltung aus Bild 3.6 und ersetzt die Dioden durch Thyristoren, also
steuerbare Schaltelemente, dann kann man die Zeitpunkte, an denen die einzelnen Schalter
leitend werden von außen vorgeben. Bild 3.8 zeigt links die entsprechende Schaltung eines
gesteuerten Brückengleichrichters mit sehr großer Induktivität, also Konstantstromquelle am
Ausgang und rechts die Strom- und Spannungsverläufe. Wie bei der Phasenanschnitt-
steuerung wird das Thyristor-Paar 1-4 erst mit einer Verzögerung um den Steuerwinkel α
gezündet. Der Strom fließt dann mangels Alternativen so lange durch dieses Thyristor-Paar,
bis schließlich das Paar 2-3 gezündet wird. Da die Spannung zu diesem Zeitpunkt bereits das
Vorzeichen gewechselt hat, treibt sie den Strom sofort in das neue Paar (geht so nur bei
Lσ = 0!), worauf das alte Paar zu sperren beginnt. Auf diese Weise ergibt sich dann eine
umgekehrte Stromrichtung in der Quelle.

u, i
ie Û0
u0
1 3 I0
ie
U0 ~ I0 t
2 4 α

p- p+ p- p+ p- p+ p-
Bild 3.8: Gesteuerter Brückengleichrichter bei konstantem Ausgangsstrom

Wie Bild 3.8 zeigt, haben Strom und Spannung in den mit p+ gekennzeichneten Intervallen
jeweils dieselbe Richtung, es wird also Leistung aus der Quelle bezogen, während Strom und
Spannung in den p- Intervallen unterschiedliche Richtungen haben, die Quelle also Leistung
aufnimmt. Offenbar kann man durch Wahl des Steuerwinkels das Verhältnis von abgegebener
zu aufgenommener Leistung variieren. Bei α = 0 wird nur Leistung aus der Quelle abgegeben
(identisch zum ungesteuerten Fall), bei α = π dagegen wird nur Leistung aufgenommen. Die
Energieflussrichtung hat sich dann völlig umgekehrt. Es findet Rückspeisung statt. War der
Gleichrichter ursprünglich der Eingangsteil, nimmt er jetzt bei der Rückspeisung die Funktion
eines Ausgangsteils wahr (vergleiche Abschnitt 2.1).
Interessant ist auch noch der Fall α = π/2. Strom (Grundschwingung) und Spannung sind dann
genau um eine Viertelperiode verschoben. Von der Quelle aus betrachtet verhält sich der
Gleichrichter also wie eine Induktivität und im Mittel wird der Quelle keine Leistung
(Wirkleistung) entnommen. Es fließt reine Blindleistung.

3.2 Gleichstromumrichter (DC → DC Converter)


Die echte DC→DC-Wandlung ist in der (Hoch-) Leistungselektronik eine eher seltene
Aufgabe. Die dafür verwendeten Schaltungen sind aber grundlegend für viele andere,
komplexere Schaltungen und sollen daher nun ausführlicher behandelt werden.

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Grundschaltungen der Leistungselektronik 26

3.2.1 Einfacher Gleichstromsteller (Zerhacker, Chopper)

Der einfache Gleichstromsteller bzw. Zerhacker (engl. chopper) ist die Grundschaltung der
Leistungselektronik schlechthin. Der Gleichstromsteller für eine rein Ohmsche Last wurde
bereits im Abschnitt über die Taktung eingeführt (Bild 2.7) und für den Fall einer signi-
fikanten Streuinduktivität mit einer Freilaufdiode erweitert (Bild 2.12a). Wie schon mehrfach
angesprochen ist es in der Leistungselektronik nun aber häufig so, dass die Last nicht nur eine
Streuinduktivität besitzt, sondern einen großen induktiven Anteil, oder sogar überwiegend
induktiv ist, die Induktivität also eher einen parasitären Widerstand besitzt als umgekehrt. Das
verändert zwar die Auslegung der einzelnen Komponenten, an der grundsätzlichen Struktur
der Schaltung ändert das jedoch nichts.
L
uL, iL τ L = L >> t e , t a
RL
uL
U0 iL= i
iS iL
a) b) a) b)
iD LL t
te ta
U0 DF uL uS, iS
RL uS= U0-uL
i U0
a)
iS
uS
iS iL t
uD, iD
iD LL
U0 DF uL iD
t
RL
i
b)
-U0
uD= -uL
Bild 3.9: Einfacher Gleichstromsteller mit Ohmsch-induktiver Last.
a) Beim Aufstromen (Energieeinspeisung), b) Im Freilauf

Bild 3.9 zeigt die gegenüber Bild 2.12a unveränderte aber etwas anders gezeichnete
Schaltung mit einer Lastinduktivität LL an Stelle der Streuinduktivität. Im Bild oben (a) ist
der Zustand mit geschlossenem Schalter dargestellt. In dieser Situation liegt die
Quellenspannung in Sperrrichtung über der Freilaufdiode, so dass dieser Zweig keinen Strom
führt (Kurven im Bild 3.9 rechts unten). Die Quellenspannung liegt außerdem über der
Ohmsch-induktiven Last, was zu einem Anstieg des Laststroms bzw. des Schalterstroms führt
(Bild 3.9 rechts oben und Mitte). Die Größe der Induktivität ist in diesem Beispiel so
bemessen, dass der Strom, der sich eigentlich exponentiell seinem Maximalwert U0/RL nähern

Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I, Version 2.0, Oktober 2009


Grundschaltungen der Leistungselektronik 27

würde, durch eine Gerade approximiert werden kann (Zeitkonstante τL = LL/RL der Last ist
viel größer als die Dauer der Pulse).
Im Bild 3.9 unten (b) ist der Zustand mit offenem Schalter dargestellt. Die Quellenspannung
liegt nun über dem offenen Schalter, der jeden Stromfluss durch diesen Zweig blockiert. Der
Laststrom muss deshalb in die Freilaufdiode „ausweichen“. Es bildet sich ein neuer
Stromkreis aus Last und Freilaufdiode. In diesem klingt der Strom nun exponentiell ab und
kann aufgrund der Lastzeitkonstante wiederum durch eine Gerade approximiert werden.
Insgesamt ergibt sich in der Last ein kontinuierlicher, wenn auch dreiecksförmiger
Stromverlauf, der nachfolgend näher untersucht werden soll.

3.2.1.1 Stromverlauf
Unter der Annahme einer großen L/R-Zeitkonstante und bei vernachlässigbaren
Durchlassspannungen des Schalters und der Diode lassen sich die Stromänderungs-
geschwindigkeiten leicht berechnen. Es gilt:

di U LL U 0 − U RL U 0 − i ⋅ RL
= = = (3.1)
dt ein LL LL LL

di U RL i ⋅ RL
bzw. = − = − (3.2)
dt aus LL LL

Daraus wiederum ergeben sich die Stromänderungen während eines Pulses, wobei ‹i› jeweils
den mittleren Strom bezeichnet:

U 0 − i ⋅ RL
⋅ (U 0 − i ⋅ RL ) ⋅ t e
1 1
⋅ ∫ (U 0 − i ⋅ RL )dt =
di
ΔI ein = ∫ dt = ∫ dt = (3.3)
te
dt ein te
LL LL te LL

di i ⋅ RL 1 1
bzw. ΔI aus = ∫ dt
ta aus
dt = − ∫
ta
LL
dt = − ⋅ ∫ i ⋅ RL ⋅ dt = − ⋅ i ⋅ RL ⋅ t a
LL ta LL
(3.4)

Für den stationären, also eingeschwungenen Betrieb muss jeweils der Stromanstieg in der
EIN-Phase gleich dem Stromabfall in der AUS-Phase sein. Für die Induktivität bedeutet das,
dass die Spannungs-Zeit-Flächen (in 3.3 und 3.4 unterstrichen) gleich groß sein müssen,
aber entgegengesetztes Vorzeichen haben. Aus dieser Gleichheit folgt:

⋅ (U 0 − i ⋅ R L ) ⋅ t e =
1 1
ΔI ein = − ΔI aus ⇒ ⋅ i ⋅ RL ⋅ t a (3.5)
LL LL

Daraus lässt sich schließlich der mittlere (Last-) Strom ‹i› bestimmen:

U0 t
i = ⋅ e (3.6)
RL t e + t a

Der mittlere Strom ‹i› ist also derjenige Strom U0/RL, der sich bei unendlich lange
eingeschaltetem Schalter ergeben würde (keine Stromänderungen mehr!), multipliziert mit
dem Tastverhältnis, dem Verhältnis aus EIN-Dauer zu Gesamtpulsdauer. Die absolute Länge
der EIN- oder AUS-Phasen hat also keinen Einfluss auf den mittleren Strom.

Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I, Version 2.0, Oktober 2009


Grundschaltungen der Leistungselektronik 28

Dafür bestimmen die absoluten Zeiten aber den Stromhub (imax-imin), der während einer
Periode auftritt. Mit der Zeitkonstanten τL = LL/RL kann man Gleichung (3.4) umformen zu:

1 ta ta t +t
ΔI aus = ⋅ i ⋅ RL ⋅ t a = i ⋅ = i ⋅ ⋅ e a (3.7)
LL τL te + ta τL

Für einen gegebenen mittleren Strom, gemäß Gleichung (3.6) also bei gegebener Quellen-
spannung U0, gegebenem Widerstand RL und gegebenem Tastverhältnis, ist der Stromhub
nur von der Gesamtpulslänge (te+ta) bzw. der Schaltfrequenz (1/Pulslänge) und der
Zeitkonstanten der Last abhängig. Eine große Induktivität mit wenig Widerstand ergibt also
einen kleinen Stromrippel, genauso wie häufiges Schalten. Das hat dann aber wieder hohe
Schaltverluste zur Folge, die bei induktivem Schalten besonders hoch sind, wie im nächsten
Abschnitt gezeigt wird. Auch hier gilt es also wieder einen Kompromiss zu finden.

3.2.1.2 Leistung

Die in der Last umgesetzte (mittlere) Leistung ließe sich mit Hilfe des Stromverlaufs und des
Widerstands berechnen. Daraus würden sich aber quadratische Integrale ergeben, so dass eine
andere Überlegung einfacher zum Ziel führt: Da eine ideale Diode und ein idealer Schalter
angenommen wurden, wird in der Schaltung außer im Lastwiderstand keine Leistung
umgesetzt. Es wird auch keine Leistung in die Quelle zurückgespeist, da der Strom durch die
Quelle immer positiv (oder null) ist. Alle Leistung, die aus der Quelle entnommen wird, muss
also letztlich im Lastwiderstand umgesetzt werden.
Bei der Berechnung hilft nun Bild 3.9 Mitte rechts. Die während einer EIN-Phase
entnommene Energie ergibt sich als das Integral über die Momentanleistung der Quelle, das
ist die Fläche unter der Stromkurve multipliziert mit der konstanten Quellenspannung U0. Die
Fläche unter der Stromkurve ergibt sich wiederum als mittlerer Strom ‹i› mal Dauer te der
EIN-Phase. Da in der AUS-Phase keine Leistung entnommen wird, ergibt sich die mittlere
Leistung ‹pRL› dann aus dem Energieintegral geteilt durch die Gesamtpulsdauer (te+ta) und
mit Gleichung (3.6) für den mittleren Strom ‹i› kann man schließlich schreiben:
2
U0 ⋅ i ⋅ te ( 3 .6 )
U 02 ⎛ t ⎞
p RL = = ⋅ ⎜⎜ e ⎟⎟ (3.8)
te + ta RL ⎝ te + ta ⎠

Anders als im Fall der Taktung bei rein Ohmscher Last (Abschnitt 2.3.2) besitzt die mittlere
Leistung hier eine quadratische Abhängigkeit vom Tastverhältnis, weil jetzt zusätzlich
auch der Strom vom Tastverhältnis abhängt. Dafür fließt der Strom hier aber kontinuierlich,
so dass die Glättung des Ausgangsstroms nicht erst im Verbraucher passieren muss (vergl.
Abschnitt 2.3.2.2), sondern von der Lastinduktivität übernommen wird (vergl. dazu Bild 3.4
des Gleichrichters mit induktiver Glättung).

3.2.1.3 Gleichstromsteller als Spannungsquelle


In der Leistungselektronik versucht man häufig Schaltungen bzw. deren Funktion zu
abstrahieren, um auf diese Weise die Gesamtfunktion einfacher verstehen zu können
(Beispiel: Stromquelle statt großer Induktivität). Die Abstraktion des einfachen Gleichstrom-
stellers ist nun die Spannungsquelle, die zwischen U0 (Schalter ein) und 0 V (Freilaufdiode
leitend) hin und her schaltet. An der Last ergibt sich dann wieder genau der Spannungs-
verlauf uL, der in Bild 3.9 rechts oben dargestellt ist und damit letztlich auch der gleiche
Stromverlauf iL = i.

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Grundschaltungen der Leistungselektronik 29

Diese vereinfachte Sichtweise des Gleichstromstellers ermöglicht einige Schlussfolgerungen,


für die oben eine längere Herleitung notwendig war. Zunächst lässt sich die mittlere Aus-
gangsspannung ‹uL› sehr einfach aus U0 und dem Tastverhältnis berechnen. Es ergibt sich:

te
uL = U0 ⋅ (3.9)
te + ta

Nimmt man dann noch an, dass an der Lastinduktivität LL im Mittel keine Spannung abfällt,
sich also alle Spannungs-Zeit-Flächen im Mittel kompensieren, dann liegt ‹uL› am Lastwider-
stand RL und es ergibt sich der mittlere (Last-) Strom ‹i› als:

uL U0 t
i = = ⋅ e (3.10)
RL RL t e + t a

Das entspricht genau Gleichung (3.6). Treibt man diese Abstraktion noch weiter, so könnte
man auch noch Gleichung (3.8) ableiten. Es zeigt sich also, dass die Abstraktion bei der
Analyse bzw. beim Verständnis von Schaltungen sehr hilfreich sein kann.

uS, iS uS, iS
uS uS
U0 U0
iS iS

t t
iS iS
„EIN“ „EIN“

„AUS“
„AUS“ a) b)
uS uS
U0 U0
Bild 3.10: Strom- und Spannungsverläufe sowie Ortskurve.
a) Bei induktiver Last mit Freilaufdiode, b) Bei rein Ohmscher Last

3.2.1.4 Induktives Schalten

Abschließend soll hier noch eine Besonderheit des Schaltens großer Induktivitäten behandelt
werden, die für die Verlustbilanz und die Auslegung der Schaltelemente wesentlich ist. In der
bisherigen Betrachtung des Gleichstromstellers wurde von einem idealen Schalter aus-
gegangen, der den Stromfluss unterbrechen konnte und so den Strom in den Freilaufzweig
zwingt. Die Realität eines (Halbleiter-) Schalters sieht anders aus. Löste man die
Schaltflanken von Bild 3.9 Mitte rechts zeitlich besser auf, so ergäbe sich die Situation in
Bild 3.10a. Die Spannung über dem Schalter muss erst (in endlicher Zeit) auf den Wert der
Quellenspannung U0 steigen, bevor die Diode überhaupt in Vorwärtsrichtung gepolt und
leitend wird. Solange fließt der volle Strom i durch den Schalter. Erst danach fällt der Strom
(in endlicher Zeit) auf null ab. Es gibt also zwangsläufig immer den Punkt, an dem noch der

Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I, Version 2.0, Oktober 2009


Grundschaltungen der Leistungselektronik 30

volle Strom und schon die volle Spannung am Schalter anliegen. Die Momentanleistung
erreicht somit extrem hohe Werte. Im Vergleich dazu ist die maximale Momentanleistung
beim Schalten einer rein Ohmschen Last (Bild 3.10b) nur ein Viertel so groß und bei gleich
schnellem Schalten wären es auch die Schaltverluste. Das hängt damit zusammen, dass bei
der Ohmschen Last der Strom kleiner wird, sobald die Spannung über dem Schalter ansteigt.
Die maximale Leistung wird dann bei halbem Strom und halber Spannung erreicht.
Für das Einschalten gelten die hier gemachten Überlegungen völlig analog. Im Fall der
induktiven Last muss der Strom erst komplett durch den Schalter fließen, bevor die
Freilaufdiode sperren kann und die Spannung über dem Schalter abfällt. In den Abschnitten
über die einzelnen Bauelemente werden darüber hinaus noch weitere Nichtidealitäten
behandelt. Dort wird dann auch noch einmal auf den Einfluss der Streuinduktivität auf den
Gleichstromsteller eingegangen.

i0 L i iL

U0 DF C RL
uL

Bild 3.11: Abwärtswandler mit rein Ohmscher Last.

3.2.2 Abwärtswandler (Step-Down or Buck Converter)

Der einfache Gleichstromsteller aus Abschnitt 3.2.1 ist im Grunde bereits ein Abwärts-
wandler. Die Spannung am Lastwiderstand ist immer kleiner als die Quellenspannung U0.
Trotzdem bezeichnet man erst die Schaltung aus Bild 3.11 mit einer induktiv-kapazitiven
Glättung (Tiefpassfilter) als Abwärtswandler (Tiefsetzsteller, engl. step-down or buck
converter). Diese Schaltung hat den Vorteil, dass nicht nur der Laststrom annähernd konstant
ist, sondern auch die (Ausgangs-) Spannung, die beim einfachen Gleichstromsteller zwischen
null und U0 hin und her sprang. Im Allgemeinen wird die Kapazität des Abwärtswandlers
sogar so groß gewählt, dass die Ausgangsspannung als konstant angenommen werden kann,
was die folgenden Betrachtungen erheblich vereinfacht und z.B. den induktiven Anteil der
Last im stationären Zustand bedeutungslos macht.

3.2.2.1 Ausgangsspannung

Anders als beim einfachen Gleichstromsteller, bei dem der Ausgangsstrom die wichtigste
Ausgangsgröße war, ist beim Abwärtswandler der Strom durch die Induktivität vorerst nicht
relevant, weil er eben keine Ausgangsgröße mehr ist. Für den Abwärtswandler ist viel mehr
die Ausgangsspannung die wichtigste Ausgangsgröße. Die Berechnung geht trotzdem
zunächst wieder analog zu den Gleichungen (3.1) und (3.2) von den Stromänderungs-
geschwindigkeiten in der Induktivität aus. Ist der Schalter in der EIN-Phase geschlossen, so
liegt an der Induktivität die Quellenspannung U0 abzüglich der Ausgangsspannung uL. Ist der
Schalter dagegen in der AUS-Phase geöffnet, liegt über der Induktivität nur die Ausgangs-
spannung, da die leitende Freilaufdiode ideal angenommen wird (Durchlassspannung null):

di U0 − uL di uL
= (3.11) bzw. = − (3.12)
dt ein L dt aus L

Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I, Version 2.0, Oktober 2009


Grundschaltungen der Leistungselektronik 31

Analog zu der Gleichung (3.5) müssen sich im stationären Zustand die Stromänderungen
während der EIN-Phase und der AUS-Phase kompensieren. Oder anders ausgedrückt, es
müssen sich die Spannungs-Zeit-Flächen an der Induktivität kompensieren:

∫ (U − uL )dt = ∫ uL ⋅ dt
di di
ΔI ein = ∫ dt
te ein
dt = − ΔI aus = ∫ dt
ta aus
dt ⇒
te
0
ta
(3.13)

Nimmt man nun an, dass die Ausgangsspannung aufgrund einer sehr großen Kapazität nahezu
konstant ist, so kann man die zeitabhängige Ausgangsspannung uL durch einen konstanten
Wert UL ersetzten. Die Integrale gehen dann in Produkte aus der jeweiligen Spannung und der
Pulslänge über. Löst man diese Gleichung nach der Ausgangsspannung auf, so erhält man:

te
UL = U0 ⋅ (3.14)
te + ta

Beim Abwärtswandler ist die Ausgangsspannung also proportional zur Eingangsspannung U0


und zum Tastverhältnis. Bei einer Ohmschen Last würde man daraus dann für den Ausgangs-
strom den gleichen Ausdruck wie beim Gleichstromsteller erhalten (Gleichung (3.6)).

3.2.2.2 Leistung

Die Berechnung der Ausgangsleistung bei einer nahezu konstanten Ausgangsspannung und
bei Ohmscher Last auch nahezu konstantem Ausgangsstrom ist trivial. Es ergibt sich dieselbe
Lösung wie in Gleichung (3.8). Interessanter ist da der Zusammenhang zwischen Eingang
und Ausgang. Ganz ähnlich wie beim einfachen Gleichstromsteller, wird auch hier nur im
Lastwiderstand Leistung umgesetzt und es findet keine Rückspeisung in die Quelle statt. Die
mittlere Ausgangsleistung muss daher gleich der mittleren Eingangsleistung sein. Mit einer
konstanten Eingangsspannung U0 und nahezu konstanter Ausgangsspannung UL und -strom IL
ergibt sich:
i0 UL te
U0 ⋅ i 0 = UL ⋅ IL ⇔ = = (3.15)
IL U0 te + ta

Dieses sind, in Anlehnung an die Gleichungen eines Wechselstrom-Transformators, die


Transformationsgleichungen des Abwärtswandlers, wobei das einfach veränderbare
Tastverhältnis die Rolle des starren Windungsverhältnisses übernimmt.

3.2.2.3 Welligkeit der Ausgangsspannung

Bisher wurde jeweils angenommen, dass die Ausgangsspannung nahezu konstant ist. Das ist
erlaubt, solange die Kapazität groß genug ist. Wie groß muss sie aber sein, damit sie groß
genug ist?
Man kann dazu annehmen, dass ein konstanter Strom IL aus der Kapazität in die Last abfließt,
während ein dreieckförmiger Stromverlauf aus der Induktivität zufließt. Der Mittelwert ‹i› des
zufließenden Stroms ist dabei gleich dem abfließenden Strom. Die Induktivität führt also
während einer halben Periode mehr Strom zu als abfließt, und das erhöht die Ausgangs-
spannung gemäß ΔUL = ΔQ/C. ΔQ ist dabei die Strom-Zeit-Fläche (Dreieck), die von i
während der halben Periode (te + ta)/2 oberhalb von IL gebildet wird. Die maximale Differenz
zu IL ist dabei gegeben durch den halben Hub ΔI. Es gilt somit:

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Grundschaltungen der Leistungselektronik 32

1 1 ΔI t e + t a
ΔU L = ⋅ ⋅ ⋅ (3.16)
C 2 2 2
Der maximale Hub ΔI ergibt sich direkt aus Gleichung (3.12) durch Integrieren über die
AUS-Phase. Es ergibt sich:
UL
ΔI = ⋅ ta (3.17)
L

1 (t e + t a )
2
1 UL ΔU L t
Insgesamt: ΔU L = ⋅ ⋅ (t e + t a ) ⋅ t a ⇔ = ⋅ ⋅ a (3.18)
8 L ⋅C UL 8 L ⋅C te + ta

Nach den Resultaten beim einfachen Gleichstromsteller kann dieses Ergebnis nicht
überraschen. Je größer die Induktivität und/oder die Kapazität sind, desto weniger Welligkeit.
Ebenso vorteilhaft ist eine kleine Pulsdauer. Entscheidend ist das Verhältnis aus Pulsdauer
(te + ta) und der √LC-Zeitkonstante, das quadratisch eingeht.

3.2.2.4 Lückender Betrieb

Beim einfachen Gleichstromsteller konnte sich der Strom durch die Induktivität schlimmsten
Falls exponentiell gegen null nähern, aber nicht null werden. Beim Abwärtswandler ist nun
ein weiterer Energiespeicher, die Kapazität, hinzu gekommen. Dadurch kann der Strom durch
die Induktivität schon vor Ende der AUS-Phase null werden. Es entsteht eine Stromlücke,
weshalb man auch von lückendem Betrieb spricht. Das Verhalten des Wandlers bzw. die
Zusammenhänge zwischen Eingang und Ausgang verändern sich dann deutlich. Da eine
Beschreibung dieses Betriebsmodus den Rahmen der Vorlesung sprengen würde, sei auf die
im Anhang genannte Literatur verwiesen.

3.2.3 Einschub: Dualitätsprinzip

Aus den Grundlagen der Elektrotechnik ist das Beispiel der realen Spannungsquelle bekannt.
Es stellte sich die Frage, wie die Schaltung dieser Spannungsquelle aussieht. So wie man sie
intuitiv zeichnen würde (Bild 3.12a), als ideale Spannungsquelle mit Innenwiderstand Ri?
Oder ist nicht auch die Variante (Bild 3.12b), als Stromquelle mit Parallelleitwert Gi denkbar?
Die Antwort seinerzeit war schließlich: Messtechnisch lässt sich das nicht ermitteln, denn die
Ausgangskennlinien sind für beide Schaltungen identisch, wenn I0 = U0/Ri und Gi = 1/Ri gilt.

Ri

U0 RL I0 Gi RL bzw. GL

a) b)

Bild 3.12: Spannungsquelle mit Innenwiderstand, a) als Spannungsquelle mit


Serienwiderstand, b) als Stromquelle mit Parallelleitwert

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Grundschaltungen der Leistungselektronik 33

U0 I0 S S

C L

R G

Bild 3.13: Duale Umwandlungen in der Schaltungstechnik

Diesen Dualismus von Strom und Spannung, Serien- und Parallelschaltung, usw. trifft man an
vielen Stellen der Elektrotechnik wieder und es ergeben sich oft verblüffende Parallelen, sei
es bei der mathematischen Behandlung einer Aufgabe, oder bei der Interpretation von
Ergebnissen (vergl. Strom-Zeit-Fläche und Spannungs-Zeit-Fläche). Das grundlegende
Prinzip dahinter nennt man das Dualitätsprinzip. Bild 3.13 zeigt die wichtigsten dualen
Umwandlungen für die Schaltungstechnik. Eine Spannungsquelle wird eine Stromquelle, eine
Kapazität wird eine Induktivität, ein Schließer wird ein Öffner und eine Serienschaltung wird
eine Parallelschaltung. Selbst ein Widerstand wandelt sich in einen Leitwert, wobei diese
Umwandlung offenbar von eher formalem Interesse ist. Alle Umwandlungen gelten jeweils in
beide Richtungen und die sich ergebenden Schaltungen haben ebenfalls duale Eigen-
schaften!
Leider gibt es ein wichtiges Bauelement der Leistungselektronik, das sich aufgrund seiner
Funktion nicht so einfach in das Dualitätsprinzip einfügt: Die Diode. Sie wird zwar jeweils
wieder in eine Diode dualisiert, aber die Richtung dieser Diode ist manchmal schwierig zu
bestimmen. Am ehesten hilft der Vergleich mit dem Schalter, bei dem ja der Schließer in
einen Öffner dualisiert wird. Entsprechend muss eine leitende Diode in eine sperrende Diode
dualisiert werden. Was damit gemeint ist, zeigt der folgende Abschnitt.

3.2.4 Aufwärtswandler (Step-Up or Boost Converter)

Mit Hilfe des Dualitätsprinzips lässt sich aus dem Abwärtswandler nun der Aufwärtswandler
(Hochsetzsteller, engl. step-up or boost converter) erzeugen. Bild 3.14 zeigt die Umwandlung.
Die Spanungsquelle geht zunächst in eine Stromquelle über und der Schalter liegt nun als
Öffner parallel zur Quelle. Im Ruhezustand schließt er hier den Quellenstrom kurz, während
er vorher die Spannungsquelle angekoppelt hatte. In beiden (Ruhe-) Fällen fließt also keine
Energie in die Schaltung oder aus ihr heraus. Für die anschließende Diode bedeutet das nun
Folgendes: Bei geöffnetem Schalter im Abwärtswandler muss sie leiten, weil sie den Freilauf-
zweig freigeben muss. Bei geschlossenem Schalter im Aufwärtswandler muss sie folglich
sperren, weil sie das Entladen der Kapazität verhindern muss. Der Energiezwischenspeicher
war vorher eine Induktivität und ist jetzt eine Kapazität. Die Glättung wurde vorher von einer
Kapazität besorgt und wird jetzt von einer Induktivität gemacht. Und schließlich kann man
jetzt formal von einem Stromausgang sprechen, während es vorher ein Spannungsausgang
war.

Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I, Version 2.0, Oktober 2009


Grundschaltungen der Leistungselektronik 34

L DF L
i0 i iL i0 iL

U0 DF C RL I0 C RL
uL uL
a) b)

Bild 3.14: Duale Umwandlung von a) Abwärtswandler und b) Aufwärtswandler

Die Schaltung in Bild 3.14b ist zwar ein Aufwärtswandler und erfüllt auch dessen Funktion,
aber an ihr wird das Wirkprinzip schlechter deutlich und die übliche Darstellung des
Aufwärtswandlers sieht leicht anders aus. Konkret wird meist die Glättungsinduktivität
weggelassen, um einen Spannungsausgang zu haben, und vor allem wird nicht mit einer
Stromquelle am Eingang operiert, sondern mit einer Kombination von Spannungsquelle und
(sehr großer) Induktivität. Die resultierende Schaltung zeigt Bild 3.15.

L DF
i0 i iL

U0 C RL
uL

Bild 3.15: Aufwärtswandler mit rein Ohmscher Last

Wenn der Schalter in Bild 3.15 geschlossen ist, liegt über der Induktivität die volle
Quellenspannung und der Strom i0 durch die Induktivität steigt mit U0/L. Wird der Schalter
dann geöffnet, so bleibt dem Strom nur der alternative Pfad durch die (Freilauf-) Diode. Der
Strom der Induktivität lädt auf diese Weise die Kapazität am Ausgang. Beim erneuten
Einschalten des Schalters sperrt die Diode wieder und verhindert das Entladen der Kapazität.

3.2.4.1 Ausgangsspannung

Völlig analog zu den Gleichungen (3.12) bis (3.14) kann man auch hier wieder die Ausgangs-
spannung berechnen, indem man die Spannungs-Zeit-Flächen über der Induktivität betrachtet.
Während der Schalter geschlossen ist, also für die Dauer te der EIN-Phase, liegt U0 über der
Induktivität. Dagegen liegt bei geöffnetem Schalter, also für die Dauer ta der AUS-Phase, die
Maschenspannung U0-uL über der Induktivität (ideale Diode vorausgesetzt). Da sich im
stationären Zustand die Strom-Zeit-Flächen kompensieren müssen, ergibt sich unter der
Annahme einer großen Ausgangskapazität, also nahezu konstanter Ausgangsspannung UL:

te + ta
∫ U 0 ⋅ dt = − ∫ (U 0 − uL )dt ⇒ U 0 ⋅ t e = (U L − U 0 ) ⋅ t a ⇔ U L = U 0 ⋅
te ta
ta
(3.19)

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Grundschaltungen der Leistungselektronik 35

Da der rechte Term offenbar immer größer als eins ist, ist die Spannung am Ausgang des
Aufwärtswandlers (in stationären Betrieb) immer größer als die Eingangsspannung. Die
Namensgebung ist offensichtlich.

3.2.4.2 Leistung

Auch hier ist die Berechnung der Ausgangsleistung bei nahezu konstanter Ausgangsspannung
über einer Ohmschen Last trivial. Ebenso einfach ergib sich in Analogie zu Gleichung (3.15)
die Transformationsgleichung für den Aufwärtswandler (ohne innere Verluste):

i0 UL te + ta
U0 ⋅ i 0 = UL ⋅ IL ⇔ = = (3.20)
IL U0 ta

3.2.5 Invertierender Spannungswandler (Buck-Boost Converter)

Um nun einen Spannungswandler zu bekommen, der verglichen mit der Eingangsspannung


sowohl höhere als auch niedrigere Spannungen erzeugen kann, könnte man einen Abwärts-
und einen Aufwärtswandler hintereinander schalten. Die Ausgangsspannung des einen wäre
die Eingangsspannung des anderen. Bei gleichem Tastverhältnis der beiden Teilwandler
ergäbe sich aus den Gleichungen (3.14) und (3.20) eine Gesamtausgangsspannung von:

te te + ta te
UL = U0 ⋅ ⋅ ⇒ UL = U0 ⋅ (3.21)
te + ta abwärts
ta aufwärts
ta

Die Ausgangsspannung kann also zumindest theoretisch alle Werte von null bis unendlich
annehmen. Neben dieser Möglichkeit kann man die Funktionalität aber auch mit einem
einzelnen Wandler erzielen. Bild 3.16 zeigt den invertierenden Spannungswandler (engl. step-
up/step-down or buck-boost converter).
DF
i0 i iL

U0 L C RL
uL

Bild 3.16: Invertierender Spannungswandler mit rein Ohmscher Last

Verglichen mit dem Abwärtswandler (Bild 3.11) haben hier nur die Induktivität und die
Diode die Positionen getauscht. Das hat aber einen sehr großen Einfluss auf die Funktion der
Schaltung. Wenn der Schalter in Bild 3.16 geschlossen ist, liegt über der Induktivität die volle
Quellenspannung und der Strom durch die Induktivität steigt mit U0/L. Wird der Schalter
dann geöffnet, so bleibt dem Strom nur der alternative Pfad durch die (Freilauf-) Diode. Der
Strom der Induktivität lädt auf diese Weise die Kapazität am Ausgang, verglichen mit dem
Abwärts- oder Aufwärtswandler allerdings mit umgekehrter Polarität, was der Grund für
den Namenszusatz „invertierend“ ist.

Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I, Version 2.0, Oktober 2009


Grundschaltungen der Leistungselektronik 36

3.2.5.1 Ausgangsspannung

Wie bei den anderen beiden Wandlern kann man auch hier die Ausgangsspannung mit Hilfe
der Spannungs-Zeit-Flächen über der Induktivität berechnen. Während der Schalter geschlos-
sen ist, also für die Dauer te der EIN-Phase, liegt U0 über der Induktivität. Dagegen liegt bei
geöffnetem Schalter, also für die Dauer ta der AUS-Phase, die negative Ausgangs-
spannung -uL über der Induktivität (ideale Diode vorausgesetzt). Da sich im stationären
Zustand die Strom-Zeit-Flächen kompensieren müssen, ergibt sich unter der Annahme einer
großen Ausgangskapazität, also nahezu konstanter Ausgangsspannung UL:

te
∫U
te
0 ⋅ dt = − ∫ − u L ⋅ dt ⇒ U 0 ⋅ t e = U L ⋅ t a
ta
⇔ UL = U0 ⋅
ta
(3.22)

Das Ergebnis ist identisch zum Fall der zwei verketteten Wandler und das mit deutlich
geringerem Aufwand. Auch hier können also theoretisch alle Spannungen zwischen null und
unendlich erreicht werden.

3.2.5.2 Leistung

Die Transformationsgleichung des invertierenden Spannungswandlers lautet unter der


Annahme innerer Verlustfreiheit:
i0 UL t
U0 ⋅ i 0 = UL ⋅ IL ⇔ = = e (3.23)
IL U0 ta

3.2.5.3 Sperrwandler (Flyback Converter)

Eine Variante des invertierenden Spannungswandlers ist der Sperrwandler (engl. flyback con-
verter), der in Bild 3.17 gezeigt ist. Die Induktivität des invertierenden Spannungswandlers ist
hier durch einen Transformator ersetzt. Dadurch sind die Primär- und Sekundärseite
galvanisch getrennt und man hat die Möglichkeit, durch die Wahl der Windungszahlen, auf
beiden Seiten grundsätzlich unterschiedliche Spannungsniveaus einzustellen. Ansonsten
ist die Funktion völlig identisch zum invertierenden Spannungswandler. Das wird sofort klar,
wenn man bedenkt, dass das Ersatzschaltbild des idealen Transformators eine Induktivität ist
(siehe Einsatz in Bild 3.17). Für die Details dieses Zusammenhangs sei auf die Vorlesung
„Grundlagen der Elektrotechnik“ verwiesen.
DF
i0 i iL

U0 L1 L2 C RL
uL
NB: Ersatzschaltbild des
Transformators

Bild 3.17: Sperrwandler mit rein Ohmscher Last

Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I, Version 2.0, Oktober 2009


Grundschaltungen der Leistungselektronik 37

3.2.6 Invertierender Stromwandler (Ćuk-Converter)

Wie sich durch Dualisieren aus dem Abwärtswandler der Aufwärtswandler ergab, kann man
nun aus dem invertierenden Spannungswandler einen weiteren Wandlertyp generieren: Den
invertierenden Stromwandler, der nach seinem Erfinder Slobodan Ćuk (Ćuk: lat. Otus scops,
dt. Zwergohreule) auch Ćuk-Wandler genannt wird. Bild 3.18 zeigt die duale Umwandlung
aus dem invertierenden Spannungswandler. Die Schaltung in Bild 3.18b ist nun zwar ein Ćuk-
Wandler und erfüllt auch dessen Funktion, aber meist wird eine Kapazität an den Ausgang
geschaltet, um einen Spannungsausgang zu haben, und wie schon beim Aufwärtswandler wird
nicht mit einer Stromquelle am Eingang operiert, sondern mit einer Kombination von
Spannungsquelle und (sehr großer) Induktivität. Die resultierende Schaltung zeigt Bild 3.19.
DF C L
i0 i iL i0 i iL

U0 L C RL I0 DF RL
uL uL
a) b)

Bild 3.18: Duale Umwandlung von a) invertierendem Spannungswandler und


b) invertierendem Stromwandler (Ćuk-Wandler)
u
i0 Le Ce i La ia iL

U0 DF RL
Ca u
L

a)
u
i0 Le Ce i La ia iL

U0 RL
Ca u
L

b)

Bild 3.19: Invertierender Stromwandler (Ćuk-Wandler) mit rein Ohmscher Last


a) Mit geschlossenem Schalter, b) Mit offenem Schalter

Verglichen mit dem Aufwärtswandler (Bild 3.15) haben hier die Diode und die Kapazität Ce
die Position getauscht. Außerdem sind am Ausgang noch die Kapazität Ca und die
Induktivität La hinzugekommen. Der linke Teil des Ćuk-Wandlers verhält sich aber trotzdem

Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I, Version 2.0, Oktober 2009


Grundschaltungen der Leistungselektronik 38

sehr ähnlich wie der Aufwärtswandler. Wenn der Schalter geschlossen ist (Bild 3.19a), liegt
über der Induktivität die volle Quellenspannung und der Strom i0 durch die Induktivität Le
steigt mit U0/Le (linker Kreis). Wird der Schalter dann geöffnet (Bild 3.19b), so bleibt dem
Strom nur der alternative Pfad (linker Kreis) über die Kapazität Ce und durch die (Freilauf-)
Diode, weil die Induktivität La solche Stromsprünge verhindern würde. Der Strom der Induk-
tivität Le lädt auf diese Weise die Kapazität Ce. Wird dann der Schalter wieder geschlossen,
wird einerseits Le weiter geladen. Andererseits liegt aber die Spannung u der Kapazität Ce
abzüglich der Ausgangsspannung uL über er Induktivität La, so dass der Strom durch La
ansteigt (Bild 3.19a, rechter Kreis). Wird nun der Schalter wieder geöffnet, so wird die Diode
leitend und der Strom ia lädt die Kapazität Ca am Ausgang (Bild 3.19b, rechter Kreis).

3.2.6.1 Ausgangsstrom

Anders als bei den bisherigen Wandlertypen, lässt sich der Ćuk-Wandler am besten über die
Kapazität Ce berechnen. Im stationären Zustand darf der Kapazität während eines Zyklus im
Mittel keine Ladung zu- oder abfließen. Die Zuflüsse aus Le während der AUS-Phase müssen
also die Abflüsse über La während der EIN-Phase kompensieren. Die beiden Strom-Zeit-
Flächen müssen gleich groß sein. Außerdem darf sich im stationären Fall auch die
Ausgangsspannung im Mittel nicht verändern, so dass ‹ia› gleich IL sein muss. Insgesamt
ergibt sich dann:
t
i 0 ⋅ ta = IL ⋅ te ⇔ IL = i 0 ⋅ a (3.24)
te

Wie der Name „Stromwandler“ schon andeutet, bestimmt das Tastverhältnis hier den
Ausgangsstrom, der theoretisch alle Werte von null bis unendlich annehmen kann. Der
Vorteil vom Ćuk-Wandler sind in der Tat die zumindest bei großen Induktivitäten sehr
konstanten Ströme, sowohl am Eingang als auch am Ausgang. Große Stromtransienten
gibt es nur innerhalb der Schaltung, während die beiden Kapazitäten Le und La die
„Außenwelt“ davon abschirmen. Natürlich ist dann auch die Ausgangsspannung entsprechend
konstant.

3.2.6.2 Ausgangsspannung

Die Ausgangsspannung lässt sich sehr einfach über die Transformationsgleichung des
invertierenden Stromwandlers berechnen. Die Transformationsgleichung lautet unter der
Annahme innerer Verlustfreiheit:
i0 UL t
U0 ⋅ i 0 = UL ⋅ IL ⇔ = = e (3.25)
IL U0 ta

Das Resultat ist identisch zum invertierenden Spannungswandler und für UL gilt dann:
te
UL = U0 ⋅ (3.26)
ta

3.2.6.3 Leistung

Schließlich erhält man für die abgegebene Leistung die ebenfalls zum invertierenden
Spannungswandler identische Lösung:
2
U L2 U 02 ⎛t ⎞
p RL = RL ⋅ I 2
L = = ⋅ ⎜⎜ e ⎟⎟ (3.27)
RL RL ⎝ ta ⎠

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Grundschaltungen der Leistungselektronik 39

3.2.7 Halbbrücke (Half-Bridge, Phase Leg)

Die bisher behandelten Gleichstromumrichter hatten aufgrund ihrer Struktur alle nur eine
einzige Leistungsflussrichtung. Die Ausgangsspannung hatte immer dieselbe Richtung und
auch der Ausgangsstrom hatte immer dieselbe Richtung, was auch aufgrund der rein passiven
Last klar war. Was aber passiert, wenn die Last ebenfalls Energie einspeisen kann (eine
Quelle ist), z. B. ein Motor im generatorischen Betrieb beim regenerativen Bremsen?
Entweder die Spannungsrichtung oder die Stromrichtung muss sich umkehren. Im Strom-
Spannungs-Diagramm käme dann zum ersten der zweite bzw. vierte Quadrant hinzu, weshalb
man auch vom Zweiquadrantenbetrieb spricht.
Vermutlich wäre es formal richtiger in diesem Abschnitt über Gleichstromumrichter, die
Stromrichtung beizubehalten und den Fall der Spannungsumkehr zu behandeln. Tatsächlich
ist aber die aus der Stromumkehr resultierende Halbbrücke einerseits einfacher, weil sich
eben noch keine Vollbrückenschaltung ergibt, und andererseits ist sie die für die Leistungs-
elektronik wichtigere Schaltungskomponente. (Wie würde die Schaltung für Spannungs-
umkehr aussehen?)

i0

iL
U0

UL

Halbbrücke

Bild 3.20: Synthese der Halbbrücke aus Abwärts- und gespiegeltem Aufwärtswandler

Die Gesamtschaltung für die Stromumkehr ergibt sich nun aus der Synthese eines
Abwärtswandlers und eines „gespiegelten“ Aufwärtswandlers, also eines Aufwärtswandlers,
der mit der Last als Quelle in die eigentliche Quelle einspeist (Bild 3.20). Zur Vereinfachung
werden in der Gesamtschaltung sowohl die Quelle als auch die jetzt aktive Last jeweils als
einfache Spannungsquelle dargestellt. Entsprechend ihrer „Herkunft“ kann man mit dem
oberen Schalter (blau) einen Abwärtswandler zur Last hin betreiben, oder mit dem unteren
Schalter (rot) einen Aufwärtswandler zur Quelle hin. Natürlich sind auch gemischte
Betriebsmodi möglich. Es dürfen jedoch nie beide Schalter gleichzeitig geschlossen sein
(Brückenkurzschluss!). Die neue Schaltung bzw. nur deren Schalter-Dioden-Teil wird als
Halbbrücke (engl. half-bridge or phase leg) bezeichnet, weil eben nur eine Seite der Last an
die Hälfte einer Brückenschaltung angeschlossen ist.

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Grundschaltungen der Leistungselektronik 40

3.3 Wechselrichter (DC → AC Converter)


Bereits die Halbbrücke aus Bild 3.20 war kein echter Gleichstromsteller mehr, da sich die
Stromrichtung (und damit der Leistungsfluss) umkehren konnte. Für einen Wechselrichter
muss sich nun aber zusätzlich auch noch die Spannung umkehren können. Da dann sowohl
Strom als auch Spannung beide Polaritäten annehmen können, spricht man von einem
Vierquadrantenbetrieb.

3.3.1 Halbbrücke mit geteilter Spannungsquelle

Die einfachste Schaltung, die Spannungs- und Stromumkehr ermöglicht, ist die Halbbrücke,
allerdings mit einer geteilten Spannungsquelle am Eingang, um sowohl positive als auch
negative Spannungen an die Last legen zu können (Bild 3.21). Die Kurven im Bild rechts
zeigen mögliche Strom und Spannungsverläufe (inkl. Sollstrom gepunktet). Wenn der
Schalter S1 geschlossen wird, liegt die Spannung der oberen Quelle über der Induktivität und
der Strom steigt entsprechend mit U0/2L. Wird S1 wieder geöffnet, so treibt die Induktivität
den Strom gegen die Spannung der unteren Quelle in den Freilaufzweig über D2. Für negative
Ströme übernehmen S2 und D1 die entsprechenden Aufgaben. Mit geeigneten Schaltmustern
(Pulsen) lässt sich auf diese Weise jeder beliebige Stromverlauf, insbesondere natürlich
auch ein Sinus, nachbilden. Man spricht vom Pluswechselrichter.
uL, iL
i0 U0 uL
U0 2 S1 S1 D1 D1
D1 S1
2
uL
iL
t
L iL
U0
D2 S2 D2 D2 S2 S2
2 U
− 0
2

Bild 3.21: Halbbrücke mit geteilter Spannungsquelle und rein induktiver Last

Wie Bild 3.21 deutlich zeigt, springt die Lastspannung uL immer zwischen U0/2 und -U0/2 hin
und her und auch beim Strom gibt es eine Fluktuation um den Sollwert. Falls es erforderlich
ist, ließe sich beides mit einem Ausgangsfilter beheben. Tatsächlich sind die großen
Spannungswechsel z.B. für die Isolation der Motorwicklungen sehr schlecht und können zu
frühzeitigen Ausfällen führen. Es wird in solchen Fällen also immer ein Ausgangsfilter geben
müssen. Darüber hinaus kann aber schon bei der Erzeugung der Pulsmuster einiges getan
werden, um die Belastungen gering zu halten. Konkret führt eine höhere Schaltfrequenz zu
geringeren Fluktuationen des Stroms (allerdings auch zu höheren Schaltverlusten) und
entsprechend geringeren Anforderungen an das Filter. Auch kann mit Hilfe der Pulsmuster
das Spektrum der Oberwellen gezielt beeinflusst werden. Die Erzeugung der Pulsmuster
(z.B. Pulsweitenmodulation PWM) ist daher ein eigenes, sehr umfangreiches Themengebiet.
Es sei auf die im Anhang genannte Literatur und den zweiten Teil der Vorlesung verwiesen.

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Grundschaltungen der Leistungselektronik 41

3.3.2 Vollbrücke (Full-Bridge)

Die Halbbrücke mit geteilter Spannungsquelle erfüllt bereits die Anforderungen an einen
Wechselrichter. Eine Verbesserung lässt sich aber noch mit einer Vollbrücke (Bild 3.22)
erzielen. Anders als bei der Halbbrücke liegt bei der Vollbrücke jeweils die volle
Quellenspannung U0 über der Last, wenn entweder S1 und S4 oder S2 und S3 eingeschaltet
sind bzw. die Freilaufdioden leiten. Bei gleicher Eingangsspannung ist die Ausgangs-
spannung der Vollbrücke also doppelt so groß wie bei der Halbbrücke, ohne dass die Schalter
und Dioden mehr Spannung sperren müssten. Bei gleichem Ausgangsstrom wäre so die
Ausgangsleistung doppelt so groß.
Ein weiterer Vorteil der Vollbrücke ist die Möglichkeit, null Spannung über die Last anlegen
zu können. Bei einem positiven Laststrom z.B. kann durch Einschalten eines einzelnen
Schalters, hier S1, ein Freilaufpfad über D3 und S1 eröffnet werden, der nicht über die Quelle
führt, also auch keine Spannung über der Induktivität ergibt. Auf diese Weise kann der
Stromverlauf besser geregelt werden, was zu einer kleineren Fluktuation des Stroms führt.
Die duale Struktur zur Vollbrücke mit Spannungsquelle am Eingang und induktiver Last am
Ausgang ist übrigens die Vollbrücke mit Stromquelle am Eingang und kapazitiver Last, sowie
einer Serienschaltung von Schalter und Diode!

i0
D1 S1 D3 S3
uL
iL
U0
L
D2 S2 D4 S4

Bild 3.22: Vollbrücke mit rein induktiver Last

Insgesamt gesehen hat sich der meist drei-phasige Pulswechselrichter inzwischen als der
Standard für Antriebe und ähnliches durchgesetzt. Mit ihm lassen sich gut nachgebildete
Sinus-Ströme und -Spannungen erzeugen und das mit variabler Frequenz und Amplitude.
Nachteilig ist nur die im Vergleich zur Ausgangsfrequenz hohe Schaltfrequenz, die zu
entsprechenden Schaltverlusten und z.T. auch Geräuschen und EMV-Störungen führt.

3.4 Wechselstromumrichter (AC → AC Converter)


Die Wechselstromumrichtung oder kurz die Umrichtung, also die Umformung von Wechsel-
strom einer Spannung und Frequenz in eine Wechselspannung anderer Spannung und
Frequenz, wird ein immer wichtigerer Zweig der (Hoch-) Leistungselektronik. Immer mehr
Motoren werden nicht einfach nur ein- oder ausgeschaltet (bestenfalls Stern-Dreieck),
sondern müssen geregelt werden (Drehzahl), oder brauchen ein langsames Anlaufen und
Abbremsen, oder es werden z.B. bei Lokomotiven Funktionen wie die Antischlupfregelung
mit Hilfe des Umrichters realisiert.

Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I, Version 2.0, Oktober 2009


Grundschaltungen der Leistungselektronik 42

Wie schon in Abschnitt 2.2 beschrieben, wird die Umrichtung fast immer mit einem System
aus Gleichrichter, Zwischenspeicher und Wechselrichter realisiert, also mit den im
Vorangegangenen bereits beschriebenen Komponenten. Der große Vorteil ist dabei die
Entkopplung von Eingang und Ausgang und natürlich auch die geringere Komplexität für die
einzelne Stufe. Es gibt aber auch sogenannte Direktumrichter, die die Umformung der
Wechselspannungen ineinander in einem Schritt ohne Zwischenspeicher durchführen.

Früher hatte der Cyclo(n)-Umrichter, ein mit Thyristoren aufgebauter Umrichter, einige
Bedeutung bei niedrigen Ausgangsfrequenzen und sehr großen Leistungen. Inzwischen wird
dieser Typ aber immer mehr verdrängt, so dass er hier nicht behandelt werden soll.

Der Matrix-Umrichter dagegen könnte in Zukunft eine wichtige Rolle spielen. Auch wenn
es noch keine kommerzielle Umsetzung gibt, zieht er immer mehr Interesse auf sich. Der
Matrix-Umrichter erhielt seinen Namen, weil jede Eingangsphase mit jeder Ausgangsphase
über einen Schalter verbunden ist (Bild 3.23). Stellt man sich die Eingangs- und
Ausgangsphasen als x- und y-Achsen vor, so bilden die Schalter die einzelnen
Matrixelemente. Durch entsprechendes Ein- und Ausschalten der einzelnen Schalter lässt sich
praktisch jeder beliebige Ausgangsstrom erzeugen, insbesondere kann der Leistungsfluss
auch umgekehrt werden, wodurch die Umrichtung in beide Richtungen möglich ist.
Tatsächlich hat der Matrix-Umrichter per se keine Vorzugsrichtung. Diese ergibt sich erst
durch eine Beschaltung oder, was bei mehrphasigen Systemen möglich ist, wenn nicht alle
Matrixpunkte durch Schalter belegt sind. In jedem Fall dürfen die Schalter aber nicht so
geschaltet werden, dass sich ein Phasenkurzschluss ergibt (nie zwei Schalter in derselben
„Spalte“ oder derselben „Zeile“). Ohnehin sind die hohen Anforderungen an die
Schaltelemente ein grundsätzlicher Nachteil des Matrix-Umrichters. Die Schaltelemente
müssen in beide Richtungen leiten und sperren könnten, was bisher nur durch hybride
Lösungen möglich ist. Das bedeutet sowohl zusätzlichen Aufwand (Anzahl der Elemente) als
auch zusätzliche Verluste. Es bleibt also abzuwarten, was aus dem Matrix-Umrichter wird.

~
U0 RL LL

~
U0 RL LL

~
U0 RL LL

Bild 3.23: Dreiphasiger Matrix-Umrichter mit Ohmsch-induktiver Last

3.5 Weiches Schalten (Soft Switching)


Zu Beginn des (Leistungs-) Halbleiterzeitalters war die Leistungsfähigkeit der Bauelemente
noch sehr begrenzt. Die Bauelemente konnten meist nicht einmal abgeschaltet werden
Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I, Version 2.0, Oktober 2009
Grundschaltungen der Leistungselektronik 43

(Thyristoren), und wenn, dann waren sie weit davon entfernt, induktive Lasten wie in
Abschnitt 3.2.1.2 „hart“, also den vollen Strom bei gleichzeitig anliegender voller Spannung,
abschalten zu können.

Eine wirksame Maßnahme waren Entlastungsnetzwerke (engl. snubber) wie die RCD-
Beschaltung (vergl. Abschnitt 2.3.3.4), die den Stress auf die Bauelemente im Schaltmoment
reduzieren. Man spricht deshalb auch von entlastetem Schalten. In den einzelnen
Bauelementabschnitten wird hiervon noch die Rede sein. Diese Beschaltungen haben aber
den Nachteil, dass sie zusätzliche Verluste generieren bzw. die Verluste nur von der
Halbleiterkomponente in den Widerstand des Entlastungsnetzwerks transferieren und so zu
einer eher negativen Gesamtverlustbilanz führen. Zwar gibt es zahlreiche Varianten von
verlustarmen Beschaltungen, oder sogar Beschaltungen, die zumindest einen Teil der Energie
zurückspeisen, aber diese Schaltungen sind meist aufwändig und oft auch schwierig zu
dimensionieren, so dass sie nur selten verwendet werden.

Eine andere Möglichkeit sind resonante Netzwerke. Diese Netzwerke aus Induktivitäten und
Kapazitäten, in denen selbst also keine Leistung umgesetzt wird, sorgen dafür, dass die
Halbleiterbauelemente entweder bei sehr kleiner Spannung oder bei sehr kleinem Strom
geschaltet werden. Die im Halbleiter umgesetzte Leistung ist dann ebenfalls sehr klein und
die Belastung entsprechend gering. Man spricht deshalb auch vom weichen Schalten (engl.
soft switching).

In der Zwischenzeit hatten sich die Halbleiterkomponenten aber deutlich weiterentwickelt, so


dass resonante Schaltungen immer weniger verwendet werden mussten. Der hart geschaltete
Pulswechselrichter war zur Norm geworden.
In letzter Zeit aber gibt es neues Interesse an resonanten Schaltungen. Um die Umrichter
kompakter machen zu können, werden immer höhere Schaltfrequenzen verwendet. Damit
steigen proportional auch die Schaltverluste. Das Problem ist jetzt also meist nicht mehr die
(Ab-) Schaltfähigkeit der Halbleiterbauelemente, sondern deren Selbstaufheizung. Das
weiche Schalten mit den erheblich reduzierten Schaltverlusten wäre dann eine sehr
interessante Alternative, zumal auch viel weniger EMV-Probleme auftreten als es aufgrund
der hohen Strom- und Spannungssteilheiten beim harten Schalten der Fall wäre. Allerdings
sind für das weiche Schalten zusätzliche Bauelemente nötig und die bestehenden
Bauelemente werden zum Teil deutlich anders belastet (Maximalstrom oder –spannung,
Spannungsrichtung, siehe unten), was oft eine andere Dimensionierung nach sich zieht. Es ist
also in jedem Einzelfall zu entscheiden, ob sich dieser Zusatzaufwand überhaupt lohnt bzw.
welche Schaltung in Frage kommt.

Leider würden die zahlreichen Schaltungsvarianten den Rahmen dieses Skripts bei weitem
sprengen, so dass wieder auf die Literatur verwiesen sei. Grundsätzlich geht es immer darum,
dass durch ein Schaltereignis eine Halbwelle (Schwingung eines LC-Kreises) angestoßen
wird, an deren Ende dann ein weiteres Schaltereignis steht. Ob dazu die Schalter, die Last,
oder der Zwischenkreis durch ein resonantes Netzwerk erweitert werden müssen, spielt im
Grunde keine Rolle. An zwei Grundschaltungen soll das Prinzip des weichen Schaltens hier
kurz erläutert werden.

3.5.1 Nullstromschalten (ZCS)

Wie der Name bereits andeutet, wird der Schalter beim Nullstromschalten (engl. zero current
switching, ZCS) immer dann betätigt, wenn kein Strom über ihn fließt. Das Prinzip soll
anhand eines Abwärtswandlers demonstriert werden. Dazu wird die Schaltung aus Bild 3.11

Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I, Version 2.0, Oktober 2009


Grundschaltungen der Leistungselektronik 44

(Seite 30) um ein resonantes Netzwerk bestehend aus einer Induktivität LR und einer
Kapazität CR erweitert. Zusätzlich muss bei Schaltelementen, die keine Rückwärtssperr-
fähigkeit besitzen (z.B. IGBTs), auch noch eine Diode DR eingefügt werden. Diese könnte
z.B. bei symmetrischen Thyristoren entfallen.

uR
CR
i0 LF i iL
iS DR LR

U0 DF CF RL
uL

Bild 3.24: Abwärtswandler mit Resonanznetzwerk für ZCS und rein Ohmscher Last.

iS

I
t
uR
U0
t

b c d e f g b
t1 t2 t3 t4 t5 t6
Bild 3.25: Strom- und Spannungsverläufe beim ZCS-Abwärtswandler.

Die Analyse des Schaltverhaltens beginnt bei geöffnetem Schalter (Phase b in Bild 3.25).
Die Induktivität LF läuft über die Diode DF frei und soll so groß sein, dass der Strom i
praktisch konstant ist (i ≈ I). Die als ideal angenommene Diode besitzt keinen Durchlass-
spannungsabfall und so liegt an der Kapazität CR des resonanten Netzwerks die
Quellenspannung U0.
Wird nun der Schalter geschlossen (t1), so steigt der Schalterstrom iS (und damit der
Quellenstrom i0) linear mit U0/LR bis er den Wert I erreicht hat (Phase c). Während dieser
Zeit ist die Freilaufdiode weiterhin leitend und die Kapazität CR daher weiterhin auf U0.
Wenn der Schalterstrom iS den Wert I erreicht hat (t2), ist der Strom durch die Freilaufdiode
zu null geworden. Das durch die Induktivität LR vorgegebene weitere Ansteigen von iS,
müsste zu einer Stromumkehr in der Freilaufdiode führen. Stattdessen sperrt die Freilaufdiode
und nimmt ab jetzt Sperrspannung auf. Der weitere Stromanstieg durch den Schalter wird nun
von der Kapazität CR gespeist, was zu einer Entladung von CR führt (Phase d). Durch die
abnehmende Spannung über CR wird der Stromanstieg durch den Schalter immer kleiner, bis
die Kapazität ganz entladen ist und der Schalterstrom sein Maximum erreicht (t3).

Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I, Version 2.0, Oktober 2009


Grundschaltungen der Leistungselektronik 45

Der Schalterstrom ist in diesem Moment sehr viel größer als I, so dass er nun die Kapazität
negativ gepolt auflädt (Phase e). Die negative Spannung hat wiederum zur Folge, dass der
Schalterstrom abnimmt. Das resonante Netzwerk schwingt um.
Ist der Schalterstrom auf den Wert I abgesunken (t4), reicht er nicht mehr aus, um den Strom
durch LF zu tragen. Dadurch kehrt sich die Stromrichtung in der Kapazität CR um und die
Spannung über CR strebt nach ihrem größten negativen Wert bei t4 wieder gegen null
(Phase f).
Bevor die Kapazität CR ganz entladen ist, wird aber der Schalterstrom iS bei t5 zu null und
müsste seine Richtung umkehren. Das ist aber aufgrund der Diode DR (bzw. der
Rückwärtssperrfähigkeit des Schalters) unmöglich, so dass der Schalterstrom null bleibt und
der Schalter stromlos geöffnet werden kann. Der Schwingkreis aus CR und LR ist jetzt
unterbrochen. Im weiteren (Phase g) lädt der Strom I die Kapazität CR, wodurch sich deren
Spannung linear mit I/CR erhöht und dabei positiv wird.
Erreicht die Spannung uR über der Kapazität CR schließlich bei t6 die Quellenspannung U0, so
wird die Freilaufdiode DF wieder leitend und übernimmt den Strom I. Es ist wieder der
Ausgangszustand (Phase b) erreicht.

Wie diese Analyse gezeigt hat, ist das Einschalten stark entlastet, weil der Schalterstrom mit
U0/LR ansteigt, also sehr viel langsamer als bei hartem Schalten, und gleichzeitig keine oder
nur geringe Spannung über dem Schalter liegt. Das Ausschalten ist sogar völlig entlastet.
Leider haben diese Vorteile aber einen hohen Preis. Neben den zusätzlich notwendigen
Komponenten gibt es noch eine Reihe weiterer Nachteile. Wie in Bild 3.25 muss der
Schalter neben dem vollen Ausgangsstrom I noch den resonanten Strom tragen (für echtes
ZCS mindestens nochmal den Ausgangsstrom!), so dass größere Durchlassverluste
entstehen und im Allgemeinen ein größeres und teureres Halbleiterbauelement notwendig
wird. Außerdem brauchen Schaltkomponenten ohne inhärente Rückwärtssperrfähigkeit eine
Seriendiode, die zusätzliche Durchlassverluste generiert. Es gibt also durchaus auch
negative Beiträge zur Verlustbilanz.
Darüber hinaus muss die Kapazität CR des resonanten Netzwerks Spannung in beide Rich-
tungen aufnehmen können (Bild 3.25 unten), was z.B. Elektrolytkondensatoren ausschließt.
Und schließlich ist die Einschaltdauer durch die Länge der Halbwellen festgelegt! Die
Steuerung kann also nur über die Ausschaltdauer erfolgen, was eine massive Einschränkung
bedeutet. Insgesamt ist also sehr genau zu prüfen, ob sich das weiche Schalten für eine
bestimmte Anwendung wirklich lohnt.

3.5.2 Nullspannungsschalten (ZVS)

Auch hier deutet der Name bereits an, dass der Schalter beim Nullspannungsschalten (engl.
zero voltage switching, ZVS) immer dann betätigt wird, wenn keine Spannung über ihm
abfällt. Die entsprechende Schaltung ist in Bild 3.26 wieder am Beispiel des Abwärtswandlers
gezeigt. Das für das ZVS notwendige Netzwerk lässt sich aus dem entsprechenden Netzwerk
für ZCS leicht durch Dualisieren erzeugen. Das Schaltelement braucht nun eine Rückwärts-
leitfähigkeit, so dass auch hier im Allgemeinen eine Diode, jetzt jedoch antiparallel, not-
wendig ist. Man erkennt daran sehr schön, dass die Dualisierung bis „in die Details wirkt“
und auch die Eigenschaften der einzelnen Komponenten betrifft (Rückwärtssperrfähigkeit ↔
Rückwärtsleitfähigkeit).
Die Funktion dieser Schaltung kann analog zur ZCS-Schaltung analysiert werden. Man
beginnt dabei mit dem geschlossenen Schalter als stationärem Zustand. (Wie würden die
Kurven aussehen? Hinweis: Dualisieren!)

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Grundschaltungen der Leistungselektronik 46

uR
CR

i0 DR LF i iL
iS LR

U0 DF CF RL
uL

Bild 3.26: Abwärtswandler mit Resonanznetzwerk für ZVS und rein Ohmscher Last.

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Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 47

4 Halbleiterbauelemente der
Leistungselektronik
In den vorangegangenen Kapiteln wurde meistens von idealen Schaltern und Dioden
ausgegangen. Konkret wurde jeweils angenommen, dass die Bauelemente:
• eine so hohe Spannungsfestigkeit besitzen, dass es keine Durchbrüche gibt
• jeden Strom führen können
• eine vernachlässigbar niedrige Durchlassspannung haben
• beliebig schnell aktiv ein- und ausschalten können
• alle auftretenden Verlustleistungen ohne Schaden aushalten
• nur vernachlässigbar kleine Steuerleistung benötigen
• usw.
Das war für das grundlegende Verständnis der Schaltungen sicher sinnvoll, entspricht aber
nicht der Realität. Tatsächlich steht der Entwickler von Halbleiterbauelementen oft vor der
Alternative einzelne Forderungen recht gut erfüllen zu können, aber dafür bei anderen
Abstriche hinnehmen zu müssen. Es ergeben sich also Zielkonflikte, die am Ende zu einem
Kompromiss führen. Je nach Schaltung oder Anwendung kann dieser Kompromiss dann für
dasselbe Bauelementprinzip zu ganz anderen Bauelementen führen. In diesem Kapitel sollen
die grundlegenden Prinzipien vorgestellt werden, um dem Anwender ein Gefühl für die
beteiligten Effekte und deren Konsequenzen zu geben.
Grundsätzlich kann man dabei drei Gruppen von Halbleiterbauelementen unterscheiden:
• Dioden
Wenn die Diode in Vorwärtsrichtung gepolt wird, beginnt sie zu leiten und besitzt eine
sehr kleine Flussspannung von unter einem bis zu wenigen Volt. Wird die Diode in
Rückwärtsrichtung gepolt, sperrt sie und lässt nur noch einen sehr kleinen Leckstrom
durch. Erst bei Erreichen der Durchbruchspannung fließt dann auch in Rückwärtsrichtung
ein großer Strom. Dieser Zustand ist im Normalbetrieb zu vermeiden. Bild 4.1a zeigt die
idealisierte Kennlinie einer Diode.
• Thyristoren
Der Thyristor ist ein reines Schaltelement. Ohne Ansteuerung sperrt er in Vorwärts-
richtung und je nach Typ auch in Rückwärtsrichtung. Es fließt dann jeweils ein kleiner
Sperrstrom. Der Thyristor wird durch ein kurzes Steuersignal, meist einen Strompuls,
gezündet und geht dann in einen Zustand über, der dem einer leitenden Diode sehr ähnlich
ist. Je nach Typ kann der Thyristor auch wieder aktiv ausgeschaltet werden, was aber mit
erheblichem Aufwand verbunden ist. Beim Ausschalten geht der Thyristor wieder in den
Sperrzustand über. Es sind nur diese beiden Zustände möglich. Die idealisierte Kennlinie
eines symmetrischen Thyristors zeigt Bild 4.1b.
• Transistoren
Ohne Ansteuerung sperrt der Transistor in Vorwärtsrichtung. In Rückwärtsrichtung würde
er, wenn überhaupt, nur wenige 10V sperren. Fast immer ist aber eine antiparallele Diode
vorhanden, so dass das Rückwärtsverhalten ohne Belang ist. Das Ansteuersignal ist
kontinuierlich und entweder eine Spannung über einer Eingangskapazität oder ein Strom

Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I, Version 2.0, Oktober 2009


Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 48

in den Steueranschluss. Der wichtigste Unterschied zum Thyristor ist die Begrenzung des
Ausgangsstroms. Je nach Steuerspannung bzw. –strom ergibt sich eine andere Strombe-
grenzung. Bild 4.1c zeigt das idealisierte Kennlinienbild mit verschiedenen Strombegren-
zungen. Das Steuersignal beeinflusst auch den Durchlass. Dabei hängt die Art und Weise
stark vom Wirkprinzip des Transistors ab. Der Transistor lässt sich durch Unterbrechen
des Ansteuersignals abschalten.

iA iA iC

( )
uAK uAK uCE

a) b) c)

Bild 4.1: Idealisierte Ausgangskennlinien, a) der Diode, b) des (symmetrischen)


Thyristors, c) des Transistors (mit antiparalleler Diode)

4.1 pin-Diode
In der Grundlagenvorlesung wurde der pn-Übergang behandelt. Dieser zeigt bereits die
Funktionalität einer Diode: Stromfluss in eine Richtung und Sperren in die andere. Zu einem
richtigen Bauelement fehlt dem pn-Übergang aber noch die Verbindung nach außen, also die
Anschlüsse zum Rest der Schaltung. Grundsätzlich handelt es sich dabei um metallische
Kontakte auf dem Halbleiter. Der Kontakt zum p-Gebiet wird Anode, zum n-Gebiet
Kathode genannt. Die Bezeichnung rührt daher, dass die Diode in Durchlass gepolt ist, wenn
die Anode positives und die Kathode negatives Potential besitzt.

4.1.1 Grundstruktur

Diese einfache Strukturbeschreibung ist für Dioden sehr niedriger Sperrfähigkeit korrekt. Bei
Dioden für hohe Spannungen wäre es damit aber nicht getan. Die Näherungsformeln für den
abrupten p+n-Übergang zeigen das Problem am Beispiel einer 3 kV sperrenden Diode. Die
n-Dotierung ND, die für 3 kV Sperrfähigkeit notwendig wäre, beträgt:
−4
N D ≈ 2 ⋅ 1018 ⋅ U BR3 ⇒ N D (3kV ) ≈ 4,6 ⋅ 1013 cm −3 (4.1)

Ein metallischer Kontakt auf so niedrig dotiertem Material würde einen Schottky-Übergang
ergeben (auf dem hoch dotierten p-Material ergibt sich hingegen ein guter Kontakt). Ziel
muss es aber sein, dass der Metall-Halbleiter-Übergang eine Ohmsche Kennlinie und einen
sehr geringen Widerstand besitzt, damit keine zusätzlichen Durchlassverluste entstehen. Ein
zweites Problem ergibt sich zusammen mit der notwendigen Weite wn der Raumladungszone.
Diese beträgt für das Beispiel der 3 kV sperrenden Diode:
7

w n ≈ 2,58 ⋅ 10 −6 ⋅ U BR
6
⇒ w n (3kV ) ≈ 0,029cm = 290 µm (4.2)

Zusammen mit der in (4.1) berechneten Dotierung und einer typischen Stromdichte JF von
50 A/cm2 sowie einer idealen Elektronenbeweglichkeit µn von 1400 cm²/Vs ergäbe sich über
der n-Zone im Durchlass ein Spannungsabfall Un von:

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Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 49

JF ⋅w n A
Un = ⇒ U n (50 ,3kV ) ≈ 140V ! (4.3)
q ⋅ µn ⋅ N D cm 2

Beide Probleme, der n-Kontakt und die Durchlassspannung, lassen sich durch die Einführung
einer dritten, hoch dotierten n+-Zone zwischen der n-Zone und dem metallischen Kontakt
lösen (siehe Bild 4.2). Einerseits ergibt sich durch die hohe Dotierung der n+-Zone ein guter
Ohmscher Kontakt (die Potentialbarriere wird durchtunnelt). Andererseits werden nun von
beiden Seiten Ladungsträger in die n-Zone injiziert (Löcher von der p+-Seite und
Elektronen von der n+-Seite). Da die injizierten Ladungsträger nicht ohne weiteres abfließen
und auch nur langsam rekombinieren, werden sie in der n-Zone angestaut. Die n-Zone
befindet sich dadurch überall in hoher Injektion und das entstandene Elektronen-Loch-
Plasma erhöht (moduliert) die Leitfähigkeit der n-Zone um Größenordnungen.

Offenbar wird die Leitfähigkeit der n-Zone jetzt nicht mehr von ihrer Dotierung bestimmt.
Der unmittelbare Zusammenhang zwischen Sperr- und Leitfähigkeit ist also aufgehoben.
Im Grunde bräuchte die mittlere Zone überhaupt nicht mehr dotiert zu sein, sie wäre dann
intrinsisch.
Tatsächlich hat sich die Strukturfolge p+in+ oder kurz pin als dynamisch instabil erwiesen und
wird heute nicht mehr verwendet. Historisch gesehen ist das aber der Ursprung für die
Bezeichnung pin-Diode, der allgemein auch für Dioden mit sehr niedrig dotiertem Mittel-
gebiet verwendet wird.

Anode + Kathode
p+ n n+
-

Bild 4.2: Diode für hohe Sperrfähigkeit. p+n-Übergang mit zusätzlicher n+-Zone und
metallischen Kontakten (Anode und Kathode). Angedeutete Ladungsträger-
injektion.

Auch wenn die echte pin-Diode keine Alternative darstellt, so kann die Dotierung doch als
Freiheitsgrad für die Auslegung einer Diode genutzt werden. Bild 4.3 zeigt die drei möglichen
Varianten des Dotierprofils und die zugehörigen Feldstärkeverteilungen. In Bild 4.3a ist die
so genannte Non-Punch-Through (NPT) Lösung dargestellt. Die Dotierung und Weite des
Mittelgebiets sind so eingestellt, dass das Feld selbst bei maximaler Sperrspannung die
n+-Zone nicht erreicht. Es bleibt immer ein feldfreier Bereich vor der n+-Zone.

Den entgegengesetzten Fall, die echte pin-Diode, zeigt Bild 4.3c. Da im Mittelgebiet keine
Dotierung vorhanden ist, wird das Feld überhaupt nicht abgebaut, die Feldstärke ist konstant.
Erst im n+-Gebiet stehen ausreichend Ladungsträger zur Verfügung, wodurch das Feld bei
Erreichen dieser Zone sehr schnell auf null fällt (analog zur p+-Zone); es ergibt sich ein
Feldstärketrapez. Da die Feldstärke über das gesamte Mittelgebiet den Maximalwert
annehmen kann, bevor die Diode durchbricht, reicht ein viel kürzeres Mittelgebiet aus, um
auf die gleiche Sperrfähigkeit (gleiche Fläche unter dem Feldstärkeverlauf) wie die NPT-
Diode zu kommen. Wie sich später zeigen wird, ist das ein erheblicher Vorteil im Bezug auf
Durchlass- und Schaltverluste.

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Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 50

lND-NAl lND-NAl lND-NAl

p+ n n+ p+ n- n+ p+ i n+
lEl lEl lEl

a) b) c)

Bild 4.3: Varianten einer Hochspannungsdiode für jeweils dieselbe Sperrfähigkeit:


a) die NPT-Diode, b) die PT-Diode und c) die echte pin-Diode.

Da die echte pin-Diode aber die oben schon erwähnte dynamische Instabilität zeigt, wird in
der Realität eine Lösung zwischen den beiden Extremen NPT-Diode und pin-Diode
verwendet. Diesen so genannten Punch-Through (PT) Fall zeigt Bild 4.3b. Das Feld wird im
Mittelgebiet zwar leicht abgebaut, aber aufgrund der niedrigeren Dotierung viel langsamer als
bei der NPT-Diode, wodurch das Feld bis zum n+-Gebiet reicht und erst dort auf null geht.
Das Mittelgebiet kann auch hier deutlich kürzer sein als im NPT-Fall. Der Designer kann also
mit der Dotierung und der Weite des Mittelgebiets "spielen" und die Eigenschaften der Diode
auf die Anwendung maßschneidern. Welche Kriterien dabei eine Rolle spielen, wird die
genauere Analyse des stationären Durchlass- und des Ausschaltverhaltens zeigen.

4.1.2 Durchlassverhalten

Im Folgenden soll das Durchlassverhalten der pin-Diode näher untersucht werden. Bild 4.4
zeigt die Ladungsträgerverteilung wie sie sich bei Vorwärtspolung einstellen wird. Beide
Endgebiete injizieren Ladungsträger in das Mittelgebiet, wo sich ein Elektron-Loch-Plasma
mit n = p = npl bildet (Quasineutralitätsbedingung wegen Vernachlässigung der Dotierung).
Jeder signifikante Unterschied zwischen Elektronen- und Löcherkonzentration im Plasma
würde zu großen elektrischen Feldern und damit zu Ausgleichsströmen führen, ist im
stationären Zustand also nicht möglich.
Aufgrund der Rekombination im Mittelgebiet ist die Plasmakonzentration aber nicht
konstant, sondern zur Mitte hin kleiner.
Aus dem Plasma heraus findet Injektion in die Endgebiete statt. Die Minoritätsladungsträger
rekombinieren dort (spätestens am Kontakt), so dass sich mit der resultierenden Diffusion ein
exponentieller Konzentrationsverlauf ergibt.

Leider ist diese Situation durch die Abhängigkeiten der verschiedenen Parameter
untereinander kaum analytisch zu erfassen. Stattdessen bietet sich hier die Bauelement-
simulation an, die mit Hilfe der Finiten Elemente Methode eine detaillierte Berechnung der
Verhältnisse erlaubt.
Einzelne Effekte lassen sich dennoch hinreichend genau an Hand von Näherungsmodellen
betrachten und, da dieselben oder zumindest ähnliche Effekte bei allen Plasma-
bauelementen wie den Thyristoren (GTO, GCT) und sogar bei den IGBTs auftreten, soll
dieser Untersuchung hier breiterer Raum eingeräumt werden.

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Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 51

+ -
p+ i n+

p p = NA
n = p = npl n n = ND

ni
pn0
np0
0 wm
Bild 4.4: Ladungsträgerverteilungen in einer vorwärts gepolten pin-Diode.

4.1.2.1 Hall-Näherung (keine Injektion in die Endgebiete)

Die so genannte Hall-Näherung vernachlässigt das Geschehen in den Endgebieten


vollständig. Konkret wird angenommen:
• Keine Injektion in die Endgebiete (ideale Emitter)
• Kein Spannungsabfall über den Endgebieten
• Konstante (high level) Trägerlebensdauer τHL über das Mittelgebiet hinweg
• Quasineutralität im gesamten Mittelgebiet (n = p = npl)
Die daraus resultierende Plasmaverteilung ist in Bild 4.5 schematisch dargestellt.

p p = NA
n n = ND
n = p = npl

ni
pn0
np0
0 wm
Bild 4.5: Ladungsträgerverteilungen bei Verwendung der Hall-Näherung.

Kernstück der Hall-Näherung ist die Berechnung der Plasmakonzentration im Mittelgebiet.


Die Herleitung beginnt mit den Stromdichte- und Kontinuitätsgleichungen für Elektronen und
Löcher. Wird die Quasineutralität (n = p = npl) bereits angenommen, so lauten die Glei-
chungen für den stationären Fall (d/dt = 0):

dn pl dn pl
j p = q ⋅ µ p ⋅ n pl ⋅ E − q ⋅ D p ⋅ (4.4) j n = q ⋅ µ n ⋅ n pl ⋅ E + q ⋅ Dn ⋅ (4.5)
dx dx

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Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 52

1 dj p n pl − n i 1 dj n n pl − n i
0 = − ⋅ − (4.6) 0 = ⋅ − (4.7)
q dx τ HL q dx τ HL

Durch Addition der beiden Stromdichtegleichungen (j = jp+jn) und Auflösen nach der Feld-
stärke E ergibt sich:

j Dn − D p 1 dn pl
E = − ⋅ ⋅ (4.8)
q ⋅ ( µ n + µ p ) ⋅ n pl µn + µ p n pl dx

Mit Hilfe dieses Ausdrucks lässt sich die Feldstärke aus den Stromdichtegleichungen
eliminieren. Im Fall des Löcherstroms jp lautet die sogenannte ambipolare Stromdichte-
gleichung:
µp dn pl
jp = ⋅ j − q ⋅ Da ⋅ (4.9)
µn + µ p dx

wobei die Einstein-Beziehung für Elektronen (Dn = Uth·µn) und für Löcher (Dp = Uth·µp)
angewendet und die ambipolare Diffusionskonstante Da als:

Dn ⋅ D p µn ⋅ µ p
Da = 2 ⋅ = 2⋅ ⋅ U th (4.10)
Dn + D p µn + µ p

definiert wurde. Verglichen mit den Gleichungen (4.4) und (4.5) ist sie offenbar das Maß für
die Diffusion des Elektron-Loch-Plasmas. Setzt man nun Gleichung (4.9) in die Kontinuitäts-
gleichung für die Löcher ein, so fällt der erste Term von Gleichung (4.9) beim Differenzieren
nach dem Ort weg, weil die Stromdichte in der Diode konstant ist. Man erhält dann die
Differentialgleichung:

d 2 n pl n pl − n i
= (4.11)
dx 2 L2a

wobei die ambipolare Diffusionslänge La gegeben ist durch:

La = Da ⋅ τ HL (4.12)

Die Differentialgleichung (4.11) lässt sich grundsätzlich mittels Exponentialfunktionen lösen.


Es ist hier aber vorteilhaft, hyperbolische Funktionen zu verwenden. Zusammen mit der
speziellen Lösung npl = ni = konstant lautet die allgemeine Lösung:

x x
n pl ( x ) = ni + A ⋅ cosh + B ⋅ sinh (4.13)
La La

Es gilt nun die Faktoren A und B mit Hilfe der Randbedingungen zu lösen. Konkret führt die
Annahme idealer Emitter zu folgenden vier Bedingungen:

j p (0 ) = j , j n (0 ) = 0 , jp ( w m ) = 0 und jn ( w m ) = j (4.14)

Nach längerer Rechnung folgt daraus schließlich die Lösung für die Plasmakonzentration im
Mittelgebiet:

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Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 53

⎛ x − x0 x − x0 ⎞
⎜ cosh sinh ⎟
j ⋅ τ HL ⎜ La µn − µ p La ⎟
n pl ( x ) = ni + ⋅ − ⋅ (4.15)
2 ⋅ q ⋅ La ⎜ w µn + µ p w ⎟
⎜ sinh cosh m
m

⎝ 2 ⋅ La 2 ⋅ La ⎠

wobei x0 die Mitte des Mittelgebiets zwischen 0 und wm bezeichnet. Für µn = µp wird der
rechte Term in der Klammer null und die Plasmakonzentration ist eine um die Mitte der
Mittelzone symmetrische cosh-Funktion. Für µn ≠ µp ergibt sich eine aus der Mitte
verschobene cosh-Funktion. Man könnte Gl. (4.15) daher auch in folgende Form bringen:

⎛ x − x min ⎞
n pl ( x ) = n i + (n pl ( x min ) − n i ) ⋅ ⎜⎜ cosh ⎟⎟ (4.16)
⎝ La ⎠

wobei xmin die Koordinate des Minimums der Plasmakonzentration ist. Bild 4.6 zeigt zwei
Beispiele für die Plasmakonzentration bei unterschiedlicher (high level) Trägerlebens-
dauer τHL.

1,E+17

τHL = 10 µs
Plasmakonzentration [cm-3]

1,E+16

1,E+15

τHL = 1 µs

1,E+14
0 50 100 150 200 250
Position [µm]

Bild 4.6: Plasmakonzentration bei verschiedenen Ladungsträgerlebensdauern für


eine pin-Diode mit 290 µm breitem Mittelgebiet bei 10 A/cm².

Das zweite wichtige Ergebnis dieser Herleitung ist die Tatsache, dass die Plasma-
konzentration npl (unter Vernachlässigung von ni) direkt proportional zur Stromdichte j ist.
Für die Berechnung des Spannungsabfalls über dem Mittelgebiet ist das sehr vorteilhaft. Setzt
man für die Plasmakonzentration npl(x) = j·f(x) an, so ergibt sich für die Feldstärke im
Mittelgebiet:
j Dn − D p 1 d ( j ⋅ f ( x ))
E = − ⋅ ⋅ (4.17)
q ⋅ ( µn + µ p ) ⋅ j ⋅ f ( x ) µn + µ p j ⋅ f ( x ) dx

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Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 54

Da die Gesamtstromdichte j nicht ortsabhängig ist, kürzt sich j in beiden Termen heraus. Die
Feldstärke und damit auch das Integral der Feldstärke über das Mittelgebiet, also der
Spannungsabfall über dem Mittelgebiet, wird von der Stromdichte unabhängig! Die
genaue, sehr umfangreiche Herleitung soll hier nicht wiedergegeben werden. Bild 4.7 zeigt
stattdessen die Abhängigkeit der Mittelgebietsspannung Um vom Quotienten der Weite wm
des Mittelgebiets und der ambipolaren Diffusionslänge La (für die Beweglichkeiten wurden
ideale Werte angenommen). Es ist klar zu sehen, dass die Mittelgebietsspannung bis zu einem
wm/La-Verhältnis von 2 bis 3 vernachlässigbar ist und erst danach sehr schnell ansteigt. Für
beide Bereiche finden sich in der Literatur Näherungsformeln und entsprechende Her-
leitungen.
5

3
Um [V]

0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
wm/La

Bild 4.7: Mittelgebietsspannung Um in Abhängigkeit vom Quotienten der Weite wm


des Mittelgebiets und der ambipolaren Diffusionslänge La.

Nach der Bestimmung der Mittelgebietsspannung soll abschließend noch die Strom-
Spannungs-Kennlinie der pin-Diode berechnet werden. Dazu wird zunächst der
Zusammenhang zwischen der Plasmakonzentration und der Durchlassspannung der beiden
p+i- bzw. in+-Übergänge herangezogen:
Up+i U in +

n pl (0) = p(0) = n i ⋅ e U th
(4.18) n pl (w m ) = n(w m ) = n i ⋅ e U th
(4.19)

Andererseits ergeben sich die Plasmakonzentrationen aus Gleichung (4.15). Unter Vernach-
lässigung von ni kann man wieder vereinfacht npl(0) = j·f(0) bzw. npl(wm) = j·f(wm) ansetzen.
Aus der Multiplikation der Gleichungen (4.18) und (4.19) ergibt sich dann:
Up+i U in +

n pl (0) ⋅ n pl (w m ) = n ⋅ e
2
i
U th
⋅e U th
= j 2 ⋅ f (0) ⋅ f (w m ) (4.20)

Durch Auflösen nach j und unter Vernachlässigung der Spannungsabfälle in den Endgebieten
(Up+i + Uin+ = U - Um) ergibt sich schließlich die Kennliniengleichung:

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Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 55

U − Um U
ni
j = ⋅ e 2 ⋅Uth = j0 ⋅ e 2 ⋅Uth
(4.21)
f (0) ⋅ f (w m )

Die Kennliniengleichung der pin-Diode hat nach der Hall-Näherung also die gleiche Form
wie die des einfachen pn-Übergangs. Es unterscheiden sich nur die Parameter, die in j0
eingehen, und der Faktor 2 im Nenner der Exponentialfunktion, der zu einem flacheren
Kennlinienverlauf führt.

4.1.2.2 Kleinman-Näherung (keine Mittelgebietsrekombination)

Die Stärke der Hall-Näherung ist also die gute Beschreibung der Verhältnisse im
Mittelgebiet, während die Vorgänge in den Endgebieten komplett vernachlässigt werden.
Dieses Vorgehen führt bei niedrigen Stromdichten noch zu brauchbaren Resultaten bzw.
kleinen Fehlern. Bei hohen Stromdichten und damit hohen Plasmakonzentrationen jedoch,
wird die Injektion in die Endgebiete und die dortige Rekombination und Diffusion immer
wichtiger. Das kommt daher, dass, wie später gezeigt wird, der Injektionsstrom in die
Endgebiete mit dem Quadrat der Plasmakonzentration zunimmt, während der Rekom-
binationsstrom im Mittelgebiet nur linear mit npl ansteigt. Der Injektionsstrom wird also
irgendwann zum bestimmenden Stromanteil und die Voraussetzungen der Hall-Näherung sind
dann nicht mehr erfüllt. In diesem Bereich ist die Kleinman-Näherung besser geeignet. Sie
vernachlässigt nun ganz im Gegensatz zur Hall-Näherung die Rekombination im Mittelgebiet
gegenüber den Vorgängen in den Endzonen. Damit die analytische Herleitung nicht zu
aufwändig wird, werden außerdem noch weitere Näherungen eingeführt. Konkret wird
angenommen:
• Keine Rekombination im Mittelgebiet
• Kein Spannungsabfall über den Endgebieten
• Quasineutralität im gesamten Mittelgebiet (n = p = npl)
• Konstante Plasmakonzentration im gesamten Mittelgebiet
• Über den p+i- bzw. in+-Übergängen fällt zusammen die Spannung Uj ab, die zwar
stromabhängig ist (vergl. (4.21)), hier aber nicht weiter behandelt werden soll.
Die daraus resultierende Plasmaverteilung ist in Bild 4.8 schematisch dargestellt.

Das Kernstück der Kleinman-Näherung ist die Berechnung der Injektionsstromdichte. Für die
p-Seite wird dazu zunächst die Stromdichtegleichung unter Annahme von E = 0 (keine
Spannungsabfälle im Endgebiet) herangezogen. Am Rand der Raumladungszone gilt:

dn p
j n = q ⋅ Dn ⋅ (4.22)
dx

Der Gradient der Minoritätsträgerkonzentration np ist bei sehr langen Endgebieten (wp >> Ln)
gleich np/Ln, wobei Ln die Diffusionslänge der Elektronen im p-Gebiet ist:

np
jn = q ⋅ Dn ⋅ mit Ln = Dn ⋅ τ n (4.23)
Ln

NB: Bei sehr kurzen Endgebieten, wie sie bei realen Dioden häufig auftreten, rekombinieren
die Minoritätsträger fast ausschließlich am Kontakt. Der Gradient der Minoritätsträger ist

Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I, Version 2.0, Oktober 2009


Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 56

dann viel steiler und gegeben durch die injizierte Konzentration np geteilt durch die
Endgebietsweite wp. In Gleichung (4.23) müsste also Ln durch wp ersetzt werden. Für den
allgemeinen Fall ist Ln durch Ln·tanh(wp/Ln) zu ersetzen.

p p = NA
n = p = npl n n = ND
pn
np
ni

np0 pn0
0 wm
Bild 4.8: Ladungsträgerverteilungen bei Verwendung der Kleinman-Näherung.

Für die Berechnung der Injektionsstromdichte fehlt nun noch die Minoritätsträger-
konzentration np am Rand der Raumladungszone. Es gilt:
n pl2 (0)
p p ⋅ n p = N A ⋅ n p = p(0) ⋅ n(0) = n pl2 (0) bzw. np = (4.24)
NA

Insgesamt ergibt sich für die Injektionsstromdichte der Elektronen auf der p-Seite:

Dn
jn = q⋅ ⋅ n pl2 (0) (4.25)
Ln ⋅ N A

Analog ergibt sich der Ausdruck für die Injektionsstromdichte der Löcher auf der n-Seite. Mit
der Annahme einer konstanten Plasmakonzentration über das gesamte Mittelgebiet (NB:
Diese Annahme verzerrt die Stromanteile) kann nun der Gesamtstrom als Summe der beiden
Injektionsstromanteile berechnet werden:

⎛ Dn Dp ⎞ 2
j = jn + j p = q ⋅⎜ + ⎟ ⋅ n pl = q ⋅ H ⋅ n pl2 (4.26)
⎜ L ⋅N L ⋅ N ⎟
⎝ n A p D ⎠

wobei H die Eigenschaften der Endgebiete zusammenfasst. Für die Plasmakonzentration npl
folgt daraus:
j
n pl = (4.27)
q ⋅H

Die Plasmakonzentration nimmt hier also nur mit der Wurzel der Stromdichte zu, während die
Plasmakonzentration in der Hall-Näherung linear von der Stromdichte abhängt. Da alle
Vorgänge im Mittelgebiet vernachlässigt wurden, gehen sonst nur Endgebietsparameter ein.

Weil die Plasmakonzentration und natürlich auch die Stromdichte über das Mittelgebiet
konstant sind, ist auch die Feldstärke konstant, wodurch sich der Spannungsabfall Um einfach
als Produkt aus Feldstärke und Mittelgebietsweite ergibt:

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Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 57

j H ⋅wm
= E ⋅wm = ⋅wm = ⋅ j (4.28)
q ⋅ (µn + µ p ) ⋅ n pl
Um
q ⋅ (µn + µ p )

Anders als bei der Hall-Näherung ist die Mittelgebietsspannung nun von der Stromdichte
abhängig. Formt man diese Gleichung nach der Stromdichte j um und setzt für die Gesamt-
spannung über den p+i- bzw. in+-Übergängen Uj ein (Um = U - Uj), so erhält man schließlich
für die Kennliniengleichung der pin-Diode:
2
⎛ µ + µp ⎞
⎟⎟ ⋅ (U − U j )2
q
j = ⋅ ⎜⎜ n (4.29)
H ⎝ wm ⎠

Bei hohen Stromdichten, dem Bereich den die Kleinman-Näherung beschreibt, steigt die
Stromdichte also nicht mehr exponentiell mit der angelegten Spannung, sondern nur noch
quadratisch. Zu noch höheren Stromdichten hin werden dann zusätzliche Effekte wie die
Abnahme der Beweglichkeit durch Streuung der Ladungsträger untereinander relevant.
Insgesamt verläuft die Kennlinie dadurch noch flacher.

4.1.2.3 Kombination von Hall- und Kleinman-Näherung

Die Hall- und die Kleinman-Näherung stammen beide aus der Anfangszeit der
Halbleitertechnologie und beschreiben jeweils nur einen begrenzten, z.T. sogar irrelevanten
Betriebszustand einer pin-Diode bzw. sind nur für bestimmte Dioden-Auslegungen sinnvoll.
Für andere Bereiche liefern sie dagegen sehr schlechte Ergebnisse. Das hat in den letzten 50
Jahren dazu geführt, dass zahlreiche andere Modelle entwickelt wurden, die darauf abzielten,
einen größeren Betriebsbereich abzudecken – leider mit mäßigem Erfolg oder übermäßigem
Aufwand. Stand der Technik ist heute die Kombination der beiden Näherungen, wie sie bei
Josef Lutz beschrieben ist (siehe Literaturhinweise). Das Resultat entspricht dabei Glei-
chung (4.29) mit einer einzigen Modifikation im Spannungsterm.

4.1.3 Einschaltverhalten

Um eine pin-Diode vom Sperr- in den Durchlasszustand zu bringen, muss offenbar zunächst
das Elektronen-Loch-Plasma in der Mittelzone aufgebaut werden. Dieser Plasmaaufbau geht
nicht unendlich schnell von Statten. Vielmehr brauchen die Ladungsträger einige Zeit, um
von den Endgebieten aus an jeden Ort des Mittelgebiets zu gelangen und die stationäre
Ladungsverteilung herzustellen. Es ist daher nicht verwunderlich, dass der Einschaltvorgang
bei dickeren, also hoch sperrenden Dioden, deutlich länger dauert.

Häufig wird das Einschalten der Dioden durch die Schaltung vorgegeben. Konkret bestimmt
meistens ein Schaltelement oder eine (Streu-) Induktivität im Kreis die Stromanstiegs-
geschwindigkeit (di/dt) durch die Diode. Handelt es sich um einen sehr langsamen Vorgang
wie bei einer Gleichrichterdiode am 50 Hz-Netz, so ist die Zeit, die das Einschalten benötigt,
vernachlässigbar und die Diode befindet sich zu jedem Zeitpunkt quasi im stationären
Zustand. Geht es aber um Schaltvorgänge im µs-Maßstab, so steht anfangs im Mittelgebiet
noch nicht die volle Leitfähigkeit zur Verfügung und die Durchlassspannung der Diode kann
kurzzeitig einige 10 V oder sogar wenige 100 V betragen! Man spricht hier von der
Einschaltüberspannung (engl. forward recovery voltage).

Für die Diode selbst ist das unproblematisch und die Einschaltverluste sind gegenüber den
Durchlass- und Abschaltverlusten immer noch vernachlässigbar. Ein Problem kann aber

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Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 58

entstehen, wenn die Diode z.B. die antiparallele Diode zu einem IGBT ist. Für den IGBT ist
die Einschaltüberspannung der Diode eine Rückwärtsüberspannung und kann seine
Rückwärtssperrfähigkeit (z.T. nur wenige 10 V) deutlich überschreiten. Der sperrende
pn-Übergang des IGBT geht dann in den Lawinendurchbruch, wodurch der IGBT mit
Ladungsträgern überschwemmt wird. Wird die Diode kurz danach (bevor das Plasma im
IGBT rekombinieren kann) wieder abgeschaltet, so wirkt der IGBT wie eine Diode parallel
zur eigentlichen Diode und schaltet zusammen mit ihr ab. Auf diese Weise erhöhen sich die
Abschaltverluste unter Umständen erheblich und, da der IGBT nicht für diesen Betriebs-
modus ausgelegt ist, kann er sogar zerstört werden. Dieser Effekt wird bei höheren Sperr-
spannungen immer wichtiger und ist beim Auslegen einer Schaltung bzw. bei der Auswahl
der Dioden und Schaltelemente unbedingt zu berücksichtigen.

Eine Obergrenze für die Einschaltüberspannung gibt Gleichung (4.3), wobei dann an-
genommen wird, dass der Strom unendlich schnell auf seinen stationären Wert steigt und im
ersten Moment noch keinerlei Leitfähigkeitsmodulation vorhanden ist. Einerseits wird die
Einschaltüberspannung so natürlich überschätzt, weil der Strom nicht so schnell ansteigen
kann. Andererseits tragen aber auch die (Streu-) Induktivitäten im Diodenzweig eine
zusätzliche Überspannung bei, die ebenfalls mit dem di/dt ansteigt. In jedem Fall ist die
Einschalt(über)spannung der Diode bzw. des Diodenzweigs also bei der Auslegung der
Schaltung mit einzukalkulieren.

4.1.4 Ausschaltverhalten

Wie beim Einschalten bestimmt die Dynamik des Elektron-Loch-Plasmas auch das
Ausschalten der Diode. Bevor die Diode überhaupt Spannung aufnehmen kann, muss ein
signifikanter Teil des Plasmas aus dem Mittelgebiet entfernt werden. Bei sehr langsamen
Schaltvorgängen kann das durch Rekombination geschehen und macht sich in der Schaltung
kaum bemerkbar. Bei schnellen Schaltvorgängen dagegen, wird das Plasma aus dem
Mittelgebiet abgesaugt. Die Diode führt dadurch einen großen Strom und blockiert
gleichzeitig bereits eine hohe Spannung. Die Verlustleistung ist in diesem Moment sehr hoch
(bis in die Größenordnung von 1 MW/cm2) und kann sogar zur Zerstörung der Diode führen.
Die genauen Vorgänge, die beim Ausschalten der Diode eine Rolle spielen, sollen anhand des
in Bild 4.9 links dargestellten einfachen Gleichstromstellers untersucht werden.
ta tb tc td
iS ein
Li S aus
S iS
iL
U0 iD I0
uD LL
iD uD U0

Bild 4.9: Einfacher Gleichstromsteller mit rein induktiver Last und Induktivität im
Quellenkreis sowie Strom- und Spannungsverläufe beim Doppelpulstest

Die Funktion des einfachen Gleichstromstellers wurde bereits in Abschnitt 3.2.1 behandelt.
Die Schaltung in Bild 4.9 unterscheidet sich einerseits durch die zur Vereinfachung rein
induktiv angenommene Last und zum anderen durch die Induktivität Li im Quellenkreis, die

Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I, Version 2.0, Oktober 2009


Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 59

sehr klein und deshalb gegenüber der Lastinduktivität LL vernachlässigbar ist. Zur
Charakterisierung einer Diode wird nun der sogenannte Doppelpulstest durchgeführt.

Wird der Schalter zum Zeitpunkt ta geschlossen, so liegt die volle Quellenspannung U0 über
der Lastinduktivität (Li vernachlässigt), so dass der Laststrom iL mit U0/LL zu steigen beginnt,
bis zum Zeitpunkt tb der Teststrom erreicht ist. In diesem Moment wird der Schalter wieder
geöffnet und der Laststrom kommutiert in die Freilaufdiode. Die Diode macht eine
Einschaltüberspannung usw. Das soll hier aber nicht weiter untersucht werden.
Nachdem die Diode lange genug (einige Mikrosekunden) eingeschaltet war, um eine
stationäre Plasmaverteilung annehmen zu können, wird der Schalter zum Zeitpunkt tc
wieder geschlossen. Da die Diode leitet, fällt über ihr nur die sehr kleine Durchlassspannung
ab. Die volle Quellenspannung liegt also an der Induktivität Li, so dass der Strom iS durch den
Schalter mit U0/Li ansteigt und der Diodenstrom iD entsprechend sinkt. Erreicht der
Schalterstrom den Wert des Laststroms, wird also der Diodenstrom zu null, dann schaltet die
Diode ab und beginnt zu sperren. Die volle Quellenspannung liegt nun wieder über der Last
und der Laststrom iL steigt weiter mit U0/LL.
Schließlich wird der Schalter bei td wieder geöffnet und der Laststrom fließt so lange weiter
durch die Freilaufdiode, bis alle Energie verbraucht ist. Wie Bild 4.9 rechts zeigt, gab es
sowohl für den Schalter als auch für die Diode also zwei Strompulse, woraus sich der Name
Doppelpulstest erklärt. Das Bild deutet aber auch an, dass das Abschalten der Diode zu
einigen Überschwingern in den Kurvenverläufen führt. Im nachfolgenden Abschnitt sollen die
Vorgänge während des Abschaltens deshalb genauer betrachtet werden.

4.1.4.1 Optimales Ausschalten

Bild 4.10 links zeigt die Vorgänge ab dem Zeitpunkt tc in viel größerer zeitlicher Auflösung
als Bild 4.9. Rechts sind die zugehörigen Plasmaverteilungen im Mittelgebiet der Diode zu
sehen.
Zu Beginn (Phase b) fließt der Laststrom iL = I0 durch die Diode und das Elektron-Loch-
Plasma hat seine stationäre Verteilung (NB: Das Plasmaprofil sieht anders aus als in
Bild 4.6, da die „natürliche“ Verteilung für Freilaufdioden ungeeignet ist. Die dazu
notwenigen technologischen Maßnahmen werden in Abschnitt 4.1.5 behandelt).
Bei t1 bzw. tc wird der Schalter geschlossen und der Diodenstrom iD sinkt während der
Phase c mit U0/Li. bis er bei t2 null wird. Das Mittelgebiet der Diode ist zu diesem Zeitpunkt
noch völlig mit Plasma überschwemmt. Nur an den Rändern ist die Konzentration leicht
abgesunken und der Plasmagradient ist dort null. Die Diode bleibt also leitend und
dementsprechend fällt kaum Spannung an ihr ab (in welche Richtung auch immer). Deshalb
liegt weiterhin die volle Quellenspannung an der Induktivität Li und der Strom durch den
Schalter steigt weiter mit U0/Li. Da der Laststrom praktisch konstant bei I0 bleibt, wird der
Diodenstrom in Phase d negativ, behält aber seine Steigung bei. Da der Diodenstrom jetzt
negativ ist, injizieren die Randgebiete nun kein Ladungsträger mehr in das Mittelgebiet,
sondern saugen diese ab (extrahieren sie). Die Plasmakonzentration am Rand des Mittel-
gebiets sinkt auf diese Weise sehr schnell ab.
Zum Zeitpunkt t3 verändert sich die Situation. Die Plasmakonzentration am p+n--Übergang
der Diode ist bis auf null abgesunken, so dass der p+n--Übergang Spannung aufnehmen kann.
Die über der Induktivität Li anliegende Spannung sinkt entsprechend und damit auch die
Stromzunahme auf den Wert (U0-uD)/Li.
Bei t4 hat die Spannung über der Diode den Wert der Quellenspannung U0 erreicht. Die
Spannung über der Induktivität Li und damit die Stromzunahme werden zu null. Die Diode
erreicht ihren größten negativen Wert Irr, das Maximum der Rückstromspitze. Durch den
Schalter fließt jetzt I0+Irr. Je nach Diode und Schaltungsparametern kann dieser Strom

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Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 60

durchaus den doppelten Laststrom I0 übersteigen. Der Schalter muss dafür natürlich ausgelegt
sein!
Nachdem die Diode die Quellenspannung aufgenommen hat, könnte der Diodenstrom
eigentlich sofort auf null sinken und die Diode in den stationären Sperrzustand übergehen.
Das verhindert aber wieder die Induktivität Li. Die von der Diode „gewünschte“
Stromabnahme erzeugt eine negative Spannung an der Induktivität Li, wodurch es an der
Diode zu einer Überspannung kommt. Bei t5 erreicht die Stromabnahme ihre größte Steilheit
diD/dt (Wendepunkt) und die Überspannung ihren Maximalwert. Danach nähern sich
Diodenstrom und -spannung ihren stationären Werten. Der Abschaltvorgang ist beendet.
Insgesamt ist aus der Diode dann die Speicherladung Qrr extrahiert worden. Diese entspricht
bis auf geringe Verluste durch Rekombination dem im stationären Zustand in der Diode
gespeicherten Plasma. Die in der Diode umgesetzte Verlustenergie Wrr lässt sich ungefähr
als Produkt aus der Speicherladung Qrr und der Quellenspannung U0 abschätzen.

iD npl
I0
t
t1
Irr
t2
uD
t5
t t3
t4
U0
Urm t6
b cdef g
t1 t2 t3 t4 t5 t6
Bild 4.10: Strom- und Spannungsverläufe beim Abkommutieren einer Freilaufdiode
bei rein induktiver Last und Induktivität im Quellenkreis sowie die
zugehörigen Plasmaverteilungen im Mittelgebiet der Diode

4.1.4.2 Probleme beim Ausschalten

Im vorangegangenen Abschnitt wurde das Ausschaltverhalten beschrieben, wie es unter


optimalen Bedingungen ablaufen würde. „Optimal“ bedeutet in diesem Zusammenhang, dass
zahlreiche Parameter der Schaltung und der Diode zusammen passen müssen. Oft ist das aber
aus verschiedensten Gründen so nicht gegeben. Im nachfolgenden sollen nun einige
Probleme, die beim Abschalten einer Diode auftreten können, kurz angesprochen werden.

Wie aus der Beschreibung des optimalen Abschaltens hervorgeht, bestimmt die
Plasmaverteilung ganz wesentlich die Strom- und Spannungsverläufe. Die Plasmaverteilung
ihrerseits hängt von der Ladungsträgerlebensdauer, der Weite des Mittelgebiets, der Stärke
der Injektion aus den Randgebieten, dem abzuschaltenden Strom und (indirekt) der
Temperatur ab (vergleiche auch Abschnitt 4.1.2).

Hängt die Plasmaverteilung nun sehr weit durch (großes wm/La), so wird das Mittelgebiet
von einem gegebenen Strom sehr schnell ausgeräumt und nimmt entsprechend schnell
Spannung auf. Umgekehrt braucht man für einen gegebenen Spannungsanstiegt nur einen
recht kleinen Strom. Nach dem Erreichen der Rückstromspitze kann der Diodenstrom deshalb
sehr schnell gegen null laufen und gleichzeitig eine sehr hohe Überspannung generieren. Man

Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I, Version 2.0, Oktober 2009


Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 61

spricht von einem harten Abschaltverhalten. Das kann Schwingungen in der Schaltung
hervorrufen, oder sogar zur Zerstörung der Diode führen. Um hartes Abschalten zu
verhindern, darf die Diode nicht zu dick gewählt werden und die (temperaturabhängige)
Ladungsträgerlebensdauer muss lang genug sein.

Andererseits darf aber die Diode nicht zu dünn sein bzw. die Quellenspannung nicht zu
hoch. Befindet sich die Diode in der Phase g und führt sie noch signifikanten Strom wenn
das Plasma komplett ausgeräumt ist, also kein Strom mehr liefern kann, dann kommt es zum
Stromabriss (engl. snap-off). Der Diodenstrom geht mit sehr großer Steilheit (diD/dt) gegen
null und kann wiederum Schwingungen bzw. Überspannungen erzeugen.

Einen ähnlichen Effekt gibt es, wenn das Plasma auf der Kathodenseite sehr niedrig und auf
der Anodenseite sehr hoch ist, also so wie die „natürliche“ Verteilung aus Bild 4.6. Das
Plasma wird dann auf der Kathodenseite so schnell abgesaugt, dass am dortigen n+n—Über-
gang eine Raumladungszone entsteht. Im weiteren Verlauf wird dann das Mittelgebiet von
beiden Seiten ausgeräumt. Wenn die beiden Raumladungszonen aufeinander stoßen, also
wieder das letzte Plasma ausgeräumt wird, bevor der Strom auf null ist, kommt es auch hier
zum Stromabriss mit den genannten Folgen.

Schließlich tritt beim Abschalten noch eine dynamische Feldüberhöhung auf, die sehr
unangenehme Folgen haben kann. Diese Feldüberhöhung wird durch die Löcher
hervorgerufen, die aus dem Plasma durch die Raumladungszone hindurch zur Anode hin
abgesaugt werden (Bild 4.11). Da die Löcher die Raumladungszone nicht unendlich schnell
durchqueren, sondern nur mit der Sättigungsdriftgeschwindigkeit (vsat ≈ 107 cm/s), ergeben
sie eine zusätzliche positive Raumladung, die in der Poisson-Gleichung berücksichtigt
werden muss. Die Konzentration nLöcher der Raumladung ergibt sich zu:

j
j = q ⋅ v sat ⋅ nLöcher ⇔ n Löcher = (4.30)
q ⋅ v sat

Dieser Wert kann schon bei mäßigen Stromdichten in die Größenordnung der niedrigen
Dotierung des Mittelgebiets kommen und verändert so die Feldverteilung erheblich.
Bild 4.11 zeigt die Feldverteilung wie sie für eine bestimmte Spannung in stationären Fall
aussähe (gestrichelt) und wie sie während des Abschaltvorgangs tatsächlich aussieht
(durchgezogen). Beide Dreiecksflächen sind gleich groß, aber die maximale Feldstärke ist im
dynamischen Fall doppelt so groß!
E npl
Edynamisch

Estationär

Bild 4.11: Dynamische Feldüberhöhung durch Löcher in der Raumladungszone

Überschreitet die maximale Feldstärke die kritische Feldstärke, so setzt Lawinenmultipli-


kation (engl. avalanche multiplication) ein. Da das Ganze nur dynamisch auftritt, spricht man
auch von dynamischer Lawinenmultiplikation (engl. dynamic avalanche multiplication).
Dieser Effekt begrenzt sich durch die generierten Elektronen (Kompensation der Löcher-

Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I, Version 2.0, Oktober 2009


Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 62

ladung) selbst und führt deshalb nicht per se zur Zerstörung der Diode. In jedem Fall aber
werden zusätzliche Abschaltverluste erzeugt, die zur Überlastung der Diode führen können,
und durch Instabilitäten bzw. Inhomogenitäten kann die Diode ebenfalls zerstört werden.

Insgesamt gibt es also eine Reihe an möglichen Problemen, die beim Abschalten einer Diode
auftreten können. Neben den Diodeneigenschaften sind dabei auch immer die Schaltungs-
parameter zu berücksichtigen. Eine hohe Quellenspannung U0 ist wegen der höheren Ver-
luste, des möglichen Stromabrisses und wegen der höheren Stromsteilheit (diD/dt = U0/Li)
kritisch. Eine größere Stromsteilheit führt zu einem größeren Irr und einer schnelleren
Ausräumung des Plasmas, was wiederum zu höherer Spitzenleistung und größerem Risiko für
einen Stromabriss führt. Die Stromsteilheit steigt auch mit kleinerer Induktivität, dafür sind
aber bei kleinerer Induktivität die Überspannungen geringer. Auch beim Strom ist die
Tendenz nicht eindeutig, weil ein niedrigerer Strom das Risiko für einen Stromabriss erhöht
und ein höherer Strom die Spitzenleistung. Schließlich hat auch die Temperatur einen
Einfluss, wobei es bei höherer Temperatur früher zu einer Überlast kommt und bei niedrigerer
Temperatur das Risiko für einen Stromabriss steigt.

4.1.5 Auslegung und Technologievarianten

Im Abschnitt 4.1.1 wurde die Auslegung des Mittelgebiets bereits behandelt. Die Weite des
Mittelgebiets ist entscheidend für die Durchlassverluste und zusammen mit der Dotierung
bestimmt sie die Sperrfähigkeit der Diode. Damit sind bereits wichtige Parameter festgelegt.
Es gibt aber mit der Ladungsträgerlebensdauer im Mittelgebiet und dem Injektionsver-
halten der Randzonen noch weitere Parameter, die zur Optimierung der Diode herangezogen
werden können.
Bei den sogenannten Netzdioden, die nur kleinen Strom- und Spannungsveränderungen
ausgesetzt sind und keine besonderen dynamischen Eigenschaften brauchen, kann man
einfach auf möglichst niedrigen Durchlass optimieren. Im Wesentlichen bedeutet das
möglichst lange Ladungsträgerlebensdauer und möglichst starke Injektion aus den Rand-
gebieten. Für schnelle Dioden, insbesondere Freilaufdioden, sind dagegen ganz andere
Optimierungen notwendig. Im Nachfolgenden dafür einige Beispiele.

4.1.5.1 Einstellung der Ladungsträgerlebensdauer

In Abschnitt 4.1.2.1 wurde das Plasmaprofil für eine homogene Ladungsträgerlebensdauer


hergeleitet. Mit der homogenen Ladungsträgerlebensdauer konnte die Konzentration npl des
Plasmas und das „Durchhängen“ eingestellt werden. Man kann mit diesem Parameter also
einerseits die Durchlassspannung und damit die Durchlassverluste beeinflussen und
andererseits die Speicherladung Qrr und damit die Schaltverluste. Leider wirkt die Ladungs-
trägerlebensdauer gegenläufig auf diese beiden Verlustarten. Eine lange Ladungsträger-
lebensdauer ergibt niedrige Durchlassverluste aber hohe Schaltverluste und eine kurze
Ladungsträgerlebensdauer tut das Umgekehrte. Man kann also nicht beide Verlustarten
gleichzeitig optimieren, sondern nur die eine zu Lasten der anderen. Die Gesamtheit aller
möglichen Durchlassverlust-Schaltverlust-Kombinationen ergibt die sogenannte Techno-
logiekurve für eine bestimmte Diode. Es ist Aufgabe des Designers die für eine bestimmte
Anwendung optimale Kombination bzw. den optimalen Kompromiss (engl. trade-off) zu
finden, also den optimalen Punkt auf der Technologiekurve zu bestimmen.

Die Einstellung einer homogenen Ladungsträgerlebensdauer erfolgt heute typischerweise


mit Hilfe der Elektronenbestrahlung. Hochenergetische Elektronen (einige MeV) werden in
das Silizium der Diode geschossen und erzeugen dort Schäden im Siliziumkristall. Diese

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Schäden stellen Rekombinationszentren dar, an denen die Shockley-Read-Hall Rekombi-


nation abläuft (NB: Silizium ist ein indirekter Halbleiter). Auf diese Weise wird die Ladungs-
trägerlebensdauer abgesenkt. Die Absenkung geschieht homogen, da die mittlere Eindring-
tiefe der Elektronen viel größer ist, als die Dicke der Dioden. Man kann sogar mehrere
Dioden hintereinander in den Elektronenstrahl stellen, ohne dass ein signifikanter Unterschied
in der Ladungsträgerlebensdauer auftreten würde.

Wie bei der Diskussion des Abschaltens erwähnt, ist die „natürliche“ mit homogener
Ladungsträgerlebensdauer erzielte Plasmaverteilung mit deutlich höherer Konzentration auf
der Anodenseite (siehe Bild 4.6) leider sehr ungünstig für das Schaltverhalten. Es dauert
lange, bis das Plasma auf der Anodenseite angebaut ist und die Diode Spannung aufnehmen
kann. So wird die Rückstromspitze sehr groß und anschließend ist die Gefahr für einen
Stromabriss besonders hoch.
Optimal wäre dagegen das umgekehrte Profil mit niedriger Konzentration auf der
Anodenseite und hoher Konzentration auf der Kathodenseite. Das lässt sich tatsächlich mit
einer inhomogenen Ladungsträgerlebensdauer realsieren. Dazu werden schwerere Teilchen
wie Protonen (Wasserstoffkerne) oder α–Teilchen (Heliumkerne) von der Anode her auf die
Diode geschossen. Die mittlere Eindringtiefe ist (viel) kleiner als die Diodendicke und so
wird die Ladungsträgerlebensdauer nur auf der Anodenseite abgesenkt (Bild 4.12a). Der Rest
der Diode bleibt unverändert. Mit Hilfe verschiedener Energien ließen sich so theoretisch
beliebige Lebensdauerprofile erzeugen. Praktisch sind dem aber aufgrund der Kosten enge
Grenzen gesetzt.

Eine auf der Anodenseite abgesenkte Ladungsträgerlebensdauer lässt sich auch mittels
Eindiffusion von Schwermetallen wie Gold oder Platin erzeugen. Die Metalle ergeben
ebenfalls Rekombinationszentren und über die Diffusionstiefe kann der Bereich abgesenkter
Ladungsträgerlebensdauer definiert werden. Seit die Bestrahlung mit schweren Teilchen
technologisch gut beherrscht wird, kommt die Schwermetalldiffusion immer seltener zum
Einsatz. Insbesondere Gold-diffundierte Dioden haben zudem den Nachteil sehr hoher
Leckströme.
A A A A
p+
p p p+ p+
n-
n- n- n-
n+ n+ n+ n+

a) K b) K c) K d) K

Bild 4.12: Verschiedene Diodenkonzepte basierend auf der pin-Diode, a) Lokal


reduzierte Ladungstägerlebensdauer b) EmCon-Diode, c) SPEED,
d) MPS-Diode

4.1.5.2 Einstellung der Anodeninjektion

Um die Plasmakonzentration auf der Anodenseite abzusenken, kann auch die Injektion aus
der Anode reduziert werden. Die einfachste Variante ist die Verwendung einer dünnen,
niedrig dotierten Anode, so wie es bei der (Emitter Controlled) EmCon-Diode von Infineon
gemacht wird (Bild 4.12b).

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Dieses Design hat den Nachteil, dass die Stoßstromfähigkeit (Fähigkeit der Diode,
Überströme ohne Schaden zu überstehen) leidet. Als Verbesserung wurde die SPEED (Self-
adjusting p-Emitter Efficiency Diode, Bild 4.12c) entwickelt, die zusätzlich hochdotierte
p-Inseln in der Anode besitzt. Die p-Inseln beginnen mit zu nehmendem Strom immer stärker
zu injizieren und verhindern so ein zu schnelles Aufheizen der Diode im Überstromfall.

Eine weitere Möglichkeit die Anodeninjektion zu reduzieren, ist die Verwendung von
Schottky-Bereichen abwechselnd mit p+-Bereichen (Bild 4.12d). Die Schottky-Bereiche
leiten zunächst den Strom allein, ohne Injektion in das Mittelgebiet. Erst bei höheren
Stromdichten fangen dann auch die p+-Bereiche an zu leiten und dabei Löcher in das
Mittelgebiet zu injizieren. Bei sehr hohen Stromdichten spielen die Schottky-Bereiche keine
Rolle mehr und die Diode verhält sich im Überstromfall wie eine pin-Diode. Im Bereich des
normalen Betriebs wird durch die Verbindung bzw. Mischung von Schottky- und pin-Diode
(Merged pin Schottky, MPS) die Injektion aus der Anode in die Mittelzone deutlich reduziert.
Ein wichtiger Nebeneffekt bzw. je nach Design auch Haupteffekt bei der MPS-Diode ist die
Abschirmung, die die p+-Inseln für den Schottky-Übergang bilden. Durch diese
Abschirmung steigt die Feldstärke am Schottky-Übergang nicht so hoch, wie sie es ohne tun
würde. Die Leckströme der Schottky-Bereiche, die sich aufgrund verschiedener Effekte stark
mit der Feldstärke erhöhen, bleiben so deutlich niedriger.
Über das Muster aus Schottky- und p-Bereichen lässt sich sowohl die Injektion als auch die
Abschirmung einstellen. Das geht aber nur im begrenzten Maße. Einen zusätzlichen Freiheits-
grad gewinnt man, wenn man das planare (ebene) Design verlässt und eine z.B. durch Trench-
Ätzung strukturierte Oberfläche verwendet. Zum einen lässt sich so die zur Verfügung
stehende Oberfläche vergrößern und zu anderen sind bessere Abschirmgeometrien möglich.
Es werden bei manchen dieser Dioden auch isolierende Bereiche oder Widerstandsschichten
eingesetzt. Am Ende entscheiden vor allem die Kosten der aufwändigeren Technologie im
Verhältnis zur besseren Leistungsfähigkeit über den Erfolg, der sich bisher noch nicht so
recht zeigt.

Schließlich gibt es Ansätze, die Injektion der Anode über einen eigenen Steuerkontakt an
der Diode zu verändern. Konkret würde man während der Leitphase eine möglichst starke
Injektion einstellen, um eine gute Plasmaüberschwemmung und damit niedrige Durchlass-
verluste zu erzeugen. Kurz vor dem Ausschalten würde man die Injektion dann reduzieren
und die Plasmakonzentration auf diese Weise verringern. Es ergäben sich so deutlich
niedrigere Ausschaltverluste und insgesamt eine viel bessere Technologiekurve (hohe
Durchlassverluste treten nur sehr kurz auf und fallen kaum ins Gewicht).
Zur Einstellung der Injektion kann man dabei zwei Varianten unterscheiden. Entweder
schaltet man für die Leitphase eine starke Injektion dazu, oder man schließt eine sonst starke
Injektion für die Schaltphase kurz. Das ist für die Struktur, aber nicht für das Prinzip wichtig.
Leider haben solche angesteuerten Dioden einige gravierende Nachteile. Der wichtigste sind
auch hier die viel höheren Kosten einer solchen Lösung. Einerseits ist die Herstellung einer
angesteuerten Diode viel teurer (aufwändigerer Halbleiterprozess, geringere Ausbeute,
aufwändigeres Gehäuse) und andererseits braucht sie eine eigene Ansteuerschaltung. Auch ist
die Steuerung aufwändig und ergibt zusätzliche Einschränkungen (Mindest-„Vorwarnzeit“)
für die Steuersoftware. Darüber hinaus sollte die Diode noch sicher abschalten können, auch
wenn die Ansteuerung nicht funktioniert (engl. fail save). Insgesamt haben sich solche
angesteuerten Dioden trotz verschiedenster Konzepte bisher nicht durchsetzen können.

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4.1.5.3 Einstellung der Kathodeninjektion

Wie in Abschnitt 4.1.5.1 erläutert wurde, ist ein Plasmaprofil mit niedriger Konzentration auf
der Anodenseite und hoher Konzentration auf der Kathodenseite optimal. Im Allgemeinen
wird deshalb versucht, eine möglichst stark injizierende Kathode zu realisieren. Das wird
üblicherweise mit einer dicken und hochdotierten n-Zone erreicht. Bei dünnen Mittelgebieten
(Dioden mit niedriger Sperrfähigkeit) wird inzwischen meist eine sehr tiefe Diffusion von der
Rückseite her verwendet, weil das dynamisch Vorteile bietet und keine dünnen Wafer
prozessiert werden müssen. Allerdings gibt es auch für die Kathodenseite Ansätze für
Strukturierungen oder Ansteuerungen. Diese haben sich aber bisher ebenfalls nicht etablieren
können.

4.1.5.4 Hybridlösungen

Neben „gemischten“ aber integrierten Strukturen wie der MPS-Diode gibt es auch echte
Hybridlösungen.
Man kann z.B. eine sehr dünne Diode, die allein einen heftigen Stromabriss erzeugen würde,
aber niedrige Durchlassverluste ergibt, mit einer sehr dicken Diode, die extrem sanft
abschaltet, aber hohe Durchlassverluste ergeben würde, parallel schalten. Die dünne Diode
übernimmt dann den Hauptteil des Stroms bei niedrigen Durchlassverlusten, während die
dicke Diode beim Abschalten noch Plasma hat, wenn die dünne schon lange völlig
ausgeräumt und damit abgeschaltet ist.
Ebenfalls sind Reihenschaltungen von niedrig sperrenden Dioden möglich. Man hat dann
zwar die doppelte Kniespannung hinzunehmen, gewinnt aber in der nicht linear ansteigenden
Speicherladung und damit bei den Verlusten.
Insgesamt sind beide Lösungen kaum verbreitet, weil die herkömmlichen Dioden gute
Fortschritte gemacht haben und die Kosten für eine Hybridlösung einfach höher sind.

4.2 Schottky-Diode
Die Struktur der Schottky-Diode ist der Struktur der pin-Diode sehr ähnlich, nur dass der
p+n--Übergang nun durch einen Metall-Halbleiter-Übergang ersetzt wurde. Dieser Metall-
Halbleiter- bzw. Schottky-Übergang leitet bei positivem Potential am Metall (Anode) und
negativem Potential am Halbleiter (Kathode) und sperrt bei umgekehrter Polarität. Der große
Unterschied ergibt sich durch die fehlende Injektion des Schottky-Übergangs. Anders als bei
der pin-Diode injiziert der Schottky-Übergang keine Löcher in das Mittelgebiet. Der Strom
wird im Mittelgebiet also nur von den durch die Dotierung eingebrachten Ladungsträgern
geleitet, im Gegensatz zum Elektron-Loch-Plasma also nur von einer Ladungsträgersorte,
weshalb man von einem unipolaren Bauelement spricht. Wie sich im Folgenden zeigen
wird, hat diese Unipolarität weitreichende Konsequenzen für das Verhalten der Schottky-
Diode.

Der einfache Metall-Halbleiter-Übergang verhält sich ansonsten sehr ähnlich wie ein
pn-Übergang. In Vorwärtsrichtung ergibt sich ebenfalls eine exponentielle Strom-Span-
nungs-Kennlinie. Diese lautet unter Vernachlässigung der -1:
ΦB U U

n ⋅U th n ⋅U th
j = A ⋅T ⋅ e
* 2 U th
⋅e = j0 ⋅ e (4.31)

Darin sind A* die Richardson-Konstante (für Silizium 120 A/cm²K²), T die absolute
Temperatur, k die Boltzmann-Konstante (8,62·10-5 eV/K) und Uth = k·T/q die Temperatur-
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spannung. q·ΦB ist die Barrierenhöhe, die sich je nach verwendetem Metall leicht unter-
scheidet und typischerweise zwischen 0,5 und 0,9 eV liegt. Die Schottky-Diode hat dadurch
eine um einige Zehntel Volt niedrigere Kniespannung.
Leider wirken am Schottky-Übergang noch einige zusätzliche Effekte, wie die Barrieren-
Erniedrigung (engl. barrier-lowering) bei höheren Feldstärken, die hier nicht näher behandelt
werden sollen. Es sei dazu wieder auf die Literatur verwiesen. Außerdem ist der Metall-
Halbleiter-Übergang und damit die Schottky-Barriere sehr empfindlich auf technologische
Schwankungen (Inhomogenitäten). Zusammen führt das dazu, dass an der idealen Strom-
Spannungs-Gleichung einige Korrekturen vorzunehmen sind. Zum einen wird meist eine
„effektive“ Richardson-Konstante A** verwendet und zum anderen muss die Spannungs-
abhängigkeit durch einen „Idealitätsfaktor“ n von etwas über eins an die Realität angepasst
werden.

Dieselben Effekte führen auch zu einer unangenehmen Sperrcharakteristik. Diese zeichnet


sich durch allgemein sehr hohe und zudem stark temperaturabhängige Leckströme aus.
Darüber hinaus steigt der Leckstrom aufgrund des barrier-lowering schon vor dem Einsetzten
des Lawinendurchbruchs stark an, was dann die Schottky-typische verrundete Sperrkenn-
linie ergibt.

Dieser Effekt lässt sich mit Hilfe der in Abschnitt 4.1.5.2 behandelten p+-Inseln der
MPS-Diode reduzieren. Die Abschirmung durch die p+-Inseln führt zu deutlich niedrigeren
Feldstärken am Schottky-Übergang und damit zu niedrigeren Sperrströmen. Man spricht auch
von der Junction Barrier Schottky (JBS) Diode. Die p+-Inseln haben andererseits aber den
Nachteil, dass sie im Durchlass doch wieder Löcher in das Mittelgebiet injizieren und so die
Unipolarität zu Nichte gemacht wird. Außerdem geht durch die p+-Inseln ein Teil der aktiven
Schottky-Fläche verloren und der Strom wird zudem zwischen den Inseln eingeschnürt.

Es gibt mit der Schottky-Diode also durchaus Herausforderungen, vor allem technologischer
Art, was dazu führt, dass viele „Tricks“ angewendet werden und kommerziell angebotene
Schottky-Dioden oft gar keine echten/reinen Schottky-Dioden sind.
Die Schottky-Diode bietet dafür aber auch interessante Vorteile. Neben der schon erwähnten
niedrigeren Kniespannung ist das vor allem die Unipolarität. Bei einem unipolaren
Bauelement muss beim Schalten kein Plasma ausgeräumt werden, sondern nur die geringere
Dotierungsladung. Bei einer Schottky-Diode ergibt sich daher keine ausgeprägte Rück-
stromspitzte wie in Bild 4.10 bei der pin-Diode. Die Abschaltverluste sind auf diese Weise
geringer und die Schottky-Diode schaltet viel schneller. Sie kann so auch noch bei viel
höheren Frequenzen eigesetzt werden. Außerdem treten bei den Schottky-Dioden durch das
Fehlen der Rückstromspitze viel weniger Robustheitsprobleme beim Abschalten auf.
Die Unipolarität ist gleichzeitig aber auch der große Nachteil der Schottky-Diode. Für den
Stromtransport stehen nur die durch die Dotierung eingebrachten Ladungsträgern zur
Verfügung. Es findet eben keine Leitfähigkeitsmodulation wie bei der pin-Diode durch das
Elektron-Loch-Plasma statt und so besteht ein direkter Zusammenhang zwischen Sperr- und
Leitfähigkeit.

4.2.1 Niedrige Sperrspannungen

Wie zu Beginn des Abschnitts 4.1.1 über die Struktur der pin-Diode gezeigt, ergibt sich der
Spannungsabfall Um über dem nicht plasmaüberschwemmten Mittelgebiet (ideale NPT-
Auslegung) als:
wm
Um = JF ⋅ = J F ⋅ rm (4.32)
q ⋅ µn ⋅ N D

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Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 67

Der flächenbezogene Widerstand rm des Mittelgebiets wird wesentlich durch die Weite wm
des Mittelgebiets und dessen Dotierung ND bestimmt. Diese beiden Parameter wiederum sind
durch die geforderte Sperrfähigkeit UBR definiert. Setzt man die entsprechenden
Näherungsformeln aus den Gleichungen (4.1) und (4.2) und eine ideale Elektronen-
beweglichkeit µn von 1400 cm²/Vs an, so erhält man für den flächenbezogenen Widerstand
des Mittelgebiets (in Ωcm²):
rm ≈ 5,75 ⋅ 10 −9 ⋅ U BR
2,5
(4.33)

Der Widerstand steigt also mehr als quadratisch mit der geforderten Durchbruchspannung.
Bei höheren Stromdichten ergibt sich dann ein entsprechend hoher Spannungsabfall über dem
Mittelgebiet und der Vorteil der niedrigeren Kniespannung wird auf diese Weise sehr schnell
zu Nichte gemacht. Nimmt man ein Maximum von 0,5 V Spannungsabfall über dem Mittel-
gebiet bei einer für niedrig sperrende Dioden typischen Stromdichte von 200 A/cm² als
sinnvoll an, so ergibt sich als maximal realisierbare Sperrfähigkeit:

Um
U BR,max ≈ 2,5 ⇒ U BR,max (0,5V ;200 cmA ² ) ≈ 180V ! (4.34)
J F ⋅ 5,75 ⋅ 10 −9

Mit einem optimalen PT-Design kann man den Wert noch etwas erhöhen, dafür ist der hier
ausgerechnete ideale Wert aber aufgrund von Sicherheitsmargen nicht erreichbar. Auch
könnte man Dioden mit deutlich mehr aktiver Fläche, also bei gegebenem Strom niedrigerer
Stromdichte einsetzten, aber das würde natürlich die Kosten für die Diode entsprechend
erhöhen. Am Ende bleibt ein sehr geringer Spannungswert, ab dem sich der Einsatz von
unipolaren Bauelementen aufgrund des zu hohen Serienwiderstands nicht mehr lohnt. In der
Praxis werden Schottky-Dioden nur bis etwa 200 V Sperrfähigkeit verwendet.
Wie bei den pin-Dioden, haben übrigens alle diese Dioden ein Mittelgebiet aus n-Silizium, da
p-Silizium aufgrund der etwa dreimal so schlechten Löcherbeweglichkeit noch höhere
Serienwiderstände ergeben würde.

4.2.2 Siliziumkarbid (SiC)

Wie bereits erwähnt, führt das Fehlen der Leitfähigkeitsmodulation bei unipolaren
Bauelementen zu einem direkten Zusammenhang zwischen der Sperrfähigkeit und dem
Serienwiderstand rm. Anders ausgedrückt, gibt es für den Bauelementdesigner keinen freien
Parameter mehr, den er variieren könnte, um die Situation zu verbessern ... es sei denn, man
betrachtet auch die Materialparameter als variierbar.
Tatsächlich liegen den Näherungsformeln (4.1) und (4.2) natürlich die Materialeigenschaften
von Silizium zugrunde. Entscheidend ist dabei vor allem die kritische Feldstärke Ekrit, ab
der Stoßionisation und damit dann der Lawinendurchbruch einsetzt. Wählt man nun ein
Material mit höherer kritischer Feldstärke, so hat das einen positiven Einfluss sowohl auf die
Weite des Mittelgebiets als auch auf die Dotierung. Bild 4.13 zeigt dazu den Vergleich
zwischen Silizium und Siliziumkarbid (SiC).

Im Bild 4.13 oben links ist das Feldstärkedreieck für ein Siliziumbauelement bestimmter
Sperrfähigkeit dargestellt. Verwendet man nun SiC mit einer etwa 10mal höheren kritischen
Feldstärke, so ergibt sich die Situation oben rechts: Das Feldstärkedreieck ist jetzt 10mal so
hoch und braucht für die gleiche Sperrfähigkeit (gleiche Fläche des Dreiecks) dann nur noch
ein Zehntel so weit zu sein. Gleichzeitig ist die Steigung des Feldstärkedreiecks, also die
Dotierung des Mittelgebiets, hundertmal größer. Da der Widerstand des Mittelgebiets
proportional zum Quotienten aus der Weite des Mittelgebiets und dessen Dotierung ist

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Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 68

(Gleichung (4.32)), ergibt sich für die gleiche Sperrfähigkeit mit SiC ein etwa 1000mal
kleinerer Serienwiderstand!
Tatsächlich ist der Faktor nur etwa 500, weil die Elektronenbeweglichkeit im SiC schlechter
ist als in Silizium und die kritische Feldstärke nicht genau 10mal höher, aber es bleibt eine
Verbesserung um Größenordnungen. Und dieser Wert gilt für alle unipolaren Bauelemente
aus SiC, nicht nur die Schottky-Dioden. Setzt man diesen Wert nun in Gleichung (4.34) ein
und nimmt wieder 0,5 V bei 200 A/cm² als gerade noch akzeptabel an, so erhält man eine
maximal realisierbare Sperrfähigkeit von über 2000 V!
Bisher sind solche Dioden nur bis 1200 V kommerziell verfügbar, aber höhere Spannungen
wurden schon angekündigt und im Experiment wurden Schottky-Dioden mit mehreren
1000 V Sperrfähigkeit demonstriert. Dabei wurde meistens wieder die Abschirmwirkung von
p+-Inseln genutzt (MPS- bzw. JBS-Diode), weil die Feldstärken in SiC eben 10mal so hoch
sind und die Probleme an der Metall-Halbleiter-Grenzfläche auch entsprechend größer. Es
bleibt abzuwarten, wie sich der Markt und die Technologie für SiC-Schottky-Dioden
entwickelt.

E E

Si Ekrit,SiC SiC

Ekrit,SiC ≈ 10·Ekrit,Si
Ekrit,Si

wm wm
w m,Si w m,SiC

w m,SiC ≈ w m,Si /10


rm ~ w m /ND rm,SiC ≈ rm,Si /1000
ND,SiC ≈ 100·ND,Si

Bild 4.13: Widerstand der Mittelzone bei unipolaren SiC-Bauelementen im Vergleich


zu Siliziumbauelementen gleicher Sperrfähigkeit

Neben SiC werden auch andere Halbleitermaterialien für Schottky-Dioden verwendet. Eine
kommerzielle Verbreitung haben bisher aber nur Galliumarsenid (GaAs) Schottky-Dioden
gefunden. Bei ihnen ist die kritische Feldstärke nicht einmal doppelt so hoch wie bei Silizium,
aber sie besitzen zusätzlich eine gut 5mal so hohe Elektronenbeweglichkeit und so
reduziert sich der Serienwiderstand um gut einen Faktor 10. Die höchste sinnvolle Sperr-
spannung gemäß Gleichung (4.34) ist dann zwei bis dreimal so groß wie bei Silizium-
Schottky-Dioden und man findet kommerzielle GaAs-Schottky-Dioden bis zu 300 V
Sperrfähigkeit und zum Teil sogar darüber.

4.3 Synchrongleichrichter
Prof. Silber sagt immer, dass die Diode das „intelligenteste“ Bauelement ist, weil sie selber
weiß, wann sie leiten und wann sie sperren muss. Das ist für die pin- und die Schottky-Diode
zwar richtig, aber bereits bei den angesteuerten Dioden war das nicht mehr so klar. Dort

Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I, Version 2.0, Oktober 2009


Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 69

bekamen die Dioden kurz vor dem Ausschalten jeweils ein Ansteuersignal, das die Anoden-
injektion deutlich reduzierte und auf diese Weise zu geringeren Ausschaltverlusten führte.
Man kann nun noch einen Schritt weiter gehen und ganz auf die „Intelligenz“ der Diode
verzichten, indem man statt der Diode einen Schalter einsetzt. In der abstrakten Darstellung
einer leistungselektronischen Schaltung ist die Diode ja ohnehin ein Schalter, der immer im
richtigen Moment geschlossen bzw. geöffnet wird. Die Herausforderung ist dabei, den
richtigen Moment genau zu treffen. Während es bei der angesteuerten Diode auf ein paar
Mikrosekunden mehr oder weniger nicht ankam, sind hier oft schon einige 10 ns das erlaubte
Maximum. Der Schalter als Diode muss also exakt synchron mit dem Rest der Schaltung
arbeiten, da es sonst zu Kurzschlüssen, oder hohen Überspannungen kommen könnte. Man
spricht deshalb vom Synchrongleichrichter (engl. synchronous rectifier).
Inzwischen ist die synchrone Ansteuerung kein grundsätzliches Problem mehr. Man hat
allerdings mit Ungenauigkeiten der Ansteuerschaltung selbst und vor allem mit Parameter-
streuungen der Schalter wie z.B. unterschiedlichen Werten der Eingangskapazität zu
kämpfen.

Der Hauptvorteil des Synchrongleichrichters ist der Wegfall der Sperrschichtspannung und
damit der Kniespannung der Dioden, sei es eine pin- oder eine Schottky-Diode. Auch aus
diesem Grund eignen sich Thyristoren und IGBTs von vornherein nicht als Synchrongleich-
richter. Der klassische Synchrongleichrichter ist vielmehr der Niederspannungs-MOSFET
mit sehr niedrigem Durchlasswiderstand. Der Spannungsabfall im Durchlass ist bei ihm viel
niedriger als es bei einer Diode möglich wäre. Das zahlt sich vor allem bei Anwendungen mit
Versorgungsspannungen von wenigen Volt (Computer) aus, bei denen der Spannungsabfall
über der Diode bereits einen signifikanten Teil der Gesamtspannung ausmachen würde.
Bei höheren Sperrspannungen kommt der Synchrongleichrichter dagegen kaum zum Einsatz,
weil der Durchlasswiderstand und damit die Durchlassspannung des MOSFETs hier meist
höher ist als die Durchlassspannung der Diode. Trotzdem kann es noch von Vorteil sein,
einen Synchrongleichrichter zu verwenden, wenn man entweder die Speicherladung der
Diode vermeiden will (Schaltgeschwindigkeit), oder mit Hilfe der Synchrongleichrichter-
funktion des ohnehin vorhandenen MOSFET die Freilaufdiode einsparen möchte. Ein
Vorteil des MOSFET als Synchrongleichrichter ist in jedem Fall seine fail save Funktion.
Wird er nicht angesteuert, leitet einfach die inhärente antiparallele Diode (siehe
Abschnitt 4.8.4).
Letztlich muss aber auch hier wieder eine Aufwand-Nutzen-Abschätzung zeigen, ob sich der
Einsatz eines Synchrongleichrichters lohnt.

4.4 Bipolartransistor
Mit dem Bipolartransistor (engl. bipolar junction transistor BJT) begann Ende 1947 das
eigentliche Halbleiterzeitalter. Innerhalb weniger Jahre konnte er die Vakuumröhre als das
aktive Bauelement der Elektronik ablösen und stieß dabei bis in höhere Leistungsklassen vor.
Inzwischen ist der Bipolartransistor seinerseits in den meisten Anwendungen durch andere
Bauelemente ersetzt worden. In der Leistungselektronik spielt er mittlerweise überhaupt keine
Rolle mehr. Trotzdem soll er hier kurz behandelt werden, weil sein Funktionsprinzip grund-
legend für alle anderen gesteuerten Bauelemente ist. Darüber hinaus gibt es in letzter Zeit
zahlreiche Forschungsarbeiten, die sich mit Bipolartransistoren aus SiC beschäftigen.
Möglicherweise erlebt der Bipolartransistor auf diese Weise eine Renaissance.

Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I, Version 2.0, Oktober 2009


Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 70

- +
UCE
- +
IE UBE IB IC
B
IEp ICB0

IEn ICn
E C
n+ p n-
n+
Emitter Basis Kollektor

n E = ND p B = NA
n C = ND
nB(x) pC0
pE(x)
pC(x)
pE0 nB0

0 wB

Bild 4.14: Grundstruktur, Spannungen, Ströme und Ladungsträgerverteilungen eines


npn-Transistors in Emitter-Schaltung

Die Grundstruktur des Bipolartransistors besteht aus zwei antiseriellen pn-Übergängen, die
entweder eine npn- oder eine pnp-Folge bilden. Aufgrund der schlechteren Löcherbeweg-
lichkeit, kamen in der Leistungselektronik nur npn-Transistoren zum Einsatz. Im Folgenden
wird deshalb auch nur auf den npn-Transistor eingegangen. Das Funktionsprinzip ist aber mit
Ausnahme der Polaritäten für beide Typen identisch.
Bild 4.14 zeigt oben die schematische Grundstruktur eines npn-Transistors. Neben der sehr
hoch dotierten n-Emitter-Zone, der weniger hoch dotierten p-Basis-Zone und der schwach
dotierten n-Kollektor-Zone, wird wie bei der pin-Diode noch eine hochdotierte n-Kollektor-
Zone gebraucht, um das niedrig dotierte n-Gebiet kontaktieren zu können.

Im Bild 4.14 sind außerdem der Steuer- und der Lastkreis einer Emitter-Schaltung (engl.
common emitter) schematisch als Quellen dargestellt. Im Verstärkerbetrieb wird der Basis-
Emitter-Übergang in Flussrichtung gepolt (höheres Potential an der Basis) und der Basis-
Kollektor-Übergang in Sperrrichtung (höheres Potential am Kollektor).
Der Emitter injiziert Elektronen in die Basis, während die Basis Löcher in den Emitter
injiziert. Die jeweiligen Minoritätsträgerkonzentrationen an den Rändern der Basis-Emitter-
Raumladungszone sind entsprechend angehoben (siehe Bild 4.14, gestrichelt sind immer die
Gleichgewichtskonzentrationen dargestellt). Aufgrund der Dotierungsverhältnisse ist der
Löcherstrom IEp um Größenordnungen kleiner als der Elektronenstrom IEn.

Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I, Version 2.0, Oktober 2009


Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 71

Der in Sperrrichtung gepolte Basis-Kollektor-Übergang tut das entgegengesetzte: Er saugt die


jeweiligen Minoritätsladungsträger von den Rändern der Basis-Kollektor-Raumladungszone
ab, so dass sich dort die Minoritätsladungsträgerkonzentrationen verringern (siehe Bild 4.14).
Gäbe es den Basis-Emitter-Übergang nicht, so wäre das ein ganz normaler in Sperrrichtung
gepolter pn-Übergang mit entsprechendem Leckstrom ICB0 (wobei die Null andeutet, dass der
Emitter nicht angeschlossen ist), der sich aus diesem Absaugen ergibt.

4.4.1 Stromverstärkung

Ist der Basis-Emitter-Übergang nun aber dicht genug am Basis-Kollektor-Übergang dran,


dann gelangen diejenigen Elektronen, die vom Emitter in die Basis injiziert wurden bis zum
Basis-Kollektor-Übergang und werden dort zum Kollektor hin abgesaugt. In Bild 4.14 ist
sogar der Zustand dargestellt, in dem fast alle injizierten Elektronen bis zum Basis-Kollektor-
Übergang gelangen und nur wenige in der Basis mir den dortigen Majoritätsladungsträgern,
den Löchern rekombinieren. Es ergibt sich dadurch eine fast lineare Elektronenabnahme zum
Kollektor hin, die durch die Randkonzentrationen nB(0) und nB(wB) ≈ 0 gegeben ist, wobei wB
die Weite der Basis bezeichnet. Dieser Gradient wiederum ergibt einen Diffusionsstrom der
Elektronen. Man kann die Diffusionsstromdichte der Elektronen letztlich durch ihre
Diffusionskonstante Dn, ihre Randkonzentration nB(0), die Basis-Weite wB abschätzen. Es
ergibt sich:
n (0 )
J n ≈ q ⋅ Dn ⋅ B (4.35)
wB

Da auf der rechten Seite sonst ausschließlich (fast) konstante Werte stehen, ist die Elektronen-
stromdichte nur von der Elektronenrandkonzentration abhängig. Und die Elektronenrand-
konzentration ihrerseits hängt von der Vorwärtspolung des Basis-Emitter-Übergangs ab. Mit
Hilfe der Basis-Emitter-Spannung und des daraus resultierenden Basis-Stroms, lässt sich also
der Elektronenstrom und damit der Stromfluss IC im Lastkreis steuern. Eine genauere Unter-
suchung der Verhältnisse führt auf verschiedene „Schmutzeffekte“ und so zu einem nur in der
Theorie konstanten Verhältnis von Kollektor- und Basis-Strom. Diese Stromverstärkung B
ist gegeben durch:

IC ICn 1 1 1 1
B= ≈ = = = = (4.36)
I B I Ep + I En − ICn I Ep + I En IE IE I 1 1
−1 −1 ⋅ En − 1 ⋅ −1
ICn ICn I En ICn γ αT

Dabei bezeichnet γ die Emitter-Effizienz, also wie groß der Anteil des Elektronenstroms IEn
am Emitter-Strom IE ist, und αT den Transportfaktor, der angibt welcher Anteil der
Elektronen durch die Basis zum Kollektor gelangt. Beide Werte sind also immer kleiner als
eins und die Stromverstärkung wird am größten, wenn beide Werte so dicht wie möglich an
eins heran kommen.
Um die Emitter-Effizienz γ möglichst dicht an eins zu bekommen, also im Emitter fast
ausschließlich Elektronenstrom zu haben, muss der Emitter möglichst hochdotiert und die
Basis möglichst niedrig dotiert sein. Außerdem muss der Emitter möglichst dick und die
Trägerlebensdauer dort möglichst hoch sein.
Um den Transportfaktor αT möglichst dicht an eins zu bekommen, also alle Elektronen
unbehelligt durch die Basis zu schleusen, muss die Basis möglichst dünn und die Träger-
lebensdauer dort möglichst hoch sein.
Leider lassen sich diese Forderungen nicht so ohne weiteres umsetzen und es kommen z.B.
bei sehr hohen Dotierungen weitere Effekte wie das band-gap-narrowing hinzu, die die

Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I, Version 2.0, Oktober 2009


Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 72

technologischen Bemühungen zum Teil zu Nichte machen. Am Ende musste man feststellen,
dass man gegen unüberwindliche Hindernisse an entwickelte. Der Bipolartransistor für kleine
Spannungen hatte mit einer Stromverstärkung von einigen hundert das Maximum seiner
Leistungsfähigkeit erreicht und war in einer Sackgasse. Bei Bipolartransistoren für höhere
Sperrspannungen kamen dann aber noch weitere, schwerwiegende Probleme hinzu.

4.4.2 Durchbruch mit offener Basis

Der Leckstrom ICB0 bei nicht angeschlossenem Emitter wurde in den vorgegangenen
Überlegungen vernachlässigt, weil er sehr klein gegenüber dem Durchlassstrom ist. Das gilt
im Sperrfall natürlich nicht mehr. Besonders heikel wird die Situation, wenn statt des Emitters
die Basis nicht angeschlossen bzw. hochohmig mit dem Emitter verbunden ist. Dann wirkt
der Leckstrom des Basis-Kollektor-Übergangs wie ein Basis-Strom, der den Transistor
aussteuert! Man erhält für den Leckstrom ICE0 bei offener Basis:

ICE 0 = B ⋅ ICB 0 + ICB 0 = (B + 1) ⋅ ICB 0 (4.37)

Der Leckstrom eines Bipolartransistors kann bei ordentlicher Stromverstärkung also


durchaus zwei Größenordnungen höher sein, als eine gleich viel sperrende Diode (Bild 4.15).

IC

offene Basis
ICE0
offener Emitter
ICB0 U
UCE0 UCB0

Bild 4.15: Abhängigkeit der Sperrkenlinien des Bipolartransistors von der äußeren
Beschaltung

Das ist aber noch nicht das Schlimmste. Sobald Lawinenmultiplikation am Basis-Kollektor-
Übergang einsetzt, steigt ICB0 und damit auch ICE0, also der Elektronenstrom, der vom Emitter
injiziert wird. Auf diese Weise fließen aber zusätzliche Ladungsträger über den Basis-
Kollektor-Übergang und werden ihrerseits „lawinenmultipliziert“. Die Folge ist eine Rück-
kopplung zwischen der Lawinenmultiplikation und Stromverstärkung. Am Ende führt
das dann dazu, dass der Transistor bei offener Basis viel weniger sperrt (Bild 4.15). Man
erhält für die Durchbruchspannung mit offener Basis näherungsweise (siehe Literatur):

U CB 0
U CE 0 ≈ (4.38)
4
1+ B

Bereits bei einer Verstärkung von nur 15, was für einen 1000 V-Bipolartransistor allerdings
schon sehr gut ist, steht mit nicht angeschlossener Basis nur noch die Hälfte der Durchbruch-
spannung UCB0 einer entsprechenden Diode zur Verfügung! Der Durchbruch bei offener bzw.
hochohmig angesteuerter Basis (engl. open base transistor breakdown) muss also nach
Möglichkeit vermieden werden, was entsprechende Anforderungen an die Basis-Ansteuerung
stellt. Es hilft bereits, wenn die Basis niederohmig mit dem Emitter verbunden ist, weil dann
Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I, Version 2.0, Oktober 2009
Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 73

die vom Basis-Kollektor-Übergang kommenden Löcher einen alternativen Pfad haben. Besser
ist jedoch ein gegenüber dem Emitter negatives Potential an der Basis, so dass alle Löcher
abgesaugt werden. Auf diese Weise wird die Rückkopplung aufgehoben und man erreicht
dann (fast) wieder UCB0. Das gilt jedoch nur im stationären Bereich bzw. bei kleinen Strömen.
Beim Schalten dagegen führen dynamische Vorgänge dazu, dass doch wieder UCE0 einzu-
halten ist.

4.4.3 Strombegrenzung

Für die Herleitung der Stromverstärkung wurde nur angenommen, dass der Basis-Kollektor-
Übergang in Sperrrichtung gepolt war. Wie groß die Basis-Kollektor-Spannung tatsächlich
ist, wurde nicht definiert und spielt für die Herleitung des Kollektor-Stroms auch nur eine
geringe Rolle (Early-Effekt). Mit anderen Worten, der Kollektor-Strom ist von der
Kollektor-Basis-Spannung unabhängig, also bei konstantem Basis-Strom ebenfalls
konstant!
Wenn bei einem Kurzschluss nun die Spannung über dem Transistor sprunghaft auf sehr hohe
Werte steigt, bleibt der Kollektor-Strom auf dem durch die Stromverstärkung gegebenen
Wert. Es ergibt sich auf diese Weise eine Strombegrenzung, die die Diode und der Thyristor
nicht besitzen. Die Steuerelektronik hat nun noch eine kurze Zeit, typischerweise 10 µs, zur
Verfügung, in der sie „Rettungsmaßnahmen“ einleiten kann, bevor der Transistor dann durch
Überhitzung zerstört wird.

4.4.4 Sättigung

Für die bisherige Behandlung des Bipolartransistors wurde jeweils angenommen, dass der
Basis-Kollektor-Übergang in Sperrrichtung gepolt ist und die Elektronenkonzentration auf
der Basis-Seite der Raumladungszone dadurch praktisch auf null absinkt (siehe auch
Bild 4.14). Das ist aber nur im Verstärkerbetrieb der Fall.
Im Bereich der Sättigung (engl. saturation) ist der Basis-Kollektor-Übergang dagegen in
Durchlassrichtung gepolt (Bild 4.16). Die Minoritätsladungsträgerkonzentrationen sind dann
nicht mehr gegenüber ihren Gleichgewichtswerten abgesenkt, sondern sogar angehoben! Für
das Basis-Gebiet bedeutet das nichts anderes, als dass der Gradient der Elektronen-
konzentration kleiner und der Elektronenstrom dementsprechend geringer ist. Gleichzeitig ist
die Situation am Basis-Emitter-Übergang aber praktisch unverändert und damit ist auch der
Basis-Strom unverändert. Bei gleichem Basis-Strom erhält man in Sättigung einen geringeren
Kollektor-Strom, was einer Reduktion der Stromverstärkung entspricht. Das sieht zunächst
nach einer unerwünschten Situation aus.

n E = ND p B = NA
n C = ND
nB(x)
pC(x)
pE(x)
pC0
pE0 nB0

0 wB

Bild 4.16: Ladungsträgerverteilungen eines npn-Transistors in Emitter-Schaltung bei


einsetzender Sättigung
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Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 74

Für den Leistungsbipolartransistor ist aber genau das der übliche Betriebsmodus. Zwar ist
der Kollektor- bzw. Laststrom dann etwas geringer, aber die Kollektor-Emitter-Spannung
beträgt nur noch wenige Zehntel Volt, so dass die Durchlassverluste „erträglich“ werden.
Man erinnere sich an Abschnitt 2.3.1 und insbesondere an Bild 2.6, wo gezeigt wurde, dass
der Transistor als Vorwiderstand nur im „EIN“ bzw. „AUS“-Zustand längere Zeit betrieben
werden durfte, da er sich sonst sofort überhitzt hätte. Bild 4.17 zeigt diesen Schalterbetrieb
nochmal anhand eines gemessen Kennlinienfelds.
IC
2A

∆IB = 10mA

1A
„EIN“
Sättigung

Verstärkerbetrieb

„AUS“
0 UCE
0 10V U0 20V
Bild 4.17: Ausgangskennlinienfeld eines npn-Transistors hoher Sperrfähigkeit vom
Typ BU208A (UCE0 = 700 V, UCB0 = 1500 V, Inenn = 5 A, Bmax = 10-20, TO-3
bzw. TO-204 Gehäuse) mit einer Lastgeraden für 20 Ω bei einer
Quellenspannung U0 von 16 V

Die geringe Durchlassspannung ist eine direkte Folge der Vorwärtspolung des Basis-
Kollektor-Übergangs. Während sich die beiden Spannungsabfälle über den pn-Übergängen
im Verstärkerbetrieb addieren, kompensieren sich die Spannungen in der Sättigung. Auf
diese Weise kann die Durchlassspannung des Transistors sogar kleiner sein, als die
Kniespannung des Basis-Emitter-Übergangs!
Das ist eine sehr wichtige Eigenschaft im Hinblick auf Bipolartransistoren aus Silizium-
karbid (SiC). Die Kniespannung eines SiC-pn-Übergangs beträgt nämlich 2-3 V und würde
zu entsprechend hohen Durchlassspannungen führen. Zum Glück kann man den Basis-
Kollektor-Übergang aber auch entsprechend weiter in Durchlass polen und so kompensieren
sich die beiden an sich hohen Spannungsabfälle an den pn-Übergängen zu einer sehr
niedrigen Durchlassspannung. Das ist einer der Gründe, warum das Konzept des Bipolar-
transistors für die Realisierung von SiC-Schaltelementen sehr vielversprechend erscheint.

4.4.5 Quasisättigung

Wie im vorangegangenen Abschnitt gezeigt wurde, ist der Übergang zwischen Verstärker-
betrieb und Sättigung durch die Umpolung des Basis-Kollektor-Übergangs gekennzeichnet.
Das zeigt sich in Bild 4.17 bei kleinen Strömen auch deutlich in einem bis zu sehr kleinen
Kollektor-Emitter-Spannungen konstanten Kollektor-Strom und einer dann fast übergangslos
einsetzenden Sättigung. Bei Bipolartransistoren geringer Sperrfähigkeit ist das sogar im
ganzen Arbeitsbereich der Fall. Es gilt jedoch nicht bei hochsperrenden Transistoren. Hier ist
zusätzlich noch der Spannungsabfall über dem niedrig dotierten Kollektor-Gebiet zu

Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I, Version 2.0, Oktober 2009


Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 75

berücksichtigen, den man von der außen anliegenden Kollektor-Emitter-Spannung abziehen


muss, um die tatsächlich am pn-Übergang anliegende Spannung zu erhalten.

Leider zeigt sich hier, dass der Bipolartransistor im Grunde doch eher ein Unipolar-
transistor ist, denn die Dimensionierung des niedrig dotierten Kollektor-Gebiets folgt der
Regel für die Schottky-Diode und der Serienwiderstand dieses Gebiets ist damit auch
entsprechend groß (NB: In der Sättigung gibt es eine Injektion, die den Widerstand reduziert).
Bei hochsperrenden Transistoren und großen Strömen braucht man deshalb eine Kollektor-
Basis-Spannung von vielen Volt, um den Basis-Kollektor-Übergang in Sperrrichtung zu polen
und damit den Verstärkerbetrieb mit seinem Spannungsunabhängigen Kollektor-Strom zu
gewährleisten. Ist die Spannung dagegen kleiner, dann ist der Basis-Kollektor-Übergang
tatsächlich in Durchlassrichtung gepolt, obwohl außen am Bauelement eigentlich Sperr-
spannung anliegt. Man nennt das die Quasisättigung und natürlich führt auch hier der
durchlassgepolte Basis-Kollektor-Übergang zu einem reduzierten Kollektorstrom (Bild 4.17).

C
IC=IC1+IC2
IB=IB2
T2
B
T1
IE2=IB1
IE=IE1
E
a) b)

Bild 4.18: Bipolartransistoren in Darlington-Anordnung, a) Schaltbild, b) im Modul

Bei hochsperrenden Transistoren ist die aufgrund technologischer Randbedingungen ohnehin


schon recht niedrige Stromverstärkung bei größeren Strömen häufig deutlich kleiner als zehn!
Man kann also kaum noch von einer Verstärkung sprechen. Als Gegenmaßnahme hat man
seinerzeit die Darlington-Anordnung verwendet, bei der der Basis-Strom der Hauptstufe
durch den Emitter-Strom einer vorgelagerten Stufe bereitgestellt wird (Bild 4.18a). Es ergibt
sich als Gesamtverstärkung dann etwas mehr als das Produkt der Einzelverstärkungen
(Wie berechnet sich das aus B = IC/IB?). Mit zum Teil mehrstufigen Anordnungen kam man
wieder auf eine brauchbare Stromverstärkung, aber höhere Spannungen als etwa
1000 V (UCE0) ließen sich auch so nicht erreichen. Letztlich hat dann das Aufkommen des
IGBT (bzw. bei niedrigen Sperrspannung des MOSFET) zum völligen Verschwinden des
Bipolartransistors geführt.
Mit Siliziumkarbid und der entsprechend günstigeren Auslegung der Kollektorzone könnte es
analog zu den SiC-Schottky-Dioden aber auch für den Bipolartransistor eine Renaissance
geben.

4.5 Thyristor
Der Thyristor (häufig auch engl. silicon controlled rectifier SCR) wurde Ende er 50er Jahre
entwickelt und war das erste steuerbare Halbleiterbauelement für große Leistungen. Die
relativ einfache Technologie sorgte für eine schnelle Verbreitung und ist auch heute noch ein
wichtiges (Kosten-) Argument. Der Thyristor erschloss sich so zahlreiche Anwendungs-
gebiete aus denen er inzwischen jedoch zum Teil bereits wieder verdrängt wurde; sei es durch

Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I, Version 2.0, Oktober 2009


Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 76

Weiterentwicklungen auf Basis des Thyristorprinzips oder durch den IGBT. Meistens war die
fehlende Abschaltfähigkeit des einfachen Thyristors das Hauptargument für einen Ersatz.
Nach wie vor sind aber die höchsten Leistungsklassen wie zum Beispiel in der Hoch-
spannungsgleichstromübertragung (HGÜ) das Reich des Thyristors und werden das
vermutlich auch noch einige Zeit bleiben. Darüber hinaus gibt es zahlreiche low-cost
Anwendungen, die dem einfachen Thyristor wohl noch ein langes Leben bescheren werden.

- +
UAK
- +
IK UGK IG IA
B
K n+ p n- p+ A

G
IG IC1 T1 IA=IE1
pnp A
IB2=IG+IC1
K T2
IK=IE2 npn IC2=IB1

Bild 4.19: Grundstruktur, Spannungen und Ströme eines npnp-Thyristors in


Vorwärtsrichtung. Darunter das Zwei-Transistor-Ersatzschaltbild, das sich
aus dem gestrichelt gezeichneten Schnitt ergibt.

Die Grundstruktur des Thyristors besteht aus vier Schichten, die drei pn-Übergänge bilden.
Bild 4.19 zeigt oben die Anordnung der Schichten und andeutungsweise auch deren
Dotierung. Auf eine hochdotierte n-Kathoden-Zone folgen die weniger hoch dotierte p-Gate-
Zone, das niedrig dotierte n-Mittelgebiet und schließlich die wieder hochdotierte p-Anoden-
Zone.

4.5.1 Sperrfähigkeit

Wird an den Thyristor eine Anoden-Kathoden-Spannung wie in Bild 4.19 mit positivem
Potential an der Anode angelegt, so sperrt der Thyristor, da der mittlere pn-Übergang sperrt,
während die anderen beiden pn-Übergäng in Durchlassrichtung gepolt sind. Man spricht vom
Vorwärtsblockieren.
Wird eine umgekehrte Spannung angelegt, so sind die äußeren beiden pn-Übergänge gesperrt,
während der mittlere pn-Übergang in Durchlassrichtung gepolt ist. Der Thyristor sperrt also
auch in Rückwärtsrichtung (Rückwärtsblockieren). Da die Kathoden-Gate-Sperrschicht
beidseitig hochdotiert ist, sperrt sie nur wenige 10 V und kann praktisch vernachlässigt
werden. Die Sperrfähigkeit wird also in beiden Fällen von einer Raumladungszone bestimmt,
die sich im Wesentlichen in dasselbe niedrigdotierte Mittelgebiet ausdehnt; in einem Fall von
der Gate-Zone her und im anderen Fall von der Anoden-Zone. Daher ist es nicht verwunder-
lich, dass die Sperrfähigkeit in beide Richtungen ungefähr gleich ist. Der einfache
Thyristor ist symmetrisch sperrend.
Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I, Version 2.0, Oktober 2009
Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 77

Es sei allerdings erwähnt, dass es noch zwei Effekte gibt, die das Sperrverhalten beeinflussen
und diese einfache Betrachtungsweise deshalb zumindest leicht korrigieren. Zum einen steht
dem gesperrten pn-Übergang jeweils mindestens ein durchlassgepolter pn-Übergang gegen-
über. Es wird also auch hier derselbe Effekt auftreten wie beim Bipolartransistor, nämlich der
open base transistor breakdown (Abschnitt 4.4.2). Da die Verstärkungsfaktoren beim
Thyristor aber viel kleiner sind als beim Bipolartransistor, ist dieser Effekt hier weniger
ausgeprägt. Die Sperrfähigkeit reduziert sich nur um etwa 10%.
Zum anderen besteht abhängig von der Auslegung bei manchen Thyristoren die Möglichkeit,
dass die Raumladungszone bis zum gegenüberliegenden pn-Übergang durchschlägt (engl.
punch through). Da dort eine beliebige Menge an Ladungsträgern zum Absaugen bereit
steht, würde der Sperrstrom wie beim Lawinendurchbruch extrem ansteigen. Der Mechanis-
mus ist dann zwar ein anderer, aber das Resultat für den Thyristor wäre dasselbe.

4.5.2 Zündung (Einschalten)

Wie im vorangegangenen Abschnitt gezeigt wurde, sperrt der Thyristor in beide Richtungen,
solange er nicht angesteuert wird. Die Auswirkung durch das Ansteuern bzw. Zünden (engl.
triggering) lässt sich nun am einfachsten mit dem Zwei-Transistor-Ersatzschaltbild (siehe
Bild 4.19 unten) des Thyristors verdeutlichen. Man muss sich dazu die Struktur des
Thyristors entlang der gestrichelten Linie in Bild 4.19 in zwei Bipolartransistoren (einen npn
und einen pnp) aufgeteilt vorstellen. Danach werden diese beiden Transistoren ihrer
ursprünglichen Position entsprechend wieder zum Ersatzschaltbild verbunden. Liegt nun eine
Anoden-Kathoden-Spannung (Vorwärtsspannung) wie im Bild an, so sperrt der mittlere
pn-Übergang und die beiden anderen pn-Übergänge sind in Durchlass gepolt. In beiden
Bipolartransistoren sind die Basis-Emitter-Übergänge in Durchlassrichtung und die Basis-
Kollektor-Übergänge in Sperrrichtung gepolt. Die Transistoren arbeiten also beide im
Verstärkerbetrieb, so dass jeweils IC = B·IB bzw. differentiell dIC = β·dIB gilt.

Fließt nun ein zusätzlicher Löcherstrom von der Gate-Zone in die Kathoden-Zone, so hat das
einen um die differentielle Stromverstärkung β2 größeren zusätzlichen Elektronenstrom in
Richtung Mittelgebiet zur Folge. Umgekehrt hat ein zusätzlicher Elektronenstrom vom
Mittelgebiet in die Anoden-Zone einen um die Stromverstärkung β1 größeren zusätzlichen
Löcherstrom in Richtung Gate-Zone zur Folge. Es ergibt sich auf diese Weise also eine
Rückkopplungsschleife, bei der der Strom pro „Durchlauf“ um den Faktor β1·β2 größer wird.
Offensichtlich steigt der Strom bei β1·β2 > 1 mit jedem Durchlauf weiter an und wird
schließlich unendlich groß, während er mit β1·β2 < 1 abklingt.

Das ganze lässt sich mit Hilfe des Zwei-Transistor-Ersatzschaltbilds genauer analysieren.
Dazu wird zum Beispiel zunächst der zusätzliche Basis-Strom dIB1 des pnp-Transistors
berechnet:
β 2 ⋅ dI G
dI B1 = dI C 2 = β 2 ⋅ dI B 2 = β 2 ⋅ (dI G + dI C1 ) = β 2 ⋅ (dI G + β 1 ⋅ dI B1 ) ⇔ dI B1 = (4.39)
1 − β1 ⋅ β 2

Für den zusätzlichen Anoden-Strom dIA ergibt sich daraus:


( 4.39 )
dI A = dI C1 + dI B1 = β 1 ⋅ dI B1 + dI B1 = (β 1 + 1) ⋅ dI B1 = dI G ⋅
(β1 + 1) ⋅ β 2 (4.40)
1 − β1 ⋅ β 2

Eine Erhöhung bzw. überhaupt die Zuführung des Gate-Stroms hat also wie erwartet eine
deutliche Erhöhung des Anoden-Stroms zur Folge. Viel wichtiger ist aber der Verstärkungs-

Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I, Version 2.0, Oktober 2009


Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 78

faktor. Egal wie groß der Gate-Strom IG tatsächlich ist (er ist jedenfalls nie genau null, weil
die immer vorhandenen Leckströme auch wie Gate-Strom wirken), wird der Anoden-Strom
unendlich groß, sobald das Produkt der Stromverstärkungen eins wird. Man nennt β1·β2 = 1
die Zündbedingung.

An dieser Stelle fällt auf, dass selbst die schlechtesten Bipolartransistoren eine (differentielle)
Verstärkung von deutlich über eins haben und das Produkt zweier Verstärkungen demnach
immer größer als eins sein würde. Mit anderen Worten, die Zündbedingung wäre immer
erfüllt und der Thyristor würde immer von alleine zünden. In der Realität ist das aber nicht
der Fall.
Zu Beginn es Thyristor-Zeitalters war die Technologie noch so schlecht, dass sich tatsächlich
Verstärkungen unter eins ergaben. Die Transportfaktoren αT aus Gleichung (4.36) waren
kleiner als heute und vor allem waren die Emitter-Effizienzen γ noch viel geringer.
Inzwischen muss man die Verstärkungen mit absichtlich eingebauten Gate-Kathoden-
Kurzschlüssen auf einen Wert von deutlich unter eins reduzieren. Es gibt heute keinen
Thyristor mehr ohne diese Kurzschlüsse.

4.5.2.1 Zündarten

Obwohl der Gate-Strom in der Herleitung erwähnt ist, hat er offenbar nicht direkt etwas mit
der Zündbedingung zu tun. Tatsächlich ist die Aufgabe des Gate-Stroms etwas „subtiler“. Er
dient im Grunde nur dazu, die stark stromabhängigen Stromverstärkungen in einen
Bereich zu bringen, in dem sie die Zündbedingung erfüllen und so die Rückkopplung in Gang
zu setzen. Danach kann man den Gate-Strom dann wieder abschalten und der Thyristor bleibt
trotzdem gezündet oder „eingerastet“ (engl. latched-up). Auch das unterscheidet ihn vom
Bipolartransistor, der eine kontinuierliche Ansteuerung braucht.

Neben dem Einprägen eines Stroms über das Gate gibt es noch weitere Maßnahmen, die zur
Erfüllung der Zündbedingung führen. Zunächst sind das zwei andere Alternativen, einen
Strom im Thyristor zu erzeugen.
Eine Möglichkeit ist Licht, das in den gesperrten pn-Übergang eingestrahlt einen dem Gate-
Strom äquivalenten Strom generiert und auf diese Weise den Thyristor zünden kann. Die
Lichtzündung hat den Vorteil, dass die Ansteuereinheit keine elektrische Verbindung zum
Thyristor hat (galvanische Trennung) und daher sehr interessant für die bei HGÜ-
Anwendungen notwendige Serienschaltung ist.
Die zweite Alternative ist eine schnelle Spannungstransiente (duAK/dt), die einen Verschie-
bungsstrom im Thyristor und so die Zündung zur Folge hat. Die du/dt-Zündung ist im
Allgemeinen unerwünscht und man versucht durch die Gate-Kathoden-Kurzschlüsse diesen
Mechanismus zu vermeiden bzw. das erlaubte du/dt zu maximieren.
Neben der Stromabhängigkeit zeigen die Verstärkungen auch eine Spannungsabhängigkeit.
Bei Annäherung an die maximale Sperrfähigkeit führt das dann ebenfalls zur Zündung. Diese
Kippspannung lässt sich wiederum durch Gate-Kathoden-Kurzschlüsse maximieren.
Schließlich zeigen die Verstärkungsfaktoren noch eine Temperaturabhängigkeit, die dazu
führt, dass mit zunehmender Temperatur immer kleinere (Leck-) Ströme zur Zündung
ausreichen. Da die Leckströme aber ebenfalls mit der Temperatur steigen, ist der Thyristor
irgendwann nicht mehr stabil. Auch die maximale Betriebstemperatur kann mit Gate-
Kathoden-Kurzschlüssen erhöht werden.

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Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 79

4.5.2.2 Ablauf

Ist die Zündbedingung an einer Stelle des Thyristors erreicht, so steigt der Strom dort (und
zunächst nur dort!) sehr stark an. Von beiden Endgebieten werden Elektronen bzw. Löcher in
die beiden mittleren Zonen injiziert. Das geht soweit, dass sich zunächst im Mittelgebiet und
bei höheren Stromdichten auch in der Gate-Zone ein Elektron-Loch-Plasma ausbildet, dessen
Konzentration höher als die Dotierungskonzentration ist. Der gezündete Thyristor ent-
spricht damit genau einer pin-Diode im Durchlass: Auf jeder Seite ein hochdotiertes
Gebiet und dazwischen Plasma. Folgerichtig zeigt der gezündete Thyristor dieselbe in
Abschnitt 4.1.2 hergeleitete Durchlasskennlinie wie die pin-Diode und begrenzt auch in
keiner Weise den Strom. Dass das Zwei-Transistor-Ersatzschaltbild in dieser Situation seine
Gültigkeit verloren hat, ist sofort klar.

Bild 4.20: Thyristor-Scheiben mit verschiedenen Gate-Strukturen, von Zentral-Gate


(unten links) bis hin zu stark verzweigten Gate-Strukturen (oben links).

Bild 4.21: Thyristor-Scheibe mit Involute-Gate (→Wikipedia). Bei dieser Geometrie


(dt. Kreisevolvente) ist der Abstand zwischen zwei Gate-Fingern und damit
die maximale Strecke, die durch die Zündausbreitung zurückgelegt
werden muss, über die gesamte Scheibe konstant.

Die Zündung des Thyristors findet in jedem Fall zunächst nur lokal statt. Beim
lichtgezündeten Thyristor ist das die Einstrahlstelle, beim elektrisch gezündeten Thyristor der

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Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 80

Bereich in dem der Gate-Strom eingeprägt wird. Von dort aus werden erst nach und nach die
benachbarten Regionen des Thyristors gezündet. Es findet eine Zündausbreitung statt, die
nur mit einigen 10 µm/µs abläuft und so bis zur vollständigen Zündung des Thyristors viele
100 µs dauern kann (NB: Gate-Kathoden-Kurzschlüsse verlangsamen diesen Prozess noch!)
Problematisch wird dieser Ablauf, wenn der durch die äußere Schaltung vorgegebene
Stromanstieg (di/dt) schneller ist als die Zündausbreitung. Die Stromdichte in den bereits
gezündeten Bereichen wird dann so groß, dass es zur Zerstörung des Thyristors kommt. Um
das zu vermeiden, muss man einerseits die Stromanstiegsgeschwindigkeit begrenzen und
andererseits sofort eine möglichst große Fläche zünden. Man benutzt dazu (fein) verteilte
Gate-Strukturen. Beispiele solcher Gate-Strukturen zeigt Bild 4.20. Zur Deckung des
entsprechend höheren Gate-Strombedarf verwendet man dann eine Hilfsstruktur, das
amplifying gate.

4.5.3 Löschung (Ausschalten)

Der große Nachteil des einfachen Thyristors ist die fehlende Abschaltfähigkeit. Wenn der
Thyristor einmal gezündet ist, dann ist er wie eine pin-Diode mit Plasma geflutet. Bevor der
Thyristor wieder sperren kann, muss dieses Plasma beseitig werden.
Eine Möglichkeit ist die Rekombination des Plasmas abzuwarten, bevor wieder Spannung
angelegt wird. Das dauert einerseits sehr lange und andererseits muss der Thyristor die ganze
Zeit stromfrei sein.
Die andere Möglichkeit ist das aktive Ausräumen durch Umpolen der Spannung. Im Grunde
finden dabei sehr ähnliche Abläufe wie beim Ausräumen der pin-Diode statt. Konkret fließt
zunächst das Plasma in Form einer Rückstromspitze aus dem Thyristor und erst dann sperrt
er die negative (Abschalt-) Spannung. Bevor er schließlich wieder die positive Spannung
sperren kann, muss das Plasma durch Rekombination auf einen sehr kleinen Rest reduziert
werden. Hält man diese Freiwerdezeit tq nicht ein, ergibt sich durch das Restplasma beim
Wiederanlegen der positiven Spannung ein Ausräumstrom, der wie ein Gate-Strom wirkt und
zum sofortigen Wiederzünden des Thyristors führt.
Die Freiwerdezeit macht den Thyristor in der Anwendung sehr langsam und für die
Umpolung ist eine aufwändige äußere Beschaltung mit einem Hilfsthyristor notwendig. Das
hat schließlich dazu geführt, dass der Thyristor aus Anwendungen, die ein aktives Abschalten
erfordern, vollständig verdrängt wurde. Er hält sich aber noch in Anwendungen, bei denen
eine Strom- bzw. Spannungsumkehr ohnehin auftritt.
Eine Variante des Thyristors, der aus zwei monolithisch integrierten antiparallelen
Thyristoren bestehende TRIAC, hat sich außerdem in vielen low power, low cost
Anwendungen erhalten.

4.6 GTO-Thyristor
Quasi von der Erfindung des Thyristors an wurde versucht, abschaltfähige Varianten zu
konstruieren. Mit Versuchen, wie dem gate assisted turn-off thyristor (GATT), konnte aber
bestenfalls der (Be-) Schaltungsaufwand reduziert werden. Eine echte Abschaltfähigkeit
besaßen diese Bauelemente nicht. Der gate turn-off (GTO) thyristor war dann der erste
brauchbare und daher auch kommerziell erfolgreiche Versuch, den Thyristor abschaltbar zu
machen.
GTOs wurden zum Beispiel für die Antriebsumrichter der ersten ICE-Generationen und für
die Lokomotiven der Baureihen 101 (IC), 145/146 (RB und RE) und 152 (schwere
Güterzüge) verwendet. Ebenso kommt er bei den dieselelektrischen Güterzuglokomotiven
vom GE-Typ AC4400CW (AC-Ausführung der dash9) und z.B. auch bei off-highway

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Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 81

vehicles (Grubenfahrzeugen) zum Einsatz. In den 90er Jahren erreichte der GTO mit diesen
Traktionsanwendungen ein erhebliches Marktvolumen.
Inzwischen werden Neukonstruktionen aber aufgrund besserer Lösungen mit IGBTs oder
IGCTs nicht mehr mit GTOs ausgerüstet. Daher soll der GTO nachfolgend nur kurz behandelt
werden. Für weitergehende Informationen sei wieder auf die Literatur verwiesen.

Bild 4.22: GTO-Scheibe, rechts die Kathoden-Finger und der Gate-Kontakt im Detail

4.6.1 Löschung (Ausschalten)

Theoretisch ist jeder Thyristor abschaltbar. Es muss nur die eingerastete Rückkopplung
zwischen Elektronen- und Löcherinjektion aufgehoben werden. Die Plasmaüber-
schwemmung würde dann von alleine zusammenbrechen und der Thyristor könnte wieder
Sperrspannung aufnehmen. Um das zu erreichen, muss jedoch ein ausreichend großer Teil des
Stroms über das Gate, und damit nicht mehr über die injizierenden pn-Übergänge, abgeführt
werden. Beim GTO sind das bis zu einem Drittel des Gesamtstroms! Es ist also eine
entsprechend starke und damit auch teure Gate-Ansteuerung notwendig.
Damit ist es aber noch nicht getan. Ein „normaler“ Thyristor würde in dieser Situation nur
lokalisieren, also den stromführenden Bereich verkleinern, und dort dann durch Überlast
zerstört werden. Der entscheidende Unterschied des GTO zum normalen Thyristor sind die
nur etwa 200 µm breiten Kathoden-Finger. Ein großer GTO besteht im Grunde aus
mehreren tausend einzelnen kleinen Thyristoren, die alle parallel geschaltet sind (Bild 4.22).
Jeder dieser Thyristorstreifen ist so schmal, dass er kaum noch lokalisieren kann, sondern
jeweils abschaltet. Problematisch ist bei den großen Flächen dann eher das ungleichmäßige
Abschalten der einzelnen Thyristorstreifen, also wieder eine Form der Lokalisierung.

4.6.2 Entlastungsnetzwerke (Snubber)

Das Abschalten des GTO ist also in jedem Fall heikel und ohne zusätzliche Entlastungs-
netzwerke (engl. snubber) kaum möglich. Dabei kommt neben der Ausschaltentlastung durch
eine RCD-Beschaltung im Allgemeinen noch eine Einschaltentlastung kombiniert mit einer
Überspannungsbegrenzung zum Einsatz. Bild 4.23 zeigt die Gesamtanordnung.

Steigt beim Abschalten die Spannung über dem GTO an, so öffnet die Diode der
Ausschaltentlastung (engl. turn-on bzw. du/dt-snubber) und der Kondensator wird geladen.
Durch den Ladestrom wird der Anodenstrom des GTO deutlich reduziert. Anders als es beim
Schalten mit induktiver Last sonst der Fall wäre (vergl. Abschnitt 3.2.1.2), muss der GTO
aufgrund der Ausschaltentlastung nicht gleichzeitig die volle Spannung und den vollen
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Strom ertragen. Die Ausschaltentlastung schützt den GTO außerdem vor zu großen
(induktiven) Überspannungen. Nach dem Abschaltvorgang wird die snubber-Kapazität dann
über den Widerstand wieder auf die Quellenspannung U0 entladen bzw. nach dem Einschalt-
vorgang auf die Durchlassspannung des GTO und ist bereit für den nächsten Schaltvorgang.

di/dt-snubber
du/dt-snubber
Li

GTO
U0
clamp
DF LL

Bild 4.23: Einfacher Gleichstromsteller mit GTO-Thyristor als Schalter sowie


Ausschaltentlastung (turn-off bzw. du/dt-snubber), Einschaltentlastung
(turn-on bzw. di/dt-snubber) und Überspannungsbegrenzung (clamp)

Die Einschaltentlastung (engl. turn-on bzw. di/dt-snubber) ist für die Freilaufdiode wichtiger
als für den GTO. Tatsächlich ist der GTO ein sehr schneller Einschalter. Durch seine feine
Struktur kann der GTO mit Hilfe von ausreichend Gate-Strom praktisch sofort flächen-
deckend gezündet werden. Der GTO ist dadurch beim Einschalten kaum zerstörbar und wird
sogar für Pulsstromanwendungen (die keine Abschaltfähigkeit erfordern) wie z.B. Radar
eingesetzt. Durch das schnelle Einschalten bricht die Spannung über dem GTO sehr schnell
zusammen und der Stromanstieg durch den GTO bzw. der Stromabfall durch die Diode
wird nur durch die Induktivität Li (di/dt-Drossel) begrenzt. Ohne diese Begrenzung würde die
Diode sicher überlastet.
Problematisch ist die Induktivität dann allerdings beim Ausschalten. Damit sich die
gespeicherte Energie nicht als Überspannung am Schalter bemerkbar macht bzw. den du/dt-
snubber überlastet, wird der Strom der Induktivität durch eine Diode und einen Widerstand
„kurzgeschlossen“ bzw. in eine Kapazität umgeleitet. Die Kapazität hat zusätzlich die Auf-
gabe, die Spannung über dem GTO zu begrenzen, ergänzt damit also die Ausschaltentlas-
tung. Nach dem Abschaltvorgang wird die Kapazität dann wieder über den Widerstand bis
auf die Quellenspannung U0 entladen.

Da sich die Funktionen der Entlastungsnetzwerke überlappen bzw. ergänzen, ist es nicht
verwunderlich, dass man dieselbe Funktion auch mit ausgeklügelten, vereinfachten Schal-
tungen wie dem Undeland snubber erzielen kann. Darüber hinaus gibt es noch Varianten, die
einen Teil der Energie nicht in den Widerständen in Wärme umsetzen, sondern beim nächsten
Schaltvorgang zurückspeisen bzw. wiederverwenden. Da diese Schaltungen den Rahmen aber
bei weitem sprengen würden und der GTO zudem heute nicht mehr für Neukonstruktionen
verwendet wird, sei wieder auf die Literatur verwiesen.

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Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 83

4.7 IGCT
Neben dem GTO gab es eine Reihe anderer Entwicklungsrichtungen auf dem Weg zum
abschaltbaren Thyristor. Eine davon war die Kaskode oder besser die Verschaltung eines
Thyristors und eines abschaltbaren Bauelements in Kaskode-Anordnung.

A A

G G

a) K b) K

Bild 4.24: GTO-Kaskode, a) als Prinzipschaltbild mit Z-Diode im Gate-Kreis,


b) realisiert mit n- und p-Kanal MOSFETs

4.7.1 Kaskode

Bild 4.24 zeigt die Kaskode-Anordnung eines hochsperrenden Thyristors und eines zwar
niedersperrenden, aber abschaltbaren Bauelements. Der Hauptstrom fließt bei dieser
Anordnung über beide Bauelemente, wodurch die Kaskode einen Serienschaltungs-
charakter besitzt. Schaltet man den niedersperrenden Schalter ab, so wird der Hauptstrom-
pfad unterbrochen und der niedersperrende Schalter nimmt Spannung auf. Diese Spannung
gibt dann den Gate-Kreis frei und treibt den Hauptstrom über das Gate aus dem Thyristor. In
diesem Moment fließt kein Strom mehr über den Gate-Kathoden-Übergang des Thyristors
und ruft daher auch keine Injektion mehr hervor. Die Rückkopplung ist so auf jeden Fall
aufgehoben, wodurch der Thyristor letztlich abschaltet. Der Gate-Kreis und vor allem auch
die Gate-Zone im Halbleiter muss dazu aber den Gesamtstrom verkraften können.
Deshalb muss das Gate wie beim GTO feinstrukturiert sein. Es ist also notwendigerweise eine
GTO-Kaskode und ging auch unter diesem Namen in die Literatur ein.
In Bild 4.24b ist eine Realisierung der GTO-Kaskode mit MOSEFTs zu sehen. Der n-Kanal
MOSFET öffnet bei negativer Gate-Spannung den Hauptstrompfad, während der p-Kanal
MOSFET dann den Gate-Kreis freigibt. Für das Zünden des Thyristors ist wieder positive
Gate-Spannung an die MOSFETs anzulegen und ein Zündpuls an den Thyristor.

Das Problem der Kaskode ist der erhebliche Zusatzaufwand, den die MOSFETs mit sich
bringen. Zum einen sind es die reinen Zusatzkosten für diese Bauelemente, die immerhin den
gesamten Laststrom plus etwaigen Überstrom verkraften müssen. Zum anderen ist es die
Aufbau und Verbindungstechnik, die einen induktionsarmen Gate- und Kathoden-Kreis
sicherstellen muss. Experimente, die MOSFETs in das Druckkontaktgehäuse des GTO zu
integrieren, waren in dieser Hinsicht vielversprechend, aber aufgrund von Problemen mit der
Kühlung und der Lastwechselfestigkeit letztlich doch nicht erfolgreich. Hinzu kommt dann
noch der zusätzliche Spannungsabfall durch die MOSFETs. Da diese nur wenige 10 V
sperren müssen, ist ihr Widerstand verhältnismäßig gering, aber aufgrund der sehr begrenzten
Fläche doch nicht unerheblich und insofern ein Nachteil.

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Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 84

4.7.2 GCT

Zum Glück fand sich eine Lösung die diese Nachteile gar nicht oder viel weniger ausgeprägt
hatte: Der zunächst als hard driven GTO bezeichnete gate commutated thyristor (GCT).
Wie der Name bereits andeutet, behält der GCT das wesentliche Merkmal der Kaskode bei,
nämlich den gesamten Hauptstrom zumindest zeitweise über das Gate umzuleiten. Der GCT
muss dazu natürlich ebenfalls feinstrukturiert sein. Wie bei der Kaskode fließt dann kein
Strom mehr über den Gate-Kathoden-Übergang und ruft keine Injektion mehr hervor. Die
Rückkopplung ist so auf jeden Fall aufgehoben und der GCT in diesem Moment eigentlich
gar kein Thyristor mehr! Der GCT schaltet dann nicht nur ab, sondern tut dies auch ohne
die heiklen Stromumverteilungen bzw. Lokalisierungen, die den Schaltvorgang des GTO so
prekär machten. Folglich benötigt der GCT keine Ausschaltentlastung mehr. Die Ein-
schaltentlastung dagegen ist wegen der Diode weiterhin nötig.

G A

UG

LG→0 RG→0 K

Bild 4.25: GCT mit Details des Gate-Kreises

Diese Vorteile des GCT haben aber auch ihren Preis. Anders als bei der GTO-Kaskode wird
hier nicht der Hauptstrompfad unterbrochen, um den Hauptstrom in den Gate-Kreis
umzulenken. Vielmehr wird mit Hilfe einer Spannungsquelle der Gate-Strom so groß
gemacht, dass kein Kathoden-Strom mehr übrig bleibt. Bild 4.25 zeigt die dazu notwendige
Schaltung.
Zum einen sind also auch hier genügend viele niedersperrende MOSFETs nötig, um den
Hauptstrom zumindest kurzfristig tragen zu können. Und zum anderen wird eine in der
Realität recht große Kondensatorbank gebraucht, um ausreichend lange die Gate-Spannung
aufrecht halten zu können. Darüber hinaus zeigt das Bild aber noch zwei weitere
Voraussetzungen für das Funktionieren des GCT, die in der Praxis weitreichende Konsequen-
zen haben: Sowohl der Widerstand als auch die Induktivität im Gate-Kreis müssen sehr
klein sein. Diese Forderung ergibt sich aus der Notwendigkeit, den Hauptstrom in weniger als
1 µs in den Gate-Kreis zu kommutieren. Würde es länger dauern, käme es doch wieder zu
Stromumverteilungen und das Risiko einer Zerstörung wäre hoch. Bei einer Gate-Spannung
von 20 V darf die Gate-Kreisinduktivität eines 4 kA GCT deshalb nur 5 nH betragen und das
auch nur für den Idealfall ohne Ohmschen Widerstand. Das Gehäuse des IGCT und die Gate-
Einheit müssen also extrem induktions- und widerstandsarm aufgebaut sein. Im Allgemeinen
sind beide sogar direkt zusammen montiert, weshalb man vom integrated GCT also IGCT
spricht (Bild 4.26). Der Halbleiter an sich ist sonst praktisch identisch zum GTO.

Die Thyristor-Entwicklung ist mit dem IGCT an einem Endpunkt angelangt. Der GCT ist
ein echter Thyristor mit der niedrigen Durchlassspannung der völlig plasmaüberschwemmten
Bauelemente. Er ist ohne Einschränkungen zu beliebigen Zeitpunkten abschaltbar und braucht
dafür auch keine in Serie geschalteten Bauelemente (zusätzlicher Spannungsabfall). Es ist
deshalb fraglich, welche grundsätzlichen Verbesserungen noch mit Thyristor-Bauelementen
erzielbar sind, wenn man von einem Wechsel des Halbleitermaterials absieht.

Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I, Version 2.0, Oktober 2009


Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 85

Kondensatorbank

Bild 4.26: IGCT. Im Vordergrund die Halbleiterscheibe im Druckkontaktgehäuse, im


Hintergrund die Gate-Ansteuereinheit mit der Kondensatorbank. Die
Ansteuer-MOSFETs sind hier nicht sichtbar auf der Unterseite montiert.

Monolithisch integrierte Varianten wie der MOS controlled thyristor (MCT) haben bisher
jedenfalls keine Verbesserung erbracht, da sie entweder sehr kritische parasitäre
Komponenten aufwiesen, wieder die GTO-typischen Instabilitäten zeigten, oder aus einer
Serienschaltung mit entsprechend höheren Durchlassspannungen bestanden. Hinzu kam dann
jeweils noch die erheblich aufwändigere Technologie mit den entsprechend höheren Kosten.

4.8 MOSFET
Historisch gesehen war der metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET)
sogar der erste Transistor. Bereits in den 20er und 30er Jahren wurde seine Funktion
beschrieben und patentiert. Leider konnte der MOSFET zu diesem Zeitpunkt aus techno-
logischen Gründen noch nicht realisiert werden und so wurden die ersten Bauelemente erst
1960 gefertigt. Bis zum Einsatz als Leistungsbauelement dauerte es dann allerdings noch
einmal fast 20 Jahre. Inzwischen hat sich der Leistungs-MOSFET fest etabliert und beherrscht
die Anwendungen bis einige 100 V Sperrfähigkeit. Aufgrund seiner klaren Vorteile hat er den
Bipolartransistor dort völlig verdrängt.

Bild 4.27 zeigt links den einfachen MOSFET, so wie er aus der Grundlagenvorlesung bekannt
ist und für Logikschaltungen verwendet wird. Die Struktur besteht aus einem mit Source
verbundenen p-Grundmaterial in dem sich zwei hochdotierte n+-Zonen befinden. Zwischen
diesen beiden Zonen, Source und Drain, bildet sich ein Elektronenkanal, wenn am Gate ein
gegenüber Source (ausreichend) positives Potential anliegt und die Bänder im Halbleiter so
stark verbiegt, dass Inversion auftritt. Die Gate-Source-Spannung, bei der sich dieser Elek-
tronenkanal gerade bildet, ist die Schwellenspannung UT (engl. threshold voltage). Source
und Drain sind durch den Elektronenkanal dann leitfähig verbunden und der MOSFET zeigt
bei nicht zu großer Drain-Source-Spannung ein Ohmsches Verhalten und zwar für beide
Polaritäten der Drain-Source-Spannung (vergleiche dazu den Synchrongleichrichter in
Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I, Version 2.0, Oktober 2009
Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 86

Abschnitt 4.3)! In Kennlinienfeld (Bild 4.27 rechts) ist das der lineare Bereich, wobei der
Widerstand von der Höhe der Gate-Source-Spannung abhängt.

ID
Sättigung
UDS
UGS
UGS > UT
S G D
n+ n+ UDS
p UGS < UT

Bild 4.27: Struktur des einfachen MOSFET mit Spannungen sowie Kennlinienfeld

Durch die Verbindung des Grundmaterials (engl. bulk) mit Source liegt zwischen den äußeren
Gate- und Drain-Anschlüssen nur ein pn-Übergang. Folglich verhält sich der MOSFET ohne
den Elektronenkanal (UGS < UT) wie eine Diode. Man spricht auch von der Inversdiode, da
sie bei negativer Drain-Source-Spannung in Durchlass gepolt ist. In Vorwärtsrichtung des
MOSFET sperrt diese Diode, so dass ohne den Elektronenkanal kein Strom fließt.

Besteht nun ein Kanal und wird die Drain-Source-Spannung deutlich erhöht, so verändert sich
das Verhalten des MOSFET. In Rückwärtsrichtung geht die lineare Kennlinie dann in die
Diodenkennlinie über. In Vorwärtsrichtung beginnt der MOSFET dagegen zu sättigen, was
nichts anderes bedeutet, als dass der Strom kaum noch ansteigt. Leider wurde die Sättigung
hier anders definiert als beim Bipolartransistor, was schon zu vielen Missverständnissen
geführt hat! Wie beim Bipolartransistor ergibt sich jedenfalls eine Strombegrenzung, die
wieder für Schutzmaßnahmen verwendet werden kann.
Der physikalische Hintergrund für die Sättigung ist dabei der Ohmsche Spannungsabfall
entlang des Inversionskanals und damit das sich ändernde Potential. Während am
Kanalanfang noch die volle Gate-Source-Spannung zur Kanalbildung zur Verfügung steht,
wird diese Spannung durch den Spannungsabfall entlang des Kanals immer kleiner und reicht
irgendwann nicht mehr aus, um einen Inversionskanal zu bilden. Von diesem Punkt an fließt
der Strom dann nicht mehr durch einen Kanal, sondern wird durch eine Raumladungszone
abgesaugt, und dabei kommt es dann kaum noch auf die Spannung an, die diese
Raumladungszone verursacht (NB: In Anlehnung an den Early-Effekt beim Bipolartransistor
nennt man diesen leichten Stromanstieg nun Late-Effekt).

Leider stimmt das nur bedingt. Die Dotierung des p-Materials ist im Wesentlichen durch die
Schwellenspannung (und die Oxiddicke) definiert und die n+-Drain-Zone muss allein schon
für einen guten Ohmschen Kontakt hochdotiert sein. Die Durchbruchspannung des pn-Über-
gangs ist dementsprechend gering. Außerdem hätte die Raumladungszone auch gar keinen
Raum sich auszudehnen, da dafür nur die Kanalzone in Frage käme (siehe Bild 4.28).
Schließlich besitzt das sehr dünne Gate-Oxid eine geringe Durchschlagfestigkeit und ist im
Bereich der Drain-Zone fast der vollen Drain-Source-Spannung ausgesetzt. Das Konzept des
einfachen MOSFET taugt also nicht für Leistungstransistoren mit entsprechenden Sperr-
spannungsanforderungen.

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Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 87

S G D
n+ n+
p

Bild 4.28: Einfacher MOSFET bei hoher anliegender Sperrspannung

4.8.1 Grundstruktur

Um größere Spannungen aufnehmen zu können, ist wie bei allen bisher behandelten
Bauelementen eine entsprechend lange und niedrigdotierte Zone notwendig. Dieses Gebiet
wird beim MOSFET nun zwischen die Kanalzone und das Drain-Gebiet eingefügt und besitzt
denselben Leitfähigkeitstyp wie das Drain-Gebiet. Bild 4.29 zeigt die Struktur für einen
lateralen Leistungs-MOSFET. Die Raumladungszone dehnt sich kaum noch in die Kanalzone,
sondern vor allem in die zusätzliche niedrigdotiert Zone aus (Bild 4.29a). Auch das Gate ist
so vor den hohen Drain-Source-Spannungen geschützt.

S G D S G D
p+ p+ p -
RLZ n- n+ n+ n- n+
a) b)

Bild 4.29: Struktur des lateralen Leistungs-MOSFET, a) im Sperrfall, b) im Durchlass

Aufgrund der Hauptstromflussrichtung und des Herstellungsverfahrens wird dieser Typ


LDMOSFET (lateral double diffused MOSFET) genannt. Er kann nun zwar viel höhere
Spannungen sperren und wird so auch für Leistungs-IC bzw. monolithisch integrierte Logik-
Leistungs-Schaltungen (engl. smart power, bzw. für Treiberschaltungen) verwendet, aber die
niedrigdotierte Zone beansprucht bei hoch sperrenden Bauelementen sehr viel Platz und
bildet einen großen zusätzlichen Widerstand. Tatsächlich verteilt sich der Elektronenstrom
sogar ein bisschen, nachdem er aus dem Kanalgebiet in die n--Zone geflossen ist (Bild 4.29b),
aber der an der Stromleitung beteiligte Querschnitt bleibt doch sehr klein und der Widerstand
entsprechend hoch. Außerdem ist die Isolation der vollen Sperrspannung entlang der
Oberfläche technologisch sehr heikel.

MOSFETs für hohe Spannungen und große Ströme werden deshalb als vertikale Bauele-
mente ausgeführt. Die Struktur zeigt Bild 4.30a. Bei diesen VDMOSFETs befindet sich der
Drain-Anschluss auf der Bauelementunterseite und die n--Zone liegt zwischen der Oberseite
mit dem Kanalgebiet und der Unterseite. Der Elektronenstrom fließt zunächst lateral durch
den Kanal und knickt dann in die Vertikale ab. Zwei Halbzellen, die kleinsten Symmetrieein-
heiten des vertikalen DMOS, ergeben zusammen einen T-förmigen Stromfluss (Bild 4.30a).
Da zwischen den einzelnen Zellen kein Potentialunterschied existiert, können die Zellen viel
enger zusammengelegt werden als beim LDMOSFET. Dadurch besitzt der vertikale
MOSFET viel mehr Kanal pro Fläche, was zu einem deutlich geringeren Kanalwiderstand
führt. Für den Kanalwiderstand wäre es deshalb sogar gut, die Zellen so eng wie möglich
zusammenzulegen. Das hätte dann aber den Nachteil, dass der Strom in der n--Zone durch die
Raumladungszonen der p-Gebiete entsprechend stärker eingeschnürt wird (siehe Bild 4.30b).
Weil dieses Verhalten dem Wirkprinzip des JFET entspricht, spricht man auch vom JFET-

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Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 88

Effekt. Die Folge wäre ein erhöhter Serienwiderstand, der den Vorteil des geringeren
Kanalwiderstands erst reduziert, dann aufhebt und schließlich sogar überkompensiert, also zu
einer Verschlechterung führt. Es geht für den Entwickler also wieder einmal darum ein
Optimum zu finden. Dazu wird übrigens auch die dritte Dimension herangezogen, indem man
Streifen-, Zellen, oder sogar Wabenstrukturen (HEXFET® von IR) verwendet.

Halbzelle S
S G G
p p
- RLZ -
n- n+
n-
n+ n+

D D
a) b)

Bild 4.30: Grundstruktur des vertikalen Leistungs-MOSFET, a) mit Andeutung der


Halbzelle und des Stromflusses, b) mit der Stromeinschnürung durch die
Raumladungszonen (JFET-Effekt)

S S
G G
p p+

n- n+
n-
n+ n+

D D
a) b)
Bild 4.31: a) Ansteuerung des parasitären Bipolartransistors durch Ladungstrennung
in der Raumladungszone, b) Abhilfe durch eine hochdotierte p-Zone:
Typische Struktur eines vertikalen Leistungs-MOSFET

Neben solchen Optimierungsfragen muss der Entwickler aber auch noch andere Effekte
berücksichtigen und – im konkreten Fall – Gegenmaßnahmen ergreifen. Die Rede ist vom
parasitären Bipolartransistor. Wie Bild 4.31a zeigt, besitzt der MOSFET aufgrund seiner
npn-Zonenfolge immer auch einen Bipolartransistor. Zwar ist die Basis dieses Transistors mit
seinem Emitter kurzgeschlossen (Source-Kontakt zum p-Gebiet), aber Löcher, die von der
Raumladungszone kommend zum Source-Anschluss fließen wollen, müssen eine lange
Strecke unterhalb der n+-Source zurücklegen und verursachen dort einen Spannungsabfall.
Das kann bei schnellen Transienten dazu führen, dass der Bipolartransistor angesteuert wird,
also injiziert, und dadurch der MOSFET zerstört wird. Die n+-Source muss deshalb so kurz
wie möglich sein und die Dotierung der p-Zone so hoch wie möglich. Da das aber die
Schwellenspannung des MOSFET zu stark heraufsetzen würde, bleibt nur der Ausweg einer
zusätzlichen und damit teuren p+-Zone, um den Widerstand unter der n+-Source zu
reduzieren, ohne den Kanal zu beeinflussen. Bild 4.31b zeigt die typische Struktur des
vertikalen Leistungs-MOSFET mit dieser Zone.

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Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 89

Das fast immer aus Polysilizium bestehende Gate wird bei dieser Struktur nicht in jeder Zelle
kontaktiert, sondern nur irgendwo am Rand. Dazu muss das Polysilizium hoch leitfähig sein,
was durch Dotierung erreicht wird.

4.8.2 Durchlasswiderstand

Wie Bild 4.27 rechts zeigt, verhält sich der MOSFET im Durchlasszustand wie ein
Widerstand, wobei sich der Wert des Durchlasswiderstands mit Hilfe der Gate-Source-
Spannung variieren lässt. Tatsächlich variiert dabei aber nur der Kanalwiderstand, während
sich der Gesamtwiderstand des MOSFET aus zahlreichen weiteren Anteilen zusammensetzt.
Bild 4.32 zeigt schematisch die einzelnen Komponenten.

RMetall
RSource
RKanal
RAkku
S

RJFET
RDrift

RDrain
D
Bild 4.32: Komponenten des Durchlasswiderstands eines vertikalen MOSFET

Je nach Auslegung des MOSFET (vergleiche Optimierung des Zellenabstands) tragen die
einzelnen Komponenten unterschiedlich viel zum Gesamtwiderstand bei. Die geforderte
Sperrfähigkeit ist dabei der entscheidende Faktor. Tabelle 4.1 zeigt den Anteil der Einzel-
komponenten für zwei Sperrfähigkeiten.

Tabelle 4.1: Anteil der Einzelkomponenten des Durchlasswiderstands von zwei


vertikalen MOSFETs unterschiedlicher Sperrfähigkeit

Komponente UBR = 30V UBR = 600V


RMetall 7% 0,5%
RSource 6% 0,5%
RKanal 28% 1,5%
RAkku+RJFET 23% 0,5%
RDrift 29% 96,5%
RDrain 7% 0,5%

Offenbar bestimmt bei hoher Sperrfähigkeit der Widerstand RDrift der Driftzone, also des
n--Gebiets, den Gesamtwiderstand. Das ist nicht weiter verwunderlich, da er wiederum den
Zwängen bei der Auslegung eines unipolaren Bauelements unterliegt und dementsprechend
wie das Mittelgebiet der Schottky-Diode Gleichung (4.33) gehorcht:

rDrift ≈ 5,75 ⋅ 10 −9 ⋅ U BR
2,5
(4.41)

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Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 90

wobei der Kleinbuchstabe andeutet, dass es sich um den flächenbezogenen Widerstand


handelt. Bei näherem Hinsehen, stellt man fest, dass Gleichung (4.41) die Verhältnisse von
Tabelle 4.1 nicht exakt wiedergibt. Das liegt vor allem an zweidimensionalen Effekten wie
der Stromspreizung (engl. current spreading), die mit zunehmender Driftzonenlänge besser
wird, und so den Driftzonenwiderstand weniger schnell ansteigen lassen. Insgesamt steigt der
Driftzonenwiderstand aber immer noch extrem mit der Sperrfähigkeit und wie bei den
Schottky-Dioden so ist auch bei den MOSFETs gemäß Bild 4.31b ein Einsatz nur bis zu
wenigen 100V Sperrfähigkeit sinnvoll. Eine grundlegende Verbesserung konnte erst durch
den Einsatz der Superjunction-Technologie erzielt werden, die in Abschnitt 4.8.2.2 behandelt
wird.

Bei niedrigsperrenden MOSFETs hat die Driftzone immer noch einen deutlichen Einfluss,
doch sind hier der Kanal und die daran anschließende Akkumulationsschicht (NB:
Unterhalb des Gates im n--Gebiet kommt es nicht zur Inversion, sondern zur Akkumulation,
weil der Leitfähigkeitstyp sich nicht ändert) sowie der JFET-Bereich die bestimmenden
Faktoren. Eine Verbesserung muss vor allem hier angreifen. Genau das tut die im folgenden
Abschnitt behandelte Trench-Technologie.

4.8.2.1 Trench-MOSFET

Die Trench-Technologie ist im Grunde die konsequente Weiterführung der Grundidee, die
zum vertikalen MOSFET geführt hatte. Jetzt wird nicht nur die Driftzone in die Vertikale
geklappt, sondern zusätzlich wird auch noch der Kanal vertikal. Bild 4.33a zeigt die Struktur
eines Trench-MOSFET. Der Stromfluss ist abgesehen von den n+-Gebieten und einer leichten
Stromspreizung rein vertikal. Mit der Trench-Struktur lässt sich noch mehr Kanal pro
Fläche erzielen und die Stromeinschnürung durch den JFET-Effekt existiert praktisch
nicht mehr. Zusätzlich hilft die Akkumulationsschicht bei der Stromspreizung und der
parasitäre Bipolartransistor ist aufgrund der Abmessungen vernachlässigbar. Andererseits ist
die Trench-Technologie erheblich aufwändiger, also teurer. Dennoch sind heute fast alle
niedersperrenden MOSFETs auch Trench-MOSFETs.
G S G
G S S

p p+
n+ -
n+ - - p p n
n-

n+ n+

D D
a) b)

Bild 4.33: a) Trench-MOSFET, b) Superjunction-MOSFET

4.8.2.2 Superjunction-MOSFET

Gemäß Tabelle 4.1 bestimmt bei den hochsperrenden MOSFETs die Driftzone praktisch
allein den Durchlasswiderstand. Es macht also keinen Sinn, großen Aufwand in die
Kanalzone zu investieren. Der Gewinn wäre marginal und so kommt die Trench-Technologie
hier nicht zum Einsatz.
Es muss vielmehr eine Möglichkeit gefunden werden, den bei unipolaren Bauelementen
durch Gleichung (4.41) gegebenen Zusammenhang von Sperrfähigkeit und Durchlasswider-
Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I, Version 2.0, Oktober 2009
Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 91

stand aufzulösen. Die Überschwemmung mit Plasma analog zur pin-Diode war die erste
Lösung dieser Aufgabe und führte in der 80er Jahren zum IGBT, der später in Abschnitt 4.10
separat behandelt wird.

Erst gegen Ende der 90er Jahre kam dann noch eine zweite Lösung hinzu, die zudem die
Unipolarität des MOSFET beibehielt. Diese von Infineon unter dem Handelsnamen
CoolMOS® eingeführte Technologie war so überzeugend, dass sie innerhalb weniger Jahre
von allen Herstellern übernommen wurde und inzwischen unter dem neutraleren Namen
Superjunction bekannt ist. Bild 4.33b zeigt die Struktur eines Superjunction-MOSFET mit
herkömmlicher Gate-Technologie. Anders als bei den bisher behandelten unipolaren
Bauelementen ist hier die Driftzone nicht mehr homogen dotiert, sondern besteht vielmehr
aus alternierenden p- und n-Säulen. Die Auslegung dieser Säulen ist nun entscheidend für
die Funktion der Superjunction. Es sind drei Kriterien zu erfüllen:
• In den n-Säulen müssen in horizontaler Richtung quasi eindimensionale Verhältnisse
herrschen. Dazu muss (in erster Näherung) die Länger der n-Säule größer sein als ihre
Breite.
• Die p- und n-Dotierungen müssen sich kompensieren. Würde man in lateraler Richtung
die Nettodotierung (p-n) zwischen der Mitte einer p-Säule und der Mitte der
angrenzenden n-Säule aufintegrieren, so wäre das Resultat null.
• Insgesamt darf die Dotierung nicht zu hoch sein, sonst brechen die pn-Übergänge
zwischen den Säulen schon bei sehr kleinen Spannungen durch.

y
E

x
E
G S G G S G
S S

p n p n p n p n

n+ n+

D D
a) b)

Bild 4.34: Feldstärke und Raumladungszonen beim gesperrten Superjunction-


MOSFET, a) bei mittlerer Spannung, b) bei hoher Spannung

Das Funktionsprinzip der Superjunction zeigt Bild 4.34. Bei steigender Spannung dehnen sich
die Raumladungszonen vor allem in laterale Richtung in die p- und n-Säulen aus. Der laterale
Feldverlauf ist ein Zickzack mit Unterbrechungen (Bild 4.34a). Bei weiter steigender
Spannung laufen die Raumladungszonen aufeinander auf. In lateraler Richtung kann dann
keine weitere Spannung aufgenommen werden, da im gesamten Mittelgebiet keine weiteren
Ladungen mehr zur Verfügung stehen. Diese gibt es erst wieder in den p+- und n+-Gebieten,

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Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 92

wodurch sich Verhältnisse fast wie in einem Plattenkondensator bzw. einer echten pin-Diode
(gemäß Bild 4.3c) ergeben. In vertikaler Richtung bedeutet das ein nahezu konstantes Feld,
das mit der angelegten Spannung steigt (Bild 4.34b).

Im Durchlass führt nur die n-Säule Strom (Bild 4.33b). Es kommt also zu einer Reduktion des
stromführenden Querschnitts. Dafür kann die n-Säule aber (unter Einhaltung der drei Krite-
rien) erheblich höher dotiert sein, als im homogenen Fall, wodurch sich der Widerstand
insgesamt deutlich verringert. Theoretisch könnte man so den Zusammenhang zwischen
Sperrfähigkeit und Durchlasswiderstand ganz auflösen. Dem sind aber enge technologische
und finanzielle Grenzen gesetzt, da die Herstellung der p-Säulen aufwändig und heikel ist.
Dennoch hat sich der Superjunction-MOSFET in kurzer Zeit einen breiten Markt erschlossen,
der von etwa 500 V bis 1000 V Sperrfähigkeit reicht und in Zukunft noch höher sperrende
Bauelemente erwarten lässt. Die Reduktion des Widerstands bei gleicher Chipfläche beträgt
bis zu einem Faktor vier, wodurch sich Wirkungsgrade verbessern lassen und Kühlaufwand
eingespart werden kann.

4.8.2.3 Siliziumkarbid (SiC)

Wie schon bei der Schottky-Diode in Abschnitt 4.2.2 diskutiert, liegen der Gleichung (4.41)
die Materialeigenschaften des Siliziums zu Grunde. Mit SiC lässt sich ein etwa 500mal
kleinerer Durchlasswiderstand bei gleicher Sperrfähigkeit realisieren. Das gilt analog auch für
den MOSFET. Der SiC-MOSFET wäre damit das ideale Schaltelement bis hinauf zu
einigen Kilovolt Sperrfähigkeit. Nur bei Sperrfähigkeiten von einigen 10V wäre der
Silizium-Trench-MOSFET weiterhin überlegen, weil dann die Elektronenbeweglichkeit im
Kanal entscheidend ist und die ist bei Silizium etwas höher. Ganz generell werden sowohl
Silizium- als auch SiC-MOSFETs wann immer möglich vom n-Typ (Elektronenkanal) sein,
weil die Elektronen eine höhere Beweglichkeit besitzen als die Löcher. Bei SiC ist dieser
Unterschied sogar noch ausgeprägter als bei Silizium.

Bisher scheitert die Einführung des SiC-MOSFET aber noch an verschiedenen Hindernissen.
Zum einen sind das die viel höheren Kosten des Ausgangsmaterials und der Technologie, da
der SiC-MOSFET eine deutlich andere Struktur besitzt (NB: Dotierstoffe diffundieren im SiC
kaum, alles muss implantiert werden). Zum anderen sind aber grundsätzlichere Fragen, wie
die Stabilität und Zuverlässigkeit von solchen Bauelementen noch nicht zufriedenstellend
geklärt. Immerhin treten 10mal höhere Feldstärken auf und die Grenzfläche zwischen
Halbleiter und Gate-Oxid ist schon beim Silizium heikel. Es muss sich also noch zeigen,
welche Rolle der SiC-MOSFET spielen kann.

4.8.3 Schaltverhalten

Anders als der Bipolartransistor, der einen kontinuierlichen Basis-Strom als Ansteuersignal
brauchte, oder der Thyristor, der durch einen Stromimpuls gezündet wurde, wird der
MOSFET nur durch die Potentialdifferenz zwischen Gate und dem Kanal gesteuert. Der
MOSFET ist ein kapazitiv gesteuertes Bauelement. Dementsprechend fließt im stationären
Zustand keinerlei Gate-Strom, sondern nur jeweils im Schaltmoment der Umladestrom für die
Gate-Kapazität. Diese besteht aber aus mehreren Teilen mit unterschiedlichen Spannungs-
abhängigkeiten, was zu entsprechend komplizierten Abläufen während der Schaltvorgänge
führt. Hinzu kommt dann noch die Drain-Source-Kapazität. Im Bild 4.35a sind die wichtig-
sten Kapazitäten des vertikalen MOSFET als konzentrierte Elemente eingezeichnet. Daneben
ist die Schaltung dargestellt, die für die Untersuchung des Schaltverhaltens verwendet wird.

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Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 93

Die Ansteuerung des MOSFET erfolgt über einen Gate-Widerstand RG und eine Gate-Source-
Spannungsquelle, die einen idealen Spannungssprung ausführt.

Lσ iD

CGS CGD
RG CDS
CGD
CDS uDS
CGS uGS
U0
UG iL
a)
DF LL
b) iD

Bild 4.35: a) Die wichtigsten Kapazitäten eines vertikalen MOSFET, b) Einfacher


Gleichstromsteller mit rein induktiver Last, mit MOSFET als Schalter sowie
Gate-Ansteuerung und Streuinduktivität

4.8.3.1 Einschalten

Bild 4.36 links zeigt die Strom- und Spannungsverläufe beim Einschalten des MOSFET.
Rechts im Bild ist die entsprechende Ortskurve im Ausgangskennlinienfeld zu sehen.
Bevor der Einschaltvorgang beginnt (Phase b), wird angenommen, dass sich der MOSFET
im ausgeschalteten Zustand befindet und sowohl eine Gate-Source-Spannung uGS = -15 V als
auch eine Drain-Source-Spannung uDS = U0 anliegt. Der Laststrom iL läuft durch die Diode
frei und ist im weiteren Verlauf konstant I0.
Zum Zeitpunkt t1 schaltet die Gate-Quelle auf +15 V. Mit dem über RG zufließenden Strom
werden während der Phase c die Gate-Source- und die Gate-Drain-Kapazität umgeladen.
Erreicht die Gate-Source-Spannung zum Zeitpunkt t2 die Schwellenspannung UT, so beginnt
der MOSFET Strom zu leiten. Das Gate wird weiter über RG aufgeladen, wobei der zu einer
Gate-Source-Spannung gehörende Kurzschlussstrom jeweils den aktuellen Strom definiert.
Über den Anstieg der Gate-Source-Spannung wird also der Stromanstieg gesteuert.
Durch den Stromanstieg ergibt sich an der Streuinduktivität Lσ ein Spannungsabfall, um
den sich die am MOSFET liegende Drain-Source-Spannung reduziert.
Bei t3 erreicht der Drain-Strom den Wert I0. Die Freilaufdiode kommutiert nun ab und der
MOSFET muss zusätzlich zum Laststrom auch noch die Rückstromspitze verkraften. Dazu
muss die Gate-Source-Spannung etwas höher steigen, als es für I0 notwendig wäre. Sobald die
Freilaufdiode Spannung aufnimmt, fällt die Drain-Source-Spannung entsprechend. In dieser
Phase e wird der gesamte Gate-Strom, der über RG zufließt dafür gebraucht, um die Gate-
Drain-Kapazität umzuladen. Die Gate-Source-Spannung bleibt dadurch konstant und der
MOSFET bleibt in der Sättigung. Man spricht vom Miller-Plateau.
Erst bei t4 ist die Drain-Source-Spannung soweit zusammengebrochen, dass Gate-Strom auch
wieder zum Laden der Gate-Source-Kapazität zur Verfügung steht. Der MOSFET geht dann
in den linearen Bereich über und erreicht gemäß der RC-Zeitkonstante aus RG und
CGS + CGD den stationären eingeschalteten Zustand.

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Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 94

uGS
+15V
UT
t
Miller-Plateau
ID
-15V
iD
Rückstromspitze
der Diode
I0 t5
I0 t4 t3
0 t1=t2
t UDS
uDS
Einfluss von Lσ U0
U0

0 t
b c d e f
t1 t2 t3 t4 t5
Bild 4.36: Strom- und Spannungsverläufe beim Einschalten eines vertikalen
MOSFET in der Schaltung von Bild 4.35 sowie die zugehörige Ortskurve
im Ausgangskennlinienfeld

4.8.3.2 Ausschalten

Beim Ausschalten des MOSFET laufen im Wesentlichen dieselben Prozesse wie beim
Einschalten ab, nur dass sich die Reihenfolge umkehrt. Bild 4.37 links zeigt dazu die Strom-
und Spannungsverläufe. Rechts im Bild ist die entsprechende Ortskurve im Ausgangskenn-
linienfeld zu sehen.
Zunächst liegt in der Phase b eine Gate-Source-Spannung uGS = +15 V an und die Drain-
Source-Spannung ist auf ihrem stationär niedrigen Durchlasswert. Durch den MOSFET fließt
der gesamte Laststrom I0.
Wird nun zum Zeitpunkt t1 die Gate-Quelle auf -15 V geschaltet, so werden die Gate-Source-
und Gate-Drain-Kapazitäten über RG entladen. Die Drain-Source-Spannung steigt leicht an.
Bei t2 beginnt der MOSFET zu sättigen. Da der Strom durch die äußere Schaltung gegeben
ist, kann die Gate-Source-Spannung dann nicht geringer werden. Das Miller-Plateau
(Phase d) ist erreicht. Der gesamte Gate-Strom lädt nun die Gate-Drain-Kapazität um,
wodurch der MOSFET Spannung aufnimmt.
Zum Zeitpunkt t3 erreicht die Drain-Source-Spannung die Quellenspannung U0. Die
Freilaufdiode beginnt zu leiten und der Strom durch den MOSFET sinkt ab. Diese Strom-
änderung verursacht an der Streuinduktivität eine Überspannung, die der MOSFET
zusätzlich aufnehmen muss, weil die Diode bereits leitet, also einen vernachlässigbar kleinen
Spannungsabfall hat. Die Stromsteilheit wird durch die Geschwindigkeit bestimmt, mit
der die Gate-Source-Kapazität entladen wird. Da die Drain-Source-Spannung fast konstant
bleibt und die Gate-Drain-Kapazität bei anliegender Sperrspannung klein ist, fliegt der meiste
Gate-Strom in die Gate-Source-Kapazität.
Bei t4 schließlich wird die Schwellenspannung unterschritten. Der Strom durch den MOSFET
ist zu null geworden und dadurch geht die Überspannung ebenfalls auf null zurück. Es liegt
die volle Quellenspannung U0 an. In der Phase f werden dann nur noch die Kapazitäten auf
eine Gate-Source-Spannung von -15 V entladen. Der Ausschaltvorgang ist abgeschlossen.

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Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 95

uGS
+15V Miller-Plateau
UT
t
ID
-15V
iD

I0 t1 t3
I0 t2
0 t t4=t5
UDS
uDS Einfluss von Lσ U0
U0

0 t
b c de f
t1 t2 t3 t4 t5
Bild 4.37: Strom- und Spannungsverläufe beim Ausschalten eines vertikalen
MOSFET in der Schaltung von Bild 4.35 sowie die zugehörige Ortskurve
im Ausgangskennlinienfeld

Der MOSFET besitzt anders als die Thyristoren die Möglichkeit, die Schaltgeschwindigkeit
über das Gate zu steuern. Durch sehr schnelles Schalten ließen sich kleine Schaltverluste
erzielen, was für die Gesamtverlustbilanz positiv wäre. Durch die Unipolarität, also das
fehlende Plasma, kann der MOSFET in der Tat sogar extrem schnell geschaltet werden, was
Schaltfrequenzen im Megahertz-Bereich ermöglicht. Dafür muss dann aber die Schaltungs-
umgebung auch ausgelegt sein. Andernfalls würden die Überströme (Rückstromspitze der
Freilaufdiode) und die Überspannung durch die Streuinduktivität so groß werden, dass der
sichere Arbeitsbereich (engl. safe operating area, SOA) des MOSFET verlassen und der
MOSFET (oder andere Komponenten) zerstört wird. Es geht also wieder einmal um eine
Optimierung zweier gegenläufiger Effekte und dabei spielt die Gate-Ansteuerung eine
wichtige Rolle. Neben der einfachen Variante aus Bild 4.30b werden zahlreiche andere,
aufwändigere Gate-Ansteuerungen (z.B. Stromquelle, Rückführung des Drain-Potentials)
verwendet. Dafür sei aber wieder auf die Literatur verwiesen.

4.8.4 Inversdiode

Wie bei der einfachen MOSFET-Struktur aus Bild 4.27 so führt die Verbindung des Source-
Anschlusses mit dem p-Gebiet auch beim vertikalen MOSFET zu einer inhärenten
antiparallelen Diode bzw. Inversdiode (engl. body diode). Für den Einsatz in einer
Brückenschaltung wäre also bereits eine Freilaufdiode vorhanden und man könnte Chip-
Fläche bzw. Bauelemente sparen.
Leider ist die für den MOSFET-Betrieb optimierte Struktur nicht optimal für den Diode-
Betrieb. Zum einen ist die Driftzone so dünn wie möglich und zum anderen die p-Zone so
hoch wie möglich dotiert (um den parasitären Bipolartransistor auszuschalten). Beide
Maßnahmen führen im Dioden-Betrieb zu einem harten Schaltverhalten und eventuell auch
zu Stromabrissen. Darüber hinaus wäre die Trägerlebensdauer im MOSFET viel zu hoch, so
dass hier zunächst noch eine Lebensdauereinstellung erfolgen muss. Dabei sind allerdings
enge technologische Grenzen gesetzt, weil zum Beispiel die Schwermetalldiffusion leicht zur
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Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 96

Vergiftung des Gate-Oxids (Verschiebung der Schwellenspannung) führen kann, oder die
Bestrahlung Schäden im Kristallgitter erzeugt, die dann durch die verringerte Elektronen-
beweglichkeit den Durchlasswiderstand des MOSFET erhöhen.
Je nach Anwendung kann die Inversdiode daher unbrauchbar sein, weshalb man sie
gelegentlich auch als parasitäre Diode bezeichnet. Das gilt besonders für den Superjunction-
MOSFET, bei dem die spezielle Struktur auch zu einem „speziellen“ Diodenverhalten führt.
Im schlimmsten Fall muss die Inversdiode dann durch eine Seriendiode (zusätzliche
Durchlassverluste für den MOSFET!) ausgeschaltet und durch eine bessere, externe Diode
ersetzt werden.

4.9 JFET
Der Sperrschichtfeldeffekttransistor (engl. junction field effect transistor, JFET) ist ein
Bauelement, das im Allgemeinen nicht mit dem Gebiet der Leistungshalbleiterbauelemente
assoziiert wird, es sei denn als parasitäre Komponente (vergleiche Bild 4.30b). Tatsächlich
gab es aber durchaus Ansätze, JFETs als Alternative zu den seinerzeit noch nicht gut
beherrschten MOSFETs zu verwenden.
Die Struktur der vertikalen JFET-Variante, des static induction transistors (SIT), oder
Gridistors wie er wegen seiner gitterförmigen Gate-Struktur anfangs auch genannte wurde,
zeigt Bild 4.38 links. Wie bei einer Vakuumtriode wird bei anliegender negativer Gate-
Source-Spannung der Strompfad durch das Gitter abgeschnürt. Dementsprechend sieht das
Ausgangskennlinienfeld (Bild 4.38 rechts) auch dem der Vakuumtriode ähnlich: Bei 0 V
ergibt sich eine fast lineare Durchlasskennlinie und mit zunehmend negativer Gate-Source-
Spannung wird der Stromfluss immer weiter abgeschnürt. Dabei kann sich aufgrund der sehr
kurzen Kanäle keine Stromsättigung ausbilden, sondern der Durchgriff der Drain-Source-
Spannung führt zu einer stetig ansteigenden Ausgangskennlinie.
Neben der fehlenden Sättigung war vor allem das normally-on Verhalten ein Argument
gegen den SIT bzw. JFET und hat seit dem Aufkommen zuverlässiger MOSFETs zum
völligen Verschwinden dieser Bauelemente geführt. Inzwischen jedoch befindet man sich mit
SiC-Bauelementen wieder in einer ähnlichen Situation: Die SiC-MOSFETs sind noch nicht
ausgereift und zuverlässig und so könnten SiC-SITs bzw. –JFETs (mit einer allerdings
erheblich aufwändigeren Struktur) wieder eine Alternative bzw. zumindest eine Übergangs-
lösung sein. Der SIT ist im Übrigen auch sehr gut als hochsperrender Teil einer Kaskode
geeignet. Die weitere Entwicklung bei den SiC-MOSFETs muss also zeigen, ob der JFET
nochmal eine Chance bekommt.

S ID UGS = 0V

UGS
G
-
p+ n-

n+
UDS
D

Bild 4.38: SIT mit Ausgangskennlinienfeld

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Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 97

4.10 IGBT
Der insulated gate bipolar transistor (IGBT) ist inzwischen wohl das wichtigste Halbleiter-
schaltelement im Bereich von einigen 100 V bis zu wenigen 1000 V Sperrfähigkeit und wird
mit bis 6500 V angeboten. Einige namhafte Hersteller haben die Produktion von Thyristor-
bauelementen bereits auf kleine Nischen reduziert und sich ansonsten ganz auf den IGBT
konzentriert.
Der IGBT wurde 1979 erfunden und hatte trotz anfänglicher Schwierigkeiten bereits Ende der
80er Jahre den Bipolartransistor verdrängt. Der Legende nach sollte der IGBT eigentlich ein
MOS-Thyristor werden, der „verunglückte“ und dadurch nicht richtig zündete. Man stellte
dann aber fest, dass er auch so gar nicht schlecht war und entwickelte ihn weiter. Der
Thyristor blieb dabei allerdings als unvermeidliches Strukturelement erhalten und führte
durchaus zu Problemen (siehe unten).

4.10.1 Grundstruktur

Wie auch immer man auf den IGBT gekommen sein mag, seine Grundstruktur weist ihn klar
als direkten Verwandten des vertikalen MOSFET aus. Bild 4.39a zeigt die Grundstruktur
mit dem Funktionsprinzip. Gegenüber der Grundstruktur des MOSFET (Bild 4.30a) hat sich
nur der Dotierungstyp der Drain-Zone geändert. Statt der hochdotieren n-Zone für den
Ohmschen Kontakt weist der IGBT auf der Rückseite eine p-Zone auf, die mit der
n--Dotierung der Driftzone einen pn-Übergang bildet. Genau dieser pn-Übergang ist nun für
die funktionalen Unterschiede zum MOSFET verantwortlich.
Wie schon in Abschnitt 4.8.2.2 erwähnt, besteht beim einfachen vertikalen MOSFET ein
direkter Zusammenhang zwischen Sperrfähigkeit und Durchlasswiderstand. In Analogie zur
pin-Diode kann man diesen Zusammenhang auflösen, indem man das Mittelgebiet bzw. die
Driftzone mit Plasma überschwemmt. Das tut der pn-Übergang an der Unterseite des IGBT.
Bild 4.39a zeigt schematisch den Mechanismus. Wie beim MOSFET fließt bei vorhandenem
Inversionskanal ein Elektronenstrom vom Source-Kontakt über die n-Source zur Bauelemente
Rückseite und muss nun den pn-Übergang überqueren, um zum Drain-Kontakt zu gelangen.
Dadurch wird der pn-Übergang in Durchlass gepolt und injiziert Löcher in das
Driftgebiet. Diese Löcher fließen dann durch das Driftgebiet in die p-Zone und schließlich
zum Source-Kontakt, sofern sie nicht unterwegs mit Elektronen rekombinieren. Das niedrig
dotierte n--Gebiet wird auf diese Weise mit einem Elektron-Loch-Plasma überschwemmt
und erhält eine um Größenordnungen höhere Leitfähigkeit als durch die Dotierung. Anfangs
wurde der IGBT deshalb auch gelegentlich COMFET (conductivity modulated FET) genannt.
Durch die Plasma-Überschwemmung ist die Stromtragfähigkeit des IGBT erheblich größer
als die des MOSFET.

S= E E
G G
p p n+
+ - + parasitärer
n- Thyristor n -

a) p+ b) p+

D= C C
Bild 4.39: a) Funktionsprinzip des IGBT, b) Strukturbedingter, parasitärer Thyristor

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Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 98

IC
20A

∆UGE = 0,5V

10A

Entsättigung

0 UCE
0 2,5V 5V
Bild 4.40: Ausgangskennlinienfeld eines IGBT vom Typ BUP307 (Siemens, heute
Infineon, UCE = 1200V, Inenn = 35A, UT ≈ 6V, TO-218 Gehäuse)

Leider wird dieser Vorteil durch einen unangenehmen Nachteil erkauft. Damit der Strom über
den neuen pn-Übergang fließen kann, muss dort mindestens die Kniespannung anliegen. Zu
den vom MOSFET her bekannten Spannungsabfällen kommt dieser Anteil nun also noch
hinzu. Das Ausgangskennlinienfeld des IGBT sieht deshalb wie ein MOSFET-Kennlinienfeld
aus, das um eine Diodenkennlinie verschoben ist. Bild 4.40 zeigt ein gemessenes Beispiel.
Unterhalb von 1 V fließt praktisch kein Strom und erst dann steigt der Strom zunehmend
steiler an. Wie beim MOSFET folgt zu höheren Spannungen dann eine Strombegrenzung,
die sich mittels Gate-Spannung einstellen lässt und die wiederum für die Schutzmaßnahmen
verwendet werden kann. Der Mechanismus hinter der Strombegrenzung ist identisch zur
Sättigung des MOSFET und wird durch die Abschnürung des Inversionskanals
hervorgerufen.

An dieser Stelle wird deutlich, dass bei der Begriffsbildung für den IGBT einige „unschöne“
Festlegungen gemacht wurden, die immer wieder zu Missverständnissen führen. Grund dafür
war die Annahme, dass der IGBT den Bipolartransistor ersetzen soll und dass es deshalb
günstig wäre, dieselben Bezeichnungen wie beim (npn-) Bipolartransistor zu verwenden.
Leider führt das dazu, dass manche Bezeichnungen unphysikalisch sind, weil der IGBT
eben nicht mit dem Bipolartransistor, sondern mit dem MOSFET verwandt ist.
Ein Fall ist die Sättigung, die beim MOSFET die Strombegrenzung bezeichnet, während beim
Bipolartransistor und so auch beim IGBT der Anlaufbereich gemeint ist. Die physikalische
Sättigung wir deshalb zur Entsättigung (Bild 4.40)! Ebenso verhält es sich mit den
Hauptanschlüssen des IGBT. Diese heißen nach dem Bipolartransistor Emitter statt Source
und Kollektor statt Drain, wobei der Kollektor ein physikalischer (Löcher-) Emitter und der
Emitter ein physikalischer (Löcher-) Kollektor (Bild 4.39a)!

Neben der Plasma-Überschwemmung im Durchlass hat der zusätzliche pn-Übergang noch


weitere Konsequenzen. Eine ist das Verschwinden der Inversdiode, die jetzt zu einem pnp-
Transistor geworden ist. Bei negativer Kollektor-Emitter-Spannung sperrt der neue
pn-Übergang und verhindert so einen Stromfluss. Allerdings hat dieser pn-Übergang nur eine
sehr geringe Sperrfähigkeit und ist zudem gar nicht auf Sperrfähigkeit ausgelegt. Wird er
trotzdem in Sperrrichtung belastet, bricht er schon bei wenigen 10 V durch, und der IGBT

Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I, Version 2.0, Oktober 2009


Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 99

wird im Zusammenspiel mit dem pn-Übergang auf der Emitter-Seite mit Plasma gefüllt.
Dieser unkontrollierte Zustand muss im Allgemeinen verhindert werden und deshalb bedarf
der IGBT immer einer (zumindest kleinen) antiparallelen Diode. Durch die Einschalt-
überspannung dieser Diode kann es aber trotzdem zum Durchbruch des pn-Übergangs, zur
Flutung des IGBT und zu entsprechenden Problemen kommen (vergl. Abschnitt 4.1.3).
Im Gegensatz dazu ist die Vorwärtssperrfähigkeit des IGBT gegenüber dem MOSFET kaum
verändert, weil die Verstärkung des pnp-Transistors sehr gering ist und der open base
transistor breakdown deshalb keine Rolle spielt.

Eine andere Konsequenz des zusätzlichen pn-Übergangs ist der parasitäre Thyristor
(Bild 4.39b), zu dem der parasitäre Bipolartransistor des MOSFET (Bild 4.31a) „erweitert“
wurde. Wird dieser Thyristor gezündet, so ist der IGBT nicht mehr kontrollierbar und wird im
Allgemeinen zerstört. Seine besondere Gefährlichkeit erhält der parasitäre Thyristor dadurch,
dass schon im Normalbetrieb ein großer Löcherstrom unterhalb der n+-Emitter-Zone zum
Emitter-Kontakt fließt. Das gilt besonders beim Abschalten, wenn der Gesamtstrom von
Löchern getragen werden muss und auf diesem Wege den IGBT verlässt. Tatsächlich war
dieser parasitäre Thyristor anfangs einer der Hauptgründe für den eingeschränkten sicheren
Arbeitsbereich des IGBT. Inzwischen haben jedoch dieselben Maßnahmen wie beim
MOSFET (Bild 4.31b) zu einer deutlichen Verbesserung der Situation geführt und der
sogenannte latch up (Einrasten des parasitären Thyristors) wird heute sicher vermieden.

4.10.2 Schaltverhalten

Das Schaltverhalten des IGBT ist dem des MOSFET sehr ähnlich und ebenfalls von den
Ladevorgängen der Kapazitäten bestimmt. Ein wesentlicher Unterschied ergibt sich nur durch
die Auf- und Abbauvorgänge des Plasmas.

Für das Einschalten des IGBT in einer Schaltung nach Bild 4.35b mit pin-Diode im Freilauf-
zweig ergibt sich als einziger prinzipbedingter Unterschied ein langsameres Annähern der
Durchlassspannung an ihren stationären Wert, da sich das Plasma erst aufbauen und seine
stationäre Verteilung annehmen muss. Es entsteht quasi eine Einschaltüberspannung wie bei
einer pin-Diode (vergl. Abschnitt 4.1.3), nur dass diese Überspannung in der zunächst
ohnehin noch hohen Kollektor-Emitter-Spannung nicht weiter auffällt. Ansonsten gelten für
das Einschalten des IGBT dieselben Kurven wie in Bild 4.36, wobei das Ausgangskennlinien-
feld natürlich analog zu Bild 4.40 aussehen würde und darüber hinaus (plasma-) zustands-
abhängig wäre.

Auch beim Ausschalten des IGBT laufen fast dieselben Vorgänge ab wie beim MOSFET.
Der Unterschied ergibt sich hier durch den Abbau des Plasmas. Während der MOSFET ganz
ausgeschaltet ist, sobald die Gate-Source-Spannung die Schwellenspannung unterschreitet,
fließt beim IGBT der Strom dann noch eine ganze Weile weiter. Man spricht vom
Schweifstrom (engl. tail current), der aufgrund der dann bereits am IGBT anliegenden
Quellenspannung zu einem signifikanten Teil der Schaltverluste führt. Es handelt sich um
das Plasma, das zu diesem Zeitpunkt noch in der Driftzone verblieben ist und nun nach und
nach abgesaugt wird.
Wie bei der pin-Diode in Bild 4.11 kann dabei der Strom die Feldverteilung erheblich
beeinflussen und es kann zur dynamischen Lawinenmultiplikation (engl. dynamic avalanche
multiplication) kommen. Beim IGBT wirkt sich diese besonders im Spannungsverlauf aus
und kann zur Zerstörung des Bauelements führen. Anders als bei der Diode, kann man beim
IGBT noch im begrenzen Umfang über die Gate-Ansteuerung eingreifen. Das kann den
IGBT retten, führt dann aber zu erhöhten Verlusten.

Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I, Version 2.0, Oktober 2009


Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 100

Außerdem ergeben sich beim IGBT noch kleinere Unterschiede im Gate-Spannungsverlauf,


für deren Details aber wieder auf die Literatur verwiesen sei.

4.10.3 Plasmaverteilung

Wie schon bei der pin-Diode so ist auch beim IGBT die Plasmaverteilung einer der
wichtigsten Faktoren für den Durchlass und das Schaltverhalten (Technologiekurve) und
damit letztlich für die Gesamtverluste.
Anders als bei der Diode ist die Ladungsträgerlebensdauer beim IGBT dabei allerdings von
untergeordneter Bedeutung. Grund ist das Absaugen der Löcher über den pn-Übergang auf
der Emitter-Seite, wodurch die Löcherkonzentration dort auf null abgesenkt wird. Um
dennoch im gesamten Driftgebiet eine hohe Löcher- und damit Plasmakonzentration zu
erhalten, muss man das Durchhängen der Plasmaverteilung vermeiden und versucht deshalb
beim IGBT möglichst lange Ladungsträgerlebensdauern zu erzielen. Der genaue Wert
spielt dann keine große Rolle mehr.
Für die Auslegung des IGBT bleiben damit die Driftzonenweite und die Injektion der Emitter-
bzw. der Kollektor-Seite als Parameter übrig.

4.10.3.1 Auslegung der Kollektor-Seite

Die Auslegung der Kollektor-Seite hängt eng mit der Auslegung der Driftzone zusammen.
Bild 4.41 zeigt die drei gebräuchlichen Varianten.
Variante a) ist die Punch-Through Auslegung analog zum PT-Design der Diode in
Bild 4.3b. Die Driftzone ist dünn und die Raumladungszone reicht schon bei moderater
Spannung bis zur Kollektor-Seite. Diese Auslegung erfordert daher eine n-Pufferzone
(engl. buffer), die das Durchschlagen der Raumladungszone zum p-Kollektor verhindert.
Gleichzeitig kann man mit dieser Pufferschicht die Stärke der Injektion regulieren.
Der tail current dieser Variante ist hoch und dafür kurz. Leider hat der PT-IGBT ein paar
unangenehme Eigenschaften wie eine geringe Robustheit und die Abnahme der Durchlass-
spannung mit der Temperatur, was Parallelschaltungen erschwert. Dafür bietet der PT-IGBT
aufgrund seiner kurzen Driftzone einen günstigen Kompromiss zwischen Durchlass und
Schaltverlusten (Technologiekurve).
E G E G E
G
p p p
n- n-
n (-)-Buffer n-
p-Kollektor
n-Buffer
a) p+ b) c)
p-Kollektor
C
C
C
Bild 4.41: Verschiedene Kollektor-Auslegungen: a) Mit Buffer als PT-Design, b) Mit
sehr geringem Buffer und schwachem Kollektor als SPT-Design, c) Mit
schwachem Kollektor als NPT-Design

Die andere Extremvariante ist die Non-Punch-Through Auslegung in Bild 4.41c, nun analog
zum NPT-Design der Diode in Bild 4.3a. Die Driftzone ist hier viel länger, so dass die
Raumladungszone auch ohne n-Puffer nicht auf den p-Kollektor auflaufen kann. Bei dieser
Variante wird die Injektion über die Dicke und Dotierung des p-Kollektors eingestellt.
Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I, Version 2.0, Oktober 2009
Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 101

Der tail current ist jetzt viel niedriger aber dafür erheblich länger. Eine bessere Robustheit
und eine gute Parallelschaltbarkeit stehen hier einer schlechteren Technologiekurve
gegenüber.

Mit der Soft Punch Through (SPT) Auslegung (Bild 4.41c) konnten schließlich um 2000
die Vorteile der beiden anderen Varianten kombiniert werden, ohne die Nachteile in Kauf
nehmen zu müssen. Der SPT-IGBT besitzt einen Buffer, dessen Dotierung gerade ausreicht,
um das Auflaufen der Raumladungszone auf den p-Kollektor zu verhindern. Die Driftzone
kann also genauso dünn sein wie beim PT-IGBT. Andererseits ist der Buffer so niedrig
dotiert, dass er im Durchlass vom Plasma überschwemmt wird. Die Injektion wird dann wie
beim NPT-IGBT nur noch durch den p-Kollektor bestimmt und ganz allgemein verhält sich
der SPT-IGBT im Durchlass wie ein NPT-IGBT.
Man erhält also einen IGBT mit der Technologiekurve des PT-IGBT und der Robustheit
und Parallelschaltbarkeit des NPT-IGBT. Folgerichtig werden heute praktisch alle IGBTs
als SPT-IGBTs ausgelegt, obwohl der SPT-IGBT technologisch anspruchsvoll ist. Leider hat
sich bisher noch kein allgemein akzeptierter Name durchsetzen können, so dass weiterhin
zahlreiche firmenspezifische Bezeichnungen wie Feld-Stopp-IGBT usw. benutzt werden.

4.10.3.2 Auslegung der Emitter-Seite

Während es sich auf der Kollektor-Seite im Grunde um einen normalen und eindimensionalen
pn-Übergang handelt, sind die Verhältnisse auf der Emitter-Seite erheblich komplizierter. Das
liegt daran, dass die Elektronenemission und die Löcherabsaugung funktional und lokal
getrennt sind. Die Elektronenemission geht vom Inversionskanal bzw. der Akkumulations-
schicht aus, während die Löcherabsaugung am sperrgepolten pn-Übergang passiert.
Umgekehrt können die Löcher nicht in den Kanal bzw. die Akkumulationsschicht eindringen
und der pn-Übergang injiziert keine Elektronen. Die Plasmakonzentration ist daher am
pn-Übergang null und im Bereich der Akkumulationsschicht sehr hoch (siehe Bild 4.42).
Folglich wären für eine insgesamt hohe Plasmakonzentration und damit hohe Leitfähigkeit
ein kleines p-Gebiet und ein großer Zellenabstand vorteilhaft. Andererseits ist dann wieder
der Kanalwiderstand höher, so dass es wie beim MOSFET zu einer Optimierung kommen
muss, auch wenn die beteiligten Einzeleffekte hier etwas andere sind.
E G
p n pl

n-

p+

C
Bild 4.42: PT-IGBT und dessen Plasmaverteilung in verschiedenen Schnitten

Eine andere Möglichkeit, die Plasmaverteilung auf der Emitter-Seite zu beeinflussen, ist die
Verwendung der Trench-Technologie (Bild 4.43a), also die grundsätzliche Veränderung der
geometrischen Gegebenheiten. Hierbei taucht die hohe Ladungsträgerkonzentration unterhalb
des Gates in die ohnehin höhere Plasmakonzentration ein und bildet so einen besser
leitfähigen Pfad. Zusätzlich kann das p-Gebiet klein gemacht werden.
Außerdem spielt auch hier das Verhältnis der Bereiche unter dem pn-Übergang und unter dem
Gate eine Rolle. Für eine sehr hohe Plasmakonzentration sind breite Gräben vorteilhaft
Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I, Version 2.0, Oktober 2009
Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik 102

(Bild 4.43b), wobei auch dann der Kanalwiderstand irgendwann wieder zu groß wird.
Technologisch werden breite Gräben oft durch schmale Gräben realisiert, von denen aber
nicht jeder mit einem n-Emitter versehen ist und so nicht am Stromtransport teilnimmt.
Eine andere Optimierung sind tiefe Gräben (Bild 4.43c) bei denen die Löcher eine längere
Strecke zwischen den Gates hindurch fließen müssen und so am Abfließen gehindert, also
aufgestaut werden. Wegen der Quasineutralitätsbedingung (siehe Abschnitt 4.1.2) wird die
Plasmakonzentration auf der Emitter-Seite dann insgesamt angehoben. Der Tiefe der Gräben
sind aber aufgrund der Spannungsfestigkeit des Gate-Oxids Grenzen gesetzt. Neuere
Varianten haben deshalb am Trench-Boden ein deutlich dickeres Oxid, das aber aufwändiger
herzustellen ist.

G E G E G E
p p p

n+ n+ n+
n- n- n-

a) b) c)
C C C
Bild 4.43: Verschiedene Trench-IGBTs: a) Wie beim MOSFET, b) Mit breiten
Gräben, c) Mit tiefen Gräben

In dieselbe Richtung geht die Verwendung einer Löcherbarriere, die sowohl bei planaren
IGBTs (Bild 4.44a) als auch bei Trench-IGBTs (Bild 4.44b) einsetzbar ist. In beiden Fällen
wird das Abfließen der Löcher durch eine Potentialbarriere behindert, die aus einer dünnen
und gegenüber der Driftzone nur leicht höher dotierten n-Schicht besteht. Die Einstellung der
Parameter ist dabei heikel, weil die erhöhte Dotierung die Sperrfähigkeit des pn-Übergangs
reduziert.
E G G E
p p
n-
n+
n-Barriere n-Barriere
n-
a) b)
C C
Bild 4.44: SPT-IGBTs mit Löcherbarriere: a) Planarer IGBT, b) Trench-IGBT

Insgesamt gesehen ist der IGBT inzwischen ein Bauelement, das die meisten Wünsche der
Anwender erfüllt. Er lässt sich kapazitiv (leistungsarm) ansteuern, ist während des Schaltens
zumindest teilweise steuerbar, besitzt eine Stromsättigung, einen großen sicheren Arbeits-
bereich und immer geringer werdende Durchlass- und Schaltverluste (Technologiekurve). Es
ist daher aus heutiger Sicht fraglich, was nach dem IGBT überhaupt noch kommen kann,
wenn man nicht zu anderen Halbleitermaterialien wechselt. Viele alternative Bauelement-
konzepte wurden jedenfalls nicht weiter verfolgt, weil die erwartete Verbesserung zu gering
und/oder der technologische Aufwand zu groß war.
Es wird aber an Varianten des IGBT gearbeitet, die entweder rückwärtssperrfähig sind, oder
bei denen die antiparallele Diode integriert ist. Es bleibt abzuwarten, was daraus wird.
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Aspekte der Bauelementtechnologie 103

5 Aspekte der Bauelementtechnologie


Halbleiterbauelemente der Leistungselektronik unterscheiden sich in vielfältiger Weise von
den Halbleiterbauelementen, die z.B. in der Informationstechnologie zum Einsatz kommen.
Das bezieht sich einerseits auf die Herstellungsverfahren des Halbleiterteils, aber auch auf die
Aufbau- und Verbindungstechnik. Im Nachfolgenden sollen einige wichtige Aspekte
zumindest kurz angesprochen werden. Eine umfassende Behandlung würde den Rahmen bei
weitem Sprengen und gäbe Stoff für eine eigene Vorlesung. Für Details sei daher wieder auf
die Literatur verwiesen.

5.1 Halbleitertechnologie
Bereits das Startmaterial für hochsperrende Bauelemente unterscheidet sich von dem für
Logikbauelemente. Gemäß Gleichung (4.1) braucht man für Bauelemente von einigen
Kilovolt Sperrfähigkeit Dotierungen von 1013cm-3. Bei knapp 1023 Atomen pro Kubik-
zentimeter Silizium ist also nur etwa jedes 1010te Atom ein Fremdatom. Besonders heikel
wird die Situation dadurch, dass nur sehr geringe Schwankungen erlaubt sind. Immerhin
bestimmt die „schwächste“ Stelle, also die Stelle mit der höchsten Dotierung die
Gesamtsperrfähigkeit. Zu Anfang des Halbleiterzeitalters war es schwierig, so reines und
gleichmäßig dotiertes Silizium herzustellen. Der Durchbruch kam erst in der 70er Jahren, als
man entdeckte, dass man mit thermischen Neutronen einzelne Silizium-Atome in Phosphor-
Atome umwandeln kann und das mit einer ungeahnten Homogenität, weil die Neutronen
sonst nur sehr wenig Interaktion mit dem Kristallgitter machen. Das Verfahren wird
Neutronentransmutationsdotierung genannte und ist heute Standard für Bauelemente ab ca.
2 kV Sperrfähigkeit. Problematisch ist es, weil es nur in wenigen Reaktoren weltweit
durchgeführt wird und ein Reaktorausfall meist sofort zu Lieferengpässen führt – für alle
Hersteller. Es gibt daher Bestrebungen auch das chemisch dotierte Material in besserer
Homogenität zu erzeugen, was aber bis auf weiteres schwierig und teuer ist.

Auch viele andere Halbleiterprozesse unterscheiden sich, wobei es oft „nur“ die Prozess-
parameter sind. Ein eindrückliches Beispiel sind die Diffusionsprozesse, mit denen die
pn-Übergänge der Thyristoren eingetrieben werden. Mehrere Tage bei 1250°C im
Diffusionsrohr sind keine Seltenheit!

Dafür sind die Anforderungen an die Lithographie meistens nicht so hoch. Während die
Informationstechnologie bei wenig mehr als 10 nm angekommen ist, liegen die kritischen
Größen der Thyristoren bei einigen 10 µm und bei den IGBTs in der Größenordnung von
1 µm. Einzig die Trench-MOSFETs sind hier etwas dichter am Stand der Technologie dran.

Die geringen Anforderungen der Thyristoren führen dazu, dass man ganze Silizium-Wafer zu
einzelnen Bauelementen verarbeiten kann, ohne dass es zu massivem Ausschuss käme. Das
geht bei IGBTs schon nicht mehr. Unter den 100-200 Chips eines 6 Zoll-Wafers gibt es
immer ein paar nicht korrekt funktionierende. Wäre der Wafer wie bei den Thyristoren
ein einziges Bauelement, so wäre die Ausschussrate dichte bei 100%. Durch die Aufteilung in
einzelne Chips umgeht man dieses Problem, muss aber für größere Stromtragfähigkeit dann
wieder mehrere Chips parallel schalten.
Dafür ist es notwendig, dass die Chips parallelschaltbar sind, sich den Strom also
gleichmäßig aufteilen und nicht einer allen Strom übernimmt. Ohne zusätzliche Maßnahmen

Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I, Version 2.0, Oktober 2009


Aspekte der Bauelementtechnologie 104

geht das nur, wenn die Durchlassspannung mit der Temperatur ansteigt, die Durchlass-
spannung einen positiven Temperaturkoeffizienten hat. Fließt durch einen Chip mehr
Strom, so erwärmt sich der Chip und seine Durchlassspannung steigt. Die anderen Chips
übernehmen dann einen Teil des Stroms. Es ergibt sich eine Gegenkopplung. Wäre das nicht
der Fall, so würde der heißeste Chip immer mehr Strom übernehmen und in der Folge immer
heißer werden (Mitkopplung). Es käme zur Überhitzung und letztendlich zur Zerstörung.

Eine andere Besonderheit von hochsperrenden Bauelementen ist der Randabschluss. Die im
Kapitel 4 gezeigten Bauelemente wurden implizit immer als unendlich ausgedehnt
angenommen. Tatsächlich muss ein Chip aber irgendwo zu Ende sein. Man kann dann nicht
einfach aufhören und durch die Chipstruktur durchsägen. An der Grenzfläche würde es schon
bei kleinen Spannungen zu Überschlägen kommen und das Bauelement wäre unbrauchbar.
Stattdessen muss man eine spezielle Randstruktur einfügen, die verhindert, dass große
Feldstärken an die Halbleiteroberfläche gelangen. Im Allgemeinen wird das dadurch
erreicht, dass man die Strecke, über die eine Spannung abgebaut wird, deutlich spreizt. Es ist
außerdem wichtig, dass diese empfindliche Zone nicht verunreinig wird, da Ladungen sonst
zu Feldverzerrungen und damit wieder zu Überschlägen führen könnten. Man bringt zu
diesem Zweck eine Passivierung auf. Der Randabschluss ist in jedem Fall eine Wissenschaft
für sich!

5.2 Gehäusebauformen
Der Halbleiterchip alleine macht noch kein Bauelement aus. Um den Chip für den Anwender
handhabbar zu machen (Befestigung, elektrische Kontaktierung, Schutz vor Beschädigungen,
etc.) muss der Chip in ein Gehäuse montiert werden. Für verschiedene Einsatzzwecke und
Bauelementtypen haben sich dabei im Wesentlichen drei Grundtypen etabliert.

5.2.1 Diskrete Bauform

Die diskrete Bauform (Bild 5.1) besteht aus einem Kupferplättchen, auf das der
Halbleiterchip aufgelötet ist. Die Kontakte auf der Chip-Oberseite sind mit Bonddrähten an
die kupfernen Zuleitungen angeschlossen. Bis auf die Unterseite des Kupferplättchens und
die kupfernen Zuleitungen ist alles mit einem Hartkunststoff (Epoxidharz) verpresst und so
vor äußeren Einflüssen geschützt. Die Kühlung des Chips erfolgt über die Rückseite des
Kupferplättchens, das meistens auf einen Kühlkörper montiert ist. Der elektrische
Anschluss erfolgt über die kupfernen Zuleitungen, die oft in gedruckte Schaltungen eingelötet
werden.

Hartkunststoff Bonddrähte Chip


Lot
Kupfer
Zuleitungen

Bild 5.1: Diskrete Bauform, rechts ein TO-218 Gehäuse

Das diskrete Bauelement ist die billigste Gehäusebauform. Seine Stromtragfähigkeit ist (je
nach Bauelementtyp) auf einige 10 A begrenzt und die maximal mögliche Sperrspannung

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Aspekte der Bauelementtechnologie 105

liegt in der Größenordnung von gut 1000 V. Die Potentialtrennung muss außerhalb des
Bauelements (z.B. durch Glimmerplättchen) stattfinden, da das Kupferplättchen das Potential
der Chip-Rückseite besitzt.
Bonddrähte
Chip
Zuleitungen
Lot
Gehäuse mit
Silikongel gefüllt Kupfer
Keramik

Bild 5.2: Modul mit Grundplatte

5.2.2 Modul

Das Modul (Bild 5.2) ist so etwas wie die Hochstrom- und Hochspannungsvariante des
diskreten Bauelements. Das Modul besteht aus einer Grundplatte aus Kupfer oder wegen der
geringeren thermischen Ausdehnung oft aus Aluminium-Siliziumkarbid (AlSiC). Darauf
aufgelötet ist eine beidseitig mit Kupfern beschichtete Keramik (Al2O3 oder AlN) auf die
schließlich die Chips aufgelötete sind. Die Chip-Oberseite ist wieder mit Bonddrähten
kontaktiert, die zu speziellen Kontaktflächen auf der Keramik führen. Dort sind ebenfalls die
kupfernen Zuleitungen, oft Schraubanschlüsse, angelötet. Das Ganze wird mit einem
Kunststoffgehäuse abgedeckt und der Innenraum dieses Gehäuses mit Silikongel
ausgegossen. Ein Epoxidverguss wie bei den diskreten Bauelementen würde aufgrund der
thermischen Ausdehnung bei großen Flächen zum Abscheren der Bonddrähte führen.
Die Modulbauform wird besonders für IGBTs bzw. allgemein für alle Chips verwendet,
sobald hohe Ströme (Parallelschaltung von Chips) oder hohe Spannungen gefordert sind
(Bild 5.3). Der Aufbau ist erheblich aufwändiger und teurer. Die Kühlung erfolgt über die
Rückseite der Grundplatte, wobei die Potentialtrennung bereits durch die Keramik im Modul
stattfindet. Die Grundplatte ist potentialfrei. Teilweise wird inzwischen auch auf die
Grundplatte verzichtet, um Kosten zu sparen, die Kühlung zu verbessern und die
Lastwechselfestigkeit zu erhöhen.

Zulei-
tung

Chip

Bild 5.3: IGBT-Modul (Einzelschalter) mit 6,5 kV Sperrfähigkeit und 600 A Nennstrom

5.2.3 Druckkontaktgehäuse

Die Druckkontaktierung (Bild 5.4) besteht aus zwei kupfernen Kontaktstücken zwischen
die das Halbleiterelement eingeklemmt ist. Wegen der stark unterschiedlichen thermischen
Ausdehnung von Kupfer und Silizium wird meistens noch je eine Molybdän-Scheibe

Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I, Version 2.0, Oktober 2009


Aspekte der Bauelementtechnologie 106

dazwischen gelegt. Die Kontaktstücke werden durch einen Keramikring zusammengehalten.


Das Gehäuse ist so hermetisch abgeschlossen und der Aufwand für den Schutz des
Halbleiters minimal.
Das Druckkontaktgehäuse wird hauptsächlich für Bauelemente aus einem ganzen Wafer
(Thyristoren) verwendet, seltener für IGBT-Chips. Die Kontaktstücke sind sowohl
thermische als auch elektrische Kontakte. Im Bauelement findet keine Potentialtrennung
statt, dafür kann das Bauelement beidseitig gekühlt werden. Druckkontaktbauelemente
müssen mit einer definierten Kraft eingespannt werden, was erheblichen mechanischen
Aufwand nach sich zieht und das System teuer macht.

Kontaktstück
Keramik
Molybdän
Silizium

Bild 5.4: Druckkontaktgehäuse

Bild 5.5: Dioden-Scheibe im Druckkontaktgehäuse, links im Querschnitt

5.3 Thermische Auslegung


Die Temperatur und die damit zusammenhängenden Effekte spielen bei Leistungshalbleiter-
bauelementen eine extrem wichtige Rolle. Das wird sofort klar, wenn man das Beispiel eines
1700 V Chips von 1 cm² Fläche betrachtet, der bei 100 A etwa 2 V Spannungsabfall hat und
dementsprechend eine Ohmsche Verlustleistung von 200 W/cm² als Wärme abgibt. Das ist
gut 10mal so viel wie bei einer Küchenherdplatte, die auf maximale Stufe eingestellt ist!
Das Bauelement muss also auf jeden Fall gekühlt werden, sonst würde es sehr schnell
überhitzen. Im nachfolgenden Abschnitt dazu nun einige kurze Betrachtungen.

5.3.1 Kühlung

Die Ohmsche Verlustleistung tritt an denjenigen Stellen auf, an denen sowohl die Stromdichte
als auch der Spannungsabfall hoch sind. Beim Halbleiterbauelement befinden sich diese
Stellen im Wesentlichen innerhalb des Siliziums. Ein Großteil der entstehenden Wärme muss
also aus dem Chip heraus gebracht bzw. weggekühlt werden. Dazu ist einerseits ein kühl
gehaltener Ort und andererseits eine sehr gute Wärmeleitfähigkeit zwischen dem Chip und
diesem kühlen Ort notwendig.

Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I, Version 2.0, Oktober 2009


Aspekte der Bauelementtechnologie 107

Der kühle Ort kann z.B. die Umgebungsluft sein, die durch den Umrichter geblasen wird,
oder auch Kühlwasser, das durch einen Kältekompressor auf niedriger Temperatur gehalten
wird. Eine andere Möglichkeit sind heat pipes, deren Kältemittel bei einer bestimmten
Temperatur verdampft und am anderen, kühleren Ende wieder kondensiert. Je nach
Anwendung haben sich ganz unterschiedliche Konzepte entwickelt. Für Details sei wieder auf
die Literatur verwiesen.
Für eine gute thermische Anbindung des Chips an den kühlen Ort sind die Materialien
dazwischen entscheidend. Es kommt darauf an, dass die thermische Leitfähigkeit dieser
Materialien hoch ist, dass es nur wenige und dünne Schichten sind und dass diese Schichten
materialschlüssig verbunden werden, denn ein Luftspalt ist ein sehr guter thermischer
Isolator – das Gegenteil von dem, was hier nötig ist.

Tabelle 5.1: Thermischer Widerstand eines 1 cm² großen Chips in einem Modul
nach Bild 5.2 und Einfluss der Wärmeleitpaste (jeweils eindimensionale
Näherung)

Schicht Thermische Schicht- Thermischer Anteil


(Material) Leitfähigkeit dicke Widerstand am gesamten
[W/Km] [µm] [K/W] Widerstand
Silizium 150 200 0,013 3,1%
Lot 35 100 0,029 6,6%
Kupfer 384 300 0,008 1,8%
AlN 150 1000 0,067 15,5%
Kupfer 384 300 0,008 1,8%
Lot 35 200 0,057 13,2%
AlSiC 200 5000 0,250 58,0%
subtotal (Rthjc) = 0,431 100%
Wärmeleitpaste 0,9 50 0,556
total (Rthjh) = 0,987

Bild 5.2 zeigt wie komplex die Struktur dieses thermischen Pfades bereits im Modul ist.
Vom Chip ausgehend kommt zunächst eine Lotschicht, dann eine Kupferlage, die Isolator-
schicht, eine weitere Kupferlage, wieder eine Lotschicht und letztlich die Grundplatte. Darauf
folgt im Umrichter dann eine Schicht Wärmeleitpaste zur Vermeidung eines Luftspalts und
schließlich der Kühler selbst. Es sind also (inklusive Chip) nicht weniger als neun Schichten
mit bis zu sieben verschiedenen Materialien. Tabelle 5.1 zeigt den Einfluss der einzelnen
Schichten. Dabei sind die Silizium- und Kupferschichten aufgrund ihrer guten Wärmeleit-
fähigkeit und geringer Ausdehnung praktisch vernachlässigbar. Bereits die Lotschichten
haben durch die schlechte Wärmeleitfähigkeit einen größeren Einfluss und auch der Isolator
ist trotz des Einsatzes des teuren AlN schon signifikant. Die Grundplatte macht dann mehr als
die Hälfte des gesamten thermischen Widerstands des Moduls (Rthjc, junction to case) aus,
weil sie aus mechanischen Gründen 5 mm dick ist. Schließlich kommt durch die Wärmeleit-
paste nochmal mehr als der gleiche Widerstand hinzu und auch für den Kühler, die
eigentliche Ankopplung an den kühlen Ort, kann man dann nochmal etwa diesen Wert
annehmen.
Dabei ist allerdings zu berücksichtigen, dass die Wärme spätestens in der Grundplatte nicht
mehr nur eindimensional zum Kühler fließt, sondern sich der Wärmestrom auf eine größere
Fläche ausdehnt. Man spricht von einer Wärmespreizung (engl. heat spreading, ähnlich wie
die Stromspreizung beim MOSFET).

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Aspekte der Bauelementtechnologie 108

Da die Leistungsfähigkeit der Halbleiterbauelemente heute vielfach durch die maximal


verkraftbare Verlustleistung begrenzt wird und nicht mehr durch die Abschaltfähigkeit, ist
es kaum verwunderlich, dass sehr viel Arbeit in die Verbesserung der Kühlung investiert
wird. Ein Ansatz ist das Weglassen der Grundplatte, was aber bei großen Bauelementen zu
mechanischen Problemen führt. Ein anderer Ansatz ist die Verwendung von sehr dünnen und
gut leitfähigen Silbersinterschichten anstelle der Lotschichten. Problematisch bleibt in
jedem Fall der sehr große Beitrag der Wärmeleitpaste (im Laborjargon auch „Wärme-
stoppschicht“ genannte), für die es bisher noch keine praktikable Alternative gibt. Eine
materialschlüssige Verbindung verbietet sich fast immer aufgrund von Prozessführung und
Ausbeuteeinbußen und ein „trockener“ Übergang mit Luftspalten wäre noch viel schlechter.
Erschwerend kommt dann noch hinzu, dass durch den Trend zu kompakteren Umrichtern und
damit auch Modulen die Wärmespreizung immer weniger genutzt werden kann. Es stellt sich
hier also wieder einmal ein Optimierungsproblem.

Dabei kommt den Entwicklern zu Gute, dass sich die Wärme fast genauso wie die
elektrische Ladung verhält, weil die beschreibenden Differentialgleichungen in beiden
Fällen die gleiche Form besitzen. Eine Temperaturdifferenz ΔT entspricht einer Potential-
differenz bzw. Spannung U und ein elektrischer Widerstand R entspricht einem thermischen
Widerstand Rth. Auch das Ohmsche Gesetz gilt analog und so ergibt sich im einen Fall ein
elektrischer Strom I und im anderen ein Wärmestrom P (Dimension: Leistung):

U ΔT
I= ⇔ P= (5.1)
R elektrisch R th thermisch

Die Wärmespeicherung ist ebenfalls analog zur Ladungsspeicherung und so hat der
Kondensator sein Gegenstück in der thermischen Kapazität Cth. Einzig die Induktion gibt es
bei der Wärme nicht, so dass die Spule keine Entsprechung hat und es nicht zu „Wärme-
schwingungen“ oder ähnlichem kommen kann. Auch ist der Wärmewidersand streng
genommen nicht konstant, sondern temperaturabhängig, aber das kann in den meisten Fällen
vernachlässigt werden.
Insgesamt lässt sich also das thermische Verhalten durch ein RC-Netzwerk beschreiben ...
und dem Entwickler stehen die Simulationswerkzeuge für elektrische Schaltungen (SPICE et
al.) zur Verfügung. Man kann sogar das elektrische und thermische Verhalten in derselben
Schaltung simulieren! Außerdem kann man zwei- und dreidimensionale Effekte (Wärme-
spreizung) berücksichtigen oder sogar Temperaturverteilungen bestimmen.

Rthjc

P Rthch

Rthha

Bild 5.6: Thermisches Netzwerk (Cauer-Modell)

Ein einfaches Beispiel für ein thermisches Netzwerk bzw. Ersatzschaltbild zeigt Bild 5.6. In
dieser Version, dem Cauer-Modell, sind jeder Schicht bzw. Schichtenfolge ein thermischer
Widerstand und eine thermische Kapazität zugeordnet und die Kapazitäten sind alle mit dem

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Aspekte der Bauelementtechnologie 109

Bezugspotential (Bezugstemperatur) verbunden. Die einzelnen Komponenten haben in dieser


Darstellung jeweils eine physikalische Bedeutung und die Potentiale (Temperaturen) der
einzelnen Knoten (j: junction, c: case, h: heat sink, a: ambient) sind zumindest theoretisch am
Bauelement messbare Temperaturen. Dabei hängt die Aussagekraft der einzelnen Werte
allerdings stark von der Detaillierung des Ersatzschaltbildes ab. Je mehr Knoten es gibt,
umso genauer gibt das Modell die Realität wieder. Natürlich steigt damit auch der
Simulationsaufwand.

In Datenblättern sieht man sonst häufig auch das Foster-Modell, das aus einer Kette von
RC-Gliedern besteht. Dieses Modell ist mathematisch einfacher zu beschreiben und wird
erzeugt in dem sein Verhalten durch geeignete Wahl der R- und C-Werte an gemessene (oder
simulierte) Temperaturverläufe des Bauelements angenähert wird (engl. fitting). Es handelt
sich also um ein reines Verhaltensmodell und meistens genügen wenige RC-Glieder aus, um
das Verhalten des Bauelements ausreichend genau zu beschreiben.
Der Nachteil des Foster-Models ist, dass die einzelnen Komponenten keine physikalische
Bedeutung besitzen und dass das Modell nur für genau die eine gemessene Konfiguration gilt.
Das oben gezeigte Cauer-Modell lässt sich dagegen einfach durch Hinzufügen der
entsprechend modellierten Komponenten erweiter.
Um welches Modell es sich auch handelt, am Ende kann man aus dem zeitlichen Verlauf der
Verlustleistung P den zeitlichen Temperaturverlauf im Bauelement simulieren. Es wäre dann
sogar noch möglich, diese Temperaturinformation in das elektrische Modell zurück zu
speisen und auf diese Weise rückgekoppelte Effekte wie zum Beispiel Selbstaufheizung zu
simulieren. Die thermische Simulation ist heute in jedem Fall ein wichtiges Hilfsmittel bei der
Auslegung von leistungselektronischen Komponenten.

5.3.2 Thermisches Weglaufen

Ein besonders gefährlicher Fall der thermischen Rückkopplung ist das thermische Weglaufen
(engl. thermal runaway). Es kann immer dann auftreten, wenn die Rückkopplung eine
Mitkopplung ist. Ein Beispiel ist das Durchlassverhalten eines MOSFET bei konstantem
Strom. Durch den Strom erwärmt sich der MOSFET und dadurch steigt seine Durchlass-
spannung. Dadurch wiederum steigt die Verlustleistung (der Strom ist ja konstant) und der
MOSFET erwärmt sich noch stärker und so weiter. Diese Rückkopplung kann dazu führen,
dass der MOSFET in sehr kurzer Zeit überhitzt und zerstört wird. Es sei denn die Kühlung ist
so gut, dass die abgeführte Wärmemenge schneller mit der Temperatur ansteigt als die
Verlustleistung. Ob sich ein stabiler Arbeitspunkt ergibt, oder das Bauelement zerstört wird,
entscheidet sich letztlich in einem „Wettlauf“ zwischen Kühlung und Verlustleistung.

Wie so ein Wettlauf aussieht, soll anhand eines anderen bekannten Beispiels gezeigt werden.
Gemeint ist das thermische Weglaufen beim Sperren. Wird an ein Bauelement, das sich auf
Umgebungstemperatur T0 befindet, die Sperrspannung U0 angelegt, so fließt im ersten
Moment der zugehörige Leckstrom I0. Durch die entstehende Verlustleistung erwärmt sich
das Bauelement und der Leckstrom steigt weiter, wodurch sich das Bauelemente stärker
erwärmt, und so weiter. Es ergibt sich also wieder eine Mitkopplung.
Für die Analyse sind nun die Abhängigkeiten der beteiligten Mechanismen von Bedeutung.
Als erstes wird die Verlustleistung Pheizen berechnet. Sie ergibt sich aus dem Produkt der
angelegten Spannung U0 und dem momentanen Leckstrom I(U0,Tj), der von der Spannung
und der Sperrschichttemperatur Tj abhängt. Für die Temperaturabhängigkeit kann die
bekannte Faustregel verwendet werden, nach der sich der Leckstrom eines Silizium-
Bauelements alle ΔTd ≈ 11 K verdoppelt. In Gleichung (5.2) wird das durch eine

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Aspekte der Bauelementtechnologie 110

Exponentialfunktion zur Basis zwei und mit der charakteristischen Konstante ΔTd
wiedergegeben. Es gilt:
T j −T0
ΔTd
Pheizen = U 0 ⋅ I (U 0 ,T j ) = U 0 ⋅ I 0 ⋅ 2 (5.2)

Der zweite Faktor ist die durch Kühlung abgeführte Wärme. Gemäß Gleichung (5.1) kann
dafür geschrieben werden:
T j − T0
Pkühlen = (5.3)
Rth
400
heizen mit 3,6kV, 10mA (75°C) labiler Arbeitspunkt
kühlen mit Rthja = 120 K/kW
300
kühlen mit Rthja = 162,1 K/kW
kühlen mit Rthja = 200 K/kW
Pheizen, Pkühlen [W]

200

stabiler Arbeitspunkt

100

0
70 80 90 100 110 120
Tj [°C]
Bild 5.7: Leistungsbilanz eines Moduls mit verschiedenen Kühlern.
Blau: ausreichende Kühlung, schwarz: ungenügende Kühlung,
grün: Stabilitätsgrenze gemäß Gleichung (5.11)

Bild 5.7 zeigt diese beiden Funktionen für ein Modul mit 10 mA Leckstrom bei 3,6 kV und
75°C. Die rote, durchgezogene Kurve gibt die Verlustleistung gemäß Gleichung (5.2) wieder.
Die blaue, gepunktete Kurve ist die weggekühlte Leistung gemäß Gleichung (5.3) für den
Fall, dass der thermische Widerstand Rthja zwischen Sperrschicht und Umgebung 120 K/kW
beträgt und dass die Umgebungstemperatur bei konstant 75°C liegt. Bei einer
Sperrschichttemperatur von 75°C kann offenbar gar keine Leistung weggekühlt werden, weil
die Temperaturdifferenz zur Umgebung null ist. Bei Sperrschichttemperaturen oberhalb von
75°C ergeben sich drei verschiedene Bereiche:
• Zwischen 75°C und 81,5°C liegt die blaue Kurve unter der roten. Die Verlustleistung ist
größer als die weggekühlte Leistung. Das Modul wird sich aufheizen.
• Zwischen 81,5°C und 106,6°C liegt die blaue Kurve über der roten. Die Verlustleistung ist
kleiner als die weggekühlte Leistung, so dass sich da Modul abkühlen wird.
• Oberhalb von 106,6°C liegt die blaue Kurve wieder über der roten und das Modul wird
sich wieder aufheizen.

Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I, Version 2.0, Oktober 2009


Aspekte der Bauelementtechnologie 111

Zwei besondere Punkte trennen diese drei Bereiche voneinander:


• Der stabile Arbeitspunkt bei 81,5°C. An diesem Punkt entspricht die Verlustleistung
genau der weggekühlten Leistung, so dass sich das Modul weder aufheizt, noch abkühlt.
Außerdem wird jede kleinere Abweichung von dieser Balance durch Heizen oder Kühlen
ausgeglichen, bis das Modul in den stabilen Arbeitspunkt zurückkehrt.
• Der labile Arbeitspunkt bei 106,6°C. Wie beim stabilen Arbeitspunkt entsprechen sich
Verlustleistung und weggekühlte Leistung, so dass das Modul eigentlich bei dieser
Temperatur arbeiten könnte. Tatsächlich führt aber jede kleine Abweichung von diesem
Punkt dazu, dass das Modul entweder gekühlt wird, bis es den stabilen Arbeitspunkt
erreicht, oder dass es sich aufheizt, bis es zerstört wird.
Der labile Arbeitspunkt markiert insofern die maximale Sperrschichttemperatur, die ein
Modul erreichen darf. Ergibt sich z.B. durch einen Überstrom eine höhere Temperatur, so
wird das Modul thermisch weglaufen, sobald die Spannung wieder anliegt.

Die schwarze, gestrichelte Kurve in Bild 5.7 zeigt die Situation für einen deutlich
schlechteren Kühler mit höherem thermischen Widerstand (200 K/kW). Es gibt nun keinen
Schnittpunkt mehr mit der roten Kurve. Die Verlustleistung ist immer höher als die
weggekühlte Leistung. Die Verhältnisse ähneln denen jenseits des labilen Arbeitspunts und
das Modul wird thermisch weglaufen.

Zwischen der ausreichenden Kühlung (blaue Kurve) und der ungenügenden Kühlung
(schwarze Kurve) gibt es einen Grenzfall, bei dem die Kühlung gerade eben ausreicht (grüne,
strichpunktierte Kurve). Jede Verschlechterung der Kühlung würde sofort zum thermischen
Weglaufen führen. In Bild 5.7 macht sich das dadurch bemerkbar, dass die grüne Kurve die
rote nur berührt (Tangente). Bei Temperaturen oberhalb und unterhalb ist die Verlustleistung
höher als die weggekühlte Leistung. Der stabile und der labile Arbeitspunkt sind hier
zusammengelaufen.
Dieser Grenzfall zwischen ausreichender und ungenügender Kühlung ist für die thermische
Auslegung von Umrichtern wichtig. Nachfolgend soll deshalb kurz das Stabilitätskriterium
hergeleitet werden.

Für den Fall, dass sich die Verlustleistungskurve und die Kurve der weggekühlten Leistung
tangieren, müssen an dieser Stelle einerseits die Funktionswerte und andererseits die
Ableitungen nach der Sperrschichttemperatur übereinstimmen. Es muss gelten:

dPheizen dPkühlen
Pheizen = Pkühlen ∧ = (5.4)
dT j dT j

Die Ableitung der Verlustleistungsfunktion (Gleichung (5.2)) zeigt Gleichung (5.4). Dabei ist
wichtig zu erkennen, dass die Ableitung wieder die ursprüngliche Funktion mal einem
konstanten Faktor ist.
T j −T0
dPheizen ΔTd ln 2 ln 2
= U0 ⋅ I0 ⋅ 2 ⋅ = Pheizen ⋅ (5.5)
dT j ΔTd ΔTd

Die Ableitung der weggekühlten Leistung (Gleichung (5.3)) ist einfach der Kehrwert des
thermischen Widerstands:
dPkühlen 1
= (5.6)
dT j R th

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Aspekte der Bauelementtechnologie 112

Startet man nun zunächst mit der rechten Seite von Gleichung (5.4), so erhält man einen
Ausdruck für die kritische Verlustleistung, der nur von ΔTd und Rth abhängt:

dPheizen dPkühlen ln 2 1 ΔTd


= ⇒ Pheizen ⋅ = ⇔ Pheizen = (5.7)
dT j dT j ΔTd Rth Rth ⋅ ln 2

Setzt man diesen Ausdruck dann in die linke Seite von Gleichung (5.4) ein, so erhält man die
kritische Sperrschichttemperatur Tj,krit bei der sich die beiden Kurven berühren:

ΔTd T j ,krit − T0 ΔTd


Pheizen = Pkühlen ⇒ = ⇔ T j ,krit − T0 = (5.8)
Rth ⋅ ln 2 Rth ln 2

Interessanterweise ist die Differenz zwischen der kritischen Sperrschichttemperatur Tj,krit und
der Umgebungstemperatur T0 unabhängig von der anliegenden Spannung U0, dem Ausgangs-
leckstrom I0 und dem thermischen Widerstand Rth! Der einzige Einflussfaktor ist ΔTd, das die
Temperaturabhängigkeit des Leckstroms beschreibt.
Mit diesem Ergebnis lässt sich nun der kritische Leckstrom Ikrit berechnen:
⎛ 1 ΔTd ⎞
⎜ ⎟
⎜ ΔT ⋅ ln 2 ⎟
I krit = I (V0 ,T j ,krit ) = I 0 ⋅ 2 ⎝ d ⎠
⇔ I krit = e ⋅ I0 (5.9)

Damit kann man dann den Zusammenhang der übrigen Parameter berechnen. Es gilt:
⎛ 1 ΔTd ⎞
⎜⎜ ⋅ ⎟⎟
dPheizen dPkühlen ⎝ ΔTd ln 2 ln 2 1 ln 2 1
= ⇒ U0 ⋅ I0 ⋅ 2 ⎠
⋅ = ⇔ U0 ⋅ I0 ⋅ e ⋅ = (5.10)
dT j dT j ΔTd Rth ΔTd Rth

Am Ende ergibt sich das Stabilitätskriterium zu:

ΔTd
U 0 ⋅ I 0 ⋅ Rth < (5.11)
e ⋅ ln 2

Die linke Seite von Gleichung (5.11) setzt die Hauptfaktoren Spannung, Leckstrom und
thermischen Widerstand in Beziehung und die rechte Seite ist eine Konstante, die über ΔTd
die verwendete Technologie charakterisiert. Beide Seiten haben die Dimension einer
Temperatur, wobei sich die rechte Seite auf grundlegende Halbleiterphysik zurückführen lässt
und für ein Siliziumbauelement etwa 5,8 K beträgt (ΔTd ≈ 11 K). Dabei ist jedoch zu
berücksichtigen, dass besondere Leckstrommechanismen auch zu völlig anderen Temperatur-
abhängigkeiten führen können.

Letztlich sagt Gleichung (5.11), dass bei einer gegebenen Kühlung (Rth) nur maximal die
Verlustleistung (U0·I0) verkraftet werden kann. Dabei wird allerdings davon ausgegangen,
dass der Leckstrom homogen fließt, was in der Realität nicht der Fall ist. Ebenfalls
unberücksichtigt sind zwei- oder dreidimensionale Effekte des thermischen Widerstands.
Gegenüber Gleichung (5.11) ist also eine Sicherheitsmarge nötig, die umso größer sein muss,
je größer das Bauelement ist, weil mit der Größe auch die Gefahr von Inhomogenitäten
wächst. Ansonsten gilt Gleichung (5.11) natürlich unabhängig von der Größe des
Bauelements und muss von jedem einzelnen Chip und sogar von jedem kleinsten Teilbereich
des Chips separat erfüllt werden. Einmal mehr bestimmt die schwächste Stelle die
Gesamtfähigkeit eines Bauelements!

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Aspekte der Bauelementtechnologie 113

5.3.3 Thermische Zyklen

Im Betrieb wird ein Bauelemente einer Vielzahl unterschiedlicher Temperaturwechsel


unterzogen. Das geschieht einerseits durch die Selbstaufheizung des Bauelements aufgrund
von Schalt- und Durchlassverlusten und andererseits durch Umgebungseinflüsse wie z.B.
Jahreszeiten oder reduzierte Kühlung in Tunneldurchfahrten. Die Größe der Temperatur-
wechsel kann dabei von Bruchteilen eines Grads bis über 100 K reichen und die Dauer
solcher Wechsel von einigen Mikrosekunden bis zu Monaten. Das führt letztlich dazu, dass
keine zwei Bauelemente der gleichen Abfolge von Temperaturzyklen (engl. mission profile)
ausgesetzt sind.

Andererseits führt jeder Temperaturwechsel durch die unterschiedliche thermische


Ausdehnung der verschiedenen Materialien zu mechanischen Verspannungen oder sogar
Verbiegungen und schädigt das Bauelement auf diese Weise. Am Ende werden Bonddrähte
abheben, Lötstellen reißen, Isolationen durchschlagen oder das Gehäuse brechen. In jedem
Fall wird das Bauelement unbrauchbar und schädigt dabei eventuell sogar noch seine
Umgebung. Es ist daher für den Anwender sehr wichtig, Informationen über diese Alterung
(engl. wear out) zu bekommen und sein System entsprechend auszulegen, eventuell
Redundanz einzubauen, oder entsprechende Teile bei einer Routinewartung auszutauschen.
Leider ist die Alterung ein statistischer Prozess. Man kann also nicht sagen, wann genau ein
einzelnes Bauelement ausfällt, sondern nur eine Wahrscheinlichkeit angeben, dass es bis zu
einem bestimmten Zeitpunkt ausgefallen sein wird. Bei einer ganzen Population identischer
Bauelemente kann man angeben, welcher Prozentsatz davon bis zu einem bestimmten
Zeitpunkt ausgefallen sein wird, aber nicht welche Einzelelemente es davon betrifft.

Bei der Untersuchung der Ausfallstatistik hat sich gezeigt, dass sich die Alterung von
Halbleiterbauelementen mit der Weibull-Verteilung beschreiben lässt. Diese Verteilung ist
nach dem schwedischen Ingenieur Wallodi Weibull benannt, der sie bei der Untersuchung der
Alterung von Metallen entdeckte und 1936 erstmals veröffentlichte. Die Weibull-Wahr-
scheinlichkeit lautet:
⎡ ⎛ N ⎞β ⎤
F (N ) = 1 − exp⎢− ⎜⎜ ⎟⎟ ⎥ (5.12)
⎢⎣ ⎝ N c ⎠ ⎥⎦

F(N) lässt sich wie oben beschrieben auf zwei Arten interpretieren. Entweder es ist die
Wahrscheinlichkeit, dass ein einzelnes Bauelement ausfällt, bevor es N Zyklen erreicht, oder
es ist der Prozentsatz der ausgefallen Elemente einer Population nach N Zyklen.
Die beiden Parameter der Weibull-Verteilung sind die charakteristische Lebensdauer NC
(sollte möglichst groß sein → allgemein lange Lebensdauer) und der Formparameter β
(sollte möglichst groß sein → alle Elemente fallen gleichzeitig aus, keine Frühausfälle). Mit
diesen beiden Parametern ist der Alterungsprozess beschrieben.

Leider gelten die Parameter der Weibull-Verteilung jeweils nur für einen bestimmten
Temperaturwechsel, insbesondere nur für einen bestimmten Temperaturhub ΔT und der
Temperaturhub hat einen starken Einfluss auf die Lebensdauer. Größere Temperaturhübe
führen zu deutlich weniger Zyklen bis zum Ausfall. Diesen Zusammenhang haben Coffin
und Manson 1954 entdeckt. Die Coffin-Manson-Beziehung lautet:

N = k1 ⋅ ΔT − k 2 (5.13)

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Aspekte der Bauelementtechnologie 114

Basierend auf den Ergebnissen der Weibull-Verteilungen für verschiedene Temperaturhübe,


kann man die beiden Parameter k1 und k2 der Coffin-Mason-Beziehung berechnen. Man
erhält dann die charakteristische Lebensdauer (Anzahl der Temperaturwechsel) für jeden
beliebigen Temperaturhub.

Tatsächlich hat aber auch dieser Wert noch nicht viel mit der Realität zu tun, denn wie oben
beschrieben, treten in realen Anwendungen verschiedenste Temperaturwechsel auf. Außer in
Tests wird kaum der Fall konstanter Temperaturhübe auftreten. Um diesem Umstand
Rechnung zu tragen, nimmt man an, dass jeder einzelne Temperaturwechsel einen
bestimmten, sehr kleinen Teil der Bauelementlebensdauer verbraucht. Erst die Summe all
dieser Verbräuche ergibt dann den Gesamtverbrauch, der offensichtlich nicht über 100% der
Lebensdauer des Bauelements liegen darf.

Berechnungen dieser Art haben in den letzten Jahren sehr stark an Bedeutung gewonnen, da
ein signifikanter Teil des Fortschritts in der Leistungselektronik nicht durch die Verbesserung
der Halbleiterkomponenten, sondern durch die Verringerung von Sicherheitsmargen
realisiert wurde. Will man aber dichter an das Limit gehen, muss man genauer wissen, was
passieren wird und ob das dann für den Anwender noch akzeptable ist. Das Thema
Zuverlässigkeit wird deshalb zukünftig eine noch wichtigere Rolle spielen.

Skript Leistungselektronik und Stromrichtertechnik I, Version 2.0, Oktober 2009


Literatur 115

6 Literatur
• G. Hagmann, „Leistungselektronik, Grundlagen und Anwendungen in der elektrischen
Antriebstechnik“, 3. Auflage, broschiert, Aula-Verlag, 2006, ISBN 3-89104-700-2
• D. Schröder, „Leistungselektronische Schaltungen: Funktion, Auslegung und
Anwendung“, 2. Auflage, gebunden, Springer, 2008, ISBN 978-3-540-69300-0
• D. Schröder, „Elektrische Antriebe, 4. Leistungselektronische Schaltungen“, Springer,
Taschenbuch, 1998, ISBN 3-540-57609-6
• N. Mohan, T. M. Undeland, W. P. Robbins, „Power Electronics – Converters,
Applications, and Design“, 2nd Edition, John Wiley & Sons, 1995, ISBN 0-471-58408-8
• M. H. Rashid, „Power Electronics – Circuits, Devices, and Applications“, 3rd Edition,
Pearson Prentice Hall, 2004, ISBN 978-0-13-101140-3
• S. Linder, „Power Semiconductors”, EPFL Press, 2006, ISBN 2-940222-09-6 bzw. CRC
Press, ISBN 0-8247-2569-7
• J. Lutz, „Halbleiter-Leistungsbauelemente – Physik, Eigenschaften, Zuverlässigkeit“,
gebunden, Springer, 2006, ISBN 978-3-540-34206-9
• D. Schröder, „Leistungselektronische Bauelemente“, 2. Auflage, gebunden, Springer,
2006, ISBN 978-3-540-28728-5
• F. Jenni, D. Wüest, „Steuerverfahren für selbstgeführte Stromrichter“, Hochschulverlag an
der ETH Zürich und Teubner, Stuttgart, 1995, ISBN 3-519-06176-7, inzwischen
vergriffen, dafür aber kostenlos auf der Homepage von Felix-Jenni online erhältlich:
www.felixjenni.ch/publikationen/Steuerverfahren_sf_SR.pdf (17MB!)
• Semikron Applikationshandbuch, www.semikron.com → Applikation
Bitte bedenken Sie, dass dies eine Vorlesung des Hauptstudiums, also für Fortgeschrittene ist.
Es werden deshalb Inhalte aus anderen Vorlesungen vorausgesetzt. Dazu gehören z.B. die
Grundlagen des Halbleiters, des pn-Übergangs, des Bipolartransistors und des MOSFET aus
der WBS-Vorlesung, aber auch z.B. Wirk- und Blindleistung aus der GET-Vorlesung.

7 Änderungshistorie
Version 0 Vorlesungskonzept von Prof. D. Silber
Version 1.0 Erster Teil des ausgearbeiteten Skripts bis Abschnitt 2.3.3, Oktober 2008
Version 1.1 – 1.13 Sukzessive bis Abschnitt 4.8.3, Oktober 2008 bis Januar 2009
Version 1.14 Erste vollständige Version des Skripts, Februar 2009
Version 1.15 Abschnitt 5.3 und einige Fotos ergänzt, umformatiert, März 2009
Version 1.16 Kleinere Korrekturen und Ergänzungen, März 2009
Version 2.0 Redaktionelle Überarbeitung, Oktober 2009

Fotos: Christian Renz, Simulationen: Umamaheswara Vemulapati und Iraj Sheikhian

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