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Technische Information / technical information

IGBT-Module
IGBT-modules FP10R12W1T4_B11
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Vorläufige Daten / preliminary data
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
TÝÎ = 25°C V†Š» 1200 V
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom T† = 100°C, TÝÎ = 175°C I† ÒÓÑ 10 A
DC-collector current T† = 25°C, TÝÎ = 175°C I† 20 A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
t« = 1 ms I†ç¢ 20 A
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
T† = 25°C, TÝÎ = 175°C PÚÓÚ 105 W
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
V•Š» +/-20 V
gate-emitter peak voltage

Charakteristische Werte / characteristic values min. typ. max.


Kollektor-Emitter Sättigungsspannung I† = 10 A, V•Š = 15 V TÝÎ = 25°C 1,85 2,25 V
collector-emitter saturation voltage I† = 10 A, V•Š = 15 V TÝÎ = 125°C V†Š ÙÈÚ 2,15 V
I† = 10 A, V•Š = 15 V TÝÎ = 150°C 2,25 V
Gate-Schwellenspannung
I† = 0,30 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C V•ŠÚÌ 5,2 5,8 6,4 V
gate threshold voltage
Gateladung
V•Š = -15 V ... +15 V Q• 0,09 µC
gate charge
Interner Gatewiderstand
TÝÎ = 25°C R•ÍÒÚ 0,0 Â
internal gate resistor
Eingangskapazität
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V CÍþÙ 0,60 nF
input capacitance
Rückwirkungskapazität
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V CØþÙ 0,024 nF
reverse transfer capacitance
Kollektor-Emitter Reststrom
V†Š = 1200 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C I†Š» 1,0 mA
collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C I•Š» 400 nA
gate-emitter leakage current
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) I† = 10 A, V†Š = 600 V TÝÎ = 25°C 0,045 µs
tÁ ÓÒ
turn-on delay time (inductive load) V•Š = ±15 V TÝÎ = 125°C 0,045 µs
R•ÓÒ = 47 Â TÝÎ = 150°C 0,045 µs
Anstiegszeit (induktive Last) I† = 10 A, V†Š = 600 V TÝÎ = 25°C 0,044 µs

rise time (inductive load) V•Š = ±15 V TÝÎ = 125°C 0,061 µs
R•ÓÒ = 47 Â TÝÎ = 150°C 0,063 µs
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) I† = 10 A, V†Š = 600 V TÝÎ = 25°C 0,18 µs
tÁ ÓËË
turn-off delay time (inductive load) V•Š = ±15 V TÝÎ = 125°C 0,245 µs
R•ÓËË = 47 Â TÝÎ = 150°C 0,275 µs
Fallzeit (induktive Last) I† = 10 A, V†Š = 600 V TÝÎ = 25°C 0,165 µs

fall time (inductive load) V•Š = ±15 V TÝÎ = 125°C 0,215 µs
R•ÓËË = 47 Â TÝÎ = 150°C 0,225 µs
Einschaltverlustenergie pro Puls I† = 10 A, V†Š = 600 V, L» = 50 nH TÝÎ = 25°C 0,90 mJ
turn-on energy loss per pulse V•Š = ±15 V, di/dt = 500 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C EÓÒ 1,35 mJ
R•ÓÒ = 47 Â TÝÎ = 150°C 1,55 mJ
Abschaltverlustenergie pro Puls I† = 10 A, V†Š = 600 V, L» = 50 nH TÝÎ = 25°C 0,55 mJ
turn-off energy loss per pulse V•Š = ±15 V, du/dt = 3500 V/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C EÓËË 0,80 mJ
R•ÓËË = 47 Â TÝÎ = 150°C 0,87 mJ
Kurzschlussverhalten V•Š ù 15 V, V†† = 800 V
IȠ
SC data V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt t« ù 10 µs, TÝÎ = 150°C 35 A
Innerer Wärmewiderstand
pro IGBT / per IGBT RÚÌœ† 1,25 1,40 K/W
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand pro IGBT / per IGBT
RÚ̆™ 1,15 K/W
thermal resistance, case to heatsink ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) / ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)

prepared by: DK date of publication: 2009-10-19


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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules FP10R12W1T4_B11
Vorläufige Daten
preliminary data
Diode-Wechselrichter / diode-inverter
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
TÝÎ = 25°C Vçç¢ 1200 V
repetitive peak reverse voltage
Dauergleichstrom
IΠ10 A
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
t« = 1 ms IŒç¢ 20 A
repetitive peak forward current
Grenzlastintegral Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C 16,0 A²s
I²t
I²t - value Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 150°C 14,0 A²s

Charakteristische Werte / characteristic values min. typ. max.


Durchlassspannung IŒ = 10 A, V•Š = 0 V TÝÎ = 25°C 1,75 2,25 V
forward voltage IŒ = 10 A, V•Š = 0 V TÝÎ = 125°C VŒ 1,75 V
IŒ = 10 A, V•Š = 0 V TÝÎ = 150°C 1,75 V
Rückstromspitze IŒ = 10 A, - diŒ/dt = 500 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 25°C 12,0 A
peak reverse recovery current Vç = 600 V TÝÎ = 125°C Iç¢ 10,0 A
V•Š = -15 V TÝÎ = 150°C 8,00 A
Sperrverzögerungsladung IŒ = 10 A, - diŒ/dt = 500 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 25°C 0,90 µC
recovered charge Vç = 600 V TÝÎ = 125°C QØ 1,70 µC
V•Š = -15 V TÝÎ = 150°C 1,90 µC
Abschaltenergie pro Puls IŒ = 10 A, - diŒ/dt = 500 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 25°C 0,24 mJ
reverse recovery energy Vç = 600 V TÝÎ = 125°C EØþÊ 0,52 mJ
V•Š = -15 V TÝÎ = 150°C 0,59 mJ
Innerer Wärmewiderstand
pro Diode / per diode RÚÌœ† 1,75 1,90 K/W
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand pro Diode / per diode
RÚ̆™ 1,30 K/W
thermal resistance, case to heatsink ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) / ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)

Diode-Gleichrichter / diode-rectifier
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Rückw. Spitzensperrspannung
TÝÎ = 25°C Vçç¢ 1600 V
repetitive peak reverse voltage
Durchlassstrom Grenzeffektivwert pro Dio.
T† = 80°C IŒç¢»¢ 30 A
forward current RMS maximum per diode
Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom
T† = 80°C I碻¢ 30 A
maximum RMS current at Rectifier output
Stoßstrom Grenzwert tÔ = 10 ms, TÝÎ = 25°C 300 A
IŒ»¢
surge forward current tÔ = 10 ms, TÝÎ = 150°C 245 A
Grenzlastintegral tÔ = 10 ms, TÝÎ = 25°C 450 A²s
I²t
I²t - value tÔ = 10 ms, TÝÎ = 150°C 300 A²s

Charakteristische Werte / characteristic values min. typ. max.


Durchlassspannung
TÝÎ = 150°C, IŒ = 10 A VŒ 0,80 V
forward voltage
Sperrstrom
TÝÎ = 150°C, Vç = 1600 V Iç 1,00 mA
reverse current
Innerer Wärmewiderstand pro Diode
RÚÌœ† 1,20 1,35 K/W
thermal resistance, junction to case per diode
Übergangs-Wärmewiderstand pro Diode / per diode
RÚ̆™ 1,15 K/W
thermal resistance, case to heatsink ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) / ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)

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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules FP10R12W1T4_B11
Vorläufige Daten
preliminary data
IGBT-Brems-Chopper / IGBT-brake-chopper
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
TÝÎ = 25°C V†Š» 1200 V
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom T† = 100°C, TÝÎ = 175°C I†ÒÓÑ 10 A
DC-collector current T† = 25°C, TÝÎ = 175°C I† 20 A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
t« = 1 ms I†ç¢ 20 A
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
T† = 25°C, TÝÎ = 175°C PÚÓÚ 105 W
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
V•Š» +/-20 V
gate-emitter peak voltage

Charakteristische Werte / characteristic values min. typ. max.


Kollektor-Emitter Sättigungsspannung I† = 10 A, V•Š = 15 V TÝÎ = 25°C 1,85 2,25 V
collector-emitter saturation voltage I† = 10 A, V•Š = 15 V TÝÎ = 125°C V†Š ÙÈÚ 2,15 V
I† = 10 A, V•Š = 15 V TÝÎ = 150°C 2,25 V
Gate-Schwellenspannung
I† = 0,30 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C V•ŠÚÌ 5,2 5,8 6,4 V
gate threshold voltage
Gateladung
V•Š = -15 V ... +15 V Q• 0,09 µC
gate charge
Interner Gatewiderstand
TÝÎ = 25°C R•ÍÒÚ 0,00 Â
internal gate resistor
Eingangskapazität
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V CÍþÙ 0,60 nF
input capacitance
Rückwirkungskapazität
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V CØþÙ 0,024 nF
reverse transfer capacitance
Kollektor-Emitter Reststrom
V†Š = 1200 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C I†Š» 1,0 mA
collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C I•Š» 400 nA
gate-emitter leakage current
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) I† = 10 A, V†Š = 600 V TÝÎ = 25°C 0,045 µs
turn-on delay time (inductive load) V•Š = ±15 V TÝÎ = 125°C tÁ ÓÒ 0,045 µs
R•ÓÒ = 47 Â TÝÎ = 150°C 0,045 µs
Anstiegszeit (induktive Last) I† = 10 A, V†Š = 600 V TÝÎ = 25°C 0,044 µs
rise time (inductive load) V•Š = ±15 V TÝÎ = 125°C tØ 0,061 µs
R•ÓÒ = 47 Â TÝÎ = 150°C 0,063 µs
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) I† = 10 A, V†Š = 600 V TÝÎ = 25°C 0,18 µs
turn-off delay time (inductive load) V•Š = ±15 V TÝÎ = 125°C tÁ ÓËË 0,245 µs
R•ÓËË = 47 Â TÝÎ = 150°C 0,275 µs
Fallzeit (induktive Last) I† = 10 A, V†Š = 600 V TÝÎ = 25°C 0,165 µs
fall time (inductive load) V•Š = ±15 V TÝÎ = 125°C tË 0,215 µs
R•ÓËË = 47 Â TÝÎ = 150°C 0,225 µs
Einschaltverlustenergie pro Puls I† = 10 A, V†Š = 600 V, L» = 50 nH TÝÎ = 25°C 0,90 mJ
turn-on energy loss per pulse V•Š = ±15 V TÝÎ = 125°C EÓÒ 1,35 mJ
R•ÓÒ = 47 Â TÝÎ = 150°C 1,55 mJ
Abschaltverlustenergie pro Puls I† = 10 A, V†Š = 600 V, L» = 50 nH TÝÎ = 25°C 0,55 mJ
turn-off energy loss per pulse V•Š = ±15 V TÝÎ = 125°C EÓËË 0,80 mJ
R•ÓËË = 47 Â TÝÎ = 150°C 0,87 mJ
Kurzschlussverhalten V•Š ù 15 V, V†† = 800 V
IȠ
SC data V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š · di/dt t« ù 10 µs, TÝÎ = 150°C 35 A
Innerer Wärmewiderstand
pro IGBT / per IGBT RÚÌœ† 1,25 1,40 K/W
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand pro IGBT / per IGBT
RÚ̆™ 1,15 K/W
thermal resistance, case to heatsink ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) / ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)

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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules FP10R12W1T4_B11
Vorläufige Daten
preliminary data
Diode-Brems-Chopper / Diode-brake-chopper
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
TÝÎ = 25°C Vçç¢ 1200 V
repetitive peak reverse voltage
Dauergleichstrom
IΠ10 A
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
tÔ = 1 ms IŒç¢ 20 A
repetitive peak forw. current
Grenzlastintegral Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C 16,0 A²s
I²t
I²t - value Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 150°C 14,0 A²s

Charakteristische Werte / characteristic values min. typ. max.


Durchlassspannung IŒ = 10 A, V•Š = 0 V TÝÎ = 25°C 1,75 2,25 V
forward voltage IŒ = 10 A, V•Š = 0 V TÝÎ = 125°C VŒ 1,75 V
IŒ = 10 A, V•Š = 0 V TÝÎ = 150°C 1,75 V
Rückstromspitze IŒ = 10 A, - diŒ/dt = 500 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 25°C 12,0 A
peak reverse recovery current Vç = 600 V TÝÎ = 125°C Iç¢ 10,0 A
V•Š = -15 V TÝÎ = 150°C 8,00 A
Sperrverzögerungsladung IŒ = 10 A, - diŒ/dt = 500 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 25°C 0,90 µC
recovered charge Vç = 600 V TÝÎ = 125°C QØ 1,70 µC
V•Š = -15 V TÝÎ = 150°C 1,90 µC
Abschaltenergie pro Puls IŒ = 10 A, - diŒ/dt = 500 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 25°C 0,24 mJ
reverse recovery energy Vç = 600 V TÝÎ = 125°C EØþÊ 0,52 mJ
V•Š = -15 V TÝÎ = 150°C 0,59 mJ
Innerer Wärmewiderstand
pro Diode / per diode RÚÌœ† 1,75 1,90 K/W
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand pro Diode / per diode
RÚ̆™ 1,30 K/W
thermal resistance, case to heatsink ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) /ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)

NTC-Widerstand / NTC-thermistor
Charakteristische Werte / characteristic values min. typ. max.
Nennwiderstand
T† = 25°C Rèë 5,00 kÂ
rated resistance
Abweichung von Ræåå
T† = 100°C, Ræåå = 493 Â ÆR/R -5 5 %
deviation of Ræåå
Verlustleistung
T† = 25°C Pèë 20,0 mW
power dissipation
B-Wert
Rè = Rèë exp [Bèëõëå(1/Tè - 1/(298,15 K))] Bèëõëå 3375 K
B-value
B-Wert
Rè = Rèë exp [Bèëõîå(1/Tè - 1/(298,15 K))] Bèëõîå 3411 K
B-value
B-Wert
Rè = Rèë exp [Bèëõæåå(1/Tè - 1/(298,15 K))] Bèëõæåå 3433 K
B-value
Angaben gemäß gültiger Application Note.
Specification according to the valid application note.

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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules FP10R12W1T4_B11
Vorläufige Daten
preliminary data
Modul / module
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min Vš»¥¡ 2,5 kV
insulation test voltage
Material für innere Isolation
AlèOé
material for internal insulation
Kriechstrecke Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink 11,5
mm
creepage distance Kontakt - Kontakt / terminal to terminal 6,3
Luftstrecke Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink 10,0
mm
clearance distance Kontakt - Kontakt / terminal to terminal 5,0
Vergleichszahl der Kriechwegbildung
CTI > 200
comparative tracking index
min. typ. max.
Modulinduktivität
LÙ†Š 30 nH
stray inductance module
Modulleitungswiderstand,
Anschlüsse - Chip R††óôŠŠó 8,00
T† = 25°C, pro Schalter / per switch mÂ
module lead resistance, Rƒƒóô††ó 6,00
terminals - chip
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper 175 °C
TÝÎ ÑÈà
maximum junction temperature Gleichrichter / rectifier 150 °C
Temperatur im Schaltbetrieb Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper -40 150 °C
TÝÎ ÓÔ
temperature under switching conditions Gleichrichter / rectifier -40 150 °C
Lagertemperatur
TÙÚÃ -40 125 °C
storage temperature
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
F 20 - 50 N
mountig force per clamp
Gewicht
G 24 g
weight

Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25A effektiv pro Anschlusspin begrenzt.
The current under continuous operation is limited to 25A rms per connector pin.

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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules FP10R12W1T4_B11
Vorläufige Daten
preliminary data
Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch) Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic IGBT-inverter (typical) output characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V†Š) I† = f (V†Š)
V•Š = 15 V TÝÎ = 150°C

20 20
TÝÎ = 25°C V•Š = 19V
18 TÝÎ = 125°C 18 V•Š = 17V
TÝÎ = 150°C V•Š = 15V
V•Š = 13V
16 16 V•Š = 11V
V•Š = 9V
14 14
12 12
I† [A]

I† [A]
10 10
8 8
6 6
4 4
2 2
0 0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
V†Š [V] V†Š [V]

Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch) Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)


transfer characteristic IGBT-inverter (typical) switching losses IGBT-inverter (typical)
I† = f (V•Š) EÓÒ = f (I†), EÓËË = f (I†)
V†Š = 20 V V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 47 Â, R•ÓËË = 47 Â, V†Š = 600 V

20 5,0
TÝÎ = 25°C EÓÒ, TÝÎ = 125°C
18 TÝÎ = 125°C 4,5 EÓÒ, TÝÎ = 150°C
TÝÎ = 150°C EÓËË, TÝÎ = 125°C
EÓËË, TÝÎ = 150°C
16 4,0
14 3,5
12 3,0
E [mJ]
I† [A]

10 2,5
8 2,0
6 1,5
4 1,0
2 0,5
0 0,0
5 6 7 8 9 10 11 12 13 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
V•Š [V] I† [A]

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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules FP10R12W1T4_B11
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch) Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.
switching losses IGBT-Inverter (typical) transient thermal impedance IGBT-inverter
EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•) ZÚÌœ™ = f (t)
V•Š = ±15 V, I† = 10 A, V†Š = 600 V

6,0 10
EÓÒ, TÝÎ = 125°C ZÚÌœ™ : IGBT
5,5 EÓÒ, TÝÎ = 150°C
EÓËË, TÝÎ = 125°C
5,0 EÓËË, TÝÎ = 150°C

4,5
4,0
3,5

ZÚÌœ™ [K/W]
E [mJ]

3,0 1
2,5
2,0
1,5
1,0 i: 1 2 3 4
rÍ[K/W]: 0,209 0,443 0,982 0,766
0,5 τ Í[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2

0,0 0,1
0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 0,001 0,01 0,1 1 10
R• [Â] t [s]

Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA) Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)


reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA) forward characteristic of diode-inverter (typical)
I† = f (V†Š) IŒ = f (VŒ)
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 47 Â, TÝÎ = 150°C

22 20
I†, Modul TÝÎ = 25°C
20 I†, Chip 18 TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
18 16
16
14
14
12
12
I† [A]

IΠ[A]

10
10
8
8
6
6
4 4

2 2
0 0
0 200 400 600 800 1000 1200 1400 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5
V†Š [V] VŒ [V]

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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules FP10R12W1T4_B11
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch) Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical) switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (IŒ) EØþÊ = f (R•)
R•ÓÒ = 47 Â, V†Š = 600 V IŒ = 10 A, V†Š = 600 V

1,0 0,8
EØþÊ, TÝÎ = 125°C EØþÊ, TÝÎ = 125°C
EØþÊ, TÝÎ = 150°C EØþÊ, TÝÎ = 150°C
0,7
0,8
0,6

0,6 0,5
E [mJ]

E [mJ]
0,4
0,4 0,3

0,2
0,2
0,1

0,0 0,0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 0 40 80 120 160 200 240 280 320 360 400 440 480
IŒ [A] R• [Â]

Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr. Durchlasskennlinie der Diode-Gleichrichter (typisch)


transient thermal impedance diode-inverter forward characteristic of diode-rectifier (typical)
ZÚÌœ™ = f (t) IŒ = f (VŒ)

10 20
ZÚÌœ™ : Diode TÝÎ = 25°C
18 TÝÎ = 150°C

16
14
12
ZÚÌœ™ [K/W]

IΠ[A]

1 10
8
6
4
i: 1 2 3 4
rÍ[K/W]: 0,404 0,664 1,174 0,808
τ Í[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 2
0,1 0
0,001 0,01 0,1 1 10 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4
t [s] VΠ[V]

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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules FP10R12W1T4_B11
Vorläufige Daten
preliminary data
Ausgangskennlinie IGBT-Brems-Chopper (typisch) Durchlasskennlinie der Diode-Brems-Chopper (typisch)
output characteristic IGBT-brake-chopper (typical) forward characteristic of Diode-brake-chopper (typical)
I† = f (V†Š) IŒ = f (VŒ)
V•Š = 15 V

20 20
TÝÎ = 25°C TÝÎ = 25°C
18 TÝÎ = 125°C 18 TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C TÝÎ = 150°C
16 16
14 14
12 12
I† [A]

IΠ[A]
10 10
8 8
6 6
4 4
2 2
0 0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0
V†Š [V] VŒ [V]

NTC-Temperaturkennlinie (typisch)
NTC-temperature characteristic (typical)
R = f (T)

100000
RÚáÔ

10000
R[Â]

1000

100
0 20 40 60 80 100 120 140 160
T† [°C]

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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules FP10R12W1T4_B11
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltplan / circuit diagram

Gehäuseabmessungen / package outlines

Infineon

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10
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules FP10R12W1T4_B11
Vorläufige Daten
preliminary data
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lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle
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- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und
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