SFH 2030

SFH 2030 F

Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit SFH 2030

Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter SFH 2030 F
Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time
Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter

Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale Features
● Speziell geeignet für Anwendungen im ● Especially suitable for applications from
Bereich von 400 nm bis 1100 nm 400 nm to 1100 nm (SFH 2030) and of
(SFH 2030) und bei 880 nm (SFH 2030 F) 880 nm (SFH 2030 F)
● Kurze Schaltzeit (typ. 5 ns) ● Short switching time (typ. 5 ns)
● 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse ● 5 mm LED plastic package
● Auch gegurtet lieferbar ● Also available on tape

Anwendungen Applications
● Industrieelektronik ● Industrial electronics
● “Messen/Steuern/Regeln” ● For control and drive circuits
● Schnelle Lichtschranken für Gleich- und ● Light-reflecting switches for steady and
Wechsellichtbetrieb varying intensity
● LWL ● Fiber optic transmission systems

Typ (*ab 4/95) Bestellnummer Gehäuse

Type (*as of 4/95) Ordering Code Package
SFH 2030 Q62702-P955 T13/4, klares bzw schwarzes Epoxy-Gieβharz, Löt-
(*SFH 203) spieβe im 2.54-mm-Raster (1/10),
SFH 2030 F Q62702-P956 Kathodenkennzeichnung: kürzerer Lötspieβ, flach
(*SFH 203 FA) am Gehäusebund
transparent and black epoxy resin, solder tab
2.54 mm (1/10) lead spacing, cathode marking: short
solder tab, flat at package

Semiconductor Group 442

 SFH 2030
SFH 2030 F

Grenzwerte
Maximum Ratings

Bezeichnung Symbol Wert Einheit

Description Symbol Value Unit
Betriebs- und Lagertemperatur Top; Tstg –55 ... +100 oC

Operating and storage temperature range

oC
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom TS 300
Gehäuse entfernt bei Lötzeit t ≤ 3s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (t ≤ 3s)
Sperrspannung VR 50 V
Reverse voltage
Verlustleistung Ptot 100 mW
Total power dissipation

Kennwerte (TA = 25 oC)

Characteristics

Bezeichnung Symbol Wert Einheit

Description Symbol Value Unit
SFH 2030 SFH 2030 F
Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
VR = 5 V, Normlicht/standard light A, S 80 (≥ 50) – nA/Ix
T = 2856 K,
VR = 5 V, λ = 950 nm, Ee = 0.5 mW/cm2 S – 25 (≥ 15) µA
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit λS max 850 900 nm
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit λ 400 ...1100 800 ... 1100 nm
S = 10% von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10% of Smax
Bestrahlungsempfindliche Fläche A 1 1 mm2
Radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen LxB 1x1 1x1 mm
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area LxW
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober- H 4.0 ... 4.6 4.0 ... 4.6 mm
fläche
Distance chip front to case surface

Semiconductor Group 443

 SFH 2030
SFH 2030 F

Kennwerte (TA = 25 oC)

Characteristics

Bezeichnung Symbol Wert Einheit

Description Symbol Value Unit
SFH 2030 SFH 2030 F
Halbwinkel ϕ ± 20 ± 20 Grad
Half angle deg.
Dunkelstrom, VR = 20 V IR 1 (≤ 5) 1 (≤ 5) nA
Dark current
Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nm Sλ 0.62 0.59 A/W
Spectral sensitivity
Quantenausbeute, λ = 850 nm η 0.89 0.86 Electrons
Quantum yield Photon
Leerlaufspannung
Open-circuit voltage
Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, VL 420 (≥ 350) – mV
T = 2856 K
Ee = 0.5 mW/cm2, λ = 950 nm VL – 370 (≥ 300) mV
Kurzschluβstrom
Short-circuit current
Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, IK 80 – µA
T = 2856 K
Ee = 0.5 mW/cm2, λ = 950 nm IK – 25 µA
Anstiegs und Abfallzeit des Fotostromes tr, tf 5 5 ns
Rise and fall time of the photocurrent
RL= 50 kΩ; VR = 20 V; λ = 850 nm; Ip = 800 µA
Durchlaβspannung, IF = 80 mA, E = 0 VF 1.3 1.3 V
Forward voltage
Kapazität, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 C0 11 11 pF
Capacitance
Temperaturkoeffizient von VL TCV –2.6 –2.6 mV/K
Temperature coefficient of VL
Temperaturkoeffizient von IK, TCI %/K
Temperature coefficient of IK
Normlicht/standard light A 0.18 –
λ = 950 nm – 0.2
Rauschäquivalente Strahlungsleistung NEP 2.9 x 10–14 2.9 x 10–14 W
Noise equivalent power √Hz
VR = 10 V, λ = 850 nm
Nachweisgrenze, VR = 20 V, λ = 850 nm D* 3.5 x 1012 3.5 x 1012 cm · √Hz
Detection limit W

Semiconductor Group 444

 SFH 2030
SFH 2030 F

Relative spectral sensitivity SFH 2030 Relative spectral sensitivity SFH 2030 F Photocurrent IP = f (Ev), VR = 5 V
Srel = f (λ) Srel = f (λ) Open-circuit-voltage VL= f (Ev)
SFH 2030

Photocurrent IP = f (Ee), VR = 5 V Total power dissipation Ptot = f (TA) Dark current

Open-circuit-voltage VL= f (Ee) IR = f (VR), E = 0
SFH 2030 F

Directional characteristics Srel = f (ϕ)

Semiconductor Group 445