Aus der Wissenschaft
Transistoren aus Hochtemperatur-Supraleitern?
J. Mannhart
Transistoren aus Hochtemperatur-Supra-
leitern konnten die supraleitende Elektro-
nik revolutionieren. Daher wird seit eini-
gen Jahren intensiv nach neuartigen Kon-
zepten fur solche Bauelemente geforscht.
Elektronische Baugruppen, in denen als akti-
ve Komponenten supraleitende Bauelemente
eingesetzt werden, zeichnen sich durch ex-
trem hohe Schaltgeschwindigkeiten und ge-
ringen Energieverbrauch aus [I]. Ihre Funk-
tion beruht auf der Manipulation einzelner
magnetischer FluBquanten mittels Joseph-
son-Kontakten. Das Hauptproblem dieser
Elektronik besteht darin, dal3 Josephson-
Kontakte nur zwei Elektroden und damit kei-
nen separaten Kontakt zur Einkopplung
eines Eingangssignals aufweisen. Vergleich-
bar zu halbleitenden Tunneldioden lassen sie
sich daher nur mit Einschrankungen zur Auf-
frischung und zur Verstakung von Signalim-
pulsen einsetzen. Deswegen sind insbeson-
dere zur Herstellung hochintegrierter Schalt-
kreise unerwunscht enge Fertigungstoleran-
Zen erforderlich [I]. Wiiren praktikable
supraleitende Transistoren verfugbar, also
etwa Feldeffekt-Transistoren (FETs) mit
einem supraleitenden Drain-Source (DS)-
Kanal, IieBe sich dieses Problem elegant
losen, indem man die Josephson-Kontakte
mit solchen Transistoren erganzt. Supralei-
tende Transistoren w a e n auch fur sich ge-
nommen hochinteressante Bauelemente, da
sie im eingeschalteten Zustand keine ohm-
schen Verluste aufweisen und dann zudem
die quantenmechanischen Phasen von Sour-
ce und Drain koppeln, eine Eigenschaft, die
sich fur neuartige Schaltkonzepte nutzen
liel3e. Die Suche nach supraleitenden Transi-
storen wurde nach der Entdeckung der
Hochtemperatur-Supraleitung in den Kupra-
ten intensiviert, da diese im Vergleich zu
Prof. Dr. Jochen Mannhart, Zentrum fur Elek-
tronische Korrelationen und Magnetismus,
Lehrstuhl ExperimentalphysikVI, Universitiit
Augsburg, D-86135 Augsburg
Phys. B1. 54 (1998) Nr. 1 0031-9279/97/0101-0053 $17.50+.50/0 - 0 WILEY-VCH Verlag GmbH, D-6945 1 Weinheim, 1998
Josephson-
Kontakt
Abb. 1: Die verschiedenen nansistoren aus
Hochtemperatur-Supraleitern beruhen dar-
auf, daB sich ein Supra- oder Normalstrom
zwischen Source (S) und Drain (D) durch Anle-
gen eines elektrischen oder magnetischen Fel-
des oder die Injektion von Ladungstragern an
der Gate-Eletrode(G) steuern 1aBt.
konventionellen Supraleitem mit relativ nie-
deren Ladungstragerdichten, kurzen Koha-
renzlangen und hohen charakteristischen
Spannungen gunstigere Voraussetzungen fur
den Bau von Transistoren bieten. Dabei
wurde weltweit eine Vielzahl von Konzepten
untersucht, von denen sich FETs, die sich mit
elektrischen oder mit magnetischen Feldem
kontrollieren lassen, sowie Transistoren, die
auf der Injektion von Quasiteilchen in den
DS-Kana1 beruhen, als die vielversprechend-
sten erwiesen haben [2].
Die supraleitenden FETs, die mit elektri-
schen Feldem angesteuert werden, sind ver-
gleichbar zu halbleitenden FETs aufgebaut,
wobei in den nun supraleitenden DS-Kana1
ein Josephson-Kontakt integriert sein kann
(Abb. 1) [2]. Wie bei den halbleitenden FETs
wird die Ladungstragerdichte des DS-Kanals
durch Anlegen einer elektrischen Spannung
an die Gate-Elektrode geandert. Da die kriti-
sche Temperatur T, der Hochtemperatur-Su-
praleiter empfindlich von der Dichte der be-
weglichen Ladungstrager abhangt, fuhrt die
Ladungstragerdichteanderung zu einer Ver-
schiebung von T,. Durch Fortschritte im De-
sign und der Epitaxie der Heterostrukturen
gelang es, die T,-Verschiebung solcher Tran-
sistoren von 50 mK auf mehr als 10K zu stei-
gem (s. Abb. 2). In diesem Temperaturbe-
reich laBt sich die kritische Temperatur ein-
fach durch Anlegen einer elektrischen Span-
nung an die Gate-Elektrode uber die Arbeit-
stemperatur hinweg verschieben und damit
bestimmen, ob der DS-Kana1 supraleitend
sein sol1 oder nicht! Auf diese Weise konnten
inzwischen Strome von 7.5 A geschaltet
werden [3]. Auch fur Speicherelemente
eroffnen sich attraktive Perspektiven, da sich
als Gate-Isolatoren auch Ferroelektrika be-
nutzen lassen. Mit grol3em Interesse wird fer-
ner die Venvendung von nichtlinearen Gate-
Dielektrika fur durchstimmbare Phasen-
schieber und Resonatoren verfolgt.
Bei den magnetisch gesteuerten, supraleiten-
den FETs wird die Bewegung magnetischer
FluSquanten durch den DS-Kana1 uber ein
Magnetfeld kontrolliert, welches von einem
durch die Gate-Elektrode fliel3enden Supra-
strom induziert wird. Auch diese Transisto-
ren konnten durch die Integration von
Josephson-Kontakten in den Kanal deutlich
verbessert werden, und an den Universitaten
von Berkeley und Tubingen wurden mittler-
weile hohe Spannungsverstakungen und
Stromverstarkungen von 8.5 bei 77 K bzw.
14 bei 7 0 K gemessen [4]. Fur optimierte
0.OlL. " ' I ' " 'I. I
35 40 45 50
7- (K)
Abb. 2: Temperaturabhangigkeitdes Drain-
Source-Wideptands eines FETs mit einem
YBa2Cu30,-Kanal fur drei verschiedene
Gate-Spannungen. Die kritische Temperatur
der 8 dicken YBa,Cu,O,-x-Schicht laRt sich
durch Andern der Gate-Spannung zwischen
32 K und 40 K verschieben (aus Ref. 2).
53
 Transistoren deuten Abschatzungen auf
Grenzfrequenzen von 500 GHz hin [Z, 41.

Die Funktionsweise der Injektionstransisto-

ren beruht auf der Unterdriickung der Supra-
leitung ultradunner DS-Kanale durch die
ballistische Injektion von elektronenartigen
oder lochartigen Quasiteilchen. Mit Injekti-
onstransistoren, die am Forschungszentrum
Karlsruhe und an der Universitat Twente
entwickelt wurden, konnten bereits Strom-
verstarkungen groSer 6 erreicht werden [5] .
Am Naval Research Lab und an den Univer-
sitaten von Maryland und Minnesota wird
derzeit mit groBem Eifer versucht, mit spin-
polarisierten Quasiteilchen die Cooper-
Paare im DS-Kana1 gezielt aufzubrechen.
Aufgrund erster ermutigender Ergebnisse
darf man gespannt sein, wie sich%diesesFeld
entwickelt.

Zusammenfassend 1aSt sich feststellen, da13

auf dem Gebiet der Hoch-Tc-Transistoren
betrachtliche Fortschritte erzielt und inzwi-
schen verschiedene Transistoren rnit ein-
drucksvollen Verstiirkungsfaktoren vorge-
stellt wurden. Allerdings sind die Kuprate -
obwohl besser geeignet als konventionelle
Supraleiter - nicht die perfekten Materialien
zum Transistorbau. Deswegen ist es erfor-
derlich, bei deren Herstellung verfugbare
Techniken bis an die Grenzen des Machba-
ren zu treiben. Die Anstrengungen, diese
Grenzen auszudehnen, fuhrten zu bemer-
kenswerten Fortschritten bei der Epitaxie
von Oxiden und zum besseren Verstandnis
grundlegender Eigenschaften der Hoch-T,-
Supraleitung.

Aufgrund der Materialeigenschaftender Ku-

prate erscheint es unrealistisch, supraleitende
Transistoren mit Leistungsdaten zu erwarten,
die fur sich genommen das Abkuhlen einer
Elektronik auf kryogene Temperaturen
rechtfertigen wurden. Hoch-T,-Transistoren
kannen aber eine wichtige Rolle in bereits
gekuhlten Systemen spielen, die andere su-
praleitende Komponenten wie die eingangs
envanten Josephson-Kontakte oder gekuhl-
te Halbleiter verwenden.

Diese Arbeit wurde vom BMBF unter der

Projektnummer 13N691811 unterstiitzt.

[ 11 1: van Duzer; IEEE Trans. Appl. Superc.

7,98 (1997); E. Terzioglu u. M. Beasley,
ibid. 7,18 (1997).
[Z] J. Mannhart, Supercond. Sci. Technol. 9,
49 ( 1996).
[3] B. I. Smirnov et al., Physica C 273, 255
(1997).
[4]D. Kolle et al., Appl. Phys. Lett. 66, 640
(1995); R. Gerdemann et al., Appl. Phys.
Lett. 67, 1010 (1995).
[5] C. W Schneider et al., Vortrag Friihjahrs-
tagung der DPG, Miinster, 1997.

54 Phys. B1.54(1998) Nr. 1