Halbleiter-

Bauelemente
Adolf Rötzel

i Historie v/d Radic

expert verlag
frech-verlag ;
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N.V.HLR,
A. Rötzel • Halbleiter-Bauelemente
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N.V.H.R,
Halbleiter-Bauelemente

Dipl.-lng. A. Rötzel

expert verlag, 7032 Sindelfingen

frech-Verlag, 7000 Stuttgart
 CIP-Kurztltelaufnahme der Deutschen Blbllothek

Rötzel, Adolf:
Halbleiter-Bauelemente/Adolf Rötzel. -Sindelfingen:
expert-Verlag; Stutigart: Frech, 1985.
(ReiheTechnik)
ISBN 3-88508-998-X (expert-Verl.)
ISBN 3-7724-5433-X (Frech)

© 1985 by expert verlag, 7032 Sindelfingen

AJIe Rechte vorbehalten
Printed in Germany

ISBN 3-88508-998-X (expert verlag)

ISBN 3-7724-5433-X (Frech)
 £13130 i I"l £•*—*
N.V.H.R,
Vorwort

Die Halbleitertechnik hat in den vergangenen Jahrzehnten groBe Fortschritte ge-

macht. Halbleiter-Bauelemente verschiedenster Arten finden in stetig zunehmen-
dem Umfang in der Elektronik und Nachrichtentechnik, der MeB-, Steuer- und
Regeltechnik, der Datenverarbeitung usw. Anwendung.

Das vorliegende Buch soll dem in der Praxis tatigen Techniker, Meister und ins-
besondere den Lehrlingen der elektronischen Berufen, eine kurze Einführung
in den Aufbau, die Wirkungsweise und Eigenschaften von elektronischen Bauele-
menten geben.

Mit diesem Unterrichtsstoff wird angestrebt, für alle Interessenten der Halbleiter­
technik ein fundiertes Fachwissen zu vermitteln. Die physikalische Wirkungs­
weise der Halbleiter-Bauelemente wird kurz und verstandlich erlautert. Zum
besseren Verstandnis der Themen, enthalt das Buch, auBer einer Anzahl Bilder,
viele Tabellen, Listen und Merksatze.

Allen, die am Zustandekommen des Buches beteilïgt waren, sei auf diesem Wege
gedankt.

5
Inhaltsverzeichnis

1 Grundlagen 11

1.1 Überblick 11
1.1.1 Leiter 11
1.1.2 Nichtleiter 11
1.1.3 Halbleiter 12
1.1.3.1 Eigenleitfahigkeit 14
1.1.3.2 Störstellenleitung 15
1.1.3.2.1 Majoritaten, Minoritaten 17
1.1.3.3 Herstellung reinsten Siliziums und Germaniums 18
1.1.3.3.1 Zonenschmelzverfahren 18
1.1.3.3.2 Einkristallziehen 18

2 Homogene Halbleiter-Bauelemente 20

2.1 HeiBleiter (NTC-Widerstand) 20

2.1.1 MeB- und KompensationsheiBleiter 21
2.1.2 AnlaRheiBleiter 21
2.1.3 RegelheiBleiter 22
2.1.4 Beheizte HeiBleiter 23
2.2 Kaltleiter 24
2.3 Varistor (VDR-Widerstand) 26
2.4 Fotowiderstand 28
2.5 Feldplatte 30
2.6 Hallgenerator 31

3 Halbleiterdioden 35

3.1 pn-Übergang 35
3.1.1 pn-Übergang infolge auBerer Spannung 38
3.1.1.1 pn-Übergang in Sperrichtung 38
3.1.1.2 pn-Übergang in DurchlaBrichtung 39
3.1.2 Diodenkennlinie 40

7
 3.2 Ausführungen und Anwendungen von Halbleiterdioden 42
3.2.1 Gleichrichterzellen (Gleichrichterdioden) 42
3.2.1.1 Gleichrichterschaltungen 45
3.2.2 Z-Dioden 48
3.2.3 Tunneldiode 51
3.2.4 Kapazitatsdiode (Kapazitatsvariationsdiode, Varaktor) 53

4 Transis toren 59

4.1 Bipolare Transistoren 59

4.1.1 Aufbau und Wirkungsweise des Flachentransistors 59
4.1.1.1 Aufbau 59
4.1.1.2 Wirkungsweise eines Flachentransistors als Verstarker 61
4.1.2 Grundschaltungen des Transistors 62
4.1.2.1 Emitterschaltung 62
4.1.2.2 Kollektorschaltung 63
4.1.2.3 Basisschaltung 63
4.1.3 Transistorkennlinien in Emitterschaltung 63
4.1.3.1 Eingangskennlinie 65
4.1.3.2 Steuerkennlinie 65
4.1.3.3 Ausgangskennlinie 66
4.1.313.1 Arbeitspunkteinstellung 68
4.1.3.3.2 Grenzwerte, Arbeitsbereich und Ansteuerung 68
4.1.3.4 Vollstandiges Kennlinienfeld 72
4.1.4 Einfacher Verstarker in Emitterschaltung 72
4.1.5 Transistor als Schalter 73
4.1.5.1 Kippschaltungen 77
4.1.5.1.1 Bistabile Kippstufen oder Flip-Flops 77
4.1.5.1.2 Astabile Kippschaltung (Multivibrator) 79
4.1.6 Transistor-Bauformen 81
4.1.6.1 Legierungstransistoren 81
4.1.6.2 Diffunsionstranistoren 82
4.1.6.2.1 Drifttransistoren 82
4.1.6.2.2 Mesatransistoren 83
4.1.6.2.3 Planartransistoren 84
4.1.6.2.4 Epitaxialtransistoren 86
4.2 Feldeffekttransistoren 87
4.2.1 Sperrschicht-Feldeffekttransistoren (FET) 88
4.2.1.1 Kennlinien 89
4.2.1.1.1 Ausgangskennlinien 89
4.2.1.1.2 Eingangskennlinien 91
4.2.1.2 Grundschaltungen der Sperrschicht-Feldeffekttransistoren 92
4.2.1.2.1 Die Sourceschaltung 92

8
4.2.2 Isolierschicht-Feldeffekttransistoren (IG-FET) 93
4.2.2.1 Anreicherungs-IG-FET 93
4.2.2.2 Verarmungs-IG-FET 94
4.2.3 Kennlinien 95
4.2.3.1 Übertragungskennlinien 95
4.2.3.2 Ausgangskennlinien 97

5 Integrierte Schaltungen 99

5.1 Aufbau der Bauelemente von IC 100

5.1.1 Bipolare IC 100
5.1.2 Unipolare IC (MOS-FET-IC) 105
5.2 Verknüpfungsglieder und -schaltungen 107
5.2.1 Verknüpfungsgl ieder 107
5.2.2 Verknüpfungsschaltungen 111
5.2.2.1 Verknüpfungsschaltungen mit Dioden (DL, diode, logic) 111
5.2.2.1.1 UND-Gatter 111
5.2.2.1.2 ODER-Gatter 112
5.2.2.2 Negation, verwirklicht durch einen Transistor 113
5.2.2.3 Verknüpfungsschaltungen mit Dioden-Transistor-Glieder
(diode transistor logic) 114
5.2.2.3.1 NAND-Verknüpfung, NAND-Glied 114
5.2.2.3.2 NOR-Verknüpfung, NOR-Glied 115
5.3 Integrierte Digital-Schaltkreissysteme (Schaltkreisfamilien) 115
5.3.1 RTL-Technik 116
5.3.2 RCTL-Technik 116
5.3.3 DTL-Technik 117
5.3.4 DTLZ-Technik 118
5.3.5 TTL-Technik 119
5.3.6 ECL-Technik 120

6 Baulemente der Vierschichthalbleiter 122

6.1 Vierschichtdiode 122

6.1.1 Wirkungsweise 122
6.2 Der Thyristor 124
6.2.1 Aufbau des Thyristors 124
6.2.2 Wirkungsweise des Thyristors 124
6.2.2.1 Kennlinie des Thyristors 127
6.2.2.2 Das Zünddiagramm 128
6.2.2.3 Grundschaltungen mit Thyristoren 129
6.3 Der Diac 131

9
 6.4 Der Triac 133
6.4.1 Einfache Grundschaltung (Dimmerschaltung) 134

7 Die Doppelbasisdiode (Unijunktionstransistor UJT) 136

7.1 Aufbau 136

7.2 Wirkungsweise 137
7.3 Kennlinie der Doppelbasisdiode 138
7.4 Einsatz der Doppelbasisdiode als Impulsschaltung 139
7.4 Anwendung der Doppelbasisdiode 140

8 Fotoelektronische Bauelemente 141

8.1 Lichttechnische GröSen 141

8.2 Fotodioden und Fotoelemente 144
8.2.1 Fotodiode 144
8.2.2 Fotoelement 145
8.3 Fototransistor 146
8.4 Fotothyristor 148
8.5 Lumineszenzdiode 149
8.5.1 Lichterzeugung 149
8.5.1.1 Kreisrunde Lumineszenzdioden 152
8.5.1.2 Sieben-Segment-LED-Anzeigen 153
8.6 Optokoppler 155

9 Der Halbleiterdetektor für den Nachweis und zur Messung

energiereicher Strahlen 158

9.1 Radioaktive Strahlung 158

9.2 Halbleiterdetektor (Silizium-Zahldiode) 159
9.2.1 Wirkungsweise 160

Anhang (Prüfungsfragen und -antworten) 162

Literaturverzeichnis 187

Stichwortverzeichnis 188

10
1
Grundlagen

1.1 Überblick

In Verbindung mit dem elektrischen Strom beurteilt man die verschiedenen

Stoffe meist nach ihrer elektrischen Leitfahigkeit.

Die elektrische Leitfahigkeit eines Stoffes hangt von der Dichte der beweglichen
Ladungstrager in seinem Innern ab.

Man unterscheidet drei Gruppen von Stoffen:

Leiter, Isolatoren und Halbleiter

Letter Halbleiter Nichtleiter

Silbtr Kunstslofte
Aluminium Cermanium Marmor Btmstem
Kufiter, Cittn Sihiium Glimmer Bild 1.1:
w* icr* 103 1 w3 io* w6 io* k/° id3 id* id6 Übersicht über elektrische Leiter,
spez Widerstond 6 Qcm Halbleiter und Nichtleiter

1.1.1 Leiter sind Stoffe (Metalle), die ohne besondere MaBnahmen den elektri­
schen Strom gut leiten. Fast alle derartigen Stoffe sind Metalle. Bei den metalli-
schen Leitern werden nicht alle Valenzelektronen (auf der auBeren Bahn befind-
lichen Elektronen) zur Bindung der Atome benötigt. Da die Valenzelektronen
von Metallen ohnedies nur locker an den Atomkern gebunden sind, gibt es in
einem solchen Leiter eirie groBe Zahl freier Elektronen, die sich zwischen dem
Gitter der Metallatome frei bewegen können. Die leichte Beweglichkeit der
Elektronen ist die Ursache für die gute elektrische Leitfahigkeit der Metalle.
Beispiel: Silber, Kupfer, Aluminium

1.1.2 Nichtleiter. oder Isolatoren sind Stoffe, deren Elektronen zur Bindung
der Atome benötigt werden. Sie besitzen deshalb keine oder nur sehr wenig

11
 freie elektrische Ladungstrager, so daB die elektrische Leitfahigkeit fast null
und der ohmsche Widerstand unendlich groB ist. Nichtleiter sind also Stoffe,
die normalerweise den elektrischen Strom nicht leiten können.
Beispiel: Glas, Gummi, Porzellan, Marmor usw.

1.1.3 Halbleiter: Die zur Zeit besonders interessanten Halbleiter Silizium (Si)
und Germanium (Ge) sind Valenzkristalle. Sowohl Silizium als auch Germanium
haben je Atom vier Valenzelektronen (Bild 1.2). Jedes der vier Bindungselektro-
nen dieser Atome verbinden sich mit je einem Bindungselektron eines Nachbar-
atoms zu einem Elektronenpaar. In diesem KristalIgitter (Bild 1.3) befinden sich
also keine freien Elektronen. Durch thermische oder optische Energiezufuhr ge-
lingt es aber, solche Bindungen aufzubrechen. Bei zunehmender Erwarmung ge-
raten die Atome in immer heftigere Schwingungen und zerren dabei so stark an
den Bindungen zwischen den Atomen, daB gelegentlich die Bindung zerrissen
wird (Bild 1.4). Dann können die für die Bindung verantwortlichen Elektronen
sich frei bewegen. Solche Elektronen verursachen die Leitfahigkeit dieser Kri-
stalle. Mit steigender Temperatur nimmt, infolge Vermehrung der freibewegli-
chen Elektronen, die elektrische Leitfahigkeit immer mehr zu.

py
Go Ge

& Ge

7? Elektronen
Ge

Bild 1.2:
Atommodell von Germanium Bild 1.3:
Schematische Darstellung eines
Germaniumkristalls

Die elektrische Leitfahigkeit der Halbleiter nimmt mit steigender Temperatur zu.

t*
Ge

y/frcige .
wordenes 'txV-x
Elektron jJ?
O^o0oor^2< XCc.

V
Energiezufuhr Bild 1.4:
V Lkhtquant
Eigenhalbleitung im Germaniumgitter

12
Bewegung der Ladungstrager: Das aus der Bindung herausgelöste Elektron hin-
terlaSt ein positiv geladenes Loch (Elektronenmangel bedeutet positive Ladung).
In dieses Loch kann ein Nachbarelektron springen. Dadurch entsteht aber bei
dem Atom, wo sich dieses Elektron befand, ein neues Loch.

Auch dieses Loch wird wieder von einem Elektron ausgefüllt usw. (Bild 1.5, a,
b, c). Da der Kristall vor der Herauslösung des Elektrons an der betreffenden
Stelle elektrisch neutral war, überwiegt hier nach der Herauslösung die positi­
ve Ladung (ProtonenüberschuB) des zugehörigen Atomkerns. Das Loch verhalt
sich so, als ob es ein positives Teilchen ware: Das hangt damit zusammen, daS es
sich in Richtung der Feldstarke bewegt. Man tut so, als sei die Lücke ein selbst-
standiges Teilchen und spricht von einem an dieser Stelle befindlichen Defekt-
e/ektron.

o o o o o o o o o o
O-freies Elektron
o o o
o° © o © o © o o © 7® °c
j Loch
o o o o o o o o o o

o o o
o © : © o © o o © o © o
o o o o o o o o o o

Bild 1.5a): Bild 1.5b):

Beim absoluten Temperaturnullpunkt Bei endlicher Temperatur: Ein Elek­
liegen alle Elektronen fest tron ist durch die Warmebewegung los-
gelöst worden, es bleibt eine Lücke
(Defektelektron) zurück.

Bild 1.5c):
o o o o Das losgelöste Elektron bewegt sich
frei weiter, die Lücke wandert eben-
: © : © : falls, indem sie jeweils durch Nachbar-
o o o o elektronen aufgefüllt wird.

Bild 1.5: Wanderung der Ladungstrager (a, b und c)

Die Richtung der sich bewegenden Elektronen ist entgegen dem des angelegten
elektrischen Feldes. Es gibt also eine Bewegung von Elektronen entgegen der
Feldrichtung und eine Bewegung einer gleich groSen Anzahl von Löchern (De-
fektelektronen) in Feldrichtung.

13
 1.1.3.1 Eigenleitfahigkeit: Die Leitfahigkeit im Halbleiterkristall kommt nach
der bisheriger» Deutung durch paarweise Entstehung je eines freien Elektrones
und eines Loches infolge Energiezufuhr, z.B. Warmeenergie, zustande. Da die
Ladungstrager allein von den eigenen Atomen (es sind Reinstkristalle, die nur
aus Silizium- oder Germaniumatomen bestehen) herrühren, nennt man die da-
durch entstehende Leitfahigkeit die Eigenleitfahigkeit (Intrinsic oder i-Leitung).

Die Elektrizitatsleitung in einem Halbleiterkristall besteht in einem zum positi-

ven Pol gerichteten Elektronenstrom und einem zum negativen Pol gerichteten
Strom von Löchern.

Generation, Rekombination:
Durch Energiezufuhr gelingt es Bindungen aufzubrechen. Dabei entsteht ein
freies Elektron als negativer Ladungstrager und im Gitter ein Defektelektron
(Loch) als positiver Ladungstrager. Dieser Vorgang wird Paarbildung oder Gene­
ration genannt (Bild 1.6).
Das Hineinfallen eines freien Elektrons in ein Loch wird Rekombination ge­
nannt.
Es stellt sich ein Gleichgewichtszustand zwischen Paarbildung und Rekombina­
tion ein. Aus dem Mechanismus der Paarbildung geht hervor, dafS gleichviel freie
Elektronen und Defektelektronen vorhanden sind.

Defektelektron

O
Rekom -
£ bmo tion &
o» Bild 1.6:
Poarbitdung Schematische Darstellung von Paarbil­
Ge
dung und Rekombination

Bandermodell: Mit Hilfe des Bandermodells laKt sich insbesondere die Energie
der Elektronenhülle darstellen. Die Energie, auch Aktivierungsenergie genannt,
ist allerdings auch vom Werkstoff abhangig.

Werkstoff chem. Kurzzeichen Aktivierungsenergie

Germanium Ge 0,67
Silizium Si 1,1

Bei den Halbleitern ist das Valenzband vom Leitungsband durch ein sogenann-
tes Energieband getrennt. Eigenhalbleiter, wie Silizium und Germanium, weisen

14
einen geringen Energieunterschied A E zwischen Valenzband und Leitungsband
auf. Bei Temperaturen nahe dem absoluten Nullpunkt verhalt sich der Eigen-
halbleiter wie ein Isolator, da das Valenzband voll besetzt ist. Es finden hier
keine Platzwechselvorgange statt. Das Leitungsband ist dagegen vollstandig leer.
Schon bei Zimmertemperatur können infolge thermischer Energiezufuhr einige
Valenzelektronen in das Leitungsband gehoben werden.

Die Elektronen im Leitungsband sind frei beweglich. Sie können dadurch zur
Elektrizitatsleitung beitragen. Auch die zurückgebliebenen Löcher im Valenz­
band bewegen sich frei (indem sie durch die nebenan liegenden Elektronen des
Valenzbandes allmëhlich wieder gefüllt werden). Sie tragen daher ebenfalls zur
elektrischen Leitfahigkeit bei. Für jedes in das Leitungsband gehobene Elektron
ist also ein Defektelektron (Loch) entstanden, das sich wie eine positive Ladung
verhalt. Die Zahl der Ladungstrager (Leitungs- und Valenzelektronen) nimmt
mit steigender Temperatur zu; damit steigt auch die elektrische Leitfahigkeit
von Eigenhalbleitern mit zunehmender Temperatur. Bei den Metallen sinkt da­
gegen die Leitfahigkeit mit zunehmender Temperatur.

tjSS»
T
<•
* 'uber- \
P1 AE
i-
scbussjges
Elektron^
Ge Ge

i*
Ge Ge

Bild 1.7:
Bandermodell von Halbleitern Bild 1.8:
Germaniumgitter mit eingebautem
Donatoratom (5-wertigem As-Atom)

1.1.3.2 Störste/len/eitung: Die elektrische Leitfahigkeit von reinen Halbleiter-

kristallen, z.B. aus Element Germanium, ist bei Zimmertemperatur sehr gering.
Jede Verunreinigung erhöht die elektrische Leitfahigkeit betrachtlich. Für Halb-
leiterbauelemente wird z.B. ein Reinstgermanium mit 99,99999999% Ge herge-
stellt. Auf 1010 Germaniumatome wird bewuSt ein Fremdatom zugesetzt. Durch
den absichtlichen Einbau derartiger Fremdatome bilden sich Störstellen. Man
nennt das Einbringen von Fremdatomen in den reinen Halbleiterkristall Dotie-
ren. Man dotiert z.B. Germanium- oder Siliziumkristalle mit fünfwertigen oder
dreiwertigen Elementen (Fremdatomen). In Frage kommen beispielsweise
Phosphor, Arsen oder Antimon (haben je fünf Valenzelektronen) und Gallium,
Bor oder Indium (haben je drei Valenzelektronen). Dadurch ist eine Dotierung
auf zwei Arten möglich:

15
 1. n-Dotierung und 2. p-Dotierung

1. n-Dotierung:
Werden dem vierwertigen HalbleiterkrïstalI (Germanium oder Silizium) fünfwer-
tige Fremdatome (Phosphor, Arsen, Antimon) zugesetzt, so entsteht im Kristall
eine „Störstelle". Da das fünfte Valenzelektron für die Bindung nicht benötigt
wird, reiSt es sich leicht von dem Fremdatom, z.B. Arsen los. Es kann sich im
Kristall frei bewegen, wodurch ein ElektronenüberschuB entsteht. Die zusatz-
lichen Elektronen erhöhen dadurch die Leitfahigkeit.

Eine Störstelle, die freie Elektronen abgibt, wird als Donator (donare-spenden)
bezeichnet. Donatoren machen einen Halbleiterkristall überschuBleitende (Elek­
tronenüberschuB), d.h. n-leitend (n-Halbleiter); wegen der negativen Ladung der
Elektronen.

Donatoratome liegen nahe am Leitungsband und verfügen über leicht abgebbare

Elektronen. Eine geringe Energie reicht schon aus, um ein Elektron des Donators
in das Leitungsband zu heben, zurück bleibt das festsitzende As-Atom mit einer
positiven ÜberschuBladung.

t 115311 /v Lei ter

i-

♦ posifives Donatorion
©
Donatorafom (As-Atom )
fehlendes
Elektron

Ti' 7^

Bild 1.9:
Bandermodell eines Halbleiters mit Bild 1.10:
Störstellenieitung mit n-Dotierung Germaniumgitter mit eingebauten Ak-
(Donator), ED = 0,04eV für As zeptoratom (3-wertigen In-Atom)

2. p-Dotierung:
Eine weitere Möglichkeit zur Steigerung der Leitfahigkeit des Ge- oder Si-Halb-
leiters besteht in dem Einbau von Frematomen mit drei Valenzelektronen. Zur
Dotierung von Ge und Si mit dreiwertigen Fremdatomen verwendet man vor-
zugsweise Indium (In), Bor (B) und Gallium (Ga). Durch Zusatz solcher Fremd­
atome entstehen im Kristalgitter Fehlstellen, die als Defektelektronen wirken.
Beispiel: Wenn etwa ein Indiumatom an die Stelle eines Germaniumatoms in das
Kristalgitter eintritt, so verbinden sich die drei Valenzelektronen des Indium-
atoms mit benachbarten Germaniumatomen. Das bedeutet, daB ein Elektron zu-

16
wenig da ist, und dadurch ein Valenzelektron eines Geraniumatoms ungepaart
bleibt. Auch das Indiumatom bewirkt also eine Störstelle im Germaniumkristall.
Man spricht in diesem Fall von einer Störstelle in Form eines „Loches". Das in
das Halbleitergitter eingebaute dreiwertige Indiumatom erzeugt somit ein frei be-
wegliches Loch und ein fest gebundenes negatives Ion. Solcherart dotierte Halb-
leiter bezeichnet man als Akzeptoren (akzeptieren-aufnehmen), oder „Löcherlei-
ter" (Defektleiter). Akzeptoren machen einen Halbleiterkristall mangelleitend
(infolge Elektronenmangels). Wegen der positiven Ladung der Löcher spricht
man allgemein von einem p-Halbleiter.

Ein Akzeptor ist eine Störstelle, die leicht (d.h. nach Zufuhr geringer thermi-
scher Energie) ein Elektron aus dem Valenzband aufnimmt.

Akzeptoren liegen dicht oberhalb des Valenzbandes und können leicht ein Elek­
tron aus diesem Band aufnehmen. Das zurückgebliebene Loch im Valenzband
ist frei beweglich, der dann negativ geladene Akzeptor sitzt fest. Die im Valenz­
band entstehenden Defektelektronen wirken als positive Ladungstrager (p-Lei-
ter).

1. 1.3.2.1 Majoritaten, Minoritaten

In n-leitendem Material ist die Zahl der freien Elektronen bedeutend gröSer als
die Zahl der Löcher. In p-Halbleiter herrschen die positiven Ladungstrager vor.
In beiden wird die Ladungstragerzahl gegenüber dem reinen Material durch Do-
tierung mit einem fünf- oder dreiwertigen Element, erhöht.
Die in dotierten Halbleitern überwiegende Art der beweglichen Ladungstrager
bezeichnet man als Majoritatstrager, die in der Minderheit vorhandene Art als
Minoritatstrager.
Man meint dabei je nach Dotierart einmal Löcher, ein andermal Elektronen.

is» ................... ......................■ negatives

sS' Akieptorion
n-Material p- Material

Majoritatstrager Elektronen Löcher

— p-Leiter Minoritatstrager Löcher Elektronen

Ladungstrager in dotierten Halbleiter-

O Defektelektron
materialien

Bild 1.11:
Bandermodell eines Halbleiters mit
Störstellenleitung mit p-Dotierung
(Akzeptor) EA =0,011eV für In

17
 induktive Spuien (HF- Spuien)

Schutzgas Schmetzzone
\___ E Quorz-
\ schiffchen
iiiiiiiittrïl verunreinigte
Zone Bild 1.12:
technisch Quarzrohr Schematische Darstellung des
reines Beweg^jngsrichtung
Germanium der Induktionsspule Zonenschmelzens

1.1.3.3 Herstellung reinsten SiUziums und Germaniums

Es gibt eine groSe Anzahl von Herstellungsverfahren für Halbleiter-Bauelemente.

Sie können in diesem Buch nicht alle ausführlich behandelt werden. Deshalb wol­
len wir nur einige Verfahren kurz erlautern.
Grundlegende Voraussetzung für die Herstellung brauchbarer Halbleiterbauele-
mente ist die Herstellung der Ausgangsstoffe in genügender Reinheit. Genügend
heiSt hier: ein Fremdstoffatom auf mehr als eine Milliarde Germanium- bzw.
Siliziumatome (Reinheitsgrad von 1010 : 1).

Vorgereinigtes Si oder Ge wird auf einen Reinheitsgrad gebracht von 101° Eigen-
atome: 1 Fremdatom = 99,999 999 99%.

Solche Reinheitsgrade sind sogar für die Chemie ungewöhnlich, so daS sich an
die chemische Reinigungsprozesse noch physikalische Verfahren anschlieBen. Ein
Verfahren hierzu ist das Zonenschmelzverfahren.

1.1.3.3.1 Zonenschmelzverfahren
Vorgereinigte Si- bzw. Ge-Kristallstabe werden in einem mit Schutzgas durch-
strömten, und von mehreren Hochfrequenzspulen umgebenen Quarzrohr ge­
bracht.
Beispiel: Ein Germaniumstab wird in einem Graphittiegel waagerecht durch die
Induktionsspule hindurchgezogen. Dieser Vorgang wird mehrmals wiederholt,
wobei die Fremdstoffkonzentration bei jedem Zonendurchgang abnimmt. Die
Verunreinigungen reichern sich in den Schmelzzonen an. Von dort sammeln sie
sich nachher am Endteil des Stabes und können durch Abschneiden des betrof-
fenen Stückes beseitigt werden.

1.1.3.3.2 Einkristallziehen
Ein anderes Verfahren ist das Einkristall-Ziehverfahren.

18
 Zugstange (drehbar)
Quarzrohr
fur Zusatzstoffe Schutzgos

ÉZ2 z
Penster

Halterung für
Impfkristal! den Impfling

m Germanlum -
schmelze
Bild 1.13:
Graphittiegt HF -Heiz- Schematische Darstellung des Ein-
einnchtung
kristallziehverfahrens

Beispiel: Germanium wird in einem Graphittiegel, der induktiv geheizt wird, ge-
schmolzen. In einer Ziehvorrichtung wird ein monokristalliner (einkristalliner)
Impfkristall (Germaniumkeim) befestigt und in die Schmelze getaucht. Der Keim
wird unter langsamer Drehung aus der Schmelze herausgezogen. Dabei kristalli­
seren die Atome zu einem einkristallinen Germaniumstab.

19
 2
Homogene Halbleiter-Bauelemente

HeiBleiter (NTC-Widerstand), Kaltleiter (PTC-Widerstand), Varisator (VDR-

Widerstand), Fotowiderstand, Feldplatte und Hallgenerator.

2.1 HeiBleiter (NTC-Widerstand)

HeiBleiter, auch Thermistoren (thermally-sensitive-resitorstemperaturabhangig)

genannt, sind Halbleiterwiderstande mit nichtlinearer Kennlinie. Nimmt der
Widerstand dieser Halbleiter-Bauelemente mit steigender Temperatur ab, so
spricht man also von HeiBleitern oder NTC-Thermistoren; die Bezeichnung NTC
bedeutet „negativer Temperaturkoeffizient".

HeiBleiter (NTC-Widerstande) sind temperaturabhangige Widerstande. Sie haben

einen mit steigender Temperatur fallenden Widerstand.

Begründung: Bei StromfuB erwarmen sich die HeiBleiterkristalIe. Dabei kommt

es zur Vermehrung freier Elektronen, wodurch der Widerstand fallt. Die Kenn­
linie nach Bild 2.1 zeigt, daS der Widerstand stark mit steigender Temperatur ab-
nimmt.

Das zur Herstellung von NTC-Widerstanden verwendete Material besteht in der

Bild 2.1:
Kennlinie und Schaltzeichen eines
°C HeiBleiters (NTC-Thermistors)

20
Regel aus einer Mischung von Eisen-, Nickel-, Kobalt- und Magnesiumoxiden,
denen je nach den gewünschten Eigenschaften noch andere Oxide zugesetzt
werden. Die gemischten Stoffe werden zu Scheiben, Stabe oder Perlen geformt.
Durch einen SinterprozeB bei hohen Temperaturen und hohem Druck werden
die geforderten elektrischen Eigenschaften erreicht.

2.1.1 MeB- und KompensationsheiBleiter sind HeiBleiter mit Fremderwarmung.

Sie werden durch das umgebende Medium erwarmt. Ihr Widerstand hangt daher
von der Umgebungstemperatur ab. Einige kennzeichnende Bauformen zeigt
Bild 2.2.
Anwendungen: Temperaturmessung, Temperaturregelung, Ausgleich von Tempe-
ratureinflüssen (z.B. zur Arbeitspunktstabilisierung bei Transistoren).

HeiOleiterperle
a)

l / I A (Relais)
b) M6

aufschraubbar

Mju /o(Kontakt)
c)
scheiben formtg —«•' o

Bild 2.2: Bild 2.3:

Einige Bauformen von HeiBleitern HeiBleiter zu Anzugsverzögerung eines
a) Perlform in Glasgehause Relais
b) in Metallgehause mit Einschraub-
gewinde
c) Scheibenform

2.1.2 AnlaBheiBleiter (eigenerwarmte HeiBleiter) werden vom durchflieBenden

Strom erwarmt.
Anwendung: Anzugs- und Verzögerungsvorgange bei Relais sowie als AnlaB-
widerstand zum Schutz gegen EinschaltstromstöBe.
a) Wirkungsweise eines HeiBleiters zur Anzugsverzögerung eines Relais:
Das Relais ist über einen Schalter S mit einer Stromquelle verbunden (Bild 2.3).
Schalter S geschlossen: Es flieBt nur ein kleiner Strom (HeiBleiter ist noch kalt).
Das Relais kann noch nicht anziehen. Der Strom erwarmt allmahlich den HeiB­
leiter. Durch die Eigenerwarmung des HeiBleiters nimmt sein Widerstand ab. Der
HeiBleiter wird dann über einen Kontakt a kurzgeschlossen.

21
 Gluhlampen

Bild 2.4:
HeiBleiter als AnlaBwiderstand zum
Schutz gegen EinschaltstromstöBe
UB = Betriebsspannung

b) HeiBleiter als AnlaBwiderstand zum Schutz gegen EinschaltstromstöBe: Der

HeiBleiter verhindert als AnlaBwiderstand (Bild 2.4) im Stromkreis von Glüh-
lampen einen hohen Einschaltstrom bei kaltem Glühfaden.

2.1.3 RegelheiBleiter

Mit einer geeigneten Kombination von HeiBleitern und Widerstanden kann man
auch Spannungen bei schwankendem Strom im Stromkreis in gewissen Grenzen
konstant halten.
Bei vielen Geraten der Elektrotechnik sind solche Stabilisierungseinrichtungen
von Bedeutung überall dort, wo das Funktionieren einer Schaltung konstante
Spannungswerte erfordert.

RegelheiBleiter dienen also zur Regelung und Stabiliserung von Spannungen.

Kennlinie: Die Strom-Spannungs-Kennlinie nach Bild 2.5 zeigt die Widerstands-

abnahme in Abhangigkeit vom Stromdurchgang. Allgemein geiten solche Kenn-
linien nur bei konstanter Umgebungstemperatur. Bei kleinen Strom- und Span-
nungswerten ist der Verlauf noch fast linear; der NTC-Widerstand verhalt sich
dann wie ein ohmscher Widerstand. lm AnschluB daran, d.h. bei Erreichen einer
gewissen Stromstarke (bzw. mit zunehmender Temperatur), nimmt der Wider­
stand starker ab. Der Strom führt zu einer Erwarmung des HeiBleiters und da-
mit zu einer Verminderung des Widerstandes.

Bild 2.5:
Strom-Spannungs-Kennlinie eines
HeiBleiters bezogen auf eine Be-
stimmungstemperatur
RHl = Widerstand des HeiBleiters

22
Die Spannung erreicht bei einem bestimmten Strom einen Maximalwert. Bei
weiterer Stromzunahme sinkt die Spannung. In diesem Bereich laBt sich der
HeiBleiter zur Spannungsstabilisierung verwenden, wenn er mit einem ohm-
schen Widerstand in Reihe geschaltet wird (Bild 2.6).

!Em RV2 Ia

fiv,n uR
Me Ua
0* Bild 2.6:
Spannungsstabilisierung mit RegelheiB-
*JTU Uh leiterwiderstand

o i IH = Strom durch HeiBleiter

UH = Strom durch HeiBleiter

Spannungsstabilisierung mit RegelheiBleiter (Bild 2.6).

Durch Vorschalten eines ohmschen Widerstandes RV-i (Vorschaltwiderstand)

kann man erreichen, daB der Gesamtspannungsabfall dieser Reihenschaltung in
einem bestimmten Bereich konstant bleibt. Der zweite Widerstand RV2 nimmt
die Schwankungen der Eingangsspannung Ue auf.

2.1.4 Beheizte HeiBleiter werden von einer elektrisch von ihm getrennten
Stromquelle aus geheizt. Die HeiBleiter werden selbst nur wenig belastet. Ihre
Temperatur und damit ihr Widerstand wird durch eine isoliert angebrachte win-
zige Heizwendel (gewendelter Draht) bestimmt; HeiBleiterwiderstand und Heiz-
wendel sind also galvanisch getrennt.

Beheizte HeiBleiter besitzen im gleichen Gehause eine zusatzliche Heizwendel.

Die Temperatur des HeiBleiters und damit sein Widerstand werden von dem Grad
der Aufheizung durch eine „fremde" Wicklung bestimmt.

Die fremdgeheizten HeiBleiter dienen z.B. zum Steuern und Regeln von Röhren-
und Transistorverstarkern sowie zur Regelung hochfrequenter Spannungen.

HeiBleiter — Thermistoren (NTC-Widerstand)

1. Fallender Widerstand — verursacht durch:

1.1 Fremderwarmung (Umgebungstemperatur) MeB- und Kompensa-
tionsheiBleiter)

23
 1.2 Eigenerwarmung (StromdurchfluB) (AnlaSheiBleiter)
2. Verwendung:
2.1 Temperatur, -regelung und -kompensation;
2.2 Verzögerung bei Relais;
2.3 sowie RegelheiBleiter: Stabilisierung von Spannungen
2.4 und beheizte HeiBleiter: Steuern und Regeln von Röhren- und
Transistorenverstarkern, Regelung hochfrequenter Spannungen usw.

2.2 Kaltleiter

Kaltleiter oder PTC-Widerstand haben bei niedrigen Temperaturen einen kleinen

Widerstand, der mit stiegender Temperatur zuerst wenig, dann immer starker
zunimmt (Bild 2.7). Bei höheren Temperaturen verhalt sich ein Kaltleiter wie
ein HeiBleiter.

Die Bezeichnung PTC bedeutet „positiver Temperaturkoeffizient".

Kaltleiter sind temperaturunabhangige Widerstande mit groBem positiven Tem-

peraturkoeffizienten. Ihre Leitfahigkeit nimmt mit steigender Temperatur ab;
sie leiten im kalten Zustand.

Kaltleiter bestehen aus halbleitenden keramischen Stoffen, z.B. aus gesintertem

Bariumtitanat (BaTiOa) mit Zusatzen von Metalloxiden. Ihre besonderen dielek-
trischen (nichtleitenden) Eigenschaften stammen vom Bariumtitanat. Kaltleiter
werden erst durch Dotieren mit Antimon (Sb) zu n-Leitern. Die Bauelemente
sind, ahnlich wie bei HeiBleitern, stab- oder scheibenförmig.

Q
Begriffe:
tA = Anfangstemperatur
% Ra = Anfangswiderstand bei der
Temperatur tA
tN = Nenntemperatur (Beginn des
steilen Widerstandsanstieg)
Rn = Nennwiderstand bei der
Temperatur tN
Ra tE = Endtemperatur
i Re = Endwiderstand bei der
°C Temperatur tE

Bild 2.7: Kennlinie und Schaltzeichen eines Kaltleiters (PTC-Widerstand)

24
 KalHeiter verholt sch wie etn HeiHIeiter

Bild 2.8:
Kennlinien beider
Bauelemente
(NTC-W. und PTC-W.)
PTC- Widerstand NTC-Widerstand
°C °C im Prinzip

Kaltleiter werden

eigenerwarmt durch fremderwarmt durch

einen Stromdurchgang die Umgebung

Anwenc/ung:
a) Fremderwarmte Kaltleiter:
Temperaturfühler zur Temperaturmessung und regelung;
Übertemperaturschutz;
Flüssigkeitsstandanzeiger.
b) Eigenerwarmte Kaltleiter:
Verzögerung von Schaltungen bei Relais;
Zündungen von Leuchtröhren.

Kaltleiter und HeiHleiter, Unterschiede

Kaltleiter oder PTC-Widerstande (Positiv-Temperatur-Koeffizient) haben bei
niedrigen Temperaturen einen kleinen Widerstand, der mit steigender Tempera-
tur zunimmt. Die Kennlinie der HeiSleiter oder NTC-Widerstande (Negativ-
Temperatur-Koeffizient) verlauft genau umgekehrt. Deren Widerstand ist bei
niedrigen Temperaturen groB und nimmt mit steigender Temperatur ab.
Bild 2.8 zeigt die Kennlinien beider Bauelemente im Prinzip.

25
 2.3 Varistor (VDR-Widerstand)

Varistoren oder VDR-Widerstande (voltage dependent resitor) sind spannungs-

abhangige Widerstande. Bei diesen Bauteilen nimmt der Widerstand bei wachsen-
der Spannung ab; Bild 2.9a zeigt einen U-I-Kennlinienverlauf und Bild 2.9b
das Schaltzeichen.

u
Bild 2.9:
a) U-/I-Kennlinie eines VDR im er-
u sten Quadranten (Datenblatter
des Herstellers)
O) bJ b) Schaltzeichen

HersteJ/ung: Varistoren bestehen aus einem Siliziumkarbidpulver (SiC), das

zusammen mit einem Keramikbinder in Formen geprefct und bei hohen Tempe-
ratureo gesintert wird.
Eigenschaften: Der Varistor stelIt ein komplettes Netzwerk aus sehr vielen
parallel und in Reihe geschalteter Kristalle dar (scheinbarer Gleichrichtereffekt).
VDR-Widerstande sind „nicht" abhangig von der Polaritat der anliegenden
Spannung. Man kann sie daher an Wechselspannungen und Gleichspannungen
ohne Rücksicht auf die Polaritat anschliefcen.

Die Spannungsabhangigkeit des Widerstandes beruht auf dem Kontaktübergangs-

widerstand zwischen den Siliziumkarbidteilchen.

„Kennlinien spannungsabhangiger Widerstande":

Bild 2.10 zeigt Kennlinien von spannungsabhangigen Widerstanden für einen
Regelfaktor p = 0,19 und C-Werten von 100 bis 680. Die Konstante C gibt den-
jenigen Spannungswert in Volt an, der zu einem Strom von 1A gehören würde.
C ist von den Abmessungen der Bauteile und vom Werkstoff abhangig.

Regelfaktor p ist eine Werkstoff konstante (Nichtlinearitatskoeffizient); die p-

Werte liegen zwischen 0,14 und 0,35.

Die Kennliniendarstellung (Bild 2.10) ist zur Berechnung von Reihenschaltungen

von Varistoren mit ohmschen Widerstanden geeignet. Als Beispiel hierzu ist
eine Arbeitsgerade für einen ohmschen Widerstand von 2K H eingezeichnet. Die

26
 Bild 2.11:
Bauformen von spannungsabhangiger
Widerstande (VDR)

Bild 2.10:
Kennlinien spannungsabhangiger
Widerstande (VDR) mit @ = 0,19 und
eingetragener Arbeitsgeraden für
R = 2K £2 und UB = 300 V

Verteilung der Spannungs- und Stromwerte auf die beiden Bauteile (VDR und
ohmschen Widerstand) erhalt man durch die Schnittpunkte der Arbeitsgeraden
des ohmschen Widerstandes mit der VDR-Kennlinie.

Bauformen: Scheiben oder Stabe mit AnschlufSdrahten, Scheiben mit und ohne
Mittelloch. Die Kontaktierung der Varistoren erfolgt durch Aufdampfen einer
Metallschicht auf die ebenen Flachen.

Anwendung: Spannungsstabilisierung und Funkenlöschung. Beim Funkenlö-

schen kann der VDR sowohl parallel zur induktiven Last als auch parallel zu den
Kontakten geschaltet werden.

Beispiel: Funkenlöschen: Beim Schalten induktiv belasteter Stromkreise entste-

hen an den Schaltkontakten hohe Spannungsspitzen, die zu Schaden an den
Kontakten führen können. Durch Einschalten von Varistoren als Funkenlösch-
glieder parallel zu dem zu schützenden Bauteil (Bild 2.12), laSt sich die Schalt-
spannung auf einen noch zulassigen Wert begrenzen.

Die maximal an den Schaltkontakten auftretende Überspannung darf die Licht-

bogenspannung von 300 V nicht überschreiten.

27
 = Eingangsspannung der Schaltung
= Strom durch den Varistor bei
geschlossenem Stromkreis
= Strom durch die Induktivitat
bei geschlossenem Stromkries
= Induktivitat

A/lgemeines:
Spannungsabhangiger Widerstand (voltage dependen resistor)
Widerstand nimmt mit wachsender Spannung ab;
VDR hat negativen Temperaturkoeffizienten.

Herstel/ung:
SiC-Pulver wird mit einem Keramikbinder in Formen gepreBt und bei
hohen Temperaturen gesintert.

Bauformen:
Scheiben oder Stabe mit AnschluBdrahten.

Eigenschaften:
VDR besitzt eine Strom-Spannungscharakteristik (Kennlinien); ist unab-
hangig von der Polaritat der anliegenden Spannung.

Anwendung:
Spannungsbegrenzung, Spannungsstabilisieren,
Funkenlöschen: — Schaltung = parallel zur Spule oder parallel zum
Schaltkontakt.

2.4 Fotowiderstand LDR (light dependend resistor)

Wir haben bisher kennengelernt, daB die Leitfahigkeit eines Halbleiters durch Er-
höhung der in seinem Innern befindlichen Ladungstrager gesteigert werden kann.
Dazu war immer Warmeenergie erforderlich. Genauso wirkungsvoll wie Warme-
energie ist auch die Zufuhr von Lichtenergie. Fallt auf die lichtempfindliche
Flache eines Fotowiderstandes ein Lichtstrahl, so werden (bei genügender Ener­
gie) im kristallinen Gefüge durch die auftreffenden Fotonen (Lichtteilchen)

28
 Ladungstrager frei, die dann zu einer Abnahme des Widerstandswertes führen
(Bild 2.13). Die GröRe der Widerstandsabnahme ist abhangig von der Beleuch­
tungsstarke E und der Wellenlange des Lichts.

Die Beleuchtungsstarke E ist ein MaR für das Licht, das auf eine bestimmte
Flache fallt.
Die Kennlinie stelIt den Widerstand R in Abhangigkeit von der Beleuchtungs­
starke E dar.
Man bezeichnet die beschriebene Erscheinung als inneren lichtelektrischen Ef-
fekt, oder inneren Fotoeffekt. Beim Fotoeffekt bewirken die Fotonen eine Paar-
bildung, wobei der Widerstand des Halbleiters abnimmt. Fotowiderstande beste-
hen meist aus Cadmiumsulfid (CdS). Cadmiumsulfid wird als dunne, leitende
Schicht im Innern des Glaskolbens aufgetragen und eingeschmolzen. Dabei wer­
den die dünnen Metallschichten in Form von ineinanderverzahnten Kammen
(Bild 2.14) aufgedampft. An zwei gegenüberliegenden Stellen dieser CdS-Schicht,
deren Dicke von der Eindringtiefe des Lichtes abhangig ist, sind zwei Elektro­
den angebracht und mit einer Spannungsquelle verbunden. Fotowiderstande be-
nötigen also zum Betrieb stets eine zusatzliche Stromquelle.
Die Fotowiderstande aus Cadmiumsulfid sind im Bereich des sichtbaren Lichtes
sehr empfindlich und daher auf diesen Bereich bezogen. Für Anwendungen im
Infrarotbereich, werden Fotowiderstande auch aus anderen Materialien, z.B.
aus Blei- und Indiumverbindungen, verwendet.
Nachteilig ist die Tragheit der Fotowiderstande, so daR die Anderung des Wider­
standswertes in Abhangigkeit von der Beleuchtung relativ lange dauert.
Durch diese verhaltnismaRig groRe Tragheit, können Fotowiderstande nur in Sig-
nal-, Kontroll- und Steuerschaltungen Verwendung finden, bei denen die Vor-
gange langsam ablaufen.

Kammförmige Schicht
10s

:.>y

K)5
lx
Gehause
Bild 2.13: aus
Kunststoff
Kennlinie und Schaltzeichen eines
Fotowiderstandes
E = Beleuchtungsstarke Bild 2.14:
lx = Lux Bauform eines Fotowiderstandes

29
Unter einem Fotowiderstand versteht man einen elektrischen Widerstand aus
Halbleitermaterial, der seine Leitfahigkeit bei Bestrahlung mit Licht (Lichtener-
gie) erhöht.

2.5 Feldplatte MDR (magnetical dependend ristor)

Feldplatten sind Halbleiter-Bauelemente, die auf ein Magnetfeld ansprechen.

Als Material für Feldplatten wird Indiumantimonid (InSb) verwendet. Das Mate-
rial InSb entspricht am ehesten der Forderung einer hohen Ladungstragerbeweg-
lichkeit.
Die Halbleiterschicht wird in einer Starke von etwa 20 fj.m auf eine keramische
Platte maanderförmig (gewunden) aufgebracht (Bild 2.15).
In diese Grundmasse (InSb) sind quer zur Stromrichtung, nadelförmig Material-
einschlüsse aus Nickelantimonid (NiSb) eingebaut. Diese nadelfömigen NiSb-Ein-
schlüsse bewirken aufgrund ihrer guten elektrischen Leitfahigkeit, einen gleich-
maBigen StromdurchfluB.
Bringt man die Feldplatte in ein Magnetfeld, das senkrecht zur Strombahn ver-
lauft, so andert der Strom seine Richtung. Das bedeutet eine groBe Erhöhung
des Widerstandes.
Eine Anderung der geometrischen Daten, wie Lange, Breite, Dicke sowie auch
Anzahl der Maanderstege, hat auch andere Widerstandswerte zur Folge. Es las­
sen sich durch diese MaBnahme, Werte zwischen einigen Ohm und mehreren
Kiloohm erreichen. Das wiederum ermöglicht die Herstellung einer Vielzahl von
Typen. Der Widerstand der Feldplatte ist auBerdem noch abhangig von der

Bild 2.15:
Aufbau und Schaltzeichen einer Feld*
platte
Temperatur. Die Temperaturgrenze für das Halbleitermaterial liegt bei 95 °C.
Feldplatten werden zur Messung von Magnetfeldern und als kontakt- und stu-
fenlos steuerbare Widerstande eingesetzt. Die Steuerung kann z.B. von einem
Dauermagneten übernommen werden.

2.6 Hallgenerator

Ein Hallgenerator ist ein flaches, rechteckiges Plattchen aus Indiumarsenid

(InAs) oder Indiumantimonid (InSb), das in seiner Langsrichtung von einem
Steuerstrom durchflossen wird.

Bringt man das Halbleiterplattchen (Dicke = d) so in ein Magnetfeld, dafc der

magnetische FluR senkrecht auf die Plattenflache trifft, dann werden die La-
dungstrager abgelenkt.

Das hat zur Folge, daft die eine Langsseite an Elektronen verarmt, und auf der
anderen Seite sich Elektronen anreichern. Dadurch entsteht eine Hallspannung
UH • Die Hallspannung steigt proportional mit dem Steuerstrom Is und mit der

uH
%

tm ++ 'ic
r; r 1
+
+
\
+

Elektrodenleiste
aj

X
Bild 2.16:
a) Schema eines Hallgenerators
bj b) Schaltzeichen

31
 Induktion B des Magnetfeldes; sie ist aber umgekehrt proportional mit der Dicke
d des Plattchens.
Die GröBe der Hallspannung bestimmt sich aus folgender Gleichung:

B • I
UH = RH •
d

Darin bedeutet: UH Hallspannung Einheit in: mV

Rh Hallkonstante cm3/As
I Strom A
B Magnetische Induktion T
d Leiterdicke cm

Die erzeugte Spannung UH ist so um so gröBer, je gröBer der Strom, die magne­
tische Induktion (FluBdichte) und die Hallkonstante sind und je geringer die
Plattchendicke ist (siehe Formel).

Die Hallkonstante soll möglichst groB sein, damit eine groBe Hallspannung er-
zielt werden kann. Diese Bedingung kann durch Verwendung eines Plattchens
aus Indiumarsenid oder Indiumantimonid erreicht werden.

Die Hallkonstante RH ist also eine Materialkonstante.

Auf einem Tragermaterial (Glas, Degussit, Ferrit) wird eine Schicht mit hoher
Ladungstragerbeweglichkeit aus Indiumantimonid oder Indiumarsenid aufge-
dampft. Es lassen sich durch Aufdampfen Schichtdicken von einigen jum er-
reichen. Derartig kleine Werte sind besonders wichtig, wenn es gilt, den Hall-
generator (Hallsonde) z.B. in den Luftspalt eines Gleichstromgenerators zur

Elektroden
für den
Steuerstrom

Abnohmeelektroden
für den Stromfluf)

Bild 2.17:
Hallgenerator mit seinen Elektroden 1,
2, 3, und 4

32
Messung von Magnetfeldern, zu schieben. Das Plattchen enthalt an den beiden
Schmalseiten zwei AnschluBelektroden 1 und 2 für den Steuerstrom Is (Langs-
richtung). AuBerdem sind an den Langsseiten noch die Elektroden 3 und 4 vor-
gesehen, an denen die Hallspannung abgenommen wird.

Anwendungen:
a) Zum Ausmessen von Magnetfeldern;
b) als kontaktlose Signalgeber;
c) für die Umwandlung von physikalische GröSen in elektrische;
d) zur Verwendung als Multiplizierer (da die Hallspannung dem Produkt aus
Steuerstrom und Feldstrom direkt proportional ist).

Beispiel zua) Magnetfeldmessung:

Mit Hilfe eines Hallgenerators kann man bekanntlich Magnetfelder ausmessen.
Eine solche Hallsonde laBt sich dank ihrer kleinen Abmessungen gut im Luft-
spaltbereich eines Gleichstrommotors unterbringen.
Wie aus Bild 2.18 ersichtlich, baut man in Polschuhmitte eines Pols ein Halblei-
terplattchen ein. Der PolfluB 4>' (bei Belastung vorhandener MaschinenfluB)
durchsetzt das Plattchen und liefert dazu die proportionale B-Komponente
(Induktion des Magnetfeldes, oder magnetischer FluSdichte). Beschickt man
die Hallsonde jetzt mit einem dem Ankerstrom lA proportionalen Steuerstrom
Is, so ist die Hallspannung UH proportional dem inneren Moment Mi (Dreh-
moment Mi ~ 4>'. IA). Wichtig ist, daB zwischen den SteuergröBen des Hallgene­
rators (4>', lA bzw. B,l) und der Hallspannung Uh „Proportionalitat" besteht.

Bild 2.18:
Anordnung eines Hallgenerators im
Luftspalt zwischen Polschuh und
Anker (schematisch)

33
 Benennung Schaltzeichen: Abhangigkeiten: Kennlinie
des a) Widerstand ist
Bauteils: abhangig von
der (vom):
b) Hallspannung ist
abhëngig vom:

a) HeiBleiter Temperatur:
(NTC-Widerstand) Widerstand nimmt
mit steigender
Temperatur ab.
R

y— ~°C
Kaltleiter Temperatur: n
(VDR-Widerstand)
tt Widerstand nimmt
mit steigender
Temperatur zu.
R

y ■°C
Varistor Spannung:
A
(VDR-Widerstand) Widerstand nimmt
mit ansteigender t
Spannung ab. I
c/— V

Feldplatte a) Magnetfeld: RbIRq

(MD R-Widerstand) Anderung des
B
Widerstandes in
\15
Abhangigkeit vom
Magnetfeld ’IK
b) Temperatur:
-1 -0.5 0 0.5 15
Bei Temperatur- Induktion -» B
schwankungen
andern sich bei kon-
stanter Induktion die
Widerstande R0 und
Rb und somit
Verhaltnis RB/Ro

Fotowiderstand Beleuchtungsstarke E n
(LDR-Widerstand) VV und
Wellenlange X
des Lichts.
R

E lx

b) Hallgenerator Magnetfeld: v
Hallgeneratoren t
reagieren auf ein Uh
Magnetfeld; sie a—• r
erzeugen dabei eine
Hallspannung UH

34
3
Haibleiterdioden

Eine Halbleiterdiode besteht aus zwei mit verschiedenen Elementen verunreinig-

ten Germanium- oder Siliziumkristallschichten, einer p- und einer n-Zone.

3.1 pn-Übergang

Von einem pn-Übergang spricht man, wenn in einem Halbleiterkristall eine p-

und eine n-dotierte Zone raumlich aneinandergrenzen (Bild 3.2).

Der Halbleiterkristall ist auf der einen Seite mit Akzeptoren und auf der anderen
Seite mit Donatoren dotiert. Bild 3.2 veranschaulicht schematisch die Verteilung
von Akzeptoren und beweglichen Löchern im p-Halbleiter und von Donatoren
und freien Elektronen im n-Halbleiter. Die negative Ladung der freien Elektro-

Sperrschjcht p-Zone n- Zone

O O
o ■o ©„© © © ©#©#© ©
° o o • •
t t o oo © o© ©•© © ©
p-Zone n-Zone

ê°©0©°© ©#©#©#©
Bild 3.1:
Allgemeiner Aufbau einer Halbleiter­
diode Grenzftöche

Bild 3.2:
pn-Übergang
Zeichenbeschreibung:
o Loch
• Elektron
© positives Ion (Donator)
© negatives Ion (Akzeptor)

35
 nen wird im n-Halbleiter durch die positiven lonen ausgeglichen, die bei den
Donatoren (Spender) durch Abgabe eines Valenzelektrones entsteht. Beim
p-Halbleiter wird die positive Ladung der Löcher ausgeglichen durch die negati-
ven lonen, die entstehen, wenn ein freies Elektron das Loch bei einem Akzeptor
(Aufnehmer) ausfüllt.

Es besteht a/so in einem iso/ierten Halbleiter (Bi/d 3.2) eines p- oder n-Typs, ein
Gleichgewich tszustand.

Dieser Zustand andert sich, wenn ein p- und ein n-Halbleiter atomar miteinander
in Berührung kommen. An der Grenzflache stehen sich unterschiedliche Konzen-
trationen von freien Elektronen und Löcher gegenüber, die sich versuchen, aus-
zugleichen.

Als Folge dieser Konzentrationsunterschiede und der Warmebewegungen findet

ein Ausgleich statt.

Diffusionen
Bei den aneinandergrenzenden n- und p-Halbleitern wechseln die ÜberschuGelek-
tronen aus der Grenzschicht der n-Zone in die der p-Zone hinüber und füllen
dort Löcher aus. Umgekehrt wandern Löcher aus der p-Zone in die n-Zone
(Bild 3.3). Derartige, durch Konzentrationsunterschiede hervorgerufene Bewe-
gungen der Ladungstrager, nennt man Diffusionen.

An der Grenzflache diffundieren (wandern) Ladungstrager von einer Zone in die

andere.

es diffundieren

Elektronen von der Löcher von der

n-Zone nach der p-Zone p-Zone nach der n-Zone

also wird

n-Zone positiv p-Zone negativ

gegen ursprünglich neutralen Zustand

Raumladungszone
Auf beiden Seiten der Grenze bilden sich Raumladungen, die nicht unbegrenzt
weiter wachsen können. Die negative Ladung in der p-Zone erschwert ein weite-

36
 p- Zone n- Zone

O O 0 0 ©00©

© © © o~~ —© © © ©
© © © o© © © © Bild 3.3:
Diffusion an einem pn-Übergang

res Eindringen von Elektronen. Umgekehrt verhindert die positive Ladung in der
n-Zone eine weitere Annaherung von positiven Löchern; weil gleichartige elek­
trische Ladungen einander abstofcen. Der DiffusionsprozeB kommt zum Still-
stand, sobald sich die n-Schicht durch Elektronenabgabe so weit positiv und die
p-Schicht durch Elektronenaufnahme so weit negativ aufgeladen haben (ein
weiterer Ladungstrageraustausch wird verhindert). In der Umgebung des pn-
Übergangs entsteht eine sogenannte Sperrschicht, in der eigentlich keine freien
Ladungstrager vorhanden sind. Dieser beschriebene Bereich wird als Raumla-
dungszone bezeichnet (Bild 3.4).
Die positiven und negativen Ladungen werden durch die im Halbleitergitter be-
findlichen Atomrümpfe (Donator- bzw. Akzeptorionen) verursacht.

■— Sperrschicht —•
(Roumlodungszone)
p- Zone n-Zone

0 O i0 © © © |© ©
I I
I
© 0 10 0 © © I© ©
I
0 0 io © ©©10©
I I

elektrisch1 I "ego^eJ-j»s,^v'el etek trisch

•— neutral
-T Roumlodung
i
I
Keme beweghchen Ladungstrager

1 I

sT I

i-I I
Entfernung
von der
Grenzflöche

T Bild 3.4:
Spannung Ut
Ditfusions - Raumladung am
spannung
pn-Übergang ohne
(PotentioI-
differenz) angelegte (auBere)
i Spannung

37
 In der Sperrschicht (Grenzschicht) wirkt also ein elektrisches Feld und damit ein
elektrisches Potential. Die unterschiedlichen Ladungen bewirken eine Potential-
differenz, die man als Diffusionsspannung bezeichnet.

Die Raumladungszone, die sich aus den in beiden Grenzzonen auftretenden

Raumladungsgebieten zusammensetzt, wird als „Sperrschicht" bezeichnet. Der
pn-Übergang stellt dann eine Sperrschicht dar.

AuBerhalb der schmalen Sperrschicht (etwa 1 qm = 10 6 m) bleibt die p- und n-

Zone elektrisch neutral. Es entsteht dort ein neuer Gleichgewichtszustand; das
wird ermöglicht durch einen pn-Übergang ohne auBere Spannung. Der so ein-
gestellte Gleichgewichtszustand kann leicht beeinfluBt werden, indem an den
pn-Übergang eine auBere Spannung angelegt wird.

Dabei sind je nach Polung zwei Falie möglich:

Durch/aftrichtung und Sperrichtung.

3.1.1 pn-Übergang infolge auBerer Spannung

3.1.1.1 pn-Übergang in Sperrichtung

An den pn-Übergang wird eine auBere Spannung so geschaltet, daB der Pluspol
an der n-Zone und der Minuspol an der p-Zone liegt (Bild 3.5).

p-Zone n - Zon e

0 © © © © © | © ©

0 © ! 0 © © © I © ©

© 0 I © © © © ! © ©

Lócher-
bewegung F Sperrschicht
-t
Elektronen-
bewegurg Bild 3.5:
pn-Übergang in Sperrichtung

Die angelegte Spannung saugt die zahlreichen freien Elektronen aus der n-Zone
und pumpt sie in die p-Zone hinüber, wo sie nahezu alle Löcher ausfüllen. Eben-
so treibt die auBere Spannung aus der p-Zone Löcher in groBer Zahl in die n-
Zone, wo sie mit den dort zahlreichen freien Elektronen rekombinieren (Hin-
einfailen eines freien Elektrons in ein Loch). Die sehr hochohmige Raumladungs­
zone wird dadurch breiter. Das bedeutet, daB die freien Ladungstrager sich vom
pn-Übergang weg auseinanderbewegen.

38
Nun war aber bereits ohne aufcere Spannung die Sperrschicht von beweglichen
Ladungstragern soweit entblöBt, daB dadurch jede weitere Diffusion verhindert
wurde. Die nunmehr verbreitete Raumzone verhindert erst recht jeden Strom-
fluB. Eine solche Schicht (Zone) setzt also einem möglichen StromfluB einen
groBen Widerstand entgegen und wird ebenfalls mit Sperrschicht bezeichnet.

Die vorstehende Betrachtung bezieht sich allerdings nur auf Majoritatstrager.

Es flieBt trotzdem ein kleiner Sperrstrom, der durch die Minoritatstrager ge-
bildet wird; vorhandene Minoritatstrager passieren ungehindert die Sperrschicht.
Die Minoritatstrager bewegen sich genau entgegengesetzt zu den Majoritatstra-
gern (Bild 3.6).

p-Zone n-Zone

0 0 O o © © © ©
©
o O I © © © © © ©
o
0 0 10© © © © ©
Bild 3.6:
Minoritatstrager Bewegung von Minoritatstragern
+ Sperrst rom /
am pn-Übergang

Liegt der Pluspol an der n-Zone und der Minuspol an der p-Zone, so ist ein pn-
Übergang in Sperrichtung vorgespannt. Bei einem in Sperrichtung vorgespann-
ten pn-Übergang flieBt auBer einem kleinen Sperrstrom, kein Strom durch die
Sperrschicht.

3.1.1.2 pn-Übergang in Durchlafirichtung

An den pn-Übergang wird nun eine aufSere Spannung so geschaltet, daB der Plus­
pol an der p-Zone und der Minuspol an der n-Zone liegt (Bild 3.7). Bei diesem

p-Zone n-Zone
T
i
O O 0 © © I
© © ©
o o
0 0 o o © ! © © ©
o O 0-J-— • •
o oo o ! o © ! © © ©

Locher bewegung Elektronenbewegung

t
verengte Roumladungszone Bild 3.7:
+ pn-Übergang in DurchlaBrichtung
F
39
 Umtausch der Spannungspole tritt eine entgegengesetzte Wirkung wie im vorher-
gehenden Falie ein.
Durch die auBere Spannung werden aus der p-Zone Löcher und aus der n-Zone
freie Elektronen in die fast ladungsfreie Raumladungszone getrieben.
Die Raumladungszone wird dadurch verkleinert und kann bei entsprechend
hoher Spannung völlig verschwinden: dem StromfluB wird nur ein kleiner Wi-
derstand entgegengesetzt. Das hat zur Folge, daB Elektronen und Löcher die
schmale Raumladungszone leicht passieren können. Elektronen und Löcher tref­
fen sich in den jeweiligen Zonen, d.h. Löcher in der n-Zone und Elektronen in
der p-Zone, wo sie in groBer Zahl miteinander rekombinieren. Da sich jetzt auch
freie Ladungstrager in der Raumzone befinden, kann ein groBer Strom über den
pn-Übergang flieSen oder anders formuliert: Der pn-Übergang ist in DurchlalS-
richtung vorgespannt.

Liegt der Pluspol an der p-Zone und der Minuspol an der n-Zone, so ist ein pn-
Übergang in DurchlaBrichtung vorgespannt. Bei einem in DurchlaBrichtung vor-
gespannten pn-Übergang flieBt ein Strom durch die verengte Sperrschicht.

3.2 Diodenkennlinie

Eine Diode kann mit einem Ventil verglichen werden, das eine Sperrichtung und
eine DurchlaBrichtung besitzt. Dieses Verhalten der Diode kann auch aus ihrer
Strom-Spannungslinie-Kennlinie abgelesen werden. Bild 3.8 zeigt den Verlauf

h
Durchlofl-
bereich
i
§
!
<5

Uft ■»- Sperrspannung

Durchlaf)spannung —•> UF

\ Anode Katode
Sperrbereich

1
\
p-Zone n-Zone
Bild 3.8:
Schaltzeichen und Kennlinien einer
h Diode

40
einer Diodenkennlinie. Der Strom wird in senkrechter und die Spannung in
waagerechter Richtung abgetragen.

Zeichenerklarung: UR = DurchlaSspannung
If = DurchlaRstrom
UR = Spannung in Sperrichtung
Ir = Strom in Sperrichtung

Die Diodenkennlinie beschreibt den Zusammenhang zwischen der an einer Diode

anliegenden Spannung und dem durch sie hindurchflieBenden Strom.

Die beiden Bereiche innerhalb der Kennlinie bezeichnet man als Sperrbereich
und als DurchlaBbereich.

a) DurchlaBbereich: In der DurchlaBrichtung flieBen schon bei kleinen Spannun-

gen groBe Ströme, die bei Erhöhung der Spannung noch erheblich zunehmen
können. Kleine Spannungsanderungen können somit groBe Stromanderungen zur
Folge haben. Um eine thermische Überlastung der Diode zu vermeiden, darf sie
nur bis zu einem maximalen DurchlaBstrom belastet werden.

b) Sperrbereich: Die Kennlinie verlauft im Sperrbereich bis zu einer bestimmten

Spannung, der sogenannten „Durchbruchsspannung" fast geradlining. Wie Bild
3.8 zeigt, flieSt in diesem Bereich nur ein sehr kleiner Sperrstrom lR, der mit
wachsender Spannung auch nur wenig ansteigt.

Erst bei Erreichen der Durchbruchsspannung steigt der Sperrstrom plötzlich

stark an. Es kommt zu einem Spannungsdurchbruch und verbunden mit einer da-
mit hohen Warmeentwicklung, zur Zerstörung der Diode.

Beschreibung eines Spannungsdurchbruchs:

Mit dem Spannungsanstieg im Sperrbereich steigt auch die Leistung, die im pn-
Übergang in Warme umgesetzt wird. Kann die Warme nicht vollstandig an die
Umgebung abgeführt werden, erhöht sich die Temperatur im pn-Übergang sehr
stark. Der Sperrstrom steigt weiter an, was wiederum eine Leistungs- und da-
durch Warmeerhöhung zur Folge hat. Die Temperatur darf nicht über die maxi­
male Sperrschichttemperatur ansteigen. Die höchstzulassigen Werte für die Sperr-
schichttemperatur sind für Silizium 150 °C und für Germanium 70 °C.

Beim Betrieb einer Diode dürfen vorgeschriebene Grenzwerte (Tabellenwerte je

nach Typ) nicht überschritten werden; in DurchlaBrichtung ist es der max.
DurchlaBstrom und in Sperrichtung die max. Sperrspannung (max. Sperrspan-
nung < Durchbruchsspannung).

Legt man in die Kennlinie des DurchlaSbereichs eine Tangente, so wird auf der

41
 Bild 3.9:
Kennlinie zur Feststellung der Schleu-
senspannung UD

Spannungsachse ein Stück abgeschnitten, das man die Schleusenspannung UD

(Diffusionsspannung) der Diode nennt (Bild 3.9). Die Schleusenspannung ist die
Spannung, bei der ein merklicher Strom in DurchlaBrichtung zu flieBen beginnt.

Weitere wichtige Werte sind der Bahnwiderstand und die max. Sperrspannung.
Mit Bahnwiderstand nennt man den Widerstand aller vom Strom durchflossenen
Teile einer Diode. Er wird durch die Steigung (Verhaltnis Strom zu Spannung)
der für die Schleusenspannung eingezeichneten Linie in der Kennlinie beschrie-
ben. Durch hohe Dotierung des Halbleiterkristalls kann der Bahnwiderstand
klein gehalten werden.
Unter der Sperrspannung einer Diode versteht man eine in Sperrichtung an die
Diode angelegte auBere Spannung, bei der ein sehr kleiner Sperrstrom flieBt und
der Widerstand sehr hochohmig ist. Die Sperrspannung ist vom Werkstoff der
Diode abhangig.
Da die Ströme in Sperrichtung (abgesehen vom Bereich des Spannungsdurch-
bruchs) sehr viel kleiner sind als in DurchlaBrichtung (Bild 3.8) werden verschie-
dene MaBstabe gewahlt. Dadurch entsteht im Nullpunkt ein Knickpunkt.

Halbleiter, die aus einem pn-Übergang bestehen, bezeichnet man als Halbleiter-
dioden.

3.2 Ausführungen und Anwendungen von Halbleiterdioden

3.2.1 Gleichrichterzellen (Gleichrichterdioden)

Die meisten elektrischen Gerate werden mit Gleichstrom betrieben. Voraus-

setzung hierzu ist, daB vorher der Wechselstrom des Netzes in Gleichstrom um-
gewandelt wird. Für dieses Vorhaben verwendet man Gleichrichterzellen.

42
Gleichrichterzellen werden zur Gleichrichtung von Wechselstrom für Gleich-
stromverbraucher benutzt.

Entsprechend den Anforderungen gibt es vier Arten von Halbleitergleichrichtern,

die aus den Grundmaterialien Kupferoxydul, Selen, Germanium und Silizium be-
stehen. Von den genannten Gleichrichterzellen, sind heute die Siliziumgleichrich-
ter am meisten gefragt. Sie zeichnen sich durch ihre geringe GröBe und daher
bequemen Handhabung, ihres guten Wirkungsgrades sowie einer relativ hohen
mechanischen Unempfindlichkeit besonders aus. Siliziumgleichrichter besitzen
also im Vergleich zu anderen Gleichrichtern (siehe Tabelle), sehr gunstige Eigen­
schaften:

Betriebsarten Silizium Germanium Selen Kupferoxydul

(Cu20)

Spezifische
Strombelastung
in A/cm2:
bei Eigenbelüftung 80 40 0,07 0,04
bei Fremdbelüftung 200 100 0,20 0,14

maximale Betriebs-
temperatur in °C: 140 65 85 50

maximale zulassige
Temperatur in °C: 150 100 85 60

Wirkungsgrad in %: 99,6 98,5 92 78

Schleusenspannung
in V: 0,7 0,5 0,6 0,2

Sperrspannung (eff)
in V: 380 110 25 6

Raumbedarf für
gleiche Leistung: 1 3 15 30

Gleichrichterwirkung: Ein pn-Übergang laBt einen groBen Strom in DurchlaB-

richtung flieBen, er sperrt ihn aber in Sperrichtung (auBer einem kleinen Sperr-
strom) fast vollstandig. Ein pn-Übergang verhalt sich also wie ein Gleichrichter.

43
1
VentUwirkung: Halbleitergleichrichter wirken wie Ventile, die eine Sperrichtung
und eine DurchlaSrichtung besitzen. Die Ventilwirkung entsteht an der Grenz-
schicht von Halbleitermaterialien unterschiedlicher Dotierung.

Ein Halbleitergleichrichter ist ein spannungsabhangiger Widerstand mit niederen

Widerstanden im DurchlaRbereich und hohen Widerstanden im Sperrbereich.

Aufbau einer Siliziumgleichrichterzelle: Der eigentliche aktive Teil des Gleich-

richters ist ein Siliziumplattchen, das je nach Belastung verschiedene Abmessun-
gen hat. Das Plattchen befindet sich in einem luftdicht abgeschlossenen Kupfer-
gehause (Bild 3.10) und ist daher gegen alle auReren atmospharischen Einflüsse
geschützt. Das Gehëuse, deren Boden elektrisch und thermisch mit der Zelle ver-
bunden ist, bildet den Minuspol und dient gleichzeitig zur Warmeableitung. Der
Pluspol der Gleichrichterzelle besteht aus einer flexiblen Zuleitung, die durch
eine Glaseinschmelzung direkt an das Siliziumplattchen führt. Das Gehause ist
ferner mit rippenförmigen Kühlkörpern versehen (Bild 3.11).

é
Bild 3.11:
Verschiedene Siemens-Silizium-
Gleichrichter-Typen mit Kühlkör­
pern

Bild 3.10:
Siliziumgleichrichterzelle

Anwendung: Zur Gleichrichtung von Wechselstrom für Gleichstromverbraucher;

z.B. Gleichstromantriebsmotoren für Maschinen, Stromversorgung für die Nach-
richten- und MeStechnik usw.

44
ongelegte Sponnung Transformator I
♦
Durchtaf)richtung Spernchtung o
- i
1G
+o - Wechsei-
spannung
r~^j Mb *L

■f* O) o I
Diode
Schotterwirkung t
9 V,

entspricht
Kontakt Kontakt b)
geschtossen often
+
t
Bild 3.12: 4
Verhalten einer Diode in DurchlaS- o
und in Sperrichtung

c)

Bild 3.13:
a) Einweggleichrichterschaltung
b) Verlauf der Eingangsspannung
(Trafospannung Ue)
c) Verlauf der Ausgangsspannung
(Verbraucherspannung Ua)
3.2.1.1 Gleichrichterschaltungen

Eine Gleichrichterdiode wirkt wie ein Schalter, wobei die Schalterwirkung von
der Polung der angelegten Spannung abhangig ist (Bild 3.12).

Vorgang:
a) Diode in DurchlaSrichtung geschaltet: Strom flieSt; entspricht: Schalter ge-
schlossen.
b) Diode in Sperrichtung geschaltet: Strom flieBt nicht (d.h. den schwachen
Sperrstrom kann man bei der Schaltung unberücksichtigt lassen); entspricht:
Schalter offen.

Ein weg-G leichrich terschaltung:

Strom flieBt nur wahrend der positiven Halbwellen der Trafospannung in Durch-
laSrichtung. Bild 3.13a laBt erkennen, daB der Strom durch die Diode (Ventil)
und den Lastwiderstand flieBt (Schalter geschlossen).

Am Lastwiderstand RL (Verbraucher) entsteht eine Spannung aus positiven

Halbwellen der Trafospannung.

45
 Es flieBt kein Strom wahrend der negativen Halbewellen der Trafospannung. In
Sperrichtung wird die Diode also undurchlassig (Schalter offen) und es flieBt
kein Strom durch den Lastwiderstand. Die Bilder 3.13b und c zeigen den zeit-
lichen Verlauf der Eingangs-Wechselspannung Ue und der Ausgangs-Gleichspan-
nung Ua.
Nachteilig ist die stark pulsierende Gleichspannung am Lastwiderstand RL. Eine
Gleichspannung mit einer so hohen Welligkeit würde den Betrieb von elektroni-
schen Geraten, für deren Stromversorgung der Einweg-Gleichrichter eingesetzt
wird, erheblich storen. Ohne Glattungsmittel kann diese Gleichrichterschaltung
nicht verwendet werden. Als Glattungsmittel eignen sich z.B. Filter (Drosseln
und Kondensatoren), die spater beschrieben werden.

Unter Glattung versteht man die Verminderung oder Beseitigung von Wechsel-
spannungsanteilen, die einer Gleichspannung überlagert sind.

Einweg-Gleichrichter sind Gleichrichteranlagen (Zeilen) mit nur einer Diode

(Ventil), wobei nur eine (positive) Halbwelle des gleichgerichteten Wechsel-
stroms von der Diode durchgelassen wird.

Mitte/punk tscha/tung
Bei der Mittelpunktschaltung sind zwei Ventile und ein Transformator mit Mit-
tenanzapfung erforderlich. Die beiden Ventile werden wahrend der Eingangs-
spannung Ue abwechselnd in DurchlaB- bzw. Sperrichtung betrieben.

Scha/tungszustande:

Erste Halbwelle: Zweite Halbwelle:

Ventil 1 Ventil 2
stromführend an den Lastwiderstand stromführend an den Lastwiderstand
(Schalter geschlossen) (Schalter geschlossen)

Ventil 2 Ventil 1
gesperrt gesperrt
(Schalter offen) (Schalter offen

Auf diese Weise führen die Ventile 1 und 2 jeweils bei abwechselnden Halbwellen
Strom an den Lastwiderstand. Da bei der Einweg-Gleichrichtung Strom nur wah­
rend jeder zweiten Halbwelle durch den Lastwiderstand flieBt, durchflieBt den
Rl jetzt wahrend jeder (positiven) Halbwelle Strom. Das bedeutet, daB bei die-
ser Schaltung, die Ausgangsschaltung doppelt so groB wird, wie bei der Einweg-

46
 o-

O)

+
t
<4r
O) Ilr
O ♦
t
U'
bI
O
+
t b)
Uo

O +
t
Uo
d
O
1 und 3 2 und 4 1 und 3
Bild 3.14:
c)
a) Mittelpunktgleichrichterschaltung
b) Verlauf der Eingangsspannung Ue Bild 3.15:
c) Verlauf der Ausgangsspannung U a a) Brückengleichrichter
b) Verlauf der Eingangsspannung U e
c) Verlauf der Ausgangsspannung Ua

schaltung (doppelter Wirkungsgrad). Die Filterung zu einem geglatteten Gleich-

strom ist auch hier erforderlich.

Die Mittelpunktschaltung besteht aus zwei Einwegschaltungen (Ventil 1 und 2)

an den beiden Auftenanschlüssen eines Transformators mit Mittenanzapfung.

Brückenschaltung (Graetzschaltung)
Die Brückenschaltung, auch Graetzschaltung genannt, ist eine Schaltung, bei der
vier elektrische Ventile (Dioden) die Brücke bilden. Die Schaltung ist dergestalt
(Bild 3.15), dafS der eine Diagonalzweig an die Wechselspannung (Transformator)
angeschlossen ist, und von dem anderen Diagonalzweig ein gleichgerichteter
Strom flielSt.
Bei der positiven Halbwelle der Eingangsspannung Ue sind die beiden Ventile 1
und 3 durchlassig, bei der negativen Halbwelle dagegen die Ventile 2 und 4
(Schalter geschlossen).
lm Gegensatz zur Einwegschaltung, bei der die Eingangsseite nur in einer Rich-
tung vom Strom durchflossen wird, ist also die Brückenschaltung eine Zweiweg-
schaltung, die eingangsseitig in standig wechselnden Richtungen vom Strom

47
 durchflossen wird. Daraus geht hervor, daG die Ventile jeweils paarweise Strom
führen und in jedem Augenblick zwei Ventile in Reihe mit dem Lastwiderstand
Rl an der Sekundarspannung liegen. Damit hat die maximale Sperrspannung,
die an den Ventilen auftreten kann, einen halb so groGen Spitzenwert wie bei
der Einwegschaltung, d.h. wo anstelle von zwei Ventilen (Brückenschaltung),
nur ein Ventil (Einwegschaltung) die gesamte Sperrspannung auszuhalten hat.

Dies ist ein Vorteil der Brückenschaltung gegenüber den Einwegschaltungen.

Die Brückenschaltung ist eine Zweiwegschaltung, die aus vier Ventilen besteht.

Wegen der geringen Welligkeit der Ausgangsspannung ist die Glattung bei der
Brückenspannung mit geringerem Aufwand an Glattungsmittel möglich. Die
Glattung kann im einfachsten Fall durch einen Siebkondensator groGer
Kapazitat Cs geschehen, der parallel zum Lastwiderstand geschaltet wird (Bild
3.16).
/

orw
o Siebkondensator
Bild 3.16:
Brückengleichrichter mit Siebkonden­
sator

Der Kondensator wirkt wie ein Speicher. Er speichert Energie, solange die
Dioden leiten, und lïefert Strom an den Lastwiderstand wahrend die Dioden
gesperrt sind.

Gleichrichter dienen zum Gleichrichten von Wechselspannungen. Die vom

Gieichrichter gleichgerichtete Spannung muG noch durch Siebglieder geglattet
werden.

3.2.2 Z-Dioden

Z-Dioden, die meist Siliziumdioden sind, werden im Sperrgebiet, und hier beson-
ders im Durchbruchgebiet betrieben. Wird z.B. die angelegte Sperrspannung zu
hoch, so kommt es zu einer plötzlichen Zunahme des Sperrstroms; ist in Bild
3.17a mit Iz bezeichnet. Die Kennlinie in Bild 3.17a weist daher einen besonders
deutlichen Knick und eine sehr steile Durchbruchflanke im Sperrgebiet auf.

Die Zenerspannung, auch Durchbruchspannung Uz genannt, ist die Spannung,

bei der in Sperrichtung ein merklicher, schnell gröGer werdender Strom flieGt.

48
 Ir
t
E
2
<5
s
Q

U2 ■»- Sperrsponnung
Durchlaf)spannung UF

Zener-
E
durchbruch 8

£
Bild 3.17a):
\
h Kennlinie
a)

f3 Bild 3.17b):
b) Schaltzeichen

Trotz dieser groBen Stromanderung bleibt die Spannung nahezu konstant. Des-
halb eignen sich Z-Dioden besonders gut zur Spannungsstabilisierung. AuBerdem
finden Z-Dioden auch noch Verwendung für:
a) Begrenzungen von Impulsen;
b) Überlastungsschutz bei MeBinstrumenten;
c) als Koppelelemente bei Gleichstromverstarkern usw.
Der Zenerdurchbruch kann bei Zenerspannung von Uz <5 V durch den Zener-
effekt, und bei Zenerspannungen von U2 > 5 V durch den Lawineneffekt ausge-
löst werden.

Der Zenereffekt besteht darin, daB durch das elektrische Feld, das sich aufgrund
der auBen angelegten Spannung in der Sperrzone ergibt, Valenzelektronen aus
ihren Bindungen herausgerissen werden. Dadurch wird die Zahl der Ladungstra-
ger, die sich frei bewegen können, erhöht, der Strom steigt steil an und der Wi-
derstand des Materials nimmt ab.

Der Lawineneffekt kommt dadurch zustande, daB bei hohen Feldstarken, freie
Ladungstrager so beschleunigt werden, daB sie beim Auftreffen auf Atome wei­
tere Valenzelektronen aus ihren Bindungen herausschlagen; der Widerstand
nimmt weiter ab.

49
 Uz

a?
Izmin

AUz
2
Cl = AIZ
5
-Q
h
-10
1A> Iz^ox

Bild 3.18:
Abhangigkeit des Temperaturkoeffi-
zienten von der Durchbruchsspannung Bild 3.19:
Schematische Darstellung zur Stabili-
sierungsregelung

Durch den Lawineneffekt steigt der Sperrstrom sehr stark an.

Dies ist im Prinzip sogar nachteilig; Deshalb konnte ein Betrieb im Durchbruch-
gebiet erst durch ein entsprechendes Herstellungsverfahren möglich gemacht
werden.

Herstel/ung: In ein Plattchen aus n-dotiertem Silizium wird ein Aluminiumdraht-

chen einligiert. Bei dieser MaSnahme entsteht ein Sperrgebiet dadurch, datë die
einlegierten Aluminiumatome im Silizium eine p-Zone entstehen lassen.

Bei dieser Herstellung wurde ein Diodentyp entwickelt, mit einer Art von „ge-
bremsten Durchbruch", der also zum Stabilisieren von Spannungen besonders ge-
eignet ist.
Für den Einsatz als Spannungsstabilisator ist auch der Temperaturkoeffizient a
der Durchbruch* oder Zenerspannung wichtig. Bild 3.18 zeigt den Temperatur­
koeffizient ol in Abhangigkeit von der Durchbruchsspannung Uz. Danach ist a
bei kleinen Durchbruchsspannungen (Zenereffekt) negativ und bei groRen
Durchbruchspannungen (Lawineneffekt) positiv.
Wesentlichen AufschluB über das Betriebsverhalten der Diode in einem bestimm-
ten Arbeitsbereich erhalt man durch den differentiellen Widerstand Vz. Er wird,

schrankend stabilisiert
J Ry /

I* Ih
2? U2 * Bild 3.20:
Einfache Stabilisierungsschaltung mit
-o■ einer Z-Diode

50
wie in Bild 3.19 dargestellt, durch das Verhaltnis der Spannungsanderung zur
Stromanderung angegeben.

AU _ kleine Spannungsanderung
rz =
AI kleine Stromanderung

Der differentielle Widerstand ist also im Durchbruchgebeit besonders klein.

Der differentielle Widerstand wird vom Hersteller angegeben und kennzeichnet

den Zusammenhang zwischen Z-Strom und Z-Spannung.

Eine einfache Schaltung zur Spannungsstabilisierung ist in Bild 3.20 angegeben.

Der Vorwiderstand Rv ist so zu bemessen, dal$ er die auftretenden Spannungs-
schwankungen aufnehmen kann. Dafür geiten folgende Regeln:
1) Rv mulS mindestens so grolS sein, dafS auch bei der höchsten Eingangsspan-
nung U-| max und dem kleinsten Laststrom lL min die Z-Diode nicht überlastet
wird; lz max darf nicht überschritten werden.
2) Rv mufS so klein sein, dafS auch bei der niedrigsten Eingangsspannung U-| min
und dem gröfSten Laststrom lL max die Z-Diode im DurchlafSbereich arbeitet, so
dafS die Schaltung noch stabilisierend wirkt.

Mit Stabilisierungsfaktor bezeichnet man das Verhaltnis von Eingangsspannungs-

schwankung zu Ausgangsspannungsschwankung.

Eine Z-Diode ist eine Halbleiterdiode (meist Siliziumdiode) bei der es in Sperr-
richtung bei Überschreiten einer bestimmten Spannung zu einem auf den Zener-
effekt beruhenden sehr starken Stromanstieg (Zenerdurchbruch) kommt.

3.2.3 Tunneldiode

Tunneldioden sind Kleinflachendioden. Als Ausgangsmaterial wird im allgemei-

nen Germanium verwendet. Durch eine sehr hohe Dotierung der p- und n-Zone,
kann sich nur eine aufSerst schmale Sperrschicht bilden. Diese Schicht kann von
den freien Ladungstragern leicht in beiden Richtungen überwunden oder durch-
tunnelt werden. Daher kommt auch der Name Tunneldiode.
Die Kennlinie verlauft bei Tunneldioden recht ungewöhnlich (Bild 3.21). Der
Strom steigt bereits bei kleiner Spannung sehr schnell an. Die Kurve erreicht
ab einer bestimmten Spannung ein Maximum, um dann mit weiter steigender
Spannung wieder abzunehmen bis zu einem Minimum. Danach steigt der Strom
bei Erhöhung der Spannung wieder an, d.h. wie bei einer normalen Diode. Die
Kennlinie geht also in eine übliche Diodenkennlinie über (entsprechend einer
Ventildiode).

51
 A

Bereich
negativen

Widerst ondes

V
o)
Bild 3.21:
Tunneldiode
ö a) Kennlinie
b) b) Schaltzeichen

Dieser seltsame Kennlinienverlauf wird durch den sogenannten Tunneleffekt

ausgelöst.

Unter Tunneleffekt versteht man die Fahigkeit von Elektronen eine schmale
Zone (Potentialwall) zu durchdringen (durchtunneln), obwohl deren Energie
viel zu klein ist, um den Potentialwall zu überwinden.

Mit nahezu Lichtgeschwindigkeit durchtunneln die Elektronen die auKerst dünne

Sperrschicht. Der Tunneleffekt ist fast temperaturunabhangig.
Zwischen A und B ist die Kennlinie fallend. Dieser Kennlinienverlauf zeigt, daS
trotz Anstieg der Spannung der Strom abnimmt. Es handelt sich hier um einen
Bereich, der ein dem normalen Verlauf der Diodenkennlinie entgegengesetztes
Verhalten aufweist. Deshalb spricht man in diesem Kennliniengebiet von einem
negativen differentiellen Widerstand.

Strom- und Spannungsanderungen haben im Bereich des differentiellen Wider-

standes ein entgegengesetztes Vorzeichen.

Diese Eigenschaft kann in der Schaltungstechnik ausgenutzt werden, um einen

positiven Widerstand zu kompensieren.

Beispie/: Dem Schwingkreis des Oszillators wird eine Tunneldiode zugeschaltet.

Legt man nun den Arbeitspunkt der Diode in den fallenden Kennlinienteil zwi­
schen A und B, so kompensiert der negative differentielle Widerstand der Tun­
neldiode den positiven Verlustwiderstand des Schwingkreises; das bewirkteine
Entdampfung des Schwingkreises.
Anmerkung: Jeder Kondensator besitzt einen durch das Dielektrikum bedingten
Verlustwiderstand.

52
Die/ektrikum: Ist der zwischen den Platten befindliche Stoff (Nichtleiter). Tun-
neldioden lassen sich bis zu sehr hohen Frequenzen (einige Gigahertz) in Ver-
starker- und Schwingschaltungen, sowie in der Digitaltechnik als schnelle Schal-
ter verwenden.
Die Schaltung eines Oszillators ist in Bild 3.22 wiedergegeben.

•ï
C= Schwingkondensator
L= Induktrvitdt
R^einstetlbar durch
mech Verstellung
C
5S

*2

Bild 3.22:
Oszillatorschaltung mit Tunneldiode

Der Kondensator C und die Spule L bilden den Schwingkreis des Oszillators. Als
Schaltelement ist parallel zum Schwingkreis eine Tunneldiode geschaltet, die
die elektrischen Schwingungen steuern soll. Zuvor muS durch den Widerstand
R-i der Arbeitspunkt der Schaltung eingestellt werden. Legt man den Arbeits-
punkt in den Bereich der fallenden Kennlinie (zwischen A und B), so wird, wie
bereits beschrieben, der Verlustwiderstand des Schwingkreises kompensiert
und die Schwingungen werden aufrechterhalten. Wird der Verlustwiderstand des
Schwingkreises zu sehr kompensiert, so können sogar Schwingungen entfacht
oder bereits vorhandene Schwingungen verstarkt werden. Die Tunneldiode kann
somit auch als Verstarkerelement eingesetzt werden.
Nachteilig ist, daB der Tunneleffekt nur im Bereich kleiner Spannungen (ca. 0,1
... 0,6 V) auftritt, was die Anwendung auf sehr kleine Leistungen beschrankt.

Die Tunneldiode ist eine Kleinflachendiode mit sehr hoher Dotierung. Ihre
Kennlinie ist teilweise fallend und hat also einen Bereich negativen Widerstandes.
Man verwendet Tunneldioden als Oszillator- und Verstarkerschaltungen sowie als
schnelle Schalter.

3.2.4 Kapazitatsdiode (Kapazitatsvariationsdiode, Varicap)

lm Abschnitt 3.1 wurde der pn-Übergang bzw. die Sperrschicht beschrieben. Aus
der Beschreibung ist zu entnehmen, daS die Raumladungszone infolge auBerer
Spannung zunimmt. Durch die Sperrschicht flieSt allerdings nur der sehr geringe
Sperrstrom, der durch die Minoritatstrager verursacht wird. Für diesen Betriebs-

53
 fall liegt der Vergleich der Sperrschicht mit dem Dielektrikum, d.h. des Isolier-
stoffes eines Plattenkondensators besonders nahe.

Die in Sperrichtung geschaltete Diode stellt einen Kondensator dar, bei dem das
p- und das n-Material die Belage des Kondensators und die Raumladungszone das
Dielektrikum bilden.

Wie bei einem Plattenkondensator verandert sich die Kapazitat der Diode im
umgekehrten Verhaltnis (reziprok) zu dem Abstand der Platten, d.h. der Breite
des Dielektrikums.
Erhöht man die Spannung, so wird also die Raumladungszone breiter. Dies laBt
sich vergleichen mit einer VergröBerung des Plattenabstandes bei einem Platten­
kondensator, was wiederum gleichbedeutend ist mit einer Verkleinerung der
Sperrschichtkapazitat.
Bild 3.23 zeigt schematisch diese Zusammenhange.

+[ P?

i ♦ t t 40
Kondensator-
■5 O00

ir.
ü Lodungstrgger - 4
arme Zone T-

e ©0©
ai platten
+ t *
niedrige Sperrspannung f V)
grolle Kapazitat V

Bild 3.24:
+[ Kennlinie und Schaltzeichen einer
t t f Kapazitat
* Kondensator-
ti © © © ^-
^ Lodungströger-
+
£ arme Zone

©0© ^
platten
i * i
hohe Sperrspannung (V)
kleine Kapazitat
Bild 3.23:
Zusammenhange zwischen Sperr­
schicht, Kapazitat und angelegter
Spannung

54
Das Anlegen einer Sperrspannung führt also zu einer Verminderung der Sperr­
schichtkapazitat. Dabei nimmt die Sperrschichtkapazitat, je nach Herstellung
der Diode, nach einer quadratischen oder kubischen Funktion ab. Die Abhangig-
keit der Kapazitat von der Sperrspannung ist in Bild 3.24 zu erkennen.

Ein Ersatzschaltbild, wie in Bild 3.25 dargestellt, gibt Auskunft über das elektri­
sche Verhalten der Diode in Sperrichtung.
Das Schaltbild besteht demnach aus der Reihenschaltung eines Widerstandes,
einer Kapazitat und einer Induktivitat, wobei parallel zur Kapazitat ein weiterer
Widerstand geschaltet ist.
Der Reihenwiderstand weist auf den „Bahnwiderstand rb" der Diode, die Kapa­
zitat Cs auf die Sperrschichtkapazitat und die Induktivitat L auf die Induktivitat
aller Zuleitungen (Serien- oder Zuleitungsinduktivitat) hin. Der Widerstand rs
parallel zur Kapazitët ist der Verlustwiderstand des zustandekommenden Kon-
densators. Dabei sollte rs möglichst grofc, d.h. der Sperrstrom besonders klein
sein. Das ist jedoch schon durch die Verwendung von Silizium als Herstellmate-
rial und durch den Betrieb in Sperrichtung gegeben.
Kapazitatsdioden finden Anwendung in Frequenzmodulationsschaltungen, bei
der automatischen Scharfabstimmung in UKW- und Fernsehempfangern und
zur Abstimmung von Schwingkreisen.

a) Frequenzmodu/ation: Die Frequenzmodulation (FM) wird vorzugsweise bei

UKW- und Fernsehanlagen angewendet.
In eine Oszillatorschaltung (Bild 3.26) wird als Kapazitat des Resonanzkreises
(Schwingungskreis) ein Kondensatormikrofon verwendet.

Anmerkung: Ein Kondensatormikrofon (Mikrofon) ist ein elektrischer Wandler

(Empfanger), und dient zur Umwandlung des Schalls (z.B. Luftschall) in nieder-
frequente (tonfrequente) elektrische Spannungen und Stromen.
Bei dieser Schaltung ist durch Verwendung des Kondensatormikrofons, die Os-
zillatorfrequenz direkt vom Schalldruck abhangig, der auf das Mikrofon ein-

Cs
H
L rb
C, 1

C, ■ Oszillotor-
rS
Steuer-
spannung 2i
+ I Scfvvingkreis

Bild 3.25:
Ersatzschaltung einer Kapazitatsdiode,
wobei parallel zur Kapazitat Cs ein Wi­
i
o *
derstand rs (Verlustwiderstand) ge­
Bild 3.26:
schaltet ist. Frequenzmodulation mit Kapazitats­
diode

55
 wirkt. Die Frequenz wird also durch das niederfrequente Modulationssignal be-
stimmt.
Bei dem modulierenden Signal wird die Frequenz des Tragers moduliert bei kon-
stantgehaltener Amplitude (FM).

Vorgang: In den Schwingkreis des Oszillators wird als frequenzbestimmendes

Bauelement eine Kapazitatsdiode geschaltet. Mit Hilfe einer Gleichspannung
wird der Arbeitspunkt der Diode eingestellt und damit die Tragerfrequenz fest-
gelegt. Die Überlagerung der Modulationsspannung durch die Sperrspannung
verandert die Spannung an der Diode dauernd und damit auch ihre wirksame
Kapazitat (Diodenkapazitat), was zu Variation der Tragerfrequenz führt. Kapa-
zitatsvariationsdioden sind Dioden, deren Kapazitaten spannungsabhangig sind
(bzw. spannungsgesteuert werden). Sie bilden zusammen mit den anderen Kapa­
zitaten (C-j, C2) die tatsachlich wirksame Resonanzkreiskapazitat (Schwingkreis-
kapazitat).

Unter Moduiation versteht man die Anderung einer hochfrequenten im Rhyth-

mus einer niederfrequenten (Ton) Schwingung; die niederfrequente wird von der
hochfrequenten Schwingung „getragen" (Tragerfrequenz).

Die Frequenzmodulation ermöglicht störungsfreien Empfang.

b) Abstimmung eines Schwingkreises:

Ein Schwingkreis besteht bekanntlich aus Induktivitat L (Spule) und Kapazitat
C (Kondensator). Seine Resonanz wird vorzugsweie durch Anderung der Kapazi­
tat C mittels einer Kapazitatsdiode eingestellt. Bei der Kapazitatsdiode wird die
GröBeder Kapazitat (Diodenkapazitat) durch die GröRe der angelegten Abstimm-
spannung gesteuert (Bild 3.27). Die Abstimmspannung wird der Kapazitëtsdiode
über einen Vorwiderstand Rv und der Spule L zugeführt. CL stellt die Eigenkapa-
zitat der Spule dar; dabei sollte die Sperrschichtkapazitat Cs groR gegen CL sein.

Kapazitatsdioden (Varaktoren) sind Siliziumflachendioden, deren pn-Übergang

eine bestimmbare Kapazitat besitzt, die von der in Sperrichtung angelegten

A Antenne

! L *-■
1 Bild 3.27:
Abstimmung eines Schwingkreises mit
I Kapazitatsdiode
L. Ï Erde Ra = Widerstand mit Anzapfung, ver­
anderbar

56
Gleichspannung abhangig ist; sie erhöhen ihre Kapazitat mit steigender Sperr-
spannung.
Die Kapazitatsdiode ist temer eine im Sperrbereich betriebene Halbleiterdiode,
bei der die Anderung der Kapazitat ihrer Sperrschicht durch Anderung der Sperr-
spannung zur Steuerung (u.a. in Regelschaltungen, z.B. FM-Schaltungen) ausge-
nutzt wird.

Benennung Schalt- Eigenschaft Kennlinie

des Bauteils zeichen

Gleichrichter-
diode
Ventilwirkung zur Gleichrich-
tung von Wechselspannungen.
Die Diode wirkt dabei wie ein
Schalter.
Scha/terwirkung: Durch ent-
sprechende Polung der Diode
können positive oder negative
1 /~\ /~\
u ~*"t
ur EirrtreQ-GIfchnctitmchQllung
/r\rvr\r^r\
Ur Hittclpunkticfraltunq
1
I lu i 2u4 tu J2ul t
Uf B'ucktnichQttung

Anteile einer Wechselspannung

gesperrt (Schalter offen) oder
durchgelassen (Schalter ge-
schlossen) werden.

Z-Diode £4 Z-Dioden werden im Sperrge-

biet, und hier besonders im Vs
Durchbruchgebiet betrieben.
Die Dioden zeigen in Sperrich-
II
Sptmpannung
Ourchlafl • —
tung bei Überschreiten einer U?\
\ Spanning Uf
bestimmten Spannung einen auf
dem Zener- oder Lawineneffekt
beruhenden starken Stroman-
stieg (Zenerdurchbruch). Diese
Effekte nutzt man aus, um
schwankende Spannungen zu
stabilisieren.

Tunneldiode Die Tunneldiode verhaltsich auf- 4

grund ihrer Kennlinie, wie ein

negativer Widerstand. Um diese
Eigenschaften schaltungstech-
nisch auszunutzen, wird der
Arbeitspunkt der Diode in den
fallenden Bereich der Kenn­
U
linie gelegt. Der etwas seltsame
Kennlinienverlauf wird durch
den Tunneleffekt ausgelöst.

57
Benennung Schalt- Eigenschaft Kennlinie
des Bauteils zeichen

Kapazitats- Kapazitatsdioden arbeiten im pF

diode odtr Sperrbereich. Erhöht man die
f*F Sperrspannung, so nimmt die
Sperrschichtkapazitat ab, und c
die Raumladungszone der Sperr-
schicht wird breiter. Dies ahnelt
einer VergröBerung des Platten-
abstands eines Plattenkondensa- U*
tors

Einige Bauformen vort Halbleiterdioden

Kot ode Seite mit Ring ist der Meist Gleichrichterkathoden

KathodenanschluB.

y- Kotode Ein Farbpunkt oder eine Meist Flachendioden

=é- > Nase kennzeichnet den

KathodenanschluB

Kotode Metallgehause ist hier der Meist Gleichrichterkathoden

==o KathodenanschluB

58
4
Transistoren

Die Bezeichnung Transistor ist aus den englischen Wörten transfer resistor
(= Übertragungswiderstand) entstanden. Transistoren sind aktive Baulemente.
Sie werden als Verstarkerelement und als Schalter eingesetzt.
Die wichtigsten, der heute verwendeten Transistoren sind:
— Bipolare Transistoren, z.B. npn- oder pnp-Transistoren (Flachentransisto-
ren)
— FET-Tranistoren (Feldeffekttransistoren, auch unipolare Transistoren ge-
nannt).

4.1 Bipolare Transistoren

4.1.1 Aufbau und Wirkungsweise des Flachentransistors

4.1.1.1 Aufbau. Die npn- und pnp-Transistoren gehören zu der Gruppe der bi-
polaren Transistoren. Die Bezeichnung „bipolar" soll darauf hinweisen, daS die
vom gesteuerten Strom durchflossene Strecke der Flachentransistoren aus zwei-
erlei in Reihe liegenden Zonen (Elektronen und Löcher, d.h. n und p) beseteht.
Kennzeichnend für den Aufbau des Flachentransistors sind drei aufeinander-
folgende Halbleiterschichten oder -Zonen. Diese können in der Reihenfolge npn-
oder pnp dotiert sein. Alle drei Zonen werden in einem einzigen Kristall, z.B.
einem Si-Kristall gebildet. Die einzelnen Halbleiterzonen sind mit elektrischen
Anschlüssen versehen. Entsprechend ihrer Funktionen werden sie mit Emitter E,
Basis B und Kollektor C bezeichnet (siehe Bild 4.1).

Nahere Beschreibung der Ansch/üsse:

Emitter E: Ist die linke (auBere) Schicht; sie dient dazu Ladungen zu emit-
tieren (aussenden).
Basis B: Ist die mittlere Schicht. Es ist eine in allen Fallen sehr dünne und
schwach dotierte Schicht; sie dient zum Steuern des Transistors.
Kollektor C: Ist die rechte (auBere) Schicht. Der Kollektor sammelt die emit-
tierten Ladungstrager wieder ein.

59
 pn-Ubergange pnp- Transistor npn - Transistor

E C
n P n

Bild 4.2:
Diodenvergleich

Bild 4.1:
Aufbau eines npn-Transistors und zu-
gehöriges Schaltzeichen

Flachentransistoren sind Bauelemente mit drei aufeinanderfolgenden Halbleiter-

schichten in der Reihenfolge npn oder pnp.

Neben dem npn*Transistor gibt es also auch noch den pnp-Transistor. Die Wir-
kungsweise beider Typen ahneln sich im Prinzip. Der eigentliche Unterschied be-
steht nur darin, daB beim pnp-Typ ein Löcherstrom, und beim npn-Typ ein Elek-
tronenstrom flieBt. Aufgrund dieser Unterschiede müssen samtliche Polungen der
Spannungen verschieden (umgekehrt) sein.
Der Transistor hat also zwei pn-Übergange, an denen sich Sperrschichten bilden.
Diese Anordnung entspricht dem Verhalten zweier gegeneinandergeschalteter
Dioden mit gemeinsamen n-Leiter (pnp) bzw. gemeinsamen p-Leiter (npn); siehe
Bild 4.2.
Elektronen ftubnchtung
P n P n / P \ n
© N
0-0-©- O ©-©-© 0-0-0- ©-©-©-I
[rj 0-0-0-
0—0-0-
©- ®—0—®
0
0 ■h A 0—0—©—
G>—0-0—
©•
0
O
©-©-©-U-
©-©-©-f*i
l fii i B 1 I I
I
*1 Ekktonto- I
k t!
I
Etaktroft+n-
Ftu/trichtung
I
I
I
I
FhiflricAlung I IL I
I
\k
I____ I____
+ Nfc
Me» UCB Msb Uce

Bild 4.3: Bild 4.4:

Elektrische Vorgange (StromfluS) in Elektrische Vorgange (StromfluB) in
einem pnp-Transistor einem npn-Transistor

60
a) pnp-Transistor
Wird die Emitterdiode in DurchlaBrichtung gepolt, so flieBen vom Emitter in die
Basis Löcher als Minoriteiten. Wegen der geringen Dicke der Basiszone, sie miBt
nur einige pm, und der schwachen Dotierung der Basis, können nur wenige vom
Emitter injizierte Löcher mit den Elektronen dieser Schicht rokombinieren. Der
gröBte Teil der Löcher diffundiert zum Kollektor. Sie werden dort von der nega-
tiven Kollektorspannung abgesaugt. Da die Löcher die Basis-Kollektor-Sperr-
schicht gröBtenteils überqueren, flieBt somit ein Kollektorstrom. In der Basis­
zone kann dagegen, wegen der geringen Rekombination nur ein schwacher Strom
flieBen.
Der gröBte Teil der Löcher gelangt also durch die Basis-Kollektor-Sperrschicht in
die Kollektorzone. Es flieBt wie erwahnt, ein Kollektorstrom, der etwas kleiner
ist als der Emitterstrom. Verandert man die Starke des Emitterstromes, so andert
sich in gleicher Weise auch der Kollektorstrom.
Der am Kollektor abflieBende Kollektorstrom wird somit durch den als Durch-
laBstrom über den Emitter-Basis-Übergang flieBenden Emitterstrom gesteuert;
diese Vorgënge sind in Bild 4.3 dargestellt.

b) npn-Transistor
Die Arbeitsweise des npn-Transistor ist ahnlich der Arbeitsweise des pnp-Tran-
sistors. Nur daB bei dieser Polung, statt Löcher, Elektronen vom n-leitenden
Emitter ausgehen. Mit den Elektronen geschieht das gleiche, was beim pnp-Tran­
sistor mit den Löchern geschieht. Die Elektronen werden von der positiven Kol­
lektorspannung abgesaugt (Bild 4.4).

Basisstrom steuert dabei einen viel gröBeren Kollektorstrom.

Diese Tatsache erklart auch die Verstarkerwirkung des Transistors.

Eine geringe Anderung des Basisstromes verursacht eine groBe Anderung des
Kollektorstromes.

Ist die Basis eines Transistors nicht angeschlossen, so flieBt über den Kollektor
kein Strom, der Transistor ist gesperrt.

Beim Betrieb eines pnp-Transistors ist zu beachten, daB der Emitter gegenüber
dem Kollektor positiv, die Basis gegenüber dem Emitter negativ gepolt ist. Beim
Betrieb eines npn-Transistors wird die Polung umgekehrt.

4.1.1.2 VZirkungsweise eines F/achentransistors als Verstarker

Flachentransistoren finden als moderne Halbleiterverstarker vielfach Anwendung

in Verstarkerschaltungen. Verstarker haben dabei die Aufgabe, schwache Signale
so weit zu verstarken, bis sie z.B. in einem Lautsprecher zu horen sind. Die zur

61
 h h h h
o -O o o
u,\ > \u2
■O Ut U2
Eingang Ausgong
o
Bild 4.5:
Symbol eines Verstarkers (allgemein)
Bild 4.6:
Transistoranschlüsse in einem Vierpol

Verstarkung notwendige Energie muR entweder vom Netz oder von einer Bat-
terie zugeführt werden. Die Energie wird dann vom verhaltnismafcig schwachen
Eingangssignal so gesteuert, daK am Ausgang ein dem Eingangssignal starkeres
Signal zur Verfügung steht. Ein Verstarker umfaGt zumeist mehrere Stufen, d.h.
sie enthalten mehrere Transistoren als aktive Bauelemente.
In Bild 4.5 ist ein Verstarker symbolisch als ein einfaches Kastchen mit Eingangs-
und AusgangsgröRen dargestellt.
Am Eingang steht die Eingangsspannung Ut an und es flietët ein Eingangsstrom
Ii. Am Ausgang liegt eine Ausgangsspannung U2 und es fliefct ein Ausgangsstrom
^2 •
Ein Verstarker hat also vier Anschlüsse. Da ein Transistor nur die drei Elektroden
Basis, Emitter und Kollektor besitzt, mufS eine seiner drei Elektroden als ge-
meinsame Elektrode für Eingang und Ausgang verwendet werden. Diese gemein-
same Elektrode ist bei der Emittergrundschaltung der Emitter.

4.1.2 Grundschaltungen des Transistors

In Abschnitt 4.1.1.2 haben wir bereits die Wirkungsweise eines Flachentran-

sistors als Verstarker kennengelernt. Den Transistor als Verstarker kann man
aufgrund seines Aufbaues in drei verschiedenen Verstarkerschaltungen anwen-
den, wobei die drei sogenannten Grundschaltungen des Transistors immer nach
der Elektrode benannt werden, die direkt mit den Polen der Verbraucherspan-
nung verbunden ist. Die beiden anderen Elektroden bilden dann den Eingangs-
bzw. Ausgangsstromkreis. Transistoren können also unterschiedlich gestaltet
werden, und man spricht folglich von „Emitterschaltung", „Kollektorschaltung"
und „Basisschaltung".

4.1.2.1 Emitterschaltung

Bild 4.7 zeigt eine Emitterschaltung, die von den genannten Schaltungsarten am
haufigsten in der Praxis angewendet wird.

62
 Ausgang Ausgong

< S «TT
O ---------O

\ Signol- M
/ quelle
frvy)

■+I+ ««►
Bild 4.7: Bild 4.8:
Emitterschaltung Kollektorschaltung

Bei der Emitterschaltung ist der Emitter die dem Eingangs- und Ausgangskreis
gemeinsame Elektrode. Das Eingangssignal wird zwischen Basis und Emitter ein-
gefiihrt, das Ausgangssignal zwischen Kollektor und Emitter abgenommen.

4.1.2.2 Kollektorschaltung

Eine Kollektorschaltung (Bild 4.8) ist eine Grundschaltung, in der die Kollektor-
elektrode dem Eingangs- und Ausgangskreis gemeinsam angehört. Das Eingangs­
signal wird zwischen Basis und Kollektor eingeführt, wahrend das Ausgangssignal
zwischen Emitter und Kollektor abgenommen wird.

4.1.2.3 Basisscha/tung

Bei der Basisschaltung (Bild 4.9) wird das Eingangssignal zwischen Emitter und
Basis eingeführt, wahrend das Ausgangssignal zwischen Kollektor und Basis ab­
genommen wird. Die Basis ist hier also die gemeinsame Elektrode.

4.1.3 Transistorkennlinien in Emitterschaltung

In Datenblattern von Transistorherstellern findet man u.a. Kennlinienfelder, die

wichtige Aufschlüsse über die Eigenschaften von Transistoren geben.

Ausgang
O

¥ 5
Bild 4.9:
Basisschaltung

63
 Grundschaltungen mit Transistoren

Eigenschaften Emitter- Basisschaltung Kollektor-

schaltung schaltung

c E
B

“CE
E

o-

Eingangswiderstand 0,5 bis 2 K12 50 bis 200 12 100 bis 500 K12

Ausgangswiderstand 10 bis 100 K12 0,5 bis 2 M12 100 bis 50012

Stromverstarkung 10 bis 100fach ca. 1fach 10 bis 100fach

Spannungsverstarkung 100 bis 1000fach 100 bis 1000fach kleiner 1 fach

Leistungsverstarkung 1000 bis 10000fach 100 bis 1000fach 10 bis 200fach

Phasenlage zwischen
Eingangs- und 180° 0° 0°
Ausgangsspannung

lm folgenden Abschnitt sollen die Kennlinien des Transistors in Emitterschal-

tung behandelt werden, da diese Schaltungsart von allen Transistorschaltungen
die gebrauchlichste ist.
Mit einer MeSschaltung nach Bild 4.10 lassen sich die Kennlinien punktweise be-
stimmen.
Je nachdem, welche Kennlinie aufgenommen werden soll, wird eine bestimmte
GröSe konstant gehalten, die zweite verandert und der sich ergebende Wert der
dritten abgelesen. Die ermittelten Werte werden dann in ein Diagramm einge-
tragen.

64
 Ig
r^Sr
5 r 0-J è4l ; •_ Bild 4.10:
t-fcr

I
Ut*
MeBschaltung zur Aufnahme von Tran-
sistorkennlinien

4.1.3.1 Eingangskennliriie

Die Eingangskennlinie in Bild 4.11 beschreibt die Beziehungen, die zwischen den
beiden EingangsgröBen bestehen, also zwischen Basisstrom IB und Basis-Emitter-
spannung UBE. Bei der Aufnahme dieser Kennlinie wird die Kollektor-Emitter-
spannung Uce konstant gehalten. Damit gilt die im Datenblatt zu findende
Kennlinie nur für eine bestimmte Kollektor-Emitterspannung.
Der Basis-Emitter-Übergang ahnelt sehr der DurchlaRkennlinie einer Diode. Des-
halb hat die Eingangskennlinie auch die Form einer Diodenkennlinie in Durch-
laRrichtung.

4.1.3.2 Steuerkenn/inie

Die Stromsteuerkennlinie gibt den Zusammenhang zwischen dem Kollektor-

strom Ic (AusgangsgröSe) und dem Basisstrom IB (EingangsgröBe) wieder.

Der Kollektorstrom ist mit dem Basisstrom durch die Gleichstromverstarkung

B verknüpft.

A A
1^2* konstant

Ube *€

Bild 4.11: Bild 4.12:

Eingangskennlinie eines Transistors in Steuerkennlinie eines Transistors
Emitterschaltung

65
 Ic
Gleichstromverstarkung B = — , daraus Ic = IB • B.
Ib

Da der Kollektorstrom immer um den nahezu konstanten Faktor B gröSer ist

(siehe Formel) als der Basisstrom, verlauft die Steuerkennlinie (Bild 4.12) ziem-
lich linear.

Die Steuerkennlinie sagt aus, welche Basisströme flielien müssen, um den ge-
wünschten Kollektorstrom zu erhalten.

4.1.3.3 Ausgangskenn/inie

Die Ausgangskennlinie gibt Auskunft über die beiden AusgangsgröBen, d.h. der
Kollektor-Emitterspannung UCE und dem Kollektorstrom Ic. Bild 4.13 zeigt
den Verlauf eines Ausgangskennlinienfeldes mit IB als Parameter (KenngröBe).
Bei dieser Darstellung gibt es somit für jeden Basisstrom IB eine besondere
Kennlinie, die die Abhangigkeit des Kollektorstromes Ic von der Kollektor-
Emitterspannung Uce angibt. Mehrere dieser Ic/UCe-Kcnnlinien werden dann
zu einem Ic/UcE'Kennlinienfeld (Bild 4.13) zusammengefaBt.
Wie die Kennlinienfelder zeigen, steigt der Kollektorstrom Ic schon bei kleinen
Werten von UCe stark an. Der starke Anstieg ist bei Erreichen eines bestimmten
Wertes von UCe beendet, d.h. die Kennlinien haben jetzt einen flacheren Ver­
lauf.
Die Kennlinien verlaufen danach etwa waagerecht. Das bedeutet aber, daBsein
Innenwiderstand

AUce
Ri =
AIq

relativ groS ist.

Ig=konstant

1B

Bild 4.14:
Uce Transistor mit Arbeitswiderstand
Bild 4.13:
IcUcE-Kennlinienfeld mit IB als Para­
meter (Konstante)

66
 mA

I
lc
h ma*
JCma.
Arbeitspunkt

30
—------- hrrun
Bild 4.15:
jW Kennlinie des Arbeitswiderstandes im
2
^-UCE
4 6
“Ra
8
J «rv UcElc'Ausgangskennlinienfeld

Der Hersteller hat in diesem Fall die Kennlinienfelder im KurzschluR, also ohne
einen Arbeitswiderstand, aufgenommen.
In der Praxis verwendet man aber grundsatzlich einen Arbeitswiderstand Ra, der
zum Transistor in Reihe geschaltet ist (Bild 4.14).
Der Ausgang des Transistors wird durch diese Schaltung mit dem Arbeitswider­
stand dann belastet, um an ihm einen Spannungsabfall (Ua = Ic • Ra) zu erzeu-
gen. Damit setzt sich die Betriebsspannung UB zusammen aus den Spannungen
Ua und UCE; UB = Ua + UCe-
Den Arbeitswiderstand kann man als Gerade (Widerstands- oder Arbeitsgerade)
in das Kennlinienfeld einzeichnen, so wie es in Bild 4.15 geschehen ist. Für die
Konstruktion werden nur zwei Punkte benötigt. Als vereinfachtes Beispiel sollen
sich diese beiden Punkte auf den gesperrten und den voll leitenden Transistor
beziehen.
Wir nehmen an, daB die Betriebsspannung (Batteriespannung) 10 Volt betragt
und der Transistor in Bild 4.14 gesperrt ist. Dann liegt am Transistor die volle
Betriebsspannung von 10 V, denn der Strom Ic ist gleich Null; am Arbeitswider­
stand Ra fëllt keine Spannung ab.
Den Punkt „1" mit Iq = O und Uce = 10 V tragen wir auf der waagerechten
UcE'Achse bei 10 V ein (Bild 4.15).
Für Ranehmen wir den Wert von 300 £2 an.
Dann ergibt sich
10 V
Ic = = 0,03 A = 30 mA
300 £2
Den Punkt „2" für 30 mA findet man dann auf der senkrechten Ic-Achse bei
UCe = OV; d.h. es wird angenommen, daS die gesamte Spannung am Widerstand
Ra abfallt und Uce = OV Spannung hat. Verbinden wir beide Punkte, so erhal-
ten wir die Widerstandsgerade im Ausgangskennlinienfeld des Transistors.

Auf dieser Gerade können jetzt alle Arbeitspunkte für Ic und UCe bei 300 £2
Arbeitswiderstand abgelesen werden.

67
 4.1.3.3.1 A rbei tspunk teinste/lung

Soll maximale Aussteuerbarkeit am Ausgang des Transistors vorliegen und damit

die Betriebsspannung voll ausgenutzt werden, muR der Arbeitspunkt in der Mitte
des ausnutzbaren Bereichs der Widerstandsgeraden liegen. Dieser ausnutzbare Be-
reich der Widerstandsgeraden wird begrenzt von dem Wert UCEsat und dem
Punkt, bei der die Widerstandsgerade die Kennlinie mit dem Parameter IB = 0
schneidet (Bild 4.16).
Bei der Wahl der Widerstandsgeraden, auf der der Arbeitspunkt liegt, ist beson-
ders darauf zu achten, datë die „Ver/ust/eitungshyperbe/" für Ptotmax die Gerade
nicht schneidet; sie darf sie höchstens berühren. Eine Ausnahme ist möglich,
wenn der Transistor als schneller Schalter betrieben wird.

4.1.3.3.2 Grenzwerte, Arbeitsbereich und Aussteuerung

a) Grenzwerte:
Von den Herstellern werden für den Betrieb von Transistoren verschiedene
Grenzwerte herausgegeben. Diese Grenzwerte (Bild 4.17) dürfen auf keinen Fall
überschritten werden, weil sonst der Transistor zerstört wird.
Folgende Grenzwerte sind zu beachten:
— die Sperrschichttemperatur max
— die höchstzulassige Verlustzuleitung Ptot, max
— die höchstzulassige Kollektor-Emitterspannung UCEmax»
— den höchstzulassigen Kollektorstrom Icmax.

Ptot
mA
lterlusthyperbet
I
k
kmoir Ptotmax
l^jrchbrucpbereich)
22
221
I
o;
21 Dl
'Arbeitspunkt h 3
5»
8
4/ Jb=9 j
177777////////////////////////A^UcFmn,
(Sperrbereich) uc£—
Lfcöoir Ub
UCE~* UCE V
Uce —H Bild 4.17:
Arbeitsbereich eines Transistors mit
Bild 4.16: Grenzwerten
Lage des Arbeitspunktes im UCeIc‘
Ausgangskennlinienfeld

68
Da die Sperrschichttemperatur nicht direkt gemessen werden kann, geben die
Hersteller in einem Datenblatt die maximal zulassige Gesamtverlustleistung
Ptotmax für eine bestimmte, nicht zu überschreitende Gehause- oder Umge-
bungstemperatur an.
Die in einem Transistor erzeugte Verlustleistung wird nahmlich in Warme um-
gesetzt und kann bei nicht genügender Warmeableitung zur Zerstörung des
Transistors führen.

ptot - uce • Ic-

Bei der Festlegung der Widerstandsgeraden mussen mögliche Erhöhungen der

Umgebungstemperatur beriicksichtigt werden, damit die Stabilitat auch unter
den ungünstigsten Verhaltnissen gewahrleistet bleibt.

b) Arbeitsbereich und Aussteuerung

Der aussteuerbare (aktive) Bereich des Transistors (Bild 4.17) wird begrenzt
durch:
— den Kollektor-Emitter-Reststrom (Sperrbereich)
— den Restspannungsbereich (Sattigungsbereich) und
— der Hyperbel (Ptot max-Linie) maximaler Leistung (Durchbruchbereich).

lm aussteuerbaren Bereich wird der Transistor so betrieben, dafc er nicht über-

steuert oder gesperrt wird. AuRerdem wird die Ptotmax-Hyperbel nicht über-
schritten. Die Ausgangslinien verlaufen in dieserm Bereich verhaltnismaBig flach.

Transistorverstarker werden nur im aussteuerbaren- oder aktiven Bereich betrie­

ben.

Der Kollektor-Emitter-Reststrom ist derjenige Kollektorstrom, der auch dann

noch fliefcen kann, wenn der Transistor gesperrt ist. Es ist ein auf Eigenleistung

mA
Ra

k
1
f\ >NS_4__ Arbeifspunkt

\
mA-—1B

\
Ausgangsspannung
( verzerrt)

Eingangs spannang
Bild 4.18:
C A B /_ ~lurrverzerrt)
Spannungssteuerung Ausgangsspan-
nung verzerrt

69
beruhender Sperrstrom, der sogar bei IB = 0 noch flieBt. Der Transistor ist also
gesperrt.
Bei Verstarkerschaltungen ist dieser Bereich zu meiden, weil hier die Ausgangs-
spannung verzerrt wird, d.h. nicht mehr exakt sinusförmig ist (Bild 4.18).

Der Restspannungs- oder Sattigungsbereich (Bild 4.17 ist das Gebiet zwischen
der senkrechten Ic-Achse. Bei Transistorschalter sollte man diesen Bereich eben-
falls meiden, weil wegen der groSen Zahl von Ladungstragern in der Basis die
Schaltzeit beim Sperren sehr groB wird. lm Sattigungsbereich ist der Transistor
übersteuert. lm Bereich oberhalb der Ptotmax Linie darf der Transistor als Ver-
starker nicht betrieben werden, weil er sonst thermisch überlastet wird.

Bild 4.19 zeigt das vollstandige Kennlinienfeld eines Transistors in Emitterschal-

tung. In dem Ausgangskennlinienfeld des vollstandigen Kennlinienfeldes ist eine
Widerstandsgerade eingezeichnet.

1) Es sol/ eine Basis-Emitterspannung (7B e von 630 m V füeflen:

Dabei flieBt, wie aus der Eingangskennlinie zu entnehmen ist, ein Basisstrom I B

mA

W' Vc
UCE
21
30-

2Q,

10

100 80 50 LO 20 7
JB

Uce
J
670rnV Bild 4.19:
0,7
Vollstandiges Kennlinienfeld des Tran­
ffe
V sistors mit Widerstandsgerade

70
von 18 pA. Die Steuerkennlinie zeigt, daG der Kollektorstrom Ic = 5 mA be­
tragt. Bei 5 mA Kollektorstrom ist die Kollektor-Emitterspannung Uce *m Aus-
gangskennlinienfeld 8,3 V. Der Spannungsabfall an Ra betragt dann 10 V —
8,3 V = 1,7 V.

2. Es so/l eine Basis-Emitterspannung UBE von 670 m V fHeften.

Bei UBE = 670 mV erhalten wir nach den Kennlinien und der Widerstandsgeraden
in Bild 4.19 folgende Werte:

Ib 63 A
Ic 20 mA
Uce ~ 3,3 V

Der Spannungsabfall an Ra betragt: 10 V — 3,3 V = 6,7 V.

Ergebnis: Schwankt die Eingangsspannung zwischen 630 mV und 670 mV, d.h. um
40 mV, so schwankt der Eingangsstrom zwischen 18 pA und 63 pA, also differiert
um 45 pA.

Diese Schwankung im Eingang lost eine Kollektrostromanderung von 20 mA auf

5 mA und eine Spannungsanderung am Arbeitswiderstand Ra von 8,3 V auf
3,3 V = 5 V aus (siehe Bild 4.19).

Aus diesen Daten erhalt man eine Stromverstarkung

AIC 15 mA
B = = 333,
AIb 45 mA

eine Spannungsverstarkung

AU CE 5 V
Vy = = 125
A UBE 40 mV

und eine Leistungsverstarkung

Vp = B • Va = 333 • 125 = 42625

Die Leistungsverstarkung ist das Produkt aus Strom und Spannungsverstarkung.

71
 4.1.3.4 Vierquadrantenkennlinienfelddarstellung

Die Hersteller geben oft noch ein viertes Kennlinienfeld an, das AufschluS gibt
über die Spannungsrückwirkung im Flachentransistor. Gemeint ist damit die
Rückwirkung der Spannung UCe am Ausgang (Kollektor) auf die Spannung UBe
am Eingang (Basis), bei konstantem Basisstrom I b •
Dieses vierte Kennlinienfeld befindet sich rechts unten in Bild 4.20, in einem
Vierquadrantenschaubild.

Die Vierquadrantenkennlinienfelddarstellung ist eine Darstellungsweise, welche

die Zusammenhange zwischen den einzelnen Kennlinien besonders deutlich
macht.

4.1.4 Einfacher Verstarker in Emitterschaltung

Ein Transistorverstarker hat die Eigenschaft, aus kleinen Leistungen am Eingang

groSe Leistungen am Ausgang entstehen zu lassen. Dabei können entweder die
Ströme, die Spannungen oder beide verstarkt (vergröftert) werden.
Die Verstarkereigenschaften des Transistors sollen z.B. dazu benutzt werden,
schwache Tonfrequenzwechselströme zu verstarken. Diese schwachen Tonfre-
quenzwechselströme könnten von einem Mikrofon oder Tonbandgerat erzeugt
werden.
Bild 4.21 zeigt eine mögliche Verstarkerschaltung.

k T
L^const
D R0
»Ausgang

*B

UcE=U2-lc'Ra
h UCE

U,

UCE=const. Bild 4.21:

UBE
Einfacher Transistor-Verstarker in
Emitterschaltung
Bild 4.20:
Vierquadranten-Kennlinienfeld

72
lm Basiskreis liegt eine Gleichstromquelle Ut mit dem Wechselstromgenerator
(z.B. Mikrofon) in Reihe. Ebenso benötigt man zur Speisung des Transistors eine
Gleichstromquelle U2 im Kollektorstromkreis. Mit den beiden Gleichstromquel-
len wird der Arbeitspunkt für den Transistor festgelegt.
In den Kollektorstromkreis wird noch ein Arbeitswiderstand Ra (Lastwiderstand
Rl) geschaltet. Der Strom Ic ruft an Ra einen Spannungsabfall hervor.
Aufgrund der angelegten Gleichspannung flieBt ein Basisstrom IB, der einen Kol-
lektorstrom Ic (Zahlpfeilrichtung) zur Folge hat. Liefert die im Basis-Emitter-
stromkreis liegende Wechselstromquelle jetzt einen Wechselstrom, so wird der
Basisstrom im Rhythmus dieses Wechselstromes verandert; der Basisstrom wird
mit Wechselstrom überlagert.
Durch die Anderung des Basisstromes wird eine Anderung des Kollektorstromes
hervorgerufen. Der Kollektorstrom Ic ist hierbei um den Stromverstarkungsfak-
tor B gröBer als der Basisstrom. FormelmaBig ausgedrückt gilt also Ic = B • IB,
wobei der Wert für B etwa zwischen 50 und 300 liegen kann.
Damit der Transistor mit einem guten Wirkungsgrad als Verstarker arbeiten
kann, muU der Arbeitspunkt richtig gewahlt werden. Bei zu niedrig gewahltem
Basisstrom würden die negativen Halbwellen des übergelagerten Wechselstromes
in einen negativen Bereich (z.B. in einem Diagramm) kommen. Negative Basis-
ströme haben aber keine Anderung des Kollektorstromes Ic zur Folge. Dagegen
bewirkt ein zu hoher Basisstrom in Verbindung mit den positiven Halbwellen
des übergelagerten Wechselstromes eine zu hohe Stromspitze und damit einen
zu hohen Kollektorstrom. Die zulassigen, und vom Hersteller angegebenen Werte *
für die Verlustleistungen, können dann vielleicht überschritten werden.
Eingangs- und AusgangsgröBen waren in unserem Beispiel beide Male Ströme ge-
wesen. Wir hatten damit einen Transistor als Stromverstarker beschrieben. Natür-
lich lassen sich ebenso auch Spannungen als Eingangs- oder AusgangsgröBen be­
trachten, weshalb man Transistoren auch als Spannungsverstarker betreiben
kann.

Der Transistor als Verstarker muB immer im linearen Teil seiner Kennlinie be-
trieben werden, anderenfalls wird das Ausgangssignal verzerrt.

4.1.5 Transistor als Schatter

AuBer seinen Anwendungsmöglichkeiten in der Verstarkertechnik, eignet sich

der Transistor auch als elektronischer Schalter für schnelles und prazises Schal-
ten, z.B. in Kippschaltungen, sowie in Zahlschaltungen und Rechenanlagen.

Der normale Schalter mechanischer Bauart, hat prinzipiell die Aufgabe, elek­
trische Stromkreise zu öffnen und zu schlieBen.
lm geschlossenen Zustand ist der Schalter leitend und soll einen möglichst
kleinen Widerstand für den StromfluB haben; die Lampe leuchtet (Bild 4.22a).

73
 Bild 4.22a: Bild 4.22b:

Bild 4.22 a und b: Wirkungsweise eines mechanischen Schalters in einem Strom-

kreis (mit Batterie und Lampe)

lm offenen Zustand ist der Schaker gesperrt und soll den StromfluB möglichst
verhindern; der Widerstand ist unendlich groB und die Lampe leuchtet nicht
(Bild 4.22b).
Mechanische Schalter haben gegenüber elektronischen Schaltern den Nachteil,
daB sie nicht so schnell und gerauschlos arbeiten. Ihre bewegten Teile nutzen
sich zudem viel schneller ab, d.h. elektronische Schalter haben nahezu keine Ab-
nutzung.
Da der Transistor ebenfalls zwei Betriebszustande kennt, entweder leiten oder
sperren, laBt er sich auch vorteilhaft als Schalter verwenden.
In Bild 4.23a und b ist der Transistor als Schalter dargestellt.
Bei geschlossenem Schalter, wird die Lampe vom Strom durchflossen (Bild 4.23a).
Am Schalter liegt nur eine geringe Restspannung von etwa 0,2 V.
Bei geöffnetem Schalter flieSt nur ein kleiner Kollektorreststrom und die Lampe
erlischt (Bild 4.23b). Am Schalter liegt fast die volle Betriebsspannung.
Bild 4.24 zeigt eine weitere, einfache Schaltung für einen Transistor als Schalter
und Bild 4.25 das Ausgangskennlinienfeld dazu. Anhand dieser Bilder soll nun
das nahere Schalterverhalten des Transistors veranschaulicht werden.
Ist der Transistor gesperrt, so stellt sich der Arbeitspunkt A2 ein. Dieser Arbeits-
punkt gilt also für den Sperrzustand und befindet sich fast direkt auf der waage-
rechten Diagrammachse. lm gesperrten Zustand flieBt nur der kleine Kollektor-

€) 1.01
€5
W 0
¥ 4 4
Bild 4.23a: Bild 4.23b:

Bild 4.23 a und b: Wirkungsweise eines elektronischen Schalters (Emitterschal-

tung) im Stromkreis

74
strom Icrest- Am Transistor liegt fast die volle Kollektor-Emitter-Spannung
UCe- Die Spannung UCe 'st lediglich um den kleinen Spannungsabfall, den der
Kollektorstrom am Lastwiderstand RL hervorruft, kleiner als die Betriebsspan-
nung UB.

Schaltet man den Transistor vom gesperrten Zustand in den durchlassigen, so

stellt sich der Arbeitspunkt At ein. Dieser Arbeitspunkt befindet sich dort, wo
die Kennlinien fast senkrecht verlaufen. lm durchlassigen Zustand ist der Kollek­
torstrom sehr grolS und am Transistor liegt nur die niedrige Kollektor-Emitter-
Restspannung. Geht man von A-\ senkrecht nach unten, so wird die waagerechte
Diagrammachse bei einem sehr kleinen Spannungswert geschnitten. Bei diesem
Diagrammwert handelt es sich um die Kollektor-Emitter-Sattigungsspannung
UCEsaf Sie ist der Spannungsabfall, der am durchgeschalteten Transistor am

Lastwiderstand RL entsteht. Verbindet man die Punkte A-i und A2 miteinander,

so erhalt man die Widerstandsgerade für RL. Auf dieser Geraden liegen alle mög-
lichen Arbeitspunkte des Transistors für einen vorgegebenen Lastwiderstand RL.

Einem geschlossenen Schatter entspricht der durchlassige (leitende) Transistor,

einem offenen Schatter der gesperrte Transistor. Die Arbeitspunkte A-, und A2
entsprechen diesen beiden Schalterzustanden, d.h. „durchlassig" und „gesperrt".

lm Kennlinienfeld des Schalttransistors (Bild 4.25) ist noch die gestrichelte Ver-
lustleistungshyperbel, zur Festlegung der Leistungsgrenze des Transistors, einge-
zeichnet. Die im Kennlinienfeld eingezeichnete Widerstandsgerade für RL lauft
sogar oberhalb der Verlustleistungshyperbel. Der Übergang zwischen den beiden
Schaltzustanden verlauft also oberhalb der Verlustleistungskurve. Das ist zulas-

uB
4
*L Piot
OA h
Rv
£ V
\\
XX
1
ov T
Xe
^CEsat
u°
Bild 4.24: Bild 4.25:
Transistor als Schatter Schaltvorgang im ICUCE-Ausgangs-
kennlinienfeld mit Arbeitspunkten A-,
und A2

75
 sig, weil ja die beiden Arbeitspunkte A^ und A2 unterhalb der Verlustleistungs-
grenze liegen, und weil die dazwischen liegende Strecke in möglichst kurzer Zeit
und nicht zu oft durchlaufen wird. lm mittleren Teil der Kennlinie dart somit
bei Schalttransistoren nicht gearbeitet werden.
Allerdings laSt sich durch eine gute Kühlung der Grenzwert die Verlustleistung
nach höheren Werten hin verschieben. Durch die dann bessere Warmeabfuhr
kann man den Transistor höher belasten.
Der Transistor benötigt für den Übergang von einem in den anderen Schaltzu-
stand eine bestimmte Zeit. Diese Umschaltzeit geht jedoch nicht verzögerungs-
frei vor sich, da die Ladungstrager im Halbleiterkrista11 eine begrenzte Geschwin-
digkeit besitzen.
Wird der Transistor durch einen rechteckförmigen Eingangsimpuls gesteuert, so
wird der Ausgangsimpuls gegenüber dem Eingangsimpuls verzögert verformt
(Bild 4.26). Die wichtigsten Gröfcen hierbei sind:
td = Verzögerungszeit (delay time)
tr = Anstiegszeit (rise time)
ts = Speicherzeit (storage time)
tf = Abfallzeit (fall time)

Die Verzögerungszeit td ist die Zeit, in der nach dem Einschalten des Eingangs-
impulses der Kollektorstrom auf 10% seines Endwertes angestiegen ist.

Die Anstiegszeit tr ist die Zeit, die der Kollektorstrom benötigt, um von 10%
auf 90% seines Endwertes anzusteigen.

Der Transistor ist erst nach Ablauf der beiden Zeiten durchgeschaltet. Deshalb
stellt ihre Summe die Einschaltzeit tEin = td + tr, dar.

k
Eingangs­
impuls
t
I
! I ---- \--- \
I
I l'
k I I I 4»
I I
I I
I §
i
Ajsgangs-
impuls
i i
•-j-j- Bild 4.26:
tr
Eingangs- und Ausgangsimpulse eines
tem *~-tAui—* Schalttransistors

76
Die Speicherzeit ts ist die Zeit, in der nach Abschalten des Eingangsimpulses
der Kollektorstrom auf 90% seines Höchstwertes (Ausgangsimpuls) absinkt.

Die Abfallzeit ff ist die Zeit, in welcher der Kollektorstrom von 90% auf 10%
seines Höchstwertes (Ausgangsimpuls) ansinkt.
Die Summe beider Zeiten ergibt die Ausschaltzeit tAus = ts + tf.

4.1.5.1 Kippschaltungen

In MeG-, Zahl- und Rechenanlagen kommt es immer auf sehr kurze Schaltzeiten
an. Steuerschaltungen, mit denen diese Forderungen erreicht werden, nennt man
Kippschaltungen.

Kippschaltungen sind elektrische Schaltungen, deren Ausgangssignale nur zwei

verschiedene Werte annehmen können. Der Wechsel zwischen beiden Werten
erfolgt dabei ahnlich einem Kippvorgang sprunghaft.

Nach der Art der Kippvorgange unterscheidet man folgende Kippschaltungen:

a) Astabi/e Kippschaltung: Diese Schaltung hat keinen stabilen Zustand und

kippt ohne auGeren AnstoG von einem Betriebszustand in den anderen.

b) Monostabile Kippschaltung: Die monostabile Kippschaltung hat nur einen

stabilen Zustand, in den sie von selbst immer wieder zurückkehrt.

c) Bistabile Kippschaltung: Es ist eine Schaltung mit zwei stabilen Zustanden.

Man nennt diese Schaltung auch Flip-Flop.

4.1.5.1.1 Bistabile Kippstufen oder Flip-Flop

Ein Flip-Flop ist eine aus zwei Transistorsystemen bestehende elektronische

Schaltung mit zwei stabilen Zustanden (bistabile Kippschaltung). Diesen beiden
Zustanden kann man die Werte 1 (H) und 0 (L) zuordnen; sie kippen beim An-
legen eines Eingangssignals in den jeweiligen anderen Zustand. Das Flip-Flop ist
eine der wichtigsten Speicherschaltungen überhaupt. Es wird heute fast auss-
schlieGlich in diskreter Bauweise mit Transistoren oder mit integrierten Bautei-
len verwirklicht.

Beim Arbeiten mit elektrischen Signalen (Spannungen) gibt es immer zwei Zu-
stande (Signalwerte) entweder:
a) Spannung vorhanden oder
b) Spannung nicht vorhanden.

77
 ucf!

ov
H
H L H H t
Bild 4.27:
Spannungs-Zeit-Diagramm für die Bi-
narzeichen HLHH
Bild 4.28:
Negations-Schaltkreis mit Transistor-
stufe

Man nennt solche Signale, die nur mit zwei bestimmten Zustanden auskommen,
„binar" = zweiwertig. Diese beiden Zustande bezeichnet man mit den Binarwer-
ten L (keine Spannung) und H (Spannung). Das Zeichen „L" bedeutet Low, und
das Zeichen H heiBt high.

Nega tionsg/ied
Es soll hier die Schaltereigenschaft des Transistors in seiner einfachsten Art be-
trachtet werden. Eine Transistorstufe entsprechend Bild 4.28 realisiert die logi­
sche Funktion: Negation : A =E. An den Eingang der Schaltung legen wir oV
bzw. 12V.

Zustande:

E=0 V= L E = 12 V = H
Schalter ist geöffnet, Schalter ist geschlossen,
es flieBt kein Strom, es flieBt Strom,
kein Spannungsabfall an RC/ Spannungsabfall an Rc = 12 V,
Transistor sperrt, Transistor leitet,
also: A = 12 V= H also: A = 0 V = L

o) b)
*UB=12V
o "o

Bild 4.29:
U=OV=L U=12V=H
Schalterwirkung:
(bzw.uRest) (=UqJ
O; o a) geschlossen
ov b) geöffnet

78
Folgerung: Das Negationsglied kehrt den Zustand eines bestimmten Signals um.
Liegt am Eingang E des Negationsglieds ein L-Signal, so liegt am Ausgang A ein
H-Signal und umgekehrt.

Werttabelle:

E L H
L = Low, H = high
A H L

Bild 4.29 zeigt nochmals die Schalterwirkung zu obigem Beispiel.

4.1.5.1.2 Astabile Kippschaltung (Multivibrator)

Eine astabile Kippschaltung auch Multivibrator genannt, ist eine elektrische

Schaltung mit zwei Transistoren als steuerbare Schaltelemente, von denen sich
jeweils der eine im DurchlaB-, der andere im Sperrzustand befindet.

Die beiden Transistoren der Schaltung sind über R-C-Glieder (Widerstand-Kon-

densator-Glieder) so miteinander gekoppelt, daB sie selbstandig ohne auBere
Steuerspannung in standiger Folge von einem Schaltzustand in den anderen
wechseln (kippen).

Ein Multivibrator (stabile Kippschaltung) hat keinen stabilen Schaltzustand, son-

dern kippt in stetem Wechsel von einem Schaltzustand in den Anderen.

Bild 4.30 zeigt die Schaltung eines Multivibrators. Die Beschreibung der Schal­
tung solI in dem Augenblick beginnen, wo der Transistor Ti leitend und T2 ge-
sperrt ist.
Ist also der Transistor T-i gerade durchgeschaltet (leitend), dann sinkt die Kollek-
torspannung auf eine sehr kleine Restspannung ab. Der zuvor bei gesperrtem Ti
aufgeladene Kondensator C-j (über R3, Ct und Basis-Emitterstrecke von T2)
wird über den Widerstand R-j entladen. Durch diese Spannungsanderung, die vor-
stehend beschrieben wurde, erhalt die Basis des Transistors T2 ein negatives Po-
tential, so daB T2 gesperrt wird.
Ist die Entladung von C-, beendet, d.h. C^ auf DurchlaBspannung UBe aufgela-
den, wird der Transistor T2 leitend. Dabei sinkt die Kollektorspannung von T2
auf eine niedrige Restspannung ab. Der vorher (bei gesperrtem T2) aufgeladene
Kondensator C2 entladt sich über den Widerstand R2, und die Basisspannung

79
 Bild 4.30:
Astabile Kippschaltung eines symme­
trisch aufgebauten Multivibrators

von Ti wird jetzt negativ. Dadurch wird T-i gesperrt, so lange bis der Konden-
sator auf die Durchlafcspannung UBe aufgeladen ist.

Nach dem Umladen der Kondensatoren kippt die Schaltung immer wieder in den
entgegengesetzten Zustand.

Das Umschalten der Transistoren vom gesperrten in den leitenden Zustand er-
folgt bei dieser Schaltung jeweils sehr schnell.
Durch die sich standig wiederholenden Kipp- und Rückkippvorgange wird die
Ausgangsspannung UA in Rechteckform erzeugt (Bild 4.31). Die Dauer eines
Ausgangssignales (Rechteckspannung) hangt von den beiden Kapazitaten C-j
und C2 und den Widerstanden R-j und R2 ab. Durch geeignete Wahl der Kapa-
zitats- und Widerstandswerte können die Impulsanteile symmetrisch (siehe
Bild 4.31) oder unsymmetrisch (z.B. verschieden) sein.

Die Transistoren eines Multivibrators üben eine Schalterfunktion aus. Sie sind ab-
wechselnd leitend oder gesperrt und kippen sofort von einem in den anderen
Schaltzustand.

Der Multivibrator (astabile Kippstufe) findet u.a. Anwendung als Taktgeber in

elektronischen Schaltungen, z.B. in elektronischen Schaltungen, z.B. als Blinkge-
ber (ist eine elektrische Schaltvorrichtung zum fortwahrenden Ein- und Aus-

Uai\
Ti Ti
s trom - gesperrt
leitend
OV
i
t i
UA2^
T2 T2
gesperrt strom- Bild 4.31:
leitend
OV Ausgangsschaltung in der astabilen
t Kippschaltung

80
schalten eines Stromkreises in gleichbleibenden Zeitabstanden, wodurch Blink-
leuchten zeitweilig aussetzend aufleuchten).

4.1.6 Transistor-Bauformen

Die altesten Transistoren waren sogenannte Spitzentransistoren mit punktförmi-

gen pn-Übergangen, die nur geringe Bedeutung erlangten. Sie wurden durch den
Flachentransistor mit flachigen pn-Übergangen abgelöst, den es heute in verschie-
denen Ausführungen gibt und zu dem dann spater noch der Feldeffekt-Transistor
kam.

4.1.6.1 Legierungstransistoren

Der weitaus grötëte Teil der Transistoren, die in der Niederfrequenztechnik (NF-
Technik) eingesetzt werden, sind Legierungstransistoren. Als Grundwerkstoff für
die Herstellung des legierten Transistors dient meist ein Germaniumplattchen,
das mit fünfwertigen Störatomen dotiert und damit schwach n-leitend ist. Auf
beiden Seiten des Germaniumplattchens wird je eine Indiumpille (In-Kügelchen)
gelegt. Dann bringt man das Ganze in einen Ofen. Die Indiumpillen schmelzen
dort und die 3-wertigen Indiumatome legieren sich in das n-leitende Germanium
ein. Diese legierten Germaniumzonen sind danach p-leitend. An den Legierungs-
zonen entstehen pn-Übergange. Zwischen der Kollektor- und Emitterzone befin-
det sich eine dünne, n-leitende Basiszone.
Bild 4.32 zeigt den Schnitt durch einen pnp-Legierungstransistor.

Es bilden sich die Kollektorzone und die Emitterzone, die p-leitend sind.

Wie aus Bild 4.32 ersichtlich, wird flachenmaSig die Basiszone auSerst dünn und
die Kollektorzone gröRer als die Emitterzone bemessen. Damit will man errei-

Kollektorgnschlun

Koliek tor (Indiurt)

Germaniump/a ttchen
Kollektorzone Basiszone

RW v; Bild 4.32:
Schnitt durch einen pnp-Legierungs­
Emitterzone Basisanschlufl
transistor
Emit ter {Indiurn)

Emitteranschluf) 81
 chen, daB möglichst viele Ladungstrager vom Emitter zum Kollektor gelangen
und nicht über die Basis abwandern.
An das fertige (legierte) Transistorsystem werden an die Indiumpillen die An-
schluBdrahte für Kollektor und Emitter gelötet. Der Transistor wird kontaktiert
und in ein Gehause eingebaut.
Legierungstransistoren werden also vorwiegend im Niederfrequenzbereich einge-
setzt und sind für gröSere Leistungen geeignet. lm Bereich von hohen Frequen-
zen können sie nicht verwendet werden. Die Ursache dafür sind die Ladungstra­
ger, die, obwohl die Basiszone sehr dünn ist, langere Zeit benötigen, um eine sol-
che Zone zu durchlaufen.
Diese Zeit und die Kapazitaten bestimmen die obere Frequenz, die man mit dem
Legierungstransistor noch verstarken kann.

Für hohe Frequenzen ist der Legierungstransistor nicht geeignet. Infolge der ver-
haltnismaBig langen Laufzeit, welche die Ladungstrager benötigen, verringert
sich die Verstarkung des Transistors mit zunehmender Frequenz.

Für hohe Frequenzen verwendet man Transistoren, deren Fremdatome man ein-
diffundieren laBt.

4.1.6.2 Diffusionstransistoren

4.1.6.2.1 Drifttransistoren

Eine bestimmte Schichtdicke laBt sich beim legierten Transistor aus technologi-
schen Gründen nicht unterschreiten. Hierdurch liegt der Laufweg bzw. die Lauf­
zeit der Ladungstrager und damit auch die höchstmögliche Frequenz des Tran­
sistors, seine sog. obere Frequenz, fest.
Um höhere Frequenzen zu erreichen, muB die Laufzeit der Ladungstrager in der
Basiszone besonders klein sein. Man erzielt dies entweder durch eine sehr dünne
Basisschicht, oder durch ein elektrisches Feld, welches die Ladungstrager rasch
beschelunigt.
Die Beschleunigung der Ladungstrager in der Basis erreicht man durch ungleich-
maBiges dotieren der Basiszone. Auf der Emitterseite weist die Basisschicht eine
höhere Dotierung auf als auf der Kollektorseite. Damit laBt sich also eine von der
Emitter- zur Kollektorseite abnehmende Störstellenkonzentration erreichen. Für

Kollektor
1013'
f — /
*ncm~3
Bild 4.33:
Jt Emitter
\ /0« Schnittbild eines Drifttransistors

82
die Ladungstrager wird hierdurch ein beschleunigtes Feld, ein Driftfeld erzeugt,
nach dem der Transistor seinen Namen tragt (Bild 4.33).

Der Drifttransistor hat in der Basiszone in Richtung zum Kollektor hin eine ex-
ponentiell abnehmende Dotierungsdichte (Bild 4.33). Diese inhomogene Dotie-
rung oder Störstellenverteilung bewirkt in der Basiszone ein bestimmtes elektri-
sches Feld, das die Ladungstrager vom Emitter zum Kollektor hin beschleunigt.
Durch die damit verbundene kürzere Laufzeit der Ladungstrager wird eine hö-
here Betriebfrequenz des Transistors ermöglicht.

Die meisten, nach dem Diffusionsverfahren hergestellten Transistoren, sind Mesa-

transistoren und Planartransistoren.

4.1.6.2.2 Mesatransistoren

Bei Mesatransistoren geht man von einem stark p-dotierten Halbleitermaterial

(p-Germaniumplattchen) aus, das den Kollektor darstellt. In dieses p-dotierte
Germanium lalSt man in einem Ofen dampfförmigen Antimon (As) eindiffundie-
ren. Die Atome des verdampften 5-wertigen Antimons dringen in das Gitter des
Germaniumkristalls ein und erzeugen so eine n-Schicht, deren Dotierungsdichte
nach innen stetig abnimmt. Es bildet sich dabei eine 1 bis 2 jum dicke n-Schicht,
die als Basis dient.
Anschliefcend werden die Anschlüsse für den Emitter und die Basis hergestellt.
Dazu werden die Germaniumplattchen in eine Lochmaske eingelegt und in eine
Vakuumanlage gebracht. Durch die Masken hindurch werden dann im Vakuum
je ein Streifen Gold und Aluminium auf die Germaniumflache aufgedampft. Der
Aluminiumstreifen legiert in die n-Schicht ein und der 3-wertige Aluminium er­
zeugt somit in der n-Schicht ein p-leitendes Gebiet; dieses p-Gebiet stelIt die
Emitterzone dar. Der aufgedampfte Goldstreifen bildet einen sperrschichtfreien
Kontakt und dient als BasisanschluG.

Emitter Basis

p-leitend

n - leitend

p - leitend

Bild 4.34:
Schnitt durch einen Mesa-Transistor

Kollektor 83
 Danach folgt der AtzprozeG, durch den der Transistor seine Mesastruktur erhalt.
Die Basiszone wird bis auf das unbedingt notwendige MaG weggeatzt, um die
schadlichen Kapazitaten klein zu halten. Mesa kommt aus dem Spanischen und
bedeutet Tafel. Da der Aufbau des Transistors die Form eines Tafelberges hat,
nannte man den Transistor Mesatransistor (Bild 4.34 zeigt einen Mesa-Transistor).

Die AnschluGdrahte werden meist durch Thermokompression (= heiGe Anpres-

sung) mit den aufgedampften Emitter- und Basisstreifen kontaktiert.
Mesatransistoren sind bis zu Frequenzen von etwa 1 GHZ verwendbar.

4.1.6.2.3 P/anartransistoren

Planartransistoren haben meistens Silizium als Ausgangsmaterial. Man stellt zu-

nachst ein ca. 0,2 mm dünnes n-leitendes Siliziumplattchen her. Seine Oberflache
wird bei Temperaturen von etwa 1000 °C einer Sauerstoffatmosphare ausgesetzt
und danach oxidiert. Es bildet sich eine Schutzschicht aus sehr widerstandsfahi-
gem, für die Dotierungsstoffe undurchlassigem Siliziumdioxid (Sj02) (Bild 4.35).
In diese Schutzschicht wird ein „Fenster" (sog. Basisfenster) eingeatzt (Bild
4.36), in die man gasförmiges Bor (Akzeptor) eindiffundieren laGt. Es bildet sich
die p-leitende Basisschicht (Bild 4.37). Wahrend der Bordiffusion wachst das vor-
her freigeatzte Fenster durch eine neue Oxidschicht wieder zu (Bild 4.38).

In diese neue Oxid-Schutzschicht wird wieder ein Fenster (sog. Emitterfenster)

geatzt (Bild 4.39), durch das man Phosphorgas eindiffundieren laGt. Diese erzeu-
gen durch Umdotierung kleine n-Bereiche in der p-Zone. Es entsteht die Emitter-
zone. AnschlieGend wird das freigeatzte Emitterfenster mit einer neuen Oxid­
schicht (S|02-Schutzschicht) bedeckt (Bild 4.40).
Der nachste Arbeitsgang dient der Fertigstellung der Transistoranschlüsse. Dazu
werden wieder entsprechende Fenster ausgeatzt. Durch diese Fenster wird Alu­
minium als Kontaktmetall aufgedampft und somit ein metallischer Kontakt zum
Emitter und zur Basis hergestellt (Bild 4.41). Auf den so angefertigten Alumi-
niumflachen werden die AnschluGdrahte durch ein Thermokompressionsverfah-
ren angeschlossen (Bild 4.42). Planartransistoren haben meist die beschriebene
Schichtenfolge npn. Auf gleiche Weise lassen sich aber auch pnp-Transistoren
herstellen.

Die pn-Übergange von Planartransistoren gelangen nie an die Oberflache, da sie

immer von einer Si02-Schutzschicht bedeckt bleiben.

Deshalb kann man bei Planartransistoren mit kleineren Leistungen auf ein Ge-
hause meist verzichten und vergieGt sie statt dessen mit Kunstharz (Miniaturaus-
führung); sie können damit preiswert hergestellt werden.

84
 S/Op - Schicht geatztes Fenster

'i i- -
\
.n - Siliziuip. s
SÊ?'

Bild 4.35: Bild 4.36:

Überzug n-leitenden Silizium mit SiIi- lm Si02-Überzug ist ein Fenster für die
ziumdioxid (Si02) Basisdiffusion eingeëtzt

ff ~ffi n
P

' ”=I*\ .. .

Bild 4.37: Bild 4.38:

Boratome diffundieren durch das Die p-Zone ist durch eine neue Si02-
Basisfenster und erzeugen die p-leiten- Schicht abgedeckt (zuoxidiert)
de Zone

neue S/Op - Schicht

mit Fenster Phospbor

ffffg V-

n ;

Bild 4.39: Bild 4.40:

Einatzung eines weiteren Fensters Neues Abdecken mit einer Si02-
(Emitterfenster), in das Phosphorato- Schicht
me eindiffundieren

Emitter \ Basis
Kontakte

\____ P -I ;
tl.

Bild 4.41: Bild 4.42:

Aluminium wird aufgedampft; es stellt Aufbau des fertigen Planarsystems mit
die Kontakte mit der Emitter- und AnschluBdrahten
Basiszone her.

85
 a)
Bereich der Restspannuna
i ptot max

f p :v s
Epitaxial=
[ ■ ■

Kollektor
ArbeitsgeradeK
Aussteuerungs=
Bild 4.43:
Bereich 1 UCE
Schema eines Epitaxial-Planar-Tran-
b)
sistors Bereich der Restspannuna
'l \plo, max

Arbeitsgerade
Auss teuerungsbereich
UCE

Bild 4.44:
Ausgangskennlinien eines
a) Planar-Transistors und
b) eines Epitaxial-Transistors

4.1.6.2.4 Epitaxia/transistor
Die Kollektorschicht beim Mesa- und Planartransistor muBte aus Stabilitatsgrün-
den verhaltnismaSig dick sein. Daraus ergibt sich ein hoher Kollektorbahnwider-
stand, was wiederum eine hohe Restspannung zur Folge hat.

Der Bahnwiderstand ist der Widerstand einer Strombahn (z.B. Kollektor-Bahn-

widerstand).

Bauteile mit obigen Eigenschaften sind für den Einsatz als Hf-, Schalt- und Lei-
stungstransistoren wenig geeignet. Abhilfe schaftte eine weitere, für die Tran-
sistorherstellung wichtige Technologie, die „Epitaxi".

86
Beim Epitaxial-Verfahren lalSt man auf eine niederohmige, hoch n-dotierte Sili-
ziumschicht, eine autëerst dünne hochohmige Schicht aufwachsen.

Es entsteht dabei eine sog. epitaxiale Schicht. In diese dünne Epitaxialschicht

werden dann die Basis- und Emitterschicht genauso wie beim Planartransistor
(bereits beschrieben), eindiffundiert (Bild 4.43).
Die Vorteile dieses Verfahrens sind: Kleine Restströme, kleine Kapazitaten, hohe
Grenzfrequenzen, groRe Verstarkungen, kurze Schaltzeiten, niedrigen Restspan-
nungsbereich und damit gröfceren Aussteuerungsbereich (Bild 4.44).

Epitaxialtransistoren werden vorwiegend als Hf-, Schalt- und Leistungstransisto-

ren verwendet.

Bei den Epitaxialtransistoren hat man die Basis- und Emitterschicht in eine Epi­
taxialschicht eindiffundiert und damit erreicht, daft sich an den pn-Übergangen
nur wenige Störstellen gegenüber stehen. Die Anzahl freier Ladungstrager und
die Sperrschicht ist somit gering.

4.2 Feldeffekttransistoren

lm Gegensatz zum bipolaren Transistor arbeitet der Feldeffekttransistor, kurz

FET genannt, nur mit Ladungstrager einer Sorte (z.B. Elektronen oder Löcher).
Es handelt sich dabei stets um Majoritatstrager.

Weil nur eine Ladungstragerart am Ladungstransport beteiligt ist, werden die

Feldeffekttransistoren auch unipolare Transistoren genannt.

Bei den Feldeffekttransistoren wird der StromfluR durch ein elektrisches Feld
gesteuert, das senkrecht zur Stromrichtung im Halbleiter wirkt.
Beim FET unterscheidet man je nach Dotierung einen n-Kanal und einen p-Ka-
nal-Typ. Die dazugehörigen Schaltsymbole sind in Bild 4.45 dargestellt.

n - Kanal

co
© OO
os

p-Kanal

co
© ■°D Bild 4.45:
Gebrauchliche Schaltzeichen für Feldeffekttransistoren

87
 Nach Aufbau und Wirkungsweise lassen slch die Feldeffekttransistoren in zwei
groSe Gruppen einteilen:
a) Sperrschicht-Feldeffekttransistoren,
b) Isolierschicht-Feldeffekttransistoren.

4.2.1 Sperrschicht-Feldeffekttransistoren

[FET oder IFET (= junction-field-effect-transistor) genannt.]

Als Ausgangsmaterial verwendet man bei diesen Transistoren ein Siliziumkri-
stall in Plattchenform. In diesem Kristall sind zwei pn-Übergange so angeordnet,
daB zwischen ihnen nur ein schmaler Kanal verbleibt.
Die pn-Übergange werden einpolig miteinander verbunden und in Sperrichtung
betrieben.
Durch Veranderung der Sperrspannung kann nun die Breite der Sperrschichten
und damit der Kanalquerschnitt verandert werden. Wird der Querschnitt des
Kanals enger, dann sinkt die Leitfahigkeit; der Kanalwiderstand nimmt zu.

Mit einer Anderung der Sperrspannung an den pn-Übergangen erreicht man eine
Stromanderung im Kanal.

Bild 4.46 zeigt schematisch den Aufbau eines Sperrschicht-FET mit einem n-
Kanal.
An den Stirnseiten des n-leitenden Siliziumplattchens werden die AnschluBelek-
trode sperrschichtfrei angebracht. Die AnschluBelektroden werden mit Source S
(Quelle) und Drain D (AbfluB, Senke) bezeichnet, und zwischen ihnen befindet
sich der sogenannte Kanal.

Der Kanal ist beim Feldeffekttransistor die leitende Verbindung zwischen Quelle
und AbfluB.

D
HH UGS UDS \b

0
n-Kanal
P*

////////,/V/yy

p• Bild 4.46:
Aufbau eines n-Kanal-Sperrschicht-
tperrschichten Feldeffekttransistors

88
Der n-Kanal ist von einer p-leitenden Schicht ringförmig umgeben, Dadurch ent-
steht eine Sperrschichtzone, also der erwahnte pn-Übergang. Die p-leitende
Schicht (p-Seite), ist mit einer sperrschichtfreien Elektrode verbunden. Sie wird
Gate G (Tor) genannt.

Zwischen Gate und der Kanalzone besteht also ein pn-Übergang, der Sperr-
=
schichtverhalten besitzt.

Wie Bild 4.46 zeigt, tritt zum drainseitigen Ende hin eine Querschnittsverengung
im Kanal ein. Diese Kanalverengung wird wie folgt verursacht: Legt man die
Gatespannung (Gate-Source-Spannung) UGs so an, daG der pn-Übergang zwi­
schen Gate- und Kanalzone in Sperrichtung betrieben wird, so bilden sich la-
dungsarme Sperrschichten. Diese Sperrschichten wachsen bei steigender nega-
tiver Gatespannung in die Kanalzone hinein und verengen dabei den Quer-
schnitt für den StromfluG vom Drain- zum Source. Aufgrund des Spannungs-
abfalls, den dieser Strom am Kanalwiderstand, d.h. langs des Kanals verursacht,
nimmt die Sperrspannung an den pn-Übergangen und damit auch die Dicke der
Sperrschicht von S nach D hin zu. Bei genügend groGer negativer Gatespannung
UGs kann der Kanal am drainseitigen Ende vollstandig abgeschnürt werden.
Der Drainstrom ID wird dabei zu Null, wenn man von einem kleinen Reststrom
absieht.
Die Kanalverengung kann also mit der Spannung UGS gesteuert werden.

Je negativer die Gatespannung UGS, desto breiter die Sperrschichten, desto klei­
ner der Kanalquerschnitt. Das ist jedoch gleichbedeutetnd mit einer Zunahme
des Widerstandes des Kanals sowie einer Verkleinerung des Drainstromes ID. Da
die Veranderung der Sperrschichtbreite praktisch leistungslos erfolgt, kann mit
der Gatespannung UGS der Strom ID ohne Leistung gesteuert werden.

lm Bild 4.46 ist die Spannung UDS zwischen Drain und Source so gepolt, daG
der Strom im n-Kanal von D nach S flieGt.
Von der Spannung UDS geht noch eine zusatzliche Abschnürwirkung aus, die
sich ebenfalls am drainseitigen Ende auswirkt.
Danach ist der Querschnitt des Kanals von der Gate-Source-Spannung UGs und
von der Drain-Source-Spannung UDS abhangig.

4.2.1.1 Kennlinien

4.2.1.1.1 Ausgangskennlinien

Mit UGS als Parameter erhalt man die Ausgangskennlinie.

Bild 4.47 laGt erkennen, daG der Strom durch den FET bei UGs = 0 nahezu li-
near wachst, d.h; wenn die Spannung UDS von 0 aus beginnend zu positiven

89
 a.) b)

A bschnürgrenze
(SöltiQurKjssp )
fuDSsat
UGS = OV
k>ss
K
mA
Abschnurbereich

•I -IV -c
$£•
4
<0 :
i
u i -2V Q
| Kniespannuncj £
o
-3V Bild 4.47:
'!/ /
UDS-™
-< V
I
Q
Kennlinien eine n-Kanal-
Sperrschicht-Feldeffekt-
UpS=15V
y• Transistors
~W a) Übertragungskennlinien
V -10 1-5 0 5 is 20 V
--------- -Up -Up
~UGS UDS b) Ausgangskennlinienfeld

Werten ansteigt. Der Drainstrom ID steigt also linear an, wie bei einem ohmschen
Widerstand, um spater jedoch umzubiegen und schlieRlich beinahe waagerecht zu
verlaufen. Die Zunahme des Drainstromes ID wird mit steigendem UDS immer
geringer, weil sich der stromleitende Kanal von einem bestimmten Spannungs-
wert an, am drainseitigen Ende immer mehr verengt (Bild 4.47).
Bei weiterer Steigerung von UDS berühren sich schlieftlich die beiden Sperr-
schichten. Infolgedessen kann nun der Drainstrom trotz einer Spannungszunah-
me von Ups nicht weiter ansteigen und der Drainstrom ID bleibt von da ab prak­
tisch konstant. In diesem Bereich hat der Drainstrom bereits eine Sattigung er-
reicht. Diejenige Spannung von Ups» bei dem die Abschnürung beginnt, bezeich-
net man als Kniespannung UDs-
Der Drainstrom kann also trotz wachsender Spannung zwischen Drain und
Source nicht weiter ansteigen. Der Strom bleibt somit konstant, um schlieS-
lich bei Beginn des Durchbruchs, stark anzusteigen. Der Durchbruch ist im Kenn-
linienfeld an dem Teil der steil ansteigenden Kennlinienbereich ersichtlich. Die-
ser Kennlinienbereich wird durch den Drain-Gate-Durchbruch gekennzeichnet.

Bei grö&eren Spannungen UDS wird der Drain-Gate-Durchbruch erreicht, und die
Kennlinien verlaufen steil ansteigend.

Ab einem bestimmten Wert von UDs wird der Kanal fast vollstandig abgeschnürt.
Dieser Wert wird „Abschnürspannung Up" genannt und ins linke Kennlinienfeld
(Eingangskennlinien) eingetragen.

90
4.2.1.1.2 Eingangskennlinien

In Bi ld 4.47 sind die UGS-ID-Kennlinien oder Eingangskennlinien (Übertragungs-

kennlinien) dargestellt. Diese Eingangskennlinien, auch Steuerkennlinien ge-
nannt, beschreiben den Zusammenhang zwischen der Gate-Source-Spannung
UGs URd dem Drainstrom ID.
Aus dem Eingangskennlinienbild ist zu ersehen, daB sich z.B. bei UDS = 15 V
und Up = —6 V ein Drainstrom von O mA einstellt (totale Abschnürung des Ka­
nals). In Bild 4.48 ist der Vorgang im Halbleiterkristall bei Erreichen der totalen
Abschnürung (Abschnürspannung Up) nochmals dargestellt.
Die Höhe des zur Abschnürung erzielten Drainstromes hangt also von der ange-
legten Gate-Source-Spannung UGS ab, d.h., der Strom ID (Ausgangsstrom) laBt
sich mit der Spannung UGS (Eingangsspannung) steuern.

Das Verhaltnis von Drainstromanderung (AID) zur Gate-Source-Spannung (AUGS)

bei UDs = const. bezeichnet man als Steilheit S;

A Iq
S= bei UDS = const.
AU GS

Die Steilheit ist eine wichtige GröBe für die Verstarkung des IFET und kann aus der
Steigung der ID-UGS-Kennlinie (Übertragungskennlinie) im jeweiligen Arbeitspunkt
(Id = const; UGs = const.) entnommen werden.

Da die Übertragungskennlinie in ihrem Verlauf einer Parabel ahnelt, kann sie durch
eine Gleichung der Form:

UGs -.2
~ Idss ’ t1 ~
Up
wiedergegeben werden.

Darin bedeutet: IDSS den Drain-Source-KurzschluBstrom bei UGS = 0 und Up die

erwahnte Abschnürspannung.

G s D

UGS~°
Q
HF
uos-~up |10 =*DSS

n-Kono1^7Z^7/////A
P*
Bild 4.48:
Abschnürung des Kanals

91
 Der bei UGS = O auftretende Drainstrom IDSS (Sattigungsstrom) im Bereich der
Abschnürang Up heiBt „Drain-Source-KurzschluBstrom".

Sind die pn-Übergange zwischen Gate und Source gesperrt (z.B. bei Erreichen
von Up), so flieSt nur noch ein geringer Reststrom durch den Kanal in der Grös-
senordnung von einigen nA bzw. pA, d.h. jedoch der Eingangswiderstand zwi­
schen Gate und Source ist sehr hoch, und damit ist die Steuerung nahezu lei-
stungslos.

Die leistungslose Steuerung erfordert nur eine Spannung und keinen Strom (aus-
ser einem geringen Reststrom), so daB sich ein sehr hoher Eingangswiderstand
ergibt.

4.2.1.2 Grundschaltungen der Sperrschicht-Fe/deffekttransistoren (IFET's)

Ahnlich wie bei den bipolaren Transistoren sind auch für die Sperrschicht
FET's drei Grundschaltungen möglich:
— Sourceschaltung,
— Drainschaltung,
— Gateschaltung.

4.2.1.2.1 Die Sourceschaltung

Der Sperrschicht-Feldeffekttransistor in Sourceschaltung entspricht praktisch

der Emitterschaltung bei bipolaren Transistoren. Diese Schaltungsart wird sehr
haufig verwendet.
Bild 4.49 zeigt einen einfachen Verstarker in Sourceschaltung. Die erforderliche
Gate-Vorspannung wird durch einen Spannungsabfall am Sourcewiderstand Rs
erzeugt.
Der Drainstrom ID flieBt sowohl durch den Lastwiderstand RD als auch durch
den Sourcewiderstand Rs und erzeugt an Rs einen Spannungsabfall. Damit erhalt
der DrainanschluB positives Potential gegenüber dem SourceanschluS. Legt man
nun das Gate über einen Widerstand RG direkt an Erde, so bekommt es eine ne-
gative Vorspannung gegenüber Source.

Bei dieser Grundschaltung erhalten die Anschlüsse somit folgende Potentiale:

— Dra in positiv gegenüber Source,
— Gate negativ gegenüber Source.

92
 o *UB Bild 4.49:
>
Einfacher Verstarker in Source-Schal-
tung
Begriffe:
• ■ RD = Arbeitswiderstand
uA
% Tcs Rs = Sourcewiderstand
Rg = Gatewiderstand
O0v
UB = Betriebsspannung

Durch den Kondensator Cs< der parallel zum Widerstand RG geschaltet ist, wird
die Source-Elektrode wechselspannungsmaBig direkt an Masse gelegt.
Der Arbeitspunkt stelIt sich in Verbindung mit einer im Eingangskreis wirksamen
Stromgegenkopplung über den Sourcewiderstand Rs ein.
Die Vorteile des FET's in Sourceschaltung gegenüber dem bipolaren Transistor
sind der hohe Eingangswiderstand und das geringe Rauschen.

4.2.2 Isolierschicht-Feldeffekttransistor

lm Gegensatz zum Sperrschicht-FET ist bei diesem Transistortyp die Steuerelek-

trode (Gate) durch eine dünne Silizium-Oxidschicht vom übrigen Flalbleitermate-
rial elektrisch isoliert. Da man als Isolator eine Siliziumoxidschicht verwendet,
wurde die Kurzbezeichnung „MOS-FET" (MOS = Metall-Oxid*Silizium) gewahlt.

Wie beim Sperrschicht-Feldeffekttransistor gibt es eine n-Kanal- und eine p-Ka-

nal-Version, die in zwei Aufführungen herstellbar sind.
a) Anreicherungs-IG-FET und
b) Verarmungs-IG-FET.

4.2.2.1 Anreicherungs-IG-FET

Bild 4.50 zeigt schematisch einen Anreicherungs-IG-FET mit n-Kanal. In einem

Metallschtcht (AL J
UDS

Qxidschichf ^5 < G °nlo

hochdotiert

lnversionsschicht\(n-Kanot)

P - Substrot Bild 4.50:

Schnitt durch einen n-Kanal-MOS-
X FET, Anreicherungstyp

93
 p-leitenden Si-Substrat sind zwei hochdotierte n-lnseln als Source und Drain
eindiffundiert. Die hochdotierten n-lnseln werden durch freigeatzte Fenster
(Planartechnologie) kontaktiert; sie bilden damit die Anschlüsse von Source und
Drain. Auf die dünne Si02*Schicht wird eine metallische Gateelektrode aufge-
dampft. Die metallische Gateelektrode bildet zusammen mit der isolierenden
Oxidschicht und dem darunterliegenden Substrat einen Plattenkondensator,
wobei die Siliziumoxidschicht als Dielektrikum wirkt.
Ist die Spannung des Gates gegenüber dem Substrat positiv, so erhöht sich die
Elektronendichte im p-Substrat durch Influenz (Erzeugung eines magnetischen
Feldes durch den elektrischen Strom). Es bildet sich als sogenannte Inversions-
schicht ein n-leitender Kanal zwischen Source und Drain.

In der Inversionsschicht findet unter dem EinfluB der Spannung an der Gate-
Elektrode eine Umwandlung von der vorherigen p-Leitfahigkeit in eine n-Leit-
fahigkeit statt.

Bei Anlegen einer Drain-Source-Spannung UDs flieBt ein Strom ID von D nach
S, der durch die Gate-Source-Spannung UGs steuerbar ist.

Der Drainstrom ID laBt sich durch UGS steuern.

Bei UGS = 0 V existiert noch kein Kanal. Es müssen durch Anlegen einer positi-
ven Gate-Source-Spannung erst Ladungstrager angereichert werden. Deshalb be-
zeichnet man den in Bild 4.50 dargestellten Transistor als Anreicherungs-IG-
FET!

Der leitende Kanal entsteht erst durch das Anlegen einer positiven Steuerspan-
nung.

Der beschriebene n-Kanal-Anreicherungstyp ist bei UGS = 0 V selbstsperrend.

Es kann, auBer einem kleinen Reststrom, kein Drainstrom flieBen. Erst bei einer
bestimmten positiven Steuerspannung UGS, der sogenannten Schwellspannung
Uy, wird der stromleitende Kanal gebildet und der Stromdurchgang ermöglicht.

An der entgegengesetzten Seite der Gate-Elektrode G (Bild 4.51) befindet sich

noch ein weiterer AnschluS, den man Bulk B nennt und die ggf. als zweite
Steuerelektrode benutzt werden kann.

4.2.2.2 Verarmungs-IG-FET

Bild 4.51 zeigt den Aufbau eines Verarmungs-IG-FET mit n-Kanal, der in ein p-
leitendes Substrat eingebettet ist. Die Darstellung des Bildes laBt erkennen, daB
der Verarmungs-IG-FET ahnlich aufgebaut ist wie der vorstehend beschriebene

94
 in S1O2 Schicht ein=
Ups Qelaaerte+ Ladunaen

S Go OoJ rD
•+>< f>.»v'
J
n - Kanal
P - Substrat Bild 4.51:
Schnitt durch einen n-Kanal-MOS-
X FET, Verarmungstyp

Anreicherungs-IG-FET. Beim Verarmungs-IG-FET-Typ wird bereits bei der Her-

stellung ein schwach n-leitender Kanal erzeugt. Damit besteht schon bei UGS =
0 V ein leitender Kanal zwischen Source und Drain, so daG ein Strom flieRen
kann.
Eine positive Gatespannung fiihrt zu einer Anreicherung des Kanals mit Elektro­
nen. Es werden Elektronen aus dem Substrat in den Kanal gezogen wodurch die
Leitfahigkeit des Kanals erhöht wird. Bei negativer Gatespannung verarmt der
Kanal an beweglichen Ladungstragern und die Leitfahigkeit wird geringer. Infol-
gedessen kann der Verarmungstyp je nach Polaritat sowohl im Verarmungs- als
auch im Anreicherungsbereich betrieben werden.

4.2.3 Kennlinien

4.2.3.1 Übertragungskennlinien

In Bild 4.52 ist dargestellt, wie sich die Typen und Betriebsarten durch die
Übertragunskennlinien erklaren lassen. Man erkennt, daft die Schwellspan-
nung Ut und die Abschnürspannung Up jeweils die FulSpunkte der Kurven
sind.
Aus Bild 4.52a geht hervor, daS beim Anreicherungstyp die Spannung UT zwi­
schen Gate und Source schon einige Volt betragen muB, damit ein Drainstrom
ID flieGen kann; d.h. bei der Gatespannung 0 ist auch der Drainstrom 0.
Die Schwellspannung UT ist erforderlich, um wie erwahnt, den Stromweg zwi­
schen Source und Drain auszubilden bzw. anzureichern, damit ein Drainstrom
ID flieKen kann.
Bild 4.52b zeigt, daS die Abschnürspannung Up für den Verarmungstyp im Be-
reich negativer Gate-Source-Spannung liegt. Die Abschnürspannung Up ist erfor­
derlich, um den Drainstrom ID zu sperren.
Mit den Bezeichnungen Schwellspannung UT und Abschnürspannung Up wird

95
 o) k>
ImA]
1 U
UQS=ltonst. b 6-
mA
ohmscher J
Bereich_L

*
i uGS=*2V
i Abschnürgrenze
•U, _sat
1V
}
4
/.
OV
! Abschnürbere/ch
2- / (Satt igungs b ereichj
7 -7 /
UT * UqS [V] V -2V
O 4 Ir 17 76 v
bj UDS
b\
b)
ImA)
b
UQs=konst.
ohmschli Abschnurarpnzp
[mA] Bere/cbi/

IfeJ
— ---------
6- /
uGS=tv
i Abschnürbereich
4- ■ ' A' / 1 ^Sattigungsbereich)

-UCSM

Bild 4.52:
^P
+uGSiv)
* // /
m UDS sat
2V

Übertragungskennlinien 7V
a) Anreicherungs-IG-FET O 4 8 12 76
b) Verarmungs-IG-FET Uostvi
Bild 4.53:
Ausgangskennlinien
a) Verarmungs-IG-FET
b) Anreicherungs-IG-FET

meist die gleiche Funktion beschrieben. Man spricht beim MOS-FET haufiger
von der Schwellspannung Ut, als von der Abschnürspannung Up.
Auf den Anreicherungsbereich bezogen, ist UT die Gatespannung, die erforder-
lich ist, um ID flieBen zu lassen.
Auf den Verarmungsbereich bezogen, ist Up die Gatespannung, die erforderlich
ist, um ID auf Null zu bringen.
Diese Clbertragunskennlinien geiten aber auch für den Fall, daB der n-Kanal
durch den p-Kanal ersetzt wird. Bei den p-Kanal-Typen müssen lediglich die
Strom- und Spannungsrichtungen umgekehrt werden.

96
4.2.3.2 A usgangskennlinien

Typische Ausgangskennlinien beider MOS-FET-Ausführungen zeigt Bild 4.53.

Aus den Kennlinienfeldern in Bild 4.53 ist zu ersehen, daR sich die Ausführungen
von Verarmungs- und Anreicherungstyp sehr ahneln. Der Verarmungstyp hat al-
lerdings Kennlinien sowohl für negative als auch für positive Gatespannungen
UGS; das ist beim Anreicherungstyp nicht der Fa11.
Bild 4.53 zeigt ferner unterschiedlich Bereiche im Kennlinienfeld beider Typen:

I. Linearer Bereich UDS < (UGS — UT)

lm linearen Bereich nimmt der Drainstrom ID fast linear zu und der IG-FET
kann als linearer Widerstand aufgefaRt werden. In der Nahe des Nullpunktes sind
die Kennlinien Geraden. Erreicht die Spannung schlieRlich den Wert „UDS =
UGs — Uj", so erhöht sich der Widerstand des Kanals, und der Drainstrom
nimmt weniger linear zu. Der Kanal beginnt sich abzuschnüren. Man bezeichnet
diesen Wert als Sattigungsspannung UDSsat = UGS — Uy.
Der Transistor kann in diesem Bereich betrieben werden, wenn er als Schalter ar-
beiten sol I.

II. Sattigungsbereich UDS > (UGS — UT)

Trotz Erhöhung der Drain-Source-Spannung nimmt der Drainstrom ID kaum
noch zu, weil der Kanal am drainseitigen Ende abgeschnürt ist. Ist UDS > (UGS
— Uy) wird der Transistor im Sattigungsbereich betrieben. In diesem Kennlinien-
bereich arbeitet der Transistor, wenn er als Verstarker arbeiten solI.
Erreicht oder überschreitet die Spannung UDS einen bestimmten Wert (Durch-
bruchwert), so setzt in der Sperrschicht zwischen Drain und Substrat ein Lawi-
nendurchbruch ein. Durch den jetzt auftretenden hohen Drainstrom kann der
Transistor zerstört werden.

Transport und Lagerung

Wegen der guten Isolation zwischen Gate und den anderen Elektronen kann es
leicht zu statischen Aufladungen kommen, die sehr hohe Feldstarken an der
dünnen Si02-Schicht auslösen. Als deren Folge kommt es dann zum Durch-
bruch und damit zur Zerstörung des Transistors. Urn das zu vermeiden, muS
man dafür sorgen, daG bei Transport und Lagerung die AnschluRdrahte kurzge-
schlossen werden. Dazu eignen sich z. B. nichtleitende Gummiringe, die erst nach
Einsetzen des MOS-FET in die Schaltung durch Abschneiden entfernt werden.

97
 Schattzeichen von tvpotaren Tronsistoren
npn-Transistor pnp - Transis tor

TT" TTC
EsEmitter C=Kollektor B=Basis

Schattzeichen von Fetdeffekt -Tronsistoren

Kanat- Verbinduno von Ga te zu Kanal
art Sperrschicht Isoherschicht

oD 9O OD
n
GO

Verarmungs typ Anreicherungs typ

Verarmungs typ Anreicherungstyp

S = SourcejQuelle) D=Drain(Senke.Abtlun) G=Gate(Torf B=Bulk(Masse)

B C om Gehöuse
C
B
E 0 3 y=y
TO-3 TO-236

O
ï
TO-92 TO-18

Tronsistoren mit unterschiedlichen Gehöuseformen

98
 !

5
Integrierte Schaltungen

Die neueste Technik im Bereich der Elektronik fafct viele Bauelemente zu einer
Einheit zusammen. Diese Einheit nennt man integrierte Schaltkreise.
Als Kurzbezeichnung findet man die Begriffe IC (Integratet Circusit) und IS
(Integrierte Schaltung), wobei die erstgenannte Form benutzt werden soll.

Die Vorzüge der ICs sind:

a) einfache Herstellung,
b) geringe Abmessungen,
c) hohe Zuverlassigkeit und
d) niedriger Preis.

Eine Ausführung einer integrierten Schaltung ist in Bild 5.1 dargestellt.

Bei den ICs unterscheidet man je nach Art der aktiven Elemente, die Bipolar-
technik und die MOS-Technik.
Integrierte Schaltkreise führen auch den Namen „Monolithe" (monolithisch =
aus einem Block bestehend).
Ausgelöst wurde das Bestreben nach Miniatusierung (Verkleinerung) vor allem
durch die Raumfahrttechnik, bei der es auf möglichst kleine Bauteile ankommt.

Bild 5.1:
Integrierte Schaltung im Dual-in-
Line-Gehause mit 14 Anschlüssen

99
 5.1 Aufbau der Bauelemente von IC

5.1.1 Bipolare IC

Integrierte Schaltkreise werden nach den Verfahren der Planar-Epitaxis-Techno-

logie hergestellt, wie im Abschnitt für diskrete Planartransistoren bereits be-
schrieben.
Auf einem Plattchen aus Silizium werden mit Hilfe von Aufdampf-, Atz- und
Diffusionsverfahren sowohl aktive Bauelemente — das sind Transistoren, Dioden
usw. — als auch passive Bauelemente — das sind Widerstande, Kondensatoren
usw. — hergestellt.
Solche integrierte Schaltungen können in einer gróteren Anzahl (z.B. bis zu
einigen hundert) sozusagen rasterartig angefertigt (siehe Bild 5.2) und anschlies-
send zersagt werden.
Herstellung: Ausgangsmaterial ist ein p-leitendes Siliziumscheibchen — auch
„Wafer" genannt — als Substrat. Auf dem Plattchen entsteht durch Aufwach-
sen eine extrem dünne (epitaktische) n-Schicht von etwa 20 ^m. Danach werden
mittels Photoatzung Fenster eingeatzt. Durch die oxidfreien Fenster erfolgt dann
der Diffusionsvorgang.
Nachdem die Bauelemente in dem Siliziumplattchen angefertigt sind, müssen sie
noch miteinander verbunden werden. Zu diesem Zweck werden die Anschlüsse
der Bauelemente durch aufgedampfte Aluminium-Leiterbahnen kontaktiert und
miteinander verdrahtet.
Um eine funktionsmaBige Schaltung zu erhalten, muB man die passiven Bauele-

Bild 5.2:
Siliziumscheibe mit einer groBen An­
zahl von integrierten Schaltungen
(Chips)
mente (Widerstande und Kondensatoren) innerhalb des Siliziumplattchens von-
einander isolieren. Hierzu bedient man sich in den meisten Fallen der Sperr-
schichtisolation, d.h. Schaffung von pn-Übergangen. Diese pn-Übergange ent-
stehen, wenn in einem p-dotierten Plattchen (Substrat), durch Diffusion n-Zonen
eingebracht werden.

Durch Diffusion werden in dem p leitenden Siliziumplattchen n- bzw. n+-Zonen

erzeugt.

In das p-leitende Siliziumsubstrat laRt man also in einem Epitaxieprozeft n-lei-

tendes Silizium aufwachsen. Die durch n+-Diffusion entstehende n+-Zone wird
als vergrabene Schicht (buried-layer) bezeichnet. Die n-Gebiete, auch Isolierwan-
nen genannt, bilden gegeneinander eine npn-Zonenfolge (n-Emitter, p-Basis,
n-Kollektor). Bild 5.3 zeigt diesen Aufbau.
Zur Erzielung der gegenseitigen pn-lsolation (pn-Übergange) müssen noch Isolier-
wande durch p-Diffusion hergestellt werden. In die so entstehenden n-dotierten
Gebiete, die nun in p-dotierten Wannen eingebettet sind, werden die Bauteile
eingebaut. Um diese Bauteile für alle Betriebsfalle gegeneinander zu isolieren, er-
halt das p-Substrat das negativste in der Schaltung vorkommende Potential.

Die Bauelemente werden in n-dotierte Gebiete eingebaut, die sich gegeneinander

isoliert in p-dotierten Wannen befinden. Die Sperrschichtisolation erfolgt durch
die in Sperrichtung vorgespannten pn-Übergange.

Aktive Bauelemente

Transistoren:
Die Herstellung von Transistoren in IC's ist im Prinzip nicht anders als die der
Planartransistoren bei der Einzelfertigung. Eine erwahnenswerte Besonderheit
der IC-Transistoren gegenüber den Planartransistoren in Einzelfertigung ist die
Anordnung ihrer Verdrahtung.
Bei den integrierten Transistoren mussen alle Elektrodenanschlüsse, also auch der
KollektoranschluR nach oben herausgeführt werden. Dadurch ergibt sich im Ver-
gleich zum Einzel-Planartransistor ein verhaltnismaBig groGer Kollektorwider-
stand. Zur Verringerung des groGen Kollektorwiderstandes bringt man meist un-
terhalb der epitaktischen Schicht eine stark n+-dotierte vergrabene Schicht an
(siehe Bild 5.3).

E B C

Til
VSSSSSSSA. M.
Sl°2
p Bild 5.3:
Integrierter Transistor mit n+-Zone
n* dotierte..vergrabene" Schicht
p - Substrat (vergrabene Schicht)

101
 B kurz= c C

ï
aeschiossen 9

80 8o
Eio
e2 o
E30 C
Ei o

Bild 5.4:
Schaltzeichen eines Multi-Emitter-
Transistors

Bild 5.5:
Integrierte Diodenschaltungen

Durch die Sperrschichtisolation entsteht, wie Bild 5.3 zeigt, von unten nach
oben eine pnp-Zonenfolge. Diese Zonenfolge bildet einen parasitaren (uner-
wünschten) Transistor, der sich nicht vermeiden lafSt. Der parasitare pnp-Tran-
sistor, der aus der Schichtenfolge p-Substrat als Kollektor, n-Gebiet als Basis und
p-Gebiet als Emitter besteht, kann gegebenenfalls den npn-Transistor empfind-
lich storen.
In der Digitaltechnik verwendet man haufig sogenannte Multiemitter-Transisto-
ren — das sind Transistoren mit mehreren Emittern. Bei diesen Typen wird das
Basisgebiet so groS ausgeführt, daG mehrere Emitterinseln (Zonen) eindiffundiert
werden können (Bild 5.4). Durch diese MaGnahme sind einfache Schaltungen
möglich.

Dioden:
In IC werden Dioden dadurch gefertigt, indem man verschiedene Transistorzo-
nen miteinander verbindet, d.h. man verzichtet auf die Herstellung eigener Dio­
den. Wie aus Bild 5.5 zu ersehen ist, gibt es dafür verschiedene Möglichkeiten
(Schaltungsarten):
a) Emitter-Basis-Diode, Kollektor mit Basis verbunden (kurzgeschlossen),
b) Emitter-Basis-Diode, Kollektor mit Emitter verbunden (kurzgeschlossen),
c) Kollektor-Basis-Diode, Emitter mit Basis verbunden (kurzgeschlossen),
d) Emitter-Basis-Diode, Kollektor nicht angeschlossen (offen),
e) Kollektor-Basis-Diode, Emitter nicht angeschlossen (offen).

Diese fünf unterschiedlichen Diodentypen unterscheiden sich in ihrem DurchlaB-

bzw. Sperrverhalten sowie in ihren Schaltzeiten. Deshalb muG je nach Forderung
der Schaltung die beste Lösung gewahlt werden.

102
Passive Bauelemente

Widerstande:
lm IC kann man Widerstandsbahnen gerade oder maanderförmig ausführen. Ih-
ren Aufbau zeigt Bild 5.6 in der Draufsicht. Die Widerstande werden gemeinsam
mit den Emitterzonen (für niedrige Widerstandswerte) oder mit den Basiszonen
(für hohe Widerstandswerte) der Transistoren angefertigt. Sie werden also gleich-
zeitig mit anderen Herstellungsschritten, z.B. wahrend der p-Basisdiffusion her-
gestellt. Die dabei erreichten Widerstandswerte liegen zwischen 50 £2 und 30kr2.

GröBere Widerstandswerte (bis zu 1 MH) lassen sich erreichen, wenn man die Wi-
derstandsbahn maanderförmig und eng ausführt.

Der Widerstandswert eines Siliziumteilchens ist:

R =
P • I
d • b

mit: I = Lange des Teilchens

b = Breite des Teilchens
d = Eindringtiefe der p-Basis-Diffusion
p = spezifischer Widerstand der Siliziumschicht.

Der spezifische Widerstand des Siliziums wird durch die Anzahl der Fremdato-
me, also durch die Dotierung bestimmt. Die Widerstande sind gegenüber anderen
Bauelementen zu isolieren. Bild 5.7 zeigt einen integrierten Widerstand, der von
seiner Umgebung durch eine Sperrschicht isoliert ist. Gegen das Substrat und alle
sonst vorhandenen Bauelemente befinden sich somit pn-Übergange, so daB der
Widerstand völlig isoliert ist.

„I SS " E a
o - Widerstand

b)
isssgsk»
n - IsolationsjnseJ -

p- Substrat

Bild 5.6:
Widerstande Bild 5.7:
a) maanderförmig Diffusionswiderstand
b) gerade a) Draufsicht
b) Langsschnitt

103
 obere Platte
DielektnkumCStOp} Metotlsctucht (AL)

n* -Gebiet
untere Platte
n -Isolationsinsel Bild 5.8:
Schnitt durch den Aufbau eines Kon-
p- Substrat
densators in integrierten Schaltungen

Zu beachten ist bei der Herstellung integrierter Widerstande, die Einhaltung der
Toleranzen; sie kann bis zu 20% (± 10%) betragen. Werden genauere Wider-
standswerte erwartet, so sollte man mehrere Widerstande vorsehen. Das Verhalt-
nis benachbarter Widerstande zueinander laBt sich so bestimmen, daB eine Ge-
nauigkeit von ca. 4% (± 2%) erreicht wird.

Kondensa toren:
Kondensatoren lassen sich in integrierten Schaltungen nach zwei verschiedenen
Verfahren aufbauen:
a) den spannungsabhangigen Sperrschichtkondensator,
b) den spannungsunabhangigen Kondensator, auch MOS-Kondensator genannt.

Ein in Sperrichtung vorgespannter pn-Übergang (Sperrschichtkapazitat) kann als

spannungsabhangiger Sperrschichtkondensator aufgefaBt werden.

Eine Sperrschicht stellt stets eine Kapazitat dar. Von Nachteil ist, daB diese
Kapazitaten stark spannungsabhangig sind. Deshalb verzichtet man meist auf
eine direkte Herstellung von Kondensatoren, sondern nutzt statt dessen die
Sperrschichten der Diode bzw. Transistoren.

Die in der Sperrichtung vorgespannten Dioden bzw. Transistoren können als

Kondensatoren verwendet werden.

Der HerstellungsprozeB von Kondensatoren gleicht allerdings weitgehend dem

für integrierte Dioden bzw. Transistoren.

Einen spannungsunabhangigen Kondensator erhalt man, wenn z.B. zwei leitende

Platten durch eine Dielektrikum voneinander getrennt sind.

Das Dielektrikum wird von einer Si02-Schicht gebildet. Die obere Platte besteht
aus einer aufgedampften Aluminiumschicht und die untere Platte aus einem
stark n-dotierten Gebiet. Die untere Platte wird wiederum durch einen sperren-
den pn-Übergang (Isolationsinsel) gegen das p-leitende Substrat geschützt. Bild
5.9 zeigt diesen Kondensatortyp, der auch MOS-Kondensator genannt wird. Die-

104
 I
se MOS-Kondensatoren haben neben dem Vorteil der Spannungsunabhangigkeit,
den Nachteil des groRen Flachenbedarfs.

Begründet auf die Nachteile beider Kondensatoren lohnt es sich, Kondensatoren

durch andere Schaltungsmöglichkeiten zu ersetzen.

5.1.2 Unipolare IC (MOS-FET-IC)

Der groRe Fortschritt bei der Entwicklung von Feldeffekttransistoren machte

erst eine deutliche Verbesserung im Bereich der IC möglich. Die Feldeffekttran­
sistoren eigenen sich besonders zum Aufbau integrierter Schaltungen. In diesen
Schaltungen werden meistens Anreicherungs-MOS-F ET mit p-Kanal verwendet.
Ein MOS-Inverter (Verstarker) mit p-Kanal-Anreicherungstransistoren ist in Bild
5.10 gezeigt. In dieser Schaltung bestehen alle Bauelemente, wie Dioden, Wider-
stande und Kapazitaten usw. aus einem einzigen System, dem MOS-FET.

Bild 5.10 enthalt zwei MOS-FETs, wobei Ti das logische Glied und T2 den Last-
widerstand bildet. Durch Verwendung des MOS-FET „T2" als Lastwiderstand an-
stelle eines diffundierten Widerstandes, ist es möglich, viel Platz im Chip zu spa­
ren. MOS-Transistoren brauchen nicht wie bipolare, voneinander isoliert zu wer­
den; dadurch entfallt der zusatzliche Platzbedarf für die Isolationswanne.

4 uc2
o.)

C
h-»
■o 3
t2 S
70 ■OA

EO »-*
2 T1
bi
1 2 3 4
AL
SiO. (KontaktierungJ Bild 5.10:
MOS-FET-Verstarker mit p-Kanal-An-
n* p |n» P reicherungstransistor als aktivem Glied
n n n
(T1) und Lastwiderstand (T2); UG2 a*s
Kondensator Transistor Widerstand
zusatzliche Versorgungsspannung
p-SMzium - Substrat

Bild 5.9:
a) Einfache Transistorschaltung
b) Fertige IC-Schaltung nach Bild
5.9a)

105
 Diffundierte Widerstande, besonders hochohmige, benötigen viel Platz im Chip.

Bild 5.10 zeigt also einen als Widerstand geschalteten MOS-Transistor T2. Ist
z.B. das Gate offen, wirkt der Anreicherungs-MOS-Transistor T2 wie ein offener
Schalter, und die Strecke „S-D" bildet dann einen nahezu unendlich hohen Wi­
derstand (ca. 1015 £2). Damit der Lastwiderstand „MOS-Transistor T2" nicht
unendlich groS werden kann, wird noch eine zweite Spannung UG2 verwendet.

Die in Bild 5.10 gezeigte Schaltung hat somit den Nachteil, daB noch eine zweite
Versorgungsspannung UG2 benötigt wird.
Durch eine Kombination von p- und n-Kanal-MOS-FET kann dieser Mangel be-
seitigt werden. Es entsteht dabei ein Komplementar-lnverter (Bild 5.11) für die
Digitaltechnik (NICHT-Glied in CMOS-Technik).
Der als Lastwiderstand geschaltete MOS-Transistor T2 wird gegenphasig zum
MOS-Schalttransistor T-j gesteuert. Liegt am Eingang E ein L-Signal (Low =
tief), so leitet p-Kanal-MOS-FET T2 und n-Kanal-MOS-FET T^ ist gesperrt. Der
Ausgang A erhalt ein H-Signal (High = hoch) entsprechend Spannung UB. Mit
H-Signal am Eingang wird T-j geöffnet und T2 gesperrt. Der Ausgang erhëlt
eine Spannung von 0 V entsprechend dem L-Signal. MOS-FET besitzen einen
sehr hohen Eingangswiderstand, was im Hinblick auf einen geringen Verbrauch
an Leistung sehr vorteilshaft ist. Es wird also kein Steuerstrom benötigt, und
das bedeutet Jeistungslose Ansteuerung".

In keinem der beschriebenen Schaltzustande flieBt ein Strom.

Verlustleistungen, die in den CMOS-Schaltungen sehr gering sind, entstehen

eigentlich nur wahrend der Umschaltzeiten durch vorübergehende kapazitive
Umladeströme.

Der MOS-Komplementar-Inverter wirkt als ein von der Eingangsspannung lei-

stungslos gesteuerter Umschalter.

Das Herstellungsverfahren eines MOS-FET-IC ist wesentlich einfacher als das

beim bipolaren Transistor. In ein n-leitendes Si-Substrat werden p+-dotierte
Source- und Drainzonen eindiffundiert. An den Stellen, an denen Kontakte
(Anschlüsse) für Source und Drain entstehen sollen, werden Fenster in die
Si02-Schutzschicht eingeatzt. Gleichzeitig mit dieser Kontaktierung wird auch
noch die Gate-Elektrode gefertigt. AnschlieSend wird das Si-Substrat-Scheib-
chen (Wafer) mit Aluminium bedampft. Danach kann man das bedampfte Alu­
minium so wegatzen, daB die gewünschten Verbindungsbahnen übrigbleiben.
Bild 5.12 zeigt den Aufbau eines MOS-Transistors.

106
 *uB s c o
Si O
p -Kanal- MOS - FE T
3Z3,!
/cono/^-i p;
& P*

EO- 04

Bild 5.12:
n - Kanal - MOS - FE T Aufbau eines MOS-Transistors

Bild 5.11:
Schaltbild eines Komplementar
C-MOS-Inverters

Vor- und Nachteile der MOS-Techniken im Verg/eich mit bipo/aren Techniken:

Vorteile gegenüber bipolaren Techniken:

— Höhere Integrationsdichte (Packungsdichte)
— Einfacherer HerstellungsprozeR (weniger Herstellungsschritte sind erforder-
lich)
— Niedrigere Herstellungskosten
— Geringerer Flachenbedarf
— Geringere Verlustleistung.

Nachteile gegenüber bipolaren Techniken:

— Geringere Arbeitsgeschwindigkeit.

5.2 Verknüpfungsglieder und -schaltungen

5.2.1 Verknüpfungsglieder

Verknüpfungsglieder sind Schaltglieder, mit deren Hilfe man (zweiwertige)

Schaltvariablen miteinander verknüpft. Sie dienen der schaltungstechnischen
Realisierung logischer Funktionen. Eine logische Funktion liegt immer dann
vor, wenn das Eintreten eines Ereignisses in ganz bestimmter Weise von der
Erfüllung einer oder mehrerer Bedingungen abhangt.

Ein besonderes Merkmal dieser Verknüpfungsglieder ist, daB die Eingangssignale

(Bedingungen) und das Ausgangssignal (Ereignis) nur zwei logische Zustande

107
 annehmen, z.B. Impuls vorhanden oder kein Impuls. Man nennt solche Elemen-
te, die nur zwei unterschiedliche Zustande kennen, „binare" (zweiwertige) Ele-
mente. Die beiden möglichen Zustande werden mit 0 und 1 bezeichnet; darin
bedeutet 1 „Spannung" und 0 „keine Spannung".
Bezieht man sich auf das Spannungspotential, so werden die Buchstaben H und
L verwendet. Man unterscheidet heute zwischen einer positiven und negativen
Logik.
Für die positive Logik (H-Zuordnung gilt:
Hohes Potential = logisch 1 oder H (High)
Niedriges Potential = logisch 0 oder L (Low)
Für die negative Logik (L-Zuordnung) gilt:
Hohes Potential = logisch 0 oder H (High)
Niedriges Potential = logisch 1 oder L (Low)

Eine Zusammenfassung dieser Vereinbarung zeigt folgende Tabelle:

o.J H
* 12 v — ------ —
Logik Spannung logische Symbole
physi- Bezeich- binar Spannungs-
kalisch nung _____ potential L
0
medrig low 0 L
positiv 0
hoch high 1 H L
niedrig high 1 H
negativ
hoch low 0 L
-,2vh

a) Schaltalgebraische Bezeichnungen für b) Digitale Signale (zu a) mit ihren

die logischen binaren Zustande. Amplitudenwerten; z.B. 0 und + 12 V
oder 0 und —12 V.

Die Grundformen der Verknüpfungstechniken sind:

UND-Glied (AND-Funktion oder Konjunktion)
ODER-Glied (OR-Funktion oder Disjunktion)
NICHT-Glied (Negation)

Sie werden als logische Grundschaltungen der Schaltalgebra (siehe Datenverar-

beitung) bezeichnet. Aus obigen Grundformen lassen sich die NAND- und die
NOR*Glieder entwickeln.

NAND- und NOR-Funktionen entstehen durch Negationen der AND- und 0R-
Funktionen.

UND-Glied (Konjunktion)
Das UND-Glied verwirklicht die UND-Funktion. Als Schaltung heifSt die UND-
Funktion „UND-Schaltung" oder „Reihenschaltung". Bi ld 5.13a zeigt eine Rei-

108
Funktionstabelle Schaltzeichen

Bild 5.13: Funktionstabelle Schaltzeichen

UND-Verknüpfung
a) Reihenschaltung zweier Schalter
b) Funktionstabelle und Schaltzeichen
Bild 5.14:
ODER-Verknüpfung
a) Parallelschaltung zweier Schalter
b) Funktionstabelle und Schaltzeichen

henschaltung mit den Schaltern Et und E2 (Eingangen) sowie Ausgang A; Bild

5.13b die zugehörige Funktionstabelle mit Schaltzeichen.
Ausgang A erhalt nur dann 1-Signal, wenn die Schalter E-j und E2 1-Signal ha*
ben. Liegt an einem Schalter O-Signal, so erscheint auch am Ausgang A O-Signal.

Schaltfunktion: A = E-j/\E2.

1-Signal an Et und 1-Signal an E2 ergeben 1-Signal an Ausgang A.

ODER-Glied (Disjunktion)
Das ODER-Glied wird durch die ODER-Funktion verwirklicht. Als Schaltung
wird die ODER-Funktion „ODER-Schaltung" oder „Parallelschaltung" genannt.

Bild 5.14a zeigt eine Parallelschaltung mit den Schaltern E-j und E2 sowie Aus­
gang A; Bild 5.14b zeigt die zugehörige Funktionstabelle sowie das Schaltzeichen.

Ausgang A erhalt 1-Signal, wenn Schalter Et oder Schalter E2 oder wenn beide
Schalter 1-Signal führen.

Schaltfunktion: A = E-j V E2.

1-Signal an Et oder 1-Signal an E2 oder 1-Signal an beiden Eingangen (Et, E2)

ergibt 1-Signal am Ausgang A.

NICH T-Glied fNega tion)

Der dritte Schaltungstyp ist die NICHT-Verknüpfung. Hier handelt es sich um
eine Verneinung, Negation oder Umkehrung durch eine Schaltung.

109
 a) s b)

s A o ö
O O O 1
A 1 1 1 O
Funktionstabelle
o
Bild 5.15:
Arbeitskontakt NICHT-Verknüpfung
(SchliefJer)
ö a) Relais mit den zugehörigen Kontak-
0
ten
Ruhekontakt
(Öffner) Schaltzeichen b) Funktionstabelle und Schaltzeichen

Die Negation laftt sich durch ein Relais verwirklichen. Bild 5.15a zeigt ein Relais
mit den zugehörigen Kontakten, Bild 5.15b die Funktionstabelle mit Schaltzei­
chen. Das Relais solI mit groftem Buchstaben und die zugehörigen Kontakte mit
kleinen Buchstaben bezeichnet werden. Der Ruhekontakt a (Öffner) wird durch
einen Querstrich vom Arbeitskontakt a (Schliefter) unterschieden. Der Quer-
strich über dem Ruhekontakt deutet den Zusammenhang mit dem betreffenden
Arbeitskontakt an.
Das Relais (siehe Bild 5.15a) ist über einen Schalter S mit einer Stromquelle ver-
bunden. Bei nicht erregtem (nicht stromdurchflossenem) Relais ist S = 0 und
A = 0 (offener Zustand). Gemaft diesem Zustand ist der Schliefter a (Arbeits­
kontakt) geöffnet — a = 0 — und der Öffner a (Ruhekontakt) geschlossen —
a = 1. Wird das Relais A durch Schlieften von S mit einer Stromquelle verbun-
den, ist S = 1 und A = 1; dabei schlieftt der Schliefter — a = 1 — und der öffner
öffnet sich — a = 0.

Wahrend der Schliefter bei Erregung des Relais den Signalstromkreis schlieftt,
wird dieser durch den Öffner getrennt.

Diese Zusammenhange lassen sich anschaulich in einer Funktionstabelle (Bild

5.15b) darstellen. Aus der Tabelle ist zu entnehmen, daft sich a wie S bzw. wie
A verhalt.
Dieser Zusammenhang wird als Identitat bezeichnet._
Der öffner verhalt sich dabei genau umgekehrt: a = A,
d.h. der öffner ist nur dann geschlossen, wenn das Relais A nicht erregt ist.

Diese Aussage ist eine Negation und wird^also mit einem Querstrich über der zu
negierenden Variablen gekennzeichnet (A, sprich „A nicht" oder „A quer").

Nach obiger Vereinbarung gilt somit:

a = 1, wenn das Relais erregt ist.

110
a = O, wenn das Relais nicht erregt ist, was dasselbe bedeutet:
5 = 1, wenn das Relais nicht erregt (in Ruhe) ist.

Die Negation stellt also einfach die Umkehrung des Wahrheitswertes dar, oder,
das NICHT-Glied kehrt den Zustand eines bestimmten Signales um.

Scha/tfunktion: A = a

lm folgenden Abschnitt werden die verschiedenen Schaltungen der Verknüp-

fungsglieder mit ihrer Wirkungsweise und ihren Eigenschaften beschrieben.

5.2.2 Verknüpfungsschaltungen

5.2.2.1 Verknüpfungsschaltungen mit Dioden (DL, diode, logic)

5.2.2.1.1 UND-Gatter

Die Wirkungsweise eines UND-Gatters in Diodenausführung zeigt Bild 5.16.

Unter Gatter versteht man einen elektronischen Schaltkreis, der elementare

logische Verknüpfungen realisiert.

Eswird angenommen datë:

— der Signalzustand 1 einer positiven Spannung (+UB) entspricht.
— der Signalzustand 0 der Spannung OV entspricht und
— Widerstand R viel gröfcer als der Widerstand der Dioden in DurchlaSrich-
tung ist.
Das bedeutet, dafS mit folgenden Ablaufen zu rechnen ist.:

Zustand 1: An Eingang E-j liegt OV (O-Signal)

An Eingang E2 liegt OV (O-Signal)
Diode D-, ist leitend (niederohmig)
Diode D2 ist leitend (niederohmig)

+UB

\R
E,0---- \f$- oA
Bild 5.16:
£2o K^- UND-Gatter in Diodenausführung

111
 Da der DurchlaSwiderstand der Dioden Dï und D2 viel kleiner ist als der hoch-
ohmige Widerstand der Schaltung, liegt
am Ausgang A ebenfalls OV (O-Signal)
am Ausgang herrscht OV (= O-Signal).

Zustand2: Eingang E-\ führt positive Spannung (1 -SignaI)

An Eingang E2 liegt OV (O-Signal)
Diode D-j ist in Sperrichtung geschaltet.
Diode D2 ist leitend (niederohmig).
Die Diode Dt hat keinen EinfluS auf das Ausgangssignal. Am Ausgang herrscht
also OV = O-Signal.

Zustand3: Eingang E-| führt positive Spannung (1 -SignaI)

Eingang E2 führt positive Spannung (1-Signal)
Diode D-| ist in Sperrichtung geschaltet.
Diode D2 ist in Sperrichtung geschaltet.
Am Ausgang A liegt positive Spannung (1-Signal).
Am Ausgang herrscht also +UB = 1-Signal.

5.2.2.1.2 ODER-Gatter

Bild 5.17 zeigt ein ODER-Gatter in Diodentechnik. Der Widerstand der Schal­
tung sei wieder viel gröKer als der Widerstand der Dioden in DurchlaRrichtung.

Zustand 1: An Eingang E-j liegt OV (O-Signal)

An Eingang E2 liegt OV (O-Signal)
Diode D-i ist im Sperrzustand
Diode D2 ist im Sperrzustand
Der Ausgang A führt OV = O-Signal.

Zustand2: An Eingang E-i liegt OV (O-Signal)

Eingang E2 führt positive Spannung (1-Signal)

*uB

fjo----- OA
°2
£4
Bild 5.17:
ODER-Gatter in Diodenausführung
Bild 5.18:
NICHT-Gatter mit Transistor

112
 Diode D-| ist in DurchlaBrichtung geschaltet
Diode D2 wird in Sperrichtung betrieben
Am Ausgang A herrscht positive Spannung = 1-Signal.

Zustand 3 entspricht Zustand 2, d.h. es ist völlig gleichgültig, ob das 1-Signal

am Eingang Et oder E2 erscheint, Ausgang A führt immer 1-Signal (siehe Funk-
tionstabelle).

Zustand 4: Eingang E-\ führt positive Spannung (1-Signal)

Eingang E2 führt positive Spannung (1-Signal)
Beide Dioden (D-i und D2) sind in DurchlaBrichtung geschaltet
Am Ausgang A herrscht positive Spannung = 1-Signal.

Sobald an einem der Eingange E-,, E2 das 1-Signal (positive Spannung) erscheint,
wird die betreffende Diode leitend (DurchlaBrichtung), und da der Widerstand R
viel gröBer als der DurchlaBwiderstand der Dioden ist, erscheint am Ausgang A
das 1-Signal.

Das logische Signal 0 ist am Ausgang A (Zustand 1) nicht genau OV. Ursache
hierfür ist die Schwellspannung der verwendeten Dioden.
Diodengatter lassen sich durch weitere Dioden, d.h., auf mehr als zwei Eingan-
gen erweitern.

5.2.2.2 Negation verwirklicht durch einen Transistor

Die in Bild 4.28, Kapitel 4.1.4 dargestellte Transistorschaltung verhalt sich wie
ein NICHT-Gatter, auch Negation oder Umkehrstufe genannt.
Die Schaltung in Bild 5.18 zeigt ein Transistor-NICHT-Gatter, der gegenüber
Bild 4.28 hinzugekommene Widerstand R2 erhöht die Funktionssicherheit. Er
sorgt für sicheres Sperren bei offenen Eingangen.
Das NICHT-Gatter (NICHT-Glied) kehrt den Zustnd eines bestimmten Signals
urn. Liegt am Eingang des NICHT-Gatters ein 1-Signal, so liegt am Ausgang ein
O-Signal und umgekehrt (siehe Funktionstabelle).

Der Ausgang A führt immer ein dem Eingang E entgegengesetztes Signal (siehe
Funktionstabelle, Bild 5.15b).

Liegt am Eingang E ein 1-Signal, so sperrt der Transistor, und am Ausgang A

liegt dann ein O-Signal. Befindet sich am Eingang E ein O-Signal, so erhalt der
Transistor positives Potential und wird leitend. Am Ausgang A erscheint eine
positive Spannung (1-Signal).

113
 5.2.2.3 Verknüpfungsscha/tungen mi t Dioden - Transistor-Glieder fdiode
transistor logic)

Mit Bausteinen für die Konjunktion (UND-Glieder), Diskunktion (ODER-Glie-

der) und Negation lassen sich bekanntlich alle anderen logischen Verknüpfun-
gen erreichen. Es werden z.B. den Diodengliedern, Transistoren als sog. Um-
kehrschaltungen nachgeschaltet. Solche Transistoren arbeiten dabei meist in
Emitterschaltung, und ihre Funktionen sind „Verstarkung" und „Negation".

Man kam bei dieser Dioden-Transistor-Technik zu zwei besonderen Logik-Bau-

stein-Ausführungen, die als NAND- und NOR-Schaltungen, -Glieder oder Gat-
ter bekannt sind.

5.2.2.3.1 NA ND- Verknüpfung, NA ND-G/ied

Der Aufbau eines NAND-Gliedes geht aus Bild 5.19 hervor.

Das NAND-Glied besteht aus einem UND-Glied und einem nachgeschaltetem
NICHT-Glied als Umkehrstufe.
Liegt 1-Signal an den Eingangen Ej und E2, so sperren die Dioden (Zustand 3
des UND-Gatters). Am Ausgang (A) des UND-Gatters entsteht also 1-Signal. Der
Transistor leitet an den Ausgang A O-Signal.

-o+Uq

A I
£,o | KJ fj--c=3 A\ ■o A

5
■{=>

e2° [ K3—' J

UND-Glied
lpassi v)
NICHT-Glied
(aktiv) ODER-Ghed
(passiv)
5
NICHT-Ghed
(aktiv)

E1
A
E2

Schaltzeichen Funk t ions tabelIe Schaltzeichen Funktionstabelle

Bild 5.19: Bild 5.20:

a) NAND-Glied: Kombination aus a) NOR-Glied mit ODER-Vorsatzglied
UND-Glied und einem nachgeschal- und nachgeschaltetem NICHT-Glied
teten NICHT-Glied als Umkehrstufe als Umkehrstufe
b) Funktionstabelle und Schaltzeichen b) Funktionstabelle und Schaltzeichen

114
Liegt an einem der Eingange oder an beiden Eingangen O-Signal, so sit die eine
Diode, bzw. sind beide Dioden leitend. Der Strom flieBt aus dem Eingang heraus
nach OV ab, z.B. durch vorgeschaltete Stufen (Zustand 1 und 2 des UND-Gat-
ters). Am Ausgang (A) des UND-Gatters herrscht also O-Signal, der Transistor
sperrt und Ausgang A erhalt 1-Signal.

Sobald einer der Eingange O-Signal hat, führt Ausgang A 1-Signal. Der Ausgang
A hat nur dann O-Signal, wenn alle Eingange 1-Signal haben.

Eine NAND-Schaltung ergibt sich aus einer UND-Schaltung und einer NICHT-
Schaltung als Umkehrschaltung; sie ist die negierte Aussage der UND-Schaltung
(not and ^ NAND).

5.2.2.32 NOR-Verknüpfung, NOR-Glied

In Bild 5.20 ist ein NOR-Glied dargestellt.

Das NOR-Glied mit einem NICHT-Glied als Umkehrstufe.
Liegt 1-Signal an Eingang E^ oder E2 oder beiden, so ist die Diode, bzw. sind
die Dioden leitend. Der Strom flieBt in den Eingang hinein. Am Ausgang (A)
des ODER-Gatters herrscht 1-Signal (Zustand 4 des ODER-Gatters). Der Tran­
sistor wird leitend und Ausgang A erhalt O-Signal.
Liegt O-Signal an Eingng E-j und E2, sperren die Dioden. Am Ausgang (A) des
ODER-Gatters entsteht O-Signal (Zustand 1 des ODER-Gatters). Der Transistor
sperrt und Ausgang A erhalt 1-Signal.

Ausgang A hat nur dann 1-Signal, wenn alle Eingënge O-Signal führen. Sobald
einer der Eingange 1-Signal hat, führt Ausgang A O-Signal.

5.3 Integrierte Digital-Schaltkreissysteme (Schaltkreisfamilien)

Die Entwicklung einer Reihe von Logikschaltungen (Logik-Bauelemente) ist

eng verbunden mit der Digitaltechnik. Denn in Datenverarbeitungsanlagen wer­
den alle zu lösenden Aufgaben in viele kleine Einzelschritte zerlegt, die man ein-
deutig wiederum mit Ja oder Nein beantworten kann. Derartige Schaltungen,
die solche Entscheidungen treffen können, nennt man logische Schaltungen. Die-
se Logikschaltungen sollen schnell arbeiten, eine möglichst niedrige Verlustlei-
stung aufweisen und eine dichte Packungsweise (Zahl der Elemente pro Flache)
ermöglichen.
Benannt nach den Funktionen, die sie realisieren, handelt es sich um die bereits
beschriebene UND-, ODER-, NOR- und die FLIP-FLOP-Glieder. Wir finden sie

115
 in der Zentraleinheit, im Rechen- und Steuerwerk, in der Perpherie des Speicher-
werks in der Steuerelektronik zum AnschluR der Ein/Ausgabeeinheiten.

Digitalbausteine derselben schaltungstechnischen Gruppe, mit denen also die

Operationen innerhalb einer EDV-Analge durchgeführt werden, bezeichnet man
als „Schaltkreisfamilien".
Die wichtigsten davon sind:
DTL-Schaltungen
DTLZ-Schaltungen
RTL-Schaltungen
RCTL-Schaltungen
TT L-Schaltungen
ECL-Schaltungen
MOS-Schaltungen.

5.3.1 RTL-Technik

RTL heiSt Widerstands-Transistor-Logik und bedeutet, daR die Gatter mit Wi-
derstande und Transistoren zusammengesetzt sind. In Bild 5.21 ist ein RTL-Gat-
ter dargestellt.
Der Transistor ist immer dann gesperrt und hat 1 -Signal am Ausgang A, wenn an
keinem der Eingange E1# E2 und E3 positive Spannung (1-Signal) anliegt. Sobald
aber einer der Eingange 1-Signal hat, führt Ausgang A O-Signal.
Diese Art Gatter, die anfangs weit verbreitet waren, werden für Neuentwicklun-
gen kaum noch verwendet.

Ein RTL-Schaltkreis ist ein digitaler integrierter Schaltkreis in Widerstands-Tran­

sistor-Logik (resistor transistor logic).

5.3.2 RCTL-Technik

RCTL heiSt Widerstand-Kondensator-Transistor-Logik. Der Aufbau dieser

Schaltungg ist, wie Bild 5.22 zeigt, im Prinzip genauso, wie die RTL-Schaltung.

+UB

*c
R oA
E2 R
"R
Bild 5.21:
NOR-Glied in einer RTL-Logik

116
 T---- ° + UB
[> tb
e»°-wsr >4

*
£*—£*
°4 °5
Bild 5.22: 1^
RCTL-Gatter

Bild 5.23:
NAND-Gatter in DTL-Ausführung

Lediglich der Eingangswiderstand wird durch einen Kondensator überbrückt,

so daB die Schaltzeichen kürzer werden. Aber auch solch eine Schaltung gehort
noch zu den langsamen Verknüpfungsschaltungen, und werden deshalb bei Neu-
entwicklungen nur noch selten verwendet.

Ein RCTL-Schaltkreis ist ein digitaler integrierter Schaltkreis in Widerstand-Kon-

densator-Transistor-Logik (resistor capacitor transistor logic).

Weitere Nachteile dieser Schaltarten sind:

— geringer Störabstand,
— Temperaturabhangigkeit der Bauelemente.

Unter Störabstand versteht man die Sicherheit einer Informationsverarbeitung

gegen Störspannungen.

5.3.3 DTL-Technik

DTL heiBt Diode-Transistor-Logik. Zur Verbesserung der im vorigen Abschnitt

genannten Nachteile, werden Diodenglieder mit einer Transistorstufe verbunden.
Bild 5.23 zeigt die Schaltung eines NAND-Gatters in DTL-Ausführung. Durch
die logische Verknüpfung mit Dioden am Eingang laBt sich ein höherer Störab­
stand erreichen.
Über den Erweiterungseingang X (siehe Bild 5.23) kann durch zusatzliche Dio­
den eine gröBere Eingangsverknüpfung erreicht werden, was ein weiterer Vorteil
ist.
Haben alle drei Eingange positive Spannung (1-Signal), so sperren die Dioden Dt
bis D3. Über den Widerstand R1 und die in DurchlaBrichtung betriebenen Dio-

117
■

den D4 und D5 kann ausreichend Basisstrom für das Durchschalten des Tran­
sistors flieSen. Der Transistor leitet also an den Ausgang A O-Signal (OV).

Liegt an einem der Eingange OV (O-Signal), so erscheint dieses Signal auch am

Ausgang (A) des UND-Gatters. Der Transistor erhalt keinen Basisstrom mehr und
sperrt. Am Ausgang A liegt positive Spannung (1-Signal).

Beim Übergang vom leitenden in den nicht angesteuerten (gesperrten) Zustand

flieBt nach Bild 5.23 die in der Basis gespeicherte Ladung über den Widerstand
R2 ab. Der Transistor bleibt dann so lange durchgesteuert, bis die Ladung über
Widerstand R2 abgeleitet ist.

Ein DTL-Schaltkreis ist ein digitaler integrierter Schaltkreis in Dioden-Transistor-

Logik.

Nachteilig bei dieser Technik sind die langeren Schaltzeiten, da R2 groR ausge-
führt werden muB.
Bild 5.24 zeigt eine verbesserte DTL-Technik durch Verwendung eines zusatz-
lichen Transistors. Anstelle einer der Dioden im Basiskreis wird ein Transistor
(T-i) eingesetzt. Transistor T-| ersetzt also mit seiner Basis-Emitterstrecke eine
Diode (D4) und „verstarkt" den Basisstrom für Transistor T2. R2 kann bei dieser
Schaltung klein sein, was kürzere Schaltzeiten bedeutet.

5.3.4 DTLZ-Technik

DTLZ heiBt Diode-Transistor-Logik mit Zenerdiode. Die DTLZ-Technik ist eine

Abwandlung der DTL-Technik, bei der lediglich die verbliebene Diode D5 gegen

5
o*UB ■°*UB
JLT
*1

□»> ■OA
Z-Diode

l'2

Bild 5^4: Bild 5.25:

NAND-Gatter in DTL-Ausführung mit NAND-Gatter in DTLZ-Ausführung
zusatzlichem Transistor anstelle von
Diode D4

118
eine Z-Diode ersetzt wird. Mit dieser MaRnahme kann eine sehr hohe Störsicher-
heit (hoher Störabstand) erreicht werden. Bild 5.25 zeigt eine Schaltung in
DTLZ-Technik.

Eine DTLZ-Schaltkreis ist ein digitaler integrierter Schaltkreis in Dioden-Tran-

sistor-Logik mit Zenerdiode.

5.3.5 TTL-Technik

TTL heiRt Transistor-Transistor-Logik. Die TTL-Technik ist eine Weiterentwick-

lung der DTL-Technik. Bei dieser Technik werden die Eingangsdioden des DTL-
Systems durch einen bipolaren Multi-Emitter-Transistor ersetzt; der im Satti-
gungsbereich arbeitet.
In Bild 5.26 ist eine TTL-Schaltung dargestellt.
Haben samtliche Eingange (E-i, E2, E3) positive Spannung (1 -Signal), so verhalt
sich der Eingangstransistor T-j invers, d.h. die Basis-Kollektorstrecke ist leitend,
wahrend die Basis-Emitterstrecke gesperrt ist. Transistor T2 erhalt über R-, /T 1
Basisstrom, so daR T2 voll durchsteuert. Über R2/T2 flieRt Steuerstrom in die
Basis von T4 und T4 wird leitend. Ausgang A führt 1 -Signal; Transistor T3 ist
gesperrt.
Liegt an einem der Eingange O-Signal, so wird T-j leitend. An T2 gelangt O-Sig-
nal und wird gesperrt. T3 kann über R2 Steuerstrom erhalten und durchsteuern.
Ausgang A führt 1 -Signal. Transistor T4 sperrt ebenfalls, da T4 infolge des Sperr-
zustandes von T2 keinen Steuerstrom erhalt und über R3 auf OV (O-Signal) liegt.

Die vorstehend beschriebene Schaltfunktion stelIt eine NAND-Funktion dar.

Die Gegentaktstufe am Ausgang (Gegentakt-Ausgang T3 und T4) ist in beiden

Schaltzustanden (1 und 0) niederohmig. Dadurch wird die Störsicherheit (hoher
Störabstand) günstig beeinfluRt. AuRerdem werden hohe Arbeitsgeschwindigkei-
ten erreicht. TTL-Schaltungen sind z.B. etwa doppelt so schnell wie die DTL-
Schaltungen.
Heute ist die TTL-Technik mit am weitesten verbreitet.

Bild 5.26:
TTL-NAND-Gatter

119
 Ein TTL-Schaltkreis, der auch T2 L-Schaltkreis genannt wird, ist ein digitaler in-
tegrierter Schaltkreis in Transistor-Transistor-Logik.

5.3.6 ECL-Technik

ECL heiSt emittergekoppelte Transistor-Logik (emitter coupled transistor logic).

Man versteht darunter eine logische Verknüpfung durch emittergekoppelte Paral-
lel-Transistoren. Diese emittergekoppelte Schaltung ist eine ungesattigte Schal-
tung. Die Transistoren werden nur im ungesattigten Bereich betrieben und somit
nicht übersteuert. Die Transistoren arbeiten also im ungesattigten, oder aktiven
Bereich der Kennlinie. Durch den damit verbundenen Wegfall von Speicherzeiten
sind sehr hohe Schaltgeschwindigkeiten möglich, d.h. Schaltverzögerungen wer­
den vermieden.
Bild 5.27 zeigt eine ECL-Schaltung, die im Prinzip einen Differenzverstarker dar-
stellt. Die Transistoren T-, bis T3 bilden mit ihren Logikeingangen die eine Half-
te des Differenzverstarkers. Die andere Halfte bildet der Transistor T4 an dessen
Basis eine Referenzspannung (stabilisierte Gleichspannung) liegt. Wird die Span-
nung an den Eingangen OV (O-Signal), so sperren die Transistoren T-j bis T3; T4
ist dann leitend und TA-, gesperrt. Der Ausgang A-, liegt dadurch ebenfalls auf
OV (O-Signal). Da die Transistoren Tt bis T3 gesperrt sind, liegt somit an der Ba­
sis von TA2 die Spannung +UB; Ausgang A2 hat ebenfalls +UB (1 -Signal). Beide
Ausgange verhalten sich komplementar (erganzend) zueinander und sind als
Emitterfolger niederohmig ausgelegt. Dadurch ist eine grotëe Ausgangsfacherung
(infolge nachgeschalteter Gatter) möglich. Sobald nur einer der Transistoren,
z.B. T-,, durch Anlegen der Spannung +UB (1-Signal) an seiner Basis leitend
wird, sperrt T4 und TA-, wird leitend. Ausgang A-, hat ebenfalls +UB (1-Signal)
und am Ausgang A2 liegt OV (O-Signal).
Es handelt sich bei dieser Schaltung um eine ODER/NOR-Verknüpfung, d.h.
Ausgang A-, hat ODER-Verknüpfung und Ausgang A2 hat NOR-Verknüpfung.

E3o-
Sn 1
OOER -Gatter Aj
Aj rEjVEpvEj
NOR-Gatter A2 Bild 5.27:
A2.-Ë,vE2ve3 ECL-ODER/NOR-Gatter

120
Der Vorteil dieser Schaltungsart ist die besonders hohe Arbeitsgeschwindigkeit.
Nachteilig ist der hohe Leistungsverbrauch, da die meisten Transistoren dauernd
Strom führen; sowie die geringe Störsicherheit.

Bei einem Differenzverstarker handelt es sich um einen symmetrischen Gleich-

spannungsverstarker mit mehreren Ein- und Ausgangen. Zwischen den Ausgan-
gen tritt die Differenz der Eingangssignale auf.
Bei jeder Verstarkerstufe in Emitterschaltung ist das Ausgangssignal gegenüber
dem Eingangssignal um 180 ° phasenverschoben.
Unter Emitterfolger versteht man die Kollektorschaltung eines Transistors, bei
welcher der Eingang zwischen Basis und Kollektor und der Ausgang am Emitter
liegt. Emitterfolger haben die Eigenschaft, dafl ihr Eingangswiderstand sehr
hoch, der Ausgangswiderstand sehr klein ist.
Ein ECL-Schaltkreis ist ein emittergekoppelter logischer Schaltkreis (emitter
coupled logic).

Eigenscho/ten verschiedener Schaltungsfamilien

Schaltkreis beforzugler mini mater Verzoge - Stör - Verlust -

- familie Logiktyp Signathub rungszeit abstand leistung
in mW
IV] fnsj [Vl je Gatier

RTL NOR 1.0 15 0.3 15

RCTL NOP 1.0 12 0.3 15

DTL NAND 1.5 25 O.ö 5 - 15

DTLZ NAND 5 100 - 200 4 r 6 20 - 50

TTL NAND 1.0 10 r 20 0.4 r 1.0 20

ODER I 0.4 4 0.1 - 0.4 35 r 100

ECL
NOR

Die MOS-Schaltungen, nebst ihren Vorteilen gegenüber den bipolaren Techniken,

wurden in Kapitel 5.1.2 (MOS-FET-IC) bereits beschrieben.

121
I
6
Bauelemente der Vierschichthalbleiter

6.1 Vierschichtdiode

Die Vierschichtdiode besteht aus vier Halbleiterschichten mit wechselnder Dotie-

rung in der Zonenfolge pnpn (Bild 6.1). Bei dieser Zonenfolge sind nur die bei­
den auBeren Schichten mit Anschlüssen versehen.

Dotierung und Starke der betreffenden Zonen sind so aufgegliedert, daB sich
Pi n-| p2 wie ein pnp-Transistor, n-, p2n2 wie ein npn-Transistor und der Übergang
n-!p2 wie eine Z-Diode verhalten (Bild 6.2).

6.1.1 Wirkungsweise

Eine derartige Diode wird so betrieben, daB der Pluspol der Spannungsquelle an
der p-Schicht und der Minuspol an der n-Schicht liegt (siehe Bild 6.3). Bei die­
ser Schaltung werden also die beiden auBeren Übergange p-! n-, und p2n2 in
DurchlaBrichtung und der mittlere Übergang dagegen in Sperrichtung bean-
sprucht. Es flieSt bei niedriger Betriebsspannung lediglich ein sehr kleiner Sperr-
strom, da die Sperrschicht nur die wenigen Minoritatstrager passieren können.
Die Diode befindet sich im Blockierzustand. Erhöht man die angelegte Span-

a.) Anode
Anode Katode o P2 pnp -Transistor
P P r 'n o

b.)
* °1 P2 Z- Diode

Bild 6.1: Katode

npn - o
Vierschichtdiode Transistor
a) Schichtenanordnung
b) Schaltzeichen Bild 6.2:
Gliederung der Schichtenanordnung
einer Vierschichtdiode

122
 Sperr schicht
*A i m L-/C
P1 ?/ P2 n2W~\

r f© -
CD

uf
Bild 6.3:
Vierschichtdiode mit Spannungsquelle
und Widerstand in DurchlaBrichtung

Bild 6.4:
Kennlinien-Verlauf einer Vierschicht­
diode

nung, so erfolgt schlieBlich im Übergang n-j p2 ein Spannungsdurchbruch, ein

sogenannter Zenerdurchbruch, der zu einem steilen Stromanstieg führt. Die
Diode kippt jetzt von dem gesperrten (blockierten) in den leitenden Zustand.

Die Leitfahigkeit wird dabei plötzlich erhöht, und die auBeren Schichten (p-j,
n2) können zusatzlich Ladungstrager nachliefern.

Ursache: Der Diodenstrom wachst lawinenhaft an, die Spannung sinkt stark
ab und der Diodenwiderstand nimmt sehr geringe Werte an (ist niederohmig).

Die Spannung an der Diode bricht also zusammen, und zur Begrenzung des
jetzt einsetzenden (lawinenhaften) Stromes, muR die Vierschichtdiode mit
einem Vorwiderstand Rv arbeiten.
Die Vierschichtdiode hat in der üblichen Betriebsweise zwei mögliche stabile
Zustande:
— den leitenden Zustand, in dem ihr Widerstand sehr klein ist und
— den nichtleitenden Zustand, in dem ihr Widerstand sehr groB ist.

Leitender Zustand: Der niederohmige Zustand bleibt erhalten, solange eine

sogenannte Haltespannung UH und ein bestimmter Haltestrom IH (siehe
Kennlinie — Bild 6.4) nicht unterschritten werden.

Gesperrter Zustand: Werden aber UH und IH einmal unterschritten, so kippt

also die Vierschichtdiode in den gesperrten Zustand.
Aufgrund dieser Eigenschaft können Vierschichtdioden in Kipp-, Impuls- und
Zahlschaltungen eingesetzt werden.

Die Haltespannung UH ist der Spannungswert, bei dessen Unterschreitung die

Vierschichtdiode in den blockierten (nichtleitenden) Zustand zurückkippt. Der
dabei noch flieBende DurchlaBstrom ist der Haltestrom IH*

123
 Kenn/inie: Das elektrische Verhalten der Vierschichtdiode kann auch aus ihrer
Kennlinie (Bild 6.4) entnommen werden.
Die Kennlinie kann man in verschiedene Bereiche einteilen:
Punkt (1) soll hier der Sperrbereich sein. In diesen Bereich flieBt zunachst ein
sehr kleiner Sperrstrom. Wird die Spannung weiter gesteigert, so kommt es
schlieKlich zum Durchbruch (dieser Zustand ist uns noch von der Z-Diode her
bekannt); das hat einen steilen Stromanstieg zur Folge.
Erreicht die Spannung im Punkt (2) die Abbruchspannung, so kippt das Bauele-
ment in den niederohmigen Zustand um.
Zwischen den Punkten (2) und (3) befindet sich der Blockierbereich.
Ab Punkt (3) arbeitet die Diode im DurchlaBbereich. Hier flieBt trotz kleiner
Spannung wieder ein groBer Strom.

6.2 Der Thyristor

6.2.1 Aufbau des Thyristors

Der Name Thyristor ist aus den Wörtern Thyratron und Transistor gebildet wor-
den, weil dieses Bauelement sowohl Eigenschaften des Thyratrons als auch des
Transistors besitzt.
Der Thyristor besteht wie die Vierschichtdiode aus vier Schichten, die abwech-
selnd p- und n-dotiert sind, hat aber auBerdem einen weiteren AnschluB an der

Anode Kotode
o jp p M

Steueransch/uf) Hartlot
p-Gate

Bild 6.5:
Schichtenanordnung eines p-Gate-
Thyristors
Bild 6.6:
Schnitt durch einen Thyristor
1) Kupferboden (Anode)
2) SchweiSring
3) Keramikgehause aus Al203
4) Thyristortablette
5) SteueranschluB
6) KatodenanschluB

124
mittleren p-Schicht (p2-Schicht), die Steuerelektrode, Gate oder Tor genannt
wird (Bild 6.5).
Die auGere p-Schicht (p-,-Schicht), Anode genannt, ist mit dem metallischen Ge-
hauseboden verbunden, und die auGere n-Schicht (n2-Schicht), Katode genannt,
ist mit einer AnschluGleitung verbunden. Zu der inneren p-Schicht, wird wie er-
wahnt, ein AnschluG, die Steuerelektrode geführt. Bild 6.6 zeigt einen Schnitt
durch diesen Thyristor.
Damit die Temperatur im Thyristor nicht zu hoch wird, muG er gekühlt werden.
Das geschieht mit Hilfe eines metallischen Kühlkörpers, d.h. der Gehauseboden
des Thyristors wird auf einen Kühlkörper geschraubt.
Anstelle der mittleren p-Zone kann auch die mittlere n-Zone als Steuerelektrode
dienen (Bild 6.7). Man spricht dann von n-gesteuerten Thyristoren. Diese werden
aber nur noch selten verwendet.

Thyristoren sind steuerbare Siliziumgleichrichter mit drei Anschlüssen.

6.2.2 Wirkungsweise des Thyristors

Legt man eine auGere Spannung so an die auGeren Schichten, daG der Minuspol
an der Anode und der Pluspol an der Katode liegt, dann sind die beiden auGeren
pn-Übergange gesperrt. Ein Strom kann nicht flieGen (Bild 6.8). Es sperren also
die beiden auGeren pn-Übergange, wahrend die mittlere Schicht leitend wird.

Polt man die auGere Spannung an Anode („—" an Anode) und Katode („+" an
Katode) urn, so ist der mittlere Übergang gesperrt (Bild 6.9). Auch jetzt kann
kein Strom flieGen.

Anode P n P n
f~P~ n P ~n~k Katode
T
AnncinJ®®® Ö0, ,0© §®0l Katode
j—100® 001 |00 ©0©|—-
|0®0 00j jl |00 0©®P
Soerrschicht
Steueranschlufl
o
n - Gate Steuerelektrode

Bild 6.7:
Schichtenanordnung eines n-Gate-Thy- Bild 6.8:
ristors Bewegungsrichtung der Ladungstrager
in einem Thyristor bei AnschluB an
eine Batterie, die in DurchlaBrichtung
gepolt ist.

125
 P n P n
AnodeJ®©' 'Ö© ®®i >eel Katode
—|©©i 'e© ©ei ie©|— StfC)

n
"00! | '00100' !ee| 00® ee„ o* © ®0®
Sperr- Sperr - ©0© ee^e* 0 00®
Schicht Schicht 00® ©©Z.-0T © ©0® -
S teuerelektrode P P

Bild 6.9:
Bewegungsrichtung der Ladungstrager
in einem Thyristor bei AnschluB an
eine Batterie, die in Sperrichtung ge-
polt ist.
Bild 6.10:
Bewegungsrichtung der Ladungstrager
bei AnschluB der Steuerelektrode an
eine Batterie.

In beiden Fallen kann kein Strom flieBen und der Thyristor ist gesperrt, da im­
mer einer der pn-Übergange gesperrt ist.

Legt man jetzt eine Steuerspannung an die Steuerelektrode, die ebenfalls positiv
gegenüber der Katode ist, so flieSt über die mittlere Schicht ein Steuerstrom. Der
Steuerstrom überflutet dabei den mittleren pn-Übergang so stark mit positiven
Ladungstragern, daB die Sperrschicht abgebaut wird. Schematisch ist dies in Bild
6.10 dargestellt.

Die Steuerelektrode dient dazu, den in DurchlaBrichtung an Spannung liegenden

Thyristor (Bild 6.10) mit zusatzlichen Ladungstragern zu versorgen und leitend
zu machen.

Es erfolgt eine Zündung, d.h. der Thyristor schaltet durch. Zum Zünden des
Thyristors reicht eine Spannung von etwa 3V.
Wird nach erfolgtem Zünden oder Durchschalten die Spannung an der Steuer­
elektrode abgeschaltet, so flieSt auch weiterhin ein groBer Strom (DurchlaB-
strom). Die mittleren Sperrschichten bleiben wegen der immer wieder injizier-
ten freien Ladungstragern durchlassig.
Der Thyristor bleibt solange durchgeschaltet, bis der Anoden-Katodenstrom
(DurchlaBstrom) unter den sogenannten Haltestrom abgesunken ist.

Der Haltestrom ist der kleinste DurchlaBstrom, bei dem sich der Thyristor
noch im leitenden Zustand befindet.

Bei der Verwendung des Thyristors als Schalter für Gleichstrom sind zusatzliche
Löscheinrichtungen notwendig.
lm Bild 6.11 ist der Thyristor dargestellt als eine Kombination von zwei komple-

126
 A

€>
*Ci

os/fö;

fk
* Bild 6.11:
Tj B-Dj, C=Pp .£ =Pj Ersatzschaltung eines Thyristors (Kombination
Tp. B=P2.C=Oj , E = np zweier komplementarer Transistoren)

mentaren (ergënzenden) Transistoren. Dabei ist Ti ein pnp- und T2 ein npn-
Transistor.
Legt man eine positive Spannung an die Anode (+A), so bleiben beide Transisto­
ren vorlaufig gesperrt. Erst wenn man an die Steuerelektrode St eine positive
Spannung anlegt, kippt T2 in den niederohmigen Zustand und sein Kollektor-
potential wird niedriger. Das wiederum lost einen Spannungsanstieg von Basis
(B-j) und Emitter (E-\) aus. Damit wird auch T-| leitend.

In der Transistorschaltung sind die Transistoren T^ und T2 ohne Steuerspannung

gesperrt.

Der Kollektorstrom von T^ teilt sich nach Bild 6.11 auf in den Basisstrom von
T2 und den Strom durch RL; an RL findet ein Spannungsabfall statt. Der besag-
te Spannungsabfall an RL steuert den npn-Transistor T2 selbst dann noch durch,
wenn keine aufcere Spannung anliegt. Ein Sperren beider Transistoren kann erst
wieder erfolgen, wenn der Strom durch RL einen Mindestwert (Haltestromwert
IH) unterschreitet.

Der Thyristor bleibt so lange gezündet, wie die angelegte Steuerspannung einen
bestimmten Wert (Haltespannungswert UH) nicht unterschreitet.

6.2.2.1 Kennlinie des Thyristors

Bild 6.12 zeigt die Kennlinie eines Thyristors, welche die Zusammenhënge zwi-
schen Strom und Spannung veranschaulicht.

127
 kt2 !St,_ _ kto
1h~
ur_

0*2 Uk, UKq UAtUF)

Sperrbereich «- Nullkippspann ung —►

Bild 6.12:
te Kennlinien des Thyristors

Die DurchlaBkennlinie verlauft sehr steil und hat Ahnlichkeit mit der Kennlinie
einer Gleichrichterdiode. Die Spannung im durchgeschalteten Zustand liegt etwa
zwischen 1V und 1,5V. Diese Kennlinie endet beim Haltestrom IH. Ein Unter-
schreiten von IH hat Sperren bzw. Blockieren des Thyristors zur Folge. Der Tran­
sistor schaltet somit von der DurchlaSkennlinie auf die Blockierkennlinie.

Hat die Anodenspannung UA (Spannung auf der waagerechten Achse) einen be-
stimmten Wert erreicht, dann zündet der Thyristor auch ohne Steuerspannung.
Diesen Wert der Anodenspannung nennt man die Nullkippspannung Uko. Hier
bedeutet der Index 0, daS die Zündspannung Null ist, und der Index k heiBt kip­
pen bzw. zünden. Die Kennlinie reiSt also bei Uko ab. Wird die Nullkippspannung
aber überschritten, so schaltet der Thyristor auf die DurchlaSkennlinie urn, auch
bei einem Steuerstrom Null. Sobald ein Steuerstrom flieSt, kippt also der Thyri­
stor schon vor Erreichen der Nullkippspannung in den leitenden Zustand.

Wird der Thyristor im Sperrbereich betrieben, d.h. ist die Anode negativer als
die Katode, dann ist das Strom-Spannungsverhaltnis ahnlich wie bei der im
Sperrbereich betriebenen Siliziumdiode. Erhöht man die negative Sperrspannung
über einen kritischen Wert hinaus, dann tritt „Lawinendurchbruch" ein, wobei
der Sperrstrom steil ansteigt. Diese Erscheinung sollte man jedoch nicht ausnut-
zen, weil sonst der Thyristor zerstört werden kann.

6.2.2.2 Das Zünddiagramm

Von den Herstellern werden für die einzelnen Thyristortypen Zünddiagramme

herausgegeben. Diese Datenblatter enthalten u.a. Angaben über die:
— zulassige periodische Spitzensperrspannung;

128
 o)
yS Bereich m
< sichere Zund-
UC spannung Impuls I
o Steuer-
gerat

U 'V/ Ul
Bereich moglicher Zündung
c1
t2

§
&
T? Bereich I
b)
untere Zündsponnung

Zündstrom
ic U"V Tj gezundet

Bild 6.13:
Zünddiagramm eines Thyristors
Zund- Strom
wirkel fluB
OL winkel
vr T2 gezündet

Bild 6.14:
a) Wechselstromschalter in Antiparal-
lelschaltung mit zwei Thyristoren
b) Zeitabhangiger Verlauf der Netz-
und Verbraucherspannung

— Nullkippspannung, bei dem für einen Steuerstrom von Null der Kippvorgang
vom Blockier- in den Durchlaftzustand erfolgt. Eine Zündung durch Über-
schreiten der Nullkippspannung kann auf die Dauer zu Schaden führen.
— zulassiger Zündstrom
— Durchschaltdauer (z.B. Dauer der Zündimpulse bei Impulszündung).
Das Zünddiagramm (Bild 6.13) zeigt die Zusammenhange von Steuerstrom und
Steuerspannung (IG/UG*Charakteristik des Thyristors), und ist in verschiedene
Bereiche eingeteilt:
Bereich I (untere Zündspannung): eine Zündung ist nicht möglich;
Bereich II (schraffiertes Feld): in diesem Bereich kann eine Zündung erfolgen.
Bereich III (obere Zündspannung): ist der Bereich sicherer Zündung.

6.2.2.3 Grundscha/tungen mit Thyristoren

a) Leistungsaufnahme im Wechselstromkreis
Werden zum Aufbau eines Wechselstromstellers zwei antiparallel geschaltete
Thyristoren benötigt (Bild 6.14a), so kann dem Verbraucher RL auch Wechsel-
strom zugeführt werden. Denn bei diesem Bauelement liegt je ein Thyristor für

129
 die positive bzw. negative Halbwelle in Durchlatërichtung. Dadurch ist es mög-
lich dem Verbraucher beide Halbwellen zuzuführen. Eine Leistungsaufnahme
kann somit auch im Wechselstromkreis erfolgen, da beide Halbwellen angeschnit-
ten werden können.

Die beiden Thyristoren werden mit Phasenanschnittssteuerung durch ein Impuls-

gerat betrieben.

Das Anschneiden bei Wechselstrom entspricht einer fast verlustlosen Leistungs-

steuerung.
Die Thyristoren müssen zu Beginn jeder Halbwelle eingeschaltet werden durch
Zünden eines Zündimpulses zum gewünschten Zeitpunkt. Mit dem Zündimpuls
wird die Halbwelle angeschnitten. Man spricht deshalb von einer Anschnitts-
steuerung. Die zeitliche Verschiebung des Zündimpulses entspricht einer Phasen-
verschiebung, deren Betrag als Zünd- oder Steuerwinkel bezeichnet wird. Der
Zündwinkel kann mit dem Impulsgerat von 0 ° bis 180 ° verandert werden.

Der Thyristor wird durch Zündverzögerung nur in einem Teil der Halbschwin-
gung auf DurchlaS geschaltet. Die Verzögerung wird in Winkelgraden angegeben
und mit dem Winkel a bezeichnet (Bild 6.14b).

Werden die Impulse gegenüber dem Nulldurchgang der Betriebswechselspannung

verzögert, so gelangen nur noch durchgelassene Teile (Teilausschnitte) der Span-
nung an die Verbraucher.

Ein Wechselstromsteller kann z.B. zur Helligkeitssteuerung der Glüh- und Leucht-
stofflampen verwendet werden.
Zwei Thyristoren in Antiparallelschaltung, die mit einer Anschnittsteuerung be­
trieben werden, können auch als Wechselstromschalter arbeiten. Beim Wechsel-
stromschalter werden die Thyristoren voll angesteuert (jede volle Halbwelle der
Spannung wird ausgenutzt), d.h. also über die ganze Halbschwingung hinweg ein­
geschaltet oder gesperrt.

Bild 6.15:
Ein- und Ausschaltung von Gleich*
Löscheinrichtuna stromkreisen mit Thyristoren

130
b) Der Thyristor a/s Schatter im G/eichstromkreis
Bei Verwendung als Schalter im Gleichstromkreis ist, wie bereits angedeutet,
eine zusatzliche Löscheinrichtung notwendig. Bild 6.15 zeigt eine Löschschal-
tung für Thyristoren im Gleichstromkreis. Sobald die Taste S-| geschlossen wird,
erhalt das Gate des Thyristors Steuerspannung und der Thyristor schaltet durch.
Zum Löschen wird ein Kondensator C benötigt. Über den Widerstand R2 ladt
sich zunachst der Kondensator etwa auf die Spannung UB auf. Möchte man den
Thyristor löschen, so drückt man die Taste S2 und der Kondensator entladt sich.
Die Kondensatorspannung Uc wirkt sozusagen als Gegenspannung der Betriebs-
spannung UB entgegen. Der Betriebsstrom wird dadurch unterbrochen, so daS
der Thyristor gelöscht wird.

Zum Ausschalten (Löschen) des Thyristors sind besondere Löschschaltungen er-

forderlich. Üblich ist das Löschen durch kurzzeitiges Unterbrechen (Haltestrom
wird unterschritten) des Laststromkreises. Der Kondensator C wird auch als
Löschkondensator bezeichnet.

Die Taste S2 kann auch durch einen weiteren Thyristor, den Löschthyristor er-
setzt werden. Der Löschvorgang beginnt, nachdem der Kondensator C entladen
ist und damit der Haltestrom des Löschthyristors unterschritten wird.

Der Löschthyristor wird also automatisch gelöscht, da sein Strom nach dem Ent­
laden des Kondensators C unter den Haltestrom sinkt.

Anwendungsmöglichkei ten:
— Zur Helligkeitssteuerung von Beleuchtungsgeraten,
— für steuerbare Gleichrichterschaltungen,
— zur Temperatursteuerung von Heizanlagen.
AuRerdem bieten Thyristoren die Möglichkeit einer fast verlustlosen Regelung
und Steuerung bei der Leistungsaufnahme von Verbrauchern in Wechselstrom-
kreisen.

6.3 Der Diac

Als Diac bezeichnet man eine Zweiweg-Triggerdiode (Fünfschichtdiode).

Das Wort „triggern" kommt aus dem Englischen und heiBt im Sinne der Elek-
tronik: Leitendmachen einer Strecke beim Überschreiten eines Schwellwertes;
es ist auch die Bezeichnung für das auslösende Signal. Eine Triggerdiode ist ein
elektronisches Bauteil zum Ausiösen eines Vorgangs; sie dient u.a. zur Zündung
von Triac-Schaltungen.

131
 a)
j P |> j p
o- o
t,"3 p l^-J p r
b)
o o

Bild 6.16:
Zweiweg-Triggerdiode (Diac)
a) Kristallaufbau
I
Bild 6.17:
b) Schaltzeichen Ersatzschaltung des Diac

Der Diac ist eine Abkürzung für „Diode alternating current switch". Dieser Name
bedeutet „Diodenwechselstromschalter".

Der Diac entsteht, wenn man zwei Vierschichtdioden in Antiparallelschaltung

auf einem Siliziumkristall anordnet. Bild 6.16 zeigt die Schichtenfolge einer
Zweiweg-Triggerdiode. Jede der beiden Schichtenfolge verhalt sich dabei wie
eine Vierschichtdiode.
Die Antiparallelschaltung zweier Thyristordioden geht aus der Ersatzschaltung in
Bild 6.17 hervor.
Die Kennlinie einer Zweiweg-Thyristordiode ist in Bild 6.18 dargestellt. Beim
Anlegen einer Wechselspannung an den Diac, schaltet die Diode erst dann durch,
wenn die Kippspannung Uk (Zündspannung).überschritten wird. Das gilt für bei­
de Schaltrichtungen, d.h. für die negative als auch für die positive Halbwelle des
Wechselstroms. Der Diac wird jetzt niederohmig, wobei die Spannung an den An-

Anode 1 (Aj)

Nullkipp-
*~sponnung m
I
9Ur Uh\
UH UF
■ÜÜL Steuerelektrode
o0

Ih
m_Nullkipp -
spannung
m
I
Ik Anode 2 (Ap)

Bild 6.18: Bild 6.19:

Kennlinie eines Diacs (Zweiweg- Ersatzschaltbild eines Triacs
Thyristordiode)

132
schlüssen auf den Wert der Haltespannung UH von etwa 1V absinkt. Nach Unter-
schreiten der Haltespannung wird der Diac wieder hochohmig.

Der Diac, auch Fünfschichtdiode genannt, schaltet in beiden Polungsrichtungen.

Sie ist daher eine Zweiwegschaltdiode.

Zweiwegschaltdioden- oder Triggerdioden, werden vor allem zum Zünden des im

nachsten Kapitel naher erlauterten Triac verwendet.
Der Diac ist also vornehmlich e