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1N4001S ...

1N4007S

1N4001S ... 1N4007S IFAV = 1 A VRRM = 50...1000 V


Standard Recovery Rectifier Diodes VF < 1.0 V IFSM = 30 A
Gleichrichterdioden mit Standard-Sperrverzug Tjmax = 150°C trr ~ 1500 ns

Version 2016-09-21
Typical Application Typische Anwendung
~A-405
50/60 Hz Mains Rectification, 50/60 Hz Netzgleichrichtung,
Power Supplies, Polarity Protection Stromversorgungen, Verpolschutz
Commercial grade 1) Standardausführung 1)

+0.1
Features Besonderheit
Ø 2.6 -0.6 Thin lead wires Dünne Anschlussdrähte
Special grade 1N400xGP available RoHS
Sonderversion 1N400xGP erhältlich
Compliant to RoHS, REACH, Konform zu RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Pb Konfliktmineralien 1)

WE
62.5-7.5

V
5.1+0.1
-0.9
Type

EL
EE
Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1)
Taped in ammo pack 5000 Gegurtet in Ammo-Pack
(on reel on request, suffix R) (auf Anfrage Rolle, Suffix R)
Ø 0.54±0.04
Weight approx. 0.4 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
Dimensions - Maße [mm] MSL N/A

Maximum ratings 2) Grenzwerte 2)


Type Repetitive peak reverse voltage Surge peak reverse voltage
Typ Periodische Spitzensperrspannung Stoßspitzensperrspannung
VRRM [V] VRSM [V]
1N4001S 50 50
1N4002S 100 100
1N4003S 200 200
1N4004S 400 400
1N4005S 600 600
1N4006S 800 800
1N4007S 1000 1000

Max. average forward rectified current, R-load TA = 75°C IFAV 1 A 3)


Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TA = 100°C 0.8 A 3)
Repetitive peak forward current f > 15 Hz IFRM 5.4 A 3)
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave TA = 25°C IFSM 27/30 A
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 3.6 A2s
Junction temperature – Sperrschichttemperatur Tj -50...+150°C
Storage temperature – Lagerungstemperatur TS -50...+150°C

1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1


1N4001S ... 1N4007S

Characteristics Kennwerte
Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 1 A VF < 1.0 V
Leakage current Tj = 25°C VR = VRRM IR < 5 µA
Sperrstrom Tj = 100°C VR = VRRM IR < 50 µA
Typical junction capacitance VR = 4 V Cj 15 pF
Typische Sperrschichtkapzität
Reverse recovery time IF = 0.5 A through/über trr typ. 1500 ns
Sperrverzug IR = 1 A to IR = 0.25 A
Thermal resistance junction to ambient air RthA < 50 K/W 1)
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Thermal resistance junction to lead RthL < 25 K/W
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht

120 102
[%]
[A]
100
Tj = 125°C
10

80
Tj = 25°C

60 1

40

10-1
20
IF
IFAV
50a-(1a-1.1v)
0 10-2
0 TA 50 100 150 [°C] 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8
Rated forward current versus ambient temperature1) Forward characteristics (typical values)
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) Durchlasskennlinien (typische Werte)

2
10

[A]

10

îF

1
2 3
1 10 10 [n] 10
Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz
Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz

Disclaimer: See data book page 2 or website


Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder oder Internet

1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case


Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG