F3L200R07W2S5F_B11

EasyPACK™ModulmitTRENCHSTOP™5undCoolSiC™SchottkyDiodeundPressFIT/NTC
EasyPACK™modulewithTRENCHSTOP™5andCoolSiC™SchottkydiodeandPressFIT/NTC

VCES = 650V
IC nom = 100A / ICRM = 200A

PotentielleAnwendungen PotentialApplications
• 3-Level-Applikationen • 3-level-applications
• Motorantriebe • Motordrives
• SolarAnwendungen • Solarapplications
• USV-Systeme • UPSsystems

ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures
• CoolSiCTMSchottkyDiodeGen5 • CoolSiCTMSchottkydiodegen5
• ErhöhteSperrspannungsfestigkeitauf650V • Increasedblockingvoltagecapabilityupto650V
• NiedrigeSchaltverluste • Lowswitchinglosses

MechanischeEigenschaften MechanicalFeatures
• Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen • Al2O3substratewithlowthermalresistance
Widerstand
• KompaktesDesign • Compactdesign
• PressFITVerbindungstechnik • PressFITcontacttechnology
• Robuste Montage durch integrierte • Rugged mounting due to integrated mounting
Befestigungsklammern clamps

ModuleLabelCode
BarcodeCode128 ContentoftheCode Digit
ModuleSerialNumber 1-5
ModuleMaterialNumber 6-11
ProductionOrderNumber 12-19
DMX-Code
Datecode(ProductionYear) 20-21
Datecode(ProductionWeek) 22-23

Datasheet PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V3.0

www.infineon.com 2020-06-29
F3L200R07W2S5F_B11

IGBT,T1/T4/IGBT,T1/T4
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Tvj = 25°C VCES  650  V
Collector-emittervoltage
ImplementierterKollektor-Strom
ICN  200  A
Implementedcollectorcurrent
Kollektor-Dauergleichstrom
TH = 65°C, Tvj max = 175°C ICDC  95  A
ContinuousDCcollectorcurrent
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
tP = 1 ms ICRM  400  A
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gate-Emitter-Spitzenspannung
VGES  +/-20  V
Gate-emitterpeakvoltage

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung IC = 100 A Tvj = 25°C 1,17 1,38 V
Collector-emittersaturationvoltage VGE = 15 V Tvj = 125°C VCE sat 1,20 V
Tvj = 150°C 1,21 V
Gate-Schwellenspannung
IC = 2,00 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 3,25 4,00 4,75 V
Gatethresholdvoltage
Gateladung
VGE = -15 / 15 V, VCE = 400 V QG 0,84 µC
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω
Internalgateresistor
Eingangskapazität
f = 100 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 14,3 nF
Inputcapacitance
Rückwirkungskapazität
f = 100 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,05 nF
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
VCE = 650 V, VGE = 0 V Tvj = 25°C ICES 1,0 mA
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast IC = 100 A, VCE = 300 V Tvj = 25°C 0,097 µs
td on
Turn-ondelaytime,inductiveload VGE = -15 / 15 V Tvj = 125°C 0,087 µs
RGon = 20 Ω Tvj = 150°C 0,082 µs
Anstiegszeit,induktiveLast IC = 100 A, VCE = 300 V Tvj = 25°C 0,046 µs
tr
Risetime,inductiveload VGE = -15 / 15 V Tvj = 125°C 0,05 µs
RGon = 20 Ω Tvj = 150°C 0,054 µs
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast IC = 100 A, VCE = 300 V Tvj = 25°C 0,654 µs
td off
Turn-offdelaytime,inductiveload VGE = -15 / 15 V Tvj = 125°C 0,687 µs
RGoff = 39 Ω Tvj = 150°C 0,704 µs
Fallzeit,induktiveLast IC = 100 A, VCE = 300 V Tvj = 25°C 0,029 µs
tf
Falltime,inductiveload VGE = -15 / 15 V Tvj = 125°C 0,033 µs
RGoff = 39 Ω Tvj = 150°C 0,033 µs
EinschaltverlustenergieproPuls IC = 100 A, VCE = 300 V, Lσ = 35 nH Tvj = 25°C 2,79 mJ
Turn-onenergylossperpulse di/dt = 1800 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C Eon 3,20 mJ
VGE = -15 / 15 V, RGon = 20 Ω Tvj = 150°C 3,51 mJ
AbschaltverlustenergieproPuls IC = 100 A, VCE = 300 V, Lσ = 35 nH Tvj = 25°C 1,21 mJ
Turn-offenergylossperpulse du/dt = 3700 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C Eoff 1,48 mJ
VGE = -15 / 15 V, RGoff = 39 Ω Tvj = 150°C 1,61 mJ
Kurzschlußverhalten VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V
ISC
SCdata VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt tP ≤ 0 µs, Tvj = 150°C 1600 A
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
proIGBT/perIGBT RthJH 0,814 K/W
Thermalresistance,junctiontoheatsink
TemperaturimSchaltbetrieb
Tvj op -40 150 °C
Temperatureunderswitchingconditions

Datasheet 2 V3.0
2020-06-29
F3L200R07W2S5F_B11

IGBT,T2/T3/IGBT,T2/T3
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Tvj = 25°C VCES  650  V
Collector-emittervoltage
ImplementierterKollektor-Strom
ICN  200  A
Implementedcollectorcurrent
Kollektor-Dauergleichstrom
TH = 65°C, Tvj max = 175°C ICDC  95  A
ContinuousDCcollectorcurrent
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
tP = 1 ms ICRM  400  A
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gate-Emitter-Spitzenspannung
VGES  +/-20  V
Gate-emitterpeakvoltage

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung IC = 100 A Tvj = 25°C 1,17 1,38 V
Collector-emittersaturationvoltage VGE = 15 V Tvj = 125°C VCE sat 1,20 V
Tvj = 150°C 1,21 V
Gate-Schwellenspannung
IC = 2,00 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 3,25 4,00 4,75 V
Gatethresholdvoltage
Gateladung
VGE = -15 / 15 V, VCE = 400 V QG 0,84 µC
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω
Internalgateresistor
Eingangskapazität
f = 100 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 14,3 nF
Inputcapacitance
Rückwirkungskapazität
f = 100 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,05 nF
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
VCE = 650 V, VGE = 0 V Tvj = 25°C ICES 0,044 mA
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast IC = 100 A, VCE = 300 V Tvj = 25°C 0,098 µs
td on
Turn-ondelaytime,inductiveload VGE = -15 / 15 V Tvj = 125°C 0,087 µs
RGon = 20 Ω Tvj = 150°C 0,085 µs
Anstiegszeit,induktiveLast IC = 100 A, VCE = 300 V Tvj = 25°C 0,037 µs
tr
Risetime,inductiveload VGE = -15 / 15 V Tvj = 125°C 0,043 µs
RGon = 20 Ω Tvj = 150°C 0,046 µs
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast IC = 100 A, VCE = 300 V Tvj = 25°C 0,651 µs
td off
Turn-offdelaytime,inductiveload VGE = -15 / 15 V Tvj = 125°C 0,685 µs
RGoff = 39 Ω Tvj = 150°C 0,695 µs
Fallzeit,induktiveLast IC = 100 A, VCE = 300 V Tvj = 25°C 0,018 µs
tf
Falltime,inductiveload VGE = -15 / 15 V Tvj = 125°C 0,024 µs
RGoff = 39 Ω Tvj = 150°C 0,026 µs
EinschaltverlustenergieproPuls IC = 100 A, VCE = 300 V, Lσ = 35 nH Tvj = 25°C 2,18 mJ
Turn-onenergylossperpulse di/dt = 2200 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C Eon 2,56 mJ
VGE = -15 / 15 V, RGon = 20 Ω Tvj = 150°C 2,79 mJ
AbschaltverlustenergieproPuls IC = 100 A, VCE = 300 V, Lσ = 35 nH Tvj = 25°C 1,28 mJ
Turn-offenergylossperpulse du/dt = 3500 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C Eoff 1,65 mJ
VGE = -15 / 15 V, RGoff = 39 Ω Tvj = 150°C 1,80 mJ
Kurzschlußverhalten VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V
ISC
SCdata VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt tP ≤ 0 µs, Tvj = 150°C 1600 A
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
proIGBT/perIGBT RthJH 0,814 K/W
Thermalresistance,junctiontoheatsink
TemperaturimSchaltbetrieb
Tvj op -40 150 °C
Temperatureunderswitchingconditions

Datasheet 3 V3.0
2020-06-29
F3L200R07W2S5F_B11

Diode,D1/D4/Diode,D1/D4
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Tvj = 25°C VRRM  650  V
Repetitivepeakreversevoltage
ImplementierterDurchlassstrom
IFN  120  A
Implementedforwardcurrent
Dauergleichstrom
IF  100  A
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
tP = 1 ms IFRM  240  A
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C 700 A²s
I²t  
I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C 690 A²s

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.

Durchlassspannung IF = 100 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C 1,38 1,65 V
Forwardvoltage IF = 100 A, VGE = 0 V Tvj = 125°C VF 1,49 V
IF = 100 A, VGE = 0 V Tvj = 150°C 1,52 V
Rückstromspitze IF = 100 A, - diF/dt = 1800 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 58,3 A
Peakreverserecoverycurrent VR = 300 V Tvj = 125°C IRM 74,4 A
Tvj = 150°C 77,6 A
Sperrverzögerungsladung IF = 100 A, - diF/dt = 1800 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 3,10 µC
Recoveredcharge VR = 300 V Tvj = 125°C Qr 5,40 µC
Tvj = 150°C 5,50 µC
AbschaltenergieproPuls IF = 100 A, - diF/dt = 1800 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 0,50 mJ
Reverserecoveryenergy VR = 300 V Tvj = 125°C Erec 0,57 mJ
Tvj = 150°C 0,69 mJ
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
proDiode/perdiode RthJH 1,15 K/W
Thermalresistance,junctiontoheatsink
TemperaturimSchaltbetrieb
Tvj op -40 150 °C
Temperatureunderswitchingconditions

Diode,D2/D3/Diode,D2/D3
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Tvj = 25°C VRRM  650  V
Repetitivepeakreversevoltage
ImplementierterDurchlassstrom
IFN  150  A
Implementedforwardcurrent
Dauergleichstrom
IF  100  A
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
tP = 1 ms IFRM  300  A
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C 770 A²s
I²t  
I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C 690 A²s

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.

Durchlassspannung IF = 100 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C 1,33 1,55 V
Forwardvoltage IF = 100 A, VGE = 0 V Tvj = 125°C VF 1,29 V
IF = 100 A, VGE = 0 V Tvj = 150°C 1,26 V
Rückstromspitze IF = 100 A, - diF/dt = 2200 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 47,6 A
Peakreverserecoverycurrent VR = 300 V Tvj = 125°C IRM 49,8 A
VGE = -15 V Tvj = 150°C 52,7 A
Sperrverzögerungsladung IF = 100 A, - diF/dt = 2200 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 1,90 µC
Recoveredcharge VR = 300 V Tvj = 125°C Qr 2,00 µC
VGE = -15 V Tvj = 150°C 2,10 µC
AbschaltenergieproPuls IF = 100 A, - diF/dt = 2200 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 0,527 mJ
Reverserecoveryenergy VR = 300 V Tvj = 125°C Erec 0,965 mJ
VGE = -15 V Tvj = 150°C 1,11 mJ
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
proDiode/perdiode RthJH 0,953 K/W
Thermalresistance,junctiontoheatsink
TemperaturimSchaltbetrieb
Tvj op -40 150 °C
Temperatureunderswitchingconditions

Datasheet 4 V3.0
2020-06-29
F3L200R07W2S5F_B11

Diode,D5-D6/Diode,D5-D6
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Tvj = 25°C VRRM  650  V
Repetitivepeakreversevoltage
ImplementierterDurchlassstrom
IFN  120  A
Implementedforwardcurrent
Dauergleichstrom
IF  100  A
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
tP = 1 ms IFRM  240  A
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C 700 A²s
I²t  
I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C 690 A²s

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.

Durchlassspannung IF = 100 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C 1,38 1,65 V
Forwardvoltage IF = 100 A, VGE = 0 V Tvj = 125°C VF 1,49 V
IF = 100 A, VGE = 0 V Tvj = 150°C 1,52 V
Rückstromspitze IF = 100 A, - diF/dt = 1800 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 58,3 A
Peakreverserecoverycurrent VR = 300 V Tvj = 125°C IRM 74,4 A
VGE = -15 V Tvj = 150°C 77,6 A
Sperrverzögerungsladung IF = 100 A, - diF/dt = 1800 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 3,10 µC
Recoveredcharge VR = 300 V Tvj = 125°C Qr 5,40 µC
VGE = -15 V Tvj = 150°C 5,50 µC
AbschaltenergieproPuls IF = 100 A, - diF/dt = 1800 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 0,50 mJ
Reverserecoveryenergy VR = 300 V Tvj = 125°C Erec 0,57 mJ
VGE = -15 V Tvj = 150°C 0,69 mJ
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper
proDiode/perdiode RthJH 1,15 K/W
Thermalresistance,junctiontoheatsink
TemperaturimSchaltbetrieb
Tvj op -40 150 °C
Temperatureunderswitchingconditions

NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
Nennwiderstand
TNTC = 25°C R25 5,00 kΩ
Ratedresistance
AbweichungvonR100
TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω ∆R/R -5 5 %
DeviationofR100
Verlustleistung
TNTC = 25°C P25 20,0 mW
Powerdissipation
B-Wert
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K
B-value
B-Wert
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K
B-value
B-Wert
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K
B-value
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.

Datasheet 5 V3.0
2020-06-29
F3L200R07W2S5F_B11

Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL  2,5  kV
Isolationtestvoltage
InnereIsolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
 Al2O3 
Internalisolation basicinsulation(class1,IEC61140)
Kriechstrecke Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink 11,5
  mm
Creepagedistance Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 6,3
Luftstrecke Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink 10,0
  mm
Clearance Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 5,0
VergleichszahlderKriechwegbildung
CTI  > 200 
Comperativetrackingindex
RelativerTemperaturindex(elektr.) Gehäuse
RTI  140  °C
RTIElec. housing
min. typ. max.
Modulstreuinduktivität
LsCE 20 nH
Strayinductancemodule
Lagertemperatur
Tstg -40 125 °C
Storagetemperature
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
F 40 - 80 N
mountig force per clamp
Gewicht
G 39 g
Weight

Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25A effektiv pro Anschlusspin begrenzt.
The current under continuous operation is limited to 25A rms per connector pin.

Datasheet 6 V3.0
2020-06-29
F3L200R07W2S5F_B11

AusgangskennlinieIGBT,T1/T4(typisch) AusgangskennlinienfeldIGBT,T1/T4(typisch)
outputcharacteristicIGBT,T1/T4(typical) outputcharacteristicIGBT,T1/T4(typical)
IC=f(VCE) IC=f(VCE)
VGE=15V Tvj=150°C

200 200
Tvj = 25°C VGE = 19V
Tvj = 125°C VGE = 17V
180 Tvj = 150°C 180 VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
160 160 VGE = 9V

140 140

120 120
IC [A]

IC [A]
100 100

80 80

60 60

40 40

20 20

0 0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0
VCE [V] VCE [V]

ÜbertragungscharakteristikIGBT,T1/T4(typisch) SchaltverlusteIGBT,T1/T4(typisch)
transfercharacteristicIGBT,T1/T4(typical) switchinglossesIGBT,T1/T4(typical)
IC=f(VGE) Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VCE=20V VGE=±15V,RGon=20Ω,RGoff=39Ω,VCE=300V

200 10
Tvj = 25°C Eon, Tvj = 125°C
Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C
180 Tvj = 150°C Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C

160 8

140

120 6
E [mJ]
IC [A]

100

80 4

60

40 2

20

0 0
3 4 5 6 7 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
VGE [V] IC [A]

Datasheet 7 V3.0
2020-06-29
F3L200R07W2S5F_B11

SchaltverlusteIGBT,T1/T4(typisch) SchaltzeitenIGBT,T1/T4(typisch)
switchinglossesIGBT,T1/T4(typical) switchingtimesIGBT,T1/T4(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG) tdon=f(IC),tr=f(IC),tdoff=f(IC),tf=f(IC)
VGE=±15V,IC=100A,VCE=300V VGE=±15V,RGon=20Ω,RGoff=39Ω,VCE=300V,Tvj=150°C

25
Eon, Tvj = 125°C tdon
Eoff, Tvj = 125°C tr
Eon, Tvj = 150°C tdoff
Eoff, Tvj = 150°C 1 tf

20

15
E [mJ]

t [µs]
0,1
10

0 0,01
0 40 80 120 160 200 240 280 320 360 400 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
RG [Ω] IC [A]

SchaltzeitenIGBT,T1/T4(typisch) TransienterWärmewiderstandIGBT,T1/T4
switchingtimesIGBT,T1/T4(typical) transientthermalimpedanceIGBT,T1/T4
tdon=f(RG),tr=f(RG),tdoff=f(RG),tf=f(RG) ZthJH=f(t)
VGE=±15V,IC=100A,VCE=300V,Tvj=150°C

1
tdon ZthJH : IGBT
tr
tdoff
1 tf

0,1
ZthJH [K/W]
t [µs]

0,1

0,01

i: 1 2 3 4
ri[K/W]: 0,0195 0,0945 0,534 0,166
τi[s]: 0,000923 0,0173 0,184 0,539

0,001 0,01
0 40 80 120 160 200 240 280 320 360 400 0,001 0,01 0,1 1 10
RG [Ω] t [s]

Datasheet 8 V3.0
2020-06-29
F3L200R07W2S5F_B11

SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,T1/T4(RBSOA) KapazitätsCharakteristikIGBT,T1/T4(typisch)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,T1/T4(RBSOA) capacitycharacteristicIGBT,T1/T4(typical)
IC=f(VCE) C=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=39Ω,Tvj=150°C VGE=0V,Tvj=25°C,f=100kHz

100000
IC, Modul Cies
IC, Chip Coes
Cres

400 10000

300 1000

C [pF]
IC [A]

200 100

100 10

0 1
0 100 200 300 400 500 600 700 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
VCE [V] VCE [V]

GateladungsCharakteristikIGBT,T1/T4(typisch) AusgangskennlinieIGBT,T2/T3(typisch)
gatechargecharacteristicIGBT,T1/T4(typical) outputcharacteristicIGBT,T2/T3(typical)
VGE=f(QG) IC=f(VCE)
IC=200A,Tvj=25°C VGE=15V

15 200
VCC = 400V Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
180 Tvj = 150°C

10
160

140
5

120
VGE [V]

IC [A]

0 100

80

-5
60

40
-10

20

-15 0
0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0
QG [µC] VCE [V]

Datasheet 9 V3.0
2020-06-29
F3L200R07W2S5F_B11

AusgangskennlinienfeldIGBT,T2/T3(typisch) ÜbertragungscharakteristikIGBT,T2/T3(typisch)
outputcharacteristicIGBT,T2/T3(typical) transfercharacteristicIGBT,T2/T3(typical)
IC=f(VCE) IC=f(VGE)
Tvj=150°C VCE=20V

200 200
VGE = 19V Tvj = 25°C
VGE = 17V Tvj = 125°C
180 VGE = 15V 180 Tvj = 150°C
VGE = 13V
VGE = 11V
160 VGE = 9V 160

140 140

120 120
IC [A]

IC [A]
100 100

80 80

60 60

40 40

20 20

0 0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 3,0 4,0 5,0 6,0 7,0
VCE [V] VGE [V]

SchaltverlusteIGBT,T2/T3(typisch) SchaltverlusteIGBT,T2/T3(typisch)
switchinglossesIGBT,T2/T3(typical) switchinglossesIGBT,T2/T3(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC) Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,RGon=20Ω,RGoff=39Ω,VCE=300V VGE=±15V,IC=100A,VCE=300V

20
Eon, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C 18 Eon, Tvj = 150°C
6 Eoff, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C

16

5 14

12
4
E [mJ]

E [mJ]

10

3
8

2 6

4
1
2

0 0
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 0 40 80 120 160 200 240 280 320 360 400
IC [A] RG [Ω]

Datasheet 10 V3.0
2020-06-29
F3L200R07W2S5F_B11

SchaltzeitenIGBT,T2/T3(typisch) SchaltzeitenIGBT,T2/T3(typisch)
switchingtimesIGBT,T2/T3(typical) switchingtimesIGBT,T2/T3(typical)
tdon=f(IC),tr=f(IC),tdoff=f(IC),tf=f(IC) tdon=f(RG),tr=f(RG),tdoff=f(RG),tf=f(RG)
VGE=±15V,RGon=20Ω,RGoff=39Ω,VCE=300V,Tvj=150°C VGE=±15V,IC=100A,VCE=300V,Tvj=150°C

10
tdon tdon
tr tr
tdoff tdoff
1 tf tf

1
t [µs]

t [µs]
0,1

0,1

0,01 0,01
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 0 40 80 120 160 200 240 280 320 360 400
IC [A] RG [Ω]

TransienterWärmewiderstandIGBT,T2/T3 SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,T2/T3(RBSOA)
transientthermalimpedanceIGBT,T2/T3 reversebiassafeoperatingareaIGBT,T2/T3(RBSOA)
ZthJH=f(t) IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=39Ω,Tvj=150°C

1
ZthJH : IGBT IC, Modul
IC, Chip

400

300
ZthJH [K/W]

IC [A]

0,1

200

100

i: 1 2 3 4
ri[K/W]: 0,0195 0,0945 0,534 0,166
τi[s]: 0,000923 0,0173 0,184 0,539

0,01 0
0,001 0,01 0,1 1 10 0 100 200 300 400 500 600 700
t [s] VCE [V]

Datasheet 11 V3.0
2020-06-29
F3L200R07W2S5F_B11

KapazitätsCharakteristikIGBT,T2/T3(typisch) GateladungsCharakteristikIGBT,T2/T3(typisch)
capacitycharacteristicIGBT,T2/T3(typical) gatechargecharacteristicIGBT,T2/T3(typical)
C=f(VCE) VGE=f(QG)
VGE=0V,Tvj=25°C,f=100kHz IC=200A,Tvj=25°C

100000 15
Cies VCC = 400 V
Coes
Cres

10
10000

1000

VGE [V]
C [pF]

100

-5

10
-10

1 -15
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9
VCE [V] QG [µC]

DurchlasskennliniederDiode,D1/D4(typisch) SchaltverlusteDiode,D1/D4(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,D1/D4(typical) switchinglossesDiode,D1/D4(typical)
IF=f(VF) Erec=f(IF)
RGon=20Ω,VCE=300V

200 1,00
Tvj = 25°C Erec, Tvj = 125°C
Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C
180 Tvj = 150°C

160
0,75
140

120
E [mJ]
IF [A]

100 0,50

80

60
0,25
40

20

0 0,00
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
VF [V] IF [A]

Datasheet 12 V3.0
2020-06-29
F3L200R07W2S5F_B11

SchaltverlusteDiode,D1/D4(typisch) TransienterWärmewiderstandDiode,D1/D4
switchinglossesDiode,D1/D4(typical) transientthermalimpedanceDiode,D1/D4
Erec=f(RG) ZthJH=f(t)
IF=100A,VCE=300V

1,00 10
Erec, Tvj = 125°C ZthJH : Diode
Erec, Tvj = 150°C

0,75

ZthJH [K/W]
E [mJ]

0,50

0,1

0,25

i: 1 2 3 4
ri[K/W]: 0,067 0,204 0,438 0,441
τi[s]: 0,00106 0,0156 0,203 0,203

0,00 0,01
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 0,001 0,01 0,1 1 10
RG [Ω] t [s]

DurchlasskennliniederDiode,D2/D3(typisch) SchaltverlusteDiode,D2/D3(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,D2/D3(typical) switchinglossesDiode,D2/D3(typical)
IF=f(VF) Erec=f(IF)
RGon=20Ω,VCE=300V

200 2,0
Tvj = 25°C Erec, Tvj = 125°C
Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C
180 Tvj = 150°C

160
1,5
140

120
E [mJ]
IF [A]

100 1,0

80

60
0,5
40

20

0 0,0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
VF [V] IF [A]

Datasheet 13 V3.0
2020-06-29
F3L200R07W2S5F_B11

SchaltverlusteDiode,D2/D3(typisch) TransienterWärmewiderstandDiode,D2/D3
switchinglossesDiode,D2/D3(typical) transientthermalimpedanceDiode,D2/D3
Erec=f(RG) ZthJH=f(t)
IF=100A,VCE=300V

1,5 10
Erec, Tvj = 125°C ZthJH : Diode
Erec, Tvj = 150°C

1,0 1

ZthJH [K/W]
E [mJ]

0,5 0,1

i: 1 2 3 4
ri[K/W]: 0,032 0,129 0,382 0,41
τi[s]: 0,000674 0,0117 0,0873 0,307

0,0 0,01
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 0,001 0,01 0,1 1 10
RG [Ω] t [s]

DurchlasskennliniederDiode,D5-D6(typisch) SchaltverlusteDiode,D5-D6(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,D5-D6(typical) switchinglossesDiode,D5-D6(typical)
IF=f(VF) Erec=f(IF)
RGon=20Ω,VCE=300V

200 1,00
Tvj = 25°C Erec, Tvj = 125°C
Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C
180 Tvj = 150°C

160
0,75
140

120
E [mJ]
IF [A]

100 0,50

80

60
0,25
40

20

0 0,00
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
VF [V] IF [A]

Datasheet 14 V3.0
2020-06-29
F3L200R07W2S5F_B11

SchaltverlusteDiode,D5-D6(typisch) TransienterWärmewiderstandDiode,D5-D6
switchinglossesDiode,D5-D6(typical) transientthermalimpedanceDiode,D5-D6
Erec=f(RG) ZthJH=f(t)
IF=100A,VCE=300V

1,00 10
Erec, Tvj = 125°C ZthJH : Diode
Erec, Tvj = 150°C

0,75

ZthJH [K/W]
E [mJ]

0,50

0,1

0,25

i: 1 2 3 4
ri[K/W]: 0,067 0,204 0,438 0,441
τi[s]: 0,00106 0,0156 0,203 0,203

0,00 0,01
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 0,001 0,01 0,1 1 10
RG [Ω] t [s]

NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(TNTC)

100000
Rtyp

10000
R[Ω]

1000

100
0 25 50 75 100 125 150
TNTC [°C]

Datasheet 15 V3.0
2020-06-29
F3L200R07W2S5F_B11

Schaltplan/Circuitdiagram

Gehäuseabmessungen/Packageoutlines

Infineon

Datasheet 16 V3.0
2020-06-29
Trademarks
Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners.




Edition2020-06-29 ©2020InfineonTechnologiesAG.
AllRightsReserved.
Publishedby
InfineonTechnologiesAG Doyouhaveaquestionaboutthisdocument?
81726München,Germany Email:erratum@infineon.com



WICHTIGERHINWEIS

DieindiesemDokumententhaltenenAngabenstellenkeinesfallsGarantienfürdieBeschaffenheitoderEigenschaftendesProduktes
(“Beschaffenheitsgarantie“)dar.FürBeispiele,HinweiseodertypischeWerte,dieindiesemDokumententhaltensind,und/oderAngaben,
diesichaufdieAnwendungdesProduktesbeziehen,istjeglicheGewährleistungundHaftungvonInfineonTechnologiesausgeschlossen,
einschließlich,ohnehieraufbeschränktzusein,dieGewährdafür,dasskeingeistigesEigentumDritterverletztist.

DesWeiterenstehensämtliche,indiesemDokumententhaltenenInformationen,unterdemVorbehaltderEinhaltungderindiesem
DokumentfestgelegtenVerpflichtungendesKundensowieallerimHinblickaufdasProduktdesKundensowiedieNutzungdesInfineon
ProduktesindenAnwendungendesKundenanwendbarengesetzlichenAnforderungen,NormenundStandardsdurchdenKunden.

DieindiesemDokumententhaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilungder
EignungdiesesProduktesfürdiebeabsichtigteAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderindiesemDokumententhaltenen
ProduktdatenfürdieseAnwendungobliegtdentechnischenFachabteilungendesKunden.

SolltenSievonunsweitereInformationenimZusammenhangmitdemProdukt,derTechnologie,Lieferbedingungenbzw.Preisen
benötigen,wendenSiesichbitteandasnächsteVertriebsbürovonInfineonTechnologies(www.infineon.com).

WARNHINWEIS

AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnenProduktegesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiFragenzudenindiesem
ProduktenthaltenenSubstanzen,setzenSiesichbittemitdemnächstenVertriebsbürovonInfineonTechnologiesinVerbindung.

SofernInfineonTechnologiesnichtausdrücklichineinemschriftlichen,vonvertretungsberechtigtenInfineonMitarbeiternunterzeichneten
Dokumentzugestimmthat,dürfenProduktevonInfineonTechnologiesnichtinAnwendungeneingesetztwerden,inwelchen
vernünftigerweiseerwartetwerdenkann,dasseinFehlerdesProduktesoderdieFolgenderNutzungdesProdukteszu
Personenverletzungenführen.



IMPORTANTNOTICE

Theinformationgiveninthisdocumentshallinnoeventberegardedasaguaranteeofconditionsorcharacteristics
(“Beschaffenheitsgarantie”).Withrespecttoanyexamples,hintsoranytypicalvaluesstatedhereinand/oranyinformationregardingthe
applicationoftheproduct,InfineonTechnologiesherebydisclaimsanyandallwarrantiesandliabilitiesofanykind,includingwithout
limitationwarrantiesofnon-infringementofintellectualpropertyrightsofanythirdparty.

Inaddition,anyinformationgiveninthisdocumentissubjecttocustomer’scompliancewithitsobligationsstatedinthisdocumentandany
applicablelegalrequirements,normsandstandardsconcerningcustomer’sproductsandanyuseoftheproductofInfineonTechnologies
incustomer’sapplications.

Thedatacontainedinthisdocumentisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Itistheresponsibilityofcustomer’stechnical
departmentstoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductinformationgivenin
thisdocumentwithrespecttosuchapplication.

Forfurtherinformationontheproduct,technology,deliverytermsandconditionsandpricespleasecontactyournearestInfineon
Technologiesoffice(www.infineon.com).

WARNINGS

Duetotechnicalrequirementsproductsmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactyour
nearestInfineonTechnologiesoffice.

ExceptasotherwiseexplicitlyapprovedbyInfineonTechnologiesinawrittendocumentsignedbyauthorizedrepresentativesofInfineon
Technologies,InfineonTechnologies’productsmaynotbeusedinanyapplicationswhereafailureoftheproductoranyconsequencesof
theusethereofcanreasonablybeexpectedtoresultinpersonalinjury.