Leistungselektronik

SONDERHEFT LEISTUNGSELEKTRONIK & STROMVERSORGUNG
Wissen.
Impulse.
Kontakte. März 2017
www.elektronikpraxis.de
Das große Potenzial der

Galliumnitrid-Devices
Die jetzt in Serie gefertigten X-GaN-Leistungshalbleiter mit HD-GiT-Struktur
planen den Thronsturz im Power-Management.
Fehleinschätzungen Herausforderungen Hohe Stabilität

von GaN-Halbleiter an Gate-Treiber von SiC-Halbleitern
vermeiden für SiC-Umrichter ist möglich
Eine neue Denkweise hilft, Dynamisch und robust für Aufgrund sehr großer
die GaN-Technik richtig zu Lösungen bis 100 kHz im Unterschiede ist sorgsam
verstehen. Seite 16 stabilen Einsatz. Seite 28 auszuwählen. Seite 34
EDITORIAL
Die neuen „Risiken“

grenzüberschreitender Deals
M
itte 2016 hatten Infineon und
Cree Pläne zur Übernahme der
Wolfspeed Power and RF
(Wolfspeed) durch Infineon für 850 Mio.
US-$ in bar bekanntgegeben. Wolfspeed
ist einer der führenden Anbieter von SiC-
und GaN-HF-Devices. Die Übernahme
wäre für die Münchner ein plausibler
Schritt angesichts der Wachstumsmärkte
wie Elektromobilität, erneuerbare Ener-
gien und Mobilfunkinfrastruktur der
nächsten Generation für das Internet der
Dinge.
Catch
Nach einem Jahr der üblichen Analysen
waren sämtliche Beteiligte rundum voll
des Lobes für die Übernahme durch Infi-
neon gewesen. Wolfspeed-CEO Frank
Plastina etwa betonte: „Als Teil des Infi-
neon-Teams kann Wolfspeed künftig die
Vorteile eines globalen Unternehmens in
unserer Branche nutzen.“ Es fehlte nur
Gerd Kucera, Redakteur
gerd.kucera@vogel.de
the latest trends
noch die Genehmigung der Behörden.
Aus dem grenzüberschreitenden Deal
in power electronics
wird nun wohl nichts. Ende Februar ver-
meldete Infineon, dass das Committee on stelle. Zudem, heißt es weiter, habe CFIUS
Foreign Investment in the United States keine geeigneten Maßnahmen identifizie-
(CFIUS) als Genehmigungsausschuss der ren können, die in zufriedenstellender
US-Regierung informiert habe, dass der Weise bestimmte nationale Sicherheitsri- Besuchen Sie das
geplante Kauf von Wolfspeed ein Risiko
für die nationale Sicherheit der USA dar-
siken, die durch die Übernahme entste-
hen würden, entkräften könnten. Infine-
6. Power Analysis &
on: „Vor diesem Hintergrund besteht nach Design Symposium
Ansicht von Infineon ein substanzielles
CFIUS meint: „Kauf von Risiko, dass die geplante Übernahme
nicht in der vereinbarten Form vollzogen München, 26. April, 2017
Wolfspeed durch Infineon werden kann.“
Derweil unter den Augen des CFIUS die
ein Risiko für die nationa- Übernahmen aus China florieren: Deren
le Sicherheit der Vereinig- Investitionen in den USA betrugen laut
PIIE (Peterson Institute for International
ten Staaten von Amerika.“ Economics) alleine in den ersten sechs
Monaten 2016 rund 18 Mrd. US-$, was ei- Die Teilnahme ist kostenlos.
ne Verdreifachung gegenüber dem glei-
chen Zeitraum in 2015 bedeutet und die
zu 84% in die Übernahme von US-Unter-
nehmen flossen.
Registrierung und Details zu
Herzlichst, Ihr
den Vortragsthemen unter:
omicron-lab.com/event
ELEKTRONIKPRAXIS Leistungselektronik & Stromversorgung März 2017 3

INHALT
WIDE-BADGAP-LEISUNGSHALBLEITER
Das große Potenzial der

Galliumnitrid-Halbleiter
in HD-GiT-Struktur
Nachdem sich GaN-Leistungsschalter an der
Schwelle zur zuverlässigen und energiesparenden
Technologie befinden, versucht Panasonic den
Thronsturz im Power-Managment mit seinen jetzt in
Serie produzierten X-GaN-Bausteinen. Diese Schal-
ter in HD-GiT-Struktur (Hybrid Drain Gate Injection
Transistor) sind eine Weiterentwicklung des High
Electron Mobility Transistors (HEMT).
12
Titelbild: © Dark Illusion/Fotolia.com, © grandeduc/Fotolia, © victorbillvyse/Fotolia.com, Panasonic [M]
SCHWERPUNKTE 32 Lösungsorientiert mit Design-Unterstützung

Im dritten Jahr des Bestehens von IS-Power offeriert der
Leistungselektronik spezialisierte Distributor unter anderem Leistungshalb-
leiter von ausgesuchten Herstellern für beispielsweise
TITELTHEMA Antriebstechnik und Stromversorgung.
13 Das große Potenzial der Galliumnitrid-Halbleiter
Bei den in Serie produzierten X-GaN-GiT-Transistoren ist 34 Große Unterschiede bei hoher Zuverlässigkeit
das Problem des Current-Collapse vollends ausgeräumt. Die Konferenz PCIM Europe (16.-18.5.2017) zeigt wichtige
X-GaN ist eine HEMT-Weiterentwicklung für Mainstream- Neuerungen bei den Power Devices. Ein Highlight sind SiC-
Anwendungen bis 6 kW. MOSFETs, die nun belastbar und zuverlässig werden.
16 Fehleinschätzungen von GaN-Halbleitern vermeiden Stromversorgung

GaN-Halbleiter sind kein direkter Ersatz für MOSFETs in 38 Stromtragfähigkeit ohne Baugrößenzuwachs
bestehenden Designs. Mit neuer Denkweise aber sind be- Laminierte Stromschienen sorgen für induktivitätsarmes
eindruckende Systemlösungen möglich. Verteilen von Energie, etwa in Umrichtern. Je höher Schalt-
frequenz und der Strombetrag sind, umso mehr zählt jedes
20 Auswahl thermischer Interface-Materialien eingesparte nH.
Eine um 10 K höhere Temperatur halbiert die Lebensdauer
des Chips. Thermisches Interface-Material senkt Verlust- 42 Gefährdung durch hohe Spannung auf PCBs
wärme zuverlässig, wenn richtig angewandt. CAF beschreibt den chemischen Effekt der Kupfer-Ionen-
Migration in FR-4 bei hohen Spannungen, wodurch es zu
24 Lebensdauer unter mechanischer Belastung Durchschlägen in der PCB kommt.
Die Bestimmung der mechanischen Belastung von Bau-
elementen ist hinsichtlich Zuverlässigkeitsprognose in 46 Auf der Suche nach dem schnellen DC Circuit Breaker
der Konzeptphase ebenso wichtig wie die thermische und Im Forschungsprojekt NEST-DC haben fünf Projektpartner
elektrodynamische Analyse. Sicherungstechniken für Gleichspannungsnetze erforscht
und so die Basis für Leistungsschutzschalter geschaffen.
28 Herausforderungen an Gate-Treiber für SiC-Umrichter
Die Treiber SKYPER 12 und 42 LJ bieten die notwendige 50 Filtertechnik für störfreie Motorbestromung
Dynamik und Robustheit für SiC-Lösungen bis 100 kHz. Frequenzumrichter erzeugen Störsignale auf der Motorzu-
7 kV Burst-Festigkeit und 8 Mio. Stunden Zuverlässigkeit leitung. Geeignete Filter zwischen Umrichter und Motor
sorgen für einen stabilen Feldeinsatz. können die ungünstigen Auswirkungen minimieren.
4 ELEKTRONIKPRAXIS Leistungselektronik & Stromversorgung März 2017

Power im Fokus
Leistungselektronik
24 Lebensdaueranalyse von
Leistungshalbleitern 38 Kompakte Stromschiene
für höhere Leistungen Stromversorgung
42 Gefährdung durch hohe

Spannung auf PCBs 50 Entstörung von langen
Motorzuleitungen
54 Hochstrom-Leiterplatte in der Antriebstechnik

Hochstromstrukturen für Lastkreise und Feinleiter für
Logiksignale auf einem Schaltungsträger ist mit HSMtec
kein Widerspruch. Diese Standard-FR4-Multilayer führen
Ströme bis 400 A.
RUBRIKEN
3 Editorial
6 Aktuelles
8 Veranstaltung
36 Impressum
 IGBT Module
 IGBT Treiber
 GaN Technologie
 Stromversorgungen
 DC/DC Wandlermodule
 Induktivitäten
 Superkondensatoren
Elektrische Antriebstechnik
4. - 6.04. 2017, VCC Würzburg
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ELEKTRONIKPRAXIS Leistungselektronik & Stromversorgung März 2017

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LEISTUNGSELEKTRONIK // SIC-HALBLEITER
SiC-Planar-Power-MOSFET
im neuen Low-Inductance-Gehäuse
Weiter reduzierte Induktivität charakterisiert den neuen 1200-V-
SiC-MOSFET in der C3M-Familie. Seine Reverse-Recovery-Kapazität
wird mit 220 nC angegeben; der RDS(on) ist 75 mΩ bei 25 °C.
D
ieser neue SiC-Baustein vereinfache Wechsel auch durch das verbesserte Schalt-
Bild: Cree
künftige Designs und ermöglicht eine verhalten. Palmour: „Diese MOSFETs mit
Frequenzerhöhung bei gleichbleiben- höherer Spannung lösen viele Einschrän-
der Effizienz. Elektromagnetische Störungen kungen von Silizium-basierten Superjunc-
im Schaltkreis wurden reduziert und der tion-MOSFETs, wodurch sie bisher nicht für
Wirkungsgrad in dreiphasigen Schaltungen den Einsatz in Zwei-Level-Topologien geeig-
zur Blindleistungskompensation auf 99% net waren. SiC hat eine signifikant geringere
angehoben. nichtlineare Ausgangskapazität, sodass Ver-
„SiC MOSFETs haben sich als Vorteil in lustzeit reduziert und damit der Klirrfaktor
vielen Hochleistungsanwendungen für Bat- in höheren Schaltfrequenzen minimiert wer-
teriebetrieb bewährt“, konstatiert John Pal- den können.“
mour, CTO von Wolfspeed, „Grund hierfür ist Der 75-mΩ-MOSFET im 4LTO247-Gehäuse
die verbessere Effizienz. Bei direktionaler hat ein Durchgangsloch und ist unter der
Leistung, wie beispielsweise bei netzgebun- Artikelnummer C3M0075120K bereits gelis-
dener AC/DC-Kopplung, wird das Einspar- tet. Bestellungen sind ab sofort über die Dis-
potenzial aufgrund der geringeren Größe des tributoren möglich. Eine oberflächenmon-
Eingangsfilters signifikant erhöht.“ John Palmour, CTO Wolfspeed: „Dieser Baustein tierbare Version soll jetzt als C3M0075120J
Diese Verbesserungen ermöglichen den es erreicht die industrieweit niedrigste Gütezahl unter verfügbar werden. Wie das 4LTO247-Gehäuse
Anwendungsentwicklern durch die erhöhte den SiC-MOSFET-Bausteinen bei 1200 V.“ auch besitzt das SMD-Bauteil einen Kelvin-
Schaltfrequenz ihre Systemgröße und die Source-Pin, um Gate Ringing und Systemver-
Materialkosten (Liste der verwendeten Bau- lusten entgegenzuwirken.
teile) zu reduzieren, jedoch die Systemeffizi- Der Leistunshalbleiter hat einen On-Wider- Infineon kündigte im vergangenen Som-
enz konstant zu halten. Zielanwendungen stand von 75 mΩ und besitzt eine Gate-La- mer eine Übernahme der Cree-Geschäftsein-
sind laut Palmour Stromversorgungen für dung von 51 nC. Dadurch eignet er sich, wie heit Wolfspeed Power and RF (Wolfspeed) für
Anlagen der Telekommunikation oder Auf- Palmoour betont, besonders für dreiphasige, 850 Millionen US-Dollar in bar an. Der ge-
zügen, netzgebundene Speicher, On- und brückenlose PFC-Topologien sowie AC/AC- plante Kaufvertrag mit Cree Inc umfasste
Offboard-Ladestationen für Elektrofahrzeu- Konverter und Ladegeräte. auch das Geschäft mit den dazugehörigen
ge und die Fabrikautomation. Aufgrund der neuen Gehäuse ließen sich SiC-Rohscheiben für Leistungshalbleiter und
Siemens Hardware-Architekt Kurt Goepf- alle Vorteile der Hochfrequenz-Leistungsfä- HF-Leistungsbauelemente.
rich begrüßt die Produkteinführung des ver- higkeit der neuen SiC-MOSFET-Chips vorteil- Das Committee on Foreign Investment in
besserten SiC-Power-MOSFETs: „Mit neuen haft nutzen. Das 4LTO-247-Gehäuse reduziert the United States (CFIUS) als ressortübergrei-
Packaging-Optionen, wie beispielsweise das Schaltverluste im Vergleich zu konventionel- fender Genehmigungsausschuss der US-
oberflächenmontierbare 7LD2PAK-Gehäuse, len TO-247-3-Packages um das Dreifache. Das Regierung hat Infineon und Cree informiert,
ist es uns möglich, neue Topologien zu erfor- oberflächenmontierbare 7LD2PAK-Gehäuse dass der geplante Kauf von Wolfspeed durch
schen, die mit den bestehenden Produkten indes ist speziell für Hochspannungs-MOS- Infineon ein Risiko für die nationale Sicher-
auf dem Markt noch nicht möglich sind.“ FETs entwickelt worden und eliminiere prak- heit der Vereinigten Staaten von Amerika
Dieser Baustein erreicht nach Angaben tisch die Source-Induktivität, die anderen darstellt.
von Wolfspeed die industrieweit niedrigste Gehäuseausführungen zueigen sind. Der Außerdem hat CFIUS keine geeigneten
Gütezahl unter den SiC-MOSFET-Bausteinen Footprint des 7LD2PAK ist um 52% kleiner im Maßnahmen identifizieren können, die in
bei 1200 V. Wolfspeed bringt ihn zuerst in Vergleich zum D3PAK. Möglich wurde das zufriedenstellender Weise bestimmte natio-
einem 4LTO-247-Gehäuse auf den Markt, dem durch die geringere Die-Größe und das hohe nale Sicherheitsrisiken, die durch die Über-
dann die Variante in einem 7LD2PAK-Gehäu- Sperrvermögen der planaren C3M-MOSFET- nahme entstehen würden, entkräften könn-
se folgt. Technologie. ten. Infineon wolle weiterhin sowohl mit
Der MOSFET-Baustein nutzt die planare Durch Einsatz der Neuentwicklung lassen CFIUS als auch mit Cree eng zusammenarbei-
C3M-Technologie der dritten Generation von sich die Zahl der Komponenten reduzieren, ten, um die Bedenken des CFIUS auszuräu-
Wolfspeed, die bereits in einer Vielzahl un- indem Designer von Silizium-basierten Drei- men. // KU
terschiedlichen Automobil- und Industrie- Level-Topologien zu einfacheren Zwei-Level-
Applikationen Verwendung gefunden hat. Topologien wechseln. Begünstigt werde der Wolfspeed

LEISTUNGSELEKTRONIK // PRAXISFORUM ANTRIEBSTECHNIK
Power Devices und Motor Control

richtig dimensionieren
Das Praxisforum Elektrische Antriebstechnik 2017 (4. bis 6. April)
befasst sich u.a. mit intelligenter Sensorik und Signalverarbeitung,
robusten Power Devices und der branchenspezifischen Integration.
D
as Entwickeln eines optimalen elekt-
Bilder: Vogel Business Media

rischen Antriebs mit bestmöglicher
Energieeffizienz ist komplex und viel-
schichtig. Nicht selten erkennen sogar rou-
tinierte Praktiker, dass ihnen zum Teil inter-
disziplinäres Wissen fehlt.
Als Weiterbildungsveranstaltung wendet
sich das Praxisforum Elektrische Antriebs-
technik mit tiefgehenden Referaten und be-
gleitender Ausstellung an Experten und
Quereinsteiger gleichermaßen. Fachüber-
greifend zeigen die Vorträge neue Lösungs-
wege und stellen Best-Practice-Beispiele für
Hard- und Software-Entwickler, Antriebs-
techniker, Projektverantwortliche, Füh-
rungskräfte.
Dr. Martin Schulz von Infineon, Manager
Application Engineering, vermittelt essenti-
elle Charakteristika von Leistungshalblei-
tern für die elektrische Antriebstechnik.
Anhand von Messungen an Prototypen de- Wissen, was wichtig ist: Das Praxisforum bietet den ganzheitlichen Blick auf die Antriebstechnik und hilft,
monstriert er den Einfluss der Kühlung auf elektrische Antriebe zeitgemäß zu projektieren.
die Veränderung wichtiger Parameter und
die Schaltungseffizienz. Schulz zeigt im De-
tail, warum sich das thermische Verhalten von MOSFETs gegenüber dem der IGBTs un- densators auf Basis thermischer Simulatio-
terscheidet und MOSFETs durch Parallel- nen schließt den Vortrag ab.
schaltung effizienter werden. Ferner thematisieren etwa Rüdiger La-
In seinem zweiten Vortrag „Parasitäre Ele- schewski und Adriano De Rosa (TDK-Micro-
mente und ihr Einfluss auf den Leistungs- nas) die „Auslegung und wichtige Aspekte
halbleiter“ lernen Sie: die Eigenschaften der Dimensionierung eines typischen auto-
parasitärer Elemente, das Erkennen des Ein- mobilen Kleinantriebs und Möglichkeiten
flusses dieser Elemente auf das Schaltverhal- der Implementierung am Beispiel eines uni-
ten von Power Devices, die Minimierung und versell einsetzbaren Smart Aktuators.“
sogar Nutzbarmachung dieser parasitären Im Referat werden die wichtigsten Anfor-
Bauteile. derungen erläutert und mit ihren Auswirkun-
Nach dem IGBT-Modul ist der DC-Link- gen auf die Implementierung dargestellt.
Kondensator die zweitwichtigste Komponen- Laschewski und De Rosa diskutieren u.a. die
te eines Wechselrichtersystems. Im Vortrag besonderen Anforderungen sowie den erwei-
von Dr. Donald Dibra diskutiert der EPCOS- terten Funktionsraum. Zum Vortragsende
Experte den DC-Link-Kondensator, herge- zeigt eine Praxis-Demo die Inbetriebnahme
stellt in einer metallisierten Polypropylen- des intelligenten Aktors, der unterschiedli-
Film Technologie. Dibra zeigt die Anforde- che Applikationen nahezu universell be-
rungen an den Kondensator im Gleichspan- dient.
nungs-Zwischenkreis. Dabei werden Machen Sie mit – nutzen Sie die Erfahrung
Vorteile und kritische Eigenschaften heraus- der Sachkenner und tauschen Sie sich unter
gestellt und denen der Aluminium-Elektro- Kollegen aus. // KU
4. bis 6. April 2017: Das dreitägige Praxisforum mit lyt- und Keramikkondensatoren gegenüber-
Ausstellung findet im VCC Würzburg statt. gestellt. Die Fallstudie eines DC-Link-Kon- www.praxisforum-antriebstechnik.de

SMALLER
STRONGER
FASTER
Wireless Power Design Kit

Konform zu Qi Medium Power
ROHM Semiconductor und Würth Elektronik haben eine Plug-and-Play Lösung zur kontaktlosen
Leistungsübertragung entwickelt, die die Vorteile dieser Technik demonstrieren und Ihnen Gelegenheit
geben soll, eine kontaktlose Leistungsübertragungs-Lösung in Ihr Produktdesign zu integrieren.
Hauptkomponenten:
BD57020MWV: Wireless Power Transmitter IC
BD57015GWL: Wireless Power Receiver IC
ML610Q772-B03: Microcontroller für MP
Wichtige Eigenschaften: Anwendungen:

• Plug-and-Play Wireless Power Design Kit • Portable Geräte für Bereiche, in denen
für Medium Power (15 W) Steckverbinder ein Verschmutzungsrisiko
• Konform zum Qi Standard des Wireless Power darstellen könnten, wie z. B. in medizinischen
Consortium (WPC) Einrichtungen und (industriellen) Reinräumen
• Komplettlösung bestehend aus Sender, • Zur Vermeidung von Steckverbinderschäden an
Empfänger und LED-Lastmodul Geräten mit einer großen Zahl von Steckzyklen
• Flexibles, modulares Konzept zur schnellen • Headsets
Integration der kontaktlosen Leistungs- • Batteriebetriebene portable Geräte
übertragung in Ihr Produktdesign • Smartphones, Tablets
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Programmübersicht 2017
Elektrische Antriebstechnik
1. TAG, DIENSTAG 4.4.2017
SINGLE-CHIP-LÖSUNGEN FÜR MOTION CONTROL
ab 9:00 Registrierung
09:50-10:00 Begrüßung ELEKTRONIKPRAXIS
10:00-10:40 Keynote: Prof. Dr.-Ing. Matthias Nienhaus, Steinbeis Sensorloses Ansteuerverfahren mit multisensorischen
Transferzentrum „Embedded Drive Systems“ Fähigkeiten zur energieeffizienten Regelung von PMSM im
gesamten Drehzahlbereich.
10:40-11:20 Vortrag 2: Dipl.-Ing. (FH) Rüdiger Laschewski (Product Marke- „Auslegung und wichtige Aspekte der Dimensionierung eines
ting typischen automobilen Kleinantriebs und Möglichkeiten der
Manager) , Dipl.-Ing. Adriano De Rosa (IC Architect), MICRONAS Implementierung am Beispiel eines universellen smarten
Aktuators.
11:20-11:50 Kaffeepause
11:50-12:30 Vortrag 3: M.Sc. Klaus Schuhmacher, Lehrstuhl für „Realisierung einer hochintegrierten Ansteuerung für BLDC-
Antriebstechnik (LAT) der Universität des Saarlandes Antriebe kleiner Leistung bis 15 W mit MCU (mit Praxisdemo).
12:30-13:10 Vortrag 4: Dr.-Ing. Onno Martens (R&D Engineer) Bewertung und Optimierung des Regelverhaltens
TRINAMIC Motion Control laufzeitoptimierter Mehrachsregelsysteme
13:10-13:50 Mittagspause
POWER DEVICES FÜR MOTION CONTROL

13:50-14:30 Vortrag 5: Dr.-Ing. Martin Schulz (Manager Application Kühlung von MOSFETs und IGBTs: Es gibt einen Unterschied in
Engineering), Infineon der Wirkung, weil MOSFEs einen Kanalwiderstand aufweisen,
IGBTs aber eine Vorwärtsspannung. Das thermische Verhalten
und der Einfluss verändern sich mit der Technologie erheblich.
Das hat Folgen für die Antriebselektronik.
14:30-15:10 Vortrag 6: Dr.-Ing. Martin Schulz (Manager Application Abstraktion und Realität: Parasitäre elektrische Eigenschaften
Engineering), Infineon werden bei Power Devices gerne vernachlässigt. Aber eben auf
die kommt es an, wenn es um optimaler Energieeffizienz in der
Antriebselektronik geht.
15:10-15:40 Kaffeepause
15:40-16:20 Vortrag 7: Dipl.-Ing. Thomas Tzscheetzsch (Senior Field Torque Ripple minimieren: Neue Erkenntnisse und ein neuer
Applications Engeneer), Analog Devices Ansatz zur Optimierung von ADC und PWM - wie groß muss die
Auflösung der Strommessung sein?
16:20-17:00 Vortrag 8: Dr.-Ing. Donald Dibra (Product Manager Power DC-Link Kondensatoren für xEV-Anwendungen:
Capacitors), EPCOS Design-Optimierung in Bezug auf Temperatur- und Lebensdau-
eranforderungen.
2. TAG MIT AUSSTELLUNG, MITTWOCH 5.4.2017
ENERGIEEFFIZIENZTAG MIT AUSSTELLUNG: BEST PRACTICE-BEISPIELE & ANWENDBARE FORSCHUNGSERGEBNISSE
ab 8.00 Registrierung
Referent Thema ENERGIEEFFIZIENZ
09:00-09:40 Keynote: o.Univ.-Prof. Dipl.-Ing. Dr.techn. Manfred Schrödl Der PLANETENMOTOR – Eine neue, unkonventionelle Kombina-
(Leiter Institut für Energiesysteme und elektrische Antriebe), tion von Elektromotor und Planetengetriebe für hochkompak-
TU Wien te, hocheffiziente elektrische Antriebe.
09:40-10:20 Vortrag 1: Prof. Dr.-Ing. Holger Borcherding (Hochschule Energieeffizienz in geregelten elektrischen Antrieben: Her-
Ostwestfalen-Lippe und Head of Innovation Lenze SE) ausforderungen, Lösungen und ein Ausblick auf zukünftige
Entwicklungen.
10:20-11:00 Kaffeepause & Ausstellung

11:00-11:40 Vortrag 2: Dipl.-Ing. Dieter Bauch-Panetzky, Dipl.-Ing. Dieter Energieeffizienz: Miniatur-Drehstrom-Servomotoren - Motor-
Uhl, Dipl.-Ing. Carolin Ank, WITTENSTEIN technologie und Eigenschaften sehr kleiner Motoren in Verbin-
dung mit Energy Harvesting).
11:40-12:20 Vortrag 3: Dipl.-Ing. Holger Goergen (zertifizierter Produktivitätssteigerung durch Save Motion: schnelles und
Maschinensicherheitsexperte), Pilz effizientes Einrichten der Maschine gemäß der Norm DIN EN
61800-5-2 .
12:20-13:40 Mittagspause & Ausstellung
13:40-14:20 Vortrag 4: Dipl.-Ing. Jan Wettlaufer (Forschung & Innovation), Hochkompakte Antriebe durch Integration der Elektronik in
Lenze SE das Motorgehäuse bieten neue Möglichkeiten der Energieef-
fizienz.
14:20-15:00 Vortrag 5: Dipl.-Ing. Klaus Ebinger (Leiter PM Interface-Technik), Die Auswirkungen elektrischer Antriebe auf die Betriebstech-
TURCK nik und wie man sie in den Griff bekommt
15:40-16:20 Vortrag 6: Dipl.-Ing. Dirk Weber (Sales & Support Engineer), Kontaktlose Strommessung erfasst HF-Gleichtaktströme und
Admess für Power Electronic Measurements (PEM) verhindert Schäden an Motorlagern und nachfolgendem
Antrieb.
16:20-17:00 Vortrag 7: Thomas Großmann & Jürgen Baßfeld Energieeffizenz durch Leistungsmessung: Fehlerfreie Bestim-
(Techniker Applikatin & Beratung), dataTec mung des Leistungsprofils von Antrieben in unterschiedlichen
Anwendungen (Theorie und Praxis am Beispiel unterschiedli-
cher Messsysteme diverser Hersteller).
ab 19:00 Abendveranstaltung Hofbräuhaus
3. TAG MIT AUSSTELLUNG, DONNERSTAG 6.4.2017
INTELLIGENTE SENSOREN, SOFTWARE & SIMULATION
ab 8.00 Registrierung
Referent Thema
09:00-09:40 Keynote: Prof. Dr.-Ing. Roberto Leidhold (Institutsleiter IESY), Trends & Herausforderungen: sensorlose und sensorbehaftete
Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg Antriebe
09:40-10:20 Vortrag 1: Dr.-Ing. Peter Landsmann (Firmenmitgründer), Bitflux Herausforderungen und Lösungsansätze für die geberlose
Regelung von Synchronmaschinen: aktuelle Probleme in der
Anwendung und Lösungen u.a. mittels Quadratinjektion, die
eine sehr recheneffiziente Anisotropiedetektion ermöglicht.
11:00-11:40 Vortrag 2: Dr. Urs Kafader (Schulungsleiter), maxon motor AG Motorerwärmung in Kleinantrieben minimieren: Nicht nur eine
hohe Motordrehzahl führt zu unerwünschter Erwärmung. Auch
die nichtoptimale Ansteuertechnik hat einen Einfluss auf die
Wärmeentwicklung des Antriebs. In der Praxis bewährte, bei-
spielhafte Lösungen für Handgeräte in Medizin und Industrie.
11:40-12:20 Vortrag 3: Dr. Andreas Wagener (R&D Electronics Head of Die Eigenschaften von Positionsgebern und Regelstruktu-
Department), Dr. Fritz Faulhaber ren sowie ihre Relevanz für Closed-Loop-Anwendungen bei
Kleinantrieben (mit Live-Demo der Antriebseigenschaften
einschließlich Geräuschentwicklung und Dynamik).
12:20-13:40 Mittagspause & Ausstellung
13:40-14:20 Vortrag 4: Dipl.-Ing. Michael Scalet (Branchenmanager Wie reagieren Hersteller auf sensorlose Systeme? Wie lassen
Antriebstechnik), Fritz Kübler sich Feedback-Systeme platz- und kostensparend integrieren?
14:20-15:00 Vortrag 5: Dipl.-Ing. Hartmut Unverricht (Produkt-Manager), Intelligente Sensoren mit IO-Link-Schnittstelle für Anwendun-
Balluff gen im Umfeld Industrie 4.0 am Beispiel Formatumstellung
und Losgröße Eins. Das Referat diskutiert die Einordnung und
den Nutzen für die Praxis.
15:40-16:20 Vortrag 6: Dipl.-Ing. Marko Hepp (Applikation & Vertrieb), Mit standardisierten Schnittstellen die steigenden technischen
iC-Haus Herausforderungen geregelter Antriebe (Industrie und
Automotive) bewältigen.
16:20-17:00 Vortrag 7: Dipl.-Ing. Roberto Gandia, FlowCAD Simulation eines sensorgeregelten DC-Motors mit PSpice und
Hardware in the Loop (HIL): Mit der PSpice-Simulation können
Parameter des Algorithmus zur Motorregelung auf das Gesamt-
system mit dem echten Verhalten des Motors angepasst und
optimiert werden.

LEISTUNGSELEKTRONIK // GAN-HALBLEITER
Bild: © Dark Illusion/Fotolia.com, © grandeduc/Fotolia, © victorbillvyse/Fotolia.com, Panasonic [M]

TITELSTORY
Seit mehr als 35 Jahren beherrscht der
Power-MOSFET die Leistungswandler-
Entwicklung im unteren bis mittleren
Leistungsbereich. Grund dafür war
die stetige, technologische Weiter-
entwicklung seiner Halbleiterstruktur
sowie seine einfache Anwendung in
verschiedenen Schaltungstopologi-
en. Schnelles Schaltverhalten und
niedrige Verluste taten ihr Übriges.
Doch zu Beginn des neuen Jahrtau-
sends erreichen diese MOSFETs ihre
theoretischen Performance-Grenzen,
sodass weitere Fortschritte bei der
Stromversorgung und in Power-
Management-Systemen mit diesem
Schaltelement nicht mehr so einfach
möglich sind. X-GaN versucht nun den
Thronsturz im Power-Managment.

Das große Potenzial

der Galliumnitrid-Halbleiter
Bei den jetzt in Serie produzierten X-GaN-GiT-Transistoren ist das
Problem des Current-Collapse vollends ausgeräumt. X-GaN ist eine
HEMT-Weiterentwicklung für Mainstream-Anwendungen bis 6 kW.
FRANCOIS PERRAUD *
A
ktuelle Trends beim Netzteil-Design elektronik aufgrund ei-
konzentrieren sich auf höhere Wir- ner 10-fach höheren
kungsgrade und Leistungsdichten, Durchbruchfeldstärke im
die über die Fähigkeiten der siliziumbasier- Vergleich zu Silizium, der
ten MOSFET-Technik hinausgehen. Daher hohen Elektronenbeweg-
begannen Entwicklungsingenieure nach lichkeit und Trägerdichte,
Schaltelementen zu suchen, die in der Lage einer sehr schnellen Träger-
sind, den Bedürfnisse moderner Stromver- Rekombination und nicht zu-
sorgungen und Power-Management-Systeme letzt einer hohen maximalen
gerecht zu werden. Das war der Start für die Sperrschicht-Temperatur von
Konzeption von Galliumnitrid-Transistoren über 400 °C.
(GaN). Die hohe Sättigungsgeschwin-
Wenn sich in einem wichtigen Bereich der digkeit der Elektronen im zweidi- ason
ic
r: Pan
Elektrotechnik ein neues Halbleitermaterial mensionalen Elektronengas in Ver- Bilde
zu etablieren beginnt, weckt dies einerseits bindung mit hoher Durchbruchs-
Erwartungen der Wirtschaft und Industrie, spannung sowie einer guten thermi-
andererseits kann es eine erhebliche Heraus- schen und chemischen Resistenz
forderung für die Hersteller bedeuten. Nach- ermöglichen die Herstellung hochfre-
dem Galliumnitrid erstmalig vor 20 Jahren quenztauglicher Leistungstransistoren. Po- steuern, dass solche Bauteile offensichtlich
als Transistor genutzt wurde und seit über tenzielle Anwendungen von GaN-basierten komplexer zu fertigen sind und die zusätzli-
einer Dekade serienmäßig in der Hochfre- Bauelementen bei höheren Frequenzen und chen Bond-Drähte die parasitäre Induktivi-
quenztechnik eingesetzt wird, erobert es nun Temperaturen machen das Galliumnitrid zu täten weiter erhöhen. Nachdem sich GaN-
die Mainstream-Leistungselektronik. Ange- einer sinnvollen Alternative zu Silizium, da- Leistungsschalter an der Schwelle von inno-
sichts eines geschätzten Marktvolumens von zu ermöglicht GaN eine Reduzierung der vativer Technologie zu zuverlässigen, ener-
200 Mio. US-$ im Jahr 2020 und einer durch- Gerätegröße und des Systemgewichts durch giesparenden Leistungsschaltern befinden,
schnittlichen jährlichen Wachstumsrate von die Verringerung der passiven Bauelemente. präsentiert Panasonic nun Bauelemente und
80% bis 2020 haben sich viele neue Akteure Anwendungen, die sich das große Potenzial
in diesen Bereich begeben und in einem au- Die Struktur des Hybrid Drain der Galliumnitrid-Leistungshalbleiter erst-
ßergewöhnlichen Tempo neue Bauelemente Gate Injection Transistors mal voll zu Nutze machen. Transistoren mit
eingeführt. Bislang vorgestellte GaN-Schalter im der Bezeichnung Panasonic X-GaN sind eine
600-V-Bereich hatten einen Nachteil: im Weiterentwicklung der High-Electron-Mobi-
Die Eigenschaften Normalzustand sind sie selbstleitend lity-Transistor-Struktur (HEMT), bei der ein
von Galliumnitrid (normally on). Anders als MOSFETs leiten sie 2D-Elektrodengas an der Grenzfläche zwi-
Anfang der 2000er Jahre wurden die ersten also Strom, wenn keine Gate-Spannung an- schen zwei Materialien unterschiedlicher
GaN-Transistoren vorgestellt. Eine vorteilhaf- liegt. Nur durch eine negative Gate-Span- Bandlücke entsteht und äußerst beweglich
te Zusammensetzung chemisch-physikali- nung lassen sich GaN-Transistoren wirklich ist. Eine p-dotierte Gatter-Struktur verleiht
scher Eigenschaften bei GaN öffnet diesem sicher ausschalten. Dies hat verhindert, dass dabei den Transistoren ihr Normally-off-
Material weitere Perspektiven in verschiede- sie im Markt weite Verbreitung fanden. Als Verhalten.
nen Bereichen der Elektronik und Leistungs- Gegenmaßnahme haben manche Chip-Her- Weil der HD-GiT-GaN-Schalter direkt an-
steller eine Kaskodenstruktur implemen- gesteuert werden kann, lässt sich die Gate-
tiert, um ein selbstsperrendes Bauteil (nor- Ansteuerung nach den jeweiligen Anforde-
mally off) zu erhalten. Wesentliche Nachtei- rungen an das du/dt bzw. di/dt entwerfen
* Francois Perraud
le der Kaskodenstruktur bestehen darin, (selbstverständlich innerhalb der Grenzen,
... ist Team-Leiter
Power and Automotive Solutions dass es nicht möglich ist, die Schaltge- welche die Parasitären zulassen) – ein ent-
bei Panasonic, München. schwindigkeit des GaN-Elements direkt zu scheidender Vorteil gegenüber einer Kasko-

an das Gate angelegt wird. In gleicher Weise

wie ein MOSFET kann das GiT dann in um-
gekehrter Richtung eingeschaltet werden,
um die Verluste weiter zu reduzieren, indem
man im 0-versetzten Zustand arbeitet. Dank
der im Transistor gespeicherten niedrigen
Rückspeiseladung und aufgrund der schnel-
len Rekombinationen in GaN, erholt sich das
GiT extrem schnell von einem umgekehrten
Leitungsbetrieb. Der Vorteil ist, dass die
Recovery-Energie deckungsgleich ist mit der
Energie, die für das Aufladen der Ausgangs-
Bild 1: Veranschaulichung der Ein- & Ausschaltprinzipien und Ansteuerung des GiT-Gatters – dabei entsteht kapazität benötigt wird. Die Leitungs- und
beim Einschalten großer Drain-Strom und beim Ausschalten kein Ableitstrom. Wiederherstellungsleistungen des GiT in
dieser Betriebsart ist vergleichbar mit dem,
was eine diskrete antiparallele SiC-Diode
de. Die laterale Struktur des GiT (Gate Injec- entsteht, führt zu einer erhöhten Freisetzung liefert.
tion Transistor) ist dazu beim schnellen von Elektronen. Zum Ausschalten nimmt
Schalten vorteilhaft, denn deren parasitäre man die Spannung vom Gate weg, es fließt Kein Current Collapse
Kapazität ist deutlich niedriger als bei der kein Gate-Strom mehr und der Transistor aufgrund der HD-GiT-Struktur
vertikalen Struktur, wie sie bei herkömmli- sperrt. Die Ladungsträger rekombinieren Entwickler von Galliumnitrid-Bauelemen-
chen Silizium-basierten Leistungstransisto- sich. Ungleich wie bei IGBTs führt das aller- ten sind mit dem Phänomen des Current
ren (Superjunction-Lösung), zum Beispiel dings nicht zu messbaren Verzögerungen Collapse konfrontiert. Verantwortlich dafür
bei MOSFETs, meist verwendet wird. beim Ausschalten und auch nicht zu Leis- sind sogenante Traps, Defekte im Kristall
Der FOM (Figure-of-Merit) liegt also beim tungsverlusten durch Tail Currents (Bild 1). oder an den Schnittstellen zwischen Schich-
selbstsperrenden GiT bei 715 mΩ∙nC, also X-GaN-GiT-Transistoren können Strom in ten, wo Leit-Elektronen gefangen bleiben,
etwa einem Zehntel des Werts von modernen umgekehrter Richtung fließen lassen, sobald wenn der Transistor unter Vds-Spannung
Siliziumbausteinen. das Source-, Gate- und Drain-Potenzial so steht, und die dafür sorgen, dass der RDS(on)
Der Transistor lässt sich kontrollieren wie eingestellt sind, dass Strom am Gate einge- bei wiederholten Schaltvorgängen sich er-
eine Mischung aus Feldeffekttransistor und speist wird. Ungleich wie bei MOSFETs fließt höht. Dies führt zu bauartbedingten Verlus-
(bi)polarem Transistor. Wie bei FETs hat man hier der Strom nicht durch eine parasitäre ten und Zerstörung der Komponenten.
eine Schwellspannung, die zwischen Source Body-Diode, sondern wird durch den Kanal Bisher ist Panasonic der einzige Anbieter
und Gate angelegt werden muss, damit Elek- geleitet. von GaN-Bauelementen, der die vollständige
tronen unter dem Gate entstehen und freige- Obwohl die Schwellenspannungen an eine Eliminierung des Current-Collapse öffentlich
setzt werden können. Hierauf lässt man Diode erinnern, sind sie im dritten Quadran- bekannt gegeben hat. Bild 2 zeigt den Ansatz
Strom in das Gate fließen, um die Leitfähig- ten der statischen IV-Kurve nicht die einge- von Panasonic, das Problem des Current-
keit der Leitschicht zu erhöhen und den Ein- baute Spannung eines Übergangs, sondern Collapse zu lösen. Dabei werden Löcher in
schaltwiderstand so niedrig wie möglich zu einfach die Schwellenspannung des Transis- den GaN-Bauelementen injiziert, die sich mit
halten. Der Verstärkungseffekt der hierbei tors plus jeder negativen Vorspannung, die den eingefangenen Elektronen rekombinie-
ren.
Um Löcher in das Bauelement zu injizie-
ren, wird eine zusätzliche p-dotierte Schicht
nahe dem Drain aufgebracht und elektrisch
leitend mit dem Drain verbunden. Der HD-
GiT verwendet zudem ein vertieftes Gate,
damit die AIGaN-Schicht dicker und so eine
Ladungsträgerverarmung unter dem p-do-
tierten Bereich vermieden wird. Beim HD-GiT
Bild 2:
wurden dieselben Schalteigenschaften nach-
Schematischer Schnitt
durch einen herkömm-
gewiesen, die herkömmliche GiT aufweisen.
lichen GIT sowie durch Um die Zuverlässigkeit der HD-GiT-Tran-
einen neuen HD-GIT sistoren in Massenproduktion zu gewähren,
(Hybrid-Drain-Embed- testet Panasonic nicht nur gegen den übli-
ded GIT). chen JEDEC-Standard für Si-Bauteile, son-
dern hat eigene weitere GaN-spezifischen
Tests entwickelt, um die langfristige Stabili-
tät der Transistoren, etwa im Hinsicht auf
Current-Collapse zu garantieren. Beschleu-
nigte Lebensdauerprüfung wie Temperature
Cycling Test erzielen eine für die Industrie
übliche FiT-Rate von ungefähr 10 FIT.

Bild 3:
Der Entwickler kann
die Schalteigenschaf-
ten des Transistors
auf einfache Weise
kontrollieren.
Zusätzlich zur Wahl der richtigen Halblei- gegen Unterspannung und Gate-Oszillatio-
ter-Baugruppe und Modulation ist gerade nen.
auch die Wahl der Gate-Treiber-Schaltung
wichtig. Glücklicherweise kann die simple Beispielanwendungen
und weit verbreitete Push-Pull-Gate-Ansteu- und Vorteile des GiT
erschaltung mit separaten Einschalt- und Die GiT-Transistoren zielen auf Leistungs-
Abschalt-Gate-Widerständen eingesetzt wer- konverter im Bereich etwa ab 100 W bis 5 oder
den. In der Online-Bildergalerie des Artikels 6 kW, wo heutzutage typischerweise MOS-
(44545520) zeigt Bild 6 eine typische Gate- FETs mit 600 V bis 650 V eingesetzt werden.
Ansteuerung, die anhand verfügbarer Hoch- Dabei können Entwickler je nach Anwen-
leistungs-MOSFET-Gate-Treiber realisierbar dungsbedarf auf bestmögliche Effizienz ab-
ist. Dabei kann der Entwickler einfach die zielen oder auf höchste Leistungsdichte so-
Schalteigenschaften des Transistors kontrol- wie auf einen Kompromiss dazwischen.
lieren, wie das Online-Bild 7 in der Bilderga- GaN-Transistoren erlauben den Einsatz
lerie veranschaulicht. von Topologien wie Totem-Pole-PFCs, die
Neben der benötigten dynamischen Leis- gleichzeitig wenig Bauteile benötigen und
tung im Zuge des Schaltübergangs, muss der State-of-the-Art-Effizienz-Werte vorweisen.
Gate-Treiber auch die Schaltung verlässlich Bei erhöhter Schaltfrequenz lassen sich dazu
ein- oder ausgeschaltet halten. Die Gate- passive (insbesondere magnetische) Kompo-
Eingangscharakteristika von GaN-GiT spie- nenten verkleinern, was Schaltungen wie
gelt eine Diode-Durchlasskennlinie wider. Resonant-DC-DC-Konvertern erhöhte Leis-
Der Gate-Stromfluss durch die interne Gate- tungsdichte ermöglicht. Bei solchen reso-
Diode Dgs wird im On-Intervall durch Rig nanten Schaltungen bringt GaN im Teil-Last
begrenzt. Betrieb erhebliche Effizienz-Verbesserungen.
Für GaN-Anwendungen ist der Off-Zustand Diese Möglichkeiten hat Panasonic in einer
sehr entscheidend, weil dieser eine wesent- hochkompakte und effizienten AC-DC-De-
lich geringere Grenzspannung aufweist als mon-Einheit eingesetzt und demonstriert.
ihr jeweiliges Si-Gegenstück. Obwohl das Anwendungen wie Stromversorgungen für
niedrigeVerhältnis Crss/Ciss der X-GaN-Transi- IT und Telekom Server oder AC-Adapter soll-
toren gegen Kopplungsefekten über die ten kurzfristig am meisten davon profitieren
Miller-Kapazität schützt, empfiehlt es sich je können. Seitens der Automobil-Industrie
nach Anwendung eine negative Abschalt- besteht auch großes Interesse, mittelfristig
spannung am Gate anzulegen. solche Komponente in kompakte On Board
Für Entwickler, die eine optimierte Lösung Charger oder DC/DCs einsetzen zu können.
schnell einsetzen möchten, hat Panasonic Nach dem erfolgten Start der Serienpro-
Ende 2016 einen eigenen X-GaN-Gate-Treiber duktion von 600-V-Ausführungen mit On-
auf den Markt gebracht. Dieser wurde für Widerständen von 70 und 190 mΩ wird Pa-
hohe Schaltfrequenzen bis 2 MHz optimiert nasonic das GaN-on-Silicon-Portfolio jetzt
und erschließt den vollen Leistungsumfang erweitern. Geplant sind Varianten mit On-
der X-GaN-Transistoren mit dem Enhance- Widerständen zwischen 40 und 350 mΩ. Die
ment-Mode 600 V. Dazu gibt es zusätzlich 600-V-Schalter der Serienproduktion garan-
integrierte Funktionen wie eine Ladungs- tieren ein Vds-Pulse-Rating bis 750 V. // KU
pumpe, um negative Gatter-Spannungen zu
generieren, und Sicherheitsmechanismen Panasonic

Fehleinschätzungen
von GaN-Halbleitern vermeiden
GaN-Halbleiter sind kein direkter Ersatz für MOSFETs in bestehenden
Designs. Mit neuer Denkweise aber sind Systemlösungen möglich,
die durch Leistungsdichte und Wirkungsgrad beeindrucken.
JASON MCDONALD *
wie zuvor, sind nun aber noch ausgeprägter.
Bilder: ON Semi
Die grundlegenden Anforderungen an das
Board-Layout haben sich deshalb verscho-
ben. Es sind präzisere Treiber- und Stromver-
sorgungskreise erforderlich als bei langsa-
meren Leistungs-MOSFETs. Anwender, die
also einen GaN-Leistungstransistor in eine
bestehende Schaltung einbauen (der für ei-
nen Silizium-Leistungs-MOSFET ausgelegt
ist), werden oft enttäuscht, wenn Probleme
auftreten oder sich keine Verbesserung der
Leistungsfähigkeit einstellt. Um sämtliche
Vorteile eines GaN-Transistors nutzen zu
können, muss deshalb das System um den
Baustein angepasst werden, anstatt nur den
Halbleiter als nachträgliche Optimierungs-
maßnahme zu behandeln. Voraussetzung
dazu ist, dass der Entwickler eine Schal-
tungstopologie und Ansteuermethode aus-
gewählt hat, die die Vorteile des GaN-Tran-
Bild 1: Parasitäre Induktivitäten in Stromversorgungs- und Ansteuerungskreisen. sistors unterstützen.
Höhere Frequenz, kleinere
S
ie haben von der hervorragenden Leis- sistoren. MOSFETs wurden im Laufe der Zeit magnetische Komponenten
tungsfähigkeit von GaN-Transistoren immer besser und erreichen nahezu die Leis- In der Tabelle (Bild 5) sind ein GaN-Bau-
gehört und sind nun gespannt; die tungsfähigkeit eines idealen Schalters. Den- stein der ersten Generation und ein Silizium-
Muster sind endlich angekommen und wer- noch müssen die nicht-idealen Eigenschaf- MOSFET der neuesten Generation gegen-
den auf der Leiterplatte verbaut. Nach der ten dieser Transistoren immer noch berück- übergestellt. Der GaN-Baustein hat eine
Inbetriebnahme wird die Last angeschlossen sichtigt werden, wenn die Endanwendung wesentlich geringere Gate-Ladung und eine
und Sie sehen keine bessere Leistungsfähig- alle Vorteile dieser Schalter nutzen soll. Da erheblich geringere Sperrverzögerungsla-
keit als zuvor. Schlimmer noch: Schaltprob- sich die Schaltgeschwindigkeit von Leis- dung. Hinzu kommt eine flachere Charakte-
leme treten auf, die zuvor nicht vorhanden tungs-MOSFETs durch die Fortschritte in der ristik der Ausgangskapazität über die Drain-
waren. Diese Transistoren sind also alles Halbleitertechnik weiter erhöht hat, ist ge- Source-Spannung, was im Vergleich zum
andere als nützlich. Schade. Was steckt da- nau zu entscheiden, wo die Bauteile in der Silizium-Baustein zu einer deutlichen Ver-
hinter? Haben Sie etwas vergessen? Schaltung zu platzieren sind und wie das besserung der Ausgangsladung führt. Diese
Seit mehr als zwei Jahrzehnten dominieren Leiterplatten-Layout auszuführen ist. Diese Unterschiede führen zu einem anderen Ver-
Silizium-Leistungs-MOSFETs als Schalter in Maßnahmen sollen den Wirkungsgrad ma- halten bei GaN-Bausteinen. Eine geringere
Schaltnetzteilen. In diesen Anwendungen ximieren und parasitäre Größen wie Rau- Gate-Ladung bedeutet, dass der Treiber-IC
konnten hohe Schaltfrequenzen und eine schen und Interferenzen in Grenzen halten. geringere Ansteuerungsverluste aufweist.
geringe Verlustleistung bisher nicht erzielt GaN-Transistoren sind der nächste Schritt Betrachten wir die Systemvorteile, die das
werden, genauso wenig wie mit der vorheri- hin zum idealen Schalter und bieten in vie- Halbleitermaterial GaN mit sich bringt. Bei
gen Technologie auf Basis von Bipolar-Tran- lerlei Hinsicht einen großen Leistungssprung geringeren Ansteuerverlusten lässt sich die
anstatt nur eine kleine Verbesserung. Die Schaltfrequenz steigern, ohne dabei die Ver-
herkömmlichen Herausforderungen bei der lustleistung zu erhöhen. Eine höhere Schalt-
* Jason McDonald
... ist Technical Marketing Manager GaN Products Bauteilplatzierung und Vermeidung parasi- frequenz ermöglicht kleinere magnetische
bei ON Semiconductor, Arizona/USA. tärer Effekte folgen den gleichen Prinzipien Komponenten im Schaltkreis. Je nach Schalt-

kreistyp und Systemanforderungen kann Bild 2: GaN-Transistoren

damit auch die Größe der Bulk-Kondensato- lassen sich für vielfäl-
tige Design-Lösungen
ren verringert werden. Dies führt zu Platzein-
nutzen und ermöglichen
sparungen, was eine höhere Leistungsdich- Schaltungstopologien mit
te mit sich bringt: In der Gleichung Pdrive = Qg höherer Effizienz.
* Vgs * fsw stehen Qg für die Gate-Ladung, Vgs
für die angelegte Gate-Source-Spannung und
fsw für die Schaltfrequenz.
Andere Aspekte müssen mit berücksichtigt
werden, um eine höhere Leistungsdichte zu
ermöglichen. Bei jedem Schaltzyklus wird
Energie in der Ausgangskapazität des Tran-
sistors gespeichert, die abzubauen ist, damit
sich der Baustein beim Einschalten mit ei-
nem niedrigen Widerstand betreiben lässt.
Wird der Schaltkreis in einer Weise verwen-
det, die diese Energie recycelt, ergeben sich
keine Nachteile bei einer höheren Schaltfre- ten, damit bei Überspannungen keine Schä- toren jedoch einen Vorteil gegenüber Silizi-
quenz. Anderenfalls muss man sich den den auftreten. Zum Einsatz kommen jedoch um-MOSFETs. Die tatsächliche Durchbruch-
Schaltverlusten am Transistorausgang be- immer noch Leistungs-MOSFETs aufgrund spannung liegt weit über der angegebenen
wusst sein, die zudem proportional zur Fre- anderer Vorteile bezüglich der Systemleis- Steady-State-Spannung, sodass transiente
quenz sind. tungsfähigkeit. Spannungen wesentlich höher ausfallen
Bei reduzierter Systemgröße sind die Wär- Eine ähnliche Situation besteht heute mit können, bevor sie Schäden verursachen. Ein
meleitungspfade zu überprüfen, um die ver- der ersten Generation von GaN-Leistungs- sorgfältiges Design vermeidet Spannungs-
bleibende Verlustleistungswärme abführen transistoren. Im System sollten sie hohen spitzen und berücksichtigt auch die erforder-
zu können. Bei gleicher Verlustleistung und Energiestößen nicht ausgesetzt werden. In liche Energie zur Erhöhung der Drain-Sour-
höherer Leistungsdichte muss der Wärmewi- dem Datenblatt mag die Avalance-Energie ce-Spannung des GaN-Transistors, wobei die
derstand des Systems gleich bleiben; das selbst bei Silizium-Leistungs-MOSFETs aus- Systemkapazität gegen Masse zu beachten
kann ein anderes Schaltungs-Design oder ein reichenden Schutz aufweisen. Anwendern ist.
wärmeleitfähigeres Materialien erfordern. wird aber ein falsches Sicherheitsgefühl ver- Einer der wichtigsten Vorteile der GaN-
Ein weiteres Missverständnis bei GaN- mittelt. In der Realität spiegelt die angegebe- Transistoren ist deren Schaltgeschwindig-
Transistoren stammt von Leistungs-MOS- ne Energie aber nicht die Möglichkeiten des keit. Werden jedoch die Systemaspekte nicht
FETs. Als Leistungs-MOSFETs erstmals auf Bausteins in der eigentlichen Anwendung berücksichtigt, lassen sich die Vorteile von
den Markt kamen, boten sie sehr begrenzte wider. Auch bei GaN-Transistoren ist darauf GaN nicht nutzen. Aufgrund der hohen Flan-
Energiekapazitäten, sobald eine Überspan- zu achten, dass Überspannungen und ähn- kenanstiegs- und Flankenabfallgeschwin-
nung auftrat und im ausgeschalteten Zu- liche Ereignisse vermieden werden, die das digkeit, wie sie sich mit GaN-Transistoren
stand der gesamte Systemstrom durch den System mit zusätzlicher Energie beaufschla- erzielen lässt, können Entwickler die Schalt-
Baustein forciert wurde. Es dauerte viele gen und hohe Spannungsspitzen verursa- frequenzen deutlich erhöhen. Während pa-
Jahre, bis sich hier Verbesserungen einstell- chen. In dieser Hinsicht bieten GaN-Transis- rasitäre Induktivitäten immer einen Einfluss
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Bild 4: HEMT-Struktur
(High Electron Mo-
bility Transistor) in
GaN-Technologie mit
hoher Ladungsträger-
beweglichkeit durch
Ausbildung eines
zweidimensionalen
Elektronengases.
600-V-TRAN- DURCHLASS- GATE- AUSGANGS- AUSGANGS- SPERRVER-

SISTOR WIDERSTAND LADUNG QG KAPAZITÄT CO LADUNG ZÖGERUNGS-
(MΩ) (NC) (TR) (NF) QOSS (NC) LADUNG QRR
Gen 1 180 18 116 47 38
GaN
Cascode
Neuester 195 23 321 131 5800
Silizium-
Bild 3: GaN-Halbleiter ermöglichen eine höhere Sys-
MOSFET
temleistungsdichte und reduzieren die Baugröße Bild 5: Vergleich eines GaN-Baustein der ersten Generation mit einem Silizium-MOSFET der neuesten
und das Gewicht. Generation.
auf die Schaltkreise haben, sind sie bei größeren Systemen verwenden, sinken die alle Vorteile schnell schaltender GaN-Tran-
schnellen Signalflanken und hohen Schalt- Kosten für die magnetischen Bauteile. Glei- sistoren, inklusive eines hohen Wirkungs-
frequenzen noch kritischer. Steile Anstiegs- ches gilt hinsichtlich der Anforderungen an grades. GaN-Leistungstransistoren machen
und Abfallflanken enthalten mehr hochfre- die Kapazitäten; kleinere Kondensatoren es möglich, damit erstellte Designs jenseits
quente Oberschwingungen und erhöhen das sind möglich, wenn die Systemanforderun- der Grenzen von Silizium zu betreiben. Eine
Risiko leitungsgebundener oder abgestrahl- gen damit immer noch erfüllt werden. Aller- erhebliche Steigerung der Systemleistung
ter elektromagnetischer Störungen (EMI). dings ist das nicht selbstverständlich. So wird dann erzielt, wenn sowohl das Schal-
Filter für leitungsgebundene EMI müssen kann eine Haltezeit erforderlich sein, die tungs-Layout als auch die Auswahl der Bau-
genau an die Leistungstransistoren und die wiederum eine Mindestkapazität verlangt. teile in die Betrachtungen einfließen. GaN
umgebenden Schaltkreise angepasst sein; Die Senkung parasitärer Induktivitäten auf ist also kein Substitut für Silizium, sondern
man darf sich nicht auf bestehende Designs ein Minimum und ein entsprechendes De- ein Paradigma-Wechsel. // KU
verlassen – unter der falschen Annahme, sign ermöglichen ein kürzeres und besser
diese seien ausreichend. Um abgestrahlte steuerbares Schalten. Damit ergeben sich ON Semiconductor
elektromagnetischer Störungen zu reduzie-
ren, müssen die Schaltknoten so kurz und
breit wie möglich gehalten werden.
Die parasitären Induktivitäten der Gehäu-
se schnell schaltender Transistoren haben
PRAXIS
gleichfalls erhebliche Auswirkungen auf den WERT
Wirkungsgrad der Leistungswandlung wie
das PCB-Layout. Es gilt die Gesamtindukti- GaN-Halbleiter richtig anwenden
vität in Versorgungs- und Ansteuerungskrei-
sen auf ein Minimum zu senken, um eine Werden neue MOSFETs vorgestellt, verspricht man sich vor allem einen verbesser-
bestmögliche Schaltleistung zu erhalten. ten Wirkungsgrad. Das gleiche gilt, wenn ein GaN-Bauteil einen MOSFET in einem
Nachdem nun minimierte parasitäre In- bestehenden Design ersetzen soll. Die Enttäuschung ist groß, wenn sich die erwar-
duktivitäten schnellere Schaltfrequenzen teten Leistungssteigerungen nicht einstellen. Um die wirklichen Vorteile von GaN
ermöglichten, können auch andere Bauteile nutzen zu können, muss das System-Design verändert werden. GaN zielt auf eine
einer Überprüfung bzw. Änderung unterzo- höhere Leistungsdichte ab, was eine Neugestaltung anderer passiver Bauelemente
gen werden. Beispielsweise ist es bei höheren wie Transformatoren und Ausgangskondensatoren erfordert. Um den Transformator
Schaltfrequenzen möglich, die Größe der zu verkleinern, muss die Schaltfrequenz erhöht werden. Werden Standard-MOSFETs
Magnetkerne in Transformatoren oder Dros- mit hohem Qg in einem HF-Design verwendet, sinkt der Wirkungsgrad. Wird ein GaN-
seln zu verringern, um die Leistungsdichte Baustein mit einem niedrigen Qg im gleichen Design verwendet, bleibt der Wirkungs-
des Gesamtsystems zu erhöhen. Lassen sich grad erhalten. GaN sollte also nicht als Ersatz bestehender MOSFETs angesehen wer-
weiterhin die gleichen Materialien und Fer- den, sondern als Lösung, um die Leistungsdichte und den Wirkungsgrad zu erhöhen.
tigungsmethoden wie bei den bisherigen

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LEISTUNGSELEKTRONIK // LEBENSDAUERBETRACHTUNGEN
Auswahl und Zuverlässigkeit

thermischer Interface-Materialien
Eine um 10 K höhere Temperatur halbiert die Lebensdauer des Chips.
Thermisches Interface-Material senkt Verlustwärme zuverlässig,
wenn richtig angewandt und die thermische Situation korrekt bewertet.
ROBERT LIEBCHEN *
E
in thermisches Interface-Material dauerende ausgelegt. Diese Auslegung soll Kontaktwiderstand Streuungen, die für die
(TIM) wird an thermisch hoch belaste- für eine ausreichende Qualität der Produkte Qualität und Lebensdauer der Elektronik
ten Stellen eingesetzt, um die Entwär- über den vorgesehenen Lebenszyklus sor- maßgebend sind.
mung zwischen zwei Festkörpern zu optimie- gen. Das Ziel muss sein, diesen Kontaktwider-
ren. Das TIM verdrängt die in den Hohlräu- Bei der thermischen Auslegung einer Elek- stand kontrollier- und reproduzierbar zu
men eingeschlossene Luft zwischen diesen tronik spielt die Auswahl des TIMs eine ent- gestalten. Die statistische Toleranzrechnung
Körpern und senkt durch Ableitung der scheidende Rolle. Im Idealfall kann auf das liefert die Spaltmaßanforderungen für das
Verlustwärme die Temperatur im Halbleiter. TIM komplett verzichtet werden. Bei jedem TIM. Aus den thermischen Anforderungen
Damit verlängert sich die Lebensdauer des Fertigungsprozess gibt es Herstelltoleranzen; für die Halbleiter Temperatur erhalten wir
Leistungshalbleiters. Doch was passiert, es entsteht eine Abweichung zur Konstruk- die Vorgabe für den maximalen thermischen
wenn das TIM altert und sich der thermische tion. Dazu kommen Gestaltabweichungen Widerstand im Wärmepfad. Dieser wird z.B.
Widerstand nach wenigen tausend Zyklen wie Rauheit, Welligkeit, konkave und konve- mit Hilfe thermischer Simulationsrechnun-
um 20% erhöht? Dies führt zwangsläufig zu xe Verformungen sowie Kratzer, Grate und gen bestimmt. Weitere Auswahlparameter
einer Erhöhung der Temperatur im Halblei- Verschmutzungen die z.B. bei der Montage sind die elektrische Isolationseigenschaft
ter. Nach dem Gesetz von Arrhenius halbiert entstehen. Luft ist ein schlechter Wärmelei- und die Montagebedingungen. Für die Mon-
eine Temperaturerhöhung um 10 K die Le- ter. Bei 80 °C beträgt ihre Wärmeleitfähigkeit tage wird das TIM in zwei Klassen unterteilt:
bensdauer der Elektronik. Aus diesem Grund nur 0,03 W/(mK). Deshalb entsteht auch bei vorgeformte und dispensbare Materialien.
werden elektronische Systeme mit TIM auf kleinster Schichtdicke im Bereich von 1 µm Vorgeformte TIMs sind harte und weiche
ihren thermischen Widerstand bei Lebens- ein kritischer und vor allem unkontrollierba- Pads, Phase Change Material (PCM), Gap
rer thermischer Widerstand. Bei der statisti- Pads oder Grafit-Folien. Diese können mit
schen Toleranzrechnung addieren sich die einer klebenden oder haftenden Beschich-
* Robert Liebchen
geometrischen Fehler der Einzelteile zu ei- tung ausgeführt sein. Diese Beschichtung
....ist Mitarbeiter im Forschungsbereich Wärme-
Management an der Dualen Hochschule Baden- nem unteren und oberen Grenzwert. Da- sorgt zwangsläufig zu einer Erhöhung des
Württemberg, Stuttgart. durch ergeben sich für den thermischen thermischen Widerstandes im Vergleich zur
nicht beschichteten Variante. Zu den dis-
pensbaren TIMs zählen Pasten, Gapfiller,
Gele oder Klebstoffe. In Bild 1 ist eine Eintei-
Bilder: DHBW
lung der TIMs nach ihren thermischen Wi-

derständen und den dazugehörigen Spalt-
weiten (TIM-Dicke) dargestellt.
Welches Material ist besser?

Die richtige Auswahl treffen
Nach der ersten Vorauswahl nach prozess-
technischen, konstruktiven, thermischen
und monetären Gesichtspunkten wird die
Auswahl durch detaillierte Datenblattanga-
ben eingegrenzt. Schwierigkeiten können
schon bei der Angabe des thermischen Wi-
derstands mit unterschiedlichen Einheiten
entstehen. Beispielsweise ist bei Material A
der thermische Widerstand mit 0,2 K/W
(inch2) mit einer Dicke von 0,2 mm angege-
ben, bei Material B steht 0,3 K/W für eine
Fläche vom TO3-P mit derselben Dicke. Wel-
Bild 1: Überblick über verschiedene TIM-Arten. ches TIM ist besser? Der thermische Wider-

stand in der Einheit K/W ist nur bei gleichen
Messflächen vergleichbar. Die Umrechnung
in die flächenbezogene Einheit mm2K/W er-
gibt für Material A „129“ und für Material B
„83“. Die nächste Herausforderung entsteht
durch die unterschiedliche Angabe von
Messmethoden. Oft sorgen interne, fir-
menspezifische Verfahren für Verwirrung.
Für TIMs hat sich die stationäre Zylinderme-
thode nach ASTM D5470 etabliert. Dort wird
der Messvorgang für viskose, elastische und
feste TIMs beschrieben. Bild 2 zeigt das Mes-
sprinzip. Zwischen zwei Prüfzylindern aus
Aluminium wird die Probe eingespannt. Aus
dem Temperaturverlauf entlang der Prüfzy-
linder und dem Temperatursprung an der
Probe ergibt sich deren thermischer Wider-
stand.
Die Testmethode ASTM D5470 beschreibt
ein stationäres Messverfahren. Es wird auf-
grund einer eingestellten Temperaturdiffe-
renz von der Quelle bis zur Senke ein Wär-
mestrom erzeugt, der in zwei Messzylindern
erfasst wird. Gleichzeitig werden mit kalib-
rierten Thermoelementen die Temperaturen
in den Messzylindern gemessen und an die
Messzylinderoberfläche extrapoliert. Aus
dem Verhältnis der Temperaturdifferenz zum
mittleren Wärmestrom wird der thermische
Widerstand bestimmt. Durch den Einsatz
eines berührungslosen LED-Mikrometers
wird zusätzlich das Spaltmaß gemessen und
die effektive Wärmeleitfähigkeit bestimmt.
Am ZFW Stuttgart steht der mit dem Löhn-
Preis ausgezeichnete TIM-Tester, der die
ASTM in einigen Bereichen erweitert und die
Messqualität nochmals verbessert hat. TDK Technology
Advancing power
TIMs sollten generell auf ihre Bulk- und
Kontaktwiderstände überprüft werden. Zu-
erst fällt der Blick wieder auf die Applikation.
Es stellen sich die Fragen: Ist das TIM unter
Druck, z.B. mit Federkraft, oder unter einem
konstanten Spaltmaß mit einer Schraubver-
solutions.
bindung im Wärmepfad appliziert? Wie ver-
ändert sich das TIM unter konstantem Druck Aluminum electrolytic
aus thermischer und mechanischer Sicht? capacitors for high ripple
Was passiert bei einem konstanten Spalt- currents
maß? Kann das TIM durch seine Einbaulage
selbst beschädigt werden?
Pads, Gele und Gapfiller können unter EMC and sine-wave filters
konstantem Druck oder unter einem kons- for currents up to 8 kA
tanten Spaltmaß gemessenen werden. Bei
der Messung unter konstantem Druck ent-
steht ein Setzverhalten des Pads. Unter kon-
Rare earth magnets
stantem Spaltmaß verringert sich die Kraft
with high H values for
bis zu einem minimalen Wert. Beide Mess-
wind power generators
methoden entsprechen dem realen Retarda-
tions- und Relaxationsverhalten einer Appli-
kation. Bild 3 zeigt das Messergebnis eines Varistors and surge
Silikon-Pads unter konstantem Druck. Auf- arresters with long-term
getragen ist die Messkurve über der Verpres- reliability
ELEKTRONIKPRAXIS Leistungselektronik & Stromversorgung März 2017 www.tdk.eu

TIM erzeugt und welchen Einfluss hat dies

auf die Lebensdauer? Je nach Anwendung,
Materialkombination und Umweltbelastung
kommen beschleunigte Alterungstest in Fra-
ge. Dazu gehören etwa die thermogravimet-
rische Analyse, der Lastwechseltest, der
Temperaturwechseltest, der Wärme- und
Feuchtetests und die Temperaturhochlage-
rung.
Bei der thermogravimetrischen Analyse
(TGA) nach ASTM E1641 und ASTM 1877 wird
das TIM in einer Stickstoffatmosphäre von
20 bis 1100 °C erwärmt und dabei der Masse-
Bild 2: Prinzip der Messmethode nach ASTM D5470. verlust gemessen. Wird dies bei vier verschie-
denen Heizraten durchgeführt, lässt sich aus
den Messkurven die Aktvierungsenergie
bestimmen. Die thermische Materialzerset-
zung kann durch einen Arrhenius-Zusam-
menhang dargestellt werden. Daraus kann
der Temperaturindex TI (Temperatur für eine
Dauerlast von 20.000 h) und das Halbzeitin-
tervall HIC (Temperaturerhöhung von TI in
K für 10.000 h) berechnet werden. Das HIC
liegt für viele Arten von TIMs in der Größen-
ordnung von 8 K. Außerdem können über die
lineare Schadensakkumulationen Profile für
wiederkehrende, zyklische Lasten und kurze
maximale Temperatureinflüsse wie Schweiß-
vorgänge berechnet und somit die Lebens-
dauer für eine thermische Belastung be-
Bild 3: Die Messergebnisse eines Silikon-Pads nach ASTM D5470. stimmt werden.
Aus dem Datenblatt wird die Dauerge-
brauchstemperatur als Hinweis für die Le-
bensdauer angenommen. Diese wird typi-
sung bei gleichzeitiger Darstellung des Dru- (Spaltmaßänderung) wird die Rückstellfä- scherweise vom Hersteller mit einer thermo-
ckes. Typische Grenzwerte aus der statisti- higkeit kleiner. Dies deutet auf Mikrorisse im gravimetrischen Analyse durchgeführt. Es
schen Toleranzrechnung liegen zwischen Material hin. wird die Zersetzungstemperatur bei einem
14% und 38% des absoluten Spaltmaßes. Die Für Pasten wurde am ZFW ein spezieller Masseabbau von 10% und einer Heizrate von
sich daraus ergebenden Toleranzen des ther- Regelalgorithmus entwickelt, um die Wär- 10 K/Min minus 150 °C angegeben. Diese
mischen Widerstandes unterscheiden sich meleitfähigkeit und den Kontaktwiderstand Vorgehensweise kann in manchen Fällen zu
schon zu Beginn um 20%. zu bestimmen. Außerdem kann gezeigt wer- einer Lebensdauer unter einem Jahr führen.
Die dritte Möglichkeit ist die Kombination den, wie die Paste unter Druck reagiert und Deshalb ist es empfehlenswert die chemisch-
aus beiden Messmethoden. Zuerst wird ein welche minimale Dicke (bond line thickness) kinetischen Parameter vollständig auszuwer-
konstantes Spaltmaß (5%, 10%, 15%, 20% tatsächlich erreichbar ist. Ein weiterer Mess- ten. Bild 5 im Online-Beitrag 44545526 zeigt
usw.) angefahren. Nach jedem einzelnen modus wurde für Phase Change Materialien die Ergebnisse einer thermogravimetrischen
Spaltmaß und einer definierten Wartezeit entwickelt. Erstmalig lässt sich damit exakt Analyse. Es wird aus der gemessenen Akti-
wird der Messmodus von konstantem Spalt das Aufschmelzen mit der dazugehörigen vierungsenergie die Lebensdauer über der
auf konstanten Druck gestellt. Es wird ein Spalt- und thermischen Widerstandsände- Probentemperatur dargestellt. Aus dieser
minimaler Druck von 0 bis 0,5 bar angefah- rung untersuchen. Festkörper wie Keramiken Kurve lässt sich der TI und das HIC bestim-
ren. Aus diesen Messungen lässt sich die und Klebstoffe werden unter kontrolliertem men. Die gestrichelte Linie verdeutlicht die
Messkurve der Rückstellfähigkeit berechnen. Kontaktwiderstand unter erhöhtem Druck Messunsicherheit. Aus diesem Ergebnis sind
Das Pad erfährt im Einsatz durch Temperatur (15 bis 25 bar) gemessen. erste Profile für weitere aktive und passive
und Umwelteinflüsse eine Ausdehnung oder Im folgenden Schritt beginnt die Lebens- Umweltsimulationen berechenbar.
einen Verzug. Die Rückstellfähigkeit zeigt an, daueruntersuchung der ausgewählten TIMs. Am ZFW wurde ein spezieller Prüfstand
ob das TIM diese Bewegung mitmachen kann Zunächst muss deren Einsatzbereich und die für thermo-mechanische Lasten aller TIM-
oder sich im schlimmsten Fall von der Ober- Umweltbelastung näher betrachtet werden. Arten entwickelt. Mit diesem Prüfstand kön-
fläche ablöst. Durch ein Ablösen wird der Es stellt sich die Frage nach der Art der Be- nen Last- und Temperaturwechseltests, Wär-
thermische Widerstand an dieser Kontakt- lastung (Zyklus- oder Dauerlast). Kann me- und Feuchtetests sowie die Temperatur-
stelle sprunghaft steigen. Bild 4 zeigt bei- Feuchte eindringen? Wird während der Mon- hochlagerung bis zum Ausfall geprüft wer-
spielhaft die Messergebnisse eines 1 mm di- tage durch einen Schweißprozess am Pro- den. Der Lastwechseltest ist ein aktiver Test.
cken Pads. Mit steigender Verpressung dukt eine kurzfristige hohe Temperatur im Es wird über eine Heizquelle, Kühlplatte und

einen speziellen Probenhalter ein Lastwech-

sel von -10 bis 150 °C erzeugt. Dabei stellt sich Bild 4:
Rückstellfähigkeit
eine Temperaturdifferenz ΔT über dem TIM
eines Pads in
ein. In jedem Zyklus wird der transiente ther- Abhängigkeit der
mische Widerstand und alle 500 Zyklen der Verpressung.
stationäre thermische Widerstand gemessen.
Dadurch ist es möglich, den Einfluss der
Temperatur, des Drucks und die Auswirkung
aus den unterschiedlichen Ausdehnungsko-
effizienten auf die Lebensdauer zu untersu-
chen. Derselbe Probenhalter mit TIM kann
für passive Umweltsimulationen in der Kli-
makammer gelagert werden. Dies können
z.B. der Wärme- und Feuchtetest mit 85 °C
und 85 % r.F. (HAST: 130 °C und 85% r.F.), der
Temperaturwechseltest mit -40 bis 150 °C Die physikalischen und chemisch-kineti- koeffizienten), der Art der Belastung und der
oder die Temperaturhochlagerung mit Tem- schen Vorgänge der Ausfallmechanismen ausgesetzten Umgebungsbedingungen ab-
peraturen von 80 bis 200 °C sein. sind heute nicht vollständig untersucht. Die hängig. Dies führt dazu, dass das gleiche TIM
Zu Beginn wird auf einer Kühlplatte der wichtigsten Ausfallmechanismen sind bei unterschiedlichen Applikationen ein
stationäre thermische Widerstand und an- Pump-out- und Dry-out-Effekte bei Pasten, unterschiedliches Verhalten aufweist: In der
schließend nach einem festgelegten Inter- Delamination und Risse bei Pads, Klebstof- einen Applikation kann es den thermischen
vall, z.B. alle 200 h, dessen Änderung gemes- fen und Gelen sowie Oxidation und Agglo- Widerstand konstant halten, in der anderen
sen. Bild 6 im Online-Artikel 44545526 zeigt meration (Abscheidung von Materialbe- kann es jedoch die Alterung beschleuni-
den Probenhalter für die aktive und passive standteilen in flüssiger oder fester Form). Die gen. // KU
Umweltsimulation. Zuverlässigkeitsuntersu- Langzeitstabilität von TIMs ist von der Mate-
chungen für TIMs sind bisher nicht genormt. rialkombination (thermische Ausdehnungs- Duale Hochschule Baden-Württemberg
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LEISTUNGSELEKTRONIK // MESS- UND SIMULATIONSVERFAHREN
Lebensdauerbetrachtungen
unter mechanischer Belastung
Die Bestimmung der mechanischen Belastung von Bauelementen
ist hinsichtlich Zuverlässigkeitsprognose in der Konzeptphase
ebenso wichtig wie die thermische und elektrodynamische Analyse.
CHRISTIAN ROMMELFANGER *
nen Spannungsabfall in der aktiven Zone der
Bilder: Zentrum für Wärmemanagement (ZFW)

Junction und die daraus resultierenden me-
chanischen Spannungen im Bauteil berech-
net werden. Nach einer Validierungsphase
können durch multiphysikalische Simulati-
onen die Überlebenswahrscheinlichkeit vir-
tueller Prototypen, mit deutlich reduzierten
Prototypenkosten, für ihren realen Einsatz
miteinander vergleichen werden. Nur mit
dem Zusammenspiel aus modernen Messme-
thoden ist eine kostenoptimierte und schnel-
le Entwicklung möglich, um am Markt beste-
hen zu können.
Die Zuverlässigkeitsbetrachtung durch
Bild 1: Lebensdauermodelle durch Simulation und Versuch. Simulation und Messtechnik findet in zwei
aufeinander aufbauenden Schritten statt
(Bild 1). Im ersten Schritt wird ein Bauteil
G
arant für Kundenzufriedenheit ist die Lebensdauer einer Komponente allein durch unter definierten Messbedingungen in einem
Zuverlässigkeit; das gilt für alle Bran- ihre Sperrschichttemperatur festgelegt wur- Lastwechselprüfstand untersucht und die
chen und für Elektronikprodukte in de, neigt sich dem Ende zu. Um verlässliche für ein Lebensdauermodell nach Coffin Man-
besonderem Maße. Bisher wurde die Min- Aussagen bezüglich der Lebensdauer zu ma- son benötigten Parameter ermittelt. Anhand
destlebensdauer einer Elektronik durch chen, reicht eine rein thermische Betrach- einer FEM-Simulation werden dann die plas-
großzügige Überdimensionierung sicherge- tung in den meisten Fällen nicht aus. So tischen Dehnungen ermittelt, die in dem
stellt. Aber steigende Leistungsdichte durch vielfältig die Belastungen auf die Bauteile Bauteil während der Messung aufgetreten
Miniaturisierung und kürzere Entwicklungs- sein können, so vielfältig gestalten sich auch sind. Dadurch kann ein Lebensdauermodell
zyklen aufgrund verschärften Wettbewerbs die Möglichkeiten diese zu untersuchen. Da hergeleitet werden, das nur noch von den
verlangen die Abkehr von althergebrachten nicht jeder Test bei jedem Bauteil nötig ist, plastischen Dehnungen im Bauteil abhängt.
Methoden. Um die Produktlebensdauer früh- unterstützen erfahrene Dienstleistungsun- Der erste Schritt bildet die Grundlage für ein
zeitig im leistungselektronischen Design ternehmen ihre Kunden dabei, das geeigne- validiertes Modell, mit dem im zweiten
abschätzen und sichern zu können, gibt es te Messverfahren auszuwählen. Schritt virtuelle Prototypen durch FEM-Si-
wirksame Praktiken, die nachfolgend detail- Die Möglichkeiten reichen von Modalana- mulationen untersucht werden können.
liert dargestellt werden. lysen, Schwingversuchen, analytischen und Durch die Simulation ist jetzt nämlich für
Die einfachste Form, die Lebensdauer zwi- numerischen Festigkeitsberechnungen bis beliebige Randbedingungen und auch ab-
schen zwei unterschiedlichen Designs ge- hin zu Power-Cycle-Tests oder Feuchtebelas- weichende Geometrien (z.B. mit anderen
genüberzustellen besteht darin, die Tempe- tungen. Fortgeschrittene Simulationstechni- Bonddraht-Geometrien) die plastische Deh-
raturen der Chip-Junction zu vergleichen. ken ermöglichen es, besser als mit herkömm- nung ermittelbar.
Hierbei gilt als Daumenregel, dass schon lichen Methoden, Aussagen über Belastun- Mit dieser plastischen Dehnung lässt sich
eine um 10 Kelvin niedrigere Junction-Tem- gen der Baugruppen zu treffen. Durch mul- dann die Lebensdauer für andere Einsatzbe-
peratur im Regelfall eine Verdopplung der tiphysikalische Simulation sind Anwender dingungen oder für Design-Varianten bestim-
Lebensdauer bedeutet. Die Zeit, in der die in der Lage, die Wechselwirkung zwischen men. Eine typische Anwendung dieses Vor-
verschiedenen physikalischen Einflüssen gehens ist die Bestimmung der Lebensdauer
auf ihre Baugruppen zu untersuchen. Dabei einer Diode bei kleinen Temperaturhüben.
werden thermische, elektrodynamische, Um ein Lebensdauermodell empirisch zu
* B.Eng. Christian Rommelfanger
strömungsmechanische und mechanische erstellen, muss die Diode bis zu ihrem defi-
... ist Leiter des Bereichs Simulation
am Zentrum für Wärmemanagement Berechnungen gekoppelt. So kann zum Bei- nierten Ausfallkriterium gestresst werden.
(ZFW) Stuttgart in Walddorfhäslach. spiel die Temperaturentwicklung durch ei- Gerade bei kleinen Temperaturhüben ergibt

kühlen schützen verbinden
Forcierte Entwärmung
• Verschiedenartige Lüfteraggregate zur
Abfuhr hoher Verlustleistungen
• Kompakter Aufbau und homogene
Wärmeverteilung
• Exakt plangefräste
Bild 2: Flussspannung über Zyklen. Halbleitermontageflächen
• Sonderlösungen
nach Ihren
sich damit eine nicht mehr praxisrelevante Bonddrahtes. Wird der Lastwechsel hinge- Vorgaben
Messdauer für die Lebensdaueruntersu- gen mit einem definierten Temperaturhub
chung. Eine Möglichkeit ist dann das Lebens- angesteuert, bleibt die Temperaturänderung
dauermodell für plastische Dehnungen für zwar gleich, die Leistung bzw. der Strom wird
beschleunigte Messparameter zu verifizieren jedoch über die Lebensdauer zu- oder abneh-
und anschließend durch Simulation für klei- men.
nere Temperaturhübe die Lebensdauer zu Während des Lastwechseltests wird in de-
berechnen. Da die Simulationszeit nur von finierten Abständen mit dem thermischen
den eingesetzten Berechnungsressourcen Transientenverfahren der thermische Wider-
abhängt, können Lebensdauerabschätzun- stand der einzelnen Bauteilschichten gemes-
gen, die normalerweise Monate dauern wür- sen. Ändert sich dieser thermische Wider-
den, in wenigen Tagen durchgeführt werden. stand während der Untersuchung, deutet das
Zur Messung von thermischen und elekt- auf einen Ausfall in einer Grenzschicht hin,
rischen Eigenschaften in einem aktiven Last- z.B. zwischen Lot und Silizium. Durch den
wechseltest wird das Bauteil unter einer Einsatz des thermischen Transientenverfah-
bestimmten Regelstrategie so lange ge- rens kann die Schicht, die zum Ausfall ge-
stresst, bis ein definierter Grenzwert, zum führt hat, genau bestimmt werden. Somit
Beispiel in der Flussspannung bei einer Di- sind präzise Aussagen zum Fehlermechanis-
ode, überschritten ist. Die Wahl der richtigen mus möglich. Es kann z.B. ermittelt werden,
Regelstrategie ist wichtig, um genaue Aussa- ob sich der Chip vom Frame abgelöst hat oder
gen über das Verhalten des Bauelements in in der Baseplate Mikrorisse entstanden sind.
der realen Applikation zu gewinnen. Wird Zusätzlich zum thermischen Widerstand
das Bauteil mit konstantem Strom angesteu- wird während des Versuchs die Flussspan-
ert, erhöht sich die Chip-Verlustleistung und nung gemessen. Ändert sich die Flussspan-
somit die Temperatur durch den steigenden nung während der Untersuchung, deutet
elektrischen Widerstand bei Ausfall eines dies auf einen Bonddrahtbruch durch Liftoff
Bild 3:
Multiphysikalische
Kopplung. Mehr
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ELEKTRONIKPRAXIS Leistungselektronik & Stromversorgung März 2017 25 Halle 6, Stand 344
drahtbruch identifiziert werden konnte, ist

es Ziel der multiphysikalischen Simulation
die plastischen Dehnungen, die bei den Mes-
sungen im Bauteil aufgetreten sind, zu be-
stimmen. Da die plastische Dehnung über
alle Zyklen konstant ist, muss pro Messreihe
nur ein Zyklus berechnet werden. Mit der
berechneten plastischen Dehnung für min-
destens zwei Temperaturhübe und der aus
dem Lastwechseltest in Schritt 1 ermittelten
Lebensdauer können für ein Coffin-Manson-
Modell die Koeffizienten C1 und C2 berechnet
werden (Bild 3). Anschließend liefert eine
multiphysikalische Simulation die plastische
Dehnung für einen beliebigen Temperatur-
hub. Anhand des konfigurierten Coffin-Man-
Bild 4: Lebensdauer Diode über plastische Dehnung. sons-Modells ist die Lebensdauer der Diode
bestimmbar (Bild4).
Der Vorteil der Simulation ist, dass die Le-
oder Heelcrack hin. Im Gegensatz zum lang- Laufzeit des Versuchs von 6 Tagen. Tritt in bensdauer der Bauteile auch für kleine Tem-
samen Anstieg des thermischen Widerstands der Applikation ein Temperaturhub von nur peraturhübe schnell prognostiziert werden
bei Degradation in einer Lotschicht, findet 80 K bei einer prognostizierten Lebensdauer kann. Ein Lastwechselversuch für einen
eine Änderung in der Flussspannung bei von 1.000.000 Zyklen auf, ergibt sich eine Temperaturhub von 70 K dauert beispiels-
Bruch gewöhnlich schlagartig statt. Bei- geschätzte Laufzeit des Tests von 92 Tagen. weise am Lastwechselprüfstand 175 Tage, im
spielsweise sei hier nachfolgend die Lebens- Um die Versuche auf eine praktikable Zeit zu Vergleich dazu dauert die Simulation inklu-
dauer-Abschätzung einer Diode in einer In- verkürzen, werden beschleunigende Ver- sive Konfiguration der Lebensdauerglei-
dustrie-Anwendung beschrieben. Für die suchsbedingungen definiert. D.h., dass statt chung plus Messung von zwei Kalibierpunk-
Diode wurde als Randbedingung ein Tempe- einem Temperaturhub von 80 K ein höherer ten weniger als zwei Wochen. Einen weiteren
raturhub von 100 K gewählt. Das Ausfallkri- Temperaturhub gewählt und dann bis zum Vorteil der multiphysikalischen Simulation
terium für die Diode wurde als Anstieg der Einsatzbereich interpoliert wird. Hierbei ist und einer Lebensdauergleichung für plasti-
Flussspannung um 5% definiert. Die Mes- zu beachten, dass die Beschleunigung der sche Dehnungen zeigt sich bei Variantenstu-
sung der Flussspannung bei einem Tempe- Tests nur in bestimmten Grenzen möglich ist. dien. Um z.B. den Einfluss eines weiteren
raturhub von 100 K zeigt vier schlagartige Versagt in der Applikation eine Lotschicht Bonddrahts auf die Lebensdauer zu beschrei-
Anstiege, siehe Bild 2. Dieser Anstieg deutet durch Kriechen bei 50 K Temperaturhub, fällt ben, benötigen man keinen physikalischen
auf ein Versagen der Bonddrähte hin. Da der im beschleunigten Versuch bei 100 K viel- Prototyp, sondern muss lediglich das CAD-
Widerstand steigt, wird bei Bruch des ersten leicht eher der Bonddraht aus. Die Beschleu- Modell anpassen. Beispielsweise ist hier der
Bonddrahts, um den gleichen Temperatur- nigung der Messung ist also durch die Ein- Vergleich zwischen der originalen Diode mit
hub zu erreichen, eine höhere Spannung haltung des Ausfallmechanismus begrenzt. vier Bonddrähten und einer optimierten Di-
benötigt. Im weiteren Verlauf brechen immer Hier wird die numerische Simulation zu ei- ode mit fünf Bonddrähten dargestellt (Bild
mehr Bonddrähte, bis das Bauteil schließlich nem wichtigen Werkzeug. Wo früher nur 5). Zu beachten ist allerdings, dass die Koef-
versagt (Bild2). thermische Simulationen eingesetzt wurden, fizienten der Lebensdauergleichung nur ei-
Durch eine statistische Auswertung über um die Lebensdauer anhand der thermi- nen begrenzten Gültigkeitsbereich haben, da
Versuche bei unterschiedlichen Temperatur- schen Belastung der Bauteile abzuschätzen, sie keine Materialkennwerte sind.
hüben kann man durch eine Weibull-Analy- werden heute mehrere Simulationssubsys- Weil jedes Kelvin zählt, ist ein analytisches
se auf die Ausfallwahrscheinlichkeit des teme elektrisch, thermisch und mechanisch und systematisches Vorgehen entscheidend.
Bauelements zurückschließen. Für einen miteinander gekoppelt (Bild3). Jedoch sind Mess- und Berechnungsmetho-
Temperaturhub von 90 K ergibt sich für die Durch die Kopplung ist es möglich, kom- den nur sinnvoll nutzbar, wenn die Physik
Diode bei einer Ausfallwahrscheinlichkeit plizierte Wechselwirkungen innerhalb eines dahinter verstanden wird. Autor Christian
von 63,2% eine Zyklenanzahl von 32.438 Zy- Bauteils zu berücksichtigen. Durch die Er- Rommelfanger hat langjährige Jahre Erfah-
klen. Bei 100 K Temperaturhub ergibt sich wärmung ändern sich beispielsweise der rung im Bereich Halbleiter, Electronic Pa-
bei gleicher Ausfallwahrscheinlichkeit eine elektrische Widerstand und die Festigkeits- ckaging und Leiterplatten. Im ZFW leitet er
Zyklenanzahl von 54.329. Bei 60.000 Zyklen kennwerte der eingesetzten Werkstoffe. Da den Bereich Simulation verantwortet u.a. die
und einer Zykluszeit von 8 s ergibt sich eine bei der Diode im ersten Schritt ein Bond- Entwicklung und Optimierung von Kühlkon-
zepten, Charakterisierung thermischer Pfade
und Simulationsrechnungen. Rommelfanger
begleitet von der ersten Idee bis hin zur
Serienreife eines Produkts. Offeriert wird das
Wissen z.B. auf Consulting-Basis oder auch
als Komplettentwicklung. // KU
Bild 5: Varianten-Studie bei unterschiedlicher Anzahl an Bonddrähten. Zentrum für Wärmemanagement (ZFW)

AKTUELLE PRODUKTE // LEISTUNGSELEKTRONIK
Spar -80%
IPM
Power-Modul in CIB-Topologie
Watt
Vincotech, ist Hersteller modu-
larer Lösungen für die Leistungs-
elektronik und präsentiert ein
neues, intelligentes Leistungs-
halbleitermodul mit einer beson-
ders hohen Komponenten-Inte-
grationsdichte für 1200-Volt-
Anwendungen. Das flowIPM 1C
CIB 1200 V, so die Baustein-Be-
zeichnung, erreicht nach Her-
stellerangaben die größtmögli-
che Dichte an Komponenten-
Integration aller heute auf dem
Markt verfügbaren Leistungs-
halbleitermodule, und ermög- zung zum Schutz der Schaltung.
licht es damit, die Systemkosten Die Stromwerte des neuen intel-
zu senken und die Fertigung zu ligenten Power-Moduls, verpackt
beschleunigen. Das intelligente im neuen flow 1C-Gehäuse, sind
Power-Modul flowIPM 1C basiert ebenso beeindruckend und be-
auf einer CIB-Topologie (Wand- tragen 14 A @ 80 °C bzw. 30 A @
ler plus Inverter plus Brems- 25 °C Kühlkörper-Temperatur.
Chopper) und ist mit drei Inver- Das neue IPM hat einen Brems-
ter-Gate-Treibern einschließlich Chopper mit Gate-Treiber; der
einer Bootstrap-Schaltung für Emitter-Widerstand ist 30 mΩ.
die Hochvolt-Stromversorgung Muster sind erhältlich.
ausgestattet. Jeder Inverter-
Zweig bietet eine Strombegren- Vincotech
10820
600-V-MOSFET
4. Generation, weniger Verluste

Das erste Bauteil einer vierten sich durch seinen hohen Wir-
Generation von 600-V-Power- kungsgrad für Stromversor-
MOSFETs ist der n-Kanal-MOS- gungsanwendungen in den Be-
FET SiHP065N60E der E-Serie
von Vishay Siliconix. Er bietet
reichen Telekommunikation,
Industrie und Unternehmen.
MAGAZIN-
einen um 30% geringeren On-
Widerstand (0,065 Ω maximal
Nach Herstellerangaben bietet
der Superjunction SiHP065N60E
NEWSLETTER
bzw. 0,057 Ω typisch bei 10 V unter allen vergleichbaren Pro-
Gate-Spannung) und eine um dukten auf dem Markt das
44% geringere Gate-Ladung kleinste Produkt aus Gate-La-
(49nC) als die bisherigen 600-V- dung und On-Widerstand (FOM)
MOSFETs der E-Serie und eignet von 2,8 Ω*nC (typisch) und ist
laut Herstellerangaben damit um JETZT
25% geringer gegenüber dem
nächstbesten Wettbewerbspro-
N
dukt. Auch die sehr geringen ANMELDE
effektiven Ausgangskapazitäten
von 93 pF bzw. 593 pF tragen zu
dem guten Schaltverhalten des
SiHP065N60E bei. Die geringe- Aktuelle Fachartikel digital
ren Verluste führen zu Energie-
einsparungen in PFC und steilf-
und kostenlos lesen
lankig schaltenden DC/DC-
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LEISTUNGSELEKTRONIK // DYNAMISCHE SIC-TREIBER
Herausforderungen an Gate-Treiber
für effiziente SiC-Umrichter
Die Treiber SKYPER 12 und 42 LJ bieten die notwendige Dynamik
und Robustheit für SiC-Lösungen bis 100 kHz. 7 kV Burst-Festigkeit
und 8 Mio. h Zuverlässigkeit sorgen für stabilen Feldeinsatz.
JOHANNES KRAPP *
D
er Markt für Leistungselektronik bis 25 kV. Der große technologische Vorteil von SiC-MOSFETs ist derzeit das Potenzial,
betrug im Jahr 2016 über 30 Mrd. $ im Vergleich zu Silizium ergibt sich aus den die Schaltverluste zu reduzieren. Mit der An-
(Quelle IHS Markit). Diesen Markt hohen Schaltgeschwindigkeiten und den steuerelektronik kann man diesen Effekt
bedient heute nahezu ausschließlich die niedrigen Schaltverlusten, die die MOSFET- durch reduzierte Gate-Widerstände und Tot-
Leistungselektronik auf Silizium. Neue For- Struktur ermöglicht. zeiten signifikant verstärken.
derungen bezüglich Integrationsfähigkeit, Der effiziente Einsatz dieser Technologie Hybride SiC-Leistungsmodule, d.h. ein
Effizienz oder Schaltgeschwindigkeit können bedingt aber auch erhöhte Anforderungen schnell schaltender IGBT auf Siliziumbasis
Silizium-basierte Lösungen an das physika- an die Peripherie. Um die Verlustleistung mit einer effizienten SiC-Schottky-Diode,
lische Limit bringen. In die Anwendung in- gering zu halten muss schneller geschaltet erfordern keine speziellen Lösungen von
tegrierte Antriebslösungen benötigen mini- werden und umso niederinduktiver müssen Seiten der Ansteuerelektronik. SiC-MOSFETs
male Abwärme, neue Spannungsversor- die Modulgehäuse die Zwischenkreisanbin- haben dahingegen höhere Anforderungen
gungskonzepte müssen auf die Hälfte der dung ermöglichen. Eine Ansteuerelektronik an die Ansteuerelektronik. Heute verfügbare
Größe und der Verlustleistung getrimmt soll mit mehr Ausgangsleistung immer klei- SiC-Generationen benötigen andere Ansteu-
werden. Des Weiteren benötigen neue Sys- ner werden und schneller schalten bei gestei- erspannungen. Der Bereich reicht von -3 bis
temansätze höchste Frequenzen, um passive gerter Störfestigkeit. -5 V zum Ausschalten und +15 bis +20 V für
Bauteile zu reduzieren oder die Performance Um SiC-Halbleiter effizient ansteuern zu das Einschalten. Ziel für zukünftige Chip-
des Endsystems zu erhöhen. In vielen An- können, muss das Schaltverhalten der neuen Generationen ist es, die Standard-Spannung
wendungsbereichen werden heute alterna- Technologie genau analysiert werden. In der mit +15 V/-5 V von Silizium zu ermöglichen.
tive Stromrichter-Topologien wie Multilevel Regel sind es die applikationsnahen Bedin- SiC hat eine höhere Trägermobilität und
oder Interleaved eingesetzt, um die Effizienz gungen, z.B. das Abschaltverhalten über den kann aufgrund der höheren Durchschlags-
und die Performance zu erhöhen. Hierbei kompletten Temperaturbereich oder der Be- festigkeit wesentlich dünner aufgebaut wer-
können neue Halbleitermaterialen wie Sili- trieb in realer EMV Umgebung, welche die den, was weniger Widerstand je Fläche be-
ziumkarbid (SiC), Galliumnitrid (GaN) oder besonderen Herausforderungen erst identi- deutet. Damit einher geht das Verhältnis von
Galliumoxid (Ga2O3) helfen, die Komplexität fizieren. Das Hauptkriterium für den Einsatz sinkendem Einschaltwiderstand bei steigen-
des Systems und somit der Regelung zu re- der Gate-Spannung. Die Widerstandsände-
duzieren und gleichzeitig die Performance rung erfährt eine Sättigung über 18 V. Dieser
zu steigern. Bild
er:
Effekt führt auch zu einer Veränderung des
SEM
Mit 15 Jahren Forschungshistorie ist Silizi- IKRO Miller-Plateaus von SiC-MOSFETs über den
N
umkarbid die heute am weitesten fortge- Temperatur- und Strombereich. Zukünftige
schrittene Technologie in diesem Chip-Generationen zielen darauf ab, diesen
Bereich. Die vorausgesagten Wachs- Effekt auf das Spannungsniveau von 15 V zu
tumsraten gemäß den Marktfor- begrenzen.
schungsinstituten liegen bis ins Das Miller-Plateau kann
Jahr 2025 im Bereich von 20% (abhängig vom Strom und
jährlich (Quelle Yole). Mo- von der Temperatur)
tivation genug, die Her- zwischen 3 bis 16 V
ausforderungen beim liegen. Zur Ver-
Einsatz dieser Technolo- meidung unge-
gie genauer zu beleuch- planter Schaltzu-
ten. Der Einsatzbereich stände muss des-
von SiC startet heute bei halb die Ansteue-
600 V und geht potenziell
* Johannes Krapp Bild 1: Effizienter

... ist Senior Manager Product Management Electro- 25-kW-SiC–MiniSKiiP-
nics bei SEMIKRON, Nürnberg. Aufbau mit SKYPER 12.

Elektro-Automatik
Bild 2:
Sicheres Schalten von SiC
über 18 V (Quelle Rohm). Hightech Strom-
versorgungsgeräte
und elektronische
Lasten
EA NEUHEITEN:
relektronik toleranzfrei eine Gate-Spannung die Drain-Source-Spannungen nicht zu hoch

über 18 V für einen sicheren Einschaltprozess werden.
liefern. SEMIKRON löst diese Forderung Die Erfassung in SEMIKRONs Treibern
durch eine entsprechende sekundärseitige SKYPER erfolgt durch den Vergleich der VDS-
Spannungsregelung, die zuverlässig eine Spannung mit einer dynamischen Referenz-
temperaturunabhängige On-Gate-Spannung linie. Die Grenzen werden durch die Aus-
bereitstellt. Diese erhöhte Gate-Spannung blendzeit und die Auslöseschwelle an das
bedingt jedoch auch einen anderen Effekt. jeweilige Modul angepasst. Die Hochspan-
Der Drain-Strom ist grob proportional zu (UG- nungsdiode und der Serienwiderstand ha-
UTH)2. Das bedeutet dass die erhöhte Gate- ben definierte Offset-Spannungen mit gerin-
Spannung zu einem erhöhten Kurzschluss- gen Toleranzen. Die Bandbreite, also die
strom führt, welcher im Bereich vom zehn- Geschwindigkeit der Erfassung, kann unab-
fachen Nominalstrom im Vergleich zu einem hängig von der Eingangsimpedanz ange-
ca. vierfachen Nennstrom bei Si-IGBTs liegen passt werden. Somit reagiert der Treiber im
kann. Um eine Erhöhung der Gate-Spannung Falle eines sehr schnellen, niederinduktiven
und damit einen höheren Kurzschlussstrom Kurzschlusses ohne Ausblendzeit. Die Diode
zu vermeiden, kann ein zusätzliches Gate hört bei starker Spannungsänderung auf zu
Clamping helfen. leiten, der Filterkondensator CI wird geladen • getaktete Desktop Labornetzgeräte
Dazu kommt, dass SiC-MOSFETs kleiner und die Treiberelektronik kann je nach Fil- mit geringster Restwelligkeit
sind und bei höherer Kurzschlussleistung terauslegung unter 1 µs reagieren. Die
0-40VDC bis 0-750V DC, 320-1500W, bis 60A
eine geringere thermische Kapazität besitzen SKYPER-Familie schaltet in diesem Fall mit
als Silizium. Daraus resultiert eine verkürzte einer separaten Ausgangsstufe soft mit Wi- • elektronische Lasten (Desktop- und Tower)
Kurzschlussfestigkeit von SiC-MOSFETs. derstandswerten im Bereich von 15 bis 40 Ω, 0 -80V DC bis 0-750V DC, 400-1200W, bis 60A
Standard-Si-IGBTs liegen im Bereich von 6 also ca. dem 20-fachen Standard-Gate-
bis 10 µs, heute noch mit einer gewissen Si- Widerstand ab und vermeidet dadurch zu- • Elektronische Lasten und
cherheitsmarge. SiC-MOSFETs liegen je nach verlässig Überspannungen oder kritische Power-Senken in 19“ 2HE
Hersteller heute in den Bereichen von 3 bis Oszillationszustände.
0-80V DC bis 0-750V DC, 600-2400W, bis 170A
5 µs, bei zukünftigen Entwicklungen ist das Bei der Auslegung der Auslöseschwelle
das Ziel größer 5 µs. Die Höhe des Kurz- muss berücksichtigt werden, dass die Durch-
schlussstroms und die damit einhergehende lassspannung linearer und nicht in gleichem
U
Überspannung während des Abschaltens Maß wie die Collector-Emitter Spannung des 100 %
Nenn
kann durch verschiedene Maßnahmen, wie Si-IGBTs bei Entsättigung ansteigt. Dazu Extrabereich
P
Gate-Spannungsreduktion oder mehrstufige kommen die generell geringeren Durchlass- Nenn
Abschaltalgorithmen erreicht werden. spannungen je Fläche von SiC im Vergleich 50 %
Die große Herausforderung liegt jedoch in zu Si. In Abhängigkeit des verwendeten Mo- I
Nenn
der schnellen Erfassung und Reaktion durch dul/Chips liegen effiziente Kurzschluss-Aus- Leistungsbereich Extrabereich
die Ansteuerelektronik. Somit muss eine ef- löseschwellen in Bereichen von 2 bis 4 V im
50 % 100 %
fiziente Kurzschlusserfassung den Über- Vergleich zu 6 bis 8 V bei IGBT-Lösungen.
strom rechtzeitig erkennen, um thermische Eine weitere Herausforderung sind die
Überlast zu vermeiden und den Ausschalt- Schaltschwellen. SiC-MOSFETs haben mit w w w.elek troautomatik.de
prozess in der Form zu verlangsamen, dass etwa 3 V im Vergleich zu Si-IGBTs geringere ea1974@elek troautomatik.de
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dukt von Gate-Kapzität und Schaltfrequenz.

Somit bedeutet eine Erhöhung der Schaltfre-
quenz von einem SI-IGBT-300A-Modul mit 10
kHz auf ein SiC-Modul mit 50 kHz eine Stei-
Bild 3: gerung der notwendigen Ansteuerleistung
Schnelle VDS-Erfassung
um 400%. Diese Mehrleistung erfordert neue
löst Herausforderung
schneller SiC Wechsel- Wege in der Entwärmung und der effizienten
richter. Ansteuerung, um dem Trend der Leistungs-
dichtesteigerung auf Modulebene nicht
durch eine Verdoppelung der notwendigen
Ansteuerelektronikgröße zu zerstören.
Schließlich werden die elektromagneti-
schen Einflüsse auf die Ansteuerelektronik
aufgrund der höheren Spannungs- und
Threshold-Spannungen mit einem im Ver- Stromsteilheiten und der kompakteren Um-
gleich zum IGBT starken Temperaturkoeffi- richteraufbauten signifikant höher. Damit
zient. Das führt zu dem Risiko, dass bei üb- bei diesem Trend die sichere Signalverarbei-
lichen Betriebstemperaturen und den höhe- tung und damit die Systemrobustheit nicht
ren di/dt-Werten ein ungeplantes Aufziehen auf der Strecke bleibt, müssen neue Wege in
der Gate-Spannung aufgrund von Einkoppe- der EMV-Optimierung gegangen werden. Die
leffekten erfolgt. Das gilt sowohl für norma- Ansteuerelektronik sollte für eine du/dt-
le Schalt- als auch für Kurzschluss-Situatio- Festigkeit von 100 kV/µs und einen störungs-
nen. Zwei Maßnahmen können hier Abhilfe freien Betrieb bei 30 V/m gestrahlter Strah-
schaffen, eine möglichst niederinduktive lung ausgelegt werden. Differentielle
Gate-Anbindung und ein Gate Clamping. Schnittstellen werden ab einer gewissen
Dazu kommt, dass die durch den Komple- Schaltfrequenz zur Mussforderung. Die kon-
mentärschalter eingekoppelten Ströme das struktiv optimierten Signaltransformatoren
Gate zusätzlich negativ aufladen, was den Bild 4: Anpassung der Gate-Spannungen über effizi- der SKYPER-Familie mit Segmentwicklung
Chip aufgrund der dünnen Gate-Oxidschicht ente Potenzialverschiebung. und besonderem Isolationsmaterial errei-
beschädigen kann. SEMIKRON-Treiber bie- chen eine geringe Koppelkapazität und die
ten zur Sicherheit wahlweise ein Gate Clam- Signalübertragung erfolgt durch Rechteck-
ping auf den Adapterplatinen für die SKY- signale. Durch neuartige Schirmung und
PER-Treiber-Cores oder ein aktives Gate optimierter Filter- und Massekonzepte arbei-
Clamping in den höher integrierten IPMs wie tet die SKYPER-Ansteuerelektronik auch si-
SKiiP4. cher in hochintegrierten SiC-Umrichtern.
Die Anpassung der Gate-Spannungen er- SEMIKRON bietet mit SKYPER 12 und
folgt über eine Verschiebung des Source- SKYPER 42LJ effiziente SiC-Treiber mit Adap-
Potenzials. Die Z-Diode limitiert die negative terplatinen für 17-mm-, 62-mm- sowie für
Gate-Spannung auf -5 V und verschiebt die MiniSKiiP-Module. Hier kann durch die Lei-
positive Gate-Spannung über 18 V. Der Bild 5: Schalten mit 30 kv/µs ermöglicht durch terplattenintegration auch eine höchst nie-
Widerstand definiert den Stromfluss und 2-nH-Streuinduktivität. derinduktive Zwischenkreisanbindung rea-
verhindert einen Spannungseinbruch. Somit lisiert werden. Die SKYPER-Familie gewähr-
kann eine kosteneffiziente und robuste An- leistet mit einer EMV von 7 kV Burst-Festig-
steuerlösung für heutige SiC-Module sicher- zess zusätzlich. Aufgrund der geringen Gate- keit und der Zuverlässigkeit von 8 Millionen
gestellt werden. Dieses Prinzip bietet Widerstände, die für das schnelle SiC-Schal- Stunden durch IC-Integration einen stabilen
SEMIKRON für verschiedene Modul- und ten benötigt werden, entfällt die Dämpfung Feldeinsatz. Die separate Softoff-Ausgangs-
Treibertypen wie SKYPER 12 oder SKYPER 42 durch den Widerstand dieses Schwingkrei- stufe, das zuverlässige Gate Clamping und
LJ von 20 bis zu 250kW. ses. Das erfordert eine möglichste niederin- die genaue Gate-Spannungsregelung schal-
Eine weitere Herausforderung sind die duktive Treiberanbindung und die Optimie- ten SiC-MOSFETs sicher in jeder Situation.
Modul-Induktivitäten der SiC-MOSFET-Ge- rung der Gate-Widerstände zwischen Schließlich erfüllen die schnelle VDS-Erfas-
häuse. Diese bilden im Gate-Pfad in Kombi- Schwingverhalten und Verlusten über den sung und das einstellbare Filter-Manage-
nation mit den Chip-Kapazitäten Schwing- kompletten Temperaturbereich. ment auch die Forderungen an Dynamik und
kreise und führen zu unterschiedlichen Heute verfügbare SiC-Module limitieren oft bieten eine effiziente SiC-Ansteuerung bis
Einkoppeleffekten. Generell reduziert eine aufgrund dieser interner Streuinduktivitäten 100 kHz. SEMIKRON entwickelte auf allen
Gate-Pfadinduktivität die Stromsteilheit der die maximalen Stromsteilheiten und damit Integrationsstufen geeignete SiC-Lösungen:
Ansteuerelektronik in das Gate und verlang- die Schaltfrequenz bis ca. 100 kHz. Für die Von effizienten Hybrid-SiC-Modulen bis zu
samt damit den Gate-Lade- und -Entladepro- Treiberelektronik ist zu berücksichtigen, Voll-SiC-Lösungen und hochintegrierten SiC-
zess. Jedoch schlägt dieser Effekt ab einem dass die Gate-Kapazität von SiC-MOSFETs Stacks. Damit ist ein schneller und sicherer
gewissen Sättigungsgrad in die Gegenrich- vergleichbar mit den Si-IGBTs-Kapazitäten Start in die SiC-Technologie möglich. // KU
tung um und die gespeicherte Energie in den ist. Der notwendige Ansteuerstrom für die
Gate-Pfaden beschleunigt den Einschaltpro- Leistungsschalter ergibt sich aus dem Pro- SEMIKRON

AKTUELLE PRODUKTE // LEISTUNGSELEKTRONIK
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karbid-Halbleitertechnologie werden als TRS..A65F bezeich-
(SiC) fertigt liefern eine bis zu net. Die Dioden eignen sich für
50% höhere Stromdichte im Ver- schnell schaltende Leistungs-
gleich zur ersten Generation; wandler-Designs mit Leistungs-
auch die Spitzenstrombelastbar- faktor-Korrektur, Solar-Wechsel-
keit wurde erhöht. Die zweite richter und unterbrechungsfreie
Generation von SiC-SBDs bietet Stromversorgungen. Diie SiC-
zusätzlich höhere einmalige SBDs verbessern auch den Wir-
Durchlassspitzenstromwerte kungsgrad von Schaltnetzteilen,
(IFSM). Die ersten Bausteine sind indem herkömmliche Silizium-
650-V-SBDs mit den Nennströ- Dioden durch sie ersetzt werden.
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200 A (1200 V von 5 A bis 100 A).
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erhaft bei 175 °C arbeiten. Abhän-
gig vom Ausgangsstrom sind sie
im TO-220-2L- und TO-247-3-Ge-
häuse oder auch als Bare Die
Mit fehlender Reverse-Recovery- erhältlich. SMD-Versionen oder
Ladung und 175 °C maximaler Modulgehäuse sind auf Anfrage
Sperrschichttemperatur sind die beim Freiburger Anbieter mög-
SiC-Schottky-Gleichrichter der lich.
xR-Serie von United Silicon Car-
bide für hochfrequente und ECOMAL Europe

LEISTUNGSELEKTRONIK // DISTRIBUTION
Lösungsorientiert
mit Design-Unterstützung
Im dritten Jahr des Bestehens von IS-Power offeriert der spezialisierte
Distributor unter anderem Leistungshalbleiter von ausgesuchten
Herstellern für beispielsweise Antriebstechnik und Stromversorgung.
OSMAN ÇOBAN *
D
ie Schlagworte wie Value Added- Zur einer praxisgerechten integrierten Lö- 3-Phasen-Brückengleichrichter,
Distributor, Nischendistributor, Spe- sung gehören unter anderem die neuen IGBT-Treiber und WMV-Filter
zialdistributor oder Focus on Design- DIPIPM+-Module von Mitsubishi mit integ- Beispielsweise den 3-Phasen-Brücken-
In dienen als Argumente, mit denen sich riertem Gleichrichter, Bremssteller und gleichrichter von Powersem mit 86 A und 600
kleinen Distributoren gegenüber großen Wechselrichter für 400-V-Umrichter im Leis- bis 1600 VRRM mit unterschiedlichen PIN-
Broadlinern behaupten müssen. Somit stellt tungsbereich zwischen 0,75 bis 5,5kW. Höhen (Bild unten), damit Gleichrichter und
sich jeder kleine Halbleiter-Anbieter die Der Vorteil ist ein All-in-One-Umrichter- IGBT-Modul in gleicher Bauhöhe auf den
Überlebensfrage nach dem Expandieren mit modul, in dem alle wichtigen Gate-Treiber Kühlkörper montiert werden können. Weite-
einem breiten Produktangebot oder dem Spe- sowie Schutzfunktionen wie Kurzschluss- re kundenspezifische PIN-Höhen sind darü-
zialisieren auf Applikationsbereiche, ergänzt Schutz und Unterspannungs-Schutz enthal- ber hinaus möglich.
durch Technologie- und Lösungsunterstüt- ten sind. Das LVIC besitz außerdem einen Zu einem diskreten Aufbau eines Wechsel-
zung in Zusammenarbeit mit dem Anwender. präzisen analogen Temperatur-Signalaus- richters sind geeignete IGBT-Treiber nötig,
Spezialisieren war unsere Antwort, sodass gang und eine Fehlerrückmeldung im Falle worauf sich etwa IDC Isahaya Electronics
wir nun im dritten Jahr, nach Gründung un- des Auslösens einer Schutzfunktion. Eine Corporation spezialisiert hat und Treiber-
serer IS-Power Division mit sieben Herstel- Reduzierung der Gesamtkosten einschließ- Elemente für insbesondere IGBT-Module von
lern, die sich untereinander ergänzen, dem lich Entwicklungskosten, Reduzierung der Mitsubishi Electric entwicklet hat. Neu auf
Entwickler ein geeignetes Lösungspaket für Inverter-Größe und Verringerung der Design- dem Markt sind jetzt der 2-Kanal-Treiber
seine Applikationen im Bereich der Leis- Zeit, ist das Ziel dieser Entwicklung des Her- VLA567-01R mit +/-8 A Ausgangstrom und
tungselektronik, Antriebstechnik und Strom- stellers Mitsubishi Electric. integriertem DC/DC-Wandler im DIP-Gehäu-
versorgungen bereithalten. Miniaturisiert und dennoch leistungsstark se sowie der 2-Kanal-Treiber VLA574-01R mit
ist die SLIMDIP- Version, eine Serie, die Mit- +/-15 A im SIP-Gehäuse ohne DC/DC-Wand-
All-in-One-Umrichtermodul subishi Electric als 6-in-1-Schalter mit inte- ler. Beide Treiber-Versionen lassen sich auch
für die kompakte Lösung griertem HVIC und LVIC sowie Bootstrap für andere IGBT-Hersteller verwenden. Zur
Für die Antriebstechnik gibt es beispiels- Dioden (Bild 2) für Leistungen mit 5 A/600 V Unterstützung in der Entwicklungsphase
weise beginnend von der Netzgleichrich- (als SLIMDIP-S) und 15 A/600 V (als SLIMDIP- gibt es dazu die entsprechenden Evaluation
tung, Filterung, Motorwechselrichter bis hin L) in einer Gehäuse-Größe von 18,8 mm x 32,8 Boards GAU208P-15252 und GAU215P-15405.
zum Sensor am Ende des Motors als Motor- mm bereithält. Diese Module finden ihre Elektromagnetische Störungen sind in
feedback, die wichtigsten Komponenten. Der Anwendung in Applikationen für Waschma- schnell schaltenden Frequenzumrichter-
Entwickler kann zwischen einer integrierten schinen, Klimageräten, Kühlschränken, Anwendungen unvermeidlich. Um sie wei-
oder einem diskreten Lösungsaufbau ent- Pumpen, Lüftern und kleinen AC-Antrieben. testgehend zu eliminieren dienen EMV-Filter.
scheiden. Falls sich der Entwickler jedoch für einen Doch wie die Erfahrung zeigt, gibt es wenig
diskreten Aufbau entscheidet, weil es ihm Standard-Induktivitäten, die auf Anhieb so-
* Osman Çoban die Applikation diktiert, dann gibt es diese fort passen und die für bestmögliche Lösung
... ist Executive Director IS-Power. Baugruppen auch als Einzelkomponenten, sorgen. Nicht selten sind es nur ein paar
insbesondere für höhere Leistungen. Wicklungen mehr oder weniger, um die op-
timale Entstörung nach Norm zu erzielen.
Bild 1: 3-Phasen-Brücken-
gleichrichter PSD86-16 von
Powersem mit verschiedenen
PIN Höhen.
wersem
Bild: Po

LEISTUNGSELEKTRONIK // DISTRIBUTION
Bild: Mitsubishi Electric
Internationale Messe und Konferenz

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sation; dynamische Winkelfehlerkorrektur) IS-Power pcim@mesago.com

LEISTUNGSELEKTRONIK // SIC-MOSFET
Hohe Zuverlässigkeit ist möglich,

aber es gibt große Unterschiede
Die Konferenz PCIM Europe (16.-18.5.2017) zeigt wieder wichtige
Neuerungen bei den Power Devices. Ein Highlight 2017 sind
SiC-MOSFETs, die nun belastbar und zuverlässig werden.
JOSEF LUTZ *
kondensator bekannt. Allerdings erreicht
Bilder: TU Chemnitz
jedes Gate-Oxid seine Ausfallgrenze, und
insbesondere sind Oxydschichten hoher
Qualität in SiC sehr viel schwerer herzustel-
len. Daher ist das Design eines SiC-MOSFETs
stets ein Kompromiss der Anforderungen
hohe Stabilität (Zuverlässigkeit) und niedri-
ger Widerstand Rch.
Absolut perfekte Oxidschichten gelingen
selten. In Bild 1 wird zwischen intrinsischen
Bild 1: Veranschaulichung eines Gate-Oxids, dessen Dicke tox (typisch kleiner 100 nm) die intrin- und extrinsischen Fehlern unterschieden.
sische Ausfallgrenze bestimmt. Fehler sind durch partiell dünneres Oxid symbolisiert, hier werden Um die intrinsische Fehlergrenze zu errei-
extrinsische Ausfälle erwartet. chen, wären sehr lange Testdauern notwen-
dig. Um den Test zu beschleunigen und trotz-
dem eine Aussage über die Zuverlässigkeit
zu erhalten, wurde die Methode angewandt,
die Gate-Spannung schrittweise über die
vorgesehene Spannung VGUSE hinaus zu er-
höhen und bei jeder Stufe 168 Stunden zu
testen. An der intrinsischen Grenze, durch
die Dicke tox bestimmt, werden alle Bauele-
mente in kurzer Zeit ausfallen. Das Tester-
gebnis zeigt Bild 2. Während frühere Gene-
rationen zweier Hersteller (M1, M2) sehr
viele extrinsische Fehler auftreten, tritt bei
Bild 2: Kumulierte Ausfälle bei Erhöhung der Gate-Spannung (Hersteller M3) im Bild links und Aus- M3 der erste Fehler erst bei 22 V über der
wertung im Vergleich zu SiC-MOSFETs anderer Hersteller und früherer Generationen (M1,M2) sowie vorgesehenen Gate-Spannung VGUSE auf. Die
IGBTs zweier Hersteller (M4, M5) im Bild rechts. Vorveröffentlichung aus [1]. wenigen extrinsischen Fehler sind von den
intrinsischen, die ab 44 V erreicht werden,
klar zu unterscheiden. Zum Vergleich sind
auch zwei IGBTs dargestellt, hier wurden
Z
wei besondere Herausforderungen an Widerstand der Driftzone, der bei Silizium- aber die Stufen weniger fein gewählt. Das
die Zuverlässigkeit stehen bei diesen karbid (SiC) sehr niedrig gemacht werden Ergebnis zeigt: SiC-MOSFETs können IGBT-
Bauelementen im Vordergrund – die kann, einigen weiteren Anteilen und vor al- ähnliche Zuverlässigkeit des Gate-Oxids er-
Langzeitstabilität des Gate-Oxids und die lem aus dem Kanalwiderstand Rch; alle diese reichen.
Lastwechselfestigkeit. Auf beides wird im Widerstände liegen in Reihe. Rch zu minimie-
Folgenden eingegangen. Wesentliches Krite- ren ist nicht einfach. Die Beweglichkeit der Die Herausforderung
rium für den SiC-MOSFET ist ein niedriger Elektronen im Kanal ist, trotz Fortschritten, Lastwechselfestigkeit
Widerstand RDS(on), da er die Leitverluste be- immer noch eine Größenordnung niedriger Vor allem durch den hohen Elastizitätsmo-
stimmt. Er setzt sich zusammen aus dem als die Beweglichkeit im Kanal eines Silizi- dul stellt SiC sehr viel höhere Anforderungen
um-MOSFET oder -IGBT. Man kann aber auch an die AVT. In der Anwendung treten Wech-
mehr Ladungen bereitstellen, die für den sellasten auf, unterschiedliche thermische
Stromfluss im Kanal sorgen, wenn man die Ausdehnungskoeffizienten verschiedener
* Prof. Dr.-Ing. Josef Lutz
Spannung am Gate erhöht oder gleichbedeu- Schichten sind gegeben. Auf die Grenzfläche
(TU Chemnitz)
... ist beratendes Mitglied im Board of tend, wenn man die Dicke tox des Dielektri- übt SiC eine proportional dem Elastizitäts-
Directors der PCIM Europe. kums SiO2 kleiner macht, wie beim Platten- modul höhere mechanische Spannung aus.

LEISTUNGSELEKTRONIK // SIC-MOSFET
Erste Tests an SiC-Schottky-Dioden ergaben Zum Vergleich: Für ein Standard-Modul

eine um den Faktor 3 verringerte Lastwech- mit 1200-V-IGBTs, gelötet und gebondet, wer-
selfestigkeit, wenn Standard-Technologien den unter diesen Bedingungen etwa 66.000
zum Einsatz kommen [2]. Lastwechsel erwartet. Die Verbesserung wä-
Lastwechseltests können auf verschiedene re um den Faktor 17! Mit neuen Technologien
Weise durchgeführt werden. Mit dem Stan- wie Silber-Sintern, Cu-Bonddrähte etc. kann
dard LV 324 [3] haben die deutschen Auto- man auch bei Si sehr hohe Lastwechselfes-
hersteller eine Methode vorgeschrieben. Es tigkeit erreichen. Aber es ist gezeigt: Auch
wird verlangt, bei einem Lastwechsel neben mit dem sehr viel steiferen SiC ist es möglich.
dem Spannungsabfall auch die Temperatur
des Bauelements zu verfolgen, über den Hohe Zuverlässigkeit
temperatur-sensitiven Parameter der Span- ist mit SiC-MOSFETs möglich
nung am pn-Übergang, auszulesen bei klei- Bild 3: Temperaturverlauf auf einem gebondeten Mit solchen Ergebnissen kann man SiC
nem Strom (VCE(T)-Methode). Für Lastwechsel SiC MOSFET. Chipgröße 4,04 mm x 6,44 mm. Vorver- auch für Anwendungen empfehlen, bei de-
an MOSFETs lässt die LV 324 allerdings die öffentlichung aus [5]. nen hohe Zuverlässigkeit notwendig ist. Das
Benutzung der inversen Diode zu. Ange- ist z.B. auch in der Elektromobilität erforder-
wandt auf SiC-MOSFETs führt das aber zu lich, wo sehr viele Lastwechsel im Betrieb
einem Problem. Die inverse Diode hat in ih- sehr hohe Lastwechselfestigkeit: Mehr als auftreten werden. Allerdings zeigen die Er-
ren Leitverlusten einen negativen Tempera- 1,1 Millionen Zyklen bei einem Temperatur- gebnisse auch: Hohe Zuverlässigkeit ist zwar
turkoeffizient. Im Vorwärtsbetrieb des MOS- hub von 110 K werden erreicht. Das End-of- möglich, aber es gibt sehr große Unterschie-
FET besteht aber ein positiver Temperatur- Life sieht man schließlich am Anstieg der de von Hersteller zu Hersteller und von Tech-
koeffizient: Mit zunehmender Temperatur Temperatur Tmax. Dieser ist durch das Subst- nologie zu Technologie. Daher ist vor Ent-
steigen die Leitverluste. Damit werden Alte- rat verursacht, nicht durch bisher bekannte scheidung in einer Massenanwendung zu
rungsmechanismen beschleunigt, während Rissbildung in Lotschichten. Die Silber- empfehlen, die Zuverlässigkeit des vorgese-
sie bei Nutzung der inversen Diode gebremst schicht ist sehr stabil und auch die dünnen henen Produkts sorgfältig zu testen. // KU
werden. Daher brauchen wir für SiC-MOS- Bonddrähte zeigen noch keinerlei Anzeichen
FETs eine neue Vorschrift. Diese wurde in- von einer Alterung. Mesago
zwischen erfolgreich angewandt. Bild 3 zeigt
den Temperaturverlauf über einem auf einem
gebondeten SiC-MOSFET, der verwendet Literatur
wurde. Das Testergebnis zeigt Bild 4. Beim [1] M. Beier-Möbius, J. Lutz: Breakdown of Gate
Test wurde die Temperatur über die VCE(T)- Oxide of SiC-MOSFETs and Si-IGBTs Under High
Temperature and High Gate Voltage, PCIM 2017.
Methode verfolgt [5]. Die Belastung des MOS- [2] C. Herold, T. Poller, J. Lutz, M. Schäfer, F. Sauer-
FET erfolgte im ersten Quadranten, bei posi- land, O. Schilling: Power cycling capability of
tiver Gate-Spannung. Zur Messung des VCE(T) Modules with SiC-Diodes, Proceedings CIPS
2014, pp 36 – 41 (2014).
muss eine negative Gate-Spannung angelegt [3] LV324: Qualifikation von Leistungselektronik-
werden, denn in Rückwärtsrichtung geht modulen für den Einsatz in Komponenten von
ohne negative Gate-Spannung ein Teil des Kraftfahrzeugen Konzernnormen BMW:GS
Stroms über den MOS-Kanal. Der Kanal ist 95035, VW 82324 Group Standard, Daimler,
2014.
zu schließen, um zuverlässig messen zu kön- [4] C. Herold, J. Franke, R. Bhojani, A. Schleicher, J.
nen. Diese Methode müsste Standard für den Lutz: Requirements in power cycling for precise
Test von SiC-MOSFETs werden. lifetime estimation Microelectronics Reliability
Bild 4: Verlauf des Spannungsabfalls VDS sowie der 58 (2016) 82–89.
Die Leistungsmodule wurden durch Silber- Temperaturen Tj,min und Tj,max beim Lastwech- [5] R. Schmidt, R. Werner, J. Casady, B. Hull: Power
Sintern und mit 125-µm-Al-Bonddrähten seltest eines Leistungsmoduls mit SiC MOSFETs. Cycle Testing of Sintered SiC-MOSFETs, Procee-
hergestellt. Die Technologie zeigt nun eine Vorveröffentlichung aus [5]. dings PCIM 2017.
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AKTUELL // PCIM EUROPE 2017
Impressum
PCIM EUROPE 2017 REDAKTION
Das Jahr der SiC- & GaN-Halbleiter

Chefredakteur: Johann Wiesböck (jw), V.i.S.d.P. für die redaktionellen Inhalte,
Ressorts: Zukunftstechnologien, Kongresse, Kooperationen, Tel. (09 31) 4 18-30 81
Chef vom Dienst: David Franz, Ressorts: Beruf, Karriere, Management, Tel. - 30 97
Redaktion München: Tel. (09 31) 4 18-
Bild: Mesago/Thomas Geiger

Sebastian Gerstl (sg), ASIC, Entwicklungs-Tools, Mikrocontroller, Prozessoren,
Programmierbare Logik, SOC, Tel. -30 98;
Franz Graser (fg), Prozessor- und Softwarearchitekturen, Embedded Plattformen, Tel. -30 96;
Martina Hafner (mh), Produktmanagerin Online, Tel. -30 82;
Hendrik Härter (heh), Messtechnik, Testen, EMV, Medizintechnik, Laborarbeitsplätze,
Displays, Optoelektronik, Embedded Software Engineering, Tel. -30 92;
Gerd Kucera (ku), Automatisierung, Bildverarbeitung, Industrial Wireless, EDA,
Leistungselektronik, Tel. -30 84;
Thomas Kuther (tk), Kfz-Elektronik, E-Mobility, Stromversorgungen, Quarze & Oszillatoren,
Passive Bauelemente, Tel. -30 85;
Margit Kuther (mk), Bauteilebeschaffung, Distribution, Embedded Computing, Tel. -30 99;
Kristin Rinortner (kr), Analogtechnik, Mixed-Signal-ICs, Elektromechanik, Relais, Tel. -30 86;
Freie Mitarbeiter: Prof. Dr. Christian Siemers, FH Nordhausen und TU Clausthal; Peter Siwon,
MicroConsult; Sanjay Sauldie, EIMIA; Hubertus Andreae, dreiplus
Verantwortlich für die FED-News: Dietmar Baar, FED e.V., Frankfurter Allee 73c, D-10247 Berlin,
Tel. (0 30) 3 40 60 30 50, Fax (0 30) 3 40 60 30 61, www.fed.de
Redaktionsassistenz: Eilyn Dommel, Tel. -30 87
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München: Rablstr. 26, 81669 München, Tel. (09 31) 4 18-30 87, Fax (09 31) 4 18-30 93
Würzburg: Max-Planck-Str. 7/9, 97082 Würzburg, Tel. (09 31) 4 18-24 77, Fax (09 31) 4 18-27 40
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Arbeitsmesse PCIM Europe: Ob der Konkurrenz von SiC & GaN haben Silizium- ELEKTRONIKPRAXIS ist Organ des Fachverbandes Elektronik-Design e.V. (FED).
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STROMVERSORGUNG // LAMINIERTE STROMSCHIENEN
Bild: Rogers Corporation

Bild 1: Diese neue Stromschienen-
Kondensator-Baugruppe kombiniert
eine laminierte Sammelschiene mit
einem ringförmigen Konden-
sator mit niedrigem Profil
für eine verbesserte
Stromverarbeitungs-
fähigkeit in einem
kompakten
Formfaktor.
Verbesserte Stromtragfähigkeit
ohne Baugrößenzuwachs
Laminierte Stromschienen sorgen für induktivitätsarmes Verteilen
von Energie, etwa in Umrichtern. Je höher Schaltfrequenz und der
Strombetrag sind, umso mehr zählt jedes eingesparte nH.
DOMINIK PAWLIK *
L
aminierte Stromschienen haben typi- stellen, die die höchsten bis jetzt da gewese- Spannungen aus unterschiedlichen Quellen.
scherweise ein kompaktes Design so- nen Leistungen kanalisieren können. Mehr In Anwendungen mit höherer Leistung wie
wie eine niedrige Induktivität und Im- Leistung bedeutet normalerweise größere beispielsweise Stromrichtern in Solar- und
pedanz. Das verbessert die Zuverlässigkeit Leiter und größere Stromschienen. Windkraftanlagen und bei Antrieben von
des Systems. Da die Anforderungen an die Heutzutage sind die Forderungen nach Elektrofahrzeugen (EVs) und Hybrid-Elekt-
Energieverteilung etwa in elektrischen Fahr- einer höheren Leistungsdichte und gestei- rofahrzeugen (HEVs) muss Energie mit mini-
zeugen oder der Stromrichter in Solar- und gerter Zuverlässigkeit nicht nur für Strom- malen Kombinations- und Verteilungsverlus-
Windkraftanlagen immer komplexer werden, schienen wichtig, sondern auch für die ge- ten kanalisiert werden. Für Entwickler sol-
stehen die Entwickler von laminierten Strom- samte Bauweise des Stromrichters. Deshalb cher Stromrichtersysteme ist es eine ständige
schienen vor der Herausforderung, noch bietet eine Kombination aus speziellen Pow- Herausforderung, Stromverteilungskompo-
höhere Leistungen mit größerer Stromdichte er-Ring-Film-Kondensatoren und Strom- nenten, wie z.B. laminierte Stromschienen
zu berücksichtigen – im Endeffekt heißt das schienen-Baugruppen eine neue Lösung für zu entwerfen, die robust genug sind, hohe
kleinere und leichtere Stromschienen herzu- anspruchsvolle Anwendungen. Verglichen Leistungen zu verarbeiten, ohne sie dabei
mit derzeit erhältlichen Lösungen senkt die- größer zu machen als bestehende Konstruk-
se Kombination die gesamten Systemkosten, tionen laminierter Stromschienen.
verbessert die Zuverlässigkeit und steigert Eine interessante Lösung ist daher die hier
* Dominik Pawlik
die Leistungsdichte. skizzierte Herangehensweise an die Konst-
... arbeitet als Product Innovation
Manager bei der Rogers Corp. im Elektronische Systeme beruhen auf einer ruktion der Sammelschiene unter Verwen-
Bereich Power Electronics Solutions. effizienten Kombination und Verteilung von dung einer Baugruppenkonfiguration beste-

3-Phase
hend aus laminierter Stromschiene der Ro-
gers Corporation und Power-Ring-Film-Kon-
densatoren in Ringform mit niedrigem Profil.
lytischen Hochleistungskondensatoren in
Kombination mit Hochfrequenz-Bypass-
Kondensatoren, um die Fälle von Welligkeits-
Power
Größe und Gewicht der Stromschienen-Kon- strömen zu verarbeiten. Wenn solche Kom-
densator-Baugruppe werden nur minimal ponenten einer Sammelschiene hinzugefügt
erhöht, während die Leistungsdichte enorm werden, führt dies normalerweise zu einer
steigt. Mit diesem Ansatz war es möglich, die Größen- und Gewichtszunahme. Aufgrund
äquivalente Reiheninduktivität erheblich zu des niedrigen Profils und des ringförmigen
senken und die kompakte Bauform beizube- Power-Ring-Film-Kondensators nehmen Grö-
halten, und zwar aufgrund eines hohen ße und Gewicht der ROLINX-Stromschiene
Streckungs-Formfaktors und gesteigerter nur geringfügig zu, obwohl die Spannungs-
Leistungsdichte. und Strombelastbarkeit enorm gesteigert
wird. Der Film-Kondensator bietet von Natur
Die Stromschienen klein aus geringe effektive Reiheninduktivität
und leistungsstark halten (ESL) und effektiven Reihenwiderstand (ESR)
Sammelschienen bilden unverzichtbare zur Übertragung hoher Leistungen bei
Stromkreise, um die Energie in viele Strom- gleichzeitiger Minimierung der wärmebe-
kreiszweige und zu Komponenten innerhalb dingten Schädigung und der Wärmeeffekte,
einer elektronischen Konstruktion zu leiten. denen Kreisläufe mit höheren Verlusten un-
Man sieht sie zum Beispiel bei Solarmodulen terliegen.
als Leitungen, die von einer Photovoltaik-
Zelle zur nächsten laufen, wobei die Span- Die geeignete Befestigung
nungen in Reihe addiert werden, um die des Kondensators
endgültige Ausgangsspannung eines Solar- Ein wichtiger Schritt bei der praxisgerech-
moduls zu erreichen. ten Umsetzung dieser Stromschienen-Kon-
Bei der Stromverteilung in solar- oder densator-Kombination ist die Art der Befes-
windbasierten Stromerzeugungssystemen tigung des Kondensators an der Sammel-
sind sie zwar nicht so offensichtlich, aber schiene. Die Kombination der Materialien in
genauso essentiell. Sie müssen kompakt jeder Komponente zeigt komplexe Wärme-
sein, um in die Beschaltung der Gerätege- ausdehnungskoeffizienten nicht nur zwi-
häuse zu passen und niedrige Induktivität schen jeder Materialschicht in der Sammel-
und Verluste haben, um die Leistungsverrin- schiene und im Kondensator.
gerung oder sogar Ausfälle durch Stromstöße Außerdem ist die Schnittstelle zwischen
und potenzielle Überhitzung zu minimieren, Stromschiene und Kondensator einer Belas- MeanWell Power Supplies
die durch Welligkeitsströme verursacht wird. tung ausgesetzt, die von Schwingungen und Serie TDR
Stromschienen sind gleichfalls essentielle Temperaturschwankungen verursacht wird • Für industrielle Steuerungen
Komponenten in Energiespeichern und Ener- – sowohl bei der Umgebungstemperatur als
• Drei-phasig mit 480 und 960 W
gieverteilungssystemen, etwa um Solarmo- auch bei der Erwärmung, die durch hohe
dule und Stromrichter von Windkraftanlagen geleitete Ströme induziert wird. Leistung
an das elektrische Netz anzuschließen. Da Bei geringem ohmschen Widerstand und • Hohe Effizienz bis zu 94,5 %
Stromrichter von Solar- und Windkraftanla- guten Wärmeübertragungseigenschaften • Kühlung durch freie Luftkonvektion
gen für Heim- und Industrieanwendungen bietet der Kondensator eine stabile thermi- • Berührgeschützte Schraub-
immer höhere Leistungen erreichen, müssen sche Schnittstelle zur Stromschiene. Der
anschlüsse
auch ihre Sammelschiehen höhere Spannun- Kondensator wird mittels Punktschweißen
gen und Ströme führen können, ohne die an der Sammelschiene befestigt. Die Verbin- • DIN-Schienenmontage
Baugröße bisheriger Stromschienenlösun- dungsmethode stellt einen geringen Wider- • Kompakte Bauform
gen zu verändern. stand und geringe Induktivität für eine ge-
Das Problem ist die Entwicklung physisch ringe ESL der kombinierten Baugruppe si-
Distribution by Schukat electronic
möglichst kleiner Sammelschienen, die die cher.
höhere Leistung transportieren können, die Diese integrierten Sammelschienen-Kon- • Über 200 Hersteller
die Stromrichter in Solar- und Windkraftan- densator-Baugruppen können Spannungen • 97 % ab Lager lieferbar
lage sowie die Stromverteilungssysteme in von 450 bis 1500 V und Ströme von 1000 A • Top-Preise von Muster bis Serie
EVs und HEVs zur Verfügung stellen. oder mehr schalten, mit einer maximalen • Persönlicher Kundenservice
Leistung, die sich der 1-MW-Marke nähert.
Der richtige Umgang Die Kapazität liegt zwischen 75 und 1600 µF, Onlineshop mit stündlich aktuali-
mit Stromspitzen wobei die Kapazitätswerte mit einer Toleranz sierten Preisen und Lagerbeständen
Die hohe Stromdichte und die Fähigkeit, von ±10% eingehalten werden. Diese verbes-
Stromspitzen zu überstehen, die von Wellig- serten Stromschienen sind für minimale
keitsströmen für Hochspannungs-Leistungs- Betriebstemperaturen zwischen -40 und +85
umschaltungen verursacht werden, erfor- °C für eine Verwendung bei maximaler Span-
dern normalerweise eine Reihe von elektro- nung ausgelegt, sie können normalerweise

fen sorgfältig ausgewählt werden. Ein Ziel ist

die niedrige Induktivität in Kombination mit
Bild 2: Die Ringform des Konden-
der Sammelschiene.
sators integriert in eine laminierte
Stromschienen-Baugruppe trug zu
Die Nutzung von dielektrischem Polyester-
geringer Induktivität für eine ver- und Polypropylen-Material durch den Kon-
besserte Leistungsverarbeitung bei densator trägt zu niedriger ESR und ESL bei.
kleiner Größe bei. Die sehr niedrige Induktivität zum Beispiel
ermöglicht es diesen Kondensatoren bei ho-
hen Spannungen und Strömen zu arbeiten,
bei einer Kapazität, die nur im Mikrofarad-
Bereich liegt.
In Tests haben Power-Ring-Film-Konden-
satoren ESL-Werte erreicht, die bei nur 5nH
lagen; für eine 600-V/1000-µF-Verbindung.
Die Ringform der Kondensatoren (Bild 2) er-
möglicht kurze, symmetrische Verbindungs-
abstände zu Elektroden, um Verbindungsab-
stände zu minimieren und das Erreichen
niedriger ESR-Eigenschaften zu unterstüt-
zen.
aber Betriebstemperaturen zwischen -40 und Kupferleiter verwendet, die mit einem zu- Ein mit einer Zinkverbindung metallisier-
+105 °C bedienen. sätzlichen Metall wie Silber, Zinn oder Nickel ter Polypropylen-Film wurde zum Beispiel
Die zur Verbindung von Stromschiene und beschichtet werden können. für Kondensatoren in EV- und HEV-An-
Kondensator genutzte Befestigungsmethode Die Auswahl der Sammelschienenmateri- triebsapplikationen verwendet, bei denen es
ist entscheidend, wenn es um die Erhaltung alien (etwa von Leiter und Isolatoren) be- wichtig war, selbst unter den schwierigen
der geringen Impedanz bei hoher Leistung schränkt auch die Prozess-Herstellungstem- Temperaturnbedingungen, die in fahrzeug-
geht. Denn ein übermäßiger Kontaktwider- peraturen zur Verbindung von Stromkreisen technischen Elektronikanwendungen vor-
stand aller Verbindungspunkte entlang der mit einer Sammelschiene. Lötfreie Befesti- herrschen, eine konstante Leistung aufrecht-
Sammelschiene führt zu thermischen Ver- gungsmethoden zum Beispiel erfordern hohe zuerhalten.
bindungen, welche die Zuverlässigkeit bei Verarbeitungstemperaturen und Sammel- Filmkondensatoren mit einem Wert von
hoher Leistung beeinträchtigen können. Das schienenmaterialien, die diesen Temperatu- 1000 µF haben kurzzeitigen Leistungsni-
Schweißen hat sich als verlässliche Befesti- ren während der Herstellung standhalten veaus von bis zu 100 kW standgehalten und
gungsmethode zur Verbindung von Akkuein- können. Isolationsmaterialien, die die mehr als 20.000 Betriebsstunden in Automo-
heiten bei EVs und HEVs herausgestellt und Stromschienenleiter trennen, sollten eine bil-Antriebsanwendungen geleistet, wobei
kann bei der Großserienfertigung unter Ver- stabile Dielektrizitätskonstante über einen nur Motor-Kühlflüssigkeiten als Mittel zur
wendung automatisierter Montagetechniken weiten Temperaturbereich haben, um Ableitung übermäßiger Temperaturen in den
ausgeführt werden. Schwankungen bei Kapazität und Spannung Kondensatoren eingesetzt wurden. Die Ring-
zu minimieren. form dieser Kondensatoren bietet eine effek-
Materialauswahl tive Form zur Ableitung von Hitze, die intern
für Leiter und Isolatoren Ein innovativer erzeugt wird, während sie gleichzeitig den
Auch die Materialauswahl ist für die Per- und ringförmiger Kondensator Wärmefluss von externen Wärmequellen
formance der neuen Stromschienen-Konden- Die ringförmige Auslegung des Kondensa- optimiert.
sator-Baugruppe entscheidend. Bei der Sam- tors ermöglicht drastische Verbesserungen Die besonderen Wärmeeigenschaften der
melschiene bestimmen zum Beispiel der bei der Leistungsverarbeitung durch die Materialien in den Kondensatoren sowie die
Querschnitt sowie die Auswahl des Leiter- Stromschienen-Kondensator-Komponenten; wärmeleitfähigen Metalle und dielektrischen
materials die Strombelastbarkeit der Sam- aber wie bei der Sammelschiene selbst müs- Materialien der Stromschienen bieten eine
melschiene. Bei laminierten Stromschienen sen die Materialien unter Beachtung mögli- beinahe durchgängige Wärmeableitung, wel-
werden normalerweise Aluminium- oder cher Wärmeeffekte bei hohen Leistungsstu- che zur Vermeidung heißer Stellen bei hohen
Leistungs-Levels entscheidend ist.
Somit sorgt die gezielte Materialauswahl
bei beiden Komponenten für eine Sammel-
Stromschienen für unterschiedlichen Einsatz schienen-Kondensator-Baugruppe, die beste
Voraussetzungen für höhere Spannungen
Als Einsteigerprodukt gibt es von Rogers nik zwischen (Leistungs-)PCB- und her- und Ströme mitbringt, um den Anforderun-
die Stromschiene ROLINX Easy als Ersatz kömmlicher Stromschienentechnik für gen in vielen modernen Anwendungen wie
für gestapelte Stromschienen. Anwen- Anwendungen <690 V wählen müssen, Elektroautos (EVs), hybrid aufgebaute Elek-
dungsbereiche sind etwa Automatisie- offeriert Rogers die Variante ROLINX trofahrzeuge (HEVs) sowie in Stromrichtern
rung, Industrieumrichter, Elektrizitätser- PowerCircuit für Ströme über 100 A. von Solar- und Windkraftanlagen zu entspre-
zeugung und erneuerbare Energie. Wenn Weitere Produkte sind Thermal, Perfor- chen. // KU
Konstrukteure in der Leistungselektro- mance, Hybrid und Compact.
Rogers Corporation

AKTUELLE PRODUKTE // STROMVERSORGUNG
DÜNNFILM-METALL-LEISTUNGSINDUKTIVITÄTEN
Für Automotive-Stromversorgungs-Systeme
Die TDK Corporation hat ihr Port- ten Betriebstemperaturbereich MA, die nach AEC-Q200 qualifi-
folio an kompakten Dünnfilm- von –55 bis 125 °C einsetzen. Die ziert ist, zum Beispiel für die
Metall-Leistungsinduktivitäten Serienproduktion soll im Sep- Stromversorgung von Fahrer-
um einen Typ ergänzt, der sich tember 2016 starten. Automobile assistenz-Systemen. TDK plant,
für anspruchsvolle Automotive- werden neben der konventionel- die obere Grenztemperatur die-
Applikationen eignet. Mit den len Elektronik mit immer mehr ser Bauelemente bis auf 165 °C zu
Maßen 2,0 mm x 1,6 mm x 1,0 mm Steuereinheiten für Information, erhöhen. Außerdem wird die
bietet die Leistungsinduktivität Kommunikation und das auto- Serie der Metall-Leistungsinduk-
TFM201610ALMA mit 1,9 A einen nome Fahren sowie mit anderen tivitäten künftig um weitere
der höchsten Nennströme in ih- rungs-Charakteristik, wodurch Funktionen ausgestattet. Ent- Baugrößen sowie Induktivitäts-
rer Größenklasse. Die Nennin- Wechselstromanteile in der sprechend hoch ist der Bedarf an werte erweitert, um auch Bauele-
duktivität beträgt 2,2 μH. Trotz Stromversorgung minimiert wer- Bauelementen mit hohen Strom- mente für andere anspruchsvol-
der kompakten Maße liegt der den. Durch den Einsatz beson- tragfähigkeiten. Die geringe le Applikationen bieten zu kön-
Gleichstromwiderstand bei nur ders hitzeverträglicher Materia- Baugröße in Kombination mit nen.
152 mΩ. Das Bauelement bietet lien lässt sich die neue Leis- hoher elektrischer Performance
eine gute Gleichstromüberlage- tungsinduktivität in einem brei- prädestinieren TFM201610AL- TDK Corporation
STECKERNETZTEILE
Mit integriertem USB-Anschluss

CUI hat AC/DC-Steckernetzteile dukte mit einem externen Netz- bietet. Das SMI10-USB ist für den
mit integriertem USB-Anschluss teil in den USA verkaufen möch- weltweiten Einsatz konzipiert
vorgestellt, die den Standards te, muss nun diese neuen und bietet wechselbare AC-Ste-
nach DoE Level VI und CoC Tier Standards nach Level VI erfül- cker für Nordamerika, Europa,
2 entsprechen. Die 10-Watt-Netz- len. Damit soll der Stromver- Großbritannien, Australien und
teile SMI10-USB, SWI10-N-USB brauch verringert werden, so- China. Schutz gegen Überspan-
und SWI10-E-USB erfüllen die bald das Endgerät nicht in Be- nung, Überstrom und Kurz-
strengen Anforderungen hin- trieb ist oder nicht länger mit schluss ist ebenfalls integriert.
sichtlich des durchschnittlichen dem System verbunden ist. Die Alle drei Modelle erfüllen die
Wirkungsgrads und im Leerlauf, Netzteile erfüllen auch die ab x 23,5 mm. Mit Steckern für Nord- Klasse-B-Grenzwerte für lei-
wie sie vom amerikanischen Januar 2018 gültige CoC-Tier- amerika und Japan bietet das tungsgebundene und abge-
Energieministerium (DOE; De- 2-Richtlinie der Europäischen SWI10-N-USB die Sicherheitszu- strahlte Störungen und eigenen
partment of Energy) im Februar Union, die den Stromverbrauch lassungen nach UL/cUL und sich für verschiedenste Consu-
2016 verabschiedet wurden. Je- bei 10% Last weiter begrenzt. Die PSE, während das SWI10-E-USB mer-Anwendungen.
der nationale oder internationa- kompakten Steckernetzteile ha- mit EU-Stecker die Sicherheits-
le Hersteller, der seine Endpro- ben die Maße 51,5 mm x 38,5 mm zulassungen nach CE und GS CUI
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STROMVERSORGUNG // ZUVERLÄSSIGKEIT
Gefährlicher Kurzschluss
im PCB durch hohe Spannungen
CAF (Conductive Anodic Filament) beschreibt den chemischen Effekt
der Kupfer-Ionen-Migration in FR-4 bei hohen Spannungen, wodurch
es zu Durchschlägen in der PCB kommt.
DIRK MÜLLER *
D
auerhaft anliegende hohe Gleich- Verschiedene Faktoren haben Einfluss da- reicht, was dazu führt, dass Elektronik auch
spannungen bei Versorgungspoten- rauf, wie stark es zu chemischen Prozessen vermehrt unter extremen Umweltbedingun-
zialen erzeugen statische elektrische der Ionen-Migration kommt. Aus der Summe gen und hoher Luftfeuchte verwendet wird.
Felder, die auch im Isolationsmaterial inner- der Faktoren lässt sich eine Ausfallwahr- Die Einführung von bleifreien Lötprozessen
halb der Leiterplatte aus FR4 Wirkung zei- scheinlichkeit vorhersagen und so ein siche- führen zu erhöhten thermischen Belastun-
gen. Diese elektrischen Felder verursachen rer Mindestabstand zwischen den Gleich- gen des Basismaterials bei der Bestückung,
eine Kupfer-Ionen-Migration in das Isolati- spannungspotenzialen vorgeben. Der Aus- was die CAF-Wahrscheinlichkeit erhöht. CAF
onsmaterial hinein. Die im Verlauf der Alte- fallmechanismus im Isolationsmaterial ist ein sicherheitsrelevanter Aspekt, der heu-
rung entstehenden Ablagerungen können zu wurde erstmals 1970 vom Bell Laboratory als te verstärkt im Bereich Automotive und der
gefährlichen Durchschlägen durch die Iso- Conductive Anodic Filaments (deutsch: lei- Antriebstechnik Beachtung findet.
lationsschicht führen, wenn eine solche tender Heizdraht an Anoden) beschrieben.
Gefährdung beim Entwickler unbedacht Der CAF-Effekt bekommt in den letzten Physikalisch-chemischer
bleibt. Jahren wieder mehr Beachtung. Leiterplatten Hintergrund der Gefährdung
werden miniaturisiert und es kommt zu einer Das Isolationsmaterial FR-4 innerhalb ei-
Erhöhung der Schaltungsdichte und engeren ner Leiterplatte besteht aus einer Glasgewe-
Platzierungen im Bereich der geforderten bestruktur, in der viele feine Glasfasern als
* Dirk Müller
Sicherheitsabstände bei höheren Spannun- Bündel/Strang miteinander verwoben wer-
... ist Geschäftsführer der FlowCAD
EDA-Software Vertriebs GmbH, gen. Die Wertschöpfung von Geräten aller Art den. Das Glasgewebe wird anschließend mit
Feldkirchen. wird durch elektronische Baugruppen er- Kunstharz getränkt. Durch Temperatur-
schwankungen nimmt das FR-4 über die Zeit
auch Feuchtigkeit aus der Umgebung auf.
Wenn der interne pH-Wert des Isolators sau-
Bilder: FlowCAD
er ist (pH<7), kommt es zwischen zwei elek-

trischen Potenzialen (von der Anode zur
Kathode) im FR-4-Basismaterial der Leiter-
platte zu einer Elektrolyse. Bei der Elektroly-
se lagern sich in einem Korrosionsprozess
Salze aus Kupfer-Ionen entlang des elektri-
schen Feldes und entlang der Glasfasern im
FR-4 ab. Diese Ablagerungen verkürzen den
Isolationsabstand zwischen den beiden elek-
trisch leitenden Elementen/Elektroden.
Wenn dann der Abstand zu klein ist, kommt
es zu gefährlichen Durchschlägen im Isola-
tionsmaterial, die zur Bauteilzerstörung und
sogar zu Bränden führen können.
Es sollte normalerweise nicht möglich
sein, dass sich die Kupfer-Salze im FR-4 ab-
lagern, weil das Glas mit dem Harz verklebt
ist. Aber es passiert immer wieder, dass die-
se Klebestellen zwischen Glas und gehärte-
tem Harz aufbrechen. An diesen Bruchstellen
entstehen winzige Kapillare, in denen aus
der Luftfeuchtigkeit aufgenommenes Wasser
Bild 1: Beispiel für die Prüfung auf Einhaltung der Design-Regeln für CAF in OrCAD bzw. im Allegro-PCB- kondensiert. Zu solchen Kapillaren entlang
Editor bei Gleichstromnetzen. der Glasfasern (Pathways) kommt es durch

verschiedene Arten der Beanspruchung: Die

häufigste mögliche Beanspruchung ist, dass
beim Bohren von Löchern für Durchkontak-
tierungen die Glasfasern vom Bohrer durch-
trennt werden und sich die Enden der Glas-
fasern durch Vibration im Bohrloch vom
Harz lösen. Eine andere Beanspruchung ist,
wenn ein Bogen FR-4 bei der Leiterplatten-
produktion unsachgemäß verarbeitet wird
und sich durch Biegen das Harz von den
Glasfasern ablöst. Beim Verpressen der ein-
zelnen Lagen zu einer Multi-Layer-Leiterplat-
te drücken sich Leiterbahnen auf Innenlagen
in das Harz der benachbarten Isolations-
schichten und reißen lokal die Glasfasern Bild 2: Gewichteter Einfluss auf CAF.
vom Harz ab. Es kommt auch vor, dass bei
der Produktion des Basismaterials die Glas-
fasern nicht perfekt mit Haftmittel/Härter Einfluss. Da die Korrosion an der Anode statt-
benetzt sind, bevor das Gewebe durch das findet ist die Richtung der Salzablagerung
Harz-Becken geleitet wird; dann haftet das von Bedeutung. Die Anordnung der Durch-
Harz an diesen Stellen nicht am Gewebe. kontaktierungen (orthogonal oder versetzt/ Labor-Netzgeräte
Aber auch durch thermische Beanspru- staggert) beeinflusst, wie häufig der gleiche von TOELLNER
chung, besonders beim bleifreien Lötprozess Glasfaserstrang angebohrt wird. Ein weiterer
mit hohen Temperaturen, lösen sich die Glas- Unterschied ist der Durchmesser der Glasfa- Einzel- und Doppelnetzgeräte
Harz-Verbindungen. sern in einem Strang. Feine Strukturen füh- der Serie TOE 8950
CAF tritt zwischen Gleichstrom-Potenzia- ren zu mehr CAF-Problemen.
Ausgangsspannung bis 260 V
len innerhalb von Leiterplatten auf. Wie hoch
die Wahrscheinlichkeit ist, dass CAF auftre- Es gibt keine allgemeingültigen Ausgangsstrom bis 40 A
ten kann ist abhängig von einer Kombination Berechnungsformeln für CAF
von verschiedenen negativen Einflüssen. Weniger Einfluss haben Parameter wie Sämtliche Geräte verfügen über
Zusätzlich zu der genannten mechanischen bleifreies oder verbleites Löten, Basismate- Eigenschaften, die sie aus der
Beanspruchung gibt es noch weitere Ein- rial, veredelte Oberflächen, die Bohrge- Masse hervorheben:
flussfaktoren für CAF. Die Gewichtung des schwindigkeit, Tg-Wert (höhere Glasum-
Einflusses der einzelnen Faktoren für das wandlungstemperatur durch mineralische • Autorange-Kennlinie
Auftreten von CAF ist in Bild 2 zu erkennen. Füllstoffe im Harz) und ob eine Bohrung ein • Ausgänge front- und rückseitig
Der größte Faktor ist der Abstand zwischen PAD hat oder nicht. • Einstellungen durch Dreh-Impulsgeber
zwei elektrischen Elementen (z.B. Abstand Die Kombination aus allen Einflüssen er- • Arbiträr-Funktion mit Software zur Erzeu-
zwischen zwei Bohrloch-Außenwänden), an gibt die Werte für die Mindestabstände. Da gung von beliebigen Spannungskurven
denen ein Potenzialunterschied (DC) auf ei- die Faktoren bei vielen Anwendungen sehr
• USB, LAN, GPIB, RS232, Analog-Eingänge
ner Innenlage anliegt. Der zweitgrößte Ein- unterschiedlich sind, werden die Werte bis-
fluss ist die Größe des Potenzialunterschieds her von den Kunden in Zusammenarbeit mit
selbst. den Lieferanten für Basismaterialen in Ver- ***Weltweite Referenzen***
Dann wird das Material des Härters für das suchsreihen empirisch ermittelt. Es gibt bis-
FR-4 unterschieden (Dicy Cured oder Non her noch keine Norm oder allgemeingültige
Dicy Cured). Die Verarbeitungsqualität je Berechnungsformeln. Daher muss eine DRC-
Hersteller bei der Handhabung der Lamina- Prüfung auf die kundenspezifische Anwen-
te vor der Verpressung hat ebenfalls einen dung angepasst werden.
(Quelle: ISOLA)
Bild 3: Drei Arten, die zur Bildung von CAF führen.

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ELEKTRONIKPRAXIS Leistungselektronik & Stromversorgung März 2017 43 Telefon: 0 23 30 – 97 91 91
lichkeiten errechnen. Da es aber zu viele

Parameter in dieser Berechnung gibt, werden
Design-Regeln empirisch durch Versuche mit
beschleunigter Alterung ermittelt. Ob eine
einzelne Leiterplatte Pathways enthält, lässt
sich nicht prüfen, weder durch Röntgen,
Durchleuchten oder andere Verfahren. Daher
müssen im eCAD-Design die vorgesehenen
Mindestabstände zwischen elektrisch leiten-
den Elementen eingehalten werden. Diese
Abstände sind abhängig von den Gleich-
stromspannungen der einzelnen Netze und
Bild 4: Pathways entlang des orthogonalen Glas- den Strukturen des Glasgewebes im FR-4.
gewebes. Ungeeignet sind Verifikationen mit einem
klassischen Metall-to-Metall-Check in einer
Energiesparende Es gibt ganz unterschiedliche Fälle, wie es

CAM-Software ebenso wie manuelles Aus-
messen der lagenabhängigen Abstände.
AC Mini-Netzteile zu CAF kommen kann. Die Häufigkeit des

Auftretens ermittelt sich aus der Wahrschein-
Die Werte für die Mindestabstände sind
vom verwendeten FR-4-Basismaterial abhän-
lichkeit von unterschiedlichen Fehlern. Der gig. Feinere Strukturen mit vielen einzelnen
häufigste Fall (Bild 3) tritt zwischen den Au- Glasfasern in einem Gewebestrang sind am
für Smart Homes & ßenwänden von zwei Bohrungen auf. An den schlechtesten für CAF und erfordern die
Bohrungsaußenwänden werden während größten Abstände im Design. Zur Übersicht-
Smart Buildings des Bohrens die Glasfasern aufgetrennt und lichkeit wird eine Einteilung in drei Klassen
mechanisch beansprucht. Es entstehen an für die Strukturen gewählt: fein (106, 1080),
Bohraußenwänden häufig kleine kurze Ka- mittel (2116, 3133, 2157) und grob (7628). Die
Kleine AC/DC Module mit pillaren, die später nach dem Galvanisieren Werte in Klammern geben die gängigen FR-
integrierten Class A EMV Filter mit Kupfer ausgefüllt sind. Diese galvanisier- 4-Typenbezeichnungen an. Die Einteilung ist
ten Kapillaren haben eine hohe Feldstärke erweiterbar; das Tool ordnet die Klassen den
Niedriger Stand-By-Verbrauch weit und eignen sich deshalb gut als Startpunkt Lagen zu, entsprechend der Materialbe-
unterhalb der ErP Richtlinie für die Ablagerung der Kupfer-Salze. Der so schreibung im Lagenaufbau.
genannte Pathway bildet sich dann entlang Auch die Spannungen werden in Klassen
1-3W Mini Netzteile wahlweise eines Glasfaserstrangs aus. eingeteilt. Hier hahaben sich die Bereiche
mit Pins oder Kabel für vielfältige Der zweite Fall ist ein Pathway von einer >10 V, >50 V, >100 V und >300 V als häufig
Installationsmöglichkeiten Bohrungsaußenwand zu einer innen liegen- verwendete Einteilung bewährt. Über eine
den Leiterbahn oder Kupferfläche. Durch das Tabelle lassen sich nun Mindestabstände
Weiter Eingangsspannungsbereich Verpressen wird die Leiterbahn so weit in das definieren in Abhängigkeit von Gewebe-
(85 – 264/305VAC) Harz gedrückt, dass es an das Glasgewebe struktur und Spannungsklasse (Bild 5). Die
der benachbarten FR-4-Lage stößt und hier Tabelleneinträge können gespeichert und je
Vollständig geschützte Ausgänge das Gewebe vom Harz löst. nach Projekt erneut geladen werden.
(Kurzschluss/Überlast/Überhitzung) Der dritte Fall ist ein Pathway von einer Das CAF-DRC-FloWare-Modul von Flow-
innenliegenden Bohrung von unten an eine CAD kann nun in der eCAD-Software OrCAD
Vollständig zertifiziert nach den Leiterbahn auf einer Außenlage. Dazu bzw. Allegro alle Gleichstromnetze untersu-
Sicherheitsnormen für kommt es aber nur bei zu dünnem Harzauf- chen und entsprechend der Potenzialdiffe-
J A HR
3
Haushalt und Industrie: trag auf dem Glasgewebe. renz zwischen zwei Netzen den Abstand mit
E
- IEC/EN60335-1, CAF tritt also unter gewissen Umständen dem Tabellenwert vergleichen und ggf. einen
im PCB auf und dazu lassen sich Wahrschein- DRC-Fehler auslösen. Die Prüfung kann nur
- CE (LVD+EMC+RoHS2), a r a n
G
tie orthogonal, also entlang eines Gewe-

- IEC/EN/UL60950 bestrangs, oder als Manhattan-Distanz-Prü-
fung, basierend auf einem Geweberaster von
z.B. 450 μm, erfolgen, da Pathways nur in
oder entlang eines Glasfaserstrangs entste-
hen können (Bild 4). Es treten also keine
diagonalen Strecken für Pathways auf. Der
Anwender kann entscheiden, ob nur Boh-
rungsaußenwand zu Bohrungsaußenwand
oder auch Bohrungsaußenwand zu anderen
Kupferelementen/Leiterbahnen geprüft wer-
den soll. // KU
Bild 5: DRC-Matrix für Spannungsklasse, Glas-Struk-
tur und Mindestabstand. FlowCAD
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www.recom-power.com/rac 44 ELEKTRONIKPRAXIS Leistungselektronik & Stromversorgung März 2017
ISOLIERTER DC/DC-WANDLER POWER-MANAGEMENT-IC
100W-Wandler für die Messtechnik Stromversorgung segmentieren

mit 12 V, 19 V und 24 V Ausgangs- komplexen Stromversorgungs-
spannung die geeigneten Geräte systeme in einige lokale Strom-
zur Verfügung. Die Isolations- bereiche oder -inseln untertei-
spannung beträgt 500 VAC bei len, von denen jede die Leis-
einer Ausgangsleistung bis 100 tungssteuerung, Leistungsse-
W. Der Temperaturbereich er- quenzierung und
streckt sich von –10 bis +70 °C. Leistungsregelung zur Unterstüt-
Somit können auch temperatur- zung von Lasten in unmittelbarer
kritische Applikationen sicher Nähe umfasst. Diese Technik
versorgt werden. Die Baugröße führe nach Herstellerangaben zu
Um kritische Signale genau und hat mit 2 Zoll x 4 Zoll ein Stan- Der Chip SLG46125 von Silego einer höheren Leistung und ei-
reproduzierbar messen zu kön- dardmaß. Der weite Eingangsbe- Technology erweitert die Green- ner effizienteren Lösung, die
nen, ist es teilweise notwendig, reich von 9 bis 32 VDC deckt die PAK- Familie (GPAK) von pro- flexibel auf die Anforderungen
die Versorgungsspannung und Bordnetze von PKW und LKW grammierbaren Mixed-Signal- jedes einzelnen Systems zuge-
die Ausgangsspannung galva- sowie die 24-V-Industrienetze ab. ICs und kann als Power-Manage- schnitten werden kann. Der
nisch zu trennen. Die galvani- Der Anschluss des DC/DC-Wand- ment-IC eine Reihe von Funktio- SLG46125 in einem komplett ver-
sche Trennung sorgt für sicheren lers erfolgt über Schraubklem- nen übernehmen, einschließlich kapselten 16-poligen MSTQFN-
Schutz gegen Spannungs- men, der Ausgang wird über Spannungsüberwachung, Leis- Kunststoffgehäuse mit den Ma-
schwankungen, Verschleppun- Stiftleisten übergeben. Weitere tungssequenzierung, Reset und ßen 1,6 mm x 2,0 mm unterge-
gen, Surges, Bursts und andere Produkte sind Netzteile für In- Leistungsschalter; deren Einstel- bracht. Per GUI sind Funktionen
Störungen auf der Zuleitung. dustrie und Medizin. lungen und Anschlüsse sind anpassbar.
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STROMVERSORGUNG // FORSCHUNG
Bild 1: Der Forschungsverbund NEST-DC hat eine

Technologiebasis erarbeitet, um Energieverluste in
Stromnetzen und in elektrischen Geräten um mehr
als die Hälfte zu verringern. Möglich werden kann das
durch die Nutzung von Gleichspannung. Bild: Infineon
Auf der Suche nach dem schnellen

DC Circuit Breaker
Im Forschungsprojekt NEST-DC haben fünf Projektpartner
Sicherungstechniken für Gleichspannungsnetze erforscht und damit
die Basis für elektronische Leistungs-Schutzschalter geschaffen.
D
ie meisten Hochspannungsleitungen sicher zu trennen. Das aber ist viel zu lang halbleiterbasierte, vollelektronische Leis-
übertragen Wechselstrom. Das hat und selbst eine Reaktionszeit von 5 ms ist tungs-Schutzschalter zum Einsatz in Gleich-
den Vorteil, dass über Transformato- noch zu langsam, wenn im Fehlerfall eine spannungsnetzen und Gleichspannungsan-
ren das Spannungsniveau auf der Leitung Lithium-Ionen-Batterie in einem Elektrofahr- wendungen. Damit ließe sich sich laut der
zur Übertragung angehoben und bei Bedarf zeug unterbrochen werden muss. Forscher überall dort Gleichspannung nut-
an den Verbrauchsorten zur Verteilung wie- Das Projekt NEST-DC, gefördert durch das zen, wo heute Wechselspannung üblich ist.
der gesenkt werden kann. Bei der Hochspan- BMBF, will einen technologischen Durch- Energieverluste in Stromnetzen und elektri-
nungs-Gleichstromübertragung (HGÜ) ist bruch in der vollelektronischen Schutzschal- schen Geräten könnten sich künftig um mehr
technisch komplexe Leistungselektronik tertechnik erzielen: Gleichspannung soll als die Hälfte reduzieren lassen.
nötig, um die Funktion des Transformators möglichst schnell und sicher ein- und beson- Erforscht wurden die Leistungsschutz-
zu ersetzen. Jedoch sind die Netzverluste ders auch wieder ausgeschaltet werden kön- schalter von Airbus, der E-T-A Elektrotechni-
beim Übertragen von Wechselstrom mit 5 bis nen. Ziel ist ein halbleiterbasierter Schutz- sche Apparate GmbH, der Infineon Techno-
8% grundsätzlich höher als das der Fall bei schalter für den Spannungsbereich bis 1500 logies AG, der Siemens AG sowie dem Institut
Gleichstrom ist. Mit Gleichspannung ließe V. Im Projekt werden dazu neuartige Halblei- für elektrische Antriebe, Leistungselektronik
sich die elektrische Energie aus regenerati- terbauelemente, wie der Over-Current Blo- und Bauelemente (IALB) der Universität Bre-
ven Quellen auch effizienter in Energienetze cking Field Effect Transistor erforscht. Halb- men. Infineon hatte die Projektleitung inne.
und Energiespeicher einspeisen und die leiterbasierende Leistungsschutzschalter Das European Center for Power Electronics
Netzstabilität verbessern. sollen mit innovativer Aufbau- und Verbin- e.V. (ECPE) mit Sitz in Nürnberg unterstützte
Somit machen die geringeren Verluste und dungstechnik und neuen Topologien umge- das Projekt maßgeblich.
die Möglichkeit, kompaktere und kosten- setzt und für eine beispielhafte Anwendung Ohne effiziente und kostengünstige Siche-
günstigere Elektrogeräte herzustellen, die im Flugzeug-Bordnetz validiert werden. rungstechnik sind Verteilnetze sowie Bord-
Gleichspannung für viele Anwendungen Die im Projekt zu erarbeitenden neuartigen netze der Elektromobilität nicht auf Gleich-
attraktiv. Das Fehlen effizienter und kosten- Schutzschaltungstopologien erlauben eine spannungsversorgung umstellbar. Die Pro-
günstiger Sicherungstechniken verhindert zukunftsweisende Generation von Gleich- jektpartner erforschten daher unter anderem
es bislang, das Potenzial der Gleichspan- spannungschutzschaltern bei selbstständi- neuartige Halbleiterbauelemente, wie den
nung besser auszuschöpfen. Diese Schutz- ger interner Absicherung der Halbleiter ge- Over-Current-Blocking-Field-Effect-Transis-
technik, etwa Circuit Breaker, muss im Feh- gen Überlastung. tor (OCB-FET). Dieses Bauteil hat man sich
lerfall, z.B. Kurzschluss, schnell genug und jedoch nicht wie gewohnt als einen Transis-
zuverlässig abschalten. An elektromechani- Die ersten Grundlagen tor vorzustellen. Vielmehr ist es ein Hybrid-
schen Schutzvorrichtungen entstehen zu- sind erarbeitet Modul, bestehend aus einer Schaltungstech-
dem Lichtbögen beim Schalten von Gleich- Ein deutscher Forschungsverbund hat im nik, die jetzt aufgrund der Verfügbarkeit von
spannungen bzw. Gleichströmen und sie Rahmen der Förderung die Technologiebasis Wide-Bandgap-Leistungshalbleitern wie
sind schwer, wenig robust, teuer und lang- auf Grundlage von Gleichspannung erarbei- Silliziumkarbid neu angedacht wurde.
sam ansprechend. Ein Circuit Breaker kann tet. Fünf Projektpartner aus Industrie und Für elektronische Leistungsschutzschalter
bis zu 8 ms brauchen, um einen Stromfluss Wissenschaft erforschten die Grundlagen für haben die Forscher auch neue Aufbau- und

STROMVERSORGUNG // FORSCHUNG The
Verbindungstechniken sowie neue Schal-
tungstopologien erarbeitet und getestet. Zu
tung erfolgt erst bei längerer Überlast. Dieser
elektronische Schutzschalter für 100 A
Limiters
den Ergebnissen des Projekts gehören De- Nennstrom beherrscht alle auftretenden Be-
monstratoren im Bereich von Luftfahrt-Bord- lastungssituationen: Einen möglicherweise
netzen, Elektromobilität, Photovoltaik und auftretenden Kurzschlussstrom begrenzt er
Gleichspannungs-Verteilnetzen. auf ca. 400 A. Ein temporärer Überstrom bis
300 A für 100 ms führt nicht zur Abschaltung.
Forschungsaufgaben Kondensatoren bis 2 mF lassen sich ohne
der NEST-DC-Partner Abschalten laden. Die Reaktionszeit auf
Im Projekt übernahm es das IALB der Uni- Kurzschlussströme liegt unter 1 µs. Dies er-
versität Bremen, neuartige Halbleiterstruk- laubt es, schnell ansteigende Kurzschluss-
turen für den Einsatz im OCB-FET zu unter- ströme bis zu einer Geschwindigkeit von ca.
suchen und zu simulieren. Zudem wurden 500 A/µs schnell genug zu begrenzen und
die entwickelten Leistungsschutzschalter abzuschalten.
statisch und dynamisch vermessen sowie ihr
thermisches Verhalten und ihre Zerstörungs- Anforderungen an Schalter
grenze getestet. Airbus definierte die Anfor- für HVDC-Anwendungen
derungen aus Sicht von Luftfahrt-Anwendun- Beim Abschalten im Gleichstromnetz un-
gen und erarbeitete eine geeignete Topolo- terscheidet E-T-A zwischen einem Verteil-
gie. Diese wurde zusammen mit den Partnern schalter (Relais) und einem Schutzschalter.
als Demonstrator ausgeführt und getestet. Beim Verteilschalter ist es möglich, einige ms
Siemens untersuchte Aufbau und Verbin- Verzugszeit bei der geplanten Abschaltung
dungstechnik der Leistungs-Schutzschalter. einer Last mit Nennstrom im Allgemeinen zu
Infineon leitete das Projekt, steuerte seine tolerieren. Beim Schutzschalter, der z.B. ei-
Kompetenz für Leistungshalbleiter bei und nen aufgetretenen Lastkurzschluss abschal-
forschte an den Leistungshalbleitern für die ten soll, ist diese Verzögerung sehr kritisch.
OCB-FETs. E-T-A definierte die Anforderun- In dieser Zeit könnte der Laststrom auf dra-
gen für Industrieanwendungen. Zusammen matisch hohe Werte ansteigen.
mit den Partnern validierte E-T-A als ausge- Ein für HVDC-Netze optimierter Schutz-
wiesener Circuit-Breaker-Experte dafür aus- schalter soll im Kurzschlussfall so schnell
gelegte Leistungsschutzschalter für Span- abschalten, dass der Kurzschlussstrom nicht
nungsklassen bis 1500 V. über den 10-fachen Nennstrom ansteigt. Bei
Die Forschung des

sehr kurzen Leitungen können Induktivitä- Camtec Serie ESB
ten ab etwa 1 µH auftreten. Der Stromanstieg
Circuit-Breaker-Experten E-T-A • Einschaltstrombegrenzer (ESB)
beträgt dann ca. 1000 A/µs. Dies wiederum
Der Projektpartner E-T-A detailliert sein bedeutet, der Schutzschalter muss möglichst • Wiederholgenaue Begrenzung ±6%
Entwicklungsziel: Der für HVDC-Netze opti- innerhalb von 1 µs den Kurzschlussstrom • Für induktive und kapazitive
mal geeignete Schutzschalter begrenzt beim erkennen und abschalten. Lasten bis 10.000 uF
Einschalten oder Zuschalten von Überlasten Die Netze erfordern aber auch den zeitbe- • Integrierte Temperatur-
oder Kondensatoren auftretende Kurz- grenzten Durchlass von Überströmen. Dabei
überwachung
schlussströme für einige Millisekunden auf kann es sich um Ladeströme von Kondensa-
den 3- bis 5-fachen Nennstrom. Die Abschal- toren, Anlaufströme von Motoren oder Star- • Integriertes Bypass-Relais
• Senkt die Installationkosten
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Verbrauchern an einem LS
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sierten Preisen und Lagerbeständen
Bild 2: Blockschaltbild eines elektronischen Schutzschalters.

STROMVERSORGUNG // FORSCHUNG
Der Kurzschlussstrom (prospektiv 2500 A)
Bild: E-T-A
wird auf etwa 410 A begrenzt. Nach Ablauf
der Strombegrenzungszeit wird auch der
strombegrenzte Pfad abgeschaltet (Bild 3).
Nach Zuschalten des Kurzschlusses bei
500,000 ms steigt der Strom mit einer durch
die Netzimpedanz bestimmten Geschwindig-
keit von ca. 500 A/µs linear an. Bei Errei-
chung der Abschaltschwelle von ca. 640 A
schaltet das Gerät beide Pfade sofort ab. Die
Gate-Spannung am MOS1 hat eine Abschalt-
verzögerung von ca. 100 ns. Die Abschaltver-
zögerung der MOS2-Gate-Spannung beträgt
Bild 3: Zuschalten eines Kurzschlusses mit 100 mΩ bei Nennstrom (Zoom 1 ms/div) rot: Stromverlauf, grün: ca. 500 ns. Durch die schnelle Reaktionszeit
UDS-Schwelle, blau: UDS-Spannung am Komparator. von ca. 400 ns steigt der Strom nur auf ma-
ximal 800 A an. Der Strom sinkt in ca. 3,5 µs
auf 0. Der strombegrenzte Pfad wird nach ca.
5 µs wieder eingeschaltet. Der Strom steigt
Bild: E-T-A
dann auf den Begrenzungswert von 410 A
(Bild 4).
Weitere Details zum Projekt

NEST-DC zusammengefasst
NEST-DC steht für „Neuartige elektroni-
sche Leistungs-Schutzschalter für Gleich-
spannung im Bereich der erneuerbaren Ener-
gien und Bordnetze“. Während der Projekt-
laufzeit investierten die fünf genannten
Forschungspartner zusammen etwa 4,5
Bild 4: Zuschalten eines Kurzschlusses mit 100 mΩ bei Nennstrom, Umschalten der Pfade (Zoom Umschal- Millionen €. Der Projektstart war im Oktober
ten 1 µs/div) rot: Stromverlauf, grün: UDS-Schwelle, blau: UDS-Spannung am Komparator, hellblau: Gate 2013; die Laufzeit betrug insgesamt drei Jah-
MOS1 (niederohmig), violett: Gate MOS2 (strombegrenzt). re. Die Bundesregierung hat das Ziel, Strom
mit Hilfe innovativer Leistungselektronik in
Zukunft effizienter zu nutzen. Das Bundes-
terströme von Lampen handeln. Die Schutz- zu vermeiden. Deshalb nutzt das Gerät zur ministerium für Bildung und Forschung
schalter brauchen also eine Kennlinie. Ein Strommessung den Spannungsfall über die (BMBF) fördert auf der Grundlage des
typischer Ladestrom in DC-Netzen erfordert durchgeschaltete Drain-Source-Strecke des Rahmenprogramms IKT 2020 multidiszipli-
die Durchleitung des ca. 4-fachen Nennstrom Leistungshalbleiters. Ziel ist es, die Schal- näre Forschungs- und Entwicklungsprojekte
für eine Zeit von 100 ms. Eine hohe Strom- tung durch eine Transistorschaltung und zum Thema „Leistungselektronik zur Ener-
spitze beim Laden von Kondensatoren soll ohne Mikroprozessor zu realisieren. gieeffizienz-Steigerung“ (abgekürzt LES).
für eine kurze Zeit von etwa 5 ms nicht zum Die Reaktionszeit des Schutzschalters im NEST-DC wurde mit rund 2,1 Millionen €
Abschalten des Schutzschalters führen. Kurzschlussfall soll so schnell sein, um bei unterstützt. // KU
einem Stromanstieg von 1000 A/µs den
Funktion des elektronischen Strom auf maximal den 10-fachen Nennstrom Infineon/E-T-A
Schutzschalters (1000 A) zu begrenzen. Da die Drain-Source
Der elektronische Schutzschalter soll mög- Spannung mit der Sperrschichttemperatur Literaturhinweise zu den Forschungsarbeiten
lichst wenig Verlustleistung erzeugen. Des- steigt, schaltet sich der Schutzschalter bei [1] Infineon: Datenblatt 650V CoolMOS C7, Infine-
halb wird als Leistungshalbleiter eine Paral- Erwärmung durch Überstrom selbstständig on GmbH, 2013
[2] Infineon: IFX CoolMOS C7 simulation model,
lelschaltung von MOSFET-Transistoren ver- ab.
Infineon GmbH, 2014
wendet. Es gilt, dabei zusätzliche Verluste Nach Zuschalten des Kurzschlusses wird [3] Linear Technology: LTspice IV simulation, Linear
durch einen üblichen Strommesswiderstand der niederohmige Pfad sofort abgeschaltet. Technology Corporation, 2014
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AC/DC-WANDLER
Besonders flache Bauformen

Serie erreicht bis zu 30 Watt pro ohne großen Aufwand zu erhö-
Kubikinch. Ihre Höhe liegt bei hen und ihre Stromversorgung
19,05 mm – das ist laut EOS nied- effizienter zu gestalten. Schon
riger als bei allen bisher im Markt die Serien MWLP225 und
verfügbaren, vergleichbaren MWLP350 medizinischer open
Stromversorgungen. Die (M) frame Produkte waren aufgrund
ULP40-, 180- und 250-Watt-Serie ihrer Leistungsdichte und markt-
bietet die Möglichkeit, Standard- führende Spezifikationen ein
Open-Frame Stromversorgungs- weltweiter Erfolg. Um noch star-
lösungen mit 2" x 4" und 3" x 5" ker auf die Bedürfnisse seiner
EOS Power hat seine neue ULP- in höhenbegrenzten Umgebun- Kunden einzugehen, bietet EOS
Serie (Ultra Low Profile) medizi- gen einzusetzen – mit erhöhter Power in Zukunft diese Produkts-
nischer und industrieller Open- Effizienz und ohne das Gerät erien auch mit erweiterter Garan-
Frame-Stromversorgungen vor- umdesignen zu müssen. EOS Po- tie von sieben Jahren an.
gestellt. Die Leistungsdichte der wer bietet seinen Kunden damit
40-, 180- und 250-W-(M)ULP- eine an, die Leistung ihres Geräts EOS Power
AC/DC-MODULE
In robuster Base-Plate-Cooling-Technologie
Die AC/DC-Module PCMAT150 auf Überspannungskategorie OV
S24 von MTM Power zur dezent- 3 ermöglicht den Einsatz in tran-
ralen Stromversorgung in Indus- sientenbehafteten Anwendun-
trieanwendungen. Dank der ro- gen. Die vakuumvergossenen (EP
busten Konstruktion in BPC- 1 987 708, U.S. Patent No.
Technologie (Base Plate Cooling) 8,821,778 B2) Schaltnetzteile bie-
ist es möglich, die Verlustwärme ten zuverlässigen Schutz gegen
über die Montageplatte abzufüh- Betauung, leitfähige Stäube und
ren und somit die Lebensdaue- sonstige Umwelteinflüsse. Ihr
rerwartung der Geräte zu erhö- Anschluss erfolgt über industri-
hen. Der Eingangsspannungsbe- te Control sowie eine Überlastfä- elle Steckverbinder und ermög-
reich reicht von 85 bis 264 VAC. Es higkeit von 150% (Power Boost). licht den Einsatz als Plug-and-
wird eine geregelte nominelle Der Wirkungsgrad beträgt bis zu Play-Lösung in empfindlichen
Ausgangsspannung von 24 VDC 92,5 %, der Betriebstemperatur- Elektronik-Subsystemen.
erzeugt. Die Geräte bieten Power- bereich –40 ... 70 °C. Die Ausle-
Good-Signal, aktives PFC, Remo- gung der Isolationskoordinaten MTM Power
AC/DC-WANDLER
Leistungen von 1 bis 3 W für z.B. den IoT-Einsatz

Etwa zur Stromversorgung von ein nach UL 94V-0 schwer ent-
Sensoren sind die AC/DC-Netz- flammbares Kunststoffgehäuse.
teile-Serien IRM-01, IRM-02 und Je nach Applikationsanforderun-
IRM-03 mit kleinen Leistungen gen sind die Serien als THT-Ver-
in 1, 2 und 3 W von Mean Well sion (IRM-01/-02/-03) sowie als
geeignet. Sie sind kompakt (33,7 SMD-Version (IRM-01S/-02S/-
mm x 22,2mm x 15 mm bzw. 16 03S) erhältlich. Damit lassen
mm) und haben eine Leistungs- sich Leiterplatten per Hand oder
aufnahme von <0,075 W. Die Se- automatisiert per SMT für ver-
rien IRM-01/-02/-03 erfüllen die schiedenste elektrische Geräte
weltweiten Anforderungen nach bestücken. Die Netzteile eignen
geringem Stromverbrauch, sind sich für eine breite Anwendungs-
zertifiziert nach EN60950-1 und palette beispielsweise auch für
entwickelt nach EN60335-1 bzw. elektrische Handgeräte.
IEC60601-1. Sie halten dem 5G-
Vibrationstest stand und haben Schukat

STROMVERSORGUNG // FILTER FÜR DIE MOTORANSTEUERUNG
Die richtige Filtertechnik

für störfreie Motorbestromung
Frequenzumrichter erzeugen Störsignale auf der Motorzuleitung.
Geeignete Filter zwischen Umrichter und Motor können die
daraus entstehenden ungünstigen Auswirkungen minimieren.
CHRISTOPH JEHLE *
Z
ur stufenlosen Drehzahlveränderung Diese haben eine ganze Reihe von ungünsti- ten bestehen. Deren Ausschwingvorgänge
eines Asynchron-Motors erzeugt der gen Auswirkungen: überlagern sich der Umrichterspannung.
Frequenzumrichter (auch Stromrichter Die Überlagerung der Leitung mit hoch- Dies führt vor allem auf der Motorseite zu
genannt) aus seiner eingangsseitigen Wech- frequenten Strömen verringert den zur Ver- kurzzeitigen Spannungsüberhöhungen,
selspannung mit fester Frequenz und Amp- fügung stehenden Strom für den Betrieb welche die Motor-Nennspannung weit
litude eine an seinem Ausgang in Frequenz des Motors. Zum Ausgleich muss der Um- überschreiten können (Bild 2) und durch
und Amplitude veränderbare Wechselspan- richter größer dimensioniert werden. Teilentladungen die Motorisolation belas-
nung zur direkten Regelung der elektrischen Störströme können bei langen Leitungen ten, was wiederum zu einem Motorausfall
Maschine. so groß werden, dass die Überstromschutz- führen kann.
Bei Applikationen, in denen Umrichter schaltung des Umrichters anspricht. In Summe ergeben sich daraus am Umrich-
und Motor über eine längere Leitung mitei- Hochfrequente Ströme verursachen mit terausgang folgende Probleme:
nander verbunden sind, treten parasitäre ihrem hohen Schaltfrequenzgehalt Verluste große hochfrequente Blindströme in der
Kapazitäten zwischen den Leitern und gegen in der Leitung wie auch im Motor. Motorleitung,
Erde auf. Hinzu kommt, dass die Anstiegszeit Da ein Teil der hochfrequenten Ströme EMV-Probleme,
der Rechteckimpulse der Umrichter-Aus- gegen Erde fließt, verursachen sie asymme- Überspannung am Motor durch die hohe
gangsspannung im Bereich 5 bis 10 kV/µs trische Störungen. Bei Verwendung unge- Spannungssteilheit und die lange Motorlei-
liegt, was bei jedem Schaltvorgang zu hoch- schirmter Motorleitungen würden dadurch tung,
frequenten Strömen in der Leitung führt. unzulässig hohe Störfelder erzeugt, wes- Beschädigung der Motorisolation,
halb in der Regel kostspielige geschirmte Lagerschäden durch Ableitströme über
Motorleitungen zum Einsatz kommen. die Motorlager,
Die hohe Flankensteilheit der Umrich- Motorgeräusche.
* Christoph Jehle
terspannung regt außerdem parasitäre
... ist Manager Produkt-Kommuni-
Schwingkreise an, die aus Kabel- und Mo- Ausgangsfilter ermöglichen die
kation bei der TDK Corporation in
München. torkapazitäten sowie Leitungsinduktivitä- wirksame Entstörung
Für eine effektive Entstörung sind im We-
sentlichen Faktoren wie Leitungslänge,
Spektrum der Störfrequenz, Motortyp oder
Bilder: TDK-EPCOS
auch die Leistung entscheidend. Welcher

Aufwand bei der Entstörung der Umrichter-
ausgänge tatsächlich erforderlich und sinn-
voll ist, muss im Einzelfall entschieden wer-
den.
Typische Bauelemente, mit denen sich
Störungen aufgrund langer Motorleitungen
unterdrücken lassen, sind du/dt-Drosseln,
wie sie beispielsweise TDK-EPCOS entwickelt
hat. Durch solche auch als Motordrosseln
bezeichnete Längsdrosseln fließt der gesam-
te Motorstrom. Steile Strom- und Spannungs-
flanken am Ausgang des Frequenzumrich-
ters werden durch die Induktivität abgeflacht
und die parasitären Kapazitäten der Motor-
kabel weniger stark ge- und entladen.
Die Motordrosseln dienen hauptsächlich
Bild 1: Beispiele von Entstörlösungen für den Frequenzumrichterausgang mit du/dt-Drossel, Sinusfilter und zum Schutz der Motorwicklungen vor uner-
SineFormer. wünschten Spannungsspitzen.

... scannen und

Short-Movie sehen
Bild 2: Spannungsüberhö-
hung durch die Motorlei-
tung. Lange Motorleitun-
gen weisen eine relativ
hohe Induktivität auf und
verursachen bei steilen
Schaltflanken große Span-
nungsüberhöhungen.
MISSION
Die EPCOS-Bauelemente der Serie
B86301U* (Bild 3) sind für eine Bemessungs-
den nur wenig bedämpft. Außerdem sind,
wie erwähnt, nach wie vor geschirmte Mo- IMPOSSIBLE?
spannung von 520 VAC ausgelegt. Je nach torleitungen erforderlich. Um nun die asym-
Typ betragen die Stromtragfähigkeiten 8 bis
1500 A. Sie eignen sich für Motorleitungen
metrischen Störungen auf der Motorleitung
soweit zu reduzieren, dass auf die Schirmung WIR MACHEN
ES MÖGLICH!
mit einer Länge von bis etwa 100 m bei Mo- der Motorleitung verzichtet werden kann,
torfrequenzen von 0 bis 400 Hz. Die kleine- muss ein entsprechender EMV-Sinusfilter
ren Typen sind für eine maximale Taktfre- verwendet werden. Dieser besteht aus einem
quenz von 16 kHz ausgelegt, bei Varianten Sinusfilter, der durch eine stromkompensier- AC-Quellen
mit Stromtragfähigkeiten >500 A liegt diese te Drossel mit Kondensatoren gegen Masse bis 2.000 KVA max. und 700 VAC / 1.000 VDC
bei 2,5 kHz. Das Design der Drosseln ent- ergänzt ist. Eine solche Schaltungstechnik
spricht der Norm IEC 60076-6. Alle Typen kommt bei EPCOS im SineFormer zum Ein-
DC-Quellen
Leistung bis 1 MW max. und 1.500 VDC
dieser Serie werden mit dem UL-approbier- satz (Bild 4).
ten Isolationssystem T-EIS-CF1 gefertigt. Abhängig von dem Querschnitt und der DC-Quelle/Senke mit
Werden höhere Anforderungen an die Ent- Länge einer Leitung ist der Einsatz von Sine- Netzrückspeisung
störung gestellt, sind Sinusfilter zu empfeh- Former in Kombination mit ungeschirmten
len. Auch sie sind als LC-Filter aufgebaut, Leitungen meist kostengünstiger als die Ver- Elektronische Lasten
Leistung bis 200 KW max. und 1.200 V
ihre Grenzfrequenz liegt aber im Gegensatz wendung geschirmter Leitungen. Häufig sind
Eingangsspannung
zu den Motordrosseln zwischen der Aus- die Mehrkosten für SineFormer bereits ab
gangsfrequenz und Umrichter-Taktfrequenz. Stromversorgungen
Da der Sinusfilter hauptsächlich auf symme-
trische Störungen zwischen den Leitungen
Wechselrichter
wirkt, werden Störungen gegen den Schutz- DC-Quelle/Senk mit Netzrückspeisung
leiter kaum verringert. Daher muss die Mo- Leistung bis 210 KW und 1.500 VDC
torleitung weiterhin geschirmt ausgeführt
werden. Sinusfilter reduzieren Motorgeräu-
sche und Wirbelstromverluste und erlauben Von der Entwicklung über die Produktion bis
die Verwendung von Motorleitungen von zum Vertrieb. Bei uns erhalten sie alles aus einer
deutlich mehr als 100 m Länge. Hand – Serienprodukt bis Einzelstück. Wir setzen
Typische Sinusfilter sind die Bauelemente bedingungslos auf das, was wir unter bester
der EPCOS-Serie B84143V*R227, R229 oder deutscher Ingenieurskunst verstehen, nämlich auf
R230. Sie sind für Dauerströme von 4 bis 320 solide Qualität und durchdachte Innovationen!
A bei Nennspannungen zwischen 520 und Kontaktieren Sie uns unter 0 62 05 / 3 94 80 oder
690 V ausgelegt. Die zulässige Taktfrequenz informieren Sie sich auf www.et-system.de
der Umrichter beträgt je nach Typ zwischen
Bild 3: Motordrosseln unterdrücken Spannungsspit-
1,8 und 16 kHz.
zen. Das umfangreiche Spektrum an EPCOS-Motor-
Motordrosseln und Sinusfilter reduzieren drosseln deckt ein Stromspektrum von 8 bis 1500
Spannungsspitzen auf den Motorleitungen, A ab. Spannungsspitzen in den Motorwicklungen
zeigen aber bei Störungen gegen Schutzleiter werden so vermieden, wodurch die Lebensdauer
kaum Wirkung. Auch Motorlagerströme wer- der Motoren steigt.

gute Wirkung dieser Filtertechnologie. In

Summe lassen sich damit die Systemkosten
senken und die Anlagenverfügbarkeit erhö-
hen.
SineFormer B84143V*R127 eignen sich
auch zur Anlagennachrüstung, nämlich
dann, wenn erst bei der Inbetriebnahme
durch die Motorleitung verursachte EMV-
Probleme auftreten. Auf die geeignete Aus-
legung des netzseitigen EMV-Filters ist
selbstverständlich in jedem Fall auch weiter-
hin zu achten, etwa mit Hilfe der neuen,
kompakten Netzfilterreihe B84243A*. Hier
sind in Kombination mit SineFormer und bis
Bild 4: Prinzipschaltbild eines EPCOS SineFormer. Der SineFormer bedämpft symmetrische wie
zu 300 m ungeschirmter Leitung die Grenz-
asymmetrische Störungen. Dadurch kann auf kostspielige geschirmte Leitungen verzichtet werden
und der Motor wird geschont. wertklassen C2 nach EN 61800-3 erreichbar.
Für die Anwendung lassen sich die Vortei-
le des EMV-Konzepts mit SineFormer wie
folgt skizzieren:
Verringerung des du/dt auf <500 V/μs,
Reduzierung der Geräuschentwicklung
des Motors,
deutliche Verminderung der Wirbel-
stromverluste,
Verringerung der Lagerströme,
Vermeidung von Kopplungen der Stö-
rungen von der Motorleitung zu anderen
Netz- und Signalleitungen,
bessere EMV-Performance als geschirm-
te Leitungen,
Funkstörstrahlung innerhalb der nor-
mativen Limits,
bestmögliche Reduzierung der Störun-
gen (leitungsgebunden und abgestrahlt) im
Vergleich zu anderen Ausgangsfilterlösun-
Bild 5: Störspannungsmessung an EPCOS SineFormer. Trotz ungeschirmter Kabel werden die zulässi- gen,
gen Grenzwerte eingehalten. keine Rückführung zum Umrichterzwi-
schenkreis notwendig.
Wirtschaftliche Vorteile des EMV-Konzepts
mit SineFormer sind:
einer Leitungslänge von rund 100 m bei Ver- Break-even bereits bei Leitungslängen von ungeschirmte Motorleitungen können
wendung eines ungeschirmten Kabels kom- weniger als 50 m erreicht werden. Dabei ist eingesetzt werden, wodurch sich der Mon-
pensiert. Werden allein die Preise des Sine- noch nicht einmal der höhere Montageauf- tageaufwand verringert,
Former und der ungeschirmten Leitungen wand für geschirmte Leitungen berücksich- deutlich höhere Motorlebensdauer und
mit den Kosten eines Sinusfilters und ge- tigt. Minimierung der Kabelanschaffungskos-
schirmter Leitungen verglichen, kann der Bild 5 zeigt die Wirkungsweise der Sine- ten,
Former-Technologie. Selbst bei gekreuzter Reduzierung der Motorgröße,
Verlegung von Netzleitung und ungeschirm- längere Motorkabel sind möglich (bis
ter Motorleitung werden die Grenzwerte si- 1000 m ungeschirmt gemessen),
cher eingehalten (hier nach EN 55011, Klasse kein Wartungsaufwand, da die SineFor-
A – Gruppe 1 beziehungsweise EN 61800-3 mer ohne Zwangskühlung aufgebaut sind,
Kategorie C2). Dass so gut wie keine Kopp- Kompaktfilter (kein Baukastensystem),
lungen auftreten, zeigt eindeutig die sehr dadurch geringeres Volumen und Gewicht,
reduzierte Anforderungen an den Netz-
filter,
Bild 6: Technische Parameter des EPCOS SineFor- erhöhte Anlagenverfügbarkeit,
mer. Die Bemessungsspannung ist 520 VAC bis 180
als Nachrüstsatz geeignet, wenn bei In-
A und 600 VAC bei 320 A. Der Bemessungsstrom
beträgt 11 bis 320 A. Zulässig ist eine Umrichter-
betriebnahme durch die Motorleitung ver-
puls-Frequenz von 4 bis 8 kHz bis 180 A und 2,5 ursachte EMV-Probleme auftreten. // KU
bis 3 kHz bei 320 A. Die Approbation für SineFormer ist
UL und cUL (ausgenommen 6 A und 45 A). TDK-EPCOS

NETZTEILE
Kundenspezifische Steckverbinder
Das 150-W-Tischnetzteil BET-
1500 von Bicker Elektronik ist
mit exakt geregeltem +12-, +19-
oder +24-VDC-Ausgang und mit
Einzigartig:
kundenspezifischen Spezial-
Steckverbindungen verfügbar,
optional auch mit weiteren Span-
nungen. Es benötigt keine
Grundlast und arbeitet im Tem-
peraturbereich von –30 bis 65 °C.
Gratis 3D-MID-Software
Mit einem Wirkungsgrad von bis
zu 93% und einem Standby-
Stromverbrauch von <0,15 W ent-
spricht es den aktuellen Energie-
Effizienz-Bestimmungen für die 264 VAC (50 bis 60 Hz) und die
USA und Europa. Neben den notwendigen Sicherheitszulas-
Energie-Effizienzlevel-Standards sungen IEC/EN/UL60950-1, CCC
DoE (US-Energieministerium), und CE. Die Isolationsspannung
CEC, GEMS, NRCan Level VI und zwischen Ein- und Ausgang be-
ErP Level V erfüllt das BET-1500 trägt 4242 VDC. Neben dem regu-
auch den EU-Tier-2-Standard. lären 4-PIN-POWER-DIN-Stecker
Das BET-1500 ist ausschließlich kann das BET-1500 am DC-Aus-
mit 105-°C-Premium-Elektrolyt- gang mit kundenspezifischen
Kondensatoren bestückt und für Spezial-Steckverbindungen aus-
den langjährigen 24/7-Dauerbe- gestattet werden.
trieb ausgelegt. Es hat einen
Weitbereichseingang von 90 bis Bicker Elektronik
NETZTEILMODULE
Für die Leiterplattenmontage

Emtron bietet die Stromversor- viele konstruktive Probleme zu
gungsmodule der Baureihe IRM- lösen, die aus dem oft knappen
45/60 von Mean Well an, die für Bauraum auf Leiterplatten resul-
die direkte Montage auf der Lei- tieren. Zudem erfüllen diese
terplatte elektronischer Geräte Stromversorgungen mit Leichtig-
konzipiert sind. Damit wird die keit die strengen Anforderungen
Produktfamilie IRM auf den Leis- der aktuellen Energieeffizienz-
tungsbereich bis 60 W erweitert. Richtlinien weltweit. Und darü-
Das kompakte Design und die ber hinaus bieten sie mit ihrer
niedrigen Leerlauf-Leistungsauf- Stoßfestigkeit von 5 G eine hohe
nahme der IRM-Familie von we- mechanische Robustheit. Die
niger als 0,1 W hilft Entwicklern Baureihe IRM-45/60 lässt sich
über Anschlussstifte in die Lei-
terplatte einlöten; mit der Aus-
führung IRM-45/60-xST steht
auch eine Modell mit Schrauban-
schlüssen zur Verfügung. Ihre
Eigenschaften machen die Pro-
dukte der IRM-Familie zur idea-
len Stromversorgung für Indust-
rieelektronik, Mobil- und Hand-
held-Geräte. Zu beziehen ist die
IRM-Familie über den Spezial-
distributor Emtron electronic.
Emtron

www.pcb-pool.com/3DMID
STROMVERSORGUNG // HOCHSTROM-LEITERPLATTEN
Hochstrom-Leiterplatte begegnet
Anforderungen der Antriebstechnik
Hochstromstrukturen für Lastkreise und Feinleiter für Logiksignale
auf einem Schaltungsträger ist mit HSMtec kein Widerspruch.
Diese Standard-FR4-Multilayer führen Ströme bis 400 A.
JOHANN HACKL *
rungsleiterplatte verbunden. Diese Konst-
Bilder: Häusermann
ruktionen brauchen viel Platz und außerdem
Stecker, Kabel und Stromschienen oder
Stanzgitter als Verbindungselemente.
Bild 1: Die Kombination von Steuer- und Vorteilhafter und zunehmend gefordert ist
Leistungsteil auf einer Leiterplatte mit es, Leistungs- und Steuerungsteil auf nur
HSMtec (rechts) spart Platz und Systemkos-
einer Leiterplatte zu platzieren (Bild 1). Die
ten im Vergleich zur üblichen Lösung (links).
Herausforderung dabei ist, die großen Lei-
tungsquerschnitte für hohe Ströme mit fei-
nen und feinsten Strukturen des Steuerungs-
teils in einem Board – oft auf derselben Ebe-
ne – zu kombinieren. Fertigt man die Leiter-
querschnitte des Leistungsteils mit
herkömmlicher Ätztechnologie in 70 oder 105
µm, braucht man sehr breite Leiterzüge und
damit viel teure Leiterplattenfläche. Hier
setzt HSMtec an. Die zum Übertragen der
hohen Ströme erforderlichen großen Leiter-
querschnitte des Leistungsteils sind als mas-
sive Kupferprofile in einem FR4-Multilayer
verpresst. Die Kupferprofile werden additiv
über eine stoffschlüssige Ultraschallverbin-
dung auf eine geätzte Lage der Leiterplatte
aufgebracht. Da die Kupferprofile 500 µm
hoch sind, verkleinert sich das Design in der
D
ie Forderung nach maximaler Ener- Je anspruchsvoller die Vorgaben an die Breite mindestens um den Faktor 3 bis 4 ge-
gieeffizienz treibt die Entwicklung Baugruppe, umso wichtiger wird die Leiter- genüber 70 oder 105 µm (Bild 2).
elektrischer Systemen wie Brems- platte. Zudem bestimmen die thermischen, Ein Beispiel: Rund 40% weniger Platz als
kraftverstärker und Lenksysteme in der Fahr- elektrischen und mechanischen Eigenschaf- die herkömmliche Lösung braucht eine Ro-
zeugtechnik sowie Umrichter und Motorsteu- ten die Kosten des Gesamtsystems. Intelli- torblattsteuerung für Windkrafträder mit
erungen in der Industrieautomation. Und gente Lösungen senken den Platzbedarf IGBTs auf einer HSMtec-Leiterplatte. Zum
speziell in der Fahrzeugtechnik müssen ebenso wie das Gewicht und Volumen der Steuern von Gleich- und Wechselstrommo-
Entwickler sowohl die eingeschränkten Baugruppe. Wir sehen uns nun die wesent- toren muss 150 A Dauerstrom zwischen den
Raumverhältnisse als auch die anspruchs- lichen Herausforderungen beim Design einer IGBTs sowie zu den externen Anschlüssen
vollen Temperaturvorgaben bedienen. Dage- Platine für die Antriebstechnik genauer an transportiert werden. Neben den IGBTs ist
gen ist die Antriebstechnik in der Industrie- und zeigen konkrete, teilweise unkonventi- auch ein Hochstromstecker zu berücksichti-
elektronik mit hohen Anforderungen an die onelle Lösungswege auf. gen. Die Leiterplatte darf sich maximal um
Spannungsfestigkeit und Isolationsklassen 40 °C erwärmen.
konfrontiert. Auf beiden Gebieten verspre- Signal und Leistung auf einer Im 2,2 mm dicken 6-Lagen-Multilayer mit
chen die Lösungen Erfolg, die alle Anforde- Platine optimal kombinieren 330 mm x 268 mm Kantenlänge sind 2970 mm
rungen schon in der Konzept- und Design- Der übliche Design-Ansatz einer Motor- Kupferprofile mit Breiten von 4, 8 und 12 mm
Phase berücksichtigen. steuerung trennt Steuerungs- und Leistungs- selektiv unter den IGBTs angeordnet. Die
teil in zwei Leiterplatten. Der Leistungsteil Gesamtverlustleistung aller Hochstromlei-
wird oft auf Dickkupfertechnik- oder Metall- tungen zeigt, was HSMtec leistet: Die Verlust-
* Johann Hackl
... arbeitet im Team der Anwendungsentwicklung kernleiterplatten untergebracht und über leistung aller Hochstromleitungen wurde auf
bei Häusermann in Gars am Kamp/Österreich. Steckverbinder und Kabel mit der Steue- 20 W eingeschränkt und die Forderung nach

einem ∆T von 40 K erfüllt. Ohne Kupferpro- tenaufbau begünstigt die Stromtragfähigkeit

A
W
file würde die Verlustleistung 50 W betragen und die Entwärmung dieser Leiterbahnen.
E
und das ∆T auf 110 K ansteigen. Die span- Auf der Basis jahrelanger Erfahrung in der
N
nungskritischen Netze auf dieser Platine Konzeptionierung von Hochstromleiterplat-
wurden mit 2,5 kV geprüft. ten hat Häusermann einen Kalkulator entwi-
!
ckelt, der bei der Dimensionierung von Hoch-
Spannungsfestigkeit
W
stromleiterbahnen unterstützt. Mit wenigen
und Stromtragfähigleit Eingaben, etwa Stromstärke und Tempera-
Servo-Controller oder Frequenzumrichter
mit Spannungen von 400 bis 690 V nach IEC
und 600 V nach UL, im Gleichstromkreis so-
gar bis 1000 V, sind keine Seltenheit. Für die
turen, liefert der Kalkulator die minimale
Leiterbreite sowohl für HSMtec als auch für
70 und 105 µm. L O
komplexer werdenden Antriebsregler kommt Richtiges Wärmemanagement
vielfach noch die Forderung nach hoher gegen Hotspots
Stromtragfähigkeit bei kleinstmöglichem Für Leistungsbaugruppen ist eine weitere
Platz hinzu. HSMtec reduziert die Leiterbrei- Eigenschaft der massiven Kupferelemente
ten für hohe Ströme und ermöglicht somit, von Vorteil: Die Kupferprofile sind hervorra-
die notwendigen Spannungsabstände auch gende Wärmeleiter und verteilen die Verlust-
auf kleinster Fläche einzuhalten. Beispiel: wärme der Leistungsbauteile, die typischer-
Bei einer geforderten Spannungsfestigkeit weise heißer werden als die Stromleiter, über
von 800 V muss die Prüfspannung um den die Leiterplattenfläche bzw. rasch durch die THE NEW (M)ULP ULTRA
Faktor 4 größer sein, d.h. 3200 V. Um diese Leiterplatte zum Kühlkörper. Das bedeutet LOW PROFILE SERIES
Spannungsfestigkeit einzuhalten, sind ent- einen thermischen Pfad ohne Einschrän-
sprechend große Abstände von einigen Mil-
limetern zwischen den Leiterbahnen, zu
kung, denn Kupfer leitet Wärme 1000-fach
besser als das Basismaterial FR4.
THE WORLD’S
Bohrungen und anderen fremden Potenzia- Typisch für Leistungstransistoren sind SMALLEST AND
len erforderlich. Exakt abgestimmte Lagen-
aufbauten und Isolationsabstände, auch zu
den Kupferprofilen, garantieren die Span-
unter anderem ihre Schaltverluste. Während
IGBTs direkt auf einem Kühlkörper montiert
sind, verursachen MOSFETs im SMD-Gehäu-
FLATTEST
nungsfestigkeit zwischen den Lagen. se punktuelle Hotspots auf der Leiterplatte. POWER SUPPLY
Maßgeblichen Einfluss auf die Stromtrag- Ein Standard-MOSFET mit 10 mm x 10 mm
fähigkeit der Leiterbahnen hat der Lagenauf- Grundfläche erzeugt Leistungsverluste von
bau. Die Stromtragfähigkeit verdoppelt sich, bis zu 20 W und mehr. HSMtec bietet die Mög-
wenn zwei Masseinnenlagen vorhanden lichkeit, die Wärme direkt vom MOSFET
sind, die keine Eigenerwärmung haben. Folg- durch die Leiterplatte zum Kühlkörper zu
lich erhöht eine Wärmespreizung durch sol- führen. Zur schnellen Wärmeableitung kom-
che Masselagen die Strombelastbarkeit. biniert man Vias mit einem wärmetechnisch
Weitere Einflussfaktoren sind das Verhältnis optimierten Lagenaufbau. Über Micro- und
der Leiterbahnbreite zur Leiterbahnhöhe, die Thermovias lassen sich die Leistungsbautei-
Umgebungstemperatur (Tu) und die Anord- le und Kühlkörper metallisch mit den Kupf-
nung benachbarter Leiterbahnen. Möglichst erprofilen in den Innenlagen der Leiterplatte
viel und richtig angeordnetes passives Kup- verbinden.
(M)ULP275
fer neben, unter oder über den eigentlichen Ein Design-Beispiel für das Entwärmungs-
stromführenden Leiterbahnen im Leiterplat- konzept eines TO263-SMD-Gehäuses veran- 5 x 3 x 0.75 INCHES
150 W CONVECTION-
COOLED
Bild 2: Mit den 500 µm EFFICIENCIES
hohen Kupferprofilen UP TO 93%
reduziert sich das Design
in der Breite mindestens BF RATING FOR
um den Faktor 3 bis 4 MEDICAL VERSIONS
gegenüber 70 oder 105
µm Leiterbahnbreite. PG/PF SIGNAL OPTION
12 V/0.5 A FAN
OUTPUT STANDARD

In der Steuereinheit müssen acht Halbbrü-

Bild 3: Das Thermo- cken mit 3 x 15-A-Leitungen zu den Steckern
Design eines MOSFET
angeschlossen sein. Im Betrieb darf die Um-
im TO263-Gehäuse
kombiniert Micro- und
gebungstemperatur maximal 80 °C errei-
Thermovias mit einem chen. Das thermische Management der Mo-
wärmetechnisch optimier- torsteuerung haben die Entwickler über eine
ten Lagenaufbau. dreidimensionale Konstruktion gelöst: Die
Entwärmung der Halbbrücken erfolgt über
zwei Biegekanten zu Leiterplattenlaschen,
die im Gehäuse mit einem Aluminium-Kühl-
körper verklebt werden. Die Laschen befin-
den sich an zwei gegenüberliegenden Seiten
und werden nach dem Bestücken der Leiter-
platte um 90° nach oben gebogen.
Bild 4: Die Kupferele-
mente in der Biegestelle Die aufwändige Leiterplattenkonstruktion
sorgen für mechanische rechtfertigt geringere Systemkosten im Ver-
Stabilität und stellen gleich zur herkömmlichen Lösung. Mit ihrem
Signal-, Hochstrom- hohen Integrationsgrad senkt HSMtec den
und Wärmeverbindun- Platzbedarf einer Leistungsbaugruppe eben-
gen her.
so wie Gewicht und Volumen. Zudem redu-
zieren die thermischen, elektrischen und
mechanischen Eigenschaften die Kosten des
Gesamtsystems. Hinzu kommen Standard-
prozesse beim PCB-Design, in der Leiterplat-
schaulicht Bild 3. Ein 12 mm breites und 0,5 diese Aufgabe. Die Kupferprofile in den In- tenfertigung sowie bei der Bestückung.
mm hohes Kupferprofil liegt auf einer Leiter- nenlagen machen dreidimensionale Konst- Beim erstgenannten Beispiel der Rotor-
bahn, die umlaufend mindestens 1 mm brei- ruktionen möglich. Durch Kerbfräsungen die blattsteuerung zeigt der Vergleich mit einer
ter ist als das Kupferprofil in der Innenlage senkrecht zu den Kupferprofilen verlaufen, Alternativlösung, die auf Dickkupfer-Technik
der Leiterplatte. Unterhalb des Headpads des lassen sich Segmente der Leiterplatte nach setzt (210 μm Außenlagen, zwei Innenlagen
Leistungshalbleiters sind Microvias mit 0,1 dem Bestücken bis zu 90° biegen (Bild 4). für Signaltechnik) mit HSMtec einen Kosten-
mm Durchmesser in einem Raster von 0,5 Das massive Kupfer ermöglicht eine selbst- vorteil von 13%. Auch im Vergleich mit Kup-
mm eindesignt. Um das Heatpad herum sind tragende dreidimensionale Form, die den ferschienen liegt HSMtec vorn. Weil die Kup-
Thermovias mit 0,5 mm Durchmesser im Ras- Bauraum geschickt ausnutzt und Leistung in ferschienen entfallen, sinken die Kosten für
ter von 1,0 mm angeordnet, die den direkten Form von Hochstrom und Wärme über die Beschaffung und Montage. Gleichzeitig sind
Kontakt vom Kupferprofil zum Kühlkörper Biegekante transportiert. Typisch und vor- die empfindlichen Verbindungsstellen auf
herstellen. Hinzu kommen zusätzlich Blind teilhaft ist, dass die Leiterplatten als zweidi- der Leiterplatte reduziert.
Vias, die ebenfalls einen Wärmepfad vom mensionale Leiterplatte layoutet, im Nutzen Grundsätzlich gilt: Die kostengünstigste
Kupferprofil zum Kühlkörper bilden. gefertigt und bestückt werden. Nach dem Gesamtlösung lässt sich dann realisieren,
Als Beispiel entwärmt diese Design-Maß- Bestücken bzw. zur Montage der Baugruppe wenn alle Anforderungen schon in die Kon-
nahme die MOSFETs im SMD-Gehäuse wird die Leiterplatte in die 3D-Form gebogen. zept- und Design-Phase einfließen. Das gilt
TO263/ D²PAK-7 in einem EMV-Testgerät für Diese dreidimensionale Konstruktion er- auch für die Schnittstellen. Die Anschluss-
Fahrzeuge. Die Leistungsbaugruppe schaltet setzt andere flexible Aufbauten wie Starrflex technik muss hohe Ströme zuverlässig über-
als dynamischer Schalter Batteriespannun- oder Semiflex und Verbindungen über Ste- tragen und eine mechanisch stabile Verbin-
gen von maximal ±60 V/ ±100 A. Spezielle cker. Im einfachsten Fall wird ein Teil der dung zur Leiterplatte sicherstellen und dabei
Anforderungen sind symmetrische Schalt- Leiterplatte nach dem Bestücken abgewin- einfach zu handhaben sein.
flanken RISE/FALL <1 µs/typisch 0,5 µs sowie kelt und beim Einbau ins Gehäuse in dieser Leiterplatten-Anschlusskomponenten
ein integrierter Überspannungsschutz durch Position fixiert. Dadurch sinkt der Anteil an (Omnimate Power) von Weidmüller ergänzen
induktives Ab- bzw. Umschalten der Batte- mechanischen Verbindungen über Kabel die HSMtec-Leiterplatte. Ausgelegt für Ser-
riespannungen. Außerdem enthält die Schal- und Steckverbinder. Das erhöht nicht nur die voregler und Frequenzumrichter gibt es PCB-
tung zum Schutz vor Überspannungen eine Zuverlässigkeit der Baugruppe, sondern Klemmen im Rastermaß bis 15 mm für bis zu
TVS-Diode mit 3 kW. auch deren Lebensdauer. Die dreidimensio- 150 A/1000 V (IEC) und 127 A/600 V (UL) mit
Das EMV-Testgerät wird im Labor bei typi- nale Konstruktion ist prädestiniert für Ein- diversen Kontaktarten. Mit Schraub- und
schen Umgebungstemperaturen mit maxi- malbiegungen, etwa für Anwendungen, bei Druckkontakten speziell für IGBTs, Einpress-
mal 40 °C betrieben. Zulässig ist eine Tem- denen der biegbare Bereich für den Einbau kontakte sowie Lötkontakte für die Durch-
peraturdifferenz von maximal 30 K. Der der Baugruppe in Form gebracht wird. Durch stecktechnik oder mit reflow-fähigen Kom-
thermische Widerstand beträgt Rth 0,31 K/W. die niedrige Feuchtigkeitsaufnahme im Ge- ponenten für SMT-Prozesse werden HSMtec-
Die Leiterplatte muss die Wärme der MOS- gensatz zu Flexfolien entfallen zumeist ther- Leiterplatten ebenfalls kontaktiert. Einen
FETs gut ableiten, geringe Verluste haben mische Vorbehandlungen beim Löten. Kalkulator für Hochstromleiterbahnen finden
und ein kompaktes Geräte-Design ermögli- Den 3D-Aufbau nutzen beispielsweise die Sie auf www.haeusermann.at. // KU
chen. Die 1,6 mm starke 4-lagige Leiterplatte Entwickler von technosert electronic für eine
mit nur 135 mm x 64 mm Kantenlänge erfüllt CAN-basierte intelligente Lüftersteuerung. Häusermann

PRÄZISIONS-LEISTUNGS-
VERSTÄRKER / LASTEN
DC-DC HOCHLEISTUNGSWANDLER
Antriebstechnik
Optimiert für die Industrie- und Bahntechnik
mit besonders weitem Eingangs- Gehäuse ist der erste industrielle Energietechnik
bereich sowie den PFB600W- 600-W-Wandler mit einem
110S mit extrem hoher Leistungs- 4:1-Eingangsbereich (43 bis Kalibrierung
dichte. Der PQB50U-72S mit 160 V), der die nominellen Bus-
seinem großen Eingangsspan- spannungen 72, 96 und 110 V Komponententest
nungsbereich von 12:1 (14 bis abdeckt. Beide Bausteine kön-
160 V) liefert 50 W in einem nen bei Gehäusetemperaturen
Quarter-Brick-Gehäuse und ver- zwischen –40 und 100 °C be- Laboraufgaben
einfacht die Arbeit von Entwick- trieben werden und damit sehr
lern, die EN50155-Lösungen ent- herausfordernde Anforderungen Isoliermessverstärker
Powerbox hat zwei DC/DC- werfen. Der Baustein kann alle erfüllen, wie sie beispielsweise
Wandler für die Leiterplatten- gängigen Busspannungen verar- für Baumaschinen, Anlagen im
montage vorgestellt, die in beiten. Der PQB50U-72S kann die Bergbau und der Schwerindus-
erster Linie für industrielle und volle, stabile Leistung im Bereich trie bestehen.
bahntechnische Anwendungen von 14 bis 160 V liefern. Der
gedacht sind: Den PQB50U-72S PFB600W-110S im Full-Brick- Powerbox
DACHZEILE
225/350-Watt-Netzteil für -ITE und Medical

Günter Power Supplies bietet kühlung und 225 W/350 W wer-
die Low Profile Serie (M)WLP225 den mit Lüfter erreicht. Die
Tel.: 089 / 89 70 12-0
und (M)WLP350 vom Hersteller Stromversorgung wird vielen info@rohrer-muenchen.de
EOS Power als Open Frame Anforderungen gerecht, so er-
an. Mit Ausgangsspannungen streckt sich der Betriebstempe-
zwischen 12 und 58 V, Schutz- raturbereich von –40 bis 50 °C,
klasse I oder II (225 W) / Schutz- mit Derating bis 70 °C, die Leer-
klasse I (350 W) und einer laufleistung liegt unter 0,5 W, der
Baugröße von nur 4 Zoll x 2 Zoll Wirkungsgrad beträgt bis zu 94%
x 1 Zoll (225 W) und 5 Zoll x 3 Zoll und die MTBF ist >800.000 h. Die
x 1 Zoll (350 W) erhält der Anwen- neue (M)WLP225/350 Serie
der ein Gerät mit hervorragen- ist nach EN60601 3rd Edition
den Eigenschaften zu einem sehr und EN60950 2nd Edition zu-
guten Preis-Leistungs-Verhält- gelassen.
nis. Die Geräte arbeiten bis
112,5 W/200 W mit Konvektions- Günter Power Supplies
AC/DC-WANDLER
Für raue Industrieumgebungen

mit Universaleingang (90 bis Befestigung bei starken Schocks
264 VAC) ist pinkompatibel mit und Vibrationen im rauen Um-
den Modellen RAC05-SC, RAC06- feld möglich. Schutz vor Kurz-
SC, RAC10-SC und RAC20-SB. Die schluss, Überlast, Überspan-
20-W-Stromversorgung der nung und die elektromagneti-
Schutzklasse II hat 3,3-, 5-, 12-, sche Verträglichkeit nach
15- und 24-VDC-Ausgänge und er- EN55022 Klasse B runden die
zielt einen Wirkungsgrad bis Features ab. Der RAC20-N ist so-
83%. Mit einer Leerlauf-Leis- wohl IEC, UL als auch EN60950-
tungsaufnahme von <0,25 W ent- 1 zertifiziert und mit CE-Kenn-
Das AC/DC-Wandlermodul spricht der Wandler der ErP- zeichnung ausgestattet. Anwen-
RAC20-N von Recom für die Lei- Ökodesign-Richtlinie. Die robus- der erhalten eine Garantie von
terplattenbestückung hat die te Bauweise erlaubt einen Ein- drei Jahren auf den AC/DC-
Maße 2" x 1" und eignet sich für satz im Betriebstemperatur- Wandler von Recom.
den Einsatz in rauen Industrie- bereich von –40 bis 70 °C. Über
umgebungen. Der Wandler Einpressmuttern ist eine sichere Recom

BATTERIEN UND AKKUS
Battery Finder App hilft bei der Batterie- und Akkusuche

Panasonic Automotive & Indus- kraftanlage – überall werden weltweit größte Hersteller von
trial Systems Europe (PAISEU) leistungsfähige Batterien in der Industriebatterien. Jetzt ist die
bietet allen Batterie-Suchenden Industrie eingesetzt. Und die komplett überarbeitete und neu
jetzt ein ganz besonderes Ar- Menge der Anwendungen, die gestaltete Version 3.0 erschienen
beitsmittel an: die brandneue Batteriekraft benötigen, wächst – sowie eine für Computer oder
dritte Version seiner Battery Fin- schnell. Entsprechend groß und Tablets optimierte Online-Appli-
der App. Hier finden sich Hun- unübersichtlich ist das Angebot kation. Batterien lassen sich jetzt
derte von Industriebatterien und am Markt. Da ist es nicht immer komfortabel anhand von beliebi-
eine Vielzahl von Infos, Bildern leicht, genau die richtigen gen Parametern suchen. Die
und Videos zur Batterietechnik. ter oder Tablets optimiert ist. Wer Stromspeicher für neu entwi- Smartphone App gibt es für An-
Das Tool hilft dabei, immer ge- mehr erfahren möchte, kann sich ckelte Produkte zu finden. droid und iOS (iPhone) Geräte
nau die richtige Batterie für den ein Erklärungsvideo auf der Pa- Schließlich geht es bei Batterien und kann in den entsprechenden
speziellen Bedarf zu finden. Ne- nasonic Website oder bei YouTu- nicht nur um Leistung, sondern Stores kostenlos heruntergela-
ben der Smartphone App gibt es be ansehen. Vom Akku-Bohr- ebenso um Sicherheit, Langle- den werden.
auch eine neue Version der On- schrauber bis zur USV-Anlage, bigkeit, Abmessungen, Kontak-
line-Applikation, die für Compu- vom Rauchmelder bis zur Wind- tierungen etc. Panasonic ist der PAISEU
DC/DC-ABWÄRTSWANDLER-MODULE
Für High-End-Consumer- und mobile Industrie-Applikationen

Die Einkanal-DC/DC-Abwärts- nen zu entwickeln. Ein spezieller Überstrom/Kurzschluss, Über-
wandler-Module 3A-/ISL8202M Enable-Pin und ein Power-Good spannung und negativen Über-
und 5A-/ISL8205M von Intersil Flag vereinfachen dabei die Se- strom geschützt, auch bei Unter-
(Vertrieb SE Spezial Electronic) quenzierung von Stromversor- spannung am Eingang erfolgt
arbeiten mit einem Wirkungs- gungsschienen. Sowohl das IS- eine automatische Abschaltung.
grad von bis 95%. Ihr 22-poliges L8202M- als auch das ISL8205M- Ein programmierbarer Soft-Start
QFN-Gehäuse misst 4,5 mm x 7,5 Modul unterstützen Eingangs- verringert den Einschaltstrom,
mm x 1,85 mm. Die pinkompatib- spannungen von 2,6 bis 5,5 V und die automatische Entladung des
len 3-A- bzw. 5-A-Wandler verei- einstellbare Ausgangsspannun- Ausgangs garantiert einen Soft-
nen alle für ein Schaltnetzteil gen von minimal 0,6 V mit 1,6% und ein 100%-Tastgrad-LDO- Stop. Dank eines Kupfer-Lead-
benötigten Komponenten in ei- Genauigkeit über Netz, Last und Modus verlängern in mobilen frames können die Module über
nem einzigen gekapselten Mo- Temperatur. Die Schaltfrequenz Anwendungen die Batteriele- einen weiten Temperaturbereich
dul. Durch die Pinkompatibilität ist von 680 kHz bis 3,5 MHz ein- bensdauer und unterstützen so ohne zusätzliche Kühlung unter
der Module lassen sich unter stellbar. Ein wählbarer Wir- die Entwicklung Energy-Star- Volllast betrieben werden.
anderem auch Stromverteiler mit kungsgrad für geringe Last, ein konformer Produkte. Die Module
mehreren POL-Ausgangsschie- Ruhestrom von lediglich 50 µA sind gegen Übertemperatur, SE Spezial-Electronic
DC/DC-WANDLER
Mehrphasen-Abwärtsreglercontroller mit vier Ausgängen

Linear Technology hat den den Strom im Parallelschal- kann auf einen festen Wert zwi-
LTC7851/-1 vorgestellt, einen tungsbetrieb gleichmäßig zwischen 250 kHz und 2,25 MHz ein-
Mehrphasen-DC/DC-Synchron- schen den Phasen auf, auch über gestellt oder mit einem externen
Abwärtsreglercontroller mit vier mehrere ICs hinweg. Das gilt Taktsignal innerhalb dieses Fre-
Ausgängen, gleichmäßiger sowohl für stationäre Ströme als quenzbereichs synchronisiert
Stromaufteilung zwischen den auch für Transienten. Der Cont- werden. Alle Kanäle bieten Aus-
Phasen und differenzieller Aus- roller benötigt eine Betriebs- gangsstromüberwachung, ein-
gangsspannungserfassung. Der spannung (VCC) von 3 bis 5,5 V, ist stellbare Strombegrenzung, pro-
Controller kann sowohl DrMOS- dafür ausgelegt, Spannungen grammierbare Soft-Start- oder
Module und Power Blocks als schaltet und gegeneinder ver- zwischen 3 und 27 V herunterzu- Tracking-Funktion sowie Power-
auch Leistungsstufen auf der setzt getaktet werden, um die regeln und liefert bis zu vier von- good-Signal. Die Referenz-
Basis diskreter n-Kanal-MOS- Anforderungen an die Eingangs- einander unabhängige Span- spannungsgenauigkeit beträgt
FETs und Gate-Treiber steuern. und Ausgangsfilter in Hochstro- nungen von 0,6 bis 5 V. Die ±0,75% über den Betriebstempe-
Unter Verwendung von zwei manwendungen bis 260 A zu Schaltfrequenz des auf einer raturbereich von –20 bis 85 °C.
Controllern dieses Typs können verringern. Der Stromvertei- Voltage-Mode-Regelungsarchi-
bis zu acht Phasen parallelge- lungsregler im LTC7851/-1 teilt tektur basierenden Controllers Linear Technology

11050
Begeben Sie sich auf Zeitreise!

In diesem Jahr feiert ELEKTRONIKPRAXIS 50. Geburtstag. Aus diesem Anlass berichten wir
in jeder Heftausgabe bis Frühjahr 2017 und online auf der Meilensteine-Webseite über die
führenden Unternehmen der Elektronikbranche. Was waren ihre wichtigsten Leistungen,
wo stehen die Unternehmen heute und wie sehen die Pioniere der Elektronik die Zukunft?
Entdecken Sie die ganze Geschichte unter www.meilensteine-der-elektronik.de
Analog EDA Elektronik-Händler Distribution
RTOS & Tools Embedded Messen & Veranstaltungen Messen Steuern Regeln
Relais Verbindungstechnik Mikrocontroller Schaltschränke/Klimatisierung
HF-Messtechnik LED/Lighting Displays Stromversorgungen
Labormesstechnik Power Management Passive Bauelemente EMS
Eine Serie von

#redCUBE
PCIM Europe Halle 7 Stand 229
REDCUBE Terminals bieten einen höchst zuverlässigen Hochstromanschluss auf der  Höchste Flexibilität durch
Leiterplatte. Geringe Übergangswiderstände garantieren eine minimale Eigenerwärmung. vielfältige Anschlusstechnologien
Vier Bauformen decken alle führenden Bestückungstechnologien ab und ermöglichen  Extreme Stromtragfähigkeit
eine Vielzahl von Anwendungsmöglichkeiten. von bis zu 500 A
 Vielfältige Wire-to-Board und
www.we-online.com/redcube Board-to-Board Lösungen
 Minimaler Übergangswiderstand
 Außergewöhnlich hohe mechanische
Stabilität
REDCUBE PRESS-FIT REDCUBE PLUG REDCUBE SMD REDCUBE THR

Leistungselektronik

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SONDERHEFT LEISTUNGSELEKTRONIK & STROMVERSORGUNG

Das große Potenzial der

Fehleinschätzungen Herausforderungen Hohe Stabilität

Die neuen „Risiken“

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Das große Potenzial der

SCHWERPUNKTE 32 Lösungsorientiert mit Design-Unterstützung

16 Fehleinschätzungen von GaN-Halbleitern vermeiden Stromversorgung

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42 Gefährdung durch hohe

54 Hochstrom-Leiterplatte in der Antriebstechnik

Schweiz: Hochstrasse 355 · CH-8200 Schaffhausen Halle 9

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Power Devices und Motor Control

Bilder: Vogel Business Media

8 ELEKTRONIKPRAXIS Leistungselektronik & Stromversorgung März 2017

Wireless Power Design Kit

Wichtige Eigenschaften: Anwendungen:

SINGLE-CHIP-LÖSUNGEN FÜR MOTION CONTROL

POWER DEVICES FÜR MOTION CONTROL

2. TAG MIT AUSSTELLUNG, MITTWOCH 5.4.2017

ENERGIEEFFIZIENZTAG MIT AUSSTELLUNG: BEST PRACTICE-BEISPIELE & ANWENDBARE FORSCHUNGSERGEBNISSE

10 ELEKTRONIKPRAXIS Leistungselektronik & Stromversorgung März 2017

3. TAG MIT AUSSTELLUNG, DONNERSTAG 6.4.2017

INTELLIGENTE SENSOREN, SOFTWARE & SIMULATION

ELEKTRONIKPRAXIS Leistungselektronik & Stromversorgung März 2017 11

Bild: © Dark Illusion/Fotolia.com, © grandeduc/Fotolia, © victorbillvyse/Fotolia.com, Panasonic [M]

12 ELEKTRONIKPRAXIS Leistungselektronik & Stromversorgung März 2017

Das große Potenzial

ELEKTRONIKPRAXIS Leistungselektronik & Stromversorgung März 2017 13

an das Gate angelegt wird. In gleicher Weise

14 ELEKTRONIKPRAXIS Leistungselektronik & Stromversorgung März 2017

ELEKTRONIKPRAXIS Leistungselektronik & Stromversorgung März 2017 15

wie zuvor, sind nun aber noch ausgeprägter.

Höhere Frequenz, kleinere

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kreistyp und Systemanforderungen kann Bild 2: GaN-Transistoren

HDO-A 12-BIT, 1 GHz, 10 GS/s!

und 16 digitale Kanäle

600-V-TRAN- DURCHLASS- GATE- AUSGANGS- AUSGANGS- SPERRVER-

18 ELEKTRONIKPRAXIS Leistungselektronik & Stromversorgung März 2017

Wireless Industrial IoT

Eigenschaften Zuverlässiges Drahtlos-Sensor-Netzwerk Erfahren Sie mehr

• Für jahrelangen strörungsfreien

Linear Technology GmbH Distributoren Distributoren

Auswahl und Zuverlässigkeit

lung der TIMs nach ihren thermischen Wi-

Welches Material ist besser?

20 ELEKTRONIKPRAXIS Leistungselektronik & Stromversorgung März 2017

ELEKTRONIKPRAXIS Leistungselektronik & Stromversorgung März 2017 www.tdk.eu

TIM erzeugt und welchen Einfluss hat dies

22 ELEKTRONIKPRAXIS Leistungselektronik & Stromversorgung März 2017

einen speziellen Probenhalter ein Lastwech-

Treiber für Module bis zu 1700 V und 600 A

ELEKTRONIKPRAXIS Leistungselektronik & Stromversorgung März 2017 23

nen Spannungsabfall in der aktiven Zone der

Bilder: Zentrum für Wärmemanagement (ZFW)

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kühlen schützen verbinden

Wir stellen aus:

drahtbruch identifiziert werden konnte, ist

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4. Generation, weniger Verluste