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Technische Information / technical information

IGBT-Module
IGBT-Modules FS75R12KE3

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / electrical properties


Kollektor Emitter Sperrspannung
Tvj= 25°C VCES 1200 V
collector emitter voltage

Kollektor Dauergleichstrom Tc= 80°C IC, nom 75 A


DC collector current Tc= 25°C IC 105 A

Periodischer Kollektor Spitzenstrom


tp= 1ms, Tc= 80°C ICRM 150 A
repetitive peak collector current

Gesamt Verlustleistung
Tc= 25°C; Transistor Ptot 350 W
total power dissipation

Gate Emitter Spitzenspannung


VGES +20 V
gate emitter peak voltage

Dauergleichstrom
IF 75 A
DC forward current

Periodischer Spitzenstrom
tp= 1ms IFRM 150 A
repetitive peak forward current

Grenzlastintegral
VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C I²t 1200 A²s
I²t value

Isolations Prüfspannung
RMS, f= 50Hz, t= 1min: VISOL 2,5 kV
insulation test voltage

Charakteristische Werte / characteristic values

Transistor Wechselrichter / transistor inverter min. typ. max.


Kollektor Emitter Sättigungsspannung IC= 75A, VGE= 15V, Tvj= 25°C - 1,7 2,15 V
VCEsat
collector emitter saturation voltage IC= 75A, VGE= 15V, Tvj= 125°C - 2,0 - V

Gate Schwellenspannung
IC= 3,0mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C VGE(th) 5,0 5,8 6,5 V
gate threshold voltage

Gateladung
gate charge
VGE= -15V...+15V QG - 0,7 - µC

Eingangskapazität
input capacitance
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V Cies - 5,3 - nF

Rückwirkungskapazität
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V Cres - 0,2 - nF
reverse transfer capacitance

Kollektor Emitter Reststrom


VCE= 1200V, VGE= 0V, Tvj= 25°C ICES - - 5 mA
collector emitter cut off current

Gate Emitter Reststrom


VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C IGES - - 400 nA
gate emitter leakage current

prepared by: MOD-D2; M. Münzer date of publication: 2002-09-03


approved: SM TM; Robert Severin revision: 3.0

DB_FS75R12KE3_3.0 .xls
1 (8) 2002-09-03
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules FS75R12KE3

Charakteristische Werte / characteristic values

Transistor Wechselrichter / transistor inverter min. typ. max.


IC= 75A, VCC= 600V
Einschaltverzögerungszeit (induktive Last)
VGE= ±15V, RG= 4,7Ω, Tvj= 25°C td,on - 0,26 - µs
turn on delay time (inductive load)
VGE= ±15V, RG= 4,7Ω, Tvj= 125°C - 0,29 - µs
IC= 75A, VCC= 600V
Anstiegszeit (induktive Last)
VGE= ±15V, RG= 4,7Ω, Tvj= 25°C tr - 0,03 - µs
rise time (inductive load)
VGE= ±15V, RG= 4,7Ω, Tvj= 125°C - 0,05 - µs
IC= 75A, VCC= 600V
Abschaltverzögerungszeit (induktive Last)
VGE= ±15V, RG= 4,7Ω, Tvj= 25°C td,off - 0,42 - µs
turn off delay time (inductive load)
VGE= ±15V, RG= 4,7Ω, Tvj= 125°C - 0,52 - µs
IC= 75A, VCC= 600V
Fallzeit (induktive Last)
VGE= ±15V, RG= 4,7Ω, Tvj= 25°C tf - 0,07 - µs
fall time (inductive load)
VGE= ±15V, RG= 4,7Ω, Tvj= 125°C - 0,09 - µs

Einschaltverlustenergie pro Puls IC= 75A, VCC= 600V, Lσ= 70nH


Eon - 7,0 - mJ
turn on energy loss per pulse VGE= ±15V, RG= 4,7Ω, Tvj= 125°C

Ausschaltverlustenergie pro Puls IC= 75A, VCC= 600V, Lσ= 70nH


Eoff - 9,5 - mJ
turn off energy loss per pulse VGE= ±15V, RG= 4,7Ω, Tvj= 125°C

Kurzschlussverhalten tP ≤ 10µs, VGE ≤ 15V, TVj ≤ 125°C


ISC - 300 - A
SC data VCC= 900V, VCEmax= VCES - LσCE ·di/dt

Modulinduktivität
LσCE - 19 - nH
stray inductance module

Leitungswiderstand, Anschluss-Chip
Tc= 25°C RCC´/EE´ - 2,5 - mΩ
lead resistance, terminal-chip

Charakteristische Werte / characteristic values

Diode Wechselrichter / diode inverter


Durchlassspannung IF= 75A, VGE= 0V, Tvj= 25°C - 1,65 2,15 V
VF
forward voltage IF= 75A, VGE= 0V, Tvj= 125°C - 1,65 - V

IF= 75A, -diF/dt= 2200A/µs


Rückstromspitze
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C IRM - 90 - A
peak reverse recovery current
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C - 96 - A

IF= 75A, -diF/dt= 2200A/µs


Sperrverzögerungsladung
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C Qr - 7,4 - µC
recovered charge
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C - 13,5 - µC

IF= 75A, -diF/dt= 2200A/µs


Ausschaltenergie pro Puls
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C Erec - 3,0 - mJ
reverse recovery energy
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C - 5,5 - mJ

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2 (8) 2002-09-03
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Charakteristische Werte / characteristic values


NTC-Widerstand / NTC-thermistor min. typ. max.
Nennwiderstand
Tc= 25°C R25 - 5 - kΩ
rated resistance

Abweichung von R100


Tc= 100°C, R100= 493Ω ∆R/R -5 - 5 %
deviation of R100

Verlustleistung
Tc= 25°C P25 - - 20 mW
power dissipation

B-Wert
R2= R1 exp[B(1/T2 - 1/T1)] B25/50 - 3375 - K
B-value

Thermische Eigenschaften / thermal properties

Innerer Wärmewiderstand; DC Transistor Wechelr. / transistor inverter - - 0,35 K/W


RthJC
thermal resistance, junction to case; DC Diode Wechselrichter / diode inverter - - 0,58 K/W

Übergangs Wärmewiderstand pro Modul / per module


RthCK - 0,02 - K/W
thermal resistance, case to heatsink λPaste= 1W/m*K / λgrease= 1W/m*K

Höchstzulässige Sperrschichttemp.
Tvj max - - 150 °C
maximum junction temperature

Betriebstemperatur
Tvj op -40 - 125 °C
operation temperature

Lagertemperatur
Tstg -40 - 125 °C
storage temperature

Mechanische Eigenschaften / mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage


case, see appendix

Innere Isolation
Al2O3
internal insulation

Kriechstrecke
10,0 mm
creepage distance

Luftstrecke
7,5 mm
clearence distance

CTI
225
comperative tracking index

Anzugsdrehmoment, mech. Befestigung


Schraube / screw M5 M 3 - 6 Nm
mounting torque

Gewicht
G 180 g
weight

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften
zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid with
the belonging technical notes.

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Ausgangskennlinie (typisch) IC= f(VCE)


output characteristic (typical) VGE= 15V

150

125 Tvj = 25°C


Tvj = 125°C

100
IC [A]

75

50

25

0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0
VCE [V]

Ausgangskennlinienfeld (typisch) IC= f(VCE)


output characteristic (typical) Tvj= 125°C

150
VGE=19V
125 VGE=17V
VGE=15V
VGE=13V
100 VGE=11V
VGE=9V
IC [A]

75

50

25

0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
VCE [V]

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Übertragungscharakteristik (typisch) IC= f(VGE)


transfer characteristic (typical) VCE= 20V

150

125 Tvj=25°C
Tvj=125°C

100
IC [A]

75

50

25

0
4 5 6 7 8 9 10 11 12
VGE [V]

Durchlasskennlinie der Inversdiode (typisch) IF= f(VF)


forward caracteristic of inverse diode (typical)

150

125
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
100
IF [A]

75

50

25

0
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
VF [V]

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Schaltverluste (typisch) Eon= f(IC), Eoff= f(IC), Erec= f(IC)


Switching losses (typical) VGE=±15V, RG=4,7Ω, VCE=600V, Tvj=125°C

20
18 Eon
16 Eoff
Erec
14
12
E [mJ]

10
8
6
4
2
0
0 25 50 75 100 125 150
IC [A]

Schaltverluste (typisch) Eon= f(RG), Eoff= f(RG), Erec= f(RG)


Switching losses (typical) VGE=±15V, IC=75A, VCE=600V, Tvj=125°C

20
18 Eon
16 Eoff
Erec
14
12
E [mJ]

10
8
6
4
2
0
0 10 20 30 40 50
RG [Ω]

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Transienter Wärmewiderstand ZthJC = f (t)


Transient thermal impedance

1
ZthJC [K/W]

0,1

Zth : IGBT
Zth : Diode

0,01
0,001 0,01 0,1 1 10
t [s]

i 1 2 3 4
ri [K/W] : IGBT 3,949E-02 6,139E-02 1,580E-01 8,884E-02
τi [s] : IGBT 2,345E-03 2,820E-01 2,820E-02 1,128E-01
ri [K/W] : Diode 5,906E-02 3,815E-01 1,099E-01 3,480E-02
τi [s] : Diode 3,333E-03 3,429E-02 1,294E-01 7,662E-01

Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)


Reverse bias safe operation area (RBSOA) VGE=±15V, RG=4,7Ω, Tvj=125°C

175

150

125

100 IC,Chip
IC [A]

IC,Modul
75

50

25

0
0 200 400 600 800 1000 1200 1400
VCE [V]

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Gehäusemaße / Schaltbild
Package outline / Circuit diagram

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