Les différents types de composants actifs en MMIC

ESCPI-CNAM
ème
3 année d’école d’ingénieurs

C. Rumelhard

1
 COMPOSANTS POUR CIRCUITS INTEGES MONOLITHIQUES MICROONDES

La conception des circuits intégrés monolithiques microondes implique une connaissance

approfondie des composants actifs et passifs pour plusieurs raisons.
Lors de la réalisation du premier circuit intégré analogique monolithique microonde, il existait
un seul transistor: le MESFET GaAs. Maintenant, les transistors fonctionnant en microondes
sont devenus très nombreux et peuvent se trouver sur différents substrats. A chacun de ces
composants actifs correspond une technologie ayant des performances et une maturité
différentes. La première étape de la conception d'un circuit devra se soucier du choix du
composant actif, donc d’une technologie.
Une fois le choix du composant actif effectué, il faut disposer de modèles qui décrivent les
performances correspondant au circuit à réaliser et ceci en fonction de la largeur des grilles
pour les FET ou de la longueur de l'émetteur pour les TBH. Ces deux dimensions ou bien le
nombre de doigts des transistors pourront toujours être variés en fonction des besoins. Selon
les circuits, les grandeurs demandées aux modèles de composants actifs sont très différentes.
Cela peut aller du schéma équivalent petit signal, qui est en général connu, aux performances
en bruit de phase en basse fréquence qui impliqueront souvent des mesures complémentaires.
Ensuite il faut connaître les modèles des composants passifs qui seront toujours plus ou moins
les mêmes quelle que soit la technologie. Ce sont ces modèles qui sont ensuite présentés.
Certains d'entre eux, comme les modèles d'inductances sur substrat silicium sont encore
susceptibles d'évoluer.
Dans les circuits intégrés monolithiques microondes, toutes les connexions sont des tronçons
de lignes et sont donc aussi des composants. De plus, ces composants peuvent être couplés
entre eux et ainsi provoquer des perturbations importantes dans les circuits. La conception de
ces circuits impose donc d'avoir des outils de caractérisation électromagnétique des lignes. Ce
sujet ne sera pas abordé dans ce module.
Dans les circuits analogiques, les polarisations continues ne doivent pas interférer avec les
signaux hautes fréquences. Avant de concevoir des circuits, il faut donc savoir polariser les
composants actifs. Ceci se fait avec des composants passifs ou actifs et selon des méthodes
qui dépendent de la fréquence. C'est ce qui sera examiné dans le dernier chapitre.

2
 1. CHOIX DES COMPOSANTS ACTIFS ET DESCRIPTION DE LEURS MODELES

1.1. LES DIFFERENTS TYPES DE COMPOSANTS ACTIFS

1.2 TRANSISTOR FROID

1.3. MODELES LINEAIRES OU PETIT SIGNAL POUR LES TRANSISTORS

1.4 MODELES NON LINEAIRES OU GRAND SIGNAL DE TRANSISTORS

3
1.1. LES DIFFERENTS TYPES DE COMPOSANTS ACTIFS

La structure de base des composants actifs est la jonction. Si la jonction est entre deux
semiconducteurs identiques dopés différemment (P ou N), il s'agit d'une homojonction (par
exemple, la jonction base/collecteur de la plupart des transistors bipolaires). Si la jonction est
effectuée entre deux semiconducteurs différents ou entre un matériau conducteur ou isolant et
un semiconducteur, il s'agit d'une hétérojonction (jonction métal-semiconducteur, jonction
entre deux semi-conducteurs ayant des bandes interdites différentes, jonction métal-oxyde-
semiconducteur, etc...). Selon la nature des semiconducteurs en présence, la différence de
bande interdite peut se retrouver en partie du côté bande de conduction pour créer un puits de
potentiel (transistor à effet de champ à hétérojonction) ou presque en totalité du côté bande de
valence pour diminuer le courant de trous d'un transistor NPN et ainsi améliorer l'efficacité
d'injection. C'est le cas du transistor bipolaire à hétérojonction. Le transport des électrons peut
avoir lieu perpendiculairement au plan de la jonction comme dans les transistors bipolaires ou
bien parallèlement au plan de la jonction comme dans les transistors à effet de champ. Les
jonctions métal-semiconducteur des FET sont polarisées en inverse, ce qui correspond à
courant est très faible et il est ainsi possible de créer une capacité variable (varactor) ou une
résistance variable avec une puissance de commande quasiment nulle. Lorsque les jonctions
sont polarisées en direct ou lorsque les polarisations continues sont appliquées à des contacts
ohmiques, les courants générés obligent à dissiper des puissances qui peuvent devenir
importantes et il faudra alors se préoccuper du rendement électrique des circuits et de la
température des puces. Les références utiles pour cette partie sont [1] [2] [3]

1.1.1 Les transistors à effet de champ à grille Schottky (MESFET)

La figure 1.1.a représente la configuration de principe d'un transistor à effet de champ sur
GaAs. Ce composant reste la base des circuits intégrés monolithiques microondes réalisés en
grande série pour la partie émission des radiotéléphones ou les récepteurs de télévision par
satellite. Une tension appliquée entre les contacts ohmiques de drain et de source fait circuler
un courant d’électrons parallèlement à la surface du semiconducteur. La saturation de ce
courant est due à la saturation de la vitesse des électrons. L’intensité du courant est contrôlée
par la profondeur de la zone déplétée qui apparaît sous la jonction métal-semiconducteur
constituant la grille (contact Schottky) et qui est polarisée en inverse. Les performances en
fréquence de ce type de transistor ont d’abord été améliorées en diminuant la longueur de
grille qui est passée en 20 ans de 0,7 à 0,15 µm. Les largeurs vont de 10 µm à 200 µm par
doigt de grille.
Les descriptions du fonctionnement de ce composant à l'aide de formulations analytiques
(modèles à canal graduel) restent très partielles Car elles décrivent mal la forme particulière

4
de la courbe de vitesse des électrons en fonction du champ électrique qui comporte un pic
puis une saturation. Des électrons rapides rattrapent des électrons lents pour former une
accumulation à la fin du canal. Les modèles de ce transistor, qu'ils soient linéaires ou non-
linéaires seront donc plutôt obtenus en approximant les résultats de mesures par des fonctions
numériques (modèles phénoménologiques).

1.1.2 Le transistor à effet de champ à grille Schottky de type bigrille

La figure 1.1.b représente le transistor à effet de champ à grille Schottky de type bigrille. Ce
transistor est réalisable pour tous les types de transistors à effet de champ qui sont décrits ci-
après et il offre l'avantage de donner pratiquement autant de gain que deux transistors en
cascade. En réalité, il n'est proposé que pour le MESFET. La raison est que, tant que la
distance entre les deux grilles L n'est pas inférieure à la longueur des grilles LG1 ou LG2, son
comportement est absolument identique à celui d'un montage cascode qui, lui même, ne prend
que peu de place pour un transistor à effet de champ et qui ne demande pas une étude
particulière du composant comme c'est le cas pour les transistors bigrilles. Le montage
cascode sera décrit avec les différents montages de transistors.

1.1.2 Le transistor à effet de champ à hétérojonction (HFET)

Une autre technique pour diminuer le temps de transit dans les transistors consiste à faire
passer les électrons constituant le courant source drain dans un semiconducteur non dopé. La
vitesse des électrons est en effet d’autant plus rapide que le dopage du semiconducteur est
faible. Les figures 1.2 et 1.3 représentent un transistor à effet de champ à hétérojonction de
type GaAlAs / GaAs. Plusieurs couches de semiconducteurs différents sont placées sous les
électrodes. Ces couches constituent une hétérojonction entre un premier semiconducteur
(GaAs) et un second semiconducteur (GaxAl1-xAs) ayant un gap qui dépend de la proportion
x, mais qui est toujours plus élevé que celui de GaAs. La répartition de la différence de gap
entre la bande de conduction (∆Ec) et la bande de valence (∆Ev) des diagrammes d'énergie
crée un puits de potentiel du côté GaAs de l'hétérojonction qui a été délibérément non dopé.
Le matériau GaAlAs étant dopé N, des électrons en provenance de la partie dopée
s'accumulent dans le puits de potentiel qui va constituer le canal du transistor. Sous l'effet de
la tension appliquée entre drain et source, ces électrons vont se déplacer dans une zone non
dopée et donc à grande vitesse. Cette particularité permet, à longueur de grille identique,
d'augmenter la fréquence de coupure de ce type de composant par rapport à un transistor à
effet de champ à canal simple.
L'inconvénient de ce type de transistor vient de ce que le canal est constitué par le puits de
potentiel qui a une largeur très faible. Ceci limite le courant de ce composant.

1.1.3 Le transistor à effet de champ pseudomorphique (P-HFET)

5
Pour pallier l'inconvénient de la structure précédente, une solution consiste à réaliser un canal
tel qu'il est représenté sur la figure 1.4. Cette fois, le canal est constitué d'un composé GaInAs
qui se trouve en sandwich entre les couches GaAlAs et GaAs du transistor précédent. Il y a
donc maintenant deux hétérojonctions qui forment un puits de potentiel plus large que pour la
structure précédente (figure 1.5). Le courant dans ce transistor peut donc être plus élevé.
Mais, la vitesse des électrons dans GaInAs (non dopé) est aussi plus élevée que dans GaAs.
Cette dernière caractéristique est tempérée par le fait que le matériau GaInAs n'est pas
parfaitement adapté en longueur de maille avec GaAs et GaAlAs. La dimension de la maille
du cristal de GaInAs (par exemple : Ga0,85In0,15As) doit s'aligner de force sur celle de GaAs
lors de l'épitaxie: le matériau GaInAs est contraint et aucune dislocation ne se produit si la
couche est suffisamment fine. C'est cette couche, appelée pseudomorphique, qui donne son
nom à ce type de transistor. La vitesse des électrons dans le matériau contraint n'est pas aussi
grande que dans le cristal de GaInAs relaxé, mais reste supérieure à la vitesse dans GaAs.
Ce type de transistor existe aussi sur substrat InP. Une couche de Ga0,47In0,53As peut alors être
disposée en sandwich entre une couche d'In0,52Al0,48As et une couche d'InP qui ont un gap
plus grand et les proportions de Ga et de In qui sont choisies correspondent à un accord de
maille parfait avec InP et surtout, avec cette nouvelle proportion entre Ga et In, les électrons
sont plus rapides. Ce dernier transistor est à double hétérojonction, mais n’est plus
pseudomorphique.
Avec le transistor précédent (substrat InP) mais une couche de Ga0,35In0,65As, les électrons
vont encore plus vite et cette fois, le transistor est à nouveau pseudomorphique.

1.1.4 Le transistor MOS

Ce transistor est de loin le plus répandu des transistors constituant les circuits intégrés
puisqu’on le trouve en un milliard d’exemplaires sur certaines puces de mémoire. Son profil
est rappelé sur la figure 1.6. C’est un transistor à effet de champ, dans lequel on trouve une
grille métallique (M), un isolant (I) et le semiconducteur (S). Son nom général est donc
MISFET. Mais le seul isolant qui ait été réalisé dans de bonnes conditions est un oxyde (O) de
silicium sur un substrat silicium. Le seul MISFET existant est donc un MOSFET. Si une
tension suffisamment positive est appliquée sur la grille du transistor de la figure 1.6, à
l’interface entre l’isolant et le semiconducteur dopé P, il apparaît une couche d’inversion,
c’est à dire des charges N qui constituent le canal du transistor. La quantité de charges est
contrôlée par la grille et elles peuvent être mises en mouvement par une tension entre source
et drain (sur la figure 1.6, VDS<<VGS). Ce transistor est en principe assez lent pour deux
raisons. D’une part, les électrons de la couche d’inversion doivent arriver par les contacts
latéraux. D’autre part, le transport de ces électrons s’effectue juste à l’interface entre oxyde et
semiconducteur. Cet interface n'est jamais parfait et donc la vitesse des porteurs y est plus
faible que dans la partie massive du matériau où elle est déjà assez lente pour le Si. Mais pour

6
augmenter le nombre de transistors sur une puce, il a fallu considérablement diminuer leur
dimension et les longueurs de canal arrivent à 0,18 ou 0,15 µm ce qui diminue
considérablement le temps de transit sous la grille. Ces transistors, au moins ceux ayant un
canal N, ont ainsi des fréquences de coupure d’une dizaine de Ghz, ce qui permet d’en faire
des circuits intégrés pour la partie basse des microondes.

1.1.5 Le transistor bipolaire simple ou à hétérojonction

Le transistor bipolaire en silicium atteint des Ft d’une dizaine de GHz et des Fmax de 40
GHz (voir les définitions de Ft et Fmax au paragraphe 1.3.3). Ce composant est donc un bon
candidat pour réaliser des circuits dans la partie basse du spectre microonde (1,8 GHz). Mais
pour que le courant de trous soit faible devant le courant d'électrons dans un transistor NPN
(bonne efficacité d'injection), il faut bien plus doper l'émetteur que la base. La base étant peu
dopée, elle est très résistive et il n'est pas possible de trop diminuer son épaisseur pour
diminuer le temps de transit et donc augmenter le Ft sous peine d'avoir une résistance de base
trop élevée et donc une diminution importante de Fmax.
C'est pour corriger cet inconvénient qu'il a été proposé d'introduire une hétérojonction entre
l'émetteur et la base (figure 1.7). Cette hétérojonction (grand gap pour l'émetteur, petit gap
pour la base), est choisie de telle manière que la différence de gap se retrouve surtout du côté
de la bande de valence pour diminuer le courant de trous. Grâce à cette particularité, le
dopage de la base peut maintenant être bien plus grand que le dopage de l'émetteur, ce qui
permet de réaliser des épaisseurs de base très faibles et donc des Ft et des Fmax très élevés
(respectivement 50 et 120 GHz) par exemple avec des hétérojonctions GaInP / GaAs. La
figure 1.8 donne la configuration d'un tel transistor.
Le Ft des transistors étant inversement proportionnel aux temps de transit dans l'émetteur, la
base et le collecteur, il y a moyen d'augmenter encore le Ft en utilisant des transistors
bipolaires où l'hétérojonction est du type InP / GaInAs ou InAlAs / GaInAs. Le substrat de ce
composant est alors de l'InP.

1.1.6 En résumé
Le tableau 1.1 synthétise tous les types de transistors qui ont été passés en revue dans les
paragraphes précédents. Les transistors silicium (bipolaires et même MOSFET) sont
envisagés pour les circuits à 1,8 GHz. Les transistors bipolaires à hétérojonction Si / SiGe,
sont des candidats sérieux pour réaliser les circuits entre 1 et 5 GHz.
Les transistors à effet de champ à canal simple ou à hétérojonction ainsi que les transistors
bipolaires à hétérojonction sur GaAs sont disponibles dans les fonderies de circuits
monolithiques. Ils peuvent faire des circuits de 1 à 90 GHz
Les transistors à effet de champ ou bipolaire sur InP sont actuellement en étude et ont tous
déjà donné lieu à des réalisations de circuits monolithiques au-delà de 100 GHz.

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Chacune de ces technologies donne un transistor particulier mais des éléments de ces
technologies tels que des parties de transistor à effet de champ ou la jonction base / collecteur
des transistors bipolaires peuvent être utilisés pour faire des résistances variables ou des
varactors. Le concepteur de circuits intégrés monolithiques doit commencer par faire un choix
parmi ces technologies et ce choix peut s’avérer complexe [5] [6].

Tableau 1.1. Différents types de transistors susceptibles

de constituer des circuits monolithiques

Transistors à effet de champ Transistors bipolaires

(transport horizontal) (transport vertical)
Si GaAs InP Si GaAs InP
MOSFET MESFET Bip.

LDMOS HFET HFET HBT HBT HBT

GaAlAs/GaAs InAlAs/ Si/SiGe GaAlAs/ InAlAs/
InGAs GaAs InGaAs
P-HFET GaInP/GaAs InP/InGaAs
GaAlAs/
InGaAs

1.2 TRANSISTOR FROID

1.2.1 Le transistor froid

Une partie des structures de transistors décrites ci-dessus peut donner lieu à des composants
jouant un rôle très important dans les circuits. Pour le transistor à effet de champ, il s’agit de
la structure dans laquelle il n’y a pas de polarisation continue entre les électrodes de source et
de drain, d’où le nom de transistor froid. En fonction des connexions des électrodes, cette
configuration peut être utilisée comme résistance variable ou comme capacité variable. Pour
le transistor bipolaire, la jonction base-collecteur ou la jonction émetteur-base peuvent être
utilisées comme capacité variable.

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1.2.2 Résistance variable
La figure 1.9 représente deux contacts ohmiques (électrodes A et B) et un contact Schottky
(électrode G) au-dessus d'un canal correspondant à une technologie MESFET. Une tension
continue est appliquée sur l'électrode G, provoquant la présence d'une zone déplétée de
profondeur w et une tension alternative petit signal est appliquée entre les électrodes A et B.
Quand VG devient de plus en plus négatif, la hauteur de canal (a-w) devient de plus en plus
petite et la résistance R correspondante devient de plus en plus grande. Tant que le signal
appliqué entre A et B est faible, la conductivité électrique du matériau dopé s'écrit (en faisant
l'hypothèse que le profil de dopage du canal est rectangulaire):

σ = q µ ND (1.1)
avec: q: charge de l'électron
µ: mobilité des électrons
ND: densité de donneurs (matériau dopé N)
La résistance R s'écrit alors, en négligeant les effets de bord:
L
R = (1.2)
σ Z (a - w )
où: L: longueur de l'électrode G
Z: largeur de l'électrode G
a: épaisseur de la couche active
w: épaisseur de la zone déplétée,
1
 2 ε ε 2 1
sachant que: 
w =  0 
 (Vd - VG )2 (1.3)
 q ND 
où: ε0: permittivité du vide
ε: permittivité relative
Vd: potentiel de diffusion du contact Schottky (spécifique du métal et du
semiconducteur)
Lorsque la tension appliquée correspond au pincement, c'est à dire que l'épaisseur de la zone
déplétée est égale à l'épaisseur de la zone active, on a::

1
 2 ε ε2 1
w = a =  0 
 Vp
 q ND 
( )2 (1.4)

où Vp est la tension de pincement.

9
Maintenant, la résistance R peut s'écrire:

L
R = 1 1
(1.5)
1
Z µ (2 ε 0ε q N D ) 2  Vp 2 - (Vd - VG )2 
 

Cette résistance devient évidemment très grande quand (Vd - VG) = Vp.
En réalité, il faut ajouter à la résistance R (figure 1.9), les résistances RS correspondant à la
résistance de contact des contacts ohmiques et au tronçon de couche active compris entre
chacune des électrodes A et B d'une part et l'électrode G d'autre part. Il faut aussi ajouter une
capacité en parallèle correspondant aux capacités entre les électrodes A et B.
Le dispositif ci-dessus fonctionne pour une technologie MESFET et il ne faut pas oublier que
les formules ont été établies en supposant un profil de dopage parfaitement rectangulaire.
Pour une technologie de transistor à effet de champ à hétérojonction ou une technologie MOS,
le canal se comporte un peu différemment puisqu'il est constitué par une charge à l'interface
entre les deux semiconducteurs différents, mais le principe reste le même et le schéma
équivalent est identique. Seule la relation entre R et VG est un peu changée.

1.2.3 Capacité variable

Deux structures différentes de varactors peuvent être envisagées. D'une part, une structure
verticale à partir de la jonction base-collecteur d'une technologie de transistor bipolaire.
D'autre part, une structure horizontale à partir d'une technologie MESFET (structure planaire).

1.2.3.1 Varactor vertical

La figure 1.10 représente un tel varactor. Cette configuration correspond à la jonction base-
collecteur d'un transistor bipolaire. La capacité C’ s'écrit, en reprenant la définition donnée
plus haut pour la profondeur w de la zone de déplétion base-collecteur:

C' = ε 0ε
LZ
=
( ε 0ε q ND )2
(1.6)
1
w 2 ( Vd − VB ) 2

Cette capacité diminue quand la tension VB appliquée sur l'électrode B devient de plus en
plus négative.
Quant à la résistance R', elle est donnée par:

R' =
(a − w) (1.7)
qµ N D L Z

Cette résistance décroît au fur et à mesure que VB devient plus négatif.

10
Cette configuration de varactor est très intéressante car la décroissance de la résistance R'
donne un dispositif ayant des pertes très faibles.

1.2.3.2 Varactor planar

Cette fois, la configuration est donnée par la figure 1.11 qui correspond à une technologie de
transistor à effet de champ (MESFET, HFET ou MOSFET), donc planar. Si les électrodes A
et A’ sont reliées entre elles, le schéma équivalent entre l'électrode G d'une part et les
électrodes A+A’ d'autre part est constitué d’une résistance et d’une capacité en série. La
capacité décroît quand VG devient plus négatif, mais dans le même temps, la résistance croît,
ce qui rend le varactor planar inutilisable dans une partie de la plage de variation de C (figure
1.12).

1.2.4 En résumé
Toutes les technologies des transistors à effet de champ permettent de réaliser des résistances
variables et des capacités variables grâce à une tension. Mais les capacités variables
présentent une résistance série qui peut devenir très élevée dans une partie de la plage de
variation de la capacité.
Les technologies de transistors bipolaires ne permettent pas de réaliser une résistance variable.
Quant à la capacité, sa résistance série est très faible, ce qui correspond à des pertes aussi très
faibles. Cette particularité associée au faible bruit en 1/F des transistors permet de faire des
oscillateurs accordables par varactor ayant de très bonnes performances électriques en
technologie de transistor bipolaire.

1.3. MODELES LINEAIRES OU PETIT SIGNAL POUR LES TRANSISTORS

1.3.1 Fonctionnement du transistor en linéaire ou petit signal

La figure 1.13 représente la caractéristique I D= f(VDS, VGS) d'un transistor à effet de champ
polarisé en continu. A ce signal continu est superposé un signal alternatif suffisamment petit
pour que la réponse du transistor puisse être considérée comme linéaire. Dans ces conditions,
il est dit que le transistor fonctionne en petit signal. Il sera vu plus loin les circuits qui doivent
être ajoutés pour assurer la coexistence du continu et des signaux alternatifs.
Dans les paragraphes ci-dessous, il sera d’abord présenté le modèle linéaire pour les
transistors à effet de champ tel qu’il peut être extrait des mesures. Puis il sera fait appel à un
schéma simplifié qui sera suffisant pour bien comprendre le fonctionnement des circuits qui
seront examinés par la suite et qui serviront aussi à rappeler les définitions des différents gains
et fréquences de coupure des transistors.

11
La même démarche sera ensuite suivie pour le transistor bipolaire, c’est à dire d’abord la
présentation du schéma équivalent extrait des mesures suivi des définitions des gains et
fréquences de coupure.

1.3.2 Modèle linéaire pour un transistor à effet de champ

Les transistors polarisés sont des composants complexes pour lesquels il est hors de question
de donner des formulations analytiques du comportement comme cela a été présenté pour le
transistor froid. De nombreuses études de transistors à effet de champ ont été effectuées à
partir de simulateurs physiques bi-dimensionnels basés sur des méthodes de Monte Carlo ou
sur la résolution en éléments finis des équations de conservation des charges, continuité des
courants et éventuellement conservation de l’énergie. Ces études, associées à de très
nombreuses mesures en petit signal des transistors (paramètres S) ont abouti à constituer un
schéma équivalent petit signal du transistor pour circuits monolithiques, c’est à dire sans effet
des boîtiers ou des connexions entre puce et boîtier. La figure 1.14 donne un tel schéma qui
est d’ailleurs susceptible d’évoluer en fonction de la montée en fréquence des composants. Ce
schéma est extrait des résultats de mesures à partir de schémas équivalents simplifiés en basse
fréquence complétés par des méthodes d’optimisation [7]. Dans ce schéma, les capacités CGS,
CGD et CDS représentent les capacités grille-source, grille-drain et drain-source. RC et GDS
représentent la résistance du canal et la conductance de drain. RS et RD représentent les
résistances entre la grille et le contact de source et entre la grille et le contact de drain et RG
représente la résistance du barreau de grille. Quant à gm, il représente la transconductance
entre la tension à l’entrée et le courant de sortie. Il faut rappeler que ce schéma approxime les
paramètres S dans une gamme de fréquence limitée. Au-delà, il est toujours possible d’utiliser
ce même schéma mais la réponse simulée peut diverger de la réalité.
A titre d'exemple, les éléments du schéma équivalent pour un MESFET ayant deux doigts de
grille de 0,5 x 75 µm sont donnés ci-dessous pour une polarisation VDS0 = 3 V et VGS0 = - 0,4
V correspondant à un courant ID0 = 10,6 mA. Alors, une première série d'éléments est: CGS =
110 fF; CGD = 30 fF; CDS = 40 fF; RC = 4,6 Ω; RDS = 350 Ω; g0 = 18 mS; τ = 2,6 ps. Quant

aux autres éléments, ils sont: RS = 2,9 Ω; RD = 2,9 Ω et RG = 1,8 Ω.

1.3.3 Variation en fonction des polarisations continues

Ce schéma équivalent est obtenu pour un point particulier de polarisation continue. Pour
décrire correctement le transistor, il faut extraire ce schéma pour de nombreux points de
polarisation continue, donc pour une série de couples (VGS0 , VDS0). Il est alors constaté que

12
certains éléments du schéma équivalent varient avec les polarisations alors que d'autres restent
fixes. Les éléments qui restent fixes sont RS, RD, RG alors que ceux qui varient sont: CGS, CGD,
CDS, g0 , RC, RDS et τ. Les figures 1.15 à 1.17 donnent des exemples de variation de ces
éléments en fonction des polarisations continues.

1.3.4 Paramétrisation du modèle linéaire du transistor à effet de champ

Au fur et à mesure de l'approfondissement des connaissances sur le fonctionnement des
transistors à effet de champ (description analytique et simulations numériques complexes
prenant en compte les effets bidimensionnels, les effets de survitesse des électrons, etc...) une
signification physique de plus en plus précise a été donnée aux différents composants du
schéma équivalent qui est d'ailleurs encore susceptible d'évoluer.
Pour une technologie donnée, le concepteur de circuit ne peut pas changer les grandeurs
physiques telles que dopage ou hauteur du canal, longueur de la grille, distances grille source
ou grille drain, etc… Une seule de ces grandeurs peut être variée : la largeur des transistors.
C’est pourquoi il est important de connaître les effets de ce type de variation sur le modèle des
transistors. La démarche a été montrée par ailleurs [4]. Plusieurs relations importantes en
découlent :
• Si la résistance considérée entre les extrémités du barreau métallique d’une grille unique
est appelée R, la résistance RG du schéma équivalent de la figure 1.14 peut être approximée
par l’expression : R G ≈ R/3 , pourvu que la relation : RCGSω < 0,3 soit respectée.

• Cette dernière relation implique d’ailleurs une fréquence maximum de fonctionnement

pour une valeur donnée de la résistance R. Pour diminuer la résistance R, la solution à la
portée d’un concepteur est de diminuer la largeur des transistors.
C’est alors qu’une autre série de relations deviennent très utiles. Ces relations se lisent de la
manière suivante : si un transistor ayant une largeur W et un nombre de doigts n a donné des
éléments de schéma équivalent CGS, CGD, RS, RD, etc… les éléments du schéma d'un transistor
de largeur W' ayant un nombre de doigts m sont donnés par les relations ci-après:

R'C = RC ( W / W' ) C'GS = ( W' / W ) CGS

R'S = RS ( W / W' )
R'D = RD ( W / W' )
R'DS = RDS ( W / W' )
2 2
R’G = RG ( W' / W ) ( n / m )
C'GD = ( W' / W ) CGD
C'DS = ( W' / W ) CDS
g'0 = ( W' / W ) g0
τ' = τ (1.8)

13
Plusieurs utilisations peuvent être tirées de ces résultats:
• Lors de l'extraction du schéma équivalent, la valeur de RG pourra être introduite dans le
schéma après avoir mesuré R en cours de technologie.
• La figure 1.18 montre trois transistors différents. Le premier, de largeur W, a une seule
grille (n=1), dont la résistance dans le schéma équivalent est égale à RG (pour mémoire, si la
résistance du barreau de grille est R, RG # R/3). Pour le second, tous les éléments du schéma
équivalent sont identiques, sauf la résistance de grille qui correspond à 2 doigts (m=2) de
largeur W/2 en parallèle, soit: R'G = RG/4. Quant au troisième transistor, constitué de 4 doigts
(m=4) de largeur W/4 en parallèle, sa résistance de grille R''G = RG/16. Ceci explique
pourquoi dans les circuits intégrés monolithiques, les transistors auront quasiment toujours
plusieurs doigts de grille en parallèle dans le but de diminuer de manière très simple la valeur
de RG. Ceci aura pour effet d’augmenter le gain et de diminuer le bruit des circuits.

1.3.5 Gains, fréquence de coupure et fréquence maximum d’un transistor à effet de champ
avec un schéma simplifié
A partir du schéma de la figure 1.14, il est extrait un schéma équivalent simplifié qui va servir
à rappeler les principales grandeurs qui caractérisent les transistors tels que les gains en
courant ou en puissance ou les fréquences de coupure. La figure 1.19 représente ce schéma
équivalent simplifié de transistor à effet de champ monté en source commune. La matrice Y
de ce montage est donnée ci-dessous:

 I1   Y11 Y12   V1 
I  =  Y Y22  V2 
(1.9)
 2   21
avec :
j CGSω
Y11 = + j CGDω , Y12 = - j CGDω ,
1 + j R C CGSω

Y21 = g m - j CGDω , Y22 = G DS + j C DSω + j CGDω (1.10)

où : g m = g 0 exp(-jωτ )

1.3.6 Gain en courant pour sortie en court circuit

14
Le gain en courant pour sortie en court circuit (V2 = 0) est :

I2 Y21
Gi = = (1.11)
I1 V2 = 0
Y11

g m − jCGDω
Gi = (1.12)
jCGSω + jCGDω (1 + jR C CGSω )

Dans les transistors usuels, CGDω << CGSω , gm >> j CGD ω et RCCGS ω << 1. Donc
l'expression peut se simplifier de la manière suivante:

gm
Gi ≈ (1.13)
jCGSω

La fréquence pour laquelle le module de (1.13) est égal à 1 est la fréquence de coupure qui
s'écrit:
gm
FC = (1.14)
2 π CGS

1.3.6 Gain transducique

Si les admittances de source et de charge (figure 1.19) sont définies par Y1=G1 et Y2=G2
(attention à ne pas confondre avec les gains G), il peut être défini un gain transducique
comme étant la puissance active dissipée dans la charge G2 divisée par la puissance active
maximum qui peut être délivrée par la source G1. Ce gain est :

2 2
ℜ(Y1 ) Y21 ℜ(Y2 ) G 1 Y21 G 2
GT = = (1.15)
(Y1 + Y11 )(Y2 + Y22 ) − Y12 Y21 2 (G 1 + Y11 )(G 2 + Y22 ) − Y12 Y21 2

Les admittances à l'entrée et à la sortie étant des conductances G0 et les paramètres Y étant
donnés par la relation (1.9), ce gain peut s'écrire, en négligeant CGD par rapport à CGS:

15
 2
4 G 02 g m
GT ≈ 2
(1.16)
 j CGSω 
 G0 +  ( G 0 + G DS + jCGDω ) − jCGDω g m
 1 + jR C
C GSω 

Ce gain est très important pour un transistor puisque c'est celui qui est mesuré lors de la
caractérisation en paramètres S. Alors GT = |S21|2 car la mesure s’effectue en chargeant
l’entrée et la sortie par une résistance de 50 ohms ce qui donne un G0 de 20 mS.

1.3.7 Gain maximum

Ce gain est obtenu en présentant à l'entrée et à la sortie du quadripôle, des admittances
complexes conjuguées. Ce gain n'a un sens que si le transistor est stable. Pour cela, il faut
calculer le coefficient de stabilité k :

2 ℜ(Y11 ) ℜ(Y22 ) − ℜ(Y12 Y21 )

k = (1.17)
Y12 Y21

Le transistor est stable si k > 1 et ℜ ( Y11 ) et ℜ ( Y22 ) > 0. Dans ces conditions, le gain
maximum peut s'écrire:

Y21
G max =
Y12
(k − k2 − 1 ) (1.18)

Dans le cas où |Y12| est négligeable, ce gain maximum devient:

2
Y21
G max = (1.19)
4 ℜ ( Y11 ) ℜ ( Y22 )

et en introduisant les paramètres Y de la relation (1.10) avec CGD = 0,

G max =
gm
2
(1 + R 2
C C2GSω 2 )
(1.20)
2
4 R C CGSω 2 G DS

Pour le gain maximum, il existe une fréquence pour laquelle ce gain a une valeur de 1.
Cette fréquence est appelée fréquence maximum d'oscillation ou Fmax, c'est à dire une
fréquence au-delà de laquelle il n'est plus possible de réaliser un oscillateur avec ce transistor

16
en utilisant un circuit de contre réaction sans perte. En négligeant le terme R C2 CGS
2
ω 2 devant 1,
cette fréquence maximum pour l'expression 1.19 est donnée par:

FC
Fmax = (1.21)
2 R C G DS

1.3.8 Gain unilatéralisé ou gain de Mason

La plupart des transistors utilisés dans les circuits intégrés monolithiques microondes
présentent une instabilité dans une grande gamme de fréquence. Pour avoir une idée du gain
qu'il sera possible d'obtenir avec ce composant, il est alors fait appel au gain unilatéralisé. Ce
gain est obtenu en cherchant le gain maximum du transistor de départ auquel il a été ajouté un
circuit de contre-réaction parallèle réactif qui annule le paramètre Y12 du circuit résultant.
Cette opération consiste à unilatéraliser le transistor et le nouveau quadripôle obtenu a un gain
maximum appelé gain unilatéral ou gain de Mason. Ce gain est donné par la relation:

2
Y21 - Y12
U = (1.22)
4ℜ ( Y11 ) ℜ ( Y22 ) - ℜ ( Y12 ) ℜ ( Y21 )

Ce gain appliqué au schéma de la figure 1.14 donne:

U =
g m + j CGDω
2
(1 + R 2
C
2
CGSω2 )
(1.23)
2
4 R C CGSω 2 G DS

La fréquence maximum associée à ce gain est très semblable à Fmax calculée plus haut.

1.3.9 En résumé
Avec les valeurs d’éléments données ci-après : gm = 20 mS, CGS = 0,2 pF, CGD = 0,02 pF, CDS
= 0,02 pF, RC = 5 ohms, GDS = 0,004 S, τ = 4 ps, G1 = G2 = 0,02 S ; les valeurs des différents
gains décrits ci-dessus entre 0,1 et 100 GHz sont données sur la figure 1.20.
Sur ces courbes, le gain en courant caractérise les transistors pour des fonctionnements
particuliers en basse fréquence. Le gain en puissance avec des résistances en entrée et en
sortie correspond à des amplificateurs du type résistif fonctionnant en basse fréquence. Les
gains maximum et unilatéral correspondent à un fonctionnement en microondes: ils
permettent d'avoir du gain bien que l'on soit à proximité de la fréquence de coupure des

17
transistors ou même au-delà. Mais pour cela, il faut ajouter des circuits d'adaptation en entrée
et en sortie des transistors.
Un amplificateur à bande étroite permettra au mieux d'obtenir le gain maximum. Un
amplificateur à large bande permettra d'obtenir un gain plat ayant la valeur du gain maximum
pour la fréquence la plus élevée. En se rappelant que toutes ces courbes ont des pentes de 6
dB/octave, la connaissance de Fmax donne une idée du gain qu’il est possible d’obtenir à une
fréquence particulière.

Remarque :
La fréquence maximum d’oscillation du transistor défini par le schéma équivalent complet
donné figure 1.14 peut s’écrire :

FC
Fmax = 1
(1.24)
 R + RS + RG C g R  2
2 C + GD 0 C 
 R DS CGS 
g0
Avec: FC =
2 π C GS

1.3.10 Modèle linéaire pour un transistor bipolaire à hétérojonction

La figure 1.21 donne un exemple de schéma équivalent linéaire complet pour un transistor
bipolaire à hétérojonction. Comme pour le transistor à effet de champ, ce schéma est établi à
partir de mesures et de simulation bi-dimensionnelles du transistor bipolaire.

1.3.10 Gains, fréquence de coupure et fréquence maximum d’un transistor bipolaire avec un
schéma simplifié
Le schéma équivalent simplifié petit signal en π d’un transistor bipolaire est représenté sur la
figure 1.22. Les éléments de ce schéma en π comportent en réalité une variation en fonction
de la fréquence. On se contentera de la représentation avec des éléments constants mais celle-
ci est très simplifiée. La matrice admittance du schéma intrinsèque, c’est à dire sans la
résistance RB est donnée ci-dessous.

 Gπ + jCπ ω + G BC + jCBCω , −G BC − jCBCω 

 Y A  =   (1.25)
g 0 exp ( − jωτ π ) − G BC − jC BCω , G CE + G BC + jCBCω 

18
Lorsque la résistance RB est ajoutée, une nouvelle matrice admittance peut être élaborée à
partir des éléments de la matrice YA :

 Y11A ( ) (
Y11A Y22A + R B ∆A − ∆A 1 + R B Y11A )
 A 
(1 + R B Y11A )Y21A
[Y] = 1 + R BAY11  (1.26)
 Y21 Y22A + R B ∆A 
1 + R Y A 1 + R B Y11A 
 B 11 

où : ∆A = Y11 Y22 − Y12 Y21

Cette matrice permet maintenant de calculer les gains, GI, GT, Gmax et U dont les relations ont
été données ci-dessus.
Dans cet exemple, les gains peuvent être calculés avec des logiciels de type Mathematica ou
Matlab. En prenant des valeurs des éléments ci-après : RΒΕ = 24,6 ohm ; CΒΕ = 2,9 pF ; CBC =
0,9 fF ; GCE = 0,004 S, g0 = 785 mS ; τπ = 1,75 ps ; Y1 = Y2 = G1 = G2 = 0,02 S ,la figure
1.22 donne un exemple des valeurs de gains entre 0,1 et 100 GHz.
Un amplificateur à bande étroite permettra au mieux d'obtenir le gain maximum. Un
amplificateur à large bande permettra d'obtenir la courbe en pointillés. Et un amplificateur à
très large bande tel que l'amplificateur distribué passera du fonctionnement d'une structure
résistive à une structure avec adaptation à large bande.

A partir des expressions ci-dessus, il est possible de calculer la fréquence de coupure du gain
en courant qui, pour les transistors bipolaires, est plutôt appelée fréquence de transition Ft.
La fréquence de transition s’exprime :
g0
Ft ≈ (1.27)
2 π CBE
Quant à la fréquence maximum, elle s’écrit [3] :

Ft
Fmax ≈ (1.28)
8 π R BC BC

4. MODELES NON LINEAIRES OU GRAND SIGNAL DE TRANSISTORS

Depuis le développement des simulateurs non linéaires dans le domaine fréquentiel ou dans le
domaine temporel, la plupart des circuits microondes tels que oscillateurs, mélangeurs,

19
doubleurs ou diviseurs de fréquence ou amplificateurs de puissance peuvent être conçus par
une simulation préalable. Ces simulations ne peuvent pas se faire sans des modèles non
linéaires pour chacun des composants introduits dans les circuits. L’activité de développement
des modèles non linéaires est donc devenue considérable et les lignes qui suivent ne sont
qu’un survol rapide.

4.1 Les transistors en grand signal. Effets thermiques

La figure 1.24 montre la différence entre la caractéristique statique et la caractéristique
dynamique d’un transistor à effet de champ [8]. Cette différence est due au fait que pour
différentes polarisations continues appliquées, et du fait de la résistance thermique, le
transistor n’a pas la même température. Pour un transistor à effet de champ, le courant
diminue quand la température augmente ce qui explique la forme des caractéristiques
statiques (courbes avec des +). Ce comportement est aussi dû au fait que en continu ou en
basse fréquence, des effets de pièges dans les semiconducteurs donnent des courants
différents de ceux obtenus en hautes fréquences. Par contre, pour une exploration de la
caractéristique en dynamique à partir d’un point de polarisation continue, la température reste
celle correspondant au point de polarisation et a une allure très différente (courbes avec des
x). Les caractéristiques dynamiques seront évidemment différentes selon les points de
polarisation continue. Par ailleurs, le signal de sortie explore complètement la caractéristique
dynamique, il y a une déformation de ce signal et apparition d’harmoniques. Nous sommes
alors dans un fonctionnement non linéaire ou grand signal du transistor. Des modèles
spécifiques sont alors établis mais en s’efforçant que les modèles linéaires et non linéaires
puissent communiquer entre eux. Il faudra pour cela éviter que le modèle linéaire soit un
modèle en T alors que le modèle non linéaire serait en π.

De même les considérations ci-dessus sur le comportement thermique peuvent amener à

revoir le modèle petit signal du transistor qui devrait être extrait à partir de mesures de
paramètres S en impulsions [9].

4.2 Modèles non linéaires pour transistors à effet de champ

Le schéma général d’un tel transistor est donné sur la figure 1.25. Ce schéma comporte des
éléments variables en fonction des tensions appliquées. Ces éléments sont : IDS, IGS, IGD.
Certains autre éléments variables tels que les capacités (surtout la capacité CGS) peuvent être
extraits des modèles en petit signal. Ces valeurs sont moins sensibles à la température et
seront en général valables pour une large gamme de polarisations continues. Enfin, certains
éléments comme RG, RS, RD ne varient pas avec les polarisations. Ils pourront donc être

20
extraits directement des mesures en petit signal. De très nombreuses expressions ont été
données. Différentes expressions pour les courants sont données ci-dessous.
Courant IGS
Ce courant est celui d'une diode métal-semiconducteur. Il est donné par la relation:

I GS = I S [exp(α VGS ) − 1] (1.29)

où: α = q / (n kT)
n = facteur d'idéalité
q = charge de l'électron
k = constante de Boltzmann
T = température en K

Courant IGD
Ce courant décrit le phénomène d'avalanche. Il est donné par:

I DG = 0 si VDG ≤ VB

I DG =
(VDG − VB )
si VDG > VB
(1.30)
RB
où: VB = VB0 + R1 IDS
RB = RB0 + R2 IDS / IDSS

et: R1, R2, RB0 et VB0 sont des paramètres de réglage numérique

Courant IDS
Ce courant correspond à la caractéristique IDS = f(VGS, VDS) tracée en dynamique. De
nombreuses expressions ont été proposées soit sous forme de fonctions décrivant globalement
la caractéristique, soit sous forme d'approximations par morceaux. A titre d'exemple, voici un
expression donnée par Tajima en 1984:

I DS (VDS , VGS ) = I DSS FG FD (1.31)

1
avec : FG =  VGSN − (1 − exp ( − m VGSN ) ) / M 
k
FD = 1 − exp  − ( VDSN + a VDSN
2
+ b VDSN 3
)
VGS
VGSN = 1 +
VP
VDS
VDSN =
 V 
VDSP  1 + w GS 
 VP 

21
 VP = VP0 + P VDS
1 − exp ( − M )
k = 1 −
M
Dans cette relation, tous les termes sauf VDS et VGS sont des paramètres d’ajustement
numérique.

Parmi beaucoup d'autres, voici une deuxième relation donnée par Curtice en 1985:

I DS ( VGS , VDS ) = (A 0 + A1V1 + A 2 V12 + A 2 V13 ) tanh (γ VDS ( t ) ) (1.32)

avec: V1 = VGS ( t − τ ) 1 + β ( VDS0 − VDS ( t ) ) 

où : τ = A S VDS
Ici encore, tous les termes sauf VDS et VGS sont des paramètres de réglage.

Capacités CGS, CGD, CDS

Les capacités qui ont été extraites en petit signal peuvent être utilisées en grand signal car il a
été montré qu'en première approximation, elles ne dépendent pas de la température du
transistor. Il suffit de trouver des relations mathématiques pour représenter les courbes de la
figure 1.16 et 1.17. Habituellement, seule CGS est représentée par une relation non linéaire.

Remarque: dans les modèles ci-dessus, certaines expressions telles que celles pour IGS ont
pour origine le modèle physique de la jonction alors que d'autres, telles que celles décrivant
IGD ou IDS sont des expressions phénoménologiques n'ayant aucune signification physique
particulière. Tous les coefficients de ces modèles ne sont que des paramètres de réglage
numérique qui permettent d’approximer les mesures par le schéma équivalent du transistor.

4.3 Modèles non linéaires pour transistors bipolaires.

Le modèle ci-dessous est un modèle d’Ebers Moll modifié. Les capacités et les expressions
des divers courants sont plus proches des modèles analytiques que pour le MESFET.
Toutefois, les grandeurs de ces modèles sont eux aussi des coefficients de réglage qui servent
à approximer les modèles à partir de mesures. Un exemple de schéma équivalent pour un tel
transistor est donné sur la figure 1.26 [10] [11]. Les différents courants de ce modèle sont
donnés ci-dessous :

22
 ISF   q.VBE  
I EC = .  exp   − 1 (1.33)
βF   n E .k.T  

ISR   q.VBC  
ICC = .  exp   − 1 (1.34)
βR   n C .k.T  

ISR   q.VBE  
I ENI = C2 . .  exp   − 1 (1.35)
βF   n EL .k.T  

ISF   q.VBC  
ICNI = C4 . .  exp   − 1 (1.36)
βF   n CL .k.T  
Les transistors bipolaires étant particulièrement sensibles aux effets thermiques, ce modèle
comporte un circuit équivalent décrivant une résistance et une capacité thermiques. Les
courants de saturation des diodes sont des fonction de la tension ∆T en sortie du sous-circuit
thermique :
∆T XT
IS (∆T) = IS .(T0 +
) (1.37)
T0
Pour le générateur de courant représentant le gain :

ICT = β F .IEC − β R .ICC (1.38)

Le courant IAV représente un effet de multiplication dû à l’avalanche. Il est représenté en

fonction du courant de collecteur par :

IAV = ID.IC (1.39)

Avec:
VCB − I D .R BR + C M .IC .R BR
I D = BF.[exp( ) − 1]
N BR .VT

Les capacités sont intégrées sous la forme de charges telles que :

(1− m )
 1   V 
Q(V) = −   .VΦ .C J0 . 1 −  (1.40)
 1− m   VΦ 

Pour la simulation du circuit thermique, il est établi une équivalence entre les grandeurs
thermiques : puissance thermique, température, résistance thermique , capacité thermique et
grandeurs électriques : courant, tension, résistance et capacité. Le courant équivalent qui
commande le sous-circuit thermique est :

23
POUT = IC.VCE

24
 largeur de grille
Grille

Source
Drain

a
GaAs semi isolant

GaAs dopé n longueur de grille LG

LG1 L LG2

source drain

b
Canal dopé N
substrat

Figure 1.1 Le transistor à effet de champ à grille Schottky (MESFET)

à simple grille (a) et bigrille (b)

25
Figure 1.2 Profil d’un transistor à effet de champ à hétérojonction (HFET)

26
 Figure 1.3 Diagramme de bande et dopages d’un HFET

Figure 1.4 Profil d’un transistor à effet de champ à hétérojonction

pseudomorphique (P-FET)

27
 Figure 1.5 Diagramme de bande et dopages d’un P-HFET

Oxyde de Si (Isolant)
Grille Drain
Source

n+ n+

Canal : couche d’inversion N Zone déplétée

Substrat Si dopé P

Figure 1.6 Schéma d’un MOSFET

28
 Figure 1.7 Diagramme de bande de transistors bipolaires simples (a)
et à hétérojonction (b)

Au/Ge/Ni/Au
u
+
Base GaAs P+
GaAs N
Ti/Pt/Au Ti/Pt/Au
Emetteur GaInP
N Collecteur GaAs
Ti/Pt/Au
Au/Ge/Ni/Au
Au/Ge/Ni/A
u
Sous collecteur GaAs N+

GaAs semi isolant

Implantation de B
pour isolation

Figure 1.8 Profil d’un transistor bipolaire à hétérojonction [12]

29
 A B
Grille (VG)

N RS RS a

w R

Substrat : GaAs semi isolant

Figure 1.9 Résistance variable

Zone déplétée
Contact de base
B
Base Collecteur
C’
R’
C C

Sous collecteur N+

Figure 1.10 Varactor vertical (technologie bipolaire)

A+A’ Grille
A A’

C
N RS RS a

w R/2 R/2

Substrat : GaAs semi isolant

Figure 1.11 Varactor en technologie MESFET

30
Figure 1.12 Capacité et résistance d’un varactor en technologie MESFET

ID0 VGS0

VDS0

Figure 1.13 Point de fonctionnement d’un transistor à effet de champ

31
 C GD
RG RD
G D

C GS

V1 g mV 1 C DS G DS

RC

RS
S

Figure 1.14. Schéma équivalent linéaire d’un FET

Figure 1.15 Variation de la transconductance en fonction des polarisations pour un MESFET

32
Figure 1.16 Variation de la capacité CGD en fonction des polarisations pour un MESFET

Figure 1.17 Variation de la capacité CGS en fonction des polarisations pour un MESFET

33
S D

S D S
w
S D S D S
w/2
w/4

G G G
Figure 1.18 Dessins de trois transistors ayant une largeur totale identique

34
 I1 C GD I2
G D

C GS

Y1 V1 g mV 1 C DS G DS V2 Y2
2
RC

S S

Figure 1.19. Schéma équivalent linéaire simplifié d’un FET

Figure 1.20. Différents gains d’un FET

CBCex

RBex RBin CBCin RC

E C

Cπ Rπ Gm.Vπ Ro
Vπ

RE

Figure 1.21. Schéma équivalent petit signal d’un transistor bipolaire

35
 I1 RB I2
B C BC
C

C ΒΕ G CE V2 Y2
Y1 V1 R ΒΕ
gm V 1

E E

g m = g 0 exp(-jωτπ)

Figure 1.22 Schéma équivalent simplifié d’un HBT

Figure 1.23. Différents gains d’un transistor bipolaire

36
Figure 1.24 Caractéristique d’un MESFET en continu (+) et en impulsions (x) pour une
polarisation continue particulière

IGD

G RG RD D

C GD
C GS
V GSI C DS
V GS IDS V DS
2 IGS V DSI
2
RC 2
2

RS

Figure 1.25 Schéma équivalent grand signal d’un MESFET ou HFET ou PHFET

37
 C
IAV
RC

X.CjC Icni ICC

(1-X).CjC
B Ict IcN
Rb Rb2
CjE IEni IEC
IbN

RE ∆T
POUT
E

Figure 1.26 Schéma équivalent grand signal d’un transistor bipolaire avec sources de bruit et
effets thermiques

38
2. LES COMPOSANTS PASSIFS

2.1 MODELES DE COMPOSANTS PASSIFS

2.2 RESISTANCES
2.3 CAPACITES
2.4 LIGNES
2.5 INDUCTANCES
2.6 INDUCTANCES RECTILIGNES

39
2.1 MODELES DE COMPOSANTS PASSIFS

Les circuits intégrés monolithiques analogiques comportent de nombreux éléments

passifs tels que résistances, capacités, inductances ou lignes de configurations diverses. Ces
composants seront plus ou moins les mêmes, quel que soit le choix des composants actifs et
du substrat. Seules les inductances sur substrat Si donnent lieu à des études récentes prenant
en compte les pertes dans le substrat ou permettant de s’en affranchir. Ce chapitre donne une
idée de la structure, des limites physiques et des modèles de ces composants. Bien que la
modélisation d'un composant passif tel qu'une self semble acquise depuis de nombreuses
années, il apparaîtra que c'est loin d'être le cas et ce sera l'occasion de montrer dans quelles
conditions des modèles peuvent être établis à partir de formulations physiques ou bien à partir
de mesures.

2.2 RESISTANCES

La figure 2.1 schématise les deux moyens de réaliser une résistance.

• Le premier (figure 2.1.a) consiste à utiliser un tronçon de couche active. La résistance
d'une telle couche dépend de la structure de cette zone active qui est elle-même fonction du
composant à réaliser (transistor à effet de champ simple ou à hétérojonction ou transistor
bipolaire). Le contact avec la couche active doit être établi par un contact ohmique. Les
connexions avec d’autres composants sont ensuite assurées par un métal épais.
• Une autre solution (figure 2.1b) consiste à réaliser un dépôt résistif spécifique.
L'établissement du contact électrique ne pose plus de problème particulier. Les matériaux
possibles sont le Cr, le Ti, le Ta, le NiCr, le TaN et pour les valeurs de résistances très élevées
(par exemple, 100 kΩ), un composé W Si Ti N. Habituellement, cette couche résistive est
déposée sur une couche isolante ce qui permet de l’utiliser même avec un substrat non
parfaitement isolant comme le Si.

2.2.1 Modèle
Les résistances en couches minces ne peuvent pas être caractérisées par leur résistivité
massique. Au fur et à mesure que l'épaisseur diminue, la structure de la couche évolue et cette
résistivité augmente considérablement et en tout cas, n'est plus une caractéristique constante
du matériau. Une couche mince résistive a une hauteur fixée une fois pour toutes dans une

40
technologie particulière et elle se définit par sa résistance par carré qui est la résistance entre
les côtés opposés d'un carré de surface quelconque constitué de ce dépôt. Cette définition
convient aussi très bien pour une résistance réalisée avec un tronçon de couche active puisque
dans ce cas, la résistance dépend du profil de concentration. Une autre grandeur importante
est le coefficient de température. Le tableau 2.1 donne un exemple de valeurs de résistances et
des coefficients de température pour une technologie particulière. Dans un premier temps, le
choix du type de résistance se fera surtout en fonction de la valeur des résistances à réaliser.

Tableau 2.1 Exemples de valeurs de résistances

Type de résistance Résitance / carré Coefficient de température

Ω ppm / °C
Ta N 30 - 275
W Si Ti N 1000 -1500
couche active 190 + 1000

2.2.2 Eléments parasites

Toute résistance étant composée d'un rectangle situé sur la face supérieure du substrat,
comporte une capacité parasite par rapport à la masse (en général: métallisation de la face
inférieure), et est elle-même une inductance. La figure 2.12 donne le schéma complet d'une
résistance ou bien d’une inductance. La capacité est la plupart du temps négligeable (surtout si
la résistance est connectée à la masse), par contre, l'inductance doit être souvent prise en
compte. La valeur de cette inductance sera vue dans le paragraphe sur les lignes. Pour
s'affranchir de cette inductance, il est possible de donner à une résistance la forme d'une
grecque.

2.2.3 Limites
Le "modèle" d'une résistance donne une résistance par carré. Un composant doit avoir des
dimensions aussi petites que possible. Ceci conduit à considérer la largeur minimum d'une
résistance (par exemple, 4 µm) qui constitue une règle de dessin technologique. Par contre, les
résistances peuvent se trouver dans le circuit de polarisation de transistors et être ainsi
traversées par un courant continu. Les résistances sont constituées de couches très peu
épaisses et le courant qui les traverse ne peut donc pas être très élevé. Un exemple de limite
est d'environ 0,4 mA par µm de largeur. C'est cette limitation qui fixe alors la largeur de la

41
résistance. Cette contrainte est très sévère puisqu’un courant de 40 mA impose une largeur de
résistance de 100 µm ! C’est à cause de ces contraintes que dans certains circuits, on trouvera
des résistances de valeurs identiques ayant des dimensions très différentes.

2.3 CAPACITES

Les différentes manières de réaliser une capacité en MMIC sont schématisées sur la figure
2.2.
La première possibilité consiste à utiliser des capacités interdigitées (figure 2.2.a). Cette
configuration offre l'avantage de la simplicité puisqu'elle ne nécessite qu'un seul niveau de
métallisation. Toutefois, la densité de capacité obtenue (2 pF/mm2) est très faible et ne
convient que pour des capacités de très petites valeurs. En fait, cette forme a été utilisée dans
le premier circuit intégré monolithique sur GaAs publié en 1975 mais, depuis, elle est très peu
employée.
La deuxième possibilité (figure 2.2.b), consiste à utiliser la capacité d'une jonction (diode ou
transistor). Le dispositif obtenu dans ce cas est une capacité variable qui a été examinée dans
le paragraphe sur les différentes technologies (§ 1.3).
La troisième possibilité (figure 2.2.c), est une capacité verticale du type métal-isolant-métal
(MIM). Cette structure a l'avantage de présenter une densité de capacité de l'ordre de 250
pF/mm2 qui correspond mieux aux besoins de densité d’intégration des circuits habituels. En
fait, il n'est pas possible d'utiliser la forme telle qu'elle est représentée sur la figure 2.2.c car le
franchissement par le niveau diélectrique de la marche constituée par le premier niveau de
métallisation introduirait un point faible dans cette capacité (fuite ou claquage). Il faut donc
utiliser une structure comportant un pont à air telle qu'elle est représentée sur la coupe de la
figure 2.3. C'est cette configuration qui va être examinée maintenant.

2.3.1 Choix du diélectrique

Le tableau 2.2 récapitule les différents diélectriques qui peuvent être envisagés pour réaliser
les capacités.
Tableau 2.2 Différents diélectriques pour capacités MIM

Matériau Permittivité Champ de claquage Densité en pF/mm2

relative Emax ( V / µm ) pour un Vmax de 50 V
Si O2 5 300 265
Si3 N4 6,5 250 290

42
 Al2 O3 8,8 250 390
Ta2 O5 25 200 885
Ti O2 55 50 490

La relation donnant la valeur d'une capacité MIM est très connue:

ε0 ε S
C= (2.1)
e

où ε0 est la permittivité du vide, ε est la permittivité relative, S est la surface et e est

l'épaisseur de diélectrique.
La capacité occupera d'autant moins de surface que ε sera élevé et il est tentant, d'après
le tableau ci-dessus de prendre un matériau tel que Ti O2. Mais dans un circuit monolithique,
les capacités doivent supporter les diverses tensions de polarisation qui sont des tensions
continues. Il faut donc considérer la deuxième colonne du tableau 2.2 qui indique les champs
de claquage. Et pour que Ti O2 supporte la même tension que Ta2 O5, il faut augmenter son
épaisseur dans un rapport 5 et donc diminuer d'autant sa capacité... Cet aspect est résumé dans
la troisième colonne du tableau 2.2 qui donne la densité de capacité en pF / mm2 si les
tensions de claquage des capacités doivent être de 50 V. Les grandeurs obtenues bouleversent
la hiérarchie indiquée sur la colonne de gauche et incitent à utiliser le Ta2 O5 comme
diélectrique. De nombreuses études ont été faites pour introduire ce diélectrique et certaines
fonderies le proposent. Par ailleurs, la couche de diélectrique actuelle (Si3 N4) sert aussi de
protection pour le canal des transistors à effet de champ et ne pourra pas être remplacée pour
cette fonction. Cette couche doit donc subsister même dans les technologies proposant Ta2O5.
Une capacité comportera des éléments parasites tels qu’une résistance et une inductance en
série et une capacité en parallèle par rapport à la masse. La valeur de l’inductance (d’ailleurs
très faible) sera donnée à la fin du paragraphe sur les lignes.

2.4 LIGNES

En microondes, toute connexion entre deux composants est elle même un composant puisque
c'est un tronçon de ligne qui introduit un déphasage, des pertes ou des couplages. Ceci
explique l'importance des modèles de lignes et de leurs discontinuités. La figure 2.4 indique
les deux principales structures de lignes qui sont utilisées dans les circuits monolithiques. La
première est la ligne microstrip (figure 2.4.a) dont le conducteur principal est sur la face avant
et la masse est sur la face arrière. La seconde est la ligne coplanaire ou « coplanar
waveguide » (CPW) en anglais (figure 2.4.b). Cette fois, la masse est dans le même plan que

43
le conducteur principal. Dans la plupart des circuits, les deux structures se rencontrent. Ces
lignes sont toujours utilisées en mode quasi TEM. L'apparition de modes supérieurs en très
hautes fréquences, surtout en présence des boîtiers, n'est pas exclue, mais elle sera toujours
envisagée comme un inconvénient à éviter.
A partir des deux structures microstrip et coplanaire, il est ainsi possible de jouer sur
les avantages respectifs de chacune d'entre elles ou de passer de l'une à l'autre pour introduire
des déphasages ou obtenir des dispositifs particuliers. Certaines conceptions de circuits sont
aussi faites systématiquement en guides coplanaires pour ne pas avoir à établir de connexions
avec la face arrière du substrat (trous métallisés) et économiser ainsi une étape de la
technologie. Mais lors de la mise en boîtier, il faudra toujours entourer la puce par une masse
et la structure ainsi obtenue ne sera pas strictement coplanaire ou bien les parois doivent être
éloignées et alors apparaissent des modes parasites. Toutefois, dans la plupart des circuits,
ces deux structures seront rencontrées, soit séparément, soit étroitement imbriquées. Les
impédances caractéristiques de lignes mixtes microstrip-coplanaires sont données dans [4].

2.4.1 Modèles de ligne

Dans ce qui suit, les lignes seront supposées fonctionner en mode quasi TEM. Alors, les
lignes de la figure 2.4, peuvent être représentées par un schéma équivalent tel que celui de la
figure 2.4.c. où L et C représentent une inductance et une capacité linéiques, tandis que la
résistance R représente les pertes dans les conducteurs (ligne elle-même et masse) et la
conductance G représente les pertes dans le diélectrique. Une telle ligne comporte une
impédance caractéristique et une constante de propagation qui, à partir du schéma équivalent,
peuvent s'écrire :

R + jLω
ZC = (2.2)
G + jCω
et:
γ = ( R + jLω )(G + jCω ) (2.3)

Lorsque les pertes dans le diélectrique et dans les conducteurs métalliques sont faibles, il
s'agit d'un régime diélectrique. C’est le cas lorsque le substrat est constitué de GaAs ou InP.
Lorsque le substrat est constitué de Si ou qu'il est fortement dopé, les pertes dans le
diélectrique peuvent devenir élevées (G grand) . Il apparaît alors un régime de propagation à
onde lente présentant une forte atténuation et une impédance caractéristique complexe. Ce cas
demande alors un traitement particulier [13]. Pour les substrats en Si non compensé, il faudra
faire appel à ces techniques plus complètes. Dans les autres cas de circuits monolithiques,

44
l'utilisation de substrats tels que GaAs ou InP ou dans certains cas, de Si compensé, c'est à
dire ayant de faibles pertes, fait que le régime de propagation sera plutôt de type diélectrique.
En reprenant les expressions ci-dessus et en considérant que RG << LCω2 et que
 G R 
 −  << 1 , les expressions 2.2 et 2.3 peuvent s'écrire:
 Cω Lω 

L
ZC ≈
C (2.4)

γ = α + jβ (2.5)

avec:

1 L C  1 R
α=  G +R  =  GZc +  en Neper/m (2.6)
2 C L  2 Zc 
et:
β ≈ ω LC (2.7)

Sachant que la constante de propagation β peut aussi s'écrire:

ω
β =
vp (2.8)
vp et ZC peuvent s'écrire:
1
vp =
LC (2.9)
1
ZC =
vp C (2.10)

c
Dans une ligne en mode quasi TEM, vp s'exprime: vp = où c est la vitesse de la
ε eff
lumière et εeff est la permittivité effective qui tient compte de l'inhomogénéité du diélectrique
dans la ligne. Les relations 2.7, 2.8, 2.9 et 2.10 montrent que l'on peut calculer ZC et β en
connaissant seulement la capacité linéique et la permittivité effective εeff.
La capacité linéique d'une ligne quelconque en mode quasi TEM, fait appel à des calculs
relativement complexes tels que transformations conformes ou simulation numérique de
l'équation de Laplace en différences finies ou en éléments finis [14] [15]. Quant à la
permittivité effective, elle s'obtient en refaisant le calcul de la capacité linéique en ayant
enlevé le diélectrique de la structure (les conducteurs sont considérés comme étant dans l'air).
Ce calcul donne une nouvelle capacité linéique C0 à partir de laquelle la permittivité effective
s'exprime par la relation:

45
 C
ε eff =
C0 (2.11)

Pour une structure de ligne donnée, le calcul de l'impédance caractéristique et de la constante

de propagation ou de la permittivité relative se ramènent donc à deux calculs de capacités
avec et sans diélectrique dans la ligne. D'où les relations:

1
ZC =
c CC 0 (2.12)

ω C
β =
c C0 (2.13)
avec c: vitesse de la lumière.

2.4.2 ZC et εeff pour une ligne quasi TEM quelconque

En fait dans les circuits monolithiques, comme il a été vu plus haut, les lignes peuvent être à
la fois du type microstrip et coplanaires (figure 2.5). Il peut être utilisé des méthodes
d’évaluation faisant appel à des simulations numériques représentant les lignes microstrip ou
coplanaires sous forme d’un problème électrostatique. Un premier calcul est effectué avec les
diélectriques et donne les capacités évaluation des capacités C1 et C2. Un deuxième calcul
numérique est effectué sans le diélectrique et donne les capacités C10 et C20. L’impédance
caractéristique et la permittivité relative sont alors données par les relations ci-dessous :

1
ZC = (2.14)
c (C1 + C2 )(C10 + C20 )

C1 + C 2
ε eff = (2.15)
C10 + C20
C’est cette démarche qui a donné les courbes de la figure 2.6 [4] donnant l’impédance
caractéristique et la constante diélectrique effective pour une ligne avec substrat GaAs. Des
formulations concernant les lignes coplanaires, microstrip et mixtes coplanaires-microstrip
peuvent être trouvées dans [15].
En ce qui concerne les pertes, elles proviennent principalement des pertes dans les
conducteurs et dépendent donc beaucoup de la réalisation technologique. Des indications sur
ces pertes ont été données dans ([4], p.325) et aussi dans [16]

2.4.3 Inductance parasite d’une capacité

Les relations ci-dessus permettent d’évaluer l’inductance en série d’une capacité ayant une
longueur a, une largeur b, une constante diélectrique ε et une hauteur e et qui est considérée
comme une ligne de propagation de longueur a (figure 2.7). La capacité sans diélectrique

46
 ε 0ε a b
étant C0 = , en utilisant les relations 2.4 et 2.12 ci-dessus, la valeur de l’inductance
e
est :
a2
L= (2.16)
c C0

2.4.4 Lignes en parallèle ou « stubs »

Avec l’augmentation en fréquence des circuits, il devient possible à partir de 30 GHz,
d’utiliser des lignes branchées en parallèle sur d’autres lignes. Tant que leur longueur est
inférieure à λ/4, elles sont équivalentes à une capacité sans avoir à établir un contact avec la
masse. Rappelons que l’admittance amenée en parallèle par une ligne de longueur l et
d’admittance caractéristique YC (=1/ZC), s’exprime : Y = j YC tg ( β l ) .
Pour gagner de la place, il peut être avantageux de réaliser ces « stubs » avec des
lignes radiales. L’impédance ramenée par ces lignes est rappelée au paragraphe 3.4. Dans ce
paragraphe, il sera aussi trouvé des références permettant de calculer complètement ces lignes
en présence de pertes ou en haute fréquence.

2.5 INDUCTANCES SPIRALES

2.5.1 Inductance
Le dessin de la figure 2.8 est un exemple d'inductance spirale utilisée dans les circuits
monolithiques. Les principaux éléments à considérer pour calculer une telle inductance sont
schématisés sur la figure 2.9. L'inductance est composée de quatre termes:

L = (L1+L2) + M12 +M21 – (M1'1+M1'2+M2'1+M2'2) (2.17)

• L’inductance (L1+L2) est la partie principale de l'inductance;

• Les mutuelles M12 et M21 (M12 = M21) viennent renforcer la valeur de l’inductance. C'est
cette inductance supplémentaire qui fait l'intérêt d'utiliser une self spirale.
• En cas de présence d'un plan de masse à une distance h de la self, il s'établit des spires
images à une distance 2h avec des courants de sens opposé. La mutuelle de ces spires 1' et 2'
avec les spires 1 et 2 vient se soustraire de l'inductance principale.

2.5.2 Calcul analytique de l'inductance

Le calcul de la mutuelle entre deux spires est présenté ailleurs [17]. Entre deux spires de
rayons moyens R1 et R2 situées dans deux plans parallèles distants d'une hauteur 2h (figure
2.10), la mutuelle s'exprime:

47
 2µ 0 R1 R2  2
k  
M 12 = 1− K( k) − E(k) (2.18)
k  2 

2 R 1R 2
où: k =
(R1 + R2 )2 + 4 h 2

K(k) et E(k) sont les intégrales elliptiques complètes de première et deuxième espèce
µ 0 est la perméabilité magnétique de l'air
h est la hauteur de diélectrique

Pour exprimer la mutuelle entre deux spires dans le même plan, il suffit de faire h=0 dans les
expressions ci-dessus.
Cette relation convient très bien pour calculer les mutuelles de la relation 2.17. Par contre,
pour calculer l’inductance qui est la mutuelle d'une spire sur elle-même, il y a une difficulté
puisque quand k = 1, K ( k ) → ∞ et l’ensemble de l’expression devient infinie. La solution
consiste à considérer que dans un conducteur plat de largeur W, les courants sont les uns par
rapport aux autres, à une distance moyenne d. Le calcul de l’inductance consiste alors à
calculer la mutuelle entre deux spires distantes de d. Si R est le rayon de la fibre moyenne, R1
2
 d 
= R – d/2 et R2 = R + d/2. Alors, k = 1– . Pour k proche de 1, comme c'est le cas
 2R 
ici, les approximations suivantes peuvent être faites:

 4 
K(k) ≈ Log   et : E(k) ≈ 1 (2.19)
 1– k 2 

La valeur des inductances L1 et L2 de la relation (2.17) peut s'exprimer :par :

 8R 
L = µ0 R Log –2 (2.20)
 d 
Dans la suite, d = w/4, où w est la largeur de la métallisation.

La formulation complète de l’inductance spirale ayant n tours est finalement :

n
  8 ri   n -1 n
 2  2 
L = ∑ µ 0 ri Log   − 2 + 2∑ ∑ µ0 ri rj   − k  K ( k ) − E ( k ) 
i=1   d   i = 1 j = i+1  k  k 
(2.21)
n n
 2  2 
− ∑∑ µ0 ri rj   − k' K ( k' ) − E ( k') 
i=1 j=1   k'  k' 

48
 s
où : ri = R INT + i ( w + s ) − avec i représentant la ième spire
2
4 ri rj 2 ri rj
et : k' = 2
, k =
( ri + rj ) + 4 h 2 ri + rj

A cette expression, il faut ajouter l’inductance rectiligne correspondant au pont à air et dont
l’expression est donnée au paragraphe suivant.
L’inductance ainsi obtenue est indépendante de la constante diélectrique du matériau. Elle est
donc indépendante du substrat pourvu que celui-ci soit à faible perte.
La figure 2.11 donne les valeurs obtenues avec la formulation ci-dessus comparées à des
mesures.

2.5.3 Capacités et résistance parasite d’une inductance spirale

Chaque inductance comporte une capacité parasite par rapport à la masse qu’elle soit en face
arrière ou coplanaire et une résistance parasite due aux pertes dans les conducteurs. Ceci est
représenté dans le schéma équivalent de la figure 2.12.
L’examen de cette figure montre que le rôle de ces parasites est très important. Une capacité
en parallèle sur une inductance fait qu’au-delà d’une certaine fréquence, cette inductance n’est
plus inductive ! Cette fréquence est la fréquence de coupure dont le calcul dépend de la
manière dont l’inductance est connectée . Si l’inductance est fermée sur un court-cicuit, FC est
1
donnée par : FC = .
2π L C10
Les valeurs des éléments du schéma équivalent peuvent être obtenues à partir de mesures
effectuées par les fonderies ou ils peuvent être obtenus par des simulations à partir de logiciels
électromagnétiques basés sur la méthode des moments ou sur des calculs en éléments finis.
Les capacités dépendent des substrats utilisés et les résistances dépendent des procédés de
métallisation. Un exemple de valeurs pour chacun des éléments parasites est donné sur les
figures 2.13 à 2.16 pour des inductances spirales où w = 5 µm et s = 5 µm.
Il faut remarquer que la résistance parasite peut facilement être diminuée en élargissant la
piste métallique (w = 10 ou 15 µm au lieu de 5 µm), mais que cela se paye par une
augmentation des capacités parasites et donc une diminution de la fréquence de résonance de
la self.

2.5.4. Inductances carrées ou rectangulaires

Toute la démarche évoquée ci-dessus concerne des inductances circulaires. Certains préfèrent
les inductances rectangulaires ou carrées qui peuvent donner lieu à des algorithmes de calcul
assez différents et qui sont décrits en détail dans [18].

49
2.6. INDUCTANCES RECTILIGNES
Toute connexion peut être considérée comme une ligne (voir paragraphe précédent) ou
comme une inductance. Tant que la longueur de ligne est inférieure à λ/10, où λ est la
longueur d'onde à la fréquence maximum d'un circuit, l'inductance est localisée.
Le schéma de cette inductance est celui de la figure 2.12, c'est à dire une inductance ayant une
capacité parasite et une résistance en série

L’inductance d’un barreau métallique de longueur l, de largeur w et d’épaisseur t est donnée

par l’expression ([15], p.384):

  2xl  w+t
L = 2.10-3 x l x  Log   + 0,5 + 0, 2235 x (2.22)
  w+t  l 

avec : L en nH
l la largeur du barreau en µm

Il faut remarquer que les résistances et les capacités comportent aussi une inductance parasite
qui peut être évaluée par la même méthode.

Ces formulations devraient être complétées par le calcul de la mutuelle inductance entre deux
conducteurs rectangulaires plats. Des relations comportant des coefficients numériques
complexes sont données dans ([15], p.412).

50
 3.A CALCUL DE LA MUTUELLE ENTRE DEUX SPIRES

Cas général
La mutuelle entre deux spires i et j constituées de conducteurs très fins et parcourus
par des courants Ii et Ij est donnée par (figure 2.17):

Φij Φji
M ij = M ji = = (3.31)
Ii Ij
où: Φ i j et Φj i sont les flux magnétiques provoqués par Ii à travers la spire de contour
Cj et réciproquement.
Ce flux se calcule d'après la relation:

r r
Φi j = ∫ (n. B )dS
S
ij (3.32)
r
où: Bi j est l'induction magnétique due au courant Ii en tout de la surface s'appuyant
r
sur Cj et n est une normale à cette surface.
r r
Bi j peut se déduire du potentiel-vecteur magnétique A i j régnant en chaque point par
la relation: r r
Bi j = rot Ai j (3.33)

ce qui, introduit dans 3.25 et en appliqaunt le théorème de Stokes donne:

r r r r
Φi j = ∫ n.rot Ai j )dS = ∫ Ai j . dlj
S
(
Cj
(3.34)

r
où A i j est donné par:
r
r µ I d li
Ai j = 0 i
4π ∫
C
ri j
(3.35)
j

r
où rij est la distance entre le point courant sur Ci et le point où est évalué A i j .
Finalement, la mutuelle est:
r r
Φi j µ d li . d lj
Mi j =
Ii
= 0
4π ∫∫ ri j
(3.36)
C j Ci

Si les conducteurs ne sont pas très minces (figure 2.18 ), la formule de Neumann
complète peut être appliquée. La mutuelle est alors:

51
 r r
µ 1 ii . ij
Mi j = 0
4 π I iI j ∫∫ rij
dVi dVj (3.37)
Vj Vi

r r
où: ii et ij sont des densités de courant sur les sections Si et Sj,
Vi et Vj sont les volumes des deux conducteurs.

En considérant les densités de courant dIi et dIj et les fibres moyennes Ci et Cj, on peut
écrire:
r r
µ 1 d li . d lj
Mi j = 0
4 π I iI j ∫ dIi ∫ dI j ∫ ∫ ri j
(3.38)
Si Sj C j Ci

En faisant l'hypothèse que les densités dIi et dIj sont constantes et que les dimensions
des sections sont très petites devant les dimensions des spires, les intégrales sur Si et Sj
donnent Ii et Ij. D'où:
r r
µ d li . dlj
Mi j = 0
4π ∫∫ ri j
(3.39)
C j Ci

qui est la même relation que 3.29. Avec les hypothèses ci-dessus, la mutuelle ne
dépend pas des dimensions des conducteurs.

Calcul de la mutuelle de deux spires circulaires situées dans deux plans parallèles

La figure 2.10 donne le schéma et les définitions de la mutuelle entre deux spires de
diamètres R1 et R2 et distantes d'une hauteur h.
En divisant le rcontourren deux demi contours C et C' et en considérant l'effet simultané
des deux vecteurs
r d l et d l ' placés symétriquement par rapport à ox, le potentiel-vecteur
magnétique A se réduit à A ϕ = A y et est donné par la relation:
r r
µ0 I  d l d l'  µ I dl y
Aϕ = ∫ +∫  = 0 ∫ (3.40)
4 π  C r C' r  4πC r

où: r = MH2 + h 2 = R12 + R 22 – 2R1 R 2 cos ϕ + h 2

alors,
π
µ I R1 cosϕ dϕ
Aϕ = 0
2π ∫
0 R + R – 2R1 R2 cos ϕ + h 2
2
1
2
2
(3.41)

52
En posant : ϕ = π + 2θ
dϕ = 2 dθ
cos ϕ = cos ( π + 2θ ) = 2 sin 2θ – 1

A ϕ devient:

µ I
2
(2 sin θ – 1) 2 R dθ
2

∫
1
Aϕ = 0 (3.42)
2π 0 R 2
1 + R – 2R R (1 – 2 sin θ )+ h
2
2 1 2
2 2

µ I 2
(2 sin θ – 1) 2 R
2
dθ
∫
1
= 0 (3.43)
2π 2 4R1 R2
0 (R1 + R 2 ) 1– 2 sin 2 θ
(R1 + R 2 ) + h 2

2 R 1R 2
En posant k =
(R1 + R 2 )2 + h 2

A ϕ devient maintenant:

π
2
µ I R1 k (2 sin 2θ – 1) dθ
Aϕ = 0
2π R2 ∫ 1 – k 2 sin2 θ
(3.44)
0

 π π 
 2 2 
µ0 I R1   2  dθ 2 (1 – k 2 sin 2θ ) dθ 
=
2π
k   –1+ 2 
R2   k  1 –
∫k 2
sin 2
θ
– 2
k ∫
1 – k 2 sin 2 θ


 0 0 
 

 π π 
 
k2 
2 2
µ0 I R1  dθ 
=
kπ
  1 –
R2  

2  ∫ 2 2
–
1 – k sin θ 0
1 – k 2
sin 2
θ ∫
d θ 

(3.45)
 0 
 

Donc,

µ0 I R1  2 
Aϕ =   1 – k  K ( k ) – E ( k ) (3.46)
kπ R2   2  

où: K(k) et E(k) sont les intégrales elliptiques de première et deuxième espèce.

53
 La mutuelle est alors:

2π
1 r Aϕ 2 π A ϕ R2
M 12 = ∫
I C2
A ϕ .d l 2 =
I ∫R 2 dϕ =
I
(3.47)
0

2 µ 0 R1 R 2  k2  
M 12 = 1– K(k) – E(k) (3.48)
k  2 

Cette relation convient très bien pour le calcul des mutuelles des spires les unes par
rapport aux autres et avec les selfs images en cas de présence d'un plan de masse.

54
 Contacts ohmiques

Couche dopée N
a GaAs semi-isolant

Métal épais

Couche résistive : NiCr ou TaN

b Isolant : Si3N4
GaAs semi-isolant

Figure 2.1 Réalisation de résistances. a) couche active b) dépôt résistif

Contact ohmique Contact schottky

Couche dopée N
b GaAs semi-isolant

55
 2ème métal (épais)
Zone de fuite Diélectrique : Si3N4

1er métal
c
GaAs semi-isolant

Figure 2.2 Différentes formes de capacités : a) capacité interdigitée, b) diode métal-

semiconducteur, c) capacité MIM

Pont à air (pilier)

Pont à air (tablier)
2ème métal (épais)

Diélectrique : Si3N4

1er métal
c
GaAs semi-isolant

Figure 2.3 Capacité MIM avec pont à air

Métal

a Diélectrique
Masse

Métal Masse

Diélectrique
b

56
 L R

c C G

Figure 2.4 Lignes microstrip (a) et coplanaire (b) et schéma équivalent (c).

w s Masse

C1 h
C2 Diélectrique
Masse

Figure 2.5 Ligne mixte microstrip-coplanaire

57
Figure 2.6 Impédance caractéristique et constante diélectrique effective pour une ligne mixte
microstrip-coplanaire avec substrat GaAs

58
 b

Figure 2.7 Description d’une capacité MIM

Figure 2.8 Dessin d’une inductance spirale

1 2

H masse

1’ 2’
Figure 2.9 Calcul d’une inductance spirale ayant deux spires en présence d’une masse

59
 z
R2

y 2h

R1

O x

Figure 2.10 Principales grandeurs pour calculer la mutuelle entre spires

60
Figure 2.11 Inductances de spirales ayant de 1,25 à 3,75 tours. Comparaison entre la relation
du texte et des mesures

L R

C10 C20

Figure 2.12 Schéma équivalent d’une inductance ou d’une résistance avec éléments parasites

61
Figure 2.13 Inductance en fonction du diamètre extérieur pour une inductance spirale de 1,25
à 3,75 tours

Figure 2.14 Résistance parasite pour une inductance spirale en fonction de la valeur de
l’inductance et 1,25 à 3,75 tours

62
Figure 2.15 Capacité parasite à l’entrée d’une inductance en fonction de la valeur de
l’inductance et 1,25 à 3,75 tours

Figure 2.16 Capacité parasite à la sortie d’une inductance en fonction de la valeur de

l’inductance et 1,25 à 3,75 tours

63
 r
n
S
Ii

lj

rij
Ci li Cj

Fig . 2.17 Calcul de la mutuelle entre deux spires

Si

dli

dlj
Ci

Sj
Cj

Fif. 2.18 Mutuelle entre deux spires dans le cas général

64
 3 POLARISATION DES COMPOSANTS ACTIFS

3.1 INTRODUCTION
3.2 SCHEMA DE BASE DE LA POLARISATION
3.3 POLARISATION PAR DES RESISTANCES
3.4 POLARISATION PAR QUART D’ONDE
3.5 UTILISATION DE CERTAINS CIRCUITS D’ADAPTATION
3.6 POLARISATION PAR CHARGE ACTIVE

65
3.1 INTRODUCTION

Tous les circuits étudiés dans ce texte sont des circuits analogiques. La polarisation des
composants actifs posera donc toujours le même type de problèmes et un certain nombre de
solutions types peuvent être passées en revue. Les configurations adoptées pour polariser des
transistors pourront être mises en oeuvre pour tout autre dispositif actif tel que varactor,
résistance variable, etc... Un chapitre spécial est consacré à cette activité car les inductances,
lignes et capacités qui sont obligatoirement ajoutées aux circuits à cette occasion vont en
général augmenter considérablement la surface du circuit et donc son coût. Il faudra donc
dans la plupart des cas apporter un soin particulier au choix et à la disposition de ces circuits
de polarisation.

3.2 SCHEMA DE BASE DE LA POLARISATION

La figure 3.1 représente le schéma de base pour polariser un transistor monté en source
commune. Les inductances ou selfs de choc LC ont pour rôle de présenter au signal alternatif
une impédance suffisamment élevée pour ne pas perturber celui-ci. Les capacités de
découplage CD sont là pour court-circuiter à la masse des fuites du signal alternatif qui, se
refermant par les alimentations, pourraient être réinjectées à l'entrée et pourraient, pourvu que
la phase soit correcte, transformer un amplificateur en oscillateur. Les capacités de liaison CL
ont pour but d'isoler les différentes tensions par rapport aux tensions appliquées aux
transistors suivants ou précédents.
Dans le cas d'une sortie de transistor et en prenant une valeur de RDS de 300 Ω, il faudrait
présenter une impédance d'au moins 1000 Ω pour ne pas perturber la sortie. A une fréquence
de 10 GHz, ceci correspond à une inductance d'environ 16 nH. Une telle inductance n'est pas
réalisable à cette fréquence à cause d'une fréquence de coupure très inférieure à 10 GHz qui
fait qu’à cette fréquence, ce composant est devenu capacitif. La polarisation par inductance ne
sera donc envisageable que dans le cas où une impédance faible peut être présentée, par
exemple dans un amplificateur distribué où la ligne de sortie verra 50 Ω.

3.3 POLARISATION PAR DES RESISTANCES

Une autre solution (figure 3.2) consiste à utiliser des résistances. Cette solution convient très
bien pour polariser les grilles des transistors à effet de champ car le courant inverse de la
jonction métal - semiconducteur est très faible et la chute de tension est donc négligeable. Par

66
contre, du côté du drain des transistors à effet de champ ou du collecteur des transistors
bipolaires le courant peut devenir élevé. Dans le cas du transistor à effet de champ évoqué
plus haut, le courant de polarisation est d'environ 15 mA. Si la résistance doit avoir une valeur
de 1000 Ω, la chute de tension dans la résistance serait de 15 V! Cette valeur est bien trop
élevée, surtout si la puissance dissipée dans cette même résistance est prise en compte. Là
encore, la polarisation par résistance conviendra seulement dans les cas où une résistance de
forte valeur peut être introduite sans perturber le signal alternatif.

3.4 POLARISATION PAR QUART D’ONDE

Une autre solution encore (figure 3.3) consiste à polariser la grille et le drain à travers un
tronçon de ligne ayant une longueur d'un quart d'onde fermé sur une capacité de découplage
CD. Alors, l'impédance ramenée au niveau du drain ou de la grille (à la fréquence où la ligne a
cette longueur), est infinie en alternatif. Ce procédé est couramment utilisé dans les circuits
au-delà de 30 GHz où les quarts d'onde ont des longueurs compatibles avec les dimensions
des circuits (environ 0,7 mm à 30 GHz).
Le schéma ci-dessus impose encore la présence d’une capacité de découplage qui doit être
connectée à la masse. Ceci peut être évité en utilisant une deuxième ligne quart d’onde
ouverte comme sur la figure 3.4. La polarisation est appliquée à l’endroit où se trouve un
court circuit en microondes. Ce point est aussi appelé point froid du circuit. A cause des
dimensions, cette disposition est adoptée à partir de 30 GHz. Les dispositifs quart d’onde sont
en principe à bande étroite. Mais en réalité, il est toujours possible de prendre pour le premier
quart d’onde une ligne à impédance caractéristique élevée, ce qui s’obtient en utilisant une
ligne étroite. Pour le second quart d’onde, il peut être pris une ligne à impédance
caractéristique faible, ce qui s’obtient en élargissant la ligne. Mais alors, le lieu du court
circuit n’est plus défini correctement et une solution consiste à utiliser une ligne radiale
(figure 3.5).
Les grandeurs qui s’appliquent pour une ligne radiale sans perte sont les suivantes [19] :
L’impédance ramenée au point R1 de la figure 3.5 est :

h 360 cos (θ1 − ψ 2 )

Z1 = Z0 ( R 1 ) (3.1)
2π R 1 α sin (ψ 1 − ψ 2 )
avec :
N 0 ( kR1 )
tan θ1 =
J 0 ( kR1 )
J1 ( kR i )
tan (ψ i ) = (i = 1,2 )
N1 ( kR i )

67
 1

120π  J 0 ( kR 1 ) + N 0 ( kR 1 )  2
2 2

Z0 ( R 1 ) = 1
εr  2 
J
 1 ( kR 1 ) + N1
2
( kR )
1 
2

2π ε r
k =
λ0
et avec Ji(x) et Ni(x), fonctions de Bessel de première et deuxième espèce d’ordre i.
Pour annuler l’expression (3.1), il faut trouver pour une valeur particulière de k (c’est à dire
de fréquence), des valeurs de R1 et R2 telles que :
π
θ1 − ψ 2 =
2
1
soit : tg θ1 =
t g ψ2

N1 ( kR 2 ) N 0 ( kR1 )
et donc : = (3.2)
J1 ( kR 2 ) J 0 ( kR1 )

Ceci peut être obtenu en traçant les deux expressions pour différents rapports R2/R1. Par
exemple, pour εr = 12,9 (valeur correcte pour GaAs dès que l’angle α>30°), et F= 30 GHz, on
trouve : R1= 20µm et R2= 310µm. Cette dernière valeur est inférieure au quart d’onde pour
une ligne microstrip sur GaAs, ce qui correspond à un autre avantage de cette ligne radiale.
On remarquera que pour α=60°, la largeur h de la ligne microstrip de la figure 3.5 est égale à
R1 .
Ces lignes radiales peuvent aussi être utilisées pour présenter des impédances particulières en
parallèles sur des lignes microstrip (c’est l’utilisation principale de la relation 3.1). Dans ce
cas, des relations prenant en compte les pertes dans les lignes ou des corrections à appliquer
pour les très hautes fréquences sont proposées dans ([15], p.302).

3.5 UTILISATION DE CERTAINS CIRCUITS D’ADAPTATION

Un autre schéma de polarisation est représenté sur la figure 3.6. Dans ce schéma des éléments
d'adaptation en microonde du transistor sont placés en entrée et en sortie (figure 3.6.a).
Moyennant une légère modification qui consiste à ajouter des capacités de découplage CD
(figure 3.6.b), la polarisation pourra être appliquée à travers ces circuits d'adaptation.

68
3.6 POLARISATION PAR CHARGE ACTIVE

La figure 3.7 représente la polarisation par charge active. Dans ce schéma, le transistor T2 est
polarisé par définition à VGS0 = 0 V. Donc si la polarisation du transistor T1 est VGS0 = 0 V, la
conductance présentée au transistor T1 en alternatif par le transistor T2 est GDS, alors que la
conductance vue en continu (G0) est très élevée. L’inconvénient de ce montage est qu’il n’est
pas possible de polariser T1 à une autre tension que VGS0 = 0 V.
Un moyen de redonner la possibilité de varier la tension VGS0 du transistor T1 consiste à
utiliser le schéma de la figure 3.8 [20]. Dans ce cas un troisième transistor, très petit, est
utilisé comme source de courant. Les résistances R1 et R2 étant traversées par un courant
constant quelle que soit la valeur de la tension VG, la chute de tension dans ces résistances
sera toujours la même. Si cette chute de tension est 3 V, il suffit d'appliquer une tension VD de
6 V pour avoir les points de polarisation de la courbe de la figure 3.8.b: la tension VDS0 du
transistor T2 suit systématiquement la tension VGS0 du transistor T1.

D'autres schémas de polarisation existent tels que la polarisation par miroir de courant plus
spécialement adaptée aux transistors bipolaires. Une version de ce schéma existe d'ailleurs
pour des transistors à effet de champ.

En résumé : D’une manière générale, ce sont plutôt des résistances (figure 3.2) qui seront
utilisées pour polariser les grilles des FET et les bases des transistors bipolaires. Pour les
drains des FET ou les collecteurs des transistors bipolaires, il sera recherché autant que
possible le circuit de la figure 3.6 pour les circuits en-dessous de 20 GHz. Au-delà de 20 GHz,
le choix se portera sur des polarisations à travers un quart d’onde et une capacité de
découplage (figure 3.3) et deux quarts d’onde avec une ligne radiale pour la ligne ouverte au-
delà de 30 GHz.
Mais tous les autres circuits ci-dessus sont susceptibles d’être utilisés en fonction de
conditions particulières. Par exemple, la terminaison résistive de 50 ohms des lignes de grille
et de drain des amplificateurs distribués admet tout à fait la présence d’une inductance de
choc en parallèle avec cette résistance pour polariser les drains ou les collecteurs des
transistors.

69
 VDS0
VGS0 CD
CD

LC
LC

CL
CL

Figure 3.1 Circuits de polarisation d’un transistor à effet de champ

VDS0
VGS0 CD
CD

R
R

CL
CL

Figure 3.2 Circuits de polarisation avec des résistances

CL
CL

VDS0
VGS0

CD λ/4 CD
λ/4

Figure 3.3 Polarisation à travers des lignes quarts d’onde

70
 CL
CL

VDS0
VGS0

λ/4 λ/4

λ/4 λ/4

Figure 3.4 Polarisation à travers un double quart d’onde

α
R1
h

R2

Figure 3.5 Ligne radiale

71
 C2
C1

L1 L2
a

C2
C1

L1 L2
VGS0 VDS0 b
CD CD

Figure 3.6 Polarisation à travers des éléments d’adaptation en microondes (a) du transistor
en ajoutant des capacités de découplage (b)

VD0
T2
VDS2

CL CL
T1
VDS1 a

ID
G0
GDS2
VGS01 = 0V

VD
VDS1 VDS2
VD0

Figure 3.7 Polarisation par charge active. Schéma (a) et courants et charges
présentées au transistor T1

72
 T3 VD
R
T2
R1 VDS2

CL
CL a
R2 T1
VDS1
VG

ID
G0
T2 GDS2
T1
VGS01 = 0V

VGS02 = - 0,5 V

VGS03

VGS04 b

VD
VDS1 VDS2
VD0

Figure 3.8 Polarisation par charge active avec possibilité de changer

la tension VGS0 du transistor T1

73
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75