ALTAVOCES

1- Descripción del objeto como operador

Bien podemos describir a los altavoces como un sistema de audio

el cual nos puede emitir el sonido a distancia a través de cualquier
Receptor o reproductor de sonido (radio, televisión, computador, mp3,
dvd, discman, walkman etc.) este objeto convierte las señales eléctricas
amplificadas en sonidos, también podemos decir que este objeto
Es parte de casi cualquier artículo tecnológico actual.

Los altavoces son objetos que utilizan energía eléctrica para transformarla en
Energía Sonora o Ondas de sonido, estos objetos manipulan la fuerza de la
energía eléctrica a través de una interacción magnética la cual permite que las
fluctuaciones de energía eléctrica en el objeto puedan actuar a través de una
bobina de fonia y esta a su vez utilice el aire a su alrededor para transformarlo
en sonido, este objeto utiliza Un magneto altamente cargado para realizar su
función y su diferencia de fuerzas eléctricas.

En este caso el Altavoz es un objeto de orden superior, ya que esta diseñado

por varias partes que lo conforman como un conjunto y que es un objeto que
puede desarmarse con facilidad para saber que hay en su interior y que es lo
que lo hace convertir la señal voltaica (Voltaje) en sonido.
Tambien podemos decir que este objeto pertenece en casi todos los casos a
un elemento de superior, estos serian todos aquellos objetos que capten,
reproduzcan, emitan y reciban el sonido en sus diferentes clases como las
ondas de sonido, o la reproducción de un disco, CD, casete o mp3; También
los dispositivos que emiten sonidos, los cuales tienen grabados en el mismo
dispositivo un Ejemplo de esto seria que los altavoces pertenecen a sistemas
de orden superior como:
- Equipos de Sonido, Mini componentes y Radios
- Televisores, Computadores etc.
Todos estos elementos trabajan con altavoces para reproducir el sonido que
necesitan emitir estos dispositivos, Estos elementos a su vez lo hacen a través
de:
- Baffles, Amplificadores, Tweeters, Woofers, Sistemas de alta fidelidad, etc.

La mayoría de los objetos y/o Sistemas de Orden superior en la Investigación,

trabajan con altavoces cabria solamente decir que el único elemento que se le
parece un poco y utiliza algún tipo de energía seria los receptores telefónicos
y sus bocinas

Según se comprende los altavoces utilizan un sistema de voltaje de señal el

cual alimenta a la bobina fonia la cual va rígidamente a un cono del altavoz el
cual vibra con el movimiento de bobina, este se produce de modo que el flujo
de energía que tiene la señal de audio (ósea una señal eléctrica que se
convertirá en sonido) varia y la interacción magnética entre el campo fijo del
imán permanente y la variación del flujo debido a la señal de audio que se
produce a través de la bobina de fonia, este fenómeno utiliza la vibración de
cono para atraer el aire a su alrededor comprimiéndolo y circulándolo en el
interior del altavoz, luego este aire comprimido dentro hace retroceder la
bobina y luego se difunde, los cambios de presión que se realizaron producen
ondas de sonido, y finalmente estas ondas de sonido son aquellas que nuestro
oído puede escuchar y reconocer como Sonido real

2- Descripción anatómica del objeto

Este es el esquema de un altavoz convencional

.
El altavoz de cúpula funciona básicamente igual que el de cono, pero en éste
la superficie radiante no es un cono, es una cúpula.

Otro fenómeno es la compresión de la potencia. A grandes potencias, el

calentamiento implica que la resistencia aumenta, y por si fuera poco grave la
disminución en la eficiencia (entre 3 y 10dBs), el consumo es menor.
(Volt Loudspeakers, en la fotografía), y un sistema semejante que aprovecha el
propio movimiento del altavoz para bombear aire en la bobina de voz

Lista de pieza de un altavoz (en forma numerada)

1 * Chasis o Marco

2 * Entrehierro

3 * Pieza Polar

4 * Iman

5 * Suspencion

6 * Guarda Polvos o Cubierta Antipolvo

7 * Bobina de Fonia o de Voz

8 * Cono o Diafragma

9 * Araña o Centrador

10 * Cupula

3- Análisis Funcional

Los altavoces son sistemas que reciben Voltaje de señal por medio de la salida
del amplificador de potencia, este alimenta a la bobina de fonia, la cual crea
un flujo que varia según la señal de audio.
La interacción magnética entre el campo fijo permanente del Imán y el campo
variable que crea la bobina de fonia (dependiendo claro del voltaje aplicado
que mande el Amplificador de potencia.) hace que ella gire en sentido axial con
respecto al brazo central de la estructura magnética. Puesto que la bobina va
fija rígidamente al cono y cuando la bobina se mueve provoca una vibración
del cono del altavoz. Cuando la bobina se desplaza hacia delante, se
comprime el aire que se encuentra en frente de su superficie (ósea del cono).
Luego cuando la bobina retrocede el aire que se encontraba comprimido en
esa zona se difunde. Estos cambios de presión producen las ondas de sonido.
Para permitir el movimiento libre del cono su extremo exterior se fija al marco,
mediante una suspensión flexible. En el extremo interno se utiliza una araña
para mantener la bobina de fonia (o bobina de voz) centrada en el interior del
espacio del aire. Esa araña debe ser suficientemente flexible para permitir el
desplazamiento completo del cono y la bobina de fonia.

4- Análisis técnico y constructivo

Bobina de Fonia o de voz: Esta pieza es fundamental en el altavoz y esta

construida varias espiras de hilote cobre o de aluminio centradas con respecto
a una pieza polar, ósea que esta pieza puede ser construida con dos
materiales del tipo de los metales, la razón es porque debe tener un material
superconductor que la cargue de la energía eléctrica que se emite desde el
amplificador, y el hilo metálico debe embobinar la pieza polar que lleva la carga
de energía, por esa razón es que esta pieza debe ser de estos materiales y
debe llevar esa forma.

Araña: esta pieza esta diseñada para centrar la bobina de fonia, pero también
veremos que esta construida con un material flexible para permitir que la
bobina y el cono se desplacen, su forma definitivamente debe ser así ya que la
pieza es la que permite el desplazamiento y el centrado de la bobina.

Cono: Esta pieza en forma cónica es la que permite la vibración y entrada del
aire y la difusión de las ondas sonoras luego de pasar por el interior del
altavoz, esta pieza esta hecha de un material resistente a la vibracion el cual
no halle en la investigación pero parece ser una aleación de un tipo de plastico
compuesto con una hoja como si fuera carton u otro tipo de papel gruesoesta
union crea un material resistente y flexible tambien son hechos otros con
distintos materiales como telas, sinteticos etc. Su material debe vibrar para
difundir el sonido.

Imán: El Imán es la pieza que crea el fenómeno de la interacción magnética y

este tiene energia electromagnetica muy cargada, también lleva esa forma
circular para poder hacer que la bobina gire alrededor de la estructura o brazo,
ósea que esta pieza debe ser de esa forma definitivamente por que solo así
podría generarse el giro de la bobina.

Marco o estructura: Esta pieza es en la cual van todas las demás piezas, en su
interior claro esta, la estructura es como la caja donde están todas las piezas
encajadas y la que de acuerdo a su tamaño y forma decide el tipo de
sonido(sea Grave o Agudo) esto incluye tambien a los sistemas de Columnas y
Baffles que dependen mucho del tamaño y la entrada y difuncion del aire.

Chasis: Esta es la pieza que mantiene la estructura del cono para que esta no
se dañe a la larga con tantas vibraciones y a su vez da la horma a la estructura
cónica del altavoz.
Pieza polar: La pieza polar es la que mantiene las cargas de energía (positivas
y negativas) que se emiten desde el amplificador de potencia, esta pieza es
clave, ya que esta embobinada y es la que comprime el aire cuanto se crean
las fluctuaciones de energía.

Guarda polvos: Esta pieza sirve para proteger e impedir el paso del polvo
hacia la bobina de voz y depende de ella que el sonido no se vea afectado por
la entrada de impurezas para que de esta forma el sonido sea claro y fuerte.

Suspensión: Esta pieza mantiene una vibración adecuada en el cono para que
no se pierda la vibración que comúnmente se perdía antes cuando los
altavoces se conectaban directamente del cono al chasis.

Entrehierro: Esta pieza es la que mantiene el equilibrio de la bobina de fonia o

de voz, los entrehierros son los que mantienen una estabilidad y crean espacio
recto para que la araña y la bobina mantengan la comprensión del aire de una
manera exacta y asi el sonido pueda ser perfecto.

5- Análisis Sistemático

El altavoz es un objeto que pertenece a varios conjuntos como lo son los

Radios, los Equipos de Sonido, Mini componentes, Televisores,
Computadores, Walkman, Discman, etc.
Esto es porque la función de los altavoces es la de reproducir el sonido que
proviene de señales eléctricas, y este invento es utilizado en casi todos los
conjuntos que crea, reproducen o captan el sonido y sus ondas

Los altavoces pueden instalarse de las siguientes maneras:

 A través de cableado el los radios y equipos de sonido

 Conectando por medio de las distintas entradas de audio, ya sea en los

equipos, televisores computadores etc.

 Conexión a través del sistema de auriculares que tienen los Walkman,

Discman, y demás dispositivos que cuentan con esta adaptación

 Por medio de la conexión de ultima generación USB la cual puede

trasferir imagen, sonido, y demás señales

En el sistema esta impuesta la magnitud con la cual puede sonar un Baffle, un

Altavoz, un Woofer, Un Tweeter etc. Pues estos vienen en distintas
capacidades y por lo tanto no todos tiene la misma intensidad de sonido, los
Valores mas normales son los baffles y los altavoces de 100w, 200w, 300w,
500w, 1000w, y como maximo 1500w en el sistema estandar actual del watiaje
(w) los cuales cada dia se acrecentan en todos lados, los sistemas de alta
fidelidad Hi- Fi (High Fidelity) son los aceptados por la gente debido a su
resistencia y durabilidad, estos sistemas tambien dependen de otras
adaptaciones como lo son los Tweeter, y los sistemas Wooffer y Sub Wooffer,
los cuales se encargan de dos variantes generales del sonido, las cuales son
los Bajos y los Agudos.

Los sistemas de Tweeter pueden reproducir mas fácilmente los sonidos

agudos que los altavoces comunes como lo son los altavoces dinamicos, los
altavoces dobles y los de Cupula, debido a su pequeña entrada y salida de aire
que le permite a los tweeter reproducir los sonidos agudos con mas facilidad y
claridad que los otros sistemas dinamicos

Los Sistemas Wooffer y Sub Wooffer son aquellos que mantienen la

reproducción de sonidos mas bajos y graves debido a sus bobinas especiales
y sus sistemas de comprensión de aire independiente, los cuales permiten que
estos sistemas sean capaces de reproducir un sonido grave y muy bajo, estos
sistemas son muy aceptados el la actulidad.

6- Análisis Histórico

Los altavoces fueron creados por Chester Rice y E. W. Kellogg en el año de

1925 donde se estableció una pauta para seguir trabajando en este campo. En
1931, Frederick de Bell Telephones Laboratories, presento un sistema de dos
vías o margen dividido. Después, Hilliard, Lansing, Shearer y Stephens
hicieron valiosas contribuciones en esta nueva rama con modificaciones a los
altavoces y de esta forma crearon teorías en varios libros como Ge Counid
Teoría.

El altavoz nació para suplir o llenar una necesidad la cual era el escuchar una
persona a distancia pero que las ondas de sonido no variaran y que de esta
forma el sonido fuera claro y fuerte para poder saber a quien se escuchaba en
vez de un ruido distorsionado de la voz de alguien conocido, de esta forma es
como los altavoces llegaron para suplir una necesidad que se tenia desde la
invencion del telefono.
 EL DIODO

1- Analisis Goblal

El diodo es un dispositivo electrónico unidireccional en el cual la corriente fluye

fácilmente en una dirección pero no hay corriente apreciable en dirección
contraria. se forma un diodo cuando se une una pieza de semiconductor tipo n
y una pieza de semiconductor tipo p '' un material del tipo p es un elemento del
grupo IV impurificado con una pequeña cantidad de material del tipo V, el
material del tipo n es un elemento base del grupo IV impurificado con un
material del grupo III ), en los procesos de fabricación se forma un cristal
semiconductor con la mitad de dicho cristal, contaminada con impurezas
aceptoras y la otra mitad contaminada con impurezas donadoras. También se
construyen otros tipos de diodos, que consisten en un emisor de electrones
(cátodo) y un colector (placa), ya sea al vació o en una atmósfera gaseosa
controlada.

Los diodos se usan en un gran número de aplicaciones electrónicas tales

como convertir ca en cd, detectar señales de radio, usar la lógica de una
computadora y otras funciones útiles.

EL DIODO COMO ELEMENTO RECTIFICADOR

el diodo es un dispositivo semiconductor que tiene dos terminales llamadas

ánodo(tipo p) y cátodo (tipo n), el diodo tiene la capacidad de dejar pasar
corriente cuando el voltaje terminal es no negativo ( ), se dice que el diodo
tiene polarizacion directa o esta encendido, la corriente positiva que fluye (
) se llama corriente directa, cuando ( ) se dice que el diodo esta en
polarizacion inversa o apagado y la corriente negativa pequeña
correspondiente recibe el nombre de corriente inversa.

POLARIZACION DIRECTA

en la figura el diodo esta conectado con polarizacion directa, y la corriente

circula a través de l diodo, la dirección de la corriente convencional es en el
sentido de la flecha, las cargas iguales se repelen en circuitos eléctricos y por
lo tanto el terminal negativo de la batería repelerá los portadores de carga
negativas en el material tipo n, y ellos se mueven a través de la barrera hacia
el terminal positivo de la batería y también se mueven a través de la barrera si
la tensión de la batería en menor que la tensión de la barrera, a través de la
juntura pasaran muy pocos portadores electrizados.
POLARIZACION INVERSA

Si se invierte la batería como se muestra en la figura el diodo esta

inversamente polarizado. El terminal negativo de la batería esta conectado al
material tipo p, que tiene los portadores positivos (estos huecos o portadores)
serán atraídos hacia el Terminal negativo de la batería alejándolo de la
barrera. De manera similar, el terminal positivo de la batería atraerá los
electrones negativos alejándolos de la barrera.
A cada lado de la barrera se produce una región de rarefacción muy grande
que no tiene portadores para que la corriente pueda fluir en cualquier circuito
deben haber presentes portadores electrizados y el diodo entonces actuara
como un resistor con resistencia de muy alto valor.

CARACTERSISTICAS DEL DIODO

El uso de la función de probabilidad de Fermi- Dirac para predecir cambios en

la neutralización permite obtener la ecuación estática (sin variación en el
tiempo) para la corriente del diodo de unión:

Donde Vt=kT/q, V

Vd= voltaje entre las terminales del diodo, V

Io= corriente de saturación de temperatura dependiente, A
T= temperatura absoluta de unión p.n, K
K= constante de Boltzman (138. x 10 J/K)
q= carga del electrón (1.6 x 10 C)
n= constante empírica, 1 para Ge y 2 para Si.

Ejemplo: encuentre el valor de Vt a 20 C, recordando que el valor de cero

absoluto es -273c, escribimos

2- Descripcion Anatomica del Objeto

(Esta descripcion se presentara en los dibujos y presentaciones en las

siguientes paginas)
3- Analisis Funcional

EL DIODO COMO RECTIFICADOR

Un uso muy importante de los diodos semiconductores consiste en cambiar CA

en CC, mediante el uso de los circuitos RECTIFICADORES.
Los circuitos rectificadores son redes de dos puertos en las que se aprovecha
la conducción unilateral del diodo: un voltaje de CA se aplica en el puerto de
entrada y aparece un voltaje de CD en el puerto de salida. El circuito
rectificador más simple, contiene un diodo sencillo y se le llama comúnmente
rectificador de media onda debido a que el diodo conduce durante las mitades
positiva o negativa de la forma e onda del voltaje de entrada.

Durante el primer semiciclo de la tensión sinusoidal de entrada, la polaridad

del generador es positiva en la parte superior del símbolo del generador. esto
significa que el ánodo del diodo esta conectado al terminal positivo de la
fuente de tensión de CA, y que tiene polarizacion directa, el diodo actúa como
un cortocircuito, y la fuente de tensión esta conectada directamente al resistor
de carga RL. A través del resistor de carga aparece la forma de onda completa
de la tensión de entrada, tal como la muestra el osciloscopio. Esto significa que
una corriente sinusoidal circula por el resistor de carga.

Durante el siguiente semiciclo la polaridad del generador cambia, como se

muestra en la figura, la polaridad negativa esta en el terminal superior, y el
diodo tiene el terminal negativo conectado a su ánodo. La polaridad negativa
polariza inversamente al diodo, y este actúa como un circuito abierto, como se
muestra en la figura

La corriente es cero, y no puede aparecer tensión a través del resistor de

carga. El osciloscopio mostrara un espacio cuando la tensión sea cero como
se muestra en la forma de onda vout de la figura.

La tensión de entrada del rectificador posee la forma de onda sinusoidal

repetitiva mostrada en la figura. Durante los semiciclos positivos, el diodo tiene
polarizacion Directa y esta activado (ON). Durante los semiciclos negativos, el
diodo tiene polarizacion inversa y esta desactivado (OFF).

El diodo es primero activado (ON) y luego desactivado (OFF), y luego repite

este ciclo como un interruptor que es activado y desactivado ciclo tras ciclo. La
salida exhibida por el osciloscopio es una serie de pulsos, como se muestra en
la figura. Si el diodo es ideal, la tensión pico VP de la forma de onda de salida
tiene el mismo valor pico de tensión que la onda sinusoidal de entrada.
CIRCUITOS RECTIFICADORES DE ONDA COMPLETA

En el circuito rectificador de media onda se elimina la parte negativa de la

señal de CA, el circuito rectificador de onda completa se usa generalmente
para obtener potencia de CD en una línea de CA, los amplificadores
electrónicos requieren de este tipo de fuentes alimentadoras.

Supóngase que el diodo tiene una resistencia directa muy baja y una
resistencia inversa muy alta. También supóngase que en el tiempo T= 0 la
terminal 1 del transformador T1 está a un potencial positivo máximo. Como el
diodo D2 tiene un voltaje inverso circula muy poca corriente por la Terminal 3
del transformador. Es más, como esta corriente inversa es tan pequeña, se
puede pasar por alto sin que con esto se cometa algún error. Una corriente
circulara a través del diodo D1 debido a que la terminal 1 es positiva con
respecto a la tierra. Esta corriente cargara al capacitor C como se muestra en
la figura (curva de A y B) y también provocara una circulación de corriente a
través de RL. Si se ignora la resistencia directa del diodo y la resistencia del
transformador, el capacitor se cargara al valor pico del voltaje que existe a .
través de la mitad del secundario del transformador. Después de que pasa el
valor pico del voltaje, este comienza a decrecer como se muestra en la línea
punteada BC tan pronto como el voltaje en el punto 1 sea menor que la carga
del capacitor (tiempo T1), el diodo D1 se polariza inversamente y se comporta
como un circuito abierto, entonces el capacitor comienza a descargarse a
través de RL. En el punto C de la figura el voltaje en el punto 1 se vuelve cero,
por lo tanto, el voltaje en el punto 1 se convierte en negativo y el voltaje en el
punto 3 se convierte en positivo como se muestra en la curva CDEF de la
figura, en t2, el voltaje en el punto 3 es igual al voltaje ene el capacitor.
Después del tiempo t2 y por medio del diodo D2 el capacitor se carga al valor
pico del voltaje en el secundario del transformador (punto E) en dicho punto el
ciclo se repite.
Puede hacerse un análisis del rectificador de onda completa con un capacitor
como filtro.
3.

EFECTOS DE LA TEMPERATURA Y DEL MATERIAL SEMICONDUCTOR

SOBRE LA CURVA CARACTERISTICA

La corriente del diodo depende de la temperatura, cuyo valor aparece en el

denominador del exponente. Sin embargo la variación de la a corriente de
saturación, debida a la temperatura es mayor que la variación del termino
exponencial. Anteriormente se dijo que la corriente de saturación es
proporcional al numero de portadores minoritarios que cruzan la unión p-n y
estos son proporcionales a la densidad de portadores minoritarios en el
material considerado usando la relación pn=ni

Dicha derivación es valida tanto para materiales intrínsecos como extrínsecos

(tipo p o n) la ec 3,19 muestra que la corriente de saturación del Germanio,
(cerca de 300 K) se incrementa aproximadamente 10 % de cada grado k,
aunque la relación disminuya en la medida en que la temperatura aumenta,
por lo tanto, la corriente de saturación casi se duplica para cada incremento
de 10 k en la temperatura. La ec 3,20 muestra que la corriente de saturación
del Silicio se incrementa para cada 6 k, sin embargo, la corriente de
saturación de un diodo de Silicio es generalmente más pequeña que la
corriente de fuga. La componente de saturación es la componente sensible a
la temperatura de la corriente inversa. En consecuencia, la corriente inversa
de un diodo real de silicio no se duplicara si la temperatura no aumenta un
mínimo de 10 k. recordemos que el Germanio intrínseco tiene mayor
concentración de portadores de carga que el Silicio intrínseco. Ya que los
exportadores minoritarios son proporcionales al cuadrado de los portadores
intrínsecos (EC 3,14, 3,13) el silicio tiene una concentración menor de
portadores minoritarios que el germanio. De manera que Ia ce es más grande
en los diodos de germanio que en los de silicio debido a esto, alrededor de los
100°c el germanio comienza a no ser útil como material para diodos, por el
contrario el Silicio comienza a degradarse hasta que alcanzan temperaturas de
200°c o más, y el Arseniuro de Galio puede usarse para temperaturas de
hasta de 500°c.
4.
ANALISIS TECNICO Y CONSTRUCTIVO

LA UNION P-N

En la figura se ilustra el mecanismo básico de la unión P-N. Consideren dos

piezas semiconductoras (una de material tipo N y la otra de material tipo P
como se muestra en la figura el material tipo P tiene cierta densidad (Na) de
átomos aceptores de valencia +3. dichos átomos se representan en el
diagrama por medio de signos negativos encerrados en un circulo. Además,
esos átomos están fijos en una posición determinada en la estructura
cristalina. Por cada átomo aceptor existe hueco libre que se representa en el
diagrama con un signo positivo naturalmente, varios de estos átomos
intrínsecos han perdido electrones debido a la agitación térmica. Estos
electrones térmicos y los huecos que producen, esta representados dentro del
cuadrado, por el signo positivo y el signo negativo respectivamente por su
puesto los portadores generados térmicamente son indistinguibles de los
portadores producidos por contaminación. Por lo tanto la densidad total de
portadores mayoritarios (Pp) es igual a la densidad de átomos aceptores (Na)
mas la densidad de los huecos producidos térmicamente (P i) por lo ya
expuesto se establece Na >Pi,Pp—Na. La densidad de portadores minoritarios
(Np) se debe a los electrones generados térmicamente Np< Ni.

El material tipo n tiene una densidad (Nd) de átomos donadores de valencia

+5. estos átomos donadores( fijos en la red cristalina) los cuales se muestran
en el diagrama por medio de signos positivos encerrados en un circulo. Los
electrones libre s correspondientes se representan por medio de signos
negativos. Una vez mas los electrones huecos generados térmicamente, se
muestran por medio de los signos negativos y positivos que se encuentran en
el cuadrado. En el material tipo n la densidad de portadores mayoristas (N n)
es igual a ( Nd +Ni) . Sin embargo, ya que Nd>Ni, Nn—Nd. Todos los portadores
del tipo p (minoritarios) son portadores generados térmicamente. De la ec
2,19 se advierte que Pn<Pi Si Nd>Pi. Por supuesto, las dos piezas de cristal
son eléctricamente neutras. Cuando se unen los cristales tipo n con los tipo p
y, considerando que su estructura cristalina es continua ocurre una
redistribución de carga como se muestra en la fig. 3,1b. algunos de los
electrones libres del material tipo n cruzan la unión y se combinan con los
huecos libres del material tipo p. de manera semejante, los huecos libres del
material tipo p cruzan la unión y se combinan con los electrones libres del
material tipo n por lo tanto y como resultado de esta redistribución, el material
tipo p adquiere una negativa neta y el material tipo n adquiere una carga
positiva neta tal como se muestra en la fig. 3,1c. 2 esta carga eléctrica
produce un campo eléctrico y una diferencia de potencial entre los dos tipos de
material, como muestra la figura.
En el proceso de fabricación de los diodos, no se utiliza la técnica de unión,
sino que generalmente se utiliza la técnica de contaminación selectiva en un
cristal continuo.
El proceso por medio del cual las cargas cruzan la unión, se conoce como
PROPAGACIÓN. Este proceso se representa mejor si únicamente se toman en
cuenta los electrones del material tipo n. Cuando se unen los dos pedazos de
material, existe una concentración de electrones libres en el material tipo n,
pero no en el material tipo p. El movimiento aleatorio delos electrones permitirá
que algunos de ellos pasen de la región n a la región p, debido a que hay
menos electrones en la región p que en la región n, pocos de ellos tenderán a
pasar de la región p a la región n, si no existen otras fuerzas, el proceso de
propagación continuará hasta que la concentración de electrones sea uniforme
a lo largo de todo el material.
Este proceso es igual al que ocurre cuando se unen dos recipientes que
contienen gases diferentes, finalmente los dos recipientes contendrán una
mezcla uniforme de ambos gases.

 En los diodos que se encuentran en el mercado, la impurificación

apropiada (adición de impurezas) del material base produce las
diferentes características estáticas para cada diodo. En la figura se ve
una comparación de las características del diodo de Silicio (Si) y para el
diodo de Germanio (Ge). Si –VR< v D< -0.1V, ambos tipos de diodos
muestran una corriente inversa casi constante IR. En general, 1uA
<IR<500uA para Ge, mientras que 10 a la -3 uA<IR<1 uA para Si en el
caso de los diodos de nivel de señal ( especificaciones de corriente
directa menores que 1A ) en un diodo con polarización directa, el voltaje
de conducción para entrar a la región de resistencia baja está entre 0,2
y 0,3V para Ge y entre 0,6 y 0,7 V para Si.

En ambos diodos Ge y Si, la corriente de saturación I0 se duplica con un

incremento de temperatura de 10 *C, matemáticamente la razón de la
corriente de saturación en la temperatura T2 a la temperatura T1 es:

(Io)2
= 2 (T2- T1)/10
(Io)1
CIRCUITOS RECTIFICADORES DE ONDA COMPLETA

En el circuito rectificador de media onda se elimina la parte negativa de la

señal De CA, el circuito rectificador de onda completa se usa generalmente
para obtener potencia de CD en una línea de CA, los amplificadores
electrónicos requieren de este tipo de fuentes alimentadoras.

Supóngase que el diodo tiene una resistencia directa muy baja y una
resistencia inversa muy alta. También supóngase que en el tiempo T= 0 la
terminal 1 del transformador T1 esta a un potencial positivo máximo. Como el
diodo D2 tiene un voltaje inverso circula muy poca corriente por la Terminal 3
del transformador. Es más, como esta corriente inversa es tan pequeña, se
puede pasar por alto sin que con esto se cometa algún error. Una corriente
circulara a través del diodo D1 debido a que la terminal 1 es positiva con
respecto a la tierra. Esta corriente cargara al capacitor C como se muestra en
la figura (curva de A y B) y también provocara una circulación de corriente a
través de RL. Si se ignoran la resistencia directa del diodo y la resistencia del
transformador, el capacitor se cargará al valor pico del voltaje que existe a
través de la mitad del secundario del transformador. Después de que pasa el
valor pico del voltaje, este comienza a decrecer como lo muestra la línea
punteada BC en la figura. Tan pronto como el voltaje en el punto 1 sea menor
que la carga del capacitor ( tiempo T 1, de la fig), el diodo D1 se polariza
inversamente y se comporta como un circuito abierto. Entonces el capacitor
comienza a descargarse a través de RL. En el punto C de la figura. El voltaje
en el punto 1( fig ), se vuelve cero. Por lo tanto, el voltaje en el punto 1 se
convierte en negativo y el voltaje en el punto 3 se convierte en positivo como
muestra la curva CDEF de la figura. En T2, el voltaje en el punto 3 (fig ), es
igual al voltaje en el capacitor. Después del tiempo T 2 y por medio del diodo
D2 el capacitor se carga al valor pico del voltaje en el secundario del
transformador (punto E de la figura) en dicho pinto el ciclo se repite.
5- Análisis Sistemático

Sus aplicaciones van desde elementos indispensables en fuentes de

alimentación como en televisión, aparatos de rayos x y microscopios
electrónicos donde deben rectificar tensiones altísimas.
En fuentes de alimentación se utilizan los diodos formando configuración en
puente (con 4 diodos en sistemas monofásicos) o utilizando los puentes
integrados que a tal efecto se fabrican y que simplifican en gran medida el
proceso de diseño de una placa de circuito impreso.
Los distintos encapsulados de estos diodos dependen del nivel de potencia
que tenga de disipar, hasta 1W se emplean encapsulados de plásticos, por
encima de este valor se utilizan encapsulados metálicos y de potencias mas
elevadas es necesario que el encapsulado tenga previsto a este una rosca
para fijar un radiador y así disipar el calor producido por las altas corrientes.

El diodo rectificador también puede ser usado como elemento de protección

ya que la desactivación de un relé provoca una corriente de descarga de la
bobina en sentido inverso que pone en peligro el elemento electrónico utilizado
para su activación, un diodo polarizado inversamente cortocircuita dicha
corriente y elimina el problema.

PARÁMETROS DE UN DIODO RECTIFCADOR

 VF: caída de tensión directa. Se trata de la caída de tensión directa en

bornes del diodo cuando este se encuentra en estado de conducción, y
que tiene unos valores típicos de 0,7 v para los diodos de Silicio(Si) y
0,2 v para los de Germanio (Ge)
 VR: tensión inversa máxima del diodo.
 VRM: tensión inversa de pico. Valor de cresta de la tensión alterna en
sentido inverso para una frecuencia de trabajo, ya sea la excitación
sinusoidal o cuadrada.
 Io: intensidad rectificada. Es la medida aritmética de los valores de la
intensidad en el diodo.
 PSM: potencia no repetitiva máxima.
 IFM: intensidad máxima de pico en sentido de la conducción para una
frecuencia de funcionamiento sinusoidal o rectangular, si el factor de
forma es < 0,5.
 IF (Av.): corriente media directa
 IF (RMS): corriente eficaz directa.
 IFS: valor de la intensidad directa que puede circular durante una hora
como máximo. No se admite como valor de trabajo y su repetición
puede perjudicar las características permanentes.
 IFSM: corriente directa de pico no repetitivo.
INFORME DE ANALISIS DE OBJETOS Y/O SISTEMAS
TECNOLOGICOS
TBT

Centro de Electricidad y Automatización Industrial

CEAI

Por

Jhonatan Daraviña Ramírez

David Urrego
Ricardo Celis
 Servicio nacional de Aprendizaje SENA
Santiago de Cali 11 de Febrero de 2004
INFORME DE ANALISIS DE OBJETOS Y/O SISTEMAS
TECNOLOGICOS
TBT

Centro de Electricidad y Automatización Industrial

CEAI

Presentado por: Jhonatan Daraviña Ramírez

David Urrego
Ricardo Celis

En el Área de: TBT (Tecnología Básica Transversal)

A la Instructora: Julieth Jaramillo

 Servicio Nacional de Aprendizaje SENA
Santiago de Cali Febrero 11 de 2004

INTRODUCCIÓN

En este trabajo hemos investigado sobre distintos objetos y

sistemas tecnologicos desde el punto de vista inicial hasta saber
que hace, de que esta conformado, quien, cuando y porque se
invento, cual es su origen, a que se debe que tenga esas formas y
densidades, cuales son los fenómenos matematicos y tecnologicos
que aplican sobre el objeto; Estos y muchos mas son algunos de
los puntos que tratamos pero ademas de conocer los objetos que
veremos en este trabajo tambien conoceremos mas acerca de
estos dispositivos o sistemas y sus relacionados de tal modo que
no apropiamos del conocimiento para trabajarlo de una forma que
todos nuestros compañeros puedan entendernos y que ampliemos
y desarrollemos el conocimiento en conjunto del grupo, queda
tambien decir que este trabajo es parte de la formación completa
que se nos inculcara en el SENA y por lo tanto debemos dar,
estamos dando y daremos lo mejor de nosotros de ahora en
adelante como muestra del desarrollo personal e intelectual asi
como en este trabajo estamos dando conocimiento e investigación,
daremos una socializacion amena y practica para comprender y
despejar dudas explicando con Ejemplos el conocimiento adquirido
del tema. Asi que sin mas preámbulo damos paso a un trabajo serio
y concreto de nuestro grupo en representación de lo que es el
TGE-8 al lector favor disculpenos si hay errores de gramatica.
Gracias
 OBJETIVOS

• Destacar la información investigada, mostrándola de una manera

practica y explicándola en un modo fácil y activo.
• Demostrar que la investigación nos dio a conocer a fondo sobre estos y
mucho mas temas para así sobresalir y mostrar nuestro potencial como
Trabajadores – Alumnos.
• Tomar en cuenta la información para mostrar el apropiamiento del tema
y del conocer en si para enseñarlo a nuestros compañeros.
• Trabajar en proyectos que encontramos a lo largo de nuestra
investigación, aprovechando las horas de TBT y nuestros espacios
libres para realizar un trabajo constante en el área.
• Aprender de este trabajo y de la información que nos muestren nuestros
compañeros para así poder comprender mejor los distintos temas y
reconocer los objetos que investigaron ellos.
• Saber que somos capaces de desarrollar trabajos como este en forma
concisa, no solo para presentarlos en un aula sino también para
aprender de esto y no estancar nuestras mentes aquí, saber que hay
algo mas grande a nuestra espera y descubrirlo por medio del desarrollo
de nuevas tecnologías a través de nuestros conocimientos.
 CONCLUSIONES

Concluimos sobre este trabajo que es una de las primeras experiencias de

trabajo en el SENA y en el Aula Taller de TBT como un inicio de nuestro
entendimiento y un comienzo hacia lo que se convertirá en nuestro futuro,
teniendo en cuenta los distintos factores que atravesamos para llegar a este
punto, los contratiempos las metidas de pata y los errores que en general
nunca faltan pero siempre hay tiempo y oportunidad de enmendarlos si lo
queremos, como en cualquier trabajo en grupo cabe la pena destacar la
participación de mía y de mis compañeros en esta etapa de iniciación de
labores académicas, como en la investigación ardua de todos ellos y las
trasnochadas y el compañerismo que cada vez nos demuestra que aquí no
solo se forma un Trabajador, un Alumno, una persona integral sino que
también se esta creando un ser sociable y una amistad invaluable entre
muchos de nosotros, en esta noche de inspiración también queremos
agradecer a la instructora, quien nos demuestra día a día que debemos dar lo
mejor y si esta vez no es gran cosa o no resulta ser lo que se esperaba,
podemos decir que tendremos que mejorar y dar cada día mas para ser los
mejores. Así que concluimos que este trabajo es un inicio de nuestro futuro,
por lo tanto cada día tendremos que exigirnos mas para seguir adelante.
Muchas Gracias a todos

Jhonatan Daraviña Ramirez

David Urrego
Ricardo Celis
TGE – 8