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1 FICHA 14
TRANSISTORES BIPOLARES NPN I. CURVAS CARACTERÍSTICAS
AMPLIACIÓN

VBB VCC
El estudio detallado del funcionamiento del transistor es complicado porque,
en realidad, cada uno de sus parámetros está relacionado con todos los demás.
Esas relaciones son complejas y, además, varían según el modelo de transistor.
RC
Para describir las relaciones entre los parámetros de un modelo especifico
de transistor, los fabricantes ofrecen unas gráficas llamadas curvas características.
Nos servirán además para estudiar en detalle los modos de funcionamiento RB
del transistor.
Las curvas más utilizadas en la práctica son las siguientes:

Montaje EC de un transistor NPN.

CURVA CARACTERÍSTICA DE ENTRADA

IB Es la representación gráfica de IB en función de VBE, que son
los parámetros básicos del circuito de entrada.
Se obtiene anotando los valores de IB y VBE mientras se varía
el voltaje VBB y se mantiene constante VCE. Su aspecto
no varía con otros valores de VCE.
Su forma es exponencial: en un transistor de silicio, el valor
de IB aumenta rapidísimamente cuando VBE es ligeramente
superior a 0,7 V.

0,7 V VBE Curva característica de entrada para un transistor de silicio.

CURVA CARACTERÍSTICA DE SALIDA

IC (mA) Es la representación gráfica de IC en función de VCE
que son los parámetros básicos del circuito de salida.
IB = 250 μA
Se obtiene fijando el valor de VBB (y, por tanto, el de IB)
y anotando los valores de IC y VCE mientras variamos
IB = 150 μA el voltaje VCC.
20
IB = 100 μA
10
IB = 0 μA
Curvas características de salida
0,2 VCE (V) para distintos valores de I B.

CURVA CARACTERÍSTICA DE TRANSFERENCIA

IC (mA) Es la representación gráfica de IC en función de IB.
Se obtiene fijando el valor de VCE y anotando los valores
de IC e IB mientras variamos el voltaje VBB.
VCE = 10 V
Puede observarse una región lineal en cada curva.
VCE = 5 V
VCE = 1 V

Curvas características de salida

IB (μA) para distintos valores de I B.

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