Silizium-PIN-Fotodiode mit erhöhter Blauempfindlichkeit BPW 34 B

Silicon PIN Photodiode with Enhanced Blue Sensitivity

5.4
Cathode marking 4.9 Chip position
4.0 4.5

2.2
0.6
0.4

1.9
3.7 4.3
0.8
0.6

0.6
0.4

0.7
1.2

3.5
3.0
0.6 0.6
0.4 0.35 0.4
0.5
0.3 0.2
0.8
0.6 0 ... 5˚
5.08 mm
spacing
Photosensitive area
1.8
1.4

2.65 mm x 2.65 mm

feo06643
Approx. weight 0.1 g GEO06643

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified

Wesentliche Merkmale Features

● Speziell geeignet für Anwendungen im ● Especially suitable for applications from
Bereich von 350 nm bis 1100 nm 350 nm to 1100 nm
● Kurze Schaltzeit (typ. 25 ns) ● Short switching time (typ. 25 ns)
● DIL-Plastikbauform mit hoher ● DIL plastic package with high packing
Packungsdichte density
● SMT-Variante auf Anfrage ● SMT version on request

Anwendungen Applications
● Lichtschranken für Gleich- und ● Photointerrupters
Wechsellichtbetrieb im sichtbaren ● Industrial electronics
Lichtbereich ● For control and drive circuits
● Industrieelektronik
● “Messen/Steuern/Regeln”

Typ Bestellnummer
Type Ordering Code
BPW 34 B Q62702-P945

Semiconductor Group 1 1997-11-19

 BPW 34 B

Grenzwerte
Maximum Ratings

Bezeichnung Symbol Wert Einheit

Description Symbol Value Unit
Betriebs- und Lagertemperatur Top; Tstg – 40 ... + 85 °C
Operating and storage temperature range
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom TS 230 °C
Gehäuse entfernt bei Lötzeit t ≤ 3 s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (t ≤ 3 s)
Sperrspannung VR 32 V
Reverse voltage
Verlustleistung, TA = 25 °C Ptot 150 mW
Total power dissipation

Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K)

Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K)

Bezeichnung Symbol Wert Einheit

Description Symbol Value Unit
Fotoempfindlichkeit, VR = 5 V S 75 nA/Ix
Spectral sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit λS max 850 nm
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit λ 350 ... 1100 nm
S = 10 % von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of Smax
Bestrahlungsempfindliche Fläche A 7.45 mm2
Radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen L×B 2.73 × 2.73 mm × mm
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area L×W
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober- H 0.5 mm
fläche
Distance chip front to case surface
Halbwinkel ϕ ± 60 Grad
Half angle deg.
Dunkelstrom, VR = 10 V IR 2 (≤ 30) nA
Dark current

Semiconductor Group 2 1997-11-19

 BPW 34 B

Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K)

Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K) (cont’d)

Bezeichnung Symbol Wert Einheit

Description Symbol Value Unit
Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 400 nm Sλ 0.2 A/W
Spectral sensitivity
Quantenausbeute, λ = 400 nm η 0.62 Electrons
Quantum yield Photon
Leerlaufspannung, Ev = 1000 Ix VO 390 mV
Open-circuit voltage
Kurzschlußstrom ISC 7.4 (≥ 5.4) µA
Short-circuit current
Ee = 0.5 mW/cm2, λ = 400 nm
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes tr, tf 25 ns
Rise and fall time of the photocurrent
RL = 50 Ω; VR = 5 V; λ = 850 nm; Ip = 800 µA
Durchlaßspannung, IF = 100 mA, E = 0 VF 1.3 V
Forward voltage
Kapazität, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 C0 72 pF
Capacitance
Temperaturkoeffizient von VO TCV – 2.6 mV/K
Temperature coefficient of VO
Temperaturkoeffizient von ISC TCI 0.18 %/K
Temperature coefficient of ISC
Rauschäquivalente Strahlungsleistung NEP 1.3 × 10– 13 W
Noise equivalent power √Hz
VR = 10 V, λ = 400 nm
Nachweisgrenze, VR = 10 V, λ = 400 nm D* 2.1 × 1012 cm · √Hz
Detection limit W

Semiconductor Group 3 1997-11-19

 BPW 34 B

Relative spectral sensitivity Photocurrent IP = f (Ev), VR = 5 V Total power dissipation Ptot = f (TA)
Srel = f (λ) Open-circuit voltage VO = f (Ev)
OHF01001 OHF01066
100 10 3 10 4 160
OHF00958
µA mV
S rel % ΙP V Ptot
mW
140
80
10 2 10 3 120
VO
60 100

10 1 10 2 80
ΙP
40
60

10 0 10 1 40
20
20
-1 0
0 10 10 0
400 600 800 1000 nm 1200 10 0 10 1 10 2 10 3 lx 10 4 0 20 40 60 80 ˚C 100
λ EV TA

Dark current Capacitance Dark current

IR = f (VR), E = 0 C = f (VR), f = 1 MHz, E = 0 IR = f (TA), VR = 5 V, E = 0
OHF00080 OHF00081 OHF00082
4000 100 10 3

ΙR C pF Ι R nA
pA
80
3000 10 2
70

60

2000 50 10 1

40

30
1000 10 0
20

10

0 0 -2 10 -1
0 5 10 15 V 20 10 10 -1 10 0 10 1 V 10 2 0 20 40 60 80 ˚C 100
VR VR TA

Directional characteristics Srel = f (ϕ)

40 30 20 10 0 OHF01402
ϕ
1.0

50
0.8

60
0.6

70 0.4

80 0.2

0
90

100
1.0 0.8 0.6 0.4 0 20 40 60 80 100 120

Semiconductor Group 4 1997-11-19