Infineon FP20R06W1E3 DS v02 - 01 en - de

TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FP20R06W1E3
EasyPIM™ModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundNTC
EasyPIM™modulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandNTC
VorläufigeDaten/PreliminaryData
VCES = 600V
IC nom = 20A / ICRM = 40A
TypischeAnwendungen TypicalApplications
• Hilfsumrichter • AuxiliaryInverters
• Klimaanlagen • AirConditioning
• Motorantriebe • MotorDrives
ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures
• NiedrigeSchaltverluste • LowSwitchingLosses
• TrenchIGBT3 • TrenchIGBT3
• VCEsatmitpositivemTemperaturkoeffizienten • VCEsatwithpositiveTemperatureCoefficient
• NiedrigesVCEsat • LowVCEsat
MechanischeEigenschaften MechanicalFeatures
• Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen • Al2O3SubstratewithLowThermalResistance
Widerstand
• KompaktesDesign • Compactdesign
• Lötverbindungstechnik • SolderContactTechnology
• Robuste Montage durch integrierte • Rugged mounting due to integrated mounting
Befestigungsklammern clamps
ModuleLabelCode
BarcodeCode128 ContentoftheCode Digit
ModuleSerialNumber 1-5
ModuleMaterialNumber 6-11
ProductionOrderNumber 12-19
DMX-Code
Datecode(ProductionYear) 20-21
Datecode(ProductionWeek) 22-23
preparedby:DK dateofpublication:2013-10-03
approvedby:MB revision:2.1 ULapproved(E83335)
1
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Tvj = 25°C VCES 600 V
Collector-emittervoltage
Kollektor-Dauergleichstrom TC = 80°C, Tvj max = 175°C IC nom 20 A

ContinuousDCcollectorcurrent TC = 25°C, Tvj max = 175°C IC 27 A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
tP = 1 ms ICRM 40 A
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gesamt-Verlustleistung
TC = 25°C, Tvj max = 175 Ptot 94,0 W
Totalpowerdissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
VGES +/-20 V
Gate-emitterpeakvoltage
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung IC = 20 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C 1,55 2,00 V
Collector-emittersaturationvoltage IC = 20 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C VCE sat 1,70 V
IC = 20 A, VGE = 15 V Tvj = 150°C 1,80 V
Gate-Schwellenspannung
IC = 0,30 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 4,9 5,8 6,5 V
Gatethresholdvoltage
Gateladung
VGE = -15 V ... +15 V QG 0,20 µC
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω
Internalgateresistor
Eingangskapazität
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 1,10 nF
Inputcapacitance
Rückwirkungskapazität
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,034 nF
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
VCE = 600 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 nA
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast IC = 20 A, VCE = 300 V Tvj = 25°C 0,02 µs
td on
Turn-ondelaytime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C 0,02 µs
RGon = 18 Ω Tvj = 150°C 0,02 µs
Anstiegszeit,induktiveLast IC = 20 A, VCE = 300 V Tvj = 25°C 0,013 µs
tr
Risetime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C 0,016 µs
RGon = 18 Ω Tvj = 150°C 0,017 µs
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast IC = 20 A, VCE = 300 V Tvj = 25°C 0,12 µs
td off
Turn-offdelaytime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C 0,14 µs
RGoff = 18 Ω Tvj = 150°C 0,15 µs
Fallzeit,induktiveLast IC = 20 A, VCE = 300 V Tvj = 25°C 0,07 µs
tf
Falltime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C 0,095 µs
RGoff = 18 Ω Tvj = 150°C 0,10 µs
EinschaltverlustenergieproPuls IC = 20 A, VCE = 300 V, LS = 50 nH Tvj = 25°C 0,32 mJ
Turn-onenergylossperpulse VGE = ±15 V, di/dt = 1800 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C Eon 0,44 mJ
RGon = 18 Ω Tvj = 150°C 0,49 mJ
AbschaltverlustenergieproPuls IC = 20 A, VCE = 300 V, LS = 50 nH Tvj = 25°C 0,44 mJ
Turn-offenergylossperpulse VGE = ±15 V, du/dt = 4100 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C Eoff 0,56 mJ
RGoff = 18 Ω Tvj = 150°C 0,59 mJ
Kurzschlußverhalten VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V tP ≤ 8 µs, Tvj = 25°C 140 A
ISC
SCdata VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt tP ≤ 6 µs, Tvj = 150°C 100 A
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
proIGBT/perIGBT RthJC 1,45 1,60 K/W
Thermalresistance,junctiontocase
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
RthCH 1,25 K/W
Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Tvj op -40 150 °C
Temperatureunderswitchingconditions
approvedby:MB revision:2.1
2
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
PeriodischeSpitzensperrspannung
Tvj = 25°C VRRM 600 V
Repetitivepeakreversevoltage
Dauergleichstrom
IF 20 A
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
tP = 1 ms IFRM 40 A
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C 49,0 A²s
I²t
I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C 45,0 A²s

Durchlassspannung IF = 20 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C 1,60 2,00 V
Forwardvoltage IF = 20 A, VGE = 0 V Tvj = 125°C VF 1,55 V
IF = 20 A, VGE = 0 V Tvj = 150°C 1,50 V
Rückstromspitze IF = 20 A, - diF/dt = 1800 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 34,0 A
Peakreverserecoverycurrent VR = 300 V Tvj = 125°C IRM 38,0 A
VGE = -15 V Tvj = 150°C 40,0 A
Sperrverzögerungsladung IF = 20 A, - diF/dt = 1800 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 1,00 µC
Recoveredcharge VR = 300 V Tvj = 125°C Qr 1,75 µC
VGE = -15 V Tvj = 150°C 2,20 µC
AbschaltenergieproPuls IF = 20 A, - diF/dt = 1800 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 0,21 mJ
Reverserecoveryenergy VR = 300 V Tvj = 125°C Erec 0,37 mJ
VGE = -15 V Tvj = 150°C 0,47 mJ
proDiode/perdiode RthJC 1,95 2,15 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
RthCH 1,35 K/W
Tvj op -40 150 °C
Diode,Gleichrichter/Diode,Rectifier
DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip
TC = 80°C IFRMSM 30 A
MaximumRMSforwardcurrentperchip
GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom
TC = 80°C IRMSM 30 A
MaximumRMScurrentatrectifieroutput
StoßstromGrenzwert tp = 10 ms, Tvj = 25°C 300 A
IFSM
Surgeforwardcurrent tp = 10 ms, Tvj = 150°C 245 A
Grenzlastintegral tp = 10 ms, Tvj = 25°C 450 A²s
I²t
I²t-value tp = 10 ms, Tvj = 150°C 300 A²s

Durchlassspannung
Tvj = 150°C, IF = 20 A VF 0,90 V
Forwardvoltage
Sperrstrom
Tvj = 150°C, VR = 1600 V IR 2,00 mA
Reversecurrent
RthCH 1,15 K/W
Tvj op °C
3
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Tvj = 25°C VCES 600 V
Collector-emittervoltage
Kollektor-Dauergleichstrom TC = 80°C, Tvj max = 175°C IC nom 20 A

ContinuousDCcollectorcurrent TC = 25°C, Tvj max = 175°C IC 27 A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
tP = 1 ms ICRM 40 A
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gesamt-Verlustleistung
TC = 25°C, Tvj max = 175 Ptot 94,0 W
Totalpowerdissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
VGES +/-20 V
Gate-emitterpeakvoltage

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung IC = 20 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C 1,55 2,00 V
Collector-emittersaturationvoltage IC = 20 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C VCE sat 1,70 V
IC = 20 A, VGE = 15 V Tvj = 150°C 1,80 V
Gate-Schwellenspannung
IC = 0,30 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 4,9 5,8 6,5 V
Gatethresholdvoltage
Gateladung
VGE = -15 V ... +15 V QG 0,20 µC
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω
Internalgateresistor
Eingangskapazität
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 1,10 nF
Inputcapacitance
Rückwirkungskapazität
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,034 nF
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
VCE = 600 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 nA
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast IC = 20 A, VCE = 300 V Tvj = 25°C 0,03 µs
td on
Turn-ondelaytime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C 0,03 µs
RGon = 30 Ω Tvj = 150°C 0,03 µs
Anstiegszeit,induktiveLast IC = 20 A, VCE = 300 V Tvj = 25°C 0,022 µs
tr
Risetime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C 0,028 µs
RGon = 30 Ω Tvj = 150°C 0,03 µs
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast IC = 20 A, VCE = 300 V Tvj = 25°C 0,20 µs
td off
Turn-offdelaytime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C 0,24 µs
RGoff = 30 Ω Tvj = 150°C 0,25 µs
Fallzeit,induktiveLast IC = 20 A, VCE = 300 V Tvj = 25°C 0,07 µs
tf
Falltime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C 0,11 µs
RGoff = 30 Ω Tvj = 150°C 0,12 µs
EinschaltverlustenergieproPuls IC = 20 A, VCE = 300 V, LS = t.b.d. nH Tvj = 25°C 0,45 mJ
Turn-onenergylossperpulse VGE = ±15 V Tvj = 125°C Eon 0,55 mJ
RGon = 30 Ω Tvj = 150°C 0,60 mJ
AbschaltverlustenergieproPuls IC = 20 A, VCE = 300 V, LS = t.b.d. nH Tvj = 25°C 0,50 mJ
Turn-offenergylossperpulse VGE = ±15 V Tvj = 125°C Eoff 0,56 mJ
RGoff = 30 Ω Tvj = 150°C 0,60 mJ
Kurzschlußverhalten VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V tP ≤ 8 µs, Tvj = 25°C 140 A
ISC
SCdata VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt tP ≤ 6 µs, Tvj = 150°C 100 A
proIGBT/perIGBT RthJC 1,45 1,60 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
RthCH 1,25 K/W
Tvj op -40 150 °C
4
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-Chopper
Dauergleichstrom
IF 10 A
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
tP = 1 ms IFRM 20 A
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C 12,5 A²s
I²t
I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C 9,50 A²s

Durchlassspannung IF = 10 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C 1,60 2,00 V
Forwardvoltage IF = 10 A, VGE = 0 V Tvj = 125°C VF 1,55 V
IF = 10 A, VGE = 0 V Tvj = 150°C 1,50 V
Rückstromspitze IF = 10 A, - diF/dt = 1500 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 18,0 A
Peakreverserecoverycurrent VR = 300 V Tvj = 125°C IRM 19,0 A
Tvj = 150°C 21,0 A
Sperrverzögerungsladung IF = 10 A, - diF/dt = 1500 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 0,50 µC
Recoveredcharge VR = 300 V Tvj = 125°C Qr 0,85 µC
Tvj = 150°C 1,10 µC
AbschaltenergieproPuls IF = 10 A, - diF/dt = 1500 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 0,11 mJ
Reverserecoveryenergy VR = 300 V Tvj = 125°C Erec 0,20 mJ
Tvj = 150°C 0,26 mJ
RthCH 1,40 K/W
Tvj op -40 150 °C
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
Nennwiderstand
TC = 25°C R25 5,00 kΩ
Ratedresistance
AbweichungvonR100
TC = 100°C, R100 = 493 Ω ∆R/R -5 5 %
DeviationofR100
Verlustleistung
TC = 25°C P25 20,0 mW
Powerdissipation
B-Wert
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K
B-value
B-Wert
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K
B-value
B-Wert
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K
B-value
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
5
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 2,5 kV
Isolationtestvoltage
InnereIsolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
Al2O3
Internalisolation basicinsulation(class1,IEC61140)
Kriechstrecke Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink 11,5
mm
Creepagedistance Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 6,3
Luftstrecke Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink 10,0
mm
Clearance Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 5,0
VergleichszahlderKriechwegbildung
CTI > 200
Comperativetrackingindex
min. typ. max.
Modulstreuinduktivität
LsCE 30 nH
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-
RCC'+EE' 8,00
Chip TC=25°C,proSchalter/perswitch mΩ
RAA'+CC' 6,00
Moduleleadresistance,terminals-chip
Lagertemperatur
Tstg -40 125 °C
Storagetemperature
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
F 20 - 50 N
mountig force per clamp
Gewicht
G 24 g
Weight
Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 30 A effektiv pro Anschlusspin begrenzt.

The current under continuous operation is limited to 30 A rms per connector pin.
6
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE) IC=f(VCE)
VGE=15V Tvj=150°C
40 40
Tvj = 25°C VGE = 19 V
36 Tvj = 125°C 36 VGE = 17 V
Tvj = 150°C VGE = 15 V
VGE = 13 V
32 32 VGE = 11 V
VGE = 9 V
28 28
24 24
IC [A]
IC [A]
20 20
16 16
12 12
8 8
4 4
0 0
0,0 0,3 0,6 0,9 1,2 1,5 1,8 2,1 2,4 2,7 3,0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
VCE [V] VCE [V]
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE) Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VCE=20V VGE=±15V,RGon=18Ω,RGoff=18Ω,VCE=300V
40 1,4
Tvj = 25°C Eon, Tvj = 125°C
36 Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C
Tvj = 150°C 1,2 Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
32
28 1,0
24
0,8
E [mJ]
IC [A]
20
0,6
16
12 0,4
8
0,2
4
0 0,0
5 6 7 8 9 10 11 12 0 5 10 15 20 25 30 35 40
VGE [V] IC [A]
7
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
switchinglossesIGBT,Inverter(typical) transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
Eon=f(RG),Eoff=f(RG) ZthJH=f(t)
VGE=±15V,IC=20A,VCE=300V
2,0 10
Eon, Tvj = 125°C ZthJH : IGBT
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
1,6
1,2
ZthJH [K/W]
E [mJ]
0,8
0,4
i: 1 2 3 4
ri[K/W]: 0,1901 0,4681 1,003 1,039
τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2
0,0 0,1
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 0,001 0,01 0,1 1 10
RG [Ω] t [s]
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
(RBSOA) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IF=f(VF)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=18Ω,Tvj=150°C
44 40
IC, Modul Tvj = 25°C
40 IC, Chip 36 Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
36
32
32
28
28
24
24
IC [A]
IF [A]
20
20
16
16
12
12
8
8
4 4
0 0
0 200 400 600 800 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2
VCE [V] VF [V]
8
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical) switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF) Erec=f(RG)
RGon=18Ω,VCE=300V IF=20A,VCE=300V
0,8 0,7
Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C Erec, Tvj = 150°C
0,6
0,6
0,5
0,4
E [mJ]
E [mJ]
0,4
0,3
0,2
0,2
0,1
0,0 0,0
0 4 8 12 16 20 24 28 32 36 40 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
IF [A] RG [Ω]
TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter DurchlasskennliniederDiode,Gleichrichter(typisch)
transientthermalimpedanceDiode,Inverter forwardcharacteristicofDiode,Rectifier(typical)
ZthJH=f(t) IF=f(VF)
10 40
ZthJH : Diode Tvj = 25°C
Tvj = 150°C
35
30
25
ZthJH [K/W]
IF [A]
1 20
15
10
i: 1 2 3 4
ri[K/W]: 0,3013 0,7006 1,3873 0,9109 5
τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2
0,1 0
0,001 0,01 0,1 1 10 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4
t [s] VF [V]
9
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinieIGBT,Brems-Chopper(typisch) DurchlasskennliniederDiode,Brems-Chopper(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical) forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical)
IC=f(VCE) IF=f(VF)
VGE=15V
40 20
Tvj = 25°C Tvj = 25°C
36 Tvj = 125°C 18 Tvj = 125°C
Tvj = 150°C Tvj = 150°C
32 16
28 14
24 12
IC [A]
IF [A]
20 10
16 8
12 6
8 4
4 2
0 0
0,0 0,3 0,6 0,9 1,2 1,5 1,8 2,1 2,4 2,7 3,0 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2
VCE [V] VF [V]
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)
100000
Rtyp
10000
R[Ω]
1000
100
0 20 40 60 80 100 120 140 160
TC [°C]
10
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Schaltplan/circuit_diagram_headline
Gehäuseabmessungen/packageoutlines
Infineon
11
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Nutzungsbedingungen

DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung
derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese
AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen.
IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine
solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien
jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und
MontagehinweisendesModulssindzubeachten.
SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine
spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin
Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit.
AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin
diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung.
SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden
Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle
-diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments;
-denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen;
-diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund
gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen.
Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben.
InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten.
Terms&Conditionsofusage

Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill
havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch
application.
Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted
exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits
characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered.
Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof
ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically
interestedwemayprovideapplicationnotes.
Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe
salesoffice,whichisresponsibleforyou.
ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please
note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend
-toperformjointRiskandQualityAssessments;
-theconclusionofQualityAgreements;
-toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon
therealizationofanysuchmeasures.
Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.
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12

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Infineon FP20R06W1E3 DS v02 - 01 en - de

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Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 30 A effektiv pro Anschlusspin begrenzt.

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