TechnischeInformation/TechnicalInformation

IGBT-Module
IGBT-modules FP20R06W1E3
EasyPIM™ModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundNTC
EasyPIM™modulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandNTC

VorläufigeDaten/PreliminaryData

VCES = 600V
IC nom = 20A / ICRM = 40A

TypischeAnwendungen TypicalApplications
• Hilfsumrichter • AuxiliaryInverters
• Klimaanlagen • AirConditioning
• Motorantriebe • MotorDrives

ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures
• NiedrigeSchaltverluste • LowSwitchingLosses
• TrenchIGBT3 • TrenchIGBT3
• VCEsatmitpositivemTemperaturkoeffizienten • VCEsatwithpositiveTemperatureCoefficient
• NiedrigesVCEsat • LowVCEsat

MechanischeEigenschaften MechanicalFeatures
• Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen • Al2O3SubstratewithLowThermalResistance
Widerstand
• KompaktesDesign • Compactdesign
• Lötverbindungstechnik • SolderContactTechnology
• Robuste Montage durch integrierte • Rugged mounting due to integrated mounting
Befestigungsklammern clamps

ModuleLabelCode
BarcodeCode128 ContentoftheCode Digit
ModuleSerialNumber 1-5
ModuleMaterialNumber 6-11
ProductionOrderNumber 12-19
DMX-Code
Datecode(ProductionYear) 20-21
Datecode(ProductionWeek) 22-23

preparedby:DK dateofpublication:2013-10-03
approvedby:MB revision:2.1 ULapproved(E83335)

1
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FP20R06W1E3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Tvj = 25°C VCES  600  V
Collector-emittervoltage
Kollektor-Dauergleichstrom TC = 80°C, Tvj max = 175°C IC nom 20 A
 
ContinuousDCcollectorcurrent TC = 25°C, Tvj max = 175°C IC 27 A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
tP = 1 ms ICRM  40  A
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gesamt-Verlustleistung
TC = 25°C, Tvj max = 175 Ptot  94,0  W
Totalpowerdissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
 VGES  +/-20  V
Gate-emitterpeakvoltage

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung IC = 20 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C 1,55 2,00 V
Collector-emittersaturationvoltage IC = 20 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C VCE sat 1,70 V
IC = 20 A, VGE = 15 V Tvj = 150°C 1,80 V
Gate-Schwellenspannung
IC = 0,30 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 4,9 5,8 6,5 V
Gatethresholdvoltage
Gateladung
VGE = -15 V ... +15 V QG  0,20  µC
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Tvj = 25°C RGint  0,0  Ω
Internalgateresistor
Eingangskapazität
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies  1,10  nF
Inputcapacitance
Rückwirkungskapazität
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres  0,034  nF
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
VCE = 600 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES   1,0 mA
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES   400 nA
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast IC = 20 A, VCE = 300 V Tvj = 25°C 0,02 µs
td on
Turn-ondelaytime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C  0,02  µs
RGon = 18 Ω Tvj = 150°C 0,02 µs
Anstiegszeit,induktiveLast IC = 20 A, VCE = 300 V Tvj = 25°C 0,013 µs
tr
Risetime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C  0,016  µs
RGon = 18 Ω Tvj = 150°C 0,017 µs
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast IC = 20 A, VCE = 300 V Tvj = 25°C 0,12 µs
td off
Turn-offdelaytime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C  0,14  µs
RGoff = 18 Ω Tvj = 150°C 0,15 µs
Fallzeit,induktiveLast IC = 20 A, VCE = 300 V Tvj = 25°C 0,07 µs
tf
Falltime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C  0,095  µs
RGoff = 18 Ω Tvj = 150°C 0,10 µs
EinschaltverlustenergieproPuls IC = 20 A, VCE = 300 V, LS = 50 nH Tvj = 25°C 0,32 mJ
Turn-onenergylossperpulse VGE = ±15 V, di/dt = 1800 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C Eon  0,44  mJ
RGon = 18 Ω Tvj = 150°C 0,49 mJ
AbschaltverlustenergieproPuls IC = 20 A, VCE = 300 V, LS = 50 nH Tvj = 25°C 0,44 mJ
Turn-offenergylossperpulse VGE = ±15 V, du/dt = 4100 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C Eoff  0,56  mJ
RGoff = 18 Ω Tvj = 150°C 0,59 mJ
Kurzschlußverhalten VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V tP ≤ 8 µs, Tvj = 25°C 140 A
ISC  
SCdata VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt tP ≤ 6 µs, Tvj = 150°C 100 A
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
proIGBT/perIGBT RthJC  1,45 1,60 K/W
Thermalresistance,junctiontocase
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
RthCH  1,25 K/W
Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
 Tvj op -40  150 °C
Temperatureunderswitchingconditions

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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FP20R06W1E3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Tvj = 25°C VRRM  600  V
Repetitivepeakreversevoltage
Dauergleichstrom
 IF  20  A
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
tP = 1 ms IFRM  40  A
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C 49,0 A²s
I²t  
I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C 45,0 A²s

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.

Durchlassspannung IF = 20 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C 1,60 2,00 V
Forwardvoltage IF = 20 A, VGE = 0 V Tvj = 125°C VF 1,55 V
IF = 20 A, VGE = 0 V Tvj = 150°C 1,50 V
Rückstromspitze IF = 20 A, - diF/dt = 1800 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 34,0 A
Peakreverserecoverycurrent VR = 300 V Tvj = 125°C IRM  38,0  A
VGE = -15 V Tvj = 150°C 40,0 A
Sperrverzögerungsladung IF = 20 A, - diF/dt = 1800 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 1,00 µC
Recoveredcharge VR = 300 V Tvj = 125°C Qr  1,75  µC
VGE = -15 V Tvj = 150°C 2,20 µC
AbschaltenergieproPuls IF = 20 A, - diF/dt = 1800 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 0,21 mJ
Reverserecoveryenergy VR = 300 V Tvj = 125°C Erec  0,37  mJ
VGE = -15 V Tvj = 150°C 0,47 mJ
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
proDiode/perdiode RthJC  1,95 2,15 K/W
Thermalresistance,junctiontocase
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
RthCH  1,35 K/W
Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
 Tvj op -40  150 °C
Temperatureunderswitchingconditions

Diode,Gleichrichter/Diode,Rectifier
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Tvj = 25°C VRRM  1600  V
Repetitivepeakreversevoltage
DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip
TC = 80°C IFRMSM  30  A
MaximumRMSforwardcurrentperchip
GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom
TC = 80°C IRMSM  30  A
MaximumRMScurrentatrectifieroutput
StoßstromGrenzwert tp = 10 ms, Tvj = 25°C 300 A
IFSM  
Surgeforwardcurrent tp = 10 ms, Tvj = 150°C 245 A
Grenzlastintegral tp = 10 ms, Tvj = 25°C 450 A²s
I²t  
I²t-value tp = 10 ms, Tvj = 150°C 300 A²s

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.

Durchlassspannung
Tvj = 150°C, IF = 20 A VF  0,90  V
Forwardvoltage
Sperrstrom
Tvj = 150°C, VR = 1600 V IR  2,00  mA
Reversecurrent
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
proDiode/perdiode RthJC  1,20 1,35 K/W
Thermalresistance,junctiontocase
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
RthCH  1,15 K/W
Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
 Tvj op    °C
Temperatureunderswitchingconditions

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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FP20R06W1E3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Tvj = 25°C VCES  600  V
Collector-emittervoltage
Kollektor-Dauergleichstrom TC = 80°C, Tvj max = 175°C IC nom 20 A
 
ContinuousDCcollectorcurrent TC = 25°C, Tvj max = 175°C IC 27 A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
tP = 1 ms ICRM  40  A
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gesamt-Verlustleistung
TC = 25°C, Tvj max = 175 Ptot  94,0  W
Totalpowerdissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
 VGES  +/-20  V
Gate-emitterpeakvoltage

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung IC = 20 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C 1,55 2,00 V
Collector-emittersaturationvoltage IC = 20 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C VCE sat 1,70 V
IC = 20 A, VGE = 15 V Tvj = 150°C 1,80 V
Gate-Schwellenspannung
IC = 0,30 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 4,9 5,8 6,5 V
Gatethresholdvoltage
Gateladung
VGE = -15 V ... +15 V QG  0,20  µC
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Tvj = 25°C RGint  0,0  Ω
Internalgateresistor
Eingangskapazität
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies  1,10  nF
Inputcapacitance
Rückwirkungskapazität
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres  0,034  nF
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
VCE = 600 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES   1,0 mA
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES   400 nA
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast IC = 20 A, VCE = 300 V Tvj = 25°C 0,03 µs
td on
Turn-ondelaytime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C  0,03  µs
RGon = 30 Ω Tvj = 150°C 0,03 µs
Anstiegszeit,induktiveLast IC = 20 A, VCE = 300 V Tvj = 25°C 0,022 µs
tr
Risetime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C  0,028  µs
RGon = 30 Ω Tvj = 150°C 0,03 µs
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast IC = 20 A, VCE = 300 V Tvj = 25°C 0,20 µs
td off
Turn-offdelaytime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C  0,24  µs
RGoff = 30 Ω Tvj = 150°C 0,25 µs
Fallzeit,induktiveLast IC = 20 A, VCE = 300 V Tvj = 25°C 0,07 µs
tf
Falltime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C  0,11  µs
RGoff = 30 Ω Tvj = 150°C 0,12 µs
EinschaltverlustenergieproPuls IC = 20 A, VCE = 300 V, LS = t.b.d. nH Tvj = 25°C 0,45 mJ
Turn-onenergylossperpulse VGE = ±15 V Tvj = 125°C Eon  0,55  mJ
RGon = 30 Ω Tvj = 150°C 0,60 mJ
AbschaltverlustenergieproPuls IC = 20 A, VCE = 300 V, LS = t.b.d. nH Tvj = 25°C 0,50 mJ
Turn-offenergylossperpulse VGE = ±15 V Tvj = 125°C Eoff  0,56  mJ
RGoff = 30 Ω Tvj = 150°C 0,60 mJ
Kurzschlußverhalten VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V tP ≤ 8 µs, Tvj = 25°C 140 A
ISC  
SCdata VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt tP ≤ 6 µs, Tvj = 150°C 100 A
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
proIGBT/perIGBT RthJC  1,45 1,60 K/W
Thermalresistance,junctiontocase
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
RthCH  1,25 K/W
Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
 Tvj op -40  150 °C
Temperatureunderswitchingconditions

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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FP20R06W1E3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-Chopper
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Tvj = 25°C VRRM  600  V
Repetitivepeakreversevoltage
Dauergleichstrom
 IF  10  A
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
tP = 1 ms IFRM  20  A
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C 12,5 A²s
I²t  
I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C 9,50 A²s

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.

Durchlassspannung IF = 10 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C 1,60 2,00 V
Forwardvoltage IF = 10 A, VGE = 0 V Tvj = 125°C VF 1,55 V
IF = 10 A, VGE = 0 V Tvj = 150°C 1,50 V
Rückstromspitze IF = 10 A, - diF/dt = 1500 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 18,0 A
Peakreverserecoverycurrent VR = 300 V Tvj = 125°C IRM  19,0  A
Tvj = 150°C 21,0 A
Sperrverzögerungsladung IF = 10 A, - diF/dt = 1500 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 0,50 µC
Recoveredcharge VR = 300 V Tvj = 125°C Qr  0,85  µC
Tvj = 150°C 1,10 µC
AbschaltenergieproPuls IF = 10 A, - diF/dt = 1500 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 0,11 mJ
Reverserecoveryenergy VR = 300 V Tvj = 125°C Erec  0,20  mJ
Tvj = 150°C 0,26 mJ
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
proDiode/perdiode RthJC  2,90 3,20 K/W
Thermalresistance,junctiontocase
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
RthCH  1,40 K/W
Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
 Tvj op -40  150 °C
Temperatureunderswitchingconditions

NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
Nennwiderstand
TC = 25°C R25  5,00  kΩ
Ratedresistance
AbweichungvonR100
TC = 100°C, R100 = 493 Ω ∆R/R -5  5 %
DeviationofR100
Verlustleistung
TC = 25°C P25   20,0 mW
Powerdissipation
B-Wert
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50  3375  K
B-value
B-Wert
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80  3411  K
B-value
B-Wert
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100  3433  K
B-value
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.

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approvedby:MB revision:2.1

5
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FP20R06W1E3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL  2,5  kV
Isolationtestvoltage
InnereIsolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
  Al2O3  
Internalisolation basicinsulation(class1,IEC61140)
Kriechstrecke Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink 11,5
   mm
Creepagedistance Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 6,3
Luftstrecke Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink 10,0
   mm
Clearance Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 5,0
VergleichszahlderKriechwegbildung
 CTI  > 200  
Comperativetrackingindex
min. typ. max.
Modulstreuinduktivität
 LsCE  30  nH
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-
RCC'+EE' 8,00
Chip TC=25°C,proSchalter/perswitch   mΩ
RAA'+CC' 6,00
Moduleleadresistance,terminals-chip
Lagertemperatur
 Tstg -40  125 °C
Storagetemperature
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
 F 20 - 50 N
mountig force per clamp
Gewicht
 G  24  g
Weight

Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 30 A effektiv pro Anschlusspin begrenzt.

The current under continuous operation is limited to 30 A rms per connector pin.

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6
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FP20R06W1E3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE) IC=f(VCE)
VGE=15V Tvj=150°C

40 40
Tvj = 25°C VGE = 19 V
36 Tvj = 125°C 36 VGE = 17 V
Tvj = 150°C VGE = 15 V
VGE = 13 V
32 32 VGE = 11 V
VGE = 9 V
28 28

24 24
IC [A]

IC [A]
20 20

16 16

12 12

8 8

4 4

0 0
0,0 0,3 0,6 0,9 1,2 1,5 1,8 2,1 2,4 2,7 3,0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
VCE [V] VCE [V]

ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE) Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VCE=20V VGE=±15V,RGon=18Ω,RGoff=18Ω,VCE=300V

40 1,4
Tvj = 25°C Eon, Tvj = 125°C
36 Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C
Tvj = 150°C 1,2 Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
32

28 1,0

24
0,8
E [mJ]
IC [A]

20

0,6
16

12 0,4

8
0,2
4

0 0,0
5 6 7 8 9 10 11 12 0 5 10 15 20 25 30 35 40
VGE [V] IC [A]

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approvedby:MB revision:2.1

7
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FP20R06W1E3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
switchinglossesIGBT,Inverter(typical) transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
Eon=f(RG),Eoff=f(RG) ZthJH=f(t)
VGE=±15V,IC=20A,VCE=300V

2,0 10
Eon, Tvj = 125°C ZthJH : IGBT
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
1,6

1,2

ZthJH [K/W]
E [mJ]

0,8

0,4
i: 1 2 3 4
ri[K/W]: 0,1901 0,4681 1,003 1,039
τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2

0,0 0,1
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 0,001 0,01 0,1 1 10
RG [Ω] t [s]

SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
(RBSOA) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IF=f(VF)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=18Ω,Tvj=150°C
44 40
IC, Modul Tvj = 25°C
40 IC, Chip 36 Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
36
32

32
28
28
24
24
IC [A]

IF [A]

20
20
16
16
12
12

8
8

4 4

0 0
0 200 400 600 800 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2
VCE [V] VF [V]

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8
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FP20R06W1E3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical) switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF) Erec=f(RG)
RGon=18Ω,VCE=300V IF=20A,VCE=300V

0,8 0,7
Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C Erec, Tvj = 150°C
0,6

0,6
0,5

0,4
E [mJ]

E [mJ]
0,4

0,3

0,2
0,2

0,1

0,0 0,0
0 4 8 12 16 20 24 28 32 36 40 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
IF [A] RG [Ω]

TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter DurchlasskennliniederDiode,Gleichrichter(typisch)
transientthermalimpedanceDiode,Inverter forwardcharacteristicofDiode,Rectifier(typical)
ZthJH=f(t) IF=f(VF)

10 40
ZthJH : Diode Tvj = 25°C
Tvj = 150°C
35

30

25
ZthJH [K/W]

IF [A]

1 20

15

10

i: 1 2 3 4
ri[K/W]: 0,3013 0,7006 1,3873 0,9109 5
τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2

0,1 0
0,001 0,01 0,1 1 10 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4
t [s] VF [V]

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9
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FP20R06W1E3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinieIGBT,Brems-Chopper(typisch) DurchlasskennliniederDiode,Brems-Chopper(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical) forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical)
IC=f(VCE) IF=f(VF)
VGE=15V

40 20
Tvj = 25°C Tvj = 25°C
36 Tvj = 125°C 18 Tvj = 125°C
Tvj = 150°C Tvj = 150°C

32 16

28 14

24 12
IC [A]

IF [A]
20 10

16 8

12 6

8 4

4 2

0 0
0,0 0,3 0,6 0,9 1,2 1,5 1,8 2,1 2,4 2,7 3,0 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2
VCE [V] VF [V]

NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)

100000
Rtyp

10000
R[Ω]

1000

100
0 20 40 60 80 100 120 140 160
TC [°C]

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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FP20R06W1E3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Schaltplan/circuit_diagram_headline

Gehäuseabmessungen/packageoutlines

Infineon

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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FP20R06W1E3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Nutzungsbedingungen

DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung
derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese
AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen.

IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine
solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien
jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und
MontagehinweisendesModulssindzubeachten.

SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine
spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin
Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit.

AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin
diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung.

SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden
Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle
-diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments;
-denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen;
-diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund
gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen.

Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben.

InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten.

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havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch
application.

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exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits
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ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically
interestedwemayprovideapplicationnotes.

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-toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon
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