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Daniel Immel Mai 2007

widatec@t-online.de

Projektarbeit: Computer Added Engineering (CAE)

Entwicklung und Aufbau


eines Class-D Verstärkers

Anforderungen:

• Digitale Endstufe
mit MOS Feldeffekt-
transistoren in Voll-
brückenschaltung
(auch H-Brücke
genannt)

• Hoher Wirkungs-
grad
• Kurzschlussfest

• Aussteuerrungsan-
zeige mit Clipping
Detektor
• Gute Klangeigen-
schaften
Inhalt:
Anforderungen 1
Aufbau auf eine Lochrasterplatine des Class D Verstärkers
• Betriebsspannung
von 14-25V. Bei
Einleitung 1 kleinerer Betriebs-
Class A
Class AB
1
2
Einleitung spannung erfolgt
Class D 2 Abschaltung
Funktionsweise eines
Class D Verstärkers 2 Elektronische Leistungsverstärker haben - unabhängig von der Last. • 2Ω Laststabil
werden aufgrund ihres Aufbaus Ein Verstärker mit 10Watt Aus- • Einschaltverzöge-
Aufgabenstellung 3 und ihrer Funktionsweise in Klas- gangsleistung wandelt also stän- rung
Schaltungsteile sen (Classes) eingeteilt. Die un- dig 60Watt in Wärmeenergie um.
Spannungsversorgung 4 • LEDs Informieren
Dreieckgenerator 5 terschiedlichen Klassen werden Aufgrund dieses großen Nachteils
über den Betriebs-
Praktische Probleme 7 durch Buchstaben unterschieden. sind solche Verstärker heute zustand
Vorverstärker 8 Die meist verbreiteten Klassen kaum noch verbreitet.
Modulator 9
Endstufe 11 sollen hier kurz vorgestellt wer-
Simulationsprobleme 16 den:
Praktische Probleme 17
Ausgangsfilter (Lowpass) 18 Class A:
Schutzschaltungen
Logikteil 20
Class A Verstärker haben heute
Unterspannungsdetektor 20
Strombegrenzung 21 nur noch historische Bedeutung.
Übersteuerungsanzeige 21 Sie waren die ersten Verstärker-
Aussteuerungsanzeige 22
schaltungen. (Sehr häufig in Röh-
Anhang renverstärkern eingesetzt). Class
Platinenlayout und Stückliste 22
Kostenrechnung 24
A Verstärker zeichnen sich durch
Inhalt der CD-ROM 25 eine sehr hohe Linearität aus. Sie
Einbinden der haben allerdings den großen
Simulationsmodelle 25
Nachteil, dass sie einen maxima-
Zusammenfassung len Wirkungsgrad von 6,25% Prinzipschaltung eines Class A Verstärkers
Kostenrechnung 26
Ergebnisse und Fazit 27

Seite: 1 Projektarbeit CAE - Entwicklung und Aufbau eines Class D Verstärkers Daniel Immel
Entwicklung und Aufbau eines Class-D Verstärkers

Class AB:

Die Klasse AB ist die wohl am


meisten verbreitete Ver-
stärkertechnik. Die beiden
Transistoren bilden eine
Gegentaktendstufe: Sie
leiten abwechselnd, da-
durch fließt kein Strom
mehr direkt über die End-
stufe. (Lediglich ein gerin-
ger Ruhestrom, um soge-
nannte Übernahmeverzer- Energieverbrauch Klasse D im Vergleich zur Klasse AB
Quelle: Elektronik von 12. November 2002
rungen zu vermeiden). Da
es an den Endstufentransis- Class D: kommen. (z.B. TDAA Serie
Prinzipschaltung eines Class AB Verstärkers toren zu einem Spannungs- von TI und die Philips
Vor allem in mobilen Anwen-
abfall kommt liegt der the- TDA897x Serie). Der gesamte
dungen kann die Class D punk-
oretische maximale Wirkungs- störungsanfällige analoge Sig-
ten (z.B. Handy, tragbare Au-
grad von Class AB Verstärkern nalweg wird dadurch vermie-
diogeräte,...). Bei diesen An-
bei 78,5%. In der Praxis werden den und das Rauschen verrin-
wendungen steht wenig Energie
60..70% als effektiver maxima- gert. Für Verstärker, bei denen
zur Verfügung und diese muss
ler Wirkungsgrad erreicht. Die hohe Ausgangsleistung gefragt
optimal genutzt werden, weiter
Class AB Verstärkertechnik ist ist (z.B. bei PA-Verstärkern),
ist auch der zur Verfügung
„...der theoretische mittlerweile stark ausgereift. Es eignet sich die Klasse D sehr
stehende Platz meist sehr ge-
ist möglich, qualitativ sehr gute gut. Aufgrund des Entfallens
maximale ring. Hier zeichnet sich der
HiFi-Verstärker zu bauen. des Kühlkörpers und der Ver-
Wirkungsgrad von Klasse D Verstärker durch sei-
Durch den Einsatz von vollin- wendung eines Schaltnetzteils
nen geringen Stromverbrauch
Class AB Verstärkern tegrierten (z.B. LM3886) Ver- kann eine gewaltige Ausgangs-
und des Entfallens der Kühlkör-
liegt bei 78,5%. In stärkerstufen können AB- leistung auf kleinem Raum
per aus. Der höhere Schaltungs-
der Praxis werden…“ Verstärker sehr leicht mit nur verwirklicht werden.
aufwand der Klasse D wird mit
wenigen Bauteilen realisiert
moderner Technik wettge- Funktionsweise eines Class D
werden. Solche Verstärker sind
macht. Mittlerweile gibt es IC's, Verstärkers:
nebenbei auch sehr kostengüns-
welche auf geringster Fläche
tig. Vollintegrierte Class AB Ein Class D Verstärker ver-
einen kompletten Klasse D
Verstärker werden sehr häufig stärkt das Signal nicht Analog
Verstärker enthalten und beina-
in Hifi Receivern, Autoradios (so wie es am Eingang anliegt)
he ohne externe Bauteile aus-
und Fernsehgeräten eingesetzt. sondern wandelt das Signal in

Spannungsabfall an der Last


Spannungsabfall an der Last
+Ub +Ub

Ausgangssignal
Ausgangssignal

Spannungsabfall an der
Spannungsabfall an der Endstufe
Endstufe
-Ub -Ub

Typische Verluste in einer Class AB Endstufe Typische Verluste in einer Class D Endstufe

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Daniel Immel

ein Digitales. Meistens wird loge Signal zu rekonstruieren,


hierzu die so genannte PWM muss über mehrere Perioden
(Pulsweitenmodulation) ver- der Mittelwert gebildet werden.
wendet. Das neue PWM Modu- Dies übernimmt ein LC Filter-
lierte Signal ist viel hochfre- kreis, oder der Lautsprecher
quenter (Typischerweise selbst (durch seine Induktivität
250kHz bis 500kHz) und kann und Trägheit). Um EMI
anschließend verlustarm ver- (Electro Magnetic Interference)
stärkt werden. Das PWM Mo- zu vermeiden, sollte am Aus-
dulierte Signal kennt nur zwei gang aber immer ein LC Filter
Zustände (High und Low). Die verwendet werden. Ansonsten
Information, welche im Audio- würden die Lautsprecherkabel
signal enthalten war, steckt nun auch als Sendeantenne fungie-
im Tastverhältnis des modulier- ren. Man könnte den Verstärker
ten Signals. Der Mittelwert ist also mit einem AM-Radio
über eine Zeiteinheit berechnet „hören“. Auch würden eventu- Bild einer Class D PA Endstufe. Eckdaten: 4 x 1000 W an 2Ω - 2 x 2000 W
proportional zum Mittelwert ell geschützte Frequenzbänder an 4Ω bei nur 10Kg Gewicht.
des Audiosignals. Um nach der durch Einstreuungen gestört Quelle: http://pro-audio.powersoft.it/product_list.php?
Verstärkung das originale ana- werden. id_menu=271&obj=60

Signal- Vorver-
quelle stärker
Digitaler
PWM Leis- Tiefpass Laut-
Modulator tungsvers Filter sprecher
tärker
Dreieck-
generator

Modularer Aufbau eines Class D Verstärkers

Aufgabenstellung
Ziel dieser Projektarbeit soll es rasterplatine aufgebaut. Die An- ohne Rückkopplung einen subjek-
sein, einen funktionsfähigen forderungen an die Schaltung sind tiv guten Höreindruck machen.
Class D Verstärker zu entwickeln im Detail Seite 1 zu entnehmen. Diverse Sicherheitsschaltungen
und aufzubauen. Die Schaltung Der Schwerpunkt soll dabei nicht sollen den Verstärker vor Zerstö-
soll zuerst in dem Elektroniksi- auf der Simulation, sondern auf rung durch Fehlbedienung schüt- „...Man könnte den
mulator PSpice simuliert werden dem praktischen Aufbau der zen. Der Verstärker wird in Mo- Verstärker also mit
um von vorneherein auf Fehler Schaltung liegen. (Platinendesign, noausführung gebaut. Für Stereo- einem AM-Radio
im Design aufmerksam zu ma- Probleme die im Simulator nicht betrieb sind dann 2 Verstärkerauf- „hören“. “
chen. Die Schaltungsteile werden aufgetaucht sind, die Auswirkun- bauten notwendig. Ein funktions-
danach auf ein Steckbrett aufge- gen nicht idealer Bauteile). Diese fähiger Aufbau auf einer Lochras-
baut und getestet. Funktioniert Entwicklungsprobleme sollen terplatine soll im Rahmen der
die Schaltung zufrieden stellend erläutert und analysiert werden. Vorlesung/Projektvorstellung -
wird ein Platinenlayout erstellt Lösungen sollen aufgezeigt wer- sofern gewünscht - gezeigt wer-
und die Schaltung auf eine Loch- den. Der Class D Verstärker soll den.

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Entwicklung und Aufbau eines Class-D Verstärkers

Spannungsversorgung
Die Endstufe benötigt, außer (gemessen mit einem Labor- machen und somit Kosten zu
der 14-25V Gleichspannung netzteil) auf (wenn alle LEDs sparen. Um auch hier die Span-
noch 3 weitere Betriebs- leuchten). An dem Spannungs- nung stabil zu halten und Stör-
spannungen. regler fallen bei 25V Betriebs- impulse zu vermeiden, ist auch
spannung 13V ab. Da diese hier am Ausgang ein
Die angelegte Betriebs-
Spannungsregler die Verluste „Angstkondensator“ mit 100nF
spannung von 14-25V wird
vollständig in Wärme umwan- (C37 und C14) und ein Sieb-
zuerst über einen so ge-
deln ergibt sich nach der For- elektrolytkondensator mit 10µF
nannten Angstkondensa-
mel (C15 und C8) angeschlossen.
tor“ (100nF) und großen
Typische Beschaltung eines L78xx Span- Elektrolytkondensatoren P = U *vonI 2,47
eine Verlustleistung Für die Operationsverstärker ist
nungsreglers.
(4x 2200µF) gesiebt, damit Watt. Also sollte ein Kühlkör- eine Referenzspannung von 6V
Quelle: Datenblatt LM340/LM78xx von Nati-
onal Semiconductor
die Spannung bei den auf- per verwendet werden, damit (genau die Hälfte der 12V Be-
tretenden hohen Impuls- der Spannungsregler nicht über- triebsspannung) erforderlich.
strömen nicht zusammenbricht. hitzt und so zerstört wird. Da diese nicht wesentlich be-
lastet wird, genügt hier ein
Die Erzeugung der 12V Be- Mit 2 weiteren Festspannungs-
Spannungsteiler mit 2 Wider-
triebsspannung für die Vorstufe reglern (L7810 für 10V, IC3
ständen (je 10KΩ, R14 und
und Sicherheitsschaltung wird und IC4) werden die Betriebs-
R13) (siehe Bild unten links auf
mit einem LM7812 (=12V Fest- spannungen für die Gateansteu-
dieser Seite). Zur Stabilisierung
spannungsregler) erzeugt (IC4). erung der Endstufen MOSFETs
und Störungsunterdrückung
Die LM78xx Serie zeichnet erzeugt. Zu Beginn war geplant,
sind auch hier wieder ein
sich durch hohe Stabilität und die Gates direkt mit 12V anzu-
„Angstkondensator“ mit 100nF
Zuverlässigkeit aus. Des Weite- steuern, dieses hatte jedoch zur
„...nach der Formel (C21) und ein Elektrolytkon-
ren sind fast keine externen Folge, dass das Entladen der
densator mit 1µF (C20)
P=U*I eine Bauteile notwendig. In dem Gates relativ lange dauerte und
eingebaut. Allerdings hat dies
Verlustleistung von Class D Verstärker wurden somit eine zu große „Totzeit“
in dem Fall den Nachteil, dass
jedoch wie im Datenblatt emp- entstand (mehr dazu im Ab-
2,47 Watt. Hier die 6V erst zur Verfügung ste-
fohlen am Aus- und Eingang schnitt Endstufe). Des Weiteren
sollte…“ hen, wenn die beiden Konden-
ein 100nF „Angstkondensator“ ist im Datenblatt die maximale
satoren geladen sind. Diese Zeit
eingefügt (C16 und C12). Ein Gatespannung mit 12V angege-
berechnet sich wie folgt:
weiterer 1000µF Siebkondensa- ben - auch hier sollte man ein
tor (C13)am Ausgang stabili- wenig „Abstand“ von den Ma- −
t
R *C
siert die 12V zusätzlich. Da der ximalwerten halten. In der Pra- u C = U * (1 − e )
12V Spannungsregler am Ein- xis kam es dann auch zu gegen- u C = 6V
gang zwischen minimal 14V seitigen Störungen der Halbbrü-
und maximal 27V verträgt, cken, die auf Störimpulse in der
U = 12 V
wurden hier auch die maxima- 10V Spannungsversorgung R = 10 k Ω
len Werte der Eingangsspan- zurückzuführen war. Um dieses C = 1µ F
nung definiert. Von 25V bis Problem zu vermeiden wurde
27V ergibt sich eine Reserve für jede Halbbrücke ein separa- R14 wird hier vernachlässigt, er
von 2V. Die Bauteile sollten ter Spannungsregler eingesetzt. würde die Berechnung nur un-
nicht an ihrer Leistungsgrenze Um die Verlustleistung der 10V nötig verkomplizieren. Hier in
betrieben werden. Auch sind Spannungsregler gering zu diesem Fall ergibt sich also für t
die MOSFETs in der Endstufe halten sind die Eingänge an die ca. eine Zeit von 7ms. Da eine
nur bis 30V Drain-Source 12V Spannungsversorgung Einschaltverzögerung der End-
Der 6V Spannungsteiler.
Spannung ausgelegt. angeschlossen. Dies hat den stufen von 3s vorgesehen ist,
Die beiden Kondensatoren dienen
positiven Nebeneffekt, zusätzli- sollte es hier zu keinen Proble-
der Stabilisierung der Spannung Die Vorstufe weist eine Strom-
che Kühlkörper überflüssig zu men.
aufnahme von ca. 180mA

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Daniel Immel

Dreieckgenerator

Schaltplan des Dreieckgenerators

Der Dreieckgenerator ist einer der weiteren Entwicklung her- (Quelle: Datenblatt von Texas
der wichtigsten Schaltungsteile ausstellte, dass noch 2 NAND Instruments) Gerade die hohe
einer Class D Endstufe. Die Gatter „unbenutzt“ blieben. In Eingangsimpedanz hat in die-
Dreiecksspannung sollte mög- dem gewählten IC CD4093, sem Falle sehr positive Auswir-
lichst ideal sein - d.h. 100% (IC10) befinden sich 4 unab- kungen, weil die Ladekurve des
„Auch einer der 4
symmetrisch, die Dreieckspit- hängige NAND Gatter mit je Kondensators C36 durch den
zen möglichst Spitz und die einem Schmitt-Trigger. Von hohen Eingangswiderstand fast Operationsverstärker
Flanken gerade. Diese Anforde- diesen 4 waren 2 noch unbe- nicht beeinflusst wird. Grund- aus einem IC vom Typ
rungen lassen sich in der Praxis nutzt. Diese lassen sich sehr gut sätzlich wurde der TL084 ge- TL084 (IC9) blieb
nur schwer umsetzen, da man hintereinander schalten (auch wählt, weil dieser recht günstig
„übrig“, so das
(leider) keine idealen Bauteile im Platinen Layout) um so und sehr leicht beschaffbar ist.
einsetzen kann. einen nicht invertierenden dieser…“
Schmitt-Trigger zu erhalten.
Doch zunächst zur Funktions-
Des Weiteren sind CMOS ICs Schaltungsbeschreibung:
weise: Ein Dreieckgenerator
sehr schnell, was sich auch
besteht prinzipiell aus einem
positiv auf die Dreieckspan-
schnellen Schmitt-Trigger und
nung auswirkt. Ein logisches „HIGH“ am Aus-
einem Integrator. Beide werden U
gang des Gatters IC10A lädt
in Lehrbüchern oft mit je einem Auch einer der 4 Operations-
über R4 den Kondensator C36
Operationsverstärker realisiert. verstärker aus einem IC vom
auf. Die Ladungskurve ist dabei
Bei der angestrebten Frequenz Typ TL084 (IC9) blieb „übrig“,
linear (!), da der Verstärkungs-
von 260kHz erwies sich das so dass dieser kurzerhand als
faktor des Operationsverstär-
aber in verschiedenen Versu- Integrator verwendet wurde.
kers IC9C (Rückkopplung über
chen (sowohl in der Simulation (So konnten 2 ICs und diverse
C) in dem gleichen Maß erhöht
als auch auf dem Steckbrett) als Widerstände gegenüber der
wird, wie die Kondensatorla-
relativ schwierig. Lediglich ein Schaltungsvariante mit NE5534
dung steigt. Hierbei entsteht am t
Versuch mit einem NE555 als und NE555 gespart werden).
Ausgang des Operationsverstär-
Schmitt-Trigger und einem Der TL084 ist ein Standart J- Spannungsverlauf eines idealen Drei-
kers eine linear steigende Flan-
NE5534 Operationsverstärker FET Operationsverstärker mit ecksignals
ke. Dies geschieht so lange, bis
erwiesen sich als brauchbar. hohen SlewRate (13 V/ms ty-
über R21 die Triggerschwelle
Nach langem Überlegen ver- pisch) und einer sehr hohen
des ersten Gatters IC10B er-
warf ich die Idee, weil sich bei Eingangsimpedanz (10^12 Ω).
reicht wird. Zu diesem Zeit-

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Entwicklung und Aufbau eines Class-D Verstärkers

punkt kippt der Ausgang des Die Frequenz kann durch die
ersten Gatters auf „HIGH“ und R1 + R 3 U 1 Folgende Formel bestimmt
=
somit der Ausgang des IC10B R1 U 2 werden:
auf „LOW“. C36 wird jetzt
R 1 = 10 k Ω (Formel entnommen 1 aus Appli-
wieder Linear entladen bis zum f =
cation Note
erneuten Erreichen der Trigger- R 3 = 10 k Ω 1 , 9 * R 4 Tri-Wave
„Precise * C 36
Generation“ von National Se-
schwelle von IC10B. Der Vor- U 1 = 12 V miconductor) Die Formel wur-
gang beginnt erneut.

Das Dreiecksignal hat hier eine


Offsetspannung von ca. 5V, da
das Erreichen der Trigger-
Noch unvollständiger Ver-
schwelle des Gatters (IC10B)
suchsaufbau auf dem Steckbrett.
noch durch die Widerstände R4
Ausschnitt zeigt den Dreieckgene-
rator und einen Teil der Sicher-
und R5 beeinflusst wird. Für
heitsschaltung den Modulator wird allerdings
eine Offsetspannung von 6V
benötigt. Deshalb wird das
Dreiecksignal über einen 1nF
„...Die im (C31) Kondensator DC mäßig
Versuchsaufbau entkoppelt und anschließend
einem Spannungsteiler beste-
gemessene Frequenz
hend aus R1 und R3 zugeführt.
war viel kleiner. Nach Beide Widerstände haben den
einigen gleichen Wert (10kΩ), so dass Praktische Probleme: Beim kippen der Gatter entsteht eine Span-
Nachforschungen war sich ein Offset von 6V: nungsspitze, die sich auf die Dreieckspannung negativ Auswirken.
Messpunkt der Dreieckspannung: C31
die Hauptursache…“
Messpunkt Rechteck:: invertierender Eingang des Operationsverstär-
kers
Die Oszilloskop Einstellungen können dem Bild entnommen werden.

de entsprechend des in diesem


Falle anderen Aufbaus der
Schaltung angepasst)

Mit dieser Formel ergibt sich


für die Simulation eine Fre-
quenz von ca. 260kHz. Dies
entspricht auch den Ergebnis-
sen der Simulation.

Die im Schaltbild als R_Real


angegebenen Widerständen
dienen dazu, die Simulation der
Schaltung zu „realisieren“.
R_Real_0 und R_Real_1 stellen
die Nachbildung Übergangswi-
derstände der Kondensatoren
C36 und C30 dar.. Die Wider-
stände R_Real_2, R_Real_28
Die Simulierte Dreieckspannung am Ausgang des Operationsverstärkers (grün) und die Spannung und R_Real_29 bilden die Ein–
am Ausgang des Schmitt-triggers (rot)

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Daniel Immel

und Ausgangswiderstände der 260kHz.


Gatter dar. Als positiven Ne-
Ein weiteres Problem wurde
beneffekt definieren diese Wi-
auch schnell erkennbar: offen-
derstände zusätzlich die Ein-
sichtlich kam es zu Spannungs-
schaltzustände der Gatter
spitzen, wenn die Gatter des
IC10A und IC10B.
CD4093 von „LOW“ auf
Aufgetretene praktische „HIGH“ oder umgekehrt kip-
Probleme: pen. (Siehe Bild auf Seite 6).
Im Simulator konnten die Span-
Zuerst viel auf das im Ver-
nungsspitzen durch Einsetzen
suchsaufbau auf dem Steckbrett
einer Spule zwischen R4 und
(Bild links) die Frequenz nicht
dem invertierenden Eingang
mit den simulierten 260kHz
des Operationsverstärkers nach-
übereinstimmt. Die im Ver-
gebildet werden (siehe Schalt-
suchsaufbau gemessene Fre-
planauszug unten auf dieser
quenz war erheblich kleiner.
Seite). Die Lösung des Prob-
Nach einigen Nachforschungen
lems war der Einbau eines zu- Besser: Durch C30 werden die Spannungsspitzen abgeschnitten.
war die Hauptursache gefun-
sätzlichen Kondensators
den. Laut CMOS Kochbuch hat
(220pF, C30). Der Kondensator nung zu rund, was wiederum
das CD4093 eine Signaldurch-
wurde direkt an den invertieren- dazu führt, dass die Spitzen der
laufsverzögerung von 130ns bei
den Eingang des Operationsver- Dreieckspannung auch entspre-
12V Betriebsspannung. Diese
stärkers angeschlossen, um die chend rund werden. Um weitere
wird offensichtlich nicht kor-
Spannungsspitzen Störungen zu vermeiden, soll-
rekt vom Simulator berücksich-
„abzuschneiden“. Der Wert ten auf der Platine die Gatter
tigt. Weiter spielen die nicht
idealen Bauteile sicher auch
wurde in der Praxis ermittelt. und der Operationsverstärker … Wählt man den
Wählt man den Kondensator zu möglichst nahe beieinander Kondensator zu klein,
eine Rolle. Ein Verkleinern von
klein, werden die Spitzen nicht platziert werden.
C36 auf 220pF (wie auch in der werden die Spitzen
ausreichend abgeschnitten -
Stückliste angegeben) erzeugte nicht ausreichend
wählt man ihn zu groß, werden
die gewünschte Frequenz von
die Flanken der Rechteckspan- abgeschnitten - wählt
man ihn zu groß,
werden...

Die Spule L4 im Schaltplanauszug. Normalerweise


könnte diese auch/und im Simulator an das Gatter
IC10A eingesetzt werden. 50µH entspricht etwa
der Induktivität einer Büroklammer.

Durch die Spule L4 (die eigentlich Leiterbahn, IC Sockel und IC Bein ist) werden die Spannungs-
spitzen verursacht. Wie bereits erwähnt, schafft hier C30 Abhilfe. Der Messpunkt ist im Schalt-
planauszug rechts zu erkennen.

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Entwicklung und Aufbau eines Class-D Verstärkers

Vorverstärker

Schaltplan des Vorverstärkers zur Amplitudenanpassung und Eingangsimpedanzanpassung

Leider stand zum Zeitpunkt der für Frequenzen von 20Hz bis dann wieder gleichspannungs-
Entwicklung kein Modell des 20kHz (Audiobereich). Die mäßig entkoppelt (durch C23
verwendeten Operationsverstär- untere Grenzfrequenz wird und C24) und auf das Lautstär-
kers NE5534 zur Verfügung. begrenzt durch C17, die obere ke Poti (POT1) geführt. Der
Da hier aber nur mit Frequen- durch C18 und C19. Der Elekt- andere Anschluss wird auf
„… Durch das zen von 20Hz bis 20KHz gear- rolytkondensator C17 und der Masse gelegt, so dass über den
Verhältnis von R23 beitet wird, ist die Auswahl des Kondensator C18 dienen zur Schleifer das Audiosignal abge-
und R7 beträgt die Operationsverstärkers nicht gleichspannungsmäßigen Ent- griffen werden kann. Je näher
Verstärkung hier ca. kritisch. Der NE5534 zeichnet kopplung des Eingangs. Das der Schleifer an dem Anschluss
sich laut Datenblatt durch ein Audiosignal gelangt anschlie- mit Masse steht, umso kleiner
…“
wesentlich geringeres Grund- ßend über R17 direkt an den die Amplitude des Audiosig-
rauschen und kleinere Verzer- invertierenden Eingang des nals. Das Audiosignal wird jetzt
rungen aus, als der in der Simu- Operationsverstärkers. Über wieder gleichspannungsmäßig
lation verwendete LM318. R12 wird der Ausgang des entkoppelt (C25 und C2) und
Operationsverstärkers wieder gelangt über R23 an den inver-
Der Eingang wird durch die
auf den invertierenden Eingang tierenden Eingang des Operati-
Sinusquelle V5 dargestellt.
zurückgekoppelt um seine Ver- onsverstärkers IC7.
0.775Vpp entspricht der Cinch-
stärkung zu „bremsen“. C19
norm. Durch das Verhältnis von R23
dient hier zur Unterdrückung
und R7 beträgt die Verstärkung
Der Operationsverstärker IC6 hochfrequenter Schwingungen.
hier ca. 10. Diese wurde ge-
passt die Eingangsimpedanz an. Er schließt für hohe Frequenzen
wählt damit der Verstärker auch
Der Eingangswiderstand beträgt den Ausgang und Eingang kurz,
mit leiseren Audioquellen (z.B.
ca. 10KΩ (durch die Zusam- wodurch in diesem Falle ein
wenn eine CD leise aufgenom-
menwirkung von R17, R12 und Verstärkungsfaktor von 0 (bei
men wurde) voll ausgesteuert
dem Eingangswiderstand des einem idealen Kondensator)
werden kann. C37 und C26
Operationsverstärkers). Die entsteht. Auch dient C22 zur
dienen erneut der Unterdrü-
Eingangsimpedanz lässt sich Unterdrückung von hochfre-
ckung hochfrequenter Schwin-
nur sehr aufwendig berechnen, quenten Schwingungen. Dieser
gungen. Für den Modulator ist
Der Vorverstärker auf der da diese frequenzabhängig ist. Kondensator ist für den
Lochrasterplatine. Das Poti eine Offsetspannung von 6V
Der Verstärkungsfaktor bei NE5534 typisch.
wird über die Stiftleiste erforderlich, die hier allerdings
dieser Schaltung beträgt ca. 1
Der Ausgang von IC6 wird nicht zusätzlich angepasst wer-

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Daniel Immel

den muss. Die Offsetspannung


am Ausgang von IC7 wird be-
stimmt durch die Referenzspan-
nung (6V) am nicht invertieren-
den Eingang.

Ein noch unvollständiger Ver-


suchsaufbau des Vorverstärkers.
Der Frequenzgang der Eingangsschaltung.

Modulator
Der Modulator ist im Prinzip nale miteinander. Ist das Drei- Simulator ermittelt, um best- „...Der LM319
recht einfach aufgebaut. Er ecksignal größer (hat also eine mögliche Flankensteilheit zu zeichnet sich durch
besteht nur aus einem Kompa- höhere Spannung) als das NF erhalten.
(…) aus, die bei
rator und 2 Widerständen. Der Signal, springt der Ausgang
Der LM319 zeichnet sich durch einem solchen
2. Operationsverstärker inklusi- (Mod_HS) auf HIGH. Ist das
eine sehr hohe Genauigkeit und
ve der beiden Widerstände am Dreiecksignal kleiner als das Modulator unbedingt
Geschwindigkeit aus, die bei
Ausgang im Schaltbild wird NF Signal springt der Ausgang
einem solchen Modulator unbe-
erforderlich sind.“
benötigt, um ein zweites, inver- (Mod_LS) auf LOW. So ent-
dingt erforderlich sind.
tiertes PWM Signal zu erhalten. steht am Ausgang ein Recht-
In der Funktionsbeschreibung ecksignal dessen Pulsweiten der
beschränke ich mich auf einen Spannung am NF Eingang ent-
der beiden Schaltungsteile spricht. Genaueres ist der Gra-
(IC8B mit R6 und R16), da der fik auf Seite 10 zu entnehmen.
andere die selbe Funktion er-
Die Widerstände R16 und ins-
füllt. Der einzige Unterschied
besondere R6 sind notwendig,
besteht darin, das die beiden
da der verwendete Komparator
Eingänge des Operationsver-
LM319 nur einen internen sin-
stärkers vertauscht sind.
king Transistor besitzt. Das
Der Dreieckimpuls vom Drei- bedeutet, der Komparator kann
eckgenerator wird direkt auf kein HIGH ausgeben. Der Aus-
den nicht invertierenden Ein- gang ist entweder „offen“ oder
gang gelegt. Der nicht invertie- LOW. Deshalb wird hier ein
rende Eingang wird mit dem Pullup Widerstand eingesetzt.
Ausgang des Vorverstärkers R16 sorgt dafür, das der Aus-
verbunden. gang ganz auf Masse „gezogen“
werden kann. Die Werte der
Der Komparator IC8B ver-
beiden Widerstände wurden im Schaltbild des PWM Modulators
gleicht die beiden Eingangssig-

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Entwicklung und Aufbau eines Class-D Verstärkers

Da der LM319 Baustein 2 sol-


cher Komparatoren beinhaltet,
wurden für die High-Side und
die Low-Side Ansteuerung
jeweils ein Komparator ver-
wendet. Ansonsten hätte das
Ausgangssignal noch mal in-
vertiert werden müssen, damit
das Gatetreiber IC korrekt an-
gesteuert werden kann.

Später im praktischen Aufbau


wurde festgestellt, dass die
Steigung und der Abfall des
Impulses nicht ganz so ideal
sind wie sie in der unteren Ab-
bildung im Simulator aussehen.
Im Versuchsaufbau waren die
steigenden Flanken nach oben
hin leicht abgerundet. Dazu das
Oszilloskopbild auf der folgen-
den Seite. Der Grund liegt wohl
Innenschaltbild des LM319. Deutlich zu sehen: der Transistor um den Ausgang auf HIGH zu ziehen fehlt. darin, dass die Simulationsmo-
Quelle: Datenblatt LM319 von Philips Semiconductor
delle der Operationsverstärker

„… Später im
praktischen Aufbau
wurde festgestellt,
dass die Steigung und
der Abfall des
Impulses nicht
ganz….“

Die Arbeitsweise des Modulators mit einer Eingangsfrequenz von 16kHz (Sinus). Deutlich zu sehen ist, wie sich die
Der Modulator im Ver- Pulsweiten mit der Höhe der Sinusspannung ändert.
suchsaufbau

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Daniel Immel

in PSpice wohl eine sehr ge- MosFet gleichzeitig leiten wür-


naue Nachbildung der Ein- den und es dann zu einem
gangsstufe, jedoch keine ge- „Kurzschluss“ kommen würde.
naue Nachbildung der Aus- Da in der hier vorliegenden
gangsstufe beinhalten. Schaltung die Eingänge beider
Komparator (IC8A und IC8B)
Diese leichten Verzerrungen
unmittelbar zusammenhängen,
sind im weiteren Signalverlauf
kann dieser Fall im normalen
kaum relevant, da der Gatetrei-
Betrieb nicht eintreten.
ber IR2110 integrierte Schmitt-
trigger am Eingang besitzt. Beim Modulator war die größte
Entwicklungsschwierigkeit,
Am wichtigsten ist jedoch, dass
einen passenden, ausreichend
niemals beide Ausgänge gleich-
schnellen und leicht verfügba- Ausgangsspannung des Modulators (offener NF Eingang). Deut-
zeitig HIGH werden dürfen, da
ren Komparator zu finden. lich zu sehen sind die Rundungen bei der steigenden Flanke. Die
sonst der obere und untere kleinen Spitzen unten bei der fallenden Flanke sind auf die in-
duktive Wirkung der Leiterbahnen zurückzuführen.

Endstufe (MosFet H-Brücke)


Die Endstufe stellt den Leis- nur eine Betriebsspannung zur Die beiden Brückenhälften der
tungsteil der Endstufe dar. Bei Verfügung steht. Somit kann H-Brücke sind vom Aufbau her „...Ein weiterer
dem vorliegenden Class D Ver- der Verstärker z.B. mit einem absolut identisch. Sie unter- Nachteil bei der
stärker wurde eine so genannte Notebooknetzteil betrieben scheiden sich nur durch die
Verwendung einer
H-Brücke eingesetzt. Im We- werden. Diese liefern für ge- invertierte Ansteuerung.
Halbbrücke wäre die
sentlichen besteht diese aus 2 wöhnlich 19V bei ca. 3-6A (je
getrennten Halbbrückenteilen nach Modell), das eine ausrei- Entstehung einer
(siehe Seite 2, Class AB Ver- chende Versorgung für den Offsetspannung…“
stärker), wovon eine invertie- Verstärker gewährleistet. (Je
rend arbeitet. So kann an der nach Last und maximalem Aus-
Last (Lautsprecher) theoretisch gangsstrom des Netzteils).
die volle Betriebsspannung
anstehen. Das bedeutet, dass
auch bei kleineren Betriebs-
spannungen hohe Leistungen V+ V+
abgegeben werden können.

Ein weiterer Nachteil bei der I I


Verwendung einer Halbbrücke
wäre die Entstehung einer Off-
setspannung in Höhe der halben
Betriebsspannung. Dann wird Last Last

entweder ein Koppelkondensa-


tor benötigt (der die gesamte
Leistung übertragen muss) oder GND GND
eine positive oder negative
Betriebsspannung. Eine der
Schematische Darstellung einer H-Brücke mit den beiden Schaltzuständen.
Vorraussetzungen für den Class
D Verstärker ist allerdings, dass

Seite: 11 Projektarbeit CAE - Entwicklung und Aufbau eines Class D Verstärkers Daniel Immel
Entwicklung und Aufbau eines Class-D Verstärkers

„...Eingänge direkt an
den Ausgang des
Modulators
angeschlossen
werden, da das
IR2110 einen internen
Schmitt-Trigger…“

Schaltplan der H-Brücke. Diese besteht im wesentlichen aus den Gatetreiber ICs und den Endstufenmosfets.

Schaltungsbeschreibung: se „verstehen“ kann. Pin 5, Eingänge können direkt an den


VSS, wird an Masse ange- Ausgang des Modulators ange-
Die Schaltungsbeschreibung
schlossen, wodurch die Be- schlossen werden, da das
beschränkt sich auf die im
triebsspannung für den Logik- IR2110 einen internen Schmitt-
Schaltplan obere Halbbrücke,
teil vollständig ist. (Der Aus- Trigger besitzt. Daher ist die
da die untere Halbbrücke auf
gangsteil ist von dieser Be- Flankensteilheit des modulier-
der selben Schaltung beruht.
triebsspannung weitestgehend ten Signals nicht unbedingt
Alle Anschlüsse auf der linken unabhängig.) kritisch.
Seite des IR2110 sind die Lo-
Die Eingänge HIN und LIN Wird der Eingang SD (= Shut-
gikeingänge. VDD steht für die
stellen die Steuereingänge für down) „HIGH“ sperrt das Ga-
positive Betriebsspannung des
die Gatetreiber Ausgänge dar. tetreiber IC beide MosFets.
Logikteils und wird an +12V
Wird HIN „HIGH“ schaltet der Dieser Eingang wird von der
angeschlossen, damit der
obere MosFet, wird LIN Schutzschaltung verwendet um
IR2110 die vom Modulator
Die Endstufe auf der Lochrasterplati- „HIGH“ schaltet der untere z.B. die Sicherheitsabschaltung
kommenden 12V hohen Impul-
ne. MosFet durch. Diese beiden zu gewährleisten.

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Daniel Immel

Das Innenschaltbild des IR2110.


Quelle: Datenblatt von International Rectifier

Der IR2110 besitzt intern eine wird einmal auf Pin 9 (VCC, werden können. Aufgrund des-
Sperre, das beide Mosfets LowSide Treiber) und über D6 sen, dass das Modell des
gleichzeitig leiten. Das hat den auf Pin 7 (VB, HighSide Trei- IR2110 intern mit Gattern auf- „...Um den HighSide
großen Vorteil, dass im Fehler- ber) geschaltet. Die Höhe der gebaut ist, sorgt der Widerstand Mosfet korrekt
fall im Vorverstärker oder Mo- Betriebsspannung ist abhängig R_Real_20 dafür, dass die Si-
schalten zu können,
dulator die Endstufe nicht zer- davon, welche Spannung die mulation nicht abbricht (Pin
stört wird. MosFets benötigen um voll floating), wenn der LowSide wird eine so genannte
durchzuschalten. MosFet abgeschaltet ist. Dieser Bootstrap Schaltung
Als Endstufen Mosfets werden
kann in der Praxis entfallen. benötigt…“
in der Praxis 60N03L verwen- Der Anschluss COM ist im
det. Da für den 60N03L leider Schaltplan auf GND Potential Um den HighSide MosFet kor-
kein Simulationsmodell zur gelegt (Aufgrund von Ein- rekt schalten zu können, wird
Verfügung stand, wurde das schränkungen des Simulations- eine so genannte Bootstrap
Modell eines RSS090N03 ver- modells). In der Praxis muss Schaltung benötigt. Die-
V+
wendet. Die wesentlichen Un- dieser zwingend an se erzeugt eine VCC
terschiede bestehen lediglich „Bridge_GND“ angeschlossen höhere Spannung als die,
darin, dass der 60N03L einen werden, da es sonst zu Stör- die an VB anliegt, um I
wesentlich höheren Drainstrom schwingungen und nicht kor- den HighSide MosFet
schalten kann (bis 60A) und rektem Schalten des LowSide voll durchzuschalten.
geringfügig schneller ist. Alle Mosfets kommen kann. Ansonsten würde sich
Last
Angaben in der weiteren Be- der obere Mosfet sofort
Das Ausgangssignal am Pin 11
schreibung beziehen sich auf wieder selbst sperren
(LO) gelangt über eine Delay-
den 60N03L. weil, wenn er voll leitend
schaltung (D5 und R11) direkt GND
ist, die Spannung Ugs
Die Spannungsversorgung des auf das Gate des LowSide Mos-
auf 0V fällt.
Gatetreiberteils ist, wie bereits Fet. Der IR2110 ist in der Lage
im Kapitel Spannungsversor- bis zu 2A Strom am Ausgang Die Bootstrapschaltung Unbedingt zu vermeiden: Wenn der HighSide
gung beschrieben mit einem zu liefern, was sicherstellt, dass lädt den Kondensator C6 und LowSide FET gleichzeitig leiten, entsteht
ein Kurzschluss, der nur durch den Rdson der
10V Stabilisations-IC realisiert. die Gatekapazitäten schnell über die Diode D6 auf,
Mosfets begrenzt wird.
Die 10V Betriebsspannung aufgeladen und wieder entladen während der LowSide

Seite: 13 Projektarbeit CAE - Entwicklung und Aufbau eines Class D Verstärkers Daniel Immel
Entwicklung und Aufbau eines Class-D Verstärkers

+Ub +Ub

VB VB

HO HO

VS VS

IR2110 IR2110
VC VC

LO LO

Stark Vergrößert: Die CO CO


Bootstrapdiode mit dem
Bootstrapkondensator. GND GND
(Rot eingekreist)
Die Bootstrapschaltung während der Die Bootstrapschaltung, während der
LowSide MosFet leitet, wird der HighSide MosFet leitet. Die eben im
Bootstrapkondensator über die Diode Bootstrapkondensator gespeicherte
geladen. Energie wird jetzt hinter der Diode
„eingespeist“. Die Spannung +Ub
(Diode leitet) wird zu der im Kondensa-
tor gespeicherten Spannung addiert.

„...Das Gate wird


Mosfet leitet. Wenn der High- Bootstrapschaltung dargestellt. Diode beim Aufbau zur Verfü-
über den Widerstand Side Mosfet leitet, wird die Die linke Abbildung zeigt das gung stand, wurde hier auf die
R10 (R11) „langsam“ Ladung unterbrochen und die Laden des Bootstrapkondensa- ähnliche Diode SK34 zurückge-
geladen…“ Spannung die in C6 gespeichert tors. In der rechten Abbildung griffen.
ist, wird zu der, die von D4 sieht man sehr deutlich, in wel-
Die Verzögerungsschaltung aus
kommt addiert. Zum besseren cher Weise der Bootstrapkon-
D4 und R10 (D5 und R11)
Verständnis ist auf dieser Seite densator eingesetzt wird.
sorgen dafür, dass bei den Mos-
die Funktionsweise der
Die Kapazität des Kondensators fets eine so genannte „Totzeit“
sollte größer sein als die des eingestellt wird. Das Gate wird
Gates (damit der MosFet wäh- über den Widerstand R10 (R11)
rend der gesamten Schaltdauer „langsam“ geladen. Der Mosfet
voll durchgesteuert ist). Die wird also „langsam“ leitend.
+Ub Diode muss sehr schnell sper- Beim Entladevorgang des Gates
ren können, damit der Konden- wird die Diode in Durchlass-
Übernahmeverzerrungen
sator nicht beim Umschalten richtung gepolt, was den Vor-
entladen wird. gang wesentlich beschleunigt.
Dies ist unbedingt erforderlich,
Die genauen Angaben und eine
um die durch die interne Body-
Formel zum Berechnen des
diode des Mosfets verursachte
Kondensators kann dem Aplli-
-Ub unterschiedliche Ein– und Aus-
cation Note AN-978 von Inter-
schaltzeit zu kompensieren.
national Recteifer entnommen
Ansonsten würden für einen
werden. Da keine MUR160
Übernahmeverzerrungen im Ausgangssignal. Diese würden den Klang des Ver- kurzen Zeitpunkt beide Mosfets
stärkers erheblich verschlechtern.

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Daniel Immel

leitend werden (=Kurzschluss


zwischen +Ub und GND). Stellt
man die Totzeit zu lang ein,
entstehen so genannte Übernah-
meverzerrungen, da der Aus-
gang in dieser Zeit „in der Luft“
hinge. Die beiden Kondensato-
ren C6 und C7 dienen zur zu-
sätzlichen Stabilisierung der
Betriebsspannung des Treiber-
teils, weil hier recht hohe Im-
pulsströme auftreten können.

Die Bridge_GND Anschlüsse


werden über einen Shuntwi-
Der Shuntwiderstand mit
derstand auf Masse gelegt. der Sicherung (6AT) der zur
Dieser Shuntwiderstand dient Strommessung durch die
zur Strommessung der H- H-Brücke und Last dient.
Brücke. Zur zusätzlichen Si-
cherheit ist noch eine Glassi-
cherung mit 6A eingebaut.
Sollte eine Abschaltung der Die Abbildung zeigt die Stromspitzen, die beim Umschalten der
Endstufe aus irgendeinem Feh- MosFets entstehen. In der Praxis treten diese nicht auf, da der
im praktischen Aufbau verwendete 60N03L schneller ist.

lergrund (z.B. ein MosFet hat


„...Die in der oberen
Kurzschluss) nicht mehr mög- Abbildung gezeigten
lich sein, löst diese Sicherung Stromspitzen treten
aus und verhindert so eine kom- im praktischen
plette Zerstörung der Endstufe.
Aufbau nicht mehr
Die Endstufe soll bei ca. 5,5A
abschalten, was einem Span- auf…“
nungsabfall von 0,33V am
Shuntwiderstand entspricht. Die
Auswertung des gemessenen
Stromes wird mit einem Opera-
tionsverstärker realisiert. Auf
die genaue Schaltung wird spä-
ter noch eingegangen.

Die in der oberen Abbildung


gezeigten Stromspitzen treten
im praktischen Aufbau nicht
mehr auf, da hier geringfügig
schnellere MosFets verwendet Der Shuntwiderstand und die Glas-
wurden. sicherung auf der Lochrasterplati-
ne.
Die Abbildung zeigt den Ausgang der Endstufe (Rot) zusammen mit
dem Eingang am IR2110 (Blau) und dem NF Eingangssignal (Grün).
An den steilen Flanken des Ausgangssignals erkennt man, dass die
Gates der MosFets ausreichend schnell entladen werden.

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Entwicklung und Aufbau eines Class-D Verstärkers

Probleme mit dem Simulator:

Um den so genannten „Bias


Point“, „DC Sweep“ und die
„Transient Analysis“ für analo-
ge Teile zu berechnen, muss
PSpice eine Reihe von nicht
linearen Gleichungen berech-
nen, die den Zustand der Schal-
tung beschreiben. Dies ge-
schieht mit dem „Newton
Raphson Algorithmus“. Dieser
Der Spannungsverlauf am Gate des LowSide Mos- Ausgangsspannung der Endstufe auf dem Oszil- startet an einem bestimmten
Fet. Das Gate wird über den Widerstand langsam loskop. Es sind keine Spitzen beim Ein– und Aus- Punkt und optimiert die Berech-
geladen und über die Diode schnell entladen. Da- schalten zu sehen, die eventuell Störgeräusche im
nungen so lange bis die Span-
mit werden vor allem die unterschiedlichen Ein– Lautsprecher verursachen könnten.
nungen und Ströme zueinander
und Ausschaltzeiten der MosFets ausgeglichen.

passen. Um überhaupt beginnen zu wurde im Wesentlichen aus 2


können, wird der „Bias Point“ Gründen erschwert. Der 1.
In einigen Fällen - wie in dieser
berechnet (der Einschaltzustand Grund liegt darin, dass immer
Schaltung - kann PSpice kein
„...Schlägt schon der Schaltung). Schlägt schon wenn der Modulator von HIGH
passendes Ergebnis finden, was
dieser Schritt fehl, kann keine nach LOW (oder umgekehrt)
dieser Schritt fehl, im allgemeinen als ein
„Transient Analysis“ gestartet springt, löst dies eine Kettenre-
kann keine „Transient „Konvergenz Problem“ be-
werden. Kann PSpice keinen aktion aus, insbesondere im
zeichnet wird. Der Name ent-
Analysis“ gestartet „Bias Point“ berechnen, ver- Modell des IR2110. Hier wer-
stand, weil die sich wiederho-
werden. Kann PSpice sucht es, die Spannungsquellen den mehrere Gatter fast zeit-
lenden Newton Raphson Be-
auf fast null Volt zu stellen und gleich umgeschaltet, was ex-
keinen „Bias Point“ rechnung keine zusammenpas-
diese dann langsam auf die trem viele kurze Zeitschritte für
berechnen, versucht senden Ergebnisse der Span-
Soll-Werte zu erhöhen. Die die Simulation bedeutet. Das
nungen und Ströme ergeben.
es, …“ Simulatoreinstellung GMIN Modell des IR2110 ist intern zu
Das Problem in dieser Schal- gibt hierbei den kleinsten zuge- großen Teilen mit Logikgattern
tung liegt darin begründet, dass lassenen Schritt an. Ein Erhö- aufgebaut, die eine sehr steile
die „Transient Analysis“ nach hen des Wertes auf 0,7n Flanke besitzen und kurze Ver-
einigen Versuchen (je nach (Standarteinstellung: 1p) zögerungen haben. So ändern
Einstellungen) keine zusam- brachte hier Abhilfe. Allerdings sich in der Schaltung, innerhalb
menpassenden Ergebnisse lie- gab es immer noch Probleme nur weniger Nanosekunden, an
fert. PSpice macht bestimmte mit der „Transient Analysis“. sehr vielen Stellen die Zustände
Zeitschritte (Transient Analysis Diese brach nach kurzer Zeit vom einen Extrem in das Ande-
Einstellungen —> Step Cei- mit dem Fehler „Timestep too re (z.B. von HIGH nach
ling). Stimmen nach diesem small“ ab. Der kleinstmögliche LOW). Die Anzahl der mögli-
Zeitschritt die Spannungen und Zeitschritt wird von vielen Fak- chen Schritte zurück reichte
Ströme nicht überein, geht es toren bestimmt. Eine genaue hier nicht aus. Der 2. Grund
eine begrenzte Anzahl Schritte Erklärung dieser Zusammen- liegt in der Einschränkung, nur
Die Endstufe auf dem Steck-
in der Zeit zurück, um sich dem hänge sind im MicroSim PSpi- eine bestimmte Anzahl Schritte
brett, die Streuinduktivitäten korrekten Ergebnis annähern zu ce Handbuch „PSpice Refe- pro Zeitschritt zurückgehen zu
sind hier unter anderem auf- können. Dies kann durch be- renz“ auf Seite 428ff zu finden. können. Diese reichen nicht
grund der langen Drähte be- stimmte Einstellungen beein- aus, um alle Änderungen des
sonders hoch. Die Simulation der H-Brücke
flusst werden. Zustands korrekt ermitteln zu

Seite: 16 Projektarbeit CAE - Entwicklung und Aufbau eines Class D Verstärkers Daniel Immel
Daniel Immel

können. Dabei wurde auch die und Dreieckgenerator Laststrom 10A be-
Fehlermeldung „Timestep too trägt) und die Streuin-
2. Ausgangsfilter
Small“ verursacht. duktivität 50nH be-
3. Vorverstärker trägt, entsteht eine
Das Simulationsmodell des
Spannungsspitze von
IR2110 ist nicht voll kompati- 4. Sicherheitsschaltungen
–25V (gegenüber dem
bel mit MicroSim PSpice 8.
So konnten durch Anpassen COM Pin). Zum Ver-
Daher werden sehr wahrschein-
einiger Simulatoreinstellungen gleich: eine kleine
lich auch die Probleme verur-
alle Simulationen weitestge- Büroklammer hat eine
sacht. In vielen Internetforen
hend ermöglicht werden. Die Induktivität von
wird deshalb die Freeware Ver-
notwendigen Simulationsein- 50nH, ein Pin eines
sion von PSpice, „LTSpice“ Eine Halbbrücke mit den typischen Streuinduktivi-
stellungen sind in den auf der TO220 Gehäuses
von dem Halbleiterhersteller täten der Leiterbahnen und Bauteilgehäuse
CD enthaltenen Workspaces 25nH. Ab einer nega-
Linear Technology empfohlen. Quelle: Application Note AN978 von International
bereits enthalten. tiven Spannungsspitze
Diese verwendet einen verbes- Rectifier
Praktische Probleme: von 5V blockiert der
serten Algorithmus um auch
Buffer des HighSide Treibers.
Beim praktischen Es wird aber trotzdem der Low-
Aufbau der Schal- Side Mosfet eingeschaltet. Es
MOSFETS

tung zeigten sich kommt zu einem sehr hohen


IR2110

einige Probleme Stromfluss zwischen den bei-


die durch die in- „...Ab einer negativen
den Mosfets der zur Erhitzung
duktive Wirkung und dann zur Zerstörung der Spannungsspitze von
der Leiterbahnen Mosfets führt. Der einfachste 5V blockiert der
bzw. Drähte zu- Weg diese negativen Span- Buffer des HighSide
IR2110

MOSFETS

rückzuführen wa- nungsspitzen zu beiseitigen ist, Treibers. Es wird


ren. Besonders auf die Streuinduktivitäten mög-
dem Steckbrett aber trotzdem…“
lichst gering zu halten. Dies
kam es zu negati- kann am einfachsten geschehen,
ven Spannungsspit- indem man im Layout die Mos-
zen am VS Pin des fets so nahe wie möglich am
Das Bild zeigt die möglichst kurzen Leiterbahnen IR2110. Diese sind Gatetreiber IC platziert. Auch
zwischen IR2110 und den MosFets. Aus diesem zwar grundsätzlich sollten die Leiterbah-
Grund verlaufen hier die Leiterbahnen auch nicht kein Problem nen möglichst kurz
im rechten Winkel. (weder für das IC gehalten werden und
noch für den Mos- keine „Bögen“ ma-
sehr schnelle Schaltvorgänge zu fet) allerdings verursacht dieser
chen. Wie in der
simulieren und wurde speziell Impuls das Blockieren des Abbildung rechts
entwickelt um Schaltnetzteile HighSide Buffer (der HighSide oben gezeigt, sollte
(die auch sehr viele schnelle Mosfet wird also nicht mehr der VS Pin möglichst
Schaltvorgänge machen) zu abgeschaltet). Dieses Problem nahe am HighSide
simulieren. Aus Gründen der tritt insbesondere dann auf, Mosfet angeschlossen
Kompatibilität wurde hier auf wenn die Endstufe belastet wird werden. Genauere
eine Verwendung von LTSpice (also ein hoher Strom durch die Hinweise und weitere
verzichtet und stattdessen die Der negative Impuls während dem so genannten
Streuinduktivitäten fließt). Das Lösungsansätze kön-
gesamte Schaltung in 4 Teile „Reverse Recory“ der Bodydiode.
Application Note AN978 gibt nen dem Application Quelle: Application Note AN978 von International
aufgeteilt: hier folgendes Rechenbeispiel: Note AN978 von Rectifier
1. Endstufe, Modulator, Wenn 10A innerhalb von 20ns International Recti-
Spannungsversorgung geschaltet werden (also der fier entnommen werden.

Seite: 17 Projektarbeit CAE - Entwicklung und Aufbau eines Class D Verstärkers Daniel Immel
Entwicklung und Aufbau eines Class-D Verstärkers

Ausgangsfilter (Lowpass)

Der Ausgangsfilter besteht im unterschiedlichen Filterarten


Prinzip aus 2 LC Tiefpässen, zeigten, dass ein LC Filter am
die hintereinander geschaltet besten geeignet ist. Ein Sperr-
sind. Es ist notwendig je ein kreis (LC parallel) auf 260kHz
„...Das erste Filter
Ausgangsfilter für beide Halb- abgestimmt, filterte das Modu-
(L1, C44 und C45) brücken einzuplanen, da sonst lationssignal nicht ausreichend,
bildet einen Tiefpass, auf der Lautsprecherleitung das da das anliegende Rechtecksig-
mit einer 3dB PWM Signal anliegen würde. nal nach Fourier aus unendlich
Grenzfrequenz von Das führt zu Störungen unbe- vielen Sinusschwingungen
kanntem Ausmaßes (wie bereits besteht.
ca. …“
in der Einleitung beschrieben).
Der erste Filter (L1, C44 und Ein erster Ver-
Die Beschreibung der Schal- suchsaufbau mit nur
C45) bildet einen Tiefpass, mit
tung bezieht sich hier wieder einer Spule.
einer 3dB Grenzfrequenz von
auf nur eines der beiden absolut
ca. 20kHz. Für die Kondensato-
identischen Filter. Auch das Zusammenspiel der
ren C44 und C45 sollten Typen
beiden Filter spielt eine große
Es bietet sich an, ein LC Filter verwendet werden, die einen
Rolle. Die Berechnung eben
zu verwenden, weil Spulen hohen Impulsstrom aushalten
dieses ist sehr komplex. Genau-
einen sehr kleinen (Ideale Spule können, da die Ladung mit ca.
ere Informationen können den
keinen) ohmschen Widerstand 260kHz zwischen Spule
Dokumenten: „Application
aufweisen. So kann die Leis- (magnetische Energie) und den
Report: Reducing and Elimina-
tung die, zur Last übertragen Kondensatoren (elektrische
ting the Class D Output Filter“
werden soll fast ungehindert Energie) hin und her geladen
von Texas Instruments oder
„passieren“. Wohingegen das wird. Um die so genannten
dem „Application Note 624:
Das Ausgangsfilter auf der Loch- PWM Signal aufgrund der Fil- „Modulationsreste“ noch besser
rasterplatine - die 3 2200µF Class D Audio Amplifier Out-
tereigenschaft für hohe Fre- filtern zu können, wurde noch
Elektrolytkondensatoren gehö- put Filter Optimization“ von
quenzen nicht bis zur Last ge- ein 2. Filter dazugeschaltet (L2
ren nicht zum Ausgangsfilter, Maxim/Dalles Semiconductor
langt. und C3) das mit einer Grenzfre-
sie dienen zur Stabilisierung der entnommen werden.
Betriebsspannungen. quenz von ca. 48kHz arbeitet.
Verschiedene Experimente mit

Seite: 18 Projektarbeit CAE - Entwicklung und Aufbau eines Class D Verstärkers Daniel Immel
Daniel Immel

Das Frequenzverhalten des


Filters ist auch abhängig vom
Lastwiderstand. Hier wurden
als Mittelwert 4 Ohm angenom-
men. Ein Lautsprecher stellt
ohnehin eine komplexe Last
dar, für die kein Simulations-
modell zur Verfügung stand.

Die Simulation zeigt einmal


eine AC Quelle, die zur Bestim-
mung des Frequenzganges
dient. Die VPulse Quelle ist so
eingestellt, eine Rechteckspan-
nung mit 260kHz zu erzeugen.
Dies entspricht dem Ausgangs-
signal der Endstufe im Leer-
lauf. Hier kann ermittelt wer-
den, wie der Filter auf eine
solche Rechteckspannung rea-
giert und wie viel Strom dann Frequenzgang des Filters mit einem Sinussignal. R_Last beträgt hier 4Ω

durch den Filter fließt.

Im praktischen Aufbau gestalte- technische Daten bekannt wa- mung von L1 (auch im Leer-
te es sich am schwierigsten, die ren. Hier wurde der Spulenkern lauf). Offensichtlich gerät der
Spulen herzustellen. Da keine bewickelt und ständig deren Kern in Sättigung. In der Se-
fertigen zur Verfügung standen, Induktivität gemessen, bis sich rienfertigung sollten also ande-
wurde diese selbst gewickelt. der gewünschte Wert eingestellt re Kerne, deren technische Da-
„...Im praktischen
Des weiteren standen keine hatte. Im praktischen Aufbau ten bekannt sind, verwendet Aufbau zeigt sich eine
Kerne zur Verfügung, deren zeigt sich eine starke Erwär- werden. starke Erwärmung
von L1 (auch im
Leerlauf) …“

Für das Wickeln der


Spule ist es beson-
ders wichtig, den
Spulenkörper
gleichmäßig zu
Frequenzgang des Filters mit einem Sinussignal. R_Last beträgt hier 2Ω. Es findet bei rein ohmscher Belastung bewickeln.
eine starke Verformung des Frequenzganges statt. Der Höreindruck mit einem Lautsprecher bestätigte dieses
Ergebniss nicht.

Seite: 19 Projektarbeit CAE - Entwicklung und Aufbau eines Class D Verstärkers Daniel Immel
Entwicklung und Aufbau eines Class-D Verstärkers

Schutzschaltungen
Logikteil:

Hier ist die Einschaltverzöge-


rung und die Recovery Time
realisiert. Nach dem Einschal-
ten sind zunächst alle Konden-
satoren entladen. Während sich
die Betriebsspannungen aufbau-
en, kommt es zum Auslösen des
Unterspannungsschutzes. Des-
halb wird über D6 der Konden-
sator C32 geladen. Sobald die
Schaltplan des Logikteils, das im Wesentlichen aus den LED Anzeigen und Gattern besteht. Betriebsspannung stabil über

14V bleibt, gibt die Unterspan-


nungsschaltung 0V aus. Da D6
dann in Sperrichtung gepolt ist,
muss sich C32 über R32 entla-
den. Es dauert ca. 3s (Recovery
Zeit) bis der Ausgang des Gat-
„...sofort wieder ters IC10C dadurch auf HIGH
Potential umspringt (vorher:
einschalten würde. Es
LOW). Die grüne LED beginnt
würde der so zu leuchten. Zur gleichen Zeit
genannte wird auch C38 über R24 gela- Schaltplan des Unterspannungsdetektors.
„Klingeleffekt“ den (Einschaltverzögerung).
Erst wenn C38 aufgeladen ist, schlossen wird. Wird ein Fehler 10V arbeitet allerdings der
auftreten, …“
springt der Ausgang des Gatters (z.B. zuviel Strom durch die Modulator und der Dreieckge-
IC10D auf Low Potential. Die Endstufe) detektiert, wird C32 nerator nicht korrekt. Das wür-
rote LED erlischt und die Ga- wieder geladen und der Vor- de einen undefinierten Zustand
tetreiber werden freigegeben. gang beginnt von vorne. Eine verursachen, bei dem im
D9 verhindert, dass der Clip- Verzögerung des Widerein- schlimmsten Falle die volle
Eingang von IC10D kurzge- schaltens ist hier sinnvoll, da Betriebsspannung am Ausgang
nach Abschalten der Gatetrei- anliegt. Der Unterspannungsde-
ber, die Strombegrenzung diese tektor besteht aus einem Span-
sofort wieder einschalten wür- nungsteiler (R19 und R18) und
de. Es tritt der so genannte dem Operationsverstärker
„Klingeleffekt“ ein, den es hier IC9B. Fällt die Spannung am
zu vermeiden gilt. invertierenden Eingang des
Operationsverstärkers unten
Unterspannungsdetektor:
6V, wird der Ausgang HIGH
Der Unterspannungsdetektor ist und die Endstufe abgeschaltet.
notwendig, da die IR2110 ab Dies ist ca. bei einer Betriebs-
einer Gatespannung von ca. 8V spannung kleiner als 13.8V der
zu arbeiten beginnen. Bei einer Fall.
Schaltplan der Strombegrenzung.
Betriebsspannung von unter

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Daniel Immel

Strombegrenzung: Shuntwiderstand abfallen. Der


Spannungsteiler (R2 und R20)
Die Strombegrenzung arbeitet
ist so dimensioniert, dass so-
im Prinzip genau wie der Un-
bald an Bridge_GND 0,4V
terspannungsdetektor. Der
anliegen, die Spannung am
Strom wird über den Shuntwi-
nicht invertierenden Eingang
derstand der Endstufe gemes-
über 6V steigt. Dies hat zur
sen. Der Spannungsabfall an
Folge, dass der Ausgang des
diesem Widerstand zeigt den
Operationsverstärkers auf 12V
aktuellen Stromfluss durch die
ansteigt. Durch den Logikteil
Endstufe. Der Strom durch die
wird die Endstufe dann für 3
Endstufe soll auf ca. 6A be-
Sekunden abgeschaltet. Die Schutzschaltungen und der Dreieckgenerator auf der Lochrasterplatine.
grenzt werden, was bedeutet,
dass bei 6A Strom 0,4V am

„…Sperrt nun einer


der beiden
Transistoren, ändern
sich die
Spannungsverhältnisse
am Eingang des
Schaltplan der Übersteuerungsanzeige (Clip Detector).
Operationsverstärkers
so, dass…“
Übersteuerungsanzeige: ständen R30, R34, R35 und eine Übersteuerung anzuzeigen.
R27 für den unteren Aussteuer- Der Kondensator wird auch
Die Übersteuerungsanzeige soll
bereich zuständig ist. Beide durch die LED wieder entladen
dem Anwender zeigen, wenn
Transistoren sind im Normalbe- (D11 in Sperrrichtung gepolt,
der Verstärker an seine Grenzen
trieb durchgeschaltet. Dadurch D10 in Durchlassrichtung).
stößt. Der Verstärker kann nur
entsteht am invertierenden Ein-
soweit ausgesteuert werden,
gang des Operationsverstärkers
wie es die Betriebsspannung
eine positivere Spannung als
zulässt. Eine Übersteuerung
am nicht invertierenden Ein-
(auch sehr oft als Clipping be-
gang. Der Ausgang ist also
zeichnet) ist sehr schädlich für +Ub
Low. Sperrt nun einer der bei-
die Lautsprecher und führt frü-
den Transistoren, ändern sich
her oder später zu ihrer Zerstö-
die Spannungsverhältnisse am Ausgangssignal
rung.
Eingang des Operationsverstär-
Grundsätzlich ist die Schaltung kers so, dass dieser High (also
in 2 Teile aufgeteilt. Der Tran- ca. 12V) ausgibt. Über die Dio-
sistor T3 mit den Widerständen de D11 wird nun der Kondensa- Übersteuerung
R31,R29,R32 und R28 dient -Ub
tor C41 geladen. Der Konden-
zur Erkennung des oberen Aus- sator dient dazu, die rote LED
steuerbereichs, wohingegen der nicht nur kurz (kaum sichtbar)
Transistor T4 mit den Wider- aufflackern zu lassen, sondern Typische Verluste in einer Class AB Endstufe.

Seite: 21 Projektarbeit CAE - Entwicklung und Aufbau eines Class D Verstärkers Daniel Immel
Entwicklung und Aufbau eines Class-D Verstärkers

Die Aussteuerungsanzeige ist


teilweise auf die Frontplatine
ausgelagert. Hier befinden
sich die 3 LEDs mit den Tran-
sistoren Q2, Q1 und Q4.

Schaltplan der Aussteuerungsanzeige, die im Wesentlichen nur aus bipolaren Transistoren aufgebaut ist.

Aussteuerungsanzeige: Dieser Strom wird durch R33 nung sperrt. Je mehr T2 sperrt,
auf ca. 10mA begrenzt. desto höher die Aussteuerung,
Die Aussteuerungsanzeige ist
die nacheinander Q2, Q1 und
im Wesentlichen mit einfachen Das NF Signal vom Ausgang
zuletzt Q4 sperren lässt. So
bipolaren Transistoren aufge- des Verstärkers wird über C1
leuchten nacheinander die 3
baut. Die Typen BC456 und gleichspannungsmäßig entkop-
„...Die Typen BC456 LEDs auf.
BC556 sind einfache Kleinsig- pelt und über R25 der Basis des
und BC556 sind naltransistoren, die weit ver- Transistors T1 zugeführt. Im Die beiden Kondensatoren
einfache breitet und sehr günstig sind. Es Leerlauf ist T1 gesperrt. Die dienen der optischen Verbesse-
ist ohne weiteres möglich auch Aussteuerungsanzeige wertet rung der Anzeige. C40 verhin-
Kleinsignaltransistoren
andere Kleinsignaltransistoren nur die obere Halbwelle einer dert das Anzeigen kurzer Im-
(…). Es ist ohne zu verwenden (z.B. BC327 und Halbbrücke aus. Das ist ausrei- pulse (Höhen), wohingegen
weiteres möglich…“ BC337). chend, da es hier nur darum C39 dafür sorgt, dass die An-
geht, einen groben Wert der zeige einen kurzen Moment
Im Leerlauf sind die Transisto-
Auslastung anzugeben. Steigt „gehalten“ wird. Der Wider-
ren Q2, Q1, T2 und Q4 leitend,
nun die Spannung am NF Ein- stand R26 entlädt C39 wieder.
das heißt, die LEDs sind erlo-
gang, wird T1 langsam leitend, Somit ist gewährleistet, dass die
schen, da der gesamte Strom
das wiederum bewirkt, dass T2 Anzeige nicht „hängen“ bleibt.
über die Transistoren fließt.
langsam mit steigender Span-

Platinenlayout
Die beim Platinenlayout wichti- den. Zusätzlich sind 4 Schrau- gung kann die 5-polige Stift-
gen Dinge wurden im wesentli- ben vorgesehen, mit denen die leiste entfallen. Diese diente
chen bereits in den einzelnen Bedienteilplatine auch direkt während der Entwicklungszeit
Schaltungsbeschreibungen mit der Hauptplatine verbunden zur Einspeisung von Testsigna-
beschrieben. werden kann. Des Weiteren len und/oder Messungen. Die
Die beiden Stiftleistenanschlüsse sollten der NF Teil und der im Platinenlayout dargestellten
Die Flachbandkabelverbindung
sind so aufgebaut, das auch ein Leistungsteil nicht direkt bei- weißen und schwarzen Drähte
zum Bedien– und Anzeigenteil
einziges 20 adriges Flachbandkabel einander liegen, um gegenseiti- sind mit isoliertem Draht mit-
kann wahlweise mit einem 20-
zur Frontplatine ausreicht. ge Störungen zu vermeiden. einander zu verbinden. Ebenso
poligen oder 2 neunpoligen
die beiden mit einem Ausrufe-
Flachbandkabeln realisiert wer- In einer eventuellen Serienferti-
zeichen versehenen Punkte.

Seite: 22 Projektarbeit CAE - Entwicklung und Aufbau eines Class D Verstärkers Daniel Immel
Daniel Immel

Platinenlayout des
Bedienteils. Hier wurde
eine Streifenrasterplati-
ne verwendet.

Das Platinenlayout der Hauptplatine. Hier kommt eine Lochrasterplatine zum Einsatz.
Die Roten Linien stellen Drahtbrücken auf der Bestückungsseite dar.
Verwendet wurde das Programm Lochmaster 1.0

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Entwicklung und Aufbau eines Class-D Verstärkers

Stückliste/Einkaufsliste
R1 Widerstand 0207, 10k R32 Widerstand 0207, 12k C23 Elko 4,5mm, 47uF Diode, SK34

R2 Widerstand 0207, 5,1k R33 Widerstand 0207, 1k C24 Keramik RM5, 100n D7 Si-Universal-Diode,
1N4148
R3 Widerstand 0207, 10k R34 Widerstand 0207, 1,5k C25 Elko 4,5mm, 47uF
D8 Si-Universal-Diode,
R4 Widerstand 0207, 5k R35 Widerstand 0207, 1k C26 Keramik RM5, 22p
1N4148
R5 Widerstand 0207, 1,2k R36 Widerstand, 0,12, C27 Keramik RM5, 100n
D9 Si-Universal-Diode,
5Watt
R6 Widerstand 0207, 1,2k C28 Keramik RM5, 100n 1N4148
R37 Widerstand, 0,12,
R7 Widerstand 0207, 21K C29 Keramik RM2,5, 100n D10 Si-Universal-Diode,
5Watt
1N4148
R8 Widerstand 0207, 22 C30 Keramik RM2,5, 220p
R38 Widerstand 0207, 1k
D11 Si-Universal-Diode,
R9 Widerstand 0207, 22 C31 Keramik RM5, 1n
R39 Widerstand 0207, 1k 1N4148
R10 Widerstand 0207, 22 C32 Keramik RM5, 1uF
C39 Elko 4,5mm, 10uF D100 LED 3mm, grün
R11 Widerstand 0207, 22 C33 Keramik RM5, 220n
C34 Keramik RM2,5, 100n D101 LED 3mm, grün
R12 Widerstand 0207, 10k C35 Keramik RM2,5, 100n
C1 Elko 4,5mm, 4.7u D102 LED 3mm, grün
R13 Widerstand 0207, 10k C36 Keramik RM2,5, 220p
C2 Keramik RM5, 100n D103 LED 3mm, gelb
R14 Widerstand 0207, 10k C37 Keramik RM5, 39p
C3 Keramik RM5, 1yF D104 LED 3mm, rot
R15 Widerstand 0207, 47k C38 Keramik RM5, 1uF
C4 Keramik RM5, 1yF IC1 DIL14, IR2110
R16 Widerstand 0207, 47k C40 Keramik RM5, 470p
C5 Keramik RM2,5, 100n IC2 DIL14, IR2110
R17 Widerstand 0207, 10k C41 Elko 4,5mm, 10uF
C6 Keramik RM2,5, 100n IC3 Regler, positiv, 7810
R18 Widerstand 0207, 6,2k C42 Elko 4,5mm, 2,2uF
C7 Keramik RM2,5, 100n IC4 Regler, positiv, 7812
R19 Widerstand 0207, 8.2k C43 Elko 4,5mm, 2,2uF
C8 Elko 4,5mm, 10yF IC5 Regler, positiv, 7810
R20 Widerstand 0207, 4,7k C44 Elko 4,5mm, 2,2uF
C9 Keramik RM2,5, 100n IC6 DIL8, NE5534
R21 Widerstand 0207, 22k C45 Elko 4,5mm, 2,2uF
C10 Keramik RM2,5, 1uF IC7 DIL8, NE5534
R22 Widerstand 0207, C46 Elko 6,5mm, 2200yF
C11 Elko 6,5mm, 2200uF IC8 DIL14, LM319
10meg
C47 Elko 6,5mm, 2200yF
C12 Keramik RM2,5, 100n IC9 DIL14, TL084
R23 Widerstand 0207,
C48 Elko 6,5mm, 2200yF
2.7KK C13 Elko 5,5mm, 1000uF IC10 DIL14, 4093
D1 Si-Universal-Diode,
R24 Widerstand 0207, C14 Keramik RM2,5, 100n T1 Transistor, BC546
1N4148
10meg
C15 Elko 4,5mm, 10uF T2 Transistor, BC556
D2 Si-Universal-Diode,
R25 Widerstand 0207, 1k
C16 Keramik RM2,5, 100n 1N4148 T3 Transistor, BC556
R26 Widerstand 0207, 4.7k
C17 Elko 4,5mm, 47uF D3 Highspeed Schottky T4 Transistor, BC546
R27 Widerstand 0207, 10k Diode, SK34
C18 Keramik RM5, 100n T5 MosFet, 60N03L
R28 Widerstand 0207, 10k D4 Si-Universal-Diode,
C19 Keramik RM5, 39p T6 MosFet, 60N03L
1N4148
R29 Widerstand 0207, 1,5k
C20 Elko 4,5mm, 10uF T7 MosFet, 60N03L
D5 Si-Universal-Diode,
R30 Widerstand 0207, 2k
C21 Keramik RM5, 100n 1N4148 T8 MosFet, 60N03L
R31 Widerstand 0207, 2k?
C22 Keramik RM5, 39p D6 Highspeed Schottky Q1 Transistor, BC556

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Daniel Immel

Q2 Transistor, BC556 L1 Spule 16uH - Kühlkörper 35x17mm - Mutter M3


für TO220
Q4 Transistor, BC556 L3 Spule 16uH - Mutter M3
- Glassicherung, 6AT
- Stiftleiste, 5-polig L2 Spule 11uH - Mutter M3
einreihig - 2x Sicherungshalter
L4 Spule 11uH - Flachbandkabel, 20-
- Stiftleiste, 20-polig, Optional / siehe Text: polig
P1 Trimmer PT 15 LV,
doppelreihig
10k - Stiftleiste, 5-polig - Flachbandkabel, 9-
- Stiftleiste, 20-polig polig
- Cinchbuchse mono - Mutter M3
doppelreihig

Inhalt der CD-ROM


Platinenlay-
out des Be-
Simulationsmodell des dienteils
IR2110
Libary mit eingebunde-
Platinenlayout der
nem RSS090N03
Hauptplatine

Dieses Dokument

Präsentationsbilder

Simulationsdateien des Ausgangsfilters. Hauptschaltbild: „Ausgangsfilter.sch“


Simulationsdateien der Endstufe. Hauptschaltbild: „ClassD.sch“
Simulationsdateien der Schutzschaltungen. Hauptschaltbild: „Protector.sch“
Simulationsdateien des Vorverstärkers. Hauptschaltbild: „Class_D_Eingangsstufe.sch“

Einbinden der Simulationsmodelle


RSS090N03: keine Änderungen. Diese Datei- die Datei „IR2110.sub“ auf der —> Symbol. Im Symboleditor
en sind in das MicroSim Ver- CD-ROM aus. Klicken Sie klicken Sie auf Part —> Attri-
Da in diesem Falle nur ein Mo-
zeichnis unter „\Lib\“ zu kopie- anschließend auf Add Libary butes. Hier müssen folgende
dell-File zur Verfügung stand,
ren. Gegebenenfalls sind vorher und bestätigen Sie mit Ok. Werte eingetragen werden:
das die wichtigsten technischen
Sicherheitskopien der alten
Daten enthält, musste das Mo- Um das Schaltsymbol in Sche- REFDES —> IC?
Dateien zu erstellen, um die
dell in die Libary für Mosfets matics einzubinden, gehen Sie
Änderungen später wieder MODEL —> IR2110
„PWRMOS.LIB“ per Hand wie folgt vor: Options —>
rückgängig zu machen.
eingebunden werden. Da sich Editor Configurations —> TEMPLATE —>
gerade die Verknüpfung mit IR2110: Libary Settings —> Browse.... X^@REFDES %VDD %HIN
einem Schaltsymbol als kom- Wählen Sie nun die Datei %SD %LIN %VSS %HO %VB
Das Modell des IR2110 steht
pliziert herausgestellt hat, sind „IR2110.slb“ von der CD-ROM %VS %VCC %COM %LO
als so genannte Subcircuit zur
die kompletten Libarys auf der aus und bestätigen Sie mit Ok. @MODEL
Verfügung. Diese muss in
CD-ROM enthalten. Die Datei- Jetzt müssen noch die Pins
Schematics über Analysis —> Bestätigen Sie anschließend
en „PWRMOS.lib“ und zugeordnet werden. Platzieren
Libary and Include Files einge- wieder mit Ok. Speichern Sie
„PWRMOS.SLB“ sind fertig Sie in Schematics ein IR2110 in
bunden werden. Wählen Sie alle Änderungen. Die Einbin-
konfiguriert und enthalten au- einen leeren Schaltplan. Kli-
dazu Browse… und wählen Sie dung der Modelle ist damit
ßer dem hinzugefügten Modell cken Sie anschließend auf Edit
abgeschlossen.

Seite: 25 Projektarbeit CAE - Entwicklung und Aufbau eines Class D Verstärkers Daniel Immel
Entwicklung und Aufbau eines Class-D Verstärkers

Kostenrechnung
Bemerkungen: Anzahl Artikel Bemerkungen Kosten (in etwa)

Eine Kostenrechnung gestaltet 35 Widerstände, R207 Verpackungseinheit pro Wert 4,50€


sich in diesem Falle als relativ 100 Stück auf Rolle für ma-
schwierig, da Bauteile verwen- schinelle Bestückung
det wurden, die auf dem freien 2 Keramikwiderstand, 5Watt, Verpackungseinheit 6 Stück 1,20€
Markt in kleinen Stückzahlen 0,125Ω auf Rolle
nur schwer zu beschaffen sind. 48 Kondensatoren Je nach Bauart und Baugröße 12,20€
Trotzdem soll versucht werden, unterschiedlich
eine Übersicht über die Kosten
9 Dioden, 1N4148 Verpackungseinheit 100 Stück 2,30€
zu geben.
auf Rolle für maschinelle Be-
Die Kosten für die Spulen, die stückung
Endstufen MosFets und die 2 Universal Schottky Dioden Preis des Ersatztyps MUR160 2,30€
Dioden in der Gateansteuerung High Speed SK34 angenommen
können nur geschätzt werden.
5 LED, 3mm, verschiedene Far- Verpackungseinheit 10 Stück/ 4,20€
Die Kostenrechnung basiert auf ben Farbe
den Preisen im Farnell inOne 7 Kleinsignaltransistoren Verpackungseinheit 100 Stück 6,50€
und dem Elektronik Vertrieb (BC546/BC556) auf Rolle für maschinelle Be-
Emsdetten (EVE). stückung

Die nebenstehende Aufführung 4 MosFet Transistor 60N03 Preisschätzung Stück 10,60€ 22,40€
geht davon aus, dass nur 1 Ver-
4 Spulen Spulen Spezialanfertigungen, 36,80€
stärker gebaut werden soll (da da die Werte nicht der Norm-
es von Anfang an als ein Lern- reihe entsprechen - Stück
projekt geplant war). Bei größe- 9,20€
ren Mengen gehen die Material-
10 IC Einzelpreis (Stück): 12,30€
preise etwa auf 1/3 herunter. 2x IR2110 4,20€
3x Spannungsregler positiv 0,70€
1x CD4093 0,20€
1x TL084 0,40€
2x NE5534 0,30€
- Sonstige Kleinteile (Buchsen, Grobe Schätzung 15,00€
Anschlüsse, Flachbandkabel
etc)
- Platine mit Lötzinn, Drähten Grobe Schätzung 15,00€
etc.
Materialkosten: Preise basieren auf der 134,70€
Stückzahl von 1 Endstufe, bei
größeren Stückzahlen ent-
sprechend weniger
340 Mannstunden (Entwicklung, Pro Mannstunde 100€ 34000€
Eine Widerstandsrolle, wie sie für Simulation, Platinenlayout,
die maschinelle Bestückung von Aufbau Prototypen, Doku-
Platinen geliefert wird. mentation)
Gesamt: 34134,70€

Seite: 26 Projektarbeit CAE - Entwicklung und Aufbau eines Class D Verstärkers Daniel Immel
Projektarbeit: Computer Added Engineering (CAE)

Ergebnisse und Fazit


Die erzielten Ergebnisse sind viele gewesen. Das ist insbe-
durchaus als positiv zu bezeich- sondere dann ärgerlich, wenn
nen. Von Anfang an sollte der die Bauteile teuer sind. Da ich
Lerneffekt beim Aufbau einer viele Teile aus Ausschlachtge-
solchen recht komplexen Schal- räten ausgebaut habe, ist das
tung im Fordergrund stehen. hier nicht so schlimm, kann
aber bei einer richtigen Ent-
Eventuell war oder ist geplant
wicklung schnell 100€ und
den Verstärker so umzubauen,
mehr kosten.
dass größere Leistungen mög-
lich sind. Erste Vorkehrungen Herausgekommen ist ein Au-
dazu sind schon getroffen: Die dioverstärker, der sehr verlust-
Gatetreiber können bis zu einer arm arbeitet (selbst bei Volllast
Spannung von 600V (!) an den ist keine Erwärmung der End-
Mosfets betrieben werden. stufe fühlbar) und zudem noch
das macht, was ein Audiover-
Zudem ist es denkbar, das Aus- Im wahrsten Sinne des Wortes abgebrannte Leistungstransistoren in
stärker tun sollte: Gut und an- einem Schaltnetzteil. Nach einem solchen „Feuerwerk“ ist der Lern-
gangsfilter durch einen Trans-
genehm klingen! Der Hörein- effekt am Größten. Besonders weil diese Transistoren 25€ pro Stück
formator zu ersetzen und mit
druck ist bei allen befragten kosten.
einer anderen Modulation ein
Personen bisher durchweg posi-
Schaltnetzteil zu realisieren.
tiv gewesen. Der Klang wird als
Ziel dieser Projektarbeit war es, „Detailgetreu, klar und kräftig“ lich zugeben - das ein oder
die Technologie, die Funktions- bezeichnet. Eine genaue Mes- andere mal klanglich sehr be-
weise einer modernen Mosfet sung der Verzerrungen war geistert.
Leistungsendstufe (gleichgültig mangels eines Messgerätes Ich möchte mich an dieser Stel-
„...Beim Prototyp
für welchen Einsatzzweck) zu leider nicht möglich. le bei allen Menschen bedan- sind trotz vorheriger
verstehen und praktisch (mit all ken, die mich bei dieser Pro- Simulation genug
Die zur Verfügung gestellte
ihren Problemen) umzusetzen. jektarbeit unterstützt und mir
Ausgangsleistung von ca. Bauteile „in Rauch
Die Entwicklung am PC mit geholfen haben.
90Watt RMS an 2Ohm bei 25V aufgegangen“. Ohne
Hilfe von PSpice erwies sich
Betriebsspannung ist für den Der Verstärker wird einen Eh-
dabei als sehr hilfreich, wenn die Simulation…“
HiFi Bereich ausreichend und renplatz in meiner Sammlung
auch der Simulator nicht per-
genügt auch für die ein oder erhalten und mir noch einige
fekt ist. Das größte Problem
andere Gartenparty. „wohlklingende“ Stunden be-
sind die Modelle in PSpice, die
nicht immer den realen Werten Insgesamt hat mir die Entwick- scheren.
entsprechen. Oft werden die lung sehr viel Spaß bereitet und
enthaltenen technischen Daten ich habe bei kaum einem ande-
„geschönt“. Trotz allem ist ren Projekt soviel gelernt wie
PSPice aus der heutigen Schal- bei diesem. Obwohl die Fehler
tungsentwicklung kaum wegzu- oder Probleme manchmal nicht
denken. Er spart vor allem Kos- einfach zu finden waren, ist es
ten in der Entwicklung. doch gelungen einen voll funk-
tionsfähigen Prototypen zu
Beim Prototyp sind trotz vorhe-
bauen. Der Prototyp hat mich
riger Simulation genug Bauteile
nun schon einige Stunden mit
„in Rauch aufgegangen“. Ohne
Musik „beschallt“ - vor allem
die Simulation wären es be-
beim Schreiben dieser Doku- Der erste Prototyp des Verstärkers.
stimmt weit mehr als doppelt so
mentation - und ich muss ehr-

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