Optoelektronik

Peter Döring
43

43.1 Grundsätzliche Überlegungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 526

43.2 Optoelektronische Bauelemente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 526
43.3 Anzeigeeinheiten . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 533
43.4 Signalübertragung mit Optokoppler . . . . . . . . . . . . . . . . . . 535
43.5 Faseroptische Übertragungsmittel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 535

Teil V

© Springer Fachmedien Wiesbaden GmbH 2016 525

W. Plaßmann, D. Schulz (Hrsg.), Handbuch Elektrotechnik, DOI 10.1007/978-3-658-07049-6_43
 526 43 Optoelektronik

–1,5
43.1 Grundsätzliche Überlegungen 9
ca.6 14
+0,5

0,6
–9,6
Alle Halbleitermaterialien werden bei Energiezufuhr von au-
ßen in Form von Wärme oder Licht niederohmiger, da neue 15
Ladungsträgerpaare gebildet werden, die die Eigenleitfähigkeit Typischer Aufbau LDR 03
erhöhen. Die Zahl der durch das auftreffende Licht freigesetzten
Elektronen wird umso größer, je größer die Beleuchtungsstärke Abb. 43.1 Typischer Aufbau und Bauform eines LDR
ist, weil erhöhte Lichteinstrahlung eine Energiezufuhr bedeutet.
Dieser Vorgang wird als „Innerer foto- elektrischer Effekt“ be- 10000
zeichnet. R
Ω
Trifft Licht auf eine pn-Sperrschicht, werden infolge der Ener-
1000
giezufuhr Kristallbindungen aufgerissen. Es entstehen bewegli-
che Ladungsträger-Paare, die in- folge des vorhandenen elek-
trischen Feldes sofort abfließen. Dabei wandern die Löcher in
die p-Schicht und die Elektronen in die n-Schicht. Ohne ange- 100
legte äußere Spannung wird die p-Schicht zum Pluspol und die
n-Schicht zum Minuspol einer Spannungsquelle.

Licht ist physikalisch gesehen eine elektromagnetische Strah- 10

lung in einem bestimmten Frequenzbereich. Dabei wird sicht-
bares Licht von nichtsichtbarem Licht unterschieden. Das natür-
liche weiße Sonnenlicht ist eine Mischung von elektromagne-
tischen Schwingungen der verschiedensten Wellenlängen. Wel-
lenlänge und Frequenz sind zueinander umgekehrt proportional.
Die Energie der Lichtstrahlung ist der Frequenz proportional.
Die Farbanteile des Lichtes werden als Spektralfarben bezeich-
net. Das unsichtbare Infrarotlicht (IR) hat eine Wellenlänge 
von 780 bis etwa 1000 nm. Rotes, sichtbares Licht (780 bis
630 nm) schließt sich an, geht in orangefarbenes Licht (630
bis 590 nm) über, während gelbes Licht (590 bis 560 nm) den
farblichen Übergang zum Grünbereich (560 bis 490 nm) bildet.
Über den Anteil an blauem Licht (490 bis 440 nm) und violetter
Spektralfarbe (440 bis 380 nm) endet der sichtbare Teil und geht
in den nichtsichtbaren Teil (380 bis 10 nm), dem ultravioletten
Licht (UV) über.
Teil V
10 100 1000 10000 Ev
lx
Abb. 43.2 Kennlinie des LDR 03
43.2.1 Fotowiderstand (LDR – light dependent
resistor)
Fotowiderstände bestehen aus Halbleiter-Mischkristallen als
Basismaterial. LDR können sowohl an Gleichspannung wie
auch an Wechselspannung betrieben werden, da sie ohne pn-
Sperrschicht sind. Der Widerstandswert von Fotowiderständen
wird mit zunehmender Beleuchtungsstärke kleiner. Ein LDR hat
bei einer bestimmten Lichtwellenlänge seine größte Empfind-
lichkeit.
Für die Herstellung von LDR, deren spektrale Empfindlichkeit
im Bereich des sichtbaren Lichtes liegt, werden als Halbleiter-
materialien Cadmiumsulfid (CdS) und Cadmiumselenid (CdSe)

43.2 Optoelektronische
Bauelemente
Bauelemente zur Umwandlung elektrischer Größen in opti-
sche Strahlung und umgekehrt werden als optoelektronische
Bauelemente bezeichnet. Man unterscheidet dabei zwischen
lichtemittierenden (lichtabstrahlenden) und lichtabsorbierenden
(lichtaufnehmenden) Bauelementen.
Bei einigen, im sichtbaren Licht arbeitenden Fotohalbleitern
führt auch die vom Auge nicht wahrgenommene infrarote Strah-
lung zu einer Änderung der Leitfähigkeit. Hier werden für
bestimmte Anwendungen optische Filter verwendet, um deren
Einflüsse gering zu halten.
verwendet.
Die spektrale Empfindlichkeit von LDR aus Bleisulfid (PbS)
und Indiumantimonid (InSb) liegt dagegen im Infrarotbereich;
die spektrale Empfindlichkeit von Germanium und Silizium
liegt zwischen 800 und 1600 nm.
Fotowiderstände haben die höchste Lichtempfindlichkeit unter
den fotoelektronischen Halbleiterbauelementen. Abb. 43.1 zeigt
den typischen mäanderförmigen Aufbau eines LDR.
Die wichtigsten Kennwerte von LDR sind der Dunkelwider-
stand und der Hellwiderstand, der in den Datenblättern meistens
für eine Beleuchtungsstärke von 100 Lux angegeben wird.
Die Kennlinie des LDR 03 zeigt Abb. 43.2. Seine maximale
Versorgungsspannung beträgt UB D 150 V und seine maximale
Verlustleistung Ptot D 100 mW.
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 43.2 Optoelektronische Bauelemente 529

Dunkelwiderstand 101
20sec nach Lichtsperre
1000M
nach 5min Beleuchtung
RF mit E=
100M RF = f(t), E = Por. lFot
(Ω) 500Lx 100
µA
5Lx 5000Lx
10M 50Lx

1M
10–1

100k
5Lx
10k Hellwiderstand 10–2
50Lx
nach Einschalten
1k der Beleuchtung
500 500Lx mit E =
200
100 10–3
50 5000Lx
20
10
1 2 5 10 20 50 100 100 (msec)
0,1 1 10 100 1000 10–4
t
(sec) 10–2 10–1 100 101 102 103
Ev
lx
Abb. 43.3 Einstellträgheit eines Silizium-LDR
Abb. 43.5 Zusammenhang zwischen Fotostrom und Beleuchtungsstärke
UB

RV 43.2.2 Fotodiode und Fotoelement

Ohne Beleuchtung fließt durch die pn-Sperrschicht einer Foto-

diode wie bei jeder normalen Diode ein Sperrstrom, der bei den
UF Fotodioden meistens als Dunkelstrom IR0 bezeichnet wird. Als
D1 Folge der Beleuchtung tritt ein zusätzlicher Fotostrom IFot auf,
der linear mit der Beleuchtungsstärke ansteigt. Abb. 43.5 zeigt
den Zusammenhang zwischen Fotostrom und Beleuchtungsstär-
ke.
Abb. 43.4 Fotodiode mit Vorwiderstand
Wie jedes Halbleiter-Bauelement hat auch die Fotodiode eine
deutliche Temperaturabhängigkeit (Abb. 43.6). Besser zu erken-
Dunkelwiderstand R0 D Widerstandswert nach 1 Minute völli- nen ist diese Abhängigkeit im Abb. 43.7, deren Kennlinie das
ger Abdunkelung; R0 > 10 M(. Verhältnis normiert darstellt. Bei einer Änderung der Tempe-
ratur kann der Korrekturfaktor abgelesen werden, mit dem der

Hellwiderstand RH D Widerstandswert bei 100 Lux oder
1000 Lux; RH100 D 500 ( : : : 50 k(.
Beim praktischen Einsatz von Fotowiderständen muss beachtet
werden, dass der Widerstandswert einer Änderung der Beleuch-
tungsstärke mit einer relativ hohen Trägheit folgt. Abb. 43.3
zeigt prinzipiell die Einstellträgheit eines Silizium-LDR.
Fotowiderstände sind daher nicht besonders gut für einen Ein-
satz geeignet, bei dem schnelle Änderungen der Beleuchtungs-
stärke erfasst werden müssen. Bei E D 50 Lx benötigt dieser
LDR eine Zeit von 100 ms, um seinen Widerstandswert RF von
100 M( auf 10 k( zu mindern; bei E D 500 Lx noch eine Zeit
von 15 ms.
Fotodioden werden in Sperrrichtung an einer äußeren Spannung
betrieben; damit ist zu ihrem Betrieb nach Abb. 43.4 ein Vorwi-
derstand und eine Betriebsspannung erforderlich.
Teil V
bezogene Fotostrom multipliziert wird.
Wie alle lichtempfindlichen Bauelemente haben auch die Fo-
todioden eine spektrale Empfindlichkeit. Für die Fotodiode
BPW 32 ist die relative spektrale Empfindlichkeit in Abb. 43.8
dargestellt. Die größte Empfindlichkeit dieser Fotodiode liegt
bei einer Wellenlänge von  800 nm, was etwa einer Farbe
zwischen Dunkelrot und Infrarot entspricht.
Dies ist auch bei den meisten anderen Typen von Silizium-
Fotodioden der Fall. Zu unterscheiden ist zwischen den pn-
Fotodioden und den pin-Fotodioden.
Der großflächige pn-Übergang bei den Fotodioden hat eine
große Sperrschichtkapazität zur Folge. Daher liegen die Schalt-
zeiten von pn-Fotodioden im Bereich von Mikrosekunden.
Um die Sperrschichtkapazität zu verkleinern, wurden die pin-
Fotodioden entwickelt, deren Schaltzeiten im Nanosekunden-
 530 43 Optoelektronik

104 %
100
IRo
pA Srel

80
103

60
2
10

40

101
20

100 0
0 20 40 60 80 100
TU 400 600 800 1000 1200 nm
°C λ

Abb. 43.6 Temperaturabhängigkeit einer Fotodiode Abb. 43.8 Relative spektrale Empfindlichkeit der Fotodiode BPW 32

1,2 Lichteinfall
IFot –
IFot(25°C)
SiO2-Abdeckung
1,0 p-Gebiet
Instrinsic-Zone

0,8 Metallkontakt n-Gebiet

+

Abb. 43.9 Technologischer Aufbau einer pin-Fotodiode

0,6

Beweglichkeit der Ladungsträger verbessert das Schaltverhal-

0,4
ten. Infolge der relativ breiten i-Schicht haben pin-Fotodioden
wesentlich höhere Sperrspannungen. Sie liegen bei UR 50
bis 100 V. Die Fotoströme sind bei den pin-Fotodioden nur etwa
Teil V

halb so groß wie bei den pn-Fotodioden.

0,2
In den letzten Jahren haben pin-Fotodioden eine steigende Be-
deutung erlangt. Sie werden zum Beispiel aufgrund ihrer hohen
0 Empfindlichkeit im Infrarotbereich und wegen ihrer kurzen
–30 –20 –10 0 10 20 30 40 50 60 70 80°C Schaltzeiten bei der Fernsteuerung mit moduliertem Infrarot-
TU licht eingesetzt.

Abb. 43.7 Normierte Darstellung der Temperaturabhängigkeit einer Fotodiode

Bereich liegen (Abschn. 33.4.4). Abb. 43.9 zeigt den technolo-
gischen Aufbau von pin-Fotodioden, bei denen sich zwischen
den sehr dünnen p- und n-Schichten eine breite Intrinsic-
Schicht befindet. Wegen der daraus resultierenden hohen Feld-
stärke in dieser Schicht werden die bei Beleuchtung erzeugten
Ladungsträger-Paare viel schneller als bei den pn-Fotodioden
in die p- beziehungsweise n-Schicht abgesaugt. Diese größere
Fotodioden können wegen des gleichartigen technologischen
Aufbaues und des gleichen Funktionsprinzips auch als Foto-
elemente betrieben werden. Sie arbeiten dann im IV. statt im
III. Quadranten des Kennlinienfeldes (Abb. 43.10). Infolge der
Ladungstrennung in der pn-Schicht durch das einfallende Licht
und mit Unterstützung der Diffusionsspannung bildet sich eine
Spannung in Durchlassrichtung, das heißt, es ist keine äußere
Betriebsspannung notwendig.
Legt man einen Widerstand an die Kontaktierung der p- und
n-Schichten, fließt ein Strom, der in Bezug auf die Spannung
 43.2 Optoelektronische Bauelemente 531

II IF I mV
700 70

Leerlaufspannung U0
600 60

µA
Kurzschlußstrom IK
IK U0
500 50
–UF/V UF/V 400 40
U0
0,3
E = 0Lx
5 0,1 0,2 0,4 300 30
200Lx 10 200 20
400Lx IK
15 100 10
600Lx 20 0 0
800Lx 25 E
1000Lx 30 Kennlinien eines Fotoelements Meßschaltungen

III IR/pA IV Abb. 43.13 Kennlinie und Messschaltung eines Fotoelementes

Abb. 43.10 Vier-Quadranten-Kennlinienfeld einer Fotodiode

C

Licht n-Schicht
Metallelektroden E
UA C
pn-Übergang –
+ B
C
E B
p-Schicht

Abb. 43.11 Schnitt durch ein Fotoelement E

Abb. 43.14 Ersatzschaltbild und Schaltzeichen von Fototransistoren

negativ zu sehen ist. Damit hat man eine Spannungsquelle, die

Licht direkt in elektrische Energie umwandelt (Fotoelement,
Solarzelle). Fotoelement und Solarzelle unterscheiden sich nur Die Kennwerte von Fotoelementen, wie Leerlaufspannung U0
dadurch, dass eine Solarzelle zur Erzeugung höherer Leistungen und Kurzschlussstrom IK lassen sich mit den Messschaltungen
vorgesehen ist. nach Abb. 43.13 ermitteln.

Eine typische Solarzelle ist 10 cm  10 cm groß und besteht aus Solarzellen werden in zunehmendem Maße für die Energiever-
kristallinem Silizium. Der interne Aufbau und die Kontaktie- sorgung ortsfester Verbraucher mit niedrigem Verbrauch, wie
rung der Anschlüsse ist in Abb. 43.11 erkennbar. Die Oberfläche zum Beispiel Leuchtbojen, Sendeanlagen, Parkscheinautomaten
ist mit einer „Antireflex-Schicht„ (schwarzblaue Oberfläche) in Großstädten, kleinere Wochenendhäuser, verwendet.
versehen, damit möglichst viel Licht eindringen kann. Zur Er-
zeugung höherer Leistungen werden solche Zellen parallel und
in Reihe zusammengeschaltet.
43.2.3 Fototransistoren
Hundert solcher Solarzellen erbringen eine elektrische Leistung
von 100 W unter der Bedingung, dass die Strahlungsleistung der

Teil V
Sonne 1000 W=m2 beträgt. Der Wirkungsgrad liegt folglich bei Wie jeder Transistor enthält auch der Fototransistor zwei pn-
10 %. Zur Energieumwandlung trägt bei Verwendung von Sili- Übergänge, die lichtempfindlich sind, weshalb normale Tran-
zium nicht nur das sichtbare Licht bei, sondern nach Abb. 43.12 sistoren in lichtundurchlässige Gehäuse gegossen werden. Hier
auch Licht mit höherer Wellenlänge. wird die Kollektor-Basis-Sperrschicht als lichtempfindliche
Schicht benutzt. Die Wirkungsweise und damit das Ersatz-
schaltbild nach Abb. 43.14 entspricht einer Fotodiode parallel
% zur CB-Strecke. Der durch die freigesetzten Ladungsträger
100 hervorgerufene Strom wirkt wie ein Basisstrom. Die Lichtemp-
80 CdSe Si findlichkeit ist um den Verstärkungsfaktor B des Transistors
60 Sonnen-
40 spektrum größer als die der Fotodiode. Der Basisanschluss kann herausge-
20 führt sein, was die Einstellung eines Arbeitspunktes erleichtert
0 und die Steuermöglichkeiten vergrößert.
400 500 600 700 800 900 1000 1100
sichtbares Das Ausgangskennlinienfeld des Transistors nach Abb. 43.15
Licht
Wellenlänge λ hat nicht mehr den Basisstrom IB als Parameter, sondern die
Beleuchtungsstärke E. Bei E D 0 Lx fließt praktisch kein Kol-
Abb. 43.12 Strahlungsspektrum des Sonnenlichtes und Spektralempfindlich- lektorstrom IC . Mit größer werdender Beleuchtungsstärke steigt
keit von Solarelementen der Strom an. Die IC -Achse im Kennlinienfeld ist meistens lo-
 532 43 Optoelektronik

Tab. 43.1 Übliche Zusammensetzung von LED’s und IRED’s

Werkstoff SiC GaP GaP GaAsP GaAs GaAsP GaAs GaAs
Schleusenspannung 2,7 V 2,4 V 2,2 V 1,6 V 1,4 V
Dotierung SiC Stark mit N Schwach mit N Schwach mit N Mit P Zn C O Zn Si
Wellenlänge  (nm) 480 565 590 625 650 700 900 930
Farbe Blau Grün Gelb Orange Hellrot Rot Infrarot Infrarot

100 100
IC %
0lx Vλ
E=300 80
Irel
10 1000lx 60

red
hyper-red
pure-gree

super-red
orange
300lx 40

yellow
green
blue
1 20
100lx
0
30lx 400 450 500 550 600 650 700
0,1 λ

Abb. 43.16 Spektralkennlinien und Strahlungsmaxima einiger LED’s

0lx
0,01
0 5 10 15 20 25 UB
UCE
RV
Abb. 43.15 Kennlinienfeld eines Fototransistors

garithmisch eingeteilt, da sich der Kollektorstrom um mehrere

Zehnerpotenzen ändert.
UF
Die Schaltgeschwindigkeiten von Fototransistoren liegen zwi- D1
schen 2 und 100 ms und sind damit kleiner als die der Fotodi-
oden. Die Schaltgeschwindigkeit ist umso niedriger, je kleiner
der Lastwiderstand und je größer die Amplitude des Lichtimpul-
ses ist. Um die Lichtempfindlichkeit weiter zu erhöhen, kann der Abb. 43.17 LED mit Vorwiderstand
Transistor auch als Darlington-Fototransistor ausgeführt wer-
den.
baren Lichtes werden grün-, gelb-, orange-, rot- und blauleuch-
tende LED’s geliefert. Für den nichtsichtbaren Infrarotbereich
43.2.4 Lumineszenzdioden und Flüssigkristalle werden verschiedene IRED (infrared emitting diode) angebo-
ten. In allen Fällen erstreckt sich das erzeugte Lichtspektrum
jeweils nur über einen schmalen Bereich (monochromatische
Teil V

In den lichtemittierenden Fotohalbleitern wird elektrische Ener-

gie in Strahlungsenergie umgewandelt. Das geschieht im Be-
reich einer dünnen pn-Sperrschicht. Hierbei wandern etwa
gleich viele Elektronen von der n-Schicht in die p-Schicht wie
Löcher von der p-Schicht in die n-Schicht. Die n-Schicht ist je-
doch deutlich stärker dotiert als die p-Schicht. Dies führt dazu,
dass der Strom durch die Sperrschicht fast vollständig ein Elek-
tronenstrom ist. Die in die p-Schicht gelangenden Elektronen
rekombinieren mit den dort vorhandenen Löchern. Dabei wird
Energie frei, die je nach Ausgangsmaterial der Diode als sicht-
bares Licht oder als Infrarotstrahlung nach außen tritt.
Technisch benutzt wird dieser Effekt in der Leuchtdiode, die
auch als Lumineszenzdiode (LED D light emitting diode)
bezeichnet wird. LED’s werden grundsätzlich in Durchlassrich-
tung betrieben.
Grundmaterial für Leuchtdioden sind Gallium-Verbindungen
mit unterschiedlichen Dotierungen. Für den Bereich des sicht-
Leuchtquellen). Abb. 43.16 zeigt die Strahlungsmaxima und die
Spektralkennlinien einiger LED’s. Tab. 43.1 gibt eine Übersicht
über die Zusammensetzung einiger LED’s mit den zugehörigen
Gallium-Verbindungen und Dotierungsstoffen. Als Fremdatome
dienen Zinkdampf (Zn C O), Stickstoff (N), Phosphor (P) oder
Silizium (Si).
In der Prinzipschaltung nach Abb. 43.17 ist der zur Strom-
begrenzung und Spannungseinstellung erforderliche Widerstand
RV enthalten. Die erzeugte Lichtstärke IV wird bei LED’s für
den sichtbaren Lichtbereich meistens in Millicandela (mcd)
angegeben. Sie hängt nahezu linear von der Größe des Durch-
lassstroms IF ab. Für den praktischen Betrieb von LED’s ist der
Zusammenhang zwischen IF und UF von Bedeutung. Kennwerte
einer Leuchtdiode sind die Leuchtfläche, die Strahlungsleistung
(Lichtstrom) und die Lichtstärke (Helligkeit). Die Schleusen-
spannung ist aufgrund anderer Ausgangsmaterialien höher als
bei Silizium-Dioden.
 43.3 Anzeigeeinheiten 533

20° 10° 0° 10° 20° 0° 10°

60° Glassubstrat
1,0
1,0 30° Abstandshalter
0,9
0,8 50°
0,8 40°
0,7 50° 0,6 40° Flüssig-
kristall-
0,6 60° 30° schicht
70° 0,4
80°
0,5
0,4 0,2 0 0,2 0,4 0,2 0

Abb. 43.18 Richtcharakteristiken von LED’s (Erläuterung siehe Text) transparente

elektrisch
leitende
teilreflektierender SnO2-Elektrode
reflektierende Belag
Rückfläche

P Abb. 43.20 Prinzipaufbau einer LCD-Anzeige

15...30°
N
1...2µm
austretender
Laserstrahl
Eine interessante und zukunftsträchtige Variante zur Anzeige
Abb. 43.19 Prinzipieller Aufbau einer Laserdiode
von Informationen stellen die Flüssigkristalle (engl.: liquid cry-
stal) dar. Flüssigkristalle sind glasklare Flüssigkeiten, deren
Moleküle einen regelmäßigen einkristallinen Aufbau aufweisen.
Sie befinden sich in einem speziellen Aggregatzustand, in dem
Grenzwerte: Stoffe aus dem flüssigen in den festen Zustand übergehen. Flüs-
sigkristallwerkstoffe zeigen bei Einwirkung eines elektrischen
UR max D 5 V; IF max D 50 mA; Feldes Veränderungen ihrer Kristallstruktur.
Ptot D 100 mW; #J max D 100 ı C Je nach Grundsubstanz gehen sie entweder vom durchsichtigen
in den weitgehend undurchsichtigen Zustand über (wird meist
Durch entsprechende Form der aufgesetzten Kunststoffkörper verwendet) oder umgekehrt. Dieses geschieht dadurch, dass ihre
ist es möglich, den LED’s unterschiedliche Richtcharakteris- Moleküle sich in bestimmter Weise ausrichten.
tiken zu geben. In Abb. 43.18 sind die Richtcharakteristiken
Nach Abschalten des elektrischen Feldes stellt sich der ur-
für zwei Standardausführungen mit Öffnungswinkeln von 60°
sprüngliche Zustand wieder ein. Flüssigkristalle leuchten nicht.
(breit) und 25° (gebündelt) angegeben.
Einfallendes Fremdlicht wird an den undurchsichtigen Berei-
Die Lebensdauer von LED’s und IRED’s liegt bei normalen chen reflektiert und macht damit die flächenmäßige Form der
Betriebsbedingungen bei 100.000 h. Geringer Spannungs- und Elektroden des elektrischen Feldes sichtbar. Mit Unterstützung
Strombedarf (je nach Typ 5, 10 oder 20 mA), kleine Abmessun- von Polarisationsfiltern und geschickt angebrachten Lichtquel-
gen, einfache Montage und hohe Packungsdichte geben ihnen len kann der Prinzipaufbau nach Abb. 43.20 vollendet werden.
einen sehr breiten Anwendungsbereich. LCD-Anzeigen (liquid crystal display) werden in Uhren, Ta-
schenrechnern und zahlreichen anderen Geräten verwendet. Bei

Da LED’s Schaltzeiten von 5 bis 20 ns haben, können sie auch
zur Abstrahlung von sich sehr schnell ändernden Lichtsignalen
verwendet werden, zum Beispiel in Optokopplern (siehe Ab-
schn. 43.4).
Bei den Laser-Dioden (engl.: light amplification by stimulated
emission of radiation) wird das im pn-Übergang erzeugte mo-
nochrome Licht im Inneren des Kristalls an den inneren Flächen
verspiegelt und tritt an der Stirnfläche mit relativ schmalem
Austrittswinkel, aber großer Lichtstärke aus. Abb. 43.19 zeigt
den grundsätzlichen Aufbau einer Laserdiode als Kantenstrah-
ler. Wird das Licht impulsartig abgestrahlt, sind mit diesen
Bauelementen Leistungen bis ungefähr 100 W möglich. Sie
eignen sich zur Nachrichten- und Datenübermittlung in Licht-
wellenleitern. Zur Abtastung von CD-Plattenspielern und als
Lesestift in Scannergeräten werden sie ebenfalls benutzt. Laser
höherer Leistung sind zum Beispiel aus der Medizin (optisches
Skalpell) nicht mehr wegzudenken.
Teil V
wirksamen Spannungen von 1,5 bis 3 V und einem Strom in der
Größenordnung von 1 &A werden Anzeigen mit sehr geringen
elektrischen Leistungsanforderungen erreicht.
43.3 Anzeigeeinheiten
Abb. 43.21 zeigt eine einfache Schaltung zur Kontrollanzei-
ge der Betriebsspannung mit einer LED. Eine Umpolung der
LED macht die Schaltung zur Anzeige einer negativen Betriebs-
spannung fähig. Soll eine solche Anzeige für Wechselspannung
installiert werden, muss die LED vor der hohen Sperrspannung
geschützt werden.
Eine antiparallel geschaltete normale Diode übernimmt diesen
Schutz, da sie eine Schleusenspannung von 0,7 V hat und dar-
um die Sperrspannung an der LED unter 5 V hält. Die beiden
 534 43 Optoelektronik

24V/50Hz a

b
1k2
f

CQY87 1N4148 g

c
e

Abb. 43.21 Betriebsspannungsanzeige Kathode

d
+10V
Abb. 43.24 7-Segment-Anzeige mit Leuchtdioden

390

CQY85 CQY87

Abb. 43.22 Farbige Polaritätsanzeige mit LED’s =LEDs

RV D1 ... D3=1N4148
Abb. 43.25 7-Segment-Anzeige mit Dezimalpunkt und LED’s
150
D4
D1
D5 D6 D7 LED’s angeordnet, deren Licht über Lichtleiter nach außen ge-
+12V führt wird. Abb. 43.25 zeigt eine 7-Segment-Anzeige in ihrer
mechanischen Ausführung.
D8
D2 Erhöht man die Anzahl der Segmente auf sechzehn, können
D3 außer Ziffern auch Buchstaben und Sonderzeichen dargestellt
werden. Diese Sechzehnsegment-Anzeigen nach Abb. 43.26 be-
D4 ... D8 = CQY 85
zeichnet man als alphanumerische Anzeigeeinheit. Diese Anzei-
gen werden auch mehrstellig angeboten und können zu langen
Abb. 43.23 Polaritätsanzeige mit Symbolen
Zeilen erweitert werden.
Bei der Realisierung solcher Anzeigen mit LED’s stößt man auf
LED’s in Abb. 43.22 haben unterschiedliche Farbabstrahlungen, ein gewichtiges Problem. Diese Dioden haben eine Stromauf-
Teil V

übernehmen den gegenseitigen Schutz und zeigen die jeweilige nahme von ca. 20 mA und vervielfachen sich mit der Anzahl der
Polarität farblich verschieden an.
Abb. 43.23 zeigt eine Schaltung, bei der LED’s so geschaltet
1 2
sind, dass sie die Polarität in Symbolen anzeigt. Ist zum Beispiel
die Betriebsspannung positiv, so sind die Dioden D1 und D3 in
Sperrrichtung geschaltet. Auf diese Weise kann der Strom nur
den Weg über alle LED’s und die Diode D2 nehmen. Ist dagegen 8 9 10 11 3
die Betriebsspannung negativ, so fließt der Strom über die dann
in Durchlassrichtung liegenden Dioden D1 und D3 sowie über
die LED’s D5 bis D7. 16 12

Zur Darstellung einer beliebigen Dezimalziffer kann man 7-

Segment-Anzeigen nach Abb. 43.24 verwenden. Für jedes 7 15 14 13 4
Segment ist ein Anschluss (a bis g) nach außen geführt, im
vorliegenden Bild zusätzlich der Anschluss für die gemeinsame
Kathode. Bei manchen 7-Segment-Anzeigen wird die gemein- 6 5
same Anode herausgeführt, so dass die Anzeige mit negativen
Spannungen angesteuert werden kann. In den Segmenten sind Abb. 43.26 Darstellung der Segmente einer alphanumerischen Anzeigeeinheit
 43.5 Faseroptische Übertragungsmittel 535

verwendeten LED’s. Mehrstellige Anzeigen lassen die Strom- 7.62 5.7

versorgung für kleine Geräte nahezu unlösbar werden. 6.5 5.5 1min
6.3 0,8min
Baut man sowohl die 7-Segment-Anzeigen wie auch die alpha- 3.5 3.3
0.35 0.9
0.25 0.6 3.3 2.9
numerischen Anzeigen mit Flüssigkristallen auf, lassen sich 18 0.55
7.62 0.45 2.54 typ
sehr komplexe Anzeigeeinheiten mit zahlreichen Zeilen und 8.82
Stellen aufbauen, die infolge ihrer geringen Leistungsaufnah- spacing
me direkt an digitalen IC mit hoher Integrationsdichte betrieben 1 6 Anode-1 6-Base
werden können. 2 5 Cathode-2 5-Collector
3 4 N.C.-3 4-Emitter
CNF 17F
1 6 Anode-1 6-
43.4 Signalübertragung mit 2
3
5 Cathode-2
4
5-Collector
N.C.-3 4-Emitter
Optokoppler BRT 11H/M
BRT 23H/M
input circuit output circuit
1 6 An.(+)-1 6-Anode 2
2 5 Cat.(–)-2 not definet
Optokoppler sind optoelektronische Koppelelemente zur Signal- 5-Potential A1/A2
3 4 N.C.-3
übertragung bei galvanischer Trennung von Ein- und Ausgang. 4-Anode 1
Als Sender dient eine IR-Diode, die über einen Lichtleiter direkt
Abb. 43.28 Optokopplertypen (Fa. Siemens)
auf einen Empfänger strahlt. Als Empfänger dienen überwie-
gend Fotodioden, Fototransistoren mit und ohne herausgezo-
gene Basis und Fototriacs. Die Schaltungen nach Abb. 43.27
zeigen den prinzipiellen Aufbau einiger Optokoppler. Zwischen Bei LED’s als Sender macht sich eine alterungsbedingte Abnah-
Eingangs- und Ausgangsseite dürfen, je nach Bauform, Potenti- me ihrer Strahlungsleistung über einen längeren Zeitraum durch
aldifferenzen bis zu einigen kV bestehen. eine Verringerung des CTR-Wertes bemerkbar. Hohe Ströme
und/oder hohe Umgebungstemperaturen sind der Grund dafür
In Optokopplern werden elektrische Signale in optische Signa- und sollten vermieden werden.
le umgewandelt und über eine Isolationsstrecke übertragen. Im
Anschluss daran wird das optische Signal wieder in ein elek- Optokoppler lassen sich sehr günstig in Verbindung mit Digi-
trisches Signal umgewandelt. Der Optokoppler ist durch das talschaltungen verwenden. Sie werden in Interface-Schaltungen
System der Signalübertragung absolut rückwirkungsfrei. verwendet, um zum Beispiel eine Potentialtrennung zwischen
Die wichtigsten Kenngrößen sind das Stromübertragungsver- der Zentraleinheit eines Computers und seinen Peripheriegerä-
hältnis CTR (current transfer ratio), dass das Verhältnis von ten herbeizuführen.
Ausgangsstrom zu Eingangsstrom beschreibt, und die Grenz- Wird die optische Kopplung zwischen Lichtsender und Licht-
frequenz fg , bei der der AC-CTR-Wert auf 50 % des DC-CTR- empfänger nicht im Inneren des Bauelementes, sondern über
Wertes abgesunken ist. Abb. 43.28 zeigt einige Optokoppler der äußere Reflexstellen vorgenommen, spricht man von Licht-
Fa. Siemens mit Pin-Belegung, Bauform und innerer Schaltung. schranken. Nur wenn das Licht an einer geeigneten, dafür vor-
Bei Optokopplern mit Fotodioden ergibt sich ein CTR-Wert von gesehenen Stelle reflektiert wird, gelangt es an den Empfänger.
ca. 1 %, bei Fototransistoren kann der CTR-Wert 100 % betra- Derartige Bauelemente werden auch Reflexsensoren genannt.
gen. Werden im Optokoppler Darlington-Transistoren verwen-
In die Gruppe der Lichtschranken gehören auch die Gabellicht-
det, steigt der CTR-Wert auf bis zu 500 %. Manche Optokoppler
schranken, bei denen Lichtsender und -empfänger in getrennten
verfügen über eine Grenzfrequenz nahe bei 10 MHz. Bei Opto-
Holmen eines U-förmigen Gehäuses integriert sind. Der Licht-
kopplern mit einem Fototransistor als Empfänger ergeben sich

Teil V
strahl kann durch einen dazwischengeschobenen Gegenstand
Schaltzeiten von ungefähr 3 µs.
unterbrochen werden.
Gabellichtschranken werden zur Prozessüberwachung verwen-
IE IA IE IA det, aber auch in Alarmanlagen, Positions- meldern, zur Dreh-
C C
C zahlüberwachung oder zur Informationsübernahme in Belegle-
U U
E
sern (Scanner).
E E
LED Fototransistor LED Fotodiode

IE IA IE IA
43.5 Faseroptische
C C
C
U
C
U
Übertragungsmittel
B E
E
E E
Die optische Nachrichtenübertragung über Lichtwellenleiter
LED B LED Darlington-
Fototransistor (LWL) gewinnt ständig an Bedeutung. Um hohe Frequenzen
Fototransistor
realisieren zu können, wird als Strahlungsquelle eine IR- oder
Abb. 43.27 Prinzipschaltbilder einiger Optokoppler eine Laserdiode und als Empfänger eine Fotodiode verwendet.
 536 43 Optoelektronik

Elektrische Gehäuse Reflektor

Schnittstelle (z.B. Faserum-
TTL-ECL) Faserkern mantelung
Optische
Schnittstelle
Sender (z.B.DIN-,SMA- Empfänger
Steckverbin.)
Eingang Ausgang Bohrung Trägerband
(Faser- Linse Chip (elektrische
aufnahme) Anschlüsse)
Treiber, Sende- Empfangs- Verstärker
Signalver- diode diode Signalauf- Abb. 43.30 Empfangsdioden für Plastik-LWL (Fa. Siemens)
arbeitung bereitung

Abb. 43.29 LWL-Übertragungsstrecke (Fa. Siemens)

Medien für die optische Übertragung sind Glas oder Plastik.
Zur Nachrichtenübertragung mit hohen Übertragungsraten bei
großen Entfernungen werden bevorzugt Glasfasern verwendet.
Plastikfasern dagegen sind für niedrige Übertragungsraten im
lokalen Bereich und zur Lösung vielfältiger Anwendungen in
der Steuer- und Regelungstechnik verwendbar.
Bedingt durch die gegenwärtige Fasertechnologie werden die
aktiven LWL-Bauteile für die Wellenlängen um 850 nm aus-
Teil V
gelegt. Vorteile dieser Technik liegen in der Unempfindlichkeit
gegenüber elektromagnetischen Störungen und in der eindeuti-
gen galvanischen Trennung zwischen Sender und Empfänger.
Abb. 43.29 zeigt das Schema eines optischen Übertragungssys-
tems für den lokalen Bereich, hier eine Schnittstelle zwischen
einer TTL-Technologie und einer ECL-Technologie.
Die Anbindung der LWL an die LWL-Bauteile und die opto-
mechanische Verbindung der LWL miteinander sind die eigent-
lichen Probleme dieser Technologie, die sich aber durch hohe
Präzision bei der Montage bewältigen lassen (Abb. 43.30).