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G. Romero Paredes. SEES Departamento de Ing. Eléctrica. CINVESTAV

FISICA DE SEMICONDUCTORES Parte I

1

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CAPÍTULO 1: CRISTALOGRAFÍA

DEFINICIÓN DE UN CRISTAL

Sólido.- Sustancias elásticas rígidas, tienen un comportamiento elástico cuando se someten a fuerzas hidrostática y esfuerzos de tensión y cortantes. Existen materiales cuyo comportamiento es tanto elástico como plástico ó viscoso, por lo que esta definición no es del todo rigurosa, sin embargo se adopta como criterio. Los sólidos, de acuerdo con esta definición se dividen en dos grupos. Los amorfos y cristalinos. Amorfos: Los átomos ó moléculas pueden estar enlazados con bastante fuerza entre si, pero poseen poca regularidad ó periodicidad geométrica en la forma en que los átomos están dispuestos ó acomodados en el espacio, y se pueden considerar como líquidos sobre enfriados, es decir al enfriar un material de su estado líquido no muestra cambios discontinuos, pero llega a ser más rígido a través de un incremento progresivo en su viscosidad. Materiales con una viscosidad superior a 10 12 Ns/m 2 se le llama vidrio. Los materiales amorfos ó vidrios poseen un orden atómico únicamente sobre rangos del orden de una separación interatómica, fig. 21. Cristales: Los materiales cristalinos se caracterizan por una periodicidad regular en el arreglo geométrico de los átomos ó moléculas, fig. 22.

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Fig. 21Materiales amorfos ó vidrios.

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Fig. 22 Materiales cristalinos.

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Policristales : Los materiales sólidos no siempre se componen de un solo cristal, sino que a menudo

están formados por un conjunto ó conglomerado de pequeñas unidades de cristal, cada una con diferente

orientación, separadas entre si por fronteras de grano, a estos materiales se les conoce como policristales.

Red cristalina: Un cristal ideal esta compuesto de átomos acomodados en una red cristalina, definido por

r

los vectores fundamentales a b c , tal que el arreglo atómico es el mismo visto en el punto r r como desde

,

,

r

r

otro punto cualquiera

r

r

,

:

r

r

,

=

r

r

+

r

r

u a vb

+

+

r

w c

donde u, v, y w son enteros arbitrarios.

El conjunto de puntos r r , para todos los valores de

u, v, y w definen una red cristalina, fig. 23, es decir

una red se puede definir como un arreglo periódico

regular de puntos en el espacio definidos por

r

r ,

,

siendo de esta forma una red, una abstracción

matemática.

Una estructura cristalina se forma cuando una base

de átomos ó moléculas es ubicada idénticamente

en cada punto de la red, con lo que:

Cristal = red + base

(6)

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Fig. 23 Red cristalina.

Red

unitaria,

celda

unitaria: La celda unitaria es

una

región

de

la

red definida por medio

de

los

tres

 

r

vectores de translación

abc

,

,

r

r

por

lo que queda definido por un paralelogramo,

que

al

ser repetido

indefinidamente en sus tres dimensiones a través de sus vectores forman una red, fig. 24.

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Vectores base ó vectores unitarios: El conjunto

de

vectores

de

 

translación

linealmente

 

r

independientes

abc

,

,

r

r

que

se pueden usar para

definir una red unitaria, la cual contiene todos los

elementos de simetría de la red, fig. 24.

Celda unitaria primitiva: Una celda unitaria se

dice que es primitiva cuando tiene el volumen mas

pequeño ó bien cuando contiene únicamente

puntos en cada vértice de la celda, ó un solo punto

equivalente, tomando en cuenta que cada punto se

comparte entre 8 celdas vecinas.

Por lo tanto una red unitaria puede ser primitiva

pero no todas las celdas son primitivas, fig. 24.

Vectores base primitivos. Los vectores base

primitivos definen a la celda unitaria primitiva, fig.

24.

Los parámetros de la celda unitaria lo constituyen

tanto la magnitud de los vectores como los ángulos

interfaciales α, β y γ entre vectores, fig. 25.

En vista de lo anterior, la celda unitaria y la celda

unitaria primitiva se pueden definir, para la red

cristalina, de muchas formas, fig. 24.

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Fig. 24 Celdas y Vectores unitarios. Fig. 25 Parámetros de la celda unitaria; magnitud de los
Fig. 24 Celdas y Vectores unitarios.
Fig.
25
Parámetros
de
la
celda
unitaria;
magnitud
de
los
vectores
unitarios
y
ángulos

interfaciales α, β y γ.

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ESTRUCTURAS

BRAVAIS.

CRISTALINAS,

REDES

DE

Basados en consideraciones geométricas

existen 14 formas de acomodar puntos

en

las

redes

cristalinas,

conocidas

 

como

redes

de

Bravais.

Estas

redes

se pueden agrupar

en

7

sistemas

cristalinos

en

función

 

de

la

relación

directa de la magnitud de los vectores, a, b, c y de

los ángulos entre ellos,

α,

β,

γ,

fig.

25. Estos

sistemas y las redes de Bravais están dados en la

tabla I y esquematizados en la fig. 26.

Elementos de simetría: Los cristales contienen

diferentes simetrías ó elementos de simetría, los

cuales se describen bajo ciertas operaciones. Una

operación de simetría sobre un cristal deja al cristal

y a su entorno invariante, con respecto a su

configuración inicial.

Los elementos de simetría se agrupan en dos

categorías:

 
 

1) Simetría de grupo puntual, cuando las

operaciones se realizan alrededor de un punto ó

eje.

 

2)

Simetría

de

grupo

espacial,

cuando

se

realiza una operación por medio de una

translación.

 
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Fig. 26 Redes de Bravais.

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Tabla I Los siete sistemas cristalinos

Sistema

Elemento Característico de Simetría

Red de Bravais

Características de la celda Unitaria

Triclínico

Ninguno

Simple

a

b

c

 

α ≠ β ≠ γ ≠ 90

o

Monoclínico

Un eje de rotación

Simple

a

b

c

doble

Centrada en la base

α = β =

90

o

γ

Ortorrómbico

Tres ejes de rotación doble mutuamente

Simple Centrada en la base

a

b

c

o

perpendiculares

Centrada en el cuerpo Centrada en la cara

α = β = γ = 90

Tetragonal

Un eje de rotación cuádruple o un eje de rotación-inversión cuádruple

Simple Centrada en el cuerpo

b

≠ α = β = γ = 90

a

=

c

o

Cúbico

Cuatro ejes de

Simple

a

=

b

=

c

α = β =

rotación triple (diagonales cúbicas)

Centrada en el cuerpo Centrada en la cara

γ = 90

o

Hexagonal

Una eje de rotación

Simple

a

=

b

c

séxtuple

α = β = 90

o

γ

a

b

=

Trigonal

Un eje de rotación

Simple

= 120 =

(Rombohédrico)

triple

c α = β = γ ≠ 90

o

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Los cristales exhiben ambos tipos de simetría independientemente y en combinaciones compatibles. Las

principales operaciones de simetría son:

1.- Simetría de rotación de orden n: rotación alrededor de un eje a un ángulo 2π/n, n = entero.

2.- Simetría de reflexión: Una mitad del cristal reflejado en un plano de simetría que pasa por algún

punto de la red reproduce la otra mitad.

3.- Centro de simetría ó centro de inversión: un punto de la red alrededor del cual la operación r r → − r ,

r

donde r r es un vector a cualquier otro punto de la red, deja la estructura sin cambio.

4.- Simetría rotación-inversión: combinación secuencial de las dos operaciones.

Sistema cúbico

En el sistema cúbico existen tres redes de Bravais: cúbico simple (cs), cúbico centrado en el cuerpo (bcc) y

cúbico centrado en las caras (fcc).

La red cúbica simple es una celda unitaria primitiva (1 solo punto) con 1 punto en cada vértice el cual es

compartido entre 8 celdas vecinas.

La red cúbica centrada en el cuerpo contiene 8 puntos correspondientes a los 8 vértices compartidos entre 8

celdas vecinas y un punto en el centro correspondiendo a un total de (1/8)8 + 1 = 2 puntos en la red.

La red cúbica centrada en las caras contiene 8 puntos de los vértices compartidos por 8 celdas y 6 puntos

centrados en las caras, los cuales son compartidos por 2 celdas cada uno, dando un total de 8(1/8) + 6(1/2)

= 4 puntos.

Las dos últimas redes no son por consiguiente primitivas. Una celda primitiva de la red cúbica centrada en el

cuerpo es mostrada en la fig. 27a, al igual que sus vectores de translación primitivos, esta corresponde a la

red rombohedrica (trigonal) con vectores primitivos:

r

a

,

=

a

( xyz
2

+−

$

$

$

)

r

b

,

=

a

2

Cada lado tiene una magnitud de

( −+ xyz $ $ + $ ) a 3 2
( −+
xyz
$
$
+
$
)
a
3
2

r

  • c ,

=

a

( xyz
2

−+

$

$

$

)

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Fig. 27a Vectores primitivos y celda primitiva de la red cúbica centrada en el cuerpo.

Una celda primitiva de la red cúbica centrada

en las caras, fig. 27b, es un caso especial de una

estructura trigonal en el que α = β = γ = 60 o con los

vectores primitivos:

r

a

,

=

a

2

$

( x

+

$

y

)

r

b

,

=

a

2

$

( y

+

$

z

)

r

c

,

=

a

2

$

( x

+

$

z

)

Cada lado tiene una magnitud de

a

2
2
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Fig.

27b Vectores y celda primitiva de la red

cúbica centrada en las caras.

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Empaquetamiento y número de coordinación, estructuras cristalinas metálicas.

Para la representación de estructuras metálicas los iones ó átomos pueden ser representados por

esferas rígidas. El empaquetamiento está relacionado directamente con el número de vecinos más cercanos

que rodean a cada átomo, llamado el número de coordinación del cristal. Mientras mayor sea el número de

coordinación mayor es el empaquetamiento.

El factor de empaquetamiento es definido como la fracción del espacio ocupado por átomos en una

celda; es decir es la razón del volumen del átomo ocupando una celda al volumen de la celda unitaria

relativa a la estructura.

La distancia entre vecinos cercanos es la distancia entre centros de dos átomos vecinos mas cercanos

(2r).

El radio del átomo es definido como 1/2 de la distancia entre vecinos cercanos en un cristal de un solo

elemento (r).

Estructura cúbica simple. En esta estructura hay un átomo en cada vértice de la celda, sí uno elige

como centro un átomo en un vértice, se observa que este átomo es rodeado por 6 átomos vecinos y por

consiguiente el numero de coordinación es 6. El número de átomos en la celda es 1 ya que 8(1/8) = 1. La

distancia entre vecinos cercanos es 2r = a. El volumen ocupado por átomo ν = (4/3)πr 3 = (1/6)πa 3 . El

volumen de la celda unitaria V = a 3 . El factor de empaquetamiento ó densidad de empaquetamiento es:

PF =

(

/

ν

116

x

)

π

a

3

=

V

a

3

π

== 0 . 52

6

el cual corresponde a un empaquetamiento abierto, fig. 28

Red cúbica de cuerpo centrado, fig. 29 corresponde a un empaquetamiento relativamente cerrado con

un factor de PF = 0.68, y un numero de coordinación de 8.

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Fig. 28 Empaquetamiento abierto de la red cúbica simple.

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Fig. 29 Empaquetamiento de la Red cúbica de cuerpo centrado.

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Fig. 30 Empaquetamiento de la red cúbica de caras centradas.

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Empaquetamiento cerrado ó compacto.

Existen dos formas de arreglar esferas

equivalentes en un arreglo regular para minimizar

el volumen intersticial, uno conduce a la estructura

cúbica de caras centradas, fig. 30 y el otro al

sistema hexagonal, el cual es llamado estructura

hexagonal de empaquetamiento compacto, hcp. La

fracción de volumen llenado por las esferas, PF =

0.74, con un numero de coordinación de 12 en

ambas estructuras.

Las esferas pueden ser acomodadas en una

capa de empaquetamiento compacto colocando

cada esfera en contacto con otras 6, fig. 31. Esta

capa será la capa basal de una estructura hcp ó el

plano (111) de la estructura fcc, capa (A). La

segunda capa (B) es asignada colocando cada

esfera en contacto con tres esferas de la capa (A).

La 3a. Capa puede ser acomodada en dos

formas: en la estructura fcc las esferas en esta

capa son ubicadas sobre los huecos de la 1a. no

ocupados por la 2a. capa (C); en la estructura hcp

las esferas son ubicadas directamente sobre las

esferas de la 1a. Capa, capa (A). De esta forma en

fcc la secuencia de capa es ABCABC, mientras

que en hcp es ABAB, fig. 31

En la tabla II se dan las características de las

redes cúbicas:

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Fig. 31 Empaquetamiento cerrado o compacto.

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Tabla II Características de la red cúbica

SIMPLE

BODY-CENTERED

FACE- CENTERED

Volume, conventional cell

a

3

Lattice points per cell

Volume, primitive cell

Lattice points per unit volume

Number of nearest neighbors

Nearest-neighbor distance

Number of second neighbors

Second neighbor distance

1

a

3

1/a 3

6

a

12 2 a
12
2 a

Packing fraction

π / 6

= 0.524

a

3

2

a

3 /2

2/a 3

8

3
3

a / 2

6

a

π 3 / 8 = 0.680
π
3 / 8
= 0.680
 

a

3

4

a

3 /4

2/a 3

 
 

12

= 0.866a

a /

2
2

= 0.707a

6

a

π

2 / 6

= 0.740

 

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Estructura del diamante. La red espacial del

diamante es la fcc con la base compuesta por dos

átomos ubicados en las coordenadas (000)y el otro

en (1/4 1/4 1/4) asociados con cada punto de la

red, el enlace tetraedral es mostrado en la fig. 32,

una proyección en un plano bidimensional se da en

la fig. 33.

Cada átomo tiene 4 vecinos más cercanos y 12 de

segundos vecinos.

El número total de átomos en una celda unitaria es

de:

 

8(1/8) + 6(1/2) + 4 = 8.

 

La

distancia

entre

vecinos

más

cercanos

es:

2 r

=

3 a
3
a
 
  • 4 .

El volumen ocupado por un átomo es: ν = (4/3)πr 3 =

3 8 × 16
3
8
×
16

πa

3

.

El factor de empaquetamiento es:

ν

=

8 ×

3
3

8

×

16

π a

3

3
3

π

== 0.34

  • V 16

a

3

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Fig. 32 Enlace tetragonal de la estructura del diamante.
Fig.
32
Enlace
tetragonal
de
la
estructura
del
diamante.

Fig. 33 Proyección en un plano bidimensional de la

estructura del diamante.

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_________________________

Estructura del sulfuro de zinc. La estructura

del diamante puede ser visto como dos estructuras

fcc desplazadas una de otra por 1/4 de la diagonal

del cubo.

La estructura del sulfuro de zinc (zincblenda)

resulta cuando los átomos de zinc son colocados

en una red fcc y los átomos de azufre en la otra fig.

34.

La

red unitaria

es

una

red fcc existiendo 4

moléculas por celda. Por cada átomo, hay cuatro

átomos igualmente distantes de clase opuesta

acomodados en un tetraedro regular.

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Fig. 34 Enlace tetragonal de la estructura del

Sulfuro de Zinc.

ÍNDICES DE MILLER, PLANOS CRISTALINOS, DISTANCIA ENTRE PLANOS

Un cristal puede tratarse como formado por un conjunto de planos equidistantes paralelos que pasan a
Un cristal puede tratarse como formado por un
conjunto de planos equidistantes paralelos que
pasan a través de los puntos de la red, los cuales
se les conoce como planos de la red. Para una red
dada, los planos pueden ser elegidos de diferentes
modos como se observa en la fig. 35 y el problema
central es la designación de este conjunto infinito
de planos.
La posición y orientación de un plano en
general pueden ser determinadas por tres puntos
en el plano, asegurando que estos puntos no sean
colineales.
Fig. 35 Planos de la red cristalina

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En cada punto cae un eje del cristal. El plano

puede ser especificado por medio de la posición de

los puntos a lo largo de los ejes en términos de las

constantes de red. Sin embargo Miller desarrollo un

proceso a partir del cual se especifica el plano por

medio de índices (hkl) conocidos como índices de

Miller, los cuales están relacionados con la

ecuación del plano y el vector normal unitario del

plano.

Las etapas en la designación de los índices de

Miller son dados con ayuda de la fig. 36:

 

i)

Se

determinan

las

coordenadas

de

la

intersección del plano a

lo

largo

de

los

3

ejes

 

r

cristalográficos

r

abc

,

,

r

en función de las constantes

de red, de la figura, estas intersecciones son:

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x

y

z

Fig. 36 Intersección de un plano con los ejes

2a

3b

c

de coordenadas.

ii) Se expresan estas intersecciones en función de múltiplos de las constantes de red a lo largo de los ejes:

2

3

1

iii) Se determina el reciproco de estos números:

1/2

1/3

1

iv) Se reducen estos tres recíprocos al conjunto de números enteros más pequeños y se encierran en un

paréntesis:

6(1/2)

6(1/3)

6(1)

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_________________________

3

2

6

Índices de Miller: (326)

Los cuales son denotados en general por (hkl).

Características importantes de los índices de

Miller.

  • i) Los índices (hkl)

pueden denotar un solo

plano ó un conjunto de planos paralelos

ii)

Los planos paralelos a algún eje de

coordenadas tienen una intersección en el infinito y

su correspondiente índice es cero.

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Fig. 37 Índices de Miller de algunos planos en el

sistema cúbico.

iii) Si los índices de Miller de 2 planos tienen la misma razón (p.E. (844), (422), 211)) entonces los

planos son paralelos entre sí.

iv) Si un plano corta a un eje en el lado negativo del origen, el índice correspondiente es negativo,

indicándolo por un signo menos arriba del índice ( (

hkl

)

.

Los índices de alguno de los planos, en particular en el sistema cúbico son dados en la fig. 37

  • a) Las caras

en el sistema cúbico son

( 010 ), y ( 001 ).

denotados por los índices (100), (010), (001), ( 1 00 ),

  • b) Planos equivalentes por simetría son denotados por paréntesis {hkl} por lo que las caras del

cubo tendrán los índices {100}.

  • c) Sí uno habla del plano (200) entonces se trata de un plano paralelo al plano (100) pero que

corta al eje en (1/2)a.

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En la fig. 38 se indica la formación del plano

(111) de una estructura fcc partiendo del plano de

átomos (100).

Dirección Cristalina.- Los índices [hkl] de una

dirección cristalina son el conjunto de enteros que

tienen la razón de las componentes de un vector en

la dirección deseada referente a los ejes, así el eje

r

r

la dirección

[100]

el

eje

 

b es la dirección

a

es

r

   

[ 010 ] etc.

 
 

En

un

sistema

cristalino con vectores

ortogonales,

. el sistema cúbico, la dirección [hkl]

. el sistema cúbico, la dirección [hkl]

es perpendicular al plano (hkl) teniendo los mismos

índices; es decir, la dirección de los planos

corresponde al vector normal a la superficie del

plano, pero en general en sistemas cristalinos no

ortogonales esto no sucede. Las direcciones

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equivalentes se especifican por medio de hkl .

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Fig.

38

Formación del plano (111) de

una

estructura fcc partiendo del plano de átomos (100).

Ecuación del plano y vector normal.- En un sistema ortogonal la ecuación de un plano (hkl) con

intersecciones a/h, b/k y c/l es dado a través de la expresión de un vector normal a la superficie Nn )

donde

)

n

es el vector unitario, la ecuación del plano es dado por la expresión:

ζ(,,)

x y z

) r

= Nn r

(7)

Donde r r es el vector de posición, r

rx

=

)

xyz

+ y

)

+ z

)

, y ζ(x,y,z) es una constante para toda x, y, z, eligiéndose

)

por lo general igual a 1. Con Nn

h

k

l

=++

a

)))

xyz

b

c

, la ecuación del plano con índices (hkl) es:

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_________________________

ζ=

h

x +

a

k

b y

+

l

z

c

=

1

Para el sistema cúbico con a = b = c:

ζ=

1

a

(

hx

+

ky

+

lz

) =

1

El vector unitario

por:

normal a la superficie

)

n =

∇ζ

=

(

ha /

)

)

x

+

(

kb /

)

)

yz

+

(/

lc

)

)

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(

ha /

)

  • 2 +

(

kb /

)

22

+

(/ lc

)

Para el sistema cúbico:

)

n =

) ) ) hkl x + yz + 2 22 hkl + +
)
)
)
hkl
x
+
yz
+
2
22
hkl
+
+
G. Romero Paredes. SEES Departamento de Ing. Eléctric a. CINVESTAV FISICA DE SEMICONDUCTORES Parte I 17
 

(8a)

(8b)

es

dado

(9a)

 

(9b)

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Fig.39 Distancia y ángulo entre planos

Distancia y ángulo entre planos.- La distancia ó separación entre planos (hkl) adyacentes se puede

calcular, teniendo cualquier punto reticular de un plano como origen, encontrando la distancia perpendicular

existente entre este origen y el plano (hkl), cuyas intersecciones con cada eje son a/h, b/k y c/l. En referencia

a la fig. 39 donde α, β y γ son los ángulos que hace el vector normal con cada uno de los ejes:

cos

α =

  • d cos β =

a

/

h

,

  • d d

b

/

k ,

cos γ =

c

/

l

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FISICA DE SEMICONDUCTORES Parte I

18

_______________________________________________________________________________________________________________________________

_________________________

) r

a cos α= na

etc

d

) r

=

n

a

h

=

)

n

r

b

k

) r

=

n

c

l

(10)

Haciendo uso de la expresión para el vector normal unitario ec. (9a).

  • d =

1 2 22 ( ha / ) + ( kb / ) + (/ lc )
1
2
22
(
ha /
)
+
(
kb /
)
+
(/ lc
)

Para el sistema cúbico: d

=

a

G. Romero Paredes. SEES Departamento de Ing. Eléctric a. CINVESTAV FISICA DE SEMICONDUCTORES Parte I 18

hkl

+

+

2

22

(11a)

(11b)

Para el sistema cúbico el ángulo entre direcciones (planos) [h 1 k 1 l 1 ] y [h 2 k 2 l 2 ] es dado por: cos θ =

)

n

1

)

n

2

donde

)

n 1

y

)

n 2 son los vectores normales unitarios característicos de cada plano, dados por la ec. (9b)

obteniéndose:

cos θ =

hh

1

2

+

kk

1

2

+

ll

12

G. Romero Paredes. SEES Departamento de Ing. Eléctric a. CINVESTAV FISICA DE SEMICONDUCTORES Parte I 18

(

h

2

  • 1 ++

1

k

2

lh 1

2

)(

2

  • 2 +

k

2

  • 2 +

l

2

  • 2 )

(12)

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FISICA DE SEMICONDUCTORES Parte I

19

_______________________________________________________________________________________________________________________________

_________________________

DIFRACCIÓN DE RAYOS X; LEY DE BRAGG, RED RECÍPROCA, ESFERA DE EWALD, CONDICIONES DE VON LAUE, FACTOR DE ESTRUCTURA.

El estudio de la estructura cristalina se lleva a cabo a través de la difracción de fotones, neutrones y

electrones. La difracción depende de la estructura cristalina y de la longitud de onda. En el rango visible de

longitud de onda (500 nm) la superposición de ondas dispersadas elásticamente por los átomos individuales

de un cristal da lugar a la refracción óptica. Cuando la longitud de onda de la radiación es comparable ó mas

pequeña con la constante de red, se puede obtener haces difractados en direcciones muy diferentes a la

dirección incidente.

La energía de un fotón de rayos X esta relacionada con su longitud de onda por: E = hν = hc/λ. El

estudio de cristales requiere energías del fotón en el rango de 10 a 50 KeV. Los rayos X son generados por

la desaceleración de electrones en blancos metálicos y por la excitación de la nube de electrones de los

átomos del blanco. El primer proceso da lugar a un amplio espectro continuo; y el segundo a líneas bien

definidas. Al ser bombardeado un blanco de cobre por electrones, da lugar a una línea intensa CuKα a

1.5418 Å.

En 1912 von Laue predijo que los átomos de un cristal producirían la difracción de un haz cuyas

direcciones e intensidades dependerían de la estructura cristalina y la composición química. Estas

predicciones se verificaron poco tiempo después por Friederich y Knipping. La ubicación de los máximos de

difracción fue explicada por W. L. Bragg.

Ley de Bragg.- Bragg presento un modelo simple en el que supone que las ondas incidentes de R-X se

reflejan en forma especular de planos (hkl) paralelos sucesivos de átomos en el cristal, donde cada plano

refleja una pequeña fracción de la radiación.

G. Romero Paredes. SEES Departamento de Ing. Eléctrica. CINVESTAV

FISICA DE SEMICONDUCTORES Parte I

20

_______________________________________________________________________________________________________________________________

_________________________

Los haces difractados solo se encuentran

cuando

la

reflexión

de

los

planos

paralelos

interfieren en forma constructiva., fig. 40, es decir

con diferencias de fase de 2πn.

Considerando planos paralelos con separación

d, la diferencia de trayectoria para reflexiones

sucesivas de planos adyacentes es 2dsenθ, donde

θ es el ángulo de incidencia medido a partir del

plano. La interferencia constructiva se presenta

cuando esta diferencia de trayectoria es igual a un

número entero n de longitudes de onda λ:

G. Romero Paredes. SEES Departamento de Ing. Eléctric a. CINVESTAV FISICA DE SEMICONDUCTORES Parte I 20

nλ = 2dsenθ

(13)

Fig. 40 Condición de difracción, ley de Bragg

La cual es conocida como la ley de Bragg. Esta ley es una consecuencia de la periodicidad de la red. La ley

no da referencia respecto al arreglo de átomos en la base asociada con cada punto de la red. La

composición de la base determina la intensidad relativa de las diferentes difracciones de orden n de un

conjunto dado de planos paralelos. La reflexión de Bragg puede ocurrir únicamente para longitudes de onda

λ ≤ 2d , esta es la razón por la que no es posible utilizar luz visible.

Red recíproca.- Si

r

abc

,

,

r

r

son los vectores primitivos de translación de una red cristalina

r r r

ABC

,

,

son los

vectores primitivos de la red recíproca, los cuales se pueden definir mediante:

r

r

A a = 2 π

r r

B b = 2 π

r

r

C c = 2 π

Mientras que:

r r

r

r

r

r

r r

A b = A c = B a = B c = C a = C b = 0

r

r

r

r

(14)

G. Romero Paredes. SEES Departamento de Ing. Eléctrica. CINVESTAV

FISICA DE SEMICONDUCTORES Parte I

21

_______________________________________________________________________________________________________________________________

_________________________

 

r

r

r

r

Por lo que A

r

es perpendicular a b, c

y paralelo al producto: b

×

r

c , pudiéndose definir

A de la forma:

r

r

A

=

R(b

×

r

c )

donde R es un escalar, el cual debe cumplir con la ec. (14), es decir:

 

r

r

A a = R (b x c ) a = 2 π

r

r

r

 

Con lo que:

R =

  • 2 π

r

a

r

(b

×

r

c )

De tal forma que:

r

A = 2π

r

b

×

r

c

r

abc

×

r

(

r

)

De igual manera:

v

B = 2π

r

c

×

r

a

r

r

abc )

v

(

×

r

r

C

=

2

π

r

a

×

r

b

r

a

r

(b

×

c )

r

Cualquier vector G de la forma:

r

r

rr

G = hA ++ kB

lC

(15a)

(15b)

(16)

se le denomina vector de la red recíproca.

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FISICA DE SEMICONDUCTORES Parte I

22

_______________________________________________________________________________________________________________________________

_________________________

Cada estructura cristalina tiene asociada 2 redes; la red cristalina y la red recíproca.

Un patrón de difracción de un cristal es un mapa de puntos de la red recíproca. Los vectores en la red

cristalina tienen dimensiones de longitud y en la red recíproca tienen dimensiones de (longitud) -1 .

Red recíproca de la red cúbica.- La celda primitiva de la red cúbica centrada en las caras tiene sus

vectores primitivos dados en la fig. 27b, donde a es la constante de la red cúbica, los vectores primitivos de

la red recíproca son dados por:

r

A

=

2

π

r

b

×

r

c

r

a

r

(b

×

r

c )

=

2

π

(a

2

ˆ

/ 4 )( y +

ˆ

z )

×

ˆ

( x

ˆ

+ z )

( a

3

ˆ

/ 8 )( x +

ˆ

y )

ˆ

( y

+

ˆ

z )

×

ˆ

( x

ˆ

+ z )

=

2

π

a

ˆ

( x +

ˆ

y

ˆ

z )

r

B

=

2

π

a

(

ˆ

x

+

ˆ

y

ˆ

+ z )

r

C

=

2

π

a

ˆ

( x

ˆ

y

ˆ

+ z )

(17)

=

G. Romero Paredes. SEES Departamento de Ing. Eléctric a. CINVESTAV FISICA DE SEMICONDUCTORES Parte I 22

Fig.

27b

Celda

primitiva

de

la

red

cúbica

centrada en las caras.

Estos vectores tienen las direcciones de los vectores primitivos de la estructura cúbica centrada en el

cuerpo, fig. 41, la separación reticular de la red recíproca es 2(2π/a).

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23

_______________________________________________________________________________________________________________________________

_________________________

G. Romero Paredes. SEES Departamento de Ing. Eléctric a. CINVESTAV FISICA DE SEMICONDUCTORES Parte I 23

Fig. 41 Red reciproca de la red cúbica centrada en las caras, correspondiente,

centrada en el cuerpo con separación reticular de 2(2π/a).

a

una red cúbica

De forma análoga se puede demostrar que la red recíproca de la estructura cúbica centrada en el

cuerpo, fig. 27a, es una red cúbica centrada en las caras con dimensión reticular de 2(2π/a), fig.42.

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Fig. 42 Red reciproca de la red cúbica centrada en el cuerpo, correspondiente a una red cúbica centrada en

las caras con separación reticular de 2(2π/a).

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FISICA DE SEMICONDUCTORES Parte I

24

_______________________________________________________________________________________________________________________________

_________________________

Esfera de Ewald y condiciones de difracción.- Una de las propiedades de la red recíproca es que un

vector

r

r

rr

G = h' A ++ kB'' lC desde el origen, ubicado en algún punto reticular, a cualquier otro, es normal al

plano (hkl), donde h’, k’ y l’ son un múltiplo entero de h, k y l; h’/h = k’/k = l’/l = n. Consideremos el plano (hkl)

r r r r a c a b de la fig. 43, en el cual cae
r
r
r
r
a
c
a
b
de la fig. 43, en el cual cae el vector AC
=−
+
al igual que el vector
BA
= +
,
h
l
h
k
r
r
r
r
r
r
a
c
h'
l'
G ⋅ ( AC) = (h' A +
k ' B + l' C) ⋅ ( −
+
)
= +
2
π −
(
+
)
=
0
h
l
h
l
r
r
r
r
Con A ⋅ a = C ⋅ c = 2 π
y
h’/h = k’/k = l’/l = n
r
De igual modo
G
BA
=
0
r
Por
lo tanto
G
es perpendicular a los dos
vectores linealmente independientes AC y BA, que
r
se encuentran en el plano (hkl), por lo que
G debe
ser perpendicular al plano mismo. De esta forma un
vector unitario normal al plano puede ser definido
por:
r
G
n =
$
(18)
G

Fig. 43 Plano (hkl)

Si d es la separación entre planos adyacentes (hkl), entonces de ec (10):

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FISICA DE SEMICONDUCTORES Parte I

25

_______________________________________________________________________________________________________________________________

_________________________

r r r r r r r a ⋅ n $ a ⋅ G a ⋅
r
r
r
r
r
r
r
a
n
$
a
G
a
(' hA
++
kB
'
lC '
)
d =
=
=
h
hG
hG
2
π
n
Por lo que:
G
=
d

= 2 π

h ' 1 = 2 π n h G
h '
1
= 2 π n
h
G

1

G
G

(19)

El conjunto de vectores

de la

red recíproca

r

G determinan las posibles reflexiones de rayos X. La

condición de refracción de Bragg se puede expresar como una relación entre vectores de propagación de

onda y vectores de la red recíproca.

Dibujando el vector de propagación

r

k =

2π

λ

$

k

de la onda incidente de rayos X dentro de la red

recíproca, trazado en la dirección del haz incidente

y terminando en el origen, punto reticular, con el

origen de

k r , no necesariamente ubicado en un

punto reticular, se construye una esfera de radio

r

 

k

= 2π/λ, alrededor del punto A, fig. 44.

Consideremos que este esfera intercepta el

punto (h’k’l’) de la red reciproca en B, por lo tanto el

vector de propagación del haz difractado

r

k' cae en

 

r

este

punto.

Un

vector

G

de

la

red recíproca

conecta el origen con el punto (h’k’l’) y es, por lo

tanto, normal al plano (hkl) de la red cristalina.

r

r

Si el haz incidente e ik r

presenta una fase

r r k r

y la fase del haz refractado por los planos de la red

es

r r

k 'r

, la diferencia de fase es dada por

G. Romero Paredes. SEES Departamento de Ing. Eléctric a. CINVESTAV FISICA DE SEMICONDUCTORES Parte I 25

Fig. 44 Esfera de Ewald y condición de difracción

de RX

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FISICA DE SEMICONDUCTORES Parte I

26

_______________________________________________________________________________________________________________________________

_________________________

r

r

φ r = ('

−⋅ ) r

kk

r

(20)

 
 

r

r

r

r

r

r

El cambio en el vector de onda por efecto de la dispersión es

Δ

k = kk

'

, o bien

k ' = Δ kk

+

. En una

dispersión elástica la energía del fotón hν se conserva, así que la frecuencia ω’ = ck’ del haz refractado se

 

r

r

conserva y es igual a la frecuencia del haz incidente y por lo tanto las magnitudes de

k

y

k' son iguales.

r

Cuando se cumple la condición de difracción, el vector Δ k

es un vector de la red reciproca y por o tanto

r r r r r Δ k = G , fig. 44. De esta forma k
r
r
r
r
r
Δ
k = G , fig. 44. De esta forma
k ' = Gk
+
r
r
r
r
rr r r
(
k + G ⋅ k + G
)(
)
=⋅=
kk
'
'
k ⋅ k
r
r
2
2
kG
+
=
k
O bien:
rr
r r
r
r
kk⋅+ 2kG⋅
+ GG⋅
= k 2
y la condición de difracción en forma vectorial es dada por:
r r
2
2
kG
⋅+
G
=
0
(21)
r
r
Si
G es un vector de la red reciproca - G lo es también por lo que la ec. 21 puede ser escrita como:
r r
2
2 kG
=
G

De acuerdo con la construcción de la fig. 44 y la ec. 19 se tiene:

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FISICA DE SEMICONDUCTORES Parte I

27

_______________________________________________________________________________________________________________________________

_________________________

 

r r

 

2

k

G

⋅=

2

kG

2k sen θ =

G

sen θ = G

2

, con la ecuación 19:

ó bien: 2 2π

λ

sen

θ

=

2 d

π n

dando la condición de Bragg ec. (13):

2dsenθ = nλ.

De acuerdo con esta construcción geométrica, esfera de Ewald, es evidente que la condición de Bragg

se satisfacerá para una longitud de onda (constante de propagación k) dada por cada intersección de la

superficie de la esfera de radio 2π/λ, trazada alrededor de A, con un punto de la red recíproca. El ángulo

r

r

apropiado de Bragg, θ, estará dado por el ángulo comprendido entre el vector k y un plano normal a G.

 

v

r

r

Cuando la condición de Bragg se satisface

k

y

k' constituyen un triángulo isósceles con el vector

G de

la red recíproca.

Condiciones de Laue. La condición Δ

r

r

k = G puede expresarse de otra forma para dar las ecuaciones

 

r

de Laue. Tomando el producto escalar, de ambos lados sucesivamente con

abc

,

,

r

r

de la red cristalina se

obtienen las tres condiciones de Laue sobre el vector de dispersión:

r

r

ak

⋅ Δ

= 2 πh

r

r

bk

⋅ Δ

= 2 πk

r

r

ck

⋅ Δ

= 2 πl

(22)

r

Estas ecuaciones tienen un interpretación geométrica. La primera expresión dice que Δ k cae en un

cierto cono en la dirección de

r

r

a . Así para cada una de las ecuaciones. En tres dimensiones Δ k en una

reflexión debe satisfacer las tres ecuaciones y por lo tanto los tres conos se interceptan para formar un haz

común.

Factor de estructura.- Si se desea predecir las características de la radiación difractada desde cristales

con celdas unitarias que contienen mas de un átomo por celda como el caso de fcc y bcc, se pueden

explicar las interacciones de los haces que se difractan desde los diversos planos de átomos. Para la

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FISICA DE SEMICONDUCTORES Parte I

28

_______________________________________________________________________________________________________________________________

_________________________

reflexión (h’k’l’) se representa la relación de la amplitud de radiación que dispersa toda la celda unitaria en

función a la que dispersa un electrón de un punto en el origen por medio de:

(

F h ' k ' l'

)

=

j

f e j
f e
j

i

φ

j

(23)

Donde f j es el factor de dispersión atómico para el j-esimo átomo de la celda unitaria y φ j es la diferencia

de fase relacionada con el j-esimo átomo. La suma se obtiene tomando en cuenta todos los átomos de la

celda unitaria. Haciendo uso de la ec. 20 esta se puede expresar como:

(

F h ' k ' l'

)

=

j

f

j

(

exp i

Δ

r

k

r

r

j

)

Donde

como:

r

r

j

es el vector desde el origen hasta el j-esimo átomo de la celda unitaria y se puede escribir

r

r

j

=

r

x

j

a

+

r

y

j

b

+

v

z

j

c

r

Por lo que r

j

⋅ Δ

r

k

=

r

x a

j

⋅ Δ

r

k

+

r

y b

j

⋅ Δ

r

k

+

r

z c

j

⋅ Δ

r

k

y por medio de la ec. 22 se tiene:

(

F h ' k ' l'

)

=

j

f

j

[

exp 2

π

(

i h ' x

j

+

k ' y

j

+

l' z

j

)]

(24)

Cuando todos los átomos son idénticos se simplifica la expresión, con f j =f: se tiene

donde:

F

h'

k

'

l

=

fS

h'

k

'

l

,

G. Romero Paredes. SEES Departamento de Ing. Eléctrica. CINVESTAV

FISICA DE SEMICONDUCTORES Parte I

29

_______________________________________________________________________________________________________________________________

_________________________

(

S h ' k ' l'

)

=

j

[

exp 2

π

(

i h ' x

j

+

k ' y

j

+

l' z

j

)]

(25)

La amplitud total dispersada esta dada por el producto del factor de dispersión atómica y el factor S, el

cual depende de la disposición geométrica de los átomos dentro de la celda unitaria y se conoce como factor

geométrico estructural.

*

La intensidad del haz difractado es proporcional al cuadrado de la magnitud de F, o bien por: F F, donde

 

*

F

es el complejo conjugado de F. Con F = α + iβ,

 
   
  • 2 F

=

 

2

 

2

F

*

F

= α

+ β

(26)

Estructura cúbica centrada en el cuerpo.- En esta estructura se tienen dos átomos dentro de la celda

unitaria: un átomo del vértice con coordenadas (000) y otro en el centro del cuerpo con coordenadas (

1

1

1

2

2

2

)

.

Para esta estructura la amplitud de difracción para la dirección de difracción (h’k’l’) es:

F(h´k´l´)

=

[

f 1

+

e π

i( h´

+

k ´

+

l´)

]

(27)

En general la asignación de los átomos que pertenecen a la celda unitaria puede hacerse en cualquier

forma arbitraria, siempre que se le asigne a ésta el número correcto de átomos de cada ubicación (vértice,

cara ó cuerpo).

De acuerdo a la ec. (27) el factor geométrico de la estructura 1+exp[iπ(h’+k’+l’)] es cero para cualquier

reflexión para la que h’+k’+l’ sea un numero impar, ya que exp(nπi)=-1 cuando n es impar. Por lo tanto en la

estructura cúbica centrada en el cuerpo no se presentan algunas reflexiones (h’k’l’) que se presentan en la

estructura simple.

G. Romero Paredes. SEES Departamento de Ing. Eléctric a. CINVESTAV FISICA DE SEMICONDUCTORES Parte I 29

no existe la reflexión (100) aunque si se presenta la (200), del mismo modo la (111) se

cancela pero se tiene la (222), etc.

G. Romero Paredes. SEES Departamento de Ing. Eléctrica. CINVESTAV

FISICA DE SEMICONDUCTORES Parte I

30

_______________________________________________________________________________________________________________________________

_________________________

Esto se puede comprender físicamente para el caso de la reflexión (100). Para una estructura cúbica

simple los haces reflejados de las caras superior e inferior difieren 2π en fase para la dirección de difracción

(100).

Mientras que en la estructura cúbica centrada

en el cuerpo existe otro plano de átomos (centros

de cuerpo), ubicados paralelamente y a la mitad

entre los planos de las cara s superior e inferior del

cubo, fig. 45. La densidad de átomos en este plano

intermedio es la misma que la de los planos

superior e inferior, y por lo tanto dan origen a haces

difractados con la misma intensidad que los

producidos por los planos superior e inferior, pero

están fuera de fase con estos haces por π.

Los haces difractados, desde el plano superior

y el del centro del cuerpo, interfieren en forma

destructiva en pares, no produciéndose un haz

G. Romero Paredes. SEES Departamento de Ing. Eléctric a. CINVESTAV FISICA DE SEMICONDUCTORES Parte I 30

difractado neto. Fig. 45 Difracción en planos paralelos (100) y (200)

No obstante, la reflexión (200) se presenta debido a que, en este caso, los planos superior e inferior dan

origen a haces que están 4π fuera de fase. Los planos del centro de cuerpo contribuyen con haces que

difieren 2π en fase de las reflexiones obtenidas de los planos superior e inferior, presentándose interferencia

constructiva y por lo tanto reforzándose. Las otras reflexiones ausentes para la estructura cúbica centrada en

el cuerpo (h’+k’+l’ = numero impar) se pueden explicar físicamente en forma análoga.

CELDA PRIMITIVA DE WIGNER-SAITZ.- Otra forma de elegir una celda primitiva de igual volumen es bajo el

siguiente procedimiento:

i) Se dibujan líneas que conectan un punto de la red dado con cada uno de los puntos vecinos más

cercanos;

G. Romero Paredes. SEES Departamento de Ing. Eléctrica. CINVESTAV

FISICA DE SEMICONDUCTORES Parte I

31

_______________________________________________________________________________________________________________________________

_________________________

ii) En el punto medio de estas líneas y perpendicular a ellas, se dibujan nuevas líneas o planos.

El volumen más pequeño encerrado de este

modo se le conoce como la celda primitiva de

Wigner-Saitz, fig. 46. Todo el espacio puede ser

ocupado por estas celdas bajo operaciones de

translación, como en el ca so de celdas primitivas.

PRIMERA ZONA DE BRILLOUIN.- Una Zona de Brillouin

se define como una celda Wigner-Saitz en la red

recíproca.

El conjunto de planos que bisectan

perpendicularmente a los vectores de la red

recíproca conforman las fronteras de una zona de

Brillouin y son de particular importancia en la teoría

de propagación de ondas en cristales, porque da

una interpretación geométrica de la condición de

difracción 2 k . G = G 2 o bien:

r

k (

1

2

r

G) = (

1

2

G)

  • 2 (28)

Se construye un plano normal al vector G en el

punto medio,

una

onda

con

un vector de

propagación k trazado del origen a cualquier punto

del plano satisface la condición de difracción. fig.

47.

Un haz de Rayos X incidente en el cristal será

difractado

si

sus

vectores

de

onda

tienen

la

magnitud y dirección requeridos en la ec. 28, y el

haz difractado será en la dirección del vector k - G.

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Fig. 46 Generación de las celdas de Wigner-Saitz.

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Fig. 47 Interpretación geométrica de la condición

de difracción.

Estos planos dividen el espacio de Fourier

(espacio recíproco) del cristal en regiones o celdas,

fig. 48. La región central, cuadro central de la

figura, es una celda primitiva de Wigner Saits de la

red recíproca., denominada la primera zona de

Brillouin.

La primera zona de Brillouin es el volumen más

pequeño completamente encerrado por los planos

que bisectan perpendicularmente a los vectores de

la red recíproca.

La fig. 49 muestra la construcción de la primera

zona de Brillouin en una red bidimensional. En una

red lineal, unidimensional, la primera zona de

Brillouin se extiende de -π/a a +π/a, siendo estos

las fronteras de zona.

En la fig. 50 y fig. 51 se dan la primera zona de

Brillouin de la red cúbica de caras centradas y de la

red cúbica de cuerpo centrado respectivamente.

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Fig. 48 Planos que dividen una red reciproca

cuadrada bidimensional en regiones o celdas.

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Fig. 49 Construcción de la primera zona de Brillouin

en una red reciproca oblicua bidimensional.

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33

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Fig.

50 Red reciproca y primera zona
50
Red
reciproca
y
primera
zona

de

Brillouin de la red cúbica centrada en
Brillouin
de
la
red
cúbica
centrada
en

las

caras,

correspondiente, esta última, a una red cúbica centrada en el cuerpo con separación reticular de 2(2π/a).

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Fig. 51 Red reciproca y primera zona de Brillouin de la red cúbica centrada en el cuerpo, correspondiente,

esta última, a una red cúbica centrada en las caras con separación reticular de 2(2π/a).

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MÉTODOS EXPERIMENTALES DE DIFRACCIÓN

La ley de Bragg requiere de ciertos valores de θ

y λ. Rayos X monocromáticos de longitud de onda

λ incidiendo sobre un cristal tridimensional en un

ángulo arbitrario en general no se refleja.

Para

que

se

satisfaga

la

ley

de

Bragg

es

necesario barrer ya sea en longitud de onda o en

ángulo de incidencia.