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DAN401 / DAP401 (200 mW)

DAN401 / DAP401 (200 mW)


Small Signal Diode Arrays
Diodensätze mit Allzweckdioden
Version 2008-04-15
Nominal power dissipation 200 mW
±0.2
3.5
Nenn-Verlustleistung
13 ±0.2

Repetitive peak reverse voltage 80 V


Type Periodische Spitzensperrspannung
6.6±0.2

Typ

5-pin Plastic case 13 x 3.5 x 6.6 [mm]


3.5 Ø 0.5
5-Pin Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca. 0.7 g
4 x 2.54

Standard packaging bulk


Dimensions - Maße [mm] Standard Lieferform lose im Karton

1 2 3 4 5 1 2 3 4 5
“DAN” common cathodes / gemeinsame Kathoden “DAP” common anodes / gemeinsame Anoden

Maximum ratings Grenzwerte


Type Repetitive peak reverse voltage Surge peak reverse voltage
Typ Periodische Spitzensperrspannung Stoßspitzensperrspannung
VRRM [V] 1) VRSM [V] 1)
DAN401 80 80
DAP401 80 80

Max. average forward rectified current, R-load TA = 25°C


for one diode operation only IFAV 100 mA 2)
for simultaneous operation IFAV 50 mA 2)
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TA = 25°C
für eine einzelne Diode IFAV 100 mA 2)
bei gleichzeitigem Betrieb beider Dioden IFAV 50 mA 2)
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave TA = 25°C IFSM 500 mA
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
Junction temperature – Sperrschichttemperatur Tj -50...+150°C
Storage temperature – Lagerungstemperatur TS -50...+150°C

1 Per diode – Pro Diode


2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 3 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1


DAN401 / DAP401 (200 mW)

Characteristics Kennwerte
Forward voltage Tj = 25°C IF = 10 mA VF < 1.0 V 1)
Durchlass-Spannung
Leakage current Tj = 25°C VR = 20 V IR < 25 nA
Sperrstrom
Reverse recovery time IF = 10 mA through/über trr < 4 ns
Sperrverzug IR = 10 mA to IR = 1 mA
Thermal resistance junction to case RthC < 85 K/W 2)
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse

120 1
[%]
[A]
100
10-1

80
Tj = 125°C

60 10 -2

40
Tj = 25°C
10-3
20
IF
IFAV
0 10-4
0 TA 50 100 150 [°C] 0 VF 0.4 0.6 0.8 1.0 [V] 1.4
1
Rated forward current versus ambient temperature ) Forward characteristics (typical values)
1
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. ) Durchlasskennlinien (typische Werte)

1 Per diode – Pro Diode


2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 3 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG

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