FAMILIA LOGICA CMOS

TECNOLOGIA MOS
• Tecnología MOS (semiconductor de óxido metálico) basa su
construcción en un electrodo de metal junto a un aislante óxido
sobre un sustrato semiconductor.
• Los dispositivos son transistores de efecto de campo llamados
MOSFET. Son unipolares (una sola juntura a polarizar).
• El MOSFET es simple, pequeño y consume muy poca potencia, la
complejidad de fabricación es un tercio de la de los bipolares.
• Los CI (Circuitos integrados) MOS pueden acomodar un número
mayor de elementos. No necesitan de resistencias dentro del CI.
• Los CI MOS y en especial los CMOS dominan la industria de CI
digitales, especialmente en aplicaciones grandes (LSI y VLSI).
• Su principal desventaja es la susceptibilidad al daño por electricidad
estática. El TTL es mas durable para uso en laboratorio
(experimentación).

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 TRANSISTOR MOSFET
• Existen de dos tipos : agotamiento y crecimiento. En la mayoría de
CIs digitales se usan exclusivamente los de crecimiento.
• El enfoque de uso es encendido o apagado.
• La dirección de la flecha indica canal P o canal N.
• La compuerta (o gate) tiene una resistencia muy alta como resultado
de la capa de óxido entre la compuerta y el canal.

Interruptor MOSFET – canal N

• El drenador siempre se polariza a fuente positiva.
• El voltaje entre compuerta y surtidor/fuente (VGS) controla la
resistencia entre drenador y fuente y determina si el dispositivo
está encendido o apagado.
• Si VGS =0 no hay canal conductor y el dispositivo está apagado.
• Si VGS es positivo y mayor que un voltaje de umbral VT el
MOSFET conducirá colocando una resistencia entre canal y
fuente de aproximadamente 1000Ω

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 Circuitos Digitales MOSFET
• Se dividen en tres categorías:
– P-MOS : solo se usan MOSFET de crecimiento de canal P
– N-MOS : Solo se usan MOSFET de crecimiento de canal
N.
– CMOS (MOS complementario) : Se usan ambos
dispositivos de canal N y P.
• Inicialmente la simplicidad de los circuitos y de los
procesos de manufactura de los N-MOS y P-MOS
hicieron que dominaran los primero mercados de
LSI y VLSI.
• Las ventajas de velocidad y potencia que ofrece la
tecnología actual de manufactura CMOS han
hecho de ellos el líder en todos los niveles de
integración

FAMILA LOGICA CMOS

• Se emplean ambos
canales N y P plasmando
las ventajas de ambos.
• Es más rápida y
consume menos
potencia, aunque el
proceso de manufactura
es mas complejo.

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Inversor CMOS
Idealmente el comportamiento del
Inversor puede ser descrito de la
siguiente manera:

Cuando Vx es 0v el transistor
T2 no conduce, ya que su
Vgs es cero, pero T1 conduce
ya que su valor de Vgs es
negativo (Vgs = Vg-Vs = 0-5=
-5v). Por lo tanto Vdd se
conecta a la salida por medio
de la resistencia entre
drenador y fuente de T1. Vf
es aprox. igual a +5v.

Inversor CMOS
Idealmente el comportamiento del
Inversor puede ser descrito de la
siguiente manera:

Cuando Vx es +5v el
transistor T2 conduce, ya que
su Vgs es positivo, pero T1
está en corte ya que su Vgs
es 0v (Vgs = Vg-Vs = 5-5 =
0v). Por lo tanto, la referencia
se conecta a la salida por la
resistencia entre drenador y
fuente de T2. Vf es igual a 0v.
.

4
Puerta NAND CMOS

Puerta NOR CMOS

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5
 Características de la serie CMOS

• A consecuencia de un largo periodo de

transición de la industria de TTL a CMOS
muchas CIs CMOS fueron diseñados para ser
compatibles con la familia lógica TTL.
• Existen diferentes tipos de compatibilidad.
– Compatibilidad de terminales. Se dice que dos
circuitos tienen compatibilidad de terminales cuando
sus configuraciones de terminales son iguales.
– Compatibilidad funcional. Se dice que dos circuitos
tiene compatibilidad funcional cuando las funciones
lógicas que ejecutan son iguales.
– Compatibilidad eléctrica. Dos CI son eléctricamente
compatibles cuando se pueden conectar entre si en
forma directa, sin necesidad de ningún interfase.

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Características de la serie CMOS

Serie 4000/14000.
La serie 4000 fue introducida por RCA y la serie 14000 por
Motorola. Los dispositivos de esta serie tienen disipación de
potencia muy baja y pueden operar en un amplio rango de
suministro de voltaje (3 a 15V). Pero son muy lentos en
comparación con TTL y otras series CMOS y tienen muy baja
capacidad de corriente de salida. Sus terminales no son
eléctricamente compatibles con ninguna serie TTL. Los dispositivos
de la serie 4000/14000 rara vez se utilizan en diseños modernos.

Serie 74C (CMOS).

Esta serie es compatible terminal por terminal y función por función
con los dispositivos TTL que tienen el mismo número. Muchas de
las funciones TTL, aunque no todas, también se encuentran en esta
serie CMOS. Las características de desempeño de esta serie son
casi las mismas que en la serie 4000.

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6
 Características de la serie CMOS
Serie 74HC/HCT (High-Speed CMOS)/ (High-Speed CMOS, TTL
compatible).

Es una versión mejorada de la serie 74C, que tiene una velocidad

de conmutación 10 veces mayor en comparación con la de los
dispositivos 74LS y una capacidad mucho mayor de corriente de
salida que la de la serie 74C. Los CI 74HC/HCT son compatibles en
terminales y en funcionamiento con los CI de TTL del mismo
número. Los dispositivos 74HCT son eléctricamente compatibles
con los CI TTL, pero los 74HC no lo son. Esto significa que el
circuito Inversor 74HCT04 puede sustituir el circuito Inversor 7404 y
viceversa. También significa que un CI 74HCT se puede conectar
en forma directa con cualquier CI TTL. En cambio la serie 74HC
esta hecha para usar en sistemas que utilizan exclusivamente
lógica CMOS. La serie 74HC/HCT actualmente es la serie de
CMOS que más se usa.

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Características de la serie CMOS

Serie 74AC/ACT (CMOS avanzado).
La serie es funcionalmente compatible con algunas series TTL, pero
no tiene compatibilidad de terminales con TTL. Esto se debe a que
la distribución de los terminales de los 74AC/ACT se eligió para
mejorar la inmunidad de ruido. Los CI 74AC no son eléctricamente
compatibles con TTL, pero los 74ACT se puede conectar
directamente con TTL. Esta serie ofrece ventaja sobre la serie
74HC/HCT en cuanto a inmunidad al ruido, retardo de propagación
y velocidad máxima del reloj.

Serie 74AHC/AHCT (CMOS avanzado de alta velocidad).

Ofrece una vía de migración natural de la serie HC para
aplicaciones más rápidas y de menor potencia. Los dispositivos son
tres veces más rápidos y se pueden usar como reemplazos directos
de la serie HC con similar inmunidad al ruido.

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7
 Características de la serie CMOS
Lógica BiCMOS.
Varios fabricantes han desarrollado series lógicas que
combinan las mejores características de la lógica TTL y
CMOS, llamada BiCMOS. Las características de baja
potencia de CMOS y las características de alta velocidad de
TTL están integradas para producir una familia lógica de
potencia extremadamente baja y alta velocidad. Los CI
BiCMOS no están disponibles en la mayoría de funciones
SSI y MSI, se limitan a funciones que se emplean en
aplicaciones como microprocesadores y de interfase. La serie
74BCT ofrece una reducción del 75% en el consumo de
potencia con respecto a la familia 74F manteniendo similares
características de velocidad y capacidad de corriente de
salida. La serie 74ABT es la segunda generación de
dispositivos de interfase BiCMOS. Ambas series operan a
niveles lógicos estándar de 5v.

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Características generales de los CI CMOS

Voltaje de alimentación.

Los dispositivos de la serie 4000/14000 y de la serie

74C operan con valores de VDD desde 3v a 15v, lo que
los hace muy versátiles. Pueden ser empleados en
circuitos de bajo voltaje operados con baterías, en
circuitos estándar de 5v y en circuitos donde se usa un
voltaje de alimentación mayor para obtener mayor
margen de ruido.
Las series 74HC/HCT, 74AC/ACT y 74AHC/AHCT
operan en un rango de voltaje de alimentación mucho
más angosto, normalmente entre 2v y 6v.

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8
 Características generales de los CI CMOS
Niveles lógicos de voltaje.
Los niveles son diferentes para las diversas series.
Se puede observar que VOL esta muy cerca de 0v y VOH está
cercano a 5v. La razón es que en este caso las salidas no tienen
que suministrar o consumir cantidad significativa de corriente, ya
que las entradas de los CMOS tienen una resistencia de entrada
extremadamente alta.

Niveles de voltaje de entrada/salida (en volts) con VDD = 5v.

Parámetro 4000B 74HC 74HCT 74AC 74ACT 74AHC 74AHCT
VIH(mín) 3.5 3.5 2 3.5 2 3.85 2
VIL(máx) 1.5 1 0.8 1.5 0.8 1.65 0.8
VOH(mín) 4.95 4.9 4.9 4.9 4.9 4.4 3.15
VOL(máx) 0.05 0.1 0.1 0.1 0.1 0.44 0,1
VNH 1.45 1.4 2.9 1.4 2.9 0.55 1.15
VNL 1.45 0.9 0.7 1.4 0.7 1.21 0.7

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Características generales de los CI CMOS

Margen de ruido.
Note de la tabla anterior que en general los dispositivos CMOS
tienen márgenes de ruido mayores que los TTLs. La diferencia será
aún mayor si se operan a un voltaje mayor que 5 V.

Disipación de Potencia.
Cuando un CI CMOS esta en un estado estático (sin cambio en sus
entradas), su disipación de potencia es extremadamente baja (nW).
La razón de esto se puede ver analizando el circuito inversor. Sin
importar el estado de salida, siempre hay una resistencia muy alta
entre VDD y tierra, porque siempre existe un MOSFET apagado en
el camino de la corriente.

Por desgracia, PD se incrementa a medida que aumenta la

frecuencia de las señales de entrada. Por ejemplo, una puerta
NAND CMOS que tiene PD = 10nW en estado estable tendrá PD =
0.1mW a una frecuencia de 100KHz, y 1mW a 1MHz. La razón de
esta dependencia en la frecuencia de conmutación se ilustra en la
Figura

18

9
 Características generales de los CI CMOS

Disipación de Potencia.
Cada vez que una salida CMOS cambie de Bajo a Alto se debe suministrar una
corriente de carga transitoria a la capacitancia parásita de la entrada de otro CI
CMOS. A medida que aumente la frecuencia la salida debe suministrar y
consumir mayor cantidad de picos de corriente por segundo y el consumo de
corriente promedio de la fuente VDD se incrementa.
Así, a frecuencias mayores, los CI CMOS comienzan perder algunas de sus
ventajas sobre otras familias lógicas.

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Características generales de los CI CMOS

Dispersión de salida (Fan

– out).

En vista que las entradas de

los CMOS representan una
impedancia extremadamente
alta Ii es prácticamente cero.
Por lo tanto, el Fan-out en
caso que la salida CMOS
maneje las entradas CMOS
es virtualmente ilimitado. Sin
embargo, cada entrada
representa una carga
capacitiva de 5pF a tierra,
que demora comúnmente
3ns para cargarse o
descargarse.

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10
 Características generales de los CI CMOS
Dispersión de salida (Fan – out).

La salida CMOS debe cargar y

descargar las capacitancias de
todas las entradas que están
conectadas con la salida, de modo
que el tiempo de conmutación se
incrementara en proporción al
número de entradas que están
conectadas en la salida. Por lo
tanto, el Fan–out de las salidas de
CMOS que manejen las entradas
CMOS se limita por el retardo de
propagación máximo permitido.
Cuando las salidas CMOS
manejan las entradas TTL o
viceversa se debe calcular el Fan-
out basándose en las valores de
los corrientes de entradas y salidas
de las familias correspondientes.

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Características generales de los CI CMOS

Velocidad de conmutación.
La velocidad de conmutación de CMOS es un poco más
rápida debido a su baja resistencia de salida en cada
estado.
•Una compuerta NAND serie 4000 por lo general tendrá
un tpd promedio de 50ns para VDD=5V y 25 ns para
VDD=10V, esto debido a que la resistencia de
encendido de MOSFET disminuye a mayor voltaje de
alimentación.
•Una compuerta NAND serie 74HC o 74HCT tiene un
tpd promedio de aprox. 8ns para VDD=5V.
•Una compuerta NAND serie 74AC/ACT tiene un tpd
promedio de aprox. 4.7 ns.
•Una compuerta NAND serie 74AHC tiene un tpd
promedio de aprox. 4.3 ns.

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11
 Características generales de los CI CMOS
Entradas sin usar.
Las entradas CMOS nunca se deben dejar desconectadas.
Todas las entradas CMOS se deben conectar a un nivel de
voltaje fijo (0 V o bien VDD) o a otra entrada.

Latch-up.
Inevitablemente existen transistores parásitos PNP y NPN
implantados en el sustrato de los CI CMOS. Si estos transistores
se disparan a conducción, se quedarán encendidos de forma
permanente y puede fluir una corriente grande que destruya el
CI. Esta condición se conoce como encerrojamiento (Latch-up).
Se puede disparar por picos u oscilaciones en las entradas o
salidas del dispositivo. Se pueden conectar diodos de fijación de
nivel en forma externa para protección.
La fuente de alimentación debe contar con limitación de corriente
para impedir los picos.

23

Características generales de los CI CMOS

Sensitividad estática.
Los dispositivos electrónicos son sensibles al daño por
electricidad estática.
Las familias lógicas MOS son especialmente susceptibles a este
tipo de falla.
Precauciones:
Conectar chasis de instrumentos a tierra física para evitar la
acumulación de carga estática.
Conectarse uno mismo a tierra con una pulsera especial.
Mantener los CI en espuma conductora o papel de aluminio, de tal
forma que todos los pines estén conectados entre sí.
Evitar tocar los pines del CI e insertar el CI en el circuito
inmediatamente después de removerlo de la protección
Colocar bandas de cortocircuito a través de los conectores del borde
de las tarjetas.
No dejar ninguna entrada del CI sin conectar

24

12
 INTERFAZ DE CIs
• Si se usan diferentes familias lógicas, es muy
probable que no se pueden hacer conexiones
directas entre circuitos.
• Para una conexión directa se debe chequear
compatibilidad a parámetros de corriente-voltaje en
entrada y salida

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INTERFAZ DE CIs

CMOS TTL
Parámetro 4000B 74HC 74HCT 74AC 74ACT 74AHC 74AHCT 74 74LS 74AS 74ALS
VIH(mín) 3.5 3.5 2 3.5 2 3.85 2 2 2 2 2
VIL(máx) 1.5 1 0.8 1.5 0.8 1.65 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8
VOH(mín) 4.95 4.9 4.9 4.9 4.9 4.4 3.15 2.4 2.7 2.7 2.5
VOL(máx) 0.05 0.1 0.1 0.1 0.1 0.44 0,1 0.4 0.5 0.5 0.5
VNH 1.45 1.4 2.9 1.4 2.9 0.55 1.15 0.4 0.7 0.7 0.7
VNL 1.45 0.9 0.7 1.4 0.7 1.21 0.7 0.4 0.3 0.3 0.4

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13
 EXCITACIÓN DE CMOS CON TTL
• Las corrientes de entrada
para CMOS son muy
bajas en comparación a
cualquier TTL, así TTL no
tiene problema para
cumplir los requisitos de
entrada de CMOS.
• Si comparamos los
voltajes de salida TTL
con los de entrada CMOS
vemos que estos son
muy bajos, por tanto se
debe subir el voltaje TTL

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EXCITACIÓN DE CMOS CON TTL

• Una solución es
conectar la salida TTL
a +5 V con una
resistencia que causa
que la salida TTL
suba a
aproximadamente +
5V en estado alto y
por ende proporcione
un nivel CMOS
adecuado.

28

14
 EXCITACIÓN DE CMOS CON TTL
• Si el CMOS opera con VDD mayor que 5V la situación es
mas complicada porque los TTL no pueden operar a más
de 5V.
• Una solución es usar un buffer 7407 con colector abierto. El
buffer se diseña para tener una capacidad de voltaje o de
corriente salida mayor que la nominal.
• El buffer de tres estados incorpora una señal de habilitación

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EXCITACIÓN DE TTL CON CMOS

• La figura muestra los circuitos equivalentes en estados alto
y bajo para la salida CMOS.
• CMOS excitando TTL en ALTO
– Las salidas CMOS fácilmente suministran suficiente voltaje alto para
las entradas TTL. También pueden suministrar suficiente corriente.
– Por tanto no se requiere consideración especial para este estado.

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 EXCITACIÓN DE TTL CON CMOS
• CMOS excitando TTL en BAJO
– Las entradas TTL tienen una corriente de entrada alta en BAJO que
varia de 100uA a 2mA.
– La serie 4000B tendrá problemas de corriente, para manejar incluso
una carga.
– Se puede agregar un buffer no inversor de tres estados
permanentemente habilitado que pueda manejar las cargas 74LS.

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