Infineon FP35R12W2T4 DS v02 - 02 EN

TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FP35R12W2T4
EasyPIM™ModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundNTC
EasyPIM™modulewithfastTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandNTC
VorläufigeDaten/PreliminaryData
VCES = 1200V
IC nom = 35A / ICRM = 70A
TypischeAnwendungen TypicalApplications
• Hilfsumrichter • AuxiliaryInverters
• Klimaanlagen • AirConditioning
• Motorantriebe • MotorDrives
ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures
• NiedrigeSchaltverluste • LowSwitchingLosses
• TrenchIGBT4 • TrenchIGBT4
• VCEsatmitpositivemTemperaturkoeffizienten • VCEsatwithpositiveTemperatureCoefficient
• NiedrigesVCEsat • LowVCEsat
MechanischeEigenschaften MechanicalFeatures
• Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen • Al2O3SubstratewithLowThermalResistance
Widerstand
• KompaktesDesign • Compactdesign
• Lötverbindungstechnik • SolderContactTechnology
• Robuste Montage durch integrierte • Rugged mounting due to integrated mounting
Befestigungsklammern clamps
ModuleLabelCode
BarcodeCode128 ContentoftheCode Digit
ModuleSerialNumber 1-5
ModuleMaterialNumber 6-11
ProductionOrderNumber 12-19
DMX-Code
Datecode(ProductionYear) 20-21
Datecode(ProductionWeek) 22-23
preparedby:DK dateofpublication:2013-10-03
approvedby:MB revision:2.2 ULapproved(E83335)
1
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Tvj = 25°C VCES 1200 V
Collector-emittervoltage
Kollektor-Dauergleichstrom TC = 100°C, Tvj max = 175°C IC nom 35 A

ContinuousDCcollectorcurrent TC = 25°C, Tvj max = 175°C IC 54 A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
tP = 1 ms ICRM 70 A
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gesamt-Verlustleistung
TC = 25°C, Tvj max = 175 Ptot 215 W
Totalpowerdissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
VGES +/-20 V
Gate-emitterpeakvoltage
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung IC = 35 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C 1,85 2,25 V
Collector-emittersaturationvoltage IC = 35 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C VCE sat 2,15 V
IC = 35 A, VGE = 15 V Tvj = 150°C 2,25 V
Gate-Schwellenspannung
IC = 1,20 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,2 5,8 6,4 V
Gatethresholdvoltage
Gateladung
VGE = -15 V ... +15 V QG 0,27 µC
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω
Internalgateresistor
Eingangskapazität
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 2,00 nF
Inputcapacitance
Rückwirkungskapazität
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,07 nF
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 nA
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast IC = 35 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,025 µs
td on
Turn-ondelaytime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C 0,025 µs
RGon = 12 Ω Tvj = 150°C 0,025 µs
Anstiegszeit,induktiveLast IC = 35 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,013 µs
tr
Risetime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C 0,016 µs
RGon = 12 Ω Tvj = 150°C 0,018 µs
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast IC = 35 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,24 µs
td off
Turn-offdelaytime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C 0,295 µs
RGoff = 12 Ω Tvj = 150°C 0,31 µs
Fallzeit,induktiveLast IC = 35 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,115 µs
tf
Falltime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C 0,17 µs
RGoff = 12 Ω Tvj = 150°C 0,20 µs
EinschaltverlustenergieproPuls IC = 35 A, VCE = 600 V, LS = 35 nH Tvj = 25°C 1,90 mJ
Turn-onenergylossperpulse VGE = ±15 V, di/dt = 2500 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C Eon 2,90 mJ
RGon = 12 Ω Tvj = 150°C 3,15 mJ
AbschaltverlustenergieproPuls IC = 35 A, VCE = 600 V, LS = 35 nH Tvj = 25°C 2,00 mJ
Turn-offenergylossperpulse VGE = ±15 V, du/dt = 3600 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C Eoff 2,90 mJ
RGoff = 12 Ω Tvj = 150°C 3,20 mJ
Kurzschlußverhalten VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V
ISC
SCdata VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C 130 A
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
proIGBT/perIGBT RthJC 0,60 0,70 K/W
Thermalresistance,junctiontocase
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
RthCH 0,60 K/W
Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Tvj op -40 150 °C
Temperatureunderswitchingconditions
approvedby:MB revision:2.2
2
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
PeriodischeSpitzensperrspannung
Tvj = 25°C VRRM 1200 V
Repetitivepeakreversevoltage
Dauergleichstrom
IF 35 A
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
tP = 1 ms IFRM 70 A
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C 240 A²s
I²t
I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C 220 A²s

Durchlassspannung IF = 35 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C 1,65 2,15 V
Forwardvoltage IF = 35 A, VGE = 0 V Tvj = 125°C VF 1,65 V
IF = 35 A, VGE = 0 V Tvj = 150°C 1,65 V
Rückstromspitze IF = 35 A, - diF/dt = 2500 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 81,0 A
Peakreverserecoverycurrent VR = 600 V Tvj = 125°C IRM 85,0 A
VGE = -15 V Tvj = 150°C 88,0 A
Sperrverzögerungsladung IF = 35 A, - diF/dt = 2500 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 3,95 µC
Recoveredcharge VR = 600 V Tvj = 125°C Qr 6,80 µC
VGE = -15 V Tvj = 150°C 7,50 µC
AbschaltenergieproPuls IF = 35 A, - diF/dt = 2500 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 1,50 mJ
Reverserecoveryenergy VR = 600 V Tvj = 125°C Erec 2,70 mJ
VGE = -15 V Tvj = 150°C 2,95 mJ
proDiode/perdiode RthJC 0,80 0,90 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
RthCH 0,75 K/W
Tvj op -40 150 °C
Diode,Gleichrichter/Diode,Rectifier
DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip
TC = 100°C IFRMSM 60 A
MaximumRMSforwardcurrentperchip
GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom
TC = 100°C IRMSM 60 A
MaximumRMScurrentatrectifieroutput
StoßstromGrenzwert tp = 10 ms, Tvj = 25°C 450 A
IFSM
Surgeforwardcurrent tp = 10 ms, Tvj = 150°C 370 A
Grenzlastintegral tp = 10 ms, Tvj = 25°C 1000 A²s
I²t
I²t-value tp = 10 ms, Tvj = 150°C 685 A²s

Durchlassspannung
Tvj = 150°C, IF = 35 A VF 0,95 V
Forwardvoltage
Sperrstrom
Tvj = 150°C, VR = 1600 V IR 1,00 mA
Reversecurrent
RthCH 0,95 K/W
Tvj op °C
3
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Tvj = 25°C VCES 1200 V
Collector-emittervoltage
Kollektor-Dauergleichstrom TC = 100°C, Tvj max = 175°C IC nom 35 A

ContinuousDCcollectorcurrent TC = 25°C, Tvj max = 175°C IC 54 A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
tP = 1 ms ICRM 70 A
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gesamt-Verlustleistung
TC = 25°C, Tvj max = 175 Ptot 215 W
Totalpowerdissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
VGES +/-20 V
Gate-emitterpeakvoltage

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung IC = 35 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C 1,85 2,25 V
Collector-emittersaturationvoltage IC = 35 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C VCE sat 2,15 V
IC = 35 A, VGE = 15 V Tvj = 150°C 2,25 V
Gate-Schwellenspannung
IC = 1,20 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,2 5,8 6,4 V
Gatethresholdvoltage
Gateladung
VGE = -15 V ... +15 V QG 0,27 µC
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω
Internalgateresistor
Eingangskapazität
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 2,00 nF
Inputcapacitance
Rückwirkungskapazität
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,07 nF
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 nA
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast IC = 35 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,07 µs
td on
Turn-ondelaytime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C 0,07 µs
RGon = 47 Ω Tvj = 150°C 0,07 µs
Anstiegszeit,induktiveLast IC = 35 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,045 µs
tr
Risetime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C 0,05 µs
RGon = 47 Ω Tvj = 150°C 0,057 µs
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast IC = 35 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,28 µs
td off
Turn-offdelaytime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C 0,44 µs
RGoff = 47 Ω Tvj = 150°C 0,45 µs
Fallzeit,induktiveLast IC = 35 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,115 µs
tf
Falltime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C 0,175 µs
RGoff = 47 Ω Tvj = 150°C 0,205 µs
EinschaltverlustenergieproPuls IC = 35 A, VCE = 600 V, LS = 35 nH Tvj = 25°C 5,00 mJ
Turn-onenergylossperpulse VGE = ±15 V Tvj = 125°C Eon 6,50 mJ
RGon = 47 Ω Tvj = 150°C 7,00 mJ
AbschaltverlustenergieproPuls IC = 35 A, VCE = 600 V, LS = 35 nH Tvj = 25°C 2,10 mJ
Turn-offenergylossperpulse VGE = ±15 V Tvj = 125°C Eoff 3,05 mJ
RGoff = 47 Ω Tvj = 150°C 3,35 mJ
Kurzschlußverhalten VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V
ISC
SCdata VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C 130 A
proIGBT/perIGBT RthJC 0,60 0,70 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
RthCH 0,60 K/W
Tvj op -40 150 °C
4
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-Chopper
Dauergleichstrom
IF 10 A
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
tP = 1 ms IFRM 20 A
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C 16,0 A²s
I²t
I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C 14,0 A²s

Durchlassspannung IF = 10 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C 1,75 2,25 V
Forwardvoltage IF = 10 A, VGE = 0 V Tvj = 125°C VF 1,75 V
IF = 10 A, VGE = 0 V Tvj = 150°C 1,75 V
Rückstromspitze IF = 10 A, - diF/dt = 500 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 12,0 A
Peakreverserecoverycurrent VR = 600 V Tvj = 125°C IRM 10,0 A
Tvj = 150°C 8,00 A
Sperrverzögerungsladung IF = 10 A, - diF/dt = 500 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 0,90 µC
Recoveredcharge VR = 600 V Tvj = 125°C Qr 1,70 µC
Tvj = 150°C 1,90 µC
AbschaltenergieproPuls IF = 10 A, - diF/dt = 500 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 0,24 mJ
Reverserecoveryenergy VR = 600 V Tvj = 125°C Erec 0,52 mJ
Tvj = 150°C 0,59 mJ
RthCH 1,30 K/W
Tvj op -40 150 °C
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
Nennwiderstand
TC = 25°C R25 5,00 kΩ
Ratedresistance
AbweichungvonR100
TC = 100°C, R100 = 493 Ω ∆R/R -5 5 %
DeviationofR100
Verlustleistung
TC = 25°C P25 20,0 mW
Powerdissipation
B-Wert
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K
B-value
B-Wert
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K
B-value
B-Wert
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K
B-value
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
5
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 2,5 kV
Isolationtestvoltage
InnereIsolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
Al2O3
Internalisolation basicinsulation(class1,IEC61140)
Kriechstrecke Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink 11,5
mm
Creepagedistance Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 6,3
Luftstrecke Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink 10,0
mm
Clearance Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 5,0
VergleichszahlderKriechwegbildung
CTI > 200
Comperativetrackingindex
min. typ. max.
Modulstreuinduktivität
LsCE 30 nH
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-
RCC'+EE' 5,00
Chip TC=25°C,proSchalter/perswitch mΩ
RAA'+CC' 6,00
Moduleleadresistance,terminals-chip
Lagertemperatur
Tstg -40 125 °C
Storagetemperature
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
F 40 - 80 N
mountig force per clamp
Gewicht
G 39 g
Weight
Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 30A effektiv pro Anschlusspin begrenzt.
The current under continuous operation is limited to 30A rms per connector pin.
6
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE) IC=f(VCE)
VGE=15V Tvj=150°C
70 70
Tvj = 25°C VGE = 19V
65 Tvj = 125°C 65 VGE = 17V
60 Tvj = 150°C 60 VGE = 15V
VGE = 13V
55 55 VGE = 11V
VGE = 9V
50 50
45 45
40 40
IC [A]
IC [A]
35 35
30 30
25 25
20 20
15 15
10 10
5 5
0 0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0
VCE [V] VCE [V]
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE) Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VCE=20V VGE=±15V,RGon=12Ω,RGoff=12Ω,VCE=600V
70 10,0
Tvj = 25°C Eon, Tvj = 125°C
65 Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C
9,0
60 Tvj = 150°C Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
55 8,0
50 7,0
45
6,0
40
E [mJ]
IC [A]
35 5,0
30
4,0
25
20 3,0
15 2,0
10
1,0
5
0 0,0
5 6 7 8 9 10 11 12 13 0 10 20 30 40 50 60 70
VGE [V] IC [A]
7
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
switchinglossesIGBT,Inverter(typical) transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
Eon=f(RG),Eoff=f(RG) ZthJH=f(t)
VGE=±15V,IC=35A,VCE=600V
14 10
Eon, Tvj = 125°C ZthJH : IGBT
Eoff, Tvj = 125°C
12 Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
10
1
ZthJH [K/W]
E [mJ]
0,1
4
2 i: 1 2 3 4
ri[K/W]: 0,058 0,135 0,47 0,537
τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2
0 0,01
0 20 40 60 80 100 120 140 0,001 0,01 0,1 1 10
RG [Ω] t [s]
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
(RBSOA) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IF=f(VF)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=12Ω,Tvj=150°C
77 70
IC, Modul Tvj = 25°C
65
70 IC, Chip Tvj = 125°C
60 Tvj = 150°C
63
55
56 50
49 45
40
42
IC [A]
IF [A]
35
35
30
28 25
21 20
15
14
10
7
5
0 0
0 200 400 600 800 1000 1200 1400 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5
VCE [V] VF [V]
8
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical) switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF) Erec=f(RG)
RGon=12Ω,VCE=600V IF=35A,VCE=600V
5,0 4,0
Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C Erec, Tvj = 150°C
3,5
4,0
3,0
2,5
3,0
E [mJ]
E [mJ]
2,0
2,0
1,5
1,0
1,0
0,5
0,0 0,0
0 10 20 30 40 50 60 70 0 20 40 60 80 100 120 140
IF [A] RG [Ω]
TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter DurchlasskennliniederDiode,Gleichrichter(typisch)
transientthermalimpedanceDiode,Inverter forwardcharacteristicofDiode,Rectifier(typical)
ZthJH=f(t) IF=f(VF)
10 70
ZthJH : Diode Tvj = 25°C
65 Tvj = 150°C
60
55
50
45
40
ZthJH [K/W]
IF [A]
1 35
30
25
20
15
i: 1 2 3 4 10
ri[K/W]: 0,104 0,237 0,636 0,573
τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2
5
0,1 0
0,001 0,01 0,1 1 10 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4
t [s] VF [V]
9
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinieIGBT,Brems-Chopper(typisch) DurchlasskennliniederDiode,Brems-Chopper(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical) forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical)
IC=f(VCE) IF=f(VF)
VGE=15V
70 20
Tvj = 25°C Tvj = 25°C
65 Tvj = 125°C Tvj = 125°C
18
60 Tvj = 150°C Tvj = 150°C
55 16
50 14
45
12
40
IC [A]
IF [A]
35 10
30
8
25
20 6
15 4
10
2
5
0 0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5
VCE [V] VF [V]
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)
100000
Rtyp
10000
R[Ω]
1000
100
0 20 40 60 80 100 120 140 160
TC [°C]
10
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Schaltplan/circuit_diagram_headline
Gehäuseabmessungen/packageoutlines
In fin e o n
11
IGBT-Module
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Nutzungsbedingungen

DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung
derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese
AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen.
IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine
solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien
jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und
MontagehinweisendesModulssindzubeachten.
SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine
spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin
Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit.
AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin
diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung.
SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden
Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle
-diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments;
-denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen;
-diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund
gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen.
Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben.
InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten.
Terms&Conditionsofusage

Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill
havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch
application.
Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted
exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits
characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered.
Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof
ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically
interestedwemayprovideapplicationnotes.
Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe
salesoffice,whichisresponsibleforyou.
ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please
note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend
-toperformjointRiskandQualityAssessments;
-theconclusionofQualityAgreements;
-toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon
therealizationofanysuchmeasures.
Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.
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12

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Infineon FP35R12W2T4 DS v02 - 02 EN

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