Componentes especiais

Vamos nesta lição especial, tratar de alguns tipos de componentes há pouco

tempo atrás pouco usado em TV e rádio. Alguns componentes que serão vistos
possuem princípios de funcionamento relativamente complexos, cuja explicação só
seria possível a altas alturas.

A) Resistências não-lineares
Os resistências não-lineares são componentes consideráveis em suas
características de resistências elétricas, quando submetidos à ação de forças
instáveis, tais como a temperatura, tensão ou a luz. Estas alterações podem
acontecer de maneira brusca, sendo que a resposta oferecida pode ocorrer de
maneira direta ou inversamente proporcional ao da variável aplicada para
mudança de características desses resistencias.

I – O LDR
O LDR, ou Light Depending Resistance, “Resistência Dependente da Luz”, também
conhecido como “fotoresistencia” como seu próprio nome sugere, possui seu
comportamento condicionado às variações de luminosidade incidente sobre ele.
Este dispositivo apresenta um elevado valor ôhmico quando não iluminado e, ao
ser exposto à luz, sua condutividade altera-se, passando o LDR a oferecer um
baixo valor ôhmico, motivo pelo qual é também classificado como sendo um
fotocondutor. Na figura 1, podemos ver sua simbologia. O material básico
empregado na fabricação do LDR é o sulfeto de cádmio, sendo que este material,
quando convenientemente tratado, é possuidor de poucos elétrons livres, quando
submetido à escuridão completa. Porém, caso incida sobre ele alguma luz, o que
culmina em um aumento de sua condutividade. O fato ocorre apenas durante o
período de tempo em que há absorção da luminosidade pelo material, caso esta
luminosidade cessar, os elétrons , que haviam sido libertados, são “recapturados”
pelos átomos do material, o qual volta a expressar o elevado valor ôhmico que
apresentava originalmente.

Figura 1

II – NTCR
Os NTCRs (Negative Temperature Coefficient Resistencia”, ou seja, Resistencias de
Coeficiente de Temperatura Negativa), também denominados por termistores, são
elementos cuja resistência ôhmica decresce com o aumento da temperatura, ao
contrário dos metais, cuja resistência cresce com o aumento da temperatura e
consequentemente, apresentam um coeficiente positivo. A figura 2 mostra os
símbolos dos NTCRs.

Figura 2

III – PTCR
Os PTCR (Positive Temperature Coefficient Resistencia) são resistencias que
apresentam um coeficiente térmico positivo de resistividade. Em comparação com
os NTCs, esses elementos apresentam um coeficiente positivo apenas para uma
faixa de temperaturas, enquanto os NTCs operam em toda a faixa. Os PTCRs, ou
simplesmente, PTCs, fora da faixa de operação, irão apresentar um coeficiente
negativo ou até mesmo nulo. A figura 3, mostra-nos o símbolo dos PTCs.

Figura 3

B) Semicondutores especiais
I – Diodo varicap
O diodo varicap, também chamado varactor, é um diodo de silício, cuja
capacitância varia de acordo com a tensão inversa a ele aplicada. Esse diodo é
utilizado como se fosse um capacitor variável. A capacitância formada entre ânodo
e cátodo diminui, quando aumentamos sua tensão de polarização inversa, pois o
aumento da tensão inversa aumenta a espessura da barreira de potencial e,
portanto, do dielétrico, afastando-se as armaduras entre si.

Figura 4

II – Transistor Darlington
O transistor Darlington é construído por dois transistores, dois resistencias e um
diodo, difundidos sobre uma única pastilha de silício e interligados de modo a
formar um transistor de potência com elevado ganho de corrente CC. A figura 5
mostra-nos um desses transistores tanto PNP como NPN.

Figura 5

III – Transistor Unijunção

Um importante componente, de uso muito frequente em circuito de disparo, é o
transistor especial denominado unijunção, cuja simbologia pode ser vista na figura
6. Realmente, pela simbologia utilizada para o transistor unijunção , nota-se que é
um componente dotado de duas bases, denominadas B1 e B2, além de um emissor,
indicado pela letra E.

Figura 6

III – SCR
O SCR (Silicon Controled Retificator), retificador controlado de silício, também
conhecido pela designação Tiristor, é muito empregado em circuito de controle de
grandes potencias e até mesmo em circuitos retificadores, assim como também
podem ser encontrados em dispositivos de proteção de fontes de alimentação,
tanto de televisores como fontes de bancada. O símbolo desse componente é o da
figura 6.
 Figura 7

V – TRIAC
A sigla TRIAC origina-se das seguintes palavras
inglesa TRIode Alternative Currente. Trata-se de um tipo de componente
semicondutor pertencente à família dos Tiristores, que é utilizado em de controle
de potência. O funcionamento dos TRIACs é bastante parecido com o dos SCRs.
Como já foi dito, um SCR permite a passagem da corrente elétrica num único
sentido (situação em que o ânodo é positivo em relação ao cátodo). Já no TRIAC, a
condução da corrente pode ser realizada em ambos os sentidos. Além disso,
enquanto o SCR para conduzir necessita de um pulso positivo entre o gatilho e o
cátodo, o TRIAC pode ser disparado tanto com pulsos positivos como negativos. Na
figura 8, podemos ver a simbologia do TRIAC.

Figura 8

VI – PUT
PUT significa Transistor Unijunção Programável
(Programmable Unijunction Transistor). Muitas vezes o PUT também é denominado
de SCR Complementar, pois a sua estrutura é muito parecida com a de um
retificador controlado por silício. A figura 9 mostra-nos a simbologia do PUT.

Figura 9

VII – Fotodiodo e fototransistor

Os fotodiodos e fototransistores são componentes semicondutores que
apresentam alterações em suas características quando expostos à luminosidade. O
fotodiodo consiste em um diodo feito de semicondutor PN construído de maneira
que possibilite, quando da incidência de luz sobre si, o aumento da corrente
inversa de dispersão; como isto é possível o desvio da corrente elétrica inversa,
similarmente ao que ocorre com o diodo ZENER.

Figura 10

VIII – LASCR
Um outro tipo de semicondutor fotocontrolado é o LASCR, sigla
de Light Activated Silicon Controlled Rectifier, que significa “Retificador
Controlador de Silício Ativado por Luz”. Podemos observar, pela figura 11, o
símbolo gráfico de um LASCR. Como todo SRC, o LASCR é um dispositivo
semicondutor de três junções com quatro camadas.

Figura 11

IX – Circuito Integrados Reguladores

Na lição “Circuito Integrado – Parte 9”, foram vistos algumas informações sobre os
CIs. Com o avanço tecnológico e das técnicas de fabricação de circuitos integrados,
tornou-se possível o desenvolvimento de circuitos integrados específicos para a
função de regulação e estabilização de tensão.
Os reguladores de tensão compreendem uma classe de circuitos integrados (CIs)
bastante utilizada. Estes CIs contêm os circuitos para fonte de referência,
amplificador de erro, dispositivo de controle e proteção de sobrecarga em uma
única pastilha.
Os reguladores de tensão de três terminais, que produzem uma tensão regulada
fixa positiva, para uma determinada faixa positiva, para uma determinada faixa de
corrente de carga, são os mais empregados. Tais reguladores estão representados
esquematicamente na figura 12. A um dos terminais do regulador é entregue uma
tensão VE não regulada. Em um segundo terminal é retirada, com referência ao
terceiro terminal conectado à massa. Na figura 13 temos um regulador de três
terminais onde o e é a entrada, o t é o terra e o s é a saída. A entrada é uma
tensão DC não regulada, mas retificada e filtrada, injetada ao pino 1 do CI. Os
capacitores ligados à entrada ou saída para terra auxiliam a manter a tensão DC e
filtrar qualquer variação de tensão de frequência alta. À tensão de saída do pino 3
é então disponível para a conexão da carga. O pino 2 é a referência do CI ou terra.
Para a seleção da tensão de saída regulada fixada desejada, deve-se ter em mente
que os dois dígitos após o prefixo 78 indicam a tensão de saída do regulador de
tensão. No caso do CI da figura 13, ele é de 5 volts.

Figura 12 Figura 13

X – Transistor de efeito de campo

Um dos mais importantes semicondutores criados nos últimos anos foi o transistor
de efeito de campo, conhecido como TEC ou FET (Field Effect Transistor). O
emprego é principalmente vantajoso onde se necessita de uma alta impedância de
entrada, que praticamente não carregue a fonte do sinal. Recentemente ele está
sendo também usado em conjunto com os transistores comuns nos circuitos
integrados.
O transistor de efeito de campo, ao contrário do que muitos pensão, não é um
dispositivo novo. Na verdade, ele existe desde a década de 50, tendo sido,
entretanto, fabricado somente depois de 1960.
O mais popular dos transistores de efeito de campo é o tipo de junção, conhecido
como TECJ ou J-FET. Ele é construído essencialmente por uma barra de silício do
tipo N, com um contacto em cada extremo dessa barra. No centro, em torno da
barra, é aplicada uma camada de silício tipo P, conhecida como porta e cujo campo
elétrico atua como um “estrangulador” sobre o fluxo de corrente na barra. A
figura 14 mostra-nos simbolicamente o funcionamento de um transistor J-FET do
tipo canal N, em função da polarização inversa aplicada à porta. Os elétrodos
destes transistores são denominados diferentemente. O elemento conhecido como
emissor, recebe o nome de supridouro (S), a base é chamada porta (P) e o coletor
tem a designação dreno (D). Podemos observar em A, onde a polarização inversa é
somente de –1,5 V, que a corrente através do canal do transistor é grande; ao
contrário, em B, onde temos uma tensão de –6 V na porta, a corrente é pequena.
A porta P permite controlar o fluxo dos portadores no canal, através da redução de
sua área efetiva de condução, ao aumentar a polarização inversa. Como a porta
forma um diodo polarizado no sentido inverso, a impedância de entrada torna-se
altíssima. Conforme o tipo de silício empregado no canal, que pode ser do tipo P
ou N, o transistor recebe o nome de TEC (ou J-FET) de canal P ou TEC (ou J-FET) de
canal N. Na figura 15 é mostrado os dois símbolos mais usados para ambos os
transistores TEC.

Figura 14 Figura 15

XI – MOS-FET
Além do transistor de efeito de campo de junção, existe um outro tipo com
inúmeras aplicações práticas na electrónica moderna, sobretudo devido aos
avanços ocorridos nas técnicas de fabricação.
Trata-se do Transistor de Efeito de Campo com Porta Isolada, também conhecido,
abreviadamente, por MOS-FET do inglês Metal Oxide Semicobductor Field Effect
Transistor. Como sabemos, os transistores de efeito de campo se caracterizam
pelo fato de que a corrente é controlada por meio de um campo eletrostático. Um
transistor de efeito de campo é constituído, basicamente, por um bloco de
material semicondutor, o canal, em cujos extremos encontramos dois elétrodos, o
Supridouro, que faz o mesmo papel do emissor de um transistor bipolar, e o Dreno,
que desempenha as funções do coletor. Teoricamente, a corrente deve circular
considerando o sentido convencional, do supridouro para o dreno e essa corrente
recebe o nome de corrente de Dreno, sendo representada pelas letras ID.
Entre supridouro e dreno encontra-se o elétrodo de controle, o Gate ou Porta. A
corrente do dreno é controlada pela tensão de gate, ou melhor, pela tensão gate e
supridouro (VGS ou EGS).
Do acima exposto, segue-se que qualquer variação da tensão de gate
corresponderá a uma variação da corrente de supridouro, de modo que a razão
ID/VGS nos dá a Transcondutância do transistor, representada por YHS. A
transcondutância é medida em mho, ou, mais corretamente em Simens, sendo que
alguns fabricantes de transistores preferem informar a transcondutância em
miliamperes por volt.
Um transistor de efeito de campo é constituído por uma junção PN, da qual uma
região vem a ser o canal e a outra o Substrato. Se o canal for N, o substrato será P
e vice-versa, sendo que essa junção deve ser polarizada inversamente, de modo
que o substrato é conectado internamente ao supridouro ou pode ser dotado de
um terminal próprio para a conexão à massa.
Os terminais de dreno e de supridouro são fixados a um canal na forma usual de
fabricação de semicondutores; a porta é constituída por uma lâmina metálica
isolada do canal por meio de uma película de óxido metálico, originando disto o
nome de MOS-FET.
Os transistores MOS também são conhecidos como IG-FET – “Insulated Gate”, que
quer dizer transistor de efeito de campo de porta isolada.
O fato da porta ser isolada do canal confere ao transistor de efeito de campo uma
impedância de entrada praticamente infinita, definida unicamente pelos elementos
de polarização, além da completa ausência de correntes de fuga entre o canal e o
gate que podem, eventualmente, se tornarem notáveis nos transistores de efeito
de campo de junção J-FET.

Figura 16

XII – Célula fotoelétrica

A célula fotoelétrica consiste, substancialmente, de um tubo de vidro, no interior
do qual é feito o vácuo ou introduzido gás a baixa pressão, e colocada uma
superfície, geralmente de forma semicilíndrica, recoberta com uma substância
fotoemissora, e de um fio disposto no eixo do cilindro, cuja finalidade é recolher os
elétrons emitidos.
A superfície fotoemissora é chamada de cátodo e o fio é chamado de ânodo. Na
figura 17, representamos uma célula fotoelétrica em seu aspecto simbólico.

Figura 17

Intercalado entre cátodo e ânodo, no circuito externo, um sensível instrumento

indicador de corrente, verifica-se que no escuro o instrumento não indica nada,
mas, à medida que se vai aumentando a intensidade luminosa, a corrente também
aumenta. Isto significa que a emissão catódica depende do fluxo luminoso.