OBJETIVO

Identificar las terminales de un transistor, sus principales caracteristicas e interpretar la

importancia del BJT como dispositivo de conmutación.

INTRODUCCIÓN TEÓRICA

El transistor bipolar es un dispositivo formado por tres regiones semiconductoras, entre las
cuales se forman unas uniones (uniones PN). Siempre se ha de cumplir que el dopaje de las regiones
sea alterno, es decir, si el emisor es tipo P, entonces la base será tipo N y el colector tipo P. Esta
estructura da lugar a un transistor bipolar tipo PNP. Si el emisor es tipo N, entonces la base será P y el
colector N, dando lugar a un transistor bipolar tipo NPN.

PRINCIPIO DE OPERACION DEL BJT

El transistor bipolar basa su funcionamiento en el control de la corriente que circula entre el

emisor y el colector del mismo, mediante la corriente de base. En esencia un transistor se puede
considerar como un diodo en directa (unión emisor-base) por el que circula una corriente elevada, y un
diodo en inversa (unión base-colector), por el que, en principio, no debería circular corriente, pero que
actúa como una estructura que recoge gran parte de la corriente que circula por base-emisor.

Para el análisis de las distintas corrientes que aparecen en un transistor (considerando un

transistor de tipo PNP), polarizado tal y como aparece en la figura 1.3, la unión base-emisor queda
polarizada como una unión en directa, y la unión base-colector como una unión en inversa.

Figura 1.3: Polarización en región

activa, transistor PNP
 En la figura 1.3 ambos voltajes de polarización se aplicaron sobre un transistor PNP, como
resultado, una gran cantidad de portadores mayoritarios se difundiran a través de la unión P-N en
polarización directa hacia el material tipo N, sin embargo, debido a que el material del centro es muy
delgado y tiene baja conductividad un número muy pequeño de dichos portadores tomará esta
trayectoria de alta resistencia hacia la terminal de la base. La magnitud de la corriente de base
típicamente se encuentra en el orden de los microamperes, comparado con los miliamperes de la
corriente de emisor y colector. La mayor parte de los portadores mayoritarios se difundira a través de la
unión en polarización inversa, hacia el material tipo P conectado a la terminal de colector, como se
muestra en la figura 1.4.

Figura 1.4:Corrientes en un transistor PNP en su

región activa.

Aplicando la ley de corrientes de Kirchhoff al transistor de la figura 1.4, como si se tratara de un

solo nodo se obtiene:

I E = I C +I B

REGIONES DE OPERACIÓN DEL TRANSISTOR

En función de las tensiones que se apliquen a cada uno de los tres terminales del transistor
bipolar podemos conseguir que éste entre en una región u otra de funcionamiento. Por regiones de
funcionamiento entendemos valores de corrientes y tensiones en el transistor, que cumplen unas
relaciones determinadas dependiendo de la región en la que se encuentre.
Región lineal
Unión base-emisor en polarización directa
Unión base-colector en polarizacón inversa
Región de corte
Unión base-emisor en polarización inversa
Unión base-colector en polarización inversa
Región de saturación
Unión base-emisor en polarización directa
Unión base-colector en polarización directa
EQUIPO

✗ Multímetro
✗ Osciloscopio
✗ Fuente de alimentación
✗ Generador de funciones
✗ Cables caimán-caimán
✗ Cables caimán-banana

MATERIAL

✗ Alambre para conexión

✗ 1 protoboard
✗ 2 resistecias de: 1Kohm, 22 Kohm a 1/4 W
✗ 2 transistores BC548

DESARROLLO

1.- IDENTIFICACIÓN DE LAS TERMINALES DEL TRANSISTOR BC548

De la hoja de datos del fabricante, se obtuvo la configuración de las terminale del transistor
BC548:

Con el multimetro, con el selector en la opcion de diodo, se midieron los voltajes de umbral de
las uniones. La punta positiva del multímetro se mantuvo en la base del transistor (para el voltaje base-
emisor y base-colector) en el caso de polarización directa; para el voltaje colector-emisor, la punta
positiva se mantuvo sobre el colector, tambien en el caso de polarización directa.

Polarización V BC V BE V CE
Directa 0.704 V 0.702 V 0V
Inversa 0V 0V 0V
Tabla 1: voltajes de umbral

Observacion: De la tabla 1, se observa que la configuración de las terminales del transistor BC548
dada por el fabricante en la hoja de datos, no conincide con la configuración determinada utilizando el
multímetro, las terminales de colector y emisor se encuentran invertidas.
 Dada la observación anterior se corrigió la tabla, basandose en que el voltaje de la unión base-
emisor es mayor al voltaje de la unión base-colector.

Polarización V BC V BE V CE
Directa 0.702 V 0.704 V 0V
Inversa 0V 0V 0V
Tabla 2: voltajes de umbral

2.- EL BJT COMO CIRCUITO DE CONMUTACIÓN O DE DOS ESTADOS

Se armó el circuito de la figura 1 en un protoboard.

Figura 1: circuito con polarización fija

Una vez construido, se midieron los siguientes parametros:

Región de
VB IB IC V BE V CE V BC Operación
27.69 uA 5.956 mA 0.634 V 6.005 V 5.369 V Activa
0V
189.46 uA 6.756 mA 0.653 V 5.205 V 4.554 V Activa
5V
Tabla 3: parametros del circuito

Observación: Los valores de la tabla 3 fueron medidos considerando las terminales del transistor como
se indican en la hoja de datos proporcionada por el fabricante, por lo que los resultados obtenidos en las
mediciones no fueron los esperados (conmutación).

Posteriormente se modificó la conexión de las terminales, intercambiando el emisor y colector,

obteniendo las siguientes mediciones:

Región de
VB IB IC V BE V CE V BC Operación
0A 0A 0V 11.99 V 11.97 V Corte
0V
187.97 uA 11.88 mA 0.685 V 0.070 V 0.614 V Saturación
5V
Tabla 4: parametros del circuito (corregida)
Observación: Una vez intercambiadas las terinales emisor y colector, el transistor se comporta como
conmutador entre dos estados al cambiar el voltaje de base entre 0V y 5V.

De la tabla 4 se tiene que cuando el voltaje de base es de 0 volts, el transistor trabaja en la

región de corte; y cuando el voltaje de base es de 5 volts, el bjt trabaja en la región de saturación.

Posteriormente de lograr el circuito deseado, se sustituyó la fuente de 5 volts conectada a la

base por el generador de funciones, introduciendo una señal cuadrada de 5Vpp a 1 kHz.

Figura 2: circuito con polarización variablec

En este circuito se midio el voltaje de salida (colector-emisor) haciendo uso del osciloscopio.

Figura 3: Medicion del voltaje en la malla de salida.

El voltaje medido a la salida (voltaje clector-emisor) con el osciloscopio fue de 12 V cuando el

voltaje era maximo y tendiente a 0 V (aprox. 2 V, debido a que el voltaje era negativo, por lo tanto
existia una corriente circulante en la malla de entrada)cuando el voltaje era mínimo.

Observacion: El valor del voltaje C-E medido con el osciloscopio resulto similar a la mediciones
registradas en las tablas 3 y 4 combinadas, esto debido a que la señal cuadrada de entrada generada por
el generador de funciones sustituyo el evento de cambi manual de voltaje en la mala de entrada.
CONCLUSIONES

Las terminales de un transistor se pueden identificar a partir de la hoja de datos proporcionada

por el fabricante, pero es siempre necesario corroborar de manera practica dicha configuracion de las
terminales, pues esta puede variar debido a errores de dopado en los procesos de fabricación.
El BJT como dispositivo de conmutación funciona cambiando su region de operación, variando
entre saturación y corte, es decir entre conducción y no conduccion, cumpliendo una función similar a
la de un interruptor, teniendo el uso en diversas aplicaciones en el control de dos posibles funciones
apartir del cambio en el voltaje de la malla de entrada.