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k = 8,617·10^-5 [ eV

K ]=
1,38·10^-23 [ KJ ] h = 4,13·10^-15 [eVs] = 6,62·10^-34 [Js] e = 1,6022·10^-19 [C] me = 9,109·10^-31 [kg] UT = kT
1. Konstanten ε0 = 8,854·10^-12 [Vm
C
]= 8,854·10^-14 [ Vcm
C
] q = 25,852 [mV]
l2. Ladungsträger im Halbleiter 2.11 Ladungsträgerkonzentration bei Dotierung mit D+A 3. Halbleiterdioden E C,p 3.9 Generations-/Rekombinationsstrom τ G = τ R = (σ vth N T )
−1

2.1 Debye-Länge N A > N D → p-Halbleiter Potential Netto-Rate. Sperrbereich Netto-Rate. Flussbereich τG,R
q (Udiff - U) Gen./Rek. Lebensdauer

( )
ε 0ε HL kT ε 0ε HL kT ε 0ε HL kT ε 0ε HL kT cm N D > N A → n-Halbleiter σ vth ni N T ni σ vth npNT ni  qU  vth
kT  N A 
thermische Geschw. der Ladungsträger

( ) E Fi, p U =− =− U = = exp  σ
LD = ≈ LD = ≈ [ ] Φ ( x) = ln  
2
q n0 q ND 2
q p0 2 2
q NA
n0 =
+
N −N +
D

A (N +
D −N − 2
A ) + 4n 2
i
Ladungsneutralität
+
p0 + N = n0 + N − q  p ( x )  E C,n
2 2τ G n+ p 2τ R  2 kT  NT Konzentration der Störstelle
n − Gebiet p − Gebiet
D A E F,p Gen.-Strom Sperrbereich Rek.-Strom Flussbereich ET = EFi Energieniveau der Störstelle
2 bei Sperrspannung U: E F,n
  qni  
2.2 Diff.-Koeffizient
kT
2.3 Diff.-Länge 2.4 Beweglichkeit
qτ Flug cm 2
[ ]
p0 =
N A− − N D+ + (N −
A − N D+ )
2
+ 4ni2




qU = E F,n - E F,p
E V,p
jG = − w
2τG RLZ
jR = q ni w exp qU  
2τR RLZ  2kT   ( ) 






[ ]
Dn , p = µn , p cm
2
Ln,p = Dn,p τn,p [cm ] µn,p = * E Fi,n   UB 
Durchbruchsspannung
me,h 2  
q s Vs K onzen. E-Feld Eg 3.10 Lawinendurchbruch EB Durchbruchsfeldstärke
 
2.11.1 Anzahl ionisierter Dotieratome Strom Difusion Drift E V,n 1 3 3
(einseitig abrupt!)  

( )(

2.4 Zustandsdichte
)
UB = wRLZ EB 1 ε0 εHL E 2 Eg 2
N 4
1 1 -x p xn 2 UB = = 60V N: niedrig dot. Gebiet
N D+ = N D N A− = N A 2 qN B 1,1 eV 16
10 cm
−3

( ) ( )
3 3

1 exp  EF − Ed  + 1 1 exp Ea − E F + 1
( ) ( )
4π 2 me* 2 4π 2 mh* 2 3.1 Diffusionsspannung 3.2 Poissongleichung
Ne (E) = E − EC N h (E ) = EV − E 2 4 3.11 Kleinsignalparameter
h3 h3  kT  kT dE d 2Φ ρ ( x) dΦ 3.12 Schottkydioden A
kT  N A N D 
( )
U Diff = ln   =− 2 = = −E Diffusionskapazität   
e im LB h im VB 
( )( ( ) )
dx
2.12 Vollständige Ionisation q  ni2  dx dx ε 0ε HL  qLn n p , 0  p    qU  F 2 qɸ qU

( ) ( )[ ]
q qL j = A* T exp − B exp − 1
2.5 Fermi-Dirac-Statistik Cd =  + 
p n,0

exp 0
  kT kT
N A− = N A und N D+ = N D 3.3 Raumldngsdichte [ xp ; 0 ] ρ (x) = - q NA kT  2 2   kT  cm2

f (E ) =
1
p − HL : N A >> N D ⇒ p0 ≈ N A n − HL : N D >> N A ⇒ n0 ≈ N D ρ ( x ) = q [N D+ ( x ) − N A− ( x ) + p ( x ) − n ( x ) ] [ 0 ; xn] ρ (x) = q ND
Diffusionsleitwert
 E − EF 
1 + exp 
(
 kT 

) 2.13 Transporteigenschaften I ges = IDrift + IDiff I = j A
qU
sonst: ρ (x) = 0
qU Gd =
q  qDn n p , 0 qD p pn ,0 
(
 +
)( ) ( )[
 exp  qU 0  = q J S exp  qU 0  1 2
]
2.6 Boltzmann-Näherung R=
ρ l ohm.Widerstand
A [Ω ]
1
ρ= =
1
σ q ( pµ p + nµ n ) Vcm
spez. Widerstand

A [ ]
p(x = x n ) = pn ,0 exp
kt ( ) n (x = −x p ) = n p,0 exp
kt ( ) kT  Ln
 L p   kT  kT
*
 kT  Ωcm

 E − EF 
( )
 E − EF  3.4 Weite der Raumladungszone
( )
f B , e ( E ) = exp −  f B , h ( E ) = 1 − exp
I 1 Leitwert
 Y= = σ = qNµ spez.Leitf. A
 kT   kT  U R [Vcm ] N A x p = N D xn
xn
Dp
xp unabhängig von U
2.7 Intrinsische Ladungsträgerkonzentration D
R ges = Rn + R p = n + 2ε 0ε HLU Diff
∞ Elektronendichte σ nA σ pA N D xn2 + N A x 2p =
( )
 E − E Fi 
n0 = ∫ N e ( E ) f ( E ) dE ≈ N C exp  − C  q
EC  kT  jDrift = σ E ohm. Gesetz U = E.l
Löcherdichte jDrift = q ( p vD,p − nvD,n ) = q ( pµp + nµn ) E 2ε 0ε HL(U Diff -U ) (einseitig abrupt!)
EV
wRL =
( )
 E − EV  N: niedrig dot. Gebiet
p0 = ∫ N h ( E )(1 − f ( E )) dE ≈ NV exp − Fi  qN
 kT  Geschw. von
−∞ 2 QU
v= gel. Teilchen qNA
 2π me*kT 
3
 2π mh* kT 
3 Effektive Zustandsdichten m Ep,max = − xp
( ) ( )
2 2
N C = 2 2
 N V = 2 2
 für Elektronen und Löcher
im LB bzw. VB
Fe = QE Fm = Qv × B Fz = mv 2 / r
ε0εH L
 h   h  ohne angelegte (Sperr-)Spannung: U = 0V
n0 = p0 = ni Nur im intrinsischen Fall n0 p0 = n 2 U 2ε 0ε HL (U Diff − U ) NA 2q (U Diff − U ) NA NA
E H = H = RH j x Bz x n = wRLZ
xn = = LD , n
Bipolartransistor
i

3 b qN D NA + ND kT ND + N A NA + ND
Eg   E  
ni = N C NV exp −
( 2kT )
 ~T 2 exp − g 
 2kT ( ) 

2.14 Diffusionsstrom und -dichte
Elektronenstromdichte Löcherstromdichte xp =
2ε 0ε HL (U Diff − U )
qN A
ND
N A + ND
= LD , p
2q (U Diff − U )
kT
ND
ND + NA
x p = wRLZ
ND
NA + ND
Operationsmodus Emitter/ Basis Basis/ K ollektor
Normalbetrieb F lußpolung Sperrpolung
2.8 Fermi-Niveau für intrinsischen Fall EFi nahe Bandmitte ∂n ( x, t ) ∂p ( x, t )
jn , Diff = qDn j p , Diff = − qD p Sättigungsbetrieb F lußpolung F lußpolung
EC + EV ∂x ∂x xn N A Cutof :SP ERR-Be. Sperrpolung Sperrpolung
( )
 NV  3  mh*
( )
1 1 2ε 0ε HL (U Diff − U )  1 1  LED
( )C
EFi = + kT ln  = EV + Eg + kT 
ln         wRL = xn + x p =  +  =
N - pn-Diode Inversbetrieb Sperrpolung F lußpolung
( ( ) )
2 2 m* Dp pn,0  qU  xp ND
( ( ) )
 C 2 4  e D np,0  qU      q
jn,Diff = q n
exp
 kT  − 1 jp,Diff =
q exp kT  − 1   N A ND  - Betrieb in Flussrichtung
L L HL-Laser Photodiode
2.9 Ladungsträgerkonzentration bei Dotierung mit D o. A
n p
3.6 Sperrschichtkapazität 0 - stahlende Rekombination
 ∂n( x, t ) ∂p ( x , t ) 
= - pn-Diode - pin-Diode
 = q (Dn grad n − D p grad p )
→ bei indirekten HL:
n0 p0 = ni2 j Diff = q  Dn − Dp C(U ) - Betrieb in Flussrichtung - Betrieb in Sperrrichtung
∂x q ε 0 εHL N A ND Störstellen nötig
CS = εw0 ε HL =
 dx 
[cm ]
F - Licht ist (anders als bei LED) - schnell
NA + ND
2
- höhere Bandbreite als
n0 ≠ p0 2.15 Ausgleich von Ladungsträgerüberschuss RLZ 2 (UDiff - U )
 UD − U HL-Laser
- kohärent - geringe Empfindlichkeit
Rekomb.-Rate Gen.-Rate Prop.-Konst. b therm.-dyn. Ggw. q ε εHL N (einseitig abrupt!)
= - monochromatisch
R = bnp Gth = bni2 p-Gebiet n-Gebiet R = Gth CS = 0
N: niedrig dot. Gebiet
UD - spontan stahlende Emission
- geringere Bandbreite als LED
1 1 2( UDiff − U ) F nicht vorrangig Solarzelle
- stimulierte Emission
Netto-Rate
U = R − Gth
τn p τp n [cm ] 2
− xp xn → direkter HL nötig - Betrieb in Flussrichtung

( )
 E − EFi 
( )
 E − EC  3.7 Maximale Feldstärke in RLZ MOS-Transistor Bipolar-Transistor Thyristor IGBT
N D ≈ n0 = N C exp F  = ni exp F  für ET = EFi und σ = σn = σp np = ( n0 + Δn )( p0 + Δp ) ≠ ni2 - bipolar
 kT   kT  U diff − U - unipolar - bipolar - bipolar
σ vth ( pn − n )N T2
dielek. Relaxationszeit Emax = 2 - Steuerung durch - Steuerung durch Strom - Steuerung durch Strom - Steuerung durch
U = i wRL
( ) ( )
 E − EF   E − E Fi  ε 0ε r Spannung
N A ≈ p0 = N V exp V  = ni exp − F  n + p + 2 ni τ d = RC =
Spannung - basiert auf Diffusion - kein kontinuierlicher
 kT   kT  σ 3.8 Sperrsättigungsstrom
 
und

-dichte Emax
   - basiert auf Drift - Minoritäts-Bauelement Strom / Spannung nötig - Bipolar + MOS
2.16 Kontinuitätsgl./Haynes-Sh.
p0 ≈ N A und n 0 ≈ ni2
für N A >> N D und N A >> n i üblicherweise τ d << τn,p I s = J s · A 






j
qni wRLZ
 - Majoritäts-Bauelement → langsamer - niedrigohmig - Ein / Ausschaltbar
NA
d Δx I = J · A     G-R,0 = 2 τG,R  → schneller - positiver Temp.-Koeff. - auf kleine Frequenzen über Gate
n 0 ≈ N D und p0 ≈ ni2
für N D >> N A und N D >> n i vD,n/p = = = ± E µn/p - selbststabilisierend
ND Δt Δt - negativer Temp.-Koeff. → schlecht für

( ) ( ) ( )
Dn n p , 0 D p pn , 0 Dn Dp Ln Lp - niedrigere Durchlass-
2.10 Fermi-Niveau bei Dotierung JS = q + = qni2 + = qni2 + → selbststabilisierend Parallelschaltung
Ln Lp Ln N A L p N D τ nNA τ pND → gut für MOS-Kondensator verluste als MOS
n  p  - Anwedung:
() ()
E F = E Fi + kT ln  0  E F = E Fi − kT ln  0  Ueff = U Parallelschaltung
qUeff
 ni 
E c − E d = (E c − E F ) − (Ed − EF )
 ni  J = J s exp
( ( kT )− 1 ) mit Serienwiderstand
Ueff = U − I · R s Photostrom
}
- hohe Durchlassverluste - DRAM
- CCD

qU qU Hall-Experiment Haynes-Shockley
(exp ( kT )− 1 +) J (exp ( 2kT )− 1 +) R
eff U eff eff
J = Js − Jph Dotierungsart, Beweglichkeit,
ΔR G-R,0 p
Konzentration, Lebensdauer
rel. Änderung von R1 zu R2 :
}
}
}

R1 Diff. Strom Gen./Rek. Strom parallel Beweglichkeit → der Minoritäten


Widerstand → der Majoritäten
GHhFeldeffekttransistoren GHUHNhAustrittsarbeit (> <i beiLEandmitte) GHwhMOS:Transistor 7HhLeistungsbauelemente mLLLLLLLLLLx
xin - xip + l
ßHhBipolartransistoren


GHUhMOS:Kondensator GHwHUhStrom:Spannungs:Beziehung >mitter Easis Kollektor >
xip xin
>
xip xin
>
xip xin
Eg nurLimLlinearenLEereich4 UCE l UBE J UBC x x x
GHUHwhBetriebszustände qɸ HL = q χ HL + + qɸ B

R
R

R
M L L
( ) ( )
U
E Fi (∞ ) − E Fi m x x kT nm xx kT p ID = D RC = ρ =
ɸ m xx = = ln = ln p qɸMHL = q (ɸM − ɸHL ) RC xCW µ n Qn W Q = −mU − U x C IE
IB
IC
q q np q pm xx n G Th IS
UBE UBC >minR >minR
LinearerLEereich4 >maxR
Oberflächenpotential Eandverbiegung für p ≤ U D << UG − UTh nRKanal >pinR >maxR
I D = β (U G − U Th ) UD UCE
RLZ
E (∞ ) − E Fi mpx GHUHGhFlachbandspannung UE4 EulkRmSperrxSpannung
für UG − UTh<< U D ≤ p pRKanal RLZ lB
ɸS = Fi

}
Triodenbereich4 nR>mitter pREasis nRKollektor

MinoritätsladungsträgerJKonzv
q i i R i
U FB = ɸMHL OhneLJsolatorladung R R
Eulkpotential p − HL n − HL QIS = QOT + QSS [cm C
] C (
I D = β (U G − U Th )U D −
U DM
) für p ≤ U D ≤ UG − UTh nRKanal

( )
M
M
( )
Q für UG − UTh ≤ U D ≤ p
U FB = ɸMHL − IS QOT +LeffZLJsolatorladung [cm ]
pRKanal
q ɸB = EFi − EF kT N X kT n nB mxa
ni pi π ni pi ν ni
A
ɸB = ln
q ni
ɸB =
q
ln i
ND C IS QSS +LLadungLanLWLäJSRPrenzflZ [ C ] Sättigung4 Triodeo→Sättv( U D = UG − UTh pi i
cmM
β für p ≤ UG − UTh ≤ U D nRKanal 7HUhSperrspannunghLhPunchtrough:Spannung
GHUHwhBetriebszustände UFB = pV midealeLMJSRStrukturx V
x IS
V ID = (U G − U Th )M pC/P pinRStruktur
QOT =
x IS ∫ xρ OT m x x dx =
M
ρ IS x IS M für U D ≤ UG − UTh ≤ p pRKanal pE mxa
nB/P
p pE/P pC mxa Usp + > pin v l Upt + pV
µ = µp
GHUHßhWeitehderhRLZ wRLZ/max bei ɸS = MɸB ± β = µ C IS
W
[ VA ] R4 pRKanal mLLLLLLLLLLLx
pπnäpνnRStruktur

}
L
M
µ = µn
i4 nRKanal mLLLLLLLLLLLx <lussbetrieb Sperrbetrieb
dB Usp } Upt
Mε pε HL
wRLZ = ɸS - UB 7usgangskennlinienfeld ßHUhNeutralehBasisweite → Usp + VM > max v w
qN Sättigungsbereich RLZ
Flachbandfall Flachbandfall dB = lB − xp/oBC ∆d B = ∆x p b BC Usp + Upt

}
GHUH7hEinsatzspannung UG lo5V ßHwhEarly:Spannung → Usp + > max v lπ/ν
V
M
Q QHL b RLZ/MXX Usp 3 Upt
U Th = ɸMHL − IS + MɸB − → Usp + VM mLLLLLLLLLLLLLLLLLLLLLLLLLx
> max i > min v lπ/ν

Drainstrom ID
C IS C IS
ΔU
Δ Ü|
→ U7 + - U|> für Usp 3 Upt4 Usp + Upt → wRLZ + lπ/ν
}
}
U FB UIS UG lo3V Peradengleichung Ü| + mLLLLLLLLLLLLLLLLLLLLx
U|> i U7 Ü| Δ Ü|>
ΔU|> |
GHUH0hLadunghderhRLZ ßHNhKollektorstrom | > min| · l + |Usp − Upt | Mε pε HL mLLLLLLLLLLLx
UDiff - Upt
QHL/RLZ/max bei wRLZ/max UG lo=V M |Upt | d> = pmxx lν =
( )
UG loVV
|Upt | + |Usp | − | > min| · l > pt + l
qDn b B niM
( )
qniM qUBE qUBE dx ε p ε WL q Nπ/ν
QHL/RLZ = ± Mε pε HL q N ɸS - UB = ± q N wRLZ [cmC ]
M

Drainspannung UD
UG lo4V JC =
QB Dn b B
exp
kT

dB NXcD/B
exp
kT pπnRStruktur pνnRStruktur
i4LnRWLLmNL+LNLx Uth | > min | R |> max |
QM = - QHL/RLZ - QIS ·
R4LpRWLLmNL+LNLx Übertragungskennlinie ßHßhGroßsignalparameter mStromverstärkungfaktorx d> q N7bπ d> q N·bν | > max| R |> min |
7 mEasisschaltungx m>mitterschaltungx = ε ε = = ε ε =
dx p WL l dx l
GHUHDhKapazitäten IC B IC X
π p WL ν
X= = B= = 7HNhSperrschichtkapazität
C IS C HL | |M IE V + B IB V − X
C= |V + εp εWL
C IS + C HL |M − |
ßH7hKleinsignalparameter mStromverstärkungfaktorx |pt=

Drainstrom ID

RM
|S in mn<x
|gesbmin bei wRLZbmax mEasisschaltungx m>mitterschaltungx l
CIS CHL/min ∂I C β ∂I C α
Cgesbmin = Cgesbmax = CIS α = + β= +

RM
CIS + CHL/min ∂I E V i β ∂I B V − α
Upt
GHUHDHUhIsolatorkapazitätq ßH0hGummelzahlen
εIS ε p Gatespannung UG Q E + N 7bE dE EasisRPummelzahl ULinLV
CIS = Q >beff + N ·b> L pb> >mitterRPummelzahl 7HGhDurchbruchspannung
> <bM xIS GHwHwhUnterschwellenstrom
UB = EB mLLLLLLLLLLx
xin - xip
( )( ( )) ( ) ( ) pin

M M
q7n i qUE> q7n i qUE>
GHUHDHwhHalbleiterkapazitätq β xC qU T niM ɸS UD J| ≈ · exp JE ≈ · exp
ID = exp V − exp − Q E ä · nbE kT Q >beff ä · pb> kT
7nreicherung ε pε HL
C IS N X UT UT UB = VM mLLLLLLLLLLLLx
>B i >min mLLLLLLLLLLx
xin - xip pπn | pνn
|WL → ∞ ⇒ | = |JS C HL =
<lachbandfall wRL I D = I Th exp
( U G − U Th
) n=
C IS + C HL J> ≈ ( q7n i M
Q E ä · nbE
i
q7n i M
Q >beff ä · pb>
· exp
qUE>
kT ) ( ) J|
JE

Q >beff · nbE
Q E · nbE
0HhOptoelektronischehBauelemente
nU T C IS Stromverstärkung
Jdealfall direkterLWalbleiter indirekterLWalbleiter Wellenlänge >nergie
wRLZ + p ⇒ |WL,<E → ∞ ⇒ | = |<E,ideal = |JS I th +L·rainstromLbeiLUP+Uth S = ln VpU T n ßHDhStr:Sp:BeziehungenhimhNormalbetrieb

( ) ( )
· nbE n Ebp · pb> p>bp qUE> c hc
Realfall mentscheidendLfürL7uswertungLgemessenerLKennlinienx J> ≈ 7q i · exp Leitungsband λ = E = hv =
GHwHNhSubstratsteuerfaktor γ dE L pb> kT v λ
εp εWL kT ε0 εWL εp ε WL qM N
wRLZ = L· = |WL,<E = = i4LnRWLLmNL+LNLLLLLLLLLLLLLLxL
· / UB ≥ P

( kT )
qM N L· kT = ± Mε pε HL qN M ɸB − U B
QHL/RLZ/max 7q· nbE n Ebp qUE> Jmpuls kRWert
−V R4LpRWLLmNL+LNLLLLLLLLLLLLLLx
7/ U ≤ P J| ≈ · exp Mπ
(εxε )
kT B dE h
⇒ | = | <E,real = JS
+ p Ph = k Ph =
εp ε WL qM N λ λ
( )
0 JS
U Th = U FB + MɸB + γ MɸB − U B 7q· pb> p >bp qUE> Photon
VerarmungLäLSchwacheLJnvZ JE + J> − J| +
L pb>
· exp
kT Phonon
εp εWL εp εWL qN R4LnRWLLmNL+LNLx
|WL = = Mε pε HL qN ·
ßH/hLadungsträgerkonzHhamhRandhderhRLZ
wRLZ M |ɸS | γ =± [√ V ] i4LpRWLLmNL+LNLx Valenzband
(qUkT )
7
StarkeLJnvZ
WoheL<reqZ4 JnvZRLadungLkannLMessfrequenzLnichtLfolgen
C IS
p(− x > x + p>bp · exp ( qUkT )
E> nmpx + n Ebp · exp
E> für U E> 3 p
MɸB - UB = x α mλx 7bsorptionskoeffizientLinL7bhängigkeitLvonLλ
· exp (
kT )
· exp (
kT )
εp εWL εp ε WL qN qU qU E| Photonenfluss
|WL = = nmdE x + n Ebp
E|
pmx | x + p|bp für U E| } p x) [ s cm
wRLZbmax F |ɸE | pRKanal4 UB = x + Mɸ
B
ɸPhmxbλx + ɸPh/P mλx exp ( α mλx 1
]
M Δn + Δp + P τn/p
NiedrigeL<reqZ4 JnvZRLadungLkannLMessfrequenzLfolgen ßHUThGesamtlaufzeit
|WL → ∞ ⇒ | = |JS Penerationsrate
d BM x − dB
p-Kanal n-Kanal GHUH/hKapazitäts:Spannungs:Kennlinie → τ EC = τ E + τ B + τ D + τ C =
kT
CE + + C + RC mCC + CS x Pmxbλx + α mλx ɸPhmxbλx
qI E M Dn b B vx
hier4LnRKanalbLpRWLLTransistor Photowiderstand
LaufzeithdurchhBasis Grenz:mhTransitfrequenz L LeitfähigkeitLzusätzlichLgenerierterLLadungsträger
V R (ɸPh ) + Wd (σ i Δσ ) ΔσPh + q Δ n ( μn i μ p)
→ d BM fT =
P Ph
τB =
M Dn b B Mπ τ EC
Kreisfläche 7 + π ·rM
→ Diffusions:Dreieck mL cmL mm µm nm
n E mxx + n Ebp · exp (qUkT ) d d− x
E| E
E
m VL Vpp VpA VpK VpN
cm VpRM VL VpL VpF VpD
7nreicherungL→LVerarmung4L<lachbandfall UP + U<E → mm VpRA
RK
VpRV VL VpA VpK
VerarmungL→LSchwacheLJnvZ4 ɸS+ ɸ E anLPrenze4 n p + pp + n i µm Vp VpRF VpRA VL VpA
SchwacheLJnvZL→LStarkeLJnvZ4 ɸS+M ɸE UP + Uth nm VpRN VpRD VpRK VpRA V
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