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Fachhochschule Aargau

für Technik, Wirtschaft und Gestaltung


Direktionsbereich Technik
Diplomarbeit WS00/01

Solid State Amplifier


144MHz / 300W

Diplomanden: Daniel Reimann


Marcel Fischer
Klasse: Ea97
Betreuer: Prof. Peter Niklaus
Datum: 1. Dezember 2000
Zusammenfassung -4-

1 Zusammenfassung

Der vorliegende Bericht stellt einen 300W Verstärker für 144MHz-146MHz vor, welcher dank seiner
niedrigen Versorgungsspannung von 50V und seiner hohen mechanischen Stabilität für den mobilen
Einsatz bestens geeignet ist. Es kommen modernste Power MOSFET der Firma Polyfet zum Einsatz.
Das gesamte Design wurde mittels Microwave Office 2000 Simuliert, wobei sowohl lineare S-
Parameter Analysen als auch nichtlineare Spice Modell Simulationen durchgeführt wurden. Damit
konnte die Ausgangsanpassung mittels Load-Pull Technik besser auf maximale Leistung optimiert
werden.
Aufgrund der Erfahrungen, welche wir während der Semesterarbeit im Winter 1999 gesammelt
hatten, entstand ein vollkommen neues Design, das ohne Ferritmaterialien im Anpassnetzwerk
auskommt. Dieses erhöht den Wirkungsgrad, sowie die mechanische Stabilität und vergrössert den
Intermodulationsabstand.
Das von uns erstellte Layout zeigte keine Stabilitätsprobleme mehr, wie es im ersten Projekt der Fall
gewesen war, so dass der Verstärker erfolgreich in Betrieb genommen werden konnte.
Ebenfalls neu dazu kam eine aktive VSWR Abschaltung, welche den Verstärker vor zu starker
Fehlanpassung schützt. Sie wurde voreingestellt auf einen VSWR von 2:1 ab einer Ausgangsleistung
von 50W, was jedoch leicht an die verwendete Antennenanlage angepasst werden kann.
Da der Verstärker während einer Messung aufgrund zu hoher Eingangsleistung ausfiel, war es uns
nicht möglich, die Verstärkerdaten, wie Wirkungsgrad und Intermodulationsabstand zu ermitteln. Da
jedoch die Simulation recht genau mit den bis zum Ausfall gemessenen Daten übereinstimmte, sind
wir zuversichtlich, dass der Verstärker, noch einmal überdacht und abgeglichen, die geforderten
Spezifikationen erfüllen können wird.
Inhaltsverzeichnis -5-

2 Inhaltsverzeichnis

1 ZUSAMMENFASSUNG .......................................................................................................................4

2 INHALTSVERZEICHNIS....................................................................................................................5

3 EINLEITUNG UND AUFGABENSTELLUNG .................................................................................7

4 VORKENNTNISSE ...............................................................................................................................9
4.1 Zielsetzungen ...........................................................................................................................................9
4.2 Elemente der Hochfrequenztechnik .......................................................................................................10
4.2.1 Power Divider und Combiner......................................................................................................11
4.2.2 Transformatoren ..........................................................................................................................12
4.2.3 Diskrete Elemente........................................................................................................................12
4.2.4 RF-Beads .....................................................................................................................................13
4.2.5 Kondensatoren.............................................................................................................................14
4.2.6 Transistoren.................................................................................................................................16

5 300W VERSTÄRKER.........................................................................................................................20
5.1 Diskussion..............................................................................................................................................20
5.2 Arbeitspunkt...........................................................................................................................................21
5.3 Gate Loading..........................................................................................................................................23
5.4 Das BIAS Netzwerk...............................................................................................................................24
5.5 DC Einspeisungen..................................................................................................................................25

6 DAS ANPASSNETZWERK................................................................................................................26
6.1 Eingangsanpassung ................................................................................................................................26
6.2 Ausgangsanpassung ...............................................................................................................................27
6.3 Balun 28
6.3.1 Analyse der Balunparameter .......................................................................................................29
6.3.2 Realisierung des Balun ................................................................................................................34
6.4 4:1 Leitungstransformator......................................................................................................................36
6.5 Diskrete Eingangsanpassung..................................................................................................................38
6.6 Diskrete Eingangsanpassung für Breitbandanwendungen .....................................................................40
6.7 Diskrete Ausgangsanpassung.................................................................................................................42
6.8 Power Ratings ........................................................................................................................................45
6.9 Load Pull Technik..................................................................................................................................46
Inhaltsverzeichnis -6-

7 STABILITÄTSANALYSE..................................................................................................................47
7.1 Simulation des 1dB Kompression Punktes ............................................................................................50

8 TEMPERATURSTABILISIERUNG.................................................................................................51
8.1 Verhalten des Transistors.......................................................................................................................51
8.2 Bias-Schaltung mit Temperaturkompensation.......................................................................................52
8.2.1 Schema.........................................................................................................................................53
8.2.2 Schaltungsbeschreibung ..............................................................................................................53
8.2.3 Verhalten des NTC.......................................................................................................................54

9 VSWR SCHUTZSCHALTUNG .........................................................................................................56


9.1 Schaltungsbeschreibung.........................................................................................................................58
9.2 Messresultate..........................................................................................................................................59

10 TEMPERATURBETRACHTUNGEN AM VERSTÄRKERAUFBAU..........................................61
10.1 Theoretischer Wärmetransport.......................................................................................................62
10.2 Berechnungen ................................................................................................................................63

11 EVALUATION NETZTEIL ...............................................................................................................64

12 HINWEISE ZU DEN PROTEL-LAYOUTS .....................................................................................65

13 LITERATURVERZEICHNIS ............................................................................................................66

14 LINKS ...................................................................................................................................................69

15 LIEFERANTEN...................................................................................................................................70

16 ZEITEINTEILUNG.............................................................................................................................71

17 ANHANG..............................................................................................................................................72
Einleitung und Aufgabenstellung -7-

3 Einleitung und Aufgabenstellung


Einleitung und Aufgabenstellung -8-
Vorkenntnisse -9-

4 Vorkenntnisse

4.1 Zielsetzungen
Unsere Dipomarbeit baut auf den Erfahrungen auf, welche während der Semesterarbeit im 5.
Semester gesammelt wurden. Aufgrund des weiterreichenden Verständnisses, entschieden wir uns
dafür, ein vollkommen neues, besser auf unsere Anwendung zugeschnittenes Design zu entwerfen.

• Die Anpassung an den Transistor wird neu ohne Ferritmaterialien auskommen, was die
mechanische Stabilität des Verstärkers erhöht. Ebenfalls verbessert wird dadurch der
Intermodulationsabstand, da keine Sättigungseffekte in den Ferritkernen auftreten können. Ein
weiterer Vorteil ist die exaktere Simulierbarkeit der Schaltung, da für Leitungselement
detailliertere Simulationsmodelle zur Verfügung stehen als für Ferrittransformatoren.
• Das Bias Netzwerk soll neu eine aktive Temperaturkompensation beinhalten, welche
Schwankungen des Arbeitsstroms kontrollieren wird. Zusätzlich soll über einen disable Eingang,
binnen kürzester Zeit (t<200µs)1 eine Notabschaltung durchgeführt werden können. Dies ist
nötig, falls der Ausgang zu schlecht angepasst ist und somit die Verlustleistung im Transistor
unzulässig hoch wird.
• Eine VSWR Schutzschaltung soll die Ausgangsanpassung ständig überwachen und den
Verstärker bei einem VSWR grösser als 2:1 für eine bestimmte Zeit ausschalten. Dabei soll die
Ansprechschwelle sowohl für die Leistung, als auch für das SWR einstellbar sein. Somit kann
vermieden werden, dass der Verstärker bereits bei kleinen, für den MOSFET ungefährlichen
Leistungen empfindlich auf Fehlanpassung reagiert. Damit kann ein Abgleich der
Antennenanlage bei kleinen Leistungen vorgenommen werden.

1
[HPP97] High-Frequency Transistor Primer, S.18
Vorkenntnisse - 10 -

4.2 Elemente der Hochfrequenztechnik

Damit ein Transistor seine maximale Leistung abgeben kann, sind geeignete Anpassschaltungen an
Drain und Gate notwendig. Je nach Anwendung kann man dabei verschiedene Prioritäten setzen. Ein
rauscharmer Eingangsverstärker verzichtet oftmals auf einige dB Verstärkung, um dafür die
Rauschverstärkung möglichst gering zu halten. Der Designer eines RF PA hingegen ist primär daran
interessiert, möglichst viel Verstärkung aus seiner Stufe herauszuholen. Dies hat vor allem
wirtschaftliche Gründe, denn die Endstufe trägt bei heutigen Funksystemen meist einen gewichtigen
Anteil an den Gesamtkosten.
Nun stehen verschiedene Möglichkeiten zur Verfügung, eine solche Anpassung vorzunehmen.
Einerseits spielt die benötigte Bandbreite eine grosse Rolle und andererseits versucht man stets eine
einheitliche Technologie zu verwenden was Kosten spart.
Dieses Kapitel bietet eine Zusammenstellung der wichtigsten Anpasselemente der
Hochfrequenztechnik, wobei jeweils Verweise zu weiterführender Literatur angebracht sind.
Je nach Anwendung und Frequenzbereich bietet das eine Element gegenüber einem Anderen
Vorzüge. Es ist stets das Zusammenspiel der verschiedenen Elementgruppen, welches eine
gelungene Schaltung ausmacht.
Vorkenntnisse - 11 -

4.2.1 Power Divider und Combiner

Leistungsteiler wie zum Beispiel der Wilkinson Teiler2 erlauben ein Trennen der Signalleistung in
zwei (oder mehr) gleiche Teile.
Ein grosser Vorteil ist die mögliche Entkopplung des Ausgangs. D.h. am Ausgang reflektierte
Leistung kann abgefangen und über einem Widerstand in Wärme umgesetzt werden, anstatt den FET
zu belasten, was einen SWR Schutz stark vereinfacht.

Bild 1 : Wilkinson Power Divider3

Bild 1 zeigt einen klassischen Wilkinson Leistungsteiler. Er hat drei externe Ports, der vierte ist
intern mit der Portimpedanz von 50Ω abgeschlossen. Falls der Teiler symmetrisch aufgebaut ist, so
teilt sich die Leistung an Port 1 je zur Hälfte auf Port 2 und 3 auf. Die 50Ω Ports 2 und 3 werden
durch λ/4 Leitungen auf 100Ω transformiert. Da sie aber von Port 1 aus gesehen parallel sind,
ergeben sich an Port 1 wieder 50Ω.
Da die Anpassung am Transistor damit noch nicht gemacht ist, wird zusätzlich ein Anpassnetzwerk
(APNW) benötigt.

2
[Bäc98] Lineare Elemente der Höchstfrequenztechnik S.147 ( Hybride und Richtkoppler )
[Hag86] Radio-Frequency Electronics S.195 ( Hybrid Couplers )
[Bre91] Power Amplifier Handbook S.68 ( Phase Relationships for Maximum Power Transfer )
3
[Hag86], S.195
Vorkenntnisse - 12 -

4.2.2 Transformatoren

Transformatoren sind in der Lage, eine sehr breitbandige Anpassung vorzunehmen. Sie ermöglichen
es zudem Symetrieraufgaben zu übernehmen, womit eine symmetrische Gegentaktstufe via
Transformatoren an die unsymmetrische Koaxleitung angeschlossen werden kann.
Transformatoren bieten mehrere Vorteile. Sie ermöglichen DC Isolation, was oftmals gefragt ist, da
bei hohen Leistungen Seriekapazitäten zur DC Entkopplung hohe Verluste aufweisen und schwer zu
beschaffen sind.
Werden Transmission Line Transformatoren (TLT) eingesetzt, so sind Transformatorwirkungsgrade
von bis zu 99% erreichbar.4
Es existieren diverse Application Notes, welche sich mit TLTs befassen, sowie einige publizierte
Schaltungen in denen TLTs zum Einsatz kommen. Motorola (CCI)5 und Polyfet benützen
vorwiegend Transformatoren als Anpass- und Symmetrierelemente. Zusätzlich werden jedoch immer
auch diskrete Elemente eingesetzt, um die Anpassung zu vervollständigen. Je nach Anforderung an
den Verstärker (SWR, Gain, IMD, Noise) wird die Anpassung etwas anders gestaltet.
Einziges Problem beim TLT ist der Ferrit, welcher bei 144 MHz markante Verluste aufweist. Im
Gegensatz zum Autotransformer sind dies jedoch hauptsächlich dielektrische Verluste, da die
Durchflutung im Kern relativ klein ist.6

4.2.3 Diskrete Elemente

Diskrete Elemente sind in jedem Anpassnetzwerk zu finden. Sie kommen als parasitäre Elemente,
wie auch als Transformationselemente vor. Ab Leistungen von etwa 50W müssen spezielle Keramik-
Kondensatoren mit hoher Güte verwendet werden, welche bspw. von ATC oder Dielectric Labs
hergestellt werden.
Allgemein lässt sich sagen, dass es das Ziel einer Anpassung ist, mit möglichst wenig Bauelementen
die geforderten Ziele zu erreichen.

4
[Sev96] „Transmission Line Transformers“ von Jerry Sevick bietet eine Fülle von Informationen zu diesem Thema
5
Communication Concepts siehe Kapitel 15 Lieferanten
6
[Sev96] S.9 ( Balun )
Vorkenntnisse - 13 -

4.2.4 RF-Beads

Beads haben in unserer Schaltung den Zweck, einen niederohmigen Pfad für die DC Einspeisung zu
bieten und gleichzeitig die Hochfrequenz abzuhalten, über denselben Pfad nach aussen zu dringen.
Dies ist wichtig, da die verschiedenen Bias Einspeisungspunkte aus Stabilitätsgründen HF mässig
nicht miteinander verbunden werden dürfen (→7 Stabilitätsanalyse). Für die hochfrequenten
Schwingungen stellen Beads einen ohmschen Widerstand mit einer kleinen Serieinduktivität dar, was
bedeutet, dass die HF-Leistung im Bead grösstenteils in Wärme umgesetzt wird. Den genauen
Impedanzverlauf der von uns eingesetzten Beads kann Abbildung 1 entnommen werden.

Serieinduktivität bei IDC=0A

Serieinduktivität bei IDC=5A


Widerstand bei IDC=0A
60Ω

Widerstand bei IDC=5A


40Ω

50nH
0

Abbildung 1 Impedanz eines RF-Bead mit 2 parallelen Windungen7

Sehr schön ist zu sehen, dass der Bead für DC einen sehr niederohmigen Widerstand darstellt. Für
hohe Frequenzen hingegen stellt er je nach DC Strom einen Seriewiderstand von 40Ω bis 60Ω dar.

12 3 Induktivität und Widerstand bei 100MHz


IDC 1 40Ω/40nH 1+2 77Ω/29nH
4 6
5
2+5 54Ω/25nH 2+4+6 45Ω/21nH
Abbildung 2 Messanordnung für einen Bead

7
Gemessen mit einem HP4294A Precision Impedance Analyzer
Vorkenntnisse - 14 -

4.2.5 Kondensatoren

Da in unserer Schaltung hochfrequente Spannungen grösser 100V und Ströme bis 20A auftreten, gilt
es abzuschätzen, welche Anforderungen die Bauteile erfüllen müssen.
Das Hauptproblem von Transistor Endstufen sind die tiefen Impedanzen der Halbleiter Ein- und
Ausgänge. Auf der Ausgangsseite treten daraus resultierend sehr grosse Ströme auf, welche Bauteile
hoher Güte erfordern.
Am stärksten belastet ist in unserer Schaltung der Kondensator C14 welcher sich im diskreten
Anpassnetzwerk zwischen den beiden Drain Anschlüssen befindet. Wie der Tabelle 1 entnommen
werden kann, wird er bei 300W Ausgangsleistung mit einer Scheinleistung von 450VA beaufschlagt.
Da wir einen SWR von 3:1 zulassen, muss er über 600VA aushalten können. Bei einer Güte von 400
entstehen dabei etwa 1.5W Verlustleistung. Der schlechteste Fall tritt ein bei einem ausgangsseitigen
Kurzschluss, wie Tabelle 18 zeigt.
Es gilt also einen Kondensator zu finden, welcher eine genügend hohe Güte aufweist, um sich bei
diesen Arbeitsbedingungen nicht übermässig zu erwärmen. In Tabelle 8 „Power Ratings“ sind die
Spezifikationen für alle Elemente des Verstärkers angegeben.

LastÆ 50Ω VSWR 3:19 Kurzschluss Ausg. offen


Ieff /A 7.4 8.6 10.9 9.6
Ueff /V 62 73 92 81
S / VA 450 620 1010 780
P = Re(S) /W 1.8 (Q=250) 2.4 (Q=250) 3.9 (Q=250) 3.0 (Q=250)
1.1 (Q=400) 1.5 (Q=400) 2.4 (Q=400) 1.8 (Q=400)
Tabelle 1 Belastung des Kondensators C14 in Abhängigkeit des SWR

Werden zwei Kondensatoren vom Typ ATC100B eingesetzt, so tritt in keinem Fall eine Überlast auf
und die Dauerverlustleistung bei einem SWR von 3:1 liegt mit 1.5W unter dem Limit von 3W. Bei
einer PCB Temperatur von 85°C sollte sich der Kondensator gemäss ATC Datenblatt nicht über
110°C erwärmen, wobei 175°C zulässig wären.

ATC Kondensator Q ESR10 ImaxRMS


75pF 300 0.038 9
150pF 250 0.028 11
Tabelle 2 Kondensatoreigenschaften des Typs ATC100B11

8
Die Angaben in dieser Tabelle stützen sich auf die MWO Simulation P_Test_OutpCap.emp welche im Anhang zu finden ist. Als
FET Modell wurde das S-Parameter File 4_0V_50V.S2P verwendet, um eine Simulation bei 300W durchführen zu können. Da die
Abweichung vom Spice-Modell nicht gross ist und genügend Reserve eingeplant wurde, genügen die Ergebnisse als Richtwerte.
9
Wird erreicht durch die Serieschaltung des Ausgangs mit einem 3dB Dämpfungsglied.
10
ESR = equivalent series resistance
11
Die Werte in Tabelle 2 wurden dem ATC Datenblatt entnommen. (→ atc100b.pdf)
Vorkenntnisse - 15 -

Es gilt weiter zu evaluieren, welcher Kondensatortyp für welchen Frequenzbereich in Frage kommt.
Dazu wurden einige Messungen mit dem HP4294A Impedanzanalyser durchgeführt.

Kapazität / Kondensatortyp Frequenzbereich Widerstand im Passband Resonanzfrequenz


1nF / NPO Chip (SMD) 8MHz >110MHz 300mΩ >110MHz
10nF / NPO Chip (SMD) 1MHz 15MHz 300mΩ 30MHz
100nF / MKT Schichtkond. 50kHz 1MHz 50mΩ 5MHz
100nF / MMK Wickelkond. 50kHz 1MHz 50mΩ 5MHz
1µF / MKT Schichtkond. 500Hz 1MHz 20mΩ 2MHz
100µF / Elko Radial DC 100kHz 150mΩ 200kHz
470µF / Elko Radial DC 50kHz 30mΩ 100kHz
Tabelle 3 Einsatzbereiche von Kondensatoren

Die Tabelle 3 macht deutlich, dass im 2m Band nur Chip Kondensatoren als Anpasselemente
eingesetzt werden können. Durch die Kombination der verschiedenen Typen können sehr
Breitbandige Kurzschlüsse realisiert werden, wie sie beispielsweise zur Entkopplung der Speisung
benötigt werden.
Vorkenntnisse - 16 -

4.2.6 Transistoren

Da in den letzten 20 Jahren immer leistungsfähigere Halbleiter auf den Markt gekommen sind, haben
bereits viele Hersteller umgesattelt von Röhren auf Transistor Endstufen. Die Vorteile liegen auf der
Hand: Sofortige Betriebsbereitschaft ohne Aufwärmphase, keine lebensgefährliche Hochspannung,
Breitbandigkeit, hohe Lebensdauer, geringer mechanischer Aufwand, einfachere und leisere
Kühlung.
Demgegenüber stehen einige Nachteile: Die geringe Steilheit und Verstärkung des Einzeltransistors,
die notwendigerweise hohen Betriebsströme und die Empfindlichkeit gegenüber Überlastung durch
Fehlanpassung. Bei Bipolartransistoren besteht zudem die Gefahr des thermischen Weglaufens, was
ohne entsprechende Schutzmassnahmen zum „Selbstmord“ des Transistors führt, da der
Kollektorstrom stetig ansteigt. Überhaupt ist die rasche Abführung der im Transistorchip
entstehenden Verlustleistung eines der Hauptprobleme beim Bau von Transistor-Leistungsendstufen.
Daneben bereitet die Anpassung der sehr niedrigen Transistor Eingangs- und Ausgangsimpedanzen
an die 50Ω Systemimpedanz erhebliche Schwierigkeiten. Schliesslich kann die geforderte
Ausgangsleistung nicht von einem Transistor allein aufgebracht werden12. Es müssen also mehrere
Transistoren in geeigneter Weise zusammengeschaltet werden.
Bei der Halbleiterauswahl kommen grundsätzlich zwei Technologien in Frage: Bipolar vs.
MOSFET. Aufgrund des Herstellungsprozesses gibt es innerhalb dieser beiden Technologien eine
Fülle von weiteren Produktfamilien wie VDMOS oder LDMOS auf welche in [Fun98] detailliert
eingegangen wird.
Von den diverse Herstellern13 von RF Leistungstransistoren, konnte nur einer ermittelt werden,
welcher zu seinen FET Spice Modelle anbietet, weshalb unsere Wahl auf den SR74614 der Firma
Polyfet fiel. Da Motorola mit dem MRF151G ein ebenbürtiges Modell für etwa den halben Preis
anbietet, kauften wir diesen Transistor ebenfalls ein. Unser Design ist so ausgelegt, dass beide
Modelle eingesetzt werden können.

12
Die Technologiegrenze liegt zur Zeit bei etwa bei 600W im KW-Bereich, bei 300W im VHF-Bereich, bei 200W im UHF-Bereich
und bei 100W für Frequenzen oberhalb 1GHz wobei diese Transistoren noch sehr teuer sind.
13
Polyfet, Motorola, Polycore, Valvo, Ericsson, Philips, Siliconix, Hitachi, u.a.m.
14
(→ sr746.pdf)
Vorkenntnisse - 17 -

Tabelle 4 vergleicht MOSFET und BJT15

Vorteile MOSFET Nachteile MOSFET


Höhere Eingangsimpedanz (kapazitiv!) speziell Empfindliches Gate erfordert ESD Schutz.
im KW Bereich, die über einen grossen Bereich
weitgehend konstant und unabhängig von der
Aussteuerung ist. Dies bewirkt ein einfacheres
Anpassnetzwerk und höhere Linearität.
Höhere Eingangsverstärkung (ca. 5-6dB höher als Die Betriebsspannung beträgt normalerweise 28V
ein vergleichbarer BJT). → Niedrigere oder 50V. Es muss ein stabilisiertes Netzgerät
Steuerleistung was einen besseren gefunden werden, das in der Lage ist, bis 20A
Wirkungsgrad16 für den gesamten Verstärker und mehr zu liefern. Der BJT hat dieses Problem
bewirkt. jedoch auch.
Einfachere Vorspannungserzeugung (Bias), da
vom Gate kein DC Strom aufgenommen wird.
Gegebenenfalls kann mit der Vorspannung die
Ausgangsleistung geregelt werden. (ALC/SWR-
Kontrolle)
→ Kapitel 5.4 Das BIAS Netzwerk
→ Kapitel 9 VSWR Schutzschaltung
Negativer Temperaturkoeffizient: Der Drainstrom
nimmt mit steigender Temperatur ab, sofern der
Arbeitspunkt über dem temperaturstabilen Punkt
des Transistors liegt.
→ Kapitel 8 Temperaturstabilisierung
Geringere Rückwirkungskapazität (ca. Faktor 5),
welche im Gegensatz zum BJT weitgehend
statisch ist. Daher besteht eine geringere Neigung
zu parametrischen Schwingungen.
→ Kapitel 7 Stabilitätsanalyse
Hohe Linearität bei genügend grossen
Ruheströmen, womit bei SSB ein grosser
Intermodulationsabstand erreicht werden kann.
Hohes Last-VSWR möglich.
Tabelle 4 Vor- und Nachteile von MOS Transistoren gegenüber Bipolar Transistoren

15
BJT = bipolar junction transistor
16
wird in [Cri98] Kapitel 3.6 „Input Drive Requirements“ genauer betrachtet.
Vorkenntnisse - 18 -

4.2.6.1 FET Ersatzmodell

Da RF Transistoren bei schlechter Anpassung eher zum Schwingen neigen, soll das Anpassnetzwerk
zuerst anhand eines äquivalenten Testobjekts vorabgeglichen werden.
Die Idee besteht darin, aus der optimierten MWO Simulation den FET zu entfernen und ihn so durch
eine Immitanz zu ersetzen, dass sich der Schaltung von Aussen gesehen (S11 & S22) nichts
anmerken lässt (bis auf die Verstärkung S21 natürlich). Da wir den Verstärker jedoch erst im Betrieb
mittels Load Pull Technik abgleichen wollen, soll diese erste Abstimmung nur der ungefähren
Kontrolle der Funktionalität des Anpassnetzwerks dienen. So können grundlegende Fehler noch
frühzeitig erkannt werden.
MWO stellt unter measurement / linear diverse Funktionen zur Verfügung, um die Impedanz einer
Schaltung oder eines Schaltungsteils zu ermitteln17. Am leichtesten kann der FET durch ein parallel
ausgeführtes RC-Glied approximiert werden. Um die dazu nötigen Werte zu erhalten, können die
folgenden MWO Funktionen aufgerufen werden oder es kann aus einer beliebigen
Immitanzdarstellung (Smith-Chart, Polar Plot, etc.) auf die parallel-RC Werte umgerechnet werden.

ZIN Eingangsimpedanz des Ports K wobei die anderen Ports durch ihre Impedanz
repräsentiert werden. Kann umgerechnet werden in C_PRC und R_PRC.
C_PRC Berechnet den Kapazitätswert eines äquivalenten Parallel RC Gliedes.
R_PRC Berechnet den Widerstandswert eines äquivalenten Parallel RC Gliedes.

Folgende Tabelle zeigt die möglichen Impedanzen, auf welche das Anpassnetzwerk abstimmbar sein
muss. Alle Werte gelten für die Bandmittenfrequenz von 145MHz.
Hersteller / Typ Eingang Eingang Ausgang Ausgang
Modell / Arbeitspunkt Impedanz ZI (Ω) Parallel RC Impedanz ZO (Ω) Parallel RC
Polyfet / SR746
Spice Modell VD=50V
IDQ = 0.4A (VG=3.85V) 1.87 – j2.41 4.98Ω / 284pF 2.59 – j6.39 18.3Ω / 149pF
IDQ = 0.75A (VG=4.00V) 2.07 – j2.19 4.39Ω / 265pF 3.05 – j5.76 13.9Ω / 149pF
IDQ = 2A (VG=4.40V) 2.35 – j2.01 4.07Ω / 230pF 3.60 – j4.81 10.0Ω / 146pF
IDQ = 5A (VG=5.12V) 2.51 – j1.63 3.57Ω / 200pF 3.79 – j3.71 7.43Ω / 145pF
S-Parameter VD=50V
IDQ = 0.4A (VG=3.85V) 1.73 – j3.01 6.95Ω / 274pF 3.97 – j8.14 20.65Ω / 109pF
Motorola / MRF151G
S-Parameter VD=50V
IDQ = 0.38A 0.93 – j1.53 3.44Ω / 523pF 1.31 – j3.96 13.3Ω / 250pF
Tabelle 5 Abhängigkeit der FET Ein- und Ausgangsimpedanz vom Arbeitspunkt (IDQ)

17
[AWR99] Microwave Office 2000 Reference Guide S.205-231
Vorkenntnisse - 19 -

Da eine Drahtlänge von 5mm bei 145MHz bereits eine Reaktanz von etwa 5Ω aufweist, lässt sich
das Ersatzmodell zwar berechnen, jedoch schlecht praktisch realisieren. Am besten behilft man sich
so, dass ein mechanisch stabiler Aufbau (Reproduzierbarkeit) mit abgleichbaren Elementen an ein
Impedanzmessgerät angeschlossen wird und die Feinabstimmung des Ersatzmodells erst dann
erfolgt.
Da wir nur eine ungefähre Anpassung vornehmen wollen, gibt es für unser Layout eine noch
elegantere Methode. Da der Anschluss für den FET gerade an den Rand des PCB zu liegen kommt,
können die berechneten Bauteile gerade bei der Kante des PCB gegen Masse eingelötet werden. Dies
erfordert weniger Aufwand und ist die wahrscheinlich genauste Methode für unseren
Frequenzbereich, da so die herstellungsbedingte Zuleitungsinduktivität des RC-Gliedes minimal
wird.

Drain Drain

PCB
2 ∗ RC
parallel
Gate Gate Source
Masse (Unterseite)
Abbildung 3 FET Ersatzmodell

Abbildung 3 rechts zeigt das PCB, auf welchem das Anpassnetzwerk mit L7 und L8 (rot)
aufgebracht ist. Es wird je ein RC-Glied zwischen L7 und Masse (PCB Unterseite) bzw. L8 und
Masse benötigt.
300W Verstärker - 20 -

5 300W Verstärker

5.1 Diskussion

Da das Fertigen von Transformatoren in der Praxis immer mit einem relativ grossen Aufwand
verbunden ist und sich daher in den Kosten niederschlägt, drängte sich ein Konzept auf, welches
ohne Ferritmaterialien in den Anpassungselementen auskommt. Dies ergibt zudem den Vorteil
weniger schocksensitiv zu sein, was für einen mobilen Sender von grosser Bedeutung ist.
Diese Idee existierte schon zu Beginn unseres Projekts, doch sahen wir da noch keine realisierbare
Lösung für unseren Frequenzbereich. Die Homepage von Philips brachte uns schliesslich auf das
entscheidende Konzept. Die Application Note AN98031 [AN031] beherbergt die grundsätzliche
Vorgehensweise. Da wir anstelle der von Philips verwendeten BLV25 Bipolartransistoren MOSFET
einsetzen, muss das Anpassnetzwerk modifiziert werden, denn MOSFET verhalten sich kapazitiv,
wohingegen BJT induktiv in Erscheinung treten. Ebenfalls verbessert werden soll das Bias
Netzwerk, indem wir eine aktive Temperaturkompensation einsetzen.

SR746
Zweig

SR746
Zweig
Prinzipschem

Abbildung 4 Prinzipschema des Verstärkers

Das Vorgehen ist jedoch das gleiche wie beim Ferritdesign18, obwohl hier die Funktionen BALUN
und 4:1 Transformation räumlich getrennt vollzogen werden. Dies bringt uns eine bessere
Simulierbarkeit der Schaltung, da für Leitungselemente bessere Modelle zur Verfügung stehen.
Ebenfalls erhalten wir einen mechanisch stabileren Aufbau, leider auf Kosten eines erhöhten
Platzbedarfs.
Da die beiden 4:1 Transformatoren koaxial ausgeführt werden, können wir eine einheitliche
Technologie verwenden, was die Systemkosten weiter senkt. Da Koaxialkabel sättigungsfrei ist,
treten keine zusätzlichen Intermodulationserscheinungen auf, womit wir näher an die
Simulationsergebnisse herankommen sollten. Da unsere Schaltung im 2m Band arbeitet, können wir
kürzere Leitungselemente einsetzen als in [AN031] vorgeschlagen und somit die physikalischen
Abmessungen des gesamten Verstärkers weiter verringern.
Es spricht also alles dafür, diese Schaltung an unsere Anwendung anzupassen.
18
Semesterarbeit WS99 Fischer/Reimann
300W Verstärker - 21 -

5.2 Arbeitspunkt

Mit der Wahl des Arbeitspunktes hat man die Möglichkeit, verschiedenste Parameter des Verstärkers
zu beeinflussen.19
Da der Verstärker SSB tauglich sein muss, wird ein Intermodulationsabstand von wenigstens
35dBPEP gefordert. Dies daher, da ein SSB Signal eine zeitvariable Enveloppe aufweist, was einen
möglichst linearen Verstärker erfordert, um keine Nachbarkanäle zu stören. Wir legten den
Arbeitspunkt provisorisch fest auf einen IDQ20 von 0.75A womit der Verstärker nahe der Klasse B
arbeitet. Für ein Klasse A Design wäre ein IDQ von etwa 5A erforderlich, was zu einer erheblichen
Verlustleistung führen würde.

Die wesentlichen Faktoren welche die Wahl des Arbeitspunktes bestimmen sind folgende:

• Wirkungsgrad
Da unser Verstärker für mobile Anwendungen vorgesehen ist, sollte nicht allzuviel
Verlustleistung bei kleiner Aussteuerung benötigt werden. Ein Klasse B Verstärker würde dieses
Kriterium am besten erfüllen, da er keinen DC Ruhestrom benötigt. Als Folge der Transistor
Nichtlinearitäten entstehen jedoch zu starke Intermodulationsprodukte, was diese Betriebsart
ausschliesst.
• Intermodulationsabstand
Da die Transistor Kennlinie einen exponentiellen Knick in der ID vs. UGS Charakteristik aufweist,
entstehen zusätzliche Frequenzen, welche als Intermodulationsprodukte bezeichnet werden. Die
grösstmögliche IMD Performance wird mit Klasse A erreicht. Da der Ruhestrom IDQ dabei die
Hälfte von IMax beträgt, und somit der Wirkungsgrad extrem niedrig ist (<50%), kommt auch
diese Betriebsart für unseren Verstärker nicht in Frage. Wir müssen also einen Arbeitspunkt
festlegen, bei welchem, bei noch vertretbaren Verlusten, genügend Intermodulationsabstand
erreicht wird.21 Abbildung 5 zeigt die IDM Performance eines MOS Transistors von Motorola,
welcher fast die gleichen Spezifikationen, wie der von uns eingesetzte Polyfet Transistor
aufweist.22 Er erreicht bei einem IDQ von 250mA eine IMD(d3) von –32dB bei 150W PEP. Wenn
wir den IDQ etwas höher wählen (z.B.750mA), könnten wir die Spezifikation von –35dB PEP im
Pflichtenheft eventuell bereits erfüllen.
• Temperaturabhängigkeit
Da bei Klasse AB die Temperatur in Abhängigkeit der Ausgangsleistung schwankt, also eine
Kompensation vorgesehen werden muss, legten wir den Arbeitspunkt auf 750mA fest. Bei einem
IDQ von 750mA (VGS=4.0V) geht der negative Temperaturkoeffizient (TC) über in einen
positiven TC. So kann die Schaltung zur Temperaturkompensation optimal ausgelegt werden, da
nur ein negativer TC kompensiert werden muss. (ÆKapitel 8.1)

19
Eine eingehende Abhandlung ist [Cri98] S.17-72 zu entnehmen. Wir werden nur die für unsere Arbeit relevanten Aspekte aufzeigen.
20
IDQ = quiescent current, er beschreibt den Drainstrom im Arbeitspunkt ohne angelegte RF-Leistung.
21
Gemäss Pflichtenheft soll IMD3 < -35sBPEP betragen.
22
Datenblatt des MRF150 (50V, 150W, N-Kanal MOSFET).
300W Verstärker - 22 -

Abbildung 5 IMD(d3) und IMD(d5) des MRF150 in Abhängigkeit der Ausgangsleistung

Da der Arbeitspunkt einen erheblichen Einfluss auf die Ein- und Ausgangsimpedanz des Transistors
ausübt, wurde das von Polyfet erhältliche Spice Modell des SR746 mittels MWO ausgemessen, um
diesen Einfluss auch grafisch darstellen zu können.
Folgende Plots zeigen die erhaltenen Werte für zwei verschiedene Bias Einstellungen normiert auf
10Ω. Es ist deutlich eine Verschiebung des Realteils von S11 und S22 hin zu grösseren Werten zu
beobachten, sowie eine Reduktion der FET Kapazitäten mit zunehmender Sättigung des Kanals,
welche sich durch den erhöhten Stromfluss ergibt.

1. 1.
0. 0.
0 0
8 8
0. 0.
6 2. 6 2.
0 0
0.4 0.4
3.0 3.0

S[1,1] S[2,2] 4.0


5.0
0.2
S[1,1] S[2,2] 4.0
5.0
0.2

10.0 10.0
10 10
0
0.
2
0.
4
0.
6
0. 1.
144 MHz
8 0
2.
0
3. 4. 5.
0 0 0
.0 0
0.
2
0.
4 6144
0.
8 0MHz
0. 1. 2.
0
3. 4. 5.
0 0 0
.0

r 1.8Ω r 2.3Ω
x -2.6Ω x -2.4Ω 144 MHz
144 MHz -10.0 -10.0
r 3.5Ω
-0.2 r 2.6Ω -0.2
-5.0
x -5.2Ω -5.0
x -6.5Ω -4.0 -4.0

-3.0 -3.0
-0.4 -0.4
- -
- 2. - 2.
0. 0 0. 0
- 6 - -
6 - 0.
0. 1. 1.
8 8
0 0

Abbildung 1 SR746 S11 und S22 Abbildung 2 SR746 S11 und S22
Z0=10Ω Z0=10Ω
IDQ=400mA IDQ=2A
VD=50V VD=50V
f=10...1000MHz f=10...1000MHz

Weiterführende Literatur:
• [Cri98] S.17 bis 72
• [Fun98] Kapitel 3.1.1
300W Verstärker - 23 -

5.3 Gate Loading

Gate Loading nennt sich eine Technik, mit welcher die Güte des Eingangsnetzwerks, mittels
resistiver Belastung des Gate reduziert wird23. Diese, auf Kosten der Verstärkung gehende Methode
hat den Zweck, die Schwingungsneigung des Leistungstransistors zu unterdrücken.
Hauptsächlich können drei unterschiedliche Schwingungsphänomene auftreten:
• Schwingungen nahe oder bei der Arbeitsfrequenz : Die Ursache kann in einer schlecht gewählten
Topologie des Anpassnetzwerks oder in der falschen Dimensionierung desselben liegen. Als
Abhilfe kann mittels Gate Loading die Güte des Anpassnetzwerks soweit gesenkt werden, dass
keine Instabilitäten mehr auftreten können, oder aber das Anpassnetzwerk kann neu ausgelegt
werden
• Schwingungen weit unterhalb der Arbeitsfrequenz : Vor allem BJT aber auch FET können davon
betroffen sein. Die Ursache liegt meist im Bias Netzwerk. Die Eingangskapazität des Transistors
oszilliert zusammen mit der Induktivität, welche durch das Bias Netzwerk gebildet wird. Da VHF
Transistoren bei diesen „tiefen“ Frequenzen eine sehr hohe Vorwärtssteilheit aufweisen, muss
peinlichst darauf geachtet werden, dass der Ausgang vom Eingang sauber entkoppelt ist. So
dürfen die Speisungspunkte Bias und DC Supply AC-mässig auf keinen Fall verbunden sein.
Meist genügt bereits ein kleiner ohmscher Widerstand oder eine Drossel, um die Schaltung vom
Schwingen abzuhalten. Die Güte der verwendeten Drosseln und Leitungsinduktivitäten des Bias
Netzwerks soll so klein wie möglich gehalten werden und die Blockkondensatoren für die
verschiedenen Schaltungsteile (Bias, DC Supply) sollen möglichst weit voneinander entfernt
angebracht werden. Fast jeder grössere RF Transistor schwingt, wenn seine Bias Punkte alle
direkt auf RF Entkoppelpunkte geführt sind, wie eine k-Faktor Analyse zeigen wird(→Kapitel 7).
• Parametrische Schwingungen24 : Sie werden hervorgerufen durch die nichtlinearen Eigenschaften
der Kollektorkapazität, welche vor allem beim BJT besonders ausgeprägt sind. Bei hohen RF-
Spannungen kann diese Kapazität, bei der halben oder bei einem Drittel der Arbeitsfrequenz,
einen negativen Widerstand aufweisen, was zu Instabilitäten führt.
• Konversionsschwingungen : Sie können auftreten, wenn das Ausgangsnetzwerk zwei
Schwingkreise enthält, wobei die Summe ihrer Resonanzfrequenzen gleich der Arbeitsfrequenz
ist. Die tiefere ist die Resonanzfrequenz der RF Drossel zusammen mit der Ausgangskapazität
des Transistors. Die höhere wird verursacht durch das Anpassungsnetzwerk. Es soll hier lediglich
darauf aufmerksam gemacht werden, dass die Topologie des Anpassungsnetzwerks eine zentrale
Rolle spielt und bei falscher Auslegung nachteilige Eigenschaften aufweisen kann.

Das Bias Netzwerk ist so auszulegen, dass es einen stabilen Betrieb von DC bis zur Grenzfrequenz
des Transistors erlaubt. Da es bei der Dimensionierung des Anpassnetzwerkes berücksichtigt werden
muss, soll es bei einer Änderung der Bias Einstellungen im Betrieb seine Kleinsignaleigenschaften
beibehalten, um die Anpassung nicht zu beeinflussen.

23
Widerstände R1 und R2
24
[Fun98] Kapitel 3.5.2
300W Verstärker - 24 -

5.4 Das BIAS Netzwerk

Anstatt den Punkt VBias (Abbildung 8) AC mässig direkt an Masse zu legen25, führten wir ihn über
R24 (220Ω) auf den 4:1 Transformator, welcher über C22 (4.3nF) auf Nullpotential gelegt ist. Der
Transformator kann für die Bias Betrachtungen als Induktivität aufgefasst werden, welche der
Hochfrequenz der Gate Zuleitung einen grossen Widerstand entgegensetzt.
R26 (1kΩ) dient dem individuellen Abgleich der Gate-Threshold Spannungen.
R22 (100kΩ) dient dazu, das Gate des MOSFET vor elektrostatischen Entladungen zu schützen, falls
R24 oder R26 für Abgleichzwecke entfernt werden müssen.
R20 (6Ω) bildet zusammen mit C20 (4.3nF) das in Kapitel 5.3 beschriebene Gate Loading und trägt
damit zur Stabilität des Verstärkers bei.26

L4
VBias RF Z0=25

R24 R22 R20


L3
R26
Z0=25 C20
C22 FET2

Abbildung 6 Bias Netzwerk für den Transistor Eingang

25
In Kapitel 7 wird auf die Stabilität genauer eingegangen.
26
Weitere Informationen sind in [Fun98] Kapitel 3.5.2 Suppression of parasitic oscillations zu finden.
300W Verstärker - 25 -

5.5 DC Einspeisungen

Ähnlich wie mit dem Bias Netzwerk verhält es sich auch mit der 50V DC Einspeisung. Sie soll, um
die Stabilität des Verstärkers zu gewährleisten nicht direkt mit der HF in Kontakt gebracht werden,
weshalb der Punkt P über einen RF-Bead (L30) und einen Widerstand zum HF-Massenpunkt Q
geführt wird. Der RF-Bead stellt für die DC Speisung einen Kurzschluss dar, für die RF jedoch einen
ohmschen Widerstand von etwa 40Ω.[→ Kapitel 4.2.4] Um eventuell auftretende Resonanzen des
Bead zu dämpfen dient R30.
Die DC-Glättung, welche den Ripple des SSB Signals auzugleichen hat, befindet sich bei Punkt P.
Sie ist nötig, um die Bias Modulationseffekte zu verringern27. Da bei einem SSB modulierten Signal
die Enveloppe und somit auch die Stromaufnahme von der Speisung zeitabhängig sind, ergibt sich
ein Spannungsripple an Punkt P. Diese Speisungsschwankungen können das Ausgangssignal
zusätzlich in der Amplitude modulieren, was dazu führt, dass die IM Seitenbänder nicht mehr
symmetrisch sind und somit die IM Performance verschlechtert wird. Abhilfe schaffen kann für
Modulationsfrequenzen unterhalb 100kHz, wie es bei uns der Fall ist, nur eine Transistor-stabilisierte
Speisung (Längsregler) oder ein schneller Schaltregler.

L13
Z0=25Ω
L30
R32 Q P
L12 50V
Z0=25Ω R30
C32 C30

Abbildung 7 Bias Netzwerke für den Transistor Ausgang

L12 = Hohe Güte und 3 bis 7 mal den äquivalenten Parallelwiderstand an diesem Punkt.
L30 = Tiefe Güte, 6..8 µH in HF Schaltungen, 50...1000nH in VHF Schaltungen
C32 = RF Entkoppelkondensator 1..3nF Wahl: 1nF//3.3nF28 (senkt die Verlustleistung von R32)
C30 = 50..100 nF Wahl: 1nF(Chip)//10nF(Chip)//1µF(MKT)//470µF
R32 = kleiner Widerstand 0...5 Ω Wahl: 0.5Ω (gleicht Asymmetrien aus)
R30 = kleiner Widerstand 0...15 Ω Wahl: 12Ω

27
[Cri99] Kapitel 7.4 AM-to-PM Effects und Kapitel 7.5 Bias Modulation Effects
28
// bedeutet „parallel geschaltet mit“. Kapitel 4.2.5 gibt Auskunft über die verwendeten Kondensatoren.
Das Anpassnetzwerk - 26 -

6 Das Anpassnetzwerk

6.1 Eingangsanpassung

Das Eingangsnetzwerk hat die Aufgabe, einen reflexionsarmen Übergang vom unsymmetrischen
Verstärkereingang auf die symmetrisch arbeitende Gegentaktendstufe zu schaffen. Es soll, mit noch
vertretbaren Verlusten, von 50Ω auf eine Transistorimpedanz von etwa 0.5Ω (Realteil)
transformieren, wobei die geforderte Bandbreite berücksichtigt werden muss. Dies entspricht einem
Impedanzverhältnis von 100:1, weshalb eine Transformation am Besten stufenweise erfolgt. Da
Anpassschaltungen aus einzelnen Induktivitäten und Kapazitäten sehr schmalbandig sind
(Resonanzanpassung), eignet sich eine dreiteilige Regionaltransformation besonders gut.

1) Der 1:1 BALUN am Eingang (Line1, Line2) besorgt zunächst einen Übergang von 50Ω
unsymmetrisch (Verstärkereingang) auf 50Ω symmetrisch. L2 hat eine Wellenimpedanz von 50Ω
und dient der besseren Symmetrierung. C1 und C2 dienen einerseits der Potentialtrennung (Bias)
und andererseits der Kompensation der parasitären Parallelinduktivitäten29 von L1 und L2. Der
Balun übernimmt zudem die Phasenumkehr zur Ansteuerung der Leistungsendstufe.
2) Ein 4:1 Leitungstransformator (L3, L4) transformiert dann die symmetrischen 50Ω auf einen
Wert von 12.5Ω resp. 2∗6.25 Ω symmetrisch. Diese stückweise Impedanztransformation mit
Standardelementen wie Balun oder 4:1 Transformator wird in der Fachliteratur als
Regionaltransformation bezeichnet.
3) Man braucht nun noch die Feinanpassung an den Transistor vorzunehmen, was mit den diskreten
Elementen (C4 und L5 – L8) erreicht wird. Sämtliche Induktivitäten werden in Stripline Technik
ausgeführt30, was die elektromagnetische Abstrahlung reduziert und einen sauberen,
reproduzierbaren Aufbau ermöglicht. Ebenfalls können durch diese Anpassung die gewünschten
Schaltungsparameter Verstärkung, Stabilität und SWR festgelegt werden.

R2 L15 L13 C12 L11


L2 C2 L4 L6 L8

VBias C4 C14 VDD


Eingang
50Ω
asym.
C3 L1 C1 L3 L5 L7
R1 L14 L12 C11 L10
C13
Abbildung 8 Schema der Anpassschaltung

29
Berechnungen in Kapitel 6.3 Balun
30
Ersatzschaltungen finden sich in [Fun98]
Das Anpassnetzwerk - 27 -

6.2 Ausgangsanpassung

Das Ausgangsnetzwerk ist gleich aufgebaut wie das Eingangsseitige und besteht ebenfalls aus drei
Teilen:
1) Mittels den diskreten Elementen (L14, L15 und C14) wird die Ausgangsimpedanz auf 12.5 Ω
symmetrisch angehoben, um danach wiederum eine Regionaltransformation durchführen zu
können. Es ist zu beachten, dass im Ausgangsnetzwerk hohe HF Ströme und Spannungen
auftreten und man darum versucht, die Anpassung mit möglichst wenigen Elementen
vorzunehmen, um die Verluste klein zu halten. Bei Vollast treten an C14 rund 600VA
Scheinleistung auf, was Kondensatoren hoher Güte erfordert.31
2) Die Leitungen L12 und L13 bilden einen 1:4 Leitungstransformator, mit einer
Ausgangsimpedanz von 50 Ω symmetrisch. Mit dem verwendeten Semirigid Koaxialkabel ist
eine theoretische Leistungsgrenze von 600 W vorgegeben.32
3) L10 und L11 bilden einen 1:1 Balun. Er hat die Aufgabe, die Leistung der beiden Transistoren
phasenrichtig zu kombinieren und an die 50Ω Systemimpedanz (asym.) anzupassen.

31
Kapitel 6.8 Power Ratings
32
Angabe Huber Suhner
Das Anpassnetzwerk - 28 -

6.3 Balun

Der Balanced to Unbalanced Transformator (Balun), teilt die asymmetrisch eingespeiste


Eingangsleistung auf, in zwei symmetrische (balanced) Zweige, welche eine Phasendifferenz von
180° aufweisen. Die Phasendifferenz wird benötigt, um den Verstärker im Gegentaktmodus
betreiben zu können.
Charakteristisch für alle Balun Strukturen ist die Forderung, das symmetrische Ende dergestalt gegen
Masse floaten zu lassen, dass die Impedanz von jedem der beiden symmetrischen Anschlüsse (A,B)
zurück gegen Masse genügend hoch ist, im Vergleich zu den Strömen welche auf der sym. Seite
fliessen.

asym. Eingang sym. Ausgang I R/2


A
Leitung A (Z0, ΘA)
50Ω Leitung B (ZB, ΘB) B
R/2
I
Abbildung 9 Funktionsweise des Balun

Eine praktische Realisierung kann so aussehen, dass ein Stück Semirigid33 Koaxialkabel (Leitung A)
mit der Länge l und dem Wellenwiderstand Z0=50Ω auf eine Mikrostreifenleitung34 (Leitung B)
gelötet wird, welche ebenfalls die Länge l besitzt und als SCS35 ausgeführt wird. Die Einspeisung in
das Koaxialkabel erfolgt asymmetrisch mittels eines BNC Steckers.
Von der symmetrischen Seite aus gesehen (Abbildung 9 rechts), wird so bei der Resonanzfrequenz
des SCS die Verbindung gegen die asymmetrische Seite (links) hochohmig, was es erlaubt, den
Abschlusswiderstand, welchen die zwei Transistoren bilden, in der Mitte auf Masse zu legen. Damit
ergibt sich für die Ausgänge A und B je eine Anschlussimpedanz von 25Ω, womit bereits eine erste
Impedanzreduktion erzielt wurde.
Der Wellenwiderstand der Streifenleitung, welche auf das PCB36 geätzt wird, soll möglichst hoch
gewählt werden, um ein breitbandiges Design zu erzielen. Aus praktischen Gründen sollte die Breite
der Streifenleitung jedoch nicht kleiner als der Durchmesser der koaxialen Leitung A sein, um noch
einen definierten Wellenwiderstand zu erzielen und um die mechanische Stabilität zu gewährleisten.

33
Semirigid (halb-hart) Kabel haben ein Kupferrohr als Aussenleiter. Ansonsten sind sie gleich aufgebaut wie herkömmliche
Koaxialkabel.
34
Mikrostreifenleitung = Microstrip, Skizze in Abbildung 20 oben rechts.
35
SCS = short-circuitet stub. Die Mikrostreifenleitung ist auf der asymmetrischen Seite des Koaxialkabels kurzgeschlossen.
36
PCB = Printed Circuit Board = Leiterplatte
Das Anpassnetzwerk - 29 -

6.3.1 Analyse der Balunparameter

Damit die Leitung B das symmetrische vom asymmetrischen Ende isolieren kann, soll ihre
elektrische Länge 90° (λ/4) betragen. Dadurch wird erreicht, dass der Kurzschluss, welchen der
Aussenleiter auf der linken Seite der Abbildung 9 gegen Masse bildet, über die λ/4 Transformation
in einen Leerlauf auf der rechten Seite gegen Masse überführt wird, was die nötige Isolation
bereitstellt.
Bei genau einer Frequenz im Passband sind also Ein- und Ausgang für die Gegentaktwelle
vollständig voneinander isoliert was bedingt, dass der Strom auf dem Innenleiter gleich dem Strom
auf dem Aussenleiter sein muss, natürlich mit entgegengesetztem Vorzeichen. Es fliesst also kein
Strom vom symmetrischen Ende gegen Masse. Diese Feststellung ist auch in einem anderen
Zusammenhang von grösster Bedeutung, denn ein wichtiger Parameter, welcher die Verstärkung von
Transistoren begrenzt ist LS, die Source Induktivität. Da kein RF-Strom von der Source des FET
(Flansch) gegen Masse fliesst, sondern nur von der Source des einen FET zur Source des anderen
FET, wird LS minimal. Dazu kommt noch, dass wir Gemini37 Gehäuse einsetzen, bei welchen zwei
Transistoren auf demselben Flansch aufgebracht sind und somit LS noch weiter minimiert wird.
Die Abbildung 10 macht deutlich, dass nicht beide Teillasten (R/2) die gleiche Impedanz in Richtung
Generator sehen. Dies hat den Grund, dass der Aussenleiter der koaxial ausgeführten Leitung A im
Gegensatz zum Innenleiter noch mit der parallelen Impedanz ZP=ZB⋅tan(ΘB) belastet wird. Diese
Impedanz ZP ist nichts anderes, als der beschriebene „Kurzschluss“ der linken Seite, über die Länge l
auf die rechte Seite (Ausgang) transformiert. Wählt man l gerade λ/4, so wird ZP für einen schmalen
Frequenzbereich sehr gross, da tan(ΘB) = tan(π/2) ≅ ∞.

R/2
R Leitung A

R/2
ZP

Abbildung 10 Ersatzschaltbild des Balun

Da jedoch, um die Stabilität zu gewährleisten, die Symmetrie auch für Frequenzen ausserhalb des
Passbandes bestehen muss, wird der Innenleiter mit einer identischen Impedanz ZP belastet, welche
durch eine dummy-line38 realisiert wird. Den vollständigen Aufbau des Balun zeigt Abbildung 11.

37
Handelsüblicher Gehäusetyp für Push-Pull Transistoren.
38
Mikrostreifenleitung mit gleichen geometrischen Abmessungen wie Leitung B. Es wird jedoch keine Signalenergie durch sie
weitergegeben, womit sie viel geringere Verluste aufweist, als Leitung A.
Das Anpassnetzwerk - 30 -

Leitung C (dummy-line)
R/2

Leitung A (Semirigid Koax)


50Ω R/2
Leitung B (Streifenleitung)

Abbildung 11 Symmetrischer Balun mit dummy-line

Im Ersatzschaltbild äussert sich diese Änderung durch eine Impedanz ZP parallel zum Innenleiter.
Damit ist die Symmetrie des Balun nicht mehr von der Frequenz abhängig.39
Die Bandbreite (bezogen auf das SWR) dieses perfekt symmetrischen Balun wird bestimmt durch
das Verhältnis 50Ω / R sowie die Verluste über den Leitungen B und C. Wird R/2 = 25Ω gewählt,
wie es bei unserem Design der Fall ist, so wird die Bandbreite nur durch die Leitungen B und C
bestimmt, welche in einer Leitung BB mit ZBB = 2∗ZP zusammengefasst werden können.

Leitung BB
ZBB=2∗ZP

R Leitung A R

Abbildung 12 Ersatzschaltbild des symmetrischen Balun

Um das Design mit einem vernünftigen Platzaufwand realisieren zu können, muss ein Weg gefunden
werden, die Leitungen kürzer als eine viertel Wellenlänge (50cm) zu bauen. Der Balun soll seine
Aufgabe dennoch erfüllen können.

39
[Mic80] Three Balun Designs For Push-Pull Amplifiers S.47 enthält zusätzliche Informationen, wobei auch auf die Messtechnik
eingegangen wird. Ebenfalls eine gute Quelle ist [Dub00] S.15.
Das Anpassnetzwerk - 31 -

Verkürzt man die Länge l der Leitung, so verhält sich der Eingang zusehends induktiv. Dies
veranschaulicht Abbildung 13.

Imaginärteil von ZE
Z 2 + j ⋅ Zw ⋅ tan (β ⋅ λ4 )
Z E = Zw ⋅
λ/4 =π/2 3∗λ/4 Zw + j ⋅ Z 2 ⋅ tan (β ⋅ λ4 )

Länge l

Abbildung 13 Verlauf der Eingangsimpedanz ZE in Funktion der Länge

Die Eingangsimpedanz ZE der verlustlosen Leitung hat bei l=λ/4 einen Pol und nähert sich mit
abnehmender Länge von der induktiven Seite her der Abschlussimpedanz ZA. Da wir den Balun
schmalbandig einsetzen, können wir diesen induktiven Anteil leicht durch eine geeignete
Parallelkapazität ZP kompensieren. Die Abbildung 14 bezieht sich nicht mehr direkt auf den Balun,
sondern auf ein Stück Leitung mit der Länge l und dem Wellenwiderstand ZW.
ZW
ZE= ZW2 / ZA

ZA l ZP

Abbildung 14 λ/4 Transformation mittels einerLeitung

In unserer Schaltung wird ZA durch einen 1nF Kondensator mit einer Impedanz von (0.3Ω – j1.5Ω)40
bei 100MHz realisiert. So ist es möglich, die Bias Einspeisung auf den Punkt A zu legen, was dem
Layout entgegenkommt. In der Simulation mit MWO wurde die resistive Komponente auf 1Ω
erhöht, um auf der sicheren Seite zu sein. Der reaktive Anteil reduziert lediglich den nötigen Wert
für die Kompensationskapazität ZP was dem Design entgegenkommt, sowie die Bandbreite des
Balun minimal erhöht.41

40
Gemessen mit dem HP 4294A Impedanz Analyzer
41
Da ein kleiner Teil der Kompensationsreaktanz auf die linke Seite der Abbildung 14 zu liegen kommt, wird die Ordnung des
Anpassnetzwerks erhöht. Die Komponente auf der linken Seite hat jedoch nur einen sehr kleinen Anteil, womit sie für die
Simulation vernachlässigt werden könnte.
Das Anpassnetzwerk - 32 -

Wie eine Simulation mit MWO zeigt42, wird so eine Isolation von etwa 30dB im Passband erreicht.

Eingangswiderstand (Ω)
0.
1.
0
2400
8
0.
6 2.
0 Lambda / 4
0.4 2000
3.0

verkürzt
verkürzt 4.0

0.2
5.0
1600
Lambda / 4 10.0
10
1200
0. 0. 0. 0. 1. 2. 3. 4. 5. .0
0 2 4 6 8 0 0 0 0 0

-10.0
800
-0.2
-5.0
-4.0

-3.0 400
-0.4
-
- 2.
0.
6 -
0.
-
0
0
1.
8
0 130 140 150 160
Frequenz (MHz)

Abbildung 15 Eingangswiderstand des verkürzten und kompensierten λ/4 Transformators

Wie dem Smith Chart ebenfalls entnommen werden kann, findet bei dieser Kompensation eine
Widerstandstransformation statt, so dass nicht mehr die ursprüngliche λ/4 Impedanz (ohne
Kompensation), sondern eine verkürzungsabhängige tiefere Impedanz resultiert. Dies hat zur Folge,
dass die Bandbreite etwas reduziert wird. Abbildung 16 zeigt, wie die tiefere Impedanz zustande
kommt. Da der Smith Chart nur für Impedanzen nahe des Normierungswiderstandes eine gute
Auflösung bietet, ist der Unterschied von fast einem Faktor Zwei in Abbildung 15 (links) schlecht zu
erkennen.

Leitungsstück < λ/4

Ergänzung auf λ/4

Parallelkapazität

ZA
Z verkürzt Z λ/4

Abbildung 16 Einfluss der Kompensationskapazität auf die Transformation

42
Datei: microstrip_returnloss.mwo
Das Anpassnetzwerk - 33 -

Mit einer MWO Simulation43 kann leicht eruiert werden, welche Länge wir für den Balun wählen
müssen, um die Spezifikationen der Ein- und Ausgangsanpassung zu erfüllen. Da noch weitere
Elemente die Verstärkeranpassung beeinflussen, sollte hier genügend Reserve eingeplant werden.
Im 300W FM Design von Philips [AN031] wurde der Balun um den Faktor 1.6 verkürzt. Da unser
Band auf der Frequenzachse etwa um den gleichen Faktor höher liegt und wir zudem weniger
Bandbreite benötigen, können wir bei ähnlichen Dimensionen ein Anpassnetzwerk mit einem
besseren VSWR erwarten.

1.2

1.18
Balun verkürzt
1.16

1.14
Balun Lambda / 4
1.12
SWR

1.1

1.08

1.06

1.04

1.02

1
120 125 130 135 140 145 150 155 160 165 170
Frequency (MHz)

Abbildung 17 SWR des λ/4 und des verkürzten Balun

Aus den bisherigen Ergebnissen geht also hervor, dass es möglich ist, mittels eines kompensierten
λ/4 Transformators die physikalische Länge des Balun den Bedürfnissen anzupassen. In der
Fachliteratur werden oftmals Faustformeln für derartige Kompensationen angegeben44, wobei deren
Anwendung sich fast immer auf Spezialfälle bezieht.

Weiterführende Informationen finden sich in


• [Fun98], Rf transmitting transistors+fundamentals S.23/24
• [Fun98], Anpassschaltungen S.29
• [Cri98], Balun Simulationsmodell S.290

43
MWO Datei: balun_verkürzt.emp
44
[ECO07], Kapitel 5.1/5.2 Kompensation, Kapitel 6.2 Balun
Das Anpassnetzwerk - 34 -

6.3.2 Realisierung des Balun

Abbildung 18 zeigt das Ergebnis der bisherigen Überlegungen. Die Leitung A ist ein Semirigid
Koaxialkabel mit einem Wellenwiderstand von 50Ω. Um Platz einzusparen, wird es bogenförmig auf
eine 2.8mm breite Streifenleitung (Z0=50Ω) aufgelötet, welche gerade die Leitung B bildet. Da die
elektrische Länge45 der Leitung kürzer ist als eine viertel Wellenlänge, ergibt sich eine
Parallelinduktivität von Punkt A gegen Masse, welche durch den Seriekondensator C1 kompensiert
werden muss. Um die Symmetrie zu gewährleisten, wird eine gleich grosse Parallelinduktivität in
Form einer Mikrostreifenleitung C von Punkt B gegen Masse eingefügt, welche als dummy-line
bezeichnet wird. Da auch diese Leitung kürzer ist als λ/4, wird zur Kompensation C2 benötigt.

Leitung C
B C2
Ausgang 25Ω

Eingang 50Ω Leitung A


C3
Ausgang 25Ω
A
Leitung B

Abbildung 18 Praktische Realisierung des Balun

Um den Platz auf dem PCB optimal auszunutzen und die Biegeradien der Semirigid Kabel nicht zu
eng zu wählen, orientierten wir uns für die Abmessungen an der Application Note [AN031] von
Philips. Die physikalische Länge von Leitung A beträgt dabei 143mm, was einer elektrischen Länge
von 47° entspricht.

Leitung B 4:1 Transformator


Streifenleitung für L3

Diskrete
Eingangsanpassung

Leitung C
4:1 Transformator
Streifenleitung für L4

Abbildung 19 PCB Layout des Eingangsnetzwerks

45
Da die Gruppengeschwindigkeit in einer Leitung vom verwendeten Dielektrikum abhängig ist (proportional √εr ), kann die
physikalische Länge einer Leitung etwa um den Faktor 0.5 (FR4) kürzer gebaut werden. Bei Streifenleitungen empfiehlt es sich,
TXLine von AWR einzusetzen um die exakte Länge zu bestimmen.
Das Anpassnetzwerk - 35 -

Für die Berechnung der Striplines wird TXLine Version 1.1. von AWR (Applied Wave Research)
verwendet. Dieses Tool verwendet empirische Formeln und Tabellen, um die jeweiligen
Leitungsparameter zu bestimmen, womit man mit einer Toleranz von rund einem Prozent rechnen
kann46.
Die Angaben über das verwendete PCB Material wurden vom Hersteller übernommen.47 Abbildung
20 zeigt das Ergebnis für die Mikrostreifenleitung des Balun.

Abbildung 20 Mikrostreifenleitung des Balun berechnet mit TXLine

Die Werte von εr und Z0 sollen sicherheitshalber anhand der Formeln von Wheeler und Schneider48
nachgerechnet werden. Dazu werden zuerst die effektive Substratdicke he (1.5mm), die effektive
Breite der Streifenleitung We und die effektive Dielektrizitätszahl εreff berechnet. Nun kann die
Wellenimpedanz Z0 bestimmt werden. Da die so erhaltenen Werte gegenüber TXLine weniger als
0.1% Abweichung zeigen, kann davon ausgegangen werden, dass sie korrekt sind.
he h 2 .t
t . 2 .he 120.π
We W ln 1 Zo
We We
π t εeff . 1.393 0.667.ln 1.444
d d
εr 1 εr 1. 1
εeff
2 2
12.d
1
We

46
Angabe von AWR
47
FEC Farnell Electronic Components Ref. 141-301 PCB FR4
48
Anhang in [Bes86] oder I.J. Bahl and D.K. Trivedi, „A Designer’s Guide to Microstrip Line“, Microwaves, May 1977, pp. 174-182
Das Anpassnetzwerk - 36 -

6.4 4:1 Leitungstransformator

Ein weiterer Schritt in der „Regionaltransformation“ ist die Reduktion der Balun Ausgangsimpedanz
von 50Ω symmetrisch auf 12.5Ω symmetrisch. Dies wird erreicht durch einen 4:1
Leitungstransformator, welcher durch zwei Semirigid Koaxialkabel mit einer Wellenimpedanz von
25Ω gebildet wird. 25Ω entsprechen genau der geometrischen Mitte zwischen der Balunimpedanz
von 50Ω und der Eingangsimpedanz des diskreten Transistor Anpassnetzwerks von 12.5Ω ( Z02 =
50∗12.5 ). Diese Anpassung des Wellenwiderstandes bewirkt eine Optimierung des
Stehwellenverhältnisses (SWR) auf der Leitung, womit gleichzeitig optimale Breitbandigkeit und
niedrige Verluste gewährleistet sind. Das Übersetzungsverhältnis ist unabhängig von Quell- und
Lastwiderstand, also auch vom Wellenwiderstand der beiden Leitungen. Entspricht die Wahl von Z0
jedoch nicht der geometrischen Mitte der beiden Anschlussimpedanzen, so nehmen die Verluste zu.

Z0=25
6.25Ω
50Ω 12.5Ω
6.25Ω
Z0=25

Abbildung 21 Leitungstransformator 4:1

Gemäss Abbildung 22 muss die Leitungslänge mindestens 0.02λ = 4cm betragen49, um die Verluste
minimal zu halten.

Abbildung 22 Einfluss der Anpassung der Leitungslänge und des


HF-Eisens auf die Übertragungsdämpfung

49
Die Abbildung 22 wurde [Fmp84] S.47 entnommen.
Das Anpassnetzwerk - 37 -

Die beiden 25Ω Koaxialkabel werden wie der Balun auf Mikrostreifenleitungen aufgebracht, um
einen definierten und mechanisch stabilen Aufbau zu erhalten. Da, wie in Kapitel 6.3.2 bereits
hergeleitet, dadurch Parallelinduktivitäten entstehen, muss am Ausgang des Transformators eine
Parallelkapazität eingefügt werden. Diese beträgt für den 95mm langen Transformator auf der
Eingangsseite 18pF und für den 60mm langen Transformator auf der Ausgangsseite 30pF. Da an der
selben Position auf dem Layout ohnehin der Kondensator für das diskrete Anpassnetzwerk zu liegen
kommt, muss diese Kapazität lediglich dazu addiert werden.

Weitere Infos:
• [Dub00] S.15 (Gegentaktübertrager)
• [Fmp84] S.45 Formel für Übertragungsdämpfung etc.
• [Rut59] Some Broadband Transformers, Ruthroff
• [Sch77]
• [Pit68]
Das Anpassnetzwerk - 38 -

6.5 Diskrete Eingangsanpassung

In einem letzten Schritt soll nun auf die optimale Eingangsimpedanz des FET transformiert werden.
Diese kann der Tabelle 5 entnommen werden und beträgt für den SR746 2.1Ω - j2.2Ω bei einem IDQ
von 0.75A.
Da wir die Impedanz nur noch etwa um den Faktor 2 gegen unten transformieren müssen, reicht eine
Tiefpass Sektion völlig aus.
Wie der Abbildung 23 zu entnehmen ist, kommen für den Bereich 2, in welchem sich die
Impedanzen des FET bewegen, die LC-Netzwerke a) und b) in Frage. Da Seriekapazitäten bei hohen
HF-Strömen unzweckmässig sind und unser Layout eine Serieinduktivität vorsieht, bleibt also noch
Netzwerk b) übrig.
Da die benötigten Induktivitäten im nH Bereich liegen, eignet sich für die praktische Realisierung
eine Kombination aus n) und o) besser. Mikrostreifenleitungen bieten zudem den Vorteil einer
besseren Reproduzierbarkeit und sie erfordern weniger Handarbeit.

Abbildung 23 Anpassschaltungen für verschiedene Bereiche in Smith-Diagramm

Da wir Transistoren von Polyfet und von Motorola einsetzen wollen, muss das Netzwerk leicht
abstimmbar sein, was am Besten durch den Einsatz einer Tiefpass Sektion erreicht wird. Falls der
Verstärker auch für eine breitbandige Anwendung wie FM Broadcasting verwendbar sein soll, so
kann das Netzwerk auf zwei Tiefpass Sektionen erweitert werden. (→ Kapitel 6.6)
Das Anpassnetzwerk - 39 -

Die diskrete Anpassung für den Eingang ist gleichermassen aufgebaut wie diejenige für den
Ausgang, welche in Kapitel 6.7 abgehandelt wird. Es empfiehlt sich, zuerst Kapitel 6.7 zu lesen, da
hier lediglich die spezifische Lösung für das Eingangsnetzwerk vorgestellt wird. Es wurden ebenfalls
mit MIMP provisorisch die Längen bestimmt und mit MWO die Feinabstimmung vorgenommen.

Arbeitspunkt Typ / Impedanz /Ω Länge / mm Kapazität / pF Loaded Q


IDQ=2.0A SR746 / 2.35-j2.00 15.7 (15.8)50 230 (260) 1.3
(13.0 mit 10E Gateloading !)
IDQ=0.4A SR746 / 1.87-j2.41 17 260 1.5
IDQ=0.35A MRF151G / 0.9-j1.5 10.9 (8.7) 420 (540) 2.5
Tabelle 6 Werte des Anpassnetzwerks in Abhängigkeit des Arbeitspunktes

Es gilt nun, ein Layout zu entwerfen, dessen Länge von 8mm bis 20mm eingestellt werden kann.
(→Abbildung 24) Falls weniger als 8mm benötigt werden, kann mittels des Kondensators C3 am
Verstärkereingang der unerwünschte induktive Anteil kompensiert werden.

C20
5.7
3 5.2
5.8 Z0=30Ω R20
3.8
9
Z0=50Ω
1 C4
6.6 R22

1.8

Abbildung 24 Diskrete Eingangsanpassung

50
Die Werte in Klammern wurden mit MWO bestimmt, die anderen mit MIMP
Das Anpassnetzwerk - 40 -

6.6 Diskrete Eingangsanpassung für Breitbandanwendungen

Falls der Arbeitspunkt des Transistors bekannt ist und an den Verstärker grössere Anforderungen an
die Bandbreite gestellt werden, so ist eine Erweiterung des Anpassnetzwerks auf zwei Sektionen von
Vorteil.
Die Kaskade der zwei Tiefpass Sektionen ist in Abbildung 25 schematisch dargestellt. Prinzipiell
handelt es sich um ein doppel L Netzwerk, dessen zugrundeliegende Idee es ist, auf einen Punkt
zwischen der Quell- und der Lastimpedanz zu transformieren, um so eine grössere Bandbreite zu
erhalten. Wie aus der Theorie der Widerstandsanpassung bekannt ist, befindet sich die
Parallelreaktanz C4 über dem grösseren, anzupassenden Widerstand Rh , also auf der Seite des
Transformators und Rl repräsentiert den Transistor.

Abbildung 25 Anpassnetzwerk mit 2 Sektionen

Da wir im Gegensatz zu [AN031] keine Bipolartransistoren sondern MOSFET einsetzen, weist der
komplexwertige Widerstand RL einen kapazitiven Anteil auf. Dies wurde bereits in Abbildung 23
ersichtlich, da der Bereich b) genau diese Impedanzen repräsentiert.
Da die Eingangswiderstände der Transistoren stark vom Arbeistpunkt abhängig sind, muss der
definitive Arbeitspunkt vorgängig abgeklärt werden. Es kann dann evaluiert werden, in welchem
Bereich die Anpasselemente variierbar sein müssen, um dennoch mögliche Abweichungen
kompensieren zu können. Als erstes werden jedoch Richtwerte benötigt, welche aufgrund der
Methode von Matthaei51 bestimmt werden. Damit erhalten wir den in Abbildung 26 skizzierten
Chebyshev Tiefpass Verlauf.

Abbildung 26Passband Verlauf des 2 Sektionen Anpassnetzwerks

51
Abhandlung der Methode in [Fun98], stammt jedoch aus Matthaei, G.L., Young, L., & Jones, E.M.T., McGraw-Hill Book Company
Das Anpassnetzwerk - 41 -

Wir können nun einmal die Elemente für die beiden Sektionen und einen reellen
Abschlusswiderstand von 1.9Ω52 berechnen.
Mit fl = 144MHz und fh = 146MHz ergeben sich die folgenden Werte :

1. 1. 2 2
f1 2 2 .fl
2
2 2 .fh
2
f0 0.5. fl
2
fh
2 f2 2 2 .fl 2 2 .fh
2 2
f1 = 144.295MHz f0 = 145.000MHz f2 = 145.709MHz

Rl
1
Rh 2 ( Rh Rl)
M p Rl. M .Rh . w1 .M 2 2 3
q M .Rl .Rh
w1.w2 w1
2

2 M L1
p p
L1 q C2 L3 C2.Rl.Rh C4
2 4 L1 Rl.Rh
L1 = 2.212nH C2 = 454.3pF L3 = 5.395nH C4 = 186.3pF

Eine Simulation der erhaltenen Werte mit MWO zeigt, dass die Berechnungsgrundlage stimmt. Da
jedoch der FET keinen reellen Eingangswiderstand aufweist, kann das Anpassnetzwerk so nicht
verwendet werden. Es macht jedoch Sinn, ausgehend von diesen Werten mittels dem Tuner und dem
Optimizer von MWO die Schaltung an den FET anzupassen.

SWR Eingang
1.003

VSWR[1]
Matthaei Anpassung

1.002

1.001

1
142 143 144 145 146 147 148
Frequency (MHz)

Abbildung 27 SWR-Verlauf der Matthaei Transformation

Da die Induktivitäten für eine diskrete Realisierung zu geringe Werte aufweisen, können sie in
Mikrostreifenleitungen umgerechnet werden. Dazu können die Näherungsformeln aus [Fun98] S.11
und S.13 oder das Tune-Tool von MWO verwendet werden.

52
Des Polyfet SR746 hat für einen IDQ von 0.4A (Klasse B) eine Eingangsimpedanz von (1.9–j2.4)Ω, wobei der Imaginärteil
nachträglich kompensiert werden kann.
Das Anpassnetzwerk - 42 -

6.7 Diskrete Ausgangsanpassung

Da am Ausgang des Transistors die Belastung der Anpasselemente entsprechend höher ist als am
Eingang, müssen die Kriterien für die Netzwerktopologie etwas modifiziert werden.
Die diskrete Anpassung soll möglichst wenig Elemente enthalten und ein solides Layout erlauben.
Am besten dafür geeignet ist gemäss Abbildung 23 das Netzwerk b) oder eine Kombination von n)
und o). Da die Induktivität L im Bereich 7...10nH liegt, ist es vorteilhaft, das Anpassnetzwerk mittels
Mikrostreifenleitung und Parallelkapazität zu realisieren, was Abbildung 28 (rechts) zeigt53.

L TL

ZIN C14 6.25Ω ZIN C14 6.25Ω

Abbildung 28 Diskrete Ausgangsanpassung

ZIN stellt die Ausgangsimpedanz des Transistors dar, welche mittels der beiden Anpasselemente auf
6.25Ω reell transformiert wird. Anschliessend wird mittels 1:4 Transformator und Balun auf 50Ω
angepasst. Da die Kapazität C14 etwa 600VA Scheinleistung verkraften muss, wird sie aufgeteilt auf
zwei Keramikkondensatoren hoher Güte (ATC Chip).
Abbildung 29 zeigt, wie genau die Anpassung vor sich geht. Die 30Ω Streifenleitung lässt ZIN auf
einem konzentrischen Kreis im Uhrzeigersinn um den Mittelpunkt wandern. Falls der Smith-Chart
nicht auf 30Ω normiert ist, muss beachtet werden, dass der Mittelpunkt des Kreises auf der reellen
Achse um den Betrag des Reflexionsfaktors, welchen die Leitung mit ZN bildet, verschoben
einzuzeichnen ist. Die Shunt-Kapazität bewegt die am Ende der Leitung TL anliegende Impedanz
auf einem Kreis konstanten Leitwerts, ebenfalls mit dem Uhrzeigersinn, auf den gewünschten reellen
Widerstand von 6.25Ω. Dazu muss man vom Impedanz- auf den Admittanz Chart wechseln, falls
man die Aufgabe grafisch lösen will.
Ebenfalls eingezeichnet sind die Ortskurven konstanter Güte QL ( loaded Q ). Die Innere der Beiden
hat Güte 1 die Äussere Güte 2. Da QL das Verhältnis von Imaginär zu Realteil darstellt, müssen
lediglich die richtigen Kreuzungspunkte der Kreise für konstanten Real- und Imaginärteil verbunden
werden. Da der Wirkungsgrad bei gegebenen Elementen d.h. konstanten QU ( unloaded Q ) Faktoren
über η = 1/(1+QL/QU) direkt von QL abhängig ist, kann man leicht abschätzen, inwiefern mit einer
anderen Netzwerktopologie eine verlustlosere Schaltung erhalten werden könnte. Mit zwei Sektionen
liesse sich beispielsweise QL weiter senken, jedoch sind wir mit einem QL von 1 schon so optimal,
dass dies den erhöhten Schaltungsaufwand nicht rechtfertigen würde.

53
Die benötigten Werte können der Tabelle 7 Werte des Anpassnetzwerks in Abhängigkeit des Arbeitspunktes entnommen werden.
Das Anpassnetzwerk - 43 -

Mit MIMP (Motorola Impedance Matching Programm) lässt sich das Anpassnetzwerk innerhalb
weniger Minuten dimensionieren. MIMP bietet die Möglichkeit, mittels eines Tune-Tools die
Elemente so zu verändern, dass die Änderungen sofort dargestellt werden, sowie der Weg den die
Impedanz während der Transformation zurücklegt ersichtlich wird.
Um die Übersichtlichkeit zu erhöhen, wurde der folgende Chart normiert auf 10Ω.

Abbildung 29 Anpassung mit MIMP

MIMP ist sehr gut geeignet, um die Topologie für ein Design festzulegen. Ebenfalls lassen sich die
Elementwerte überschlagmässig berechnen, womit man die Möglichkeit hat die Ergebnisse einer
optimierten MWO Simulation zu verifizieren. Für eine Simulation über mehrere Frequenzpunkte
eignet sich MIMP schlecht, da Änderungen allgemein zu viel Zeit erfordern.
Das Anpassnetzwerk - 44 -

Das Ergebnis einiger Tipparbeit mit MIMP zeigt Abbildung 30. Mit einer einstellbaren Länge von
20...50mm ist es möglich, sowohl den MRF151G aus auch den SR746 mit dem selben Layout
anzupassen.
Wir entschieden uns, das Design für einen IDQ von minimal 0.4A bis maximal 2A auszulegen, da
bei grösseren Strömen aufgrund der erhöhten Verlustleistung die Ausgangsleistung reduziert werden
müsste.
Der worst case Fall tritt beim Polyfet Transistor ein, falls er mit 0.4A betrieben wird. Er weist dann
eine Ausgangsimpedanz von 2.6Ω –j6.4Ω (6.9Ω∠-68°) auf (→Tabelle 5), womit eine grosse
kapazitive Komponente neutralisiert werden muss.54

Arbeitspunkt Typ / Ausgangsimpedanz L–C Realisierung µStrip–C Realisierung


IDQ=0.4A SR746 / (2.6-j6.4)Ω 10nH / 210pF 58mm / 210pF
IDQ=0.75A SR746 / (3.1-j5.8)Ω 10nH / 180pF 55mm / 180pF
IDQ=2A SR746 / (3.6-j4.8)Ω 9nH / 150pF 49mm / 150pF
IDQ=0.38A MRF151 / (1.31-j3.96)Ω 7nH / 350pF 40mm / 350pF
Tabelle 7 Werte des Anpassnetzwerks in Abhängigkeit des Arbeitspunktes

Abbildung 30 zeigt ein mögliches Layout für das erhaltene Netzwerk. Die Bahnen können mittels
einer Kupferfolie verkürzt werden, indem man einen Teil der Schlaufe kurzschliesst. Für
Abgleicharbeiten kann bei kleinen Leistungen mit einem Kondensator > 10nF die optimale Position
der Brücke ungefähr bestimmt werden.

5.7
5.2 3 20
6
Abgleich C Kupferfolie
5 9

Z0=30Ω 21
C14

1.8
Abbildung 30 Diskrete Ausgangsanpassung

54
Grundlagen des Impedance Matching in [Cri98] und [Bes86].
Das Anpassnetzwerk - 45 -

6.8 Power Ratings


In Tabelle 8 sind die Spezifikationen für alle stark belasteten Elemente des Verstärkers zu finden.

Wert Spannungsbelastung Strombelastung Verlustleistung


C1, C2 220pF
C3 2.8-12.5pF Keramik Trimmer
C4 190pF
C11, C12 130pF 24Veffcont 2.6Aeffcont 0.3Wcont
ATC-Chip 63Vpeakshort 6.8Apeakshort (Q=250)
C14 2∗75pF parallel 73Veffcont55 8.6Aeffcont 1.5Wcont
ATC-Chip 130Vpeakshort 15.4Apeakshort (Q=400)
C15 12..60 pF
ARCO405
C20, C21 12nF RF-Kurzschluss
C22,C23,C32,C33 4.3nF (1nF//3.3nF)
C30, C31 470µF // 1µF // 10nF // 1nF (Glättung der Speisung)
R20, R21 2∗12Ω parallel (Gate Loading) 1.1Wcont
R22, R23 100kΩ (Gate Schutz)
R24, R25 220Ω (Bias Stabilität)
R26, R27 1kΩ Pot. SMD
R30, R31 12Ω 0.6Wcont
R32, R33 0.5Ω (Symmetrierung) 1.5W
L1, L10 Semirigid Koaxialkabel, Z0=50Ω, ∅=2.2mm
L2, L11 Mikrostreifenleitung, Z0=50Ω, Breite=2.8mm
L3, L4 Semirigid Koaxialkabel, Z0=25Ω, ∅=1.7mm
L12, L13 Semirigid Koaxialkabel, Z0=25Ω, ∅=2.3mm
L30, L31 RF-Bead, 3Wdg. Parallel
Tabelle 8 Power Ratings

55
cont bezieht sich auf den maximal tolerierten SWR von 3:1 und bezeichnet die kontinuierliche Maximalleistung.
Das Anpassnetzwerk - 46 -

6.9 Load Pull Technik

Da die Simulation zeigte, dass mit einer komplex konjugierten Anpassung zwar ein optimales
VSWR erreicht wird, jedoch nicht die maximale Leistung aus dem Transistor gezogen werden kann,
soll nun untersucht werden, inwiefern die Anpassung für maximale Leistung modifiziert werden
muss.
Abhilfe schafft die in [Cri98] vorgestellte Load Pull Technik, wobei folgende Überlegung angestellt
wird:
Die maximal zulässige Drain-Source Spannung beträgt beim SR746 125V. Wenn wir davon
ausgehen, dass die Sättigungsspannung bei maximalem Drainstrom etwa Idsat∗Rdson = 20A∗0.5Ω =
10V beträgt und ein DC Offset von 50V vorliegt (VDD) dann bleibt noch ein erlaubter
Spannungshub von +/- 40V, was einem Effektivwert von 28V entspricht. Nun suchen wir den
Widerstand, an welchem bei 28V gerade 150W anfallen. Gemäss dem ohmschen Gesetz ist dies bei
etwa 5Ω der Fall. Mittels einer MWO Optimierung wurde eine komplexe Last so optimiert, dass die
Leistungsabgabe des SR746 maximal wurde, was bei (4+j2)Ω der Fall war.
Nun wurde das diskrete Ausgangsanpassnetzwerk neu berechnet. (→ Kapitel 6.7)
L14 und L15 müssen neu für einen IDQ von 0.75A pro FET eine Länge von 30mm statt 55mm
aufweisen und die Kapazität C14 beträgt 65pF statt 180pF.
Stabilitätsanalyse - 47 -

7 Stabilitätsanalyse

Das Hauptproblem bei HF-Verstärkern ist ihre Schwingungsneigung. Da die eingesetzten


Transistoren für Frequenzen unterhalb des Passbandes eine sehr hohe Verstärkung aufweisen, darf
das Anpassnetzwerk keine Schwingungsneigung in diesem Bereich zeigen. Mit der k-Faktor Analyse
ist es möglich, die Schaltung inklusive FET auf mögliche instabile Frequenzen zu testen. Da
Instabilitäten von Elementen verursacht werden können welche das Bias Netzwerk betreffen, ist
darauf zu achten, alle relevanten Schaltungsteile in die Stabilitätsanalyse miteinzubeziehen.
In [Cri98] wird im Kapitel 1.1 eine Einführung in die k-Faktor Analyse gegeben, wobei hervorgeht,
dass einiges an Erfahrung benötigt wird, um aufgrund dieses Hilfsmittels sichere Aussagen über die
Stabilität einer Stufe machen zu können. Wie der Formel zur Berechnung des k-Faktors entnommen
werden kann, gehen sämtliche Transistor S-Parameter in die Rechnung mit ein. Der kritische
Parameter ist S12, welcher Hauptsächlich durch die interne Rückwirkkapazität Crss des FET
verursacht wird. Da Crss beim Polyfet Transistor mit 1.2pF etwa um den Faktor 10 kleiner ist als
beim Motorola Transistor (15pF), kann davon ausgegangen werden, dass er auch weniger
Stabilitätsprobleme verursachen wird.

2 2
1 − s11 − s 22 + D 2
k= D = s11 ⋅ s 22 − s12 ⋅ s 21
2 ⋅ s 21 ⋅ s12

Da S21 in der k-Faktor Formel im Nenner steht, kann man auch erkennen, dass die Verstärkung
einen wesentlichen Einfluss auf die Stabilität hat. Die MWO Funktion MSG (maximum stable gain)
kann für die Auslegung eines Verstärkers deshalb hilfreich sein. Falls ein Klasse B oder AB
Verstärker entworfen wird muss der IDQ für die Simulation so weit erhöht werden, dass der
Verstärker einigermassen linear arbeitet und eine hohe Verstärkung (S21) aufweist. Ansonsten ist der
k-Faktor nicht aussagekräftig !
Für k>1 kann davon ausgegangen werden, dass das System stabil ist, wobei immer noch die
Möglichkeit besteht, nicht alle relevanten Elemente berücksichtigt zu haben. Es sollte deshalb immer
etwas Reserve eingeplant werden.
Stabilitätsanalyse - 48 -

Der von uns aufgebaute Verstärker hat seine Schwachpunkte bezüglich Stabilität bei folgenden
Elementen:
• Bias Netzwerk

C20 muss auch für Frequenzen unterhalb des Passbandes einen RF-Kurzschluss darstellen. Wird
beispielsweise ein 1nF Kondensator verwendet, so schwingt der Verstärker bei etwa 20MHz bei
hohem Last SWR. Dieser Fall trat auf, als wir, um den SWR Schutz zu testen, die Last abhängten.
Die Simulation zeigt, dass C20 zusammen mit dem 4:1 Transformator in Resonanz kommt.
Glücklicherweise war das Eingangsnetzwerk noch genügend stark bedämpft, dass diese Instabilität
nicht zum Versagen des Transistors führen konnte. C20 sollte wurde deshalb erhöht auf 4.3nF.
Abbildung 31 zeigt den Verlauf des Eingangs SWR für zwei unterschiedliche C22.

12

11

10

9 C22 = 4.3nF
8

7 C22 = 1nF
6
5 144MHz
20MHz
4

1
10 30 50 70 90 110 130 150 170 190 210
Frequency (MHz)

Abbildung 31 Eingangs SWR in Abhängigkeit der Frequenz

Obwohl die Simulation voraussagte, die Schaltung arbeite stabil, konnte sich in der realen Schaltung
diese Resonanz im Falle einer starken Fehlanpassung durchsetzen. Abbildung 32 zeigt den von
MWO berechneten Verlauf des k-Faktors. Durch die zusätzliche Kapazität verschlechterte sich
gemäss MWO die Stabilität sogar ein wenig. Dies macht deutlich, dass die k-Faktor Analyse nicht
blind angewendet werden darf, sondern auch andere Faktoren in Betracht gezogen werden müssen.

4 C22=1nF

2
C22=4.3nF
1

0
10 30 50 70 90 110 130 150 170
Frequency (MHz)

Abbildung 32 k-Faktor Stabilitätsanalyse


Stabilitätsanalyse - 49 -

• DC Einspeisung56

Auf der Ausgangsseite tritt in etwa dasselbe Problem auf, wie beim Bias Netzwerk. Leider lässt sich
die Kapazität C32 nicht einfach vergrössern, da sie die Stabilität massiv beeinflusst. Dies bestätigte
auch Microwave Office. Ebenfalls ein kritischer Parameter ist der Widerstand R30, welcher kleiner
als 1Ω gewählt werden sollte, um nicht zu viel Verlustleistung aufzuweisen. Da nicht beliebig viele
Transistoren zur Verfügung stehen, können die Ergebnisse der Stabilitätsanalyse schlecht verifiziert
werden. Da der Verstärker jedoch selbst mit einem R32 von 0.39Ω noch stabil war, dimensionierten
wir R32 auf 0.5Ω. Dabei entsteht an R32 bei 300W Ausgangsleistung gemäss MWO eine
Verlustleistung von ungefähr 1W.

Den k-Faktor Verlauf des vollständigen Verstärkers zeigt Abbildung 33.57 Da in [Cri98] ein
ähnlicher Verlauf des k-Faktors prognostiziert wurde und der Verstärker ohne Stabilitätsprobleme in
Betrieb genommen werden konnte, kann davon ausgegangen werden, dass dieser Verlauf zumindest
qualitativ in Ordnung ist.

0
10 30 50 70 90 110 130 150 170 190 210 230 250 270 290 310 330 350
Frequency (MHz)

Abbildung 33 K-Faktor des gesamten Verstärkers

56
Schema in Kapitel 5.5 DC Einspeisungen
57
Datei: amp_V2_LowQBias_kfaktor.emp
Stabilitätsanalyse - 50 -

7.1 Simulation des 1dB Kompression Punktes

Als Mass für die Linearität eines Verstärkers wird oftmals der Punkt spezifiziert, an welchem die
Verstärkung um 1dB zurückgegangen ist. Mittels der MWO Simulation LoadPull_4V wurde die
Verstärkung der Schaltung in Abhängigkeit der Eingangsleistung dargestellt. Dazu wird vorteilhaft
die Funktion LSSnmSP58 verwendet. Ebenfalls möglich wäre PTSP (Total Power Sweep Over
Power) wobei dann noch auf die Verstärkung umgerechnet werden muss.
Abbildung 34 zeigt das Ergebnis. Da die wenigen Messungen die wir vornehmen konnten einen sehr
ähnlichen Verlauf aufwiesen, kann man diesem Plot durchaus Beachtung schenken. Gemäss unseren
Messungen wird die Linearität optimal bei einem IDQ von etwa 0.7A pro Transistor.

Verstärkung (dB)
VGS=4.0V
18

17.5

17

16.5

16

15.5

15

14.5

14
0 5 10 15 20 25 30 35 39.2
Eingangsleistung (dBm)
Abbildung 34 Verstärkung in Abhängigkeit der Eingangsleistung für den realisierten Verstärker

Durch variieren des Arbeitspunkts kann der Verlauf beeinflusst werden. Eine Verschiebung zu
Klasse B hin ergibt einen sehr nichtlinearen Verlauf (Abbildung 35 links) wohingegen eine
Verschiebung in Richtung Klasse A (Abbildung 35 rechts) mehr Verstärkung ergibt. Es ist zu
beachten, dass die Anpassnetzwerke bei einer Verschiebung des Arbeitspunktes wieder neu justiert
werden mussen, um die geforderte Anpassung sicherzustellen. Diese Kurvenformen konnten
ebenfalls am Verstärker zumindest Qualitativ verifiziert werden.

VGS=3.7V VGS=4.5V
17 18.5
16.5
16 18
15.5
17.5
15
14.5 17
14
13.5 16.5
13
12.5 16
12 15.5
11.5
11 15
0 5 10 15 20 25 30 35 39.2 0 5 10 15 20 25 30 35 39.2
Power (dBm) Power (dBm)
Abbildung 35 Verstärkung in Abhängigkeit der Eingangsleistung für verschiedene Arbeitspunkte

58
Large Signal S Parameter [AWR01] S.302 ( Es wurde die Leistungsverstärkung von Port1 nach Port2 gemessen )
Temperaturstabilisierung - 51 -

8 Temperaturstabilisierung

Transistoren zeigen eine ausgeprägte Temperaturabhängigkeit des Drain-Stromes. Bei einem


ungünstigen Arbeitspunkt ist eine starke Zunahme des Drainstromes mit der Temperatur zu
beobachten. Da wir jedoch einen stabilen Arbeitspunkt benötigen um die Linearität und den
Intermodulationsabstand konstant zu halten, wollen wir eine Bias-Schaltung entwerfen, die diese
Temperaturabhängikeit kompensiert.

8.1 Verhalten des Transistors


Wir haben die Temperaturabhängigkeit des Transistors mit Pspice simuliert. Dazu verwendeten wir
das von Polyfet gelieferte Spice-Model. Der folgende Plot zeigt die Id vs.Ugs-Kennlinie bei
Temperaturen von 0-200°C.!!)

0°C

200°C

Bei 4V Gate-Spannung, was einem Drainstrom von 750mA entspricht, gibt es einen
temperaturstabilen Arbeitspunkt. Da wir unseren Verstärker in Klasse AB betreiben, bietet sich
dieser Punkt geradezu als Arbeitspunkt an. Ob sich dieser Arbeitspunkt auch bezüglich Linearität
und Intermodulation eignet, muss mittels einer Zweitonmessung untersucht werden.
Da wir den AP noch nicht genau festgelegt haben, sehen wir trotzdem eine Temperaturkompensation
des Bias-Stromes vor. Falls wir sie nicht benötigen, können wir deren Effekt später immer noch
unterdrücken. Um den Verstärker aber auch mal bei anderen Arbeitspunkten auszumessen, ist die
Temperaturkompensation sicher sinnvoll.
Ausführliche Simulationen der Temperaturabhängigkeit bei verschiedenen Arbeitspunkten sind im
Anhang zu finden.
Zusammenfassend kann man sagen, dass der temperaturstabile Punkt bei Ugs=3.99V liegt. Die
Drainstromänderung beträgt dabei nur 15mA über den gesamten Temperaturbereich von 0-200Grad.
Oberhalb dieses Punktes nimmt der Drainstrom mit höherer Temperatur ab. Und zwar um etwa
450mA bei Ugs=4.4V im selben Temperaturbereich. Unterhalb des temperaturstabilen Punktes
nimmt der Drainstrom mit zunehmender Temperatur ab. Bei Ugs=3.7V beträgt die
Drainstromänderung etwa 150mA. Diese simulierten Werte müssen noch am realen Transistor
überprüft werden.
Temperaturstabilisierung - 52 -

8.2 Bias-Schaltung mit Temperaturkompensation

Bei MOSFET's stellt man den Arbeitspunkt über die Gate-Spannung ein. Der Bias-Drainstrom ergibt
sich dann aus der Ids-Ugs-Kennlinie. Will man nun die Temperaturabhängigkeit des Drainstromes
kompensieren, muss man die Gatespannung so mit der Temperatur verändern, das der Drainstrom
temperaturunabhängig wird.
Beispiele für Bias-Schaltungen die genau das machen, finden sich in [Blair], [Dub90], [AN758] oder
auch [AN1643].
Wir haben uns für eine Schaltung mit dem Präzisionsspannungsregler uA723C entschieden, der auch
in einigen der oben erwähnten Schaltungen verwendet wird. Der Regler liefert eine äusserst genaue
intern stabilisierte und temperaturunabhängige Ausgangsspannung Vref. Er reguliert
Versorgungsspannungs- und Lastschwankungen und kann bis zu 150mA Ausgangsstrom liefern.
Zudem ist er kurzschlussfest, bietet eine einstellbare Strombegrenzung und ist auch als SMD-Version
verfügbar, was bei unseren engen Platzverhältnissen auf dem Eingangs-Print wichtig ist.
Wir haben auch ein Spice-Modell dieses Reglers gefunden und konnten so die gesamte
Biasschaltung simulieren. Die Simulationen sind im Anhang zu finden.
Temperaturstabilisierung - 53 -

8.2.1 Schema

1 2 3 4 5 6

D D

GND GND GND

R1
C2 100K
1n

R5
R3 1k IC1
GATE
220R
2 9
CL Vz
R8
13R

D1
C 3 10 C
CS Vout
1N4148 R9
1.5K 50V
T1
OFF 2N1893
4 11 R12
IN- Vc
1k
R6
R4 1k
GATE
220R
5 12
R2 IN+ V+
C3 100K
1n

6 13
REF FC
GND GND GND GND R10 D2 C4
3.9k 15V 10n

B B
7
V-
R13
2k
UA723C
GND GND VCC
C1

R11
5.6k 100p

R7
NTC 500R

GND

A A

1 2 3 4 5 6

8.2.2 Schaltungsbeschreibung

Damit der Spannungsregler IC1 nicht zu viel Verlustleistung hat und sich somit erwärmen würde,
versorgen wir ihn über die Z-Diode D2 nur mit 15V. Der Rest wird am Leistungswiderstand R12
verheizt. C4 dient nur zur Entkopplung der HF. Mit R8 kann man die Strombegrenzung einstellen.
0.65V
Es gilt: I ( Limit ) ≈ . Mit R8=13 Ohm wird der Strom bei etwa 50mA begrenzt. Die
R8
Ausgangsspannung wird über R13 eingestellt. IC1 liefert am Ausgang REF (Pin6) eine
Referenzspannung von typ. 7.15 Volt, die temperaturstabil ist. Über das Potentionmeter R13 wird
also eine stabile Spannung abgegriffen und an den Eingang IN+ (Pin5) gegeben. Die geregelte
Ausgangsspannung an CS (Pin3) ist gerade gleich gross wie die Spannung an IN+. Mit den
gewählten Widerstandswerten kann die Ausgangsspannung zwischen 3.5V und 4.8V eingestellt
werden. Der NTC-Widerstand fügt der Ausgangsspannung einen Temperaturkoeffizienten zu und ist
am Flansch des Power-MOSFET angeschraubt. R11 verkleinert den Einfluss des NTC, so dass sich
die Gate-Spannung mit zunehmender Temperatur nur um wenige Milivolt ändert. R7 linearisiert den
Widerstandsverlauf des NTC. Wird der MOSFET wärmer, so wird der Widerstand des NTC kleiner
und die Spannung an IN+ (Pin5) und somit auch die Ausgangsspannung an CS (Pin3) sinkt. Dadurch
wird die Gate-Spannung am MOSFET kleiner und der Drainstrom sinkt. Mit einem NTC kann man
also einen positiven Temperaturkoeffizienten des Drainstromes kompensieren. Der Einfluss des NTC
wurde auch mit PSpice simuliert und wird im nächsten Abschnitt behandelt.
Temperaturstabilisierung - 54 -

Mit R5 und R6 kann man die Gatespannung für jeden MOSFET einzeln einstellen. Der Transistor T1
dient zur Abschaltung der MOSFET's und wird von der SWR-Schutzschaltung angesteuert. Die
Diode D1 dient nur dem Schutz des Spannungsreglers, falls unerwartete Überspannungen auftreten
würden (z.B. beim Durchbruch des MOSFET).

8.2.3 Verhalten des NTC


Als Einleitung zu diesem Thema empfehlen wir ein Studium der General Technical Information von
Siemens Matsushita, die im Anhang zu finden ist. Dort wird ausführlich auf die R/T-Charakteristik59
von NTC-Widerständen im Allgemeinen eingegangen. Ebenfalls im Anhang zu finden ist eine
Application Note von Siemens Matsushita zu NTC's, sowie das Datenblatt des von uns verwendeten
Siemens Matsushita NTC's Typ B57703 M 703/10k/G40.

Unser NTC hat bei 25 Grad einen Widerstand RN von 10kOhm. Mit zunehmender Temperatur nimmt
der Widerstand exponentiell ab. Da der NTC eine standartisierte R/T-Charakteristik hat, kann er mit
folgender Formel beschrieben werden:
1 1 
B⋅ − 
 T TN
RT = R N ⋅ e 

RT = Widerstand bei der Temperatur T in Kelvin


RN = Nominalwiderstand bei Nominaltemperatur TN in Kelvin
B = NTC-spezifische Konstante

Um den Einfluss des NTC's in unserer Bias-Schaltung genau untersuchen zu können, haben wir ihn
mit Pspice simuliert. Folgender Plot zeigt die R/T-Charakteristik unseres Widerstandes:

59
bedeutet die Abhängigkeit des Widerstandes von der Temperatur
Temperaturstabilisierung - 55 -

Die Widerstandsänderung ist für unsere Anwendung aber viel zu hoch. Wir benötigen eine Änderung
von ca. 2% pro Grad, um die gewünschte Gate-Spannungsänderung von einigen 100mV zu
erreichen. Zudem wäre ein linearer Widerstandverlauf wünschenswert.
Wie in der Application Note im Anhang auf S.28 beschrieben, lässt sich ein NTC durch einen
Parallelwiderstand linearisieren. Folgender Plot zeigt die R/T-Charakteristik nach der Linearisierung
mit einem 500Ohm-Widerstand:

Es ist ein leicht S-förmiger Verlauf zu erkennen. Der Wendepunkt ist vom Parallelwiderstand
abhängig. Für einen gewünschten Wendepunkt berechnet sich der benötigte Widerstand wie folgt:

B − 2T
Rp = RT ⋅
B + 2T

T = Wendepunkttemperatur in Kelvin
RT = Widerstand bei der Wendepunkttemperatur T in Kelvin (kann aus der standartisierten R/T-
Kurve entnommen werden)
Rp = Benötigter Parallelwiderstand.
B = NTC-spezifische Konstante

Für unsere Anwendung ist der NTC damit sicher genügend linear. Die Widerstandänderung beträgt
zwischen 50°C und 120°C noch etwa 220 Ohm und ist somit genügend klein.
VSWR Schutzschaltung - 56 -

9 VSWR Schutzschaltung

Die meisten Ausfälle von Endstufen Transistoren haben als Ursache einen zu hohen Reflexionsfaktor
am Verstärkerausgang. Dabei treten hohe Ströme und Spannungen am Transistor auf, welche zu
einer erhöhten Verlustleistung führen, respektive zum Durchbruch führen. Da typische
Leistungstransistoren eine thermische Zeitkonstante von 100us bis 500us aufweisen, muss eine
Schutzschaltung (mit allen auftretenden Verzögerungen) mindestens so schnell die Endstufe
abschalten können.
Um den Reflexionsfaktor am Verstärkerausgang zu messen, haben wir den SWR-Detektor aus einem
vorhandenen Gerät60 ausgebaut. Der Detektor liefert zwei DC-Spannungen, eine für die reflektierte
Leistung (Rückwärtsleistung) und eine für die transmittierte Leistung (Vorwärtsleistung +
Rückwärtsleistung). Diese zwei Leistungen werden auf einem Kreuz-Zeiger-Messgerät angezeigt.
Das Messgerät liefert auch noch direkt die Anzeige für den SWR. Zusätzlich kann noch der
Leistungsbereich eingestellt werden.
Um den Detektor auszumessen, haben wir am offenen Kreuz-Zeiger-Messgerät, DC-Spannungen
eingespiesen und die Anzeige beobachtet. Eine direkte Messung ist nicht möglich, weil wir keine
HF-Quelle zur Verfügung haben, die genügend Leistung bringt. Unsere Messung ist zwar nicht so
genau wie eine direkte Messung, zur Dimensionierung der SWR-Schutzschaltung genügt sie jedoch.
Für den 1500W-Bereich und Selector-Stellung AVG gelten folgende Spannungsverläufe:

2.5

2
Forward
Reverse
Spannung in Volt

1.5

0.5

0
0 50 100 150 200 250 300 350 400
Leistungsanzeige in Watt

Die anderen Leistungsbereiche benützen die gleichen Spannungen, sie sind nur anders skaliert.
Genaue Messtabellen sind im Anhang zu finden. Mit diesen Spannungen ist nun ein SWR-Schutz
realisierbar.

60
Hersteller: DAIWA; Bezeichnung: SWR&POWER METER, Cross needle meter; Lieferant: SEICOM AG, Lenzburg
VSWR Schutzschaltung - 57 -

Aus einem Verstärker-Design von Intech haben wir eine SWR-Schutzschaltung übernommen und
auf unsere Bedürfnisse angepasst. Damit haben wir die Möglichkeit auf einen einstellbaren SWR-
Wert zu reagieren und können zusätzlich einstellen, ab welcher Vorwärtsleistung der SWR-Schutz
ansprechen soll. Die Schaltung liefert einen etwa 10s langen High-Puls, wenn der eingestellte SWR-
Wert überschritten wird. Mit diesem Puls steuern wir einen NPN-Transistor an, der die Gate-
Spannung kurzschliesst und den Verstärker somit abschaltet.

Schema:
VSWR Schutzschaltung - 58 -

9.1 Schaltungsbeschreibung
Die Schaltung wird mit 15V DC betrieben. Der Eingang VR wird mit dem Ausgang des SWR-
Detektors für die Rückwärtsleistung verbunden. Der Eingang VF mit dem Ausgang für die
Vorwärtsleistung. Die Operationsverstärker U1A und U1D sind einfache nichtinvertierende
Verstärker. Sie verstärken die relativ kleinen Eingangsspannungen, so dass bei einer
Vorwärtsleistung von 100W, am Ausgang von OP U1D 4V anliegen und bei einer Rückwärtsleistung
von 25W, am Ausgang von OP U1A 2V anliegen. Dies entspricht gerade dem Fall für SWR=2:1.
Zur Inbetriebnahme des Transistors sind wir so auf der sicheren Seite. Später kann man dann denn
SWR immer noch auf 3:1 einstellen. Wichtig ist zu erkennen, dass wenn der SWR-Detektor eine
Vorwärtsleistung von 100W anzeigt, die reflektierte Leistung in diesen 100W auch enthalten ist. Das
heisst, dass die Leistung der hinlaufenden Welle 100W-25W=75W ist. Mit R50 wird die
Verstärkung von U1A eingestellt, mit R15 die Verstärkung von U1D. Folgender Plot zeigt die
Spannungsverhältnisse an den Ausgängen der OP's über den gesamten Leistungsbereich:

Über R12 kann nun der SWR eingestellt werden, bei dem eine Abschaltung erfolgen muss. Der OP
U1B ist als Schmitt-Trigger beschaltet, dessen Hysterese über R13 eingestellt werden kann.
Angenommen wir haben eine Vorwärtsleistung von 100W, dann liegt am Ausgang von U1D eine
Spannung von 4V an. Ein SWR von 2:1 bedeutet eine Rückwärtsleistung von 25W, was zu einer
Spannung von 2V am Ausgang von U1A und auch am invertierenden Eingang von U1B führt. Über
den Spannungsteiler R11 R12 kann man nun einstellen, welches Verhältnis VF zu VR haben darf.
Für SWR=2:1 heisst das, der invertierende Eingang von U1B muss auf 2V eingestellt werden.
Sobald nun die Rückwärtsleistung 25W überschreitet, schaltet der Ausgang von U1B von 0V auf
15V und bringt somit den FET J2 zum leiten, der das nachgeschaltete Monoflop IC1B auslöst. Durch
die Hysterese muss die Rückwärtsleistung 25W deutlich unterschreiten, damit der Ausgang von U1B
wieder abschaltet. Damit wird vermieden, dass wenn der SWR knapp an der Einstellschwelle liegt,
der OP immer ein- und ausschaltet. Wir haben also die Grenze für den SWR auf 2:1 eingestellt, bei
einer Vorwärtsleistung von 100W. Da die Ausgangsspannungen des SWR-Detektors jedoch nicht
VSWR Schutzschaltung - 59 -

schön linear sind, wird die SWR-Abschaltung nicht immer bei einem SWR von 3:1 reagieren,
sondern bei höheren Leistungen reagiert sie etwas früher und bei kleineren Leistungen etwas später.
Mit dem OP U1C können wir eine minimale Vorwärtsleistung einstellen, die vorhanden sein muss,
bevor der SWR-Schutz reagiert. Ist die Vorwärtsleistung kleiner, als die mit R16 eingestellte
Schwelle, so ist der Ausgang des OP's auf 15V und somit leitet FET J1. Wenn dieser FET leitet, wird
verhindert, das FET J2 aufgrund eines zu hohen SWR zu leiten beginnt. Wir haben die
Einschaltschwelle auf 50W eingestellt. Das Monoflop IC1B ist so eingestellt, dass bei einer fallenden
Flanke an Eingang B, am Ausgang Q ein etwa 10s langer High-Pulse erscheint, mit dem der NPN-
Abschalt-Transistor der Bias-Schaltung angesteuert wird.
Nicht ideal an dieser Schaltung ist, dass die SWR-Detektor-Ausgangsspannung für die
Vorwärtsleistung die Rückwärtsleistung auch enthält. Mit unserer Schaltung wird der SWR mit
dieser Spannung detektiert, anstatt nur mit der Vorwärtsleistung alleine. Sollte später mal ein eigener
SWR-Detektor gebaut werden, so kann aber darauf noch Rücksicht genommen werden.

9.2 Messresultate
Um die Reaktionszeit des SWR-Schutzes bestimmen zu können, müssen wir am Ausgang des
Verstärkers etwa ein SWR von 3:1 einstellen können, um auch festzustellen, ob er richtig reagiert.
Am einfachsten geht das mit einem 3dB-Abschwächer, der ohne Abschluss an den Ausgang
angeschlossen wird. Da es aber nicht so einfach ist, einen 3dB-Abschwächer für so grosse
Leistungen zu bekommen, haben wir uns mit einem Trick geholfen. Denselben Effekt kann man mit
einem 50 Ω Koaxialkabel erzielen, dass nicht abgeschlossen ist. Es muss ungefähr λ / 4 lang sein,
damit der Leerlauf zu einem Kurzschluss transformiert wird. Natürlich muss der Verkürzungsfaktor
der mechanischen Länge auch berücksichtigt werden. Durch anstecken von BNC Verlängerungen
kann man dann noch genau abgleichen, bis sich der gewünschte SWR einstellt.
Die Messungen haben gezeigt, dass der SWR-Schutz die HF am Ausgang innerhalb von nur 30us
abschalten kann. Das ist fast ein Faktor 10 schneller, als die thermische Zeitkonstante des Transistor-
die's, die wir nach [HPP97], Part 3, Seite 6 wie folgt berechnet haben.

Thermische Zeitkonstante für Siliziumtransistoren:

2 2
 2 ⋅ F   ρ ⋅ C   2 ⋅ 0.025   2.328 ⋅ 0.7 
t=  ⋅ =  ⋅  = 275us
 π   σ   π   1.5 

F = die thickness, also die Dicke des Siliziumwafers, ca. 0.025cm


ρ = Dichte [g/cm3]
σ = Thermische Leitfähigkeit [W/cm ⋅ °C ]
C = Wärmekapazität [J/g ⋅ °C ]
VSWR Schutzschaltung - 60 -

Der SWR-Schutz reagiert also genügend schnell, um bei einer Fehlanpassung den Verstärker
abzuschalten und vor thermischer Überlastung zu schützen.
Weitere Informationen zum Thema SWR-Detektoren findet man in:

• [Hag86] Hagen S.160-165


• [Bre91] Power Amp Handbook S.53-56

Die gesamte SWR-Schutzschaltung wurde auch mit PSpice V9.0 simuliert. Die Dateien befinden
sich auf der beigelegten CD. Die Evaluation-Version von Pspice genügt jedoch nicht, da mehr als 64
Nodes benötigt werden. Man könnte die Schaltung eventuell auch aufteilen und nur einzelne Teile
simulieren.
Die Datenblätter der verwendeten Elemente sind im Anhang zu finden.
Temperaturbetrachtungen am Verstärkeraufbau - 61 -

10 Temperaturbetrachtungen am Verstärkeraufbau

Bei unserem Verstärker muss eine maximale Verlustleistung von 300W abgeführt werden können.
Diese Verlustleistung wird in Form von Wärme durch die Transistoren abgegeben und muss
möglichst gut weggeführt werden, da die Transistoren ansonsten zu heiss werden und zerstört
werden können. Um das zu vermeiden wollen wir einige Temperaturbetrachtungen durchführen.
Schematisch sieht der Verstärkeraufbau wie folgt aus:

Transistor Transistor -Flansch

Silikonöl

Silikonöl
Kupferplatte
Kühlkörper

Transistor-Flansch Kühlkörper

Transistor

Kupferplatte

Der Eingangs- und Ausgangsprint wurden der Einfachheit weggelassen. Die Kupferplatte dient uns
einerseits zur Montage der Prints, andererseits verteilt sie aber auch die vom Transistor erzeugte
Wärme besser auf den Kühlkörper, als ohne. Obwohl die Kupferplatte eigentlich einen zusätzlichen
Wärmewiderstand darstellt, wird der totale Wärmewiderstand durch die Wärmeverteilung kleiner.
Ausführliche Untersuchungen zu diesem Effekt findet man in [TN141]. Dort wird empfohlen eine
Kupferplatte von 5-12mm Dicke zu verwenden. Die Länge und Breite sollen so gewählt werden,
dass mindestens 2.5cm Kupfer über den Transistorflansch hinaus vorhanden ist. Wir haben eine 6mm
Dicke Kupferplatte verwendet, die zweite Bedingung erfüllen wir mit unserem Aufbau bei weitem.
Um die Temperaturübergänge klein zu halten, sollte Silikonöl zwischen allen Übergängen verwendet
werden. Weiter muss darauf geachtet werden, dass der Transistor auf eine flache (±5um)
Kontaktfläche geschraubt wird. Der Anpressdruck der Schrauben spielt ebenfalls eine Rolle auf den
Wärmeübergangswiderstand. Richtwerte finden sich ebenfalls in [TN141].
Temperaturbetrachtungen am Verstärkeraufbau - 62 -

10.1 Theoretischer Wärmetransport

Beim Wärmetransport über die Wärmeleitung wird Wärmeenergie innerhalb eines Körpers
weitergeleitet. An Stellen höherer Temperatur besitzen die Moleküle mehr Energie und übertragen
einen Teil davon auf die Nachbarmoleküle geringerer Energie. Dies führt zu einem Temperaturabbau
über dem Körper. Die transportierte Wärmemenge berechnet sich zu:

T1 T2

λ ⋅ A ⋅ t ⋅ ∆T Q
Q=
l
A
l

Dabei sind:
Q transportierte Wärmemenge [J]
A Querschnittsfläche des Leiters [m2]
t Zeit, Dauer der Wärmeleitung [s]
∆T Temperaturdifferenz [K]
l Länge des Wärmeleiters [m]
λ Wärmeleitfähigkeit des Materials [W/m·K]
Q
Den Quotienten bezeichnet man als Wärmestrom φ [W]
t
Zwischen der Wärmeleitung und der elektrischen Leitung besteht ein formaler Zusammenhang, der
die Berechnung des Wärmetransports vereinfacht oder zumindest überschaubar macht.
l
Für den elektrischen Widerstand gilt R = mit κ elektrische Leitfähigkeit.
κ⋅A
Entsprechend definiert man den Wärmewiderstand Rth

l
R th =
λ⋅A

und erhält damit analog zum Ohmschen Gesetz I=U/R das Ohmsche Gesetz der Wärmelehre:

φ
Der Wärmewiderstand kann sich aus mehreren
∆T Einzelwiderständen zusammensetzen. Besteht der
∆T Rth φ= Wärmeleiter aus verschiedenen Schichten
R th unterschiedlichen Materials, so erhält man den
Gesamtwiderstand durch Reihenschaltung der
einzelnen Wärmewiderstände.
Temperaturbetrachtungen am Verstärkeraufbau - 63 -

10.2 Berechnungen
Wir wollen nun ein konkretes Ersatzmodell des Wärmeüberganges vom Transistor auf den
Kühlkörper betrachten, um ungefähr abschätzen zu können, wie heiss der Transistor im Innern wird.
Zulässig ist eine Junction-Temperatur von max. 200Grad. Eine Analyse des Verstärkeraufbaus führt
zu folgendem Ersatzschema:

PD
Übergang Länge l Wärmeleitfä Fläche A Wärmewide
ϑj higkeit λ rstand
Rth JC Junction-Case 0.35 K/W

Rth Silikonöl Wärmeleitpaste 0.05⋅10-3m ≈2 W/m⋅K 315⋅10-6 m2 ≈0.1K/W

Rth Cu Kupfer-Platte 5⋅10-3m 384 W/m⋅K ≈300⋅10-6 m2 ≈0.05K/W

Rth Paste Wärmeleitpaste 0.05⋅10-3m ≈2 W/m⋅K 8.5⋅10-3 m2 ≈0.1K/W

Rth Kühlkörpe Kühlkörper 0.42 K/W

ϑA

Mit den Formeln aus dem vorhergehenden Kapitel, können wir nun eine grobe Abschätzung der
Verhältnisse an unserem Aufbau machen. Die Werte sind nur als Richtgrössen zu betrachten, da wir
keine genaue Daten der Transistoren kennen. In Wirklichkeit ist der Wärmewiderstand Junction-
Case auch noch von der Case-Temperatur selber abhängig und auch die Werte der restlichen
Wärmewiderstände sind noch von anderen Parametern abhängig. Ausführliche Betrachtungen sind in
[HPP97], [TN141] und [Poly7] zu finden. Um genaue Berechnungen nach deren Ausführungen
durchzuführen, fehlen uns jedoch die genauen Angaben der Transistor-Hersteller. Man könnte den
Wärmewiderstand auch durch eine Messung bestimmen, dazu müsste man den Transistor jedoch im
Arbeitspunkt betreiben, was für uns jedoch nicht in Frage gekommen ist, weil wir zu Anfang die
Stabilität des Verstärkers noch nicht gewährleisten konnten und gegen Ende, als der Verstärker kurz
lief, die Zeit für Temperaturmessungen fehlte.
Wir machen also eine grobe Abschätzung, um zu garantieren dass die max. Junction Temperatur
nicht überschritten wird:
Wenn wir eine Junction-Temperatur von 200 Grad zulassen, darf das Case des Transistors höchstens
95Grad heiss werden, was einen Wärmewiderstand vom Case zum Kühlkörper von maximal
0.25K/W voraussetzt. Dieser Wert wird mit obiger Anordnung bereits überschritten, so dass eine
Kühlung des Verstärkers mit Lüftern unabdingbar ist. In [Poly7] wird angegeben, dass der
Wärmewiderstand eines ähnlichen Kühlkörpers etwa um den Faktor 4 verringert werden konnte. Der
Luftfluss muss gegen die Kühlrippen gerichtet sein, um die beste Kühlung zu erreichen. Mit dem
Einsatz von Lüftern kann also gewährleistet werden, dass der Transistor nicht zu heiss wird.
Evaluation Netzteil - 64 -

11 Evaluation Netzteil

Um den 300W Verstärker mobil ( netzunabhängig ) betreiben zu können, wird ein Schaltregler
benötigt, welcher die Betriebsspannung von 50VDC bereitstellt. Da unser Verstärker etwa einen
Wirkungsgrad von 60% erreichen wird, muss ihm bei 300W Ausgangsleistung rund 500W zugeführt
werden.
Da jedoch ein SSB modulierter Sender aufgrund der Signaleigenschaften nicht immer die maximale
Leistung benötigt, reduziert sich die mittlere Leistung leicht. Wie wir von versierten Amateurfunkern
in Erfahrung bringen konnten, erreichen moderne SSB Sender mit Dynamikkompression jedoch eine
durchschnittliche Ausgangsleistung von etwa 80% der Maximalleistung.
Damit würde eine 400W Speisung genügen. Da diverse Hersteller von HF-Verstärkern über das
Internet derartige Speisegeräte anbieten, und keine sehr grosse Auswahl in der Leistung besteht, ist
man am besten beraten, ein 500W Speisegerät zu erwerben, womit auch auf dem Feld eine
Zweitonmessung sicher durchführbar ist, falls entsprechenden Messmittel verfügbar sind.
Ohne Dynamikkompression benötigt ein SSB Sender gemäss QEX November/Dezember 1999 eine
Durchschnittliche Leistung von nur gerade 25% der Maximalleistung. Falls sich jemand einen 300W
Verstärker kauft, kann jedoch davon ausgegangen werden, dass er auch über einen moderneren
Sender mit Dynamikkompression verfügt und somit mit 80% gerechnet werden kann.
Es muss beachtet werden, dass bei 400W aufgenommener Leistung und einem Wandlerwirkungsgrad
von 90% von der Fahrzeugstromversorgung bei 12V um die 40A Strom zur Verfügung gestellt
werden müssen.
Da die Bordspannung jedoch meist höher ist und bei handelsüblichen Schaltreglern auf 13.8V
spezifiziert wird, reduziert sich dieser Wert entsprechend. Da jedoch noch immer über 30A
aufgenommen werden, muss überprüft werden, ob die Anschaffung eines neuen Alternators in
Erwägung gezogen werden muss.
Hinweise zu den Protel-Layouts - 65 -

12 Hinweise zu den Protel-Layouts

Diese Hinweise sollen lediglich Nachfolgeprojekten helfen, sich ein bisschen zu orientieren.
Sämtliche Layouts und Schemas wurden mit Protel 99SE gezeichnet. Sie sind auf der CD im File
300W-Verstärker.Ddb zu finden. Dies ist die Projektdatei in der Protel sämtliche Dokumente
gespeichert hat. Es folgt eine Darstellung der verschiedenen Dokumente, wie sie im Protel Projekt-
Explorer erscheinen:

¾ Zum Eingangs- und Output-Print existieren keine Schemas. Sie wurden manuel im Protel PCB
geroutet. Wenn man Änderungen an den Prints machen will, muss man wissen, dass die
Polygonflächen mit unterschiedlichen Layer-Clearance-Einstellungen gemacht wurden und man
sich diese immer genau überlegen muss, um die richtigen Abstände zwischen den Leiterplatten
zu erhalten.

¾ Zum Bias-Schema existiert kein PCB-File. Es wurde auch manuell im Eingangsprint geroutet.

¾ Das VSWR-Schutz Schema korrespondiert mit dem VSWR-Schutz-Print, d.h. der Netlist-
Austausch funktioniert.
Literaturverzeichnis - 66 -

13 Literaturverzeichnis

[Fun98] RF transmitting transistors and power amplifier fundamentals, Philips SC19, 1998, 75 Seiten
Gibt eine umfassende Einführung bezüglich Transistortypen, elementare Transistorparameter,
Biasing, Betriebsklassen (A-E), Intermodulation, Anpassungstechniken (HF bis UHF), Einsatz von
Hybriden, Wärmeverteilung und praktischem Schaltungsaufbau. Ein gelungenes Werk, das auch
dem Fachmann empfohlen werden kann.

[Dub00] Combiners, Couplers and Hybrids: A Case-Study Part 1, Dubus Vol.29 (1/2000), 27 Seiten
Ein Grobüberblick, was das Zusammenschalten und Koppeln von Transistoren und Verstärkern
anbelangt. Sehr informativ und aktuell. Enthält einige praktische Anwendungen von Kopplern und
Combinern.

[Dub90] Optimum Bias Circuit for Linear Power Transistors, Dubus (4/1990), Seite 51-53, Manfred
Kurock
Vergleicht verschiedene Bias-Schaltungen mit Temperaturkompensation. Enthält auch ein Beispiel
mit dem Regler-IC LM723.

[Cri98] RF power amplifiers for wireless communications, Steve C. Cripps, Artech House, 1999, 337
Seiten
Ein sehr allgemein gehaltenes Werk mit viel Praxisbezug. Es beherbergt eine Unmenge an
Insiderwissen, welche klar verständlich und gut illustriert von elementaren Anpassungstechniken
bis hin zu modernen Modulationstechniken alles für den Verstärkerbau wesentliche dokumentiert.

[Bes86] RF CIRCUIT FUNDAMENTALS, Les Besser, 1986, 200 Seiten


Verhalten diskreter Elemente bei hohen Frequenzen und deren Ersatzschaltbilder, Grundlagen und
Tricks der Impedanzanpassung, Umgang mit dem Smith-Chart, Design linearer Verstärker mittels
S-Parameter Methoden, diverse Beispiele mit EEsof Touchstone, Theorie und Berechnung von
Streifenleitungen.

[HPP97] High-Frequency Transistor Primer, 1997, HP,


http://www.semiconductor.agilent.com/rf/app_index.html
Part 1 (11 Seiten): Schnellabklatsch der BJT Eigenschaften. Besser beschrieben in [Fun98].
Part 2 (13 Seiten): Rausch und Stabilitätsanalyse.
Part 3 (46 Seiten): Eingehende Analyse der thermischen Eigenschaften und Zeitkonstanten von
Transistoren und Messmethoden zur Bestimmung derselben. Sehr viel Theorie, etwas für Insider.

[ECO07] Design of HF wideband power transformers, Philips 1998, ECO6907, 22 Seiten


Part 1 (22 Seiten): Eine Übersicht der am häufigsten eingesetzten Leitungstransformatoren sowie
deren leitungstheoretische Behandlung (sieht man selten, vergleiche [Sch77]). Betrachtung einiger
Ferritmaterialien und Koaxialkabel auf deren Einsatzgebiete (Leistungs- und Frequenzbereich).
Part 2 (9 Seiten): Das Augenmerk dieses Artikels gilt dem konventionellen Transformator. Es wird
ein Ersatzmodell mit div. Kompensationsschaltungen dafür entworfen und das Ganze an einem
Beispiel demonstriert.

[Blair] Biasing LDMOS FETs for Linear Operation, Cindy Blair, Ericsson RF Power Products, 3 Seiten
Stellt verschiedene Arten der Temperaturkompensierung einander gegenüber.

[Coe01] Considerations on efficiency of the RF power transistors in the different classes of operation,
Philips Technical Puplication COE82101, 7 Seiten
Zeigt die Grenzen der verschiedenen Betriebsklassen im Bezug auf den maximalen Wirkungsgrad.
Vertiefung von [Fun98].
Literaturverzeichnis - 67 -

[TN141] Thermal aspects of flange-mounted r.f. power transistors, Philips 1998, TN14161, 20 Seiten
Gibt wichtige Hinweise für die korrekte Montage der Transistoren, um die Verlustleistung optimal
abzuführen. Ebenfalls wird der minimal nötige physikalische Hintergrund dieser Problematik
geliefert. Eine noch gründlichere Studie, welche auch noch die Messtechnik berücksichtigt findet
sich in [Fun98].

[Mic80] Three Balun Designs For Push-Pull Amplifiers, Microwaves, Juli 1980, S.46-52
Dieser Bericht enthält Informationen über die Funktionsweise von Balanced to Unbalanced
Transformatoren in koaxialer oder mikrostrip Bauweise. Zusätzlich werden noch einige
Messverfahren vorgestellt, um die Transformatoren auch sinnvoll ausmessen zu können.

[NCO86] A wideband power amplifier (25-110MHz) with the MOS transistor BLF245, Philips 1998,
NCO8602, 14 Seiten

[ECO77] Power transformers for the frequency range of 30 - 80 MHz, Philips 1998, ECO7703, 7 Seiten
Eingehende Studie über die Transformatordimensionierung für eine bestimmte Leistung.

[Sev96] Transmission Line Transformers, Jerry Sevick, Noble Publishing, 3rd ed., 1996, ISBN 1-884932-
66-5
Ein sehr praxisorientiertes Werk über den Bau von Breitband-Transformatoren. Eine Sammlung
von bewährten Konzepten für den HF und den unteren VHF Bereich mit anschaulichen
Ersatzmodellen. Leider etwas veraltet und unakademisch. Als Ergänzung kann [Dub00] und
[ECO07] empfohlen werden.

[Sev93] Design and Realization of Broadband Transmission line Transformers, Jerry Sevick, IEEE
Standards Press, Institute of Electrical Engineers, 1993, ISBN 1-55937-382-2

[Rut59] Some broadband transformers, C. L. Ruthroff, 1959, Bell Telephone System, IRE, vol.47, S.1-6

[Eww94] Using RF Transistors, Electronics World + Wireless World, Juli 1994


Interessante Betrachtungen zum Transmission Line Transformer (parallel Segment Transformator),
sowie Diskussion einiger weiterer interessanter Breitbandtransformatoren.

[Sch77] Breitbandverstärker mit Ringkernbreitbandtransformatoren, Niklaus Schmid, 1977


Theoretische Betrachtungen des Modells von Ruthroff, ergänzt mit einigen hilfreichen
messtechnischen Aspekten. Zu theoretisch, in den wenigen Grafiken finden sich jedoch einige
interessante Zusammenhänge, die man sich kurz ansehen sollte.

[Pit68] Broadband transformer design for RF transistor power amplifiers, Octavius Pitzalis, 1968
Electronic Components, p. 207-216

[Fmp84] Breitbandtransformatoren mit Leitungen, Konrad Hupfer, aus Fernmelde-Praxis 2/1984, S.41-51

[AN031] Wideband 300W push-pull FM amplifier using BLV25 transistors, Philips AN98031, 30 Seiten
Diese Application Note beschreibt den Aufbau eines FM PA in Klasse B. Als
Transformationselemente werden ausschliesslich Transmission Lines in Verbindung mit Stripline
Technik und passiven Komponenten verwendet. Es werden verschiedene Methoden kurz erläutert,
welche den praktischen Aufbau des PA erleichtern (kürzen der Tline Länge im unteren VHF
Bereich, Biaseinspeisungen).

61
TN = Technical Note
Literaturverzeichnis - 68 -

[AN032] Combining units for a 1 kW wideband HF amplifier, Philips AN98032, 9 Seiten


Ein konkretes Beispiel, wie vier 300W Solid State Verstärker zu einem 1kW Verstärker zusammen
geschaltet werden können, inklusive Messergebnisse (VSWR sowie Intermodulation).

[AN034] Behaviour of Circulators under practical conditions, Philips AN98034, 21 Seiten


Da praktische Ausführungen von Zirkulatoren sich nicht ideal verhalten (Anpassungsprobleme
etc.) liefert diese AN den Hintergrund, welche Parameter welche Eigenschaften beeinflussen. Ein
sehr theoretischer Artikel, der einiges an Vorkenntnissen voraussetzt und erst für eine konkrete
Fragestellung herangezogen werden sollte.

[AN035] Circulators and Isolators, unique passive devices, Philips AN9803562, 30 Seiten
Stellt die verschiedenen Arten von Zirkulatoren und Isolatoren, sowie deren Anwendung vor.
Obwohl sich dieser Artikel hauptsächlich dem UHF und Mikrowellenbereich widmet, sind die
theoretischen Grundlagen 1:1 in den VHF Bereich übersetzbar. Es wird auch aufgezeigt, auf
welche Arten mehrere Einzelverstärker kombiniert werden können und welche vor und Nachteile
sich daraus ergeben.

[AN1643] RF LDMOS Power Modules for GSM Base Station Application: Optimum Bias Circuit, Julie
Duclercq and Olivier Lembeye, 1998, Motorola Application Note AN1643/D
Temperaturkompensierte Bias-Schaltung mit einer Diode als thermischer Sensor.

[AN758] A TWO-STAGE 1kW SOLID-STATE LINEAR AMPLIFIER, Helge O. Granberg, 1993, Motorola
Application Note AN758/D, 8 Seiten.
Beispiel einer Temperaturstabilisierten Bias-Schaltung für Bipolar-Transistoren. Verwendet wird
als Regler-IC ein LM723.

[Bäc98] Lineare Elemente der Höchstfrequenztechnik, Werner Bächtold, vdf Hochschulverlag AG an der
ETH Zürich, 2., überarbeitete Auflage, 1998. ISBN 3-7281-2611-X.

[Hag86] Radio Frequency Electronics : Circuits And Applications, John B. Hagen, Cambridge University
Press, 1996, ISBN 0-521-55356-3

[Bre91] Power Amplifier Handbook, Gary A. Breed, Cardiff Publishing Company, 1991 ( Englewood,
Colorado 80111, 6300 S.Syracuse Way, Suite 650 )

[Gra87] Building Push-Pull Multioctave VHF Power Amplifiers, H.O.Granberg, Hayden Publishing Co.
Inc. , Motorola Semiconductor Products Sector, 1987 (mitgeliefert zum Bausatz AR305)

[Kra91] Electromagnetics International Edition, John D.Kraus, McGraw-Hill, 4.ed.1991, ISBN 0-07-
112666-X

[QEX99] QEX: Forum for Communications Experimenters, QEX (November/Dezember), ARRL (American
Radio Relay League), 1999

[AWR99] Microwave Office 2000 Reference Guide, Applied Wave Research 1999

[Poly7] Power RF MOSFET Transistors, Polyfet RF Devices, http://www.polyfet.com

62
AN = Application Note
Links - 69 -

14 Links

RF Verstärker Seiten :
Alpha Power Amplifiers http://www.alpha-power-inc.com/
Ameritron Power Amplifiers http://www.ameritron.com/ameritron.html
Power Amplifiers http://www.comtechpst.com/
HF Endstufen http://www.kwik-net.nl/users/twilight/eindtrap.htm
Hy Gain Products http://www.hy-gain.com/prods.htm
Micro Precision RF-Amplifiers (Base Station) http://www.micropt.com/lna.html
Mirage Amplifiers http://www.mirageamp.com/amplifiers/amplifiers.html
RF Power Systems http://rfpowersystems.com/index.htm

Divider / Combiner :
Wilkinson Power Divider / Combiner http://www.engineering.usu.edu/classes/ece/6130/LECTUR
E/lecture.html
Wilkinson Power Divider EM Sight Example http://appwave.com/EMSwilkinson.htm

Bücher :
UHF Related Books http://www.arrl.org/catalog/
RF Design Article Index http://www.rfdesign.com/artindex.htm
RF Topics http://sss-mag.com/rftopics.html

Lieferanten von Bauteilen :


Beko Elektronik Lieferprogramm http://www.beko.cc/lieferprogramm.htm
RF Companies http://www.zettweb.com/semiconductors/index.html
Communication Concepts (Motorola) http://www.communication-concepts.com/
Tactron Elektronik GmbH http://www.tactron.de/

Allgemein :
RF Suchmaschine http://www.irational.org/
Simmons Communications http://www.simmonscom.com/

Software :
Aplac Student Version http://www.aplac.hut.fi/aplac/version/win95nt.html
PD Software http://sss-mag.com/swindex.html
AWR Software http://www.appwave.com/
MWO Download http://www.appwave.com/mw_form.htm
ARRL Radio Designer Software https://www.arrl.org/cgi-bin/olcat/order?item=6796
Super Compact License http://www.comsoft.com/get_eval/get_eval.htm

Modelle :
S-Parameter ftp Verzeichnis ftp://195.243.137.70/EHDATA/SPAR/
Intusoft Spice Models http://www.intusoft.com/models/total2.txt
Motorola RF Design Tools (MIMP etc.) http://mot-sps.com/rf/designtds/designtd.html
Motorola S-Parameter (RF Power FET) http://www.mot-sps.com/rf/designtds/sparam/mrf141g-
24.html
Lieferanten - 70 -

15 Lieferanten

CCI: (Communication Concepts Motorola)


Bestellung: Email, Fax, Telephon
Bezahlung: Visa / Mastercard
Lieferung: Postal Air $15.00 ; EMS $25.00 ; UPS 2 Tage $48.00
Komponent: MRF151G $168.50

TACTRON ELEKTRONIK GmbH:


Einsteinstr. 35
82152 Martinsried
Bestellung: Email
Bezahlung: 30 tage netto
Bindefrist: 30 tage
Komponent: SR746 Polyfet Transistor DM 450.-
Lieferanten von Power MOSFET:

Hitachi: www.hitachi.co.jp/Sicd/English/Products/prodlist/7450e.htm
Fast nur für GSM, Hochspannung und Automobilindustrie.
Komponent: 2SK1575 220 Watt 80VDC 190MHz

Ericsson: www.ericsson.se/rfpower/products/index.html
Nur Power FET für Frequenzen über 500MHz (GSM). Application Notes zu diversen Themen.

Siliconix:
Vor allem klein Signal FET's und Mixeranwendungen. Dafür RF-Kondensatoren für fast alle Anwendungen.

Philips:
Diverse Application Notes (geniale Endstufen, etc.)
Zirkulatoren (Theorie und Beispiele)
Spice Modelle (einige Transistoren vorhanden (VHF) BLF177 150W.

Huber + Suhner
Semirigid Koaxialkabel EZ86 Durchmesser 2.2mm P144MHz=600W
Zeiteinteilung - 71 -

16 Zeiteinteilung

Bearbeiter Arbeit 1.Woche 2.Woche 3.Woche 4.Woche 5.Woche 6.Woche


Reimann Thermische Unters.

Fischer Arbeitspunkt

Fischer Anpassnetzwerk

Reimann Bias
- Speisung
- Temp.kompensation
Reimann Design
- Layout
- Aufbau, Kühlkörper
Reimann SWR Schutz
- Theorie
- Aufbau
Fischer Komponenten
- C’s
- Trafos
Fischer Messungen
- Inbetriebnahme
- Aufbau
- Abgleicharbeiten
Beide Dokumentation

Ein Abstract zu unserer Arbeit ist unter folgender Internetadresse gespeichert:


www.fh-aargau.ch/e/ea97fisc/amp300w/amp300w.htm

Windisch, 1. Dezember 2000

Marcel Fischer Daniel Reimann


Anhang - 72 -

17 Anhang