IRL 81 A

GaAlAs-Infrarot-Sendediode IRL 81 A
GaAlAs Infrared Emitter

feof6461
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Wesentliche Merkmale Features

● GaAIAs-Lumineszenzdiode im nahen ● GaAIAs infrared emitting diode in the near
Infrarotbereich infrared range
● Klares Kunststoff-Miniaturgehäuse, ● Clear plastic package with lateral emission
seitliche Abstrahlung ● Cost-effective
● Preisgünstig ● Long-term stability
● Lange Lebensdauer ● Wide beam (± 25°)
(Langzeitstabilität) ● Matches phototransistor LPT 80 A
● Weiter Öffnungskegel (± 25°)
● Passend zu Fototransistor LPT 80 A

Anwendungen Applications
● Fertigungs- und Kontrollanwendungen ● For a variety of manufacturing and
der Industrie, die eine Unterbrechung monitoring applications which require beam
des Lichtstrahls erfordern interruption
● Lichtschranken ● Light barriers

Typ Bestellnummer
Type Ordering Code
IRL 81 A Q68000-A8000

Semiconductor Group 1 10.95

 IRL 81 A

Grenzwerte (TA = 25 °C)

Maximum Ratings

Bezeichnung Symbol Wert Einheit

Description Symbol Value Unit
Betriebs- und Lagertemperatur Top; Tstg – 40 ... + 100 °C
Operating and storage temperature range
Sperrspannung VR 5 V
Reverse voltage
Durchlaßstrom IF 100 mA
Forward current
Verlustleistung Ptot 200 mW
Power dissipation
Verringerung der Verlustleistung, TA > 25 °C 1.33 mW/°C
Derate above, TA > 25 °C
Wärmewiderstand RthJA 375 K/W
Thermal resistance

Kennwerte (TA = 25 °C)

Characteristics

Bezeichnung Symbol Wert Einheit

Description Symbol Value Unit
Wellenlänge der Strahlung bei Imax λpeak 880 nm
Wavelength of peak emission
Spektrale Bandbreite bei 50 % von Imax ∆λ 36 ... 44 nm
Spectral bandwidth at 50 % of Imax
Abstrahlwinkel ϕ ± 25 Grad
Half angle deg.
Durchlaßspannung, IF = 20 mA VF 1.5 (≤ 2.0) V
Forward voltage
Strahlstärke1), IF = 20 mA Ie ≥ 1.0 mW/sr
Radiant intensity
Gesamtstrahlungsfluß, IF = 20 mA Φe 1.5 mW
Total radiant flux

1)
Ein Silizium-Empfänger mit radiometrischem Filter und mit 1 cm2 strahlungsempfindlicher Fläche wird nach
der mechanischen Achse der Sendediode ausgerichtet. Es wird eine Lochblende verwendet.
1) A 1 cm2 silicon detector with radiometric filter is aligned with the mechanical axis of the DUT. An aperture is
used.

Semiconductor Group 2
 IRL 81 A

Relative spectral emission Max. forward current Forward current

Irel = f (λ) IF = f (TA) IF = f (VF)

Directional characteristics Irel = f (ϕ)

Semiconductor Group 3