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N Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module TT61N
TT61N TD61N DT61N
TT61N...-K TD61N...-A DT61N...-K
5555Kenndaten

Elektrische Eigenschaften
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max VDRM,VRRM 1200 1400 V
repetitive peak forward off-state and reverse voltages 1600 V

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max VDSM 1200 1400 V


non-repetitive peak forward off-state voltage 1600 V

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung Tvj = +25°C... Tvj max VRSM 1300 1500 V


non-repetitive peak reverse voltage 1700 V

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert ITRMSM 120 A


maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom TC = 85°C ITAVM 60 A
average on-state current TC = 76°c 76 A
Stoßstrom-Grenzwert Tvj = 25 °C, tP = 10 ms ITSM 1550 A
surge current Tvj = Tvj max, tP = 10 ms 1400 A
Grenzlastintegral Tvj = 25 °C, tP = 10 ms I²t 12000 A²s
I²t-value Tvj = Tvj max, tP = 10 ms 9800 A²s
Kritische Stromsteilheit DIN IEC 747-6 (diT/dt)cr 150 A/µs
critical rate of rise of on-state current f = 50 Hz, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
Kritische Spannungssteilheit Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM (dvD/dt)cr
critical rate of rise of off-state voltage 6.Kennbuchstabe / 6th letter F 1000 V/µs

Charakteristische Werte / Characteristic values


Durchlaßspannung Tvj = Tvj max , iT = 300 A vT max. 1,9 V
on-state voltage
Schleusenspannung Tvj = Tvj max V(TO) 0,8 V
threshold voltage
Ersatzwiderstand Tvj = Tvj max rT 3,4 mΩ
slope resistance
Zündstrom Tvj = 25°C, vD = 6 V IGT max. 120 mA
gate trigger current
Zündspannung Tvj = 25°C, vD = 6 V VGT max. 1,4 V
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom Tvj = Tvj max , vD = 6 V IGD max. 5,0 mA
gate non-trigger current Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM max. 2,5 mA
Nicht zündende Steuerspannung Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM VGD max. 0,2 V
gate non-trigger voltage
Haltestrom Tvj = 25°C, vD = 6 V, RA = 5 Ω IH max. 200 mA
holding current
Einraststrom Tvj = 25°C, vD = 6 V, RGK ≥ 10 Ω IL max. 620 mA
latching current iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs, tg = 20 µs
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom Tvj = Tvj max iD, iR max. 20 mA
forward off-state and reverse current vD = VDRM, vR = VRRM
Zündverzug DIN IEC 747-6 tgd max. 3 µs
gate controlled delay time Tvj = 25 °C,iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs

prepared by: C.Drilling date of publication: 09.07.02


approved by: J. Novotny revision: 3

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Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module TT61N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM tq
circuit commutated turn-off time vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
5.Kennbuchstabe / 5th letter O typ. 120 µs

Isolations-Prüfspannung RMS, f = 50 Hz, t = 1 min VISOL 2,5 kV


insulation test voltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec 3,0 kV

Thermische Eigenschaftenpro Modul / per Module, Θ = 180° sin


Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand RthJC max. 0,26 °C/W
thermal resistance, junction to case pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin max. 0,52 °C/W
pro Modul / per Module, DC max. 0,25 °C/W
pro Zweig / per arm, DC max. 0,50 °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand pro Modul / per Module RthCH max. 0,08 °C/W
thermal resistance, case to heatsink pro Zweig / per arm max. 0,16 °C/W

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur Tvj max 125 °C


maximum junction temperature
Betriebstemperatur Tc op -40...+125 °C
operating temperature
Lagertemperatur Tstg -40...+130 °C
storage temperature

Mechanische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage Seite 3
case, see annex page 3
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation AlN
internal insulation
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse Toleranz / Tolerance ± 15% M1 4 Nm
mounting torque
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse Toleranz / Tolerance ± 10% M2 4 Nm
terminal connection torque
Steueranschlüsse DIN 46 244 A 2,8 x 0,8
control terminals
Gewicht G typ. 160 g
weight
Kriechstrecke 12,5 mm
creepage distance
Schwingfestigkeit f = 50 Hz 50 m/s²
vibration resistance
UL-gelistet file-No. E 83336
UL listed

Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Es gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.

This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.

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Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module TT61N

Maßbild
Maßbild

Maßbild

1 2 3 1 2 3 1 2 3
5 4 7 6 5 4 7 6

TT TD DT
1 2 3 1 2 3 1 2 3
4 5 7 6 5 4 7 6

TT-K TD-A DT-K

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Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module TT61N

R,T – Werte
Di
R,T-Werte Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC

Pos. n 1 2 3 4 5 6 7

Rthn [°C/W] 0,0218 0,0426 0,1886 0,2470

τn [s] 0,000945 0,01 0,31 1,762

n max

S
–t
Analytische Funktion / Analytical function: Z thJC = R thn 1 - e tn
n=1

Natürliche Kühlung / Natural cooling


3 Module pro Kühler / 3 modules per heatsink
Kühler / Heatsink type: KM14 (50W)

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thCA


Analytical elements of transient thermal impedance Z thCA

Pos. n 1 2 3 4 5 6 7

Rthn [°C/W] 0,007 0,191 0,142 2,12

τn [s] 0,858 6,07 47,7 917

Verstärkte Kühlung / Forced cooling


3 Module pro Kühler / 3 modules per heatsink
Kühler / Heatsink type: KM14 (Papst 4650N)

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thCA


Analytical elements of transient thermal impedance Z thCA

Pos. n 1 2 3 4 5 6 7

Rthn [°C/W] 0,007 0,191 0,142 0,570

τn [s] 0,858 6,07 47,7 247

nmax

S
–t
Analytische Funktion / Analytical function: Z thCA = Rthn 1 - e tn

n=1

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Phase Control Thyristor Module TT61N

0,800
Diagramme
Θ=
Trans. Wärmewiderstand bei Sinus 30°

0,600 60°
0° 180°
0 90°
Z(th)JC [°C/W]

120
180°

0,400

0,200

0,000
0,01 0,1 1 t [s] 10 100

Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm ZthJC = f(t)

Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current

Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ

Trans. Wärmewiderstand bei Rechteck


0,800
Θ=
30°

60°
90°
0,600 120°
0° 180°
0 180°
DC
Z(th)JC [°C/W]

0,400

0,200

0,000
0,001 0,01 0,1 t [s] 1 10 100

Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm ZthJC = f(t)

Rechteckförmiger Strom / Rectangular current

Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ

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120
Diagramme
180°
100 Durchgangsverluste bei Sinus 120°

0 180° 90°
60°
PTAV [W]

80
Q = 30°
60

40

20

0
0 20 40 ITAV [A] 60 80

Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PTAV = f(ITAV)


Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ

160 Durchgangsverluste bei Rechteck


DC
140

120 0°
0 180° 180°
120°
90°
100
60°
PTAV [W]

80 Q = 30°

60

40

20

0
0 20 40 60 80 ITAV [A] 100 120

Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PTAV = f(ITAV)


Rechteckförmiger Strom / Rectangular current Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ

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Phase Control Thyristor Module TT61N

140
Gehäusetemperatur bei Sinus
120 0° 180°
0
TC [°C]

100

80

60

Q = 30° 60° 90° 120° 180°


40

20
0 20 40 60 80
ITAVM [A]

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAVM)


Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
Gehäusetemperatur bei Rechteck
140

120 0° 180°
0
100
TC [°C]

80

60

40
Q = 30° 60° 90° 120° 180° DC

20
0 20 40 60 80 ITAVM [A] 100 120

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAVM)


Rechteckförmiger Strom / Rectangular current Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ

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Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module TT61N
500
RthCA [°C/W] ID
0,08 0,06 0,04 B2

Maximaler Strom bei B2 und B6


0,10
+
0,12 R-Last
400 R-load
0,15 ~
P tot [W]

0,20 L-Last
300 - L-load
0,25

0,30

200 0,40

0,60
0,80
100
1,20

0
0 20 40 60 80 100 120 0 50 100 150 200
T A [°C] I D [A]

Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID

B2- Zweipuls-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit

Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot

Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient RthCA

800
0,04 0,02 R thCA [°C/W] B6 ID

0,06 +

3~
0,08
600
0,10 -
P tot [W]

0,12

0,15
400
0,20
0,25
0,30
0,40
200
0,60
0,80

0
0 20 40 60 80 100 120 0 100 200
T A [°C] ID [A]

Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID

B6- Sechspuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit

Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot

Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient RthCA

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Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module TT61N
250
W 1C
0,20 0,15
~

200
0,25 Maximaler Strom bei W1C und W3C
R thCA [°C/W]
IRMS

0,30
0,35
0,40
150
0,50 ~
P tot [W]

0,70
100
1,00

1,50
50 2,00
3,00

0
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180
0 20 40 60 80 100 120 I RMS [A]
TA [°C]

Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS

W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit

Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot

Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäuse und Umgebung / Thermal resistance case to ambient RthCA

800
0,04 R thCA [°C/W] W 3C
~ ~ ~
IRMS
700
0,06

600 0,08

0,10 ~ ~ ~
500
P tot [W]

0,14
400
0,20
300 0,25
0,30

200 0,40
0,60

100 1,00
1,50

0
0 20 40 60 80 100 120 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180
T A [°C] I RMS [A]

Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS

W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit

Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot

Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient RthCA

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Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module TT61N
100

Steuercharakteristik

10
d
b c
vG [V]

Tvj = -40 °C
1
Tvj = +25°C
Tvj max = +125°C

0,1
1 10 100 1000 iG [mA] 10000 100000

Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 6 V


Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 6 V

Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) :

a - 40 W/10ms b - 80 W/1ms c - 100 W/0,5ms d – 150W/0,1ms


Zündverzug
1000

100
tgd [µs]

10

a
b
1

0,1
10 100 iGM [mA] 1000 10000

Zündverzug / Gate controlled delay time tgd = f(iG)

Tvj = 25°C, diG/dt = iGM/1µs

a - maximaler Verlauf / Limiting characteristic


b - typischer Verlauf / Typical characteristic

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Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module TT61N

10000

Sperrverzögerungsladung

iTM = 200A

1000 100A

50A

20A

100
1 10 -di/dt [A/µs] 100

Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)

Tvj = Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM

Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iTM

1.600 Grenzstrom
a
IT(OV)M [A]

1.400
TA = 35 °C
1.200

1.000
b
800

600 TA = 45 °C

400

200

0
0,01 0,1 t [s] 1

Grenzstrom / Maximum overload on-state current IT(OV)M = f(t), vRM = 0,8 VRRM

Leerlauf / No-load conditions

a: TA = 35°C, verstärkte Luftkühlung / Forced air cooling


b: TA = 45°C, natürliche Luftkühlung / Natural air cooling

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Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module TT61N
800

Überstrom
I TAV (vor) =
600 0A
5A
10 A
15 A
IT(OV) [A]

20 A
400 25 A

200

0
0,01 0,1 1 t [s] 10 100 1000 10000

Überstrom je Zweig / Overload on-state current IF(OV)

B6- Sechspuls-Brückenschaltung, 120° Rechteck / Six-pulse bridge circuit, 120° rectangular

Kühlkörper / Heatsink type KM14 (50W) Natürliche Kühlung bei / Natural cooling at TA = 45°C

Parameter: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm IFAV(vor)


800
I TAV (vor) =
0A
20 A
600 30 A
35 A
40 A
45 A
IT(OV) [A]

400

200

0
0,01 0,1 1 10 100 1000 10000
t [s]

Überstrom je Zweig / Overload on-state current IF(OV)

B6- Sechspuls-Brückenschaltung, 120° Rechteck / Six-pulse bridge circuit, 120° rectangular

Kühlkörper / Heatsink type KM14 (Papst 4650N) Verstärkte Kühlung bei / Forced cooling at TA = 35°C

Parameter: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm IFAV(vor)

BIP AC/ 16.05.2002; Drilling A 05/02 Seite/page 12/2


Nutzungsbedingungen
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