Technische Information / technical information

IGBT-Module
IGBT-Modules FS50R12KE3

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / electrical properties

Kollektor Emitter Sperrspannung
Tvj= 25°C VCES 1200 V
collector emitter voltage

Kollektor Dauergleichstrom Tc= 80°C IC, nom 50 A

DC collector current Tc= 25°C IC 75 A

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

tp= 1ms, Tc= 80°C ICRM 100 A
repetitive peak collector current

Gesamt Verlustleistung
Tc= 25°C; Transistor Ptot 270 W
total power dissipation

Gate Emitter Spitzenspannung

VGES +20 V
gate emitter peak voltage

Dauergleichstrom
IF 50 A
DC forward current

Periodischer Spitzenstrom
tp= 1ms IFRM 100 A
repetitive peak forward current

Grenzlastintegral
VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C I²t 700 A²s
I²t value

Isolations Prüfspannung
RMS, f= 50Hz, t= 1min. VISOL 2,5 kV
insulation test voltage

Charakteristische Werte / characteristic values

Transistor Wechselrichter / transistor inverter min. typ. max.

Kollektor Emitter Sättigungsspannung IC= 50A, VGE= 15V, Tvj= 25°C - 1,7 2,15 V
VCEsat
collector emitter saturation voltage IC= 50A, VGE= 15V, Tvj= 125°C - 2,0 - V

Gate Schwellenspannung
IC= 2,0mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C VGE(th) 5,0 5,8 6,5 V
gate threshold voltage

Gateladung
gate charge
VGE= -15V...+15V QG - 0,47 - µC

Eingangskapazität
input capacitance
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V Cies - 3,50 - nF

Rückwirkungskapazität
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V Cres - 0,13 - nF
reverse transfer capacitance

Kollektor Emitter Reststrom

VCE= 1200V, VGE= 0V, Tvj= 25°C ICES - - 5 mA
collector emitter cut off current

Gate Emitter Reststrom

VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C IGES - - 400 nA
gate emitter leakage current

prepared by: MOD-D2; M. Münzer date of publication: 2002-09-03

approved: SM TM; Robert Severin revision: 3.0

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IGBT-Module
IGBT-Modules FS50R12KE3

Charakteristische Werte / characteristic values

Transistor Wechselrichter / transistor inverter min. typ. max.

IC= 50A, VCC= 600V
Einschaltverzögerungszeit (induktive Last)
VGE= ±15V, RG= 18Ω, Tvj= 25°C td,on - 0,09 - µs
turn on delay time (inductive load)
VGE= ±15V, RG= 18Ω, Tvj= 125°C - 0,09 - µs
IC= 50A, VCC= 600V
Anstiegszeit (induktive Last)
VGE= ±15V, RG= 18Ω, Tvj= 25°C tr - 0,03 - µs
rise time (inductive load)
VGE= ±15V, RG= 18Ω, Tvj= 125°C - 0,05 - µs
IC= 50A, VCC= 600V
Abschaltverzögerungszeit (induktive Last)
VGE= ±15V, RG= 18Ω, Tvj= 25°C td,off - 0,42 - µs
turn off delay time (inductive load)
VGE= ±15V, RG= 18Ω, Tvj= 125°C - 0,52 - µs
IC= 50A, VCC= 600V
Fallzeit (induktive Last)
VGE= ±15V, RG= 18Ω, Tvj= 25°C tf - 0,07 - µs
fall time (inductive load)
VGE= ±15V, RG= 18Ω, Tvj= 125°C - 0,09 - µs

Einschaltverlustenergie pro Puls IC= 50A, VCC= 600V, Lσ= 70nH

Eon - 5,0 - mJ
turn on energy loss per pulse VGE= ±15V, RG= 18Ω, Tvj= 125°C

Ausschaltverlustenergie pro Puls IC= 50A, VCC= 600V, Lσ= 70nH

Eoff - 6,5 - mJ
turn off energy loss per pulse VGE= ±15V, RG= 18Ω, Tvj= 125°C

Kurzschlussverhalten tP ≤ 10µs, VGE ≤ 15V, TVj ≤ 125°C

ISC - 200 - A
SC data VCC= 900V, VCEmax= VCES - LσCE ·di/dt

Modulinduktivität
LσCE - 19 - nH
stray inductance module

Leitungswiderstand, Anschluss-Chip
Tc= 25°C RCC´/EE´ - 2,5 - mΩ
lead resistance, terminal-chip

Charakteristische Werte / characteristic values

Diode Wechselrichter / diode inverter

Durchlassspannung IF= 50A, VGE= 0V, Tvj= 25°C - 1,65 2,15 V
VF
forward voltage IF= 50A, VGE= 0V, Tvj= 125°C - 1,65 - V

IF= 50A, -diF/dt= 1900A/µs

Rückstromspitze
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C IRM - 67 - A
peak reverse recovery current
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C - 70 - A

IF= 50A, -diF/dt= 1900A/µs

Sperrverzögerungsladung
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C Qr - 5,6 - µC
recovered charge
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C - 9,9 - µC

IF= 50A, -diF/dt= 1900A/µs

Ausschaltenergie pro Puls
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C Erec - 2,2 - mJ
reverse recovery energy
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C - 4,1 - mJ

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IGBT-Module
IGBT-Modules FS50R12KE3

Charakteristische Werte / characteristic values

NTC-Widerstand / NTC-thermistor min. typ. max.
Nennwiderstand
Tc= 25°C R25 - 5 - kΩ
rated resistance

Abweichung von R100

Tc= 100°C, R100= 493Ω ∆R/R -5 - 5 %
deviation of R100

Verlustleistung
Tc= 25°C P25 - - 20 mW
power dissipation

B-Wert
R2= R1 exp[B(1/T2 - 1/T1)] B25/50 - 3375 - K
B-value

Thermische Eigenschaften / thermal properties

Innerer Wärmewiderstand; DC Transistor Wechelr. / transistor inverter - - 0,45 K/W

RthJC
thermal resistance, junction to case; DC Diode Wechselrichter / diode inverter - - 0,75 K/W

Übergangs Wärmewiderstand pro Modul / per module

RthCK - 0,02 - K/W
thermal resistance, case to heatsink λPaste= 1W/m*K / λgrease= 1W/m*K

Höchstzulässige Sperrschichttemp.
Tvj max - - 150 °C
maximum junction temperature

Betriebstemperatur
Tvj op -40 - 125 °C
operation temperature

Lagertemperatur
Tstg -40 - 125 °C
storage temperature

Mechanische Eigenschaften / mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage

case, see appendix

Innere Isolation
Al2O3
internal insulation

Kriechstrecke
10,0 mm
creepage distance

Luftstrecke
7,5 mm
clearence distance

CTI
225
comperative tracking index

Anzugsdrehmoment, mech. Befestigung

Schraube / screw M5 M 3 - 6 Nm
mounting torque

Gewicht
G 180 g
weight

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften
zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid with
the belonging technical notes.
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IGBT-Module
IGBT-Modules FS50R12KE3

Ausgangskennlinie (typisch) IC= f(VCE)

output characteristic (typical) VGE= 15V

100
90
Tvj = 25°C
80 Tvj = 125°C

70
60
IC [A]

50
40
30
20
10
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0
VCE [V]

Ausgangskennlinienfeld (typisch) IC= f(VCE)

output characteristic (typical) Tvj= 125°C

100
90 VGE=19V
VGE=17V
80 VGE=15V
70 VGE=13V
VGE=11V
60 VGE=9V
IC [A]

50
40
30
20
10
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
VCE [V]

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IGBT-Module
IGBT-Modules FS50R12KE3

Übertragungscharakteristik (typisch) IC= f(VGE)

transfer characteristic (typical) VCE= 20V

100
90
80 Tvj=25°C
Tvj=125°C
70
60
IC [A]

50
40
30
20
10
0
4 5 6 7 8 9 10 11 12
VGE [V]

Durchlasskennlinie der Inversdiode (typisch) IF= f(VF)

forward caracteristic of inverse diode (typical)

100
90
Tvj = 25°C
80 Tvj = 125°C

70
60
IF [A]

50
40
30
20
10
0
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
VF [V]

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IGBT-Module
IGBT-Modules FS50R12KE3

Schaltverluste (typisch) Eon= f(IC), Eoff= f(IC), Erec= f(IC)

Switching losses (typical) VGE=±15V, RG=18Ω, VCE=600V, Tvj=125°C

14

12 Eon
Eoff
Erec
10

8
E [mJ]

0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
IC [A]

Schaltverluste (typisch) Eon= f(RG), Eoff= f(RG), Erec= f(RG)

Switching losses (typical) VGE=±15V, IC=50A, VCE=600V, Tvj=125°C

14

12 Eon
Eoff
10 Erec

8
E [mJ]

0
0 10 20 30 40 50 60 70 80
RG [Ω]

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IGBT-Module
IGBT-Modules FS50R12KE3

Transienter Wärmewiderstand ZthJC = f (t)

Transient thermal impedance

1
ZthJC [K/W]

0,1
Zth : IGBT
Zth : Diode

0,01
0,001 0,01 0,1 1 10
t [s]

i 1 2 3 4
ri [K/W] : IGBT 5,077E-02 7,893E-02 2,032E-01 1,142E-01
τi [s] : IGBT 2,345E-03 2,820E-01 2,820E-02 1,128E-01
ri [K/W] : Diode 7,637E-02 4,933E-01 1,421E-01 4,501E-02
τi [s] : Diode 3,333E-03 3,429E-02 1,294E-01 7,662E-01

Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)

Reverse bias safe operation area (RBSOA) VGE=±15V, RG=18Ω, Tvj=125°C

125

100

75 IC,Chip
IC [A]

IC,Modul

50

25

0
0 200 400 600 800 1000 1200 1400
VCE [V]

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IGBT-Module
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Gehäusemaße / Schaltbild
Package outline / Circuit diagram

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