UNIVERSIDADE FEDERAL DE SERGIPE - UFS CENTRO DE CIENCIAS EXATAS E TECNOLOGIA - CCET DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELETRICA - DEL

LABORATORIO DE ELETRONICA No2

Fonte de Tenso Simtrica e Varivel a e a

Adonis Vieira de Andrade Antnio Renato C. Gonalves o c Fellipe Ferreira Barros Fillipe Levi G. Madureira

So Cristvo a o a 2010

Resumo
Neste relatrio foram discutidos e apresentados os passos para a confeco de uma o ca fonte de tenso que forneca de 0 a 12V e que atinja uma corrente mxima de 1A. a a Foram explicados tambm os tpicos toricos para o desenvolvimento do projeto, como: e o e Transformador, diodo, transistor e diodo zener (classe especial de diodo). Alm disso e e especicado ainda todas as contas de projeto feitas para a escolha de todos os componentes usados, salvo os escolhidos por algum embasamento terico tambm explicados ao decorrer o e do relatrio.No decorrer deste, ainda, exibido as tabelas com os resultados obtidos no o e teste da fonte (corrente e tenso) tanto como os custos de todas as fases do projeto. Por a m, mostrado a concluso com todas as consequencias e implicaes sobre o resultado e a co nal do projeto.

Palavras-chave: Fonte, transistor, regulador zener.

Introduo ca

As fontes de tenso tem uma aplicaao muito ampla na eletrnica, tanto comercial a c o como experimental. Com elas poss utilizar a rede eltrica domstica, que no Brasil e vel e e de 110V ou 220V em corrente alternada (CA), com a inteno de fornecer energia e ca para equipamentos eletrnicos ou circuitos experimentais que geralmente fazem uso de o uma tenso menor que a da rede e utilizam corrente cont a nua (CC) ao invs de corrente e alternada. A fonte descrita neste relatrio do tipo linear. Esse tipo de fonte constitu por o e e da basicamente 4 blocos de componentes eltricos: um transformador de fora, um circuito e c reticador, um ltro capacitivo e/ou indutivo e um regulador de tenso. Nela, a tenso a a alternada da rede eltrica aumentada ou reduzida por um transformador, reticada e e por diodos ou ponte de diodos reticadores para que somente os ciclos positivos ou os negativos possam ser usados, so ltrados para reduzir o ripple (ondulao) e nalmente a ca regulados pelo circuito regulador de tenso. Um esquema simplicado de uma fonte linear a pode ser visto na gura 1.

Figura 1: Esquema de uma fonte de alimentao cc ca Este projeto tem como objetivo implementar o circuito de uma fonte linear simtrica e e varivel mostrada em sala pelo professor Elyson Carvalho. Ele ser testado, melhorado a a

se necessrio e, enm, transferido para uma placa de circuito impresso da maneira mais a comercial poss vel.

1.1

Objetivos

Projetar uma fonte simtrica e varivel de zero a 12V e que fornea at 1A de e a c e corrente cont nua. Simular o circuito fornecido em um programa computacional. Identicar problemas na simulaao e poss c veis problemas na futura aplicao. ca Realizar consertos e melhorias no circuito. Aplicar o projeto em uma placa de circuito impresso. Testar o dispositivo anotando os resultados e identicando suas limitaes. co

Reviso Bibliogrca a a

2.1

Transistor Bipolar

O termo Transistor resulta da aglutinao dos termos ingleses TRANsfer + reSISca TOR (resistncia de transferncia). Um transistor bipolar (com polaridade npn ou pnp) e e constitu por duas junoes pn. p indica que o material tem cargas predominantee do c mente positivas j n, analogamente, indica cargas predominantemente negativas. A juno a ca emissor-base (EBJ) e a junao coletor-base (CBJ), de material semicondutor (sil ou c cio germnio), formada por trs terminais, designados por Emissor (E), Base (B) e Coletor a e e (C) como mostrado na gura 2. e

Figura 2: Esquema dos transistores bipolares npn e pnp

Realizando uma anlise na estrutura do transistor pnp: a A primeira camada p (da esquerda) tem largura mdia e fortemente dopada, ou e e seja, tem muitos atomos trivalentes. Isto torna essa camada uma fornecedora de lacunas (cargas positivas). Por isso ela chamada emissor. e A camada central n muito na e tem uma dopagem mdia. Como ela na, no e e e a representa um empecilho muito grande para as cargas que vm do emissor. Esta e camada chamada base. e A camada da direita bastante larga em relaao as demais e fracamente dopada. e c ` e Por ser responsvel por receber os eltrons que saem do emissor e atravessam a base, a e esta camada chamada coletor. e Dependendo da condio de polarizaao (direta ou inversa) das junoes citadas acima, ca c c pode-se obter diferentes modos de operao para um transistor bipolar, como visto ca e na tabela 1. O modo ativo o usado para operar o transistor como um amplicador, e em outras aplicaoes, como circuitos lgicos, so utilizados ambos os modos ativo e em c o a saturaao. c Tabela 1: Modos de operaao de um transistor bipolar c Polarizao ca EBJ CBJ Corte Reversa Reversa Ativo Direta Reversa Saturaao Direta c Direta Modo

Uma das formas de realizar a polarizaao direta, em um transistor pnp, ligando o c e terminal negativo (uxo de eltrons) de uma bateria ao emissor (porao n - excesso de e c eltrons) e o terminal positivo (uxo de lacunas) a base (poro p - excesso de lacunas). e ` ca Desta forma, a regio n, com excesso de eltrons, recebe ainda mais eltrons, e a porao a e e c p recebe ainda mais lacunas. Consequentemente, para polarizar inversamente, conectamos o terminal positivo da bateria ao coletor (porao n - excesso de eltrons) e o terminal negativo ` base (porao c e a c p - excesso de lacunas). Desta forma, os eltrons do coletor sero atra e a dos pelas lacunas do plo positivo da bateria e as lacunas da base sero completadas pelos eltrons do plo o a e o negativo. Dessa forma, obtm-se o modo de operao ativo de um transistor pnp. e ca

Na polarizao emissor-base (a primeira forma discutida), os eltrons se dirigiam para ca e a base, atra dos pelo plo positivo da bateria. Mas agora o coletor, que bem maior e o e est com energia extra vinda do plo negativo da bateria, exerce uma atraao muito maior a o c sobre esses eltrons. Como a base muito na, os eltrons tendem muito mais a atravessar e e e a base e ir para o coletor do que uir pela base para o plo positivo da bateria. Desta o forma, uma pequena parte da corrente uir pela base; a maior parte da corrente uir a a para o coletor. Neste modo de operaao, o que ocorre o seguinte: c e Se aumentarmos a corrente que ui pela base (emissor-base), haver um aumento a na corrente que ui pelo coletor. Ou seja, podemos controlar a corrente vinda do emissor para o coletor agindo sobre a corrente da base. Em outras palavras: a corrente da base controla a corrente entre o emissor e o coletor. Como a corrente da base muito pequena, basta aplicarmos uma pequena variaao e c na corrente da base para obtermos uma grande variaao na corrente do coletor. c Pronto: entramos com uma pequena corrente (via base) e sa mos com uma grande corrente (via coletor). O funcionamento do transistor npn bastante similar ao pnp, apenas inverte-se o uxo e de corrente e as formas de polarizar, visto que as poroes p viraram n e vice-versa. Como a c corrente de sa no pnp era obtida no coletor, no npn ela ser tomada no emissor. Tendo da a essas diferenas em vista, observa-se algumas relaoes bsicas do seu funcionamento. c c a A corrente da base, iB , pode ser expressa por uma frao da corrente do coletor, iC : ca iC

iB =

(2.1)

Onde um parmetro do transistor. Como a corrente que entra em um transistor e a tem que sair, notrio que a corrente do emissor, iE , a soma das correntes do coletor e e o e da base:

iE = iC + iB Usando a equao 2.1: ca ( + 1) iC

(2.2)

iE =

(2.3)

ou

ie = ( + 1)iB iB para ( 1). Altenativamente:

(2.4)

iC = iE Onde a constante relacionada com por: e ( + 1)

(2.5)

(2.6)

Utilizando o cdigo alfanumrico do transistor pode-se obter suas caracter o e sticas tcnicas por consulta de um data sheet do fabricante. e IC : E a mxima corrente de coletor que o transistor pode suportar. a parametro for excedido, o componente poder queimar. a VCEO : Tenso mxima coletor - emissor com a base aberta. a a VCBO : Tenso mxima coletor - base com o emissor aberto. a a VEBO : Tenso mxima emissor - base com o coletor aberto. a a : Ganho ou fator de amplicaao do transistor. c Se este

2.2

Diodo

O diodo um componente eletrnico no-linear feito com cristal semicondutor de e o a sil ou germnio. Este dipositivo possui dois terminais, sendo um o Anodo e outro o cio a Catodo. Ele utilizado geralmente como reticador de corrente, podendo tambm ser e e usado como regulador de tenso, como porta lgica ou como grampeador de tenso. a o a O seu funcionamento da seguinte maneira: Quando polarizado diretamente permite a e passagem da corrente e quando polarizado inversamente bloqueia a passagem da corrente, funcionando como uma chave aberta. Para polarizar o diodo diretamente a tenso do a anodo tem que ser superior a tenso no catodo. ` a O diodo possui uma representao mostrada na gura 3. ca

Figura 3: Representaao de um diodo c Quando o diodo est polarizado diretamente sua corrente pode ser modelada expoa nencialmente pela seguinte equao: ca

i = IS ev/nVT

(2.7)

Nesta equaao o termo IS , corrente de escala, uma constante determinada pela c e temperatura, sendo da ordem de 1015 A. Outra modelagem a de queda de tenso e a constante, que supe uma queda de tenso de 0, 7V no diodo. o a

2.2.1

Reticador de onda completa

O reticador de onda completa, representado na gura 4, utiliza os dois semiciclos da senide da entrada. Para ter uma sa unipolar, a parte negativa da senide rebatida o da o e pelo circuito reticador. Durante o semiciclo positivo o diodo um conduzir, j o diodo a a dois estar inversamente polarizado e no conduzir, portanto a corrente ir passar pelo a a a a resistor e voltar ao tap central do transformador. J durante o semiciclo negativo, o a a diodo dois conduzir e o diodo um estar inversamente polarizado. Neste caso a corrente a a passar pelo diodo dois, em seguida pelo resistor e voltar ao transformador atravs do a a e tap central. Dessa maneira, a corrente passar sempre pelo mesmo sentido no resistor a caracterizando o efeito do rebatimento anteriormente descrito.

Figura 4: Circuito reticador de onda completa A forma de onda de um sinal alternado reticado est representado no gura 5. a

Figura 5: Forma de onda na sa de um circuito reticador de onda completa da

2.3

Diodo Zener

O diodo zener, representado pela gura 6, um diodo projetado para operar numa e regio chamada de regio de ruptura. Sua principal utilizaao, diferentemente do diodo a a c comum, por assim dizer, como regulador de tenso. e a

Figura 6: Representaao de um diodo zener c Para que o diodo zener estabilize a tenso nos seus terminais deve-se ter em atenao a c o seguinte: O diodo zener tem que se encontrar polarizado inversamente. A tenso fornecida ao circuito tem que ser superior a tenso de zener (VZ ) do diodo. a ` a A carga ou cargas do circuito tm que estar ligadas em paralelo com o diodo zener. e Para que ocorra o efeito estabilizador de tenso necessrio que o diodo zener traa e a balhe dentro da zona de ruptura, respeitando-se as especicaes da corrente mxima. A co a corrente que circula pela resistncia limitadora a mesma corrente que circula pelo diodo e e zener, conforme a gura 7 e dada pela expresso: e a

IZ =

(V + VZ ) R

(2.8)

Figura 7: Corrente em um diodo zener Quando o diodo zener est polarizado diretamente funciona como qualquer diodo, a porm, quando polarizado inversamente ele perminte a passagem de corrente se a tenso e a entre o catodo e o anodo for maior que a chamada tenso zener (VZ ). O modelo do zener, a representado na gura 8 dado pela equao: e ca VZ = VZ0 + rZ IZ (2.9)

Figura 8: Corrente em um diodo zener Os diodos zener so denidos pela sua tenso de zener (VZ ) mas para que possa existir a a regulaao/estabilizaao de tenso aos seus terminais a corrente que circula pelo d c c a odo zener (IZ ) deve manter-se entre os valores de corrente zener denidos como mximo e a m nimo, pois se menor que o valor m e nimo, no permite a regulaao da tenso e, se a c a e maior, pode romper a juno PN por excesso de corrente. ca Variando-se o n vel de dopagem dos diodos de sil cio, o fabricante pode produzir

diodos zener com diferentes tenses de zener.A utilizao do d o ca odo zener limitada pelos e seguintes parmetros: a VZ - Tenso de zener (este valor geralmente especicado para uma determinada a e corrente de teste IZT ) Izmax - Corrente de zener mxima a Izmin - Corrente de zener m nima PZ - Potncia de dissipaao (PZ = VZ IZ ) e c Desde que a potncia no seja ultrapassada, o diodo zener pode trabalhar dentro da e a zona de ruptura sem ser destru do.

Metodologia

Para a construo da fonte DC foram utilizados os componentes contidos na tabela ca 2. Seus respectivos custos tambm se encontram na mesma. e Tabela 2: Componentes e custos do projeto Componente Quantidade Preo (R$) c Resistncia 270 (1/4 W) e 2 0,10 Resistncia 4k7 (1/4 W) e 1 0,10 Resistncia 120k (1/4 W) e 2 0,20 Resistncia 10k e 2 0,10 Diodo 1N4007A 8 0,12 Diodo Zener 1N4247A 2 0,30 Placa Fenolite 1 1,60 Percloreto de ferro (250g) 1 3,50 Capacitor cermico 100pF (25V ) a 2 0,30 Capacitor eletrol tico 4700F (25V ) 2 1,50 LED 1 0,15 Potencimetro linear 1k o 2 1 Boto on/o a 1 0,65 Transformador 12V (rms) 1 15,00 Bornes 3 0,15 Transistor 2 3,60 Caixa de plstico a 1 11,00 Total 47,61

O projeto foi desenvolvido seguindo as etapas abaixo: Projeto do circuito eletrnico (dimensionamento dos componentes eletrnicos de o o acordo com as especicaes requeridas e aproximaao para valores comerciais dispon co c veis) Implementao no Multisim 11 ca Montagem e teste em protoboard Desenho do layout da placa de circuito impresso no software PCB Wizard

 Confecao da placa (mtodo do ferro de passar roupa) c e Aplicaao de verniz isolante c Criaao dos furos para encaixe dos componentes c Soldagem Teste nal e correao de eventuais erros c

Discusso a

O circuito da fonte composto de cinco partes: transformador, reticador de onda e completa, ltro (detector de pico), regulador de tenso e controle do valor de tenso a a desejado na sa da. Como a fonte simtrica, projeta-se o circuito da parte positiva e e e obtm-se o circuito da parte negativa simplesmente ao rebater o lado positivo, levando-se e em conta a polaridade dos componentes. O esquema completo est na gura 9. a

Figura 9: Esquema eltrico do circuito da fonte e O transformador utilizado para atender as especicaoes do projeto foi de 12V (rms) c e 1A de corrente mxima suportada e com tap central. O terminal primrio conectado a a e a rede eltrica e o secundrio ao circuito reticador de onda completa de maneira a obter ` e a uma senide com valor de pico de 24V . o Para o circuito reticador foi utilizado o diodo 1N4007A, que suporta uma tenso de a pico reversa de at 1000V , corrente de pico reversa de at 30A e corrente mdia mxima e e e a de 1A.

Em seguida vem o circuito detector de pico, composto por um capacitor eletrol tico. Foi escolhido um valor alto (4700F ) para a capacitncia (o maior valor encontrado nas a lojas de componentes eletrnicos com baixo custo) de maneira a reduzir o ripple causado o pela descarga do capacitor no resistor do regulador de tenso. Foi adicionado um capacitor a cermico de 100pF em paralelo com o eletrol a tico para ltrar ru dos. Este valor usual e e utilizado amplamente em diversos circuitos eletrnicos. o Em paralelo com o detector de pico est o circuito regulador de tenso. Na sa deste a a da est conectado um potencimetro de forma a implementar um divisor de tenso. Dessa a o a forma poss escolher o valor de tenso na sa da fonte. Entretanto, no poss e vel a da a e vel implementar uma fonte varivel desta maneira, pois a depender da carga conectada ao a potencimetro, a corrente drenada faria o diodo zener sair da zona de ruptura. Para evitar o esse problema, o transistor TIP142 (npn) utilizado para fornecer corrente a carga da e ` fonte. Esse transistor possui um igual a 1000. Logo, uma pequena corrente na base do transistor produz uma corrente grande no emissor, conforme a equao 2.4. O esquema ca das correntes que uem pelo regulador de tenso est na gura 10. a a

Figura 10: Regulador de tenso a O zener utilizado foi o 1N4742A (12V ) em srie com um 1N4007A para compensar e a queda de tenso presente entre a base e o emissor do transistor. Assim, a sa do a da regulador de tenso tem valor Vs igual a 12, 7V . a Potencimetros com resistncia pequena so melhores para o controle de tenso na o e a a sa da fonte, pois drenam pouca corrente do regulador zener. O potencimetro de menor da o valor encontrado foi de 1k. Uma estimativa das correntes desse circuito pode ser feita com base na gura 10. Se uma carga que drene 1A for conectada na fonte, pela equao 2.4 e com = 1000 tem-se ca que:

iBmax = 1mA Assim, pela lei de Kirchho dos ns na gura 10: o

(4.1)

I1 = IZ + I2 e I2 = I3 + iB Se no houver carga conectada: iB = 0. Assim: a

(4.2)

(4.3)

I2 = I3

(4.4)

I3 =

Vs R2

(4.5)

I3 =

12, 7 = 12, 7mA 1k

(4.6)

Para o pior caso, ou seja, iB mxima, pelas equaoes , e : e a c

I2max = 12, 7 + 1 = 13, 7mA O valor de R1 pode ento ser calculado pela seguinte equaao: a c Vcmin (VZ0 + rZ Izmin + VD ) I2max + Izmin

(4.7)

R1 =

(4.8)

onde VZ0 pode ser calculado pela equao 2.9, VZ a tenso nominal do zener, rZ ca e a e a resistncia incremental, Izmin a corrente m e e nima que deve passar pelo diodo zener, VD a tenso no diodo reticador em srie com o zener e Vcmin o valor da menor sobre o e a e e capacitor do detector de pico.

VZ0 = VZ rZ IZT Pelo datasheet do dispositivo, rZ = 9 e IZT = 21mA. Dessa forma:

(4.9)

VZ0 = 12 9 (21 103 ) VZ0 = 11, 811V

(4.10) (4.11)

A corrente Izmin deve ter um valor maior do que a corrente de joelho (IZK ) do diodo zener, de maneira a garantir uma boa regulaao. O 1N4742A possui uma corrente de c joelho de valor igual a 0, 25mA. Um bom valor para Izmin dez vezes o valor de IZK , ou e seja, 2, 5mA. A tenso de ripple calculada utilizando-se a seguinte equao: a e ca VP 2f R1 C1

VR =

(4.12)

O valor mximo do ripple se d quando a corrente I1 mxima, ou seja, I2 mxima a a e a e a e Izmin mantm o zener fora da zona de joelho. Logo, e

I1max = I2max + Izmin = 13, 7m + 2, 5m = 16, 2mA Substituindo na equao 4.12: ca I1max 2f C1

(4.13)

VR =

(4.14)

Substituindo, a frequncia f da rede eltrica e a capacitncia C1 , vem: e e a 16, 2 103 = 28, 7mV 2 120 4700 106

VR =

(4.15)

A tenso Vcmin foi calculada da seguinte forma: a

Vcmin = VP VR VD

(4.16)

onde VP o valor de pico do sinal reticado, VR o ripple e VD a queda de tenso e e e a constante em cada um dos diodos do circuito reticador durante o per odo de conduo. ca Logo,

Vcmin = 12

(2) 28, 7 103 0, 7 = 16, 24V

(4.17)

Substituindo todas essas variveis na equao 4.8: a ca 16, 24 (11, 811 + 9 2, 5 103 + 0, 7) (13, 7 + 2, 5) 103

R1 =

(4.18)

R1 228

(4.19)

Foi adicionado ainda um LED indicador de funcionamento da fonte. Este foi ligado em srie com um resistor de 4k7 e conectado ao terminal VC , indicado na gura 10. e Alm do LED, foram adicionados um diodo para evitar correntes reversas e uma e resistncia de 120k para prover um caminho DC para a corrente quando a fonte no tem e a carga conectada.

Resultados

Os resultados prticos foram ligeiramente diferentes daqueles obtidos em simulao a ca no Multisim 11. Isto porque alguns componentes tiveram que ser substitu dos, j que no a a foram encontrados nas lojas de componentes eletrnicos. Foi empregado um resistor de o 270 no lugar de R1 , sendo o valor mais prximo encontrado no comrcio. O transistor o e pnp TIP146, tambm no foi encontrado. Foi substitu por um semelhante, o TIP2955. e a do Fixando-se o valor da tenso V+ no seu valor mximo (11, 89V ), foram feitas medies a a co de tenso e corrente na sa da fonte, para cargas variadas. O resultado est contido na a da a tabela 3 Tabela 3: Medioes de tenso e corrente para cargas variadas com V+ nominal xo em c a 11, 89V V (volts) R () I (mA) 7,95 8 960 8,47 10 820 8,60 11 720 8,75 12 680 11,12 120 83,8 11,53 1K2 9,27 11,29 2K 5,7 11,68 12K 0,96 11,86 120K 0,0973 11,87 250K 0,0468 11,87 500K 0,0236 11,88 1,1M 0,01186

Analogamente, para a fonte negativa, os dados das medioes esto contidos na tabela c a 4. Quando cargas muito pequenas so conectadas a fonte, uma corrente grande drenada a ` e do emissor do transistor. O controle feito atravs da corrente na base do mesmo e e e o coletor drena a corrente necessria do transformador. Esta corrente deixa de uir a

Tabela 4: Medioes de tenso e corrente para cargas variadas com V nominal xo em c a 12, 07V V (volts) R () I (mA) -7,64 10 700 -10,07 30 320 -10,80 50 210 -11,11 70 150 -11,56 100 102,7 -11,89 200 55,6 -11,97 500 23,25 -12,01 1K 11,82 -12,08 5K 2,39 -12,10 10K 1,19 -12,16 250K 0,048 -12,16 850K 0,0141

na direao zener, ou seja, a corrente I1 diminui severamente, causando problemas na c regulaao de tenso do zener. Para cargas mais altas, a partir de 100, a tenso na sa c a a da da fonte se aproxima do valor nominal calculado.

Concluso a

Tem-se que, para o projeto de uma fonte simtrica de 0 a 12V , o resultado nal e obtido foi alcanado, tanto para a variaao negativa (V = 12, 07V sem carga) quanto c c para a variaao positiva (V+ = 11, 89V sem carga) nos 3 campos vericados: projeto c terico, simulao e na placa de circuito impresso. o ca J no que diz respeito a corrente fornecida pela fonte confeccionada, o resultado obtido a no foi satisfatrio tal qual obteve-se nos outros 2 campos (projeto terico e simulaao). a o o c Observa-se que, de acordo com a tabela 4, o mximo valor obtido para a corrente a e de 700mA, diferentemente do esperado que seria em torno de 1A. Esse problema da se,principalmente, ao fato de que o transformador utilizado no projeto de no mximo e a 1A e como sabido, todo componente utilizado (alm do transformador) possui uma e e margem de erro, sendo este propagado e resultando em tal imperfeiao. c

Bibliograa

SEDRA, Adel S.; SMITH, Kenneth C. Microeletronic Circuits, 5a ed. Oxford University Press, 2004.