15SQ045

15SQ045
2nd Generation Bypass Diodes for Solar Modules – Schottky Barrier Rectifiers
2. Generation Bypass-Dioden für Solarmodule – Schottky-Barrier-Gleichrichter
Version 2011-05-11
Nominal current 15 A
Nennstrom
Repetitive peak reverse voltage 45 V
Ø 8±0.1
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case Ø 8 x 7.5 [mm]
Kunststoffgehäuse
62.5±0.5

7.5±0.1

Type
Weight approx. 1.3 g
Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Ø 1.2±0.05 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
On request taped on 13” reel Green Molding
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Halogen-Free1
Dimensions - Maße [mm] Auf Anfrage gegurtet auf 13” Rolle

Features Vorteile
45V reverse voltage at low VF 45V Sperrspannung bei niedrigem VF
Low value RthL for low Tj Niedriger RthL Wert für niedriges Tj
Best trade-off between VF and IR 2) Optimaler Kompromiss zwischen VF und IR 2)
1000pcs/13” reel for longer reel change intervals 1000 Stk. / 13” Rolle für längere Bestückungszyklen

Maximum ratings and characteristics Grenz- und Kennwerte

Type Repetitive / Surge peak reverse voltage Forward Voltage Forward Voltage
Typ Periodische- / Spitzen-Sperrspannung Durchlass-Spannung Durchlass-Spannung
VRRM [V] / VRSM [V] VF [V] Tj = 125°C VF [V] Tj = 25°C
IF = 5 A IF = 5 A IF = 15 A
15SQ045 45 typ. 0.30 < 0.45 < 0.53

Max. average forward rectified current, R-load TA = 50°C IFAV 15 A3)

Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave TA = 25°C IFSM 290/330 A
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 420 A2s
Junction temperature – Sperrschichttemperatur Tj -50...+150°C
in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb Tj ≤ 200°C 2)
Storage temperature – Lagerungstemperatur TS -50...+175°C

1 From 06/2011 – Ab 06/2011

2 For more details, ask for the Diotec Application Note “Reliability of Bypass Diodes”
Weitere Infos in der Diotec Applikationsschrift „Reliability of Bypass Diodes”
3 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1

 15SQ045

Characteristics Kennwerte
Leakage current Tj = 25°C VR = VRRM IR < 300 µA
Sperrstrom Tj = 100°C typ. 15 mA
Thermal resistance junction to ambient air RthA < 13 K/W 1)
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Thermal resistance junction to leads RthL < 2.5 K/W 2)
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdrähte

120 102
[%]
[A] Tj = 125°C
100
10

80 Tj = 25°C

60 1

40
10-1
20
IF
IFAV
0 10-2
0 TA 50 100 150 [°C] 0 VF 0.4 0.6 [V] 1.0
Rated forward current versus ambient temperature1) Forward characteristics (typical values)
1
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. ) Durchlasskennlinien (typische Werte)

103

[mA] Tj = 150°C

102
Tj = 125°C

10 Tj = 75°C

IR
Tj = 25°C

10 -1

0 VRRM 40 60 80 100 [%]

Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage
Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung

1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case

Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2 Measured in 3 mm distance from case – use for bypass diodes test
Gemessen in 3 mm Abstand vom Gehäuse – für Bypass-Diodentest

2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG