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JLU Gieen Fortgeschrittenenpraktikum Teil I

WS 2010/2011

Protokoll zur Fotolithographie


Daniel Schury Daniel.Schury@physik.uni-giessen.de Benjamin Vollmann Benjamin.Vollmann@physik.uni-giessen.de 20. Dezember 2010

Betreut durch Sabrina Darmawi

Inhaltsverzeichnis
1 Motivation und Grundlagen 3

1.1 1.2 1.3 1.4


2

Motivation . . . . . . . Verwendete Materialien Fotomaske . . . . . . . Bedampfungsanlage . .

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3 3 3 4
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Durchfhrung des Versuchs

2.1 2.2 2.3 2.4 2.5


3

Vorbereitung der Proben Aufbringen des Fotolacks Belichtung . . . . . . . . Entwicklung . . . . . . . Bedampfung und Lift-Off

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Auswertung

3.1

3.2

3.3 3.4

Inspektion nach der Entwicklung . . . . . 3.1.1 Wafer B . . . . . . . . . . . . . . 3.1.2 Wafer C . . . . . . . . . . . . . . Inspektion nach Bedampfen und Lift-Off . 3.2.1 Wafer B . . . . . . . . . . . . . . 3.2.2 Wafer C . . . . . . . . . . . . . . Bildfehler . . . . . . . . . . . . . . . . . Fazit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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Fotolithographie

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1 Motivation und Grundlagen


1.1 Motivation
Ursprngliches Ziel des Versuchs war es, die Auswirkung einer unterschiedlichen Belichtungszeit auf das Ausungsvermgen zu ermitteln. Im Laufe des Versuchs trat jedoch, wie schon bereits bei anderen Gruppen auch, das Phnomen auf, dass der Fotolack beim Aufbringen auf den Wafer einmal haften blieb und einmal abperlte. Daraufhin wurde das Ziel dahingehend gendert, dass beide mglichst gleichen Bedingungen unterworfen werden sollten, um die Auswirkungen des Abperlens zu untersuchen.

1.2 Verwendete Materialien


Der Versuch lief durchgehend unter Reinraumbedingungen ab. Der Prozessschritt des Bedampfens und des anschlieenden Lift-Offs wurde in einem Reinraum der ISO-Klasse 7 nach DIN EN ISO 14644-1 durchgefhrt. Alle anderen Schritte wurden in einem Reinraum der ISO-Klasse 6 der selben Norm durchgefhrt. Dieser Raum ist gelb beleuchtet, um ungewollte Belichtung des Wafers durch das Arbeitslicht zu verhindern und wird auf Grund dessen auch Gelbraum genannt. Als Substrat dienten einseitig polierte Siliziumwafer, welche eine Dicke von 256 bis 306 Nanometer und einen Durchmesser von 2"0,015"hatten. Des weiteren wiesen die Wafer Oberchenorientierung von (1 0 0) auf. Als Primer wurde der Haftvermittler Microposit verwendet. Der Fotolack trug die Bezeichnung MA-P1215 und gehrt in die Gruppe der Positive-Resists. Dies bedeutet, dass der belichtete Teil des Fotolacks bei der Entwicklung abgelst wird. Die verwendete Entwicklungsssigkeit trug die Bezeichnung ma-D 331. Fr die endgltige Struktur wurde Aluminium zum Aufdampfen verwendet, welches eine g Dichte von 2,7 cm3 besitzt.

1.3 Fotomaske
Um Ausungstests durchzufhren, eignen sich in der Fotolithograe ngerartige Strukturen, da diese eine Vielzahl konkaver und konvexer Ecken bietet. In diesem Versuch wurde die Fotomaske TH_20070723_002 verwendet. Die Fotomaske besteht aus einer lichtdurchlssigen Glasscheibe, auf welche mittels Elektronenstrahllithographie die Teststruktur aus Chrom aufgebracht wurde.

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Die Strukturen auf der Maske sind in einzelne Gruppen eingeteilt und innerhalb der Gruppen von 1 bis 6 durchnummeriert. Die Maske enthlt die Gruppen 2 (grte Strukturen) bis Gruppe 9 (kleinste Strukturen). Die Linienbreiten der jeweiligen Struktur 1 in der Gruppe i betrgt 2(i+1) mm. Innerhalb einer Gruppe ist die Struktur j gegenber der Struktur (j-1) um den Faktor 6 2 verkleinert. Insgesamt ergibt sich also fr die Ausung der Struktur j in der Gruppe i folgende Formel: Abbildung 1.1: Fotomaske TH 20070723 002. Schwarze Flchen sind Chrom. 1 (1.1) A(i, j) = 2(i+1) j1 mm 6 2 Diese Nomenklatur wurde erstmals 1951 von der US Airforce verwendet [1].

1.4 Bedampfungsanlage
Das Bedampfen der Wafer erfolgt im Vakuum, um unerwnschte Reaktionen, insbesondere die Oxidation des Schiffchens, in dem das gewnschte Metall verdampft wird sowie die des Metalls selbst, zu vermeiden. Zur Erzeugung des gewnschten Vakuums wird der Druck zunchst ber eine mechanische Pumpe verringert, danach wird die Vorpumpe aus und eine Turbopumpe eingeschaltet, welche den Druck nochmals deutlich verringert. Nun wird das gewnschte Metall im Wolfram-Schiffchen verdampft, indem durch dieses ein Strom von bis zu 30A iet. Die Schichtdickenbestimmung auf den Wafern erfolgte ber einen Schwingquarz.

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2 Durchfhrung des Versuchs


Smtliche Schritte wurden fr beide Wafer einzeln, jeweils nacheinander durchgefhrt.

Si-Substrat Maske negativ

Photoresist

Coating

positiv

Belitung Entwilung Bedampfung Li-O

Abbildung 2.1: Schematischer Ablauf

2.1 Vorbereitung der Proben


Zunchst wurden die drei Siliziumwafer und ihre Aufbewahrungsboxen mit einer Stickstoffpistole gereinigt. Im Anschluss erfolgte ein Backvorgang der Wafer auf einer 175 C heien Heizplatte. Dies hatte das Ziel, die Wafer mglichst vollstndig zu dehydrieren.

2.2 Aufbringen des Fotolacks


Anschlieend wurde der Wafer auf den Spin-Coater gelegt und als Primer der Haftvermittler Microposit aufgebracht. Dieser Schritt dient dazu, die polare Oberche des Wafers in eine unpolare zu verwandeln, damit der Fotolack besser haftet. Es wurden dafr 750 l des Primers mit Hilfe einer Eppendorf-Pipette aufgebracht, welcher zum Einwirken 30s dort verblieb. Danach wurden die Reste 3s lang auf dem Spin-Coater bei 3000 U/min abgeschleudert, wobei

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die Ramp-Up-Zeit ebenfalls 3s betrug. Anschlieend wurde der Wafer 60s lang bei 98C gebacken, bevor 750 l des Fotolacks MAP1215 aufgebracht wurden. Hierbei war es wichtig darauf zu achten, dass sich keine Luftblasen in der aufgebrachten Flssigkeit befanden. Bei Wafer C perlte der Fotolack hierbei von der Oberche ab, was vermutlich darauf zurckzufhren ist, dass der Primer vorher nicht korrekt aufgebracht wurde, indem z.B. die Einwirkzeit zu kurz war. Danach erfolgte ein weiteres Spin-Coating fr 30s, bei ebenfalls 3000 U/min und einer Ramp-Up-Zeit von 3s. Dies fhrt nach Datenblatt [2] zu einer Schichtdicke von 1,5 0.1 m. Abschlieend wurde der Wafer noch einmal fr 90s bei 98C gebacken, um den Fotolack auszuhrten.

2.3 Belichtung
Zur Belichtung wurde ein Maskaligner MA56 verwendet. Dessen Lichtquelle ist eine QuecksilberHochdrucklampe. Belichtet wurde jeweils 8s lang, bei einer Luftfeuchte von 15,3 %. Die Intensitt der Lampe betrug 6,5 mW bei 365nm und 11,7 mW bei 405nm Wellenlnge. cm2 cm2

2.4 Entwicklung
Nach der Belichtung wurden die Wafer entwickelt. Dabei wurden diese fr eine gewisse Zeit in dem Entwickler geschwenkt und die Entwicklung anschlieend mit Wasser gestoppt. Um Schlierenbildung zu vermeiden, wurde mglichst "nass in nass"gearbeitet und die Proben anschlieend mglichst schnell mit Stickstoff trocken geblasen. Wafer B verbrachte 62s im Entwicklerbad, Wafer C wurde in zwei Schritten, erst 34s dann 14s lang, entwickelt. Anschlieend folgte eine erste Begutachtung der Wafer unter einem HAL 100 Lichtmikroskop.

2.5 Bedampfung und Lift-O


Der vorletzte Schritt ist der der Bedampfung. Hierzu wurden die Wafer in die Vakuumanlage eingebaut und anschlieend gewartet, bis das Vakuum in der Kammer hergestellt war. Nun wurden die Wafer mit einer Rate von 10 nm mit Aluminium bedampft. Die resultierende s Schichtdicke betrug 62nm. Abschlieend erfolgte der Lift-Off in einem Acetonbad. Dieses war ungefhr 1cm hoch gefllt und wurde zur Beschleunigung des Vorgangs in ein 50C warmes Ultraschallbad gestellt. Nachdem sich keine greren Stcke mehr vom Wafer lsten, wurden die Wafer dem Bad entnommen, mit Isopropanol abgesplt und wiederum trocken geblasen. Bei Wafer C ergaben gravierende Probleme im Ultraschallbad: Der Fotolack lste sich nicht gut vom Wafer ab, weshalb die Probe deutlich lnger als blich im Ultraschallbad verlieb. Dies fhrte jedoch dazu, dass sich auch das Aluminium auf dem Wafer teilweise lste, wodurch Teile der Probe zerstrt wurden. Anschlieend erfolgte die abschlieende Begutachtung der Wafer unter dem Mikroskop.

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3 Auswertung
3.1 Inspektion nach der Entwicklung
3.1.1 Wafer B

Abbildung 3.1: Wafer B bei 50-facher Vergrerung Wie in Abbildung 3.1 zu erkennen, ist die kleinste noch gut erkennbare Struktur die Gruppe 8-3. Die Gruppen 8-4 und kleiner sind noch zu erkennen, laufen aber bereits ineinander. Gruppe 9 ist sichtbar, aber schon stark fehlerhaft ausgebildet. Damit ergibt sich die Ausung nach der Formel 1.3 zu 1,5 m.

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3.1.2 Wafer C

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Abbildung 3.2: Wafer C bei 100-facher Vergrerung Leider ist das Bild 3.2 absolut unterbelichtet, was die Bestimmung der Ausung erschwert. Die kleinste noch aufgelste Struktur scheint die Gruppe 8-2 zu sein, was einer Ausung von 1,74 m entsprche.

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3.2 Inspektion nach Bedampfen und Lift-O


3.2.1 Wafer B

Abbildung 3.3: Wafer B bei 50-facher Vergrerung Wie man an Bild 3.3 sieht, ist die kleinste noch einzeln aufgelste Struktur die Gruppe 8-2. Das entspricht einer Untergruppe grer als noch vor dem Bedampfen und der nderung der Ausung von 1,55 m auf 1,74 m. Die restlichen Gruppen 8-3 und kleiner sowie 9 sind zwar noch zu erkennen, aber entweder laufen die Linien ineinander, oder Teile von ihnen fehlen.

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3.2.2 Wafer C

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Abbildung 3.4: Wafer C bei 50-facher Vergrerung Die kleinste noch erkennbare Struktur bei Wafer C ist nach Bild 3.4 die Gruppe 8-3. Alle kleineren Strukturen fehlen nahezu vollstndig. Das entspricht einer Ausung von 1,55 m.

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3.3 Bildfehler
Nach dem Entwickeln lieen sich einige Bildfehler feststellen, welche ber den ganzen Wafer verteilt waren.

(a) Kreise

(b) Schlieren und Kreise

Abbildung 3.5: Bildfehler Wafer B Auf Wafer B waren einige kreisfrmig angeordnete Kugeln zu nden. Am Rand des Wafers, am Grenzbereich der Fotomaske, waren berall vertikale Schlieren zu nden.

(a) Schlieren

(b) Kreisfrmige Kratzer

Abbildung 3.6: Bildfehler Wafer C Auf Wafer C lieen sich die kreisfrmigen Strukturen nicht nden. Dafr waren die Schlieren ber den ganzen Wafer verteilt und strker ausgeprgt. Zustzlich waren kreisfrmige Krater zu nden, hauptschlich in dem linken oberen Bereich.

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Abbildung 3.7: Abgelste Aluminiumschicht bei Wafer C An Abbildung 3.7 sieht man sehr schn, wie besonders am Rand groe Stcke des aufgedampften Aluminiums beim Lift-Off entfernt wurden.

3.4 Fazit
Bei beiden Wafern erfolgte die Strukturierung mit nahezu den selben Parametern. Unterschiede gab es in der Entwicklungszeit (Wafer B: 62s, Wafer C: 48s) und bei der Zeitdauer im Acetonbad whrend des Lift-Offs. Daher sollte sich auch fr beide in etwa dieselbe Ausung ergeben. Da fr Wafer C leider keine guten Aufnahmen nach dem Entwickeln vorliegen und beim Lift-Off an einigen Stellen schon wieder Teile der Aluminiumstruktur entfernt wurden, ist es effektiv nicht mglich, Aussagen ber das Ausungsvermgen aufzustellen. Interessant wre es zu klren, ob das Ablsen des Aluminiums durch zu langes Verweilen im Acetonbad verursacht wurde, oder ob ein Zusammenhang mit dem Abperlen des Fotoresists besteht. Die lange Verweildauer von Wafer C im Lift-Off-Bad war ntig, da sich zunchst nur sehr langsam berhaupt etwas lste. Zunchst scheint das Abperlen des Fotoresists im Widerspruch zum schweren Lseverhalten zu stehen. Falls das Abperlen jedoch wirklich auf ein falsches

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Aufbringen des Primers zurckzufhren ist, knnte der Fotolack aufgrund fehlender Haftung sequenziell nur sehr dnn aufgetragen worden sein, auch wenn Wafer C nach dem Aufbringen des Fotolacks rein optisch nicht von Wafer B zu unterscheiden war. Diese sehr dnne Fotolackschicht knnte wiederum dazu fhren, dass es dem Lsemittel whrend des Lift-Offs nicht gelang, an diesen Stellen unter das Metall vorzudringen und den Fotolack zu lsen. Vielleicht bestand durch die sehr dnne Fotolackschicht auch an einigen Stellen direkter Kontakt zwischen Metall und Wafer. Jedoch sind all dies nur hypothetische berlegungen, welche in weiteren Untersuchungen konkretisiert bzw. widerlegt werden mssten.

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Abbildungsverzeichnis
1.1 2.1 3.1 3.2 3.3 3.4 3.5 3.6 3.7 Fotomaske TH 20070723 002. Schwarze Flchen sind Chrom. . . . . . . . . Schematischer Ablauf . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Wafer B bei 50-facher Vergrerung . . . Wafer C bei 100-facher Vergrerung . . Wafer B bei 50-facher Vergrerung . . . Wafer C bei 50-facher Vergrerung . . . Bildfehler Wafer B . . . . . . . . . . . . Bildfehler Wafer C . . . . . . . . . . . . Abgelste Aluminiumschicht bei Wafer C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4 5 7 8 9 10 11 11 12

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Literaturverzeichnis
[1] [4]_F-Praktikum-Fotolithograe-lang.pdf [2] ProcessingGuidelinesMicroresist_ma-P1200Series.pdf

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