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JLU Gieen Fortgeschrittenenpraktikum Teil II

SS 2011

Protokoll: Photolumineszenz an einem Halbleiter (Quantum Wells)


Daniel Schury Daniel.Schury@physik.uni-giessen.de Benjamin Vollmann Benjamin.Vollmann@physik.uni-giessen.de 31. Mrz 2011

Betreut durch Melanie Pinnisch

Inhaltsverzeichnis
1 Aufgabenstellung 2 Grundlagen 2.1 Bndermodell . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2 Quantentrge . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.3 Quantenmechanische Beschreibung . . . . . . . . . . . . . . 2.3.1 Unter Annahme eines unendlich hohen Potentialtopfes 2.3.2 Unter Annahme eines endlich hohen Potentialtopfes . 2.4 Exziton . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5 Photolumineszenz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.6 Epitaxiemethoden . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.6.1 Molekularstrahlepitaxie . . . . . . . . . . . . . . . . 2.6.2 Metallorganische Gasphasenepitaxie . . . . . . . . . . 2.6.3 Metallorganische Molekularstrahlepitaxie . . . . . . . 3 4 4 5 5 6 7 9 9 9 10 10 11 12 12 13 14 15 15 16 16 17 19 21 23

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3 Aufbau und Durchfhrung 3.1 Versuchsaufbau . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.1.1 Gitterspektrometer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2 Versuchsdurchfhrung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4 Auswertung 4.1 Offsetbestimmung . . . . . . . . . . . 4.2 Bestimmung des Aluminiumgehalts . 4.3 Bestimmung Barrierehhe . . . . . . 4.4 Bestimmung Quantum Well-Breite . . 4.4.1 Unendlich hoher Potentialtopf 4.4.2 Endlich hoher Potentialtopf . 4.5 Fragen zum Versuch . . . . . . . . .

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Quantum Wells

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1 Aufgabenstellung
Ziel des Versuch ist es, mit Hilfe eines Anregungslasers ber Photolumineszenz die physikalischen Eigenschaften einer Halbleiter-Heterostruktur aus GaAs und Alx Ga1-x As zu bestimmen. Dazu werden durch den Laser Elektron-Loch-Paare im Halbleiter erzeugt, welche ber Photolumineszenz wieder rekombinieren. Aus dem Lumineszenzspektrum lsst sich der Aluminiumgehalt x der Alx Ga1-x As-Schichten, die Hhe der Potentialbarriere sowie die Breite der einzelnen Quantum Wells bestimmen. Die Messungen erfolgen alle bei extrem niedrigen Temperaturen, um das Rauschen durch die thermische Energie der Elektronen zu unterdrcken.

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2 Grundlagen
2.1 Bndermodell
Da sich die Atome in einem Festkrper sehr dicht nebeneinander benden, kommt es zu einer Wechselwirkung der Atomorbitale untereinander, wodurch die diskreten Energieniveaus der Atome zu (quasi-)kontinuierlichen Energiebndern aufspalten. Jede Verbindung besitzt ihr eigenes charakteristisches Bnderschema. Grundstzlich ist jeodch die Betrachtung des Valenzbandes und des Leitungsbandes von physikalischem Interesse. Das Valenzband beschreibt das oberste, vollstndig mit Elektronen besetzte Energieband, wohingegen das Leitungsband das unterste vollstndig unbesetzte Energieband reprsentiert. Ein Ladungstransport und somit ein Flieen von Strom kann nur durch teilweise besetzte Bnder erreicht werden.

E EL Energiele Eg EV T=0K T>0K

Leitungsband

Valenzband
Abbildung 2.1: Bndermodell eines Halbleiters

Whrend bei einem Isolator die Energielcke sehr gro ist, so dass nahezu keine Elektronen durch thermische Anregung ins Leitungsband gehoben werden knnen, berlappen bei Metallen das Valenz- und das Leitungsband, weshalb Metalle hervorragende leitende Eigenschaften besitzen. Die dritte Gruppe von Festkrpern sind die Halbleiter: Hier betrgt die Bandlcke bis zu 3 eV, wodurch Elektronen durch thermische Anregung auf Grund der Fermi-Statistik aus dem Valenz- in das Leitungsband gehoben werden: Je hher die Temperatur ist, desto hher ist auch die elektische Leitfhigkeit eines Halbleiters. Die durch die thermische Anregung erzeugten leeren Energiepltze im Valenzband werden als Lcher bezeichnet und verhalten sich wie positiv geladene Teilchen und tragen somit ebenfalls zur elektrischen Leitfhigkeit bei.

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2.2 Quantentrge
Lsst man man zwei unterschiedliche Halbleitermaterialien wie in Abschnitt 2.6 beschrieben aufeinander aufwachsen, so kann man dnne, reine, sich abwechselnde Schichten von Halbleitermaterialien erhalten. Um das epitaktische Aufwachsen zu gewhrleisten, drfen sich die Halbleitermaterialien jedoch nicht zu stark in ihrer Gitterkonstante unterscheiden. In diesem Versuch wird mit einer Halbleiter-Heterostruktur aus GaAs und Alx Ga1-x As gearbeitet, wobei das x fr den Aluminiumgehalt steht. GaAs und Alx Ga1-x As besitzen eine unterschiedliche Bandstruktur, wodurch an der Grenzche zwei unterschiedliche Energielcken aufeinandertreffen. Bei guter Prparation der Schichten erfolgt die nderung der Energielcke innerhalb von wenigen Angstrm und kann nherungsweise als abrupt angenommen werden. Bei der von uns verwendeten Halbleiter-Heterostruktur aus GaAs und Alx Ga1-x As ergibt sich EL 65 unabhngig von der Aluminiumkonzentration das Verhltnis EV 35 .
E EL

} }
ALxGA1-xAS

EL Eg EV GaAs

EV

Wastumsritung

Abbildung 2.2: Bndermodell der verwendeten Heterostruktur Ordnet man die verschiedenen Komponenten nun abwechselnd an, bildet sich eine Quantentrogstruktur aus. Elektronen, die sich innerhalb des Quantentrogs in der Nhe der Valenzbzw. Leitungsbandkante benden, sind durch diese Schichtprperation in ihrer Beweglichkeit in der in der Abbildungen als z-Achse ausgewiesenen Richtung rumlich so stark eingeschrnkt, dass ihre Energie in dieser Dimension gequantelt sein muss.

2.3 Quantenmechanische Beschreibung


Um fr die Elektronen in z-Richtung gequantelte Energien zu erhalten ist die Schrdingergleichung 1 1 h 1 2+ 2+ +V (x) (x) = E(x) (2.1) 2 mx x my y mz z2 mit dem Ansatz (r) j (x) eik
r

(2.2)

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zu lsen. In Gleichung 2.1 sind mx , my , mz hierbei die effektiven Massen des Elektrons in der jeweiligen Raumrichtung, durch die das Elektron auf Grund seines Aufenthalts im Festkrper beschrieben werden muss. Durch den Ansatz in 2.2 separiert die Schrdingergleichung zu in z-Richtung und h2 2m + 2 eik 2 x y
r

h2 +V (z) j (z) = j j 2mz z2

(2.3)

= E eik

(2.4)

in der xy-Ebene. Dabei ist m = mx = my und die kinetische Energie des Elektrons ergibt sich aus der Energie j und der Energie eines freien Elektrons E = E = j + hk 2m
h2 k2 2m

zu (2.5)

Um j zu bestimmen muss man Gleichung 2.3 lsen.

B rc I ei eh

B rc I B rc I ei I ei I eh eh I

Abbildung 2.3: Quantentrog der Breite Lz

2.3.1 Unter Annahme eines unendlich hohen Potentialtopfes Entscheidend fr die Lsung der Schrdingergleichung aus 2.3 ist die Annahme eines Potentials, dass der Realitt mglichst nahe kommt. Ein weiteres Kriterium ist jedoch, dass das Problem ohne zu groen Aufwand lsbar bleiben sollte. Vereinfachend wird in diesem Abschnitt zunchst ein Potentialtopf mit unendlich hohen Wnden angenommen, die Elektronen

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werden also als vollstndig im Quantentrog eingeschlossen angesehen. Dies vereinfacht die Berechnung der Schrdingergleichung. Mit den Randbedingungen des Potentialtopfs 0 fr z < 1 Lz 2 (2.6) V (z) = fr z 1 Lz 2 ergibt sich die aus der Quantenmechanik wohlbekannte Lsung der Schrdingergleichung innerhalb des Potentialtopfs (Bereich II, siehe Abb. 2.3) A cos j z fr j = 1, 3, 5, ... Lz (2.7) (z) = A sin j z fr j = 2, 4, 6, ... Lz Auerhalb des Quantentrogs (Bereiche I und III, siehe Abb. 2.3) verschwindet auf Grund des unendlich hohen Potentialtopfs die Wellenfunktion. Die Energie des Elektrons ergibt sich somit zu h2 2 2 j = j mit j N (2.8) 2 2mz Lz 2.3.2 Unter Annahme eines endlich hohen Potentialtopfes Eine realistischere Wahl des Potentialtopfs ist ein Topf mit endlich hohen Wnden: 0 fr z < 1 Lz 2 V (z) = Vb fr z 1 Lz 2

(2.9)

Hierdurch besitzt das Elektron auch eine gewisse Aufenthaltwahrscheinlichkeit auerhalb des Potentialtopfs, wobei diese mit grerem Abstand zum Potentialtopf immer weiter abnimmt. Des Weiteren muss nun zwischen der effektiven Masse innerhalb des Quantentrogs mt und auerhalb des Quantentrogs mb unterschieden werden. Somit lauten die Wellenzahlen kt = 2mt j bzw. kb = h2 2mb (Vb j ) . h2 (2.10)

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Unter Beachtung der Randbedingungen (z) = 0 fr z Lz Lz = 2 I 2 II Lz Lz + = + 2 II 2 III Lz z Lz = 2 I t 2 II Lz z Lz + = + 2 II t 2 III

z t z t und mit Hilfe des Ansatzes

j (z)I = A ekb z j (z)II = B eikt z +C eikt z j (z)III = D ekb z gelangt man zu den impliziten Gleichungen kt mb kt Lz cot kb mt 2 kt mb kt Lz tan kb mt 2 = 1 fr ungerade Symmetrie und = +1 fr gerade Symmetrie.

Die exakte Vorgehensweise kann beispielsweise im Lehrbuch ber Quantenmechnik von Nolting [1] ab Seite 261 nachgelesen werden. Die diskreten Energien j mssen durch numerische Iteration aus den Gleichungen berechnet werden. Die hier nicht aufgefhrte Rechnung zeigt,
E 2 1 0

EL

Lz

EV

AlxGa1-xAs GaAs AlxGa1-xAs

Wastumsritung

Abbildung 2.4: Subbnder im Quantentrog dass die Bewegung der Elektronen in z-Richtung zu diskreten Energiewerten fhrt, whrend in der Ebene ein kontinuirliches Spektrum vorliegt. Hieraus folgt die Bezeichnung Subband fr die Elektronen mit derselben Energie.

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2.4 Exziton
Als Exziton bezeichnet man die Anziehung zwischen einem Elektron im Leitungsband und einem Loch im Valenzband. Anschaulich kann man sich dieses Gebilde hnlich dem Wasserstoffatom vorstellen. Jedoch muss bei der Berechnung der Exzitonbindungsenergie bercksichtigt werden, dass die Wechselwirkung zwischen Elektron und Loch durch den Kristall abgeschirmt wird, was in Gleichung 2.11 durch die Dielektrizittskonstante reprsentiert wird. Auerdem muss man bei der Berechnung die Massen der Bindungspartner im Kristall bercksichtigt werden. Somit erhlt man fr die Bindungsenergie die Formel EExziton = m e4 . 2 8 2 0 h2 (2.11)

Jedoch gilt diese zunchst nur fr die Bindungsenergie in einem ausgedehnten Kristall, bei einer Quantentrogstruktur hngt die Bindungsenergie zustzlich noch von der Breite der Quantentrge ab.

2.5 Photolumineszenz
Wenn man die in den vorherigen Abschnitten beschriebene Halbleiter-Heterostruktur mit Laserlicht bestrahlt, werden durch optische Anregung Elektronen aus dem Valenz- in das Leitungsband gehoben. Hierbei ist jedoch darauf zu achten, dass das eigestrahlte Licht energiereich genug sein muss, dem Elektron genug Energie zur berwindung der Bandlcke zu zufhren. Bei aureichend tiefen Temperaturen relaxieren die Elektron-Loch-Paare wieder aus dem Exzitongrundzustand in den energetisch gnstigsten Zustand unter Aussendung eines Photons. Falls in der Probe mehrere Quantentrge vorhanden sind, die dicht beieinander liegen oder periodisch angeorndet sind, erwartet man keine monochromatischen Lumineszenzspektren, sondern Mehrfachlinien oder sehr breite Linien.

2.6 Epitaxiemethoden
Unter Epitaxie versteht man das Aufwachsen eines Kristalls auf einem anderen, wobei die kristallographische Struktur des aufwachsenden Kristalls der des zweiten Kristalls entspricht. Durch diese Form des Kristallwachstums ist es mglich, solche Halbleiter-Heterostrukturen zu erzeugen, wie sie in diesem Versuch verwendet werden und welche den Bau von Quantentroglasern oder High Electron Mobility Transistoren (HEMT) ermglichen. Es gibt einige verschiedene Epitaxiemethoden, durch welche es mglich ist, aufeinander folgende HalbleitermMonolagen zu erzeugen. Im Folgenden werden drei dieser Methoden dargestellt.

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E

Quantum Wells
EL 1e Laser 1h EV Lz Lumineszenz

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AlxGa1-xAs

GaAs

AlxGa1-xAs
Z

Abbildung 2.5: Photolumineszenzmechanismus 2.6.1 Molekularstrahlepitaxie Die Molekularstrahlepitaxie (Molecular Beam Epitaxy, MBE) stellt eine Sonderform der physikalischen Gasphasenabscheidung (Physical Vapor Deposition, PVD) dar. Hierbei werden die aufzubringenden Materialien zunchst verdampft und lagern sich anschlieend auf dem Substrat ab. Um reproduzierbare, kontrollierbare und sehr saubere Bedingungen whrend der gesamten Abscheidung zu garantieren, erfolgt der gesamte Prozess im Ultrahochvakuum bei Drcken von ca. 105 mbar. Um diesen Druckbereich zu erreichen, werden die aus Edelstahl bestehenden Kammern zunchst durch mechanische Vorpumpen und ab einem Druck von 101 mbar durch Ionengetterpumpen oder Turbomolekularpumpen in den gewnschten Druckbereich gebracht. Whrend die Pumpwirkung bei Turbomolekularpumpen auf dem Impulsaustausch der Gasmolekle in der Kammer mit den Turbinenrdern der Pumpe beruht, ionisiert die Ionengetterpumpe die in der Kammer verbleibenden Molekle und beschleunigt diese durch elektrische Felder auf die Elektroden, wo diese an aktiven Metalllmen chemisorbiert werden. Um die ntige hohe Beweglichkeit der aufgedampften Molekle auf dem Substrat zu gewhrleisten,s wird dieses auf ca. 800 K geheizt. ber Shutter knnen die unterschiedlichen Moleklstrahlen sehr schnell und genau ein- bzw. ausgeschaltet werden. 2.6.2 Metallorganische Gasphasenepitaxie Bei der metallorganischen Gasphasenepitaxie (Metalorganic Chemical Vapour Depositon, MOCVD) werden die aufzubringenden Molekle direkt aus einer Gasasche ber ein regelbares Ventil in den Flusreaktor gebracht. Dort diffundieren die Molekle, teilweise unter Zuhilfenahme eines Trgergases wie H2 , auf das Substrat, wo sie durch chemische Reaktionen auf dem Substrat aufwachsen. Vorteil dieses Verfahren ist, dass der Prozess kontinuierlich aufrech terhalten werden kann und somit auf Grund der geringen Kosten besonders in der Industrie hug eingesetzt wird.

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Der Nachteil besteht jedoch darin, dass ein Wechsel des verwendeten Gases aufwndig ist und viel Zeit in Anspruch nimmt, da bei jedem Wechsel die Kammer zunchst vollstndig mit einem nichtreaktiven Gas ausgesplt werden muss. Somit sind reine Monolagen durch dieses Verfahren im Normalfall nicht zu realisieren. 2.6.3 Metallorganische Molekularstrahlepitaxie Eine Mischform der vorhergehenden Methoden stellt die metallorganische Molekularstrahlepitaxie (Metalorganic Molecular Beam Epitaxie, MOMBE) dar. Bei diesem Verfahren werden analog zur MOCVD Ventile genutzt, jedoch gelangen die Gase hier ber Kapillare in eine Ultrahochvakuumwachstumskammer, wie sie bei der MBE verwendet wird. In den Kapillaren werden die Gase zu Molekularstrahlen geformt, die nun gerichtet auf das Substrat aufgebracht werden. Somit gelingt es die Vorteile der zuvor beschriebenen Verfahren zu kombinieren.

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3 Aufbau und Durchfhrung


3.1 Versuchsaufbau

Lo-In Verstrker Mess-PC Srimotorsteuerung Gierspektrometer Chopper

Probe

Photomultiplier

Kryostat

Abbildung 3.1: Versuchsaufbau In Abbildung 3.1 ist der Versuchsaufbau schematisch dargestellt. Die zu untersuchende Halbleiter-Heterostruktur (Abbildung 3.2) bendet sich im Kryostat, der im Grunde genommen einen groen Isolierbehlter darstellt, in den der ssige Stickstoff bzw. das ssige Helium zur Khlung eingefllt werden. Die in Abschnitt 2.5 beschriebene optische Anre-

LB 5m VB
Abbildung 3.2: Versuchsaufbau gung der Probe geschieht durch einen Helium-Neon-Laser mit einer Wellenlnge von 632,83 nm, dessen Licht mit Hilfe des Choppers zu einem Rechtecksignal geformt wird. Das durch die Photolumineszenz emittierte Licht wird anschlieend in ein Gitterspektrometer geleitet, welches einen bestimmten Wellenlngenbereich abfahren kann und somit immer nur eine bestimmte Wellenlnge zum CCD-Chip durchlsst, welcher das Signal detektiert. Im gesamten Strahlengang benden sich auerdem Linsen, mit deren Hilfe sich der Laserstrahl einstellen

He-Ne-Laser

QW1

QW2

QW3

QW4

QW5

500nm

12

10nm

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und fokusieren lsst. Zustzlich knnen verschiedene Graulter eingebracht werden, um die Intensitt des Strahls regulieren zu knnen. 3.1.1 Gitterspektrometer Das Gitterspektrometer, dessen Aufbau in Abbildung 3.3 dargestellt ist, besteht aus einem Eintritts- sowie Austrittsspalt, zwei sphrischen Spiegeln und einem Reexionsgitter. Das eintretende Lichtbndel wird zunchst auf den ersten Hohlspiegel gelenkt, durch den die Lichtstrahlen parallel ausgerichtet und anschlieend auf das eigentliche Gitter gelenkt werden, welches durch die Drehung um einen bestimmten Winkel die gewnschte Wellenlnge herausltert. Von dort aus gelangt das Licht auf den zweiten Hohlspiegel, welcher das parallele Lichtbndel wieder zu einem Strahl fokusiert. Nun kann das Licht mit Hilfe eines CCD-Chips oder eines Photomultipliers detektiert werden. Die spektrale Ausung / ist generell durch

Detektor

Spiegl 2 (Fokussierung)

Gier

Litquelle Spiegel 1 (Kollimator)

Eingangsspalt

Abbildung 3.3: Aufbau eines Gitterspektrometers den minimalen Abstand zweier Wellenlngen gegeben, die gerade noch getrennt voneinander aufgelst werden knnen. Bei einem Gitterspektrometer wird sie mageblich durch die Gre des Ein- bzw. Austrittsspalts begrenzt. Nherungsweise gilt der Zusammenhang
4g2 n2 2

2f

(3.1)

wobei fr die Ordnung n = 1, fr die Gitterkonstante g1 = 1200mm1 und fr die Brennweite des Spektrometers f = 25 cm einzusetzen sind. x steht fr die eingestellte Spaltbreite.

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3.2 Versuchsdurchfhrung
Zunchst wurde der Kyrostat mit Hilfe von ssigem Helium auf ca. 6 Kelvin heruntergekhlt und die Probe mit dem Probenhalter in den Kyrostaten eingebaut. Anschlieend wurde der Laser eingeschaltet und der Laserstrahl so justiert, dass er ber die Probe fokussiert in das Gitterspektrometer trifft. Im Anschluss muss das Spektrometer kalibriert werden, indem die Reexion der Laserlinie gemessen wird. Hierzu wurde zunchst eine grobe, schnelle Messung durchgefhrt, um die Lage der Laserlinie grob zu lokalisieren. Nachdem das Maximum gefunden war, wurde abwechselnd der Laserstrahl justiert und die Spaltbreite verkleinert, um eine gute spektrale Auflsung zu erhalten. Danach wurde die eigentliche Messung zur Bestimmung des Offsets des Monochromators mit einer Schrittweite von 0, 05 nm durchgefhrt. Nach diesen Vorbereitungen erfolgte die Messung der Spektren bei 6,7 K und 102,5 K. Die Messung bei 200K lieferte aus nicht nachzuvollziehenden Grnden keine Ergebnisse mehr, das Spektrum bestand nur aus Rauschen. Die ausgegebenen Sprektren zeigten entweder berhaupt kein Signal oder Signale, die nichts mit dem zu erwarteten Spektrum zu tun hatten.

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4 Auswertung
Die aufgenommenen Spektren wurden jeweils mit einer Integrationszeit von 0,4s aufgenommen. Die Schrittweite bei der Offsetmessung betrug 0,05nm, bei den anderen Messungen betrug sie 0,2nm. Leider war es nicht mglich ein Spektrum bei einer Temperatur von mehr als 100K aufzunehmen, die Messungen lieferten dort keine Peaks sondern nur Untergrundrauschen.
740 2,5 760 780 800 820 840 2,5 2 740 760 780 800 820 840 2

2 1,5 1,5

Intensitt [w.E.]

1,5

1,5

Intensitt [w.E.]

0,5 0,5 0,5

0,5

0 740 760 780 800 Wellenlnge [nm] 820 840

0 740 760 780 800 Wellenlnge [nm] 820 840

(a) 6,7K

(b) 102,5K

Abbildung 4.1: Die aufgenommenen Lumineszenzspektren ohne geeichte Skalen mit getteten Peaks

4.1 Osetbestimmung
Mit Hilfe einer Laserlinie bekannter Wellenlnge (632,83 nm) galt es den Offset der verwendeten Apparatur zu bestimmen. Dazu wurden die aufgenommenen Datenpunkte mit einer Gauverteilung gettet. Aus dem bestimmten Maximum xc = 653,53 nm lsst sich direkt der Offset bestimmen: = (653, 53 0, 009) nm 632, 83 nm = (20, 7 0, 009) nm Alle aus den Messungen gewonnenen Wellenlngen mssen also um (20,7 0,009) nm verringert werden.

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652 35 652,5

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653 653,5 654 654,5 35 Model: Gauss Chi^2/doF = 4,267 R^2 = 0,9677524406987 A = 24,708 +/- 1,007 xc = 653,532 +/- 0,009 w = 0,63 +/- 0,023 y0 = -0,731 +/- 0,480

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30

30

25 Intensitt [w.E.]

25

20

20

15

15

10

10

0 652 652,5 653 653,5 Wellenlnge [nm] 654 654,5

Abbildung 4.2: Offsetbestimmung

4.2 Bestimmung des Aluminiumgehalts


Der Aluminiumgehalt der Quantum Wells lsst sich mit Hilfe der in der Praktikumsanleitung enthaltenen Lumineszenzmessung bestimmen. Das daraus bestimmte Maximum liegt bei = (631, 4 0, 1) nm, was entsprechend der Relation E = hc einer Energie von Eg = (1,964 0,003) eV entspricht. Entsprechend dem in der Anleitung gegebenem Zusammenhang zwischen der Energielcke in Alx Ga1-x As lsst sich der Parameter x folgendermaen berechnen: Eg = (1, 5192 + 1, 247 x) eV 1, 964 1, 5192 = 0, 357 x= 1, 247 Der Fehler berechnet sich nach dem Fehlerfortpanzungsgesetz als x = x 1, 5192 E = 0, 003 = 0, 004 E 1, 247

Abschlieend ergibt sich also x = 0,357 0,004

4.3 Bestimmung Barrierehhe


Die Bandlcke EBarriere errechnet sich als EBarriere = (1, 5192 + 1, 247 x) eV. Die des Topfes b b Top f ist mit x = 0 gegeben als Eb = 1, 5192eV . Mit dem zuvor berechnetem Aluminiumgehalt x

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140 120 100 80 60 40 20 0 625 625

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Lumineszenz der Barriere von Probe P52 T=4.2 K Anregungsw ellenlnge 442 nm

PL-Intensitt [w .E.]

630 631,4

635 635

640

645 645

650 650

Wellenlnge [nm]
Abbildung 4.3: Lumineszenzmessung ergibt sich also
Barriere Eb = (1, 5192 + 1, 247 (0, 357 0, 004)) eV = (1, 964 0, 005) eV

Fr die Barrierenhhe der Potentialtpfe fr Elektronen und Lcher gilt das Verhltnis 65 EL = EV 35 EV errechnet sich als
Barriere EV = Eb Eb Top f Barriere EL = Eb Eb Top f

65 EV 35

Durch umstellen ergeben sich fr die Hhe der Barrieren EV = EL =


Barriere E Eb b Top f

1 + 65 35

= (0, 1557 0, 0027) eV

65 EV = (0, 2892 0, 0027) eV 35

4.4 Bestimmung Quantum Well -Breite


Um die Breite der Quantum Wells zu bestimmen, mssen zunchst die effektiven Massen der Lcher und Elektronen im Topf bzw. in der Barriere berechnet werden. Die schwersten Lcher

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in GaAs liegen energetisch am tiefsten, so dass es reicht, diese bei T = 6,7K zu betrachten. In der Al0,357 Ga0,643 As-Barriere gilt me,1 = (0, 067 + 0, 084 0, 357) me = 0, 0970 me mh,1 = (0, 34 + 0, 175 0, 357) me = 0, 4025 me In den GaAs-Tpfen gilt analog mit x = 0 me,2 = 0, 067 me mh,2 = 0, 34 me Im Falle des unendlich hohen Potentialtopfs gilt nach Formel 2.8 mit j = 1: h Lz = 2mT 1 mit der effektiven Elektronen- bzw. Lochmasse mT und der Grundzustandsenergie endlich hoher Wnde gilt gem Formel 2.3.2 2 2 h (VB 1 ) mT arctan Lz = mt 1 mB 1
1 . Im Fall

Hierbei ist mB die effektive Elektronen- bzw. Lochmasse und VB die Hhe der Potentialbarriere. Die Lumineszenzenergie EPh ergibt sich aus der Summe der Energie der Bandlcke Eb Topf in GaAs sowie der Grundzustandsenergien der Lcher h und Elektronen e reduziert um die 1 1 Bindungsenergien der Exzitonen EEx : EPh = Eb
Top f e h + 1 (Lz ) + 1 (Lz ) EEx (Lz )

In Grak 4.4 sind die um den Offset und die Bandlcke von GaAs bereinigten Energiespektren dargestellt. Die Peaks setzen sich also zusammen aus den Energien
e h EPhP = 1 (Lz ) + 1 (Lz ) EEx (Lz )

Aus den Graphen 4.1 und 4.4 wurden die Wellenlngen bzw. Energien der einzelnen Peaks bestimmt, welche fr die folgenden Rechnungen bentigt werden. Die Berechnung der Topfbreiten lsst sich einmal unter der Annahme eines unendlich hohen Topfes und einmal unter der Annahme eines endlich hohen Tofes durchfhren. Im Folgenden werden beide Rechnungen durchgefhrt und verglichen.

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-0,0059 2,5

0,032

0,072

0,11

0,16

0,2 2,5 2

-0,0059

0,032

0,072

0,11

0,16

0,2 2

2 1,5 Intensitt [w.E.] 1,5

Intensitt [w.E.]

1,5

1,5

0,5 0,5 0,5

0,5

0 -0,006 0,032 0,072 0,114 Energie [eV] 0,158 0,204

0 -0,0059 0,032 0,072 0,11 Energie [eV] 0,16 0,2

(a) 6,7K

(b) 102,5K

Abbildung 4.4: Um Offset und GaAs-Bandlcke bereinigte Energiespektren Peak 1 2 3 4 5 Wellenlnge (6,7K) 725,996 2,190 763,657 1,002 781,158 0,934 796,126 0,653 807,321 0,296 Energie (6,7K) 0,0165 0,0052 0,0381 0,0021 0,0680 0,0019 0,1044 0,0013 0,1886 0,0006 Wellenlnge (102,5K) 727,997 0,619 765,719 4,454 782,264 6,017 792,999 33,585 810,484 2,318 Energie (102,5K) 0,0106 0044 0,0443 0,0662 0,0657 0,0122 0,1000 0,0094 0,1839 0,0001

Tabelle 4.1: Wellenlngen (in nm) und Energien (in eV) der Peaks der Lumineszenzspektren, um Offset und GaAs-Bandlcke bereinigt 4.4.1 Unendlich hoher Potentialtopf Die Bindungsenergie der Exzitonen ist topfbreitenabhngig. Die Abhngigkeit ist grasch in der Versuchsanleitung dargestellt, einmal fr einen endlichen sowie fr einen unendlichen Potentialtopf, mit einem Aluminiumgehalt von x = 0,3. Die daraus abgelesenen Daten wurden gettet und fr die weitere Verwendung aufbereitet. Mit Hilfe der Formel 4.4 lassen sich nun die Energien der Elektronen und Lcher, die Summe daraus, sowie die um die Exzitonenenergie reduzierte Summe berechnen.

19

SS 2011
5 0,011 10

Quantum Wells
15 20 25 30 35 40 11 Function: y0+A*exp(-x/t) Chi^2/doF = 0,0062 R^2 = 0,9976 A = 7,3462 +/- 0,1192 t = 14,2204 +/- 0,6964 y0 = 5,2004 +/- 0,0942

31.03.2011

0,01

10

Exzitonenenergie [eV]

0,009

0,008

0,007

0,006

0,005 5 10 15 20 25 Topfbreite [nm] 30 35 40

Abbildung 4.5: Exzitonenbindungsenergie in Abhngigkeit der Topfbreite


0 0,2 5 10 15 20 25 0,2

0,15

Elektronen Lcher Exzitonen Elektronen+Lcher Elektronen+Lcher-Exzitonen

0,15

Energie [eV]

0,1

0,1

0,05

0,05

0 0 5 10 15 Topbreite [nm] 20 25

Abbildung 4.6: Energien in Abhngigkeit der Topfbreite Daraus lassen sich schlussendlich fr die oben bestimmten Energien die zugehrigen Topfbreiten bestimmen:

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SS 2011

Quantum Wells

31.03.2011

Energie [eV] 0,0165 0,0381 0,0680 0,1044 0,1886

Topfbreite [nm] 20,82 15,43 12,20 10,04 7,61

Energie [eV] 0,0106 0,0443 0,0657 0,1000 0,1839

Topfbreite [nm] 23,65 14,56 12,47 10,24 7,75

(a) 6,7K

(b) 102,5K

Tabelle 4.2: Topfbreiten der Quantum Wells 4.4.2 Endlich hoher Potentialtopf Analog zum unendlich hohem Potentialtopf geht man beim endlich hohen Potentialtopf vor, unter Verwendung von Formel 4.4.
0 0,01 10 20 30 40 0,01

0,009 Exzitonenenergie [eV]

0,009

0,008

0,008

0,007

0,007

0,006

0,006

0,005 0 10 20 Topfbreite [nm] 30 40

0,005

Abbildung 4.7: Exzitonenbindungsenergie in Abhngigkeit der Topfbreite

21

SS 2011
0 0,2 5

Quantum Wells
10 15 20 25 0,2

31.03.2011

0,15

Elektronen Lcher Exzitonen Elektronen+Lcher Elektronen+Lcher-Exzitonen

0,15

Energie [eV]

0,1

0,1

0,05

0,05

0 0 5 10 15 Topfbreite [nm] 20 25

Abbildung 4.8: Energien in Abhngigkeit der Topfbreite

Energie [eV] 0,0165 0,0381 0,0680 0,1044 0,1886

Topfbreite [nm] 20,28 14,76 11,39 9,23 6,87

Energie [eV] 0,0106 0,0443 0,0657 0,1000 0,1839

Topfbreite [nm] 22,84 13,75 11,59 9,43 6,94

(a) 6,7K

(b) 102,5K

Tabelle 4.3: Topfbreiten der Quantum Wells

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SS 2011

Quantum Wells

31.03.2011

4.5 Fragen zum Versuch


Schtzen Sie mit Hilfe der de Broglie-Beziehung ab, wie eng ein Quantum Well etwa sein muss, damit sich messbare quantenmechanische Effekte auf die Elektronenenergie ergeben. 1 Bei Raumtemperatur besitzen Elektronen eine kinetisch Energie von Ekin kB T 40 eV. Dies entspricht einer de Broglie-Wellenlnge von = 2mh E 8 nm. Der Quantum
e kin

Well sollte also nicht viel grer als ein ngstrom sein. Warum hngt die Bindungsenergie der Exzitonen von der Breite der Quantum Wells ab? Durch die nderung der Topfbreite ndern sich Lsungen der Schrdingergleichung, also die Wellenfunktionen innerhalb des Topfes, und damit auch deren Energieeigenwerte. Erklren Sie qualitativ die Vernderung in der Linienbreite der gemessenen Lumineszenzspektren in Abhngigkeit von der Topfbreite Die Linienbreite wird u.a. von Schwankungen in der Schichtdicke bestimmt. Die abgestrahlte Energie ist reziprok proportional zum Quadrat der Topfbreite, woraus sich fr die Energieunschrfe ergibt: E 2L 0. Alternativ kann die Heisenbergsche E L3
Linf h Unschrferelation herangezogen werden: E t 2 . Wie bereits erlutert, nimmt die Energie mit zunehmender Topfbreite ab, die Lebensdauer wird grer, die Linienbreite nimmt ab.

Diskutieren Sie mgliche Effekte, die zu einer Doppellinienstruktur bei den weiteren Quantentpfen fhren knnen. Der wahrscheinlichste Effekt ist hierbei der, dass zwei Tpfe so eng beieinander liegen, dass die Wellenfunktionen berlappen. Gem dem Pauli-Prinzip drfen sich Fermionen wie das Elektron nicht im gleichen Energiezustand benden, die berlappung fhrt also zu einer Aufspaltung des Energiezustands. Unwahrscheinlicher hingegen ist, dass die Messung eines bergangs aus dem ersten angeregten Subbands erfolgte, da die Energien im Potentialtopf mit n2 gehen und die Energiedifferenz somit grer als die Linienbreite wre. Diskutieren Sie die bei der Hochtemperaturmessung auftretenden Vernderungen. Bei einem direkten Vergleich der Messung bei 6,7K mit der bei 102,5K fallen einem sofort mehrere Dinge auf. Whrend das bei 6,7K aufgenommenen Spektrum schne, klar von einander getrennte Peaks mit zu langen Wellenlngen hin steigender Intensitt zeigt, ist das bei 102,5K aufgenommene Spektrum deutlich anders. Die Peaks sind breiter und laufen bei Wellenlngen von mehr als 770 nm bereits ineinander ber. Zudem ist das hchstenergetischste Spektrum hier, anders als bei 6,7K, das hchste. Auerdem sind die Peaks generell zu

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SS 2011
740 2,5 6,7K 102,5K 2 760

Quantum Wells
780 800 820 840 2,5

31.03.2011

Intensitt [w.E.]

1,5

1,5

0,5

0,5

0 740 760 780 800 Wellenlnge [nm] 820 840

Abbildung 4.9: Vergleich der zwei Lumineszenzspektren greren Wellenlngen hin verschoben. Bei der Erklrung dieser Phnomene mssen mehrere Dinge beachtet werden: Um bei der hheren Temperatur berhaupt ein vernnftiges Spektrum zu erhalten, musste die Spaltbreite vergrert werden, was zu einer generellen Verbreiterung der Peaks fhrt. Weiterhin spielt die Energieabhngigkeit der Bandlcke eine Rolle. Die Breite der Bandlcke nimmt zu hohen Temperaturen hin ab, wodurch die Energiedifferenz bei der Exzitonenrekombination abnimmt, was die Verschiebung der Peaks verursacht. Bei hheren Temperaturen nehmen zudem die Anzahl der Phononen im Kristall zu. Dadurch steigt die Wahrscheinlichkeit, dass die Photonen mit den Phononen wechselwirken, die Eindringtiefe nimmt ab. Somit werden nher an der Oberche liegende Quantum Wells bevorzugt. Zudem hat die Temperatur einen Einuss auf die Besetzungswahrscheinlichkeit der einzelnen Zustnde, was wiederum in einer Intensittsnderung resultiert. Vergleichen Sie die beiden zur Berechnung der Subbandenergien besprochenen Modelle und diskutieren Sie deren Gltigkeit. Generell ist zu erwarten, dass das Modell des endlich hohen Potentialtopfes genauere Ergebnisse liefert. Hierbei ist jedoch zu beachten, dass die Genauigkeit von der Genauigkeit der Hhe der Potentialbarriere abhngt. Wie an der Auswertung zu erkennen, ist der Unterschied zwischen den beiden Modellen erkennbar, mit im Maximalfall aber nicht einmal einem Nanometer Unterschied nicht so gro wie erwartet.

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Literaturverzeichnis
[1] Wolfgang Nolting, "Grundkurs Theoretische Physik Band 5/1: Quantenmechanik Grundlagen" 7. Auage, Springer Verlag [2] Prof. Dr. Siegfried Hunklinger, "Festkrperphysik" 2. verbesserte Auage, Oldenbourg Verlag Mnchen [3] Harald Ibach,Hans Lth, "Festkrperphysik: Einfhrung in die Grundlagen" 7. Auflage, Springer Verlag

25

Tabellenverzeichnis
4.1 4.2 4.3 Wellenlngen der Lumineszenzspektren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Topfbreiten der Quantum Wells . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Topfbreiten der Quantum Wells . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19 21 22

26

Abbildungsverzeichnis
2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 3.1 3.2 3.3 4.1 4.2 4.3 4.4 4.5 4.6 4.7 4.8 4.9 Bndermodell eines Halbleiters . . . . . . . . Bndermodell der verwendeten Heterostruktur Quantentrog der Breite Lz . . . . . . . . . . . Subbnder im Quantentrog . . . . . . . . . . Photolumineszenzmechanismus . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4 5 6 8 10 12 12 13 15 16 17 19 20 20 21 22 24

Versuchsaufbau . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Versuchsaufbau . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Aufbau eines Gitterspektrometers . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Lumineszenzts . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Offsetbestimmung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Lumineszenzmessung . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Um Offset und GaAs-Bandlcke bereinigte Energiespektren Exzitonenbindungsenergie in Abhngigkeit der Topfbreite . Energien in Abhngigkeit der Topfbreite . . . . . . . . . . . Exzitonenbindungsenergie in Abhngigkeit der Topfbreite . Energien in Abhngigkeit der Topfbreite . . . . . . . . . . . Vergleich der zwei Lumineszenzspektren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

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