CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor). Tecnologa de fabricacin de procesadores que requiere un mnimo consumo elctrico.

Es un tipo de semiconductor utilizado desde hace muchos aos para el diseo de procesadores comerciales. Este tipo de semiconductor utiliza circuitos de doble polarida, PMOS (positivo) y NMOS (negativo). Como solo uno de los circuitos esta prendido un cualquier momento, requiere de menos voltaje. Su bajo consumo de energa, lo hace atractivo para operar en maquinas operadas por bateras y es comn encontrarlos en micro computadores porttiles. Aunque en los ltimos aos se ha logrado aumentar su velocidad significativamente y se ha utilizado en el diseo de Procesadores de Instrucciones para Mainframe, aun no sobrepasa la eficiencia de los circuitos ECL. Complementary metal-oxide-semiconductor o CMOS es una de las familias lgicas empleadas en la fabricacin de circuitos integrados. Su principal caracterstica consiste en la utilizacin conjunta de transistores de tipo pMOS y tipo nMOS configurados de tal forma que, en estado de reposo, el consumo de energa es nicamente el debido a las corrientes parsitas. En la actualidad, la mayora de los circuitos integrados que se fabrican utilizan la tecnologa CMOS. Esto incluye microprocesadores, memorias, procesadores digitales de seales y muchos otros tipos de circuitos integrados digitales. Cuando la entrada es 1, el transistor nMOS est en estado de conduccin. Al estar su fuente conectada a tierra (0), el valor 0 se propaga al drenador y por lo tanto a la salida de la puerta lgica. El transistor pMOS, por el contrario, est en estado de no conduccin Cuando la entrada es 0, el transistor pMOS est en estado de conduccin. Al estar su fuente conectada a la alimentacin (1), el valor 1 se propaga al drenador y por lo tanto a la salida de la puerta lgica. El transistor nMOS, por el contrario, est en estado de no conduccin.

Otra de las caractersticas importantes de los circuitos CMOS es que son regenerativos: una seal degradada que acometa una puerta lgica CMOS se ver restaurada a su valor lgico inicial 0 1, siempre y cuando an est dentro de los mrgenes de ruido que el circuito pueda tolerar.

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[editar] Historia
La tecnologa CMOS fue desarrollada por Wanlass y Sah,[1] de Fairchild Semiconductor, a principios de los aos 60. Sin embargo, su introduccin comercial se debe a RCA, con su famosa familia lgica CD4000. Posteriormente, la introduccin de un bfer y mejoras en el proceso de oxidacin local condujeron a la introduccin de la serie 4000B, de gran xito debido a su bajo consumo (prcticamente cero, en condiciones estticas) y gran margen de alimentacin (de 3 a 18 V). RCA tambin fabric LSI en esta tecnologa, como su familia COSMAC de amplia aceptacin en determinados sectores, a pesar de ser un producto caro, debido a la mayor dificultad de fabricacin frente a dispositivos NMOS. Pero su taln de Aquiles consista en su reducida velocidad. Cuando se aumenta la frecuencia de reloj, su consumo sube proporcionalmente, hacindose mayor que el de otras tecnologas. Esto se debe a dos factores: La capacidad MOS, intrnseca a los transistores MOS, y la utilizacin de MOS de canal P, ms lentos que los de canal N, por ser la movilidad de los huecos menor que la de los electrones.

El otro factor negativo era la complejidad que conlleva el fabricar los dos tipos de transistores, que obliga a utilizar un mayor nmero de mscaras. Por estos motivos, a comienzos de los 80, algunos autores pronosticaban el final de la tecnologa CMOS, que sera sustituida por la novedosa I2L, entonces prometedora. Esta fue la situacin durante una dcada, para, en los ochenta, cambia el escenario rpidamente:

Por un lado, las mejoras en los materiales, tcnicas de litografa y fabricacin, permitan reducir el tamao de los transistores, con lo que la capacidad MOS resultaba cada vez menor. Por otro, la integracin de dispositivos cada vez ms complejos obligaba a la introduccin de un mayor nmero de mscaras para asegurar el aislamiento entre transistores, de modo que no era ms difcil la fabricacin de CMOS que de NMOS.

En este momento empez un eclosin de memorias CMOS, pasando de 256x4 bits de la 5101 a 2kx8 de la 6116 y 8Kx8 en la 6264, superando, tanto en capacidad como consumo reducido y velocidad a sus contrapartidas NMOS. Tambin los microprocesadores, NMOS hasta la fecha, comenzaron a aparecer en versiones CMOS (80C85, 80C88, 65C02...). Y aparecieron nuevas familias lgicas, HC y HCT en competencia directa con la TTLLS, dominadora del sector digital hasta el momento. Para entender la velocidad de estos nuevos CMOS, hay que considerar la arquitectura de los circuitos NMOS: Uso de cargas activas. Esto es: un transistor se polariza con otros transistores y no con resistencias debido al menor tamao de aquellos. Adems, el transistor MOS funciona fcilmente como fuente de corriente constante. Entonces un inversor se hace conectando el transistor inversor a la carga activa. Cuando se satura el transistor, drena toda la corriente de la carga y el nivel da salida baja. Cuando se corta, la carga activa inyecta corriente hasta que el nivel de salida sube. Y aqu est el compromiso: es deseable una corriente pequea porque reduce la necesidad de superficie en el silicio (transistores ms pequeos) y la disipacin (menor consumo). Pero las transiciones de nivel bajo a nivel alto se realizan porque la carga activa carga la capacidad MOS del siguiente transistor, adems de las capacidades parsitas que existan, por lo que una corriente elevada es mejor, pues se cargan las capacidades rpidamente. Estructuras de almacenamiento dinmicas. La propia capacidad MOS se puede utilizar para retener la informacin durante cortos periodos de tiempo. Este medio ahorra transistores frente al biestable esttico. Como la capacidad MOS es relativamente pequea, en esta aplicacin hay que usar transistores grandes y corrientes reducidas, lo que lleva a un dispositivo lento.

La tecnologa CMOS mejora estos dos factores: Elimina la carga activa. La estructura complementaria hace que slo se consuma corriente en las transiciones, de modo que el transistor de canal P puede aportar la corriente necesaria para cargar rpidamente las capacidades parsitas, con un transistor de canal N ms pequeo, de modo que la clula resulta ms pequea que su contrapartida en NMOS.

En CMOS se suelen sustituir los registros dinmicos por estticos, debido a que as se puede bajar el reloj hasta cero y las reducidas dimensiones y bajo consumo de la celda CMOS ya no hacen tan atractivos los registros dinmicos.

[editar] CMOS analgicos

Los transistores MOS tambin se emplean en circuitos analgicos, debido a dos caractersticas importantes: Alta impedancia de entrada: La puerta de un transistor MOS viene a ser un pequeo condensador, por lo que no existe corriente de polarizacin. Un transistor, para que pueda funcionar, necesita tensin de polarizacin. Baja resistencia de canal: Un MOS saturado se comporta como una resistencia cuyo valor depende de la superficie del transistor. Es decir, que si se le piden corrientes reducidas, la cada de tensin en el transistor llega a ser muy reducida.

Estas caractersticas posibilitan la fabricacin de amplificadores operacionales "Rail-toRail", en los que el margen de la tensin de salida abarca desde la alimentacin negativa a la positiva. Tambin es til en el diseo de reguladores de tensin lineales y fuentes conmutadas.

[editar] CMOS y bipolar

Se emplean circuitos mixtos bipolar y CMOS tanto en circuitos analgicos como digitales, en un intento de aprovechar lo mejor de ambas tecnologas. En el mbito analgico destaca la tecnologa BiCMOS, que permite mantener la velocidad y precisin de los circuitos bipolares, pero con la alta impedancia de entrada y mrgenes de tensin CMOS. En cuanto a las familias digitales, la idea es cortar las lneas de corriente entre alimentacin y masa de un circuito bipolar, colocando transistores MOS. Esto debido a que un transistor bipolar se controla por corriente, mientras que uno MOS, por tensin.

[editar] Problemas
Hay tres problemas principales relacionados con la tecnologa CMOS, aunque no son exclusivos de ella: Sensibilidad a las cargas estticas. Histricamente, este problema se ha resuelto mediante protecciones en las entradas del circuito. Pueden ser diodos en inversa conectados a masa y a la alimentacin, que, adems de proteger el dispositivo, reducen los transitorios o zener conectados a masa. Este ltimo mtodo permite quitar la alimentacin de un slo dispositivo. : Consiste en la existencia de un tiristor parsito en la estructura cmos que se dispara cuando la salida supera la alimentacin. Esto se produce con relativa facilidad cuando existen transitorios por usar lneas largas mal adaptadas, excesiva impedancia en la alimentacin o alimentacin mal desacoplada. El Latch-Up produce un camino de baja resistencia a la corriente de

alimentacin, de modo que, si no se ha previsto, acarrea la destruccin del dispositivo. Las ltimas tecnologas se anuncian como inmunes al latch-up. Resistencia a la radiacin. El comportamiento de la estructura MOS es sumamente sensible a la existencia de cargas atrapadas en el xido. Una partcula alfa o beta que atraviese un chip CMOS puede dejar cargas a su paso, cambiando la tensin umbral de los transistores y deteriorando o inutilizando el dispositivo. Por ello existen circuitos "endurecidos" (Hardened), fabricados habitualmente en silicio sobre aislante (SOI)