Válvulas Electronicas de Transmisión

Transmisin de Televisin Vlvulas electrnicas de Transmisin Constantino Prez Vega - 2004
VALVULASELECTRONICASDE TRANSMISION
Introduccin Actualmente parece abundar la opinin de que las vlvulas o tubos electrnicos son ya piezas de museo y no se utilizan. Efectivamente, los tipos de vlvulas para manejo de seales a potencias pequeasqueseutilizaronextensamenteentodosloscircuitoselectrnicoshastaeladvenimientode los transistores y otros dispositivos de estado slido, han dejado de usarse por completo y, aunque vuelvenautilizarseenalgunoscasosaisladoscomociertosamplificadoresdesonido,puedeafirmarse que efectivamente no encuentran aplicacin en casi ningn equipo profesional o de consumo. Sin embargo, hay numerosas aplicaciones en la vida cotidiana que pasan desapercibidas y en que las vlvulas electrnicas continan desempeando un papel muy importante. Baste mencionar nicamentedosaplicaciones:lostubosderayoscatdicosqueconstituyenlapantalladetelevisoresy monitoresdecomputadorayloshornosdemicroondas. Ensistemasdecomunicaciones,ciertotipodevlvulascontinanemplendoseampliamente,sinque se vislumbre un futuro cercano en que puedan ser substituidas por componentes de estado slido. Entre ellas, los tubos de onda progresiva (TWT) en los amplificadores de los transpondedores de la mayoradelossatlites,losmagnetronesutilizadosextensamenteenradaresylosdiversostiposde tubosamplificadoresdepotenciaenlostransmisoresderadioytelevisin.Enlosterrenoscientfico, industrialymdicolasvlvulaselectrnicasseemplean,porejemplo,enaceleradoresdepartculas, radares,sistemasdecalentamientoindustrialyaparatosderayosX. El estudio de los dispositivos electrnicos al vaco, salvo casos aislados, ha sido prcticamente eliminado de la mayora de los planes de estudio actuales y la mayor parte de los estudiantes desconocen por completo tanto los principios fsicos como las aplicaciones actuales de estos dispositivos. Por ello, es conveniente dedicar, aunque slo sea de forma descriptiva y relativamente superficial, un breve tiempo al estudio de las vlvulas amplificadoras de potencia en uso en transmisoresderadioytelevisin. Los retos tcnicos que a que se enfrenta el diseo de transmisores, desde que se inici el servicio regular de televisin hasta nuestros das no han cambiado significativamente. Tales retos, no pequeos, han tenido como objetivos principales la obtencin de elevadas potencias, mayores frecuenciasdeoperacin,reduccindedefectosenlasealtransmitidaymayoreficienciaglobal.El logro de estos objetivos no es sencillo, ya que con frecuencia, algunos de ellos se contraponen. Por ejemplo,elfuncionamientoafrecuenciasmsaltassepuedeobtener,generalmente,aexpensasdela potenciay,paraundispositivoactivoespecfico,lamejoradelarespuestaenfrecuenciaafindeque seaplanaenlabandadepaso,sepuedeobteneraexpensasdelaeficiencia.Todoslosdesarrollosque sehanlogrado,hastahacepoco,hantenidoqueverbsicamente,conelmismotipodesealanalgica de televisin. Sin embargo, en la actualidad se plantea la necesidad de mantener el equilibrio en el umbral de un cambio tecnolgico, que alterar totalmente la forma en que la industria de
radiodifusinrealizasuactividadcomercial.Setrata,porsupuesto,delatelevisindigital,incluyendo ladealtadefinicin. Las consecuencias de este cambio tendrn efectos similares en los pases desarrollados, e impredeciblesenlospasesenvasdedesarrollo,enquelascondicionessocialesyeconmicashacen quelatelevisin,sibienextendidaaprcticamentetodoslosestratossociales,seatodavaunlujocuya obtencin, en el estado actual de la tecnologa analgica, requiere de sacrificios econmicos importantesdegranpartedelasociedaddeesospases. Entantoqueenlospasesdesarrollados,enquelasociedadhaalcanzadounestadodebienestartal, que permitir a prcticamente todos los habitantes acceder a la televisin digital sin que les resulte onerosa la relativamente pequea inversin adicional que requerir la adquisicin de equipos complementarios para la recepcin de seales digitales, las sociedades de los pases en vas de desarrollotendrnmayoresdificultadesenaccederaestosnuevosservicios.Esto,sinconsiderarque, en los pases en que los sistemas de televisin son financiados parcial o totalmente por el estado, generalmenteconpresupuestosexiguos,habrdificultadeseconmicasparaasumirelelevadocosto querepresentalatransicindelosactualessistemasanalgicosadigitales.EntantoqueenlosEstados Unidos se ha fijado un plazo de diez aos para extinguir por completo los sistemas analgicos de televisin y, probablemente en Europa se fije un plazo de diez a quince aos, difcilmente podr hacerselomismoenelrestodelmundo. Es necesario entender que los sistemas de transmisin digital para el futuro a corto plazo incluirn mucho ms que la televisin de alta definicin. Las aplicaciones en la industria de la televisin comprenden transmisin por satlite, cable, fibra ptica, microondas punto a punto y microondas para distribucin, en muchos casos con capacidad interactiva. Las ventajas de los sistemas digitales sobre los analgicos estn ampliamente estudiadas y puede recurrirse a un variado nmero de tcnicasparaalcanzarunobjetivoespecfico. La lgica convencional indica que un sistema digital es, por definicin, de estado slido y hasta la exclusin de las vlvulas de vaco. Con respecto a los circuitos lgicos, de control, generacin y procesadodeseal,lalgicaconvencionalescorrecta.Conrelacinaloscircuitosdealtapotenciala situacin es discutible. Los MOSFETs pueden considerarse como [interruptores proporcionales], lo mismo que los tetrodos, klystrons y otras vlvulas de desarrollo reciente como los diacrodos y los IOTs. No hay nada intrnsecamente digital en un dispositivo amplificador de estado slido. Los MOSFET han sido utilizados en transmisores analgicos mucho antes de que fuera factible el desarrollodeequiposdetransmisindigital,yesconvenienteenfatizaralgunasdelascaractersticas ms importantes de los semiconductores, que los hacen atractivos en los equipos de transmisin de televisin.Entreellaspuedenmencionarse: Funcionamiento a voltajes bajos que reduce el riesgo de arcos elctricos y ofrece ciertasventajasdesdeelpuntodevistadediseodelasfuentesdealimentacin. Degradacin suave de la potencia en caso de fallos, gracias a la aplicacin de redundanciaeneldiseodeloscircuitos. Sistemasderefrigeracinmssimples,basadossiempreenaireforzado,queevitan la necesidad de utilizar condensadores de vapor u otros dispositivos de diseo y mantenimientorelativamentemscomplejo. Configuracionesdecircuitomseficientes,apesardesumayorcomplejidad.
5.1Conceptosfsicosrelacionadosconlasvlvulaselectrnicas. Una vlvula o tubo electrnico es un dispositivo compuesto por un cierto nmero de electrodos contenidos en un recipiente al vaco. Aunque tambin existen vlvulas electrnicas de atmsfera gaseosa,comovapordemercurio,nen,etc.,aqutrataremosnicamentelasdevaco.Lautilidadde lasvlvulasdevacoradicaensucapacidadparaconducircorrienteelctrica,cuyamagnitudpuede controlarse por los voltajes aplicados a sus electrodos. La operacin de todos los tipos de tubos electrnicos, como su nombre lo indica, depende del movimiento de electrones en su interior. Repasaremosacontinuacinalgunasdefinicionesporsiacasosehanolvidado. Electrnvolt(eV).Eslaenergaganadaporunelectrnaceleradoatravsdeunpotencialde1volty equivalea1.61019J. Potencial de excitacin. Es la energa, expresada en eV, que debe proporcionarse a un tomo o molculaparaproducirunatransicindeunestadodadoaotrodemayorenergainterna. Potencialdeionizacin.Eslamenorenerga,expresadaeneV,quedebeproporcionarseauntomoo molcula bien sea en estado normal o excitado, para liberar un electrn. Como todos lo tomos, exceptoeldehidrgeno,tienenmsdeunelectrn,untomoomolculapuedetener,engeneral,ms de un potencial de ionizacin. El primer potencial de ionizacin se refiere a la liberacin de un electrn de un tomo o molcula en estado normal. El segundo potencial de ionizacin se aplica al casodeliberarunelectrndeuntomoomolculaqueyahaperdidounelectrn,etc.Laionizacin puede tambin producirse por la liberacin de dos o ms electrones simultneamente. Cuando los potenciales de ionizacin o excitacin se expresan en electrn volts, indican el voltaje mnimo que debeaplicarseentredoselectrodosparacausarlaionizacincomoresultadodelaaceleracindelos electronesuotraspartculascargadas,debidoalcampoproducidoentreloselectrodos. Ionizacin.Engeneral,unionesunapartculaelemental,oungrupodepartculas,concargaelctrica totalpositivaonegativa.Lostomosomolculasquehanperdidoocapturadounoomselectrones adquierenunacarganetapositivaonegativa,segnelcasoyconstituyeniones.Elcasomssimplees un ion negativo, formado por un electrn libre. El proceso de ionizacin puede ocurrir en gases, slidosolquidosypuedeocurrirpordiversascausasentrelasqueseencuentran: a) Colisin de tomos o molculas con electrones, tomos o molculas excitadas u otros iones. b) Colisindetomosomolculasconfotones(efectofotoelctrico). c) Radiacincsmica. d) Altastemperaturasengasesovapores. e) Accinqumica. Unadelascausasmsimportantesdeionizacinenlostuboselectrnicoseslacolisindeelectrones rpidos con tomos o molculas. Para que un electrn pueda ionizar a un tomo o molcula, su energacinticadebeserporlomenos,igualalprimerpotencialdeionizacindeltomoomolcula con la que choca. En gases o vapores tambin se produce ionizacin cuando se bombardean con electronescuyaenergacorrespondealprimerpotencialdeexcitacin. Carga de espacio. Un grupo de cargas libre en el espacio constituye una carga de espacio o carga espacial.Silacargaesnicamentedeunsigno(+o),osiunsignopredominasobreelotro,lacarga
produceuncampoelectrostticoylarelacinentrelacarganetacontenidaenunciertovolumenyla intensidaddelcampoelctricoproducidoestdadaporlaleydeGauss. El movimiento de una carga espacial da lugar a una corriente espacial, cuya densidad es igual al productodeladensidadvolumtricadecargaporlavelocidadnormalalrea.Convencionalmentese tomacomodireccindelacorrienteelctricaladelascargaspositivas. Electroneslibresenmetales.Enlosmetales,loselectronesestn,porlogeneral,dbilmenteligadosa los tomos y, en slidos o lquidos, pueden pasar fcilmente de un tomo a otro. Estos electrones libresestnencontinuomovimientoenlamasametlicay,ancuandoenuninstantedeterminado puedanestarligadosdbilmenteauntomoparticular,enpromedionoexperimentanningunafuerza en alguna direccin especfica. Son estos electrones libres quienes hacen posible la conduccin elctricaenlosmetalesydesempeanunpapelfundamentalenlaemisintermoinica. Cuando, como consecuencia de su movimiento aleatorio, un electrn se escapa de la superficie metlica,induceenstaunacargaimagenpositivaquetiendeaatraerlodenuevoalinterior.Paraque unelectrnpuedaefectivamenteescapardelmetaldebecederunapartedesuenergacinticapara venceresafuerza.Estaenergacinticaquepierdeelelectrnparaalejarselosuficientedelosefectos de la fuerza imagen se designa como funcin de trabajo y es distinta para diferentes materiales. De hecholafuncindetrabajosedefinecomolaenergamnimanecesariaparaliberaraunelectrndel niveldeFermi1delasuperficiedeunmetalhastaelinfinitoyseexpresaenelectrnvolts.EnlatablaI sedanalgunosvaloresrepresentativosdelafuncindetrabajoeneVparavariosmetales. TablaI.Funcindetrabajoenelectrnvoltsparadiversosmetales Tungsteno 4.52 Platino 5.0 Tantalio 4.1 Molibdeno 4.3 Plata 4.1 Bismuto 3.7 Hierro 3.7 Zinc 3.4 Aluminio 3.0 Calcio 3.4 Litio 2.35 Titanio 2.4 Carbn 4.5 Cobre 4.0 Torio 3.0 Magnesio 2.7 Nquel 2.8 Sodio 1.82 Mercurio 4.4 Calcio 2.5 Bario 2.0 Tungstenotoriado 2.63 Oxidodenquel 0.5a1.5
El nivel de Fermi es el nivel de energa al que la funcin de distribucin estadstica de Fermi-Dirac, para un conjunto de partculas es igual a . Tambin se designa como energa de Fermi.
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Potencial de contacto. Es la diferencia de potencial que se produce entre las superficies de dos metales, bien sea en contacto o conectados a travs de un circuito externo y es consecuencia de las diferentes funciones de trabajo de los metales. Es aproximadamente igual a la diferencia entre las funciones de trabajo dividida por la carga electrnica. Como puede apreciarse de la tabla I, los potencialesdecontactopuedenserdelordende1a4voltsyesnecesariotenerlasencuentacuando los voltajes aplicados son pequeos o cuando se requiere gran precisin en el anlisis del comportamientodeundispositivo. Emisin de electrones u otros iones en slidos. Los slidos, y tambin los lquidos, pueden emitir electronesoionesenalgunadelasformassiguientes: a) Emisintermoinica. b) Emisinfotoelctrica. c) Emisinsecundaria. d) Emisinporcampo. e) Desintegracinradioactiva. Emisintermoinica.Eselprocesofundamentalenlasvlvulaselectrnicasylateoradelaemisin deelectronesporcuerposcalientessedebeenbuenaparteaRichardsonen1901ysebasa,enmuchos aspectos,enlatermodinmicaylateoracinticadelosgases.Elcalorqueposeeunmetal,sesupone consecuencia del movimiento aleatorio de molculas, tomos y electrones. Como resultado de las colisiones entre electrones, y entre stos y tomos o molculas, la velocidad y direccin de los electronescambiacontinuamenteyhacequealgunosdeellosincidansobrelasuperficieinteriordel metal.Silamagnitudydireccindelavelocidaddealgunoselectronesestalquesuenergacintica sea igual o mayor que la funcin de trabajo, estos electrones escaparn del metal. El nmero de electronesquealcanzanlasuperficieporunidaddetiempo,conunacomponentedevelocidadnormal aaqullayconenergaigualomayoralafuncindetrabajo,esproporcionalalaporcindetodoslos electroneslibres enel metal con tales velocidades.A temperatura ambienteelnmero de electrones queescapandeunmetalessumamentebajoynoesposibledetectarningunaemisinsignificativa. Siaumenta la temperatura del metal,aumenta tambin el nmero de electrones libres,su velocidad mediayportanto,suenergacintica.Laposibilidaddeescapardelasuperficiemetlicaaumentaen consecuencia y es posible observar fenmenos de emisin termoinica a temperaturas del orden de 1000K.Sienunaampollaalvacosecolocaunsegundoelectrodoqueactecomocolectoronodoa temperaturaambientey,entresteyelemisoroctodoseconectaexternamenteungalvanmetro,en laformaquesemuestraenlafigura1,sepuedemedirunapequeacorrienteentrelosdoselectrodos, comoconsecuenciadeladifusindeelectronestrmicosenelinteriordelaampolla.Enelcircuitode la figura 5.1 el ctodo es calentado por un filamento alimentado por una fuente externa y entre el nodoyelctodonoseaplicaningnvoltaje.
Emisor termoinico (ctodo) Colector (nodo)
Calefactor
Ampolla al vaco
Fig.5.1.Deteccindelaemisintermoinicasinaplicacin devoltajealnodo(colector). Los electrones que llegan al nodo vuelven al ctodo por el circuito externo y evitan que se cargue positivamente.Estoselectronessonsolamenteunapequeafraccindelosemitidosporelctodo,que se mantienen en su cercana formando una nube electrnica. Este fenmeno fue observado inicialmenteporEdisonyseledesignacomoefectoEdison. Si se aplica un voltaje positivo al nodo insertando una fuente en el circuito externo en serie con el galvanmetro,seproducirenelinteriordeltubouncampoelctricoqueatraermselectronesdela cercanadelctodoy,porconsecuencia,lacorrientequeregistrarelgalvanmetrosermayor.Tales el principio del diodo en el que se tienen solamente dos electrodos. Si se aumenta gradualmente el voltaje positivo del nodo, la corriente aumentar hasta un punto en que prcticamente todos los electrones emitidos por el ctodo emigran de ste y son capturados por el nodo. Esta corriente se designa como corriente de saturacin y el voltaje de nodo necesario para alcanzarla, como voltaje de saturacin.Lacorrientedesaturacindependedelatemperaturadelctodoydesufuncindetrabajo. Solamente los electrones con suficiente energa cintica pueden escapar del metal del ctodo, por lo quelaemisintermoinicadalugaraquesereduzcalaenergacinticadelosrestantestomosenel metal y, por consecuencia, disminuye su temperatura. Por ello, el calentamiento del ctodo debe mantenerse de forma continua para evitar que se reduzca la temperatura como resultado de la emisin. Unctodo,utilizadocomoemisortermoinicodebesatisfacerdosrequisitos:altaeficienciadeemisin yvidatillarga.Laeficienciaaltadeemisinseconsigueconmetalesdebajafuncindetrabajoyla vida til, manteniendo la temperatura del ctodo suficientemente alejada del punto de fusin o de evaporacindelmetal. Efectos de la carga de espacio. La teora desarrollada por Richardson y Dusham proporciona la densidaddecorrienteelectrnicadebidaalaemisintermoinicacomo
Galvanmetro
J s = AT e
2
W kT
(5.1)
donde:Js=CorrientedeemisinenA/cm2. A=Constantequedependedelmaterialemisor,cuyovaloresdelordende2.
T=Temperaturaenkelvins. k=ConstantedeBoltzmann(1.381023J/K). W=Funcindetrabajo. b1=Constantequedependedelanaturalezadelasuperficieemisorayquedauna medidadeltrabajoquedeberealizarunelectrnparaescapardelasuperficie emisora. Laecuacinanteriorasumequelaintensidaddecampoelctricoesceroenlasuperficiedelctodoy, sisesuponeunmetalparaelqueA=2yW=1eV(1.6 1019J)setienelacurvamostradaenlafigura 3.2.
Fig.2.Densidaddecorrientedebidaalaemisintermoinica enfuncindelatemperaturadelemisor Conviene notar que la emisin termoinica no es significativa para temperaturas inferiores a unos 1000K.Silafuncindetrabajodelmetalesmayora1eVlacurvasedesplazaaladerecha. LaecuacindeRichardsonDushamasumequelaintensidaddecampoelctricoenlasuperficiedel ctodoemisorescero.Siloselectronesseacumulanenelexteriordelctodoycercadesusuperficie, forman una nube de carga negativa que puede desplazarse hacia un segundo electrodo positivo. Como consecuencia de ese desplazamiento, las condiciones del campo elctrico en la superficie del ctodocambian.Langmuirencontrquesielvoltajeaplicadoalnodonoessuficientementealto,el aumento indefinido de la temperatura del ctodo no produce un aumento indefinido de corriente, sinoqueparacadavoltajeparticulardelnodosealcanzaunaregindesaturacin,comoseilustraen lafigura5.3.
Corriente de nodo Richardson-Dusham
V2 > V1
Voltaje de nodo, V1
Temperatura
Fig.5.3.Saturacindelacorrientedenododebidaalefectodelacargadeespacio. Seobtienencurvassimilaresparalacorrientedenodoenfuncindelvoltajedenodoatemperatura constante Tiposdectodos.Laemisintermoinicapuedeconseguirseyaseadirectamenteporunfilamento calentado por la accin de una fuente externa o, como se indica en la figura 5.1, con un filamento separado del ctodo que acta como fuente de calor para ste. En el primer caso en que el propio filamentoactacomoctodosedicequeeltuboesdecaldeodirecto.Enelsegundo,dondeelfilamento yelctodosondoselementosdiferentes,lavlvulasedesignacomodecaldeoindirecto.lamayorparte delasvlvulasutilizadasentransmisin,exceptoabajaspotencias,sondecaldeodirecto. Losmetalespurosconbajafuncindetrabajo,talescomolosmetalesalcalinosoelcalcionopueden utilizarse como emisores ya que se evaporan a temperaturas a las que empieza a obtenerse emisin apreciable. Solamente dos metales en estado puro, el tungsteno y el tantalio son adecuados para utilizarsecomoemisores,sibieneltantalionoseutilizayaqueesmssensiblealaaccindelosgases residualesqueseproducenenelinteriordeltuboaconsecuenciadelaelevadatemperaturaytambin sutemperaturadeevaporacinesinferioraladeltungsteno. Segnsemencion,lasvlvulaselectrnicasparapotenciaspequeassuelenserdecaldeoindirecto, enqueelctodoconsistedeuncilindroomanguitometlico,generalmentedenqueloaleacionesde estemetalconotrosyunrevestimientodeunaovariascapasdeunamezcladecarbonatosdebarioy estroncio.Estopermitealcanzarfuncionesdetrabajomuybajas,delordende0.5a1.5eVconloquese consiguen elevadas eficiencias de emisin a temperaturas del orden de 1000 K. En el interior del ctodo,ysincontactoconl,seencuentraunfilamentocalefactorqueleproporcionalatemperatura necesariadeemisin.Lastemperaturasdefuncionamientodelosctodosvandesdealrededorde1000 K para ctodos de xido cuya funcin de trabajo es del orden de 1 eV, hasta 2500 para los de tungstenopuro,decaldeodirecto,confuncindetrabajode4.5eV. Ancuandoelrecipientedelavlvulaestalaltovaco,nuncaesposiblelograrunvacototaldeaire u otros gases, por lo quealgunos residuos gaseosos suelenquedar ocluidos en los materiales de los electrodos. La presencia de cantidades significativas de gas en el interior de un tubo electrnico lo haceintil.As,lapresenciadeoxgenoreduceoanulalaemisinelectrnicaenlosctodosdexido, aldarlugaraoxidacindelmetalactivooproducirdepsitosdeionespositivossobrelasuperficiedel ctodo.Eldesarrollodepuntoscalientesenelctodo,debidoainhomogeneidadesdelmaterialoa calentamientonouniformees,tambin,unacausadedeteriorodelctodo.Enestospuntoscalientesla temperatura aumenta y tambin la emisin, pudiendo dar lugar a efectos acumulativos que traen comoconsecuencialadestruccindelctodo. En las vlvulas de caldeo directo, para potencias superiores a unos 100 w, se prefieren los ctodos (filamentos) de tungsteno o de una aleacin de tungsteno con pequeas cantidades de torio, designadacomotungstenotoriado,conmenorfuncindetrabajoqueeltungstenooeltoriopuros. Emisinsecundaria.Ademsdelaemisintermoinicahaydostiposdeemisinqueintervienende manera importante en el funcionamiento de los tubos electrnicos, con frecuencia con efectos indeseables: la emisin secundaria y la emisin por campo. En algunos tubos, como los multiplicadores electrnicos se aprovecha la emisin secundaria, pero en el caso de las vlvulas de transmisin,esgeneralmenteindeseable.
Laemisinsecundariaseproducecuandounionountomoexcitadochocancontralasuperficiede unslidoycausanlaexpulsindealgunoselectronessecundarios.Elnmerodeelectronessecundarios emitidosporcadaelectrnprimarioesfuncinnoslodelaenergacinticadelelectrnincidentey delafuncindetrabajodelemisorsecundario,sinotambindelaenergatrmicainternadeste.La cantidaddeelectronessecundariosaumentaconlavelocidaddeloselectronesprimarios.Laemisin secundariapuedetenerefectosapreciablesenelfuncionamientodelostuboselectrnicosavoltajesde aceleracininclusomuypequeos,delordende10volts.Avoltajesmsaltoslaemisinsecundaria tiende a disminuir, posiblemente porque los electrones incidentes penetran ms en el slido y transfierenlamayorpartedesuenergaaelectronesalejadosdelasuperficie.Loselectronesprimarios pueden ser absorbidos, reflejados o dispersados por la superficie y el nmero de electrones secundariosemitidosesmenorsielbombardeoesconionespositivosenlugardeelectrones. Unodelosmejoresemisoressecundarioseselxidodecesio,parcialmentereducidosobreunabase deplata.Paraenergasdeelectronesprimarioscomprendidasentreunos400y700eV,lasuperficiede estematerialtieneunarelacindeemisinsecundariade10,esdecir,emitediezelectronesporcada electrnprimario. El bombardeo con iones positivos tambin puede producir emisin secundaria, pero con mucho menoreficienciaquesielbombardeoesconelectrones.Estosedebeaqueenelprocesodecolisin entre un ion pesado y un electrn, slo puede impartirse al electrn una pequea fraccin de la energadelion,anenunchoquefrontal.Finalmentehayquemencionarquetambinlosaisladores puedenemitirelectronessecundarios. Emisinporcampo.Loscamposelctricossobrelassuperficiesemisorasdeelectronestambintienen influenciaenlaemisin.Enestecasoelcampoelctrico,siesdelsignoadecuado,ejerceunainfluencia extractora sobre los electrones cercanos a la superficie que tiende a arrancarlos de ella, independientementedelatemperaturaalaqueseencuentredichasuperficie.Enelcasodelaemisin termoinica,loscampossobrelasuperficiedelctodotiendenaaumentarlaemisindeelectronespor ste, mediante dos mecanismos principales. Si el campo aplicado es dbil o moderado, se reduce la barrera de potencial en la superficie del ctodo, lo que resulta en una reduccin de la funcin de trabajoefectiva.EstefenmenoseconocecomoefectoSchottky. Silaintensidaddelcampoaplicadoalemisoreselevada,labarreradepotencialsereducelosuficiente como para producir un efecto de tnel. Este fenmeno es muy importante en las vlvulas de transmisinquefuncionanconpotencialeselevadosyrecibeelnombredeemisinporcampoytambin emisindectodofro.Enestetipodeemisinporcampointenso,loselectronesnonecesariamente deben tener la energa necesaria para cruzar la barrera de potencial determinada por la funcin de trabajo.Cualquierelectrnpuedeparticiparenelmecanismodetnelrelacionadoconlaemisinde campointensoy,puestoqueenunmetalhayunagrancantidaddeelectronesdisponiblesparaeste proceso,ancuando la probabilidad de escape seamuy pequea, puedenalcanzarse densidades de corrientedeemisinelevadas. An cuando en algunos dispositivos como el microscopio electrnico de emisin por campo este efectoconstituyeunafuentetildeproduccindeelectrones,engeneralesunefectoindeseableque resultadestructivoenelcasodelasvlvulaselectrnicas,yaquealarrancarliteralmenteloselectrones delctodo,inclusoabajastemperaturas,provocasudestruccincomofuentedeemisintermoinica.
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5.2Diodos Los diodos al vaco, empleados principalmente como rectificadores en fuentes de alimentacin, prcticamente han dejado de utilizarse en los transmisores de radio y televisin y han sido reemplazados completamente por diodos de estado slido, rectificadores controlados de silicio o tiristores y triacs. Los principios de funcionamiento de los diodos al vaco se han descrito en las secciones anteriores y su inters aqu, es nicamente esbozar los principios fundamentales de las vlvulas de vaco. An cuando desde el punto de vista terico el estudio de los diodos al vaco es interesante,omitiremosaquuntratamientomsamplio. 5.3Triodos Lostriodossiguenutilizndoseextensamente,sobretodoenlasbandasdeLF(30a300KHz),MF(300 KHz a 3 MHz) y HF u onda corta (3 a 30 MHz). En radiodifusin sonora en FM y televisin se prefierenlostetrodosuotrostiposdetuboscomoelklystronyelIOTquesetratarnmsadelante. Sin embargo, el estudio de los triodos es importante para comprender el funcionamiento de otros tiposdevlvulasmscomplejasyporello,seresumirnacontinuacinalgunasdesuspropiedadesy caractersticasmsimportantes.Eltriodoesunavlvuladevacodetreselectrodosyfueinventada porLeedeForestenlosEstadosUnidosenlasegundadcadadelsigloXX. En el triodo,ademsdel ctodo y la placa se tieneun tercer electrodo constituido poruna rejillade alambremuyfino,intercaladaentrelaplacayelctodoyfsicamentecercanaaste.Estarejadecontrol puede tener diversas configuraciones; puede ser una hlice de alambre o un cilindro de malla de alambreyanuncilindroslidoconunaperforacinparapermitirelpasodeloselectroneshaciala placa.Elsmbolohabitualparaeltriodoeselqueseindicaenlafigura5.4.
Placa
Reja de control
Filamento Ctodo
Figura5.4.Triodo Sialarejadecontrolnoseleaplicaningnvoltajeosiselaconectadirectamentealctodo,lavlvula secomportaigualqueundiodo.Sinembargosiseleaplicaunvoltajenegativorespectoalctodo,se produciruncampoelctricoentrerejayctododesignoopuestoalcampoentreplacayctodo,que seopondralpasodeloselectronesporlaregincercanaalarejayreducirlacorrientetotaldeplaca respecto a laque se tendra si la reja no estuviera polarizada. Si, por el contrario, la reja se polariza positivamente respectoalctodo,atraer ms electrones de la regin de carga de espaciocercanaal ctodo y aumentar la corriente de placa. Adems, al ser la reja positiva, atraer una parte de los electronesqueviajanhacialaplacayseestablecerunacorrienteelctricaenelcircuitoexternoentre rejayctodo.Enlaprctica,conexcepcindelosamplificadoresquefuncionanenclaseC,elvoltaje derejanoalcanzavalorespositivosylacorrientederejaescero.Enestascondicioneslaimpedancia entrerejayctodoesprcticamenteinfinita.
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Curvasdeplaca.Sielvoltajederejasemantieneconstante,lacorrientedeplaca,alvariarelvoltajede placa, sigue una variacin similar a la que se tiene en un diodo. La diferencia en el triodo es que, dependiendodelamagnituddelvoltajedereja,sernecesariomayorvoltajedeplacaparaconseguir lamismacorrientedeplacacuandoelvoltajederejasehacemsnegativo.Enlafigura5.5semuestra uncircuitoconelquepuedeobtenerselafamiliadecurvasdeplacaparauntriodo.Enestascurvasse trazan los valores de corriente de placa para diferentes voltajes de placa, manteniendo constante el voltajedereja.
A
V VG
VG
V BB
Fig.5.5Circuitoparadeterminarlascurvascaractersticasdeuntriodo. Sisemantieneelvoltajederejillaconstanteysevaraelvoltajedeplaca,seobtienencurvascomolas mostradas en la figura 5.6. Estas curvas corresponden a un trodo de los utilizados actualmente en amplificadoresdeaudioysedesignancomocurvasdevoltajederejaconstante..
Fig.5.6.Curvascaractersticasdeuntriodo6N1P En el diseo de amplificadores de potencia es ms comn utilizar las curvas de corriente de placa constantecomolasdelafigura5.7yquesonfuncindelosvoltajesderejayplaca.Seobserva,adems delascurvasdecorrientedeplacatrazadasconlneascontinuas,selasdecorrientederejaconlneas punteadas. La corriente de reja circula cuando su voltaje es positivo con respecto al ctodo, lo que ocurreenamplificadoresclaseCdurantecortosintervalosdelciclodelaseal. Eltrododelafiguraesun3CX400A7,capazdefuncionarenlabandade30a500MHzaunapotencia de salida de hasta 500 W. El voltaje tpico de funcionamiento de placa es de 2 KV. y la potencia requeridaalaentradaesdeunos20W,porloquesugananciaesde25(14dB).
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Figura5.7.Caractersticasdeuntrododepotencia3CX400A7 Acausadelacercanadelarejaconelctodo,cualquiervariacinenelvoltajederejatieneunefecto considerablementemayorsobrelacorrientedeplacaqueunavariacinigualenelvoltajedeplaca,lo quehaceposiblelaamplificacindelvoltajedelassealesaplicadasenlareja.Sedefineunfactorde amplificacindeuntriodoy,engeneraldeotrostubosdevaco,comolarelacindecambiodelvoltaje deplaca,vp,respectoalvoltajedereja,vg.
v p v g
(5.2)
Otrosparmetrosdelostriodossonlaresistenciadeplaca(rp)ylatransconductancia(gm).Laresistencia deplacarepresentalavariacindelvoltajedeplacarespectoalacorrientedeplaca,ip,manteniendo constanteslosrestantesvoltajesdetuboysedefinecomo:
rp =
v p i p
(5.3)
Latransconductancia,oconductanciamutua,expresalavariacindelacorrientedeplacarespectoal voltajedereja,manteniendoconstanteslosdemsvoltajes.Seexpresacomo:
gm =
i p
v g
(5.4)
Delasexpresionesanteriorespuedeobtenerselarelacinsiguiente: = g m rp
(5.5)
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Neutralizacin. En los tubos de vaco estn presentes capacidades interelectrdicas e inductancias de terminal que constituyen elementos designados como parsitos y que actan, entre otras cosas, como elementosderealimentacinquedanlugaraoscilacionesparsitas.Enlostriodosesparticularmente importante la capacidad interna entre reja y placa, ya que constituye un elemento de acoplamiento entre la salida y la entrada que, en las condiciones adecuadas de fase, es capaz de hacer que el amplificador entre en oscilacin. Este efecto es indeseable en un amplificador y es necesario eliminarlo.Paraello,unatcnicahabitualesutilizarunareddedesacoplamientoentrelaentradayla salidaque,confrecuencia,sereduceauncondensadorexternoconectadoentreplacayreja. Aplicaciones de los triodos. En la actualidad los triodos se emplean casi nicamente en amplificadores de alta potencia de RF, entendindose aqu, un tanto ambiguamente el trmino de alta potencia, como aqullas potencias superiores a unos 500 w. En los ltimos aos han vuelto a encontrar aplicacin en amplificadores de audio, ya que los audifilos encuentran ms agradable el sonido obtenido con amplificadores a vlvulas que con los de estado slido. En la figura 5.8 se muestran algunos de los triodos de alta potencia de diseo y manufactura reciente. En general este tipodetubosseempleaenradiodifusinsonoraenlasbandasdefrecuenciasmedias(5401650KHz)y altas(330MHz).EnlasbandasdeVHFyUHFporlogeneralseempleantetrodos.
Fig.5.8.Triodosdepotenciaparatransmisin(EnglishElectricValveCo.Ltd.) 5.4Tetrodos Untetrodoesunavlvuladevacodecuatroelectrodosque,ademsdelctodo,larejadecontrolyla placaincluyeunarejaadicionalentrelaplacaylarejadecontrol,alaquesedesignacomorejapantalla y habitualmente se abrevia como SG (screen grid). La forma de esta reja es similar a la de la reja de control,esdecir,unahliceounamallametlicafina.Elsmboloutilizadoparaeltetrodosemuestra enlafigura5.9.
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Placa
Reja pantalla Reja de control
Ctodo Filamento
Fig.5.9.Smbolodeltetrodo La reja pantalla o simplemente, pantalla, se introdujo originalmente para eliminar algunos de los inconvenientes inherentes a los triodos, causados principalmente por la relativamente elevada capacidadentrerejayplaca.Talesefectosson,primero,elefectoMiller,quehacequelacapacidadde entrada de un triodo aumente con su ganancia y, segundo, la necesidad de neutralizar un triodo sintonizadoparaevitarlarealimentacinatravsdelacapacidadrejaplaca,queproduceoscilaciones indeseables. Puesto que la reja pantalla forma un blindaje electrosttico entre la reja de control y la placa,lacapacidadentreestosdoselectrodossereduceconsiderablemente,minimizandoaselefecto Milleryeliminandolanecesidaddeneutralizacindelosamplificadorescontetrodossintonizadosa frecuenciasbajasomoderadas. Puesto que la pantalla constituye un blindaje electrosttico entre el ctodo y la placa, el voltaje de placa tiene muy poco efecto sobre el gradiente de potencial en la superficie del ctodo y, por consecuencia,muypocoefectosobrelacorrienteenlavlvula.Lapantallaporlogeneralfuncionacon voltajespositivosquesesitanentre0.25y1.0delvoltajedeplaca. Curvascaractersticasdelostetrodos.Lascurvascaractersticasdelacorrientedeplacarespectoal voltajedeplacasemuestranenlafigura5.10.Segnaumentaelvoltajedeplacadesde0V,lacorriente deplacaaumentainicialmente,peroluegoempiezaadisminuirenlazonaenqueelvoltajedeplacaes ligeramente inferior al de pantalla. Esta caracterstica de resistencia negativa es debida a la emisin secundariaenlaplaca.Esdecir,loselectronesquechocanconlaplacaprovocandesprendimientode electrones secundarios de sta, que son atrados por la pantalla cuando su voltaje es superior al de placa.Avoltajesdeplacasuperioresaunos25Vlavelocidadadquiridaporloselectronesessuficiente paraproduciremisinsecundariaenlaplaca.As,paraunvoltajeconstantedelarejadecontrol,la corrientedeplacadisminuyealaumentarelvoltajedeplacaylaresistenciadinmicadelaplacaes negativa,hastaqueelvoltajedeplacaesmayorqueeldepantalla.Estoseilustraenlagrficadela figura5.11,enquesemuestralacorrientedepantallarespectoalvoltajedepantalla,paraunvoltaje depantallaconstante,de65Vyconlarejadecontrola3V. Tanprontoelvoltajedeplacaaumentasobreeldepantalla,loselectronessecundariosemitidosporla placaqueregresanaellaaumentanconsiderablementey,avoltajesdeplacaligeramentesuperioresal de pantalla, la corriente de pantalla disminuye considerablemente, como se puede apreciar en la figura5.11.
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Fig.5.10.Curvascaractersticasdeuntetrodo
Fig.5.11.Caractersticadelacorrientedepantallarespectoalvoltajedeplaca. Asuvez,larejapantallatambinemiteelectronessecundarios,comoconsecuenciadeloselectrones quelleganaelladelaregindelctodoylarejadecontrol.Sinembargo,estoselectronessecundarios contribuyenmuypocoalacorrientetotaldeplacayaquesunmeroesproporcionalmentemenory, adems,porqueengeneralseemitendelladodelarejadecontrolynodeldelaplaca,demodoque nosevenafectadosdirectamenteporelvoltajedeplaca.Delasfiguras5.10y5.11puedeinferirseque
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lascorrientesdeplacaypantallasonprcticamenteconstantesparaunvoltajedepantalladado,igual omenorqueelvoltajedeplaca,independientementedelvalordeste. Aunqueenlareginderesistencianegativaeltetrodopuedefuncionarcomooscilador,porlogeneral noseutilizaparaestafuncin.Enlasaplicacionescomoamplificador,lareginderesistencianegativa constituyeunadesventajaimportantedeltetrodoque,sibienpuedeeliminarseaadiendounatercera rejillaentrelapantallaylaplaca2,tambinpuedeeliminarsemedianteundiseoespecialdeltetrodo en que en el interior del tubo se conforman haces electrnicos de alta densidad entre el ctodo y la placayutilizalosefectosdelacargadeespacioenlareginentrelapantallaylaplacaparaeliminar los efectos de la emisin secundaria. Las vlvulasde este tipo sedesignan como tetrodos de haz de potencia.Laestructurainternadeuntubodeestetiposemuestraenlafigura5.12.
Fig.5.12.Estructurainternadeuntetrododehazdepotencia. La superficie del ctodo es plana y los hilos de las hlices de la reja de control y la pantalla estn alineados,demodoquelaprimeraconstituyeunblindajeelctricoentrelapantallayelctodo.Las placas conformadoras del haz electrnico se localizan a los lados del ctodo y estn conectadas internamente a ste. Estas placas hacen que la corriente en la vlvula forme haces electrnicos estrechosycondensidadrelativamentealta.Ladistanciaentrelapantallaylaplacaesmayorqueen lostetrodosconvencionalesdemodoquelamayorpartedeloselectronesqueconstituyenlacorriente deltuboseencuentranentrelapantallaylaplacaencualquierinstante.Estoselectronesformanuna carga de espacio en la regin pantallaplaca y producen campos electrostticos en el plano de la pantalla y en la superficie de la placa. La densidad de esta carga de espacio es inversamente proporcionalalvoltajedeplacaydirectamenteproporcionalalacorrienteenlavlvula.Elefectode estacargadeespacioesdoble:porunapartehacequeloselectronessecundariosemitidosporlaplaca regresenaellay,porotradesaceleraaloselectronesquepenetranenlareginentrelapantallayla placa, lo que a su vez, hace que aumente la carga de espacio. El resultado de estos efectos produce curvascaractersticasdeltipoquesemuestraenlafigura5.13,enestecasoparauntetrodoantiguo, del tipo GU13. Este tetrodo, utilizado para comunicaciones en la banda de HF (330 MHz), puede
A esta tercera rejilla se la designa como supresora y la vlvula con tres rejas se llama pentodo. Los pentodos no suelen utilizarse en amplificadores de potencia de RF.
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entregarencondicionestpicas,220Wa15MHzavoltajesdefuncionamiento,UA=2KV,USG=400V, UG1=35V,conunacorrientedeplacadelordende50mA.
Fig.5.13.Curvascaractersticasdeplacadeuntetrodo dehazdepotenciatipoGU13 Enlaregindevoltajedeplacabajoydecorrienteinyectadaconstanteydealtadensidad,lacargade espacioentrelapantallaylaplacaessuficientementegrandecomoparareducirelpotencialaceroen unplanoentrelapantallaylaplaca,formandounctodovirtualendichoplano.Enesascondiciones,el gradientedepotencialenelplanodelapantallaestalquesololoselectronesinyectadosconsuficiente velocidadparavencerlafuerzadelcamponegativo,llegarnalaplacaytodoslosdemselectrones regresarn hacia la pantalla y sern, o bien capturados por ella, o pasarn a la regin de carga de espacioentrelapantallayelctodo.Unaumentorelativamentepequeodelvoltajedeplacaproduce, enlaregindelaizquierdadelascurvasdelafigura14,unaumentoconsiderabledelacorrientede placa,yaqueelctodovirtualsedesplazahacialaplacasegnaumentaelvoltajedeplaca. Cuandoelvoltajedeplacaaumentahastaunvalorenquelacorrientedeplacaesigualalacorriente inyectada, la corriente de placa ya no aumenta, puesto que toda la corriente inyectada a la regin pantallaplacavaapararaestaltima.Enestascondiciones,elaumentoenelvoltajedeplacayano produce aumento de la corriente de placa ya que la accin de blindaje de la pantalla impide que el potencialdelaplacaalterelacorrientedectodoyelctodovirtualprcticamentehadesaparecido. Debidoaquelapantallaestbienaisladadelctodoacausadesualineamientoconlarejadecontrol, el nmero de electrones interceptados por la pantalla es bajo y la corriente de pantalla es pequea respecto a la corriente de placa, de modo que la linealidad de las curvas de la figura 14 permite excursionesgrandesdesealconpocadistorsinyesto,aunadoalabajarelacinentrelascorrientes depantallayplaca,permiteobteneraltaseficienciasenlostetrodosdehaz.
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En la figura 5.14 se muestra un tetrodo de haz de potencia, tipo 465A, en ampolla de vidrio al vaco. Este tipo de vlvula es capaz de entregar 120 W a una frecuencia de 150 MHz, con una potencia de entrada de 3 W. El nodo o placa se conecta en la parte superior y puede apreciarse la forma de la placa, similar a la mostrada en la figura 13. Los electrodos restantes, ctodo, rejas de control y pantalla y electrodos formadores del haz, se sitan en el espacio al interior de la placa y se conectan a las patas en la parte inferior del tubo. Este tipo de tubos es, en la actualidad, relativamente poco usado y, principalmente para comunicaciones en HF y VHF, en las bandas de radioaficionados. Los niveles de potencia de tubos como este pueden alcanzarse fcilmente en la actualidad con dispositivos de estado slido como los transistores VMOS, LDMOS y an transistores bipolares.
Fig.5.14.Tetrododehaztipo465A Enlafigura5.15semuestrauntetrododehazdeltipo4X250,capazdeentregarunapotenciadesalida delordende350W.Estetipodevlvulasehausado,yanseempleaampliamenteenaplicacionesde RF. La placa en la parte superior contiene numerosas aletas entre las que circula aire forzado, suministradogeneralmenteporlaparteinferioratravsdeconductosadecuados.Lafinalidaddelas aletasesaumentarlasuperficiederadiacindecalor.Laausenciadeventilacinforzadaenestetipo detubos,dalugaralafusindelaplacaylaconsiguientedestruccindeltuboenpocosminutos.
Fig.5.15.Tetrododepotencia Durante dcadas, lo tetrodos fueron mejorndose y se consiguieron tubos capaces de entregar potenciassuperioresa20KWenUHFyaunquesugananciaesrelativamentebajaysuvidamediatil delordende15000a20000horas,continanutilizndose,yaquesueficienciaesbuena
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5.5Diacrodos Eldiacrodoesuntubodesarrolladoenlosltimosaos,quecomenzautilizarseentransmisoresde televisinenlabandadeUHF,enradaresyaceleradoresdepartculasalrededorde1994.Suprincipio de funcionamiento es, bsicamente, el mismo que el de un tetrodo de haz de potencia en que la corrientedenodoesmoduladaporunvoltajedeRFaplicadoentreelctodoylarejadecontrol.En lafigura5.16semuestraundiacrodousadoenamplificadorespotenciadetransmisoresdetelevisin enUHF.Enlafigura17(a)setratadeuntuboenfriadoporaireyenla17(b)deunoenfriadoporagua ovapor.
Fotografa cortesa de Thomson Tubes Electroniques (a) (b) Fig.5.16.Diacrodos.(a)Enfriadoporaire.(b)Enfriadoporvapor. Laprincipaldiferenciaentreeldiacrodoyeltetrodoeslaposicindelaszonasactivaseneltubo,es decir,suselectrodos:ctodo,rejadecontrol,rejapantallayplacaenloscircuitoscoaxialesresonantes, loquedacomoresultadounamejoraenladistribucindelacorrientereactivaenloselectrodosdel tubo.Elcircuitodeltetrodoserealizademodoquequedeunnododecorrientealfinaldeuncircuito deuncuartodelongituddeonda(/4).Eltetrodo,enunamplificador,espartedelcircuitoresonante deuncuartootrescuartosdelongituddeonda.Asimismo,susdimensionesgeomtricasjueganun papelimportanteycondicionanlosvoltajesycorrientesdeRF.Lapotenciaqueentregauntetrodoes elproductodelvoltajedeRFdeplacaylacorrientedenodoalafrecuenciafundamental.Elvoltaje de nodo se limita a un mximo del orden de 30 KV y, por consecuencia, para conseguir un rendimientoelevadoesnecesarioqueelctodotengaunreagrande3. Elaumentodelreadelctodopuedeconseguirsededosformas:aumentandoeldimetrodelctodo osualtura.Elaumentodeldimetrodelctodotienedosefectossobresusparmetroselctricos: a) Disminucin de la frecuencia de resonancia en el modo TE11. Si esta frecuencia es muy cercana a la frecuencia nominal o a su primer armnico, es muy difcil, sino imposible, amortiguarlasoscilacionesparsitas.
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G. Clerc, J.P. Ichac and C. Robert. A New Generation of Grided Tubes for Higher Power and Higher Frequencies. IEEE, 1998.
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b) Aumentodelascapacidadesparsitasdeltubo. Alturadelctodo.Lareglaque,deacuerdoalaexperiencia,hasidoadoptadaporlosfabricantesde tubos,esnoexcedernunca1/16paralaalturadelctodoalamximafrecuenciadefuncionamiento cuando el tubo opera con un elevadociclo de trabajo. Por ejemplo, a 80 MHz, la mximaaltura del ctodoserade234mm.Estaregladebeinterpretarse,yesdictada,porlasprdidasaRFgeneradasen loselectrodosdeltubo,enparticular,larejapantalla. Enelcircuitodesalida,enelespacioentrelarejapantallayelctodo,losvoltajesycorrientesdeRF puedenexpresarsemediantelassiguientesecuaciones:
V ( x) = Vmax cos x = Psal R L cos x

I ( x) = J Vmax sen x Zc
(5.6)
(5.7)
Donde,=2/ x=Distanciadesdeelextremosuperiordeltubo. RL=Impedanciadecargaalaqueestconectadoeltubo. Vmax=Voltajesobreelejedeltuboenx=0. ZC=Impedanciacaractersitcadelespacioentreelnodoylarejapantalla. J=Constantequedependedelageometradeltuboydeltipodectodo. Lasecuacionesanterioresmuestranquelasdistribucionesdecorrienteyvoltajeenelespacioentreel nodoylarejapantallanosonuniformesy,porconsecuencia,ladistribucindepotenciatampocoes uniforme, tenindose la potencia mxima en la parte superior. De hecho, el diseo del diacrodo combina en un tetrodo las capacidades y ventajas de una tecnologa avanzada con el concepto desarrolladoporlaempresaRCAhacemuchosaos,ensustriodosdedobleterminacinymuyalta potencia. Eldiacrodoes,enrealidad,untetrododedobleterminacin,enelquelasvariacionesenlasprdidas sonproporcionalesalcuadradodelaalturadelctodo.Portanto,laideaesobtenerlamismaaltura equivalente del ctodo, poniendo en paralelo dos medios tetrodos. En tales condiciones, las conexionesseduplicany,conuncircuitoadecuadodesalida,eldispositivopuedesintonizarseenun circuitode/2conelmximovoltajedenodosituadoalamitaddelaparteactiva,demodoquelas prdidassonmnimas.Enlafigura5.17semuestralaestructurainternadeundiacrodoy,enla5.18, lasdistribucionesdecorrienteyvoltajeenuntetrodoyundiacrodo.
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Imagen cortesa de Thomson Tubes Electroniques
Fig.5.17.Estructurainternadeundiacrodo Comoconsecuenciadeloanterior,conestetipodetubo,lalongitudmximaaceptableparaelctodo no es de 1/16, sino de 1/8 y la potencia puede duplicarse, asumiendo que el punto de funcionamientoseeligecuidadosamente.
Fig.5.18.Distribucindecorrienteyvoltajeenuntetrodoyundiacrodo Porejemplo,entransmisindetelevisin,eltetrodoconmayorcapacidaddepotencia,fueelTH563 fabricado por Thomson, que poda entregar 30 KW en amplificacin comn de vdeo y audio. El diacrodoTH680,conunctododedoblealtura,escapazdeentregar60KWenamplificacincomn. En otras aplicaciones en operacin pulsada, tal como se requiere en radares y aceleradores de partculas,eldiacrodoTH526puedeentregarunapotenciapicode1600KWyelTH628,hasta3000 KW,conpotenciasefectivasde240y600KWrespectivamente.Lacorrientedeplacaenestostubos, alcanzalos124AenelTH526y164AenelTH628.Lagananciatpicadeestostubosesdelordende 14dB. 5.5Pentodos Las desventajas de los tetrodos convencionales se superan con los tetrodos de haz y, tambin, agregandounatercerarejaentrelapantallaylaplaca,quesedesignacomorejasupresora.Lavlvula contiene ahora cinco electrodos y de ah su nombre: pentodo. La reja supresora va generalmente conectada al ctodo o a tierra y su funcin es la de producir una regin de bajo potencial entre la
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pantalla,demaneraanlogaalaqueseconsigueconlasplacasformadorasdelhazenlostetrodos.En otras palabras, la reja supresora da lugar a un ctodo virtual retornando a la placa los electrones secundarios emitidos por ella y eliminando la regin de resistencia negativa. Adems, la reja supresora acta como un blindaje electrosttico adicional entre la placa y el ctodo, reduciendo el efectodelvoltajedeplacasobrelacorrientedectodo.Lascurvascaractersticasdeunpentodoson muy similares a las de un tetrodo de haz en que, en la regin lineal, la corriente de placa es prcticamenteindependientedelvoltajedesta.Enlaactualidadlospentodosyaprcticamentenose utilizanenaplicaciones de RF.Sin embargo, vuelven aemplearse enamplificadores de audio.Enla figura 20 se muestra una vlvula de este tipo, en que la conexin de la placa se realiza mediante el capuchnenlapartesuperiorylasrejasyctodoseconectanatravsdelaspatasenlaparteinferior.
Fig.5.19.Pentodo 5.6Klystrons Lostriodosytetrodosconvencionales,utilizadosextensamenteenamplificadoresdepotenciaenlos transmisores de radio y televisin tienen limitaciones de funcionamiento a frecuencias superiores a unos 500 MHz, a causa de los efectos de las capacidades interelectrdicas y a las inductancias parsitasintrnsecasdesusterminales,ascomodeltiempodetrnsitodeloselectronesentrectodoy nodo.Estaslimitacionesdieronlugaraldesarrollodetubosplanosoplanares,enqueloselectrodosse conectan al exterior mediante discos a fin de reducir los efectos de las inductancias y capacidades parsitas, con lo que fue posible su empleo hasta frecuencias cercanas a 1 GHz. An as, las limitaciones inherentes a la geometra de este tipo de tubos hacen que sean poco adecuados a frecuenciassuperiores.Esto motiv eldesarrollo de otros dispositivos de vaco para amplificacina frecuencias de microondas, en los que es posible reducir el tiempo de trnsito y los efectos de los elementosparsitos.Entreellosseencuentranelmagnetrn,elklystronyeltubodeondaprogresiva(TOP o TWT). Los dos ltimos se designan como de haz lineal y se basan en la interaccin de un haz electrnicoconcamposelctricos,entantoqueelmagnetrnempleaotroprincipio.Enparticular,los klystrons han encontrado amplia aplicacin a frecuencias a partir de unos 500 MHz, como amplificadores de potencia en transmisores de televisin, transmisores de microondas, radares y aceleradores de partculas. En la dcada de 1990 se desarrollaron dos tipos de vlvulas considerablementemseficientesquelostetrodosyquelosklystrons.Eldiacrodo,queesunavariante del tetrodo segn se mencion en la seccin 4 y el tubo de salida inductiva o IOT, que puede considerarsecomounavariantedelklystron.Estostubosestnreemplazandoelempleodetetrodosy klystrons en los transmisores de alta potencia de diseo reciente. Researemos aqu algunas de las principalescaractersticasdelklystron. Elklystronesuntuboovlvulaalvaco,utilizadoenlageneracinyamplificacindesealesdemuy altas frecuencias, inventado por R. H. Varian en 1937. El funcionamiento del klystron, tanto como oscilador o como amplificador se basa en la modulacin de velocidad de los electrones de un haz, sometidosaaceleracionesyfrenadoscomoconsecuenciadelaaplicacindeunasealvariableenel
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tiempo. En la aplicacin como amplificador, la versin ms simple del klystron es la de un tubo electrnicoconvariascavidades,comoseilustraenlafigura5.20yenelquesedefinentresregiones: ctodo, nodo y regiones o tubos de arrastre, deriva4 o de interaccin de RF, a las porciones intermediasentrelascavidades. Laporcinprincipaldeltubolaconstituyeunciertonmerodecavidadesresonantes,tresenlafigura, delasqueunaeslacavidaddeentradaalaqueseaplicalasealdeRFyotra,ladesalida,delaque seextraelasealamplificada.Entrestaspuedenlocalizarseunaomscavidadesintermedias,todas ellasinterconectadasporseccionesdetubometlicodesignadascomotubosdearrastre.Lascavidades resonantes se disean de forma que no propaguen energa electromagntica a la frecuencia de funcionamientodeltubo,conloqueseconsigueungranaislamientoentrelascavidadesdeentraday salidasinrecurriralempleodeatenuadoresenelinteriordelklystron,caractersticamuyimportante ydeseableenlosamplificadoresdealtapotencia.
Cavidad intermedi a Imanes de confinamiento del hazelectrnico Cavidad de salida
Cavidad de entrada
Can electrnico
Colector Haz Electrnico Tubo de arrastre
Ctodo +
Anodo Seal de entrada Seal de salida
Fig.5.20.Esquemadeunklystrondetrescavidades En el can electrnico se origina un haz de electrones, que es acelerado a travs de un alto voltaje aplicado al nodo y que luego pasa a travs de los tubos de arrastre, frente a las cavidades, hasta impactarenelcolector.Elcuerpoprincipaldeltubo,incluyendoelcolector,semantienegeneralmente apotencialdetierra,entantoquealctodoyelectrodosdeenfoquedelhazqueconstituyenelcan electrnico,selesaplicaunpotencialnegativoelevado,delordende20a30KV. En la cercana del ctodo, un sistema de enfoque electrosttico confina el haz y lo dirige hacia el interiordelprimertubodearrastre.Paramantenerelconfinamientodelhazenelinteriordeltubode arrastre y evitar que se disperse hacia las paredes, se aplica un campo magntico axial. En un procedimiento de colimacin, designado como enfoque de Brillouin, el confinamiento del haz se consigue hacindolo pasar a travs de una placa magntica, que acta como pantalla de blindaje contra el campo magntico externo y evita sus efectos en la regin del can electrnico. La
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Drift
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componente del campo magntico transversal en laabertura de la placa de Brillouin proporcionaal haz electrnico un movimiento de rotacin sobre su eje, que al interactuar con el campo magntico longitudinal(axial)alolargodeltubodearrastre,produceunafuerzacentrpetasobreloselectrones del haz, en direccin al eje del tubo que, mediante el ajuste adecuado de la intensidad del campo magnticoaxial,actaanulandoalafuerzacentrfugadebidaalarepulsinproducidaporlacargade espacio en el haz electrnico. Con este mtodo, empleado tambin en aceleradores de partculas, es posible confinar el haz electrnico a lo largo de trayectos grandes con mnima intercepcin de los electrones del haz por las paredes del tubo. En los klystrons prcticos esta intercepcin representa menosdel1%delhazelectrnico.Elnodocolectortiene,porlogeneral,formaescalonadaodentada, para aumentar el rea de disipacin trmica y reducir, adems, la posibilidad de que los electrones secundariosproducidosporelimpactodelhazelectrnicosobreelnodo,regresenalinteriordeltubo de arrastre. La alimentacin y extraccin de las seales en las cavidades puede hacerse mediante lneascoaxialesterminadasenlazosacopladosobienconguasdeonda.Enlafigura18seilustra,con algomsdedetallelaestructurainternadeunklystrondetrescavidades. En los klystrons de cavidades mltiples o multicavidad, el haz electrnico es largo y requiere ser enfocado o confinado para que mantenga una seccin transversal pequea a lo largo del tubo. En tubospequeos,oenlosqueesimportantelainfluenciadecamposmagnticosparsitosoenquese requierebajopeso,seutilizanlenteselectrostticas,peroenlamayoradelosklystronsseempleaun campomagnticouniforme,paraleloalhazelectrnico.Entubosdealtapotencia(>5KW),lostubos seinsertanenelinteriordeelectroimanestoroidalesparaconfinarelhazelectrnicoenelcentrodel tubo.Enlafigura5.21(a)semuestraunklystrondecuatrocavidades.Lascavidadesenestetipode tubonosoninternas,sinoqueseacoplanexternamente,comopuedeapreciarseenlafigura5.21(b). Laszonasdeacoplamientodelascavidadescorrespondenalasporcionesblancasdeltubo,entanto quelasseccionesmetlicasentrelascavidadescorrespondenalostubosdearrastre.
(a)
(b)
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Fig.5.21.(a)Klystrondecuatrocavidades.Laparteinferiorcorrespondealctodoylasuperioral colector. (b)Klystrondecuatrocavidades,montadoenelcarroparasuinstalacineneltransmisor. Seaprecianlascavidadesexternasylasbobinasdeconfinamientodelhaz,localizadasentrelas cavidades. Enlapartesuperiorsetieneelcolectoryelboilerocalderaparaelenfriamientodeltubo. (FotografascortesadeEnglishElectricValveCo.Ltd.) Conelfindedarunaideadelasdimensionesdelosklystrons,enlafigura5.22semuestraunklystron del tipo utilizado en aceleradores de partculas, capaz de entregar potencias pulsantes del orden de megawatts.Elcilindrometlicoenlapartesuperioreselcaldernparaenfriarelcolectorconvapor.
FotocortesadeMarconiAppliedTechnologies Fig.5.22.Klystronutilizadoenaceleradoresdepartculas Elhazelectrnicoqueemergedelcan,alcanzaunagranvelocidadcomoconsecuenciadelaelevada diferenciadepotencialentrectodoynodo.Enlaprimeraregindeltubodearrastre,entreelctodo ylaprimeracavidad,sloactaelcampoelctricouniformedebidoaestadiferenciadepotencial,por loqueloselectronesenesaregintienenlamismavelocidad.Enlaregindeltubodearrastrefrentea lacavidaddeentrada,alaqueseaplicalasealdeRF,elcampoelctricoesvariableeinteracciona conelhazelectrnico,acelerandoofrenandoaloselectronesqueentranaesaregincondensidady velocidaduniformes.Porconsecuencia,loselectronesqueemergendeesaregintendrndiferentes velocidadesyformarngrupos.Esteproceso,queserepiteenlaregindelacavidadintermediadela figura5.20,sedesignacomomodulacindevelocidad.Lamodulacindevelocidadenlascavidadesda
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lugar, despus de un recorrido suficiente por las secciones del tubo de arrastre libres de campo variable,amodulacindedensidaddelhaz. Un aspecto importante de este proceso es que, si el voltaje de excitacin es suficientemente grande como para superar las fuerzas debidas a la carga de espacio, los electrones acelerados pueden adelantar a los retrasados a lo largo de las secciones del tubo de arrastre, a una distancia que se designa como distancia de cruce. Cuando esto ocurre, la corriente comienza a tener un contenido apreciable de armnicos y se ha encontrado5 que el valor ptimo de la componente fundamental ocurrea1.84vecesladistanciadecruce. Los armnicos de la corriente son sorprendentemente grandes y alcanzan valores mximos a distancias ligeramente inferiores del parmetro de agrupamiento, que corresponden a distancias de arrastre ms cortas, o a valores de excitacin menores que los de la distancia ptima de la fundamental. Extraccin de la energa. La energa se extrae en el espacio (gap) de la ltima cavidad y puede explicarse por el hecho de que en el klystron, el campo elctrico axial de la cavidad de salida est sometidoalaaccindeunaseriedegruposdeelectronesquelleganconunafrecuenciaexactamente igualquelafrecuenciaderesonanciadelacavidad.Adems,lafasedelvoltajevariabledesalidaestal que se opone al movimiento de los electrones a travs del gap, lo que significa que el campo es desacelerador, alcanzando un valor mximo cuando un grupo de electrones pasa a travs del gap. Medio ciclo despus, el campo proporciona mxima aceleracin a los electrones, pero puesto que el hazestformadoporgruposperidicos,seaceleranmenoselectronesdelosquesonfrenadosy,por consecuencia,hayunflujonetodepotenciadelhazhaciaelcampodelacavidad.Estaenerga,que puedeextraersemedianteunlazooespiraacoplada,obienatravsdeunaabertura(iris)seguidade unaguadeonda,constituyelapotenciatildesalidadeltubo.Lacorrienteefectivainducidaenla cavidaddesalidaescasiigualalacomponentedelafundamentaldelacorrientedelhaz. En klystrons de dos cavidades, en que a la primera se aplica la seal de entrada y se extrae en la segunda,lagananciadepotenciaproducidaporlainteraccinentreelhazelectrnicoylascavidades es de aproximadamente 10 dB. Cada cavidad intermedia adicional sintonizada a la frecuencia de la seal, aumenta la ganancia del klystron del orden de 20 dB6. Estas cavidades intermedias no estn acopladasexternamenteentresysonexcitadasporelhazdecorrientedeRFque,asuvez,remodula la velocidad del haz. En klystrons de cuatro cavidades pueden conseguirse ganancias de potencia hasta de 60 dB. Para lograr anchos de banda grandes, como en el caso de televisin, algunas de las cavidadesestndesintonizadasligeramenteenformaescalonada.Enestascondiciones,elaumentoen lagananciaselograaexpensasdereducirlaganancia. Para aumentar la eficiencia de funcionamiento del klystron de dos cavidades, es necesario agregar mscavidadesy,adems,desintonizarlapenltimacavidad,demodoquesufrecuenciaderesonancia sea mayor que la de funcionamiento, es decir, sintonizar la cavidad del lado alto de la banda.. Esto tienecomoconsecuenciaunamoderadareduccinenlaganancia,peromejoraconsiderablementela eficiencia.
5
Davis, D.C. Vacuum Tubes. Cap. 9 de Electronics Designers Handbook. Ed. L. J. Giacoletto. McGraw Hill Book Co. 1977 6 Nelson, Richard, B. Klystrons. en Electronics Engineers Handbook. D. G. Fink y D. Christiansen, Editores. McGraw Hill Book Co. 1982.
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5.7Klystrondecolectorescalonado7 Una de las desventajas del klystron convencional es que el haz electrnico de alta velocidad, al impactarenelcolectordisipaunagrancantidaddeenergaquesepierdeenformadecalor.Estoda como resultado una eficiencia relativamente baja y, por otra parte, obliga a extraer rpidamente el calorgeneradoenelcolector.Conelfindereduciresteproblemayaumentarlaeficienciadeltubo,se desarrollelklystrondecolectorescalonado,enqueelcolectorenlugardeformaruncuerponico,se constituyeporvariasestructurasanulares,aisladasentres,alasqueseaplicanvoltajesescalonados crecientesnegativamente,comoseilustraenlafigura19. Loselectronesmslentossoncapturadosporelanillocolectormscercanoalcuerpodeltubo,cuyo potencialesmximorespectoalctodo,entantoqueloselectronesmsrpidossonfrenadosporlos voltajes escalonados de los anillos colectores siguientes e impactan en estos, de modo que los que lleganalaporcinfinaldelcolectorlohacencon,relativamente,bajavelocidad.Comoresultadode esta accin, la energa disipada en el colector es menor que en un klystron convencional y, por consecuencia, la eficiencia es mayor. Sin embargo una desventaja de los klystrons de colector escalonado es la posibilidad de que ocurran arcos entre los anillos del colector, que deben estar aislados entre s, a poca distancia entre ellos y con diferencias de potencial muy grandes. Esta situacinpuededarsetambinenlareginentreelnodoyelctodonosloenestetipodeklystrons, sino tambin en los klystrons convencionales. La consecuencia de estos arcos puede dar lugar a la destruccindeltubo,enelsentidodequequedeintilparasufuncin.Ladestruccinnotieneque ser necesariamente por implosin o fusin de los materiales del tubo, ya que basta nicamente que ocurraunapequeaperforacinenelmetalolacermicadelcuerpodeltuboparaquestepierdael vacoyquedeintil.
Fig.19.Klystrondecolectorescalonado. (Fuente:M.Skolnik.RadarHandbook,2ndEd.McGrawHill,1990)
7
El trmino en ingls es depressed collector klystron
28
DadoqueelcostodelosklystronsyotrostubosdepotenciacomolosdiacrodosylosIOTseselevado, los fabricantes suelen garantizarlas por un mnimo de horas de funcionamiento, generalmente superior a 20,000, siempre que la manipulacin de la vlvula y sus parmetros de funcionamiento cumplan con las normas y valores especificados por el fabricante que en tales condiciones, suele garantizar la reposicin del tubo. La destruccin de un tubo por perforacin del cuerpo cermico o deterioro de los sellos cermicametal, en general no sera imputable a un posible mal ajuste de los parmetrosdefuncionamiento(corrientesyvoltajesdeloselectrodos),sinoquemuyprobablemente sera causada por deficiencias estructurales en el propio tubo, bien sea por pequeos defectos en el materialcermicooenlosselloscermicametalduranteelprocesodefabricacin.Encualquiercaso laprobabilidaddeocurrenciadeestetipodeproblemasesmuybaja. 5.9 FiguradeMrito8 El concepto de figura de mrito se usa principalmente en las vlvulas de haz electrnico como el klystronyelIOTynodebeconfundirseconeleficiencia,aplicableconmayorfrecuenciaalasvlvulas de rejilla (triodos y tetrodos). La eficiencia de un amplificador se define como la relacin entre la potencia til de RF a la salida del amplificador, entre la potencia suministrada por la fuente de alimentacin.Definidaenestaforma,laeficienciasiempreesmenorque1,yaquenotodalaenerga de c.c. suministrada por la fuente se convierte en energa til de seal. Siempre hay prdidas por calentamiento. Por potencia til de seal se puede entender la potencia pico o la potencia efectiva o potenciapromedio.Porlogeneral,sedefineentrminosdelapotenciapromedio. Enlostubosdehazelectrnico,comolosklystronsylosIOTs,seprefieredefinirunafigurademrito como:
FOM =
PPK 100% PAV
(5.8)
DondePPKeslapotenciapicodelasealentregadaalasalidayPAVeslapotenciapromediodelhaz electrnico.Deacuerdoaestadefinicinnoesextraoobtenerfigurasdemritosuperioresal100%,lo quenosignificaqueelamplificadorestgenerandomspotenciaquelaquelesuministralafuentede alimentacin. Podra decirse que la figura de mrito da una medida de la bondad del amplificador para generar potencia til de seal, en tanto que la eficiencia da una medida de la energa que se pierdeenelamplificadorenformadecalor. 5.10Tubosdesalidainductiva(IOT) En el tubo de salida inductiva se combinan caractersticas delos tubos de rejilla como el trodo o el tetrodo y de los tubos de haz electrnico modulado como el klystron. El IOT fue concebido por AndrewHaeff9en1939paraaplicacionesenradar,pocodespusdelainvencindelklystron.LaRCA fabricalgunoen1940peronotuvomayoraplicacinnidesarrollo.EnlapocadelaSegundaGuerra Mundial y aos posteriores los esfuerzos encaminados al desarrollo de dispositivos electrnicos de alta frecuencia se centraron casi exclusivamente hacia los tubos de haces electrnicos modulados en
8 El trmino correcto en espaol es cifra de mrito, sin embargo, el uso comn ha hecho que se traduzca el trmino en ingls figure, que siginifica tanto cifra como figura, aqu hemos preferido seguir el uso comn. 9 Haeff, A. V. "A UHF power amplifier of novel design. Electronics. p. 30-32, February 1939
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velocidadcomoelklystronyeltubodeondaprogresiva10(TWT).LaideaconcebidaporHaeffqued prcticamenteolvidadahastafinalesdeladcadade1980. Hasta mediados de la dcada de 1960 en los amplificadores de potencia de los transmisores de televisin,prcticamentesloseempleabantetrodoscapacesdeentregarpotenciashastadealgoms de10KW.Lostetrodossoneficientesyfiables,aunquesuvidatilnosueleexcederlas20000horas. Losklystrons,porotraparte,sevenanutilizandoenradares,aceleradoresdepartculasysistemasde comunicacionestroposfricasenlabandadeUHF(0.3a3GHz)ySHF(3a30GHz).Afinalesdelos sesentas, con el aumento de las transmisiones de televisin en la banda de UHF, comenzaron a utilizarse klystrons como amplificadores de potencia, con resultados bastante satisfactorios. La gananciadeunklystronessuperioraladeuntetrodoysuvidatil,mayor.Enesapocalaeficiencia, aunque un factor importante, no lo era tanto como ahora, ya que el costo de la energa elctrica, aunquenadadespreciable,erabastanteinferioralactual. LaescaladadelosconflictosblicosenOrienteMedioalolargodeladcada197080diolugaraun considerable aumento de los precios del combustible y, por consecuencia, dela energaelctrica, de modoqueelcostoporelconsumodestaenlostransmisoresdealtapotenciaaumenttambiny,en buenamedida,fuelacausadeacelerarlabsquedademejorasenlosdispositivosamplificadoresde potencia para aumentar su eficiencia y su vida media til. Los klystrons haban demostrado ser dispositivosfiablesymuyestablesensufuncionamiento,perosueficienciaesrelativamentebaja,por lo general inferior al 40%, de modo que se trabaj intensamente en desarrollar klystrons ms eficientes,dandolugaradostendenciasprincipales:eldesarrollodelklystrondecolectorescalonado, yamencionadoenlaseccin5.7yelfuncionamientopulsante. Lacausaprincipaldela,relativamentebajaeficienciadelklystron,esqueelhazelectrnico,acelerado a gran velocidad a lo largo de la regin de arrastre del tubo, se estrella ntegramente en el colector, perdiendoporcompletosuenergaenformadecalor.Sielhazelectrnicopuedereducirsedurante ciertos intervalos de la seal, o bien frenarse, de modo que se reduzca la energa cintica del haz electrnico, se perder menos energa en el impacto y, por consecuencia se conseguir aumentar la eficiencia.Durantebastantesaoslosklystronssehacanfuncionaralmximodelacorrientedelhaz, esdecir,asaturacin.Enmodopulsante,lacorrientedelhazesmximaenelpicodelospulsosde sincronismoysereducedurantelasealdevdeo,conloqueselleganaobtenercifrasdemritodel ordende77%11.Estaformadefuncionamientopulsadoseconsigueagregandounelectrododecontrol delhazenlaregindelcanelectrnico,demodoquelacorrientedelhazpuedepulsarseentredos valores, uno mximo en los picos de sincronismo y otro menor, durante el perodo de la lnea de vdeo. Este modo de funcionamiento introdujo complejidades adicionales en el diseo de los transmisores que, si bien ms eficientes, resultaron ms caros y, adems, requeran de ajustes ms complicadosparalograrelmximorendimientoyunfuncionamientoestablealargoplazo. Tambinenesapocacrecilafabricacindetransmisoresconamplificadoresdepotenciadeestado slido.Sinembargo,entantoquelosamplificadoresdeestadoslidocumplenlasnecesidadesdelos transmisores para potencias hasta de unos 30 KW en el modo analgico y unos 4 KW promedio en digital,nopuedenutilizarseapotenciasmayoresyaquesueficienciaesmenorysucostomayorque eldelosdispositivosdevaco12. Otrotuboquesedesarrollenesapocafueelklystrodo,nombreregistradoporlaempresaEimac que,demanerasimilaralIOTcombinatecnoclogasdelklystronydeltetrodo,deahsunombre,por
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Pierce, J.R. and Field, L.M. Traveling-wave tubes. Proc. IRE, vol. 35, p. 108. Feb. 1947. Engineering Handbook. 8th Ed. National Association of Broadcasters. Washington, 1992. 12 Bel, C. UHF TV transmission using IOT amplifiers. Broadcast Engineering, 18 January 2005.
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lo que hablar de klystrodo o de IOT tiene prcticamente el mismo significado. En la figura 5.24 se muestranunIOTfabricadoporEnglishElectricValveyunklystrododeEimacDivision,CPIInc.
(a)IOT(b)Klystrodo Fig.5.24.IOTyKlystrodo. 5.11PrincipiodefuncionamientodelIOT13. Comoyasemencion,elIOTcombinavariosaspectosdelatecnologadeltetrodoydelklystronpara dar lugar a un amplificador de alta eficiencia, compacto y con un rango de frecuencias que cubre prcticamenteensutotalidadlabandadeUHF.Laprincipaldiferenciaentreelfuncionamientodeun klystronyunIOTeselmtodoutilizadoparaconseguirlosagrupamientosdeloselectronesdelhaz. EnunklystronelhazelectrnicosemodulaenvelocidadapartirdelacavidaddeentradadeRFyse tiene despus un espacio de arrastre en el que los electrones ms rpidos alcanzan a los ms lentos formandogrupos,conloqueelhazresultamoduladoendensidad.EnelIOTelprocesoesdiferente. LasealdeentradadeRFseaplicaentreunarejacercanaalctodoyste,conloqueseproduceun hazelectrnicomoduladodirectamenteendensidadenlaregindelpropiocanelectrnico,como seveenelesquemadelafigura5.25.
Heppinstall, R. and Cayworth, G. T. "The Inductive Output Tube - a Modern UHF Amplifier for Terrestrial Television Transmitter. GEC Review. Vol. 13, N 2. pp. 76-85, 1998.
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Entrada de RF del excitador Choke de RF
Filamento calefactor
Ctodo (-30 KV) Placa para ajuste de sintona de la cavidad Cavidad de entrada Cavidad de entrada
Reja de control (-30 KV)
Placa para ajuste de sintona de la cavidad
Choke de RF
Anodo (conectado a tierra) Haz electrnico hacia el colector
Fig.5.25.EsquemadelaregindelcanelectrnicodeunIOT Eltubodesalidainductivaestformadoporuncanelectrnicoquecontieneunctodoemisorde electrones y una reja de control, ambos de forma semiesfrica. Esta geometra propicia la conformacindeloselectronesemitidosenunhazincipientequesevemoduladoendensidadporel voltajedeRFinducidoentrelarejayelctodomedianteunacavidaddeentradaexternaaltubo.El haz as producido se enfoca y confina mediante un campo magntico generado por bobinas de enfoque,tambinexternasaltubo.ElhazmoduladoporlasealdeRFesaceleradohaciaelcolector deltuboy,asupasoporlacavidadresonantedesalida,cedeastapartedesuenergaquepasadela cavidad al circuito de salida del transmisor. El IOT combina la elevada eficiencia del tetrodo con la elevadacapacidaddepotencia,largavidatilyfiabilidaddelklystron. Seaplicaunvoltajefijodelordende80Valarejaconrespectoalctodo,demodoqueenausenciade sealfluyeunacorrientehaciaelnododealrededorde500mA.Elctodo,demanerasemejanteal klystron, se mantiene a un potencial negativo del orden de 30 KV, con lo que el haz electrnico moduladoendensidadesaceleradoatravsdeunaaberturaenunnodosituadoenelpropiocan electrnico y conectado a potencial de tierra, hacia la seccin de salida en que se extrae la potencia medianteunacavidadresonanteexterna,similaralausadaenelklystron,exceptoqueenelIOTse utiliza una cavidad de doble sintona para conseguir el ancho de banda requerido por un canal de televisin. Finalmente, la energa restante en el haz electrnico se disipa en un colector de cobre de diseotradicional,quepuedeserenfriadoporaireoagua,dependiendodelniveldepotenciadeque setrate.LaestructurainternadelIOTseapreciamejorenlafigura5.26.
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Circuito de enfriamiento del colector
Colector Espacio al vaco en el interior del colector
Circuito de enfriamiento del cuerpo del tubo
Tubo de arrastre Anodo Can electrnico
Fig.5.26.EstructurainternadelIOT. Canelectrnico. Estructuralmente, el can electrnico del IOT es similar al del klystron y continene un ctodo cncavo, semiesfrico de tungsteno como se muestra en la figura 5.27. Este tipo ctodo se designa como dispensador o distribuidor enel sentido de que, por sugeometra,la emisin electrnicase orientahaciaelcentrodeltubo,facilitandoaslaconformacindelhazelectrnico.
Fig.5.27.EstructuradelctododeunIOT. La reja de control es de grafito piroltico, una forma de carbn fabricada por descomposicin de un hidrocarburogaseosoamuyaltatemperaturaenunhornoalvacoloquedalugaraunproductomuy puroconuncoeficientedeexpansintrmicaprcticamentenulo14,15deelevadaconductividadygran
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http://www.advceramics.com/geac/products/pyrolytic_graphite/. (31 enero 2005). http://www-edd.tw.1-3com.com/edd/html/news/news_pyrolytyc.htm. (31 enero 2005).
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resistenciamecnica,loquelohaceidealparaestaaplicacin.Larejaesdelamismageometraqueel ctodo, es decir, semiesfrica y muy cercana a ste, situada con gran precisin a una distancia del orden de unas milsimas de pulgada y soportada por una estructura cilndrica metlica, aislada del ctodoporunaisladordecermicaquetambinformapartedelcuerpodeltubo.Laestructuradela rejaseilustraenlafigura5.28.
Fig.5.28,EstructuradelarejadecontroldeunIOT. EsatravsdelacermicaaislanteentrerejayctodopordondeseacoplaaltubolaenergadeRFdel circuito de entrada para aplicar el voltaje de RF a la reja. Este voltaje inducido entre reja y ctodo modula la densidad del haz electrnico, cuya seccin transversal es de pequeo dimetro a consecuencia del campo magntico de confinamiento producido por las bobinas externas. El hazas formado es relativamente hueco ya que los electrones se concentran ms en la periferia que en el centro,comoresultadonaturaldeloscamposelectrostticosqueconformanelhaz.Estoseilustraenla figura5.29.
Trayectoria helicoidal de los electrones Lneas de flujo
La fuerza sobre los electrones se dirige radialmente hacia el centro
Fig.5.29.Conformacindelhazelectrnico. Unsegundoaisladordecermicasoportatodoelcanelectrnicoaladistanciacorrectadelnodo aterrizado.Ladiferenciadepotencialentreelnodoyelctodoesdelordende30KVosuperior.El espacio entre reja y ctodo del can electrnico forma la parte final de una lnea de transmisin compleja desde el conector de entrada de RF al sistema de la cavidad de entrada. La estructura del canelectrnicoseilustraesquemticamenteenlafigura5.30.
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CircuitodeentradadelIOT. El circuito de entrada del IOT consiste de la cavidad de entrada, externa al cuerpo del tubo y del canelectrnico,enelinteriordeltubo.LasealdeRFseaplicaalacavidaddeentradamediante una espira abierta, como se aprecia en la figura 5.25. En el interior de la cavidad de entrada se encuentraunapaletamvily,ensupartesuperiorunstubencortocircuitoparaajustarlaimpedancia de entrada a resonancia a la frecuencia deseada. El campo generado por la seal en la cavidad de entradainduceunvoltajeentrelarejayelctododeltubo,quecausalamodulacinendensidaddel hazelectrnico.LaprincipaldiferenciaentreelIOTyelklystronresideenqueenestetimonohay rejadecontrol,demodoqueelcampogeneradoenlacavidaddeentradamodulaalhazenvelocidad, noendensidad.LarejadecontroleslacaractersticacomnentreelIOTyeltetrodo.
Electrodos de enfoque Piezas polares
Lneas del campo magntico Ctodo Haz electrnico Tubo de arrastre
Reja Anodo
Bobina magntica
Fig.5.30.EstructuraesquemticadelcanelectrnicodeunIOT. En los klystrons generalmente se utilizan cavidades resonantes externas al cuerpo del tubo, por lo general, partidas para permitir su colocacin alrededor de ste y atornillarse luego para formar un solocuerpo.Lacavidadmscercanaalctodoeslacavidaddeentrada.Cadaunadelasmitadesdela cavidadtieneensuinteriorplacasopuertasdeslizantesafindeajustarlasparaconseguirlasintona deseada.EnelIOTseempleaunaestructurasimilar,conunadiferencia,yaquelaparedinteriordela cavidadtienequeconectarseentreelctodoylareja,doselectrodosquesemantienenaunpotencial altamente negativo, en tanto que la pared exterior de la cavidad debe conectarse a tierra. Por esta raznenlacavidadesnecesarioincorporarchokesdeRFentresuspartesexternaeinterna,comose ve en la figura 5.25, con el fin de por una parte, proporcionar el aislamiento necesario entre las dos partesy,porotraimpedirfugasdecorrientedeRFmanteniendoalmismotiempotodoelvoltajedel haz electrnico. Esta condicin impone requisitos muy severos para la eleccin de los materiales aislantes de los chokes, que deben proporcionar un aislamiento total a la corriente continua en las condicionesdehumedadytemperaturaqueprevalecenenelambientedeltransmisor. Consideracionessobreelfuncionamientodelctodo. A fin de conseguir la mxima emisin termoinica del ctodo, a una temperatura de aproximadamente1100C,elctododelIOTestconstituidoporunabasedetungstenopuro,relleno dexidosdebario,calcioyaluminio,reforzadoporunafinapelculadeunoscentenaresdeangstroms (1010m) de espesor, que contiene osmio, iridio y renio, lo que da como resultado una funcin de trabajomuypequea.Laemisividadtrmicadelctodoes,porconsecuencia,muyelevada.
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Paracualquiertubotermoinico,lavidatildependeprincipalmentedelacapacidaddeemisindel ctodo.Silatemperaturadefuncionamientodelctodoesmuyelevada,seproduceevaporacinde los materiales emisores de su superficie, con abundante produccin de iones que deterioran el funcionamiento y reducen considerablemente su vida til. Si hay evaporacin, parte del material evaporadosepuededepositarenlareja,dandolugaraemisinsecundariayaemisinporcampoque puede causar el desbocamiento incontrolado de la corriente del haz. Los vapores tambin pueden depositarse en la pared interior de cermica que asla al can electrnico del nodo, reduciendo el voltaje de ruptura, con el riesgo potencial de la formacin de arcos internos entre reja y nodo que puedeninutilizareltubo. En el aire, o en un vaco pobre, los electrones slo pueden viajar distancias muy cortas antes de recombinarse o chocar con otras partculas en el medio. En los tubos de vaco y, en particular en klystrons e IOTs, los electrones deben viajar distancias considerables sin que ocurran colisiones significativas con otras partculas, por lo que se requiere un alto vaco en el interior del tubo. Si el vacoespobre,osiseproduceunarco,seproducentambinionesqueporlapolarizacindelctodo, impactan en ste, reduciendo su capacidad de emidsin o dandolo definitivamente. Para evitar o reduciralmximoestasituacin,seutilizancircuitosdeproteccinquecortanelfuncionamientodel IOTparaevitardaosmayores.Unadelasrutinasimportantesenelmantenimientopreventivodelos amplificadoresdepotenciaconIOTsyklystronseslacomprobacinycalibracinperidicadeestos circuitosdeproteccin.
Lazo de acoplamiento de salida Manivela para ajuste de sintona de la cavidad de salida Bobina de enfoque Circuito de enfriamiento para la cavidad de salida y el can electrnico Cavidad de entrada Parte de la cavidad de entrada de pequeo dimetro Excitador de estado slido Cavidad primaria de salida Acoplamiento de banda ancha Cavidad secundaria de salida
Stub de ajuste para la seal de entrada Carro de soporte
Fig.5.27.MontajecompletodelIOTencarrotransportable parafacilitarsumontajeeneltransmisor.
Papeldelnodo. EnlostubosdehazcomoelklystronyelIOTelnodonotienelamismafuncinquelaplacaenlos tubosderejilla,enlaqueacabantodosloselectronesprocedentesdelctodo.Enestostubosdehaz,el nodoactaslocomounaceleradordeloselectronesemitidosporelctodoyconfinadoenunhaz de pequea seccin transversal, en parte por la geometra del ctodo o del can electrnico y principalmenteporelcampomagnticoproducidoporlasbobinasdeenfoque.Elnodo,bienseade
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forma cilndrica o cnica, hueco en el centro, acelera a los electrones prcticamente sin atraerlos ni dispersarelhaz. La corriente del haz modulado en densidad se acelera, en la regin entre el can electrnico y el nodo,desdeunaenergadeunospocoselectrnvoltshastaunaenergatotaldedecenasdemilesde eV,alcanzandounavelocidaddealrededorde1/3delavelocidaddelaluzenelcortoespacioentre reja y nodo. En estas condiciones la energa del haz es considerablemente mayor que la energa requeridaparamodularelhazenlarejadecontrol,delordende26dBoms.Laenergacinticayla velocidad de cada electrn en el haz es bsicamente la misma mientras el haz est en la zona de arrastredelnodo,peroladensidaddelhazvarasegnlamodulacinaquefuesometidoporlareja decontrol.Elhaz,aceleradoagranvelocidadpasaatravsdelinteriorhuecodelnodohaciaeltubo dearrastrealasalida,endireccinalcolector.Laresistenciaefectivadelhaz,operveancia16cambia conlamodulacinyduranteelciclodeRF,yaqueelhazsiempreestaceleradoalmismopotenciade c.c. Cavidaddesalida. La energa del haz se extrae en la abertura o ventana (gap) de salida, que es donde los electrones agrupadosdelhazsalendeltubodearrastrehaciaelcolector.Laventanadesalidaselocalizacercade la parte superior central de la cavidad primaria de salida. El haz electrnico transfiera una parte considerabledesuenergaaestacavidadresonante,enformadecampoelectromagntico.Eltrabajo realizadoenestatransferenciadeenergareducelaenergacinticadelhazyelvoltajepresenteenel espacio de la ventana de salida es funcin de la potencia almacenada en la cavidad y de la resistenciarelativadelaventanaque,asuvezdependedelasintonadelavidadydelapotencia delhaz.Apotenciaselevadas,laresistenciadelaventanaesmenorytambindisminuyeconelancho debanda. Unrequisitoimportanteenlostubosqueempleancavidadesresonantesesconseguirenellaselancho debandanecesario,enestecasode8MHzparalasealanalgicaPALoladigitalDVBTobiende6 MHzparasealesNTSCoDTV.Enelklystron,lascavidadessesintonizandeformaescalonadacuyo principioseilustraenlafigura5.28.
Respuesta del conjunto de cavidades Respuesta individual de cada cavidad
f1
f2 Ancho de banda del conjunto
f3
Frecuencia
Fig.5.28.Principiodelasintonaescalonada Cada cavidad se sintoniza a una frecuencia ligeramente distinta a la otras cavidades, con lo que se consigueunarespuestaprcticamenteplanaenlabandadepaso.Enelklystronestoesrelativamente
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La perveancia se define como la corriente de ctodo, limitada por la carga de espacio, dividida por el voltaje del nodo elevado a la potencia 3/2.
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simple, ya que se tienen tres o cuatro cavidades, pero no lo es en el IOT en que no hay cavidades intermedias entre la de entrada y la de salida. Para evitar este problema en el IOT se utiliza una cavidad de salida doblemente sintonizada. Esta cavidad est formada, de hecho, por dos cavidades convencionales,dispuestasortogonalmente,comosepuedeapreciarenlafigura5.27.Laprimerade estas dos cavidades se designa como cavidad primaria y est fija alrededor del cuerpo del tubo. Contiene una espira mediante la que se puede ajustar el acoplamiento de RF a la segunda cavidad medianteunalneadetransmisincortaatravsdeunirisyunapaleta.Lasegundacavidadcontiene una estructura en forma de domo cuyas dimensiones son tales que permite cubrir la banda de frecuenciasrequerida.Unacopladordesalida,similaralutilizadoenlosklystronsconectalacavidad al circuito de salida. Las paredes, tanto de la cavidad primaria como de la secundaria, son mviles parapermitirsuajustearesonanciaalafrecuenciadeseadaenlabandadeUHF.Elanchodebanda delsistemaseajustamediantelaposicindelapaletaeneliris,quepuedemoversede0a180grados, correspondientes a losanchos de banda mnimo ymximo. Laenerga de salida se extrae mediante una sonda coaxial localizada a la salida de la cavidad secundaria. Mediante el ajuste de la sonda se controlaelacoplamientoalacargadelacavidaddesalida Sintona. La sintona es el proceso de ajuste de las cavidades de entrada y salida para conseguir la correcta respuestaenfrecuenciaenelanchodebandadelcanal.Enlacavidaddeentradanosepuedeajustar la sintona, que se consigue simplemente ajustndola para mxima corriente del haz y mnima potenciareflejadaalasalidadelexcitador.Paraobtenerelmejorrendimientoaunapotenciadesalida, eficienciaycondicionesdelinealidaddadas,debenajustarseadecuadamentelasintonadelacavidad desalida,elpuntodefuncionamiento(voltajedepolarizacindelareja)yelvoltajedelhaz. El ancho de banda de salida controla la impedancia que presenta la cavidad de salida al haz electrnico.Bsicamente,lareduccindelanchodebandaaumentalaimpedancia.Lamejoreficiencia acualquierniveldepotenciaseconsiguecuandolaimpedanciapresentadaporlacavidadalhazest acoplada a la impedancia del haz. Sin embargo, el ajuste ideal a potencias bajas, no es bueno a potenciasaltas.Cuandosecambiaelajustepotenciaesnecesarioretocarelajustedeloscircuitostanto deentradacomodesalida.Aplenapotencia,losmejoresresultadosporlogeneralseobtienencuando el ancho de banda se ajusta a 8 MHz a 0.5 dB del mximo con un rizado no superior a 0.25 dB. El funcionamientoapotenciasbajaspuederequerirladisminucindelacorrientedectodo,reduccin delaltovoltajedelhaz,reduccindelanchodebandadesalidayajustedelacorrientedepolarizacin dereja,paraconseguirlalinealidadnecesaria. 5.12 IOTdecolectorescalonado Con el fin de aumentar an ms la eficiencia de los IOTs, en los ltimos aos se han desarrollado tubosdesalidainductivadecolectorescalonado,conlamismafilosofayautilizadaenklystronsde estetipo(seccin5.8),delaformaqueseilustraenlafigura5.29.EstetipodeIOTsedesignacomo MSDCIOT(MultipleStageDepressedCollectorIOT).
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Colector 1 Anodo Ctodo Tubo de arrastre Tubo de salida
Colector 3
Electrodo de enfoque
Ventana cermica Piezas polares Fundas de refrigeracin Colector 2
5.29.IOTdecolectorescalonadoenquesemuestranlastrayectoriaselectrnicas EnunIOTdeunsolocolector,laenergacedidaporelhazalacavidaddesalidasesitaentreun30y un50%delaenergatotaldelhaz.Porconsecuencialaenergaperdidaenformadecalorenelcolector puede llegar a un 70% o ms de la energa total del haz. Esta situacin, aunque considerablemente mejorqueenelcasodelosklystrons,representaunaparteimportantedelaenergasuministradaal transmisor, que no slo no se aprovecha, sino que es necesario disiparla mediante un sistema de enfriamientoeincidetambinenelcostototaldelsistematransmisor. Elempleodeuncolectorescalonado,enlugardeuncolectornicopermitemejorarlaeficienciadel transmisorreduciendoelcostodeoperacin.Porotraparte,elcostodeunMSDCIOTesmayorqueel deunIOTdecolectorsimple.Anas,lareduccinenelcostodeoperacinentransmisoresdealta potenciahaceatractivoelempleodeestetipodeIOT,queseencuentraanensuetapainicial. Al igual que en el klystron de colector escalonado, tratado en la seccin 5.8, en el MSDC IOT, los electronesdelhazsonfrenadosantesdeimpactarenelcolector,permitiendoasrecuperarpartedela energaelctricadelhaz,enlugardeperderlaenformadecalor.Elcolectorsedivideendosoms secciones, aisladas entre s, como se aprecia en la figura 5.29, que se polarizan a voltajes crecientes, inferiores al voltaje entre ctodo y nodo. Estos voltajes dan lugar a campos equipotenciales en el colector que frenan a los electrones del haz residual. En el caso ideal, los electrones llegaran con velocidadnulaalasseccionesrespectivasdelcolector.Elnmerodeetapasescalonadasdelcolectory sus voltajes dependen de la distribucin de las velocidades electrnicas en el haz. En el IOT, la distribucin de energa de los electrones en el haz residual es bastante uniforme, principalmente debido a la modulacin en densidad del haz, en lugar de los agrupamientos a que da la lugar la modulacin de velocidad en el klystron. El resultado es que la recuperacin de energa resulta algo mssencillaqueenelklystronyconmenosnmerodeetapasescalonadas.Enestosltimosaosse han probado MSDC IOTs con tres a cinco etapas. Un mayor nmero de etapas no produce mejoras apreciablesenlaeficiencia.ConlosIOTsdecolectorescalonadosehanconseguidoeficienciashastade un 20% que con los IOTs de colector simple. Una designacin actual para los amplificadores que empleanMSDCIOTsesladeamplificadoresdeeficienciaconstanteoCEA(ConstantEfficiencyAmplifier)17, unadecuyasversiones,decolectordecuatroescalonesoetapasseilustraenlafigura5.30.
17
http://www-edd.tw.l-3com.com/sbe.htm
39
Fig.5.30.MSDCIOTdecuatroetapas. UnadelasconsecuenciasdelempleodeIOTsdecolectorescalonadoesunamayorcomplejidaddel sistemadeenfriamientodelcolector.EnlosIOTsdecolectorsimple,stesepolarizaalpotencialde tierra y puede ser enfriado directamente por agua o una mezcla de agua y glicol. Los diferentes voltajes aplicados a las diferentes etapas del colector, hacen necesario el empleo de un material dielctricoparaecharfueraelcalorgeneradoenellas,porloqueensuenfriamientoseempleaaire, aguadeionizadaoaceitedielctrico. 5.13EmpleodeklystronseIOTsentransmisinanalgicaydigital Entelevisindigitallasealdeentradaaltransmisoresnica:unflujobinariocontinuoquecontiene lainformacindevdeo,audioydatos.Enelcasoanalgicolasituacinesdiferente,yaquesetienen dossealesdistintas,unadevdeoyotradeaudio,condiferentetipodemodulacinydistintoancho debandayentrelasquelarelacindepotenciasentregadasalasalidaesde10:1;esdecir,lapotencia de audio es la dcima parte de la de vdeo. En el Captulo 1 se trat de la arquitectura de los transmisoresy,enelmodoanalgico,puedeserdedostipos,elprimero,deamplificacinseparadaen que las seales de audio y vdeo utilizan amplificadores distintos y slo se combinan al final para proporcionarunasealcompuestaynica,alaantena. Elsegundomododefuncionamientoesenamplificacincomn,enquelassealesdeaudioyvdeo secombinanabajapotenciaalasalidadelosrespectivosmoduladoresyluegoseamplificanambas conjuntamente por los mismos amplificadores hasta la salida del transmisor. En este modo de funcionamientolalinealidaddelosamplificadoresesdeimportanciaprimordialyaquecualquierno linealidadgerearproductosindeseablesdeintermodulacinconelconsecuentedeteriorodelaseal, siestosproductosocurrendentrodelabandadepaso,obienlaproduccindesealesinterferentes sobre otros servicios de comunicaciones si ocurren fuera de la banda de paso y no son filtradas adecuadamentealasalidadeltransmisor.Elmximoniveldelosproductosdeintermodulacinno debesersuperioraunos55dBencondicionesdebuenfuncionamiento.Nivelessuperioresdanlugar al deterioro inaceptable tanto del audio como del vdeo transmitidos. Por esta razn, en los transmisores es necesario realizar una precorreccin o predistorsin de la seal a la entrada del transmisoroalasalidadelmoduladorafindecompensarycorregirlasnolinealidadesintroducidas enlasetapasdeamplificacindepotencia.Enestascondiciones,lasprestacionesdelosklystronsyde los IOTs son diferentes. En los klystrons que funcionen en modo comn es necesario reducir la potencia unos 4 dB para evitar las no linealidades, lo que reduce su eficiencia y en este modo, no puedenfuncionarenmodopulsante.
40
Los IOT, por otra parte, ofrecen muy buenas caractersticas de linealidad an a niveles altos de potencia en modo comn, con niveles de intermodulacin que pueden precorregirse con relativa facilidad.EstacaractersticadelosIOTshahechoqueenlaltimadcadasehayanconvertidoenel dispositivoamplificadorpreferidoenlostransmisoresdetelevisintantoanalgicacomodigital. Bibliografaadicional. 1. Heppinstall, R. and Clayworth, G.T. The Inductive Output Tube. EBU Technical Review. Autumn1997. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. EngineeringHandbook.8thEd.NationalAssociationofBroadcasters.Washington,1992. Bel,C.UHFTVtransmissionusingIOTamplifiers.BroadcastEngineering,18January2005. Schrader, M. and Preist, D. Klystrode Experimental Results. Particle Accelerator Conference(PAC),1989. Terman,F.E.ElectronicandRadioEngineering.McGrawHillBookCo.Inc.N.York,1955. Hemenway,C.L.,Henry,R.W.yCaulton,M.FsicaElectrnica.Ed.Limusa,Mxico,1973. Markley,D.TransmitterTechnologyReview.BroadcastEng.Nov1,2001. Bohlen,H.etal.InductiveOutputTubesforParticleAccelerators.Proc.EPAC2004. DictionaryofScientificandTechnicalTerms.2ndEd.McGrawHillBookCompany,1978.

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Emisor termoinico (ctodo) Colector (nodo)

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Otrosparmetrosdelostriodossonlaresistenciadeplaca(rp)ylatransconductancia(gm).Laresistencia deplacarepresentalavariacindelvoltajedeplacarespectoalacorrientedeplaca,ip,manteniendo constanteslosrestantesvoltajesdetuboysedefinecomo:

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Reja pantalla Reja de control

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V ( x) = Vmax cos x = Psal R L cos x

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Imagen cortesa de Thomson Tubes Electroniques

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Colector Haz Electrnico Tubo de arrastre

Anodo Seal de entrada Seal de salida

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Entrada de RF del excitador Choke de RF

Reja de control (-30 KV)

Placa para ajuste de sintona de la cavidad

Anodo (conectado a tierra) Haz electrnico hacia el colector

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Circuito de enfriamiento del colector

Colector Espacio al vaco en el interior del colector

Circuito de enfriamiento del cuerpo del tubo

Tubo de arrastre Anodo Can electrnico

http://www.advceramics.com/geac/products/pyrolytic_graphite/. (31 enero 2005). http://www-edd.tw.1-3com.com/edd/html/news/news_pyrolytyc.htm. (31 enero 2005).

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La fuerza sobre los electrones se dirige radialmente hacia el centro

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Lneas del campo magntico Ctodo Haz electrnico Tubo de arrastre

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