CR (do ingls Silicon Controlled Rectifier - Retificador Controlado de Silcio) um componente eletrnico semicondutor de quatro camadas.

. Composto, geralmente, por trs terminais, dois dos quais, denominados anodo (A) e catodo (K), formam um diodo bipolar, e o terceiro terminal, que usado para controle, denominado gatilho, atravs do qual se aplica um pulso que provoca o "disparo" do dispositivo. Quando o SCR opera como elemento retificador seu disparo ocorre geralmente em sincronismo com a forma de onda da CA que esta sendo retificada em um certo ngulo pr-determinado pelo projetista. Para a manuteno do SCR necessria uma corrente mnima, depois de disparado o SCR continua em conduo at que sua corrente se torne menor do que a corrente de manuteno, ocasionando seu desligamento. Quando no est em conduo, o SCR recebe toda a tenso da presente na entrada sobre si (entre os terminais de anodo e catodo) at que ocorra um novo disparo. nome Tiristor engloba uma famlia de dispositivos semicondutores multicamadas, que operam em regime de chaveamento, tendo em comum uma estrutura de no mnimo quatro camadas semicondutoras numa seqncia P-N-P-N (trs junes semicondutoras), apresentando um comportamento funcional. Os tiristores permitem por meio da adequada ativao do terminal de controle, o chaveamento do estado de bloqueio para estado de conduo, sendo que alguns tiristores (mas no todos) permitem tambm o chaveamento do estado de conduo para estado de bloqueio, tambm pelo terminal de controle. Como exemplo de tiristores, podemos citar o SCR e o TRIAC. No caso do tiristor SCR este se assemelha a uma fechadura pelo fato da corrente poder fluir pelo dispositivo em um nico sentido, entrando pelo terminal de anodo e saindo pelo terminal de catodo. No entanto difere de um diodo porque mesmo quando o dispositivo est diretamente polarizado ele no consegue entrar em conduo enquanto no ocorrer a ativao do seu terminal de controle (terminal denominado porta, ou gate em ingls). Ao invs de usar um sinal de permanncia continua na porta (como nos TBJs e MOSFETs) como sinal de controle, os tiristores so comutados ao ligamento pela aplicao de um pulso ao terminal de porta, que normalmente pode ser de curta durao. Uma vez comutado para o estado de ligado, o tiristor SCR permanecer por tempo indefinido neste estado enquanto o dispositivo estiver diretamente polarizado e a corrente de anodo se mantiver acima de um patamar mnimo. Para os SCRs, o sinal de controle um pulso de corrente, tiristores DB-GTO usam um pulso de tenso e os LASCRs um pulso de luz aplicado diretamente a juno do dispositivo por meio de fibra tica. A inveno do tiristor no fim dos anos 50 do sculo passado foi responsvel por um grande surto de evoluo tecnolgica da eletrnica de potncia, que se estendeu pelos anos 60 e propiciou no anos 70 o incio da implantao da eletrnica de potncia em escala industrial. A principal vantagem dos tiristores o controle de grande quantidade de energia. Essa caracterstica faz com que esses dispositivos sejam utilizados tanto no controle eletrnico de potncia quanto na converso de energia. Os SCRs (Silicon Controlled Rectifier) so dispositivos semicondutores cuja condio de sentido direto comandvel atravs da aplicao de um pulso de corrente ao terminal de Porta (ou gate em ingls). A conduo, uma vez iniciada se mantm, mesmo na ausncia do sinal no terminal de porta, at que a corrente que o atravessa caia abaixo de

um determinado valor, o qual denominamos de Corrente de Manuteno de Conduo, em ingls Holding Current (IH). Em sentido inverso, o SCR comporta-se como um diodo normal. Os SCR's so empregados em corrente alternada como retificadores controlados, e quando utilizados em corrente contnua comportam-se como chaves. O SCR apenas um tipo de tiristor, mas devido ao seu disseminado uso na indstria, muitas vezes os termos tiristor e SCR so confundidos. Os TRIAC's so dispositivos semicondutores comumente utilizados em comutao de corrente alternada. J os Diacs so dispositivos semicondutores de avalanche bidirecional, tambm da classe dos tiristores e de juno PNN. Possuem a propriedade de apresentarem muito alta impedncia, se a tenso entre seus dois terminais for mantida abaixo de uma tenso, chamada comumente de Tenso de Ruptura. Se esta tenso, geralmente em torno dos 30V, for ultrapassada, o Diac passa a conduzir corrente eltrica, com uma brusca queda da impedncia do mesmo. Os Diacs so geralmente utilizados como auxiliares de disparo em Triacs, em osciladores de relaxao. 1. DIODO DE QUATRO CAMADAS UNILATERAL O estudo dos tiristores deve comear pelo dispositivo que origina toda a familia, o diodode quatro camadas ou diodo Shockley ( no confundir com o diodo Schottky, diodo com duas camadas e usado para altas frequencias). As figuras a seguir mostram a estrutura, simbolo e curva caracteristica.

(a)

(b)

(c)

Fig1: Diodo de quatro camadas unilateral ( a ) Estrutura de 4 camadas ( b ) Smbolo ( c ) Curva caracterstica Com polarizao reversa o diodo se comporta como um diodo comum, apresentando altssima resistncia. Se a tenso reversa exceder a tenso de breakdown (UBK) o diodo ser destrudo. Com polarizao direta o diodo apresenta alta resistncia enquanto a tenso for menor do que um valor chamado de tenso de breakover (UBO). Acima deste valor o dispositivo dispara passando a conduzir, somente voltando a cortar quando a tenso (corrente) de anodo cair abaixo de um valor chamado de tenso (corrente) de manuteno, UH (IH).

Qualquer mecanismo que provoque um aumento interno de corrente pode disparar a estrutura de 4 camadas, dentre eles temos: Aumento de temperatura Incidencia de radiao luminosa (LASCR) Taxa de variao de tenso (dv/dt) Injeo de corrente (SCR)

Para explicar o disparo da estrutura de 4 camadas usamos o modelo com dois transistores, um NPN e outro PNP como na figura a seguir.

Fig2: Diodo de 4 camadas unilateral - Circuito equivalente com transistores A corrente de anodo pode ser determinada em funo dos ganhos de corrente dos transistores (1 e 2) resultando a expresso a seguir:

desta expresso conclumos que, para baixos valores de corrente (corte) como os valores dos ganhos so tambem baixos, ento a corrente de anodo tem valor prximo da corrente de fuga Quando a tenso aplicada se aproxima da tenso de disparo, os valores dos ganhos aumentam. Quando a soma tende para 1 ocorre o disparo. Esse mecanismo de disparo por tenso. Caso seja injetada uma corrente em um terceiro terminal o disparo pode ocorrer com valores de tenso bem abaixo da tenso de breakover.

2. RETIFICADOR CONTROLADO DE SILCIO (SCR) 2.1. INTRODUO Um SCR basicamente um diodo de 4 camadas unilateral no qual foi colocado um terceiro eletrodo chamado de gate (G) ou porta usado para controlar o disparo do diodo por injeo de corrente.

(a)

(b)

(c)

Fig3: SCR ( a ) Estrutura de 4 camadas ( b ) Smbolo ( c ) Curva caracterstica

2.2. REGIES DE OPERAO: O SCR tem trs regies de operao, consideradas a seguir, com IG = 0 :

2.2.1. Bloqueio Reverso: O anodo negativo em relao ao catodo, nessas condies o SCR se comporta exatamente como um diodo comum. Se a tenso reversa aumentar alm da da tenso de breakdown (UBK ), o SCR ser destrudo pelo efeito avalanche.

Fig4: SCR polarizado reversamente - Bloqueio reverso 2.2.2. Bloqueio Direto: O anodo positivo em relao ao catodo, mas a tenso no suficiente para disparar o SCR. Para disparar o SCR com o gate aberto (IG = 0 ) necessrio que a tenso de anodo atinja um valor chamado de tenso de breakover (UBO ). Se UA for menor do que UBO o SCR continuar cortado.

Fig5: SCR polarizado diretamente mas cortado - Bloqueio direto 2.2.3. Conduo (Disparo): Quando a tenso de anodo atingir o valor UBO, o SCR dispara, isto , a corrente de anodo passa bruscamente de zero para um valor determinado pela resistncia em srie com o SCR. A tenso no SCR cai para um valor baixo (0,5V a 2V).

Fig6: SCR polarizado diretamente aps o disparo

Aps disparar, o SCR passa da condio de alta resistncia para baixa resistncia. A tenso de anodo cai para um valor baixo ( 0,5V a 1,5V ). O SCR s volta a cortar quando a tenso (corrente) cair abaixo de um valor chamado de tenso (corrente) de manuteno, UH (IH) cujo valor depende do tipo de SCR (Por exemplo o TIC106 tem IH$ 0,5mA enquanto o TIC116 tem IH $ 15mA. Como vimos anteriormente, um diodo de 4 camadas pode ser representado por dois transistores ligados com realimentao de um para o outro. Se adicionarmos um terceiro eletrodo, a porta, poderemos injetar corrente nesse eletrodo disparando a estrutura de 4 camadas para valores de tenso menores do que UBO. Na realidade quanto maior for a corrente injetada menor a tenso de anodo necessria para disparar a estrutira de 4 camadas, da o nome de Diodo controlado para esse dispositivo.

Fig07: Circuito equivalente para o SCR

A Porta (Gate) Se for injetado uma corrente na porta (gate), ser possvel disparar o SCR com tenses de anodo bem menores do que UBO. Quanto maior a corrente de porta injetada, menor a tenso de anodo necessria para disparar o SCR, dai o nome diodo controlado. Aps o disparo o gate perde o controle o sobre o SCR, isto , aps o disparo o gate pode ser aberto ou curto circuitado ao catodo que o SCR continua conduzindo. O SCR s volta ao corte quando a corrente de anodo cair abaixo da corrente de manuteno. A tenso mxima que pode ser aplicada entre anodo e catodo no sentido direto com IG = 0 como vimos chamada de UBO, mas muitas vezes designada de VDRM esta informao muitas vezes vem codificada no corpo do SCR, por exemplo :

TIC 106 Y - 30V MCR 106-1

- 30V

TIC 106 F - 50V MCR 106-2 - 60V TIC 106 A - 100V MCR 106-3 100V TIC 106 B - 200V MCR 106 4 200V TIC 106 C - 300V MCR 106 5 - 300V TIC 106 D 400V MCR 106 6 - 400V

Outra informao importante a mxima tenso reversa que pode ser aplicada sem que ocorra breakdown, designada por VRRM, tipicamente da mesma ordem de VDRM. Os valores de corrente tambm devem ser conhecidos, IT, a mxima corrente que o SCR pode manipular e pode ser especificada em termos de valor continuo ou eficaz (RMS) e depende da temperatura e do ngulo de conduo (UF). Por exempo, o TIC 106 pode conduzir uma corrente continua de at 5A. A corrente de gate necessria para disparar o SCR designada IGT e pode ser da ordem de Q A no caso do TIC 106. 3. CIRCUITOS COM SCR EM CC. Em CC deve ser previsto circuito de reset aps o SCR disparar. No circuito a seguir a chave A usada para disparar e a chave B para resetar o SCR.

Fig8: SCR - Circuitos de disparo por CC Experincia 06: Diodo de 4 Camadas - Circuito Equivalente com Transistores 1) Abra o arquivo ExpEI06 (MultiSIM2001) e identifique o circuito a seguir.

2) Para verificar o funcionamento do circuito use a chave D para disparar e a chave R para desligar o circuito. 3) Concluses:

Experincia 07: SCR em CC - Disparo por CC com Carga CC 1) Abra o arquivo ExpEI07 (MultiSIM2001) e identifique o circuito a seguir. Inicialmente importante que a chave L esteja aberta (chave geral). 2) Ligue o boto de simulao e verifique o funcionamento, atravs das chaves D e R (D1) e A e B (D2).

3) Concluses: Experincia 08: SCR em CC - Alarme 1) Abra o arquivo ExpEI08 (MultiSIM2001) e identifique o circuito a seguir. Inicialmente importante que a chave L esteja aberta (chave geral). 2) Ligue o boto de simulao e em seguida a chave L, e verifique o funcionamento atravs das chaves R, A e B.

3) Concluses: Experincia 09: SCR em CC - Biestavel 1) Abra o arquivo ExpEI09 (MultiSIM2001) e identifique o circuito a seguir.

2) Inicie a simulao e verifique o funcionamento co circuito atravs dos Push Bottom A e B. 3) Concluses:

Sistemas Digitais Prof. Otto Carlos Muniz Bandeira Duarte

Silicon Controlled Rectifier (SCR)

Grupo: Miguel Quartin Jefferson Silva Rosane

Diogo Abranches

Funcionamento Fsico do Silicon Controlled Rectifier (SCR)

1. Introduo:
O SCR, tambm conhecido como tiristor, um dispositivo semicondutor NPNP de 4 camadas. Em seu estado normal o SCR bloqueia a passagem de corrente (ou tenso) entre os seus dois terminais. Porm quando o eletrodo do GATE submetido a uma voltagem apropriada, a corrente passar livremente e levando a carga ao estado ligado ("ON"). Se a voltagem nos dois terminais do dispositivo for invertida o mesmo ir assumir um estado de alta impedncia novamente, no podendo mais ser ativado por uma tenso no gate. Ou seja, o SCR equivale a um retificador convencional, exceto que o gate controla o incio do seu funcionamento, a partir de quando o dispositivo se torna independente da tenso do gate. Ainda vale ressaltar que um outro dispositivo, o Gate Controlled Switch (CGS) exerce as mesmas funes do SCR, mas retm o controle mesmo quando o dispositivo esta no estado ligado ("ON").

2. Funcionamento Fsico:
Naturalmente qualquer dispositivo NPNP deveria bloquear a passagem de corrente em qualquer direo, pois em ambas haveria ao menos uma juno P-N reversamente polarizada. Essa propriedade ser primeiramente analisada, e em seguida explicaremos a passagem deste estado para o estado condutor sob o controle do gate. Antes porm faremos uma pequena reviso sobre junes P-N.

Figura 2.1 Esquema do SCR

2.1 Dopagem:
O germnio e o silcio so elementos tetravalentes de estrutura cristalina tipo tetradrica, com ligaes por covalncia, assemelhando-se ao diamante. Cada tomo cercado por quatro vizinhos, sendo as ligaes feitas por quatro pares eletrnicos. Os quatro eltrons de valncia do tomo de germnio considerado entram na composio destes pares, os outros eltrons so fornecidos pelos tomos vizinhos do tomo considerado. Os eltrons de valncia so os nicos que participam dos fenmenos de conduo eltrica do semicondutor. O silcio basicamente extrado da areia e tem sido utilizado por sculos na fabricao de utenslios de ferro, porcelana e tijolos. Na sua forma pura no presta construo de dispositivos eficientes; sua condutividade muito pequena para usos prticos. A eles so misturadas, ento, "impurezas" (tomos de outros elementos com aproximadamente as mesmas dimenses dos tomos do semicondutor) tri ou pentavalentes na proporo, em peso, de algumas partes por milho. A "dopagem" do semicondutor, como chamada a preparao da liga, feita sempre sobre cuidadoso controle e tem como objetivo reduzir a resistividade do material. O silcio dopado ento, pode atuar como condutor ou como no condutor, dependendo da polaridade de uma carga eltrica aplicada no material. Se as impurezas forem elementos trivalentes, o semicondutor denominado tipo P (de positivo), se forem pentavalentes, tipo N (de negativo). Na verdade quando isolados ambos tipos so eletricamente neutros, mas semicondutores do tipo N possuem eltrons livres (um para cada tomo de impureza), enquanto semicondutores tipo P possuem lacunas livres (buracos aptos a receberem eltrons).

Figura 2.2 - Dopagem de elementos semicondutores

Figura 2.3- Densidade de impurezas e largura das regies p e n

2.2 Junes P-N:

Uma juno P-N a regio que separa um semicondutor do tipo p de outro do tipo n. Essa regio possui caractersticas muito peculiares, o que justifica a grande diversidade de dispositivos semicondutores existentes. Naturalmente qualquer juno deste tipo possui uma propenso a conduzir corrente no sentido p n (lembrando que a corrente eltrica sempre arbitrada no sentido contrrio ao do fluxo de eltrons). Ou seja, os eltrons excedentes so requisitados pelos buracos excedentes. Mas essa corrente no ocorre espontaneamente porque os dois tipos de semicondutores so eletricamente neutros e um eltron que se desprende do seu tomo sofrer uma fora de atrao (fora de Coulomb) do prton com o qual ele configurava um "estado ligado". Porm uma corrente externa pode fornecer os eltrons necessrios para neutralizar os prtons. Mas a situao no assim to simples, conforme analisaremos. Em seu estado natural (sem voltagem externa), uma juno P-N cria uma regio de depleo ao seu redor, cuja largura depende da concentrao de impurezas em ambos

tipos de semicondutores (que podem e normalmente so diferentes dos dois lados da juno) e tambm da temperatura. No material tipo n essa regio possui carga positiva e caracterizada pelas lacunas dos eltrons que atravessaram a juno (aleatoriamente) e foram coletados pelas lacunas do material tipo p. Consequentemente, no material tipo p essa regio ter uma carga negativa, pois a mesma caracterizada pelos eltrons coletados do semicondutor tipo n. Esta separao de cargas gera um campo eltrico interno, que atua como uma barreira de potencial a qual os prximos eltrons que tentarem cruzar a juno devero suportar. Essa barreira normalmente projetada para ter um valor de aproximadamente 0,7 volt e responsvel pela caracterstica universal dos diodos. Quando se aplica uma tenso no material tipo p maior do que a do terminal do material tipo n diz-se que a juno est polarizada diretamente, e basta que esta diferena se aproxime do valor da barreira de potencial para o dispositivo comear a conduzir. Quando a tenso entre os dois terminais supera a tenso da barreira, a condutividade aumenta enormemente, e a corrente passa praticamente desimpedida. Quando a tenso aplicada ao terminal tipo n diz-se que a juno est polarizada reversamente, e a mesma apresenta uma resistncia muito grande. Se esta tenso for alta, pode ocorrer uma "ruptura". Existem dois tipos de ruptura: efeito zener e efeito avalanche. O ruptura zener ocorre quando a tenso externa tal que ocasiona a quebra de ligaes covalentes e a gerao de pares eltron-lacuna O efeito avalanche ocorre quando a tenso externa acelera um eltron livre a tal velocidade que o choque do mesmo com outros eltrons liberam os mesmos que por sua vez tambm so acelerados e libertam outros eltrons numa avalanche eletrnica. A tenso necessria para que estes eventos ocorram varia bastante, podendo ser de uns 5 volts (diodo zener) at valores bem maiores. No caso de SCRs estes efeitos sero desprezados, pois mesmo sob as altas tenses s quais so submetidas as junes no se observa estes efeitos.

2.3 A Estrutura NPNP:

Conforme mencionado anteriormente um SCR construdo dopando-se quatro materiais e concatenando-os de modo a formar uma seqncia NPNP com trs junes P-N, duas em um sentido e uma no outro. Aplica-se ento uma tenso no anodo (terminal do material tipo p externo) em relao ao catodo (terminal do material tipo n externo). Desta forma polariza-se diretamente as duas junes de mesmo sentido e reversamente a terceira juno. Esta ltima impede, a princpio, a conduo de corrente pelo dispositivo. Mas se aplicarmos uma tenso a seo tipo p interna (a ser chamada de GATE), conforme a figura 2.3, podemos polarizar diretamente todas as junes P-N, levando a carga ao estado "ON".

Figura 2.4 A Estrutura NPNP. A diagonal simboliza o corte virtual do dispositivo. Para analisar o SCR podemos utilizar uma tima analogia. Imaginando um corte virtual nos dois materiais internos da sua estrutura podemos interpret-la como dois transistores bipolares distintos conectados conforme a figura 2.4, podendo desta forma aplicar a anlise usual de transistores. Nela temos um transistor pnp e um npn. Em ambos o emissor representado pelo bloco externo ( esquerda no npn e direita no pnp). As bases so representadas pelos blocos do meio e os coletores pelos blocos internos ( direita no npn e esquerda no pnp). Ou seja, a base de um fica ligada ao coletor do outro.

Figura 2.5 Anlogo de 2 Transistores para a Estrutura NPNP Fazendo isso chegamos a concluso que para o dispositivo conduzir (ganho de malha fechada igual a unidade) necessrio que os parmetros E de ambos transistores se somem de modo que E 1 + E 2 u 1, levando ambos transistores a saturao. Porm se a soma for maior do que 1, uma vez que o dispositivo comece a conduzir ele no bloquear jamais. De fato impossvel dopar os materiais de modo a ter precisamente E 1 + E 2 = 1. O ponto crucial do controle do GATE reside no fato de ambos parmetros E serem funes da temperatura e da corrente. Assim, dopa-se os materiais de modo a fazer o valor da soma ser menor que 1 para temperaturas usuais, o que no to simples

pois a dependncia em relao a temperatura grande e uma vez que valores da soma muito pequenos impossibilita a ativao do dispositivo. Fornecendo-se uma corrente externa ao gate, aumentamos a corrente no emissor de Q1 (transistor npn), enquanto a corrente em seu coletor mantida constante. Quando a corrente do emissor pequena, a maioria dos eltrons se "perde" na regio de depleo da base de Q1, e s uma pequena parcela chega ao coletor. Ao se aumentar esta corrente a parcela recombinada (capturada na regio de depleo) se torna menor, aumentando o valor de E . Logo uma corrente no gate ativa o dispositivo, mas uma vez ativado ela pode ser cortada, pois E 1 + E 2 ser superior a 1 at que a corrente total diminua a ponto do dispositivo bloquear novamente

Parmetro s bsicos do SCR

Figura caracterstic a correntetenso

Esses parmetros devem ser levados em conta nos projetos. a. Tenso de disparo (Vbo): a tenso que podemos Ter entre A(anodo) e K(catodo) para que o dispositivo no conduza quando no h disparo. Caso a tenso Vbo exceda o limite, o SCR conduzira mesmo sem pulso no gate. b. Tenso mxima reversa (Vbr). a tenso que pode ser aplicada entre A e K sem causar dano no componente. c. Corrente mxima de conduo (Iak): a corrente mxima que o SCR pode conduzir. Nesse caso temos de dividir esse parmetro em outros trs: corrente mxima direta em RMS, corrente mdia direta e corrente de pico; d. Temperatura mxima de operao (T max): a temperatura limite de operao normal do SCR. Caso ela seja ultrapassada, podero ocorrer disparos indevidos ( no comandados), ou ainda ter incio o processo de "avalanche", com a queima do componente. e. l t: Essa caracterstica descreve a capacidade mxima de corrente, num determinado intervalo de tempo, onde o componente atinge a mxima potncia dissipvel. O l t o resultado da integral do quadrado da corrente do anodo nesse intervalo de tempo. Essa tambm uma caracterstica fundamental para o tcnico ou engenheiro de desenvolvimento, pois atravs dela que podemos dimensionar os dispositivos de proteo ( fusveis, disjuntores, etc.) do projeto. Vamos explorar mais esse conceito atravs de um a exemplo prtico. Antes porem, bom saber que deve-se levar em conta que uma proteo eficaz para o SCR deve atuar em um tempo menor que meio ciclo de senide ( t<8 ms) . Na prtica, esse tempo limitado e 6 ms ( tipicamente). Suponha que o surto mximo previsto seja 6KA, isto , Ip=6000 A. . O valor de l t, adotando 6 ms como tempo mximo admissvel, ser: I=Ip/(2^1/2)=4255,3 A Portanto: l t=(4255,3) . 6 . 0.001 = 108645 A.s

Isso significa que esse valor deve ser superior ao fusvel a ser utilizado como proteo nesse circuito. f. Taxa mxima de crescimento da tenso direta Vak (dv/dt): Quando o SCR atua no chaveamento de cargas indutivas, picos de tensao podem surgir nos terminais de anodo e catodo. A amplitude da tenso de pico, juntamente com a velocidade que essa tenso surge podem danificar o componente, caso esteja acima da especificao. g. Taxa mxima de crescimento de corrente ( di/dt) : Analogamente, o SCR sensvel as variaes de corrente assim como as tenses. Esse outro conceito que vale ser explorado. Quando o SCR inicia o processo de conduo, a corrente surge ao redor do gate e, ento, espalha-se radialmente at preencher toda a rea do ctodo. Nos SCRs antigos, por facilidade construtivas, o gate era colocado na periferia da estrutura cristalina. Dependendo da velocidade de crescimento da corrente Iak( di/dt), ocorria uma dissipao de potncia muito grande prxima ao gate, antes da corrente ocupar toda a rea disponvel do nodo ( seo condutora do SCR ). Esse fenmeno danificava o componente. Atualmente, os SCRs so construdos com uma estrutura denominada "interdigital", isto , o gate colocado no centro do cristal e ocupa uma rea maior que os antigos . h. Corrente de manuteno ( I h): Uma vez disparado, o SCR necessita de uma corrente mnima para manter seu estado de conduo, aps a retirada do pulso de disparo. Essa corrente chamada de "corrente de manuteno". i. Corrente mnima de disparo (Igk): a corrente mnima necessria, entre o gate e ctodo, para levar o SCR ao estado de conduo. j. Tenso mxima entre gate e ctodo (Vgk): Esse uma parmetro muito importante no desenvolvimento de circuitos com SCRs, pois o excesso de tenso entre o gate e o ctodo pode danificar o componente. Normalmente a tenso de disparo encontra-se entre 0,7 V e 2,0 V. k. Tempo de disparo (ton) e tempo de desligamento (toff) : Quanto maior for a capacidade de corrente do SCR, maior a rea das junes ( seco condutora). Na mesma proporo, as capacitncias parasitas formadas por essas junes provocam um atraso, tanto no tempo de conduo quanto no desligamento.

Portanto, o tempo necessrio para o SCR sair do estado desligado e atingir a conduo (ton), e o tempo de desligamento (toff) so fatores limitantes entre a velocidade do circuito de comando e a carga.

Aplicaes de SCR

O SCR possui quatro importantes aplicaes que so descritas a seguir : Chave esttica Sistema de controle de fase Carregador de bateria Sistema de emergncia de iluminao com uma nica fonte A figura (1) a seguir mostra uma chave esttica srie de meia onda .

Se a chave estiver fechada ,haver uma corrente de porta durante o ciclo positivo do sinal de entrada ,ligando o SCR . O resistor R1 limita a corrente de porta .Quando o SCR comea a conduzir ,a tenso anodo catodo (Vf) cai para um valor de conduo

,resultando numa forte reduo na corrente de porta ,com uma perda muito pequena no circuito de porta. Para o ciclo negativo do sinal de entrada o SCR desliga ,pois o anodo fica negativo em relao ao catodo .O diodo D1 para evitar a inverso da corrente de porta . Na mesma figura so apresentadas as formas de onda para a corrente e tenso na carga . O resultado um sinal retificado de meia onda atravs da carga . Se for desejada a conduo em menos do que 180 graus , pode - se fechar a chave em qualquer instante durante o ciclo positivo do sinal de entrada . A chave pode ser eletrnica , eletromagntica ou mecnica , dependendo da aplicao . A figura (2) mostra um circuito capaz de estabelecer um ngulo de conduo entre 90 e 180 graus .

O circuito semelhante ao da figura 1 exceto pelo acrscimo de um resistor varivel e a eliminao da chave .Os resistores R e R1 limitam a corrente de porta durante o ciclo positivo do sinal d entrada . Para R1 igual ao seu valor mximo pode acontecer que a corrente de porta nunca atinja o valor de disparo . conforme R1 diminui em relao ao valor mximo , se mantivermos a tenso de entrada fixa , a corrente de porta aumenta at o valor necessrio para o disparo , que pode ser estabelecido em qualquer ponto entre 0 e 90 graus , conforme mostrado na figura . Se R1 for pequeno , O SCR dispara quase que imediatamente , resultando na mesa ao do circuito da figura 1 (180 graus d conduo) . Porm , conforme apontado acima , aumentado R1 ser necessria uma tenso de entrada maior (positiva) para disparar o SCR . Conforme a figura 2 ,o controle pode ser feito aps a fase de 90 graus , uma vez que o valor mximo da entrada ocorre neste ponto . Se o disparo falhar neste ponto e nos pontos anteriores , quando o sinal de entrada est aumentado , dever acontecer o mesmo quando o sinal estiver diminuindo . Em termos tcnicos , essa operao chamada controle de fase de meia onda por resistncia varivel . um mtodo efetivo de controle da corrente rms e , portanto , da potncia de carga . Uma terceira aplicao bastante comum do SCR no regulador de carregador de bateria . A figura (3) mostra os componentes fundamentais ao circuito .

O circuito de controle foi sombreado , indicando que no ser por ns discutido . Conforme indicado na figura D1 e D2 fazem com que o sinal nos terminais do SCR1 seja um sinal retificado de onda completa , carregando a bateria de 12 V . Quando a tenso da bateria for baixa , o SCR2 permanece no estado desligado , pelos motivos que sero explicados brevemente . Com o SCR2 aberto , o circuito de controle do SCR1 exatamente o mesmo do controle da chave esttica tratada anteriormente . Quando a entrada retificada de onda completa for suficientemente grande para produzir a corrente de porta necessria para o disparo (controlada por R1) , o SCR1 comear a conduzir carregando a bateria . No incio da carga a baixa tenso da bateria resultar em uma baixa tenso Vr determinada pelo circuito divisor de tenso . Por outro lado , Vr muito pequeno para dar os 11 V de conduo para o zener . No estado desligado o zener efetivamente um circuito aberto , mantendo o SCR2 desligado , pois a corrente de porta zero . O capacitor C1 para evitar qualquer tenso transitria no circuito ,provocada pelo disparo acidental do SCR2 . Sabe se da teoria bsica de circuitos que a tenso nos terminais de um capacitor no pode variar instantaneamente . Dessa forma , C1 evita que defeitos transitrios afetem o SCR . Conforme a carga continua , a tenso da bateria sobe at o ponto em que Vr seja suficientemente alto para dar os 11 V para ligar o zener e disparar o SCR2 . Nessas condies o SCR2 corresponder a um curto circuito , resultando no circuito divisor de tenso determinado por R1 E R2 , que manter V2 em nvel muito baixo para disparar o SCR1 . Quando isto ocorrer a bateria estar totalmente carregada , e o estado aberto do SCR1 cortar a corrente de carga .Portanto , o regulador recarrega a bateria sempre que a tenso cai e evita sobrecarga quando ela est totalmente carregada . A ltima aplicao para o SCR a ser descrita mostrada na figura 4 .

 um sistema de emergncia para iluminao de uma nica fonte , que manter a carga de bateria em 6 V para garantir a sua disponibilidade e tambm fornecer a energia DC para uma lmpada de aviso em caso de falta de energia . Haver um sinal retificado de onda completa nos terminais da lmpada de 6 V devido aos diodos D1 e D2 . O capacitor C1 carregar at uma tenso um pouco menor que a diferena entre o valor de pico do sinal retificado de onda completa e a tenso DC nos terminais de R2 produzida pela bateria de 6V . Em qualquer situao , o potencial do catodo do SCR1 mais alto que o do anodo , e a tenso porta catodo negativa , garantindo que o SCR no conduz . A bateria est sendo carregada atravs de D1 e R1 a uma taxa determinada por R1 . A bateria estar se carregando apenas quando o anodo de D1 for mais positivo que seu catodo . O nvel DC do sinal retificado de onda completa manter a lmpada de sinalizao acesa quando houver energia . Havendo falta de energia , o capacitor C1 se descarregar atravs de D1 , R1 e R3 at que o catodo de SCR1 seja menos positvo que o anodo . Ao mesmo tempo o n entre R2 e R3 se tornar positivo estabelecendo uma tenso porta catodo suficiente para disparar o SCR . Uma vez disparado , a bateria de 6 V se descarrega atravs do SCR1 mantendo assim a iluminao . Ao voltar a energia o capacitor C1 se recarregar e restabelecer o estado de no conduo do SCR1 , conforme descrito acima .

3. Bibliografia:

[1] CASSIGNOL, E. J., Semicondutores - Fsica e Eletrnica, Editora Edgard Blcher, 1960. [2] MURRAY JR., Robert, Silicon Controlled Rectifier, Westinghouse Electric Corporation, 1964. [3] SEDRA, Adel e SMITH, Kenneth, Microeletrnica, 4 Edio, Editora Makron Books, 2000. [4] BOYLESTAD, Robert. Dispositivos eletrnicos e teoria de Circuitos, 3 Edio, Prentice Hall do Brasil, 1984