Sie sind auf Seite 1von 6

ELEKTRONIK Blatt 1

FELDEFFEKTTRANSISTOREN FET-Typen: Schaltzeichen, Kennlinien

n-Mosfet, selbstsperrend

D ID G S

ID

ID

Uth ID ID Uth

UGS ID UGS

UDS

p-Mosfet, selbstsperrend

UDS

G S n-Mosfet, selbstleitend D ID G S p-Mosfet, selbstleitend D ID G S n-Jfet D ID G S p-Jfet D ID G S Uth ID Uth UGS UGS ID UDS UDS ID ID Uth ID Uth UGS UGS ID UDS UDS ID ID

ELEKTRONIK Blatt 2

FELDEFFEKTTRANSISTOREN Funktionsweise, bertragungskennlinien

Funktionsweise eines n-Kanal Sperrschicht-Fets

Funktionsweise eines n-Kanal-Mosfets

ID mA

UDS 10

UDS

UDS

Sperrschicht-Fet

Mosfet, selbstleitend 8 6 4 2 Mosfet, selbstsperrend

Uth
-2

Uth
-1 0 1

Uth
2 3

2Uth
4 U GS

bertragungskennlinien ID=f(UD) verschiedener n-Kanal-FET-Typen

GLEICHUNGEN
Schwellenspannung bertragungskennlinie Steilheitskoeffizient U th ID = K= K I 2 2 (U GS - U th ) = DS (U GS - U th ) 2 2 U th 2I DS 2 U th threshold voltage, bei JFets auch U P

( pinch-off voltage )

im Abschnrbereich, ohne Kanallngenmodulation (siehe Blatt 3 ) bei JFets : K= = 0.5 . . . 10 mA V2 bei Mosfets: K=20 mA A . . . 50 2 2 V V

G
S

Po ly-S i d o x SiO 2 L Si

p-Substrat

Steilheitskoeffizient beim Mosfet m2 Vs F Kapazittsbelag des Gate-Oxids 2 m Ladungstrgerbeweglichkeit

K = m COX

W L

m COX

ELEKTRONIK Blatt 3

FELDEFFEKTTRANSISTOREN Kennlinienfelder, Gleichungen, Kanallngenmodulation

Kennlinienfelder eines n-Kanal JFets


ID A

ohmscher Bereich

Abschnrgrenze UDSab=UGS-Uth

Abschnrbereich

UGS= 0V UDS=8V
10m

UDS=4V

8m

UGS= -0.5V

6m

UDS=2V
4m

UGS= -1V

UGS= -1.5V
2m

UGS= -2V

Uth
-3V -2V -1V

UGS
0 0V 0V 1V 2V 3V 4V 5V 6V

UGS= -2.5V
7V 8V

UDS

bertragungskennlinien ID=f(UGS ) UDS als Parameter

Ausgangskennlinien ID=f(UDS ) UGS als Parameter

Gleichungen

ID =

0 U K U DS U GS - U th - DS 2 U DS 1 + UA

im Sperrbereich im ohmschen Bereich im Abschnrbereich

U GS < U th U GS U th , U DS < U GS - U th U GS U th , U DS U GS - U th

K U 2 (U GS - U th ) 1 + DS 2 UA

Kanallngenmodulation

U Abhngigkeit des Drainstroms I D von U DS Faktor 1 + DS UA UA Earlyspannung (30...200V ) l= 1 UA Kanallngenmodulations-Parameter

(SPICE-Parameter )
ID

UA= 1 /

UDS

Kanallngenmodulation und Early-Spannung

ELEKTRONIK Blatt 4

FELDEFFEKTTRANSISTOREN Temperaturverhalten, Kleinsignalverhalten


ID

Temperaturverhalten dU th mV = - 3.5 ... -1.7 dT K 1 dK 1 = - 5 10 -3 K dT K

U th sinkt bei steigender Temperatur


T1=-100

relative nderung , K sinkt bei steigender Temperatur


T2=0

I D sin kt oberhalb des TK- Punktes bei steigender Temperatur thermisch stabiler Betrieb ohne weitere schaltungstechnische Manahmen
T3=+100

TK-Punkt

Uth3 Uth2 Uth1

UGS

Kleinsignalgren

uGS = U GS - U GSA S=

uDS = U DS - U DSA

iD = I D - I DA I DA I DS

iG = 0

Kleinsignalparameter

2I DS dI D 2 = 2K I DA = U - U th ) = 2 ( GSA dU GS U th U th dU DS U A = dI D ID

rDS =

rGS iG = 0 Kleinsignalgleichungen iD = S uGS + 1 uDS rDS

Steilheit im Abschnrbereich differentieller Ausgangswiderstand GS-Strecke ist eine Diode in Sperrrichtung bzw. Isolierschicht (SiO2 )

Kleinsignalersatzschaltbild ein FET verhlt sich wie eine spannungsgesteuerte Stromquelle

G
uGS

iG = 0 SuGS

iD rDS

D
uDS

(iK

= S uGS )

mit parallelem Innenwiderstand (ri = rDS )

S
ID IDS ID

A IDA dUDS dID

S=

dI D dU GS rDS =
A dID IDA

dU DS dI D

dUGS
Uth

UGSA

UGS

UGSA

UGS

ELEKTRONIK Blatt 5

FELDEFFEKTTRANSISTOREN Kleinsignalverstrker: Grundschaltungen, Prinzip, Arbeitspunkteinstellung

GRUNDSCHALTUNGEN
RD uA
D D

UB

UB

AC

uE

uE

SOURCESCHALTUNG (SOURCE auf Masse)


RS

uA

DRAINSCHALTUNG (DRAIN AC-mig auf Masse)

PRINZIP

ID
+10V

dynamische bertragungskennlinie

8mA

Arbeitsgerade

Beispiel Sourceschaltung

RD

1k uA

6mA

uE

A
4mA

A
-1V

2mA

-2V

-1V

0V

0V

1V

2V

3V

4V

5V

6V

7V

8V

9V

10V

UGS uE uA

UDS

ARBEITSPUNKTEINSTELLUNG
+UB RD IDA -UGSA UGSA RG -1V
I DA =
2 2I K (U GSA - U P ) U GSA = U P + DA K 2

+UB +UB R1 RD IDA UG 0V UGSA RG RS -UGSA R2 UGSA

+UB RD IDA

UG-UGSA RS

U G = U GSA + I DA RS = U B

U GSA = U P +

2I DA K

RS = -

U GSA I DA

R2 R1 + R2 U G - U GSA I DA

U GSA = U th +

2I DA K

RS =

APE mit negativer Gatevorspannung - negative Betriebsspannung - keine Stromgegenkopplung instabiler AP

APE mit Sourcewiderstand + keine negative Betriebsspannung + Stromgegenkopplung stabiler AP

APE mit Sourcewiderstand UGSA positiv + Stromgegenkopplung

ELEKTRONIK Blatt 6 Verstrkerschaltungen

FELDEFFEKTTRANSISTOREN

ug

Rg

ue

id

ua

SOURCESCHALTUNG
Ub re Rd ua C2 ug Rg C1 ue ra RL ug re R1 S R1 rgs ugs Sugs rds Rd ra RL

Spannungsverstrkung

u E = uGS A=

u A = - S u E (RD || rDS || RL )

uA = - S (RD || rDS || RL ) uE

Eingangswiders tan d
Ug

rE = R1 || rGS R1 rA = RD || rDS

Ausgangswiders tan d

ug

Rg

ue

ig

id

ua

SOURCESCHALTUNG mit Stromgegenkopplung


Ub Ub

ug re* re R1||R2 rgs ugs Sugs rds Rd ra RL

R1

Rd ua C2 S

id
Rs

Rg

C1

ue

ra RL

Spannungsverstrkung Annahme : rDS u A = - S uGS (RD || RL ) = - S uGS = u E - S uGS RS uE (RD || RL ) 1 + S RS uGS = A= uE 1 + S RS

ug

re

R2

Rs

S (RD || RL ) (R || RL ) uA ==- D 1 uE 1 + S RS + RS S

Eingangswiders tan d u uE rE+ = E rE+ = = (1 + S RS ) r GS u E - S uGS RS iG rGS Ausgangswiders tan d rA RD


Rg

rE = R1 || R2 || rE+ R1 || R2

DRAINSCHALTUNG
Ub Ub ug R1 re Rg C1 ue ua R2 Rs ra RL C2 re* R1||R2 rgs ugs S*ugs rds ug ue

ig

id

id

ua

ug

re

Rs

ra

RL

Spannungsverstrkung rDS uGS = u E - S uGS RS uGS = uE 1 + S (RS || RL ) u A = u E - uGS = u E S (RS || RL ) uE = uE 1 + S (RS || RL ) 1 + S (RS || RL ) A= S (RS || RL ) (RS || RL ) uA = = u E 1 + S (RS || RL ) 1 + R || R ( S L) S

Eingangswiders tan d rE+ = uE iG rE+ = r uE = GS > 10 rGS uE - A uE 1 - A rGS rA = rE = R1 || R2 || rE+ R1 || R2

Ausgangswiders tan d u A0 = S RS uE 1 + S RS

u A0 Leerlaufausgangsspannung (RL = ) = iAK Kurzschlussausgangsstrom (RL = 0 ) rA = u A0 RS 1 = = || RS iAK 1 + S RS S

iAK = iD = S uGS = S u E

rA

VERSTRKER als VIERPOL

uE

rE

SKuE

rA

uA

uE

rE

A0uE

uA

SK A0

Kurzschlusssteiheit Leerlaufspannungsverstrkung