Beruflich Dokumente
Kultur Dokumente
n-Mosfet, selbstsperrend
D ID G S
ID
ID
Uth ID ID Uth
UGS ID UGS
UDS
p-Mosfet, selbstsperrend
UDS
G S n-Mosfet, selbstleitend D ID G S p-Mosfet, selbstleitend D ID G S n-Jfet D ID G S p-Jfet D ID G S Uth ID Uth UGS UGS ID UDS UDS ID ID Uth ID Uth UGS UGS ID UDS UDS ID ID
ELEKTRONIK Blatt 2
ID mA
UDS 10
UDS
UDS
Sperrschicht-Fet
Uth
-2
Uth
-1 0 1
Uth
2 3
2Uth
4 U GS
GLEICHUNGEN
Schwellenspannung bertragungskennlinie Steilheitskoeffizient U th ID = K= K I 2 2 (U GS - U th ) = DS (U GS - U th ) 2 2 U th 2I DS 2 U th threshold voltage, bei JFets auch U P
( pinch-off voltage )
im Abschnrbereich, ohne Kanallngenmodulation (siehe Blatt 3 ) bei JFets : K= = 0.5 . . . 10 mA V2 bei Mosfets: K=20 mA A . . . 50 2 2 V V
G
S
Po ly-S i d o x SiO 2 L Si
p-Substrat
K = m COX
W L
m COX
ELEKTRONIK Blatt 3
ohmscher Bereich
Abschnrgrenze UDSab=UGS-Uth
Abschnrbereich
UGS= 0V UDS=8V
10m
UDS=4V
8m
UGS= -0.5V
6m
UDS=2V
4m
UGS= -1V
UGS= -1.5V
2m
UGS= -2V
Uth
-3V -2V -1V
UGS
0 0V 0V 1V 2V 3V 4V 5V 6V
UGS= -2.5V
7V 8V
UDS
Gleichungen
ID =
0 U K U DS U GS - U th - DS 2 U DS 1 + UA
U GS < U th U GS U th , U DS < U GS - U th U GS U th , U DS U GS - U th
K U 2 (U GS - U th ) 1 + DS 2 UA
Kanallngenmodulation
(SPICE-Parameter )
ID
UA= 1 /
UDS
ELEKTRONIK Blatt 4
I D sin kt oberhalb des TK- Punktes bei steigender Temperatur thermisch stabiler Betrieb ohne weitere schaltungstechnische Manahmen
T3=+100
TK-Punkt
UGS
Kleinsignalgren
uGS = U GS - U GSA S=
uDS = U DS - U DSA
iD = I D - I DA I DA I DS
iG = 0
Kleinsignalparameter
2I DS dI D 2 = 2K I DA = U - U th ) = 2 ( GSA dU GS U th U th dU DS U A = dI D ID
rDS =
Steilheit im Abschnrbereich differentieller Ausgangswiderstand GS-Strecke ist eine Diode in Sperrrichtung bzw. Isolierschicht (SiO2 )
G
uGS
iG = 0 SuGS
iD rDS
D
uDS
(iK
= S uGS )
S
ID IDS ID
S=
dI D dU GS rDS =
A dID IDA
dU DS dI D
dUGS
Uth
UGSA
UGS
UGSA
UGS
ELEKTRONIK Blatt 5
GRUNDSCHALTUNGEN
RD uA
D D
UB
UB
AC
uE
uE
uA
PRINZIP
ID
+10V
dynamische bertragungskennlinie
8mA
Arbeitsgerade
Beispiel Sourceschaltung
RD
1k uA
6mA
uE
A
4mA
A
-1V
2mA
-2V
-1V
0V
0V
1V
2V
3V
4V
5V
6V
7V
8V
9V
10V
UGS uE uA
UDS
ARBEITSPUNKTEINSTELLUNG
+UB RD IDA -UGSA UGSA RG -1V
I DA =
2 2I K (U GSA - U P ) U GSA = U P + DA K 2
+UB RD IDA
UG-UGSA RS
U G = U GSA + I DA RS = U B
U GSA = U P +
2I DA K
RS = -
U GSA I DA
R2 R1 + R2 U G - U GSA I DA
U GSA = U th +
2I DA K
RS =
FELDEFFEKTTRANSISTOREN
ug
Rg
ue
id
ua
SOURCESCHALTUNG
Ub re Rd ua C2 ug Rg C1 ue ra RL ug re R1 S R1 rgs ugs Sugs rds Rd ra RL
Spannungsverstrkung
u E = uGS A=
u A = - S u E (RD || rDS || RL )
uA = - S (RD || rDS || RL ) uE
Eingangswiders tan d
Ug
rE = R1 || rGS R1 rA = RD || rDS
Ausgangswiders tan d
ug
Rg
ue
ig
id
ua
R1
Rd ua C2 S
id
Rs
Rg
C1
ue
ra RL
ug
re
R2
Rs
S (RD || RL ) (R || RL ) uA ==- D 1 uE 1 + S RS + RS S
rE = R1 || R2 || rE+ R1 || R2
DRAINSCHALTUNG
Ub Ub ug R1 re Rg C1 ue ua R2 Rs ra RL C2 re* R1||R2 rgs ugs S*ugs rds ug ue
ig
id
id
ua
ug
re
Rs
ra
RL
Spannungsverstrkung rDS uGS = u E - S uGS RS uGS = uE 1 + S (RS || RL ) u A = u E - uGS = u E S (RS || RL ) uE = uE 1 + S (RS || RL ) 1 + S (RS || RL ) A= S (RS || RL ) (RS || RL ) uA = = u E 1 + S (RS || RL ) 1 + R || R ( S L) S
Ausgangswiders tan d u A0 = S RS uE 1 + S RS
iAK = iD = S uGS = S u E
rA
uE
rE
SKuE
rA
uA
uE
rE
A0uE
uA
SK A0
Kurzschlusssteiheit Leerlaufspannungsverstrkung