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Formelsammlung Bauelemente

R, C, L:

Ohmsche Widerstnde, Rs Allgemein: Reihenschaltung:

R=

U I

G=

1 I = tan = R U

R ges = R1 + R2 + + Rn

Parallelschaltung:

1 1 1 1 = + + + R ges R1 R2 Rn R = R20 * *

Temperaturabhngigkeit:

R nderung des Widerstandswertes

Rw = R20 + R abgekhlter Widerstand: Rk = R20 R


erwrmter Widerstand: Reihenschaltung: oder:

T Temperaturnderung

R20 Widerstandswert bei 20C


Temperaturbeiwert

R w = R20 (1 + * ) Rk = R20 (1 * )

R ges = R1 + R2 = R201 * (1 + * T ) + R20 2 * (1 + * T ) R ges = R ges0 + R ges0 * ges * T

mit: Parallelschaltung:

ges =

R201 * 1 + R202 * 2 R201 + R202

und

R201 + R20 2 R ges0 = 0

1 1 1 1 1 1 1 = + + + = + + + R ges R 1 R2 R n R201 * (1 + 1 * T ) R20 2 * (1 + 2 * T ) R20 n * (1 + n * T )


oder: mit: Kondensatoren, Cs Allgemein:
Q = C *U

G ges = G1 + G 2 + + G n

ges =

R202 * 1 + R201 * 2 R201 + R202


0 *r * A d

mit:

C=

As Dielektrizittskonstante Vm r Dielektriz ittszahl

0 = 8,854 *10 12 *

Temperaturabhngigkeit: Selbstentladekonstante: Reihenschaltung: Parallelschaltung:

C = C * C *

= R *C
1 1 1 1 = + + + C ges C1 C 2 Cn
C ges = C1 + C 2 + + C n

Spulen, Ls

U ind = N *

d dt

N Windungszahl

d Flunderungsgeschwindigkeit dt

Magnet. Flu
mit:

U ind = N 2 * *

di dt

und:

L = N2 * L Induktivitt, Selbstinduktivitt, Induktionseffizienz magnet. Leitwert (Lambda)

folgt:

U ind = L *

di dt

und:

L = N2 *

0 * r * A Lm

Vs magnetische Feldkonstante Am r Permebilit tszahl A Spulenquerschnitt Lm mittlere Feldlinienlnge

0 = 1,257 * 10 6 *

Reihenschaltung: Parallelschaltung:

L ges = L1 + L2 + + Ln

1 1 1 1 = + + + L ges L1 L2 Ln

Halbleiterdioden Leitfhigkeit: Metall:

= n + p

Metall = e0 * n * n

HL = e0 * n + e0 * p * n Halbleiter: p Beweglichkeit, allg. n Anzahl der Elektronen fr best. Temp.

n Elektronenbeweglichkeit
U AK I = I S * e U T 1
U 1 1 g= = * I S * e T r UT U AK

Kennliniengleichung:

r=

UT IS *e
U AK U T

I S Sttigungsstrom

U T Temperaturspannung =

k *T e0

k = 1,38 *10 23

Ws Boltzmannkonstante K

T Temperatur, absolut [K] e0 = 1,602 * 10 19 As Elementarladung U AK ???


Z-Dioden

Vorwiderstand:

RVmax =

U emin U Z I Z min + I L

RVmin =

U emax U Z I Z max + I L

Strme, Leistung,...:

IL =

U Z U RL = RL RL

I Z = I ges I L

I Z max =
PRL =

Ptot UZ

Ptot =
a

max

Rth

2 UZ RL

rZ =

U Z I Z U e U a

RV S = 1 + min rZ

Ua * U e

G=

Umgebungstemperatur a

S Stabilisierungsfaktor

Sperrschichttemperatur j

G Glttungsfaktor

rZ differ. z-Widerst. in Ohm Rtha Wrmewiderstand zw. Sperrschicht und umgebender Luft
U e / U a Eingangs- bzw. Ausgangsspannungsschwankung

Transistor
Bipolarer Transistor Grundschaltungen: am Bsp. Emitterschaltung: Dimensionierungen im AP: Emitter-, Basis-, Kollektorschaltung (ES, BS, KS)

U CE = U CB +U BE

I E = IC + I B

AP-Einstellung mit Basiswiderstand:

RC = R1 =

U RC U B U CE AP = I C AP I C AP U R1AP I BAP = U B U BE AP I BAP


I C AP B

AP-Einstllg. Mit Basisspannungsteiler:

RC =

U B U CE AP I C AP
R2 =

IC =
U BE AP Iq

UB RC

B=

I C AP I BAP

bB

I B AP =

I q = q * I B AP

R1 =

U B U BE AP I q + I B AP

VU =

Ua b * RC Ue rBE

rBE =

UT I B AP

U T Temperaturspannung
P Ptot V

PV = U CE AP * I C AP + U BE AP * I B AP

Kontrolle auf: Unipolarer Transistor

FET...Feldeffekttransistor, feldgesteuerte Bauelemente: Steuerung des Leitwertes eines leitfhigen Kanals, durch ein senkrecht zur Stromrichtung wirkendes elektr. Feld. JFET: Die Wirkursache liegt in Sperrschichtausbildung und Beeinflussung ihrer Breite.

(am Bsp. n-Kanal)

differentieller Ausgangswiderstand:

rDS =

U DS I D

fr

U GS = const .

Verlustleistung:

PV AP = U DS AP * I D AP , da I G AP sehr, sehr klein ist!!

Steilheit:

S=

I D U GS

Differentieller Eingangswiderstand:

rGS , durch leistungslose Ansteuerung, I G 0

Spannungsverstrkung:

VU =

U a U DS R *r = = S * D DS U e U GS R D + rDS RG * rGS RG + rGS RD * rDS RD + rDS

Eingangswiderstand:

re =

Ausgangswiderstand:

ra =

Drainwiderstand:

RD =

U B U DS AP I DAP

JG-FET: Zwei Typen: Verarmungstyp...selbstleitend bei fehlender Gatespannung Anreicherungstyp...selbstsperrend bei fehlender Gatespannung Beide sind in n-Kanal, sowie p-Kanal Ausfhrung erhltlich. (am Bsp. n-Kanal, Anreicherungstyp)

differentieller Ausgangswiderstand:

rDS =

U DS I D

fr

U GS = const .

Verlustleistung:

PV AP = U DS AP * I D AP , da I G AP sehr, sehr klein ist!!


S= I D U GS

Steilheit:

differentieller Eingangswiderstand:

rGS , durch leistungslose Ansteuerung, I G 0

Spannungsverstrkung:

VU =

U a U DS R *r = = S * D DS U e U GS R D + rDS RD * rDS RD + rDS


U B U DS AP U GS I DAP
U GS I D AP

Ausgangswiderstand:

ra =

Drainwiderstand:

RD =
RS =

Sourcewiderstand:

Ursache:

Rauschen ...statistisch schwankende Dichte & Geschwindigkeit der Ladungstrger, der Bauelemente

Rauschleistung: Rauschspannung:

Pr = 4 * k * T * f

k Boltzmannkonstante, siehe weiter oben

U r = 4 * k * T * f * R U ra = VU * U r

Rauschspannung am Ausgang bei Verstrkerschaltung:

Integrierte Schaltungen, OPV oder OV

Spannungsverstrkung:

VU =

Ua Ue

Nachlaufgeschwindigkeit, max. Flankensteilheit: Schaltungsbeispiele mit OV Nichtinvertierender Verstrker: bei U Diff = 0V

SR =

U a t

VU' =
Invertierender Verstrker:

U a R2 + R1 R2 = = +1 Ue R1 R1

bei U Diff = 0V , dazu mu P Massepotential erlangen; virtuelle Masse

VU' =
Komperatoren:

Ua R = 2 Ue R1

Es geht um den Vergleich mit einer vorgegebenen Grenze U ref