UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA Y ELECTRONICA ESCUELA DE INGENIERA ELECTRONICA

2011

EL TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR I. OBJETIVOS: Conocer las relaciones entre las corrientes de base, emisor y colector de un transistor bipolar. Identificar las configuraciones de un transistor como amplificador. Analizar diversas configuraciones del transistor como amplificar. II. MARCO TEORICO INTRODUCCIN La necesidad de amplificar las seales es casi una necesidad constante en la mayora de los sistemas electrnicos. En este proceso, los transistores desarrollan un pape fundamental, l pues bajo ciertas condiciones, pueden entregar a una determinada carga una potencia de seal mayor de la que absorben. El anlisis de un amplificador mediante su asimilacin a un cuadrpolo (red de dos puertas), resulta interesante ya que permite caracterizarlo mediante una serie de parmetros relativamente simples que nos proporcionan informacin sobre su comportamiento.

FIGURA N 1

En los amplificadores, gracias a los transistores se consigue la intensidad de los sonidos y de las seales en general. El amplificador posee una entrada por donde se introduce la seal dbil y otra por donde se alimenta con C.C. La seal de salida se ve aumentada gracias a la aportacin de esta alimentacin, siguiendo las mismas variaciones de onda que la de entrada. La seal de entrada, de bajo nivel, del orden de unos pocos milivotios, la aportan dispositivos como el micrfono (transforman ondas sonoras en seales elctricas que siguen las mismas variaciones que las primeras), sensores trmicos, luminosos, etc.

FIGURA N 2

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Cuando un amplificador realiza la funcin de elevar la seal que ha sido aplicada a su entrada, se dice que ha producido una determinada ganancia. Se puede decir que la ganancia de un amplificador es la relacin que existe entre el valor de la seal obtenida a la salida y el de la entrada. Dependiendo de la magnitud elctrica que estemos tratando, se pueden observar tres tipos de Ganancia: ganancia en tensin, ganancia en corriente y ganancia en potencia. De esta forma podemos definir los siguienteas parmetros: Ganancia de tensin (normalmente en decibelios): Av = Vo / Vi Impedancia de entrada (ohmnios): Zi = Vi / Ii Impedancia de salida (ohmnios): Zo = Vo / Io (para Vg = 0) Ganancia de corriente (normalmente en decibelios): Ai = Io / Ii Ganancia de potencia (normalmente en decibelios): Ap = Po / Pi Un amplificador ser tanto mejor cuanto mayor sea su ganancia y menor sea su impedancia de entrada y salida. En cuanto a la frecuencia, los amplificadores dependen de esta, de forma que lo que es vlido para un margen de frecuencias no tiene porqu serlo necesariamente para otro. De todas formas, en todo amplificador existe un margen de frecuencias en el que la ganancia permanece prcticamente constante (banda de paso del amplificador). El margen dinmico de un amplificador es la mayor variacin simtrica de la seal que es capaz de presentar sin distorsin a la salida; normalmente expresado en voltios de pico (Vp) o Voltios pico-pico (Vpp). AMPLIACIN Para comprender el funcionamiento del transistor como amplificador, se partir del circuito de la figura, en el que el transistor se conecta en la configuracin denominada de emisor comn.

FIGURA N 3

El generador Veb asegura que la unin base-emisor est polarizada en sentido directo. Una batera Vc (Vc >> Vbe) proporciona la tensin de polarizacin inversa a la unin del emisor.

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El c c de e da, e el que se aplicar la se al que se desea amplificar, es el que c ie e a la base y el emis r. El circuito de salida est conectado a las terminales del colector y del emisor. Rc es la resistencia de carga del circuito de salida. Supondremos que, cuando la tensin de entrada es nula (terminales de entrada cortocircuitadas , las corrientes que circulan por cada terminal son Ie, Ib e I0, con los sentidos indicados en la figura. A continuacin, se calcularn cuales son los incrementos que se producen en dic a s intensidades si se modifica ligeramente la tensin Web, aplicando una ddp adicional a la entrada. En este desarrollo, se admitir que el incremento de tensin aplicado, es lo suficientemente peque o para que las variaciones de intensidad que provoca estn relacionadas linealmente con l. Asimismo, se despreciarn los efectos dinmicos producidos por la aplicacin de una diferencia de potencial, aplicada muy lentamente. VA AC N DE LA IN EN IDAD DE SALIDA (-I0). Como se muestra en la figura siguiente, la corriente de salida es -I0. Dic a intensidad tiene, tres componentes Ipb, Ibb e Inc. Ahora bien, en un transistor polarizado en el modo activo, la corriente Ipb es muy superior a las otras dos (unas mil veces superior en el ejemplo anterior) por lo que, a efectos de clculo de las variaciones en la intensidad del colector, es admisible suponer que

Suponiendo que la variacin de Veb, incremento de V, es peque o, la variacin de la corriente de salida es

a transconductancia tiene las dimensiones de una conductancia y su valor depende de la temperatura y del punto de funcionamiento. A la temperatura ambiente, g vale unos 0.04 m mOhmnios por mA de intensidad en el colector.

... y llamando transconductancia, gm, al factor I0 VT, resulta que

  

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a corriente de base, tiene, segn hemos e puesto, tres componentes Ine, Ibb e Inc. De ellas, tan slo las dos primeras dependen directamente de la tensin Veb. Nos limitaremos, por tanto a calcular sus variaciones. De las ecuaciones anteriores se deduce que

Por otra parte, el trmino e ponencial puede e presarse en funcin de la intentsidad del colector:

El incremento de la corriente de base es:

Denominando a todo el trmino entre corchetes, tendremos que:

El parmetro o cuantifica el efecto que, sobre la corriente de base, produce un incremento de la tensin Veb. As al disminuir la barrera de potencial en la unin emisor-base, se produce un aumento de huecos inyectados desde el emisor, aumentando la concentracin de portadores minoritarios en la base, lo que conduce a un incremento de la tasa de recombinacin. Debido a ello, Ibb crece. Por otra parte, la disminucin de la barrera de potencial antes citada, supone un incremento del nmero de electrones inyectados en el emisor desde la base, con lo que se produce un aumento de la corriente Ine. VA IACIN DE LA TENSIN C LECTOR-EMISOR (VCE). a tensin colector-emisor es:

Por tanto, si Veb se incrementa, Vce variar como:

10 ) (

VA IACIN DE LA IN ENSIDAD DE EN

'

ADA (-IB)

2 2

4 4

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La e presin anterior implica que el incremento de la tensin colector-emisor puede aumentar sin lmite, sin ms que incrementar suficientemente la resistencia de carga R0. Tal suposicin no es cierta ya que hay que tener presente que, en el modelo simplificado que se ha desarrollado, no se ha tenido en cuenta el efecto de la tensin de polarizacin inversa V cb sobre la anchura de la base, W. Valores muy elevados de g Rm suponen una importante m variacin de Vcb, lo que modificara notablemente la anchura W, no siendo vlidas entonces las premisas del modelo utilizado. GANANCIAS DE CORRIENTE Y DE TENSIN: Supongamos que, a la entrada del circuito de la siguiente figura, se aplica una se al alterna de peque a amplitud, y frecuencia lo suficientemente peque a para que puedan ser despreciados los efectos dinmicos que no han sido tenidos en cuenta en el modelo anterior. En estas condiciones, por el circuito de entrada circular una corriente alterna -Ib-AIb. Es decir, sobre la corriente -Ib que e ista para un incremento de tensin 0, se superpone una corriente alterna de amplitud incremento de la intensidad de base. De forma anloga, en el circuito de salida aparecer una corriente alterna de amplitud igual al incremento de la intensidad de colector, superpuesta a -Ic (corriente de colector para un incremento de tensin 0). Se define ganancia en intensidad como:

Obsrvese que, al ser no mucho menor que 1, la ganancia de instensidad puede tomar valores muy elevados.

En definitiva, la se al de entrada, se ve amplificada tanto en intensidad como en tensin.

CB A @

HGF

De fo

an lo a, se defina la ganan ia de tensin co o:

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