Rua Mariana N. 70 Retiro VoIta Redonda - TeIefone: (24) 33381279 Colgio do Instituto Batista Americano Apostila de Eletrnica Linear II 2 62/,&,7$d2 1mR WHPRV GLUHLWR DXWRUDO UHVHUYDGR SDUD R SUHVHQWH WUDEDOKR3RUWDQWRHPFDVRGHXWLOL]DomRGHTXDOTXHUSDUWH GHVWDDSRVWLODRTXHVROLFLWDPRVpDGLYXOJDomRGHVWDFRPR IRQWH (QJ R $ELPDLOWRQ3UDWWLGD6LOYD ` . ' '
' ' Colgio do Instituto Batista Americano Apostila de Eletrnica Linear II 3 INDICE INTRODUCO 7 1.0 APLICACO DO TRANSISTOR COMO CHAVE 7 2.0 PRO1ETOS DE CIRCUITOS DE POLARIZACO 9 2.1 PRO1ETO DE UM CIRCUITO DE POLARIZACO FIXADA COM RE 9 2.2 PRO1ETO DE UM CIRCUITO POLARIZACO POR DIVISOR DE TENSO 10 3.0 AMPLIFICADORES 12 3.1 CAPACITORES DE ACOPLAMENTO E DE DESVIO 12 3.2 FORMAS DE ONDA NO TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR 13 3.2.1 AMPLIFICADOR EMISSOR COMUM 13 3.2.2 GANHO DE CORRENTE (Ai) 14 3.2.3 GANHO DE TENSO (Av) 14 3.2.4 GANHO DE POTNCIA (Ap) 14 3.2.5 RESISTNCIA DE ENTRADA (Rin) 14 3.3 AMPLIFICADOR COLETOR COMUM (OU SEGUIDOR DE EMISSOR) 15 3.3.1 GANHO DE CORRENTE (Ai) 15 3.3.2 GANHO DE TENSO (Av) 15 3.3.3 GANHO DE POTNCIA (Ap) 15 3.3.4 RESISTNCIA DE ENTRADA (Rin) 16 3.4 AMPLIFICADOR BASE COMUM 16 3.4.1 GANHO DE CORRENTE (Ai) 17 3.4.2 GANHO DE TENSO (Av) 17 3.4.3 GANHO DE POTNCIA (Ap) 17 Colgio do Instituto Batista Americano Apostila de Eletrnica Linear II 4 3.4.4 RESISTNCIA DE ENTRADA (Rin) 17 3.4.5 COMPARACO ENTRE OS CIRCUITOS AMPLIFICADORES 17 4.0 CONFIGURACO DARLINGTON 17 5.0 FONTE DE TENSO ESTABILIZADA 18 5.1 REGULADOR SRIE 19 5.1 .1 REVISANDO AS CARACTERISTICAS DA CURVA DO ZENER 19 5.2 ANLISE DO CIRCUITO REGULADOR SRIE 20 5.2.1 INTERPRETANDO O CIRCUITO REGULADOR SRIE 20 5.2.2 LIMITACES DO REGULADOR SRIE 20 6.0 REGULADORES DE TENSO EM CI COM TRS TERMINAIS 23 6.1 78XX - REGULADOR DE TENSO POSITIVA 24 6.2 79XX - REGULAGOR DE TENSO NEGATIVA 24 6.3 CIS REGULADORES DE TENSO POSITIVA SRIE 78XX 25 6.4 CIS REGULADORES DE TENSO NEGATIVA SRIE 79XX 25 7.0 TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO (TEC ou FET) 26 7.1 SIMBOLOGIA DO TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO 27 7.2 POLARIZACO DO TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO 27 7.2.1 CARACTERISTICA DRENO-FONTE 28 7.2.2 CARACTERISTICAS DE TRANSFERNCIA 29 7.3 PARAMETROS DO FET 30 7.3.1 IDSS - CORRENTE DE SATURACO DRENO-FONTE 30 7.3.2 Vp VGSoff - TENSO DE CORTE (ESTRANGULAMENTO) PORTA-FONTE 30 7.3.3 BVGSS - TENSO DE RUPTURA FONTE-PORTA 30 Colgio do Instituto Batista Americano Apostila de Eletrnica Linear II 5 7.3.4 gm gfs - TRANSCONDUTANCIA DE TRANSFERNCIA DIRETA EM FONTE COMUM 31 7.3.5 rds(on) - RESISTNCIA DRENO-FONTE PARA O DISPOSITIVO LIGADO 31 7.4 POLARIZACO DO TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO (FET) 31 7.4.1 POLARIZACO FIXADA 31 7.4.2 AUTOPOLARIZACO 32 7.4.3 POLARIZACO POR DIVISOR DE TENSO 35 8.0 MOSFET (SEMICONDUTOR FET DE OXIDO METALLICO) 37 8.1 MODO TIPO DEPLECO 37 8.2 MODO TIPO INTENSIFICACO ( ENRIQUECIMENTO) 38 8.2.1 SIMBOLOGIA DO MOSFET DO MOSFET TIPO DEPLECO 38 8.3 CURVAS DE DRENO 38 8.4 CURVA DE TRANSCONDUTANCIA 39 8.5 MOSFET DO TIPO INTENSIFICACO 40 8.5.1 TENSO DE LIMIAR 41 8.5.2 CURVAS DE DRENO 41 8.5.3 CURVA DE TRANSCONDUTANCIA 41 8.5.4 SIMBOLOGIA DO MOSFET TIPO INTENSIFICACO 42 8.6 APLICACES DO MOSFET 43 8.6.1 MOSFET COMO CHAVE 43 APNDICE 1 - IDENTIFICACO DE TERMINAIS E TESTE DE TRANSISTORES 45 Colgio do Instituto Batista Americano Apostila de Eletrnica Linear II 6 INTRODUCO Todo o desenvolvimento alcancado pelo homem no seculo XX tem uma intima relaco com o desenvolvimento dos dispositivos eletrnicos. Hoie, qualquer Iato ocorrido em algum canto do mundo pode ser noticiado no mesmo instante para todo o planeta. Podemos assistir ao vivo iogos de Iutebol, shows de musica, conversar com parentes e amigos distantes. O lado negativo desses recursos tecnologicos so as guerras, que esto escoradas em aparatos eletrnicos. Cada vez mais as maquinas podem ser controladas ou programadas para substituir o homem no seu trabalho. Na industria e no comercio damos o nome a este processo de automaco, o que tem acabado com muitos postos de trabalho, gerando muito desemprego. Se a tecnologia tem este aspecto negativo, Iaz-se necessario que a humanidade tenha uma presenca critica a Irente desse desenvolvimento. No basta Iicar olhando as possibilidades tecnologicas, e importante perceber que todo este processo deve ser humanizado. Mas no se tem so o lado negativo, a eletrnica deve de Iato substituir o homem, nos locais de riscos e perigosos, deve liberar o homem dos trabalhos diIiceis e repetitivos, a eletrnica pode ainda: Salvar vidas diagnosticando doencas; desenvolver metodos de cura; na educaco e cultura contribuir com engrandecimento do homem; e no lazer tonar as pessoas mais Ielizes. Ao ampliar seu universo cultural, e a capacidade de ver o outro homem , a eletrnica pode ser um grande instrumento na busca da compreenso, da paz e da Iraternidade. Portanto ter dominio da tecnica implica, em saber usa-la, em beneIicio de todos. Colgio do Instituto Batista Americano Apostila de Eletrnica Linear II 7 1.0 APLICACO DO TRANSISTOR COMO CHAVE Um transistor comum, quando saturado, apresenta um VCEsat de aproximadamente 0,3 V e um determinado valor minimo de | (entre 10 e 50), para garantir a saturaco. A corrente de coletor de saturaco Icsat depende do resistor acoplado ao coletor ou da corrente imposta pelo proieto. MALHA DE ENTRADA MALHA DE SAIDA VI VRB VBE VCC VRC VCE VI IBRB VBE VRC VCC - VCE IBRB VI VBE ICRC VCC - VCE RB (VI VBE) / IBsat RC (VCC VCEsat) / ICsat - No exemplo a seguir desejamos acionar o LED quando a chave S estiver na posico ON, e desaciona-lo quando estiver na posico OFF . Caractersticas do transistor (BC548) Caractersticas do LED VBE 0,7 V VD 1,5 V VCEsat 0,3V ID 25 mA | = 20 ICmax 200 mA VCE max 80 V Os resistores de polarizaco devero ser calculados, considerando a regio de saturaco, isto e, quando a chave estiver na posico ON . Colgio do Instituto Batista Americano Apostila de Eletrnica Linear II 8 MALHA DE SAIDA VRC VCC VCEsat VD ICRC VCC VCEsat VD ICsat ID RC (VCC VCEsat VD)/ ICsat RC (9 0,3 1,5)/ 25 x 10 -3 288 O Valor comercial adotado : 270 O Potncia de RC : P RC RC . ICsat 2 270 x (25 x 10 3 ) 2 168,75 mW(1/4 W) MALHA DE ENTRADA VRB VI VBE sat IBRB VI - VBEsat CALCULANDO RB: IBsat ICsat / |sat 25 x 10 3 / 20 1,25 mA RB VI VBEsat / IBsat (9V 0,7V)/ 1,25 x 10 3 6640 O Valor comercial adotado : 6K8 O POTNCIA DE RB: P RB RB . IBsat 2 6,8 x 10 3 x (1,25 x 10 3 ) 2 10,625 mW (1/8 W) Colgio do Instituto Batista Americano Apostila de Eletrnica Linear II 9 2.0 PRO1ETOS DE CIRCUITOS DE POLARIZACO 2.1 PRO1ETO DE UM CIRCUITO DE POLARIZACO FIXADA COM RE A Ionte de tenso e o ponto de operaco sero escolhidos a partir das inIormaces do Iabricante do transistor usado. Como regra de proieto o valor de VE, e 10 de VCC VE VCC . 0.1 RE VE / IE RC (VCC VCE VE) / IC IB = IC / | RB (VCC VBE VE) / IB - No exemplo abaixo determinaremos os valores de RB, RC, RE, considerando que o transistor utilizado o 2N 4401 com | = 150 e a corrente IC igual a 2 mA . Colgio do Instituto Batista Americano Apostila de Eletrnica Linear II 10 VE VCC . 0.1 20V . 0,1 2V RE VE / IE 2V . 2mA 1K O RC (VCC VCE VE) / IC (20V 10V 2V)/ 2mA 4K O O valor comercial utilizado e 3K9 O IB = IC / | = 2mA/150 13,33 uA RB (VCC VBE VE) / IB (20V 0,7V 2V)/ 13,33 uA 1,3M O 2.2 PRO1ETO DE UM CIRCUITO POLARIZADO POR DIVISOR DE TENSO Como regra de proieto o valor de VE, e 10 de VCC VE VCC . 0.1 RE VE / IE Posicionando o ponto Q, no meio da linha de carga, consideramos que VCE 0,5.VCC e os 0,4.VCC restantes aparecem em RC, portanto: RC 4.RE Neste proieto podemos estabelecer duas condices para a polarizaco: 1. ESTABILIZADA: R2 0,01. | RE 2. FIRME: R2 0,1. | RE E por ultimo: R1 (V1/V2) . R2 Colgio do Instituto Batista Americano Apostila de Eletrnica Linear II 11 - No exemplo abaixo determinaremos os valores de RE, RC, R2 e R1, considerando que o transistor de silcio utilizado tem |cc variando de 80 a 400, e a corrente IC igual a 5 mA . VE 0,1 .VCC 0,1 . 20 V 2 V RE 2V/ 5mA 400 O - valor comercial utilizado e 390 O. RC 4 (390) 1560 O - valor comercial utilizado e 1,6K O. Para um divisor de tenso estabilizado temos: R2 0,01.(80).(390) 312O - valor comercial utilizado e 300 O. Observe que utilizamos o menor valor de | na Iormula acima. V2 VB VE VBE 2V 0,7V 2,7 V V1 VCC V2 20V 2,7 17,3 V R1 (V1/V2) /R2 (17,3V/ 2,7V). 300 O = 1922 O - valor comercial utilizado e 2K O. Para um divisor de tenso firme temos: R2 0,1.(80).(390) 3120O - valor comercial utilizado e 3K O. R1 (V1/V2) /R2 (17,3V/ 2,7V). 3000 O = 19220 O - valor comercial utilizado e 2K O. Colgio do Instituto Batista Americano Apostila de Eletrnica Linear II 12 3.0 AMPLIFICADORES 3.1 CAPACITORES DE ACOPLAMENTO E DE DESVIO Antes de iniciarmos ao estudo das Iormas de onda nos ampliIicadores a transistor, Iaremos um breve estudo da aplicaco dos capacitores neste circuitos. O capacitor para um 'sinal contnuo, se comporta como uma chave aberta, no permitindo a passagem de corrente. O capacitor para um sinal alternado, se comporta como uma chave fechada, permitindo a passagem de corrente. Os capacitores permitem a passagem do sinal ca e bloqueiam o sinal cc. O capacitor de acoplamento e o que esta Iaz a passagem de um sinal ca de uma Ionte ca para o ampliIicador e do ampliIicador para a carga. O capacitor de desvio e o que Iaz a passagem de um sinal ca, do ampliIicador para o terra. Colgio do Instituto Batista Americano Apostila de Eletrnica Linear II 13 3.2 FORMAS DE ONDA NO TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR 3.2.1 AMPLIFICADOR EMISSOR COMUM Vamos mostrar uso do transistor para ampliIicar um sinal e Iaremos a comparaco dos ganhos nas trs conIiguraces. Nos exemplos que seguem atribuiremos valores para as correntes de base e do coletor, a partir de um sinal de 100 mV (de pico a pico) aplicado a entrada dos circuitos utilizados. DA EQUACO DA MALHA DE SAIDA TEMOS: VCC VRC VCE VCE IC.RC VCE Vout Vce VCC ic x RC Para cada valor de ic temos um valor de Vout (Vce) Para ic 2 mA Vout 20V 2mA x 3KO 14V Para ic 3 mA Vout 20V 3mA x 3KO 11V Para ic 4 mA Vout 20V 4mA x 3KO 8V Colgio do Instituto Batista Americano Apostila de Eletrnica Linear II 14 Observamos que quando a corrente ic aumenta a tenso de saida (Vout) diminui, o que Iaz com que o sinal de saida (Vout) esteia Iora de Iase, 180 em relaco ao sinal de entrada (Vin), para esta conIiguraco. 3.2.2 GANHO DE CORRENTE (Ai) Ai AIout 2mA 1mA 50 AIin 40uA 20uA 3.2.3 GANHO DE TENSO (Av) Av AVout 6 V 3 V 60 AVin 100 mV 50 mV 3.2.4 GANHO DE POTNCIA (Ap) Ap Ai . Av 50 x 60 3000 3.2.5 RESISTNCIA DE ENTRADA (Rin) Rin AVin 100 mV 50 mV 2500O AIin 40uA 20uA 3.3 AMPLIFICADOR COLETOR COMUM (OU SEGUIDOR DE EMISSOR) DA EQUACO DA MALHA DE SAIDA TEMOS: VCC VRC VCE VRE VCE IC.RC VCE IE.RE Vout Vre ie x RE Colgio do Instituto Batista Americano Apostila de Eletrnica Linear II 15 Para cada valor de ic temos um valor de Vout (Vce) Para ic 2,04 mA Vout 2,04mA x 1KO 2,04V Para ic 3,06 mA Vout 3,06mA x 1KO 3,06V Para ic 4,08 mA Vout 4,08mA x 1KO 4,08V DA EQUACO DA MALHA DE ENTRADA TEMOS: Vin 2,04mA x 1KO + 0,7 V 2,74V Vin 3,06mA x 1KO + 0,7 V 3,76V Vin 4,08mA x 1KO + 0,7 V 4,78V 3.3.1 GANHO DE CORRENTE (Ai) Ai AIout 2,04mA 1,02mA 51 AIin 40uA 20uA 3.3.2 GANHO DE TENSO (Av) Av AVout 2.04 V 1,02 V 1 AVin 2,04 V 1,02 V 3.3.3 GANHO DE POTNCIA (Ap) Ap Ai . Av 51 x 1 51 Colgio do Instituto Batista Americano Apostila de Eletrnica Linear II 16 3.3.4 RESISTNCIA DE ENTRADA (Rin) Rin AVin 2,04 V 1,02 V 51000O AIin 40uA 20uA 3.4 AMPLIFICADOR BASE COMUM DA EQUACO DA MALHA DE SAIDA TEMOS: VCC VRC VCB VCB VCC -IC.RC Vout Vcb VCC ic x RC Colgio do Instituto Batista Americano Apostila de Eletrnica Linear II 17 Para cada valor de ic temos um valor de Vout (Vce) Para ic 2 mA Vout 20V 2mA x 3KO 14V Para ic 3 mA Vout 20V 3mA x 3KO 11V Para ic 4 mA Vout 20V 4mA x 3KO 8V 3.4.1 GANHO DE CORRENTE (Ai) Ai AIout 2 mA 1 mA 0,98 ~ 1 AIin 2,04mA 1,02mA 3.4.2 GANHO DE TENSO (Av) Av AVout 6 V 3 V 60 AVin 100 mV 50 mV 3.4.3 GANHO DE POTNCIA (Ap) Ap Ai . Av 0,98 x 60 58,8 ~ 60 3.4.4 RESISTNCIA DE ENTRADA (Rin) Rin AVin 100 mV 50 mV 49O AIin 2,04 mA 1,02 mA 3.5.5 COMPARACO ENTRE OS CIRCUITOS AMPLIFICADORES GANHO DE CORRENTE GANHO DE TENSO GANHO DE POTNCIA RESISTNCIA DE ENTRADA EMISSOR COMUM 50 60 3000 2500O COLETOR COMUM 51 1 51 51000O BASE COMUM 1 60 60 49O 4.0 CONFIGURACO DARLINGTON A conIiguraco DARLINGTON e uma Iorma de acoplamento direto entre dois transistores, muito utilizada. Um unico transistor no geral oIerece um baixo ganho de corrente e quando necessitamos de um ganho elevado, lancamos mo de um circuito com as caracteristicas apresentadas na conIiguraco DARLINGTON . Colgio do Instituto Batista Americano Apostila de Eletrnica Linear II 18 Trata-se de dois transistores T1 e T2, respectivamente com |1 e |2. ligados em cascata, sendo o primeiro na conIiguraco seguidor de emissor. Analisando o circuito , tem-se no coletor de T2 : IC IC1 IC2 |1. IB + |2 . IB2 (I) Mas IB2 IE1 IB IC1 (II) Substituindo-se (II) em (I) : IC |1. IB + |2 .( IB IC1) |1. IB + |2 . IB |2 .IC1 IC |1. IB + |2 . IB |2 . |1. IB IC |1 + |2 |2 . |1 IB Chamamos IC de ganho de corrente total |T e considerando que |2 . |1 >> |1 + |2 , IB tem-se : |T IC |1 . |2 IB Portanto, necessariamente, o transistor T2 tem que possuir uma potncia maior que T1. Comercialmente, so encontrados transistores na conIiguraco DARLINGTON em um unico encapsulamento. 5.0 FONTE DE TENSO ESTABILIZADA Uma outra aplicaco para os transistores e na construco de Iontes de tenso estabilizadas. Uma Ionte ideal e aquela que mantem a tenso de saida constante, independentemente da corrente solicitada pela carga. Na pratica isto acontece dentro de uma Iaixa de valores de correntes na saida. Veremos no proximo item o regulador de tenso tipo SERIE a transistor mais simples possivel. Colgio do Instituto Batista Americano Apostila de Eletrnica Linear II 19 5.1 REGULADOR SRIE O circuito mostrado nas figuras 1-a e 1-b e um regulador para tenso de saida positiva e um para tenso de saida negativa. O diodo zener garante a estabilidade, isto e atua como elemento de reIerncia de tenso. O transistor e utilizado como elemento de controle, e nos permite ampliar a Iaixa de valores de correntes de saida, sem sobrecarregar o diodo zener. R e um resistor limitador de corrente para o diodo zener. 5.1.1 REVISANDO AS CARACTERISTICAS DA CURVA DO ZENER Na regio direta ele comeca a conduzir em torno de 0,7 V, da mesma Iorma que um diodo comum. Na regio de Iuga (entre zero e a ruptura), apresenta uma Iuga ou corrente reversa. Na regio de ruptura ou de avalanche, apresenta um ioelho muito acentuado, com um aumento de corrente praticamente vertical, onde observamos que a tenso e praticamente constante, aproximadamente igual a VZ. Colgio do Instituto Batista Americano Apostila de Eletrnica Linear II 20 5.2 ANLISE DO CIRCUITO REGULADOR SRIE 5.2.1 INTERPRETANDO O CIRCUITO VL VZ VBE VZ ~~ VBE, logo VL ~ VZ, e como VZ e constante, VL constante. Caso Vin se altere teremos: Vin VR VZ VR VCB , logo Vin VCB VZ e VCE VCB VBE Se Vin aumenta, como VZ constante VCB tambem aumentara , provocando um aumento em VCE de modo a suprir a variaco da entrada mantendo VL constante: VL Vin VCE e se Vin | (aumenta) ; VCE | (aumenta) VL constante Se Vin diminuir, como VZ constante, VCB tambem diminuira , provocando uma diminuico de VCE de modo a suprir a variaco da entrada mantendo VL constante: VL Vin VCE e se Vin | (diminui) ; VCE | ( diminui) VL constante 5.2.2 LIMITACES NO CIRCUITO REGULADOR SRIE TENSO MINIMA DE ENTRADA Vin VR VZ VR R. IR IR IZ IB logo Vin R . (IZ IB) VZ Vin min VZ R (IZmin IBmax) Observamos que abaixo deste valor, o zener perdera suas caracteristicas de estabilizaco. TENSO MXIMA DE ENTRADA Vin R . (IZ IB) VZ Vinmax R . (IZmax IBmin) VZ onde IZmax PZmax / VZ Calculamos ento um maximo valor para IL que estara limitado por IZmin. Para proietarmos um regulador serie devemos considerar os parmetros ILmax , VL e Vin, desenvolvendo nosso proieto, considerando as piores condices de Iuncionamento do circuito. Colgio do Instituto Batista Americano Apostila de Eletrnica Linear II 21 Quando a tenso de entrada Ior maxima, teremos a seguinte condico: Vinmax R . (IZmax IBmin) VZ ( I ) Na pior condico, RL (circuito aberto), IBmin 0 Vinmax R . IZmax VZ Quando a tenso de entrada Ior minima, teremos a seguinte condico: Vin min VZ R (IZmin IBmax) ( II ) Da expresso ( I ), tiramos : IZmax (Vinmax VZ) / R ( III ) Da expresso ( II ), tiramos : (IZmin IBmax) (Vin min - VZ) / R ( IV ) Dividindo a expresso ( III ) por ( IV ) temos: Izmax (Vinmax VZ) (IZmin IBmax) (Vinmin - VZ) Izmax (Vinmax VZ) .(IZmin IBmax) ( V ) (Vinmin - VZ) - No exemplo abaixo projetaremos um regulador srie com as seguintes caractersticas: VL 5V; ILmax 1A ; Vin 10V 10 Para escolhermos o transistor devemos considerar as seguintes caracteristicas: VCBO ~ Vinmax ICmax ~ ILmax (melhor condico) PDmax ~ (Vinmax VL) . ICmax O transistor escolhido Ioi o BD329 cuio as caracteristicas so: Colgio do Instituto Batista Americano Apostila de Eletrnica Linear II 22 VCBOmax 32 V; Icmax 3 A; PDmax 15W; | min 20 utilizaremos este valor de |, que e menor que o valor indicado no manual, garantindo um perIeito Iuncionamento do circuito. VeriIicaremos agora a potncia dissipada pelo coletor do transistor: PDmax (Vinmax VL) . ICmax ICmax ICmax IBmax IEmax Ilmax ICmax ILmax IBmax IBmax ICmax | min ICmax ILmax ICmax ICmax ICmax ILmax (colocando ICmax em evidncia): | min | min ICmax ( 1 1 ) ILmax ICmax ILmax . | min ( 1 1 ) | min substituindo os valores temos: ICmx 1 952,30 mA ( 1 1 ) 20 PDmx (11 5) x 952,30 x 10 -3 5,7138 W A potncia que o transistor ira dissipar esta bem abaixo da especiIicada, o que nos permite utilizar o transistor. A proxima etapa e a escolha do diodo O ZENER escolhido Ioi o BZX87/C5V6 com as seguintes caracteristicas: PZmax 1,3 mW; IZmax 232 mA; IZmin 50 mA e VZ 5,6 V. Escolhemos este ZENER, porque apresenta uma tenso de regulaco VZ 5,6 V, e o transistor de silicio que apresenta VBE 0,7 V, para eIeito de calculos podemos considerar VBE 0,6 V, o que Iaz VL 5 V. VeriIicamos agora se o zener escolhido e adequado: IBmax ICmax / | min. 952,30 mA / 20 47,60 mA IZmx (Vinmax VZ) .(IZmin IBmax) (11V 5,6 V) x (50 mA x 47,6 mA) 155 mA (Vinmin VZ) ( 9 V 5,6 V) A corrente que o zener ira suportar esta bem abaixo da especiIicada, o que nos permite utilizar o zener escolhido com boa margem de seguranca. Passamos agora para o calculo de R, para o caso da maxima tenso de entrada: Colgio do Instituto Batista Americano Apostila de Eletrnica Linear II 23 Vinmax R . (IZmax IBmin) VZ na pior condico, teremos RL (circuito aberto), o que resulta em IBmin 0 . Vinmax R . IZmax VZ R Vinmax VZ 11 V 5,6 V 23,3 O IZmax 232 mA Utilizaremos um resistor maior que o calculado, para no colocar em risco o diodo zener, logo: R > 23,3 O. Para o caso da minima tenso de entrada: R Vinmax VZ 11 V 5,6 V 34,83 O IBmax IZmin 47,6 mA 50 mA Utilizaremos um resistor menor que o valor calculado (34,83 O), para que seia garantido o valor minimo de IZ logo R < 34,83 O . O valor de R a ser escolhido, devera estar entre : 23,3 O < R < 34,83 O (33 O) Calculamos a seguir a potncia dissipada pelo resistor R . P (V 2 )/ R V Vinmax VZ 11V 5,6V 5,4 V R adotado 33 O P (V 2 )/ R (5,4) 2 / 33 O 0,88 W (1W) Em muitos casos, utilizamos dissipadores de potncia nos transistores, o que requer calculos especiIicos para dimensionamento do radiador a ser utilizado. Podemos ainda utilizar um transistor na configuraco Darlington, que nos permite trabalhar maiores valores de potncia. 6.0 REGULADORES DE TENSO EM CI COM TRS TERMINAIS Deixaremos de abordar nesta apostila os reguladores com amplificador de erro e os amplificadores diferenciais. Abordaremos agora os REGULADORES DA SRIE 78 e 79, que utilizam CI de trs terminais pela Iacilidade e praticidade de seu uso. Os reguladores de tenso em CI, so dispositivos com somente trs pinos: Um para a entrada de tenso no regulada, um para a tenso de saida regulada e um para o terra. Estes Colgio do Instituto Batista Americano Apostila de Eletrnica Linear II 24 dispositivos podem Iornecer corrente de carga de 100 mA a mais de 3 A. So baratos e extremamente Iaceis de usar. Alem de um par de capacitores de passagem, esses CI`s no necessitam de componentes externos. Para uma unidade CI particular, as especiIicaces do dispositivo ou uma Iaixa de tenso sobre a qual a tenso de entrada pode variar para manter a tenso de saida regulada, (Vo), para uma Iaixa de corrente de carga, (Io), deve ser mantida uma tenso de entrada suIiciente, para manter a queda de tenso nos terminais do CI. 6.1 78XX - REGULADOR DE TENSO POSITIVA Um grupo de reguladores de tenso positiva Iixada e a srie 78, que produz tenses Iixadas entre 5 V e 24 V e na srie 79, so disponiveis os reguladores de tenses negativas. Os capacitores conectados na entrada ou saida para terra, aiudam a manter a tenso dc, e Iiltrar qualquer variaco de tenso de Ireqncia alta. Os valores tipicos de passagem so fornecidos na folha de dados do dispositivo. 6.2 79XX - REGULADOR DE TENSO NEGATIVA Colgio do Instituto Batista Americano Apostila de Eletrnica Linear II 25 6.3 CIS REGULADORES DE TENSO POSITIVA SRIE 78XX NUMERO DO CI TENSO POSITIVA REGULADA Vin MINIMO 7805 5 V 7,3 V 7806 6 V 8,35 V 7808 8 V 10,5 V 7810 10 V 12,5 V 7812 12V 14,6 V 7815 15 V 17,7 V 7818 18 V 21,0 V 7824 24 V 27,1 V 6.4 CIS REGULADORES DE TENSO NEGATIVA SRIE 79XX NUMERO DO CI TENSO NEGATIVA REGULADA Vin MINIMO 7905 - 5 V - 7,3 V 7906 - 6 V - 8,4 V 7908 - 8 V - 10,5 V 7910 - 10 V - 11,5 V 7912 - 12V - 14,6 V 7915 - 15 V - 17,7 V 7918 - 18 V - 20,8 V 7924 - 24 V - 27,1 V - Exemplo: Projetar uma fonte de tenso de 15 V, utilizando CI da srie 78, que opere com uma corrente de 0,5 A. A tenso de secundario e 18 Vrms, que passando para valor de pico teremos: VS (mx.) VEE . 2 18 . 2 25,45 V Colgio do Instituto Batista Americano Apostila de Eletrnica Linear II 26 Como ia sabemos o valor da tenso de pico no secundario e a corrente e 0,5 A determinaremos o valor do capacitor C1 utilizando a regra dos 10 . C Icc 0,5 A 0,0016371 E (2200uF) I x Vond 120Hz x 2,545 V Com o valor de capacitor calculado (2200uE), calculamos agora o valor da ondulaco: Vond Icc 0,5 A 1,893 V I x C 120 x 2200uE Com a tenso de ondulaco, determinaremos o valor da tenso nos terminais do capacitor, vamos considerar a situaco mais critica, descontaremos 10 da ondulaco: Vcc VS Vond/2 25,45 V 1,893/2 V 24,50 V Vin(mn) Vcc1 - 2VD 23,55 V 1,4 V 23,10 V O valor minimo necessario para que o CI Iaca a regulaco e 17,7 V, o que nos permitira usar sem problemas este CI. 7.0 TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO (TEC ou FET) Um transistor de iunco bipolar (TJB) e um dispositivo de corrente controlada. O transistor de Ieito de campo (TEC ou EET) e unipolar. Ele opera como dispositivo de tenso controlada. O EET possui trs terminais: 1. FONTE (source) Neste terminal que e Iornecida a corrente. 2. DRENO (drain) Neste terminal que e drenado a corrente. 3. GATE (porta) Neste terminal e Ieito o controle do transistor. A estrutura Iisica de um EET mostrado nas figuras 23-a e 23-b e construido com uma barra de material tipo N com um par de regies tipo P diIundidas em seu interior, para um transistor de canal N. Colgio do Instituto Batista Americano Apostila de Eletrnica Linear II 27 7.1 SIMBOLOGIA DO TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO 7.2 POLARIZACO DO TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO A tenso da Ionte VDD, produz uma tenso nos terminais dreno-Ionte, VDS, que resulta na corrente ID, do dreno para a Ionte (pelo sentido convencional). Esta corrente passa pelo canal Iormado pela porta tipo P. A tenso entre a porta e a Ionte, VGS, e determinada pela Ionte de tenso VGG. Como esta tenso porta-Ionte polariza a iunco porta-Ionte inversamente, no havera corrente na porta. O eIeito da tenso da porta e a criaco de uma regio de depleco no canal, reduzindo desta Iorma a largura do mesmo para aumentar a resistncia dreno-Ionte., resultando em uma corrente de dreno menor. No primeiro instante vamos considerar a operaco do dispositivo com VGS 0 V, para em seguida aumentarmos esta tenso de polarizaco inversa (tornado-a mais negativa para um dispositivo de canal N). A Figura 25 mostra que a corrente de dreno atraves do material N produz uma queda de tenso ao longo do canal, que e mais positiva no dreno. Este potencial de polarizaco inversa nos terminais da iunco P-N produz a regio de depleco mostrada na Figura 2-a . ConIorme a tenso VDD aumenta, a corrente ID aumenta, resultando em uma regio de depleco maior, e portanto uma resistncia maior do dreno para a Ionte. O aumento da regio de Colgio do Instituto Batista Americano Apostila de Eletrnica Linear II 28 depleco pode ser Ieito ate que todo o canal seia abrangido, conIorme mostra a Figura 2-b . A partir dai, qualquer aumento em VDD resultara em aumento apenas da tenso nos terminais da regio de depleco, sendo que a queda de tenso do ponto de depleco D para o terra permanece constante, e portanto a corrente ID tambem permanece constante. Esta operaco esta descrita pela curva caracteristica para VGS 0 V. Nesta curva podemos notar que o aumento de VDS produz o aumento de ID ate que a regio de depleco esteia totalmente Iormada atraves do canal, apos o qual a corrente satura e permanece constante para aumentos de VDS. Este valor da corrente de dreno, com VGS 0V, e um parmetro importante usado para especiIicar a operaco do EET e e reIerido por IDSS, corrente do dreno para a Ionte com a porta-Ionte curto circuitada (shorted) (VGS 0 V). 7.2.1 CARACTERISTICA DRENO-FONTE Colgio do Instituto Batista Americano Apostila de Eletrnica Linear II 29 Aumentando VGS (mais negativo para um dispositivo de canal N) o canal produzira uma regio de depleco, de Iorma que a corrente de saturaco sera menor, conIorme mostra a curva de VGS -1V da Figura 27. Vemos portanto que a tenso da porta age como controle, reduzindo a corrente de dreno (para uma tenso VDS especiIica). Para um EET de canal P, a corrente de dreno diminui a partir do valor IDSS quando VGS Iica mais positivo. Aumentando-se VGS, com o nivel da corrente de dreno baixo, chega-se a um valor apos o qual no mais havera corrente de dreno, independentemente da tenso VDS. Esta tenso de estrangulamento porta-Ionte, Vp |ou VGSoII| tambem e um parmetro importante usado para especiIicar a operaco do EET. As caracteristicas de dreno-Ionte mostram que para o EET canal N, Vp e uma tenso negativa, e para um EET de canal P, Vp e positiva, figuras 28-a e 28-b . 7.2.2 CARACTERISTICAS DE TRANSFERNCIA Uma outra Iorma de caracteristica do dispositivo e a caracteristica de transIerncia, que e um graIico da corrente de dreno ID em Iunco da tenso porta-Ionte, VGS, para um valor constante da tenso dreno-Ionte, VDS. A caracteristica de transIerncia pode ser obtida diretamente a partir de medidas da operaco do dispositivo ou desenhada a partir de medidas da operaco do dispositivo ou desenhada a partir das caracteristicas de dreno, conIorme mostrado na figura 29. Dois valores importantes da curva de transferncia so os valores de IDSS e de Jp, que a partir destes pontos, utilizando a equaco abaixo podemos tracar a curva. ID IDSS [1 - (VGS/ Vp)] 2 A caracteristica de dreno mostra que ocorre a saturaco da corrente quando se veriIica o estrangulamento do cana, e este ocorre em valores to menores de VDS quanto mais negativo Ior VGS. Normalmente o EET e polarizado para operar apos o estrangulamento na regio de saturaco da corrente. Colgio do Instituto Batista Americano Apostila de Eletrnica Linear II 30 - Exemplo: Determinar a corrente de dreno de um FET canal N com tenso de estrangulamento Vp - 4 V e corrente de saturaco dreno-fonte IDSS 12 mA para as seguintes tenses porta-fonte: Para VGS 0 V ID IDSS |1 (VGS/ Vp)| 2 ID 12 mA | 1 (0/ -4)| 2 12 mA Para VGS -2 V ID IDSS |1 (VGS/ Vp)| 2 ID 12 mA | 1 (-2/ -4)| 2 3 mA 7.3 PARAMETROS DO FET Os Iabricantes especiIicam varios parmetros do EET. Abordaremos os mais importantes em nossos estudos: 7.3.1 IDSS - CORRENTE DE SATURACO DRENO-FONTE A corrente na qual o canal e estrangulado quando os terminais de porta e Ionte esto curto-circuitados (VGS 0) . Para um dispositivo de pequenos sinais, esta corrente e tipicamente de miliamperes (mA) . 7.3.2 Vp VGSoff - TENSO DE CORTE (ESTRANGULAMENTO) PORTA-FONTE A tenso porta-Ionte para a qual o canal dreno-Ionte e estrangulado, resultando em praticamente nenhuma corrente de dreno. 7.3.3 BVGSS - TENSO DE RUPTURA FONTE-PORTA A tenso de uma ruptura de uma iunco Ionte-porta, e medida em uma corrente especiIicada com os terminais dreno-Ionte curto-circuitados. O valor da tenso de ruptura indica um valor limite de tenso nos terminais porta-Ionte, que deve ser usado na escolha da tenso de dreno. Colgio do Instituto Batista Americano Apostila de Eletrnica Linear II 31 7.3.4 gm gfs - TRANSCONDUTANCIA DE TRANSFERNCIA DIRETA EM FONTE COMUM A transcondutncia e medida com os terminais dreno-Ionte curto-circuitados. uma indicaco da amplificaco ac do FE1. gm e medido em Siemens (S), com valores tipicos de 1mS a 10 mS ou (1000 uS a 10.000 uS) gm gm0 |1 (VGS/ VGS(oII))| gm0 2 IDSS / ' VGS(oII) ' 2 IDSS / ' Vp ' gm0 e o parmetro de ganho ac maximo do EET e ocorre para a polarizaco VGS 0 V. Para qualquer outra condico de polarizaco, o valor de gm e menor . - Exemplo: Calcular a transcondutncia (gm) de um FET com tenso de estrangulamento Vp -4 V e corrente de saturaco dreno-fonte IDss 12 mA nos seguintes pontos de polarizaco: gm0 2 IDSS / ' VGS(oII) ' 2 (12 mA) / ' - 4V ' 6 mS 6000 uS Para VGS 0 V gm gm0 |1 (VGS/ VGS(oII))| gm 6 mS |1 (0 V/ - 4V)| 6000 uS Para VGS -1,5 V gm gm0 |1 (VGS/ VGS(oII))| gm 6 mS |1 (1,5 V/ - 4V)| 3750 uS 7.3.5 rds(on) - RESISTNCIA DRENO-FONTE PARA O DISPOSITIVO LIGADO A resistncia dreno-Ionte para o dispositivo ligado, medida com uma tenso porta-Ionte e uma corrente de dreno especiIicadas, e importante quando se usa o EET como chave. 7.4 POLARIZACO DO TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO (FET) 7.4.1 POLARIZACO FIXADA Colgio do Instituto Batista Americano Apostila de Eletrnica Linear II 32 As caracteristicas de dreno do EET mostra que IDss 2 mA e Vp -4 V. como a tenso porta-Ionte e Iixada pela bateria VGG, escolhemos pela curva, VGS -2 V para polarizaco do circuito. Para determinar graIicamente o ponto de polarizaco tracamos a reta de carga. A reta e obtida a partir de dois pontos: Um ponto esta no eixo de VDS, onde VDS VDD. O outro ponto esta no eixo ID, onde ID VDD/RD. ConIorme a interseco da reta de carga com a curva de dreno, ocorre em aproximadamente em VDS 7,9 V e ID 0,5 mA. O ponto de polarizaco pode tambem ser determinado a partir das caracteristicas de transIerncia. Para VGS -2V temos ID 0,5 mA. Podemos ento calcular VDS e de ID: Para ID 0,5 mA VDS VDD ID.RD 12V (0,5 mA).(8,2KO) 7,9 V Para VGS -2 V ID IDSS |1 (VGS/ Vp)| 2 ID 2 mA |1 ( -2 /- 4)| 2 0,5 mA 7.4.2 AUTOPOLARIZACO Como a porta tem polarizaco reversa Ilui uma corrente desprezivel (proxima de zero) atraves de RG, Iaz com que: VG 0 V; a tenso da Ionte ao terra e VS ID.RS; e a tenso da porta para a Ionte e : VGS VG VS 0 ID. RS ~ VGS ID.RS Colgio do Instituto Batista Americano Apostila de Eletrnica Linear II 33 - Exemplo: Determinar os valores quiescentes e o ponto de operaco, no circuito abaixo que utiliza um FET com Vp -4 V, IDSS 10 mA: Nosso primeiro passo e desenhar a caracteristica de transIerncia do EET usando os valores de Vp e IDss: Para VGS 0 V ID IDSS |1 (VGS/ Vp)| 2 ID 10 mA |1 ( 0 /- 4)| 2 10 mA Para VGS -1 V ID IDSS |1 (VGS/ Vp)| 2 ID 10 mA |1 ( -1 /- 4)| 2 5,62 mA Para VGS -2 V ID IDSS |1 (VGS/ Vp)| 2 ID 10 mA |1 ( -2 /- 4)| 2 2,50 mA Para VGS -3 V ID IDSS |1 (VGS/ Vp)| 2 ID 10 mA |1 ( -3 /- 4)| 2 0,625 mA Para VGS -4 V ID IDSS |1 (VGS/ Vp)| 2 ID 10 mA |1 ( -4 /- 4)| 2 0 mA Com os valores de ID e de VGS, desenhamos a curva de transIerncia e desenhamos a linha de autopolarizaco para RS 1,5 KO. Escolhendo ID 3mA, teremos: VGS - ID RS - (3mA).( 1,5 KO) - 4,5 V A linha de autopolarizaco intercepta a curva de transIerncia em VGS - 2,4 V e ID 1,6 mA. Na autopolarizaco usamos somente uma Ionte de alimentaco, e consiste em usar a tenso do resistor RS para produzir a tenso reversa da porta-Ionte. Esta e uma Iorma de realimentaco, se a corrente de dreno aumentar , a queda de tenso atraves de RS aumentara, porque ID.RS aumenta. Isto Iaz com que aumente a tenso reversa da porta-Ionte, que Iaz o canal estreitar-se mais e reduz a corrente de dreno. Colgio do Instituto Batista Americano Apostila de Eletrnica Linear II 34 Determinamos agora VDS: VDD VRD VDS VRS VDS VDD ID.RD IS.RS Como ID IS VDS VDD ID. (RD RS) VDS 24 V 1,6 mA ( 6,2 OK 1,5O K ) 11,68 V 7.4.3 POLARIZACO POR DIVISOR DE TENSO Neste circuito a tenso da porta e diIerente de 0 (zero) Volt e produz uma estabilidade de polarizaco maior do que a dos circuitos anteriores. O valor de VG e obtido a partir do divisor de tenso: VG R2. VDD R2 R1 Portanto VGS e igual a: VGS VGG ID.RS Colgio do Instituto Batista Americano Apostila de Eletrnica Linear II 35 - Exemplo: Determinar os valores quiescentes e o ponto de operaco, no circuito abaixo que utiliza um FET com Vp -4 V, IDss 8 mA: Nosso primeiro passo e desenhar a curva de transIerncia do EET usando os valores dados de Vp e IDss: Para VGS 0 V ID IDSS |1 (VGS/ Vp)| 2 ID 8 mA |1 ( 0 /- 4)| 2 8,0 mA Para VGS -1 V ID IDSS |1 (VGS/ Vp)| 2 ID 8 mA |1 ( -1 /- 4)| 2 4,5 mA Para VGS -2 V ID IDSS |1 (VGS/ Vp)| 2 ID 8 mA |1 ( -2 /- 4)| 2 2,0 mA Para VGS -3 V ID IDSS |1 (VGS/ Vp)| 2 ID 8 mA |1 ( -3 /- 4)| 2 0,5 mA Para VGS -4 V ID IDSS |1 (VGS/ Vp)| 2 ID 8 mA |1 ( -4 /- 4)| 2 0 mA Colgio do Instituto Batista Americano Apostila de Eletrnica Linear II 36 VG R2. VDD 270 K .16 V 1,903 V ~ 2,0 V R2 R1 2M 270 K Tracando a linha de polarizaco, podemos obter o ponto de polarizaco a partir da interseco da reta com a curva de transIerncia, onde encontramos os valores quiescentes de: ID 2,5 mA e VGS -1,75 V. Calculamos ento : VD VDD ID.RD 16V 2,5 mA. (2,4KO ) 10 V VS ID.RD 2,5 mA (1,5KO ) 3,75 V VDS VD VS 10V 3,75V 6,25 V VGS VG VS 1,965 3,75 V -1,785 V ( aproximadamente igual ao valor do graIico). 8.0 MOSFET (SEMICONDUTOR FET DE OXIDO METALLICO) Pode-se construir um EET com o terminal da porta isolado do canal. O MOS EET pode Iuncionar por depleco ou por induco. 8.1 MODO TIPO DEPLECO A figura 38 mostra um MOSEET de canal N. Os eletrons Iluem atraves do material N. a regio P e chamada de substrato, ela reduz Iisicamente o percurso condutor Iormando um canal estreito. Os eletrons que Iluem da Ionte para o dreno tem que passar atraves desse canal estreito. E depositada uma camada Iina de dioxido de silicio (o mesmo que vidro, que e isolante ) (SiO 2 ) do lado esquerdo do canal. Em um MOSEET a porta e metalica, e pelo Iato da porta ser isolada, a iunco PN que existia no EET Ioi eliminada no MOSEET. Colgio do Instituto Batista Americano Apostila de Eletrnica Linear II 37 A fig. 39 mostra um MOSEET polarizada. Os eletrons Iluem atraves do canal estreito a esquerda do substrato P. A tenso da porta pode controlar a largura do canal . Quanto mais negativa a tenso da porta, menor a corrente de dreno, ate que a tenso da porta seia suIicientemente negativa para cortar a corrente de dreno. 8.2 MODO TIPO INTENSIFICACO ( ENRIQUECIMENTO) Como a porta de um MOSEET e isolada do canal, podemos aplicar uma tenso positiva a porta, como mostra a figura 4. A tenso positiva da porta aumenta o numero de eletrons livres que Iluem atraves do canal. Quanto mais positiva a tenso da porta, maior a conduco da Ionte ao dreno. O Iuncionamento do MOSEET com uma tenso positiva da porta depende da intensiIicaco da condutividade do canal. Por esta razo, a operaco com porta positiva e chamada modo intensiIicaco. Colgio do Instituto Batista Americano Apostila de Eletrnica Linear II 38 8.2.1 SIMBOLOGIA DO MOSFET TIPO DEPLECO 8.3 CURVAS DE DRENO A figura 42 mostra curvas do dreno tipicas de um MOSEET canal N, iuntamente com uma linha de carga cc para um circuito de Ionte-comum. Observamos que as curvas de cima tem um VGS positivo e as curvas de baixo tem um VGS negativo. A curva abaixo de todas e VGS (desligado), e ao longo dela a corrente de dreno e aproximadamente zero. Quando VGS se situa entre 0 (zero) e VGS (desligado), temos o modo de operaco de depleco, e quando VGS maior que 0 (zero) resulta no modo de operaco intensiIicaco. Colgio do Instituto Batista Americano Apostila de Eletrnica Linear II 39 8.4 CURVA DE TRANSCONDUTANCIA A figura 43 representa a curva de transcondutncia de um MOSEET. IDss ainda representa a corrente de dreno com a porta em curto. A curva agora se estende para a direita da origem. A relaco entre a corrente do dreno e a tenso da porta-Ionte ainda e parabolica, o que nos permite usar a equaco: ID IDSS [1 - (VGS/ Vp)] 2 Colgio do Instituto Batista Americano Apostila de Eletrnica Linear II 40 - Exemplo: Determinar os valores quiescentes e o ponto de operaco, no circuito abaixo que utiliza um MOSFET de depleco canal N com VGS(off) - 4,0V, IDss 12 mA: Como VG 0V aplicamos em VGS VG VS 0 ID.RS - ID.150O para desenharmos a reta de RS. Ao tracarmos a reta RS encontramos graIicamente os valores quiescentes de VGS -1V com ID 6,75 mA. Matematicamente aplicamos VGS -1V em ID IDSS |1 (VGS/ Vp)| 2 aIim de conIirmarmos o valor de ID 6,75 mA . A tenso VDS e determinada por: VDS VDD ID.RD ID.RS VDD ID.( RS RD) 20V 6,75 mA. (1,5KO 150O) 8,86V 8.5 MOSFET DO TIPO INTENSIFICACO A figura 4-a mostra um MOSEET do tipo INTENSIEICACO de canal N. O substrato estende-se por toda a parte do dioxido de silicio e Iisicamente, no temos mais um canal N entre a Ionte e o dreno. Colgio do Instituto Batista Americano Apostila de Eletrnica Linear II 41 Na figura 4-b temos um MOSEET intensiIicaco polarizado. Quando VGS 0 V, a alimentaco VDD tenta Iorcar os eletrons livres da Ionte para o dreno, mas a corrente e zero. O MOSEET intensiIicaco, por esta razo e tambem conhecido como MOSEET normalmente desligado. A porta e o substrato tipo P so como duas placas de um capacitor separadas por um dieletrico. Quando a porta e positiva, ela induz cargas negativas no substrato P. Em outras palavras, a porta positiva atrai os eletrons livres da Ionte para o canto esquerdo inIerior da regio P. Quando a porta Ior suIicientemente positiva, ela pode atrair eletrons livres suIicientes para Iormar uma camada Iina de eletrons entre a Ionte e o dreno. Esta camada de eletrons livres e chamada camada de inverso tipo A. 8.5.1 TENSO DE LIMIAR O VGS minimo que cria a camada de inverso tipo N e chamado tenso de limiar VGS (limiar). Quando VGS e menor do que VGS(limiar), Ilui uma corrente zero da Ionte para o dreno. Mas quando VGS Ior maior que VGS(limiar), uma camada de inverso tipo N ligara a Ionte ao dreno e obteremos uma corrente. 8.5.2 CURVAS DE DRENO A curva mais baixa e a curva de VGS(limiar). Quando VGS Ior menor do que VGS(limiar), a corrente do dreno sera extremamente pequena. Quando VGS Ior maior do que VGS (limiar), Ilui uma corrente do dreno signiIicativa, cuia intensidade depende do valor de VGS. 8.5.3 CURVA DE TRANSCONDUTANCIA O vertice da parabola situa-se em VGS(limiar). Por isso , a equaco para a parabola e diIerente da anterior: ID K[ VGS - VGS(limiar)] 2 K e uma constante que depende do transistor Colgio do Instituto Batista Americano Apostila de Eletrnica Linear II 42 8.5.4 SIMBOLOGIA DO MOSFET TIPO INTENSIFICACO - Exemplo: Determinar os valores quiescentes e o ponto de operaco, no circuito abaixo que utiliza um MOSFET de induco canal N com VGS(limiar) 3,0V. A curva caracteristica do transistor Ioi desenhada usando a equaco: Colgio do Instituto Batista Americano Apostila de Eletrnica Linear II 43 ID K| VGS VGS(limiar)| 2 0,3 mA/V 2 (VGS 3) 2 VGS VDS VDD ID.RD 20 V (2K O ).ID VGS VDS 7,6 V ID 6,2 mA 8.6 APLICACES DO MOSFET O MOSEET e muito utilizado na Iabricaco de circuitos integrados de portas lgicas, registradores e memrias, e outros. O MOSEET e um dispositivo que dissipa baixa potncia e possibilita a integraco em larga escala. 8.6.1 MOSFET COMO CHAVE - Se Vin VGS 0, o transistor corta, pois VGS VGS(limiar), portanto, VS VDS VDD - Se Vin VGS VDD, para um valor adequado de RD, o transistor satura, portanto, VS VDS(sat) ~ 0 V. Este circuito Iunciona como um inversor, e para a implementaco de circuitos logicos utiliza- se, o MOSEET como chave. - No exemplo do circuito (figura 5) representando uma porta inversora utilizando apenas MOSFET - canal N. Colgio do Instituto Batista Americano Apostila de Eletrnica Linear II 44 TABELA VERDADE A Y A Y 0 V VDD 0 1 VDD 0 V ou 1 0 - No exemplo abaixo temos um circuito representando uma porta NAND utilizando apenas MOSFET - canal N. A B Y A B Y 0 V 0 V VDD 0 0 1 0 V VDD VDD 0 1 1 VDD 0 V VDD 1 0 1 VDD VDD 0 V OU 1 1 0 Este circuito e semelhante ao circuito inversor mostrado anteriormente. Q1 Eunciona como chave e Q2 como resistor de carga (RD). Como porta e dreno esto em curto-circuitados em Q2, VDS2 VGS2. Este transistor esta sempre conduzindo, garantindo a condico de VGS2 ~ VGS(limiar). Apesar da relaco VDS2 / IDS2 no ser linear, Q2 cumpre seu obietivo, que e limitar a corrente ID1, Iuncionando como resistor. Neste circuito Q1 e Q2 Iuncionam como chave e Q3 como resistor de carga. A analise deste circuito e analoga a da porta inversora, com a condico de que a saida Y e igual a 0 V somente quando os dois transistores estiverem saturados. Colgio do Instituto Batista Americano Apostila de Eletrnica Linear II 45 APENDICE 1 IDENTIFICACO DE TERMINAIS E TESTE DE TRANSISTORES IDENTIFICACO DE TERMINAIS DE TRANSISTORES Com esta prova, podemos identiIicar os terminais de emissor (E), coletor (C), e a base (B) de transistores de uso geral, RE e comutaco de pequena, media e grande potncias com boa preciso. A prova tambem permite estabelecer se o transistor e NPN ou PNP . PROCEDIMENTO: a) Coloque o multimetro na escala baixa de resistncias : OHMS x 1 ou OHMS x 10, se Ior analogico. Use a escala de 200 ou 2000 Ohms se Ior digital. b) Zere o multimetro se Ior analogico. c) Meca as resistncias diretas e inversas entre os terminais , dois a dois, de Iorma combinada, ate encontrar um par em que tanto a resistncia direta como a inversa seiam altas. So 6 medidas realizadas. d) O terminal que no e usado nesta medida e certamente a base (B). Colgio do Instituto Batista Americano Apostila de Eletrnica Linear II 46 e) Depois, meca a resistncia direta entre o terminal de base e os outros dois terminais. A resistncia menor sera medida entre a base e o emissor de acordo com a Iigura . I) Para saber se o transistor e NPN ou PNP, veriIique se na baixa resistncia , entre a base e o emissor, e a ponta vermelha ou preta que esta na base. Se Ior vermelha, o transistor e NPN, e se Ior preta, e PNP. Para os multimetros digitais com a funco de prova dos transistores, a combinaco dos terminais serve para a identificaco. J ligando o transistor suspeito de diversas formas at que o multimetro indique um ganho para o componente. Quando isso ocorrer, possivel sua ligaco no soquete estar certa e a identificaco dos terminais pode ser feita. g) Meca as resistncias diretas e inversas entre os terminais , dois a dois, de Iorma combinada, ate encontrar um par em que tanto a resistncia direta como a inversa seiam altas. So 6 medidas realizadas. h) O terminal que no e usado nesta medida e certamente a base (B). i) Depois, meca a resistncia direta entre o terminal de base e os outros dois terminais. A resistncia menor sera medida entre a base e o emissor de acordo com a Iigura . i) Para saber se o transistor e NPN ou PNP, veriIique se na baixa resistncia , entre a base e o emissor, e a ponta vermelha ou preta que esta na base. Se Ior vermelha, o transistor e NPN, e se Ior preta, e PNP. TESTE DE TRANSISTORES BIPOLARES PROVA DE 1UNCO PROCEDIMENTO: a) Coloque o multimetro na escala mais baixa de resistncias: OHMS x 1 ou OHMS x 10, se Ior analogico. Se Ior digital use as escalas de 200 ou de 2000 OHMS. b) Zere o instrumento se Ior analogico. c) Eaca as seguintes medidas: Colgio do Instituto Batista Americano Apostila de Eletrnica Linear II 47 Resistncia direta coletor-emissor Resistncia reversa coletor-emissor Resistncia direta base-coletor Resistncia reversa base-emissor Resistncia reversa base-coletor SatisIeitas estas medidas, o transistor estara com as iunces em bom estado. Para transistores NPN e PNP, as polaridades das pontas de prova so diIerentes. 1UNCO MEDIDA CONDICO Coletor - Emissor Direta e reversa altas Bom Coletor - Emissor Direta e reversa baixas Curto Coletor - Base Direta baixa e reversa alta Bom Coletor - Base Direta e reversa baixas Curto Coletor - Base Direta e reversa altas Aberto Base Emissor Direta baixa e reversa alta Bom Base Emissor Direta e reversa baixas Curto Base Emissor Direta e reversa altas Aberto PROVA DE 1UNCO PROCEDIMENTO: a) Repita os procedimentos a e b do item 8.2.1. b) Meca a resistncia entre coletor e emissor . Se a leitura Ior maior que 10 MO o transistor esta em boa condico. Se a leitura estiver entre 1MO e 10 MO o transistor esta com fuga. Se a leitura estiver abaixo de 1MO o transistor esta com muita fuga.