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    Nomere- Cayo Mamant Hartel Ch. Fo2aaed Le, Ro! (3STIEA Carrera! Ing. Me f - Trporme Lsbeoleio N° L as Y Circuiles cen Diodes Carsc Q 2.4. Ldentieicacicn De TERMINALES Tavestigse una Aenica egicaz para detereninar en base a on moltimetro Canaldgico o degital) los terminates de los Drados de nich y Diedo Zener ¥ pracede a verigicarlos identigicando los Aerminales de Anodo y Cétodo Yara on dtedo de vvict, con la rueda selectora de un moltimetro dié- Pisl, selecctonamos \a funcisn prusoa dfodos, en Polarizacisn directa, Conec~ tar la punta de prucha negra al cdtodo, ot en el mwltinetro se puede ver O/FV para diodos de ailicio, entonces el diodo esté en luen estado, en polartzacion inversa, conecter [a porta de prucoa negra en a fnedo 6 en el multimetro se ve sore rango a déodo ests en buen estado, un dtodo ests en mal estado si en polarizacion directa ee Vievaliza cero. Para el dtodo zener se proceda de manera similar conec- fando la punta nega en a cStodo x vemos uma Lectura esta bien, ol laverty la polartzacion la leclura deloe cer cero: 00-0 | yo te Escaneado con CamScanner 22. CARACTERISICAS DE POLARIZACISN DIRECTA Expttque el goncionamtenlo & un diode de unten PA y va dtodo Her en WW region de polartaacicin dtrecla, considere el airamto de te Kgura Ay Nigua £2. Toveotigue lhe caracterfsticas eléctrf@s que AL fabeteante Qroporciona (hoya deo datos) gata la cegiun de polarizacwn eda qara el diolo de union y eh iodo Zener a” otilizar. ‘Modo de enisn PN tea, a YZ QC\atlinete w : Ampecimetro Figura Ad Para un dtodo de unicin PN; ne dtee que estf Polarizade diecta- mente wando el positive de la fuente de alimentacitin cancide con la veya P del diodo el coal tiene portadores d@ carga mayoritactos positi- wos Cnuecss), y al negative de '8 fuente de alimentacicn coinade con \a coyca Noel cud Nene porladores de carga mayoritanramente nega- fivos Celectrores Noes), gy debido al potencial de la vente cicwlary une corriente. Se colocs ona resistencia de timitadora de cornente, Si el voltaje de la Cvente es menor a OFV lod electrones no Nenen le sunacnte enegia para alravesar [a zona de deplemsir , ao habed gleyo de electrones, Ex el cso &% la fgua el voltae de 1Qv es mayor a ogy gor lo Aanto si hay gloyo de electrones Escaneado con CamScanner Nallienebro Amperfmetro Fqae 17 Vara un dicdo zener, en 1a alone polarizacion dreecta , acta tamoren geal a como lo bara on dodo de nich Pr. Tengha qe el diodo Zener en polanizacion directa ce comporte w- me un died rectNador © de potenaa y esti com peta ~ mente actvado gaca aylauter voltaye mayor © iqual a 0 yal ener grlaritado vaversamente se eme que permite ef dujo de cowrente basis tener el voltae de rupturs ° Nottaye ener (va) Escaneado con CamScanner 1N4001 — 1N4007 1.0A SILICON RECTIFIER Features Diffused Junction Low Forward Voltage Drop High Current Capability High Reliability High Surge Current Capability kA oleate — \ Mechanical Data © Case: Molded Plastic © Terminals: Piated Leads Solderable per MIL-STO-202, Method 208 Polanty: Cathode Band Weight: 0.35 grams (approx.) Mounting Position: Any Marking: Type Number eoee ae DO-T Min 254 | — 406] 821 O71] vee 200 | 2.72 ‘Al Dimensions in mim Maximum Ratings and Electrical Characteristics ar, ‘Single Phase, half wave, Cz, resistive or indvlve load For capacitive load, derte curent by 20% wtlw id) wdwiowyfiw | ow Characins Symbol | oot | 4002 | 4003 | 400s | soos | 400s | aoo7 | Unt Peak Repatie Reverse Votiago ass Worung Peak Reverse Votlage vm | so | 100 | 200 | 400 | 600 | 00 | 1000) v DC Blocking Vaiage Ve MS Reverse Voliage vrews | 25 | 70 | 140 | 250 | 420 | s80 | 700 | Vv ‘average Resiied Output Curent a . (Nate 1) er, ‘Now Repeliive Peak Fonvard Surge Curent 2.3ms Single hal sinewave superimposed on | isu 0 A ‘ated load (JEDEC Method) Forware Voltage @e=108 | vw 10 Vv Pek Reverse Current @r-20 |, 50 A Fisted DC Blocking Volage _ @T4= 100°C 50 vA ‘Typeal Juncvon Capacitarce (Note 2) 5 mF Typeal Thermal Resistance Junction to Ambient (ote 1) Row 0 kaw ‘Oppraung Temperature Range 6510 +125 . Storage Temperature Range Tera 65 10 +150 “c ide ee "Glass passivated forms are avallable upon roquost Note: 1. Leads mainiained at ambient tomporatura ata di nco of 9. fom the case 2, Measured al 1.0 MHz and Applied Reverso Vstago of 4 0V D.C. Escaneado con CamScanner 11N746 THRU 1N759 AND 1N4370 THRU 1N4372 500mW SILICON ZENER DIODES = <= VOLTAGE RANGE, 24 to 12.0 Volts FEATURES ‘+ Zener voltage 2.4V to 12.0 + Metallurgy Bonded vin types Do-3s MECHANICAL CHARACTERISTICS = “CASE: Neely sna lt ae 00=25, t “NES AT ecm sutaces av coonon aot and lad se we FP bl, S ‘+ THERMAL RESISTANCE: 200°C/W( Typical) junction to lead at 0.375 = ae Inches from body. Motallurgically bonded DO ~ 5, exhibit loss than 100°CAW at zero distance from body. Y “+ POLARITY: bended end is cathode. romero [te * WEIGHT.0.2 grame Bier ‘+ MOUNTING POSTIONS: Any a MAXIMUM RATINGS eae Junction and Storage temperatures: -65°Ct0 + 175°C ele DC Power Dissipation: scm Power Derating:¢.0mW/"Cabove S0°C Mammane ae Forward Volage @ 200rvA:1.5 Volts ELECTRICAL CHARCTERISTICS @ 25°C Tex rome Tm | ma] wane | wnat] “ae || wore 1 Ey me) meamteuten | Maser | cae eS = a ey ‘Standerd tolerance on JEDEC wee | Se oner Mee | tine NT ‘or | ace || types shown is= 10%. Suffix eet) | awit tod ae Lemar | or) later A donctes = 5% toler tree suffer © denotes woos [Te [owe Fw Ton sre sca ut le D de fotos tolerance. we la | 2 | 2a] 2) 2] s | ae |= BE] H | B | B |B | B | & | 288 |] vetsve messremees tobe “855 | performed 20 sec ater apple fation of D.C test eurert Nore wlale le | els le cnslreoangien era BE] | BL B | 8 | 8 |B | aay |] mpetmpesing on tna eee eee eV ve gee | ey || Server ees racy 10% f(2mA oe). we ila faz le): 3s ls | a= llr BL GE | Bo] S| £ ] Bo] & | 288 |] Aowence nas bean mase ME] OB | B | | ot | Bo] | 88 |] term trees invy due to Zand for tho increase in i alee + |B |g | cgay |} ioretion temperature as the il 3 Po] B |B | SB |) ume sporoches shema Re] | 2 1 | 8 | & | 38 |) caupsim othe power as- Siption of C0 mW i 3 Ey } 2 3 | Re * JEDEC Rogitored Data Escaneado con CamScanner RI. CARACTERISTICAS DE FOLARIEACION I NVERSA Explique el gonconamiento de ua diodo de vatsin PAY yg un diode Zenev en la Tegionn de polarrzacioh avers, considers eh chyourto AV pun WA a riggca AW, Tevestigse las caracteristicas eléctrias Ke Py sunveante® Gro Por cone Cas de datos) fara la regién de polarizacts Syn ak dod? de yale yy eb dlode Zener 2 olhar Bodo de unisn PN Nee aan ae a G Amperiometes Figura 13 Rea go diode de Unidn PN, se dice que esta” qalarizado inversamente cuande el negative 4¢ la fuente de alimentacton coincide con lz region Py el positive de la pente de alimentaciom coincide con (2 regi Nj debido a la atraccio’ ene estas cegiones ¥ la fuente de ali- mentacion, la zona 3@’deplextos se amplia por lo qe eo muy, digici | atraviesen esta barrera, edtonces esto quiere de- ae Ye a diodo se comporta ge los electrones come un aislante, es decir no habrs” flujo de elechones | Escaneado con CamScanner Diydo Zener \ QO Voth imele Ampesimets Figora A 5 Vata va hods zener, esta hene como aaracleristice Qe ex capaz ve Hsbaar en tp 2ena de Palarizacicin Inversd , pomrendo waa ten- isn es caper de condocic, esta eo la 20m de funciotermventa Zener, al tener una tension de bornes, 8 corriene Qe cirusla Por A sicde tiene sentido verso, esto nos pede ser de hlidad en uns fuente regulable. EV compectarmenty dl diodo zener en polgrizacioh inversa comienze Gon un peqetio flyp de Corrienk ravers. UH. EFECTOS DE LA TemPcRATURA EN UN SEN(CONBUCTOR Tovestigue 4 explique los egectos de la temperatuia para un diodo semi @mdockey, score los pardmetas de voltaje de arranqee , corciente de SAUEASA WIESE voltae & give en polarizacisn inversa. Consider variacica de Semperatura sesde (WC basta sve OWollimeto Volk netrs ws na (Samperinehes Amperime the Piqua 5 Faqua 4b Escaneado con CamScanner Ra los semiconguctores Se gamenta b carciente al subir le temperatura, lo opoesto ocorre con ef voll aye, ay por eyernplo Seponemos que el vollaye se plaza a M2da de 2Smyv por °C de \acvementy Y considerando la yaracion de {0°C hasta 3 Atonces ho’g - 80°C = 40. GSmv) = omy = OAV signigicaliwo dependiendo del diseno de on cirevito, Loa Heminvcion cde temperatura bene el efecto pesto Entonces § gaminucion de la tension va con el aumento de la hempersivia, damien con esto existe on aumento de la cornen- te de satuieciog yaversa- en un 1% de su valor inicial por £ . Gon vo aumento de a bemperstura también hay un aumento en la tension de ropuca, com est? godemos decir qe hene ua coegicvent® de femperabura positive. Con el aumento de femperahura si eS Que dieminuye [a fen- mpura entonces el coegiciente de temperature es 2S cCARACTERTSTICA TENSIGN- CoRRIEn Te Cv -3) ‘Vinlizands los aveites vndicadas ba giguea 4A al 14 oblenga las racteristicas Vet para los siguientes diodes: Germanio C (N34) oxi ~ | enitar, Silico CABHOu) o Steilar, Zener de 5,4 WI /Svolmw) UNast) o Lveilae, Zener de G,1W) UNAS7) © similar, El diodo AN34A es ua diodd de Germanio de Prpssito gene- cal, eS olilizade como elementy delector y echeador en equipor Escaneado con CamScanner de radio, television Expeci picaciones: s\lollaje pico rnverse’ ASV +Noltaje inverso : 2OV e Gormiente pico: (30 mA « Comiente promedio: SOmA * Corriente en reverse + SOWA © Capacitancia de union Cg = AMEa We tu): APF * Exdenaa d@ rechgicocdon 155% : 1 Figura 4.4 Ve Rip +Vb Ipe Weve = 42-0,3 raw R A000 Tero 7 Mersav | 82 9 94 ay Vo \amA An 490% eS une de los diodos de una serie ofilizadas princigal- mente pate covery la corciente alterna en divecta Principales acteristics Tension inversa de pico mSximo: ARV (VRRM) mar eTengicn mdxind en ua cirayite rectigicador dendia anda »S00V (Vee) © Rango de temperatura > 68°C a 6 428°C 2 Gida de tension = 4,4V WE\ max * Corciente en sentido ditcto: AML © Comiente maxima & RCO: SOA L lesm\mon Escaneado con CamScanner Frgora 43 4th tay I za e th Corte seenbo | ' law | EL ANASIA as un alodo zener qe ogrece alta giabilidad y aver teristiceas Xe inverse moy precisas. Este dicdo €6 apto para aplico- cones de estatilizacién ge tension eo Tensisn directa de IV 3 200mA © Grriente javersa de 2OmA para AR © Corriente de gugs mvecsa de {ua 9 AV Tensisn Zener V2 Atpica: SUV — Pisigacion de potencia Pa: S00 mv Moleranaa zener b+ Se e ® e Temperatura de guncionamients Max. 200° Figors AD Men aoe NV=Je2RANz 4 Ty: Veve = sv y fhe ca al two & “000 Nz SA) Rivdo Zener AN FS? Tension del zener: UAV eDisipacion de potencia: SoOmw * Tolerancia del vollaye -S% & Gervente Zener: laa © Tmpedanca det Zener 62 f NemPeraturs de trabajo minima: —Us% Temperatura de tabays ensii mat 4475 Escaneado con CamScanner Figura AS {wa [Oe] Ary [> | AV NV EQ 1249,4 Tes {2-944 Y (Be=2ama\ Ten 229 av] Vy. 2.6 RECORTADOR DE ONDA Bora eb siccuito de la Tua 42, analiza“ determina “fe forme de la senal de ashda Vo. Para los siguientes “casos: a) Gonsidere ge la send de entrada Vs es una setal Aciangular con valows emdxime yy minima de t4OV y -40V § Una frecuencia de ARH 8) Cons, dere Que la cefal de entrada Us= 10 cen loot) LY) ) Gacidere qe ta setal de eatads Vs e6 una senal rectangular con Nalows oe 4 minimos de tov 4 - 10V 4 oma grecuenda de dR: Escaneado con CamScanner Escaneado con CamScanner 2.4. RectiricADoRES Poca tos aeauitos d ta gigua LB gy Rgum 44 (ietes 14007) Realice a anakeis y caleolo “4 = 8) Forme de la sevial de ealida Vo \) Noltaje 4 corriente continua solore la carga (Re) AV Noltaje 4 coriente allerna scbve la carga a\ Rendiments del arate 2) Faclor de vizado §) \pltge peo wwerso que Soportan los diodes DNBlho bpo Re que adiacnaria al civeuito para incrementar [os Componentes en continva wavyac a fav Jac 220 Ve Dawe | Re Ve 220 Vf Figura 4.8 Figura A. Empezando co la Yee 88 4 ww 5s Ry [Lee = 245m 2ax\0* Escaneado con CamScanner Escaneado con CamScanner Nea = Wola qe Irae ADB? aw V2 + 2,2 710% 4 fa Lee - 00%. 2.8 ANALISNS RECTA DE CARGA Aaa el acassto de ta Fgura 40 Determiner a) Melerminar la recta de Carga pao corciente cantinva y, alterne bv) Aiur la recta de carga para cowiente conkaua g alleraz. 2) Mearante el analisio gedgico delermina y grag el volR\e de salide. > Ly + @ «9 ou 4 = 1aSen 4OOTL) Fgera 410 Escaneado con CamScanner He ni $0 vu d2 Si - Aga go Me A RK Pe Re Escaneado con CamScanner Escaneado con CamScanner ZA ARWITO REGULADOR con Dido ZENER ara atwite de la gigua 141. Loo pacsmetros det grodo zener CAMIS) sont We 24)Av con! fer =2amA, Wz = 49-0 Parma =S00mw, €} volizye de alimentacicn Vs varia entre 12 4 ATV y & corriente de carga cambbta de Gimp a 100mA Deteccimar VEN valor a tr resislenen Ps ge el atrwito gunaone corcectamente gra los anges de variacion de Ve y Re b) La Aispacicn de polencia en Rs a hrrrhLUL Wes Ns nh 004 Para Veo: Ne = Ter -teaNeo \uos Ne- Berke Neos 34-2000" 47 Nao = 8,96 Ol \ Escaneado con CamScanner Pau © Wa “Termes Tamar ® Browe = SOOrAT? py Tawow = 5495 AI, ze ana - 44 a) or. Ns= RslIe+ 1.) av Ves Re Car Te) a tare t Veo Pos @5 Se Rs: i : \ & Pass Vectms = 7 wb Pass rae Rs 423,83 Cena, <) Ree = 34 9 “Lieta Sxt1o° || Rare Me dt 9 [Betnal Timor 409 x10? erat Escaneado con CamScanner ZAOF Tiros DE DIOoCS Y Svs APLICACIONES Poa el sod pin, diode ‘ine, bode vavicap, schotty y ole diode, deserioiy § discnar: a) Sienbchogia B) Rancipio de gunderamienta ©) Gnas caacteristias J) Drsefior un cicaaklo para Soler gu ave caracteristice Arodoemisor da loz (LED), dtodo — Vole Pia —p}— Co una eetructura de bres capas, siendo la intermedia semicondector iMtrinsece, ¥ las externas, yaa de HD Pg La oles pO N. Un diode Fin opera layjo lo que ae conc? como la inyeccidn de alto nivel. Eq otees palabies la vegon intrinsece *i° 2¢ iauada con los gartadares de carga de “n",’p% Coando al dodo eshi polizado baci adelante, 13 concentraciin de portadores inyeclada es Npica~ mente varios exderes de magnitud mas alta que la concentrecion de pactadores nivel intrimsecp, Va diodo PIN obedece a Ecuacicn det diodo eotindar gaa sevsles de bale Greaenca 4 Frecwendas mas alte, el diode se parece a ure resiskencia asi Per gecls iodo tsnel oe Sy va diode Convencional Hen un dopaje {000 veces mayor, €n 50 Unidh 3¢ produce el efecto Hinel que origina Una condoctancid digerencial negativa en un inkervalo de sv curve caracterishica, esto ocune cuando Is golaritach ests en dicecta, o Ge Quiert decie es He ends | eesistends Co neqahya, la Corriente stsminuye al eomentar el voltaje- Escaneado con CamScanner Modo lone! Bote Ae pico Ns 4 pW v ~Diodo vartcap 1. sands ua dlodo varieap es golartzads en inversa,se dice qe la barrera de po- teasl qe forman las materiales Ny Pa partic del punto de vaidn de tos jo twas se produce una capacitance, Este es también un diodo Qve aprevecha determmadas 4écnicas congtructivas para compertats®, ante variadones de Ya tension aplicada , como 1 condensador variable, Dolarizade en inwersa este dispositive presenta caracterisfics Ge son de sums wnlidad en ctcevites sintonizades (L-C), donde son necesarios los cambios de axpaciced Cer) ca Va) odo emisor de loz (LED) a a Ex cna panto de lve conatieida por ua material semicondocar dolade de dos Yeeminales. Or Hata de un diodo de unish Pony qe emile loz wando este ach- vado. Sr aplica una tensién adewada a tos terminates, los elections se cecombi- nan con os huecos en La eegiin de ta ynluin p-a del Stapssitivo , lilcerands enegia en forma de fotone. Este efeclo se Nama eleclntomimscencia, Escaneado con CamScanner = Vroko Schott ky of cate semiondector que proporciona conmutaciones mu aPidas ente los esisdos sso duecis © yaversa -y muy Wajss fensions umbral (tensions a2 code). odo esta Couttlards gor Und Lain metal - semiconductar Cearrera de Schatt Fy) ,en 13 Unde conventional semiconductor P- semiconductor KS vilizads por Ws diedas Bay se dice qe ate diode es on dispositive semicon dvctor apigica qe, Si el cuerpo aclimeds b Portador semiconduclor ests dopido com im Sucees, poctaderes tipo N decemperaria un papel signgecative en So dc bods 4 09 Se reales la recombinacioh eledigria 4 ‘eats de np Sy? + or batts ‘~Diodo PN Escaneado con CamScanner — Yotediodo NN St Un gotedtod es una onida PN o estructura P-T- Cando un haz de luz & sucrenle energis incide en cl dodo; excite on clectrda dando le movimiento J ues ur hecco con carga positive. Gi ld absordlon oarre en |b Zona de aqote~ mitalo de & unidn,o a una dtslanda de diquaidn de él, estos pertadoses san vetitados de \y vnicn por el campo

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