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MNT Institut für Mikro- und Nanotechnologie Trockenätzanlagen RR6 Deep Reactive Ion Etching STS PEGASUS Eckdaten

MNT

Institut für Mikro- und Nanotechnologie

Trockenätzanlagen RR6

Deep Reactive Ion Etching STS PEGASUS Eckdaten Substratgrössen: Quelle: Bosch-Prozess Substrathalterung:
Deep Reactive
Ion
Etching
STS PEGASUS
Eckdaten
Substratgrössen:
Quelle:
Bosch-Prozess
Substrathalterung:
Erreichbare Ätzraten:
100 mm, 150 mm und 200 mm
PEGASUS ICP Quelle (5kW 13.56MHz RF-Generator)
LF oder RF Platen Power (<300W)
elektrostatisch
bis zu 25 µm/min
Prozessgase:
C F , SF ,
O ,CF ,
CHF , N , Ar
4
8
6
2
4
3
2
Prozesse:
Hauptanwendung:
Hersteller:
Gas Chopping oder kontinuierliche Prozesse
Tiefenätzen von Silizium mit sehr hohen Ätzraten
STS Surface Technology Systems (neu: SPTS)
Oxidätzung STS Advanced Oxide Etching (AOE) z.B. mit Prozessgase C F , H , He
Oxidätzung
STS Advanced Oxide Etching (AOE)
z.B. mit Prozessgase C F , H , He
4
8
2
Eckdaten
Substratgrössen:
100 mm und 150 mm
Quelle:
ICP Quelle (3kW
13.56MHz
RF-Generator)
Substrathalterung:
Substrattemperatur:
RF Platen Power (<300W)
mechanisches Clamping
-20°C bis 40°C
Erreichbare Ätzraten:
bis zu 0.5
µ
Prozessgase:
C F ,
O , CF
m/min
, He, N ,
H
4
8
2
4
2
2
Prozesse:
kontinuierliche Prozesse
Endpunktdetektion: laserinterferometrisch
Hauptanwendung:
Ätzen von SiO , Si N
oder Si O N
2
3
4
x
y
z
- Ionenunterstützte Ätzchemie auf Boden
Hersteller:
STS Surface Technology Systems (neu: SPTS)
- Redeposition und Polymerbildung an Seitenwänden
- Zugabe von Wasserstoff zur Einstellung der Selektivität
STS
STS

Plasmatherm SLR 770 RIE Reactive Ion Etching

STS STS Plasmatherm SLR 770 RIE Reactive Ion Etching Eckdaten Substratgrössen: Quelle: Prozessgase:
STS STS Plasmatherm SLR 770 RIE Reactive Ion Etching Eckdaten Substratgrössen: Quelle: Prozessgase:

Eckdaten

Substratgrössen:

Quelle:

Prozessgase:

Hauptanwendung:

Hersteller:

Ø

ICP Quelle CF , SF , O , N Ätzen von Metallisierungen Plasmatherm

Ø

50 mm bis

4

6

2

150 mm

2

Barrel Asher

50 mm bis 4 6 2 150 mm 2 B a r r e l A

Eckdaten

Substratgrössen:

Quelle:

Prozessgase:

Hauptanwendung:

50 Stück Ø100 mm Kapazitiv (RF) O , N , CF , SF Veraschung, Reinigung, isotropes Ätzen

2

2

4

6

UCP Plasmareiniger LFC063 CW

isotropes Ätzen 2 2 4 6 UCP Plasmareiniger LFC063 CW Eckdaten Substratgrössen: Quelle: Prozessgase:
isotropes Ätzen 2 2 4 6 UCP Plasmareiniger LFC063 CW Eckdaten Substratgrössen: Quelle: Prozessgase:
isotropes Ätzen 2 2 4 6 UCP Plasmareiniger LFC063 CW Eckdaten Substratgrössen: Quelle: Prozessgase:

Eckdaten

Substratgrössen:

Quelle:

Prozessgase:

Hauptanwendung:

Hersteller:

bis 300 mm Durchmesser Hohlkathodenarray (RF) Ar/H , Ar, O Reinigung, Oberfl.aktivierung UCP Processing Ltd.

2

2

Grundriss Packagingbereich ca. 50 m 2 Raum 3934 MNT Institut für Mikro- und Nanotechnologie Reinraum

Grundriss

Packagingbereich ca. 50 m 2

Raum 3934

MNT

Institut für Mikro- und Nanotechnologie

Reinraum mit integriertem Technikraum ca. 75 m 2

MONITOR KEYBORD Strom- versorgung Flowbox Flowbox Tisch 160/80/90 Tisch 160/80/90 Lüftungs- PRIME POWER WAFER-
MONITOR
KEYBORD
Strom-
versorgung
Flowbox
Flowbox
Tisch 160/80/90
Tisch 160/80/90
Lüftungs-
PRIME POWER
WAFER-
Kombi-
&
RIE-Anlage
ELECTRONIC
Säge
Anlage
SMC
Bookham
MODULE
CHILLER
HRG
Electronic-Rack
Stromverteilung
Barrel-Asher
RIE-Anlage
Barrel
GAS-Schrank GS-4
H2
Asher
Nadel-Prober
Muffel-
FB-Ofen
SMD-
Tisch 160/80/90
STS AOE
Ofen 1
Durchlaufofen
Hauben
REMOTE GAS BOX
for AOE
Ofen
MONITOR
MONITOR
COMPAQ
COMPAQ
KEYBORD
KEYBORD
MOUSE
MOUSE
PULL-Tester
iH600
GAS-Schrank GS-2
Ar, H2-Ar
STS Pegasus
SMC
CHILLER
Mikroskopie
HRZ
GAS-Schrank GS-3
Wire-Bonder
SMC
Sf6, H2-N2, CHF3
CHILLER
Strom-
HRG
versorgung
ESEC
Hand-
vollautomatisch
Die-
Hand-
Die-Bonder
Bonder
150/140/190
Wire-Bonder
SÜSS
SCHER-Tester
K+S
Strom-
versorgung
Einbau-Kasten
Einbau-Kasten
E
UCP
Vakuum-
MONITOR
Plasma-
Löt-Ofen
COMPAQ
KEYBORD
reiniger
VLO 850
MOUSE
S
Tisch 160/80/90
O
L
C
Strom-
versorgung
UV-
Trockenschrank
Bestrahlungs-
Ofen
Gerät
FB-Ofen
Muffel-
Ofen 1
DIGESTORIUM
bxtxh=180x105x245
Strom-
versorgung
Vakuum
Vakuum
Strom-
Lockpump
pumpe
pumpe
versorgung
UHUBER CHILLER
UTYPE UNISTAT T326W
(HEIGHT = 627)
GAS-Schrank GS-1
C4F8, He, Cf4, O2, N2
SMC
UHUBER CHILLER
UTYPE UNISTAT T326W
(HEIGHT = 627)
CHILLERSMC
TRANS-
FORMER
SMC
Lockpump
CHILLER
RF-Elektronik
TRANSFORMER
PRIME POWER
&
ELECTRONIC
MODULE
Strom-
versorgung
O
P
E
N

Infrastruktur

Reinraum

Reinraum-Klasse:

Fläche Reinraum:

Fläche Technikraum:

ca. ISO-Klasse 7 (US 10000), unter Flowzonen ISO 5 55 m 20 m

2

2

Klimatechnik Umluftsystem 8000 m /Stunde Frischluftanteil davon max. 1500 m /Stunde Abluft über Dachventilator (ziehend über dichte, brandsichere Leitung) 500 bis 1500 m /Stunde Zuluft über Deckenfilter im RR, Überströmung in Technikraum von dort zum Gesamtraum 3934 zurück zum Klimaschrank Feinfilter für Umluft- und Aussenluft F8 HEPA-Filter H14 Raumtemperatur und -druckregelung Raumkühlung über Kältekompressor oder über Freecooling-Register mit Grundwasser Wärmerückgewinnung aus Abluft (Abluftkühlung bis auf 4°C)

3

3

3

Medienversorgung Druckluft Qualität 1-2, 5 bar ( /

3

8 Zoll) mit Wasserabscheider,

Grob- , Mikro- und Submikrofilter sowie Membran-

 

trockner

Gase

Stickstoff 4.5 über 12-Flaschenbündel

11

hochreine Prozessgase in brandsicheren

Gasschränken, Gasverrohrung über der RR-Decke Wasser

Kühlwassersystem MNT 16°C mit Leckdetektion Grundwasser-Sekundärkühlkreislauf Warm- und Kaltwasserversorgung (Brauchwasser) DI-Wasseraufbereitung über Ionentauscherpatrone

Brandschutz Automatische Absperrung der Absaugleitung über Brandschutzklappe Brandabschnittsbildung des Raumes 3934

10 Rauchmelder schalten Abluft- und

Umluftventillatoren aus

Kosten der Infrastruktur-Erstellung (September bis Dezember 2009) ca. 380'000 CHF