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1. INTRODUCCION El anlisis de amplificadores hecho hasta ahora ha estado limitado en un rango de frecuencias, que normalmente permite ignorar los efectos de los elementos capacitivos, considerando nicamente elementos resistivos y fuentes. En este tema se estudia los efectos en frecuencia introducidos por condensadores de gran valor, generalmente externos, que limitan la frecuencia baja de operacin del amplificador, y condensadores internos a los dispositivos activos que limitan su comportamiento en alta frecuencia. Generalmente, el anlisis en frecuencia de un amplificador se realiza sobre un rango muy variable de valores de frecuencia. Para facilitar su caracterizacin se utiliza escalas logartmicas en trminos de decibelio. La respuesta en frecuencia en los amplificadores establece el rango en el cual trabajar el sistema sin distorsionar la seal. Este se conoce como ancho de banda (BW, Band Width) y determina las frecuencias para las cuales se produce el proceso de amplificacin. El valor de este parmetro depende de los dispositivos y de la configuracin amplificadora. 2. OBJETIVO GENERAL Analizar el amplificador de voltaje de emisor comn con transistor BJT NPN para determinar los efectos capacitivos que hacen que la ganancia de voltaje caiga a un valor de 3db de su valor mximo para bajas y altas frecuencias. 2.1 OBJETIVOS ESPECIFICOS Familiarizar al estudiante con los parmetros ofrecidos por los manuales de los fabricantes de transistores para el anlisis en frecuencia del transistor BJT y su modo de emplearlos. Identificar los parmetros del modelo de GummelPoon, de OrcadPspice que se modificarn para determinar los puntos de operacin del amplificador y las frecuencias
en
la
4. COMPONENTES NECESARIOS Resistencias de 33K, 22 K, 4K, 4K, 5K, 500 a de Wattio Capacitores de 1uf ,2uf,10uf a 50v 1 Transistor bjt NPN (ref: 2N2222A, 2N3904) 5. DESARROLLO DE LA PRCTICA
Analizar los efectos capacitivos sobre la ganancia de voltaje del amplificador utilizando el modelo equivalente para alta frecuencia y el efecto Miller.
Graficar en papel semilogartmico la ganancia de voltaje utilizando para ello la tcnica de Bode. Simular el comportamiento del modelo aproximado con la herramienta ORCAD PSPICE utilizando el modo de barrido en AC. 3. EQUIPO NECESARIO Computador con ultimas especificaciones Herramienta de simulacin ORCAD PSPICE 10.3 1 Protoboard 1 Fuente de voltaje Regulada (0-32V / 0-3A) 1 Generador de seal con su respectiva punta de prueba (010 Mhz) 1 Osciloscopio con sus respectivas puntas de prueba (0-200Mhz) 1 Multmetro Digital (500V / 10 A /10 Mhz) Pinzas, Pelacables, cables.
0
R 1 3 3 k C R C 4 k
Q B
2 2
2 2
2 2 2 k R E 4 k
2 2
Figura N 1
2 1
1.011mA 3.89V
R 1 3 3 k C R 4 C k C 2 u O c F V Q E 0 = = 1 1 1 0 0 k m v R 2 2 2 k R 4 E k C 1 e 0 u 2 N 2 2 2 2 R 5 1 F A L k 2 v V 2 C C U T
R 5 0
S 0
I N
C 1 u
s F
Q B
V
R 3
1 3 k C
R 4
C k C 2 O u c F V C U T
1 5K
1 0K
R 5 V L = 1 1 0
S 0
I N
C 1 u
s F
Q B
5K
Q E
2 R 5 1 u
A L k 2 F v V
0 100 mHz 1.0 Hz V( Cs: 2) /-I (Cs ) 10 Hz 1 00 Hz 1.0K Hz 10 KHz 100 KH z 1. 0MHz 10 MHz 100 MH z 1.0GH z 10G Hz
V V F A
O A R C M
F P
= =
0 1 1 0 0 k m v
R 2
2 2 k R 4 E k C 1 e 0
F req uency
Q =
Figura N 2
R 3
1 3 k C
R 4 C 2
C k c u F V C C O U T
Figura N 4
R 5 0 S 0 I N C 1 u s F B
Q E R 2 2 2 k R 4
4 V R 1 5 V L k d c 2 v 2
E 1 k 4
V 3 V a c . 0 6 8
400
300
200
100
1 0Hz
100Hz
1.0KH z
10KHz
1.0MHz
10MHz
10 0MHz
1.0GHz
10 GHz
100GHz
5.0K
4.0K
3.0K
2.0K
1.0K
10H z
1 00Hz
1.0KHz
10K Hz
1 00KHz Frequency
1. 0MHz
10MHz
100M Hz
1.0GH z
10 GHz
100G Hz
Figura N 6
Figura N 8
R 3 1 3 k C R 5 S 0 0 C 1 u s F E R 2 2 2 k R 4 E k C 1 e 0 u F R 5 Q B Q 2 N 1 R 4 C k V
I
3 O 1 V a c V 7 . 9 5 8 2 2 2 2 A 1 2 L k U V T d c V C V v C 2
I N
R 3
1 3 k C
R 4
C k C 2 u c O F V C C U T
R 5 V L = 1 1 = 1 0
S 0
I N
C 1 u
s F
Q B
Q E
2 2 R
A L 5 k 2 v V 2 1
F P Q =
0 R 2 2 2 k R 4 E k C 1 e 0 u 1 0 0 k m v
572.65Hz 9.06Hz
V F
Figura N 9
5.3.1 PARMETROS DE C. VALORES PARA CJC CJC VJC Cjc VCB MJC Tabla N 3 3.3pF 0.75V 2pF 3.2V 0.3014
5.3.2 PARMETROS DE C. VALORES PARA CJC fT(ICQ) Gm(ICQ) C Cje Tf Tabla N 4 5.4 VALORES OBTENIDOS. ANALISIS EN ALTA FRECUENCIA VARIABLE TEORICO SIMULADO fT(ICQ) C C FH FH 450MHz 2pF 3pF 2.53MHz 3.34MH Tabla N 5 466MHz 1.8pF 2.7pF 2.66MHz 3.46MHz 6. CONCLUSIONES
Logramos
EFECTO MILLER VARIABLE CI CO FHI FHO TEORICO 1.9pF 1.83pF 723KHz 79MHz Tabla N 6 SIMULACION 1.82pF 1.78pF 718KHz 76.3MHz
comprender la importancia que tiene realizar una anlisis completo en torno a la respuesta en frecuencia para un amplificador ya que es vital conocer el tipo de comportamiento que pueden llegar a tener los capacitores del circuito ya que de acuerdo a su posicin y valor en torno a la frecuencia podremos llegar a obtener el rgimen en el cual se puede trabajar con el amplificador de manera estable, con eso nos referimos a la banda media tanto como sus puntos de alta y baja frecuencia fH y fL respectivamente.
En
el anlisis terico conocimos varios mtodos para lograr obtener los valores de la respuesta en frecuencia que necesitbamos para hacer el seguimiento al amplificador, entre ellos estaban el mtodo de polo dominante, por el efecto de Miller en caso de existir una capacitancia entre los pines BC. Gracias a esto pudimos observar la infinidad de procedimiento de apoyo con que contamos para realizar procesos con la respuesta en frecuencia. Tenemos conocimiento acerca de la importancia que tienen las capacitancias en al anlisis de circuitos ya que hasta el momento solo nos referamos a las resistencias o fuentes y no tenamos en cuenta los capacitores tanto externos como internos con estos pudimos entender el comportamiento del circuito cuando nos dan por ejemplo valores grandes en las capacitancias externas y como esto nos influye determinantemente en el comportamiento del amplificador. Comprendimos los parmetros a tener en cuenta en el momento de realizar el barrido con el programa de simulacin ORCAD PSPICE, ya que al trabajar por primera vez en torno a la frecuencia no tenamos en
cuenta muchos de los valores y variables que ahora tuvimos que hallar por medio de las especificaciones del fabricante (datasheep) para poder realizar nuestra simulacin 7. BIBLIOGRAFIA BOYLESTAD, Robert L. Electrnica: Teora de Circuitos. Mxico D.F. Editorial Prentice Hall Hispanoamericana, S.A. 1997. HORENSTEIN, Mark. Microelectrnica: Circuitos y Dispositivos. Mxico D.F. Editorial Prentice Hall Interamericana S.A., 1997. Guas del Ing. Jhon Jairo Ramrez M. Anlisis en frecuencia de un amplificador emisor comn